JPH1174599A

JPH1174599A - 信号伝送用半導体光源装置の駆動方法、信号伝送用光源装置、およびそれを用いた光通信方法および光通信システム

Info

Publication number: JPH1174599A
Application number: JP10185639A
Authority: JP
Inventors: Natsuhiko Mizutani; 夏彦水谷
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-07-01
Filing date: 1998-06-16
Publication date: 1999-03-16
Also published as: US6526075B2; US20020181518A1

Abstract

(57)【要約】【課題】偏波スイッチング可能な半導体レーザに強度変
調信号を発生させるための駆動方法である。【解決手段】半導体レーザは光導波路の一部に流す電流
を変調することで異なる偏波モード間で発振がスイッチ
する構造であり、この電流の偏波モードスイッチング領
域では異なる偏波モードの光が共に出射されかつ各々の
強度が電流値に応じて変化する特性を有する。光導波路
の一部に流す電流を偏波モードスイッチング領域内の点
にバイアスした上で変調信号を加えて、少なくとも一方
の偏波モードについて変調信号に応じて強度変調された
光を送出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高速変調時の動的
波長変動を抑え、高密度の波長多重光通信を実現するた
めに用いられる光通信用光源装置等の変調時の駆動方
法、およびそれを用いた光通信方式、光通信システムな
どに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、大容量の通信を可能とする波長分
割多重光通信システムの光源として、発振偏光モードが
２つの異なる偏光モード間でスイッチングする偏波スイ
ッチング可能な動的単一モード（ＤｙｎａｍｉｃＳｉ
ｎｇｌｅＭｏｄｅ）半導体レーザが提案されている。
例えば、特開平２−１５９７８１号公報において、小振
幅のデジタル信号をバイアス注入電流に重畳することで
デジタル偏波変調を可能にする素子構造が提案されてい
る。

【０００３】これは、回折格子からなる分布反射器を半
導体レーザ共振器内部に導入し、その波長選択性を利用
する構造のＤＦＢレーザを用いたものであった。ここで
は、偏波スイッチング可能とすべく、発振波長近傍の波
長の光のＴＥモード、ＴＭモードの両方に対して、発振
しきい値程度の電流注入のもとでの利得をおおよそ同程
度とするために、活性層の量子井戸に歪を導入したり、
或は活性層を無歪構造としブラッグ波長を利得スペクト
ルのピークよりも短波長側に設定している。また、レー
ザは複数の電極を持つ構成とし、これらの複数の電極に
対して不均一に電流注入を行うものである。そして、不
均一注入によって共振器の等価屈折率を不均一に変化さ
せて、ＴＥモードとＴＭモードのうちで、位相整合条件
を満たして最低のしきい値利得となる波長と偏波モード
で発振する構成になっている。ここにおいて、不均一注
入のバランスをわずかに変えることでＴＥモードとＴＭ
モード間の位相整合条件の競合関係が変化して、発振波
長と偏波モードを変えることができるというものであっ
た。

【０００４】このデバイスの駆動方式としては、２電極
構成のＤＦＢ型半導体レーザの片側の電極に流すバイア
ス電流に上記の如く小振幅のデジタル信号を重畳させ、
ＴＥ／ＴＭスイッチング変調させるというものがある。
これは、２電極への注入電流の適切なバイアス点の設定
によって、この出力光が偏光子を透過した後に、強度変
調された光として、大きな消光比の得られた状態でＴＥ
モード偏波光を得ることができる技術であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記デジタル
偏波変調方式では、映像等のアナログ信号伝送のために
は、アナログ・デジタル変換器を用いて信号をデジタル
化したのちに、伝送する必要があり、アナログ映像伝送
に対してはシステムの部品点数が増大してしまうという
問題点があった。また、多値化したデジタル伝送方式に
よる伝送容量の拡大に対しても対応できなかった。

【０００６】従って、本出願に係る発明の目的は、偏波
スイッチング可能なレーザに強度変調信号（特に、アナ
ログ強度変調信号や多値デジタル強度変調信号に適す
る）を発生させるための駆動方法、このような駆動方法
で簡単に光通信を行なうための光源装置、このような光
源装置を用いた強度変調による光通信方式、上記光源装
置に強度変調法を用いて多重化した光通信方式、上記の
ような高密度波長多重光伝送を用いて構築された光通信
システム等を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するための本発明の信号伝送用半導体光源装置の駆動
方法は、半導体レーザを光通信用光源として使うときの
駆動方法であって、前記半導体レーザは光導波路の一部
に流す電流を変調することで偏波面の異なる２つの偏波
モード間で発振がスイッチする構造であり、さらに該電
流の偏波モードスイッチング領域では前記２つの偏波モ
ードの光が共に出射されかつ各々の強度が該電流値に応
じて各々変化する特性を有し、前記光導波路の一部に流
す電流を該スイッチング領域内の点にバイアスした上で
変調信号を加えて少なくとも一方の偏波モードについて
該変調信号に応じて強度変調された光を送出することを
特徴とする。この変調信号は、アナログ変調信号であっ
たり、デジタル信号に基づいて変調手段で生成されたア
ナログ変調信号であったり、デジタル信号に基づいて変
調手段で生成された多値デジタル変調信号であったりす
る。

【０００８】図１に示す偏波変調半導体レーザのＴＥモ
ード光およびＴＭモード光のＤＣ駆動時のＩ（光導波路
の一部に流す電流）−Ｌ（光出力）カーブ例に基づいて
本発明の信号伝送用半導体光源装置の駆動方法の原理を
説明する。このカーブは、光出射端側の電極に流す電流
Ｉ_２を一定とした状態で、もう一方の変調側の電極に流
す電流Ｉ_１を変えたときのＴＥモード光およびＴＭモー
ド光の出力を示したものである。ここでは、半導体レー
ザは、電流のスイッチング領域では前記２つの偏波モー
ドの光が共に出射されかつ各々の強度が該電流値に応じ
てほぼ線形的に変化する特性を有するものである。偏波
変調半導体レーザがＤＦＢレーザなどの単一モードレー
ザである場合は、ＴＭモード光およびＴＥモード光はい
ずれも、ＤＦＢレーザなどのグレーティングによって決
まるブラッグ波長（ＴＥモードとＴＭモードで波長が異
なっている）での単一縦モード発振である。

【０００９】このＩ−Ｌカーブで、スイッチングポイン
ト近傍（スイッチング領域）では、ＴＥモード光および
ＴＭモード光の共存するバイアス状態が存在している。
このバイアス状態の電流値の幅（すなわちスイッチング
領域の幅）をΔＩ_ｓｗとする。ΔＩ_ｓｗと比べて小さな
振幅の変調信号を印加すると（ここではアナログ変調信
号を示している）、Ｉ−Ｌカーブのスイッチング領域で
の急峻な立ち上がり特性に応じてＴＥモード光強度は大
きな振幅で強度変調された光となる。符号反転させた変
調信号を印加すれば、所望の変調されたＴＭモード光を
得ることもできる。

【００１０】以上の説明において、Ｉ−Ｌカーブの特性
として光導波路の一部に流すバイアス電流の増大ととも
に、ＴＭモードからＴＥモードへの切り替えが起こるス
イッチング領域を例に取ったが、バイアス電流の増加と
ともにＴＥモードからＴＭモードへ切り替わるようなス
イッチング領域を選定すれば、強度変調されたＴＭモー
ド光を得る事ができることは、容易に理解できよう。こ
の場合には、各光導波路に流すバイアス電流を適当に調
整して、図１のＴＥ光とＴＭ光との関係が逆になる様に
する。

【００１１】より具体的には、以下の様な形態が可能で
ある。前記半導体レーザが活性層を含む光導波路に近接
して回折格子を有する分布帰還形半導体レーザであり、
該活性層が伸張歪の導入された多重量子井戸構造で構成
され、量子井戸内のホールの準位であるヘビーホールの
基底準位とライトホールの基底準位が等しいか若しくは
ライトホールの基底準位の方が電子の基底準位に近づい
ている。分布帰還形半導体レーザのＴＥモードとＴＭモ
ードの利得をほぼ等しくすることを、こうした構成で実
現している。これにより、上記変調が可能な偏波スイッ
チングレーザが実現できる。

【００１２】また、前記半導体レーザが共振器方向に少
なくとも２つ以上の電極を有し、該電極に対応して共振
器を構成する複数の光導波路部分に独立に電流注入可能
であって、複数の量子井戸からなる該各導波路部の活性
層が主にＴＥモード光の利得に寄与する無歪ないし圧縮
歪の量子井戸と主にＴＭモード光の利得に寄与しＴＥモ
ード光の利得にも寄与のある伸張歪の量子井戸とをそれ
ぞれ１つ以上有し、これらの井戸で最低準位間のバンド
ギャップが等しく、また少なくとも１つの活性領域では
これらの井戸の数の組み合わせが他の活性領域と異なっ
ている。この様に構成された複数の導波路部分では、独
立に電流注入可能であり、かつ注入電流依存性が異なっ
ているので、ＴＥモードの周回利得とＴＭモードの周回
利得が接近し、発振モードが競合するような注入電流の
バイアス状態を選定することができる。このようなバイ
アス状態のデバイスに対して、上記の駆動方法による強
度変調を行なうものである。この活性層構造について説
明すると、各導波路部はＴＥモード利得に寄与する井戸
とＴＭモード利得に寄与する井戸を１つ以上ずつ有する
ことで、ＴＥモードおよびＴＭモードの両偏波モードに
対して利得を有するとともに、これらの井戸数が異なっ
ていることで、活性層の利得スペクトルの注入電流依存
性が異なったものとなる。いずれの導波路部分において
も、ＴＥモードおよびＴＭモードに対する利得を有する
ので、偏波モードスイッチング時に共振器内の光強度分
布の変動が小さく、ホールバーニング効果を介した波長
変動の影響の小さなスイッチング特性が得られる。

【００１３】また、上記ホールバーニング効果の影響を
抑えた半導体レーザが活性層を含む光導波路に近接して
回折格子を有する分布帰還形半導体レーザである。回折
格子のブラッグ波長に相当するＴＥモード光とＴＭモー
ド光との間（即ち、単一縦モード間）での偏波モードス
イッチングデバイスとなり、微小電流での偏波スイッチ
ング特性が安定したものとなる。

【００１４】また、上記の半導体レーザの駆動方法にお
いて、変調信号の電流振幅が、上記２つの偏波モードの
光が共に出射されるような注入状態を維持する電流範囲
を超えないことを特徴とする。変調信号の電流振幅を、
スイッチング点近傍の立ち上がり特性の急峻で線形性の
よい部分に限定する事で、非線形性が小さく線形性の優
れた（元の信号に対して歪みが少ない）強度変調を行な
うことができる。

【００１５】また、上記の半導体レーザの変調された出
力光の該偏波面の異なる２つの偏波モードの光を分岐す
る手段と、該分岐された第１の偏波モードの光を光伝送
路に結合させる手段と、第２の偏波モードの光を電気信
号に変換する手段とを備え、上記の駆動方法で変調され
て光伝送路に結合された第１の偏波モードの光の変調状
態が安定化するように、該電気信号を元に該半導体レー
ザに注入する電流を制御する。伝送に用いない偏波モー
ドの光を利用して、電流のバイアス状態をモニターする
事ができ、上記駆動法において電流のバイアス点を安定
化させて信号の非線形性を小さくすることができる。

【００１６】前記電気信号を元に半導体レーザに流す電
流を制御する方法が、上記の電気信号を低域通過フィル
タを通したのちに差動アンプで基準電圧と比較した出力
を比例、積分回路によって適当な帰還率で該半導体レー
ザを駆動する直流電流源にフィードバックする制御方法
である。簡単な構成で安定度の高いバイアス点安定化制
御をできる。

【００１７】更に、上記目的を達成するための本発明の
光通信用光源装置は、上に記載の駆動方法で駆動される
半導体レーザと偏光選択手段からなり、該半導体レーザ
に変調信号で変調を行ない、その出力端に偏光選択手段
を配して一方の偏波モードの光のみを取り出すことを特
徴とする。上で述べた２つの偏波モードの光を分岐する
手段は、ここでの偏光選択手段としても機能させられ
る。

【００１８】更に、上記目的を達成するための本発明の
光通信方法は、上に記載の駆動方法で駆動される光通信
用光源装置を用いて強度変調された光を光ファイバで伝
送し、光受信器で受光する（直接検波したり、受けた光
を復調手段を用いて復調して元の信号を得たりする）こ
とを特徴とする。これにより、信号の伝送可能な通信方
式が実現される。

【００１９】更に、上記目的を達成するための本発明の
光通信方法は、送信光源を複数接続し１本の光ファイバ
に複数の波長の光をそれぞれ変調して伝送させ、受信側
で所望の波長の光にのせた信号のみを取り出すような波
長分割多重伝送をする光通信方法において、上に記載の
駆動方法で駆動される光通信用光源装置を用いて強度変
調された光を光ファイバで伝送し、光フィルタを備えた
光受信器で受光する（直接検波したり、受けた光を復調
手段を用いて復調して元の信号を得たりする）すること
を特徴とする。波長多重によって、高速、大容量の通信
ができる。

【００２０】更に、上記目的を達成するための本発明の
光通信システムは、１本の光ファイバに複数のノードを
接続し、複数の波長の光をそれぞれ変調して波長分割多
重伝送する光通信システムにおいて、おのおののノード
は送信部と受信部からなる光−電気変換装置を有し、上
に記載の光通信方法により通信を行うことを特徴とす
る。これにより、低コストでスループットの高い光ＬＡ
Ｎシステムなどを構築できる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下に、上記の原理を適用した本
発明の実施の形態を説明する。

【００２２】［第１の実施例］先ず、アナログ強度変調
信号に係る例である本発明による第１の実施例を説明す
る。図３は、半導体ＤＦＢレーザの断面斜視図で、３０
１は基板となるｎ−ＩｎＰ、３０２はｎ−ＩｎＰバッフ
ァ層、３０３は、０．１μｍ厚のＩｎＧａＡｓＰ下部光
ガイド層（バンドギャップ波長１．１７μｍ）、３０４
は井戸層が１３ｎｍ厚のＩｎＧａＡｓ（０．６％伸張
歪）、障壁層が１０ｎｍ厚のＩｎＧａＡｓＰ（バンドギ
ャップ波長１．１７μｍ）からなる歪３重量子井戸活性
層、３０５は深さ０．０５μｍの回折格子ｇの形成され
た０．１５μｍ厚のＩｎＧａＡｓＰ上部光ガイド層（バ
ンドギャップ波長１．１７μｍ）、３０６はｐ−ＩｎＰ
クラッド層、３０７はｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層、
３０８はＳｉＮ_ｘの絶緑膜、３０９はコンタクト層３０
７が除去された電極分離領域、３１０は光出射側のｐ−
電極であるＣｒ／Ａｕ層、３１１はバイアス電流に信号
を重畳した電流を流す側のｐ−電極であるＣｒ／Ａｕ
層、３１２は基板側電極であるＡｕＧｅ／Ａｕ層、３１
３は反射防止膜となるＳｉＯ_x膜、３１４はリッジを埋
め込むポリイミドである。ここでは、キャップ層３０７
とｐ−ＩｎＰ層３０６を選択的に除去して幅２．５μｍ
のリッジを形成している。上記０．６％伸長歪で井戸幅
１３ｎｍの量子井戸活性層３０４は、井戸内の重い正孔
のエネルギー準位と軽い正孔のエネルギー準位が概ね等
しいために、ＴＭモードの光に対する利得がＴＥモード
の光に対する利得と近くなっていて、良好な偏波スイッ
チング現象の見られる活性層構成となっている。

【００２３】上記構成で、回折格子ｇのピッチが２４
０．２ｎｍから２４１．８ｎｍまでの素子、すなわちＴ
Ｅモードのブラッグ波長をＡＳＥ（Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ
ＳｐｏｎｔａｎｅｏｕｓＥｍｉｓｓｉｏｎ）ピーク
波長±１０ｎｍ程度の範囲に設定した素子において、図
１に示す偏波スイッチング特性が得られる。すなわち、
電極３１０に一定バイアス電流Ｉ_２を流して電極３１１
に注入する電流Ｉ_１を増加させていくと、しきい値以上
の電流注入で点線で示す様にＴＭモード光の発振が始ま
り、さらに注入電流Ｉ_１を増加させると実線で示す様に
ＴＥモード光の発振が始まって同時にＴＭモード光の発
振が弱まって終にはほぼ止まってしまうというものであ
る。これらのＴＥモード光とＴＭモード光はいずれも、
内部に回折格子ｇの分布反射器が形成されているのでブ
ラッグ波長の単一縦モード発振であり、導波路の複屈折
性に応じて波長はわずかに異なりＴＥモード光が約３．
５ｎｍ長波長側にある。また、偏波モードが完全に切り
替わるためには、注入電流Ｉ_１を４ｍＡ増加させる必要
があり、切り替えの途中の状態では両偏波の光が共存し
て出力されている。この切り替えの範囲内では、少なく
ともＴＥモード光とＴＭモード光の一方がほぼ線形的に
変化する部分がある必要があるが、図１の例では両モー
ドの強度共ほぼ線形的に変化している。アナログ強度変
調光として選択する偏波モードは、この切り替えのスイ
ッチング範囲内でほぼ線形的に変化するモードである。

【００２４】本実施例においては、電極３１１に注入す
る電流Ｉ_１のバイアス点を上記両偏波の共存する範囲内
とした上で、微小なアナログ信号を印加して、これに対
応して各モードの光強度を変調し、さらにレーザ出射端
に設けた偏光子で一方の偏波モード（図１ではＴＥモー
ド光）の光を取り出して微小なアナログ信号である変調
信号に応じたアナログ強度変調光を得るものである。こ
の際、変調信号に応じたアナログ強度変調光を得られる
のは、上記切り替えの範囲内で各モード光がほぼ線形的
に変化しているからである。このときの時間波形の例を
図４に示す。

【００２５】図４の１）は変調電流とＤＣバイアスを合
わせて電極３１１に注入する電流波形、２）はビームス
プリッタ透過後のＴＥモード偏波の光強度、３）はビー
ムスプリッタで分離されたＴＭモード偏波の光強度であ
る。ＴＥモード偏波の光の強度としてアナログ変調信号
に応じたアナログ強度変調信号が得られ、ＴＥモード光
とＴＭモード光の強度が逆相になっていることがわか
る。低周波域では熱の影響を受けてレーザの特性が劣化
するため、変調帯域は２００ｋＨｚから２ＧＨｚまでで
あった。

【００２６】以上の様に切り替え幅以下の振幅のアナロ
グ信号を印加してアナログ強度変調信号を得るという本
実施例に対して、前記した従来の偏波変調の提案におい
ては、この切り替え幅以上の振幅のディジタル信号を電
極３１１に印加して、ＴＥモードとＴＭモードのモード
スイッチングを起こさせてデジタル信号を伝送するとい
うものであった。

【００２７】次に、上記方式での変調を行なうための本
実施例の駆動方法について、図２に沿って詳細に述べ
る。偏光ビームスプリッタ２２によって分けられた半導
体レーザ２１からの発振光のＴＥモード光は、アイソレ
ータ２３を通して光ファイバ２０に結合されて信号とし
て伝送される。図４の説明の所で既に触れたビームスプ
リッタ２２が図１の説明での偏光子の機能を果たしてい
る。アイソレータ２３は、伝送路等からの反射光が半導
体レーザ２１に入射して発振が乱れることを防ぐだけで
なく、アイソレータ２３の両面に備えられたグラントム
ソンプリズムによってＴＥモード偏波とＴＭモード偏波
の消光比を向上させる機能も有する。このとき、ＴＥモ
ード光とＴＭモード光の消光比は２０ｄＢ以上得られ
た。

【００２８】一方、ビームスプリッタ２２によって取り
出された半導体レーザ２１からの発振光のＴＭモード光
はホトダイオード２４によって検出されて、電流のバイ
アス点がモニターされる。この信号をローパスフィルタ
２５によつて帯域１０ｋＨｚ以下の信号にすると、高速
信号で変調している成分が平均化され、図５に示すよう
にバイアス点の最適点からのずれ量に応じた出力電圧が
得られる。差動アンプ２６にて基準電圧と比較後、変調
信号を加える側の電極２８（図３の電極３１１に対応）
にＤＣバイアスを流す電流源２７にフィードバックし
て、バイアス点の最適点への安定化を、例えば、ＰＩ
（比例、積分）制御で行なう。これにより、環境温度な
どの変動による長期的なバイアス点の変動に対応するこ
とがでる。

【００２９】なお、この制御のフィードバックは、変調
しない電流を加える側の電極３０（図３の電極３１０に
対応）にＤＣバイアスを流す電流源２９に対して行なっ
てもよい。

【００３０】以上に様にして、半導体レーザの光導波路
の一部に流す電流を安定的にスイッチング領域内にバイ
アスした上で、アナログ変調信号を加えて各偏波モード
についてアナログ強度変調された光を送出することがで
きる。

【００３１】［第２の実施例］本発明による第２の実施
例を図６に沿って説明する。図６は、偏波スイッチング
可能な半導体ＤＦＢレーザの斜視図である。第１の実施
例と基本的に同様の構成であるが、３電極素子構成とし
て偏波スイッチングのバイアス点とスイッチング電流幅
に関する制御性ないし柔軟性を向上させている。

【００３２】図６において、６０１は基板となるｎ−Ｉ
ｎＰ、６０２はｎ−ＩｎＰバッファ層、６０３はＩｎＧ
ａＡｓＰ下部光ガイド層、６０４は井戸層が１３ｎｍ厚
のＩｎＧａＡｓ（０．６％伸張歪）、障壁層が１０ｎ
ｍ厚のＩｎＧａＡｓＰからなる歪３重量子井戸活性層、
６０５は深さ０．０５μｍの回折格子ｇの形成されたＩ
ｎＧａＡｓＰ上部光ガイド層、６０６はｐ−ＩｎＰクラ
ッド層、６０７はｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層、６０
８はＳｉＮ_ｘの絶縁膜、６０９はコンタクト層６０７が
除去された電極分離領域、６１０は光出射側のｐ−電極
であるＣｒ／Ａｕ層、６１１は位相調整領域のｐ−電極
であるＣｒ／Ａｕ層、６１２は信号を重畳した電流を流
す側のｐ−電極であるＣｒ／Ａｕ層、６１３は基板側電
極であるＡｕＧｅ／Ａｕ層、６１４は反射防止膜となる
ＳｉＯ_x膜、６１５はリッジを埋め込むポリイミドであ
る。ここで、キャップ層６０７とｐ−ＩｎＰ層６０６を
選択的に除去して幅２．５μｍのリッジを形成してい
る。

【００３３】以上の構成を用いて、出射側の電極６１０
と位相調整領域６１１の電極６１１に一定のＤＣバイア
ス電流Ｉ_３、Ｉ_２を流し、電極６１２に流す電流による
偏波スイッチングのバイアス点が所望の値となるように
調整した。波長多重システムでの使用のために発振波長
の精密制御が要請される場合にも、この２つの電極６１
０、６１１のバイアスとスイッチング領域を選定して、
発振波長を選択することができる。この様に調整した上
で、電極６１２にＤＣバイアスＩ_１とアナログ変調電流
ΔＩを流す。

【００３４】バイアス点の安定化の方法は第１実施例と
同様に帰還制御を行なった。どのＤＣバイアス電流に対
して帰還制御を行なうかは適宜決定すればよい。

【００３５】［第３の実施例］本実施例の光源となる偏
波スイッチング可能なＤＦＢ半導体レーザについて図７
のレーザ断面図によって説明する。図７において、７２
１、７２２は独立して電流注入可能な２つの導波路部分
を示す。活性層を除く層構成は、導波路部分７２１、７
２２ともに共通である。ｎ−ＩｎＰ基板７０１上に、深
さ０．０５μｍ、ピッチ０．２４μｍの回折格子７０２
を形成し、これを概略０．２μｍ厚さのｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ層７０３（バンドギャップ波長１．１５μｍ）で埋
め込み、平坦化している。この上にノンドープの多重量
子井戸の活性層７０４がある。活性層７０４の詳細につ
いては後で述べる。

【００３６】さらに、上部光ガイド層として厚さ０．１
５μｍのｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層（バンドギャップ波長
１．１５μｍ）７０５、ｐ−ＩｎＰ（厚さ１．５μｍ）
からなるクラッド層７０６、ｐ−ＩｎＧａＡｓ（厚さ
０．３μｍ）のコンタクト層１０７を形成している。ま
た、横方向の光閉じ込め、キャリアの閉じ込めのため
に、活性層７０４での幅を２μｍとするリッジを形成
し、高抵抗ＩｎＰ層によって埋め込んでいる（不図
示）。更に、ｐ側電極であるＣｒ／ＡｕＺｎＮｉ／Ａｕ
層７１２、７１３、基板側のｎ電極のＡｕＧｅＮｉ／Ａ
ｕ層７０９を形成し、合金化している。続いて、ｐ側電
極とコンタクト層７０７までを除去して電極分離領域７
１０とし、レーザの両端面にはＳｉＯ_x膜７１１を形成
して反射防止膜としている。

【００３７】つぎに活性層７０４の多重量子井戸につい
て、図８（ａ）によって説明する。活性層７０４の量子
井戸構造は、０．５％圧縮歪のＩｎＧａＡｓ層８１３を
厚さ４ｎｍの井戸とし、障壁層にバンドギャップ波長
１．１５μｍのＩｎＧａＡｓＰ層（厚さ１５ｎｍ）８１
４を用いた圧縮歪み量子井戸と、０．９％伸張歪のＩｎ
ＧａＡｓ層８１５を厚さ１８ｎｍの井戸とし、障壁層に
バンドギャップ波長１．１５μｍのＩｎＧａＡｓＰ層
（厚さ１５ｎｍ）８１６を用いた伸長歪み量子井戸とを
組み合わせている。図８（ｂ）にこのバンド構造を示
す。いずれの量子井戸構造もバンドギャップ波長はおお
よそ１．５５μｍとなっていて、圧縮歪み井戸８１３で
は主にＴＥモードのブラッグ波長近傍の光に利得を与え
（伝導帯の電子の準位と重い正孔の準位間の遷移に関係
する）、伸張歪み井戸８１５ではＴＥモードのブラッグ
波長近傍の光（伝導帯の電子の準位と重い正孔の準位間
の遷移に関係する）とＴＭモードのブラッグ波長近傍の
光（伝導帯の電子の準位と軽い正孔の準位間の遷移に関
係する）の両方に利得を与える。

【００３８】第１の導波路部分７２１においては、下側
に圧縮歪み井戸８１３を３層、上側に伸張歪み井戸８１
５を３層有している。また、第２の導波路部分７２２に
おいては、下側に圧縮歪み井戸８１３を３層、上側に伸
長歪み井戸８１５を２層としている。この層の構成は、
第１の導波路部分７２１だけからなるＤＦＢ−ＬＤでは
ＴＭモード光での連続発振となり、第２の導波路部分７
２２だけからなるＤＦＢ−ＬＤではＴＥモード光での連
続発振となるような層構成と、グレーティングピッチの
組み合わせとなっている。このような一方のみの導波路
部分からなるＤＦＢ−ＬＤにおいては、発振に至らない
偏波のブラッグ波長近傍の光に対しても比較的大きな光
学利得を有している。従って、両者を結合した本実施例
の様な構造もその様になり、ホールバーニング効果によ
る悪影響の小さいものとなる。即ち、両者を結合した本
実施例の構造では、第１の導波路部分、第２の導波路部
分の何れも、両方の偏波のブラッグ波長近傍の光に対し
て光学利得を有している。その為、スイッチングする２
つの偏波モードでの発振状態夫々でのレーザ共振器方向
の光強度分布は類似のものとなり、スイッチング時のレ
ーザ共振器内でのキャリア分布の変動が小さい。

【００３９】このような第１の導波路部分７２１と第２
の導波路部分７２２を接続したデバイスにおいては、次
のような特徴があり、動作の記述は単純ではない。１つ
は、第１の部分７２１の利得スペクトルの偏波面依存性
と第２の部分７２２の利得スペクトルの偏波面依存性が
異なっていることであり、もう１つはＤＦＢレーザであ
ることによって、周回損失の波長依存性（周回損失の偏
波面依存性）が存在することである。

【００４０】しかし、この様な構成において、２電極に
注入する電流量を適当に調整することで、上記の特徴の
寄与を考慮しつつＴＥモードでの周回利得とＴＭモード
での周回利得の競合するようなバイアス状態を選定する
ことができる。ここから、一方の電極に注入する電流を
わずかに増やして、例えば、ＴＭモード光で発振した状
態を変調バイアス点とする。もう一方の電極に対して
は、バイアス電流に微小変調信号を重畳して注入し、こ
うすることで上記実施例と同様に偏波スイッチング動作
が得られた。

【００４１】偏波スイッチング特性は図１に示す様なも
のである。また、図７において、伸長歪みの井戸数の多
い導波路部分７２１の電極７１２に一定バイアス電流を
流して、伸長歪みの井戸数の少ない導波路部分７２２の
電極７１３に注入する電流を増加させていくと、上記の
実施例と同様に素子のしきい値以上の電流注入でＴＭモ
ード光の発振が始まり、さらに注入電流を増加させると
ＴＥモード光の発振が始まって同時にＴＭモード光の発
振が弱まって終にはほぼ止まってしまう。この辺りの動
作原理は第１実施例で説明した通りである。また、駆動
方法についても、第１実施例で説明した通りである。

【００４２】［第４の実施例］本発明による第４の実施
例を図９に沿って説明する。層構成は第３の実施例と同
様の構成であるが、ファブリペロ共振器によるレーザ発
振である。

【００４３】９０１は基板となるｎ−ＩｎＰ、９０２は
ｎ−ＩｎＰバッファ層、９０３はＩｎＧａＡｓＰ下部光
ガイド層、９０４は量子井戸活性層、９０５はＩｎＧａ
ＡｓＰ上部光ガイド層、９０６はｐ−ＩｎＰクラッド
層、９０７はｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層、９０８は
ｐ−電極のＣｒ／Ａｕ層、９１３は基板側電極であるＡ
ｕＧｅ／Ａｕ層である。９１４は電極金属とキャップ層
９０７を選択的に除去した分離溝である。レーザの導波
路の横方向の閉じ込め構造は、リッジ型導波路としてい
る。デバイスの両端面はへき開面となっている。

【００４４】活性層の量子井戸の構成は、第３の実施例
と同様にＴＥモードに対して利得を与える０．５％圧縮
歪の量子井戸を３層と、主にＴＭモードに対して利得を
与え、ＴＥモードにも利得のある０．９％の伸張歪の量
子井戸をこの順に積層している。第１の導波路部９１１
においては、０．９％伸張歪の量子井戸は３層積まれて
いるが、第２の導波路部９１２においては、２層となっ
ている。

【００４５】第１の導波路部９１１を出射側とし、２つ
の導波路部９１１と９１２に注入する電流量を調整し
て、第３の実施例の場合と同様にＴＥモードの利得とＴ
Ｍモードの利得の競合するバイアス状態を選定すること
ができる。このようなバイアス点近傍で、ＴＭモードに
利得を与える第１の導波路部９１１の電流を大きくすれ
ばＴＭモード発振となり、電流を小さくすればＴＥモー
ド発振となる。すなわち、ＤＦＢレーザの第３の実施例
では変調側の電極に注入する電流を増大させるときにＴ
Ｅモードの光強度が増大したのに対して、ファブリペロ
共振器の本実施例では変調側の電極に注入する電流を増
大させるときにＴＭモードの光強度が増大するというよ
うに、ＴＥモードとＴＭモードの関係が入れ替わってい
る。この場合、所望の変調信号の正負を反転させたもの
を印加する、あるいは、偏波分離手段によって分離した
ＴＭモード光を信号光として伝送路に送出すれば第３の
実施例と同様になる。本実施例は単一縦モード発振でな
くマルチモードになるが、偏波スイッチングの原理、動
作は第３実施例での説明と同じである。

【００４６】［第５の実施例］本発明による偏波スイッ
チング可能な光通信用光源の駆動方法を用いて、光伝送
を行なった実施例を図１０に沿って説明する。

【００４７】図１０において、９５１は、本発明によっ
てバイアス点が安定化された状態でアナログ信号伝送を
行なう光通信用光源である。このアナログ偏波変調で
は、デバイス内でのキャリアの変動が極めて小さいの
で、通常の直接強度変調（ここでは注入電流がオン・オ
フされるのでキャリアの変動が大きい）で問題になるよ
うなチャーピングが非常に小さいため、例えば１ＧＨｚ
程度の帯域のアナログ信号を伝送する際に１０ＧＨｚ間
隔で並べてもクロストークが小さい。従って、この光源
装置を用いた場合、チャンネル間隔が小さくできて波長
の利用効率の高い波長多重が可能である。

【００４８】アナログ変調されたこの光源９５１から出
射された光はシングルモードファイバ９５２に結合され
て伝送される。光ファイバ９５２を伝送した信号光は、
受信装置において、光フィルタ９５３によって所望の波
長の光が選択分波され、光検出器９５４によってアナロ
グ信号が復調される。ここで、フィルタ９５３としては
チューナブルファイバファブリペロフィルタが用いられ
る。

【００４９】ここでは、光源と受信装置を１つずつしか
記載していないが、光カプラなどで幾つかの光源あるい
は受信装置をつなげて伝送してもよい。

【００５０】［第６の実施例］上記実施例では、アナロ
グ信号を用いて偏波変調レーザを変調する例であった
が、デジタル信号に基づいて偏波変調レーザを変調する
場合にも本発明の原理は適用できる。本実施例と第７の
実施例はデジタル信号に基づいて偏波変調レーザを変調
する例に係る。

【００５１】本発明による光通信用光源の駆動方法を用
いて電気的なデジタル信号を伝送する第６の実施例を図
１１に沿って説明する。デジタルベースバンド信号を用
いて、例えば、ＱＰＳＫ（４相位相変調）、１６ＱＡＭ
（１６値直交振幅変調）等の方式の変調回路１１０１に
よって副搬送波（光が搬送波であるので、副搬送波と言
う）をアナログ変調し、帯域フィルタ１１０２によって
帯域制限されたアナログ変調信号とする。この変調信号
に対しては、これと異なる副搬送波を用いて重複しない
帯域で変調信号を多重化した副搬送波多重化を行っても
よい。周波数利用効率の点からは、この様な多重化を行
なった信号での変調が望ましい。

【００５２】このアナログ信号で上記の如くアナログ偏
波変調レーザモジュール１１０３を駆動し、出射された
光をシングルモードファイバ１１０４に結合させて伝送
する。レーザモジュール内の偏光ビームスプリッタおよ
びアイソレータによって、一方のモード光（例えば、Ｔ
Ｅモード光）のみが取り出されることは、上記実施例に
述べたものと同様である。光ファイバ１１０４を伝送し
た信号光から、受信装置の光フィルタ１１０５において
所望の波長の光を選択分波して、光検出器１１０６でア
ナログ信号を復調し、復調回路１１０７の出力としてデ
ジタルベースバンド信号を得る。副搬送波多重化を行っ
ている場合には、多重数に相当する数の復調回路を用意
して光検出器１１０６で得られたアナログ信号をこれら
に分配すればよい。

【００５３】［第７の実施例］本発明による光通信用光
源の駆動方法を用いて電気的なデジタル信号を伝送する
別の実施例を図１２に沿って説明する。

【００５４】変調回路１２０１は、多値のデジタルベー
スバンド信号を生成する。例えば、２値のデジタルベー
スバンド信号を２ｂｉｔＤ／Ａコンバータからなる
変調回路によって変換して、４値のデジタルベースバン
ド信号とするものである（例えば、１、０のデジタル信
号を２ｂｉｔずつ分けて各組を４値に対応させる）。ま
た、複数のデジタルベースバンド信号を多重化して多値
のデジタルベースバンド信号を生成するものであっても
よい（例えば、２つの１、０のデジタル信号を１ｂｉｔ
ずつ取って組を作り、各組を４値に対応させる）。

【００５５】この信号は電圧として多くの値をとるもの
であるが、この信号をアナログ偏波変調レーザモジュー
ル１２０２に対するアナログ変調信号であるとみなし
て、偏波変調レーザを駆動し、出射された光をシングル
モードファイバ１２０３に結合させて伝送することがで
きる。光ファイバ１２０３を伝送した信号光から、受信
装置の光フィルタ１２０４において所望の波長の光を選
択分波し、光検出器１２０５と復調回路１２０６で復調
して多値のデジタルベースバンド信号が得られる。そし
て、後段の復調回路１２０７の出力として元の２値のデ
ジタルベースバンド信号を得ることができる。

【００５６】［第８の実施例］図１３に、本発明による
偏波スイッチング可能な半導体レーザを波長多重光ＬＡ
Ｎシステムに応用する場合の各端末に接続される光−電
気変換部（ノード）の構成例を示し、図１４、図１５に
そのノード９６１を用いた光ＬＡＮシステムの構成例を
示す。外部に接続された光ファイバ９７０を媒体として
光信号がノード９６１に取り込まれ、分岐部９７２によ
りその一部が波長可変光フィルタ等を備えた受信装置９
７３に入射する。受信装置９７３は制御回路９７８で制
御されており、この受信装置９７３により所望の波長の
光信号だけ取り出して信号検波を行う。一方、ノード９
６１から光信号を送信する場合には、上記実施例の半導
体レーザ装置９７４をアナログ信号或はデジタル信号に
従って制御回路９７９で前記の適当な方法で駆動し、偏
波変調して、偏光板９７５（これにより偏波変調信号が
振幅強度変調信号に変換される）を通して（更にアイソ
レータを入れてもよい）出力光を合流部９７６を介して
光伝送路９７０に入射せしめる。また、半導体レーザ及
び波長可変光フィルタを２つ以上の複数設けて、波長可
変範囲を広げることもできる。また、図９の実施例を用
いる場合には、波長フィルタを用いてマルチモードの内
の１つを選択して伝送する必要がある。

【００５７】光ＬＡＮシステムのネットワークとして、
図１４に示すものはバス型であり、ＡおよびＢの方向に
ノード９８１〜９８５を接続しネットワーク化された多
数の端末及びセンタ９９１〜９９５を設置することがで
きる。ただし、多数のノードを接続するためには、光の
減衰を補償するために光増幅器を伝送路９７０上に直列
に配することが必要となる。また、各端末９９１〜９９
５にノード９８１〜９８５を２つ接続し伝送路を２本に
することでＤＱＤＢ方式による双方向の伝送が可能とな
る。また、ネットワークの方式として、図１４のＡとＢ
をつなげたループ型（図１５に示す）やスター型或はそ
れらを複合した形態等のものでもよい。

【００５８】

【発明の効果】以上説明してきたように本発明により以
下のような効果が得られる。偏波スイッチング可能な半
導体レーザを用いて、アナログ信号或はデジタル信号に
よって、大きな振幅で（よって、伝送中などにおいて信
号が劣化するのに対して耐性が大きくなる）強度変調さ
れた光が得られる。また、適当な特性を持つ偏波スイッ
チング可能な半導体レーザを用いて線形性の優れた（よ
って、歪みの小さい）強度変調を行なうことができる。
さらに、伝送に用いない偏波モードの光を利用して、バ
イアス状態をモニターする事ができ、電流のバイアス点
を安定化させることができる。また、簡単な構成で安定
度の高いバイアス状態を制御できる。

【００５９】更に、このような変調を行なうのに好適に
使用可能な偏波スイッチングレーザを提供できる。ま
た、強度変調された光を分離して強度変調信号として信
号伝送するための光源装置、アナログ信号或はデジタル
信号の伝送可能な通信方式、波長多重によって簡単に大
容量の通信がてきる波長多重光伝送方法などを実現でき
る。これを用いて、低コストでスループットの高い光Ｌ
ＡＮシステムなどを構築できる。

【００６０】また、多値化したデジタル伝送方式を用い
て伝送容量の拡大を図ろうとするのに対しても対応でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明による偏波スイッチングレーザを
用いた強度変調の説明図である。

【図２】図２は本発明の第１の実施例による偏波スイッ
チング可能な半導体レーザの駆動方法を説明する図であ
る。

【図３】図３は第１の実施例の偏波スイッチング可能な
半導体レーザを示す一部除去した断面斜視図である。

【図４】図４は変調電流と各モードの光出力を示す図で
ある。

【図５】図５はバイアス点の最適バイアス点からのずれ
とモニター光出力の関係を示す図である。

【図６】図６は第２の実施例の偏波スイッチング可能な
半導体レーザを示す一部除去した断面斜視図である。

【図７】図７は第３の実施例の偏波スイッチング可能な
半導体レーザを示す断面図である。

【図８】図８は第３の実施例の偏波スイッチング可能な
半導体レーザの活性層である多重量子井戸の構成とバン
ド構造を示す図である。

【図９】図９は第４の実施例の偏波スイッチング可能な
半導体レーザを示す断面図である。

【図１０】図１０は本発明による偏波スイッチング可能
な光通信用光源の駆動方法を用いて光伝送を行なう第５
の実施例を示す図である。

【図１１】図１１は本発明による偏波スイッチング可能
な光通信用光源の他の駆動方法を用いて光伝送を行なう
第６の実施例を示す図である。

【図１２】図１２は本発明による偏波スイッチング可能
な光通信用光源の他の駆動方法を用いて光伝送を行なう
第７の実施例を示す図である。

【図１３】図１３は第８の実施例の光−電気変換装置を
示す図である。

【図１４】図１４は第８の実施例のバス型の光ＬＡＮネ
ットワークを示す図である。

【図１５】図１５は第８の実施例のループ型の光ＬＡＮ
ネットワークを示す図である。

【符号の説明】

２０、９５２、９７０、１１０３、１２０３光ファイ
バ２１、９７４偏波スイッチング可能な半導体レーザ２２偏光ビームスプリッタ２３光アイソレータ２４フォトディテクタ２５ローパスフィルタ２６差動アンプ２７、２９直流電流源２８、３０、３１０、３１１、３１２、６１０、６１
１、６１２、６１３、７０９、７１２、７１３、９０
８、９１３電極３０１、６０１、７０１、９０１基板３０２、６０２、９０２バッファ層３０３、３０５、６０３、６０５、７０３、７０５、９
０３、９０５光ガイド層３０４、６０４、７０４、９０４歪量子井戸活性層３０６、６０６、７０６、９０６クラッド層３０７、６０７、７０７、９０７コンタクト層３０８、６０８絶縁層３０９、６０９、７１０、９１４電極分離領域３１３、６１４、７１１反射防止膜３１４、６１５ポリイミド７０２、ｇ回折格子７２１、７２２、９１１、９１２導波路部分８１３圧縮歪量子井戸８１４、８１６障壁層８１５伸張歪量子井戸９５１光源装置９５３、１１０５、１２０４光フィルタ９５４、１１０６、１２０５光検出器９７２光分岐部９７３受信装置９７５偏光子９７６合流部９６１、９８１〜９８５、９８１〜９８６ノード９７８、９７９制御回路９９１〜９９６端末１１０１、１２０１変調回路１１０７、１２０６、１２０７復調回路１１０２帯域フィルタ１１０３、１２０２偏波変調レーザモジュール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザを光通信用光源として使うと
きの駆動方法であって、前記半導体レーザは光導波路の
一部に流す電流を変調することで偏波面の異なる２つの
偏波モード間で発振がスイッチする構造であり、さらに
該電流の偏波モードスイッチング領域では前記２つの偏
波モードの光が共に出射されかつ各々の強度が該電流値
に応じて各々変化する特性を有し、前記光導波路の一部
に流す電流を該偏波モードスイッチング領域内の点にバ
イアスした上で変調信号を加えて少なくとも一方の偏波
モードについて該変調信号に応じて強度変調された光を
送出することを特徴とする信号伝送用半導体光源装置の
駆動方法。
【請求項２】前記変調信号はアナログ変調信号であるこ
とを特徴とする請求項１記載の信号伝送用半導体光源装
置の駆動方法。
【請求項３】前記変調信号はデジタル信号に基づいて変
調手段で生成されたアナログ変調信号であることを特徴
とする請求項１記載の信号伝送用半導体光源装置の駆動
方法。
【請求項４】前記変調信号はデジタル信号に基づいて変
調手段で生成された多値デジタル変調信号であることを
特徴とする請求項１記載の信号伝送用半導体光源装置の
駆動方法。
【請求項５】前記半導体レーザは、偏波モードスイッチ
ング領域では前記２つの偏波モードの光が共に出射され
かつ各々の強度が該電流値に応じてほぼ線形的に変化す
る特性を有することを特徴とする請求項１乃至４の何れ
かに記載の信号伝送用半導体光源装置の駆動方法。
【請求項６】前記半導体レーザが活性層を含む光導波路
に近接して回折格子を有する分布帰還形半導体レーザで
あり、該活性層が伸張歪の導入された多重量子井戸構造
で構成され、量子井戸内のホールの準位であるヘビーホ
ールの基底準位とライトホールの基底準位が等しいか若
しくはライトホールの基底準位の方が電子の基底準位に
近づいていることを特徴とする１乃至５の何れか記載の
信号伝送用半導体光源装置の駆動方法。
【請求項７】前記半導体レーザが共振器方向に少なくと
も２つ以上の電極を有し、該電極に対応して共振器を構
成する複数の光導波路部分に独立に電流注入可能である
ことを特徴とする１乃至６の何れか記載の信号伝送用半
導体光源装置の駆動方法。
【請求項８】前記半導体レーザが共振器方向に少なくと
も２つ以上の電極を有し、該電極に対応して共振器を構
成する複数の光導波路部分に独立に電流注入可能であっ
て、複数の量子井戸からなる該各導波路部の活性層が無
歪ないし圧縮歪の量子井戸と伸張歪の量子井戸とをそれ
ぞれ１つ以上有し、これらの井戸で最低準位間のバンド
ギャップが等しく、また少なくとも１つの活性領域では
これらの井戸の数の組み合わせが他の活性領域と異なっ
ていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか信号伝
送用半導体光源装置の駆動方法。
【請求項９】前記半導体レーザが活性層を含む光導波路
に近接して回折格子を有する分布帰還形半導体レーザで
あることを特徴とする請求項８記載の信号伝送用半導体
光源装置の駆動方法。
【請求項１０】前記半導体レーザがファブリペロ型半導
体レーザであることを特徴とする請求項８記載の信号伝
送用半導体光源装置の駆動方法。
【請求項１１】前記バイアスされた変調信号の電流値
が、上記２つの偏波モードの光が共に出射されるような
前記電流の偏波モードスイッチング領域から外れないこ
とを特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載の信号
伝送用半導体光源装置の駆動方法。
【請求項１２】前記半導体レーザの変調された出力光の
偏波面の異なる２つの偏波モードの光を分岐する手段
と、該分岐された第１の偏波モードの光を光伝送路に結
合させる手段と、第２の偏波モードの光を電気信号に変
換する手段とを備え、該光伝送路に結合された第１の偏
波モードの光の変調状態が安定化するように、該電気信
号を元に該半導体レーザに注入する電流を制御すること
を特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載の信号伝
送用半導体光源装置の駆動方法。
【請求項１３】前記制御は、前記電気信号を低域通過フ
ィルタを通したのちに差動アンプで基準電圧と比較した
出力を比例、積分回路によって適当な帰還率で該半導体
レーザを駆動する直流電流源にフィードバックする制御
方法であることを特徴とする請求項１２記載の信号伝送
用半導体光源装置の駆動方法。
【請求項１４】請求項１乃至１３の何れかに記載の駆動
方法で駆動される半導体レーザと偏光選択手段からな
り、該半導体レーザに変調信号で変調を行ない、その出
力端に偏光選択手段を配して一方の偏波モードの光のみ
を取り出すことを特徴とする光通信用光源装置。
【請求項１５】請求項１乃至１３の何れかに記載の駆動
方法で駆動される請求項１４記載の光通信用光源装置を
用いて強度変調された光を光ファイバで伝送し、光受信
器で受光することを特徴とする光通信方法。
【請求項１６】送信光源を複数接続し１本の光ファイバ
に複数の波長の光をそれぞれ変調して伝送させ、受信側
で所望の波長の光にのせた信号のみを取り出すような波
長分割多重伝送をする光通信方法において、請求項１乃
至１３の何れかに記載の駆動方法で駆動される請求項１
４記載の光通信用光源装置を用いて強度変調された光を
光ファイバで伝送し、光フィルタを備えた光受信器で受
光することを特徴とする光通信方法。
【請求項１７】前記光受信器で直接検波することを特徴
とする請求項１５または１６記載の光通信方法。
【請求項１８】前記光受信器で受光した送信光を復調手
段を用いて復調して元の信号を得ることを特徴とする請
求項１５または１６記載の光通信方法。
【請求項１９】１本の光ファイバに複数のノードを接続
し、複数の波長の光をそれぞれ変調して波長分割多重伝
送する光通信システムにおいて、おのおののノードは送
信部と受信部からなる光−電気変換装置を有し、請求項
１５乃至１８の何れかに記載の光通信方法により通信を
行うことを特徴とする光通信システム。