JPH1174254A - Dry etching device - Google Patents
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- JPH1174254A JPH1174254A JP23520397A JP23520397A JPH1174254A JP H1174254 A JPH1174254 A JP H1174254A JP 23520397 A JP23520397 A JP 23520397A JP 23520397 A JP23520397 A JP 23520397A JP H1174254 A JPH1174254 A JP H1174254A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
装置に関し、特に、半導体装置の微細加工のためのエッ
チング技術に用いて好適なドライエッチング装置に関す
るものである。The present invention relates to a dry etching apparatus, and more particularly to a dry etching apparatus suitable for use in an etching technique for fine processing of a semiconductor device.
【0002】[0002]
【従来の技術】図4は、従来のドライエッチング装置の
排気系の一例を示す概略構成図であり、図において、1
はエッチングチャンバーと称される被処理物にドライエ
ッチング処理を行なう処理室、2は処理室1に設けられ
処理後のガス及び処理により生じた反応生成物よりなる
排気を排出する配管、3は配管2に設けられたターボポ
ンプ、4は配管2のターボポンプ3より下流側に設けら
れたドライポンプ、5は排気の流れる方向であり、前記
配管2の排出側は図示しない排気ダクトに接続されてい
る。そして、ターボポンプ3とドライポンプ4により排
気手段が構成されている。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of an exhaust system of a conventional dry etching apparatus.
Is a processing chamber for performing dry etching on an object to be processed, which is called an etching chamber; 2 is a pipe provided in the processing chamber 1 for exhausting gas after processing and reaction products generated by the processing; The turbo pump 4 provided in 2 is a dry pump provided downstream of the turbo pump 3 in the pipe 2, the exhaust flow direction is 5, and the discharge side of the pipe 2 is connected to an exhaust duct (not shown). I have. The turbo pump 3 and the dry pump 4 constitute an exhaust unit.
【0003】この排気系では、ターボポンプ3及びドラ
イポンプ4を駆動させることにより、処理室1内のエッ
チング処理後のガス及びエッチング処理により生じた反
応生成物よりなる排気を配管2を経由して排気ダクトよ
り排出している。In this exhaust system, by driving the turbo pump 3 and the dry pump 4, the exhaust gas consisting of the gas after the etching process in the processing chamber 1 and the reaction products generated by the etching process is passed through the pipe 2. It is discharged from the exhaust duct.
【0004】また、従来のドライエッチング装置の排気
系の他の一例としては、特開平5−259133号公報
に開示されている排気系がある。この排気系は、チャン
バに設けられている従来の第1の真空排気ラインとは別
に、ガス除外処理設備をもつ第2の真空排気ラインを新
たに設けたもので、ドライエッチング処理が終わった
後、第1の真空排気ラインに設けてあるコックを第2の
真空排気ラインのコックに切り換えて排気を行なうとと
もに、パージガス導入ラインより水蒸気含有ガスを供給
している。As another example of the exhaust system of a conventional dry etching apparatus, there is an exhaust system disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-259133. In this exhaust system, a second vacuum exhaust line having gas exclusion processing equipment is newly provided separately from the conventional first vacuum exhaust line provided in the chamber, and after the dry etching process is completed. In addition, the cock provided in the first vacuum exhaust line is switched to the cock of the second vacuum exhaust line to perform exhaust, and a steam-containing gas is supplied from a purge gas introduction line.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】第1の問題点は、配管
内に反応生成物が付着することによる閉塞を防止する機
能を持たないため、反応生成物が付着することにより配
管内が閉塞してしまい、ポンプの排気能力が低下してし
まい、ポンプ等の排気手段にトラブルが発生し易くなる
という点である。The first problem is that the pipe does not have a function of preventing the reaction product from adhering to the pipe, so that the pipe is closed due to the reaction product adhering. As a result, the pumping capability of the pump is reduced, and troubles are likely to occur in the pumping means such as the pump.
【0006】例えば、従来のドライエッチング装置で
は、処理室内を排気する際、排気されるガスに含まれる
反応生成物が温度が低下することにより固体化し、排気
ラインの配管の内壁に付着する。反応生成物が付着する
ことにより、配管内が徐々に閉塞されて行き、ポンプの
排気能力が低下し、ポンプにトラブルが発生する原因と
なり、エッチング特性の劣化につながる。For example, in a conventional dry etching apparatus, when exhausting a processing chamber, a reaction product contained in an exhausted gas is solidified due to a decrease in temperature, and adheres to an inner wall of an exhaust line pipe. When the reaction product adheres, the inside of the pipe is gradually closed, and the pumping capacity of the pump is reduced, which causes a trouble in the pump and leads to deterioration of etching characteristics.
【0007】第2の問題点は、排気ラインの閉塞を監視
する機能が備わっていないため、配管内の閉塞状態を知
ることができず、反応生成物が付着することにより配管
が閉塞してしまった場合、閉塞する前に閉塞しかかった
状態を発見することが困難である点である。The second problem is that since there is no function of monitoring the blockage of the exhaust line, it is impossible to know the blockage state in the pipe, and the pipe is closed due to the adhesion of reaction products. In this case, it is difficult to find out the state of blockage before closing.
【0008】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であって、排気系の配管の内部を監視することにより、
該配管内の閉塞状態を未然に防止することができ、した
がって、配管の閉塞に係わるトラブルを未然に防止する
ことができるドライエッチング装置を提供することにあ
る。[0008] The present invention has been made in view of the above circumstances, and by monitoring the inside of the exhaust system piping,
An object of the present invention is to provide a dry etching apparatus capable of preventing a blocked state in the pipe beforehand, and thus preventing a trouble related to the blocked pipe beforehand.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に採用した本発明のドライエッチング装置の主旨は、処
理室から排出された排気中の反応生成物が、ある温度以
下になることで固体化し、配管内に付着することを防止
するため、配管内を適正温度に保つものである。The gist of the dry etching apparatus of the present invention adopted to solve the above-mentioned problem is that the reaction product in the exhaust gas discharged from the processing chamber becomes solid at a certain temperature or lower. It is intended to keep the inside of the pipe at an appropriate temperature in order to prevent it from adhering to the inside of the pipe.
【0010】本発明の請求項1記載のドライエッチング
装置は、被処理物にドライエッチング処理を行なう処理
室と、該処理室より処理後のガス及び処理により生じた
反応生成物よりなる排気を排出する配管と、該配管内の
排気を外方へ排出させる排気手段とを備えたドライエッ
チング装置であり、パージ用ガスの温度を調節し前記配
管内に供給するパージ用ガス供給手段と、前記配管の該
パージ用ガス供給手段より下流側に設けられ該配管内の
排気の温度を計測する温度計測手段及び該排気の圧力を
計測する圧力計測手段と、これら温度計測手段及び圧力
計測手段より出力される信号に基づき前記パージ用ガス
供給手段を制御する制御手段とを備えたものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a dry etching apparatus, comprising: a processing chamber for performing a dry etching process on an object to be processed; and an exhaust gas including a processed gas and a reaction product generated by the processing. A purging gas supply means for controlling the temperature of a purging gas and supplying the gas to the inside of the pipe, comprising: Temperature measurement means for measuring the temperature of the exhaust gas in the pipe, and pressure measurement means for measuring the pressure of the exhaust gas, which is provided on the downstream side of the purge gas supply means, and outputs from the temperature measurement means and the pressure measurement means. Control means for controlling the purging gas supply means based on the signal.
【0011】請求項2記載のドライエッチング装置は、
前記配管の前記パージ用ガス供給手段より上流側に、前
記配管内の排気の温度を計測する第2の温度計測手段及
び該排気の圧力を計測する第2の圧力計測手段を設け、
前記配管のこれら第2の温度計測手段及び第2の圧力計
測手段より上流側に、前記パージ用ガス供給手段により
温度調節されたパージ用ガスを該配管内に供給する供給
管を設けたもので、これら第2の温度計測手段及び第2
の圧力計測手段より出力される信号に基づき前記制御手
段により前記パージ用ガス供給手段を制御するものであ
る。[0011] The dry etching apparatus according to claim 2 is
On the upstream side of the purge gas supply means of the pipe, a second temperature measurement means for measuring the temperature of the exhaust gas in the pipe and a second pressure measurement means for measuring the pressure of the exhaust gas are provided.
A supply pipe for supplying a purge gas temperature-controlled by the purge gas supply means into the pipe is provided upstream of the second temperature measuring means and the second pressure measuring means in the pipe. , The second temperature measuring means and the second
The control means controls the purge gas supply means based on a signal output from the pressure measurement means.
【0012】請求項3記載のドライエッチング装置は、
前記パージ用ガスを、不活性ガスとしたものである。A dry etching apparatus according to claim 3 is
The purge gas is an inert gas.
【0013】本発明のドライエッチング装置では、パー
ジ用ガスの温度を調節し前記配管内に供給するパージ用
ガス供給手段と、前記配管の該パージ用ガス供給手段よ
り下流側に設けられ該配管内の排気の温度を計測する温
度計測手段及び該排気の圧力を計測する圧力計測手段
と、これら温度計測手段及び圧力計測手段より出力され
る信号に基づき前記パージ用ガス供給手段を制御する制
御手段とを備えたことにより、前記パージ用ガス供給手
段を用いて前記配管内に適正な温度に調節されたパージ
用ガスを導入することにより、前記配管内を適正な温度
に保つことが可能になる。[0013] In the dry etching apparatus of the present invention, a purge gas supply means for adjusting the temperature of the purge gas and supplying the same to the pipe, and the pipe provided downstream of the purge gas supply means in the pipe. Temperature measuring means for measuring the temperature of the exhaust gas, pressure measuring means for measuring the pressure of the exhaust gas, and control means for controlling the purging gas supply means based on signals output from the temperature measuring means and the pressure measuring means. With this configuration, it is possible to maintain the inside of the pipe at an appropriate temperature by introducing the purge gas adjusted to an appropriate temperature into the pipe using the purge gas supply unit.
【0014】これにより、排気中の反応生成物が固体化
するのを防止し、配管内の詰まりを防止する。また、前
記圧力計測手段により配管内の圧力を監視することで、
配管内の閉塞状態を予測することが可能になり、配管内
の異常な状態を早期に発見することが可能になる。This prevents the reaction products in the exhaust from being solidified and prevents clogging in the piping. Also, by monitoring the pressure in the pipe by the pressure measuring means,
It is possible to predict a closed state in the pipe, and to detect an abnormal state in the pipe at an early stage.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明のドライエッチング
装置の各実施形態について図面に基づき説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the dry etching apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0016】(第1の実施形態)図1は本発明の第1の
実施形態のドライエッチング装置の排気系を示す概略構
成図であり、図において、11は気体(パージ用ガス)
Gの温度を調節し配管2内に供給する気体供給部(パー
ジ用ガス供給手段)であり、気体Gを配管2内に供給す
る供給管12と、該供給管12に設けられ気体Gの温度
を適正な温度に調節する温調器13とにより構成されて
いる。(First Embodiment) FIG. 1 is a schematic diagram showing an exhaust system of a dry etching apparatus according to a first embodiment of the present invention. In the drawing, reference numeral 11 denotes a gas (purging gas).
A gas supply unit (purge gas supply means) for adjusting the temperature of G and supplying it into the pipe 2; a supply pipe 12 for supplying the gas G into the pipe 2; and a temperature of the gas G provided in the supply pipe 12. And a temperature controller 13 for adjusting the temperature to an appropriate temperature.
【0017】また、14は配管2の前記供給管12より
上流側に設けられた排気ポンプ(排気手段)、15は配
管2の前記供給管12より下流側に設けられ配管2内の
排気の温度を計測する温度センサ(温度計測手段)、1
6は配管2内の排気の圧力を計測する圧力センサ(圧力
計測手段)、17は温度センサ15及び圧力センサ16
より出力される信号に基づき温調器13を制御するCP
U(制御手段)、18は温度センサ15とCPU17と
の間に設けられた演算器、19は圧力センサ16とCP
U17との間に設けられた演算器である。Reference numeral 14 denotes an exhaust pump (exhaust means) provided upstream of the supply pipe 12 of the pipe 2, and reference numeral 15 denotes a temperature of exhaust gas provided in the pipe 2 provided downstream of the supply pipe 12. Temperature sensor (temperature measuring means) for measuring
6 is a pressure sensor (pressure measuring means) for measuring the pressure of the exhaust gas in the pipe 2, 17 is a temperature sensor 15 and a pressure sensor 16
CP that controls the temperature controller 13 based on a signal output from the
U (control means), 18 is a calculator provided between the temperature sensor 15 and the CPU 17, and 19 is a pressure sensor 16 and a CP.
This is an arithmetic unit provided between U17.
【0018】本装置の処理室1で発生したガス(排気)
は、排気ポンプ14により配管2を経由して図示しない
排気ダクトより排出される。ここで、温調器13により
適正温度に温度調節された気体Gを配管2内に導入す
る。処理室1で発生したガスは、導入された気体Gと混
合され混合ガスとなって配管2内を流れる。この配管2
内の混合ガスの温度は温度センサ15により常にモニタ
ーされ、演算器18を経由してCPU17にフィードバ
ックされ、CPU17により温調器13がコントロール
され、配管2内は常に適正な温度に保たれる。Gas (exhaust) generated in the processing chamber 1 of the present apparatus
Is discharged from an exhaust duct (not shown) via the pipe 2 by the exhaust pump 14. Here, the gas G whose temperature has been adjusted to an appropriate temperature by the temperature controller 13 is introduced into the pipe 2. The gas generated in the processing chamber 1 is mixed with the introduced gas G to be a mixed gas and flows through the pipe 2. This pipe 2
The temperature of the mixed gas inside is constantly monitored by the temperature sensor 15, fed back to the CPU 17 via the arithmetic unit 18, the temperature controller 13 is controlled by the CPU 17, and the inside of the pipe 2 is always kept at an appropriate temperature.
【0019】本装置では、配管2内の温度を常に適正な
温度に保つことで、前記混合ガス中の反応生成物が配管
2内壁で冷却されて固体化するのを防止することができ
るため、配管2が閉塞するのが低減される。また、圧力
センサ16により配管2内の圧力が常にモニターされ、
演算器19を経由してCPU17にフィードバックされ
る。モニターされている間に圧力に異常が生じればエラ
ーを発する。これにより、配管2内の閉塞状態を常に監
視することができ、排気ポンプ14及び配管2内に生じ
るトラブルが未然に防止される。In this apparatus, the reaction product in the mixed gas can be prevented from being cooled by the inner wall of the pipe 2 and solidified by keeping the temperature inside the pipe 2 at an appropriate temperature. Blockage of the pipe 2 is reduced. Further, the pressure in the pipe 2 is constantly monitored by the pressure sensor 16,
The data is fed back to the CPU 17 via the computing unit 19. An error is signaled if the pressure becomes abnormal while being monitored. Thereby, the closed state in the pipe 2 can be constantly monitored, and troubles occurring in the exhaust pump 14 and the pipe 2 are prevented beforehand.
【0020】本実施形態のドライエッチング装置によれ
ば、配管2に適正な温度に温度調節された気体Gを導入
することで、配管2の温度を適正な温度に保つことがで
き、排気中の反応生成物が配管2内壁で冷却されて固体
化するのを低減することができ、配管2内が反応生成物
の付着により閉塞するのを防止することができる。According to the dry etching apparatus of the present embodiment, by introducing the gas G whose temperature has been adjusted to an appropriate temperature into the pipe 2, the temperature of the pipe 2 can be maintained at an appropriate temperature. The reaction product can be prevented from being cooled and solidified by the inner wall of the pipe 2, and the inside of the pipe 2 can be prevented from being blocked by the adhesion of the reaction product.
【0021】また、配管2が閉塞されると排気に対する
管抵抗が増加し、配管2内の圧力が上昇するので、圧力
センサ16により配管2内の圧力を常に監視すること
で、配管2内の閉塞状態を予測し異常を早期に発見する
ことができ、ポンプトラブル等の異常を未然に防止する
ことができる。Further, when the pipe 2 is closed, the pipe resistance to the exhaust increases, and the pressure in the pipe 2 increases. Therefore, the pressure in the pipe 2 is constantly monitored by the pressure sensor 16 so that the pressure in the pipe 2 can be reduced. An obstruction state can be predicted and an abnormality can be found at an early stage, and an abnormality such as a pump trouble can be prevented.
【0022】(第2の実施形態)図2は本発明の第2の
実施形態のドライエッチング装置の排気系を示す概略構
成図であり、図において、21は窒素ガス(N2:不活
性ガス)の温度を調節し配管2内に供給する窒素供給部
(パージ用ガス供給手段)であり、窒素ガスを配管2内
に供給する窒素供給管22と、該窒素供給管22に設け
られ窒素ガスの温度を適正な温度に調節する窒素ガス温
調器23とにより構成されている。(Second Embodiment) FIG. 2 is a schematic diagram showing an exhaust system of a dry etching apparatus according to a second embodiment of the present invention. In the drawing, reference numeral 21 denotes a nitrogen gas (N 2 : inert gas). ) Is a nitrogen supply section (purge gas supply means) for adjusting the temperature of the nitrogen supply pipe 2 and supplying the nitrogen gas into the pipe 2. And a nitrogen gas temperature controller 23 for adjusting the temperature of the gas to an appropriate temperature.
【0023】本装置の処理室1で発生したガス(排気)
は、ターボポンプ3、ドライポンプ4により配管2を経
由して図示しない排気ダクトより排出される。ここで、
窒素ガス温調器23により適正温度に温度調節された窒
素ガス(N2)を配管2内に導入する。導入位置はドラ
イポンプ4の出口直後である。処理室1で発生したガス
は、導入された窒素ガスと混合され混合ガスとなって配
管2内を流れる。この配管2内の混合ガスの温度は温度
センサ15により常にモニターされ、演算器18を経由
してCPU17にフィードバックされ、CPU17によ
り窒素ガス温調器23がコントロールされ、配管2内は
常に60℃以上に保たれる。Gas (exhaust) generated in the processing chamber 1 of the present apparatus
Is discharged from a not-shown exhaust duct via the pipe 2 by the turbo pump 3 and the dry pump 4. here,
Nitrogen gas (N 2 ) whose temperature has been adjusted to an appropriate temperature by the nitrogen gas temperature controller 23 is introduced into the pipe 2. The introduction position is immediately after the outlet of the dry pump 4. The gas generated in the processing chamber 1 is mixed with the introduced nitrogen gas to form a mixed gas and flows through the pipe 2. The temperature of the mixed gas in the pipe 2 is constantly monitored by the temperature sensor 15, fed back to the CPU 17 via the arithmetic unit 18, and the nitrogen gas temperature controller 23 is controlled by the CPU 17. Is kept.
【0024】本装置では、配管2内の温度を常に60℃
以上に保つことで、前記混合ガス中の反応生成物が配管
2内壁で冷却されて固体化するのを防止することができ
るため、配管2が閉塞するのを低減することができる。
また、圧力センサ16により配管2内の圧力が常にモニ
ターされ、演算器19を経由してCPU17にフィード
バックされる。モニターされている間に圧力に異常が生
じれば警報を発する。これにより、配管2内の閉塞状態
をいち早く知ることができ、トラブルを未然に防止する
ことができる。In this apparatus, the temperature in the pipe 2 is always 60 ° C.
By keeping the above, it is possible to prevent the reaction product in the mixed gas from being cooled and solidified by the inner wall of the pipe 2, so that it is possible to reduce the blockage of the pipe 2.
Further, the pressure in the pipe 2 is constantly monitored by the pressure sensor 16 and is fed back to the CPU 17 via the calculator 19. An alarm is issued if the pressure becomes abnormal while being monitored. Thereby, the state of blockage in the pipe 2 can be quickly known, and trouble can be prevented.
【0025】(第3の実施形態)図3は本発明の第3の
実施形態のドライエッチング装置の排気系を示す概略構
成図であり、図において、31は窒素ガス温調器23に
より適正な温度に調節された窒素ガス(N2)をターボ
ポンプ3の出口側直後の配管2内に供給する窒素供給
管、32は配管2の窒素供給管31より下流側に設けら
れ該配管2内の排気の温度を計測する温度センサ(第2
の温度計測手段)、33は配管2内の排気の圧力を計測
する圧力センサ(第2の圧力計測手段)、34は温度セ
ンサ32とCPU17との間に設けられた演算器、35
は圧力センサ33とCPU17との間に設けられた演算
器である。(Third Embodiment) FIG. 3 is a schematic diagram showing an exhaust system of a dry etching apparatus according to a third embodiment of the present invention. In FIG. A nitrogen supply pipe 32 for supplying nitrogen gas (N 2 ) adjusted to the temperature into the pipe 2 immediately after the outlet side of the turbo pump 3, and a nitrogen supply pipe 32 is provided downstream of the nitrogen supply pipe 31 of the pipe 2. A temperature sensor (second
Temperature measurement means), 33 is a pressure sensor (second pressure measurement means) for measuring the pressure of the exhaust gas in the pipe 2, 34 is a calculator provided between the temperature sensor 32 and the CPU 17, 35
Is an arithmetic unit provided between the pressure sensor 33 and the CPU 17.
【0026】本装置の処理室1で発生したガス(排気)
は、ターボポンプ3、ドライポンプ4により配管2を経
由して図示しない排気ダクトより排出される。ここで、
窒素ガス温調器23により適正温度に温度調節された窒
素ガス(N2)を配管2内に導入する。導入位置はター
ボポンプ3の出口直後と、ドライポンプ4の出口直後の
2箇所である。Gas (exhaust) generated in the processing chamber 1 of the present apparatus
Is discharged from a not-shown exhaust duct via the pipe 2 by the turbo pump 3 and the dry pump 4. here,
Nitrogen gas (N 2 ) whose temperature has been adjusted to an appropriate temperature by the nitrogen gas temperature controller 23 is introduced into the pipe 2. The introduction positions are immediately after the outlet of the turbo pump 3 and immediately after the outlet of the dry pump 4.
【0027】処理室1で発生したガスは、導入された窒
素ガスと混合され混合ガスとなって配管2内を流れる。
この配管2内の混合ガスの温度は2箇所に設けられた温
度センサ15、32により常にモニターされ、演算器1
8、34を経由してCPU17にフィードバックされ、
CPU17により窒素ガス温調器23がコントロールさ
れ、配管2内は常に60℃以上に保たれる。The gas generated in the processing chamber 1 is mixed with the introduced nitrogen gas to form a mixed gas and flows through the pipe 2.
The temperature of the mixed gas in the pipe 2 is constantly monitored by temperature sensors 15 and 32 provided at two places,
Feedback to CPU 17 via 8, 34
The nitrogen gas temperature controller 23 is controlled by the CPU 17, and the inside of the pipe 2 is always kept at 60 ° C. or higher.
【0028】本装置では、配管2内の温度を常に60℃
以上に保つことで、前記混合ガス中の反応生成物が配管
2内壁で冷却されて固体化するのを防止することができ
るので、配管2が閉塞するのを低減することができる。
また、2箇所に設けられた圧力センサ16、33により
配管2内の圧力が常にモニターされ、演算器19、35
を経由してCPU17にフィードバックされる。モニタ
ーの間に圧力に異常が生じれば警報を発する。これによ
り、配管2内の閉塞状態をいち早く知ることができ、ト
ラブルを未然に防止することができる。In this apparatus, the temperature in the pipe 2 is always 60 ° C.
By keeping the above, it is possible to prevent the reaction product in the mixed gas from being cooled by the inner wall of the pipe 2 and to be solidified, and thus it is possible to reduce the blockage of the pipe 2.
The pressure in the pipe 2 is constantly monitored by the pressure sensors 16 and 33 provided at two locations, and
Is fed back to the CPU 17 via. An alarm is issued if the pressure becomes abnormal during monitoring. Thereby, the state of blockage in the pipe 2 can be quickly known, and trouble can be prevented.
【0029】なお、パージ用ガス供給手段、温度計測手
段、圧力計測手段及び制御手段の構成は、上述した各実
施形態の構成に限定されることなく、様々に変形可能で
ある。要は、反応生成物の固体化を防ぐ目的で配管内に
温度調節されたパージ用ガスを導入する機能を有すれば
よい。The configurations of the purge gas supply unit, the temperature measurement unit, the pressure measurement unit, and the control unit are not limited to the configurations of the above-described embodiments, but can be variously modified. In short, it is only necessary to have a function of introducing a temperature-controlled purge gas into the pipe in order to prevent the reaction product from solidifying.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上説明した様に、本発明のドライエッ
チング装置によれば、パージ用ガスの温度を調節し前記
配管内に供給するパージ用ガス供給手段と、前記配管の
該パージ用ガス供給手段より下流側に設けられ該配管内
の排気の温度を計測する温度計測手段及び該排気の圧力
を計測する圧力計測手段と、これら温度計測手段及び圧
力計測手段より出力される信号に基づき前記パージ用ガ
ス供給手段を制御する制御手段とを備えたので、前記パ
ージ用ガス供給手段を用いて前記配管内に適正な温度に
調節されたパージ用ガスを導入することができ、前記配
管内を適正な温度に保つことができる。As described above, according to the dry etching apparatus of the present invention, a purge gas supply means for adjusting the temperature of the purge gas and supplying the purge gas into the pipe, and the purge gas supply means for the pipe. Temperature measuring means provided downstream of the means for measuring the temperature of the exhaust gas in the pipe, pressure measuring means for measuring the pressure of the exhaust gas, and purging based on signals output from the temperature measuring means and the pressure measuring means. Control means for controlling the gas supply means for purging, it is possible to introduce a purge gas adjusted to an appropriate temperature into the pipe using the gas supply means for purge, and Temperature can be maintained.
【0031】したがって、排気中の反応生成物が固体化
するのを防止することができ、配管内の詰まりを防止す
ることができる。また、前記圧力計測手段により配管内
の圧力を監視するので、配管内の閉塞状態を予測するこ
とができ、配管内の異常な状態を早期に発見することが
できる。Therefore, it is possible to prevent the reaction product in the exhaust from being solidified, and to prevent clogging in the piping. Further, since the pressure in the pipe is monitored by the pressure measuring means, a closed state in the pipe can be predicted, and an abnormal state in the pipe can be found at an early stage.
【図1】 本発明の第1の実施形態のドライエッチング
装置の排気系を示す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating an exhaust system of a dry etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図2】 本発明の第2の実施形態のドライエッチング
装置の排気系を示す概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram illustrating an exhaust system of a dry etching apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図3】 本発明の第3の実施形態のドライエッチング
装置の排気系を示す概略構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram illustrating an exhaust system of a dry etching apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図4】 従来のドライエッチング装置の排気系の一例
を示す概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram illustrating an example of an exhaust system of a conventional dry etching apparatus.
1 処理室 2 配管 3 ターボポンプ(排気手段) 4 ドライポンプ(排気手段) 5 排気の流れる方向 11 気体供給部(パージ用ガス供給手段) 12 供給管 13 温調器 14 排気ポンプ(排気手段) 15 温度センサ(温度計測手段) 16 圧力センサ(圧力計測手段) 17 CPU(制御手段) 18、19 演算器 21 窒素供給部(パージ用ガス供給手段) 22 窒素供給管 23 窒素ガス温調器 31 窒素供給管 32 温度センサ(第2の温度計測手段) 33 圧力センサ(第2の圧力計測手段) 34、35 演算器 G 気体(パージ用ガス) N2 窒素ガス(不活性ガス)DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing chamber 2 Piping 3 Turbo pump (exhaust means) 4 Dry pump (exhaust means) 5 Direction of exhaust flow 11 Gas supply unit (purge gas supply means) 12 Supply pipe 13 Temperature controller 14 Exhaust pump (exhaust means) 15 Temperature sensor (temperature measuring means) 16 Pressure sensor (pressure measuring means) 17 CPU (control means) 18, 19 Computing unit 21 Nitrogen supply unit (purging gas supply means) 22 Nitrogen supply pipe 23 Nitrogen gas temperature controller 31 Nitrogen supply Tube 32 temperature sensor (second temperature measuring means) 33 pressure sensor (second pressure measuring means) 34, 35 arithmetic unit G gas (purging gas) N 2 nitrogen gas (inert gas)
Claims (3)
う処理室と、該処理室より処理後のガス及び処理により
生じた反応生成物よりなる排気を排出する配管と、該配
管内の排気を外方へ排出させる排気手段とを備えたドラ
イエッチング装置において、 パージ用ガスの温度を調節し前記配管内に供給するパー
ジ用ガス供給手段と、前記配管の該パージ用ガス供給手
段より下流側に設けられ該配管内の排気の温度を計測す
る温度計測手段及び該排気の圧力を計測する圧力計測手
段と、これら温度計測手段及び圧力計測手段より出力さ
れる信号に基づき前記パージ用ガス供給手段を制御する
制御手段とを備えたことを特徴とするドライエッチング
装置。1. A processing chamber for performing a dry etching process on an object to be processed, a pipe for discharging exhaust gas composed of a gas after the processing and a reaction product generated by the processing from the processing chamber, and an exhaust pipe for discharging the exhaust gas in the pipe. A purging gas supply means for adjusting the temperature of the purging gas to supply the gas into the pipe, and a purging gas supply means provided downstream of the purging gas supply means in the pipe. Temperature measuring means for measuring the temperature of the exhaust gas in the pipe, pressure measuring means for measuring the pressure of the exhaust gas, and controlling the purging gas supply means based on signals output from the temperature measuring means and the pressure measuring means. A dry etching apparatus, comprising:
り上流側に、前記配管内の排気の温度を計測する第2の
温度計測手段及び該排気の圧力を計測する第2の圧力計
測手段を設け、前記配管のこれら第2の温度計測手段及
び第2の圧力計測手段より上流側に、前記パージ用ガス
供給手段により温度調節されたパージ用ガスを該配管内
に供給する供給管を設け、 これら第2の温度計測手段及び第2の圧力計測手段より
出力される信号に基づき前記制御手段により前記パージ
用ガス供給手段を制御することを特徴とする請求項1記
載のドライエッチング装置。2. A second temperature measuring means for measuring the temperature of the exhaust gas in the pipe and a second pressure measuring means for measuring the pressure of the exhaust gas, upstream of the gas supply means for purging the pipe. A supply pipe for supplying a purge gas whose temperature has been adjusted by the purge gas supply means into the pipe, on the upstream side of the second temperature measurement means and the second pressure measurement means of the pipe, 2. The dry etching apparatus according to claim 1, wherein said control means controls said purge gas supply means based on signals output from said second temperature measurement means and said second pressure measurement means.
ことを特徴とする請求項1または2記載のドライエッチ
ング装置。3. The dry etching apparatus according to claim 1, wherein the purge gas is an inert gas.
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JP9235203A JP2978854B2 (en) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | Dry etching equipment |
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JP9235203A JP2978854B2 (en) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | Dry etching equipment |
Publications (2)
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JPH1174254A true JPH1174254A (en) | 1999-03-16 |
JP2978854B2 JP2978854B2 (en) | 1999-11-15 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030053283A (en) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 동부전자 주식회사 | Deposition system of oxidation layer of a semiconductor device |
JP2011247823A (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Edwards Kk | Deposition substance detection device and exhaust pump with the device |
JP2017022197A (en) * | 2015-07-08 | 2017-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP9235203A patent/JP2978854B2/en not_active Expired - Fee Related
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