KR100745372B1 - Method and appratus for monitoring mass flow amount in semiconductor production device - Google Patents

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최상국
임창현
이영상
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삼성전자주식회사
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Abstract

A method and an apparatus for monitoring a flow rate of a gas in semiconductor manufacturing equipment are provided to monitor air supplied from an exterior through leakage of a gas supply line by detecting the flow rate of the gas. A first valve(28) is installed on a gas exhaust line of a process chamber to interrupt exhaust of a process gas. A sub-exhaust line is connected in parallel with the gas exhaust line. A second valve(30) is installed on the sub-gas exhaust line to interrupt exhaust of the process gas from the sub-exhaust line. A flow rate detecting unit is installed on a rear end of the second valve to detect a flow rate of the process gas exhausted through the sub-exhaust line. A controller(38) receives a value of the flow rate detected by the flow rate detecting unit to generate an interlock signal.

Description

반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치 및 그 방법{METHOD AND APPRATUS FOR MONITORING MASS FLOW AMOUNT IN SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE}Gas flow amount monitoring device and method for semiconductor manufacturing equipment {METHOD AND APPRATUS FOR MONITORING MASS FLOW AMOUNT IN SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE}

도 1은 종래의 개스배기장치의 구성도1 is a configuration diagram of a conventional gas exhaust device

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 개스 플로우량 감시장치의 구성도2 is a configuration diagram of a gas flow amount monitoring apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 개스 플로우량 감시장치의 구성도3 is a configuration diagram of a gas flow amount monitoring apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention;

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *              Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10: 공정챔버 12, 14: 제1 및 제2 개스공급부 10: process chamber 12, 14: first and second gas supply unit

16, 18: 제 1 및 제2 메인밸브 20, 22: 제1 및 제2 MFC16, 18: 1st and 2nd main valve 20, 22: 1st and 2nd MFC

24: 압력센서 26: 압력조절기 24: pressure sensor 26: pressure regulator

28, 30: 제1 및 제2 밸브 32: MFM28, 30: first and second valve 32: MFM

34: 메인배기라인 36: 서브배기라인34: main exhaust line 36: sub exhaust line

38: 콘트롤러 40: 경고음 발생부38: controller 40: warning sound generator

본 발명은 반도체 제조설비의 개스 플로우량 감시장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 제조설비에서 인입된 개스가 반응로를 통해 배기되는 개스의 플로우량을 감시하는 반도체 제조설비의 개스 플로우량 감시장치 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a gas flow rate monitoring apparatus and method for a semiconductor manufacturing equipment, and in particular, a gas flow amount monitoring apparatus for a semiconductor manufacturing equipment for monitoring the flow rate of the gas introduced from the semiconductor manufacturing equipment through the reactor; It's about how.

일반적으로 반도체장치는 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입, 금속증착 등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행하게 됨으로써 이루어지고, 이들 반도체장치 제조공정 중 식각, 확산, 화학기상증착 등의 공정은 밀폐된 공정챔버 내에 소정의 분위기하에서 공정가스를 투입함으로써 공정챔버 내의 웨이퍼 상에서 반응토록 하는 공정을 수행하게 된다. 이러한 반도체 제조공정은 대부분 진공상태에서 진행되고 있으며, 진공상태가 설정된 값에서 정확하게 유지되어야만 정밀한 반도체 제조공정을 수행할 수 있다.In general, a semiconductor device is formed by selectively and repeatedly performing a process such as photographing, etching, diffusion, chemical vapor deposition, ion implantation, metal deposition, etc. on a wafer, and etching, diffusion, and chemical vapor deposition during the manufacturing process of these semiconductor devices. For example, the process may be performed on a wafer in the process chamber by injecting a process gas into a closed process chamber in a predetermined atmosphere. Most of these semiconductor manufacturing processes are performed in a vacuum state, and precise semiconductor manufacturing processes can be performed only when the vacuum state is accurately maintained at a set value.

그런데 반도체 제조공정 중에 건식식각 공정을 수행하기 위한 식각설비는 여러 종류의 개스가 개별적으로 공급되고, 최후 프로세스 챔버로 투입되기 이전에 혼합 개스로 합하여져 챔버로 공급되는 시스템을 갖추고 있다. 이때 공급되는 공정개스의 공급압력은 일정한 스펙을 갖추고 있으나 개스의 특성에 따라 그 압력이 서로 다르게 공급되고 있다. However, an etching facility for performing a dry etching process in a semiconductor manufacturing process has a system in which several kinds of gases are individually supplied and combined into a mixed gas before the final process chamber is supplied to the chamber. At this time, the supply pressure of the supplied process gas has a certain specification, but the pressure is supplied differently according to the characteristics of the gas.

이러한 반도체공정의 특성상, 각 공정챔버에서는 각종의 반응개스 및 세정개 스 등의 공급과 사용한 잔여개스의 배기가 반복적으로 이루어진다.Due to the characteristics of the semiconductor process, various process gases, cleaning gases, and the like are exhausted from each process chamber repeatedly.

각 공정챔버에는 공급되는 개스를 공정의 순서와 종류에 따라서 공급과 배기를 할 수 있도록 개스공급장치와 배기장치가 구비되어 있다. 반응개스 공급장치는 반응에 소요되는 공정개스의 종류별로, 개스를 저장하는 개스공급부과 공정챔버로 저장된 개스를 운반하는 개스공급라인과 개스공급라인을 통해서 공정챔버로 공급되는 개스량을 조절하는 개스유량조절기(MFC: Mass Flow Controller)로 구성되어 있다. 그리고 공정챔버로 공급된 개스는 다시 배기라인을 통해 미리 설정된 압력으로 배출하게 된다. Each process chamber is provided with a gas supply device and an exhaust device to supply and exhaust the gas to be supplied in accordance with the order and type of the process. Reaction gas supply device is to control the amount of gas supplied to the process chamber through the gas supply line for transporting the gas and the gas supply line for transporting the gas stored in the process chamber for each type of process gas required for the reaction It consists of a mass flow controller (MFC). The gas supplied to the process chamber is discharged again at a preset pressure through the exhaust line.

도 1은 종래의 개스배기장치의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a conventional gas exhaust device.

외부와 밀폐된 공간에서 개스의 공급을 받아 해당공정을 진행하는 공정챔버(10)와, N2개스를 저장하는 제1개스공급부(12)와, 공정개스를 저장하는 제2개스공급부(14)와, 상기 제1개스공급부(12)에 저장된 개스의 공급유무를 단속하는 제1 메인밸브(16)와, 상기 제2개스공급부(14)에 저장된 개스의 공급유무를 단속하는 제2 메인밸브(18)와, 상기 제1 메인밸브(16)를 통해 공급되는 N2개스의 플로우량을 조절하는 제1 MFC(20)와, 상기 제2 메인밸브(18)를 통해 공급되는 개스의 플로우량을 조절하는 제2 MFC(22)와, 상기 공정챔버(10)로부터 배기되는 개스의 압력을 센싱하는 압력센서(24)와, 상기 공정챔버(10)로부터 배기되는 개스의 압력을 조절하는 압력조절기(APC: Auto Presure Control)(26)로 구성되어 있다. A process chamber 10 receiving the gas from the outside and enclosed space to perform the corresponding process, a first gas supply unit 12 storing N2 gas, a second gas supply unit 14 storing the process gas, and A first main valve 16 for controlling whether or not the gas stored in the first gas supply part 12 is interposed and a second main valve 18 for regulating whether or not the gas stored in the second gas supply part 14 is intermittent. And the first MFC 20 for adjusting the flow rate of N2 gas supplied through the first main valve 16 and the flow rate of the gas supplied through the second main valve 18. A second MFC 22, a pressure sensor 24 for sensing the pressure of the gas exhausted from the process chamber 10, and a pressure regulator (APC) for regulating the pressure of the gas exhausted from the process chamber 10 Auto Presure Control).

도 1에서와 같이 외부와 충분히 밀폐된 공정챔버(10)에는 개스의 공급을 위한 개스공급라인이 연결되어 있으며, 개스공급라인상에는 공정챔버(10)로 공급되는 개스의 플로우량을 조절하기 위하여 제1 MFC(20) 및 제2 MFC(22)가 설치되어 있고, 개스공급라인의 최단부에는 공급되는 개스를 저장하고 있는 제1개스공급부(12) 및 제2개스 공급부(14)가 구비되어 있다.As shown in FIG. 1, a gas supply line for supplying gas is connected to the process chamber 10 which is sufficiently sealed with the outside, and on the gas supply line, a gas supply line for adjusting the flow rate of gas supplied to the process chamber 10 is provided. The first MFC 20 and the second MFC 22 are provided, and the first gas supply part 12 and the second gas supply part 14 which store the gas to be supplied are provided in the shortest part of the gas supply line. .

먼저 진공펌프(도시하지 않음)를 구동시켜 공정챔버(10)는 내부가 진공이 형성되도록 한다. 그런 후 예를들어 TIN의 막질을 형성하기 위해서는 Ar, N2개스가 동시에 플로우되어야 한다. 이때 제1 및 제2 메인밸브(16, 18)가 개방되면 제1 개스 공급부(12)와 제2 개스공급부(14)에 저장된 N2, Ar개스는 개스공급라인을 통해 공급된다. 상기 제1 및 제2 메인밸브(16, 18)는 개스공급라인이나 공정챔버(10), 제1 MFC(20), 제2 MFC(22)를 유지보수 시 닫고 그 이외에는 개방되도록 한다. 이때 상기 제1 및 제2 메인밸브(16, 18)가 개방된 상태에서 개스공급라인을 통해 공급되는 개스의 플로우량은 제1 및 제2 MFC(20, 22)에 의해 조절한다. 콘트롤러(도시하지 않음)는 제1 MFC(20)와 제2 MFC(22)의 개스플로우량을 제어하기 위해 전압을 제1 MFC(20)와 제2 MFC(22)로 인가하게 되는데, 최대 5V가 인가될 경우 제1 MFC(20)와 제2 MFC(22)가 풀오픈되고, 최소 0V가 인가될 경우 제1 MFC(20)와 제2 MFC(22)가 클로즈된다. 제1 MFC(20)와 제2 MFC(22)의 용량은 예를들어 20∼200sccm으로 설비별 차이가 있다.First, a vacuum pump (not shown) is driven to allow the process chamber 10 to form a vacuum therein. Then, for example, in order to form the film quality of TIN, Ar and N2 gas must flow simultaneously. At this time, when the first and second main valves 16 and 18 are opened, N2 and Ar gas stored in the first gas supply unit 12 and the second gas supply unit 14 are supplied through the gas supply line. The first and second main valves 16 and 18 close the gas supply line or process chamber 10, the first MFC 20, and the second MFC 22 during maintenance and open otherwise. At this time, the flow rate of the gas supplied through the gas supply line while the first and second main valves 16 and 18 are opened is controlled by the first and second MFCs 20 and 22. The controller (not shown) applies a voltage to the first MFC 20 and the second MFC 22 to control the amount of gas flow between the first MFC 20 and the second MFC 22, which is 5V max. When is applied, the first MFC 20 and the second MFC 22 is full open, when at least 0V is applied, the first MFC 20 and the second MFC 22 is closed. The capacity of the first MFC 20 and the second MFC 22 is, for example, 20 to 200 sccm, which is different for each facility.

이렇게 반응개스가 유입되어 공정챔버(10)에서 공정을 진행하는 동안에 반응개스를 일정량 배기관을 통해 배기시켜야 한다. 이때 배기관에는 압력조절기(APC: Auto Pressure Controller)(26)가 설치되어 있다. 압력조절기(26)는 배기되는 압력을 자동으로 조절하고, 그 조절되는 압력이 압력센서(24)에 표시된다. Thus, while the reaction gas is introduced and the process in the process chamber 10, the reaction gas must be exhausted through a certain amount of exhaust pipe. At this time, the exhaust pipe is provided with a pressure regulator (APC: Auto Pressure Controller) (26). The pressure regulator 26 automatically adjusts the pressure to be exhausted, and the adjusted pressure is displayed on the pressure sensor 24.

그런데 상기와 같은 종래의 공정챔버(10)로 유입되는 반응개스의 양은 웨이퍼 상의 반응정도에 따라서 농도와 밀도 그리고 반응시간에 밀접한 관계를 갖는다. 식각이나 확산, 산화 또는 화학기상증착의 공정에서는 웨이퍼 상의 극히 얇은 박막을 다루기 때문에 반응개스의 유입량과 유입시간이 조금이라도 필요이상으로 많았을 경우에는 반응과도현상을 초래하고 조금이라도 부족했을 경우에는 반응불충분 현상이 일어나 웨이퍼상에 화합물의 물성치가 변하고 회로불량 등의 불량이 발생한다. 이로인해 공정챔버(10)로 공급되는 반응개스의 양은 항상 일정하게 공급되어야 하고 외부로부터 공기가 유입되면 치명적인 공정불량이 발생되는 문제가 있었다.However, the amount of reaction gas flowing into the conventional process chamber 10 as described above is closely related to the concentration, density, and reaction time depending on the degree of reaction on the wafer. In the process of etching, diffusion, oxidation, or chemical vapor deposition, an extremely thin film on the wafer is handled. Therefore, if the amount of inlet gas and the inlet time of the reaction gas are more than necessary, the reaction may be excessive. Insufficient phenomena occur, and the physical properties of the compound change on the wafer, resulting in defects such as circuit defects. Due to this, the amount of reaction gas supplied to the process chamber 10 should always be constantly supplied, and if air is introduced from the outside, a fatal process defect may occur.

상기와 같은 종래의 반도제 제조설비는 리크로 인하여 외부로부터 에어가 유입될 시 이를 감지하는 장치가 없기 때문에 외부공기의 유입으로 인한 공정불량이 발생하는 문제가 있었다. The conventional semiconductor manufacturing equipment as described above has a problem that a process defect occurs due to the inflow of external air because there is no device for detecting this when air from the outside due to leak.

따라서 본 발명의 목적은 반도체 제조설비에서 리크로인하여 외부로부터 공기가 유입되는 상태를 모니터링하여 공정불량을 방지하는 개스 플로우량 감지장치 및 그 방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a gas flow amount detection device and a method for preventing process defects by monitoring the state in which air is introduced from outside by leaking in a semiconductor manufacturing facility.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 양태에 따른 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치는, 공정챔버의 공정개스를 배기시키기 위한 배기라인과, 상기 배기라인을 통해 배기되는 공정개스의 유량을 감지하는 유량감지부를 포함함 을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치. The gas flow amount monitoring apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, the exhaust line for exhausting the process gas of the process chamber, and the flow rate of the process gas exhausted through the exhaust line Gas flow amount monitoring device of a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that it comprises a flow rate sensing unit for sensing.

본 발명의 실시 양태에 따른 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치는, 공정챔버의 개스배기라인 상에 공정개스의 배기를 단속하기 위한 제1 밸브와, 상기 개스배기라인과 병렬로 연결된 서브배기라인과, 상기 서브배기라인 상에 설치되어 상기 서브배기라인으로 배기되는 공정개스를 단속하는 제2밸브와, 상기 제2 밸브의 후단에 설치되어 상기 서브배기라인을 통해 배기되는 공정개스의 유량을 감지하는 유량감지부를 포함함을 특징으로 한다.A gas flow amount monitoring apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a first valve for controlling exhaust of process gas on a gas exhaust line of a process chamber, and a sub exhaust line connected in parallel with the gas exhaust line. And a second valve installed on the sub exhaust line to control the process gas exhausted to the sub exhaust line, and a flow rate of the process gas installed at the rear end of the second valve and exhausted through the sub exhaust line. It characterized in that it comprises a flow rate detection unit.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시 양태에 따른 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치는, 공정개스를 저장하는 개스공급부와, 상기 개스공급부에 저장된 공정개스의 공급유무를 단속하는 메인밸브와, 공정챔버의 개스배기라인 상에 공정개스의 배기를 단속하기 위한 제1 밸브와, 상기 개스배기라인과 병렬로 연결된 서브배기라인과, 상기 서브배기라인 상에 설치되어 상기 서브배기라인으로 배기되는 공정개스를 단속하는 제2밸브와, 상기 제2 밸브의 후단에 설치되어 상기 서브배기라인을 통해 배기되는 공정개스의 유량을 감지하는 유량감지부를 구비하여, 상기 메인밸브를 개방시켜 미리 설정된 유량을 공급한 후 상기 유량감지부로부터 상기 공급한 유량이 정확하게 검출되는지 감시함을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a gas flow amount monitoring apparatus for a semiconductor manufacturing facility, including: a gas supply unit for storing a process gas; and a main valve for intermitting the presence or absence of process gas stored in the gas supply unit; And a first valve for controlling exhaust of the process gas on the gas exhaust line of the process chamber, a sub exhaust line connected in parallel with the gas exhaust line, and installed on the sub exhaust line and exhausted to the sub exhaust line. And a second valve for controlling the process gas and a flow rate sensing unit installed at a rear end of the second valve to sense the flow rate of the process gas exhausted through the sub-exhaust line. After the supply is characterized in that for monitoring whether the supplied flow rate is accurately detected from the flow rate detection unit.

상기 유량감지부로부터 감지된 유량값을 받아 개스공급라인의 리크로 인한 외부공기의 유입상태를 판단하여 인터록신호를 발생하고 또한 경고음 발생제어신호를 출력하는 콘트롤러를 더 포함함을 특징으로 한다.The controller may further include a controller configured to generate an interlock signal and to output a warning sound generation control signal by determining an inflow state of external air due to leakage of the gas supply line by receiving the flow rate value detected by the flow rate detection unit.

상기 콘트롤러의 제어에 의해 경고음을 발생하는 경고음 발생부를 더 포함함 을 특징으로 한다.And a warning sound generating unit for generating a warning sound under the control of the controller.

상기 유량감지부는 매스플로우 미터임을 특징으로 한다.The flow rate detection unit is characterized in that the mass flow meter.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시방법은, 공정챔버의 공정진행이 중지된 상태에서 메인배기라인을 통해 상기 공정챔버의 개스를 플로우시키는 단계와, 상기 공정챔버의 개스를 플로우시키는 단계에서 개스플로우량을 감지하는 단계와, 상기 감지된 개스플로우량이 미리 설정된 양을 벗어날 시 상기 공정챔버로 공급되는 개스공급라인의 리크가 발생된 것으로 판단하는 단계와, 상기 개스공라인의 리크가 발생될 시 인터록을 발생하여 상기 공정챔버 내에서 공정진행이 이루어지지 않도록 제어하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.The gas flow amount monitoring method of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention for achieving the above object comprises the steps of flowing the gas of the process chamber through the main exhaust line in the state that the process chamber of the process chamber is stopped; Detecting a gas flow amount in the step of flowing gas, determining that a leak of a gas supply line supplied to the process chamber has occurred when the detected gas flow amount is out of a preset amount, and the gas hole And generating an interlock when a leak of the line is generated to control the process not to be performed in the process chamber.

상기 개스공라인의 리크가 발생될 시 경고음을 발생하여 엔지니어가 인식할 수 있도록 통보하는 단계를 더 포함함을 특징으로 한다.It is characterized in that it further comprises the step of notifying the engineer to generate a warning sound when the leak of the gas line is generated.

이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 개스 플로우량 감시장치의 구성도이다.2 is a block diagram of a gas flow amount monitoring apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

외부와 밀폐된 공간에서 개스의 공급을 받아 해당공정을 진행하는 공정챔버(10)와, 제1 공정개스를 저장하는 제1개스공급부(12)와, 제2 공정개스를 저장하는 제2개스공급부(14)와, 상기 제1개스공급부(12)에 저장된 제1 공정개스의 공급유무 를 단속하는 제1 메인밸브(16)와, 상기 제2개스공급부(14)에 저장된 제2 공정개스의 공급유무를 단속하는 제2 메인밸브(18)와, 상기 제1 메인밸브(16)를 통해 공급되는 제1 공정개스의 플로우량을 조절하는 제1 MFC(20)와, 상기 제2 메인밸브(22)를 통해 공급되는 제2 공정개스의 플로우량을 조절하는 제2 MFC(22)와, 상기 공정챔버(10)로부터 공정개스를 배기하기 위한 메인배기라인(34)과, 상기 메인 배기라인(34)에 연결되어 리크상태를 체크할 시 공정개스를 배기하기 위한 서브배기라인(36)과, 상기 메인 배기라인(34) 상에 설치되어 공정개스의 배기상태를 단속하기 위한 제1 밸브(28)와, 상기 서브배기라인(36) 상에 설치되어 공정개스의 배기상태를 단속하기 위한 제2 밸브(30)와, 상기 서브배기라인(36) 상에 설치되어 상기 서브배기라인(36)을 통해 플로우되는 개스유량을 측정하는 매스플로우미터(Mass Flow Meter: MFM)(32)와, 상기 공정챔버(10)로부터 배기되는 개스의 압력을 센싱하는 압력센서(24)와, 상기 공정챔버(10)로부터 배기되는 개스의 압력을 조절하는 압력조절기(APC: Auto Presure Control)(26)와, 상기 MFM(32)로부터 감지된 개스플로우량을 받아 미리 설정된 개스플로우량을 벗어날 경우 인터록신호를 발생하여 설비가 가동되지 않도록 제어하는 동시에 경고음 발생부(40)를 제어하여 경고음이 발생되도록 하는 콘트롤러(38)로 구성되어 있다. The process chamber 10 which receives the gas supply in an enclosed space and performs the corresponding process, the first gas supply part 12 storing the first process gas, and the second gas supply part storing the second process gas. (14), the first main valve 16 to intervene the supply of the first process gas stored in the first gas supply unit 12, and the supply of the second process gas stored in the second gas supply unit (14) A second main valve 18 for intermittent presence, a first MFC 20 for adjusting a flow rate of a first process gas supplied through the first main valve 16, and the second main valve 22 The second MFC 22 for adjusting the flow rate of the second process gas supplied through the), the main exhaust line 34 for exhausting the process gas from the process chamber 10, and the main exhaust line 34 ) Is installed on the sub exhaust line 36 for exhausting the process gas and the main exhaust line 34 when checking the leak state. A first valve 28 for controlling the exhaust state of the process gas, a second valve 30 installed on the sub exhaust line 36 to control the exhaust state of the process gas, and the sub exhaust line ( A mass flow meter (MFM) 32 installed on the 36 and measuring a gas flow rate flowing through the sub-exhaust line 36, and a pressure of the gas exhausted from the process chamber 10; Pressure sensor 24 for sensing, a pressure regulator (APC: Auto Presure Control) (26) for adjusting the pressure of the gas exhausted from the process chamber 10, and the amount of gas flow detected from the MFM (32) The controller 38 is configured to generate an interlock signal to control the equipment not to operate when the deviation of the gas flow amount is set in advance, and to control the warning sound generator 40 to generate the warning sound.

상술한 도 2를 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 배기개스 플로우량을 감지하기 위한 동작을 상세히 설명한다.Referring to FIG. 2 described above, an operation for detecting the exhaust gas flow amount according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail.

도 2에서와 같이, 외부와 충분히 밀폐된 공정챔버(10)에는 개스의 공급을 위한 개스공급라인이 연결되어 있으며, 개스공급라인상에는 공정챔버(10)로 공급되는 개스의 플로우량을 조절하기 위하여 제1 MFC(20) 및 제2 MFC(22)가 설치되어 있고, 개스공급라인의 최단부에는 공급되는 개스를 저장하고 있는 제1개스공급부(12) 및 제2개스 공급부(14)가 구비되어 있다.As shown in FIG. 2, a gas supply line for supplying gas is connected to the process chamber 10 which is sufficiently sealed with the outside, and on the gas supply line to adjust the flow amount of the gas supplied to the process chamber 10. The first MFC 20 and the second MFC 22 are installed, and the first gas supply part 12 and the second gas supply part 14 which store the supplied gas are provided at the shortest part of the gas supply line. have.

공정챔버(10)의 메인배기라인(34)에는 압력을 감지하여 표시하기 위한 압력센서(24)가 설치되어 있고, 또한 공정배기개스를 차단하거나 배출되도록 단속하는 제1 밸브(28)가 설치되어 있다. 그리고 상기 메인배기라인(34)에는 상기 제1 밸브(28)의 전후단에 연통되도록 서브배기라인(36)이 설치되어 있다. 상기 서브배기라인(36)에는 제2 밸브(30)와 MFM(32)가 설치되어 있다. 상기 제1 및 제2 밸브(28, 30)는 예컨대 솔레노이드밸브를 적용할 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고 다른 밸브를 사용하여 본 발명의 통상의 지식을 가진자에 의해 변형이나 개량이 가능하다. The main exhaust line 34 of the process chamber 10 is provided with a pressure sensor 24 for sensing and displaying a pressure, and a first valve 28 for intermittently blocking or discharging the process exhaust gas is installed. have. In addition, the main exhaust line 34 is provided with a sub exhaust line 36 to communicate with the front and rear ends of the first valve 28. The second exhaust line 36 is provided with a second valve 30 and an MFM 32. The first and second valves 28 and 30 may be applied to, for example, a solenoid valve. However, the present invention is not limited thereto and may be modified or improved by those skilled in the art using other valves. It is possible.

먼저 진공펌프(도시하지 않음)를 구동시켜 공정챔버(10)는 내부가 진공이 형성되도록 한다. 그런 후 예를들어 TIN의 막질을 형성하기 위해서는 Ar, N2개스가 동시에 플로우되어야 한다. 이때 제1 및 제2 메인밸브(16, 18)가 개방되면 제1 개스 공급부(12)와 제2 개스공급부(14)에 저장된 N2, Ar개스는 개스공급라인을 통해 공급된다. 상기 제1 및 제2 메인밸브(16, 18)는 개스공급라인이나 공정챔버(10), 제1 MFC(20), 제2 MFC(22)를 유지보수 시 닫고 그 이외에는 개방되도록 한다. 이때 상기 제1 및 제2 메인밸브(16, 18)가 개방된 상태에서 개스공급라인을 통해 공급되는 개스의 플로우량은 제1 및 제2 MFC(20, 22)에 의해 조절한다. First, a vacuum pump (not shown) is driven to allow the process chamber 10 to form a vacuum therein. Then, for example, in order to form the film quality of TIN, Ar and N2 gas must flow simultaneously. At this time, when the first and second main valves 16 and 18 are opened, N2 and Ar gas stored in the first gas supply unit 12 and the second gas supply unit 14 are supplied through the gas supply line. The first and second main valves 16 and 18 close the gas supply line or process chamber 10, the first MFC 20, and the second MFC 22 during maintenance and open otherwise. At this time, the flow rate of the gas supplied through the gas supply line while the first and second main valves 16 and 18 are opened is controlled by the first and second MFCs 20 and 22.

이렇게 반응개스가 유입되어 공정챔버(10)에서 공정을 진행하는 동안에 반응 개스를 일정량 메인배기라인(34)을 통해 배기시켜야 한다. 이때 메인배기라인(34)에는 압력조절기(APC: Auto Pressure Controller)(26)가 설치되어 있다. 압력조절기(26)는 배기되는 압력을 자동으로 조절하고, 그 조절되는 압력이 압력센서(24)에 표시된다. In this way, while the reaction gas flows in the process chamber 10, the reaction gas must be exhausted through the main exhaust line 34 by a predetermined amount. At this time, the main exhaust line 34 is provided with a pressure regulator (APC: Auto Pressure Controller) (26). The pressure regulator 26 automatically adjusts the pressure to be exhausted, and the adjusted pressure is displayed on the pressure sensor 24.

그리고 공정챔버(10) 내에서 공정진행을 중지시키게 되면 공정챔버(10)로 공정개스들이 유입되지 않기 때문에 메인배기라인(34)을 통해 공정개스들이 플로우되지 않게 된다. 그런데 종래에는 메인배기라인(34)으로 배출되는 반응개스의 압력은 압력센서(24)에 의해 감지되어 표시되지만 리크에 의해 외부로부터 공정챔버(10)로 유입되는 공기를 감지할 수 없었다. 즉, 압력센서(24)만으로 외부로부터 유입되는 공기가 메인배기라인(34)을 통해 배기되는 상태를 감지할 수 없었다.When the process is stopped in the process chamber 10, the process gases do not flow through the main exhaust line 34 because process gases do not flow into the process chamber 10. However, in the related art, the pressure of the reaction gas discharged to the main exhaust line 34 is detected and displayed by the pressure sensor 24, but air cannot flow into the process chamber 10 by the leak. That is, only the pressure sensor 24 could not detect a state in which air introduced from the outside is exhausted through the main exhaust line 34.

그러나 본 발명에서는 메인배기라인(34) 상에 공정개스의 플로우를 차단하는 제1 밸브(28)를 설치하고, 상기 제1 밸브(28)가 차단될 때 공정개스가 압력조절기(26)의 전단으로 플로우되도록 하기 위한 서브배기라인(36)을 설치하며, 그 서브배기라인(36) 상에 제2 밸브(30)와 MFM(32)를 설치한다. 그리고 공정챔버(10)의 공정진행을 중단시킨 상태에서 제1 밸브(28)를 차단한다. 상기 제1 밸브(28)가 차단된 상태에서 제2 밸브(30)를 개방시키게 되면 공정챔버(10)로부터 서브배기라인(36)을 통해 플로우되는 개스유량을 MFM(32)에 의해 감지한다. 이때 공정챔버(10)로 공정개스가 유입되지 않으면 서브배기라인(36)을 통해 배기되는 개스플로우량이 0이 되어야 한다. 그런데 MFM(32)은 0이 감지되지 않고 예를 들어 0.1cc가 검출되면 개스공급라인에 리크가 발생되어 외부로부터 공기가 공정챔버(10)로 유입되는 것으로 감지한다. 이때 콘트롤러(38)는 상기 MFM(32)로부터 개스플로우량을 받아 0이상 값이 감지되면 인터록신호를 발생하여 설비가 가동되지 않도록 제어하는 동시에 경고음 발생부(40)를 제어하여 경고음이 발생되도록 한다.However, in the present invention, the first valve 28 is installed on the main exhaust line 34 to block the flow of the process gas, and when the first valve 28 is blocked, the process gas is sheared by the pressure regulator 26. A sub exhaust line 36 is installed to allow flow to the air, and a second valve 30 and an MFM 32 are installed on the sub exhaust line 36. The first valve 28 is shut off in a state where the process progress of the process chamber 10 is stopped. When the second valve 30 is opened while the first valve 28 is blocked, the gas flow rate flowing from the process chamber 10 through the sub exhaust line 36 is sensed by the MFM 32. At this time, if the process gas is not introduced into the process chamber 10, the amount of gas flow exhausted through the sub exhaust line 36 should be zero. However, the MFM 32 detects that 0 is not detected and, for example, 0.1cc is leaked to the gas supply line and air is introduced into the process chamber 10 from the outside. At this time, the controller 38 receives an amount of gas flow from the MFM 32 and generates an interlock signal when the value of 0 or more is sensed to control the equipment not to operate and at the same time control the warning sound generator 40 to generate a warning sound. .

본 발명의 일 실시 예에서는 개스공급라인에 리크가 발생되어 외부로부터 공기가 유입되는 상태를 감지하기 위해 MFM(32)을 사용하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고 그 외의 개스유량을 감지하는 개스유량감지부를 적용하여 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다. In an embodiment of the present invention, the MFM 32 is used to detect a state where air is introduced from the outside due to the leakage of the gas supply line, but the present invention is not limited thereto, and the gas for detecting other gas flow rates is not limited thereto. It is apparent that modifications and improvements can be made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention by applying the flow rate sensing unit.

또한 공정챔버(10) 내에서 공정진행을 중지시키게 되면 공정챔버(10)로 공정개스들이 유입되지 않기 때문에 메인배기라인(34)을 통해 공정개스들이 플로우되지 않게 된다. 이때 제1 메인밸브(16)나 제2 메인밸브(18)를 개방시켜 예컨대 1cc를 공급하도록 하고 제1 밸브(28)를 차단한다. 그리고 상기 제1 밸브(28)가 차단된 상태에서 제2 밸브(30)를 개방시킨다. 그러면 공정챔버(10)로부터 서브배기라인(36)을 통해 플로우되는 개스유량이 MFM(32)에 의해 감지된다. 이때 공정챔버(10)로 공급되는 공정개스가 1cc이면 서브배기라인(36)을 통해 배기되는 개스플로우량도 1cc가 되어야 한다. 그런데 MFM(32)에서 1.1cc가 감지되면 개스공급라인에 리크가 발생되어 외부로부터 공기가 공정챔버(10)로 유입되는 것으로 감지한다. 이때 콘트롤러(38)는 상기 MFM(32)로부터 개스플로우량을 받아 1.1cc가 감지되면 인터록신호를 발생하여 설비가 가동되지 않도록 제어하는 동시에 경고음 발생부(40)를 제어하여 경고음이 발생되도록 한다.In addition, when the process progress is stopped in the process chamber 10, the process gases do not flow through the main exhaust line 34 because process gases do not flow into the process chamber 10. At this time, the first main valve 16 or the second main valve 18 is opened to supply 1cc, for example, and the first valve 28 is shut off. In addition, the second valve 30 is opened while the first valve 28 is blocked. Then, the gas flow rate flowing from the process chamber 10 through the sub exhaust line 36 is sensed by the MFM 32. At this time, if the process gas supplied to the process chamber 10 is 1cc, the amount of gas flow exhausted through the sub exhaust line 36 should also be 1cc. However, when 1.1cc is detected in the MFM 32, a leak is generated in the gas supply line to detect that air is introduced into the process chamber 10 from the outside. At this time, when the controller 38 receives the gas flow amount from the MFM 32 and detects 1.1cc, the controller 38 generates an interlock signal to control the equipment not to operate and at the same time controls the warning sound generator 40 to generate a warning sound.

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 개스 플로우량 감시장치의 구성도이다.3 is a configuration diagram of a gas flow amount monitoring apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to another exemplary embodiment of the present disclosure.

외부와 밀폐된 공간에서 개스의 공급을 받아 해당공정을 진행하는 공정챔버(50)와, 제1 공정개스를 저장하는 제1개스공급부(52)와, 제2 공정개스를 저장하는 제2개스공급부(54)와, 상기 제1개스공급부(52)에 저장된 제1 공정개스의 공급유무를 단속하는 제1 메인밸브(56)와, 상기 제2개스공급부(54)에 저장된 제2 공정개스의 공급유무를 단속하는 제2 메인밸브(58)와, 상기 제1 메인밸브(56)를 통해 공급되는 제1 공정개스의 플로우량을 조절하는 제1 MFC(60)와, 상기 제2 메인밸브(58)를 통해 공급되는 제2 공정개스의 플로우량을 조절하는 제2 MFC(62)와, 상기 공정챔버(50)로부터 공정개스를 배기하기 위한 배기라인(66)과, 상기 배기라인(66) 상에 설치되어 공정개스의 배기상태를 단속하기 위한 배기라인밸브(68)와, 상기 배기라인(66) 상에 설치되어 상기 배기라인(66)을 통해 플로우되는 개스유량을 측정하는 매스플로우미터(Mass Flow Meter: MFM)(70)와, 상기 공정챔버(50)로부터 배기되는 개스의 압력을 센싱하는 압력센서(64)와, 상기 공정챔버(50)로부터 배기되는 개스의 압력을 조절하는 압력조절기(APC: Auto Presure Control)(76)와, 상기 MFM(70)로부터 감지된 개스플로우량을 받아 미리 설정된 개스플로우량을 벗어날 경우 인터록신호를 발생하여 설비가 가동되지 않도록 제어하는 동시에 경고음 발생부(74)를 제어하여 경고음이 발생되도록 하는 콘트롤러(72)로 구성되어 있다. The process chamber 50 which receives the gas supply in an enclosed space and performs the corresponding process, the first gas supply unit 52 storing the first process gas, and the second gas supply unit storing the second process gas (54), the first main valve 56 for intermitting the supply of the first process gas stored in the first gas supply unit 52, and the supply of the second process gas stored in the second gas supply unit (54) A second main valve 58 for intermittent presence, a first MFC 60 for adjusting a flow rate of a first process gas supplied through the first main valve 56, and the second main valve 58 The second MFC 62 for adjusting the flow rate of the second process gas supplied through the exhaust gas, an exhaust line 66 for exhausting the process gas from the process chamber 50, and an upper portion of the exhaust line 66. An exhaust line valve 68 installed on the exhaust line 66 to control the exhaust state of the process gas, and installed on the exhaust line 66 through the exhaust line 66. A mass flow meter (MFM) 70 for measuring the flow rate of the gas flow, a pressure sensor 64 for sensing the pressure of the gas exhausted from the process chamber 50, and the process chamber 50 A pressure controller (APC) for adjusting the pressure of the gas exhausted from the gas and an interlock signal is generated when the gas flow amount detected from the MFM 70 is out of the preset gas flow amount. The controller 72 is configured to control the warning sound generator 74 to be operated so that the warning sound is generated.

상술한 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 배기개스 플로우량을 감지하기 위한 동작을 상세히 설명한다.Referring to Figure 3 described above will be described in detail the operation for detecting the exhaust gas flow amount according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참하면, 외부와 충분히 밀폐된 공정챔버(50)에는 개스의 공급을 위한 개스공급라인이 연결되어 있으며, 개스공급라인상에는 공정챔버(50)로 공급되는 개스의 플로우량을 조절하기 위하여 제1 MFC(60) 및 제2 MFC(62)가 설치되어 있고, 개스공급라인의 최단부에는 공급되는 개스를 저장하고 있는 제1개스공급부(52) 및 제2개스 공급부(54)가 구비되어 있다.Referring to FIG. 3, a gas supply line for supplying gas is connected to the process chamber 50 which is sufficiently sealed with the outside, and on the gas supply line, in order to adjust the flow amount of the gas supplied to the process chamber 50. The first MFC 60 and the second MFC 62 are provided, and the first gas supply part 52 and the second gas supply part 54 which store the supplied gas are provided in the shortest part of the gas supply line. have.

공정챔버(50)의 배기라인(66)에는 압력을 감지하여 표시하기 위한 압력센서(64)가 설치되어 있고, 또한 공정배기개스를 차단하거나 배출되도록 단속하는 배기라인밸브(68)가 설치되어 있다. 그리고 상기 배기라인(66)에는 MFM(70)이 설치되어 있다. 상기 배기라인밸브(68)는 예컨대 솔레노이드밸브를 적용할 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고 다른 밸브를 사용하여 본 발명의 통상의 지식을 가진자에 의해 변형이나 개량이 가능하다. The exhaust line 66 of the process chamber 50 is provided with a pressure sensor 64 for sensing and displaying a pressure, and an exhaust line valve 68 for intermittently blocking or discharging the process exhaust gas is provided. . The exhaust line 66 is provided with an MFM 70. The exhaust line valve 68 may be applied to, for example, a solenoid valve, but the present invention is not limited thereto and may be modified or improved by those skilled in the art using other valves.

반응개스가 유입되어 공정챔버(50)에서 공정을 진행하는 동안에 반응개스를 일정량 배기라인(66)을 통해 배기시켜야 한다. 이때 배기라인(66)에는 압력조절기(APC: Auto Pressure Controller)(76)가 설치되어 있다. 압력조절기(76)는 배기되는 압력을 자동으로 조절하고, 그 조절되는 압력이 압력센서(64)에 표시된다. While the reaction gas is introduced and the process is performed in the process chamber 50, the reaction gas must be exhausted through a predetermined amount of the exhaust line 66. At this time, the exhaust line 66 is provided with an auto pressure controller (APC) 76. The pressure regulator 76 automatically adjusts the pressure discharged, and the adjusted pressure is displayed on the pressure sensor 64.

그리고 공정챔버(50) 내에서 공정진행을 중지시키게 되면 공정챔버(50)로 공정개스들이 유입되지 않기 때문에 배기라인(66)을 통해 공정개스들이 플로우되지 않게 된다. 그런데 종래에는 배기라인(66)으로 배출되는 반응개스의 압력은 압력센서(64)에 의해 감지되어 표시되지만 리크에 의해 외부로부터 공정챔버(50)로 유입되는 공기를 감지할 수 없었다. 즉, 압력센서(64)만으로 외부로부터 유입되는 공기 가 배기라인(66)을 통해 배기되는 상태를 감지할 수 없었다.When the process progress is stopped in the process chamber 50, the process gases do not flow through the exhaust line 66 because the process gases do not flow into the process chamber 50. However, in the related art, the pressure of the reaction gas discharged to the exhaust line 66 is detected and displayed by the pressure sensor 64, but air cannot flow into the process chamber 50 from the outside by the leak. That is, only the pressure sensor 64 could not detect a state in which air introduced from the outside is exhausted through the exhaust line 66.

그러나 본 발명에서는 배기라인(66) 상에 공정개스의 플로우를 차단하는 배기라인밸브(68)를 설치하고, 상기 배기라인(66) 상에 MFM(70)을 설치한다. 그리고 상기 배기라인밸브(68)를 개방시키게 되면 공정챔버(50)로부터 배기라인(66)을 통해 플로우되는 개스유량을 MFM(70)에 의해 감지한다. 이때 공정챔버(50)로 공정개스가 유입되지 않으면 배기라인(66)을 통해 배기되는 개스플로우량이 0이 되어야 한다. 그런데 MFM(70)은 0이 감지되지 않고 예를 들어 0.1cc가 검출되면 개스공급라인에 리크가 발생되어 외부로부터 공기가 공정챔버(50)로 유입되는 것으로 감지한다. 이때 콘트롤러(72)는 상기 MFM(70)로부터 개스플로우량을 받아 0이상 값이 감지되면 인터록신호를 발생하여 설비가 가동되지 않도록 제어하는 동시에 경고음 발생부(74)를 제어하여 경고음이 발생되도록 한다.However, in the present invention, an exhaust line valve 68 is provided on the exhaust line 66 to block the flow of the process gas, and an MFM 70 is provided on the exhaust line 66. When the exhaust line valve 68 is opened, the gas flow rate flowing from the process chamber 50 through the exhaust line 66 is sensed by the MFM 70. At this time, if the process gas does not flow into the process chamber 50, the amount of gas flow exhausted through the exhaust line 66 should be zero. However, the MFM 70 detects that 0 is not detected and, for example, 0.1cc is leaked to the gas supply line so that air is introduced into the process chamber 50 from the outside. At this time, when the controller 72 receives the gas flow amount from the MFM 70 and detects a value greater than 0, the controller 72 generates an interlock signal to control the equipment not to operate and at the same time controls the warning sound generator 74 to generate a warning sound. .

또한 공정챔버(50) 내에서 공정진행을 중지시키게 되면 공정챔버(50)로 공정개스들이 유입되지 않기 때문에 배기라인(66)을 통해 공정개스들이 플로우되지 않게 된다. 이때 제1 메인밸브(56)이나 제2 메인밸브(58)을 개방시켜 예컨대 1cc를 공급하도록 하고 배기라인밸브(68)를 개방시킨다. 그러면 공정챔버(50)로부터 배기라인(66)을 통해 플로우되는 개스유량이 MFM(70)에 의해 감지된다. 이때 공정챔버(50)로 공급되는 공정개스가 1cc이면 배기라인(66)을 통해 배기되는 개스플로우량도 1cc가 되어야 한다. 그런데 MFM(70)에서 1.1cc가 감지되면 개스공급라인에 리크가 발생되어 외부로부터 공기가 공정챔버(50)로 유입되는 것으로 감지한다. 이때 콘트롤러(72)는 상기 MFM(70)로부터 개스플로우량을 받아 1.1cc가 감지되면 인터록 신호를 발생하여 설비가 가동되지 않도록 제어하는 동시에 경고음 발생부(74)를 제어하여 경고음이 발생되도록 한다.In addition, when the process progress is stopped in the process chamber 50, the process gases do not flow through the exhaust line 66 because process gases do not flow into the process chamber 50. At this time, the first main valve 56 or the second main valve 58 is opened to supply 1cc, for example, and the exhaust line valve 68 is opened. Then, the gas flow rate flowing from the process chamber 50 through the exhaust line 66 is sensed by the MFM 70. At this time, if the process gas supplied to the process chamber 50 is 1cc, the amount of gas flow exhausted through the exhaust line 66 should also be 1cc. However, when 1.1 cc is detected in the MFM 70, a leak is generated in the gas supply line to detect that air is introduced into the process chamber 50 from the outside. At this time, when the controller 72 receives the gas flow amount from the MFM 70 and detects 1.1 cc, the controller 72 generates an interlock signal to control the equipment not to operate and at the same time controls the warning sound generator 74 to generate a warning sound.

상술한 바와 같이 본 발명은 반도체 제조설비에서 배기라인을 통해 배기되는 개스플로우량을 감지하여 개스공급라인의 리크에 의해 공정챔버로 외부로부터 유입되는 공기를 모니터링하여 개스공급라인의 리크로 인한 공정불량 발생을 방지할 수 있는 이점이 있다. As described above, the present invention detects an amount of gas flow exhausted through an exhaust line in a semiconductor manufacturing facility, and monitors air introduced from the outside into the process chamber by the leak of the gas supply line, thereby causing a process defect due to leakage of the gas supply line. There is an advantage to prevent the occurrence.

또한 개스공급라인의 리크로 인한 공정불량을 방지하여 공정불량으로 인한 비용을 절감할 수 있는 이점이 있다. In addition, there is an advantage that can reduce the cost due to process defects by preventing process defects due to leakage of the gas supply line.

Claims (14)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치에 있어서,In the gas flow amount monitoring device of the semiconductor manufacturing equipment, 공정챔버의 개스배기라인 상에 공정개스의 배기를 단속하기 위한 제1 밸브와,A first valve for controlling the exhaust of the process gas on the gas exhaust line of the process chamber; 상기 개스배기라인과 병렬로 연결된 서브배기라인과,A sub exhaust line connected in parallel with the gas exhaust line, 상기 서브배기라인 상에 설치되어 상기 서브배기라인으로 배기되는 공정개스를 단속하는 제2밸브와,A second valve installed on the sub exhaust line to control a process gas exhausted to the sub exhaust line; 상기 제2 밸브의 후단에 설치되어 상기 서브배기라인을 통해 배기되는 공정개스의 유량을 감지하는 유량감지부를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치. And a flow rate sensing unit installed at a rear end of the second valve to sense a flow rate of the process gas exhausted through the sub-exhaust line. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 유량감지부로부터 감지된 유량값을 받아 개스공급라인의 리크로 인한 외부공기의 유입상태를 판단하여 인터록신호를 발생하고 또한 경고음 발생제어신호를 출력하는 콘트롤러를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 개스플로우 량 감시장치.And a controller for generating an interlock signal and outputting a warning sound generation control signal by determining an inflow state of external air due to leakage of a gas supply line based on the flow rate value sensed by the flow rate sensing unit. Gas flow rate monitoring device. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 콘트롤러의 제어에 의해 경고음을 발생하는 경고음 발생부를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치.And a warning sound generating unit for generating a warning sound under the control of the controller. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 유량감지부는 매스플로우 미터임을 특징으로 하는 하는 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치.The gas flow amount monitoring device of the semiconductor manufacturing equipment, characterized in that the flow rate detection unit mass flow meter. 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치에 있어서,In the gas flow amount monitoring device of the semiconductor manufacturing equipment, 공정개스를 저장하는 개스공급부와, A gas supply unit for storing process gas, 상기 개스공급부에 저장된 공정개스의 공급유무를 단속하는 메인밸브와, A main valve for controlling the presence or absence of supply of the process gas stored in the gas supply unit; 공정챔버의 개스배기라인 상에 공정개스의 배기를 단속하기 위한 제1 밸브와,A first valve for controlling the exhaust of the process gas on the gas exhaust line of the process chamber; 상기 개스배기라인과 병렬로 연결된 서브배기라인과,A sub exhaust line connected in parallel with the gas exhaust line, 상기 서브배기라인 상에 설치되어 상기 서브배기라인으로 배기되는 공정개스 를 단속하는 제2밸브와,A second valve installed on the sub exhaust line to control a process gas exhausted to the sub exhaust line; 상기 제2 밸브의 후단에 설치되어 상기 서브배기라인을 통해 배기되는 공정개스의 유량을 감지하는 유량감지부를 구비하여,A flow rate sensing unit installed at a rear end of the second valve and sensing a flow rate of the process gas exhausted through the sub exhaust line; 상기 메인밸브를 개방시켜 미리 설정된 유량을 공급한 후 상기 유량감지부로부터 상기 공급한 유량이 정확하게 검출되는지 감시함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치. And opening the main valve to supply a preset flow rate and monitoring whether the supplied flow rate is accurately detected from the flow rate sensing unit. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 유량감지부로부터 감지된 유량값을 받아 개스공급라인의 리크로 인한 외부공기의 유입상태를 판단하여 인터록신호를 발생하고 또한 경고음 발생제어신호를 출력하는 콘트롤러를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치.And a controller for generating an interlock signal and outputting a warning sound generation control signal by determining an inflow state of external air due to leakage of a gas supply line based on the flow rate value sensed by the flow rate sensing unit. Gas flow rate monitoring device. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 콘트롤러의 제어에 의해 경고음을 발생하는 경고음 발생부를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치.And a warning sound generating unit for generating a warning sound under the control of the controller. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 유량감지부는 매스플로우 미터임을 특징으로 하는 하는 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치.The gas flow amount monitoring device of the semiconductor manufacturing equipment, characterized in that the flow rate detection unit mass flow meter. 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시방법에 있어서,In the gas flow amount monitoring method of the semiconductor manufacturing equipment, 공정챔버의 공정진행이 중지된 상태에서 메인배기라인을 통해 상기 공정챔버의 개스를 플로우시키는 단계와, Flowing gas of the process chamber through the main exhaust line in a state in which process progress of the process chamber is stopped; 상기 공정챔버의 개스를 플로우시키는 단계에서 개스플로우량을 감지하는 단계와,Detecting a gas flow amount in the flow of the gas of the process chamber; 상기 감지된 개스플로우량이 미리 설정된 양을 벗어날 시 상기 공정챔버로 공급되는 개스공급라인의 리크가 발생된 것으로 판단하는 단계와,Determining that a leak of a gas supply line supplied to the process chamber occurs when the sensed gas flow amount deviates from a preset amount; 상기 개스공라인의 리크가 발생될 시 인터록을 발생하여 상기 공정챔버 내에서 공정진행이 이루어지지 않도록 제어하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 개스플로우량 감시방법.And generating an interlock when the leak of the gas hole line is generated to control the process from being performed in the process chamber. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 개스공라인의 리크가 발생될 시 경고음을 발생하여 엔지니어가 인식할 수 있도록 통보하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 개스플로우량 감시방법.The gas flow amount monitoring method further comprises the step of notifying the engineer to generate a warning sound when the leak of the gas line is generated.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101236696B1 (en) 2011-12-20 2013-02-25 주식회사 테스 Substrate processing apparatus
KR101715069B1 (en) * 2016-03-21 2017-03-13 주식회사 우림테크 Exhaust system for semiconductor device manufaccturing equipment
WO2023192520A1 (en) * 2022-03-31 2023-10-05 Applied Materials, Inc. Leak detection for gas stick leaks

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2460629B (en) * 2008-05-28 2011-03-30 Plant Test Services Ltd Leak detector
JP5274557B2 (en) * 2008-07-04 2013-08-28 シャープ株式会社 Vacuum processing apparatus and gas supply method
US8530242B2 (en) * 2009-03-30 2013-09-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer process chamber leak detector
DE102009029118A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Loi Thermprocess Gmbh radiant
US20120092950A1 (en) * 2010-10-15 2012-04-19 Bertrand Michel Jean-Claude Colomb Low pressure drop blender
GB2500998B (en) * 2012-03-19 2019-01-16 Ulc Robotics Inc System and Method for Automated Integrity Testing
CN103162914A (en) * 2013-03-14 2013-06-19 上海和辉光电有限公司 Method for controlling automatic detection of leakage rate of vacuum chamber
US10190298B2 (en) 2016-10-05 2019-01-29 Press-Cision Co. Pressure testing device and related methods
KR20200141003A (en) * 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Gas-phase reactor system including a gas detector
TWI742453B (en) * 2019-10-23 2021-10-11 樂華科技股份有限公司 Gas detection device
US11735447B2 (en) * 2020-10-20 2023-08-22 Applied Materials, Inc. Enhanced process and hardware architecture to detect and correct realtime product substrates
CN114151730B (en) * 2021-12-13 2023-09-29 拓荆科技股份有限公司 Gas supply system for providing gas switching and gas switching method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970023656A (en) * 1995-10-05 1997-05-30 김광호 Exhaust System of Chemical Vapor Deposition Facility
JPH10242133A (en) * 1997-02-26 1998-09-11 Hitachi Ltd Method and device for manufacturing semiconductor
KR19990031613A (en) * 1997-10-13 1999-05-06 윤종용 Fluid backflow prevention system of semiconductor device manufacturing equipment
KR20050058070A (en) * 2003-12-11 2005-06-16 동부아남반도체 주식회사 Chemical dispense system

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4845360A (en) * 1987-12-10 1989-07-04 Varian Associates, Inc. Counterflow leak detector with high and low sensitivity operating modes
US5625141A (en) * 1993-06-29 1997-04-29 Varian Associates, Inc. Sealed parts leak testing method and apparatus for helium spectrometer leak detection
JP3270730B2 (en) * 1997-03-21 2002-04-02 株式会社日立国際電気 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3567070B2 (en) * 1997-12-27 2004-09-15 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment apparatus and heat treatment method
JP4866534B2 (en) * 2001-02-12 2012-02-01 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド Improved deposition method for semiconductor films.
JP2003303023A (en) * 2002-02-07 2003-10-24 Tokyo Electron Ltd Processing device and method of maintaining the device
US20040163590A1 (en) * 2003-02-24 2004-08-26 Applied Materials, Inc. In-situ health check of liquid injection vaporizer
US6909839B2 (en) * 2003-07-23 2005-06-21 Advanced Technology Materials, Inc. Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material
US7232506B2 (en) * 2003-10-08 2007-06-19 Deposition Sciences, Inc. System and method for feedforward control in thin film coating processes
JP4235076B2 (en) * 2003-10-08 2009-03-04 東京エレクトロン株式会社 Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
JP4516966B2 (en) * 2004-09-15 2010-08-04 株式会社日立国際電気 Semiconductor manufacturing apparatus, substrate loading / unloading method, and semiconductor device manufacturing method
WO2006104018A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-05 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and substrate processing system
US20070269596A1 (en) * 2006-05-19 2007-11-22 Asm America, Inc. Valve failure detection

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970023656A (en) * 1995-10-05 1997-05-30 김광호 Exhaust System of Chemical Vapor Deposition Facility
JPH10242133A (en) * 1997-02-26 1998-09-11 Hitachi Ltd Method and device for manufacturing semiconductor
KR19990031613A (en) * 1997-10-13 1999-05-06 윤종용 Fluid backflow prevention system of semiconductor device manufacturing equipment
KR20050058070A (en) * 2003-12-11 2005-06-16 동부아남반도체 주식회사 Chemical dispense system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101236696B1 (en) 2011-12-20 2013-02-25 주식회사 테스 Substrate processing apparatus
KR101715069B1 (en) * 2016-03-21 2017-03-13 주식회사 우림테크 Exhaust system for semiconductor device manufaccturing equipment
WO2023192520A1 (en) * 2022-03-31 2023-10-05 Applied Materials, Inc. Leak detection for gas stick leaks

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