JPH11102850A - Substrate-processing device - Google Patents

Substrate-processing device

Info

Publication number
JPH11102850A
JPH11102850A JP26234897A JP26234897A JPH11102850A JP H11102850 A JPH11102850 A JP H11102850A JP 26234897 A JP26234897 A JP 26234897A JP 26234897 A JP26234897 A JP 26234897A JP H11102850 A JPH11102850 A JP H11102850A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
value
state
processing liquid
pressure
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26234897A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takatsugu Onishi
隆次 大西
Seiya Fujisaki
征也 藤崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP26234897A priority Critical patent/JPH11102850A/en
Publication of JPH11102850A publication Critical patent/JPH11102850A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate-processing device, which can accurately regulate the condition of a processing liquid and attain the target condition quickly, even when the condition thereof changes abruptly. SOLUTION: A pressurized nitrogen gas is supplied from a nitrogen gas feeding part 22 to a chemical liquid tank 20, having a sealing structure and the chemical liquid is sent through a chemical distribution route 11. The pressure of nitrogen gas is changed by controlling an anticorrosive regulator 32 operated by a compressed air from an electropneumatic regulator 32. Thus, as a result the pressure in the route 11 is controlled. A controller 35 controls the electropneumatic regulator 32 by PID controlling, when a pressure sensor 25 indicates that the pressure of chemical liquid in the route 11 is near a target value and by outputting of a constant value, when the sensor 25 indicates that the pressure thereof is significantly different from the target value, respectively.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板およびPDP(プラズマ・ディ
スプレイ・パネル)などの各種の被処理基板に対して処
理を施すための基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing on various substrates to be processed such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, and a PDP (plasma display panel).

【0002】[0002]

【従来の技術】基板の洗浄などを行うための基板処理装
置においては、基板に対して処理液を供給し、この処理
液によって基板の表面に対する処理が行われる。処理液
には、純水や、フッ酸、硫酸、塩酸、硝酸、燐酸、酢
酸、アンモニアまたは過酸化水素水などの薬液を純水で
所定濃度に希釈した処理薬液が用いられる。
2. Description of the Related Art In a substrate processing apparatus for cleaning a substrate, a processing liquid is supplied to the substrate, and the processing of the surface of the substrate is performed by the processing liquid. As the treatment liquid, pure water or a treatment liquid obtained by diluting a chemical such as hydrofluoric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, ammonia, or hydrogen peroxide to a predetermined concentration with pure water is used.

【0003】濃度が制御された処理薬液を作成するため
に、この種の基板処理装置は、たとえば、耐圧密閉構造
を有する薬液タンクと、この薬液タンク内に圧力が制御
された窒素ガスを供給する窒素ガス供給手段と、薬液タ
ンクからの薬液および純水供給源からの純水が導かれ、
これらを混合するミキシングバルブとを有している。窒
素ガス供給手段は、たとえば、窒素ガスの供給圧力を調
整するためのレギュレータと、薬液タンクからミキシン
グバルブに供給される薬液の圧力を検出する圧力センサ
と、この圧力センサの検出値と目標圧力値との偏差に基
づいてレギュレータの動作をフィードバック制御するプ
ログラマブルコントローラとを有している。この構成に
より、ミキシングバルブへの薬液流量を厳密に制御し、
純水と混合されて作成される処理薬液の濃度の安定が図
られている。
In order to prepare a processing chemical having a controlled concentration, this type of substrate processing apparatus supplies, for example, a chemical tank having a pressure-tight structure and a nitrogen gas having a controlled pressure into the chemical tank. Nitrogen gas supply means and the chemical solution from the chemical solution tank and pure water from the pure water supply source are led,
And a mixing valve for mixing them. The nitrogen gas supply means includes, for example, a regulator for adjusting the supply pressure of the nitrogen gas, a pressure sensor for detecting the pressure of the chemical supplied from the chemical tank to the mixing valve, a detection value of the pressure sensor and a target pressure value. And a programmable controller that performs feedback control of the operation of the regulator based on the deviation from the above. With this configuration, the chemical flow rate to the mixing valve is strictly controlled,
The concentration of the treatment solution prepared by mixing with pure water is stabilized.

【0004】むろん、ミキシングバルブに供給される純
水の流量も一定にされているが、薬液の原液と純水との
混合比は、たとえば、1:20〜1:200などとされ
ているため、純水の流量の制御は、薬液の原液の流量の
制御ほど厳密性が要求されることはない。
[0004] Of course, the flow rate of pure water supplied to the mixing valve is also fixed, but the mixing ratio between the stock solution of chemical solution and pure water is, for example, 1:20 to 1: 200. Control of the flow rate of pure water does not need to be as strict as control of the flow rate of the undiluted chemical solution.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、単に圧力検出
値と目標圧力値との偏差に基づいて窒素ガスの圧力を制
御する上記の構成では、制御精度が充分ではなく、ミキ
シングバルブで混合された後に基板に供給される処理薬
液の濃度に大きなばらつきが生じる場合があった。その
ため、複数枚の基板に対する処理を均一に行うことがで
きず、基板の品質が低下するおそれがあった。
However, in the above configuration in which the pressure of the nitrogen gas is simply controlled based on the difference between the detected pressure value and the target pressure value, the control accuracy is not sufficient, and the mixing is performed by the mixing valve. In some cases, a large variation occurs in the concentration of the processing solution supplied to the substrate. For this reason, processing on a plurality of substrates cannot be performed uniformly, and there is a possibility that the quality of the substrates may be degraded.

【0006】また、プログラマブルコントローラによる
圧力値の検出は、圧力センサ出力値を複数回サンプリン
グして、その平均値(たとえば、0.2秒間に8回)を
とることにより行われるようになっており、そのため
に、圧力制御に対する時間的な遅れが避けられなかっ
た。とくに、薬液タンクの排気を行うための排気バルブ
を開閉するような場合には、薬液の圧力が急激に変動す
ることになるが、このような急激な圧力変動に対する応
答性が悪いという問題があった。
The detection of the pressure value by the programmable controller is performed by sampling the output value of the pressure sensor a plurality of times and taking an average value thereof (for example, eight times in 0.2 seconds). Therefore, a time delay with respect to the pressure control was inevitable. In particular, when opening and closing an exhaust valve for exhausting a chemical solution tank, the pressure of the chemical solution fluctuates rapidly, but there is a problem that the response to such a rapid pressure fluctuation is poor. Was.

【0007】制御精度を向上するためにいわゆるPID
制御を用いることが考えられるが、PID制御において
も、上述のような薬液圧力の急変に対しては充分な応答
性を有することができない。すなわち、PID定数をど
のように設定しても、薬液圧力が急変した後には、操作
量が大きくふらつき、いわゆるハンチングの発生を避け
ることができない。そのため、薬液の圧力を目標圧力に
導くことができず、不適正な濃度の処理薬液が大量に生
成されるおそれがある。
A so-called PID for improving control accuracy
It is conceivable to use control, but even in PID control, it is not possible to have sufficient responsiveness to the above-mentioned sudden change in the chemical pressure. That is, no matter how the PID constant is set, the operation amount fluctuates greatly after the chemical liquid pressure changes suddenly, and so-called hunting cannot be avoided. Therefore, the pressure of the chemical cannot be brought to the target pressure, and a large amount of the processing chemical having an inappropriate concentration may be generated.

【0008】そこで、本発明の目的は、上述の技術的課
題を解決し、良好に制御された状態の処理液で基板を処
理することができる基板処理装置を提供することであ
る。この発明のさらに詳細な目的は、処理液の状態を精
度良く制御することができ、かつ、処理液の状態が急変
した場合にも、すみやかに目標の状態に導くことができ
る基板処理装置を提供することである。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problems and to provide a substrate processing apparatus capable of processing a substrate with a processing liquid in a well-controlled state. A more specific object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can accurately control the state of a processing liquid and can quickly lead to a target state even when the state of the processing liquid changes suddenly. It is to be.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板に対
して処理を施すための処理液が流通する処理液流通路
と、この処理液流通路を流通する処理液の状態を検出し
て状態検出値として出力する状態検出部と、この状態検
出部において目標となる状態目標値を記憶する状態目標
値記憶部と、上記処理液流通路を流通する処理液の状態
を変更する状態変更部と、制御則として、比例動作およ
び積分動作を行うことにより、上記状態検出値に基づい
て上記状態変更部を制御して動作させるPI制御部と、
上記状態目標値に対応して予め定められた一定の出力値
を上記状態変更部に与えて動作させる一定値出力部とを
含むことを特徴とする基板処理装置である。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to the first aspect of the present invention, there is provided a processing liquid flow path through which a processing liquid for performing processing on a substrate flows. A state detection unit that detects the state of the processing liquid flowing through the processing liquid flow path and outputs the detected state as a state detection value; a state target value storage unit that stores a state target value that is a target in the state detection unit; A state changing unit for changing the state of the processing liquid flowing through the flow passage; and PI control for controlling and operating the state changing unit based on the state detection value by performing a proportional operation and an integral operation as a control law. Department and
A constant value output unit that operates by giving a predetermined constant output value corresponding to the state target value to the state change unit.

【0010】この構成によれば、PI制御部と一定値出
力部とを有しているので、これの2つの動作部を適宜切
り換えて用いることにより、状態検出値が状態目標値に
到達するまでの時間が短縮され、処理液の状態を安定化
することができる。これにより、安定した状態の処理液
で基板を処理できるので、良好な基板処理を行える。た
とえば、通常はPI制御部を用い、外乱などのための状
態検出値が急変した場合には一定値出力部を暫定的に用
いるようにすれば、処理液の状態を精度良く制御できる
うえ、外乱からの立ち直りも速くすることができる。
According to this configuration, since the PI control section and the constant value output section are provided, the two operation sections are appropriately switched and used so that the state detection value reaches the state target value. Is reduced, and the state of the processing liquid can be stabilized. Thus, the substrate can be processed with the processing liquid in a stable state, so that good substrate processing can be performed. For example, if the PI control unit is normally used and a constant value output unit is used temporarily when the state detection value due to disturbance or the like changes suddenly, the state of the processing liquid can be controlled accurately, and the disturbance can be controlled. You can also recover faster from

【0011】なお、処理液の状態には、たとえば、処理
液の圧力、処理液の流量および処理液の濃度などが含ま
れる。また、状態が変更される処理液は、純水と混合さ
れていない薬液原液であってもよいし、薬液と純水とを
所定の混合比で混合して生成される混合液であってもよ
い。
The state of the processing liquid includes, for example, the pressure of the processing liquid, the flow rate of the processing liquid, and the concentration of the processing liquid. Further, the treatment liquid whose state is changed may be a drug solution stock solution not mixed with pure water, or a mixed solution generated by mixing a drug solution and pure water at a predetermined mixing ratio. Good.

【0012】請求項2記載の発明は、上記状態検出値が
上記状態目標値を含む所定の範囲内の値である場合に
は、上記PI制御部により上記状態変更部を動作させ、
上記状態検出値が上記所定の範囲外の値である場合に
は、上記一定値出力部により上記状態変更部を動作させ
る動作切り換え部をさらに含むことを特徴とする請求項
1記載の基板処理装置である。
According to a second aspect of the present invention, when the state detection value is a value within a predetermined range including the state target value, the PI control section operates the state change section,
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an operation switching unit that operates the state change unit by the constant value output unit when the state detection value is outside the predetermined range. It is.

【0013】この構成によれば、外乱などのために状態
検出値が急変して状態目標値から大きくはずれた場合に
は、一定値出力部により状態変更部が制御されるので、
PI制御部による制御を継続した場合に危惧されるハン
チングを速やかに解消することができる。これにより、
処理液の状態をさらに安定化することができるので、そ
れに応じて、基板に対する処理も良好に行えるようにな
る。
According to this configuration, when the state detection value changes suddenly due to disturbance or the like and greatly deviates from the state target value, the state change section is controlled by the constant value output section.
Hunting, which is a concern when the control by the PI control unit is continued, can be quickly eliminated. This allows
Since the state of the processing liquid can be further stabilized, the processing on the substrate can be performed satisfactorily.

【0014】請求項3記載の発明は、上記状態検出値が
所定時間以上継続して上記状態目標値を含む所定の範囲
内の値である場合には、上記PI制御部により上記状態
変更部を動作させ、上記状態検出値が所定時間以上継続
して上記所定の範囲外の値である場合には、上記一定値
出力部により上記状態変更部を動作させる動作切り換え
部をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の基板処
理装置である。
According to a third aspect of the present invention, when the state detection value is a value within a predetermined range including the state target value continuously for a predetermined time or more, the PI control unit controls the state change unit. Operating, further comprising an operation switching unit for operating the state changing unit by the constant value output unit when the state detection value is a value outside the predetermined range for a predetermined time or more. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:

【0015】この構成によれば、ある状態が所定時間以
上継続していることを確認した上で、状態検出値に基づ
く判断を行うことができるので、状態検出値が動作切り
換え部に伝達される場合に、ノイズなどの不要な信号の
ために状態検出値が瞬間的に実際とは異なる値に変換さ
れてしまい、動作切り換え部が誤認識してしまうといっ
たことがない。
According to this configuration, since it is possible to make a decision based on the detected state value after confirming that a certain state has continued for a predetermined time or more, the detected state value is transmitted to the operation switching unit. In such a case, the state detection value is not instantaneously converted to a value different from the actual value due to an unnecessary signal such as noise, and the operation switching unit does not erroneously recognize.

【0016】請求項4記載の発明は、上記処理液流通路
の一端に接続され、上記処理液を貯留する密閉構造の貯
留容器と、この貯留容器に接続され、貯留容器に気体を
供給して加圧するための加圧気体供給路とをさらに含む
ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに
記載の基板処理装置である。この構成によれば、貯留容
器に気体を供給して加圧することによって、処理液を処
理液流通路に送り出すことができるので、高価なポンプ
等を用いる必要がない。また、状態検出部または状態変
更部を加圧気体供給路に関連して設け、加圧気体供給路
における加圧気体の状態を検出したり変更したりするよ
うに構成すれば、これらは耐液性(処理液が薬液の場合
には耐薬液性)を有している必要がない。これにより、
さらなるコストの低減が図られる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a closed storage container connected to one end of the processing liquid flow passage for storing the processing liquid, and connected to the storage container to supply gas to the storage container. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a pressurized gas supply path for pressurizing. According to this configuration, the processing liquid can be sent out to the processing liquid flow passage by supplying gas to the storage container and pressurizing the gas, so that it is not necessary to use an expensive pump or the like. In addition, if a state detecting unit or a state changing unit is provided in association with the pressurized gas supply path and configured to detect or change the state of the pressurized gas in the pressurized gas supply path, these may be liquid-resistant. (When the treatment liquid is a chemical, it is not necessary to have chemical resistance). This allows
Further cost reduction is achieved.

【0017】請求項5記載の発明は、純水が流通する純
水流通路と、上記処理液流通路および純水流通路に接続
され、処理液と純水とを混合するミキシングバルブと、
このミキシングバルブで混合された混合液を基板に対し
て供給するための混合液供給路とをさらに含むことを特
徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理
装置である。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a pure water flow passage through which pure water flows, a mixing valve connected to the processing liquid flow passage and the pure water flow passage for mixing the processing liquid and pure water,
5. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a mixed liquid supply path for supplying the mixed liquid mixed by the mixing valve to the substrate.

【0018】この構成によれば、処理液(たとえば、薬
液原液)と純水との混合比が高い場合(たとえば、1:
20など)に、処理液の状態(圧力や流量)を正確に制
御することにより、混合液の濃度を一定にすることがで
きる。そこで、処理液の状態の変更のために、PI制御
と一定値制御とを組み合わせて用いることにより、混合
液の濃度を精度良く調整できる。
According to this configuration, when the mixing ratio of the processing liquid (for example, undiluted chemical solution) and pure water is high (for example, 1:
20), the concentration of the mixed liquid can be made constant by accurately controlling the state (pressure and flow rate) of the processing liquid. Therefore, by using a combination of PI control and constant value control to change the state of the processing liquid, the concentration of the mixed liquid can be adjusted with high accuracy.

【0019】上記処理液の状態検出値は、処理液の圧力
値であってもよい(請求項6)。上記処理液の状態検出
値は、処理液の流量値であってもよい(請求項7)。上
記処理液の状態検出値は、処理液の濃度値であってもよ
い(請求項8)。とくに2種類の液体を混合する場合
(たとえば請求項5の発明の場合)には、処理液の状態
検出値を処理液の濃度値としておくことにより、混合液
の濃度を正確に制御できる。
The state value of the processing solution may be a pressure value of the processing solution. The state detection value of the processing liquid may be a flow rate value of the processing liquid. The state detection value of the processing liquid may be a concentration value of the processing liquid. Particularly when two types of liquids are mixed (for example, in the case of the invention of claim 5), the concentration of the mixed liquid can be accurately controlled by setting the state detection value of the processing liquid as the concentration value of the processing liquid.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この
発明の第1 実施形態の基板処理装置における処理液の生
成に係わる構成を主として示すフロー図である。この基
板処理装置は、スピンチャック1により保持されて回転
されるたとえば半導体ウエハなどの基板Wに対して、純
水と薬液とを所定の混合比で混合して生成した処理薬液
(混合液)を供給し、この処理薬液によって基板Wの表
面に処理を施すための装置である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a flowchart mainly showing a configuration related to generation of a processing liquid in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus mixes a processing chemical (mixed liquid) generated by mixing pure water and a chemical at a predetermined mixing ratio with a substrate W such as a semiconductor wafer held and rotated by a spin chuck 1. This is an apparatus for supplying and treating the surface of the substrate W with the treatment liquid.

【0021】基板Wの上面に臨むようにスプレーノズル
2が配置されており、このスプレーノズル2には、処理
薬液貯留槽3内に貯留された処理薬液が、吐出用ポンプ
4により、処理液供給路5を介して供給されるようにな
っている。処理液供給路5には、電磁弁6および濃度モ
ニタ7が配置されており、電磁弁6を開閉することによ
り、基板Wに対する処理薬液の供給/停止を制御でき、
濃度モニタ7によって、基板Wに供給される処理薬液の
濃度を検出できるようになっている。
A spray nozzle 2 is arranged so as to face the upper surface of the substrate W. The spray nozzle 2 is supplied with a processing chemical solution stored in a processing chemical solution storage tank 3 by a discharge pump 4. The power is supplied via a road 5. An electromagnetic valve 6 and a concentration monitor 7 are disposed in the processing liquid supply path 5, and by opening and closing the electromagnetic valve 6, the supply / stop of the processing chemical liquid to the substrate W can be controlled.
The concentration monitor 7 can detect the concentration of the processing chemical supplied to the substrate W.

【0022】処理薬液貯留槽3には、ミキシングバルブ
8から所定濃度の処理薬液が供給されるようになってい
る。ミキシングバルブ8には、純水供給源9からの純水
がレギュレータ19によって圧力の制御された状態で供
給され、また、薬液供給装置10からの圧力が制御され
た薬液原液(この実施形態において、状態変更対象の
「処理液」に相当する。)が供給されるようになってい
る。このミキシングバルブ8からスプレーノズル2に至
る処理薬液の経路が混合液供給路に相当する。
A processing chemical solution of a predetermined concentration is supplied to the processing chemical solution storage tank 3 from a mixing valve 8. The pure water from the pure water supply source 9 is supplied to the mixing valve 8 in a state where the pressure is controlled by a regulator 19, and the chemical liquid undiluted solution in which the pressure from the chemical liquid supply device 10 is controlled (in this embodiment, (Corresponding to the “processing liquid” to be changed). The path of the treatment liquid from the mixing valve 8 to the spray nozzle 2 corresponds to a mixed liquid supply path.

【0023】薬液供給装置10からは、薬液流通路11
(処理液流通路)からの薬液が、一対の支管12,13
を介してミキシングバルブ8に供給されるようになって
いる。これらの支管12,13は、一方の支管12から
薬液をミキシングバルブ8に供給した場合に、薬液と純
水との混合比が1:200になり、他方の支管13から
薬液をミキシングバルブ8に薬液を供給した場合に、薬
液と純水との混合比が1:20になるように構成されて
いる。
From the chemical supply device 10, a chemical flow passage 11 is provided.
The chemical liquid from the (processing liquid flow passage) is supplied to the pair of branch pipes 12 and 13.
Is supplied to the mixing valve 8 via the When the chemical solution is supplied from one branch pipe 12 to the mixing valve 8, the mixing ratio between the chemical solution and pure water becomes 1: 200, and the chemical solution flows from the other branch pipe 13 to the mixing valve 8. When the chemical is supplied, the mixing ratio of the chemical to the pure water is set to 1:20.

【0024】支管12,13には、それぞれ、電磁弁1
4,15が介装されていて、いずれかの支管12,13
からミキシングバルブ8に薬液を導入することができる
ようになっている。同様に、純水供給源9からの純水の
導入は、純水供給路16(純水流通路)に介装された電
磁弁17をオン/オフすることによって、制御できるよ
うになっている。また、純水供給路16内の水圧は、圧
力センサ18によって検出されるようになっている。
Each of the branch pipes 12 and 13 has a solenoid valve 1
4 and 15 are interposed, and any of the branch pipes 12 and 13
Thus, a chemical solution can be introduced into the mixing valve 8. Similarly, the introduction of pure water from the pure water supply source 9 can be controlled by turning on / off a solenoid valve 17 interposed in the pure water supply passage 16 (pure water flow passage). . The water pressure in the pure water supply path 16 is detected by a pressure sensor 18.

【0025】薬液供給装置10は、耐食性を有する密閉
構造の薬液タンク20(貯留容器)と、この薬液タンク
20に薬液原液(たとえば、フッ酸、硫酸、塩酸、硝
酸、燐酸、酢酸、アンモニアまたは過酸化水素水など)
を供給するための薬液源21と、圧力が制御された不活
性ガスとしての窒素ガスを薬液タンク20に供給する窒
素ガス供給部22(加圧気体供給部)とを備えている。
The chemical solution supply device 10 includes a chemical solution tank 20 (reservoir) having a closed structure having corrosion resistance, and a chemical solution stock solution (for example, hydrofluoric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, ammonia, Hydrogen oxide water etc.)
And a nitrogen gas supply unit 22 (pressurized gas supply unit) that supplies nitrogen gas as an inert gas whose pressure is controlled to the chemical solution tank 20.

【0026】薬液供給タンク20には、上記の薬液流通
路11が接続されており、この薬液流通路11に関連し
て、その内部を流通する薬液の圧力を検出するための圧
力センサ25(状態検出部)が配置されている。また、
薬液供給源21からの薬液は、ポンプ23および電磁弁
24が介装された薬液供給路27を介して、必要に応じ
て、薬液タンク20に供給されるようになっている。さ
らに、薬液タンク20には、排気路28が接続されてい
て、この排気路28に介装された排気用電磁弁29を開
成することによって、薬液タンク20内の排気を行える
ようになっている。
The chemical solution supply passage 20 is connected to the chemical solution flow passage 11 described above, and in relation to the chemical solution flow passage 11, a pressure sensor 25 (state) for detecting the pressure of the chemical solution flowing through the inside thereof. Detector). Also,
The chemical from the chemical supply source 21 is supplied to the chemical tank 20 as needed via a chemical supply path 27 in which a pump 23 and an electromagnetic valve 24 are interposed. Further, an exhaust path 28 is connected to the chemical tank 20, and by opening an exhaust electromagnetic valve 29 interposed in the exhaust path 28, the inside of the chemical tank 20 can be exhausted. .

【0027】窒素ガス供給部22は、ガス供給路30を
介して、加圧窒素ガスを薬液タンク20に供給し、これ
により、薬液流通路11に圧力が制御された薬液を送り
込むべく動作する。すなわち、窒素ガス供給部22は、
一定圧力の窒素ガスを供給する窒素ガス供給源31と、
この窒素ガス供給源31とガス供給路30とに間に設け
られた電空レギュレータ32と、電空レギュレータ32
と窒素ガス供給源31との間に介装された電磁弁36と
を有している。この電空レギュレータ32のパイロット
ポートには、圧縮空気供給源34からの加圧空気が供給
されるようになっている。そして、電空レギュレータ3
2の動作が、コントローラ35からの電気制御信号によ
って制御されるようになっている。コントローラ35
は、後述するようにして、圧力センサ18および圧力セ
ンサ25の検出圧力に基づいて、電空レギュレータ32
を制御する。なお、本実施形態においては電気制御信号
として印加電圧を用いているが、印加電圧ではなく、印
加電流としてもよい。
The nitrogen gas supply section 22 supplies the pressurized nitrogen gas to the chemical liquid tank 20 via the gas supply path 30, and thereby operates to feed the chemical liquid whose pressure is controlled into the chemical liquid flow path 11. That is, the nitrogen gas supply unit 22
A nitrogen gas supply source 31 for supplying a constant pressure of nitrogen gas,
An electropneumatic regulator 32 provided between the nitrogen gas supply source 31 and the gas supply path 30;
And a solenoid valve 36 interposed between the nitrogen gas supply source 31. Pressurized air from a compressed air supply source 34 is supplied to a pilot port of the electropneumatic regulator 32. And electropneumatic regulator 3
2 is controlled by an electric control signal from the controller 35. Controller 35
Is controlled based on the pressures detected by the pressure sensor 18 and the pressure sensor 25 as described later.
Control. In the present embodiment, the applied voltage is used as the electric control signal, but may be an applied current instead of the applied voltage.

【0028】また、電空レギュレータ32は、コントロ
ーラ35からの印加電圧に対応して、この電空レギュレ
ータ32を通過する窒素ガスの圧力を制御する。したが
って、コントローラ35が電空レギュレータ32への印
加電圧を制御することにより、薬液タンク20に供給さ
れる窒素ガスの圧力を制御でき、その結果、薬液流通路
11に送り込まれる薬液の圧力を制御することができ
る。このように、この実施形態では、電空レギュレータ
32により、状態変更部が構成されている。
The electropneumatic regulator 32 controls the pressure of the nitrogen gas passing through the electropneumatic regulator 32 in accordance with the voltage applied from the controller 35. Therefore, by controlling the voltage applied to the electropneumatic regulator 32 by the controller 35, the pressure of the nitrogen gas supplied to the chemical liquid tank 20 can be controlled, and as a result, the pressure of the chemical liquid sent to the chemical liquid flow passage 11 is controlled. be able to. Thus, in this embodiment, the state change unit is configured by the electropneumatic regulator 32.

【0029】コントローラ35は、CPU35a、RO
M35bおよびRAM35cを有し、プログラマブルコ
ントローラとしての基本形態を有している。このコント
ローラ35は、圧力センサ18が検出する水圧に基づい
て、薬液流通路11を流通する薬液の目標圧力値を定
め、圧力センサ25の検出圧力値が、上記定められた目
標圧力値に等しくなるように電空レギュレータ32を制
御する。この実施形態では、目標圧力値は、圧力センサ
18が検出する水圧に0.2kgf/cm2 を加算した値とし
てCPU35aにより算出され、状態目標値記憶部とし
てのRAM35cに記憶される。
The controller 35 includes a CPU 35a, an RO
It has an M35b and a RAM 35c, and has a basic form as a programmable controller. The controller 35 determines a target pressure value of the chemical flowing through the chemical flow passage 11 based on the water pressure detected by the pressure sensor 18, and the detected pressure value of the pressure sensor 25 becomes equal to the target pressure value determined above. The electropneumatic regulator 32 is controlled as described above. In this embodiment, the target pressure value is calculated by the CPU 35a as a value obtained by adding 0.2 kgf / cm 2 to the water pressure detected by the pressure sensor 18, and stored in the RAM 35c as a state target value storage unit.

【0030】また、電空レギュレータ32の制御には、
圧力センサ25の圧力検出値に基づくいわゆるPID制
御と、圧力センサ25の検出圧力によらずに操作量を一
定とする一定値出力とが切り換えて適用される。つま
り、コントローラ35は、PI制御部、一定値出力部お
よび制御切り換え部としての機能を有している。なお、
コントローラ35には、表示部37が接続されていて、
たとえば、窒素ガス供給源31の圧力に異常が生じたと
きに、これを報知できるようになっている。
In controlling the electropneumatic regulator 32,
A so-called PID control based on the pressure detection value of the pressure sensor 25 and a constant value output for keeping the operation amount constant regardless of the pressure detected by the pressure sensor 25 are applied by switching. That is, the controller 35 has functions as a PI control unit, a constant value output unit, and a control switching unit. In addition,
A display unit 37 is connected to the controller 35,
For example, when an abnormality occurs in the pressure of the nitrogen gas supply source 31, the abnormality can be notified.

【0031】以下、図2のフローチャートを参照して、
コントローラ35による制御動作の詳細を説明する。コ
ントローラ35は、まず、圧力センサ18が検出する純
水の供給圧力検出値PWを取り込み(ステップS1)、
この純水供給圧力検出値PWに0.2kgf/cm 2 を加算す
ることにより、目標圧力値POを算出して、RAM35
cに格納する(ステップS2)。そして、圧力センサ2
5が検出する薬液供給圧力検出値PCを取り込み(ステ
ップS3)、この薬液供給圧力検出値PCと目標圧力値
POとの差の絶対値を偏差δPとして演算する(ステッ
プS4)。なお、この実施形態では、コントローラ35
は、圧力センサ18,25の出力値のサンプリング結果
をそのまま純水供給圧力検出値PWおよび薬液供給圧力
検出値PCとしてそれぞれ用いるようにしており、従来
のような平均値演算を排除して応答の高速化が図られて
いる。
Hereinafter, referring to the flowchart of FIG.
The details of the control operation by the controller 35 will be described. Ko
First, the controller 35 detects the pure state detected by the pressure sensor 18.
The water supply pressure detection value PW is taken in (step S1),
This pure water supply pressure detection value PW is 0.2 kgf / cm TwoAdd
By calculating the target pressure value PO, the RAM 35
c (step S2). And the pressure sensor 2
5 captures the chemical supply pressure detection value PC detected by the
Step S3), the detected value of the chemical supply pressure PC and the target pressure value
The absolute value of the difference from PO is calculated as the deviation δP (step
S4). In this embodiment, the controller 35
Are the sampling results of the output values of the pressure sensors 18 and 25
Is the pure water supply pressure detection value PW and the chemical supply pressure
It is used as each of the detection values PC.
The response speed has been improved by eliminating the average calculation such as
I have.

【0032】コントローラ35は、さらに、偏差δPが
所定のしきい値TH(たとえば、0.1kgf/cm2)を超えて
いるか否かを判断する(ステップS5)。もしも、偏差
δPがしきい値THを超えていなければ、すなわち、薬
液供給圧力検出値PCが目標圧力POのたとえば±0.10
0kgf/cm2の範囲内の値であれば、PID制御により、電
空レギュレータ32の制御が行われる(ステップS
6)。
The controller 35 further determines whether or not the deviation δP exceeds a predetermined threshold TH (for example, 0.1 kgf / cm 2 ) (step S5). If the deviation δP does not exceed the threshold value TH, that is, if the chemical solution supply pressure detection value PC is, for example, ± 0.10 of the target pressure PO,
If the value is within the range of 0 kgf / cm 2 , control of the electropneumatic regulator 32 is performed by PID control (Step S).
6).

【0033】もしも、偏差δPがしきい値THを超えて
いれば(ステップS5のYES)、圧力センサ25が検
出する薬液供給圧力値PCによらずに、一定の出力値に
より、電空レギュレータ32が制御される(ステップS
7)。この場合の一定値は、予め定めた圧力の直線方程
式に従い、RAM35cに記憶されている目標圧力値P
Oに基づいて定められる。
If the deviation δP exceeds the threshold value TH (YES in step S5), the electropneumatic regulator 32 is controlled by a constant output value regardless of the chemical solution supply pressure value PC detected by the pressure sensor 25. Is controlled (step S
7). The constant value in this case is determined by the target pressure value P stored in the RAM 35c in accordance with a predetermined pressure linear equation.
It is determined based on O.

【0034】圧力の直線方程式は、たとえば、圧力セン
サ25が検出する薬液供給圧力が0.6kgf/cm2 となる
ときの電空レギュレータ32への印加電圧と、同じく圧
力センサ25が検出する薬液供給圧力が1.0kgf/cm2
となるときの電空レギュレータ32への印加電圧とを予
め実測し、これに基づいて、薬液供給圧力と電空レギュ
レータ32への印加電圧との関係を表す直線方程式を求
めることにより定められる。この直線方程式に対して、
目標圧力値POを代入して得られる値が、上記電空レギ
ュレータ32に印加すべき一定の出力値となる。
The linear equation of the pressure is, for example, the voltage applied to the electropneumatic regulator 32 when the chemical supply pressure detected by the pressure sensor 25 becomes 0.6 kgf / cm 2 and the chemical supply supplied by the pressure sensor 25 similarly. Pressure is 1.0kgf / cm 2
The voltage applied to the electropneumatic regulator 32 at the time of is measured in advance, and based on this, a linear equation representing the relationship between the chemical solution supply pressure and the voltage applied to the electropneumatic regulator 32 is determined. For this linear equation,
A value obtained by substituting the target pressure value PO is a constant output value to be applied to the electropneumatic regulator 32.

【0035】偏差δPがしきい値THを超えている場合
には、上記のような一定値出力が行われるとともに、偏
差δPがしきい値THを超えた状態の継続時間Tが計測
される。この継続時間Tが一定時間(たとえば40秒)
を超えると(ステップS8)、窒素ガス供給源31の圧
力に異常が生じたものとして、コントローラ35に接続
された表示部37にその旨を表すメッセージが表示され
る(ステップS9)。
When the deviation δP exceeds the threshold value TH, the constant value output as described above is performed, and the duration T in which the deviation δP exceeds the threshold value TH is measured. This duration T is a fixed time (for example, 40 seconds)
(Step S8), a message indicating that an abnormality has occurred in the pressure of the nitrogen gas supply source 31 is displayed on the display unit 37 connected to the controller 35 (step S9).

【0036】偏差δPがしきい値THを超えている状態
の継続時間Tが上記の一定時間に達する以前の期間に
は、ステップS1からの処理が繰り返される。PID制
御が行われる場合(ステップS6)も同様である。図3
は、たとえば、排気用電磁弁29が開閉されるなどの外
乱のために薬液供給圧力が急変する場合の動作を説明す
るための図であり、薬液供給圧力検出値PCの時間変化
が表されている。
The processing from step S1 is repeated before the duration T in which the deviation δP exceeds the threshold value TH reaches the predetermined time. The same applies when PID control is performed (step S6). FIG.
Is a diagram for explaining an operation in a case where the chemical supply pressure changes suddenly due to a disturbance such as the opening and closing of the exhaust solenoid valve 29, and shows a temporal change of the chemical supply pressure detection value PC. I have.

【0037】時刻t1に上記のような外乱が生じる以前
の期間には、PID制御による電空レギュレータ32の
制御の結果、薬液供給圧力検出値PCは、目標圧力値P
Oの近傍の値で安定している。時刻t1に外乱が生じる
と、薬液供給圧力検出値PCが大きく急変するために、
PID制御をそのまま継続したとすると、その後の期間
には、薬液供給圧力を安定させることができず、ハンチ
ングが半永久的に生じてしまう。
During the period before the above-mentioned disturbance occurs at time t1, as a result of the control of the electropneumatic regulator 32 by the PID control, the chemical solution supply pressure detection value PC becomes the target pressure value P
It is stable at a value near O. If a disturbance occurs at time t1, the chemical solution supply pressure detection value PC changes greatly,
If the PID control is continued as it is, the chemical solution supply pressure cannot be stabilized in the subsequent period, and hunting occurs semipermanently.

【0038】薬液供給圧力検出値PCが大きく急変した
ことが図2のステップS5の処理によりコントローラ3
5によって認識されると、その後の時刻t2からの期間
には、一定値出力(図2のステップS7)が行われる。
これにより、ハンチングが生じることなく、薬液供給圧
力検出値PCは、すみやかに目標圧力値POに近づいて
いく。そして、薬液供給圧力検出値PCが、目標圧力値
POの近傍の範囲(PO±THの範囲)内の値となる時
刻t3において、PID制御に切り換えられ、その後
は、薬液供給圧力が目標圧力値POに正確に制御される
ことになる。
The fact that the detected value PC of the chemical supply pressure has changed abruptly is determined by the processing of step S5 in FIG.
5, the constant value output (step S7 in FIG. 2) is performed during the period from time t2 thereafter.
As a result, the chemical solution supply pressure detection value PC quickly approaches the target pressure value PO without hunting. Then, at time t3 when the chemical supply pressure detection value PC becomes a value in the range (range of PO ± TH) near the target pressure value PO, the control is switched to the PID control, and thereafter, the chemical supply pressure is changed to the target pressure value. It will be precisely controlled by PO.

【0039】以上のようにこの実施形態によれば、PI
D制御の採用により、薬液供給圧力を精度良く制御でき
るので、ミキシングバルブ8における薬液と純水との混
合比を所望の混合比に正確に調整できる。そのため、基
板Wに供給される処理薬液の濃度にばらつきが生じるこ
とを防止できるから、複数枚の基板Wに対して均一な処
理を施すことができる。
As described above, according to this embodiment, the PI
By adopting the D control, the chemical solution supply pressure can be controlled with high precision, so that the mixing ratio of the chemical solution and pure water in the mixing valve 8 can be accurately adjusted to a desired mixing ratio. Therefore, it is possible to prevent the concentration of the processing solution supplied to the substrate W from being varied, so that a uniform processing can be performed on a plurality of substrates W.

【0040】しかも、外乱などのために薬液供給圧力の
急変が生じたときには、薬液供給圧力検出値PCによら
ずに一定の出力値で電空レギュレータ32を制御するよ
うにしたことにより、ハンチングが生じる期間を短くし
て、すみやかに適正圧力での薬液の供給を行えるように
している。これにより、外乱が生じた場合であっても、
すみやかに薬液の供給を安定化できる。
In addition, when the chemical supply pressure suddenly changes due to disturbance or the like, hunting is prevented by controlling the electropneumatic regulator 32 with a constant output value regardless of the chemical supply pressure detection value PC. The period of occurrence is shortened so that the chemical solution can be promptly supplied at an appropriate pressure. With this, even if disturbance occurs,
The supply of the chemical solution can be stabilized promptly.

【0041】図4は、この発明の第2実施形態の基板処
理装置における制御動作を説明するためのフローチャー
トである。この第2実施形態の基板処理装置の構成は、
上述の第1実施形態の装置の構成と同様であり、コント
ローラ35の動作のみが異なる。そこで、以下では、図
1を併せて参照してこの実施形態について説明する。ま
た、図4において、上述の図2に示された各ステップと
実質的に同等の処理が行われるステップには、図2の場
合と同一の参照符号を付して示すこととする。
FIG. 4 is a flowchart for explaining a control operation in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. The configuration of the substrate processing apparatus of the second embodiment is as follows.
This is the same as the configuration of the device of the first embodiment described above, and only the operation of the controller 35 is different. Therefore, this embodiment will be described below with reference to FIG. In FIG. 4, steps in which substantially the same processes as those in FIG. 2 described above are performed are denoted by the same reference numerals as in FIG. 2.

【0042】この第2実施形態においては、コントロー
ラ35は、偏差δPがしきい値THを超えている状態が
所定の第1時間T1(たとえば、3秒)以上継続したこ
とを条件に(ステップS21)、PID制御(ステップ
S6)から一定値出力(ステップS7)へと制御動作を
切り換える。すなわち、薬液供給圧力検出値PCが、目
標圧力値POを中心としたPO±THの範囲外の値をと
る状態が、第1時間T1以上継続すると、一定値出力に
切り換えられる。
In the second embodiment, the controller 35 sets the condition that the state where the deviation δP exceeds the threshold value TH has continued for a predetermined first time T1 (for example, 3 seconds) (step S21). ), The control operation is switched from PID control (step S6) to constant value output (step S7). That is, if the state in which the chemical supply pressure detection value PC takes a value outside the range of PO ± TH around the target pressure value PO continues for the first time T1 or more, the output is switched to a constant value output.

【0043】また、一定値出力が開始されると、コント
ローラ35は、薬液供給圧力検出値PCおよび純水供給
圧力検出値PWなどを取り込んで、偏差δPの変動を監
視する。そして、偏差δPがしきい値TH未満である状
態が第2時間T2(T2>T1であることが好ましく、
たとえば、T2=15秒である。)だけ継続すると(ス
テップS22)、一定値出力からPID制御(ステップ
S6)へと制御動作が切り換えられる。すなわち、薬液
供給圧力検出値PCが、目標圧力値POを中心としたP
O±THの範囲内の値をとる状態が、第2時間T2だけ
継続したことを条件に、PID制御に復帰させられる。
When the output of the constant value is started, the controller 35 fetches the chemical solution supply pressure detection value PC, the pure water supply pressure detection value PW, and the like, and monitors the fluctuation of the deviation δP. The state in which the deviation δP is smaller than the threshold value TH is preferably a second time T2 (T2> T1),
For example, T2 = 15 seconds. ) (Step S22), the control operation is switched from the constant value output to the PID control (step S6). That is, the detected value of the chemical solution supply pressure PC becomes P around the target pressure value PO.
The PID control is returned on condition that the state of taking a value within the range of O ± TH has continued for the second time T2.

【0044】もしも、一定値制御を行っているにも拘わ
らず薬液供給圧力検出値PCがPO±THの範囲外の値
をとる状態が、第3時間T3(たとえば40秒)以上継
続した場合には(ステップS8)、窒素ガス圧力に異常
が生じているものとされる。図5は、たとえば、排気用
電磁弁29が開閉されるなどの外乱のために薬液供給圧
力が急変する場合の動作を説明するための図であり、薬
液供給圧力検出値PCの時間変化が表されている。
If the state in which the chemical solution supply pressure detection value PC takes a value outside the range of PO ± TH for more than the third time T3 (for example, 40 seconds) even though the constant value control is performed, (Step S8), it is determined that an abnormality has occurred in the nitrogen gas pressure. FIG. 5 is a diagram for explaining an operation when the chemical supply pressure is suddenly changed due to a disturbance such as the opening and closing of the exhaust solenoid valve 29, and a time change of the chemical supply pressure detection value PC is shown. Have been.

【0045】時刻t11に上記のような外乱が生じる以
前の期間には、PID制御による電空レギュレータ32
の制御の結果、薬液供給圧力検出値PCは、目標圧力値
POの近傍の値で安定している。ただし、圧力センサ2
5の出力信号などに混入するノイズなどのために、参照
符号A1,A2,A3で示すように、薬液供給圧力検出
値PCが一時的にPO±THの範囲外の値をとる場合が
ある。これらの場合には、薬液供給圧力が大きく変動し
ているわけではないので、薬液供給圧力検出値PCが長
時間に渡ってPO±THの範囲外の値をとることはな
い。
During a period before the above-mentioned disturbance occurs at time t11, the electropneumatic regulator 32 by PID control is used.
As a result of this control, the chemical solution supply pressure detection value PC is stable at a value near the target pressure value PO. However, the pressure sensor 2
In some cases, as indicated by reference numerals A1, A2, and A3, the chemical solution supply pressure detection value PC temporarily takes a value outside the range of PO ± TH due to noise mixed into the output signal of No. 5 and the like. In these cases, since the chemical supply pressure does not fluctuate significantly, the chemical supply pressure detection value PC does not take a value outside the range of PO ± TH for a long time.

【0046】一方、時刻t11に外乱が生じると、薬液
供給圧力検出値PCが大きく急変し、第1時間T1以上
に渡って、継続して、PO±THの範囲外の値をとる。
そのため、時刻t12には一定値出力(図4のステップ
S7)に切り換えられる。これにより、薬液供給圧力検
出値PCは、すみやかに目標圧力値POに近づいてい
く。そして、薬液供給圧力検出値PCが、目標圧力値P
Oの近傍の範囲(PO±THの範囲)内の値となる時刻
t13から第2時間T2が経過した時刻t14におい
て、PID制御に切り換えられ、その後は、薬液供給圧
力が目標圧力値POに正確に制御されることになる。
On the other hand, if a disturbance occurs at time t11, the detected value of the chemical supply pressure PC sharply changes, and takes a value outside the range of PO ± TH continuously over the first time T1.
Therefore, the output is switched to the constant value output (step S7 in FIG. 4) at time t12. As a result, the chemical supply pressure detection value PC quickly approaches the target pressure value PO. Then, the chemical solution supply pressure detection value PC becomes the target pressure value P
At time t14 when the second time T2 has elapsed from time t13 at which the value falls within the range near O (the range of PO ± TH), the control is switched to the PID control, and thereafter, the chemical solution supply pressure accurately matches the target pressure value PO. Will be controlled.

【0047】このように、この実施形態によれば、上述
の第1実施形態の装置と同様な効果を奏するほか、ノイ
ズなどの不要な信号の影響を排除して、PID制御と一
定値出力との動作切り換えを適切に行うことができる。
これにより、薬液供給圧力の制御をさらに精密に行うこ
とができるので、基板Wに対する処理をさらに良好に行
うことができる。
As described above, according to this embodiment, in addition to the same effects as those of the above-described first embodiment, the effects of unnecessary signals such as noise are eliminated, and PID control and constant value output are performed. Can be appropriately switched.
Thereby, the control of the chemical solution supply pressure can be performed more precisely, so that the processing on the substrate W can be performed more favorably.

【0048】PID制御について、以下に概説する。P
ID制御とは、比例動作(P動作)、積分動作(I動
作)および微分動作(D動作)を含む制御則に従う制御
であり、このPID制御は、制御対象の制御量(すなわ
ち、制御後の観測量)をすみやかに目標値に近づけるこ
とができるという特徴を有する。
The PID control will be outlined below. P
The ID control is control in accordance with a control law including a proportional operation (P operation), an integral operation (I operation), and a differential operation (D operation). The PID control is a control amount of a control target (that is, a control amount after control). (Observed amount) can be quickly brought close to the target value.

【0049】すなわち、偏差が小さければ操作量も小さ
く偏差が大きければそれに応じて操作量も大きくするこ
とが妥当であるので、制御則には偏差に比例する項が含
められる。これを比例動作(P動作)という。また、自
己平衡性をもつ制御対象に比例制御のみを行うと、目標
値や外乱によるステップ状変化に対して、最終的に、定
常偏差(オフセット)と呼ばれる一定の偏差が残ってし
まう。この定常偏差は、偏差の積分に比例する項を制御
則に含めることによって除去することができる。これを
積分動作(I動作)という。さらに、偏差の急増に対し
て制御対象をすみやかに目標値に近づけるために、偏差
の微分に比例する項が制御則に含められる場合がある。
これを微分動作(D動作)という。ただし、この実施形
態における薬液供給圧力の制御の目的のためには、微分
動作は用いられてもよいし、用いられなくてもよい(す
なわち、PI制御でもよい。)。
That is, if the deviation is small, the operation amount is small, and if the deviation is large, it is appropriate to increase the operation amount accordingly. Therefore, the control law includes a term proportional to the deviation. This is called a proportional operation (P operation). Further, if only proportional control is performed on a control target having self-balancing properties, a constant deviation called a steady-state deviation (offset) will ultimately remain with respect to a step-like change due to a target value or a disturbance. This steady-state deviation can be eliminated by including a term proportional to the integral of the deviation in the control law. This is called an integration operation (I operation). Furthermore, a term proportional to the derivative of the deviation may be included in the control law in order to quickly bring the controlled object closer to the target value with respect to the sudden increase in the deviation.
This is called a differential operation (D operation). However, for the purpose of controlling the chemical solution supply pressure in this embodiment, the differential operation may or may not be used (that is, PI control may be used).

【0050】この発明の実施形態の説明は以上のとおり
であるが、この発明は他の形態でも実施することができ
る。たとえば、上記の実施形態においては、電空レギュ
レータ32を制御することで、窒素ガス圧力を制御し、
これを通じて、薬液供給圧力を制御しているが、その代
わりに、薬液流通路11に耐液性のあるレギュレータを
配置し、薬液供給圧力を直接的に制御するようにしても
よい。また、上記の実施形態においては、薬液供給圧を
検知するようにしているが、たとえば、ガス供給路30
や薬液タンク20の内部などにおいて、薬液タンク20
に供給される窒素ガスの圧力を検出する圧力センサを設
け、この圧力センサの検出値が所定の目標値となるよう
に電空レギュレータ32を制御するようにしてもよい。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be implemented in other embodiments. For example, in the above embodiment, by controlling the electropneumatic regulator 32, the nitrogen gas pressure is controlled,
The chemical supply pressure is controlled through this, but instead, a chemical-resistant regulator may be arranged in the chemical flow passage 11 to directly control the chemical supply pressure. Further, in the above embodiment, the chemical solution supply pressure is detected.
And the inside of the chemical solution tank 20, etc.
May be provided, and the electropneumatic regulator 32 may be controlled such that the detected value of the pressure sensor becomes a predetermined target value.

【0051】さらに、上記の実施形態では、薬液供給圧
力を制御するようにしているが、薬液流通路11に流量
センサを設けて薬液の流量を検出し、この流量が目標値
となるように電空レギュレータ32を制御してもよい。
むろん、薬液流通路11にレギュレータを配置して、こ
のレギュレータを上記の流量センサの検出値に基づいて
制御するようにしてもよい。つまり、流量の制御が行わ
れてもよい。
Further, in the above embodiment, the chemical solution supply pressure is controlled. However, a flow rate sensor is provided in the chemical solution flow passage 11 to detect the flow rate of the chemical solution, and the power is supplied so that the flow rate becomes the target value. The empty regulator 32 may be controlled.
Of course, a regulator may be arranged in the chemical liquid flow passage 11, and the regulator may be controlled based on the detection value of the flow sensor. That is, the flow rate may be controlled.

【0052】また、ミキシングバルブ8から処理薬液貯
留槽3に向かう混合液の経路に濃度センサを配置し、こ
の濃度センサの出力に基づいて電空レギュレータ32
や、薬液流通路11に配置されるレギュレータを制御す
るようにしてもよい。その他、薬液の圧力、薬液の流量
および処理薬液の濃度のうちの2つ以上を組み合わせて
制御を行うことなど、特許請求の範囲に記載された技術
的事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能であ
る。
Further, a concentration sensor is arranged in a path of the mixed liquid from the mixing valve 8 to the processing chemical solution storage tank 3, and an electropneumatic regulator 32 is provided based on an output of the concentration sensor.
Alternatively, a regulator disposed in the chemical liquid passage 11 may be controlled. In addition, various design changes are made within a range of technical matters described in the claims, such as performing control by combining two or more of the pressure of the chemical solution, the flow rate of the chemical solution, and the concentration of the processing chemical solution. Is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の第1実施形態の基板処理装置におけ
る処理液の供給に係わる構成を示すフロー図である。
FIG. 1 is a flowchart showing a configuration related to supply of a processing liquid in a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】薬液供給圧力の制御処理を説明するためのフロ
ーチャートである。
FIG. 2 is a flowchart for explaining a control process of a chemical solution supply pressure.

【図3】外乱が生じたときの薬液供給圧力検出値の時間
変化を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing a temporal change of a chemical solution supply pressure detection value when a disturbance occurs.

【図4】この発明の第2実施形態の基板処理装置におけ
る薬液供給圧力の制御処理を説明するためのフローチャ
ートである。
FIG. 4 is a flowchart illustrating a control process of a chemical solution supply pressure in a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図5】上記第2実施形態の基板処理装置において、外
乱が生じたときの薬液供給圧力検出値の時間変化を示す
グラフである。
FIG. 5 is a graph showing a temporal change of a chemical solution supply pressure detection value when a disturbance occurs in the substrate processing apparatus of the second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

8 ミキシングバルブ 9 純水供給源 10 薬液供給装置 11 薬液流通路 16 純水供給路 18 圧力センサ 20 薬液タンク(貯留容器) 22 窒素ガス供給部 25 圧力センサ(状態検出部) 30 ガス供給路(加圧気体供給部) 31 窒素ガス供給源 32 電空レギュレータ(状態変更部) 34 圧縮空気供給源 35 コントローラ(PI制御部、一定値出力部およ
び動作切り換え部) 35c RAM(状態目標値記憶部)
Reference Signs List 8 mixing valve 9 pure water supply source 10 chemical liquid supply device 11 chemical liquid flow path 16 pure water supply path 18 pressure sensor 20 chemical liquid tank (storage container) 22 nitrogen gas supply unit 25 pressure sensor (state detection unit) 30 gas supply path Pressure gas supply unit) 31 nitrogen gas supply source 32 electropneumatic regulator (state change unit) 34 compressed air supply source 35 controller (PI control unit, constant value output unit and operation switching unit) 35c RAM (state target value storage unit)

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板に対して処理を施すための処理液が流
通する処理液流通路と、 この処理液流通路を流通する処理液の状態を検出して状
態検出値として出力する状態検出部と、 この状態検出部において目標となる状態目標値を記憶す
る状態目標値記憶部と、 上記処理液流通路を流通する処理液の状態を変更する状
態変更部と、 制御則として、比例動作および積分動作を行うことによ
り、上記状態検出値に基づいて上記状態変更部を制御し
て動作させるPI制御部と、 上記状態目標値に対応して予め定められた一定の出力値
を上記状態変更部に与えて動作させる一定値出力部とを
含むことを特徴とする基板処理装置。
1. A processing liquid flow path through which a processing liquid for performing processing on a substrate flows, and a state detection unit that detects a state of the processing liquid flowing through the processing liquid flow path and outputs the detected state as a state detection value. A state target value storage unit that stores a target state target value in the state detection unit; a state change unit that changes the state of the processing liquid flowing through the processing liquid flow path; and a proportional operation and a control law. A PI control unit that controls and operates the state change unit based on the state detection value by performing an integration operation; and a constant output value that is predetermined in correspondence with the state target value and the state change unit And a constant value output unit for operating the substrate processing apparatus.
【請求項2】上記状態検出値が上記状態目標値を含む所
定の範囲内の値である場合には、上記PI制御部により
上記状態変更部を動作させ、上記状態検出値が上記所定
の範囲外の値である場合には、上記一定値出力部により
上記状態変更部を動作させる動作切り換え部をさらに含
むことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
2. When the state detection value is a value within a predetermined range including the state target value, the PI control unit operates the state change unit to change the state detection value to the predetermined range. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an operation switching unit that operates the state changing unit by the constant value output unit when the value is outside the range.
【請求項3】上記状態検出値が所定時間以上継続して上
記状態目標値を含む所定の範囲内の値である場合には、
上記PI制御部により上記状態変更部を動作させ、上記
状態検出値が所定時間以上継続して上記所定の範囲外の
値である場合には、上記一定値出力部により上記状態変
更部を動作させる動作切り換え部をさらに含むことを特
徴とする請求項1記載の基板処理装置。
3. When the state detection value is a value within a predetermined range including the state target value continuously for a predetermined time or more,
The state control unit is operated by the PI control unit, and when the state detection value is a value outside the predetermined range for a predetermined time or more, the state change unit is operated by the constant value output unit. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an operation switching unit.
【請求項4】上記処理液流通路の一端に接続され、上記
処理液を貯留する密閉構造の貯留容器と、 この貯留容器に接続され、貯留容器に気体を供給して加
圧するための加圧気体供給路とをさらに含むことを特徴
とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の基板
処理装置。
4. A closed storage container connected to one end of the processing liquid flow passage for storing the processing liquid, and a pressurizing device connected to the storage container for supplying gas to the storage container to pressurize the storage container. 4. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a gas supply path.
【請求項5】純水が流通する純水流通路と、 上記処理液流通路および純水流通路に接続され、処理液
と純水とを混合するミキシングバルブと、 このミキシングバルブで混合された混合液を基板に対し
て供給するための混合液供給路とをさらに含むことを特
徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理
装置。
5. A pure water flow path through which pure water flows, a mixing valve connected to the processing liquid flow path and the pure water flow path, and mixing the processing liquid and pure water, and a mixing valve. 5. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a mixed liquid supply passage for supplying the mixed liquid to the substrate.
【請求項6】上記処理液の状態検出値は、処理液の圧力
値であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか
に記載の基板処理装置。
6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the state detection value of the processing liquid is a pressure value of the processing liquid.
【請求項7】上記処理液の状態検出値は、処理液の流量
値であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか
に記載の基板処理装置。
7. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the state detection value of the processing liquid is a flow rate value of the processing liquid.
【請求項8】上記処理液の状態検出値は、処理液の濃度
値であることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか
に記載の基板処理装置。
8. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the state detection value of the processing liquid is a concentration value of the processing liquid.
JP26234897A 1997-09-26 1997-09-26 Substrate-processing device Pending JPH11102850A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26234897A JPH11102850A (en) 1997-09-26 1997-09-26 Substrate-processing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26234897A JPH11102850A (en) 1997-09-26 1997-09-26 Substrate-processing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11102850A true JPH11102850A (en) 1999-04-13

Family

ID=17374505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26234897A Pending JPH11102850A (en) 1997-09-26 1997-09-26 Substrate-processing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11102850A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007152208A (en) * 2005-12-02 2007-06-21 Ckd Corp Liquid supplying system
JP2016530084A (en) * 2013-07-19 2016-09-29 グラコ ミネソタ インコーポレーテッド Apparatus and method for controlling pressure and ratio of spray system
CN109132000A (en) * 2018-06-27 2019-01-04 燕山大学 Pressure vessel nitrogen-filled packaging system with Staged cotrol

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007152208A (en) * 2005-12-02 2007-06-21 Ckd Corp Liquid supplying system
JP4658262B2 (en) * 2005-12-02 2011-03-23 シーケーディ株式会社 Liquid supply system
JP2016530084A (en) * 2013-07-19 2016-09-29 グラコ ミネソタ インコーポレーテッド Apparatus and method for controlling pressure and ratio of spray system
CN109132000A (en) * 2018-06-27 2019-01-04 燕山大学 Pressure vessel nitrogen-filled packaging system with Staged cotrol

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1899781B1 (en) Ozone system for multi-chamber tools
US10655220B2 (en) Gas control system, deposition apparatus including gas control system, and program and gas control method used for gas control system
KR100745372B1 (en) Method and appratus for monitoring mass flow amount in semiconductor production device
US7155319B2 (en) Closed loop control on liquid delivery system ECP slim cell
JP3872776B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
JP4235076B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
JP5011195B2 (en) Fluid shunt supply unit
KR102596165B1 (en) Mass flow rate control system, and semiconductor manufacturing device and vaporizer including said system
JP4832276B2 (en) Substrate adsorption system and semiconductor manufacturing apparatus
JPH11102850A (en) Substrate-processing device
JP5198187B2 (en) Liquid processing apparatus and processing liquid supply method
JP3719918B2 (en) Substrate processing equipment
JP2008248395A (en) Plasma treating apparatus and pressure control method of plasma treating apparatus
JP3537976B2 (en) Substrate processing equipment
US20100312405A1 (en) Fluid control method, fluid control system, and non-transitory computer-readable medium storing fluid control program
JP2013124994A (en) Glove box device
JP3537975B2 (en) Substrate processing equipment
JPH07308658A (en) Liquid controller
JP3445456B2 (en) Substrate processing equipment
JP2018189545A (en) Gas supply controller, gas chromatograph, and method for determining abnormality of pressure sensor
US12030024B2 (en) Dilute chemical supply device
KR0156311B1 (en) Gas supply line protection apparatus of vacuum system and its drive method
JPH10161751A (en) Liquid flow rate control method and device therefor
KR100199374B1 (en) Process gas interlock apparatus
JPH0395448A (en) Gas supplying apparatus of thermal analyzer