JPH1174123A - 磁気抵抗効果膜 - Google Patents
磁気抵抗効果膜Info
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- JPH1174123A JPH1174123A JP9310579A JP31057997A JPH1174123A JP H1174123 A JPH1174123 A JP H1174123A JP 9310579 A JP9310579 A JP 9310579A JP 31057997 A JP31057997 A JP 31057997A JP H1174123 A JPH1174123 A JP H1174123A
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 巨大磁気抵抗を示しかつ耐食性に優れた磁気
抵抗効果膜を得る。 【解決手段】 反強磁性層２、強磁性層３，４、非磁性
導電層５、及び強磁性層６，７をこの順序でまたは逆の
順序で積層した積層構造を有し、反強磁性層２を、アン
チモン系合金、フッ化物、ＦｅＲｈ系合金、ＦｅＳ、Ｉ
ｒＭｎＣｏ系合金、またはＣｒＡｌ系合金の反強磁性材
料から形成したことを特徴としている。
抵抗効果膜を得る。 【解決手段】 反強磁性層２、強磁性層３，４、非磁性
導電層５、及び強磁性層６，７をこの順序でまたは逆の
順序で積層した積層構造を有し、反強磁性層２を、アン
チモン系合金、フッ化物、ＦｅＲｈ系合金、ＦｅＳ、Ｉ
ｒＭｎＣｏ系合金、またはＣｒＡｌ系合金の反強磁性材
料から形成したことを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果膜に
関するものであり、特にスピンバルブ構造を有する磁気
抵抗効果膜に関するものである。
関するものであり、特にスピンバルブ構造を有する磁気
抵抗効果膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）は、磁場
印加による磁気抵抗効果膜の電気抵抗の変化を検出する
ことにより、磁界強度及びその変化を測定するための素
子である。このような磁気抵抗効果素子を組み込んだ再
生ヘッド（ＭＲヘッド）は、従来の誘導型ヘッドに比べ
磁気感度が高いので、ハード・ディスク装置の再生ヘッ
ドとして検討されている。このようなＭＲヘッドの感度
を高めることにより、ハード・ディスク装置の面記録密
度を向上させることが可能になる。従って、感度に対応
するＭＲ比の高い磁気抵抗効果膜の開発が近年盛んに進
められている。
印加による磁気抵抗効果膜の電気抵抗の変化を検出する
ことにより、磁界強度及びその変化を測定するための素
子である。このような磁気抵抗効果素子を組み込んだ再
生ヘッド（ＭＲヘッド）は、従来の誘導型ヘッドに比べ
磁気感度が高いので、ハード・ディスク装置の再生ヘッ
ドとして検討されている。このようなＭＲヘッドの感度
を高めることにより、ハード・ディスク装置の面記録密
度を向上させることが可能になる。従って、感度に対応
するＭＲ比の高い磁気抵抗効果膜の開発が近年盛んに進
められている。
【０００３】大きなＭＲ比を示す素子として、巨大磁気
抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）が知られている。このよう
なＧＭＲ素子の一つの構造として、反強磁性層／強磁性
層／非磁性導電層／強磁性層からなる積層構造を有する
スピンバルブ膜が知られており、具体的なスピンバルブ
膜としては、ＦｅＭｎ／ＮｉＦｅ／Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ／
ＮｉＦｅの積層構造が知られている。このような積層構
造のスピンバルブ膜においては、反強磁性層であるＦｅ
Ｍｎ層とこの上に積層されているＮｉＦｅ層とが強く交
換結合し、またＮｉＦｅ層とＣｏ層とが強磁性結合する
ことによって、一方の強磁性層が反強磁性層によりピン
止めされている。そして、外部磁場の変化により、他方
の強磁性層の磁化方向が変化するときに、大きなＭＲ比
の変化をもたらす。従って、このようなスピンバルブ膜
によれば、高い磁気感度を得ることができる。
抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）が知られている。このよう
なＧＭＲ素子の一つの構造として、反強磁性層／強磁性
層／非磁性導電層／強磁性層からなる積層構造を有する
スピンバルブ膜が知られており、具体的なスピンバルブ
膜としては、ＦｅＭｎ／ＮｉＦｅ／Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ／
ＮｉＦｅの積層構造が知られている。このような積層構
造のスピンバルブ膜においては、反強磁性層であるＦｅ
Ｍｎ層とこの上に積層されているＮｉＦｅ層とが強く交
換結合し、またＮｉＦｅ層とＣｏ層とが強磁性結合する
ことによって、一方の強磁性層が反強磁性層によりピン
止めされている。そして、外部磁場の変化により、他方
の強磁性層の磁化方向が変化するときに、大きなＭＲ比
の変化をもたらす。従って、このようなスピンバルブ膜
によれば、高い磁気感度を得ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来反
強磁性層として用いられているＦｅＭｎは腐食し易く、
このため通常水を用いる研磨工程を経た後に、腐食によ
るピット（微小な穴）が生じ、磁気抵抗特性が劣化する
という問題があった。
強磁性層として用いられているＦｅＭｎは腐食し易く、
このため通常水を用いる研磨工程を経た後に、腐食によ
るピット（微小な穴）が生じ、磁気抵抗特性が劣化する
という問題があった。
【０００５】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、巨大磁気抵抗を示し、かつ耐食性に優れた磁
気抵抗効果膜を提供することにある。
を解消し、巨大磁気抵抗を示し、かつ耐食性に優れた磁
気抵抗効果膜を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に従う第１の局面
の磁気抵抗効果膜は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導
電層、及び強磁性層をこの順序でまたは逆の順序で積層
した積層構造を有し、反強磁性層を、アンチモン系合金
の反強磁性材料から形成したことを特徴としている。
の磁気抵抗効果膜は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導
電層、及び強磁性層をこの順序でまたは逆の順序で積層
した積層構造を有し、反強磁性層を、アンチモン系合金
の反強磁性材料から形成したことを特徴としている。
【０００７】アンチモン系合金の反強磁性材料として
は、例えば、ＣｒＳｂ、ＦｅＳｂ2 、（Ｍｎx Ｃ
ｒ1-x ）y Ｓｂ100-y （０≦ｘ≦０．３、４０≦ｙ≦６
０）などが挙げられる。
は、例えば、ＣｒＳｂ、ＦｅＳｂ2 、（Ｍｎx Ｃ
ｒ1-x ）y Ｓｂ100-y （０≦ｘ≦０．３、４０≦ｙ≦６
０）などが挙げられる。
【０００８】本発明に従う第２の局面の磁気抵抗効果膜
は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層、及び強磁性
層をこの順序でまたは逆の順序で積層した積層構造を有
し、反強磁性層を、フッ化物の反強磁性材料から形成し
たことを特徴としている。
は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層、及び強磁性
層をこの順序でまたは逆の順序で積層した積層構造を有
し、反強磁性層を、フッ化物の反強磁性材料から形成し
たことを特徴としている。
【０００９】フッ化物の反強磁性材料としては、例え
ば、ＣｏＦ3 またはＦｅＦ3 などが挙げられる。本発明
に従う第３の局面の磁気抵抗効果膜は、反強磁性層、強
磁性層、非磁性導電層、及び強磁性層をこの順序でまた
は逆の順序で積層した積層構造を有し、反強磁性層を、
ＦｅＲｈ系合金から形成したことを特徴としている。
ば、ＣｏＦ3 またはＦｅＦ3 などが挙げられる。本発明
に従う第３の局面の磁気抵抗効果膜は、反強磁性層、強
磁性層、非磁性導電層、及び強磁性層をこの順序でまた
は逆の順序で積層した積層構造を有し、反強磁性層を、
ＦｅＲｈ系合金から形成したことを特徴としている。
【００１０】ＦｅＲｈ系合金としては、例えば、Ｆｅx
Ｒｈ100-x （４０≦ｘ≦６０）が挙げられる。また、Ｆ
ｅＲｈ系合金は、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、及びＯｓからなるグ
ループより選ばれる少なくとも１種の金属元素を含んで
いてもよい。これらの添加元素の含有量は３０原子％以
下であることが好ましい。
Ｒｈ100-x （４０≦ｘ≦６０）が挙げられる。また、Ｆ
ｅＲｈ系合金は、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、及びＯｓからなるグ
ループより選ばれる少なくとも１種の金属元素を含んで
いてもよい。これらの添加元素の含有量は３０原子％以
下であることが好ましい。
【００１１】添加元素を含むＦｅＲｈ系合金としては、
例えば、Ｆｅx （Ｒｈ1-y Ｐｔy ） 100-x （４０≦ｘ≦
６０、０＜ｙ≦０．５）、Ｆｅx （Ｒｈ1-y Ｉｒy ）
100-x（４０≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦０．５）、及びＦｅ
x （Ｒｈ1-y Ｐｄy ）100-x （４０≦ｘ≦６０、０＜ｙ
≦０．５）などが挙げられる。
例えば、Ｆｅx （Ｒｈ1-y Ｐｔy ） 100-x （４０≦ｘ≦
６０、０＜ｙ≦０．５）、Ｆｅx （Ｒｈ1-y Ｉｒy ）
100-x（４０≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦０．５）、及びＦｅ
x （Ｒｈ1-y Ｐｄy ）100-x （４０≦ｘ≦６０、０＜ｙ
≦０．５）などが挙げられる。
【００１２】また、ＦｅＲｈ系合金として、Ｆｅ50Ｒｈ
50-xＰｄx （ｘ≦３０）の組成が挙げられる。上記Ｆｅ
50Ｒｈ50-xＰｄx の組成において、特に、ｘの範囲が１
０〜２５、さらには１５〜２０の範囲である合金組成の
ものが好ましい。これらの組成の合金は、ネール温度
（ＴN ）が高く、従ってより良好な耐熱性を磁気抵抗効
果膜に付与することができる。
50-xＰｄx （ｘ≦３０）の組成が挙げられる。上記Ｆｅ
50Ｒｈ50-xＰｄx の組成において、特に、ｘの範囲が１
０〜２５、さらには１５〜２０の範囲である合金組成の
ものが好ましい。これらの組成の合金は、ネール温度
（ＴN ）が高く、従ってより良好な耐熱性を磁気抵抗効
果膜に付与することができる。
【００１３】本発明に従う第４の局面の磁気抵抗効果膜
は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層、及び強磁性
層をこの順序でまたは逆の順序で積層した積層構造を有
し、反強磁性層を、ＦｅＳから形成したことを特徴とし
ている。
は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層、及び強磁性
層をこの順序でまたは逆の順序で積層した積層構造を有
し、反強磁性層を、ＦｅＳから形成したことを特徴とし
ている。
【００１４】本発明に従う第５の局面の磁気抵抗効果膜
は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層、及び強磁性
層をこの順序でまたは逆の順序で積層した積層構造を有
し、反強磁性層を、ＩｒＭｎＣｏ系合金から形成したこ
とを特徴としている。
は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層、及び強磁性
層をこの順序でまたは逆の順序で積層した積層構造を有
し、反強磁性層を、ＩｒＭｎＣｏ系合金から形成したこ
とを特徴としている。
【００１５】ＩｒＭｎＣｏ系合金としては、例えば、
（ＩｒＭｎ）100-x Ｃｏx （０＜ｘ≦３０）などが挙げ
られ、さらに具体的には（Ｉｒ25Ｍｎ75）100-x Ｃｏx
（０＜ｘ≦３０）が挙げられる。ｘの値は、さらに好ま
しくは０．１≦ｘ≦２０である。
（ＩｒＭｎ）100-x Ｃｏx （０＜ｘ≦３０）などが挙げ
られ、さらに具体的には（Ｉｒ25Ｍｎ75）100-x Ｃｏx
（０＜ｘ≦３０）が挙げられる。ｘの値は、さらに好ま
しくは０．１≦ｘ≦２０である。
【００１６】本発明に従う第６の局面の磁気抵抗効果膜
は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層、及び強磁性
層をこの順序でまたは逆の順序で積層した積層構造を有
し、反強磁性層を、ＣｒＡｌ系合金から形成したことを
特徴としている。
は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層、及び強磁性
層をこの順序でまたは逆の順序で積層した積層構造を有
し、反強磁性層を、ＣｒＡｌ系合金から形成したことを
特徴としている。
【００１７】ＣｒＡｌ系合金としては、例えば、Ｃｒx
Ａｌ100-x （５０≦ｘ≦８０）などが挙げられる。本発
明において、反強磁性層を基板側に設ける場合には、反
強磁性層の下地層として、周期律表IVａ族、Ｖａ族、及
びVIａ族のうちの少なくとも１種の金属層またはｂｃｃ
（体心立方）系の結晶構造を有する非磁性の金属層が設
けられていることが好ましい。周期律表IVａ族、Ｖａ
族、及びVIａ族の金属としては、具体的には、例えば、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗな
どが挙げられる。これらの金属層は、上記本発明の第１
〜第４の局面において用いられる反強磁性層の材料に対
し良好な濡れ性を示す。これらの金属層は、結晶構造の
ものに限定されるものではなく、アモルファスの金属層
であってもよい。
Ａｌ100-x （５０≦ｘ≦８０）などが挙げられる。本発
明において、反強磁性層を基板側に設ける場合には、反
強磁性層の下地層として、周期律表IVａ族、Ｖａ族、及
びVIａ族のうちの少なくとも１種の金属層またはｂｃｃ
（体心立方）系の結晶構造を有する非磁性の金属層が設
けられていることが好ましい。周期律表IVａ族、Ｖａ
族、及びVIａ族の金属としては、具体的には、例えば、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗな
どが挙げられる。これらの金属層は、上記本発明の第１
〜第４の局面において用いられる反強磁性層の材料に対
し良好な濡れ性を示す。これらの金属層は、結晶構造の
ものに限定されるものではなく、アモルファスの金属層
であってもよい。
【００１８】ｂｃｃ（体心立方）系結晶構造を有する非
磁性の金属層としては、具体的には、Ｃｒ及びＦｅなど
が挙げられる。このようなＣｒ層等の上に本発明の反強
磁性層を形成することにより、反強磁性層の結晶構造を
良好にし、磁気的特性を向上させることができる。特
に、反強磁性層がｂｃｃ（体心立方）系結晶構造または
ｂｃｔ（体心正方）系結晶構造を有する場合、その下地
層としてｂｃｃ（体心立方）系結晶構造を有する材料か
らなる下地層を設けることにより、反強磁性層の結晶構
造を、強磁性層に対し大きな交換結合を示す結晶構造に
することができ、安定した磁気的特性を付与することが
できる。
磁性の金属層としては、具体的には、Ｃｒ及びＦｅなど
が挙げられる。このようなＣｒ層等の上に本発明の反強
磁性層を形成することにより、反強磁性層の結晶構造を
良好にし、磁気的特性を向上させることができる。特
に、反強磁性層がｂｃｃ（体心立方）系結晶構造または
ｂｃｔ（体心正方）系結晶構造を有する場合、その下地
層としてｂｃｃ（体心立方）系結晶構造を有する材料か
らなる下地層を設けることにより、反強磁性層の結晶構
造を、強磁性層に対し大きな交換結合を示す結晶構造に
することができ、安定した磁気的特性を付与することが
できる。
【００１９】すなわち、本発明に従う第７の局面の磁気
抵抗効果膜は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層、
及び強磁性層をこの順序に積層した磁気抵抗効果膜であ
り、反強磁性層の下に下地層が設けられており、該下地
層が体心立方構造を有する材料から形成され、反強磁性
層が体心立方（ｂｃｃ）構造または体心正方（ｂｃｔ）
構造を有する材料から形成されていることを特徴として
いる。
抵抗効果膜は、反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層、
及び強磁性層をこの順序に積層した磁気抵抗効果膜であ
り、反強磁性層の下に下地層が設けられており、該下地
層が体心立方構造を有する材料から形成され、反強磁性
層が体心立方（ｂｃｃ）構造または体心正方（ｂｃｔ）
構造を有する材料から形成されていることを特徴として
いる。
【００２０】本発明に従う第８の局面の磁気抵抗効果素
子は、磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜の磁区を制
御するための磁区制御膜とを備え、該磁区制御膜が反強
磁性層と強磁性層を積層した構造を有し、該反強磁性層
の下に下地層が設けられており、該下地層が体心立方構
造を有する材料から形成され、該反強磁性層が体心立方
（ｂｃｃ）構造または体心正方（ｂｃｔ）構造を有する
材料から形成されていることを特徴としている。
子は、磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜の磁区を制
御するための磁区制御膜とを備え、該磁区制御膜が反強
磁性層と強磁性層を積層した構造を有し、該反強磁性層
の下に下地層が設けられており、該下地層が体心立方構
造を有する材料から形成され、該反強磁性層が体心立方
（ｂｃｃ）構造または体心正方（ｂｃｔ）構造を有する
材料から形成されていることを特徴としている。
【００２１】上記第８の局面に従う好ましい実施形態に
おいては、上記磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果膜が、
上記第７の局面の磁気抵抗効果膜であり、磁気抵抗効果
膜の下地層と磁区制御膜の下地層が同一の材料から形成
され、かつ磁気抵抗効果膜の反強磁性層と磁区制御膜の
反強磁性層が同一の材料から形成されていることを特徴
としている。
おいては、上記磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果膜が、
上記第７の局面の磁気抵抗効果膜であり、磁気抵抗効果
膜の下地層と磁区制御膜の下地層が同一の材料から形成
され、かつ磁気抵抗効果膜の反強磁性層と磁区制御膜の
反強磁性層が同一の材料から形成されていることを特徴
としている。
【００２２】上記第７の局面及び第８の局面において、
下地層としては、例えば、Ｃｒ、または、Ｃｒと、Ｔ
ａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｗ、Ｖ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｃｓ及び
Ｒｂから選ばれる少なくとも１種の元素との合金、ある
いはＴａ、またはＴａと、Ｚｒ及びＮｂから選ばれる少
なくとも１種の元素との合金から形成されている下地層
が挙げられる。
下地層としては、例えば、Ｃｒ、または、Ｃｒと、Ｔ
ａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｗ、Ｖ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｃｓ及び
Ｒｂから選ばれる少なくとも１種の元素との合金、ある
いはＴａ、またはＴａと、Ｚｒ及びＮｂから選ばれる少
なくとも１種の元素との合金から形成されている下地層
が挙げられる。
【００２３】上記第７の局面及び第８の局面において、
反強磁性層としては、例えば、Ｆｅ、Ｍｎ、及びＣｒか
ら選ばれる少なくとも１種の元素と、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃ
ｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｓｂ、及びＦから選ばれる少な
くとも１種の元素との合金から形成されている反強磁性
層が挙げられる。
反強磁性層としては、例えば、Ｆｅ、Ｍｎ、及びＣｒか
ら選ばれる少なくとも１種の元素と、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃ
ｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｓｂ、及びＦから選ばれる少な
くとも１種の元素との合金から形成されている反強磁性
層が挙げられる。
【００２４】上記第７の局面及び第８の局面において、
下地層は、結晶面として（１００）面が優先的に配向さ
れていることが好ましい。また、上記第７の局面及び第
８の局面において、反強磁性層は、結晶面として（１０
０）面または（００１）面が優先的に配向されているこ
とが好ましい。このような反強磁性層の（１００）面ま
たは（００１）面の優先的配向は、下地層における（１
００）面の優先的な配向により、より容易に導くことが
できる。
下地層は、結晶面として（１００）面が優先的に配向さ
れていることが好ましい。また、上記第７の局面及び第
８の局面において、反強磁性層は、結晶面として（１０
０）面または（００１）面が優先的に配向されているこ
とが好ましい。このような反強磁性層の（１００）面ま
たは（００１）面の優先的配向は、下地層における（１
００）面の優先的な配向により、より容易に導くことが
できる。
【００２５】上記第７の局面及び第８の局面において、
特に好ましくは、下地層はＣｒから形成され、反強磁性
層はＦｅＲｈ系合金から形成される。ここで、ＦｅＲｈ
系合金とは、ＦｅＲｈ、及びＦｅＲｈと、Ｐｄ、Ｃｏ、
Ｉｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｓｂ、及びＦから選ばれる少なくと
も１種の元素との合金である。
特に好ましくは、下地層はＣｒから形成され、反強磁性
層はＦｅＲｈ系合金から形成される。ここで、ＦｅＲｈ
系合金とは、ＦｅＲｈ、及びＦｅＲｈと、Ｐｄ、Ｃｏ、
Ｉｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｓｂ、及びＦから選ばれる少なくと
も１種の元素との合金である。
【００２６】以下、本発明の第１の局面〜第８の局面に
共通する事項については、「本発明」として説明する。
本発明における反強磁性層の膜厚は、特に限定されるも
のではないが、一般に５〜１００ｎｍ程度、好ましくは
５〜２５ｎｍ程度である。
共通する事項については、「本発明」として説明する。
本発明における反強磁性層の膜厚は、特に限定されるも
のではないが、一般に５〜１００ｎｍ程度、好ましくは
５〜２５ｎｍ程度である。
【００２７】本発明において用いられる強磁性層は、キ
ュリー温度が素子使用温度を超えた温度である強磁性体
から形成された層であれば特に限定されるものではな
い。具体的には、ＮｉＦｅ層とＣｏ層の積層膜や、Ｎｉ
Ｆｅ層、Ｃｏ層、これらの合金等からなる強磁性層など
が挙げられる。強磁性層の膜厚は、一般に１〜１０ｎｍ
程度である。
ュリー温度が素子使用温度を超えた温度である強磁性体
から形成された層であれば特に限定されるものではな
い。具体的には、ＮｉＦｅ層とＣｏ層の積層膜や、Ｎｉ
Ｆｅ層、Ｃｏ層、これらの合金等からなる強磁性層など
が挙げられる。強磁性層の膜厚は、一般に１〜１０ｎｍ
程度である。
【００２８】本発明において用いられる非磁性導電層と
しては、素子使用温度において非磁性体であり、導電性
に優れたものであれば特に限定されるものではなく、例
えば、Ｃｕ層、Ａｇ層などが用いられる。非磁性導電層
の膜厚は、一般に１〜５ｎｍ程度である。
しては、素子使用温度において非磁性体であり、導電性
に優れたものであれば特に限定されるものではなく、例
えば、Ｃｕ層、Ａｇ層などが用いられる。非磁性導電層
の膜厚は、一般に１〜５ｎｍ程度である。
【００２９】本発明において反強磁性層の下に下地層を
設ける場合の下地層の膜厚は、一般に１〜５０ｎｍ、好
ましくは、１〜２０ｎｍ程度である。本発明の磁気抵抗
効果膜は、一般に基板上に形成されるが、基板の材質は
非磁性であれば特に限定されるものではなく、例えば、
Ｓｉ、ＴｉＣ、Ａｌ2 Ｏ3 、ガラスなどの基板が用いら
れる。
設ける場合の下地層の膜厚は、一般に１〜５０ｎｍ、好
ましくは、１〜２０ｎｍ程度である。本発明の磁気抵抗
効果膜は、一般に基板上に形成されるが、基板の材質は
非磁性であれば特に限定されるものではなく、例えば、
Ｓｉ、ＴｉＣ、Ａｌ2 Ｏ3 、ガラスなどの基板が用いら
れる。
【００３０】本発明の磁気抵抗効果膜において反強磁性
層として用いられる材料は、何れも耐食性に優れた材料
であるので、本発明の磁気抵抗効果膜は、巨大磁気抵抗
を示すとともに耐食性に優れている。従って、例えば製
造工程における腐食を防止することができ、優れた磁気
抵抗特性を示すものである。
層として用いられる材料は、何れも耐食性に優れた材料
であるので、本発明の磁気抵抗効果膜は、巨大磁気抵抗
を示すとともに耐食性に優れている。従って、例えば製
造工程における腐食を防止することができ、優れた磁気
抵抗特性を示すものである。
【００３１】本発明の第７の局面及び第８の局面によれ
ば、下地層を体心立方構造を有する材料から形成し、反
強磁性層を体心立方構造または体心正方構造を有する材
料から形成することにより、反強磁性層を、強磁性層と
の交換結合作用の高い結晶配向とすることができ、強磁
性層と反強磁性層との交換結合作用を高め、安定でかつ
優れた磁気抵抗特性を付与することができる。
ば、下地層を体心立方構造を有する材料から形成し、反
強磁性層を体心立方構造または体心正方構造を有する材
料から形成することにより、反強磁性層を、強磁性層と
の交換結合作用の高い結晶配向とすることができ、強磁
性層と反強磁性層との交換結合作用を高め、安定でかつ
優れた磁気抵抗特性を付与することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の局面に従
う一実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。図１
を参照して、ガラス基板１の上に、例えば、Ｃｒからな
る下地層８（膜厚５ｎｍ）が形成されている。この下地
層８の上は、アンチモン系合金の反強磁性材料からなる
反強磁性層２（膜厚１５ｎｍ）が形成されている。反強
磁性層２の上には、ＮｉＦｅ層３（膜厚３ｎｍ）、Ｃｏ
層４（膜厚０．６ｎｍ）、Ｃｕ層５（膜厚２ｎｍ）、Ｃ
ｏ層６（膜厚０．６ｎｍ）、及びＮｉＦｅ層７（膜厚３
ｎｍ）が積層されている。なお、ここで各ＮｉＦｅ層
３，７は、Ｎｉ80Ｆｅ20から形成されている。
う一実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。図１
を参照して、ガラス基板１の上に、例えば、Ｃｒからな
る下地層８（膜厚５ｎｍ）が形成されている。この下地
層８の上は、アンチモン系合金の反強磁性材料からなる
反強磁性層２（膜厚１５ｎｍ）が形成されている。反強
磁性層２の上には、ＮｉＦｅ層３（膜厚３ｎｍ）、Ｃｏ
層４（膜厚０．６ｎｍ）、Ｃｕ層５（膜厚２ｎｍ）、Ｃ
ｏ層６（膜厚０．６ｎｍ）、及びＮｉＦｅ層７（膜厚３
ｎｍ）が積層されている。なお、ここで各ＮｉＦｅ層
３，７は、Ｎｉ80Ｆｅ20から形成されている。
【００３３】一方の強磁性層はＮｉＦｅ層３及びＣｏ層
４から構成されており、このような強磁性層の上に、非
磁性導電層としてのＣｕ層５が積層されている。Ｃｕ層
５の上には、Ｃｏ層６及びＮｉＦｅ層７から構成される
他方の強磁性層が積層されている。
４から構成されており、このような強磁性層の上に、非
磁性導電層としてのＣｕ層５が積層されている。Ｃｕ層
５の上には、Ｃｏ層６及びＮｉＦｅ層７から構成される
他方の強磁性層が積層されている。
【００３４】反強磁性層２は、ＮｉＦｅ層３及びＣｏ層
４と強い交換結合を形成しており、ＮｉＦｅ層３及びＣ
ｏ層４は、いわゆるピン止めされている。外部磁場が印
加されていないかあるいは外部磁場が弱い場合、Ｃｏ層
６及びＮｉＦｅ層７から構成される強磁性層は、ＮｉＦ
ｅ層３及びＣｏ層４から構成される強磁性層に対し、そ
の磁化方向が平行状態となっている。このような状態に
おいて反平行方向に強い外部磁場が印加されると、Ｃｏ
層６及びＮｉＦｅ層７から構成される強磁性層の磁化方
向が反平行状態となり、この変化の際ＭＲ比が大きく変
化する。従って、図１に示す磁気抵抗効果膜はスピンバ
ルブ型の磁気抵抗効果膜となっている。
４と強い交換結合を形成しており、ＮｉＦｅ層３及びＣ
ｏ層４は、いわゆるピン止めされている。外部磁場が印
加されていないかあるいは外部磁場が弱い場合、Ｃｏ層
６及びＮｉＦｅ層７から構成される強磁性層は、ＮｉＦ
ｅ層３及びＣｏ層４から構成される強磁性層に対し、そ
の磁化方向が平行状態となっている。このような状態に
おいて反平行方向に強い外部磁場が印加されると、Ｃｏ
層６及びＮｉＦｅ層７から構成される強磁性層の磁化方
向が反平行状態となり、この変化の際ＭＲ比が大きく変
化する。従って、図１に示す磁気抵抗効果膜はスピンバ
ルブ型の磁気抵抗効果膜となっている。
【００３５】Ｃｒ層８は、反強磁性層２の下地層であ
る。このような下地層８の上に反強磁性層２を形成する
ことにより、良好な膜特性を有する反強磁性層２を形成
することができる。また下地層８として、Ｚｒ、Ｔａ、
Ｈｆなどの周期律表IVａ族、Ｖａ族、及びVIａ族の金属
元素からなる層を形成してもよい。
る。このような下地層８の上に反強磁性層２を形成する
ことにより、良好な膜特性を有する反強磁性層２を形成
することができる。また下地層８として、Ｚｒ、Ｔａ、
Ｈｆなどの周期律表IVａ族、Ｖａ族、及びVIａ族の金属
元素からなる層を形成してもよい。
【００３６】図２は、本発明の第１の局面に従う他の実
施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。本実施例で
は、磁気抵抗効果膜中の反強磁性層２を基板１から離れ
た最上層に配置している。図２に示すように、ガラス基
板１の上には、ＮｉＦｅ層７、Ｃｏ層６、Ｃｕ層５、Ｃ
ｏ層４、及びＮｉＦｅ層３が積層されており、このＮｉ
Ｆｅ層３の上に、アンチモン系合金の反強磁性材料から
なる反強磁性層２が設けられている。なお、各層の膜厚
は、図１に示す実施例と同様である。図２に示す実施例
のように、本発明においては、各層を図１に示す磁気抵
抗効果膜と逆の順序で積層させてもよい。
施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。本実施例で
は、磁気抵抗効果膜中の反強磁性層２を基板１から離れ
た最上層に配置している。図２に示すように、ガラス基
板１の上には、ＮｉＦｅ層７、Ｃｏ層６、Ｃｕ層５、Ｃ
ｏ層４、及びＮｉＦｅ層３が積層されており、このＮｉ
Ｆｅ層３の上に、アンチモン系合金の反強磁性材料から
なる反強磁性層２が設けられている。なお、各層の膜厚
は、図１に示す実施例と同様である。図２に示す実施例
のように、本発明においては、各層を図１に示す磁気抵
抗効果膜と逆の順序で積層させてもよい。
【００３７】図１及び図２に示す磁気抵抗効果膜を構成
する各層の薄膜形成方法は、特に限定されるものではな
いが、例えば、イオンビームスパッタリング法により形
成することができる。
する各層の薄膜形成方法は、特に限定されるものではな
いが、例えば、イオンビームスパッタリング法により形
成することができる。
【００３８】以下、図１及び図２に示す具体的な磁気抵
抗効果膜について評価した。反強磁性層２としては、Ｃ
ｒＳｂ、ＦｅＳｂ2 、及び（Ｍｎ0.2 Ｃｒ0.8 ）50Ｓｂ
50の３種類の反強磁性材料を用い、それぞれの磁気抵抗
効果膜を作製した。図１及び図２に示す磁気抵抗効果膜
のＭＲ特性は、反強磁性層２をＦｅＭｎ層に置き換えた
従来の磁気抵抗効果膜と同程度またはそれ以上のＭＲ特
性を示した。
抗効果膜について評価した。反強磁性層２としては、Ｃ
ｒＳｂ、ＦｅＳｂ2 、及び（Ｍｎ0.2 Ｃｒ0.8 ）50Ｓｂ
50の３種類の反強磁性材料を用い、それぞれの磁気抵抗
効果膜を作製した。図１及び図２に示す磁気抵抗効果膜
のＭＲ特性は、反強磁性層２をＦｅＭｎ層に置き換えた
従来の磁気抵抗効果膜と同程度またはそれ以上のＭＲ特
性を示した。
【００３９】また、各実施例の磁気抵抗効果膜及び従来
の磁気抵抗効果膜について、それぞれ２６０℃で１０時
間熱処理を施し、熱処理後のＭＲ特性を評価した。この
結果、本実施例の磁気抵抗効果膜は、いずれも従来の磁
気抵抗効果膜よりＭＲ特性の低下が著しく少なかった。
これは、本実施例において用いているアンチモン系合金
の各反強磁性材料のネール温度が、従来のＦｅＭｎのネ
ール温度よりも高いためと思われる。各材料のネール温
度を以下に示す。 ＦｅＭｎ ：４７８ｋ（２０５℃） ＣｒＳｂ ：７２０ｋ（４４７℃） ＦｅＳｂ2 ：７７３ｋ（５００℃） （Ｍｎ0.2 Ｃｒ0.8 ）50Ｓｂ50：６００ｋ（３２７℃）
の磁気抵抗効果膜について、それぞれ２６０℃で１０時
間熱処理を施し、熱処理後のＭＲ特性を評価した。この
結果、本実施例の磁気抵抗効果膜は、いずれも従来の磁
気抵抗効果膜よりＭＲ特性の低下が著しく少なかった。
これは、本実施例において用いているアンチモン系合金
の各反強磁性材料のネール温度が、従来のＦｅＭｎのネ
ール温度よりも高いためと思われる。各材料のネール温
度を以下に示す。 ＦｅＭｎ ：４７８ｋ（２０５℃） ＣｒＳｂ ：７２０ｋ（４４７℃） ＦｅＳｂ2 ：７７３ｋ（５００℃） （Ｍｎ0.2 Ｃｒ0.8 ）50Ｓｂ50：６００ｋ（３２７℃）
【００４０】次に、本実施例において用いた各反強磁性
材料の耐食性について評価した。図３は、シリコン基板
上に、Ｃｏ層、ＮｉＦｅ層、及びＣｒＳｂ層をこの順序
で積層したサンプル薄膜を作製し、このサンプル薄膜に
ついて耐食性を評価した結果を示す図である。なお、比
較として、シリコン基板上にＣｏ層、ＮｉＦｅ層、及び
ＦｅＭｎ層をこの順序で積層した比較サンプルを測定し
評価した。なお、各層の膜厚は、図１及び図２に示す実
施例と同様とした。１００個のサンプルを２０℃の純水
中に５時間浸漬した後に取出し、走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）で観察し、ピットが発生したサンプルの個数を数
え、腐食ピット発生確率（％）とした。図３から明らか
なように、ＣｒＳｂからなる反強磁性層は、従来のＦｅ
Ｍｎ層に比べ耐食性において著しく優れている。
材料の耐食性について評価した。図３は、シリコン基板
上に、Ｃｏ層、ＮｉＦｅ層、及びＣｒＳｂ層をこの順序
で積層したサンプル薄膜を作製し、このサンプル薄膜に
ついて耐食性を評価した結果を示す図である。なお、比
較として、シリコン基板上にＣｏ層、ＮｉＦｅ層、及び
ＦｅＭｎ層をこの順序で積層した比較サンプルを測定し
評価した。なお、各層の膜厚は、図１及び図２に示す実
施例と同様とした。１００個のサンプルを２０℃の純水
中に５時間浸漬した後に取出し、走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）で観察し、ピットが発生したサンプルの個数を数
え、腐食ピット発生確率（％）とした。図３から明らか
なように、ＣｒＳｂからなる反強磁性層は、従来のＦｅ
Ｍｎ層に比べ耐食性において著しく優れている。
【００４１】図４及び図５は、それぞれ反強磁性層とし
て、ＦｅＳｂ2 及び（Ｍｎ0.2 Ｃｒ 0.8 ）50Ｓｂ50を用
いてサンプル薄膜を作製し、上記と同様にして腐食ピッ
ト発生確率を測定した結果を示す図である。図４及び図
５から明らかなように、本発明の第１の局面に従う各実
施例において用いる反強磁性層は、従来のＦｅＭｎ層に
比べ著しく優れた耐食性を有している。
て、ＦｅＳｂ2 及び（Ｍｎ0.2 Ｃｒ 0.8 ）50Ｓｂ50を用
いてサンプル薄膜を作製し、上記と同様にして腐食ピッ
ト発生確率を測定した結果を示す図である。図４及び図
５から明らかなように、本発明の第１の局面に従う各実
施例において用いる反強磁性層は、従来のＦｅＭｎ層に
比べ著しく優れた耐食性を有している。
【００４２】図６は、本発明の第２の局面に従う一実施
例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。ガラス基板１
の上に、下地層８が形成され、下地層８の上に、ＣｏＦ
3 またはＦｅＦ3 からなる反強磁性層１２（膜厚５ｎ
ｍ）が形成されている。反強磁性層１２の上には、図１
に示す実施例と同様に、磁気抵抗効果膜を構成する各層
が形成されている。反強磁性層１２以外の各層について
は、図１の実施例と同様であるので同一の参照番号を付
して説明を省略する。
例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。ガラス基板１
の上に、下地層８が形成され、下地層８の上に、ＣｏＦ
3 またはＦｅＦ3 からなる反強磁性層１２（膜厚５ｎ
ｍ）が形成されている。反強磁性層１２の上には、図１
に示す実施例と同様に、磁気抵抗効果膜を構成する各層
が形成されている。反強磁性層１２以外の各層について
は、図１の実施例と同様であるので同一の参照番号を付
して説明を省略する。
【００４３】図７は、本発明の第２の局面に従う他の実
施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。図７に示す
ように、本実施例では、図６に示す実施例の磁気抵抗効
果膜と逆の順序で各層を積層しており、反強磁性層１２
が最上層となるように積層している。なお、本実施例で
は、反強磁性層１２が最上層となるので、図６に示すよ
うな基板１上の下地層８を形成していない。
施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。図７に示す
ように、本実施例では、図６に示す実施例の磁気抵抗効
果膜と逆の順序で各層を積層しており、反強磁性層１２
が最上層となるように積層している。なお、本実施例で
は、反強磁性層１２が最上層となるので、図６に示すよ
うな基板１上の下地層８を形成していない。
【００４４】図６及び図７に示す磁気抵抗効果膜におい
て、反強磁性層１２として、ＣｏＦ 3 層及びＦｅＦ3 層
の２種類を用いてそれぞれ磁気抵抗効果膜を作製し、Ｍ
Ｒ特性を測定したところ、反強磁性層としてＦｅＭｎ層
を用いた従来の磁気抵抗効果膜と同等またはそれ以上の
ＭＲ特性を示した。
て、反強磁性層１２として、ＣｏＦ 3 層及びＦｅＦ3 層
の２種類を用いてそれぞれ磁気抵抗効果膜を作製し、Ｍ
Ｒ特性を測定したところ、反強磁性層としてＦｅＭｎ層
を用いた従来の磁気抵抗効果膜と同等またはそれ以上の
ＭＲ特性を示した。
【００４５】図８及び図９は、上記と同様に、ＣｏＦ3
層及びＦｅＦ3 層の反強磁性層を、Ｃｏ層とＮｉＦｅ層
の積層膜の上に積層したサンプル膜を作製し、それぞれ
について腐食ピット発生確率を測定した結果を示す図で
ある。図８は、ＣｏＦ3 層についての測定結果であり、
図９はＦｅＦ3 層についての測定結果である。図８及び
図９から明らかなように、反強磁性層としてのＣｏＦ3
層及びＦｅＦ3 層は、従来の反強磁性層であるＦｅＭｎ
層に比べ、著しく優れた耐食性を有している。
層及びＦｅＦ3 層の反強磁性層を、Ｃｏ層とＮｉＦｅ層
の積層膜の上に積層したサンプル膜を作製し、それぞれ
について腐食ピット発生確率を測定した結果を示す図で
ある。図８は、ＣｏＦ3 層についての測定結果であり、
図９はＦｅＦ3 層についての測定結果である。図８及び
図９から明らかなように、反強磁性層としてのＣｏＦ3
層及びＦｅＦ3 層は、従来の反強磁性層であるＦｅＭｎ
層に比べ、著しく優れた耐食性を有している。
【００４６】図１０は、本発明の第３の局面に従う一実
施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。図１０に示
すように、基板１の上には、下地層８が設けられ、下地
層８の上にＦｅ50Ｒｈ35Ｐｄ15からなる反強磁性層２２
（膜厚５ｎｍ）が形成されている。反強磁性層２２の上
には、図１に示す実施例と同様に磁気抵抗効果膜を構成
する各層が積層されている。反強磁性層２２以外の各層
については、図１に示す実施例と同様であるので、同一
の参照番号を付して説明を省略する。
施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。図１０に示
すように、基板１の上には、下地層８が設けられ、下地
層８の上にＦｅ50Ｒｈ35Ｐｄ15からなる反強磁性層２２
（膜厚５ｎｍ）が形成されている。反強磁性層２２の上
には、図１に示す実施例と同様に磁気抵抗効果膜を構成
する各層が積層されている。反強磁性層２２以外の各層
については、図１に示す実施例と同様であるので、同一
の参照番号を付して説明を省略する。
【００４７】図１１は、本発明の第３の局面に従う他の
実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。本実施例
では、図１０に示す磁気抵抗効果膜の積層順序と逆の順
序で各層が基板１上に積層され、反強磁性層２２が最上
層となるように積層されている。従って、基板１の上に
は、図１０に示すような下地層８が形成されておらず、
直接ＮｉＦｅ層７が形成されている。
実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。本実施例
では、図１０に示す磁気抵抗効果膜の積層順序と逆の順
序で各層が基板１上に積層され、反強磁性層２２が最上
層となるように積層されている。従って、基板１の上に
は、図１０に示すような下地層８が形成されておらず、
直接ＮｉＦｅ層７が形成されている。
【００４８】図１０及び図１１に示す実施例の磁気抵抗
効果膜についてＭＲ特性を測定したところ、反強磁性層
がＦｅＭｎ層である従来の磁気抵抗効果膜と同等または
それ以上のＭＲ特性を示した。
効果膜についてＭＲ特性を測定したところ、反強磁性層
がＦｅＭｎ層である従来の磁気抵抗効果膜と同等または
それ以上のＭＲ特性を示した。
【００４９】次に、本実施例の磁気抵抗効果膜につい
て、上記のようにして、サンプル膜を作製し、腐食ピッ
ト発生確率を測定した。この結果を図１２に示す。図１
２から明らかなように、本実施例において反強磁性層と
して用いるＦｅ50Ｒｈ35Ｐｄ15層は、従来のＦｅＭｎ層
よりも耐食性において著しく優れている。
て、上記のようにして、サンプル膜を作製し、腐食ピッ
ト発生確率を測定した。この結果を図１２に示す。図１
２から明らかなように、本実施例において反強磁性層と
して用いるＦｅ50Ｒｈ35Ｐｄ15層は、従来のＦｅＭｎ層
よりも耐食性において著しく優れている。
【００５０】図１３は、本発明の第４の局面に従う一実
施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。図１３に示
すように、ガラス基板１の上には、下地層８が形成され
ており、下地層８の上に、ＦｅＳからなる反強磁性層３
２（膜厚５ｎｍ）が形成されている。反強磁性層３２の
上には、図１に示す実施例と同様の磁気抵抗効果膜の各
層が形成されている。本実施例において、反強磁性層３
２以外の各層は、図１に示す実施例と同様であるので、
同一の参照番号を付して説明を省略する。
施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。図１３に示
すように、ガラス基板１の上には、下地層８が形成され
ており、下地層８の上に、ＦｅＳからなる反強磁性層３
２（膜厚５ｎｍ）が形成されている。反強磁性層３２の
上には、図１に示す実施例と同様の磁気抵抗効果膜の各
層が形成されている。本実施例において、反強磁性層３
２以外の各層は、図１に示す実施例と同様であるので、
同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００５１】図１４は、本発明の第４の局面に従う他の
実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。本実施例
では、図１４に示すように、図１３とは逆方向の積層順
序で、基板１上に磁気抵抗効果膜の各層を積層し、反強
磁性層３２が最上層となるように積層している。従っ
て、基板１の上には下地層８を形成せずに、直接ＮｉＦ
ｅ層７を形成している。
実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。本実施例
では、図１４に示すように、図１３とは逆方向の積層順
序で、基板１上に磁気抵抗効果膜の各層を積層し、反強
磁性層３２が最上層となるように積層している。従っ
て、基板１の上には下地層８を形成せずに、直接ＮｉＦ
ｅ層７を形成している。
【００５２】図１３及び図１４に示す各実施例の磁気抵
抗効果膜についてＭＲ特性を測定したことろ、ＦｅＭｎ
層を反強磁性とする従来の磁気抵抗効果膜と同等または
それ以上のＭＲ特性を示した。
抗効果膜についてＭＲ特性を測定したことろ、ＦｅＭｎ
層を反強磁性とする従来の磁気抵抗効果膜と同等または
それ以上のＭＲ特性を示した。
【００５３】また、各実施例の磁気抵抗効果膜及び比較
の従来の磁気抵抗効果膜について、２６０℃１０時間の
熱処理を施した後、ＭＲ特性を測定したところ、ＦｅＭ
ｎ層を反強磁性層とする従来の磁気抵抗効果膜ではＭＲ
特性が大幅に低下したのに対し、ＦｅＳ層を反強磁性層
とする各実施例の磁気抵抗効果膜のＭＲ特性の低下はご
くわずかであった。これは、ＦｅＭｎのネール温度が４
７８ｋ（２０５℃）であるのに対し、ＦｅＳのネール温
度が６１３ｋ（３４０℃）であることによるものと思わ
れる。
の従来の磁気抵抗効果膜について、２６０℃１０時間の
熱処理を施した後、ＭＲ特性を測定したところ、ＦｅＭ
ｎ層を反強磁性層とする従来の磁気抵抗効果膜ではＭＲ
特性が大幅に低下したのに対し、ＦｅＳ層を反強磁性層
とする各実施例の磁気抵抗効果膜のＭＲ特性の低下はご
くわずかであった。これは、ＦｅＭｎのネール温度が４
７８ｋ（２０５℃）であるのに対し、ＦｅＳのネール温
度が６１３ｋ（３４０℃）であることによるものと思わ
れる。
【００５４】図１５は、上記と同様に、ＦｅＳ層からな
る反強磁性層の腐食ピット発生確率の測定結果を示す図
である。図１５から明らかなように、従来のＦｅＭｎ層
に比べ、耐食性が大幅に向上することがわかる。
る反強磁性層の腐食ピット発生確率の測定結果を示す図
である。図１５から明らかなように、従来のＦｅＭｎ層
に比べ、耐食性が大幅に向上することがわかる。
【００５５】図１６は、ポテンシオスタットを用いて測
定した反強磁性膜（膜厚５０ｎｍ）の電流−電位曲線を
示す図である。図１６には、従来の反強磁性層であるＦ
ｅＭｎと、本発明における反強磁性層であるＦｅＲｈ及
びＣｒＳｂの電流−電位曲線を示している。耐食性の指
標となる各材料の腐食電位は、ＦｅＭｎのデータ曲線に
示すように、電位を高めてゆき、電流が立ち上がり始め
たときの電流の立ち上がりの傾斜を直線回帰したときの
ｘ切片から求めた。図１７は、各材料の腐食電位を示す
図である。図１７に示すように、本発明で反強磁性層に
用いるＦｅＲｈ及びＣｒＳｂは、従来の反強磁性層とし
て用いられているＦｅＭｎに比べ、高い腐食電位を示す
ことがわかる。このことからも、ＦｅＲｈ及びＣｒＳｂ
を用いて反強磁性層とすることにより、耐食性を向上で
きることがわかる。
定した反強磁性膜（膜厚５０ｎｍ）の電流−電位曲線を
示す図である。図１６には、従来の反強磁性層であるＦ
ｅＭｎと、本発明における反強磁性層であるＦｅＲｈ及
びＣｒＳｂの電流−電位曲線を示している。耐食性の指
標となる各材料の腐食電位は、ＦｅＭｎのデータ曲線に
示すように、電位を高めてゆき、電流が立ち上がり始め
たときの電流の立ち上がりの傾斜を直線回帰したときの
ｘ切片から求めた。図１７は、各材料の腐食電位を示す
図である。図１７に示すように、本発明で反強磁性層に
用いるＦｅＲｈ及びＣｒＳｂは、従来の反強磁性層とし
て用いられているＦｅＭｎに比べ、高い腐食電位を示す
ことがわかる。このことからも、ＦｅＲｈ及びＣｒＳｂ
を用いて反強磁性層とすることにより、耐食性を向上で
きることがわかる。
【００５６】図１８は、本発明の第３の局面及び第７の
局面に従う一実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図であ
る。図１８を参照して、ガラス基板１の上に、体心立方
構造を有する材料であるＣｒからなる下地層１８（膜厚
１０ｎｍ）が形成されている。この下地層１８の上に
は、体心立方構造を有する反強磁性材料であるＦｅＲｈ
からなる反強磁性層４２（膜厚５０ｎｍ）が形成されて
いる。この反強磁性層４２の上には、上記他の実施例と
同様に、ＮｉＦｅ層３、Ｃｏ層４、Ｃｕ層５、Ｃｏ層
６、及びＮｉＦｅ層７が積層され、スピンバルブ型の磁
気抵抗効果膜が構成されている。ここで、反強磁性層４
２のＦｅＲｈは、Ｆｅ50Ｒｈ50の組成を有している。
局面に従う一実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図であ
る。図１８を参照して、ガラス基板１の上に、体心立方
構造を有する材料であるＣｒからなる下地層１８（膜厚
１０ｎｍ）が形成されている。この下地層１８の上に
は、体心立方構造を有する反強磁性材料であるＦｅＲｈ
からなる反強磁性層４２（膜厚５０ｎｍ）が形成されて
いる。この反強磁性層４２の上には、上記他の実施例と
同様に、ＮｉＦｅ層３、Ｃｏ層４、Ｃｕ層５、Ｃｏ層
６、及びＮｉＦｅ層７が積層され、スピンバルブ型の磁
気抵抗効果膜が構成されている。ここで、反強磁性層４
２のＦｅＲｈは、Ｆｅ50Ｒｈ50の組成を有している。
【００５７】各層は、ＲＦスパッタリング法により形成
されており、Ａｒガス圧（１ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー１
００Ｗの条件下で、基板温度は、下地層１８の成膜時１
５０℃以上に保持し、それ以外の層の成膜時は室温とな
るように調整した。また、成膜速度は２〜５Å／秒程度
となるように調整した。
されており、Ａｒガス圧（１ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー１
００Ｗの条件下で、基板温度は、下地層１８の成膜時１
５０℃以上に保持し、それ以外の層の成膜時は室温とな
るように調整した。また、成膜速度は２〜５Å／秒程度
となるように調整した。
【００５８】図１９は、図１８に示す実施例の積層膜の
Ｘ線回折パターンを示す図である。図２０は、図１８に
示す実施例において下地層１８を形成せずに、基板１上
に直接ＦｅＲｈ層４２を形成した比較例の積層膜のＸ線
回折パターンを示す図である。図１９に示すように、下
地層であるＣｒ層の（２００）面のピークと、ＦｅＲｈ
の（２００）面のピークが現れている。このことから、
Ｃｒ層が（１００）面に配向し、ＦｅＲｈ層が（１０
０）面に配向していることがわかる。なお、ｘ回折パタ
ーンでは、一般に（１００）面のピークは現れにくく、
（２００）面のピークによって確認される。これに対
し、下地層としてのＣｒ層を設けていない比較例におい
ては、図２０に示すように、ＦｅＲｈ層は（１１０）面
に配向している。
Ｘ線回折パターンを示す図である。図２０は、図１８に
示す実施例において下地層１８を形成せずに、基板１上
に直接ＦｅＲｈ層４２を形成した比較例の積層膜のＸ線
回折パターンを示す図である。図１９に示すように、下
地層であるＣｒ層の（２００）面のピークと、ＦｅＲｈ
の（２００）面のピークが現れている。このことから、
Ｃｒ層が（１００）面に配向し、ＦｅＲｈ層が（１０
０）面に配向していることがわかる。なお、ｘ回折パタ
ーンでは、一般に（１００）面のピークは現れにくく、
（２００）面のピークによって確認される。これに対
し、下地層としてのＣｒ層を設けていない比較例におい
ては、図２０に示すように、ＦｅＲｈ層は（１１０）面
に配向している。
【００５９】図２１は、Ｃｒ（１０ｎｍ）／ＦｅＲｈ
（５０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（５ｎｍ）の積層膜のＭ−Ｈ曲
線を示す図である。また図２２は、Ｃｒ層を設けず、基
板上に直接ＦｅＲｈを形成した比較例のＦｅＲｈ（５０
ｎｍ）／ＮｉＦｅ（５ｎｍ）の積層膜のＭ−Ｈ曲線を示
す図である。図２１と図２２の比較から明らかなよう
に、下地層としてのＣｒ層を設けることにより、反強磁
性層と強磁性層の交換結合磁界が大きくなっていること
がわかる。
（５０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（５ｎｍ）の積層膜のＭ−Ｈ曲
線を示す図である。また図２２は、Ｃｒ層を設けず、基
板上に直接ＦｅＲｈを形成した比較例のＦｅＲｈ（５０
ｎｍ）／ＮｉＦｅ（５ｎｍ）の積層膜のＭ−Ｈ曲線を示
す図である。図２１と図２２の比較から明らかなよう
に、下地層としてのＣｒ層を設けることにより、反強磁
性層と強磁性層の交換結合磁界が大きくなっていること
がわかる。
【００６０】図２３は、本発明の第３の局面及び第７の
局面に従う他の実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図で
ある。この実施例においては、ガラス基板１の上に、体
心立方構造を有する材料であるＣｒＭｏからなる下地層
２８（膜厚２０ｎｍ）が形成され、この下地層２８の上
に、体心立方構造を有する反強磁性材料であるＦｅＲｈ
Ｉｒからなる反強磁性層５２（膜厚５０ｎｍ）が形成さ
れている。反強磁性層５２の上には、図１８に示す実施
例と同様に、ＮｉＦｅ層３、Ｃｏ層４、Ｃｕ層５、Ｃｏ
層６、及びＮｉＦｅ層７が積層され、スピンパルブ型の
磁気抵抗効果膜が構成されている。ここで、反強磁性層
５２のＦｅＲｈＩｒは、Ｆｅ50Ｒｈ35Ｉｒ15の組成を有
している。
局面に従う他の実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図で
ある。この実施例においては、ガラス基板１の上に、体
心立方構造を有する材料であるＣｒＭｏからなる下地層
２８（膜厚２０ｎｍ）が形成され、この下地層２８の上
に、体心立方構造を有する反強磁性材料であるＦｅＲｈ
Ｉｒからなる反強磁性層５２（膜厚５０ｎｍ）が形成さ
れている。反強磁性層５２の上には、図１８に示す実施
例と同様に、ＮｉＦｅ層３、Ｃｏ層４、Ｃｕ層５、Ｃｏ
層６、及びＮｉＦｅ層７が積層され、スピンパルブ型の
磁気抵抗効果膜が構成されている。ここで、反強磁性層
５２のＦｅＲｈＩｒは、Ｆｅ50Ｒｈ35Ｉｒ15の組成を有
している。
【００６１】なお、磁気抵抗効果膜を構成する各層は、
図１８に示す実施例と同様に、ＲＦスパッタリング法に
より形成されている。図２４は、ＣｒＭｏ（２０ｎｍ）
／ＦｅＲｈＩｒ（５０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（５ｎｍ）の積
層膜のＭ−Ｈ曲線を示す図である。図２４から明らかな
ように、本実施例においても反強磁性層と強磁性層の間
で大きな交換結合磁界が生じていることがわかる。
図１８に示す実施例と同様に、ＲＦスパッタリング法に
より形成されている。図２４は、ＣｒＭｏ（２０ｎｍ）
／ＦｅＲｈＩｒ（５０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（５ｎｍ）の積
層膜のＭ−Ｈ曲線を示す図である。図２４から明らかな
ように、本実施例においても反強磁性層と強磁性層の間
で大きな交換結合磁界が生じていることがわかる。
【００６２】図２５は、本発明の第８の局面に従う一実
施例の磁気抵抗効果素子を示す斜視図である。本実施例
の磁気抵抗効果素子においては、磁気抵抗効果膜１０の
両側に、磁気抵抗効果膜１０の磁区を制御するための磁
区制御膜２０がそれぞれ設けられている。この磁区制御
膜２０は、反強磁性層２４の上に強磁性層２５を積層し
た構造を有しており、さらに本実施例では反強磁性層２
４の下に下地層２３が設けられている。下地層２３と反
強磁性層２４は、ともに体心立方構造を有する材料から
形成されている。本実施例において、下地層２３は、Ｃ
ｒＭｏ層（膜厚２０ｎｍ）から形成され、反強磁性層２
４は、ＦｅＲｈＩｒ層（膜厚５０ｎｍ）から形成されて
いる。また強磁性層２５は、ＮｉＦｅ層（膜厚２０ｎ
ｍ）から形成されている。
施例の磁気抵抗効果素子を示す斜視図である。本実施例
の磁気抵抗効果素子においては、磁気抵抗効果膜１０の
両側に、磁気抵抗効果膜１０の磁区を制御するための磁
区制御膜２０がそれぞれ設けられている。この磁区制御
膜２０は、反強磁性層２４の上に強磁性層２５を積層し
た構造を有しており、さらに本実施例では反強磁性層２
４の下に下地層２３が設けられている。下地層２３と反
強磁性層２４は、ともに体心立方構造を有する材料から
形成されている。本実施例において、下地層２３は、Ｃ
ｒＭｏ層（膜厚２０ｎｍ）から形成され、反強磁性層２
４は、ＦｅＲｈＩｒ層（膜厚５０ｎｍ）から形成されて
いる。また強磁性層２５は、ＮｉＦｅ層（膜厚２０ｎ
ｍ）から形成されている。
【００６３】本実施例の磁区制御膜２０における反強磁
性層２４も、図１８に示す実施例及び図２３に示す実施
例と同様に、下地層２３によって（１００）面に配向し
ており、従って、強磁性層２５との間で大きな交換結合
磁界が生じている。従って、磁気抵抗効果膜１０に対し
大きなバイアス磁界を安定して与えることができ、より
良好な磁区制御を行うことができる。
性層２４も、図１８に示す実施例及び図２３に示す実施
例と同様に、下地層２３によって（１００）面に配向し
ており、従って、強磁性層２５との間で大きな交換結合
磁界が生じている。従って、磁気抵抗効果膜１０に対し
大きなバイアス磁界を安定して与えることができ、より
良好な磁区制御を行うことができる。
【００６４】また、磁気抵抗効果膜１０が、本発明の第
７の局面に従う磁気抵抗効果膜であり、体心立方構造を
有する材料から形成されている下地層の上に、体心立方
構造を有する材料から形成されている反強磁性層を積層
し、その上に強磁性層、非磁性導電層及び強磁性層を順
次積層したスピンバルブ型の磁気抵抗効果膜である場合
には、磁気抵抗効果膜１０の下地層と、磁区制御膜２０
の下地層２３とを同一の材料から形成し、さらに磁気抵
抗効果膜１０の反強磁性層と、磁区制御膜２０の反強磁
性層２４を同一の材料から形成させてもよい。この場
合、磁気抵抗効果膜１０と磁区制御膜２０の下地層及び
反強磁性層を同一の薄膜形成工程で形成することができ
るので、より簡易な工程で効率良く形成することができ
る。
７の局面に従う磁気抵抗効果膜であり、体心立方構造を
有する材料から形成されている下地層の上に、体心立方
構造を有する材料から形成されている反強磁性層を積層
し、その上に強磁性層、非磁性導電層及び強磁性層を順
次積層したスピンバルブ型の磁気抵抗効果膜である場合
には、磁気抵抗効果膜１０の下地層と、磁区制御膜２０
の下地層２３とを同一の材料から形成し、さらに磁気抵
抗効果膜１０の反強磁性層と、磁区制御膜２０の反強磁
性層２４を同一の材料から形成させてもよい。この場
合、磁気抵抗効果膜１０と磁区制御膜２０の下地層及び
反強磁性層を同一の薄膜形成工程で形成することができ
るので、より簡易な工程で効率良く形成することができ
る。
【００６５】また、第７及び第８の局面の磁気抵抗効果
膜において、反強磁性層が体心正方構造を有する材料か
ら形成された場合、及び反強磁性層の優先的に配向され
た結晶面が（００１）面である場合にも、上述と同様の
効果が得られる。
膜において、反強磁性層が体心正方構造を有する材料か
ら形成された場合、及び反強磁性層の優先的に配向され
た結晶面が（００１）面である場合にも、上述と同様の
効果が得られる。
【００６６】上記各実施例においては、磁気抵抗効果膜
及び磁区制御膜を構成する各層について具体的な材料を
例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
その他の材料を用いることができる。また、磁区制御膜
を具体的に例示していない実施例についても、通常、磁
気抵抗効果素子において用いられる縦バイアス層及び横
バイアス層などの磁区制御膜等を組み合わせて用いるこ
とができる。
及び磁区制御膜を構成する各層について具体的な材料を
例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
その他の材料を用いることができる。また、磁区制御膜
を具体的に例示していない実施例についても、通常、磁
気抵抗効果素子において用いられる縦バイアス層及び横
バイアス層などの磁区制御膜等を組み合わせて用いるこ
とができる。
【００６７】図２６は、本発明の第３の局面において反
強磁性層として用いるＦｅ50Ｒｈ50の腐食ピット発生確
率の測定結果を示している。サンプル膜は、上記と同様
に、シリコン基板上に、Ｃｏ層、ＮｉＦｅ層、及び測定
対象である反強磁性層をこの順序で積層することにより
作製した。図２６から明らかなように、反強磁性層とし
て用いるＦｅ50Ｒｈ50層は、従来のＦｅＭｎ層よりも耐
食性において著しく優れている。
強磁性層として用いるＦｅ50Ｒｈ50の腐食ピット発生確
率の測定結果を示している。サンプル膜は、上記と同様
に、シリコン基板上に、Ｃｏ層、ＮｉＦｅ層、及び測定
対象である反強磁性層をこの順序で積層することにより
作製した。図２６から明らかなように、反強磁性層とし
て用いるＦｅ50Ｒｈ50層は、従来のＦｅＭｎ層よりも耐
食性において著しく優れている。
【００６８】図２７は、本発明の第３の局面において反
強磁性層として用いるＦｅ50Ｒｈ35Ｉｒ15について腐食
ピット発生確率を測定した結果を示している。図２７か
ら明らかなように、反強磁性層として用いるＦｅ50Ｒｈ
35Ｉｒ15層は、従来のＦｅＭｎ層よりも耐食性において
著しく優れている。
強磁性層として用いるＦｅ50Ｒｈ35Ｉｒ15について腐食
ピット発生確率を測定した結果を示している。図２７か
ら明らかなように、反強磁性層として用いるＦｅ50Ｒｈ
35Ｉｒ15層は、従来のＦｅＭｎ層よりも耐食性において
著しく優れている。
【００６９】図２８は、本発明の第３の局面及び第７の
局面に従うさらに他の実施例の磁気抵抗効果膜を示す断
面図である。この実施例においては、ガラス基板１の上
に、体心立方構造を有する材料であるＣｒからなる下地
層１８（膜厚１０ｎｍ）が形成され、この下地層１８の
上に、体心立方構造を有する反強磁性材料であるＦｅＲ
ｈＰｔからなる反強磁性層６２（膜厚５０ｎｍ）が形成
されている。反強磁性層６２の上には、図１８に示す実
施例と同様に、ＮｉＦｅ層３、Ｃｏ層４、Ｃｕ層５、Ｃ
ｏ層６、及びＮｉＦｅ層７が積層され、スピンバルブ型
の磁気抵抗効果膜が構成されている。ここで、反強磁性
層６２に用いられるＦｅＲｈＰｔは、Ｆｅ50Ｒｈ35Ｐｔ
15の組成を有している。
局面に従うさらに他の実施例の磁気抵抗効果膜を示す断
面図である。この実施例においては、ガラス基板１の上
に、体心立方構造を有する材料であるＣｒからなる下地
層１８（膜厚１０ｎｍ）が形成され、この下地層１８の
上に、体心立方構造を有する反強磁性材料であるＦｅＲ
ｈＰｔからなる反強磁性層６２（膜厚５０ｎｍ）が形成
されている。反強磁性層６２の上には、図１８に示す実
施例と同様に、ＮｉＦｅ層３、Ｃｏ層４、Ｃｕ層５、Ｃ
ｏ層６、及びＮｉＦｅ層７が積層され、スピンバルブ型
の磁気抵抗効果膜が構成されている。ここで、反強磁性
層６２に用いられるＦｅＲｈＰｔは、Ｆｅ50Ｒｈ35Ｐｔ
15の組成を有している。
【００７０】図１８に示す実施例と同様に、体心立方構
造を有するＣｒ層１８の上に、体心立方構造を有するＦ
ｅＲｈＰｔ層を形成することにより、安定した良好な磁
気抵抗特性を得ることができる。
造を有するＣｒ層１８の上に、体心立方構造を有するＦ
ｅＲｈＰｔ層を形成することにより、安定した良好な磁
気抵抗特性を得ることができる。
【００７１】図２９は、本発明の第３の局面において、
反強磁性層として用いられるＦｅＲｈＰｔの腐食ピット
発生確率を測定した結果を示している。図２９から明ら
かなように、従来のＦｅＭｎ層に比べ、耐食性が著しく
向上している。
反強磁性層として用いられるＦｅＲｈＰｔの腐食ピット
発生確率を測定した結果を示している。図２９から明ら
かなように、従来のＦｅＭｎ層に比べ、耐食性が著しく
向上している。
【００７２】図３０は、本発明の第５の局面に従う一実
施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。図３０を参
照して、ガラス基板１の上に、体心立方構造を有する材
料であるＣｒからなる下地層１８（膜厚１０ｎｍ）が形
成されている。この下地層１８の上には、反強磁性材料
であるＣｒＡｌからなる反強磁性層７２（膜厚５０ｎ
ｍ）が形成されている。この反強磁性層７２の上には、
図１８に示す実施例と同様に、ＮｉＦｅ層３、Ｃｏ層
４、Ｃｕ層５、Ｃｏ層６、及びＮｉＦｅ層７が積層さ
れ、スピンバルブ型の磁気抵抗効果膜が構成されてい
る。ここで、反強磁性層７２のＣｒＡｌは、Ｃｒ60Ａｌ
40の組成を有している。図３０に示すように、本発明の
第５の局面におけるＣｒＡｌからなる反強磁性層は、Ｃ
ｒなどの体心立方構造を有する材料からなる下地層の上
に形成することが好ましい。このような下地層の上に形
成することにより、良好な結晶性を有する反強磁性層を
形成することができ、安定した良好な磁気抵抗特性を得
ることができる。
施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。図３０を参
照して、ガラス基板１の上に、体心立方構造を有する材
料であるＣｒからなる下地層１８（膜厚１０ｎｍ）が形
成されている。この下地層１８の上には、反強磁性材料
であるＣｒＡｌからなる反強磁性層７２（膜厚５０ｎ
ｍ）が形成されている。この反強磁性層７２の上には、
図１８に示す実施例と同様に、ＮｉＦｅ層３、Ｃｏ層
４、Ｃｕ層５、Ｃｏ層６、及びＮｉＦｅ層７が積層さ
れ、スピンバルブ型の磁気抵抗効果膜が構成されてい
る。ここで、反強磁性層７２のＣｒＡｌは、Ｃｒ60Ａｌ
40の組成を有している。図３０に示すように、本発明の
第５の局面におけるＣｒＡｌからなる反強磁性層は、Ｃ
ｒなどの体心立方構造を有する材料からなる下地層の上
に形成することが好ましい。このような下地層の上に形
成することにより、良好な結晶性を有する反強磁性層を
形成することができ、安定した良好な磁気抵抗特性を得
ることができる。
【００７３】図３１は、Ｃｒ60Ａｌ40からなる反強磁性
層の腐食ピット発生確率の測定結果を示している。図３
１から明らかなように、従来のＦｅＭｎ層に比べ、耐食
性が著しく向上している。
層の腐食ピット発生確率の測定結果を示している。図３
１から明らかなように、従来のＦｅＭｎ層に比べ、耐食
性が著しく向上している。
【００７４】図３２は、本発明の磁気抵抗効果膜が用い
られる磁気抵抗効果素子の構造を示す斜視図である。本
実施例の磁気抵抗効果素子においては、磁気抵抗効果膜
１０の両側に、図２５に示す実施例と同様に、磁区制御
膜２０がそれぞれ設けられている。さらに、図３２は、
この磁区制御膜２０の上に電極３０が設けられた状態を
示している。電極３０は、磁気抵抗効果膜に電流を供給
すると共に、電圧を読み取るため設けられる電極であ
る。ここで、電極３０はＣｕから形成されている。
られる磁気抵抗効果素子の構造を示す斜視図である。本
実施例の磁気抵抗効果素子においては、磁気抵抗効果膜
１０の両側に、図２５に示す実施例と同様に、磁区制御
膜２０がそれぞれ設けられている。さらに、図３２は、
この磁区制御膜２０の上に電極３０が設けられた状態を
示している。電極３０は、磁気抵抗効果膜に電流を供給
すると共に、電圧を読み取るため設けられる電極であ
る。ここで、電極３０はＣｕから形成されている。
【００７５】以上のようにして、基板上に磁気抵抗効果
膜１０及び磁区制御膜２０等を形成した後、図３２にＡ
で示すエアー・ベアリング・サーフェイス（ＡＢＳ）に
相当する面が研磨される。一般に、耐食性の低い反強磁
性層を用いると、この研磨工程において反強磁性層が腐
食する。本発明の第３の局面におけるＦｅＲｈ系合金か
らなる反強磁性層及び第５の局面におけるＣｒＡｌ系合
金からなる反強磁性層は、このような研磨工程において
も腐食ピットが発生せず、実用性のある優れた耐食性を
発揮する。
膜１０及び磁区制御膜２０等を形成した後、図３２にＡ
で示すエアー・ベアリング・サーフェイス（ＡＢＳ）に
相当する面が研磨される。一般に、耐食性の低い反強磁
性層を用いると、この研磨工程において反強磁性層が腐
食する。本発明の第３の局面におけるＦｅＲｈ系合金か
らなる反強磁性層及び第５の局面におけるＣｒＡｌ系合
金からなる反強磁性層は、このような研磨工程において
も腐食ピットが発生せず、実用性のある優れた耐食性を
発揮する。
【００７６】図３３は、本発明の第６の局面に従う一実
施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。本実施例に
おいては、ガラス基板４３の上に、下地層４４としての
Ｔａ層（膜厚６．５ｎｍ）が形成され、この下地層４４
の上に、強磁性層４５であるＣｏ層（膜厚５ｎｍ）、非
磁性導電層４６であるＣｕ層（膜厚２．５ｎｍ）、及び
強磁性層４７であるＣｏ層（膜厚３ｎｍ）が形成されて
いる。この強磁性層４７の上に、反強磁性層４８である
ＩｒＭｎＣｏ層（膜厚１５ｎｍ）が形成されている。こ
の反強磁性層４８の上に、保護層４９としてのＴａ層
（膜厚５ｎｍ）が形成されている。
施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図である。本実施例に
おいては、ガラス基板４３の上に、下地層４４としての
Ｔａ層（膜厚６．５ｎｍ）が形成され、この下地層４４
の上に、強磁性層４５であるＣｏ層（膜厚５ｎｍ）、非
磁性導電層４６であるＣｕ層（膜厚２．５ｎｍ）、及び
強磁性層４７であるＣｏ層（膜厚３ｎｍ）が形成されて
いる。この強磁性層４７の上に、反強磁性層４８である
ＩｒＭｎＣｏ層（膜厚１５ｎｍ）が形成されている。こ
の反強磁性層４８の上に、保護層４９としてのＴａ層
（膜厚５ｎｍ）が形成されている。
【００７７】本発明の第６の局面においては、耐食性が
良好でないＩｒＭｎ合金に、Ｃｏを添加することにより
耐食性を向上させている。Ｃｏの添加量としては、３０
原子％以下が好ましく、さらに好ましくは０．１〜２０
原子％である。
良好でないＩｒＭｎ合金に、Ｃｏを添加することにより
耐食性を向上させている。Ｃｏの添加量としては、３０
原子％以下が好ましく、さらに好ましくは０．１〜２０
原子％である。
【００７８】図３４は、ポテンシオスタットを用いて測
定した反強磁性膜の電流−電位曲線を示す図である。図
３４には、Ｉｒ25Ｍｎ75合金に、Ｃｏを添加していない
反強磁性層、１原子％添加した反強磁性層、５原子％添
加した反強磁性層、１０原子％添加した反強磁性層につ
いての測定結果が示されている。なお、測定用のサンプ
ル膜は、ガラス基板上に１００Åの反強磁性層を形成し
たものを用いた。図３４から明らかなように、Ｃｏの添
加量が増加するにつれて腐食電位が高くなっており、耐
食性が向上していることがわかる。
定した反強磁性膜の電流−電位曲線を示す図である。図
３４には、Ｉｒ25Ｍｎ75合金に、Ｃｏを添加していない
反強磁性層、１原子％添加した反強磁性層、５原子％添
加した反強磁性層、１０原子％添加した反強磁性層につ
いての測定結果が示されている。なお、測定用のサンプ
ル膜は、ガラス基板上に１００Åの反強磁性層を形成し
たものを用いた。図３４から明らかなように、Ｃｏの添
加量が増加するにつれて腐食電位が高くなっており、耐
食性が向上していることがわかる。
【００７９】図３５は、Ｉｒ25Ｍｎ75合金にＣｏを１０
原子％添加した（Ｉｒ25Ｍｎ75）90Ｃｏ10を、反強磁性
層４８として用いた図３３に示す磁気抵抗効果膜のＭＲ
特性を示す図である。また、図３６は、Ｉｒ25Ｍｎ75を
反強磁性層として用いた比較の磁気抵抗効果膜のＭＲ特
性を示す図である。
原子％添加した（Ｉｒ25Ｍｎ75）90Ｃｏ10を、反強磁性
層４８として用いた図３３に示す磁気抵抗効果膜のＭＲ
特性を示す図である。また、図３６は、Ｉｒ25Ｍｎ75を
反強磁性層として用いた比較の磁気抵抗効果膜のＭＲ特
性を示す図である。
【００８０】図３５及び図３６の比較から明らかなよう
に、本発明の第６の局面に従えば、磁気抵抗特性が低下
することなく、耐食性を大幅に向上させることができ
る。図３３に示す実施例では、強磁性層／非磁性導電層
／強磁性層／反強磁性層の順に積層しているが、この積
層順序を逆にし、反強磁性層／強磁性層／非磁性導電層
／強磁性層の順で積層してもよい。また、反強磁性層／
強磁性層／非磁性導電層／強磁性層／非磁性導電層／強
磁性層／反強磁性層などのデュアル型の積層構造として
もよい。
に、本発明の第６の局面に従えば、磁気抵抗特性が低下
することなく、耐食性を大幅に向上させることができ
る。図３３に示す実施例では、強磁性層／非磁性導電層
／強磁性層／反強磁性層の順に積層しているが、この積
層順序を逆にし、反強磁性層／強磁性層／非磁性導電層
／強磁性層の順で積層してもよい。また、反強磁性層／
強磁性層／非磁性導電層／強磁性層／非磁性導電層／強
磁性層／反強磁性層などのデュアル型の積層構造として
もよい。
【００８１】
【発明の効果】本発明の磁気抵抗効果膜は、耐食性に優
れた反強磁性材料を用いて反強磁性層を形成しているの
で、従来のＦｅＭｎ層を反強磁性層とする磁気抵抗効果
膜に比べ、著しく優れた耐食性を発揮する。
れた反強磁性材料を用いて反強磁性層を形成しているの
で、従来のＦｅＭｎ層を反強磁性層とする磁気抵抗効果
膜に比べ、著しく優れた耐食性を発揮する。
【００８２】また本発明の第１の局面及び第４の局面に
従う磁気抵抗効果膜は、ネール温度の高い反強磁性材料
を用いているので、耐熱性においても従来の磁気抵抗効
果素子に比べ優れている。
従う磁気抵抗効果膜は、ネール温度の高い反強磁性材料
を用いているので、耐熱性においても従来の磁気抵抗効
果素子に比べ優れている。
【００８３】また本発明の第７の局面に従う磁気抵抗効
果膜は、反強磁性層の下に下地層を設け、下地層を立方
体心構造を有する材料から形成し、反強磁性層を体心立
方構造または体心正方構造を有する材料から形成してい
るので、反強磁性層が強磁性層と大きな交換結合磁界を
生じるようにその結晶面を配向させることができ、安定
した良好な磁気抵抗特性を発揮することができる。
果膜は、反強磁性層の下に下地層を設け、下地層を立方
体心構造を有する材料から形成し、反強磁性層を体心立
方構造または体心正方構造を有する材料から形成してい
るので、反強磁性層が強磁性層と大きな交換結合磁界を
生じるようにその結晶面を配向させることができ、安定
した良好な磁気抵抗特性を発揮することができる。
【００８４】また本発明の第８の局面に従う磁気抵抗効
果素子においては、磁区制御膜の反強磁性層に下地層を
設け、下地層を体心立方構造を有する材料から形成し、
反強磁性層を体心立方構造または体心正方構造を有する
材料から形成しているので、磁気抵抗効果膜に対し安定
したバイアス磁界を与えることができ、より良好な磁区
制御を行うことができる。
果素子においては、磁区制御膜の反強磁性層に下地層を
設け、下地層を体心立方構造を有する材料から形成し、
反強磁性層を体心立方構造または体心正方構造を有する
材料から形成しているので、磁気抵抗効果膜に対し安定
したバイアス磁界を与えることができ、より良好な磁区
制御を行うことができる。
【図１】本発明の第１の局面に従う一実施例の磁気抵抗
効果膜を示す断面図。
効果膜を示す断面図。
【図２】本発明の第１の局面に従う他の実施例の磁気抵
抗効果膜を示す断面図。
抗効果膜を示す断面図。
【図３】本発明の第１の局面に従う実施例において用い
られる反強磁性層の耐食性を示す図。
られる反強磁性層の耐食性を示す図。
【図４】本発明の第１の局面に従う実施例において用い
られる反強磁性層の耐食性を示す図。
られる反強磁性層の耐食性を示す図。
【図５】本発明の第１の局面に従う実施例において用い
られる反強磁性層の耐食性を示す図。
られる反強磁性層の耐食性を示す図。
【図６】本発明の第２の局面に従う一実施例の磁気抵抗
効果膜を示す断面図。
効果膜を示す断面図。
【図７】本発明の第２の局面に従う他の実施例の磁気抵
抗効果膜を示す断面図。
抗効果膜を示す断面図。
【図８】本発明の第２の局面に従う実施例において用い
られる反強磁性層の耐食性を示す図。
られる反強磁性層の耐食性を示す図。
【図９】本発明の第２の局面に従う実施例において用い
られる反強磁性層の耐食性を示す図。
られる反強磁性層の耐食性を示す図。
【図１０】本発明の第３の局面に従う一実施例の磁気抵
抗効果膜を示す断面図。
抗効果膜を示す断面図。
【図１１】本発明の第３の局面に従う他の実施例の磁気
抵抗効果膜を示す断面図。
抵抗効果膜を示す断面図。
【図１２】本発明の第３の局面に従う実施例において用
いられる反強磁性層の耐食性を示す図。
いられる反強磁性層の耐食性を示す図。
【図１３】本発明の第４の局面に従う一実施例の磁気抵
抗効果膜を示す断面図。
抗効果膜を示す断面図。
【図１４】本発明の第４の局面に従う他の実施例の磁気
抵抗効果膜を示す断面図。
抵抗効果膜を示す断面図。
【図１５】本発明の第４の局面に従う実施例において用
いられる反強磁性層の耐食性を示す図。
いられる反強磁性層の耐食性を示す図。
【図１６】ポンテシオスタットを用いて測定した反強磁
性膜の電流−電位曲線を示す図。
性膜の電流−電位曲線を示す図。
【図１７】各反強磁性膜の腐食電位を示す図。
【図１８】本発明の第３の局面及び第７の局面に従う一
実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図。
実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図。
【図１９】図１８に示す実施例のＸ線回折パターンを示
す図。
す図。
【図２０】比較例の磁気抵抗効果膜のＸ線回折パターン
を示す図。
を示す図。
【図２１】Ｃｒ／ＦｅＲｈ／ＮｉＦｅの積層膜のＭ−Ｈ
曲線を示す図。
曲線を示す図。
【図２２】比較例の磁気抵抗効果膜のＭ−Ｈ曲線を示す
図。
図。
【図２３】本発明の第３の局面及び第７の局面に従う他
の実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図。
の実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図。
【図２４】ＣｒＭｏ／ＦｅＲｈＩｒ／ＮｉＦｅの積層膜
のＭ−Ｈ曲線を示す図。
のＭ−Ｈ曲線を示す図。
【図２５】本発明の第８の局面に従う一実施例の磁気抵
抗効果素子を示す断面図。
抗効果素子を示す断面図。
【図２６】本発明の第３の局面に従うさらに他の実施例
において用いられる反強磁性層の耐食性を示す図。
において用いられる反強磁性層の耐食性を示す図。
【図２７】本発明の第３の局面に従うさらに他の実施例
において用いられる反強磁性層の耐食性を示す図。
において用いられる反強磁性層の耐食性を示す図。
【図２８】本発明の第３の局面及び第７の局面に従うさ
らに他の実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図。
らに他の実施例の磁気抵抗効果膜を示す断面図。
【図２９】本発明の第３の局面に従うさらに他の実施例
において用いられる反強磁性層の耐食性を示す図。
において用いられる反強磁性層の耐食性を示す図。
【図３０】本発明の第５の局面に従う一実施例の磁気抵
抗効果膜を示す断面図。
抗効果膜を示す断面図。
【図３１】本発明の第５の局面に従う一実施例において
用いられる反強磁性層の耐食性を示す図。
用いられる反強磁性層の耐食性を示す図。
【図３２】本発明の磁気抵抗効果膜が用いられる磁気抵
抗効果素子の構造を示す斜視図。
抗効果素子の構造を示す斜視図。
【図３３】本発明の第６の局面に従う一実施例の磁気抵
抗効果膜を示す断面図。
抗効果膜を示す断面図。
【図３４】ポテンシオスタットを用いて測定した反強磁
性膜の電流−電位曲線を示す図。
性膜の電流−電位曲線を示す図。
【図３５】本発明の第６の局面に従う一実施例のＭＲ特
性を示す図。
性を示す図。
【図３６】比較の磁気抵抗効果膜のＭＲ特性を示す図。
１…基板 ２，１２，２２，３２，４２，５２，６２，７２…反強
磁性層 ３，７…ＮｉＦｅ層 ４，６…Ｃｏ層 ５…Ｃｕ層 ８，１８，２８…下地層 １０…磁気抵抗効果膜 ２０…磁区制御膜 ２３…下地層 ２４…反強磁性層 ２５…強磁性層 ４３…基板 ４４…下地層 ４５…強磁性層 ４６…非磁性導電層 ４７…強磁性層 ４８…反強磁性層 ４９…保護層
磁性層 ３，７…ＮｉＦｅ層 ４，６…Ｃｏ層 ５…Ｃｕ層 ８，１８，２８…下地層 １０…磁気抵抗効果膜 ２０…磁区制御膜 ２３…下地層 ２４…反強磁性層 ２５…強磁性層 ４３…基板 ４４…下地層 ４５…強磁性層 ４６…非磁性導電層 ４７…強磁性層 ４８…反強磁性層 ４９…保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山野 耕治 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 久米 実 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (29)
- 【請求項１】 反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層、
及び強磁性層をこの順序でまたは逆の順序で積層した積
層構造を有する磁気抵抗効果膜において、 前記反強磁性層を、アンチモン系合金の反強磁性材料か
ら形成したことを特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項２】 前記アンチモン系合金の反強磁性材料
が、ＣｒＳｂ、ＦｅＳｂ2 、または（Ｍｎx Ｃｒ1-x ）
y Ｓｂ100-y （０≦ｘ≦０．３、４０≦ｙ≦６０）であ
る請求項１に記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項３】 前記アンチモン系合金の反強磁性材料
が、（Ｍｎx Ｃｒ1-x）50Ｓｂ50（０≦ｘ≦０．３）で
ある請求項２に記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項４】 反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層、
及び強磁性層をこの順序でまたは逆の順序で積層した積
層構造を有する磁気抵抗効果膜において、 前記反強磁性層を、フッ化物の反強磁性材料から形成し
たことを特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項５】 前記フッ化物の反強磁性材料が、ＣｏＦ
3 またはＦｅＦ3 である請求項４に記載の磁気抵抗効果
膜。 - 【請求項６】 反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層、
及び強磁性層をこの順序でまたは逆の順序で積層した積
層構造を有する磁気抵抗効果膜において、 前記反強磁性層を、ＦｅＲｈ系合金から形成したことを
特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項７】 前記ＦｅＲｈ系合金が、Ｆｅx Ｒｈ
100-x （４０≦ｘ≦６０）であることを特徴とする請求
項６に記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項８】 前記ＦｅＲｈ系合金が、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐ
ｄ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、
及びＯｓからなるグループより選ばれる少なくとも１種
の金属元素を含むことを特徴とする請求項６に記載の磁
気抵抗効果膜。 - 【請求項９】 前記ＦｅＲｈ系合金が、Ｆｅx （Ｒｈ
1-y Ｐｔy ）100-x （４０≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦０．
５）である請求項６に記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項１０】 前記ＦｅＲｈ系合金が、Ｆｅx （Ｒｈ
1-y Ｉｒy ）100-x（４０≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦０．
５）である請求項６に記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項１１】 前記ＦｅＲｈ系合金が、Ｆｅx （Ｒｈ
1-y Ｐｄy ）100-x（４０≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦０．
５）である請求項６に記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項１２】 反強磁性層、強磁性層、非磁性導電
層、及び強磁性層をこの順序でまたは逆の順序で積層し
た積層構造を有する磁気抵抗効果膜において、 前記反強磁性層を、ＦｅＲｈまたはＦｅ50Ｒｈ50-xＰｄ
x （ｘ≦３０）から形成したことを特徴とする磁気抵抗
効果膜。 - 【請求項１３】 反強磁性層、強磁性層、非磁性導電
層、及び強磁性層をこの順序でまたは逆の順序で積層し
た積層構造を有する磁気抵抗効果膜において、 前記反強磁性層を、ＦｅＳから形成したことを特徴とす
る磁気抵抗効果膜。 - 【請求項１４】 反強磁性層、強磁性層、非磁性導電
層、及び強磁性層をこの順序でまたは逆の順序で積層し
た積層構造を有する磁気抵抗効果膜において、 前記反強磁性層を、ＩｒＭｎＣｏ系合金から形成したこ
とを特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項１５】 前記ＩｒＭｎＣｏ系合金が、（ＩｒＭ
ｎ）100-x Ｃｏx （０＜ｘ≦３０）である請求項１４に
記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項１６】 前記ＩｒＭｎＣｏ系合金が、（Ｉｒ25
Ｍｎ75）100-x Ｃｏ x （０＜ｘ≦３０）である請求項１
５に記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項１７】 反強磁性層、強磁性層、非磁性導電
層、及び強磁性層をこの順序でまたは逆の順序で積層し
た積層構造を有する磁気抵抗効果膜において、 前記反強磁性層を、ＣｒＡｌ系合金から形成したことを
特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項１８】 前記ＣｒＡｌ系合金が、Ｃｒx Ａｌ
100-x （５０≦ｘ≦８０）である請求項１７に記載の磁
気抵抗効果膜。 - 【請求項１９】前記反強磁性層の下地層として、周期律
表IVａ族、Ｖａ族、及びVIａ族のうちの少なくとも１種
の金属層またはｂｃｃ系の結晶構造を有する金属層が設
けられている請求項１〜１８のいずれか１項に記載の磁
気抵抗効果膜。 - 【請求項２０】 前記強磁性層がＮｉＦｅ層とＣｏ層の
積層膜である請求項１〜１９のいずれか１項に記載の磁
気抵抗効果膜。 - 【請求項２１】 前記非磁性導電層がＣｕ層である請求
項１〜２０のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項２２】 反強磁性層、強磁性層、非磁性導電
層、及び強磁性層をこの順序で積層した磁気抵抗効果膜
において、 前記反強磁性層の下に下地層が設けられており、該下地
層が体心立方構造を有する材料から形成され、前記反強
磁性層が体心立方構造または体心正方構造を有する材料
から形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項２３】 前記下地層が、Ｃｒ、またはＣｒと、
Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｗ、Ｖ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｃｓ及
びＲｂから選ばれる少なくとも１種の元素との合金、あ
るいはＴａ、またはＴａと、Ｚｒ及びＮｂから選ばれる
少なくとも１種の元素との合金から形成されている請求
項２２に記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項２４】 前記反強磁性層が、Ｆｅ、Ｍｎ、及び
Ｃｒから選ばれる少なくとも１種の元素と、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｓｂ、及びＦから選ばれ
る少なくとも１種の元素との合金から形成されている請
求項２２または２３に記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項２５】 前記下地層の優先的に配向された結晶
面が（１００）面である請求項２２〜２４のいずれか１
項に記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項２６】 前記反強磁性層の優先的に配向された
結晶面が（１００）面または（００１）面である請求項
２２〜２５のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果膜。 - 【請求項２７】 前記下地層がＣｒから形成されてお
り、前記反強磁性層がＦｅＲｈ系合金から形成されてい
る請求項２２〜２６のいずれか１項に記載の磁気抵抗効
果膜。 - 【請求項２８】 磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜
の磁区を制御するための磁区制御膜とを備える磁気抵抗
効果素子であって、 前記磁区制御膜が反強磁性層と強磁性層を積層した構造
を有し、該反強磁性層の下に下地層が設けられており、
該下地層が体心立方構造を有する材料から形成され、該
反強磁性層が体心立方構造または体心正方構造を有する
材料から形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果
素子。 - 【請求項２９】 前記磁気抵抗効果膜が請求項２２〜２
７のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果膜であり、前記
磁気抵抗効果膜の下地層と前記磁区制御膜の下地層が同
一の材料から形成され、かつ前記磁気抵抗効果膜の反強
磁性層と前記磁区制御膜の反強磁性層が同一の材料から
形成されている請求項２８に記載の磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9310579A JPH1174123A (ja) | 1996-11-18 | 1997-11-12 | 磁気抵抗効果膜 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-306736 | 1996-11-18 | ||
| JP30673696 | 1996-11-18 | ||
| JP9-171781 | 1997-06-27 | ||
| JP17178197 | 1997-06-27 | ||
| JP9310579A JPH1174123A (ja) | 1996-11-18 | 1997-11-12 | 磁気抵抗効果膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174123A true JPH1174123A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=27323529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9310579A Withdrawn JPH1174123A (ja) | 1996-11-18 | 1997-11-12 | 磁気抵抗効果膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1174123A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6710985B2 (en) | 2000-06-14 | 2004-03-23 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive film, magnetoresistive head, and information regeneration apparatus |
| JP2009081215A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ |
| US10651371B2 (en) | 2017-02-07 | 2020-05-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic element, pressure sensor, magnetic head and magnetic memory |
-
1997
- 1997-11-12 JP JP9310579A patent/JPH1174123A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6710985B2 (en) | 2000-06-14 | 2004-03-23 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive film, magnetoresistive head, and information regeneration apparatus |
| JP2009081215A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ |
| US10651371B2 (en) | 2017-02-07 | 2020-05-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic element, pressure sensor, magnetic head and magnetic memory |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040806 |