JPH1173907A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH1173907A JPH1173907A JP9235205A JP23520597A JPH1173907A JP H1173907 A JPH1173907 A JP H1173907A JP 9235205 A JP9235205 A JP 9235205A JP 23520597 A JP23520597 A JP 23520597A JP H1173907 A JPH1173907 A JP H1173907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion implantation
- disk
- ion
- current
- ions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加速部におけるイオンビームの損失を回避
し、高電流イオン注入装置として用いることが可能とな
り、１台の装置で高エネルギーイオン注入と高電流イオ
ン注入の双方に対応することのできるイオン注入装置を
提供する。 【解決手段】 所定の物質をイオン化し加速するイオン
ソース部１と、イオン化された複数種のイオンから必要
なイオンのみを選択する質量分析部２と、選択されたイ
オンをさらに加速する加速部３と、さらに加速されたイ
オンを注入する試料を装填するためのディスクを収納す
る試料収納用のディスクチャンバーとを備え、質量分析
部２と加速部３との間に高電流イオン注入用のディスク
チャンバー１１を設け、前記試料収納用のディスクチャ
ンバーを高エネルギーイオン注入用のディスクチャンバ
ー４としたことを特徴とする。
し、高電流イオン注入装置として用いることが可能とな
り、１台の装置で高エネルギーイオン注入と高電流イオ
ン注入の双方に対応することのできるイオン注入装置を
提供する。 【解決手段】 所定の物質をイオン化し加速するイオン
ソース部１と、イオン化された複数種のイオンから必要
なイオンのみを選択する質量分析部２と、選択されたイ
オンをさらに加速する加速部３と、さらに加速されたイ
オンを注入する試料を装填するためのディスクを収納す
る試料収納用のディスクチャンバーとを備え、質量分析
部２と加速部３との間に高電流イオン注入用のディスク
チャンバー１１を設け、前記試料収納用のディスクチャ
ンバーを高エネルギーイオン注入用のディスクチャンバ
ー４としたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入装置に
係り、特に、高エネルギーのイオン及び高電流のイオン
を注入する際に用いて好適なイオン注入装置に関するも
のである。
係り、特に、高エネルギーのイオン及び高電流のイオン
を注入する際に用いて好適なイオン注入装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来の高エネルギーイオン注入
装置を示す概略構成図であり、図において、１はイオン
ソース部、２は質量分析部、３はＲＦ線形加速器（加速
部）、４は高エネルギーイオン注入用のディスクチャン
バー、５はディスクチャンバー４に内蔵され図示しない
シリコンウェハ（以下、ウェハとも称する）を装填する
ディスクである。
装置を示す概略構成図であり、図において、１はイオン
ソース部、２は質量分析部、３はＲＦ線形加速器（加速
部）、４は高エネルギーイオン注入用のディスクチャン
バー、５はディスクチャンバー４に内蔵され図示しない
シリコンウェハ（以下、ウェハとも称する）を装填する
ディスクである。
【０００３】このディスク５には、その前段（イオン入
射側）に図示しないフラグファラデーが、その後段（イ
オン出射側）に図示しないディスクファラデーがそれぞ
れ設けられており、しかも、このディスク５には、ディ
スクファラデーにイオンビームの一部がすり抜けるため
の図示しない細長いスリットが１箇所に形成されてい
る。
射側）に図示しないフラグファラデーが、その後段（イ
オン出射側）に図示しないディスクファラデーがそれぞ
れ設けられており、しかも、このディスク５には、ディ
スクファラデーにイオンビームの一部がすり抜けるため
の図示しない細長いスリットが１箇所に形成されてい
る。
【０００４】この装置では、イオンソース部１で最大９
０ｋｅＶ程度に加速された複数種のイオンが、質量分析
部２で目的のイオンのみ取り出され、ＲＦ線形加速器３
で数百ｋｅＶに加速される。この加速されたイオンビー
ムは、ディスクチャンバー４内のディスク５上のウェハ
に注入される。ディスク５が高速回転しながらイオンビ
ームに対し上下方向に往復スキャンを繰り返すことで、
ディスク５上に装填された全てのウェハに均一にイオン
を注入する。
０ｋｅＶ程度に加速された複数種のイオンが、質量分析
部２で目的のイオンのみ取り出され、ＲＦ線形加速器３
で数百ｋｅＶに加速される。この加速されたイオンビー
ムは、ディスクチャンバー４内のディスク５上のウェハ
に注入される。ディスク５が高速回転しながらイオンビ
ームに対し上下方向に往復スキャンを繰り返すことで、
ディスク５上に装填された全てのウェハに均一にイオン
を注入する。
【０００５】また、このディスクでは、フラグファラデ
ーによりイオンビーム調整時のビーム電流をモニターす
るとともに、ディスクファラデーによりイオン注入中の
ビーム電流をリアルタイムでモニターし、ウェハに注入
されるイオンドーズ量（打ち込み量）をコントロールし
ている。
ーによりイオンビーム調整時のビーム電流をモニターす
るとともに、ディスクファラデーによりイオン注入中の
ビーム電流をリアルタイムでモニターし、ウェハに注入
されるイオンドーズ量（打ち込み量）をコントロールし
ている。
【０００６】一方、従来の高電流イオン注入装置は、上
述した高エネルギーイオン注入装置からＲＦ線形加速器
３を取り去った構造と等しく、その動作は、イオンビー
ムが数百ｋｅＶに加速される点以外は、前記高エネルギ
ーイオン注入装置と全く同様である。
述した高エネルギーイオン注入装置からＲＦ線形加速器
３を取り去った構造と等しく、その動作は、イオンビー
ムが数百ｋｅＶに加速される点以外は、前記高エネルギ
ーイオン注入装置と全く同様である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の高エネルギーイ
オン注入装置の問題点は、その構造が高電流イオン注入
装置とほとんど同じであるにもかかわらず、高電流イオ
ン注入装置として利用できない点である。その理由は、
イオンビームが正のイオンの集合体であるために、イオ
ン同士が互いに反発しあい、拡散してしまうために、ウ
ェハに到達するまでにイオンビームの大部分が失われて
しまうためである。
オン注入装置の問題点は、その構造が高電流イオン注入
装置とほとんど同じであるにもかかわらず、高電流イオ
ン注入装置として利用できない点である。その理由は、
イオンビームが正のイオンの集合体であるために、イオ
ン同士が互いに反発しあい、拡散してしまうために、ウ
ェハに到達するまでにイオンビームの大部分が失われて
しまうためである。
【０００８】そこで、大電流のイオンビームが必要な場
合には、イオンソース部１からウェハまでの距離が短い
装置を用意する必要があるが、高エネルギーイオン注入
装置のＲＦ線形加速器３の長さは２ｍもあり、イオンビ
ームはこのＲＦ線形加速器３を通過するだけで１／４に
減少してしまい、ビーム電流の損失が大きく、大電流の
イオンビームを得ることが非常に難しい。
合には、イオンソース部１からウェハまでの距離が短い
装置を用意する必要があるが、高エネルギーイオン注入
装置のＲＦ線形加速器３の長さは２ｍもあり、イオンビ
ームはこのＲＦ線形加速器３を通過するだけで１／４に
減少してしまい、ビーム電流の損失が大きく、大電流の
イオンビームを得ることが非常に難しい。
【０００９】図７はＲＦ線形加速器３の前段（イオン入
射側）と後段（イオン出射側）との間のビーム電流の損
失特性を示すグラフである。例えば、高エネルギーイオ
ン注入の際に、ウェハへのイオン注入に必要なビーム電
流を２００μＡとした場合、イオンビームの損失を考慮
すると、ＲＦ線形加速器３の前段までに８００μＡのビ
ーム電流が必要となる。同様に、必要なビーム電流を１
００μＡとした場合、ＲＦ線形加速器３の前段までに４
００μＡのビーム電流が必要となる。
射側）と後段（イオン出射側）との間のビーム電流の損
失特性を示すグラフである。例えば、高エネルギーイオ
ン注入の際に、ウェハへのイオン注入に必要なビーム電
流を２００μＡとした場合、イオンビームの損失を考慮
すると、ＲＦ線形加速器３の前段までに８００μＡのビ
ーム電流が必要となる。同様に、必要なビーム電流を１
００μＡとした場合、ＲＦ線形加速器３の前段までに４
００μＡのビーム電流が必要となる。
【００１０】一般的な高電流イオン注入の場合、ビーム
電流は３〜１０ｍＡ程度であるが、この高エネルギーイ
オン注入装置を用いた場合、ＲＦ線形加速器３の前段ま
でに１２〜４０ｍＡものビーム電流が必要となる。した
がって、このままでは高電流イオン注入工程での使用は
不可能である。
電流は３〜１０ｍＡ程度であるが、この高エネルギーイ
オン注入装置を用いた場合、ＲＦ線形加速器３の前段ま
でに１２〜４０ｍＡものビーム電流が必要となる。した
がって、このままでは高電流イオン注入工程での使用は
不可能である。
【００１１】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であって、加速部におけるイオンビームの損失を回避
し、高電流イオン注入装置として用いることが可能とな
り、したがって、１台の装置で高エネルギーイオン注入
と高電流イオン注入の双方に対応することのできるイオ
ン注入装置を提供することにある。
であって、加速部におけるイオンビームの損失を回避
し、高電流イオン注入装置として用いることが可能とな
り、したがって、１台の装置で高エネルギーイオン注入
と高電流イオン注入の双方に対応することのできるイオ
ン注入装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】一般に、イオン注入装置
は、１台あたり数億円程度するために大変高価であり、
これまでの様に、中電流イオン注入工程、高電流イオン
注入工程、高エネルギーイオン注入工程と、各工程別に
それぞれの装置を購入するのはコスト的な負担が大き
く、製造原価を押し上げる要因になる。
は、１台あたり数億円程度するために大変高価であり、
これまでの様に、中電流イオン注入工程、高電流イオン
注入工程、高エネルギーイオン注入工程と、各工程別に
それぞれの装置を購入するのはコスト的な負担が大き
く、製造原価を押し上げる要因になる。
【００１３】そこで、本発明者は、上記課題を解決する
ために、多用途に対応可能なイオン注入装置ができれば
設備投資コストを大きく削減することができるばかりで
なく、生産ラインで絶えず変化する工程別の製品の仕掛
かりの多少にも柔軟に対応することができると考え、次
の様なイオン注入装置を提供する。
ために、多用途に対応可能なイオン注入装置ができれば
設備投資コストを大きく削減することができるばかりで
なく、生産ラインで絶えず変化する工程別の製品の仕掛
かりの多少にも柔軟に対応することができると考え、次
の様なイオン注入装置を提供する。
【００１４】すなわち、請求項１記載のイオン注入装置
は、所定の物質をイオン化し加速するイオンソース部
と、イオン化された複数種のイオンから必要なイオンの
みを選択する質量分析部と、選択されたイオンをさらに
加速する加速部と、さらに加速されたイオンを注入する
試料を装填するためのディスクを収納する試料収納用の
ディスクチャンバーとを備え、前記質量分析部と前記加
速部との間に高電流イオン注入用のディスクチャンバー
を設け、前記試料収納用のディスクチャンバーを高エネ
ルギーイオン注入用のディスクチャンバーとしたもので
ある。
は、所定の物質をイオン化し加速するイオンソース部
と、イオン化された複数種のイオンから必要なイオンの
みを選択する質量分析部と、選択されたイオンをさらに
加速する加速部と、さらに加速されたイオンを注入する
試料を装填するためのディスクを収納する試料収納用の
ディスクチャンバーとを備え、前記質量分析部と前記加
速部との間に高電流イオン注入用のディスクチャンバー
を設け、前記試料収納用のディスクチャンバーを高エネ
ルギーイオン注入用のディスクチャンバーとしたもので
ある。
【００１５】請求項２記載のイオン注入装置は、前記高
電流イオン注入用のディスクチャンバーに収納され、イ
オンを注入する試料を装填するためのディスクに、スリ
ットを形成したものである。
電流イオン注入用のディスクチャンバーに収納され、イ
オンを注入する試料を装填するためのディスクに、スリ
ットを形成したものである。
【００１６】請求項３記載のイオン注入装置は、前記高
電流イオン注入用のディスクチャンバーのイオン入射側
及びイオン出射側それぞれにファラデーを設けたもので
ある。
電流イオン注入用のディスクチャンバーのイオン入射側
及びイオン出射側それぞれにファラデーを設けたもので
ある。
【００１７】本発明のイオン注入装置では、前記質量分
析部と前記加速部との間に高電流イオン注入用のディス
クチャンバーを設け、前記試料収納用のディスクチャン
バーを高エネルギーイオン注入用のディスクチャンバー
としたことにより、前記高電流イオン注入用のディスク
チャンバーをイオンビームが貫通する状態とすること
で、本装置を高エネルギーイオン注入装置として用いる
ことが可能になり、一方、前記高電流イオン注入用のデ
ィスクチャンバーを用いることで、加速部におけるイオ
ンビーム損失が回避され、本装置を高電流イオン注入装
置として用いることが可能になる。
析部と前記加速部との間に高電流イオン注入用のディス
クチャンバーを設け、前記試料収納用のディスクチャン
バーを高エネルギーイオン注入用のディスクチャンバー
としたことにより、前記高電流イオン注入用のディスク
チャンバーをイオンビームが貫通する状態とすること
で、本装置を高エネルギーイオン注入装置として用いる
ことが可能になり、一方、前記高電流イオン注入用のデ
ィスクチャンバーを用いることで、加速部におけるイオ
ンビーム損失が回避され、本装置を高電流イオン注入装
置として用いることが可能になる。
【００１８】これにより、加速部におけるイオンビーム
の損失が回避されることにより、高電流イオン注入装置
として用いることが可能となり、１台の装置で高エネル
ギーイオン注入と高電流イオン注入の双方に対応するこ
とが可能になる。
の損失が回避されることにより、高電流イオン注入装置
として用いることが可能となり、１台の装置で高エネル
ギーイオン注入と高電流イオン注入の双方に対応するこ
とが可能になる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明のイオン注入装置の
各実施形態について図面に基づき説明する。
各実施形態について図面に基づき説明する。
【００２０】（第１の実施形態）図１は本発明の第１の
実施形態のイオン注入装置を示す概略構成図であり、図
において、１１は質量分析部２とＲＦ線形加速器３との
間に設けられた高電流イオン注入用のディスクチャンバ
ー、１２はディスクチャンバー１１に内蔵されウェハ
（試料）を装填するディスクである。
実施形態のイオン注入装置を示す概略構成図であり、図
において、１１は質量分析部２とＲＦ線形加速器３との
間に設けられた高電流イオン注入用のディスクチャンバ
ー、１２はディスクチャンバー１１に内蔵されウェハ
（試料）を装填するディスクである。
【００２１】ディスク１２には、図２に示すように、外
周に沿って複数のシリコンウェハ１３（この場合、１１
枚）が装填されており、この外周に近接した位置に、イ
オンビームがほぼ１００％通過する約５ｃｍの幅の短冊
型の従来のものより大きいビームすり抜けスリット１４
が形成されている。
周に沿って複数のシリコンウェハ１３（この場合、１１
枚）が装填されており、この外周に近接した位置に、イ
オンビームがほぼ１００％通過する約５ｃｍの幅の短冊
型の従来のものより大きいビームすり抜けスリット１４
が形成されている。
【００２２】また、図３に示すように、ディスクチャン
バー１１の質量分析部２側（イオン入射側）にはフラグ
ファラデー２１が、ＲＦ線形加速器３側（イオン出射
側）にはディスクファラデー２２がそれぞれ設けられて
おり、これらフラグファラデー２１及びディスクファラ
デー２２は、図４に示すように、使用時以外はイオンビ
ーム２３の進路から撤退させて該進路の側方に設けられ
た収納部２４に収納可能である。
バー１１の質量分析部２側（イオン入射側）にはフラグ
ファラデー２１が、ＲＦ線形加速器３側（イオン出射
側）にはディスクファラデー２２がそれぞれ設けられて
おり、これらフラグファラデー２１及びディスクファラ
デー２２は、図４に示すように、使用時以外はイオンビ
ーム２３の進路から撤退させて該進路の側方に設けられ
た収納部２４に収納可能である。
【００２３】次に、このイオン注入装置の動作について
説明する。まず、通常の高エネルギーイオン注入装置と
して使用する場合は、ウェハをディスクチャンバー４に
搬送し、該ディスクチャンバー４内のディスク５に装填
する。一方、ディスクチャンバー１１内のディスク１２
は、ビームすり抜けスリット１４をイオンビーム２３が
通り抜け可能な位置に合わせ固定した後、静止させてお
く。また、フラグファラデー２１及びディスクファラデ
ー２２も収納部２４に収納させておく。
説明する。まず、通常の高エネルギーイオン注入装置と
して使用する場合は、ウェハをディスクチャンバー４に
搬送し、該ディスクチャンバー４内のディスク５に装填
する。一方、ディスクチャンバー１１内のディスク１２
は、ビームすり抜けスリット１４をイオンビーム２３が
通り抜け可能な位置に合わせ固定した後、静止させてお
く。また、フラグファラデー２１及びディスクファラデ
ー２２も収納部２４に収納させておく。
【００２４】このことにより、質量分析部２を通過した
イオンビーム２３はそのままディスクチャンバー１１を
すり抜け、ＲＦ線形加速器３で最大１ＭｅＶ程度までに
加速された後、ディスクチャンバー４内の１２００ｒｐ
ｍで高速回転中のディスク５上に装填されたウエハにイ
オン注入される。
イオンビーム２３はそのままディスクチャンバー１１を
すり抜け、ＲＦ線形加速器３で最大１ＭｅＶ程度までに
加速された後、ディスクチャンバー４内の１２００ｒｐ
ｍで高速回転中のディスク５上に装填されたウエハにイ
オン注入される。
【００２５】一方、高電流イオン注入装置として使用す
る場合は、ウェハ１３をディスクチャンバー１１に搬送
し、該ディスクチャンバー１１内のディスク１２に装填
する。質量分析部２を通過したイオンビーム２３は高速
回転中のディスク１２上に装填されたウェハ１３にイオ
ン注入される。このイオン注入中のビーム電流はスリッ
ト１４を通過したイオンビーム２３をディスクファラデ
ー２２で受け計測する。また同様に、イオンビーム調整
時はフラグファラデー２１で計測する。これらフラグフ
ァラデー２１及びディスクファラデー２２は、未使用時
は収納部２４に収納させておく。
る場合は、ウェハ１３をディスクチャンバー１１に搬送
し、該ディスクチャンバー１１内のディスク１２に装填
する。質量分析部２を通過したイオンビーム２３は高速
回転中のディスク１２上に装填されたウェハ１３にイオ
ン注入される。このイオン注入中のビーム電流はスリッ
ト１４を通過したイオンビーム２３をディスクファラデ
ー２２で受け計測する。また同様に、イオンビーム調整
時はフラグファラデー２１で計測する。これらフラグフ
ァラデー２１及びディスクファラデー２２は、未使用時
は収納部２４に収納させておく。
【００２６】以上により、高電流イオン注入装置として
使用する場合、イオンビーム２３は２ｍもの長いＲＦ線
形加速器３を通過する必要が無いため、イオンビーム２
３の損失を従来の高電流イオン注入装置と同等まで低減
することができ、半導体製造プロセスの高エネルギーイ
オン注入工程に使用する場合はもちろんのこと、高電流
イオン注入工程にも充分対応することができる。
使用する場合、イオンビーム２３は２ｍもの長いＲＦ線
形加速器３を通過する必要が無いため、イオンビーム２
３の損失を従来の高電流イオン注入装置と同等まで低減
することができ、半導体製造プロセスの高エネルギーイ
オン注入工程に使用する場合はもちろんのこと、高電流
イオン注入工程にも充分対応することができる。
【００２７】なお、本実施形態のイオン注入装置では、
高電流イオン注入用のディスクチャンバー１１を質量分
析部２とＲＦ線形加速器３との間に設けたが、この配置
に限定することなく様々な配置が可能である。例えば、
高電流イオン注入用のディスクチャンバー１１を質量分
析部２の直後に設けてもよく、あるいは、ＲＦ線形加速
器３の直前に設けてもよい。
高電流イオン注入用のディスクチャンバー１１を質量分
析部２とＲＦ線形加速器３との間に設けたが、この配置
に限定することなく様々な配置が可能である。例えば、
高電流イオン注入用のディスクチャンバー１１を質量分
析部２の直後に設けてもよく、あるいは、ＲＦ線形加速
器３の直前に設けてもよい。
【００２８】（第２の実施形態）図５は本発明の第２の
実施形態のイオン注入装置のディスクを示す要部平面図
であり、第１の実施形態のイオン注入装置のディスク１
２と異なる点は、このディスク３１のスリット３２を、
外周に近接した位置に形成された約２ｃｍの幅の細長い
スリット部３２ａと、このスリット部３２ａの長手方向
のディスク３１の中心に近い側の端部に形成された円形
の穴３２ｂとにより構成した点である。
実施形態のイオン注入装置のディスクを示す要部平面図
であり、第１の実施形態のイオン注入装置のディスク１
２と異なる点は、このディスク３１のスリット３２を、
外周に近接した位置に形成された約２ｃｍの幅の細長い
スリット部３２ａと、このスリット部３２ａの長手方向
のディスク３１の中心に近い側の端部に形成された円形
の穴３２ｂとにより構成した点である。
【００２９】このスリット部３２ａは、高電流イオン注
入中のディスクファラデー２２でのビーム電流計測用穴
として使用し、穴３２ｂは、高エネルギーイオン注入中
のイオンビームすり抜け用として使用する。本実施形態
のディスク３１では、上述した第１の実施形態のディス
ク１２と比べて、ディスク３１上のウェハ１３装填部の
総面積が減少せず、ウェハ１３装填枚数を従来通りに保
つことができるという効果がある。
入中のディスクファラデー２２でのビーム電流計測用穴
として使用し、穴３２ｂは、高エネルギーイオン注入中
のイオンビームすり抜け用として使用する。本実施形態
のディスク３１では、上述した第１の実施形態のディス
ク１２と比べて、ディスク３１上のウェハ１３装填部の
総面積が減少せず、ウェハ１３装填枚数を従来通りに保
つことができるという効果がある。
【００３０】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明のイオン注入
装置によれば、前記質量分析部と前記加速部との間に高
電流イオン注入用のディスクチャンバーを設け、前記試
料収納用のディスクチャンバーを高エネルギーイオン注
入用のディスクチャンバーとしたので、加速部における
イオンビームの損失を回避し、高電流イオン注入装置と
して用いることができ、本装置を、高エネルギーイオン
注入と高電流イオン注入の双方に対応させることができ
る。
装置によれば、前記質量分析部と前記加速部との間に高
電流イオン注入用のディスクチャンバーを設け、前記試
料収納用のディスクチャンバーを高エネルギーイオン注
入用のディスクチャンバーとしたので、加速部における
イオンビームの損失を回避し、高電流イオン注入装置と
して用いることができ、本装置を、高エネルギーイオン
注入と高電流イオン注入の双方に対応させることができ
る。
【図１】 本発明の第１の実施形態のイオン注入装置を
示す概略構成図である。
示す概略構成図である。
【図２】 本発明の第１の実施形態のディスクを示す平
面図である。
面図である。
【図３】 本発明の第１の実施形態のフラグファラデー
及びディスクファラデーそれぞれの取付位置を示す側面
図である。
及びディスクファラデーそれぞれの取付位置を示す側面
図である。
【図４】 本発明の第１の実施形態のフラグファラデー
及びディスクファラデーの収納状態を示す側面図であ
る。
及びディスクファラデーの収納状態を示す側面図であ
る。
【図５】 本発明の第２の実施形態のディスクを示す要
部平面図である。
部平面図である。
【図６】 従来の高エネルギーイオン注入装置を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図７】 ＲＦ線形加速器の前段と後段との間のビーム
電流の損失特性を示すグラフである。
電流の損失特性を示すグラフである。
１ イオンソース部 ２ 質量分析部 ３ ＲＦ線形加速器（加速部） ４ 高エネルギーイオン注入用のディスクチャンバー ５ ディスク １１ 高電流イオン注入用のディスクチャンバー １２ ディスク １３ ウェハ １４ ビームすり抜けスリット ２１ フラグファラデー ２２ ディスクファラデー ２３ イオンビーム ２４ 収納部 ３１ ディスク ３２ スリット ３２ａ スリット部 ３２ｂ 穴
Claims (3)
- 【請求項１】 所定の物質をイオン化し加速するイオン
ソース部と、イオン化された複数種のイオンから必要な
イオンのみを選択する質量分析部と、選択されたイオン
をさらに加速する加速部と、さらに加速されたイオンを
注入する試料を装填するためのディスクを収納する試料
収納用のディスクチャンバーとを備えたイオン注入装置
において、 前記質量分析部と前記加速部との間に高電流イオン注入
用のディスクチャンバーを設け、前記試料収納用のディ
スクチャンバーを高エネルギーイオン注入用のディスク
チャンバーとしたことを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】 前記高電流イオン注入用のディスクチャ
ンバーに収納され、イオンを注入する試料を装填するた
めのディスクに、スリットを形成したことを特徴とする
請求項１記載のイオン注入装置。 - 【請求項３】 前記高電流イオン注入用のディスクチャ
ンバーのイオン入射側及びイオン出射側それぞれにファ
ラデーを設けたことを特徴とする請求項１または２記載
のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09235205A JP3098469B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09235205A JP3098469B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1173907A true JPH1173907A (ja) | 1999-03-16 |
| JP3098469B2 JP3098469B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=16982646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09235205A Expired - Fee Related JP3098469B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3098469B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4919968B2 (ja) * | 2004-12-23 | 2012-04-18 | ユナイテッド テクノロジーズ コーポレイション | 鉄を含む構成要素の特性を高める組成及び方法 |
| KR20140061236A (ko) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 이온주입장치 및 이온주입방법 |
| CN104658843A (zh) * | 2013-11-21 | 2015-05-27 | 斯伊恩股份有限公司 | 高能量离子注入装置、射束电流调整装置及射束电流调整方法 |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP09235205A patent/JP3098469B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4919968B2 (ja) * | 2004-12-23 | 2012-04-18 | ユナイテッド テクノロジーズ コーポレイション | 鉄を含む構成要素の特性を高める組成及び方法 |
| KR20140061236A (ko) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 이온주입장치 및 이온주입방법 |
| JP2014099293A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Sen Corp | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
| CN104658843A (zh) * | 2013-11-21 | 2015-05-27 | 斯伊恩股份有限公司 | 高能量离子注入装置、射束电流调整装置及射束电流调整方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3098469B2 (ja) | 2000-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0621628B1 (en) | Ion implanter | |
| KR100438646B1 (ko) | 이온주입시스템에서선량측정제어를위한제어메커니즘 | |
| US6677598B1 (en) | Beam uniformity and angular distribution measurement system | |
| US6020592A (en) | Dose monitor for plasma doping system | |
| US6600163B2 (en) | In-process wafer charge monitor and control system for ion implanter | |
| JP2003515945A (ja) | プラズマドーピングシステムのためのドーズ量モニター | |
| WO2007145953A2 (en) | Ion beam current uniformity monitor, ion implanter and related method | |
| JP3098469B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS5827620B2 (ja) | イオン衝撃装置 | |
| KR20010043738A (ko) | 저 에너지 이온 주입을 위한 방법 및 장치 | |
| EP0066175B1 (en) | Ion implanter | |
| JPH04209523A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2760075B2 (ja) | イオン質量分析装置 | |
| JP3695569B2 (ja) | イオン注入装置の検査方法 | |
| JPH07176289A (ja) | イオン注入方法およびその装置 | |
| EP0491311B1 (en) | Ion implanting apparatus and method | |
| JPH05144408A (ja) | 原子線注入装置 | |
| JPH05144407A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2706478B2 (ja) | イオン注入方法及び装置 | |
| Satoh et al. | Optima XE single wafer high energy ion implanter | |
| KR200161169Y1 (ko) | 반도체 제조용 이온주입장치 | |
| JPH07169433A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS6139356A (ja) | イオン打込装置 | |
| JP2674865B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS62188150A (ja) | イオン注入装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000718 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |