JP3695569B2 - イオン注入装置の検査方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハにイオンを注入するイオン注入装置を検査する方法に係り、特に、イオン注入装置においてウエハ保持プラテンが正常に回転しているか否かを検査する方法に関する。さらに詳しくは、ウエハ保持プラテンの動作に関する設定値が誤った値で設定されていても、ウエハ保持プラテンが正常に回転しているか否かを検査することができるイオン注入装置の検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
イオン注入装置は、拡散したい不純物をイオン化し、この不純物イオンを磁界を用いた質量分析法により選択的に取り出し、電界により加速して半導体ウエハに照射することで、半導体ウエハに不純物を注入するものである。そして、このイオン注入装置は、半導体プロセスにおいてデバイスの特性を決定する不純物を任意の量および深さに制御性よく注入できることから、現在の集積回路の製造に重要な装置となっている。
【０００３】
イオン注入装置としては、半導体ウエハを保持するとともに保持した半導体ウエハをその円周方向に回転可能なウエハ保持プラテンと、ウエハ保持プラテンが保持する半導体ウエハに対してイオンビームを照射するイオンビーム照射器と、を備え、イオンビーム照射器によりイオンビームを照射し、ウエハ保持プラテンを所定角度（プラテン角度）回転させる注入ステップを、所定回数（プラテン回転数）繰り返し行うことにより半導体ウエハにイオンを注入するものが一般的である。
【０００４】
従来、こうしたイオン注入装置を検査する方法としては、例えば、特開平2-78146号公報に開示されたものがあった。これは、注入ステップの実行前にステップ番号とドーズ量の設定値とプラテン角度の実測値とプラテン回転数の実測値との組み合わせの整合性の判定、プラテン角度の設定値と実測値との一致の判定、およびプラテン回転数の設定値と実測値との一致の判定を行い、ステップ番号とドーズ量の設定値とプラテン角度の実測値とプラテン回転数の実測値との組み合わせの不整合、プラテン角度の設定値と実測値との不一致、およびプラテン回転数の設定値と実測値との不一致の少なくとも一つがあるときに注入ステップの注入動作を中止するものである。
【０００５】
したがって、ウエハ保持プラテンが設定値に基づいて正常に回転しているときにのみイオン注入動作が行われるので、ウエハ保持プラテンの動作異常に伴って半導体ウエハのイオン濃度分布が不均一となる可能性を低減することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来のイオン注入装置の検査方法にあっては、ウエハ保持プラテンの動作に関する設定値が所望の通り正しい値で設定されている場合には特に問題はないが、設定値が誤った値で設定されている場合は、ウエハ保持プラテンがその誤った設定値に基づいて回転してイオン注入動作が行われることになる。
【０００７】
そこで、本発明は、このような従来の技術の有する未解決の課題に着目してなされたものであって、ウエハ保持プラテンの動作に関する設定値が誤った値で設定されていても、ウエハ保持プラテンが正常に回転しているか否かを検査することができるイオン注入装置の検査方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る請求項１記載のイオン注入装置の検査方法は、半導体ウエハに対してイオンビームを当該半導体ウエハの回転中心点から円周までの間で水平方向のみ走査しながら照射した後、前記半導体ウエハをその円周方向に所定角度回転させる注入ステップを、所定回数繰り返し行うことにより半導体ウエハにイオンを注入し、前記イオン注入された半導体ウエハのイオン濃度分布を解析することにより、前記角度および前記回数の設定値が正しい値か否かを判定する。
【０００９】
イオン注入装置は、半導体ウエハに対して所定の入射角度でイオンを照射するようになっている。このため、半導体ウエハにイオンが照射されにくい箇所が形成され、一回の照射だけだと半導体ウエハのイオン濃度分布が不均一となる。そこで、半導体ウエハに均一にイオンを注入するため、半導体ウエハを回転させることにより入射角度を変えて複数回にわたって照射を行うようにする。これを行うため、イオン注入装置においては、半導体ウエハを所定角度ずつ回転させてこれを所定回数繰り返し行ったときに半導体ウエハがちょうど１回転するように、半導体ウエハの回転に関する設定値（プラテン角度やプラテン回転数等）を設定するのである。
【００１０】
したがって、このような方法によれば、設定値が正しい値で設定されている場合は、半導体ウエハを所定角度ずつ回転させてこれを所定回数繰り返し行った結果、半導体ウエハがちょうど１回転するので、イオン注入された半導体ウエハには、半導体ウエハの回転中心点を中心とする円弧状の軌道上に全周にわたって所定間隔で（回転角で前記所定角度ごとに）一定のイオン濃度分布が現れる。
【００１１】
一方、設定値が誤った値で設定されている場合は、半導体ウエハを所定角度ずつ回転させてこれを所定回数繰り返し行った結果、半導体ウエハが１回転に満たないかまたは１回転を越えて回転するので、イオン注入された半導体ウエハには、そのような一定のイオン濃度分布が現れることはない。
また、本発明に係る請求項２記載のイオン注入装置の検査方法は、半導体ウエハを保持するとともに保持した半導体ウエハをその円周方向に回転可能なウエハ保持手段と、前記ウエハ保持手段が保持する半導体ウエハに対してイオンビームを照射するイオンビーム照射手段と、を備え、前記イオンビーム照射手段によりイオンビームを照射した後、前記ウエハ保持手段を所定角度回転させる注入ステップを、所定回数繰り返し行うことにより半導体ウエハにイオンを注入し、前記イオン注入された半導体ウエハのイオン濃度分布を解析することにより、前記角度および前記回数の設定値が正しい値か否かを判定するイオン注入装置を検査する方法であって、前記注入ステップにおいて半導体ウエハに対してイオンビームを当該半導体ウエハの回転中心点から円周までの間で水平方向のみ走査しながら照射するように前記イオンビーム照射手段を制御する制御ステップを含む。
【００１２】
イオン注入装置は、半導体ウエハに対して所定の入射角度でイオンを照射するようになっている。このため、半導体ウエハにイオンが照射されにくい箇所が形成され、一回の照射だけだと半導体ウエハのイオン濃度分布が不均一となる。そこで、半導体ウエハに均一にイオンを注入するため、半導体ウエハを回転させることにより入射角度を変えて複数回にわたって照射を行うようにする。これを行うため、イオン注入装置においては、ウエハ保持手段を所定角度ずつ回転させてこれを所定回数繰り返し行ったときにウエハ保持手段が保持する半導体ウエハがちょうど１回転するように、ウエハ保持手段の動作に関する設定値（プラテン角度やプラテン回転数等）を設定するのである。
【００１３】
したがって、このような方法によれば、設定値が正しい値で設定されている場合は、ウエハ保持手段を所定角度ずつ回転させてこれを所定回数繰り返し行った結果、ウエハ保持手段が保持する半導体ウエハがちょうど１回転するので、イオン注入された半導体ウエハには、半導体ウエハの回転中心点を中心とする円弧状の軌道上に全周にわたって所定間隔で（回転角で前記所定角度ごとに）一定のイオン濃度分布が現れる。
【００１４】
一方、設定値が誤った値で設定されている場合は、ウエハ保持手段を所定角度ずつ回転させてこれを所定回数繰り返し行った結果、ウエハ保持手段が保持する半導体ウエハが１回転に満たないかまたは１回転を越えて回転するので、イオン注入された半導体ウエハには、そのような一定のイオン濃度分布が現れることはない。
【００１５】
さらに、本発明に係る請求項３記載のイオン注入装置の検査方法は、請求項１および２のいずれか１項に記載のイオン注入装置の検査方法において、前記イオン濃度分布が前記半導体ウエハの回転中心点を中心とする円弧状の軌道上に全周にわたって所定間隔で一定の濃度分布となっている場合は、前記角度および前記回数の設定値が正しい値であると判定し、前記イオン濃度分布が前記半導体ウエハの回転中心点を中心とする円弧状の軌道上に全周にわたって所定間隔で一定の濃度分布でない場合は、前記角度および前記回数の設定値が誤った値であると判定する。
このような方法によれば、設定値が正しい値で設定されている場合は、イオン注入された半導体ウエハには、半導体ウエハの回転中心点を中心とする円弧状の軌道上に全周にわたって所定間隔で（回転角で前記所定角度ごとに）、中心点から円周に至る一定のイオン濃度のラインが現れる。一方、設定値が誤った値で設定されている場合は、イオン注入された半導体ウエハには、そのような一定のイオン濃度のラインが現れることはない。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。図１ないし図６は、本発明に係るイオン注入装置の検査方法の実施の形態を示す図である。
まず、本発明に係るイオン注入装置の検査方法を実施するための構成を図１ないし図３を参照しながら説明する。図１は、イオン注入装置の全体の構成を示す概略図であり、図２および図３は、イオン注入装置の要部の構成を示す概略図である。
【００１７】
イオン注入装置は、ウエハ保持プラテン３が保持する半導体ウエハ６に対してＸ方向（例えば、水平方向）およびＸ方向と直交するＹ方向（例えば、垂直方向）にイオンビーム１２を走査しながら半導体ウエハ６全体にイオンを注入するものであって、図１に示すように、注入元素をイオン化しイオンビーム１２として引き出すイオン源部４１と、所定の注入イオンのみを選別して取り出す質量分離部４２と、イオンビーム１２を輸送しながらイオンビーム１２を加速し、ビーム形状を成形、集束、走査するビームライン部４３と、半導体ウエハ６をセットし注入処理を行うエンドステーション部４４と、で構成されている。ここで、イオン源部４１、質量分離部４２およびビームライン部４３は、イオンビーム照射器を構成している。
【００１８】
イオン源部４１は、イオン源物質ガス（例えば、ＢＦ3）を供給するガスボックス４５と、注入元素をイオン化するイオン源４０と、イオンビーム１２を引き出すための引出電源４６と、で構成されている。また、イオン源部４１の内部は、イオン源部真空ポンプ４７により真空状態に保たれている。イオン源４０は、例えば、固体オーブンを備えている熱陰極ＰＩＧ型のものであり、それぞれ図示しないフィラメント、アーク電極およびソースマグネットを有し、アークチャンバ内においてフィラメントからの熱電子放出をトリガとしてアーク放電を行うことによりプラズマを作り、引出電源４６より電圧が印可された図示しないイオン引出電極からイオンビーム１２を引き出すようになっている。
【００１９】
質量分離部４２には、図示しない質量分析マグネット（９０度偏向電磁石）が設けられており、この質量分析マグネットは、イオン源部４１から引き出されたイオンビーム１２の中から必要なイオンを選別するとともに、磁気収束作用を利用してイオンビーム１２を分析スリット４８に絞り込んでビームライン部４３に導くようになっている。
【００２０】
ビームライン部４３は、質量分離部４２の分析スリット４８から出たイオンビーム１２を加速する加速管４９と、イオンビーム１２を集束させる集束レンズ５０と、イオンビーム１２をＸ方向に走査する２組のＸ方向走査電極１，１およびＸ方向走査電極２，２と、イオンビーム１２をＹ方向に走査する一組のＹ方向走査電極３１，３１と、が設けられている。また、ビームライン部４３の内部は、ビームライン部真空ポンプ５５により真空状態に保たれている。
【００２１】
Ｘ方向走査電極１，１およびＸ方向走査電極２，２には、図２に示すように、制御装置１３からの制御信号に応じた走査電圧を出力するＸ方向走査電源１４が接続されており、このＸ方向走査電源１４により各電極に走査電圧を印可するようになっている。同様に、Ｙ方向走査電極３１，３１には、制御装置１３からの制御信号に応じた走査電圧を出力するＹ方向走査電極１５が接続されており、このＹ方向走査電源１５により各電極に走査電圧を印可するようになっている。
【００２２】
イオンビーム１２は、図３に示すように、Ｘ方向走査電源１４により互いに１８０度位相が異なる走査電圧が印可されたＸ方向走査電極１，１によりＸ方向に走査された後、Ｙ方向走査電源１５により互いに１８０度位相が異なる走査電圧が印可されたＹ方向走査電極３１，３１によりＹ方向に走査され、さらにＸ方向走査電源１４により互いに１８０度位相が異なる走査電圧が印可されたＸ方向走査電極２，２により平行なビームにされ、ウエハ保持プラテン３が保持する半導体ウエハ６に照射されるようになっている。
【００２３】
エンドステーション部４４には、図２および図３に示すように、半導体ウエハ６を保持するとともに半導体ウエハ６をその円周方向（図面矢印Ｃの方向）に回転可能なウエハ保持プラテン３と、制御装置１３からの制御信号に応じてウエハ保持プラテン３を回転駆動させるプラテン駆動部１８と、が設けられており、ターゲットチャンバ内は、エンドステーション部真空ポンプ５１により真空状態に保たれている。また、ウエハ保持プラテン３の上流側には、所定面積の開口部をもつ照射マスク５が配置されている。この照射マスク５の開口部は、イオンビーム走査領域内に形成されており、開口部を通過したイオンビーム１２のみが、その下流にある半導体ウエハ６に照射されるようになっている。
【００２４】
次に、制御装置１３の構成を図４を参照しながら説明する。図４は、制御装置１３の構成を示すブロック図である。
制御装置１３は、図４に示すように、所定のプログラムに基づいて演算およびシステム全体を制御するＣＰＵ７２と、所定領域にあらかじめＣＰＵ７２のプログラム等を格納しているＲＯＭ７４と、ＲＯＭ７４等から読み出したデータやＣＰＵ７２の演算過程で必要な演算結果を格納するためのＲＡＭ７６と、外部装置とのデータの入出力を媒介するＩ／Ｆ７８と、で構成されており、これらは、データを転送するための信号線であるバス７９で相互にかつデータ授受可能に接続されている。
【００２５】
Ｉ／Ｆ７８には、Ｘ方向走査電源１４と、Ｙ方向走査電源１５と、プラテン駆動部１８と、引出電源４６と、が接続されている。
ＣＰＵ７２は、マイクロプロセッシングユニットＭＰＵ等からなり、本イオン注入装置においてウエハ保持プラテン３が正常に回転しているか否かを検査するときは、例えば、図示しないキーボード等の入力装置から入力した検査開始指令を契機としてＲＯＭ７４の所定領域に格納されているプログラムを起動させ、図５のフローチャートに示す検査処理を実行するようになっている。なお、ＣＰＵ７２は、非検査時にあって半導体ウエハにイオン注入を行うときは、あらかじめ設定されたウエハ保持プラテン３の動作に関する設定値（プラテン角度やプラテン回転数等）に基づいて、Ｘ方向走査電源１４、Ｙ方向走査電源１５、プラテン駆動部１８および引出電源４６を制御するようになっている。
【００２６】
まず、ＣＰＵ１２において検査処理が実行されると、図５に示すように、ステップＳ１００に移行して、検査用としての半導体ウエハ６をウエハ保持プラテン３に保持し、ステップＳ１０２に移行して、半導体ウエハ６の回転中心点から円周までの間でイオンビーム１２をＸ方向にのみ走査するようにイオンビーム照射器を制御するイオン照射処理を行い、ステップＳ１０４に移行する。
【００２７】
ステップＳ１０４では、ウエハ保持プラテン３を、設定されたプラテン角度回転させ、ステップＳ１０６に移行して、ステップＳ１０４を実行したステップ数が、設定されたプラテン回転数に達したか否かを判定し、設定されたプラテン回転数に達したと判定されたとき(Yes)は、処理を復帰させるが、設定されたプラテン回転数に達していないと判定されたとき(No)は、ステップＳ１０２に戻る。
【００２８】
次に、上記実施の形態の動作を図６を参照しながら説明する。図６は、ウエハ保持プラテン３が正常に回転している場合における半導体ウエハ６のイオン濃度分布を示す図である。
ウエハ保持プラテン３が正常に回転しているか否かの検査は、例えば、図示しないキーボード等の入力装置から検査開始指令を入力することにより行われる。
ここで、イオン注入装置において、ウエハ保持プラテン３の動作に関する設定値として、例えば、プラテン角度およびプラテン回転数がそれぞれ４５°、８ステップに設定されているものとする。この設定値に基づけば、ウエハ保持プラテン３をプラテン角度（４５°）ずつ回転させてこれをプラテン回転数（８ステップ）繰り返し行ったときにウエハ保持プラテン３が保持する半導体ウエハ６がちょうど３６０°回転することになる。
【００２９】
このように、設定値が正しい値で設定された状態において検査が開始されると、まず、検査用としての半導体ウエハ６がウエハ保持プラテン３に保持される。
次いで、所定のドーズ量（例えば、6.25×1012［Cm-2］）および所定の打ち込み速度（例えば、８０［keV］）で照射が開始され、半導体ウエハ６の回転中心点から円周までの間でイオンビーム１２がＸ方向にのみ走査される。この照射が終了すると、プラテン駆動部１８によりウエハ保持プラテン３がプラテン角度（４５°）回転させられる。そして、こうした照射・回転からなる注入ステップがプラテン回転数（８ステップ）実行されると、検査が終了する。
【００３０】
こうしてイオン注入された半導体ウエハ６には、例えばイオン濃度分布解析装置等を用いてそのイオン濃度分布を解析すると、図６に示すように、半導体ウエハ６の回転中心点を中心とする円弧状の軌道上を所定間隔で（回転角で４５°ごとに）、中心点から円周に至る一定のイオン濃度のラインが８本現れる。
さて一方、上記検査を行う際に、例えば、プラテン角度およびプラテン回転数がそれぞれ４５°、５ステップに設定されているものとする。この設定値に基づけば、ウエハ保持プラテン３をプラテン角度（４５°）ずつ回転させてこれをプラテン回転数（５ステップ）繰り返し行ったときにウエハ保持プラテン３が保持する半導体ウエハ６が２２５°回転することになる。
【００３１】
このように、設定値が誤った値で設定された状態において検査が開始されると、まず、検査用としての半導体ウエハ６がウエハ保持プラテン３に保持される。
次いで、半導体ウエハ６の回転中心点から円周までの間でイオンビーム１２がＸ方向にのみ走査され、この照射が終了すると、プラテン駆動部１８によりウエハ保持プラテン３がプラテン角度（４５°）回転させられる。そして、こうした照射・回転からなる注入ステップがプラテン回転数（５ステップ）実行されると、検査が終了する。
【００３２】
こうしてイオン注入された半導体ウエハ６には、図示しないが、半導体ウエハ６の回転中心点を中心とする円弧状の軌道上を所定間隔で（回転角で４５°ごとに）、中心点から円周に至る一定のイオン濃度のラインが５本現れる。したがって、上記のように全周にわたって所定間隔で一定のイオン濃度のラインが現れていないことから、この結果からは、ウエハ保持プラテン３が正常に回転していないことが判る。
【００３３】
また、上記検査を行う際に、例えば、プラテン角度およびプラテン回転数がそれぞれ４５°、１１ステップに設定されているものとする。この設定値に基づけば、ウエハ保持プラテン３をプラテン角度（４５°）ずつ回転させてこれをプラテン回転数（１１ステップ）繰り返し行ったときにウエハ保持プラテン３が保持する半導体ウエハ６が４９５°回転することになる。
【００３４】
このように、設定値が誤った値で設定された状態において検査が開始されると、まず、検査用としての半導体ウエハ６がウエハ保持プラテン３に保持される。
次いで、半導体ウエハ６の回転中心点から円周までの間でイオンビーム１２がＸ方向にのみ走査され、この照射が終了すると、プラテン駆動部１８によりウエハ保持プラテン３がプラテン角度（４５°）回転させられる。そして、こうした照射・回転からなる注入ステップがプラテン回転数（１１ステップ）実行されると、検査が終了する。
【００３５】
こうしてイオン注入された半導体ウエハ６には、半導体ウエハ６が４９５°回転することにより３箇所（９ステップ以降）に重複して照射が行われるため、図示しないが、半導体ウエハ６の回転中心点を中心とする円弧状の軌道上を所定間隔で（回転角で４５°ごとに）、中心点から円周に至るイオン濃度Ａのラインが５本現れるとともに、イオン濃度Ａの２倍の濃度のラインが３本現れる。したがって、上記のように全周にわたって所定間隔で一定のイオン濃度のラインが現れていないことから、この結果からは、ウエハ保持プラテン３が正常に回転していないことが判る。
【００３６】
このようにして、本実施の形態では、半導体ウエハ６をその円周方向に回転可能なウエハ保持プラテン３と、ウエハ保持プラテン３が保持する半導体ウエハ６に対してイオンビーム１２を照射するイオンビーム照射器と、を備えたイオン注入装置において、イオンビーム照射器によりイオンビーム１２を照射し、ウエハ保持プラテン３をプラテン角度回転させる注入ステップを、プラテン回数繰り返し行うことにより半導体ウエハ６にイオンを注入する工程で、上記注入ステップにおいて半導体ウエハ６の回転中心点から円周までの間でイオンビーム１２をＸ方向にのみ走査するようにイオンビーム照射器を制御した。
【００３７】
このため、この方法によりイオン注入された半導体ウエハ６には、ウエハ保持プラテン３の動作に関する設定値が正しい値で設定されているときは、半導体ウエハ６の回転中心点を中心とする円弧状の軌道上を全周にわたって所定間隔で、中心点から円周に至る一定のイオン濃度のラインが現れるが、設定値が誤った値で設定されているときは、そのような一定のイオン濃度のラインが現れることはないので、ウエハ保持プラテン３が正常に回転しているか否かが一見して判る。
したがって、従来に比して、設定値が誤った値で設定されていても、ウエハ保持プラテン３が正常に回転しているか否かを検査することができる。
【００３８】
特に、半導体ウエハ６の回転中心点から円周までの間でイオンビーム１２をＸ方向にのみ走査するようにイオンビーム照射器を制御したことにより、イオン注入された半導体ウエハ６には、全周にわたって所定間隔で一定のイオン濃度のラインが現れるので、半導体ウエハ６のイオン濃度分布から、ウエハ保持プラテン３が正常に回転しているか否かを比較的明確に把握することができる。
【００３９】
なお、上記実施の形態においては、注入ステップにおいて半導体ウエハ６の回転中心点から円周までの間でイオンビーム１２をＸ方向にのみ走査したが、これに限らず、注入ステップにおいて半導体ウエハ６の一部分にイオンビーム１２を照射するだけでよい。
上記実施の形態において、ウエハ保持プラテン３は、請求項２記載のウエハ保持手段に対応し、イオン源部４１、質量分離部４２およびビームライン部４３は、請求項２記載のイオンビーム照射手段に対応し、ステップＳ１０２およびＳ１０４は、請求項１または２記載の注入ステップに対応し、ステップＳ１０２は、請求項２または３記載の制御ステップに対応している。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る請求項１ないし３記載のイオン注入装置の検査方法によれば、従来に比して、ウエハ保持手段の動作に関する設定値が誤った値で設定されていても、ウエハ保持手段が正常に回転しているか否かを検査することができるという効果が得られる。
【００４１】
特に、本発明に係る請求項３記載のイオン注入装置の検査方法によれば、半導体ウエハのイオン濃度分布から、ウエハ保持手段が正常に回転しているか否かを比較的明確に把握することができるという効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】イオン注入装置の全体の構成を示す概略図である。
【図２】イオン注入装置の要部の構成を示す概略図である。
【図３】イオン注入装置の要部の構成を示す概略図である。
【図４】制御装置１３の構成を示すブロック図である。
【図５】検査処理を示すフローチャートである。
【図６】ウエハ保持プラテン３が正常に回転している場合における半導体ウエハ６のイオン濃度分布を示す図である
【符号の説明】
１，２ Ｘ方向走査電極
３１ Ｙ方向走査電極
３ ウエハ保持プラテン
６ 半導体ウエハ
１３ 制御装置
１４ Ｘ方向走査電源
１５ Ｙ方向走査電源
１８ プラテン駆動部
４１ イオン源部
４２ 質量分離部
４３ ビームライン部
４４ エンドステーション部
４６ 引出電源
７２ ＣＰＵ
７４ ＲＯＭ
７６ ＲＡＭ
７８ Ｉ／Ｆ
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハにイオンを注入するイオン注入装置を検査する方法に係り、特に、イオン注入装置においてウエハ保持プラテンが正常に回転しているか否かを検査する方法に関する。さらに詳しくは、ウエハ保持プラテンの動作に関する設定値が誤った値で設定されていても、ウエハ保持プラテンが正常に回転しているか否かを検査することができるイオン注入装置の検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
イオン注入装置は、拡散したい不純物をイオン化し、この不純物イオンを磁界を用いた質量分析法により選択的に取り出し、電界により加速して半導体ウエハに照射することで、半導体ウエハに不純物を注入するものである。そして、このイオン注入装置は、半導体プロセスにおいてデバイスの特性を決定する不純物を任意の量および深さに制御性よく注入できることから、現在の集積回路の製造に重要な装置となっている。
【０００３】
イオン注入装置としては、半導体ウエハを保持するとともに保持した半導体ウエハをその円周方向に回転可能なウエハ保持プラテンと、ウエハ保持プラテンが保持する半導体ウエハに対してイオンビームを照射するイオンビーム照射器と、を備え、イオンビーム照射器によりイオンビームを照射し、ウエハ保持プラテンを所定角度（プラテン角度）回転させる注入ステップを、所定回数（プラテン回転数）繰り返し行うことにより半導体ウエハにイオンを注入するものが一般的である。
【０００４】
従来、こうしたイオン注入装置を検査する方法としては、例えば、特開平2-78146号公報に開示されたものがあった。これは、注入ステップの実行前にステップ番号とドーズ量の設定値とプラテン角度の実測値とプラテン回転数の実測値との組み合わせの整合性の判定、プラテン角度の設定値と実測値との一致の判定、およびプラテン回転数の設定値と実測値との一致の判定を行い、ステップ番号とドーズ量の設定値とプラテン角度の実測値とプラテン回転数の実測値との組み合わせの不整合、プラテン角度の設定値と実測値との不一致、およびプラテン回転数の設定値と実測値との不一致の少なくとも一つがあるときに注入ステップの注入動作を中止するものである。
【０００５】
したがって、ウエハ保持プラテンが設定値に基づいて正常に回転しているときにのみイオン注入動作が行われるので、ウエハ保持プラテンの動作異常に伴って半導体ウエハのイオン濃度分布が不均一となる可能性を低減することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来のイオン注入装置の検査方法にあっては、ウエハ保持プラテンの動作に関する設定値が所望の通り正しい値で設定されている場合には特に問題はないが、設定値が誤った値で設定されている場合は、ウエハ保持プラテンがその誤った設定値に基づいて回転してイオン注入動作が行われることになる。
【０００７】
そこで、本発明は、このような従来の技術の有する未解決の課題に着目してなされたものであって、ウエハ保持プラテンの動作に関する設定値が誤った値で設定されていても、ウエハ保持プラテンが正常に回転しているか否かを検査することができるイオン注入装置の検査方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る請求項１記載のイオン注入装置の検査方法は、半導体ウエハに対してイオンビームを当該半導体ウエハの回転中心点から円周までの間で水平方向のみ走査しながら照射した後、前記半導体ウエハをその円周方向に所定角度回転させる注入ステップを、所定回数繰り返し行うことにより半導体ウエハにイオンを注入し、前記イオン注入された半導体ウエハのイオン濃度分布を解析することにより、前記角度および前記回数の設定値が正しい値か否かを判定する。
【０００９】
イオン注入装置は、半導体ウエハに対して所定の入射角度でイオンを照射するようになっている。このため、半導体ウエハにイオンが照射されにくい箇所が形成され、一回の照射だけだと半導体ウエハのイオン濃度分布が不均一となる。そこで、半導体ウエハに均一にイオンを注入するため、半導体ウエハを回転させることにより入射角度を変えて複数回にわたって照射を行うようにする。これを行うため、イオン注入装置においては、半導体ウエハを所定角度ずつ回転させてこれを所定回数繰り返し行ったときに半導体ウエハがちょうど１回転するように、半導体ウエハの回転に関する設定値（プラテン角度やプラテン回転数等）を設定するのである。
【００１０】
したがって、このような方法によれば、設定値が正しい値で設定されている場合は、半導体ウエハを所定角度ずつ回転させてこれを所定回数繰り返し行った結果、半導体ウエハがちょうど１回転するので、イオン注入された半導体ウエハには、半導体ウエハの回転中心点を中心とする円弧状の軌道上に全周にわたって所定間隔で（回転角で前記所定角度ごとに）一定のイオン濃度分布が現れる。
【００１１】
一方、設定値が誤った値で設定されている場合は、半導体ウエハを所定角度ずつ回転させてこれを所定回数繰り返し行った結果、半導体ウエハが１回転に満たないかまたは１回転を越えて回転するので、イオン注入された半導体ウエハには、そのような一定のイオン濃度分布が現れることはない。
また、本発明に係る請求項２記載のイオン注入装置の検査方法は、半導体ウエハを保持するとともに保持した半導体ウエハをその円周方向に回転可能なウエハ保持手段と、前記ウエハ保持手段が保持する半導体ウエハに対してイオンビームを照射するイオンビーム照射手段と、を備え、前記イオンビーム照射手段によりイオンビームを照射した後、前記ウエハ保持手段を所定角度回転させる注入ステップを、所定回数繰り返し行うことにより半導体ウエハにイオンを注入し、前記イオン注入された半導体ウエハのイオン濃度分布を解析することにより、前記角度および前記回数の設定値が正しい値か否かを判定するイオン注入装置を検査する方法であって、前記注入ステップにおいて半導体ウエハに対してイオンビームを当該半導体ウエハの回転中心点から円周までの間で水平方向のみ走査しながら照射するように前記イオンビーム照射手段を制御する制御ステップを含む。
【００１２】
イオン注入装置は、半導体ウエハに対して所定の入射角度でイオンを照射するようになっている。このため、半導体ウエハにイオンが照射されにくい箇所が形成され、一回の照射だけだと半導体ウエハのイオン濃度分布が不均一となる。そこで、半導体ウエハに均一にイオンを注入するため、半導体ウエハを回転させることにより入射角度を変えて複数回にわたって照射を行うようにする。これを行うため、イオン注入装置においては、ウエハ保持手段を所定角度ずつ回転させてこれを所定回数繰り返し行ったときにウエハ保持手段が保持する半導体ウエハがちょうど１回転するように、ウエハ保持手段の動作に関する設定値（プラテン角度やプラテン回転数等）を設定するのである。
【００１３】
したがって、このような方法によれば、設定値が正しい値で設定されている場合は、ウエハ保持手段を所定角度ずつ回転させてこれを所定回数繰り返し行った結果、ウエハ保持手段が保持する半導体ウエハがちょうど１回転するので、イオン注入された半導体ウエハには、半導体ウエハの回転中心点を中心とする円弧状の軌道上に全周にわたって所定間隔で（回転角で前記所定角度ごとに）一定のイオン濃度分布が現れる。
【００１４】
一方、設定値が誤った値で設定されている場合は、ウエハ保持手段を所定角度ずつ回転させてこれを所定回数繰り返し行った結果、ウエハ保持手段が保持する半導体ウエハが１回転に満たないかまたは１回転を越えて回転するので、イオン注入された半導体ウエハには、そのような一定のイオン濃度分布が現れることはない。
【００１５】
さらに、本発明に係る請求項３記載のイオン注入装置の検査方法は、請求項１および２のいずれか１項に記載のイオン注入装置の検査方法において、前記イオン濃度分布が前記半導体ウエハの回転中心点を中心とする円弧状の軌道上に全周にわたって所定間隔で一定の濃度分布となっている場合は、前記角度および前記回数の設定値が正しい値であると判定し、前記イオン濃度分布が前記半導体ウエハの回転中心点を中心とする円弧状の軌道上に全周にわたって所定間隔で一定の濃度分布でない場合は、前記角度および前記回数の設定値が誤った値であると判定する。
このような方法によれば、設定値が正しい値で設定されている場合は、イオン注入された半導体ウエハには、半導体ウエハの回転中心点を中心とする円弧状の軌道上に全周にわたって所定間隔で（回転角で前記所定角度ごとに）、中心点から円周に至る一定のイオン濃度のラインが現れる。一方、設定値が誤った値で設定されている場合は、イオン注入された半導体ウエハには、そのような一定のイオン濃度のラインが現れることはない。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。図１ないし図６は、本発明に係るイオン注入装置の検査方法の実施の形態を示す図である。
まず、本発明に係るイオン注入装置の検査方法を実施するための構成を図１ないし図３を参照しながら説明する。図１は、イオン注入装置の全体の構成を示す概略図であり、図２および図３は、イオン注入装置の要部の構成を示す概略図である。
【００１７】
イオン注入装置は、ウエハ保持プラテン３が保持する半導体ウエハ６に対してＸ方向（例えば、水平方向）およびＸ方向と直交するＹ方向（例えば、垂直方向）にイオンビーム１２を走査しながら半導体ウエハ６全体にイオンを注入するものであって、図１に示すように、注入元素をイオン化しイオンビーム１２として引き出すイオン源部４１と、所定の注入イオンのみを選別して取り出す質量分離部４２と、イオンビーム１２を輸送しながらイオンビーム１２を加速し、ビーム形状を成形、集束、走査するビームライン部４３と、半導体ウエハ６をセットし注入処理を行うエンドステーション部４４と、で構成されている。ここで、イオン源部４１、質量分離部４２およびビームライン部４３は、イオンビーム照射器を構成している。
【００１８】
イオン源部４１は、イオン源物質ガス（例えば、ＢＦ3）を供給するガスボックス４５と、注入元素をイオン化するイオン源４０と、イオンビーム１２を引き出すための引出電源４６と、で構成されている。また、イオン源部４１の内部は、イオン源部真空ポンプ４７により真空状態に保たれている。イオン源４０は、例えば、固体オーブンを備えている熱陰極ＰＩＧ型のものであり、それぞれ図示しないフィラメント、アーク電極およびソースマグネットを有し、アークチャンバ内においてフィラメントからの熱電子放出をトリガとしてアーク放電を行うことによりプラズマを作り、引出電源４６より電圧が印可された図示しないイオン引出電極からイオンビーム１２を引き出すようになっている。
【００１９】
質量分離部４２には、図示しない質量分析マグネット（９０度偏向電磁石）が設けられており、この質量分析マグネットは、イオン源部４１から引き出されたイオンビーム１２の中から必要なイオンを選別するとともに、磁気収束作用を利用してイオンビーム１２を分析スリット４８に絞り込んでビームライン部４３に導くようになっている。
【００２０】
ビームライン部４３は、質量分離部４２の分析スリット４８から出たイオンビーム１２を加速する加速管４９と、イオンビーム１２を集束させる集束レンズ５０と、イオンビーム１２をＸ方向に走査する２組のＸ方向走査電極１，１およびＸ方向走査電極２，２と、イオンビーム１２をＹ方向に走査する一組のＹ方向走査電極３１，３１と、が設けられている。また、ビームライン部４３の内部は、ビームライン部真空ポンプ５５により真空状態に保たれている。
【００２１】
Ｘ方向走査電極１，１およびＸ方向走査電極２，２には、図２に示すように、制御装置１３からの制御信号に応じた走査電圧を出力するＸ方向走査電源１４が接続されており、このＸ方向走査電源１４により各電極に走査電圧を印可するようになっている。同様に、Ｙ方向走査電極３１，３１には、制御装置１３からの制御信号に応じた走査電圧を出力するＹ方向走査電極１５が接続されており、このＹ方向走査電源１５により各電極に走査電圧を印可するようになっている。
【００２２】
イオンビーム１２は、図３に示すように、Ｘ方向走査電源１４により互いに１８０度位相が異なる走査電圧が印可されたＸ方向走査電極１，１によりＸ方向に走査された後、Ｙ方向走査電源１５により互いに１８０度位相が異なる走査電圧が印可されたＹ方向走査電極３１，３１によりＹ方向に走査され、さらにＸ方向走査電源１４により互いに１８０度位相が異なる走査電圧が印可されたＸ方向走査電極２，２により平行なビームにされ、ウエハ保持プラテン３が保持する半導体ウエハ６に照射されるようになっている。
【００２３】
エンドステーション部４４には、図２および図３に示すように、半導体ウエハ６を保持するとともに半導体ウエハ６をその円周方向（図面矢印Ｃの方向）に回転可能なウエハ保持プラテン３と、制御装置１３からの制御信号に応じてウエハ保持プラテン３を回転駆動させるプラテン駆動部１８と、が設けられており、ターゲットチャンバ内は、エンドステーション部真空ポンプ５１により真空状態に保たれている。また、ウエハ保持プラテン３の上流側には、所定面積の開口部をもつ照射マスク５が配置されている。この照射マスク５の開口部は、イオンビーム走査領域内に形成されており、開口部を通過したイオンビーム１２のみが、その下流にある半導体ウエハ６に照射されるようになっている。
【００２４】
次に、制御装置１３の構成を図４を参照しながら説明する。図４は、制御装置１３の構成を示すブロック図である。
制御装置１３は、図４に示すように、所定のプログラムに基づいて演算およびシステム全体を制御するＣＰＵ７２と、所定領域にあらかじめＣＰＵ７２のプログラム等を格納しているＲＯＭ７４と、ＲＯＭ７４等から読み出したデータやＣＰＵ７２の演算過程で必要な演算結果を格納するためのＲＡＭ７６と、外部装置とのデータの入出力を媒介するＩ／Ｆ７８と、で構成されており、これらは、データを転送するための信号線であるバス７９で相互にかつデータ授受可能に接続されている。
【００２５】
Ｉ／Ｆ７８には、Ｘ方向走査電源１４と、Ｙ方向走査電源１５と、プラテン駆動部１８と、引出電源４６と、が接続されている。
ＣＰＵ７２は、マイクロプロセッシングユニットＭＰＵ等からなり、本イオン注入装置においてウエハ保持プラテン３が正常に回転しているか否かを検査するときは、例えば、図示しないキーボード等の入力装置から入力した検査開始指令を契機としてＲＯＭ７４の所定領域に格納されているプログラムを起動させ、図５のフローチャートに示す検査処理を実行するようになっている。なお、ＣＰＵ７２は、非検査時にあって半導体ウエハにイオン注入を行うときは、あらかじめ設定されたウエハ保持プラテン３の動作に関する設定値（プラテン角度やプラテン回転数等）に基づいて、Ｘ方向走査電源１４、Ｙ方向走査電源１５、プラテン駆動部１８および引出電源４６を制御するようになっている。
【００２６】
まず、ＣＰＵ１２において検査処理が実行されると、図５に示すように、ステップＳ１００に移行して、検査用としての半導体ウエハ６をウエハ保持プラテン３に保持し、ステップＳ１０２に移行して、半導体ウエハ６の回転中心点から円周までの間でイオンビーム１２をＸ方向にのみ走査するようにイオンビーム照射器を制御するイオン照射処理を行い、ステップＳ１０４に移行する。
【００２７】
ステップＳ１０４では、ウエハ保持プラテン３を、設定されたプラテン角度回転させ、ステップＳ１０６に移行して、ステップＳ１０４を実行したステップ数が、設定されたプラテン回転数に達したか否かを判定し、設定されたプラテン回転数に達したと判定されたとき(Yes)は、処理を復帰させるが、設定されたプラテン回転数に達していないと判定されたとき(No)は、ステップＳ１０２に戻る。
【００２８】
次に、上記実施の形態の動作を図６を参照しながら説明する。図６は、ウエハ保持プラテン３が正常に回転している場合における半導体ウエハ６のイオン濃度分布を示す図である。
ウエハ保持プラテン３が正常に回転しているか否かの検査は、例えば、図示しないキーボード等の入力装置から検査開始指令を入力することにより行われる。
ここで、イオン注入装置において、ウエハ保持プラテン３の動作に関する設定値として、例えば、プラテン角度およびプラテン回転数がそれぞれ４５°、８ステップに設定されているものとする。この設定値に基づけば、ウエハ保持プラテン３をプラテン角度（４５°）ずつ回転させてこれをプラテン回転数（８ステップ）繰り返し行ったときにウエハ保持プラテン３が保持する半導体ウエハ６がちょうど３６０°回転することになる。
【００２９】
このように、設定値が正しい値で設定された状態において検査が開始されると、まず、検査用としての半導体ウエハ６がウエハ保持プラテン３に保持される。
次いで、所定のドーズ量（例えば、6.25×1012［Cm-2］）および所定の打ち込み速度（例えば、８０［keV］）で照射が開始され、半導体ウエハ６の回転中心点から円周までの間でイオンビーム１２がＸ方向にのみ走査される。この照射が終了すると、プラテン駆動部１８によりウエハ保持プラテン３がプラテン角度（４５°）回転させられる。そして、こうした照射・回転からなる注入ステップがプラテン回転数（８ステップ）実行されると、検査が終了する。
【００３０】
こうしてイオン注入された半導体ウエハ６には、例えばイオン濃度分布解析装置等を用いてそのイオン濃度分布を解析すると、図６に示すように、半導体ウエハ６の回転中心点を中心とする円弧状の軌道上を所定間隔で（回転角で４５°ごとに）、中心点から円周に至る一定のイオン濃度のラインが８本現れる。
さて一方、上記検査を行う際に、例えば、プラテン角度およびプラテン回転数がそれぞれ４５°、５ステップに設定されているものとする。この設定値に基づけば、ウエハ保持プラテン３をプラテン角度（４５°）ずつ回転させてこれをプラテン回転数（５ステップ）繰り返し行ったときにウエハ保持プラテン３が保持する半導体ウエハ６が２２５°回転することになる。
【００３１】
このように、設定値が誤った値で設定された状態において検査が開始されると、まず、検査用としての半導体ウエハ６がウエハ保持プラテン３に保持される。
次いで、半導体ウエハ６の回転中心点から円周までの間でイオンビーム１２がＸ方向にのみ走査され、この照射が終了すると、プラテン駆動部１８によりウエハ保持プラテン３がプラテン角度（４５°）回転させられる。そして、こうした照射・回転からなる注入ステップがプラテン回転数（５ステップ）実行されると、検査が終了する。
【００３２】
こうしてイオン注入された半導体ウエハ６には、図示しないが、半導体ウエハ６の回転中心点を中心とする円弧状の軌道上を所定間隔で（回転角で４５°ごとに）、中心点から円周に至る一定のイオン濃度のラインが５本現れる。したがって、上記のように全周にわたって所定間隔で一定のイオン濃度のラインが現れていないことから、この結果からは、ウエハ保持プラテン３が正常に回転していないことが判る。
【００３３】
また、上記検査を行う際に、例えば、プラテン角度およびプラテン回転数がそれぞれ４５°、１１ステップに設定されているものとする。この設定値に基づけば、ウエハ保持プラテン３をプラテン角度（４５°）ずつ回転させてこれをプラテン回転数（１１ステップ）繰り返し行ったときにウエハ保持プラテン３が保持する半導体ウエハ６が４９５°回転することになる。
【００３４】
このように、設定値が誤った値で設定された状態において検査が開始されると、まず、検査用としての半導体ウエハ６がウエハ保持プラテン３に保持される。
次いで、半導体ウエハ６の回転中心点から円周までの間でイオンビーム１２がＸ方向にのみ走査され、この照射が終了すると、プラテン駆動部１８によりウエハ保持プラテン３がプラテン角度（４５°）回転させられる。そして、こうした照射・回転からなる注入ステップがプラテン回転数（１１ステップ）実行されると、検査が終了する。
【００３５】
こうしてイオン注入された半導体ウエハ６には、半導体ウエハ６が４９５°回転することにより３箇所（９ステップ以降）に重複して照射が行われるため、図示しないが、半導体ウエハ６の回転中心点を中心とする円弧状の軌道上を所定間隔で（回転角で４５°ごとに）、中心点から円周に至るイオン濃度Ａのラインが５本現れるとともに、イオン濃度Ａの２倍の濃度のラインが３本現れる。したがって、上記のように全周にわたって所定間隔で一定のイオン濃度のラインが現れていないことから、この結果からは、ウエハ保持プラテン３が正常に回転していないことが判る。
【００３６】
このようにして、本実施の形態では、半導体ウエハ６をその円周方向に回転可能なウエハ保持プラテン３と、ウエハ保持プラテン３が保持する半導体ウエハ６に対してイオンビーム１２を照射するイオンビーム照射器と、を備えたイオン注入装置において、イオンビーム照射器によりイオンビーム１２を照射し、ウエハ保持プラテン３をプラテン角度回転させる注入ステップを、プラテン回数繰り返し行うことにより半導体ウエハ６にイオンを注入する工程で、上記注入ステップにおいて半導体ウエハ６の回転中心点から円周までの間でイオンビーム１２をＸ方向にのみ走査するようにイオンビーム照射器を制御した。
【００３７】
このため、この方法によりイオン注入された半導体ウエハ６には、ウエハ保持プラテン３の動作に関する設定値が正しい値で設定されているときは、半導体ウエハ６の回転中心点を中心とする円弧状の軌道上を全周にわたって所定間隔で、中心点から円周に至る一定のイオン濃度のラインが現れるが、設定値が誤った値で設定されているときは、そのような一定のイオン濃度のラインが現れることはないので、ウエハ保持プラテン３が正常に回転しているか否かが一見して判る。
したがって、従来に比して、設定値が誤った値で設定されていても、ウエハ保持プラテン３が正常に回転しているか否かを検査することができる。
【００３８】
特に、半導体ウエハ６の回転中心点から円周までの間でイオンビーム１２をＸ方向にのみ走査するようにイオンビーム照射器を制御したことにより、イオン注入された半導体ウエハ６には、全周にわたって所定間隔で一定のイオン濃度のラインが現れるので、半導体ウエハ６のイオン濃度分布から、ウエハ保持プラテン３が正常に回転しているか否かを比較的明確に把握することができる。
【００３９】
なお、上記実施の形態においては、注入ステップにおいて半導体ウエハ６の回転中心点から円周までの間でイオンビーム１２をＸ方向にのみ走査したが、これに限らず、注入ステップにおいて半導体ウエハ６の一部分にイオンビーム１２を照射するだけでよい。
上記実施の形態において、ウエハ保持プラテン３は、請求項２記載のウエハ保持手段に対応し、イオン源部４１、質量分離部４２およびビームライン部４３は、請求項２記載のイオンビーム照射手段に対応し、ステップＳ１０２およびＳ１０４は、請求項１または２記載の注入ステップに対応し、ステップＳ１０２は、請求項２または３記載の制御ステップに対応している。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る請求項１ないし３記載のイオン注入装置の検査方法によれば、従来に比して、ウエハ保持手段の動作に関する設定値が誤った値で設定されていても、ウエハ保持手段が正常に回転しているか否かを検査することができるという効果が得られる。
【００４１】
特に、本発明に係る請求項３記載のイオン注入装置の検査方法によれば、半導体ウエハのイオン濃度分布から、ウエハ保持手段が正常に回転しているか否かを比較的明確に把握することができるという効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】イオン注入装置の全体の構成を示す概略図である。
【図２】イオン注入装置の要部の構成を示す概略図である。
【図３】イオン注入装置の要部の構成を示す概略図である。
【図４】制御装置１３の構成を示すブロック図である。
【図５】検査処理を示すフローチャートである。
【図６】ウエハ保持プラテン３が正常に回転している場合における半導体ウエハ６のイオン濃度分布を示す図である
【符号の説明】
１，２ Ｘ方向走査電極
３１ Ｙ方向走査電極
３ ウエハ保持プラテン
６ 半導体ウエハ
１３ 制御装置
１４ Ｘ方向走査電源
１５ Ｙ方向走査電源
１８ プラテン駆動部
４１ イオン源部
４２ 質量分離部
４３ ビームライン部
４４ エンドステーション部
４６ 引出電源
７２ ＣＰＵ
７４ ＲＯＭ
７６ ＲＡＭ
７８ Ｉ／Ｆ
Claims (3)
- 半導体ウエハに対してイオンビームを当該半導体ウエハの回転中心点から円周までの間で水平方向のみ走査しながら照射した後、前記半導体ウエハをその円周方向に所定角度回転させる注入ステップを、所定回数繰り返し行うことにより半導体ウエハにイオンを注入し、
前記イオン注入された半導体ウエハのイオン濃度分布を解析することにより、前記角度および前記回数の設定値が正しい値か否かを判定することを特徴とするイオン注入装置の検査方法。 - 半導体ウエハを保持するとともに保持した半導体ウエハをその円周方向に回転可能なウエハ保持手段と、前記ウエハ保持手段が保持する半導体ウエハに対してイオンビームを照射するイオンビーム照射手段と、を備え、前記イオンビーム照射手段によりイオンビームを照射した後、前記ウエハ保持手段を所定角度回転させる注入ステップを、所定回数繰り返し行うことにより半導体ウエハにイオンを注入し、前記イオン注入された半導体ウエハのイオン濃度分布を解析することにより、前記角度および前記回数の設定値が正しい値か否かを判定するイオン注入装置を検査する方法であって、
前記注入ステップにおいて半導体ウエハに対してイオンビームを当該半導体ウエハの回転中心点から円周までの間で水平方向のみ走査しながら照射するように前記イオンビーム照射手段を制御する制御ステップを含むことを特徴とするイオン注入装置の検査方法。 - 請求項１および２のいずれか１項において、
前記イオン濃度分布が前記半導体ウエハの回転中心点を中心とする円弧状の軌道上に全周にわたって所定間隔で一定の濃度分布となっている場合は、前記角度および前記回数の設定値が正しい値であると判定し、
前記イオン濃度分布が前記半導体ウエハの回転中心点を中心とする円弧状の軌道上に全周にわたって所定間隔で一定の濃度分布でない場合は、前記角度および前記回数の設定値が誤った値であると判定することを特徴とするイオン注入装置の検査方法。
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