JPH1167807A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】ＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置において、
インナーリードのワイヤボンディング位置におけるワイ
ヤ接合強度を確保し、ボンディングワイヤの剥がれを防
止することである。 【解決手段】インナーリード２の上面にインナーリード
２と直交する方向に接着テープ３を貼り付けるととも
に、吊りリード５の下面には接着テープ３を介して半導
体チップ１を固定してなる組立体をヒータブロック９上
に載置し、このヒータブロック９の組立体載置面には半
導体チップ１を落とし込む凹部１３を設け、この凹部１
３の周辺上でインナーリード２を支持するとともにリー
ド押さえ７を用いてヒータブロック９上に固定し、半導
体チップ１上のボンディングパッド１２とインナーリー
ド２との間を、接着テープ３をまたいでボンディングワ
イヤ４で接続してなる樹脂封止型半導体装置である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特にＬＯＣ（リードオンチップ）構造の樹脂封止型半導
体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置のパッケー
ジは、リードフレームのアイランドに半導体チップを搭
載し、この半導体チップ上に設けられたボンディングパ
ッドとリードフレームのインナーリード（以下、樹脂封
止されるリード部分をインナーリードと称する）とをボ
ンディングワイヤで接続し、その後、半導体チップを中
心に樹脂封止して形成する構造が一般的であった。
【０００３】しかし、メモリチップのように、大容量化
したチップの樹脂封止パッケージのサイズを小型に押さ
えようとする場合には、メモリチップ上に絶縁材を介在
させてインナーリードを重ね合わせるように配置したＬ
ＯＣ構造のパッケージが用いられている。このＬＯＣ構
造の樹脂封止型半導体装置は、メモリチップの回路パタ
ーンに規制されることなくインナーリードを自由に引き
回せるので、この引き回しの分だけパッケージサイズを
小型化できることになる。
【０００４】この従来のＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体
装置について、図３の断面図を用いて説明する。半導体
チップ１の回路形成面上に、絶縁材である接着テープ３
を介在させて複数のインナーリード2が接着剤で接着さ
れている。接着テープ3は、ポリイミド系樹脂テープの
両面に、接着剤を塗布した両面接着テープである。イン
ナーリード２は、アイランドレスのリードフレームに形
成され、半導体チップ1の両側からチップ上面の中央部
近傍まで張り出し、この状態で半導体チップ1が接着固
定されている。
【０００５】ボンディングワイヤ４は、半導体チップ１
の中心線に沿って設けられたボンディングパッドと、イ
ンナーリード２の先端部との間を接続している。このイ
ンナーリード２の先端部のボンディング位置は、例えば
特開平４−２９１９５０号公報に示されているように、
接着テープ３上に位置している。このようにして形成さ
れた組立体を樹脂6で封止し、リードを形成してパッケ
ージを完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の樹
脂封止型半導体装置は、図３に示すように、インナーリ
ード２が接着テープ３を介して半導体チップ１上に重ね
られた構造であるため、ワイヤボンディング時に、キャ
ピラリを用いてワイヤをインナーリードのボンディング
位置に熱圧着接合する際、十分な加圧力がワイヤに加わ
らず、熱圧着接合が不完全になるという問題があり、そ
の後の樹脂封止工程や、パッケージに衝撃が加わった場
合などに、剥離ワイヤ１１で示すように、ボンディング
ワイヤ４がインナーリード2から剥離するという不具合
があった。
【０００７】その理由は、ボンディングワイヤの熱圧着
時に、接着テープに弾性変形を生じるためであり、ま
た、半導体チップがヒータブロックに載っているだけな
ので、インナーリードのボンディング位置がヒータブロ
ック上面から離れた位置にあるためであり、その結果、
ワイヤボンディングに必要な加圧力及び加熱温度が確保
できないことによる。
【０００８】本発明の目的は、ＬＯＣ構造の樹脂封止型
半導体装置において、インナーリードのワイヤボンディ
ング位置における接合強度を確保し、ボンディングワイ
ヤ剥がれを防止することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、インナーリー
ドが半導体チップ上に張り出したＬＯＣ構造の樹脂封止
型半導体装置において、インナーリードと吊りリードを
含むリードフレームを備え、インナーリード上面にイン
ナーリードと直交する方向に接着テープを貼り付け、吊
りリードの下面には接着テープを介して半導体チップを
固定し、半導体チップ上のボンディングパッドとインナ
ーリードとを、前記インナーリード上面に貼り付けられ
た接着テープをまたいでワイヤボンディングしたことを
特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
【００１０】また、本発明は、前記インナーリード上面
にインナーリードと直交する方向に接着テープを貼り付
けるとともに、前記吊りリードの下面には接着テープを
介して半導体チップを固定してなる組立体をヒータブロ
ック上に載置し、このヒータブロックの組立体載置面に
は前記半導体チップを落とし込む凹部を設け、この凹部
周辺上でインナーリードを支持し、インナーリードをリ
ード押さえを用いてヒータブロック上に固定し、半導体
チップ上のボンディングパッドとインナーリードとの間
をワイヤボンディングすることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置の製造方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図１を参照して詳細に説明する。図１は本発明の樹
脂封止型半導体装置の内部構造を示す図で、図（ａ）は
部分平面図、図（ｂ）は図（ａ）のＡ−Ａ断面図、図
（ｃ）は図（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００１２】本発明の樹脂封止型半導体装置に用いるリ
ードフレームは、アイランドが設けられていないいわゆ
るアイランドレスリードフレームを使用する。このリー
ドフレームは、先端部を近接対向させて設けた多数のイ
ンナーリード２と、半導体チップ１を保持する数本の吊
りリード５とを有している。吊りリード５の下面には、
あらかじめ両面に接着剤を塗布したポリイミド系樹脂テ
ープからなる接着テープ３ａが貼り付けられており、こ
の接着テープ３ａを介して半導体チップ１を接着固定す
る。
【００１３】この際、インナーリード２と吊りリード５
とは、同一平面に形成されているため、半導体チップ１
とインナーリード２との間には、接着テープ３ａの厚さ
分だけの隙間ができ、半導体チップ１上に張り出したイ
ンナーリード２は、半導体チップ１の上面から浮いた状
態となっている。
【００１４】一方、インナーリード２の上面には、あら
かじめポリイミド系樹脂テープからなる接着テープ３
が、インナーリード２と直交する方向に貼り付けられて
おり、この接着テープ３によりインナーリード２が固定
されている。また接着テープ３は、インナーリード２を
接着する下面側にのみ接着剤が塗布されている。さらに
接着テープ３は、長手方向の一辺がインナーリード２の
先端からわずかにはみ出す位置にあり、他辺が半導体チ
ップ１の外周の一辺とほぼ一致する位置にくるように幅
を持たせている。
【００１５】次に、半導体チップ１の中心線に沿って設
けられたボンディングパッド１２と、接着テープ３をま
たいでインナーリード２との間をボンディングワイヤ４
で接続する。その際、インナーリード２上のワイヤボン
ディング位置は、半導体チップ１の外周の一辺上よりや
や外側に位置させる。その後、樹脂６で封止を行い、パ
ッケージを完成させる。
【００１６】次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法について、図２を用いて説明する。図２は、本発
明の樹脂封止型半導体装置のワイヤボンディング方法を
説明する断面図である。図１で説明したように、リード
フレームの吊りリード５の下面に半導体チップ１を接着
保持し、さらに、半導体チップ1上に張り出したインナ
ーリード2上に接着テープ３を貼り付けてなる組立体
を、ヒータブロック9上に載置する。
【００１７】ヒータブロック９には、半導体チップ１が
嵌まる大きさの溝あるいは凹部１３が形成され、この凹
部１３に半導体チップ１を落とし込み、凹部１３の底面
に設けられた真空吸着孔１０で半導体チップ１を固定す
る。この際、インナーリード２は、凹部１３の周辺部の
ヒータブロック９上に支持され、その位置でリード押さ
え７により固定される。
【００１８】この状態で、キャピラリ８を用いてボンデ
ィングワイヤ４により、半導体チップ１の中心線に沿っ
て設けられたボンディングパッド１２と、接着テープ３
をまたいだインナーリード２との間を接続する。この、
インナーリード２上のワイヤボンディング位置は、接着
テープ３の外側でかつ樹脂封止するパッケージの内側と
する。
【００１９】この位置にワイヤボンディングを行えば、
インナーリード２がヒータブロック９と直接接触し、か
つ、ヒータブロック９上に確実に固定されるため加熱、
加圧が十分に行われ、ワイヤボンディング強度も向上す
る。また、ワイヤボンディングの２点間距離は多少長く
なるが、絶縁材である接着テープ３をまたいでいるの
で、ショート不良を発生することもない。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、インナーリード上のワ
イヤボンディング位置の下方に接着テープが存在しなく
なり、かつインナーリードはヒータブロック上に確実に
固定されるので、ワイヤボンディングに要する加圧力が
接着テープの弾性で減少することがなくなり、その結
果、ボンディングワイヤの接合強度が向上し、剥離ワイ
ヤの発生をなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置の内部構造を示
す図で、図（ａ）は部分平面図、図（ｂ）は図（ａ）の
Ａ−Ａ断面図、図（ｃ）は図（ａ）のＢ−Ｂ断面図であ
る。
【図２】本発明の樹脂封止型半導体装置のワイヤボンデ
ィング方法を説明する断面図である。
【図３】従来のＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置の断
面図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ ２ インナーリード ３ 接着テープ ４ ボンディングワイヤ ５ 吊りリード ６ 樹脂 ７ リード押さえ ８ キャピラリ ９ ヒータブロック １０ 真空吸着孔 １１ 剥離ワイヤ １２ ボンディングパッド １３ 凹部

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 インナーリードが半導体チップ上に張り
    出したＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置において、イ
    ンナーリードと吊りリードを含むリードフレームを備
    え、インナーリード上面にインナーリードと直交する方
    向に接着テープを貼り付け、吊りリードの下面には接着
    テープを介して半導体チップを固定し、半導体チップ上
    のボンディングパッドとインナーリードとを、前記イン
    ナーリード上面に貼り付けられた接着テープをまたいで
    ワイヤボンディングしたことを特徴とする樹脂封止型半
    導体装置。
  2. 【請求項２】 前記インナーリード上面に貼り付けられ
    た接着テープの一側端は、インナーリード先端から張り
    出していることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型
    半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記インナーリード上面のワイヤボンデ
    ィング位置は、半導体チップの外周の一辺上より外側に
    あることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体
    装置。
  4. 【請求項４】 前記吊りリードに固定された半導体チッ
    プは、インナーリードに接触していないことを特徴とす
    る請求項1記載の樹脂封止型半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記リードフレームは、インナーリード
    と吊りリードがほぼ同一平面上に形成されていることを
    特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記インナーリード上面にインナーリー
    ドと直交する方向に接着テープを貼り付けるとともに、
    前記吊りリードの下面には接着テープを介して半導体チ
    ップを固定してなる組立体をヒータブロック上に載置
    し、このヒータブロックの組立体載置面には、前記半導
    体チップを落とし込む凹部を設け、この凹部周辺上でイ
    ンナーリードを支持し、インナーリードをリード押さえ
    を用いてヒータブロック上に固定し、半導体チップ上の
    ボンディングパッドとインナーリードとの間をワイヤボ
    ンディングすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置
    の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記インナーリード上面のワイヤボンデ
    ィング位置を、前記ヒータブロックの凹部周辺上に位置
    させることを特徴とする請求項6記載の樹脂封止型半導
    体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記ヒータブロックの凹部に落とし込ん
    だ半導体チップを、凹部底に設けた真空吸着孔により吸
    着固定することを特徴とする請求項6記載の樹脂封止型
    半導体装置の製造方法。
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WO2009111818A1 (en) * 2008-03-12 2009-09-17 Silverbrook Research Pty Ltd Method of adhering wire bond loops to reduce loop height
WO2009111817A1 (en) * 2008-03-12 2009-09-17 Silverbrook Research Pty Ltd Electronic device with wire bonds secured to the adhesive surface

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7741720B2 (en) 2007-09-25 2010-06-22 Silverbrook Research Pty Ltd Electronic device with wire bonds adhered between integrated circuits dies and printed circuit boards
US7875504B2 (en) 2007-09-25 2011-01-25 Silverbrook Research Pty Ltd Method of adhering wire bond loops to reduce loop height
WO2009111818A1 (en) * 2008-03-12 2009-09-17 Silverbrook Research Pty Ltd Method of adhering wire bond loops to reduce loop height
WO2009111817A1 (en) * 2008-03-12 2009-09-17 Silverbrook Research Pty Ltd Electronic device with wire bonds secured to the adhesive surface

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