JPH1167657A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH1167657A JPH1167657A JP9229548A JP22954897A JPH1167657A JP H1167657 A JPH1167657 A JP H1167657A JP 9229548 A JP9229548 A JP 9229548A JP 22954897 A JP22954897 A JP 22954897A JP H1167657 A JPH1167657 A JP H1167657A
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- JP
- Japan
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- unit
- light source
- exposure
- light
- exposure apparatus
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大気中に存在する微量の化学物質によって光
学部材に悪影響を与えず、しかもコスト性や安全性に優
れた露光装置を提供する。 【解決手段】 光源部１１と、光源部１１からの光を回
路パターン原板となるマスク２４へ照射する照明光学系
２３及び照明光学系２３からマスク２４を介して到達す
る光を被露光試料２２に投影する投影光学系２５を有す
る露光部本体２１と、チャコールフィルター、塩基性物
質除去フィルター、酸性物質除去フィルター及びシリコ
ン化合物除去フィルターの少なくとも一つを有するフィ
ルタリング部４１と、光源部１１からの光を露光部本体
２１に導くとともに少なくともその一部がフィルタリン
グ部４１でフィルタリングされた空気で満たされるよう
に構成された光路構成部３１とを有する。
学部材に悪影響を与えず、しかもコスト性や安全性に優
れた露光装置を提供する。 【解決手段】 光源部１１と、光源部１１からの光を回
路パターン原板となるマスク２４へ照射する照明光学系
２３及び照明光学系２３からマスク２４を介して到達す
る光を被露光試料２２に投影する投影光学系２５を有す
る露光部本体２１と、チャコールフィルター、塩基性物
質除去フィルター、酸性物質除去フィルター及びシリコ
ン化合物除去フィルターの少なくとも一つを有するフィ
ルタリング部４１と、光源部１１からの光を露光部本体
２１に導くとともに少なくともその一部がフィルタリン
グ部４１でフィルタリングされた空気で満たされるよう
に構成された光路構成部３１とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの微細化に伴い、リソグラフィの
解像性に対する要求が厳しくなってきている。ＬＳＩの
パターンが描かれたフォトマスクを露光光によって照明
し、その透過光を縮小投影光学系でウエハ上に縮小転写
する光リソグラフィでは、その解像力は露光波長λと投
影光学系の開口数ＮＡで決定される。解像力ｄは、ｋを
比例係数として、「ｄ＝ｋλ／ＮＡ」で示される。この
式から、解像力を高くするためには、開口数ＮＡを大き
くするか、露光波長λを小さくすることが考えられる。
解像性に対する要求が厳しくなってきている。ＬＳＩの
パターンが描かれたフォトマスクを露光光によって照明
し、その透過光を縮小投影光学系でウエハ上に縮小転写
する光リソグラフィでは、その解像力は露光波長λと投
影光学系の開口数ＮＡで決定される。解像力ｄは、ｋを
比例係数として、「ｄ＝ｋλ／ＮＡ」で示される。この
式から、解像力を高くするためには、開口数ＮＡを大き
くするか、露光波長λを小さくすることが考えられる。
【０００３】これまでもデバイスパターンの微細化に伴
って高ＮＡ化や露光波長λの短波長化が推し進められて
きており、最新の機種ではＮＡが０．６を越えるものま
で登場している。一方、露光波長に関しては、設計ルー
ルが約０．８μｍの４ＭＤＲＡＭまでは水銀灯のｇ線
（波長４３６ｎｍ）が使われ、０．５μｍルールが基本
の１６ＭＤＲＡＭまではｉ線（波長３６５ｎｍ）が主流
であった。また、０．３５μｍルールの６４ＭＤＲＡＭ
ではｉ線を用いた露光とクリプトンフロライド（Krypto
n Fluoride : KrF、波長２４８ｎｍ）エキシマレーザー
を用いた露光との端境期、０．２５μｍルールの２５６
ＭＤＲＡＭではＫｒＦエキシマレーザーを用いた露光が
主流となる。さらに、０．１８〜０．１５μｍルールの
１ＧＤＲＡＭではＫｒＦエキシマレーザー露光とアルゴ
ンフロライド（Argon Fluoride : ArF、波長１９３ｎ
ｍ）エキシマレーザー露光との端境期、０．１３〜０．
１μｍルールの４ＧＤＲＡＭではＡｒＦを用いた露光が
主流になると考えられる。
って高ＮＡ化や露光波長λの短波長化が推し進められて
きており、最新の機種ではＮＡが０．６を越えるものま
で登場している。一方、露光波長に関しては、設計ルー
ルが約０．８μｍの４ＭＤＲＡＭまでは水銀灯のｇ線
（波長４３６ｎｍ）が使われ、０．５μｍルールが基本
の１６ＭＤＲＡＭまではｉ線（波長３６５ｎｍ）が主流
であった。また、０．３５μｍルールの６４ＭＤＲＡＭ
ではｉ線を用いた露光とクリプトンフロライド（Krypto
n Fluoride : KrF、波長２４８ｎｍ）エキシマレーザー
を用いた露光との端境期、０．２５μｍルールの２５６
ＭＤＲＡＭではＫｒＦエキシマレーザーを用いた露光が
主流となる。さらに、０．１８〜０．１５μｍルールの
１ＧＤＲＡＭではＫｒＦエキシマレーザー露光とアルゴ
ンフロライド（Argon Fluoride : ArF、波長１９３ｎ
ｍ）エキシマレーザー露光との端境期、０．１３〜０．
１μｍルールの４ＧＤＲＡＭではＡｒＦを用いた露光が
主流になると考えられる。
【０００４】フォトマスクにＫｒＦエキシマレーザーや
ＡｒＦエキシマレーザーといったＤＵＶ（Deep Ultra V
iolet ）光を照射してウエハ上にその像を転写する露光
装置では、光源から発した光を露光装置の照明光学系に
導くための光路が必要となる。この光路中には、ＤＵＶ
光をフォトマスク上の適切な位置に適切なビームサイズ
で導くために、ミラーやレンズなどの光学部材が設置さ
れている。しかしながら、これらの光学部材がＤＵＶ光
によって曇ってしまうという問題がある。これは、大気
中に存在する微量のＣx Ｈy （ハイドロカーボン）系物
質、ＮＯx 系物質、ＳＯx 系物質、ＮＨx 系物質、或い
はシリコン化合物などが高エネルギーのＤＵＶ光によっ
て分解反応を起こし、分解反応によって生じたＳｉＯ2
などの分解生成物がミラーやレンズなどの光学部材に堆
積するためである。
ＡｒＦエキシマレーザーといったＤＵＶ（Deep Ultra V
iolet ）光を照射してウエハ上にその像を転写する露光
装置では、光源から発した光を露光装置の照明光学系に
導くための光路が必要となる。この光路中には、ＤＵＶ
光をフォトマスク上の適切な位置に適切なビームサイズ
で導くために、ミラーやレンズなどの光学部材が設置さ
れている。しかしながら、これらの光学部材がＤＵＶ光
によって曇ってしまうという問題がある。これは、大気
中に存在する微量のＣx Ｈy （ハイドロカーボン）系物
質、ＮＯx 系物質、ＳＯx 系物質、ＮＨx 系物質、或い
はシリコン化合物などが高エネルギーのＤＵＶ光によっ
て分解反応を起こし、分解反応によって生じたＳｉＯ2
などの分解生成物がミラーやレンズなどの光学部材に堆
積するためである。
【０００５】上記の問題を解決するために、従来は光路
をチャンバーで覆い、その中の空気を窒素で置換すると
いった方法が取られていた。以下、この方法について、
図３を参照して説明する。
をチャンバーで覆い、その中の空気を窒素で置換すると
いった方法が取られていた。以下、この方法について、
図３を参照して説明する。
【０００６】光源部７１にはＤＵＶ光を発生するレーザ
ーが内臓されており、光源部７１からのレーザー光はビ
ームチャンバー９１を介して露光部本体８１に導かれ
る。露光部本体８１では、チャンバー８２内に設けた照
明光学系８３や投影光学系８５等により、フォトマスク
８４を通過したレーザー光がウエハ８６に投影される。
ビームチャンバー９１の内部にはミラー等の光学部材９
２が配置されており、光源部７１からのレーザー光を露
光部本体８１に導くようになっている。また、ビームチ
ャンバー９１にはビームチャンバー９１内に窒素ガスを
導入するための導入口９３及び導入された窒素ガスをビ
ームチャンバー９１外に排出するための排出口９４が接
続されている。
ーが内臓されており、光源部７１からのレーザー光はビ
ームチャンバー９１を介して露光部本体８１に導かれ
る。露光部本体８１では、チャンバー８２内に設けた照
明光学系８３や投影光学系８５等により、フォトマスク
８４を通過したレーザー光がウエハ８６に投影される。
ビームチャンバー９１の内部にはミラー等の光学部材９
２が配置されており、光源部７１からのレーザー光を露
光部本体８１に導くようになっている。また、ビームチ
ャンバー９１にはビームチャンバー９１内に窒素ガスを
導入するための導入口９３及び導入された窒素ガスをビ
ームチャンバー９１外に排出するための排出口９４が接
続されている。
【０００７】このように、ビームチャンバー９１内に窒
素ガスを導入することにより、大気中に含まれる微量の
Ｃx Ｈy 系物質、ＮＯx 系物質、ＳＯx 系物質、ＮＨx
系物質、或いはシリコン化合物などが窒素ガスによって
置換される。したがって、これらの物質がＤＵＶ光によ
って分解することがないため、分解生成物がミラーやレ
ンズなどの光学部材に堆積することはない。しかしなが
ら、窒素置換のためのランニングコストが高くなり、ま
た窒素ガスの漏洩によって酸素欠乏状態になるという危
険性があった。
素ガスを導入することにより、大気中に含まれる微量の
Ｃx Ｈy 系物質、ＮＯx 系物質、ＳＯx 系物質、ＮＨx
系物質、或いはシリコン化合物などが窒素ガスによって
置換される。したがって、これらの物質がＤＵＶ光によ
って分解することがないため、分解生成物がミラーやレ
ンズなどの光学部材に堆積することはない。しかしなが
ら、窒素置換のためのランニングコストが高くなり、ま
た窒素ガスの漏洩によって酸素欠乏状態になるという危
険性があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の露
光装置では、大気中に存在する微量のＣx Ｈy 系物質、
ＮＯx 系物質、ＳＯx 系物質、ＮＨx 系物質、或いはシ
リコン化合物などの化学物質が高エネルギーのＤＵＶ光
によって分解反応を起こし、分解反応によって生じた分
解生成物がミラーやレンズなどの光学部材に堆積して、
光学部材に曇りが生じるという問題があった。また、ビ
ームチャンバー内を窒素ガスで置換するように構成した
ものでは、分解生成物によって光学部材に曇りが生じる
という問題はないが、窒素置換のためのコストが高くな
るという問題があり、さらに窒素ガスの漏洩によって酸
素が欠乏するおそれがあり、安全性の観点からも問題が
あった。
光装置では、大気中に存在する微量のＣx Ｈy 系物質、
ＮＯx 系物質、ＳＯx 系物質、ＮＨx 系物質、或いはシ
リコン化合物などの化学物質が高エネルギーのＤＵＶ光
によって分解反応を起こし、分解反応によって生じた分
解生成物がミラーやレンズなどの光学部材に堆積して、
光学部材に曇りが生じるという問題があった。また、ビ
ームチャンバー内を窒素ガスで置換するように構成した
ものでは、分解生成物によって光学部材に曇りが生じる
という問題はないが、窒素置換のためのコストが高くな
るという問題があり、さらに窒素ガスの漏洩によって酸
素が欠乏するおそれがあり、安全性の観点からも問題が
あった。
【０００９】本発明は上記従来の問題に対してなされた
ものであり、大気中に存在する微量の化学物質によって
光学部材に悪影響を与えず、しかもコスト性や安全性に
優れた露光装置を提供することを目的とする。
ものであり、大気中に存在する微量の化学物質によって
光学部材に悪影響を与えず、しかもコスト性や安全性に
優れた露光装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の露光装置は、光
源部と、この光源部からの光を回路パターン原板となる
マスクへ照射する照明光学系及びこの照明光学系から前
記マスクを介して到達する光を被露光試料に投影する投
影光学系を有する露光部本体と、チャコールフィルタ
ー、塩基性物質除去フィルター、酸性物質除去フィルタ
ー及びシリコン化合物除去フィルターの少なくとも一つ
を有するフィルタリング部と、前記光源部からの光を前
記露光部本体に導くとともに少なくともその一部が前記
フィルタリング部でフィルタリングされた空気で満たさ
れるように構成された光路構成部とを有する。
源部と、この光源部からの光を回路パターン原板となる
マスクへ照射する照明光学系及びこの照明光学系から前
記マスクを介して到達する光を被露光試料に投影する投
影光学系を有する露光部本体と、チャコールフィルタ
ー、塩基性物質除去フィルター、酸性物質除去フィルタ
ー及びシリコン化合物除去フィルターの少なくとも一つ
を有するフィルタリング部と、前記光源部からの光を前
記露光部本体に導くとともに少なくともその一部が前記
フィルタリング部でフィルタリングされた空気で満たさ
れるように構成された光路構成部とを有する。
【００１１】前記光路構成部には光源部からの光を露光
部本体に導くための光学部材が配置されていることが好
ましい。前記発明によれば、フィルタリング部を通して
光路構成部内に空気を導入するため、大気中に含まれる
微量のＣx Ｈy 系物質、ＮＯx 系物質、ＳＯx 系物質、
ＮＨx 系物質、或いはシリコン化合物などが除去された
空気によって光路構成部内が充填される。したがって、
従来のように露光中にこれらの物質が分解反応を起こし
て光路構成部内のミラーやレンズ等の光学部材に堆積す
ることがなく、従来見られた光学部材の曇りを防止する
ことができる。また、従来のようにビームチャンバー内
を窒素ガスによって置換する必要がないので、窒素置換
のためのコストが不要になるとともに、窒素ガスの漏洩
による安全性の問題も改善することができる。
部本体に導くための光学部材が配置されていることが好
ましい。前記発明によれば、フィルタリング部を通して
光路構成部内に空気を導入するため、大気中に含まれる
微量のＣx Ｈy 系物質、ＮＯx 系物質、ＳＯx 系物質、
ＮＨx 系物質、或いはシリコン化合物などが除去された
空気によって光路構成部内が充填される。したがって、
従来のように露光中にこれらの物質が分解反応を起こし
て光路構成部内のミラーやレンズ等の光学部材に堆積す
ることがなく、従来見られた光学部材の曇りを防止する
ことができる。また、従来のようにビームチャンバー内
を窒素ガスによって置換する必要がないので、窒素置換
のためのコストが不要になるとともに、窒素ガスの漏洩
による安全性の問題も改善することができる。
【００１２】前記光路構成部は、例えば、その全域がフ
ィルタリング部でフィルタリングされた空気で満たされ
るように構成される。より具体的には、光源部及び露光
部本体間に接続されその内部に光学部材が配置されたチ
ャンバーによって光路構成部を構成し、前記チャンバー
がフィルタリング部でフィルタリングされた空気で満た
されるようにする。
ィルタリング部でフィルタリングされた空気で満たされ
るように構成される。より具体的には、光源部及び露光
部本体間に接続されその内部に光学部材が配置されたチ
ャンバーによって光路構成部を構成し、前記チャンバー
がフィルタリング部でフィルタリングされた空気で満た
されるようにする。
【００１３】また、前記光路構成部は、例えば、光源部
に隣接する領域及び露光部本体に隣接する領域がフィル
タリング部でフィルタリングされた空気で満たされるよ
うに構成される。より具体的には、光源部及び露光部本
体にそれぞれ隣接しその内部に光学部材が配置された第
１及び第２のチャンバーと、これら第１及び第２のチャ
ンバー間を接続するフレキシブルなライトガイドとによ
って光路構成部を構成し、第１及び第２のチャンバーが
フィルタリング部でフィルタリングされた空気で満たさ
れるようにする。
に隣接する領域及び露光部本体に隣接する領域がフィル
タリング部でフィルタリングされた空気で満たされるよ
うに構成される。より具体的には、光源部及び露光部本
体にそれぞれ隣接しその内部に光学部材が配置された第
１及び第２のチャンバーと、これら第１及び第２のチャ
ンバー間を接続するフレキシブルなライトガイドとによ
って光路構成部を構成し、第１及び第２のチャンバーが
フィルタリング部でフィルタリングされた空気で満たさ
れるようにする。
【００１４】このように、光源部と露光部本体との間を
フレキシブルなライトガイドで接続することにより、光
源部と露光部本体とを別々の場所に離して設置できると
ともに、光学部材を高い位置精度で配置しなくてもす
む。さらに、チャンバーの容量を低減することができる
ため、フィルターの負担が低減され、効率よくフィルタ
リングを行うことができる。
フレキシブルなライトガイドで接続することにより、光
源部と露光部本体とを別々の場所に離して設置できると
ともに、光学部材を高い位置精度で配置しなくてもす
む。さらに、チャンバーの容量を低減することができる
ため、フィルターの負担が低減され、効率よくフィルタ
リングを行うことができる。
【００１５】なお、光源部からはＤＵＶのレーザー光を
発生させることが好ましい。また、前記塩基性物質除去
フィルターは、少なくともスルホン基を有する物質又は
カルボキシル基を有する物質を含んで構成されているこ
とが好ましい。また、前記酸性物質除去フィルターは、
少なくとも４級アンモニウム基を有する物質又は３級ア
ミノ基を有する物質を含んで構成されていることが好ま
しい。
発生させることが好ましい。また、前記塩基性物質除去
フィルターは、少なくともスルホン基を有する物質又は
カルボキシル基を有する物質を含んで構成されているこ
とが好ましい。また、前記酸性物質除去フィルターは、
少なくとも４級アンモニウム基を有する物質又は３級ア
ミノ基を有する物質を含んで構成されていることが好ま
しい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施形態を説明する。まず、本発明の第１の実施形態に
ついて、図１を参照して説明する。光源部１１にはＡｒ
Ｆエキシマレーザー等のＤＵＶ光を発生するレーザーが
内臓されており、光源部１１からのレーザー光は後述す
るビームチャンバー３１等を介して露光部本体２１に導
かれる。露光部本体２１はチャンバー２２内に照明光学
系２３や投影光学系２５を設けた構成となっており、露
光部本体２１に入射したレーザー光は照明光学系２３を
通してＬＳＩ回路パターンが描かれたフォトマスク２４
に照射され、フォトマスク２４を通過したレーザー光は
投影光学系２５を介してシリコンウエハ２６等の被露光
試料に投影される。
実施形態を説明する。まず、本発明の第１の実施形態に
ついて、図１を参照して説明する。光源部１１にはＡｒ
Ｆエキシマレーザー等のＤＵＶ光を発生するレーザーが
内臓されており、光源部１１からのレーザー光は後述す
るビームチャンバー３１等を介して露光部本体２１に導
かれる。露光部本体２１はチャンバー２２内に照明光学
系２３や投影光学系２５を設けた構成となっており、露
光部本体２１に入射したレーザー光は照明光学系２３を
通してＬＳＩ回路パターンが描かれたフォトマスク２４
に照射され、フォトマスク２４を通過したレーザー光は
投影光学系２５を介してシリコンウエハ２６等の被露光
試料に投影される。
【００１７】ビームチャンバー３１の内部にはミラー等
の光学部材３２が配置されており、光源部１１からのレ
ーザー光を適切な位置及び適切なビームサイズで露光部
本体２１に導くように構成されている。また、ビームチ
ャンバー３１にはフィルタリング部４１が接続されてお
り、このフィルタリング部４１を通過した空気がビーム
チャンバー３１内に充填されるようになっている。さら
に、ビームチャンバー３１には排出口３３が接続されて
おり、フィルタリング部４１を通過した空気がこの排出
口から排出されるようになっている。なお、図１におい
て点を打った領域がフィルタリング部４１を通過した空
気で充填される領域である。
の光学部材３２が配置されており、光源部１１からのレ
ーザー光を適切な位置及び適切なビームサイズで露光部
本体２１に導くように構成されている。また、ビームチ
ャンバー３１にはフィルタリング部４１が接続されてお
り、このフィルタリング部４１を通過した空気がビーム
チャンバー３１内に充填されるようになっている。さら
に、ビームチャンバー３１には排出口３３が接続されて
おり、フィルタリング部４１を通過した空気がこの排出
口から排出されるようになっている。なお、図１におい
て点を打った領域がフィルタリング部４１を通過した空
気で充填される領域である。
【００１８】フィルタリング部４１は、大気中に存在す
る微量の化学物質を除去するケミカルフィルター部４２
及び大気中に存在する塵等を除去する塵除去用フィルタ
ー部４３から構成されている。ケミカルフィルター部４
２は、Ｃx Ｈy （ハイドロカーボン）系物質を除去する
チャコールフィルター４２ａ、ＮＨ3 、Ｎａ+ 、Ｋ+等
の塩基性物質を除去する塩基性物質除去フィルター４２
ｂ、ＨＣｌ、ＨＮＯ3、Ｈ2 ＳＯ4 、ＨＦ等の酸性物質
を除去する酸性物質除去フィルター４２ｃ、シリコン化
合物（ＨＭＤＳ等の有機シリコン化合物）を除去するシ
リコン化合物除去フィルター４２ｄから構成されてい
る。塩基性物質除去フィルター４２ｂとしては、イオン
交換基としてスルホン基を有する強酸性物質、カルボキ
シル基を有する弱酸性物質などが用いられる。また、酸
性物質除去フィルター４２ｃとしては、イオン交換基と
して４級アンモニウムを有する強塩基性物質、３級アミ
ノ基を有する弱塩基性物質などが用いられる。なお、ケ
ミカルフィルター部４２は上記フィルター４２ａ〜４２
ｄのうち少なくとも一つを有していればよい。
る微量の化学物質を除去するケミカルフィルター部４２
及び大気中に存在する塵等を除去する塵除去用フィルタ
ー部４３から構成されている。ケミカルフィルター部４
２は、Ｃx Ｈy （ハイドロカーボン）系物質を除去する
チャコールフィルター４２ａ、ＮＨ3 、Ｎａ+ 、Ｋ+等
の塩基性物質を除去する塩基性物質除去フィルター４２
ｂ、ＨＣｌ、ＨＮＯ3、Ｈ2 ＳＯ4 、ＨＦ等の酸性物質
を除去する酸性物質除去フィルター４２ｃ、シリコン化
合物（ＨＭＤＳ等の有機シリコン化合物）を除去するシ
リコン化合物除去フィルター４２ｄから構成されてい
る。塩基性物質除去フィルター４２ｂとしては、イオン
交換基としてスルホン基を有する強酸性物質、カルボキ
シル基を有する弱酸性物質などが用いられる。また、酸
性物質除去フィルター４２ｃとしては、イオン交換基と
して４級アンモニウムを有する強塩基性物質、３級アミ
ノ基を有する弱塩基性物質などが用いられる。なお、ケ
ミカルフィルター部４２は上記フィルター４２ａ〜４２
ｄのうち少なくとも一つを有していればよい。
【００１９】このように、フィルタリング部４１を通し
てビームチャンバー３１内に空気を導入するため、大気
中に含まれる微量のＣx Ｈy 系物質、ＮＯx 系物質、Ｓ
Ｏx系物質、ＮＨx 系物質、或いはシリコン化合物など
がケミカルフィルター４２によってフィルタリングさ
れ、これらの物質がビームチャンバー３１内に取り込ま
れない。したがって、露光中にこれらの物質がＤＵＶ光
によって分解反応を起こして光学部材に堆積することが
なく、従来見られた光学部材の曇りを防止することがで
きる。また、従来のようにビームチャンバー内を窒素ガ
スによって置換する必要がないので、窒素置換のための
コストが不要になるとともに、窒素ガスの漏洩によって
周囲が酸欠状態になることを防止することができる。
てビームチャンバー３１内に空気を導入するため、大気
中に含まれる微量のＣx Ｈy 系物質、ＮＯx 系物質、Ｓ
Ｏx系物質、ＮＨx 系物質、或いはシリコン化合物など
がケミカルフィルター４２によってフィルタリングさ
れ、これらの物質がビームチャンバー３１内に取り込ま
れない。したがって、露光中にこれらの物質がＤＵＶ光
によって分解反応を起こして光学部材に堆積することが
なく、従来見られた光学部材の曇りを防止することがで
きる。また、従来のようにビームチャンバー内を窒素ガ
スによって置換する必要がないので、窒素置換のための
コストが不要になるとともに、窒素ガスの漏洩によって
周囲が酸欠状態になることを防止することができる。
【００２０】つぎに、本発明の第２の実施形態につい
て、図２を参照して説明する。なお、図１に示した第１
の実施形態の構成要素と実質的に同一或いは対応する構
成要素には同一番号を付している。
て、図２を参照して説明する。なお、図１に示した第１
の実施形態の構成要素と実質的に同一或いは対応する構
成要素には同一番号を付している。
【００２１】光源部１１にはＡｒＦエキシマレーザー等
のＤＵＶ光を発生するレーザーが内臓されており、光源
部１１からのレーザー光は後述するライトガイド５１等
を介して露光部本体２１に導かれる。露光部本体２１
は、図１に示した第１の実施形態と同様、チャンバー２
２内に照明光学系２３や投影光学系２５を設けた構成と
なっており、露光部本体２１に入射したレーザー光は照
明光学系２３を通してＬＳＩ回路パターンが描かれたフ
ォトマスク２４に照射され、フォトマスク２４を通過し
たレーザー光は投影光学系２５を介してシリコンウエハ
２６等の被露光試料に投影される。
のＤＵＶ光を発生するレーザーが内臓されており、光源
部１１からのレーザー光は後述するライトガイド５１等
を介して露光部本体２１に導かれる。露光部本体２１
は、図１に示した第１の実施形態と同様、チャンバー２
２内に照明光学系２３や投影光学系２５を設けた構成と
なっており、露光部本体２１に入射したレーザー光は照
明光学系２３を通してＬＳＩ回路パターンが描かれたフ
ォトマスク２４に照射され、フォトマスク２４を通過し
たレーザー光は投影光学系２５を介してシリコンウエハ
２６等の被露光試料に投影される。
【００２２】ライトガイド５１と光源部１１との間及び
ライトガイド５１と露光部本体２１との間にはそれぞれ
ビームチャンバー５２が設けられており、ビームチャン
バー５２の内部にはレンズ等の光学部材５３が配置され
ている。光学部材５３の役割は、光源部１１からの平行
レーザー光をライトガイド５１の端面に絞り込むととも
に、ライトガイド５１を通過してライトガイド５１の端
面で発散するレーザー光を平行光に変換することであ
る。ライトガイド５１の材質は通常石英であり、ロッド
状のものや、ファイバー状のものを束ねたものを用いる
ことができる。
ライトガイド５１と露光部本体２１との間にはそれぞれ
ビームチャンバー５２が設けられており、ビームチャン
バー５２の内部にはレンズ等の光学部材５３が配置され
ている。光学部材５３の役割は、光源部１１からの平行
レーザー光をライトガイド５１の端面に絞り込むととも
に、ライトガイド５１を通過してライトガイド５１の端
面で発散するレーザー光を平行光に変換することであ
る。ライトガイド５１の材質は通常石英であり、ロッド
状のものや、ファイバー状のものを束ねたものを用いる
ことができる。
【００２３】また、ビームチャンバー５２にはフィルタ
リング部４１が接続されており、このフィルタリング部
４１を通過した空気がビームチャンバー５２内に充填さ
れるようになっている。さらに、ビームチャンバー５２
には排出口５４が接続されており、フィルタリング部４
１を通過した空気がこの排出口から排出されるようにな
っている。なお、図２において点を打った領域がフィル
タリング部４１を通過した空気で充填される領域であ
る。フィルタリング部４１の構成は図１に示した第１の
実施形態と同様であり、大気中に存在する微量の化学物
質を除去するケミカルフィルター部４２及び大気中に存
在する塵等を除去する塵除去用フィルター部４３から構
成されている。なお、フィルタリング部４１の詳細は第
１の実施形態で説明したものと同様であり、ここでは詳
細な説明は省略する。
リング部４１が接続されており、このフィルタリング部
４１を通過した空気がビームチャンバー５２内に充填さ
れるようになっている。さらに、ビームチャンバー５２
には排出口５４が接続されており、フィルタリング部４
１を通過した空気がこの排出口から排出されるようにな
っている。なお、図２において点を打った領域がフィル
タリング部４１を通過した空気で充填される領域であ
る。フィルタリング部４１の構成は図１に示した第１の
実施形態と同様であり、大気中に存在する微量の化学物
質を除去するケミカルフィルター部４２及び大気中に存
在する塵等を除去する塵除去用フィルター部４３から構
成されている。なお、フィルタリング部４１の詳細は第
１の実施形態で説明したものと同様であり、ここでは詳
細な説明は省略する。
【００２４】本実施形態でも第１の実施形態と同様、フ
ィルタリング部４１を通してビームチャンバー５２内に
空気を導入するため、大気中に含まれる微量のＣx Ｈy
系物質、ＮＯx 系物質、ＳＯx 系物質、ＮＨx 系物質、
或いはシリコン化合物などがビームチャンバー５２内に
取り込まれることがなく、これらの物質の分解生成物の
堆積によって光学部材が曇ることを防止することができ
る。また、ビームチャンバー内を窒素ガスによって置換
する必要がないので、窒素置換のためのコスト増大の問
題や窒素ガスの漏洩による安全面の問題を解決すること
ができる。
ィルタリング部４１を通してビームチャンバー５２内に
空気を導入するため、大気中に含まれる微量のＣx Ｈy
系物質、ＮＯx 系物質、ＳＯx 系物質、ＮＨx 系物質、
或いはシリコン化合物などがビームチャンバー５２内に
取り込まれることがなく、これらの物質の分解生成物の
堆積によって光学部材が曇ることを防止することができ
る。また、ビームチャンバー内を窒素ガスによって置換
する必要がないので、窒素置換のためのコスト増大の問
題や窒素ガスの漏洩による安全面の問題を解決すること
ができる。
【００２５】また、本実施形態では、光源部１１と露光
部本体２１との間のほとんどをフレキシブルなライトガ
イド５１で接続するため、光源部１１と露光部本体２１
とを別々の場所に離して設置できるというメリットも有
している。また、第１の実施形態で示した構成では光路
中の光学部材に対して高い位置精度が要求されるのに対
し、本実施形態ではフレキシブルなライドガイドを用い
ることによりこのような高い位置精度が不要となる。さ
らに、本実施形態ではフィルターを接続するチャンバー
の容量を低減することができるため、フィルターの負担
が低減され、効率よくフィルタリングを行うことができ
る。
部本体２１との間のほとんどをフレキシブルなライトガ
イド５１で接続するため、光源部１１と露光部本体２１
とを別々の場所に離して設置できるというメリットも有
している。また、第１の実施形態で示した構成では光路
中の光学部材に対して高い位置精度が要求されるのに対
し、本実施形態ではフレキシブルなライドガイドを用い
ることによりこのような高い位置精度が不要となる。さ
らに、本実施形態ではフィルターを接続するチャンバー
の容量を低減することができるため、フィルターの負担
が低減され、効率よくフィルタリングを行うことができ
る。
【００２６】なお、第２の実施形態において、レーザー
ビームのサイズやライトガイド径によっては光学部材５
３が不要となる場合もあり、この場合は光源部１１と露
光部本体２１との間をビームチャンバー５２を介さずに
直接ライトガイド５１で接続することも可能であること
を、本願の参考例として記載しておく。
ビームのサイズやライトガイド径によっては光学部材５
３が不要となる場合もあり、この場合は光源部１１と露
光部本体２１との間をビームチャンバー５２を介さずに
直接ライトガイド５１で接続することも可能であること
を、本願の参考例として記載しておく。
【００２７】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではな
く、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して
実施可能である。
が、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではな
く、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して
実施可能である。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、フィルタリング部を通
して光路構成部内に空気を導入するため、大気中に含ま
れる微量のＣx Ｈy 系物質、ＮＯx 系物質、ＳＯx 系物
質、ＮＨx 系物質、シリコン化合物などが除去された空
気によって光路構成部内が充填される。したがって、従
来のように露光中にこれらの物質が分解反応を起こして
光学部材に堆積するといった問題がなく、従来見られた
光学部材の曇りを防止することができる。また、従来の
ようにビームチャンバー内を窒素ガスによって置換する
必要がないので、窒素置換のためのコストが不要になる
とともに、窒素ガスの漏洩による安全性の問題も改善す
ることができる。
して光路構成部内に空気を導入するため、大気中に含ま
れる微量のＣx Ｈy 系物質、ＮＯx 系物質、ＳＯx 系物
質、ＮＨx 系物質、シリコン化合物などが除去された空
気によって光路構成部内が充填される。したがって、従
来のように露光中にこれらの物質が分解反応を起こして
光学部材に堆積するといった問題がなく、従来見られた
光学部材の曇りを防止することができる。また、従来の
ようにビームチャンバー内を窒素ガスによって置換する
必要がないので、窒素置換のためのコストが不要になる
とともに、窒素ガスの漏洩による安全性の問題も改善す
ることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る露光装置の構成
を示した図。
を示した図。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る露光装置の構成
を示した図。
を示した図。
【図３】従来技術に係る露光装置の構成を示した図。
１１…光源部 ２１…露光部本体 ２２…チャンバー ２３…照明光学系 ２４…フォトマスク ２５…投影光学系 ２６…半導体ウエハ（被露光試料） ３１…ビームチャンバー ３２…ミラー（光学部材） ３３…排出口 ４１…フィルタリング部 ４２…ケミカルフィルタ部 ４３…塵除去用フィルタ部 ５１…ライトガイド ５２…ビームチャンバー ５３…レンズ（光学部材） ５４…排出口
Claims (6)
- 【請求項１】 光源部と、この光源部からの光を回路パ
ターン原板となるマスクへ照射する照明光学系及びこの
照明光学系から前記マスクを介して到達する光を被露光
試料に投影する投影光学系を有する露光部本体と、チャ
コールフィルター、塩基性物質除去フィルター、酸性物
質除去フィルター及びシリコン化合物除去フィルターの
少なくとも一つを有するフィルタリング部と、前記光源
部からの光を前記露光部本体に導くとともに少なくとも
その一部が前記フィルタリング部でフィルタリングされ
た空気で満たされるように構成された光路構成部とを有
することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記光路構成部には前記光源部からの光
を前記露光部本体に導くための光学部材が配置されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記光路構成部はその全域が前記フィル
タリング部でフィルタリングされた空気で満たされるよ
うに構成されていることを特徴とする請求項１に記載の
露光装置。 - 【請求項４】 前記光路構成部は前記光源部及び前記露
光部本体間に接続されその内部に光学部材が配置された
チャンバーによって構成され、該チャンバーが前記フィ
ルタリング部でフィルタリングされた空気で満たされる
ように構成されていることを特徴とする請求項１に記載
の露光装置。 - 【請求項５】 前記光路構成部は前記光源部に隣接する
領域及び前記露光部本体に隣接する領域が前記フィルタ
リング部でフィルタリングされた空気で満たされるよう
に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の露
光装置。 - 【請求項６】 前記光路構成部は、前記光源部及び前記
露光部本体にそれぞれ隣接しその内部に光学部材が配置
された第１及び第２のチャンバーと、これら第１及び第
２のチャンバー間を接続するフレキシブルなライトガイ
ドとからなり、前記第１及び第２のチャンバーが前記フ
ィルタリング部でフィルタリングされた空気で満たされ
るように構成されていることを特徴とする請求項１に記
載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9229548A JPH1167657A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9229548A JPH1167657A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167657A true JPH1167657A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16893896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9229548A Pending JPH1167657A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1167657A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001167997A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-22 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造法 |
-
1997
- 1997-08-26 JP JP9229548A patent/JPH1167657A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001167997A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-22 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造法 |
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