JPH1157386A - 排ガス処理装置の破過検知装置 - Google Patents
排ガス処理装置の破過検知装置Info
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- JPH1157386A JPH1157386A JP23336397A JP23336397A JPH1157386A JP H1157386 A JPH1157386 A JP H1157386A JP 23336397 A JP23336397 A JP 23336397A JP 23336397 A JP23336397 A JP 23336397A JP H1157386 A JPH1157386 A JP H1157386A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 精度の良い反応槽の破過を検知できる製造プ
ロセス排ガスを処理する排ガス処理装置の破過検知装置
を提供すること。 【解決手段】 除害反応槽を具備し、半導体製造装置１
０３と通信回路で接続され、該半導体製造装置１０３と
の間で信号の送受を行いながら該半導体製造装置１０３
から排出される製造プロセス排ガスを除害反応槽で除害
する排ガス処理装置の該除害反応槽の交換時期である破
過を検知する破過検知手段を具備する排ガス処理装置１
０５の破過検知装置において、半導体製造装置１０３は
製造プロセス排ガス排出１回当たりの排出時間及び排出
時の単位時間当たりの排出流量が予め設定されており、
破過検知手段は通信回路を介して半導体製造装置１０３
から排ガス処理装置１０５に送られてくる排ガス放出指
令（Ｓ４）の回数及び／又は排出時間より破過を検知す
る。
ロセス排ガスを処理する排ガス処理装置の破過検知装置
を提供すること。 【解決手段】 除害反応槽を具備し、半導体製造装置１
０３と通信回路で接続され、該半導体製造装置１０３と
の間で信号の送受を行いながら該半導体製造装置１０３
から排出される製造プロセス排ガスを除害反応槽で除害
する排ガス処理装置の該除害反応槽の交換時期である破
過を検知する破過検知手段を具備する排ガス処理装置１
０５の破過検知装置において、半導体製造装置１０３は
製造プロセス排ガス排出１回当たりの排出時間及び排出
時の単位時間当たりの排出流量が予め設定されており、
破過検知手段は通信回路を介して半導体製造装置１０３
から排ガス処理装置１０５に送られてくる排ガス放出指
令（Ｓ４）の回数及び／又は排出時間より破過を検知す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体や液晶素子等
の精密電子部品の製造装置（以下、「半導体製造装置」
と称する）より排出される製造プロセスガスを除害処理
する排ガス処理装置の、特に半導体製造装置の反応室や
ガス流路のクリーニング目的で使用されるＣｌＦ3ガス
を除害処理する排ガス処理装置の除害反応槽の交換時期
である破過を検知するのに好適な破過検知装置に関する
ものである。
の精密電子部品の製造装置（以下、「半導体製造装置」
と称する）より排出される製造プロセスガスを除害処理
する排ガス処理装置の、特に半導体製造装置の反応室や
ガス流路のクリーニング目的で使用されるＣｌＦ3ガス
を除害処理する排ガス処理装置の除害反応槽の交換時期
である破過を検知するのに好適な破過検知装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置においては、種々の製造
プロセスガスを使用するが、該製造プロセスガスの多く
は有害ガスであり、そのまま大気に放出することができ
ない。そこで半導体製造装置から排出され製造プロセス
ガスを排ガス処理装置を通して、除害、即ち無害化して
いる。
プロセスガスを使用するが、該製造プロセスガスの多く
は有害ガスであり、そのまま大気に放出することができ
ない。そこで半導体製造装置から排出され製造プロセス
ガスを排ガス処理装置を通して、除害、即ち無害化して
いる。
【０００３】図３はこのような排ガス処理設備の概要を
示す図である。図示するように半導体製造装置１０３に
はガス供給装置１０１からＳｉＨ4ガス等のデポガスが
供給されると共に、ガス供給装置１０２からは半導体製
造装置１０３の反応室やガス流路をクリーニングする為
のＣｌＦ3ガス等が供給されるようになっている。ま
た、半導体製造装置１０３からのＳｉＨ4ガス等のデポ
ガスやＣｌＦ3ガス等のクリーニングガスはドライポン
プ１０４により排ガス処理装置１０５に送られ、該排ガ
ス処理装置１０５で除害処理された後、工場ダクト１０
６に排出されるようになっている。
示す図である。図示するように半導体製造装置１０３に
はガス供給装置１０１からＳｉＨ4ガス等のデポガスが
供給されると共に、ガス供給装置１０２からは半導体製
造装置１０３の反応室やガス流路をクリーニングする為
のＣｌＦ3ガス等が供給されるようになっている。ま
た、半導体製造装置１０３からのＳｉＨ4ガス等のデポ
ガスやＣｌＦ3ガス等のクリーニングガスはドライポン
プ１０４により排ガス処理装置１０５に送られ、該排ガ
ス処理装置１０５で除害処理された後、工場ダクト１０
６に排出されるようになっている。
【０００４】上記排ガス処理装置１０５にはＳｉＨ4ガ
ス等のデポガスを除害するデポガス反応槽や、ＣｌＦ3
ガス等のクリーニングガスを除害するクリーニングガス
反応槽が備えられており、それぞれデポガス及びクリー
ニングガスは除害される。これらデポガス反応槽やクリ
ーニングガス反応槽によって除害できるデポガスやクリ
ーニングガスの処理量は決まっており、この処理量を越
えると除害作用は著しく低下する。そこでこの処理量を
越えた時を反応槽の寿命（交換時期）、即ち破過として
デポガス反応槽やクリーニングガス反応槽を交換してい
る。
ス等のデポガスを除害するデポガス反応槽や、ＣｌＦ3
ガス等のクリーニングガスを除害するクリーニングガス
反応槽が備えられており、それぞれデポガス及びクリー
ニングガスは除害される。これらデポガス反応槽やクリ
ーニングガス反応槽によって除害できるデポガスやクリ
ーニングガスの処理量は決まっており、この処理量を越
えると除害作用は著しく低下する。そこでこの処理量を
越えた時を反応槽の寿命（交換時期）、即ち破過として
デポガス反応槽やクリーニングガス反応槽を交換してい
る。
【０００５】ところでこのデポガス反応槽やクリーニン
グガス反応槽の交換時期、即ち破過を精度良く検知する
ことが重要となる。破過が早すぎるとまだ十分に除害機
能を有する反応槽を交換することになり費用の無駄とな
り、遅すぎると有害ガスが放出されるという問題があ
る。
グガス反応槽の交換時期、即ち破過を精度良く検知する
ことが重要となる。破過が早すぎるとまだ十分に除害機
能を有する反応槽を交換することになり費用の無駄とな
り、遅すぎると有害ガスが放出されるという問題があ
る。
【０００６】従来、上記反応槽の破過を検知する方法、
特にＣｌＦ3ガス等のクリーニングガスを除害する反応
槽の破過検知方法として、下記の及びの方法があっ
た。 反応槽から排出側にガス検知器を設け、該ガス検知器
でクリーニングガスの濃度を検知することにより、該濃
度が所定値以上になったら破過として破過を検知する方
法
特にＣｌＦ3ガス等のクリーニングガスを除害する反応
槽の破過検知方法として、下記の及びの方法があっ
た。 反応槽から排出側にガス検知器を設け、該ガス検知器
でクリーニングガスの濃度を検知することにより、該濃
度が所定値以上になったら破過として破過を検知する方
法
【０００７】反応槽の重量を測定し、重量が所定値以
上増加したら破過として破過を検知する方法
上増加したら破過として破過を検知する方法
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記ガス検知器を用い
る方法は、ガス検知器が長時間ＣｌＦ3ガス等のクリー
ニングガスに暴露された時または６ケ月以上校正を行わ
れない場合に、正常にガスを検知しない可能性があると
いう問題があった。また、校正に手間とコストがかかる
という問題もあった。重量増加量による方法は、カラム
自重の割に、重量増加量が少なく、精度の良い検知がで
きないという問題があった。
る方法は、ガス検知器が長時間ＣｌＦ3ガス等のクリー
ニングガスに暴露された時または６ケ月以上校正を行わ
れない場合に、正常にガスを検知しない可能性があると
いう問題があった。また、校正に手間とコストがかかる
という問題もあった。重量増加量による方法は、カラム
自重の割に、重量増加量が少なく、精度の良い検知がで
きないという問題があった。
【０００９】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、上記問題点を解消し、精度の良い反応槽の破過を検
知できる製造プロセス排ガス処理装置の破過検知装置を
提供することを目的とする。
で、上記問題点を解消し、精度の良い反応槽の破過を検
知できる製造プロセス排ガス処理装置の破過検知装置を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、除害反応槽を具備し、製造装
置と通信回路で接続され、該製造装置との間で信号の送
受を行いながら該製造装置から排出される製造プロセス
排ガスを除害反応槽で除害する排ガス処理装置の該除害
反応槽の交換時期である破過を検知する破過検知手段を
具備する排ガス処理装置の破過検知装置において、製造
装置は製造プロセス排ガス排出１回当たりの排出時間及
び排出時の単位時間当たりの排出流量が予め設定されて
おり、破過検知手段は通信回路を介して製造装置から排
ガス処理装置に送られてくる排ガス放出指令の回数及び
／又は放出時間より破過を検知することを特徴とする。
請求項１に記載の発明は、除害反応槽を具備し、製造装
置と通信回路で接続され、該製造装置との間で信号の送
受を行いながら該製造装置から排出される製造プロセス
排ガスを除害反応槽で除害する排ガス処理装置の該除害
反応槽の交換時期である破過を検知する破過検知手段を
具備する排ガス処理装置の破過検知装置において、製造
装置は製造プロセス排ガス排出１回当たりの排出時間及
び排出時の単位時間当たりの排出流量が予め設定されて
おり、破過検知手段は通信回路を介して製造装置から排
ガス処理装置に送られてくる排ガス放出指令の回数及び
／又は放出時間より破過を検知することを特徴とする。
【００１１】また、請求項２に記載の発明は請求項１に
記載の排ガス処理装置の破過検知装置において、破過検
知手段は排ガス排出指令の回数及び／又は放出時間より
破過を検知する手段に加え、ガス検知器で除害反応槽か
ら排出される排ガス濃度を検知して破過を検知する手段
及び／又は反応槽の重量増加より破過を検知する手段を
具備することを特徴とする。
記載の排ガス処理装置の破過検知装置において、破過検
知手段は排ガス排出指令の回数及び／又は放出時間より
破過を検知する手段に加え、ガス検知器で除害反応槽か
ら排出される排ガス濃度を検知して破過を検知する手段
及び／又は反応槽の重量増加より破過を検知する手段を
具備することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図２はこの種の製造プロセス排
ガス処理装置の構成を示す図である。図２において、８
は成膜ガス等のデポガスを除害するデポガス反応槽、９
はＣｌＦ3等のクリーニングガスを除害するクリーニン
グガス反応槽である。デポガス反応槽８は反応槽容器内
にデポガスを物理的吸着又は化学反応によって無害化す
る除害剤（薬剤）が充填されたものであり、クリーニン
グガス反応槽は反応槽容器内にＣｌＦ3ガス等のクリー
ニングガスを物理的吸着又は化学反応によって無害化す
る除害剤（薬剤）が充填されたものである。
面に基づいて説明する。図２はこの種の製造プロセス排
ガス処理装置の構成を示す図である。図２において、８
は成膜ガス等のデポガスを除害するデポガス反応槽、９
はＣｌＦ3等のクリーニングガスを除害するクリーニン
グガス反応槽である。デポガス反応槽８は反応槽容器内
にデポガスを物理的吸着又は化学反応によって無害化す
る除害剤（薬剤）が充填されたものであり、クリーニン
グガス反応槽は反応槽容器内にＣｌＦ3ガス等のクリー
ニングガスを物理的吸着又は化学反応によって無害化す
る除害剤（薬剤）が充填されたものである。
【００１３】流入口１１に流入する半導体製造装置から
のデポガスはデポ側流入弁２を通してデポガス反応槽８
に流入し、該デポガス反応槽８でＳｉＨ4ガス等のデポ
ガス成分は除害剤に物理的吸着又は化学反応によって無
害化（除害）され、デポ側流出弁４を通って、デポ用流
出口１２から工場ダクト（図３の工場ダクト１０６参
照）に排出される。また、ＣｌＦ3ガス等のクリーニン
グガスは流入口１１に流入し、クリーニング側流入弁３
を通ってクリーニングガス反応槽９に流入し、該クリー
ニングガス反応槽９でＣｌＦ3ガス成分は除害剤に物理
的吸着又は化学反応により無害化（除害）され、除害さ
れ、クリーニング側流出弁５及びクリーニング側流出口
弁７を通ってクリーニング用流出口１３から工場ダクト
に排出される。
のデポガスはデポ側流入弁２を通してデポガス反応槽８
に流入し、該デポガス反応槽８でＳｉＨ4ガス等のデポ
ガス成分は除害剤に物理的吸着又は化学反応によって無
害化（除害）され、デポ側流出弁４を通って、デポ用流
出口１２から工場ダクト（図３の工場ダクト１０６参
照）に排出される。また、ＣｌＦ3ガス等のクリーニン
グガスは流入口１１に流入し、クリーニング側流入弁３
を通ってクリーニングガス反応槽９に流入し、該クリー
ニングガス反応槽９でＣｌＦ3ガス成分は除害剤に物理
的吸着又は化学反応により無害化（除害）され、除害さ
れ、クリーニング側流出弁５及びクリーニング側流出口
弁７を通ってクリーニング用流出口１３から工場ダクト
に排出される。
【００１４】１はバイパス弁であり、デポガス反応槽８
又はクリーニングガス反応槽９に詰まり等の障害が発生
し、デポガスのガス圧又はクリーニングガスのガス圧が
異常に高い場合、デポ側流入弁２又はクリーニング側流
入弁３を閉じ該バイパス弁１を開くと共に、デポ側流出
口弁６又はクリーニング側流出口弁７を開いて、デポガ
ス又はクリーニングガスを工場ダクトに排出する。
又はクリーニングガス反応槽９に詰まり等の障害が発生
し、デポガスのガス圧又はクリーニングガスのガス圧が
異常に高い場合、デポ側流入弁２又はクリーニング側流
入弁３を閉じ該バイパス弁１を開くと共に、デポ側流出
口弁６又はクリーニング側流出口弁７を開いて、デポガ
ス又はクリーニングガスを工場ダクトに排出する。
【００１５】上記バイパス弁１、デポ側流入弁２、クリ
ーニング側流入弁３、デポ側流出弁４、クリーニング側
流出弁５、デポ側流出口弁６及びクリーニング側流出口
弁７等の作動弁ＡはＮ2流入口１４を通ってＮ2源から供
給されるＮ2ガスによって作動する弁である。また、Ｎ2
ガスは該作動弁Ａに供給されると共に、各部の気密をテ
ストするための気密テストブラケットＢ（図示せず）に
供給され、更に、バルブ１５、減圧弁１６、接点付流量
計１７、逆止弁１８を通して、デポ側にパージガスＣと
して供給されるようになっている。
ーニング側流入弁３、デポ側流出弁４、クリーニング側
流出弁５、デポ側流出口弁６及びクリーニング側流出口
弁７等の作動弁ＡはＮ2流入口１４を通ってＮ2源から供
給されるＮ2ガスによって作動する弁である。また、Ｎ2
ガスは該作動弁Ａに供給されると共に、各部の気密をテ
ストするための気密テストブラケットＢ（図示せず）に
供給され、更に、バルブ１５、減圧弁１６、接点付流量
計１７、逆止弁１８を通して、デポ側にパージガスＣと
して供給されるようになっている。
【００１６】デポガス反応槽８にはその出口側にガス検
知器１９が設けられ、更に反応槽内の温度を検出する温
度センサ２０及び温度指示計２１が設けられている。ま
た、クリーニングガス反応槽９の出口側には流入弁ＳＶ
Ｅ１、流出弁ＳＶＥ２を介してガス検知器２２が設けら
れ、更に反応槽内の温度を検出する温度センサ２３及び
温度指示計２４が設けられている。また、クリーニング
ガス反応槽９の重量を検出する重量計２５及び荷重指示
計２６が設けられている。
知器１９が設けられ、更に反応槽内の温度を検出する温
度センサ２０及び温度指示計２１が設けられている。ま
た、クリーニングガス反応槽９の出口側には流入弁ＳＶ
Ｅ１、流出弁ＳＶＥ２を介してガス検知器２２が設けら
れ、更に反応槽内の温度を検出する温度センサ２３及び
温度指示計２４が設けられている。また、クリーニング
ガス反応槽９の重量を検出する重量計２５及び荷重指示
計２６が設けられている。
【００１７】２７、２８は圧力スイッチであり、圧力ス
イッチ２７は、流入口１１から流入するデポガス又はク
リーニングガスの圧力が高圧力（例えば０．０４Ｋｇｆ
／ｃｍ2（Ｇ）以上）になると警報を出し、異常高圧力
（例えば０．１Ｋｇｆ／ｃｍ2（Ｇ）以上）になると警
報と共にバイパス弁１を開いて、デポガス又はクリーニ
ングガスをデポ用流出口１２又はクリーニング用流出口
１３から工場ダクトに排出する。また、圧力スイッチ２
８はＮ2流入口１４に流入するＮ2ガスの圧力が上記作動
弁Ａを作動させる所定の圧力以下のとき警報を出す。
イッチ２７は、流入口１１から流入するデポガス又はク
リーニングガスの圧力が高圧力（例えば０．０４Ｋｇｆ
／ｃｍ2（Ｇ）以上）になると警報を出し、異常高圧力
（例えば０．１Ｋｇｆ／ｃｍ2（Ｇ）以上）になると警
報と共にバイパス弁１を開いて、デポガス又はクリーニ
ングガスをデポ用流出口１２又はクリーニング用流出口
１３から工場ダクトに排出する。また、圧力スイッチ２
８はＮ2流入口１４に流入するＮ2ガスの圧力が上記作動
弁Ａを作動させる所定の圧力以下のとき警報を出す。
【００１８】２９はデポ用破過検知器で、ガス検知器１
９で検知したデポガスの濃度が所定の設定値以上になる
とデポガス反応槽８の交換指令信号を出力する。３０は
ＣｌＦ3用破過検知器で、ガス検知器２２で検知された
クリーニングガスであるＣｌＦ3ガスの濃度が所定の設
定値以上になるとクリーニングガス反応槽９の交換指令
信号を出力する。３１はＣｌＦ3用破過検知器で、荷重
指示計２６の指示値が設定値以上となったら、クリーニ
ングガス反応槽９の交換指令信号を出力する。３２は温
度指示計２１の指示するデポガス反応槽８の温度が所定
の設定値以上になった場合に警報を出す警報器である。
９で検知したデポガスの濃度が所定の設定値以上になる
とデポガス反応槽８の交換指令信号を出力する。３０は
ＣｌＦ3用破過検知器で、ガス検知器２２で検知された
クリーニングガスであるＣｌＦ3ガスの濃度が所定の設
定値以上になるとクリーニングガス反応槽９の交換指令
信号を出力する。３１はＣｌＦ3用破過検知器で、荷重
指示計２６の指示値が設定値以上となったら、クリーニ
ングガス反応槽９の交換指令信号を出力する。３２は温
度指示計２１の指示するデポガス反応槽８の温度が所定
の設定値以上になった場合に警報を出す警報器である。
【００１９】また、３３は温度指示計２４の指示するク
リーニングガス反応槽９の温度が所定の設定値以上にな
った場合に警報を出す警報器である。また、３４は接点
付流量計１７がＮ2ガスの低流量を検出した場合、即ち
Ｎ2ガスのパージ流量が低い場合に警報を出す警報器で
ある。また、３５〜３８はフレキシブル配管であり、デ
ポガス反応槽８の入出力側及びクリーニングガス反応槽
９の入出力側に設けられ、これらの反応槽の交換作業が
容易にできるようになっている。
リーニングガス反応槽９の温度が所定の設定値以上にな
った場合に警報を出す警報器である。また、３４は接点
付流量計１７がＮ2ガスの低流量を検出した場合、即ち
Ｎ2ガスのパージ流量が低い場合に警報を出す警報器で
ある。また、３５〜３８はフレキシブル配管であり、デ
ポガス反応槽８の入出力側及びクリーニングガス反応槽
９の入出力側に設けられ、これらの反応槽の交換作業が
容易にできるようになっている。
【００２０】図１は半導体製造装置１０３と排ガス処理
装置１０５の間で送受する信号例を示す図である。図示
するように、半導体製造装置１０３から排ガス処理装置
１０５へデポ指令信号Ｓ１、クリーニング指令信号Ｓ
２、デポ生ガス放出指令信号Ｓ３及びクリーニング生ガ
ス放出指令信号Ｓ４が出力される。また、排ガス処理装
置１０５から半導体製造装置１０３へデポ運転ＯＫ信号
Ｓ５、デポ反応槽交換準備ＯＫ信号Ｓ６、クリーニング
運転ＯＫ信号Ｓ７、クリーニング反応槽交換準備ＯＫ信
号Ｓ８及び残ガス放出中信号Ｓ９が出力される。排ガス
処理装置１０５から半導体製造装置１０３へは、重大故
障を示す重故障信号Ｓ１０、軽い故障を示す軽故障信号
Ｓ１２及び反応槽交換信号Ｓ１３も出力される。
装置１０５の間で送受する信号例を示す図である。図示
するように、半導体製造装置１０３から排ガス処理装置
１０５へデポ指令信号Ｓ１、クリーニング指令信号Ｓ
２、デポ生ガス放出指令信号Ｓ３及びクリーニング生ガ
ス放出指令信号Ｓ４が出力される。また、排ガス処理装
置１０５から半導体製造装置１０３へデポ運転ＯＫ信号
Ｓ５、デポ反応槽交換準備ＯＫ信号Ｓ６、クリーニング
運転ＯＫ信号Ｓ７、クリーニング反応槽交換準備ＯＫ信
号Ｓ８及び残ガス放出中信号Ｓ９が出力される。排ガス
処理装置１０５から半導体製造装置１０３へは、重大故
障を示す重故障信号Ｓ１０、軽い故障を示す軽故障信号
Ｓ１２及び反応槽交換信号Ｓ１３も出力される。
【００２１】上記重故障信号Ｓ１０は故障が重大で排ガ
ス処理が不可能な場合に出力される信号であり、ここで
は上記圧力スイッチ２７で検出したデポガス圧力やクリ
ーニングガス圧力が異常高圧（例えば０．１Ｋｇｆ／ｃ
ｍ2（Ｇ）以上）の場合、漏電及び停電の場合に出され
る。また、軽故障信号Ｓ１２は故障が軽い場合に出力さ
れる信号であり、ここでは、上記圧力スイッチ２７で検
出したデポガス圧力やクリーニングガス圧力が高圧（例
えば０．０４Ｋｇｆ／ｃｍ2（Ｇ）以上）の場合、上記
圧力スイッチ２８が検出するＮ2ガスの圧力が作動弁を
作動させる所定の圧力以下の場合、Ｎ2ガスのパージ流
量が少なく警報器３４から警報が発せられた場合、デポ
ガス反応槽８の温度が高く警報器３２から警報が発せら
れた場合、クリーニングガス反応槽９の温度が高く警報
器３３から警報が発せられた場合に出される。
ス処理が不可能な場合に出力される信号であり、ここで
は上記圧力スイッチ２７で検出したデポガス圧力やクリ
ーニングガス圧力が異常高圧（例えば０．１Ｋｇｆ／ｃ
ｍ2（Ｇ）以上）の場合、漏電及び停電の場合に出され
る。また、軽故障信号Ｓ１２は故障が軽い場合に出力さ
れる信号であり、ここでは、上記圧力スイッチ２７で検
出したデポガス圧力やクリーニングガス圧力が高圧（例
えば０．０４Ｋｇｆ／ｃｍ2（Ｇ）以上）の場合、上記
圧力スイッチ２８が検出するＮ2ガスの圧力が作動弁を
作動させる所定の圧力以下の場合、Ｎ2ガスのパージ流
量が少なく警報器３４から警報が発せられた場合、デポ
ガス反応槽８の温度が高く警報器３２から警報が発せら
れた場合、クリーニングガス反応槽９の温度が高く警報
器３３から警報が発せられた場合に出される。
【００２２】また、反応槽交換信号Ｓ１３は上記デポ用
破過検知器２９がガス検知器１９で検知したデポガスの
濃度が所定の設定値以上になり、デポガス反応槽８の交
換時期を検知した場合に出力される交換指令信号、上記
ＣｌＦ3用破過検知器３０がガス検知器２２で検知した
ＣｌＦ3ガスの濃度が所定の設定値以上になり、クリー
ニングガス反応槽９の交換時期を検知した場合に出力さ
れる交換指令信号、及び上記ＣｌＦ3用破過検知器３１
が荷重指示計２６の指示値が設定値以上を示し、クリー
ニングガス反応槽９の交換時期を検知した場合に出力さ
れる交換指令信号である。
破過検知器２９がガス検知器１９で検知したデポガスの
濃度が所定の設定値以上になり、デポガス反応槽８の交
換時期を検知した場合に出力される交換指令信号、上記
ＣｌＦ3用破過検知器３０がガス検知器２２で検知した
ＣｌＦ3ガスの濃度が所定の設定値以上になり、クリー
ニングガス反応槽９の交換時期を検知した場合に出力さ
れる交換指令信号、及び上記ＣｌＦ3用破過検知器３１
が荷重指示計２６の指示値が設定値以上を示し、クリー
ニングガス反応槽９の交換時期を検知した場合に出力さ
れる交換指令信号である。
【００２３】図３に示すような構成の排ガス処理設備に
おいては、通常オペレータは半導体製造装置１０３の側
に居る。排ガス処理装置１０５でデポ用破過検知器２９
及びＣｌＦ3用破過検知器３０、３１がデポガス反応槽
８及びクリーニングガス反応槽９の交換時期を検知し、
反応槽交換信号Ｓ１３を半導体製造装置１０３に出力し
た場合、オペレータは排ガス処理装置１０５に出向き、
デポガス反応槽８又はクリーニングガス反応槽９を交換
する。しかしながら、デポ用破過検知器２９及びＣｌＦ
3用破過検知器３０、３１による破過検知、特にＣｌＦ3
用破過検知器３０、３１によるガス濃度による破過検知
や重量による破過検知は上記のように精度の良い破過を
検知することができないという問題があった。
おいては、通常オペレータは半導体製造装置１０３の側
に居る。排ガス処理装置１０５でデポ用破過検知器２９
及びＣｌＦ3用破過検知器３０、３１がデポガス反応槽
８及びクリーニングガス反応槽９の交換時期を検知し、
反応槽交換信号Ｓ１３を半導体製造装置１０３に出力し
た場合、オペレータは排ガス処理装置１０５に出向き、
デポガス反応槽８又はクリーニングガス反応槽９を交換
する。しかしながら、デポ用破過検知器２９及びＣｌＦ
3用破過検知器３０、３１による破過検知、特にＣｌＦ3
用破過検知器３０、３１によるガス濃度による破過検知
や重量による破過検知は上記のように精度の良い破過を
検知することができないという問題があった。
【００２４】そこで、本実施形態例では、図１に示すよ
うに、半導体製造装置１０３からのクリーニング生ガス
放出指令信号Ｓ４の出力回数及び／又はクリーニングガ
ス放出時間をカウントするカウンター４０を設け、この
カウント値からクリーニングガスの排出量を検知し、ク
リーニングガス反応槽９の交換時期を検知するようにし
た。
うに、半導体製造装置１０３からのクリーニング生ガス
放出指令信号Ｓ４の出力回数及び／又はクリーニングガ
ス放出時間をカウントするカウンター４０を設け、この
カウント値からクリーニングガスの排出量を検知し、ク
リーニングガス反応槽９の交換時期を検知するようにし
た。
【００２５】図２に示す構成の排ガス処理装置におい
て、該排ガス処理装置の流入口１１から流入した半導体
製造装置１０３（図３参照）の反応室やガス流路をクリ
ーニングしたクリーニングガス（主にＣｌＦ3ガス）は
クリーニングガス反応槽９に流入し、該反応槽容器に充
填された除害剤により物理的吸着又は化学反応によって
無害化される。この際、除害剤はクリーニングガスが流
入する流入口に近い方から除々に無害性能を失なう。１
本のクリーニングガス反応槽で除害されるクリーニング
ガス量は決められており、流入するクリーニングガス量
がその量に達すると、クリーニングガス反応槽９はその
無害性能を失なう。
て、該排ガス処理装置の流入口１１から流入した半導体
製造装置１０３（図３参照）の反応室やガス流路をクリ
ーニングしたクリーニングガス（主にＣｌＦ3ガス）は
クリーニングガス反応槽９に流入し、該反応槽容器に充
填された除害剤により物理的吸着又は化学反応によって
無害化される。この際、除害剤はクリーニングガスが流
入する流入口に近い方から除々に無害性能を失なう。１
本のクリーニングガス反応槽で除害されるクリーニング
ガス量は決められており、流入するクリーニングガス量
がその量に達すると、クリーニングガス反応槽９はその
無害性能を失なう。
【００２６】クリーニングガス反応槽９に流入するガス
流入量は単位時間当たりのガス流入量と流入時間の積で
決まるから、排ガス処理装置に流入する単位時間当たり
の流入量及びクリーニング１回当たりの流入時間は予め
半導体製造装置１０３の側で決められている。クリーニ
ングガスの流入タイミング及び流入時間は、図１の排ガ
ス処理装置１０５が半導体製造装置１０３からクリーニ
ング生ガス放出指令信号Ｓ４を受け取ることで確認でき
る。従って、このクリーニング生ガス放出指令信号Ｓ４
の出力回数及びクリーニング時間（クリーニングガス排
出時間）を計測するカウンター４０を設け、該カウンタ
ー４０に予めクリーニングガス反応槽９で処理できるク
リーニング回数及びクリーニング時間を設定しておき、
クリーニング回数又はクリーニング時間のどちらかが設
定値に達した時にクリーニングガス反応槽９の交換時期
として、半導体製造装置１０３に反応槽交換信号Ｓ１３
を出力し、クリーニングガス反応槽９の破過を知らせ
る。
流入量は単位時間当たりのガス流入量と流入時間の積で
決まるから、排ガス処理装置に流入する単位時間当たり
の流入量及びクリーニング１回当たりの流入時間は予め
半導体製造装置１０３の側で決められている。クリーニ
ングガスの流入タイミング及び流入時間は、図１の排ガ
ス処理装置１０５が半導体製造装置１０３からクリーニ
ング生ガス放出指令信号Ｓ４を受け取ることで確認でき
る。従って、このクリーニング生ガス放出指令信号Ｓ４
の出力回数及びクリーニング時間（クリーニングガス排
出時間）を計測するカウンター４０を設け、該カウンタ
ー４０に予めクリーニングガス反応槽９で処理できるク
リーニング回数及びクリーニング時間を設定しておき、
クリーニング回数又はクリーニング時間のどちらかが設
定値に達した時にクリーニングガス反応槽９の交換時期
として、半導体製造装置１０３に反応槽交換信号Ｓ１３
を出力し、クリーニングガス反応槽９の破過を知らせ
る。
【００２７】上記のように、クリーニングガス反応槽９
の破過検知をＣｌＦ3用破過検知器３０、３１によるガ
ス濃度や重量による破過検知とは異なり、半導体製造装
置１０３から排ガス処理装置１０５に出力されるクリー
ニング生ガス放出指令信号Ｓ４の出力回数とクリーニン
グ時間から検知するので、精度良く確実にクリーニング
ガス反応槽９の破過を検知できる。しかも、クリーニン
グ生ガス放出指令信号Ｓ４の出力回数とクリーニング時
間はカウンターを設けるのみで計測できるから、破過検
知装置の構成が極めて簡単となる。
の破過検知をＣｌＦ3用破過検知器３０、３１によるガ
ス濃度や重量による破過検知とは異なり、半導体製造装
置１０３から排ガス処理装置１０５に出力されるクリー
ニング生ガス放出指令信号Ｓ４の出力回数とクリーニン
グ時間から検知するので、精度良く確実にクリーニング
ガス反応槽９の破過を検知できる。しかも、クリーニン
グ生ガス放出指令信号Ｓ４の出力回数とクリーニング時
間はカウンターを設けるのみで計測できるから、破過検
知装置の構成が極めて簡単となる。
【００２８】なお、上記実施形態例ではクリーニングガ
ス反応槽９の破過検知を例に示したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、半導体製造装置のデポ運転に
おける単位時間当たりのデポガス流量及びデポ運転時間
が予め決められている場合、デポ生ガス放出指令信号Ｓ
３の出力回数及びデポ運転時間をカウント（計測）する
カウンターを設け、該カウンターにデポガス反応槽８で
処理できるデポ運転回数及びデポガス排出（流入）時間
を設定しておき、デポ運転回数又はデポガス排出（流
入）時間のどちらかが設定値に達した時にデポガス反応
槽８の交換時期として、半導体製造装置１０３に反応槽
交換信号Ｓ１３を出力し、デポガス反応槽８の破過を知
らせるように構成してもよい。
ス反応槽９の破過検知を例に示したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、半導体製造装置のデポ運転に
おける単位時間当たりのデポガス流量及びデポ運転時間
が予め決められている場合、デポ生ガス放出指令信号Ｓ
３の出力回数及びデポ運転時間をカウント（計測）する
カウンターを設け、該カウンターにデポガス反応槽８で
処理できるデポ運転回数及びデポガス排出（流入）時間
を設定しておき、デポ運転回数又はデポガス排出（流
入）時間のどちらかが設定値に達した時にデポガス反応
槽８の交換時期として、半導体製造装置１０３に反応槽
交換信号Ｓ１３を出力し、デポガス反応槽８の破過を知
らせるように構成してもよい。
【００２９】なお、上記例ではデポガスとしてモノシラ
ン（ＳｉＨ4）を示したが、デポガスとしては例えばホ
スファン（ＰＨ3）、アルシン（ＡｓＨ3）、ジボラン
（Ｂ2Ｈ6）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）等でよい。またクリ
ーニングガスもＣｌＦ3ガスに限定されるものではな
い。
ン（ＳｉＨ4）を示したが、デポガスとしては例えばホ
スファン（ＰＨ3）、アルシン（ＡｓＨ3）、ジボラン
（Ｂ2Ｈ6）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）等でよい。またクリ
ーニングガスもＣｌＦ3ガスに限定されるものではな
い。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように請求項１に記載の発
明によれば、破過検知手段は通信回路を介して製造装置
から送られてくる排ガス放出指令の回数及び／又は排出
時間より破過を検知するので、構成が簡単で精度良い破
過検知装置を提供できる。
明によれば、破過検知手段は通信回路を介して製造装置
から送られてくる排ガス放出指令の回数及び／又は排出
時間より破過を検知するので、構成が簡単で精度良い破
過検知装置を提供できる。
【００３１】また、請求項２に記載の発明によれば、破
過検知手段は排ガス放出指令の回数及び／又は排出時間
より破過を検知する手段に加え、ガス検知器で除害反応
槽から排出されるガス濃度を検知して破過を検知する手
段及び／又は反応槽の重量増加による破過を検知する手
段を具備するので、確実に破過を検知することができ、
排ガス処理装置から有害ガスが排出することを極力防止
できる。
過検知手段は排ガス放出指令の回数及び／又は排出時間
より破過を検知する手段に加え、ガス検知器で除害反応
槽から排出されるガス濃度を検知して破過を検知する手
段及び／又は反応槽の重量増加による破過を検知する手
段を具備するので、確実に破過を検知することができ、
排ガス処理装置から有害ガスが排出することを極力防止
できる。
【００３２】また、各請求項に記載の発明は、ＣｌＦ3
ガスを使用したクリーニングに限定されず、バッチ式の
製造装置であればプロセスに関係なく精度良い破過検知
装置を提供できる。
ガスを使用したクリーニングに限定されず、バッチ式の
製造装置であればプロセスに関係なく精度良い破過検知
装置を提供できる。
【図１】本発明の破過検知装置を具備する排ガス処理装
置と半導体製造装置の間の信号の送受関係を示す図であ
る。
置と半導体製造装置の間の信号の送受関係を示す図であ
る。
【図２】本発明の破過検知装置を具備する排ガス処理装
置の構成を示す図である。
置の構成を示す図である。
【図３】排ガス処理設備の概要を示す図である。
【符号の説明】 １ バイパス弁 ２ デポ側流入弁 ３ クリーニング側流入弁 ４ デポ側流出弁 ５ クリーニング側流出弁 ６ デポ側流出口弁 ７ クリーニング側流出口弁 ８ デポガス反応槽 ９ クリーニングガス反応槽 １１ 流入口 １２ デポ用流出口 １３ クリーニング用流出口 １４ Ｎ2流入口 １５ バルブ １７ 接点付流量計 １９ ガス検知器 ２０ 温度センサ ２１ 温度指示計 ２２ ガス検知器 ２３ 温度センサ ２４ 温度指示計 ２５ 重量計 ２６ 荷重指示計 ２７ 圧力スイッチ ２８ 圧力スイッチ ２９ デポ用破過検知器 ３０ ＣｌＦ3用破過検知器 ３１ ＣｌＦ3用破過検知器 ３２ 警報器 ３３ 警報器 ３４ 警報器 ４０ カウンター １０３ 半導体製造装置 １０５ 排ガス処理装置
Claims (2)
- 【請求項１】 除害反応槽を具備し、製造装置と通信回
路で接続され、該製造装置との間で信号の送受を行いな
がら該製造装置から排出される製造プロセス排ガスを前
記除害反応槽で除害する排ガス処理装置の該除害反応槽
の交換時期である破過を検知する破過検知手段を具備す
る排ガス処理装置の破過検知装置において、 前記製造装置は製造プロセス排ガス排出１回当たりの排
出時間及び排出時の単位時間当たりの排出流量が予め設
定されており、 前記破過検知手段は前記通信回路を介して製造装置から
排ガス処理装置に送られてくる排ガス放出指令の回数及
び／又は放出時間より破過を検知することを特徴とする
排ガス処理装置の破過検知装置。 - 【請求項２】 前記破過検知手段は前記排ガス放出指令
の回数及び／又は放出時間より破過を検知する手段に加
え、ガス検知器で前記除害反応槽から排出される排ガス
濃度を検知して破過を検知する手段及び／又は反応槽の
重量増加より破過を検知する手段を具備することを特徴
とする請求項１に記載の排ガス処理装置の破過検知装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23336397A JP3373763B2 (ja) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | 排ガス処理装置の破過検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23336397A JP3373763B2 (ja) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | 排ガス処理装置の破過検知装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1157386A true JPH1157386A (ja) | 1999-03-02 |
| JP3373763B2 JP3373763B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=16953978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23336397A Expired - Fee Related JP3373763B2 (ja) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | 排ガス処理装置の破過検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3373763B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006098081A1 (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Tokyo Electron Limited | 処理装置，処理装置の消耗部品管理方法，処理システム，処理システムの消耗部品管理方法 |
| JP2007088166A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
-
1997
- 1997-08-13 JP JP23336397A patent/JP3373763B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006098081A1 (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Tokyo Electron Limited | 処理装置，処理装置の消耗部品管理方法，処理システム，処理システムの消耗部品管理方法 |
| JP2006253541A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置，処理装置の消耗部品管理方法，処理システム，処理システムの消耗部品管理方法 |
| KR100918601B1 (ko) | 2005-03-14 | 2009-09-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 장치, 처리 장치의 소모 부품 관리 방법, 처리시스템, 처리 시스템의 소모 부품 관리 방법 |
| US7842189B2 (en) | 2005-03-14 | 2010-11-30 | Tokyo Electron Limited | Treatment device, treatment device consumable parts management method, treatment system, and treatment system consumable parts management method |
| JP2007088166A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3373763B2 (ja) | 2003-02-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |