JPH1152487A - オーバーヘッドプロジェクト用シート - Google Patents
オーバーヘッドプロジェクト用シートInfo
- Publication number
- JPH1152487A JPH1152487A JP9222008A JP22200897A JPH1152487A JP H1152487 A JPH1152487 A JP H1152487A JP 9222008 A JP9222008 A JP 9222008A JP 22200897 A JP22200897 A JP 22200897A JP H1152487 A JPH1152487 A JP H1152487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photocatalyst
- films
- sheet
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 22
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 abstract description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 abstract description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 abstract description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- -1 borides Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Overhead Projectors And Projection Screens (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 オーバーヘッドプロジェクト用シート基
材の一面又は両面に直接又は下地膜を介して光触媒膜が
形成されてなることを特徴とするオーバーヘッドプロジ
ェクト用シート。 【効果】 本発明のOHP用シートは、汚れがつきにく
く、また溶剤洗浄により容易に除去できる。
材の一面又は両面に直接又は下地膜を介して光触媒膜が
形成されてなることを特徴とするオーバーヘッドプロジ
ェクト用シート。 【効果】 本発明のOHP用シートは、汚れがつきにく
く、また溶剤洗浄により容易に除去できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に防汚効果、表
示体の洗浄除去効果を付与したオーバーヘッドプロジェ
クト(OHP)用シートに関する。
示体の洗浄除去効果を付与したオーバーヘッドプロジェ
クト(OHP)用シートに関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】最近に
おいて、OHP装置の使用は益々増大しているが、これ
に用いるOHP用紙は指紋などによって汚れ易い。ま
た、使用済みのOHP用紙は、キシレン等の有機溶剤で
洗浄することによって、コピー等により形成された文字
等の表示体を除去し、再生使用することが行われている
が、表示体の洗浄除去が良好に行われない場合があり、
きれいに再生し難いという問題がある。
おいて、OHP装置の使用は益々増大しているが、これ
に用いるOHP用紙は指紋などによって汚れ易い。ま
た、使用済みのOHP用紙は、キシレン等の有機溶剤で
洗浄することによって、コピー等により形成された文字
等の表示体を除去し、再生使用することが行われている
が、表示体の洗浄除去が良好に行われない場合があり、
きれいに再生し難いという問題がある。
【0003】本発明は上記事情を改善するためになされ
たもので、指紋などによる汚れを効果的に除去すること
ができると共に、キシレン等の有機溶剤によって文字等
の表示体を容易かつ確実に洗浄除去し、きれいに再生す
ることができるオーバーヘッドプロジェクト用シートを
提供することを目的とする。
たもので、指紋などによる汚れを効果的に除去すること
ができると共に、キシレン等の有機溶剤によって文字等
の表示体を容易かつ確実に洗浄除去し、きれいに再生す
ることができるオーバーヘッドプロジェクト用シートを
提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明は、上記目的を達成するため、 請求項1:オーバーヘッドプロジェクト用シート基材の
一面又は両面に直接又は下地膜を介して光触媒膜が形成
されてなることを特徴とするオーバーヘッドプロジェク
ト用シート 請求項2:光触媒膜が、互いに対向するターゲット間の
スパッタ空間の側方に基材を配置し、該基材上にスパッ
タ膜を形成する対向ターゲット式スパッタリング法にて
酸素分子を有するガスを含有する不活性ガス中でリアク
ティブスパッタリングを行うことによって得られた金属
酸化物膜からなるものである請求項1記載のシート 請求項3:光触媒膜が酸化チタン膜である請求項1又は
2記載のシート を提供する。
発明は、上記目的を達成するため、 請求項1:オーバーヘッドプロジェクト用シート基材の
一面又は両面に直接又は下地膜を介して光触媒膜が形成
されてなることを特徴とするオーバーヘッドプロジェク
ト用シート 請求項2:光触媒膜が、互いに対向するターゲット間の
スパッタ空間の側方に基材を配置し、該基材上にスパッ
タ膜を形成する対向ターゲット式スパッタリング法にて
酸素分子を有するガスを含有する不活性ガス中でリアク
ティブスパッタリングを行うことによって得られた金属
酸化物膜からなるものである請求項1記載のシート 請求項3:光触媒膜が酸化チタン膜である請求項1又は
2記載のシート を提供する。
【0005】本発明のOHP用シートは、上記のように
光触媒膜が形成されているので、室内光、OHP装置か
らの紫外光等の光照射により光触媒が励起し、表面の光
触媒膜に付着した各種汚れが分解除去され、これによっ
て汚染が可及的に防止されるものである。また、その再
生時、コピー等により形成された文字、表、図などの表
示体がキシレン等の有機溶剤によって容易に除去され、
きれいに再生される。
光触媒膜が形成されているので、室内光、OHP装置か
らの紫外光等の光照射により光触媒が励起し、表面の光
触媒膜に付着した各種汚れが分解除去され、これによっ
て汚染が可及的に防止されるものである。また、その再
生時、コピー等により形成された文字、表、図などの表
示体がキシレン等の有機溶剤によって容易に除去され、
きれいに再生される。
【0006】この場合、光触媒膜としては、スパッタリ
ング法等によって形成し得るが、特に対向ターゲット式
スパッタリング法により光触媒膜、特に酸化チタン膜を
作製すること、好ましくは不活性ガスと酸素分子を有す
るガスからの酸素ガスとの容量比を2:1〜1:3とし
てスパッタリングを行うこと、更に好ましくはターゲッ
トに対する投入パワーを高くして成膜することが高活性
化の点で有効である。
ング法等によって形成し得るが、特に対向ターゲット式
スパッタリング法により光触媒膜、特に酸化チタン膜を
作製すること、好ましくは不活性ガスと酸素分子を有す
るガスからの酸素ガスとの容量比を2:1〜1:3とし
てスパッタリングを行うこと、更に好ましくはターゲッ
トに対する投入パワーを高くして成膜することが高活性
化の点で有効である。
【0007】即ち、対向ターゲット式スパッタリング法
は、特公昭62−56575号、同63−20304
号、特公平3−1810号公報等で公知の手法であり、
対向ターゲット式スパッタリング法で垂直磁気記録薄膜
などを成膜している。そして、この方法によれば、結晶
性の良好な膜を形成し得ることが記載されている。
は、特公昭62−56575号、同63−20304
号、特公平3−1810号公報等で公知の手法であり、
対向ターゲット式スパッタリング法で垂直磁気記録薄膜
などを成膜している。そして、この方法によれば、結晶
性の良好な膜を形成し得ることが記載されている。
【0008】ところで、触媒活性が高い酸化チタン膜を
得るためにはアナターゼ型の結晶系がリッチである必要
があるが、酸化チタンの成膜に当り、種々の方法で結晶
性の高い薄膜を形成することはできるものの、得られた
結晶系はルチル型のものが多いため、光触媒効果が低い
ものである。ところが、対向ターゲット式スパッタリン
グ法により酸化チタンを成膜した場合、低温でアナター
ゼリッチの光触媒膜を作製することができ、特にアルゴ
ンガスと酸素ガスとの比率を上記の比率とすることによ
り、アナターゼ型結晶がよりリッチな光触媒膜を形成し
得ること、また、投入パワーを高くすることで膜質を粗
くし、表面積を大きくすることができるので、触媒活性
をより高くし得るものである。
得るためにはアナターゼ型の結晶系がリッチである必要
があるが、酸化チタンの成膜に当り、種々の方法で結晶
性の高い薄膜を形成することはできるものの、得られた
結晶系はルチル型のものが多いため、光触媒効果が低い
ものである。ところが、対向ターゲット式スパッタリン
グ法により酸化チタンを成膜した場合、低温でアナター
ゼリッチの光触媒膜を作製することができ、特にアルゴ
ンガスと酸素ガスとの比率を上記の比率とすることによ
り、アナターゼ型結晶がよりリッチな光触媒膜を形成し
得ること、また、投入パワーを高くすることで膜質を粗
くし、表面積を大きくすることができるので、触媒活性
をより高くし得るものである。
【0009】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のOHP用シートは、図1にその一例を示したよ
うに、基材11の両面に下地膜12を介して光触媒膜1
3を形成したものである。なお、必要によっては基材1
1の片面のみに光触媒膜13を形成することができる。
本発明のOHP用シートは、図1にその一例を示したよ
うに、基材11の両面に下地膜12を介して光触媒膜1
3を形成したものである。なお、必要によっては基材1
1の片面のみに光触媒膜13を形成することができる。
【0010】上記基材としては、透明プラスチックフィ
ルムが好ましく、例えばポリエステル、アクリル樹脂、
セルロース樹脂、ポリカーボネートなどのフィルムを用
いることができる。その厚さは、特に限定されないが、
通常10〜300μm、特に20〜100μmである。
ルムが好ましく、例えばポリエステル、アクリル樹脂、
セルロース樹脂、ポリカーボネートなどのフィルムを用
いることができる。その厚さは、特に限定されないが、
通常10〜300μm、特に20〜100μmである。
【0011】下地膜は、必要により省略し得るが、基材
としてプラスチックフィルムを用いた場合、その劣化を
防ぐため、下地膜を形成することが望ましい。下地膜と
しては、SiO2、SnO2、Al2O3、ITOなどの光
触媒能を有さない透明酸化物のほか、透明の金属硫化
物、窒化物、ホウ化物、炭化物等の光によって劣化し難
いものが好適である。この下地膜の厚さも適宜選定され
るが、通常10Å〜5μm、特に20Å〜1μmであ
り、これら下地膜は、スパッタリング法、真空蒸着法等
の気相めっき法、その他の適宜手段で形成することがで
きる。
としてプラスチックフィルムを用いた場合、その劣化を
防ぐため、下地膜を形成することが望ましい。下地膜と
しては、SiO2、SnO2、Al2O3、ITOなどの光
触媒能を有さない透明酸化物のほか、透明の金属硫化
物、窒化物、ホウ化物、炭化物等の光によって劣化し難
いものが好適である。この下地膜の厚さも適宜選定され
るが、通常10Å〜5μm、特に20Å〜1μmであ
り、これら下地膜は、スパッタリング法、真空蒸着法等
の気相めっき法、その他の適宜手段で形成することがで
きる。
【0012】また、光触媒膜の厚さは、通常0.05〜
5μmであり、好ましくは0.3〜1μmとすることが
できる。
5μmであり、好ましくは0.3〜1μmとすることが
できる。
【0013】本発明において、光触媒膜としては、光触
媒活性を有するチタン、亜鉛、タングステン、鉄等の金
属酸化物によって形成することができる。その形成法は
特に制限されないが、酸素分子を有するガスを含有する
不活性ガス中で金属ターゲットを用いてリアクティブス
パッタリングを行うことによって形成することが好まし
い。
媒活性を有するチタン、亜鉛、タングステン、鉄等の金
属酸化物によって形成することができる。その形成法は
特に制限されないが、酸素分子を有するガスを含有する
不活性ガス中で金属ターゲットを用いてリアクティブス
パッタリングを行うことによって形成することが好まし
い。
【0014】ここで、スパッタリングは公知の方法にて
行うことができ、通常のマグネトロンスパッタリング法
等にて形成することができるが、特に対向ターゲット式
スパッタリング法を採用することが好ましい。
行うことができ、通常のマグネトロンスパッタリング法
等にて形成することができるが、特に対向ターゲット式
スパッタリング法を採用することが好ましい。
【0015】この対向ターゲット式スパッタリング装置
としては、公知の装置を用いることができ、例えば図2
に示す装置を使用し得る。即ち、図2において、1は内
部を脱気真空可能な装置本体で、この装置本体1内に一
対の金属ターゲット2,2が互いに所定間隔離間対向し
て配置されたものである。これらターゲット2,2は、
それぞれ支持部3a,3aを有するホールド3,3に保
持され、これらホールド3,3を介して直流電源(スパ
ッタ電源)4の陰極に接続されていると共に、上記ター
ゲット2,2の背後に磁石5,5が互いに異なる磁極が
対向するように配置され、上記ターゲット2,2間のス
パッタ空間6にターゲット2,2に対して垂直方向の磁
界が発生するようになっている。そして、上記スパッタ
空間6の側方には、スパッタ膜を形成すべき基板7が配
置されたものである。なお、8は基板7を所定方向に移
動可能に支持する支持部材である。
としては、公知の装置を用いることができ、例えば図2
に示す装置を使用し得る。即ち、図2において、1は内
部を脱気真空可能な装置本体で、この装置本体1内に一
対の金属ターゲット2,2が互いに所定間隔離間対向し
て配置されたものである。これらターゲット2,2は、
それぞれ支持部3a,3aを有するホールド3,3に保
持され、これらホールド3,3を介して直流電源(スパ
ッタ電源)4の陰極に接続されていると共に、上記ター
ゲット2,2の背後に磁石5,5が互いに異なる磁極が
対向するように配置され、上記ターゲット2,2間のス
パッタ空間6にターゲット2,2に対して垂直方向の磁
界が発生するようになっている。そして、上記スパッタ
空間6の側方には、スパッタ膜を形成すべき基板7が配
置されたものである。なお、8は基板7を所定方向に移
動可能に支持する支持部材である。
【0016】上記のような装置を用いてスパッタリング
を行い、基板上に光触媒膜を形成するに際し、使用する
金属ターゲットとしては、光触媒作用を有する金属酸化
物MeOx(MeはAl,Co,Cu,Fe,In,M
g,Sn,Ti,Zn等の金属を示し、xは金属の種類
によって異なるが、0〜10、好ましくは0〜5の範囲
の正数であり、xは必ずしも金属の価数に相当していな
くてもよい)を得るための金属酸化物に対応した金属が
選定されるが、特には酸化チタン膜を形成するチタンが
好ましい。
を行い、基板上に光触媒膜を形成するに際し、使用する
金属ターゲットとしては、光触媒作用を有する金属酸化
物MeOx(MeはAl,Co,Cu,Fe,In,M
g,Sn,Ti,Zn等の金属を示し、xは金属の種類
によって異なるが、0〜10、好ましくは0〜5の範囲
の正数であり、xは必ずしも金属の価数に相当していな
くてもよい)を得るための金属酸化物に対応した金属が
選定されるが、特には酸化チタン膜を形成するチタンが
好ましい。
【0017】また、上記スパッタリングを行う上で真空
度は0.1〜100mTorr、特に1〜30mTor
rとした後、不活性ガスと酸素分子を有するガスが導入
される。ここで、上記スパッタ空間に供給される酸素分
子を有するガス(酸化性ガス)としては、公知のガスを
使用することができ、具体的には、酸素、オゾン、空
気、水等が挙げられ、通常は酸素が用いられる。また、
不活性ガスとしては、ヘリウム、アルゴンなどを用いる
ことができ、特に工業的に安価なアルゴンが好適に使用
し得る。
度は0.1〜100mTorr、特に1〜30mTor
rとした後、不活性ガスと酸素分子を有するガスが導入
される。ここで、上記スパッタ空間に供給される酸素分
子を有するガス(酸化性ガス)としては、公知のガスを
使用することができ、具体的には、酸素、オゾン、空
気、水等が挙げられ、通常は酸素が用いられる。また、
不活性ガスとしては、ヘリウム、アルゴンなどを用いる
ことができ、特に工業的に安価なアルゴンが好適に使用
し得る。
【0018】この場合、不活性ガスと酸素分子を有する
ガスとは、不活性ガスと酸素ガスとの比率が2:1〜
1:3、特に1.5:1〜1:2(容量比)となるよう
に導入することが好ましい。これにより酸化チタンを成
膜する場合は高活性のアナターゼ型リッチの酸化チタン
結晶を形成し得る。上記比率を逸脱すると、ルチル型結
晶が多くなるおそれがある。なお、上記ガスの流量は、
チャンバーの大きさ、カソードの数などにより適宜選定
されるが、不活性ガスと酸素分子を有するガスとの合計
量で、通常2〜1000cc/min程度である。
ガスとは、不活性ガスと酸素ガスとの比率が2:1〜
1:3、特に1.5:1〜1:2(容量比)となるよう
に導入することが好ましい。これにより酸化チタンを成
膜する場合は高活性のアナターゼ型リッチの酸化チタン
結晶を形成し得る。上記比率を逸脱すると、ルチル型結
晶が多くなるおそれがある。なお、上記ガスの流量は、
チャンバーの大きさ、カソードの数などにより適宜選定
されるが、不活性ガスと酸素分子を有するガスとの合計
量で、通常2〜1000cc/min程度である。
【0019】投入電力も適宜選定されるが、高い投入電
力とすることが好ましく、例えば2枚の直径100mm
のターゲットを用いた場合、400ワット以上、特に8
00ワット以上とすることが推奨され、この場合、ター
ゲット面積当りのエネルギー量を1.3W/cm2以
上、好ましくは2.6W/cm2以上、特に5.1W/
cm2以上とすることが推奨され、これにより得られる
光触媒膜の膜質を粗くすると共に、表面積を大きくでき
るので、光触媒膜の性能を更に向上させることができ
る。この場合、供給電力が400ワット未満、ターゲッ
ト面積当りのエネルギー量が1.3W/cm2未満であ
ると、活性の高い光触媒膜を得ることができなくなる場
合がある。
力とすることが好ましく、例えば2枚の直径100mm
のターゲットを用いた場合、400ワット以上、特に8
00ワット以上とすることが推奨され、この場合、ター
ゲット面積当りのエネルギー量を1.3W/cm2以
上、好ましくは2.6W/cm2以上、特に5.1W/
cm2以上とすることが推奨され、これにより得られる
光触媒膜の膜質を粗くすると共に、表面積を大きくでき
るので、光触媒膜の性能を更に向上させることができ
る。この場合、供給電力が400ワット未満、ターゲッ
ト面積当りのエネルギー量が1.3W/cm2未満であ
ると、活性の高い光触媒膜を得ることができなくなる場
合がある。
【0020】なお、電源は、図示の例では直流電流であ
るが、これに限られず、例えば高周波電源等を使用する
ことができ、また装置の構成も図示の例に限定されるも
のではない。
るが、これに限られず、例えば高周波電源等を使用する
ことができ、また装置の構成も図示の例に限定されるも
のではない。
【0021】更に、スパッタリングのその他の条件は公
知の条件でよく、例えばスパッタリング時の圧力は1m
Torr〜1Torrとし得る。
知の条件でよく、例えばスパッタリング時の圧力は1m
Torr〜1Torrとし得る。
【0022】この場合、上記金属酸化物膜表面に、公知
のイオン注入方法、装置にて白金、ニッケル、クロム、
コバルト、錫、ニオブ、タンタル等の金属イオンを1×
1015〜1×1018個/cm2程度イオン注入すること
ができ、これによって光触媒膜をより高活性に形成する
ことができる。
のイオン注入方法、装置にて白金、ニッケル、クロム、
コバルト、錫、ニオブ、タンタル等の金属イオンを1×
1015〜1×1018個/cm2程度イオン注入すること
ができ、これによって光触媒膜をより高活性に形成する
ことができる。
【0023】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【0024】〔実施例1、比較例1〕OHP用シート基
材(PETフィルム、厚さ100μm)の両面に、まず
下地膜(SiO2)を成膜し、その上に酸化チタン膜を
成膜した。この場合、下地膜及び酸化チタン膜は、いず
れも図2に示す装置を用いて表1に示す条件で対向ター
ゲット式スパッタリング法により行った。
材(PETフィルム、厚さ100μm)の両面に、まず
下地膜(SiO2)を成膜し、その上に酸化チタン膜を
成膜した。この場合、下地膜及び酸化チタン膜は、いず
れも図2に示す装置を用いて表1に示す条件で対向ター
ゲット式スパッタリング法により行った。
【0025】
【表1】
【0026】次に、このOHP用シートに複写機で文字
等をコピーした。比較のため、上記基材(PETフィル
ム、厚さ100μm)に同様に複写機で文字等をコピー
した。これらのOHP用シートを1分間低圧水銀灯下に
曝した後、OHP用シート上の文字等を溶剤洗浄(キシ
レン等)により落とした。再生OHP用シートの汚れ
(落としきれなかったトナーなど)を目視により評価し
た結果を表2に示す。
等をコピーした。比較のため、上記基材(PETフィル
ム、厚さ100μm)に同様に複写機で文字等をコピー
した。これらのOHP用シートを1分間低圧水銀灯下に
曝した後、OHP用シート上の文字等を溶剤洗浄(キシ
レン等)により落とした。再生OHP用シートの汚れ
(落としきれなかったトナーなど)を目視により評価し
た結果を表2に示す。
【0027】
【表2】
【0028】
【発明の効果】本発明のOHP用シートは、汚れがつき
にくく、また溶剤洗浄により容易に除去できる。
にくく、また溶剤洗浄により容易に除去できる。
【図1】OHP用シートの一例を示す断面図である。
【図2】対向ターゲット式スパッタリング装置の一例を
示す概略図である。
示す概略図である。
1 装置本体 2 金属ターゲット 3 ホールド 3a 支持部 4 直流電源 5 磁石 6 スパッタ空間 7 基板 8 支持部材 11 基材 12 下地膜 13 光触媒膜 14 粘着剤層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G03G 7/00 G03G 7/00 H // B01J 35/02 B01J 35/02 J
Claims (3)
- 【請求項1】 オーバーヘッドプロジェクト用シート基
材の一面又は両面に直接又は下地膜を介して光触媒膜が
形成されてなることを特徴とするオーバーヘッドプロジ
ェクト用シート。 - 【請求項2】 光触媒膜が、互いに対向するターゲット
間のスパッタ空間の側方に基材を配置し、該基材上にス
パッタ膜を形成する対向ターゲット式スパッタリング法
にて酸素分子を有するガスを含有する不活性ガス中でリ
アクティブスパッタリングを行うことによって得られた
金属酸化物膜からなるものである請求項1記載のシー
ト。 - 【請求項3】 光触媒膜が酸化チタン膜である請求項1
又は2記載のシート。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9222008A JPH1152487A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | オーバーヘッドプロジェクト用シート |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9222008A JPH1152487A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | オーバーヘッドプロジェクト用シート |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1152487A true JPH1152487A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16775668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9222008A Pending JPH1152487A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | オーバーヘッドプロジェクト用シート |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1152487A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000006303A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-11 | Akira Fujishima | 光触媒層を有する積層構造体 |
US6679996B1 (en) * | 1999-10-05 | 2004-01-20 | Hoya Corporation | Metal oxide pattern forming method |
EP3282438A1 (en) | 2012-06-19 | 2018-02-14 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective substrate |
-
1997
- 1997-08-04 JP JP9222008A patent/JPH1152487A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000006303A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-11 | Akira Fujishima | 光触媒層を有する積層構造体 |
US6679996B1 (en) * | 1999-10-05 | 2004-01-20 | Hoya Corporation | Metal oxide pattern forming method |
EP3282438A1 (en) | 2012-06-19 | 2018-02-14 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective substrate |
US10406998B2 (en) | 2012-06-19 | 2019-09-10 | 3M Innovative Properties Company | Sheet for license plate, laminate for license plate, and license plate |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2962912B2 (ja) | 陰極スパッタリング装置で基板を被覆するためのスパッタカソード | |
WO2007000901A1 (ja) | 表面改質された部材、表面処理方法および表面処理装置 | |
JPH0718423A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JP2007042818A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
US4544444A (en) | Reactive ion etching of tin oxide films using silicon tetrachloride reactant gas | |
JPH1152487A (ja) | オーバーヘッドプロジェクト用シート | |
WO2001083845A2 (en) | Magnetic sensor having diamond-like carbon thin film | |
JPH1192176A (ja) | 光触媒膜及びその作製方法 | |
JP3587227B2 (ja) | 複写用装置及びその製造方法 | |
JPH08134630A (ja) | 光触媒用酸化チタン含有膜被覆基体及びその製造方法 | |
JPH1148395A (ja) | 光触媒フィルム並びに自動車用ウインドウ及び建築物用窓ガラス | |
CN102373408A (zh) | 镀膜加工方法 | |
JPH1152873A (ja) | コンピュータディスプレイ | |
US20060283702A1 (en) | Random pulsed DC power supply | |
JPH0593259A (ja) | 金属ストリツプの表面清浄化装置 | |
JP3838297B2 (ja) | 光触媒積層膜 | |
JPS62297462A (ja) | 高速真空成膜方法 | |
JPH0463323A (ja) | 液晶配向処理法 | |
JP2004083974A (ja) | スパッタ成膜方法及びマグネトロンスパッタ装置 | |
CN215856302U (zh) | 提高平面靶材利用率的背板组件 | |
JP2004315250A (ja) | スパッタリング法による成膜方法 | |
JP2003138372A (ja) | スパッタリングターゲット及びスパッタリング装置 | |
JP4678996B2 (ja) | 誘電体膜の成膜方法及び成膜装置 | |
JPS61235562A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
JP2900546B2 (ja) | 液晶配向処理装置 |