JPH11510025A - マルチバイブレータ回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、エミッタ結合型マルチバイブレータ回路に関する。この回路は２つのトランジスタ（Ｑ１，Ｑ２）を備え、各トランジスタのベースを他のトランジスタのコレクタに接続することによって、両トランジスタ間に正帰還を提供している。本発明のマルチバイブレータにおいては、従来の抵抗器及び電流源を使用する代わりに、コイル（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４）を介してトランジスタ（Ｑ１，Ｑ２）を動作電圧に接続している。このため、コイル上にＤＣ電圧損失が発生せず、必要な動作電圧が低下される。さらに、この改良によって、アバランシェプロセスの間の増幅度（増幅）を増大させ、結果的に、全体の回路の速度が増加する。また、信号の波形は高周波数における正弦形状に近い。コイル（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４）間に電磁結合を付加すれば、さらに回路の速度を上げることができる。

Description

【発明の詳細な説明】 マルチバイブレータ回路 発明の分野 本発明は一般に発振器回路に関し、特に、マルチバイブレータを基礎とする発 振器回路に関する。 発明の背景 異なった種類の発振器回路、すなわち発振器は、電子技術及び電気通信技術の 数多くの適用分野において使用されている。電気通信技術の一般的な適用分野に は、位相同期ループ（ＰＬＬ）、周波数発振器、変調器等がある。 発振器回路、すなわち発振器は、多くの異なった回路構造によって実行が可能 である。その１つが、無安定（フリーランニング又は自走）マルチバイブレータ である。図１は、従来のエミッタ結合型マルチバイブレータ回路を示している。 この回路は２つのトランジスタＱ１及びＱ２を備え、各トランジスタのベースを 他のトランジスタのコレクタに接続することにより、２つのトランジスタＱ１及 びＱ２の間に正帰還が提供されている。いくつかの公知の解法においては、Ｒｃ １及びＲｃ２は、コイルにとって代えられる。Ｑ１及びＱ２のコレクタはそれぞ れ抵抗器Ｒｃ１とＲｃ２を介して動作電圧源１の１つの電位に接続され、それら のエミッタはそれぞれ電流源３及び４を介して動作電圧源の下位の電位に接続さ れている。さらに、Ｑ１及びＱ２のエミッタ間には、キャパシタンスＣが接続さ れている。抵抗器Ｒｃ１、Ｒｃ２及びキャパシタンスＣで構成される正帰還及び 直列共振回路により、発振がいったんトリガーされると同時にマルチバイブレー タの出力が２状態間で連続的に発振する。当該発振周波数は、ＲＣ直列共振回路 の素子値によって決定される。当該発振周波数は、この素子値のいくらか、特に キャパシタンスＣを変更することにより制御することができる。 次いで、マルチバイブレータの動作について詳細に検討していく。まず、Ｑ１ がオフ（非導電状態）であると仮定する。Ｑ１がオフのときは、Ｑ１のコレクタ とＱ２のベースとは一般に動作電圧の電位にある。このとき、Ｑ２はオン（導電 状態）であり、そのエミッタ電流はＩ１＋Ｉ２である。言い換えれば、Ｑ２が導 電状態であるとき、電流Ｉ１はＱ２のエミッタからキャパシタンスＣを介してＱ １のエミッタへと流れる。次いで、電流Ｉ１はキャパシタンスＣの電荷を充電／ 放電し、これによって、Ｑ１のエミッタ電位は、Ｑ１のベース・エミッタ間電圧 が約０．６Ｖを越えたときにＱ１が導電性となるまで所定の速度で降下する。Ｑ １が導電性になると、そのコレクタ電圧は降下し始める。正帰還のために、Ｑ２ のベース電圧も降下し、Ｑ２が閉じる。Ｑ２がオフでＱ１がオンのときは、電流 １２はＱ１のエミッタからキャパシタンスＣを介してＱ２のエミッタへと流れ、 エミッタ電圧は、Ｑ２が開状態となりＱ１が再度閉鎖されるまで降下を開始する 。そのようなマルチバイブレータ回路の速度（共振周波数の最大値）は、主とし てトランジスタＱ１及びＱ２の特性に依存する。マルチバイブレータ回路の速度 を上げる周知の方法の１つに、バッファトランジスタを介して一方のトランジス タのコレクタから他のトランジスタのベースへ正帰還を提供するものがある。こ れによって、より大きなベース電流が可能となり、トランジスタのベース電流の 寄生キャパシタンスが再度、より高速で放電され、さらに、トランジスタの状態 間の切り換えが促進される。今日ではさらにこれを上回る速度上昇が要求されて いる。 上述のタイプのマルチバイブレータの場合、最小動作電圧は約１．５Ｖであり 、それから少なくとも０．４Ｖ乃至０．５Ｖが電流源３及び４に使用される。特 に電池を電源とする電子機器の場合には、これよりもさらに低い動作電圧が望ま れる。しかしながら、緩衝型マルチバイブレータ回路においては、その動作電圧 はこれよりも高い。 発明の概要 本発明の目的は、マルチバイブレータ回路の速度を上げることにある。 本発明のもう１つの目的は、マルチバイブレータの動作電圧を低下させること にある。 本発明のさらなる目的は、以前よりもより簡単なマルチバイブレータの周波数 制御を提供することにある。 本発明は、 動作電圧源と、 第１と第２の主電極と、制御電極とを備えた第１の非線形増幅器素子と、 第１と第２の主電極と、制御電極とを備えた第２の非線形増幅器素子とを備え 、上記第２の非線形増幅器素子の第１の主電極は上記第１の増幅器素子の制御電 極を制御するように接続され、上記第１の増幅器素子の第１の主電極は上記第２ の増幅器素子の制御電極を制御するように接続され、 上記第１の増幅器素子の第２の主電極と上記第２の増幅器素子の第２の主電極 との間に接続された容量性素子と、 第１の誘導性素子とを備え、上記第１の増幅器素子の第１の主電極は上記第１ の誘導性素子を介して上記動作電圧源の第１の電位に接続され、 第２の誘導性素子を備え、上記第２の増幅器素子の第１の主電極は上記第２の 誘導性素子を介して上記動作電圧源の第１の電位に接続されたマルチバイブレー タ回路において、 第３の誘導性素子を備え、上記第１の増幅器素子の第２の主電極は上記動作電 圧源の第２の電位に接続され、 第４の誘導性素子を備え、上記第２の増幅器素子の第２の主電極は上記第４の 誘導性素子を介して上記動作電圧源の第２の電位に接続されたマルチバイブレー タ回路である。 本発明においては、増幅器素子におけるいわゆるアバランシェプロセスの速度 を上げることによってマルチバイブレータ回路の動作速度（動作レート）を増大 させている。アバランシェ（電子なだれ）は、１つの状態から他の状態へとなだ れ込むように自己増幅式に遷移する回路の特性を示しており、それらは、きわめ て高い周波数において優勢なプロセスである。増幅器素子は、例えば、バイポー ラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタ、ＣＭＯＳトランジスタ、ＳＯＩトランジ スタ、ＨＥＭＴトランジスタ及びＨＢＴトランジスタ又は真空管などの任意のタ イプの非線形増幅器素子であればよい。 従来のマルチバイブレータ回路においては、増幅器素子の第１の主電極（例え ば、コレクタ）と動作電圧との間に抵抗器が使用される。本発明に係るマルチバ イブレータでは、増幅器素子の第１の主電極はそれぞれ第１と第２の誘導性素子 を介して動作電圧に接続されている。この改良は、誘導性素子にＤＣ（直流）電 圧損失を生じさせないことから、必要な動作電圧を低下させる。さらにこの改良 により、アバランシェプロセス中の増幅度（増幅）を増大させ、結果的に全体の 回路の速度が増大する。さらに信号波形は高周波数において正弦波により近いも のとなる。 増幅器素子の第２の主電極（例えば、エミッタ）と第２の動作電圧との間に電 流源を使用する従来型のマルチバイブレータ回路においては、主電極の電流を一 定に保持することが主たる目的となっている。本発明のマルチバイブレータの場 合、増幅器素子の第２の主電極はまた、それぞれ第３と第４の誘導性素子を介し て動作電圧に接続されている。この改良によって、誘導性素子にはＤＣ電圧損失 がなくなり、電流源と同様に必要な動作電圧がさらに低下する。この改良はまた 、アバランシェプロセス中の回路の動作を強化し、結果的に回路全体の速度を上 昇させる。 本発明では、少なくとも２つの誘導性素子の間に電磁結合（又は電磁カップリ ング）（誘導結合が優勢）を提供し、ここを流れる電流に電磁的相互作用を保有 させ、マルチバイブレータの増幅器素子間の正帰還を強化している。この付加的 な電磁“帰還”は、次いで、アバランシェプロセスを大幅に強化し、全体の回路 の速度が増す。製造技術に関していえば、２つの誘導性素子とその電磁結合を実 現する上での効果的な方法は、タップ付きのコイルを装備することにある。 本発明の実施例では、この電磁結合が第１と第２の誘導性素子の間に存在して いる。さらに、又は代替として、対応する電磁結合が第３と第４の誘導性素子の 間に存在してもよい。同一のマルチバイブレータ回路で両方の電磁結合を実現す る場合は、正帰還及び結果的に全回路の速度がさらに増大する。 本発明の他の態様では、すべての誘導性素子の間に電磁結合を提供している。 言い換えれば、第１と第２の誘導性素子の電流が、互いに相互作用するだけでな く第３と第４の誘導性素子とも相互に作用する。これにより、正帰還がさらに強 化され、全体の回路の速度が増す結果となる。製造技術に関していえば、すべて の誘導性素子の間の結合を実現する効果的な方法は、２つの巻線を有するタップ 付きの変圧器を提供することにある。 本発明に係るマルチバイブレータ回路の好適な特徴は、マルチバイブレータ回 路のコンデンサの無効インピーダンスとこれに接続された誘導性素子とがアバラ ンシェプロセス中にそこを流れる電流を決定することである。当該共振周波数は 、この電流に依存する。この電流は制御は簡単であり、本発明によるマルチバイ ブレータ回路の周波数制御は現存回路に比べるとより簡単な方法で実施すること ができる。 図面の簡単な説明 以下、添付の図面を参照しながら本発明について説明する。 図１は、従来技術によるエミッタ結合型マルチバイブレータ回路を示す回路図 である。 図２、図３及び図４は、本発明に係る異なったマルチバイブレータ回路を示す 回路図である。 図５は、周波数制御を装備した本発明によるマルチバイブレータ回路を示す回 路図である。 発明の好ましい実施の形態 本発明は、動作電圧の低下、及びいわゆるエミッタ結合型マルチバイブレータ 回路の速度の増加に適用することができる。図１に図示された従来技術によるマ ルチバイブレータ回路、及び図２−図５に図示された本発明に係るマルチバイブ レータ回路は、増幅器手段としてバイポーラトランジスタを使用しているが、本 発明に係る回路の解は、原理的には、例えば、ＭＯＳトランジスタ、ＣＭＯＳト ランジスタ、ＳＯＩトランジスタ、ＨＥＭＴトランジスタ、及びＨＢＴトランジ スタ、マイクロ波管、真空管などの、任意のタイプの非線形増幅器素子を使用し てもよい。電極の名称は、これらの素子によって相違するかもしれない。バイポ ーラトランジスタの主電極はコレクタとエミッタであり、制御電極はベースを構 成している。ＦＥＴにおいては、対応する電極はドレイン、ソース及びゲートで ある。真空管の場合、通常、これらの電極は陽極、陰極及びゲートと呼ばれる。 従って、エミッタ結合型マルチバイブレータという用語は、例えば、カソード結 合型マルチバイブレータ又はソース結合型マルチバイブレータという用語をカバ ーする、より広い概念としての関連において理解することができる。 図２は、本発明の第１の実施形態に係るエミッタ結合型マルチバイブレータ回 路を示している。上記回路は、２つのＮＰＮトランジスタＱ１及びＱ２を備える 。トランジスタＱ１のコレクタ電極は、コイルＬ１を介して動作電圧源１の正の 動作電圧Ｖｃｃに接続され、エミッタはコイルＬ３を介して電源１の、例えば０ Ｖであるより低い動作電圧の電位に接続される。トランジスタＱ２のコレクタは コイルＬ２を介して動作電圧Ｖｃｃに接続され、エミッタはコイルＬ４を介して 動作電圧０Ｖに接続される。トランジスタＱ１とＱ２の間にはコンデンサＣが接 続される。Ｑ１のベースをＱ２のコレクタに交差接続しかつＱ２のベースをＱ１ のコレクタに交差接続することにより、トランジスタＱ１とＱ２間には正帰還が 提供されている。コイルＬ１−Ｌ４及びコンデンサＣによって構成される正帰還 及び直列共振回路Ｌ１−Ｃ−Ｌ４及びＬ２−Ｃ−Ｌ３は、発振がトリガーされた ときに、マルチバイブレータの出力（例えば、Ｑ２のエミッタ）は２つの状態間 で発振することを提供する。当該回路の動作は、典型的には、少なくとも約１Ｇ Ｈｚのかなり高い共振周波数を必要としている。当該回路の共振周波数は、素子 Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｃの値によって設定される。共振周波数の制御は、１ ）本質的に公知の方法でこれらの素子の値を制御すること、もしくは２）後述す るように、コンデンサＣ及びコイルＬ３，Ｌ４を流れる電流を制御することによ って実行可能である。共振周波数範囲１−１０ＧＨｚの中で、コイルＬ１乃至Ｌ ４の値は典型的には１−１０ｎＨのオーダーであり、コンデンサＣの値は１−５ ｐＦのオーダーである。本発明によるマルチバイブレータ回路では、図１に図示 された従来のマルチバイブレータ回路の抵抗器Ｒｃ１及びＲｃ２の代わりにコイ ルＬ１及びＬ２を使用している。コイルＬ１及びＬ２は、その間にＤＣ電圧損失 が生じないために動作電圧Ｖｃｃを低下させる。従来のマルチバイブレータ回路 の電流源３及び４（図１）に代オつるコイルＬ３及びＬ４も、同様の効果を与え ている。従って、トランジスタＱ１及びＱ２のコレクタ及びエミッタに生じる電 位は、 実際のところＶｃｃと０Ｖである。このため、動作電圧は約０．８−１Ｖの領域 まで低下可能である。これに対して、図１の回路では、Ｖｃｃは約１．５Ｖ又は これ以上である。 さらに、トランジスタＱ１及びＱ２をオンに切り換えたとき、コイルＬ１，Ｌ ２，Ｌ３，Ｌ４はアバランシェプロセス中の増幅度（増幅）を増大させて強化す る。まず、マルチバイブレータの動作について詳細に検討する。まず始めに、Ｑ １をオフ（非導電状態）と仮定する。Ｑ１がオフであるとき、Ｑ１のコレクタ及 びＱ２のベースは一般に共振周波数における動作電圧電位Ｖｃｃにある。次いで 、Ｑ２はオン（導電状態）となり、そのエミッタ電流Ｉ１はＱ２のエミッタから コンデンサＣを介してＱ１のエミッタに流れる。そして、電流Ｉ１はコンデンサ Ｃの電荷を充電／放電し、これによって、Ｑ１のエミッタ電位はベースのエミッ タ電圧が約０．６Ｖを越えたときにＱ１が導電性となるまで、共振周波数の所定 の速度で降下する。Ｑ１が導電性になると、そのコレクタ電圧は降下し始める。 Ｑ１のコレクタはＱ２のベースに接続されている（正帰還）ため、Ｑ２のベース 電圧も降下し、Ｑ２は閉鎖し始める。Ｑ２がオフでかつＱ１がオンのとき、電流 Ｉ２はＱ１のエミッタからコンデンサＣを通ってＱ２のエミッタへ流れ、ここで 、エミッタ電圧はＱ２を開放状態にしかつＱ１を再度閉鎖するまで降下を開始す る。上述のように、当該共振周波数は、発振信号がＤＣ信号のようにコイルＬ１ 乃至Ｌ４を通って電圧源と短絡しないように、十分に高く、約１ＧＨｚよりも高 く設定される必要がある。マルチバイブレータ回路が達成すべき共振周波数の最 大値は、主としてトランジスタＱ１及びＱ２の特性、すなわち１つの状態から他 の状態への遷移連結することが可能な速度に依存する。コイルＬ１乃至Ｌ４によ る速度増加は、主としてその周波数に依存するインピーダンスに基づいている。 コイル対Ｌ１及びＬ２、Ｌ３及びＬ４を流れる電流は機能の面でそれぞれ互い に強力に依存しあっているため、その間を流れる電流がマルチバイブレータの増 幅器素子間の正帰還を強化する電磁的相互作用を有するような方法でコイル間に 電磁結合を提供すれば、回路の速度をさらに増加させることができる。 図３に図示された本発明に係るマルチバイブレータ回路においては、コイルＬ １とＬ２の間、及びＬ３とＬ４の間に電磁結合が提供されている。図３では、コ イルＬ１とＬ２は、タップの付いた１本のコイルで実現されている。タップは動 作電圧Ｖｃｃに接続され、コイルの一方の端子３１はトランジスタＱ１のコレク タに接続され、コイルの他方の端子３２はトランジスタＱ２のコレクタに接続さ れている。従って、コイルＬ１はタップ３０と端子３１の間に形成され、コイル Ｌ２はタップ３０と端子３２の間に形成されている。コイルＬ３及びＬ４も同様 に、タップ付きのコイルによって実現されている。コイルのタップ３３は動作電 圧の電位０Ｖに接続され、端子３４はトランジスタＱ１のエミッタに接続され、 端子３５はトランジスタＱ２のエミッタに接続されている。 次に、図３の回路の動作について精査する。まず、Ｑ１をオフでありかつＱ２ を導電性であると仮定する。この場合は、コイルＬ２を流れるトランジスタＱ２ のコレクタ電流Ｉ_c2、及びコイルＬ１を流れるＱ２のベース電流Ｉ_B2は最大とな る。これに対応して、Ｑ１はＬ_C1＝０のコレクタ電流とＩ_B1＝０のベース電流を 有する。Ｑ１が開き始めかつＱ２が閉じ始めると、図１を参照して説明したよう に、コイルＬ１を介して流れるＱ１のコレクタ電流Ｉ_c1、及びコイルＬ２を介し て流れるＱ１のベース電流Ｉ_B1が増加を開始し、コイルＬ１及びコイルＬ２間の 電磁結合は、コイルＬ１で増加する電流がコイルＬ２において余分な電流を誘起 し、これによって、Ｑ１のベース電流Ｉ_B1の増大を加速する。一方、増大したベ ース電流Ｉ_B1は、Ｑ１のベース電極の寄生キャパシタンスをより高速に放電し、 それによって、Ｑ１の開口（オフ）を加速する。このことは、再度電流Ｉ_c1をさ らに増加させ、次いで、コイルＬ１，Ｌ２などを介して流れる電流Ｉ_B1を増大さ せる。このことは、Ｑ１が完全に開放されＱ２が閉鎖されるまで、すなわちＩ_c1 及びＩ_B1が最大値となりＩ_c2：Ｉ_B2＝０となるまで継続される。次いで、Ｑ２が 再度開き始めてＱ１が閉じ始め、電流Ｉ_c2及びＩ_B2はコイルＬ１及びＬ２を介し て互いに増幅する。正の“電磁帰還”はこうして提供され、この帰還がマルチバ イブレータ回路の従来の正帰還を増幅する。 これに対応して、コイルＬ３及びＬ４を介して流れる電流の変化は互いに増幅 し合い、トランジスタＱ１及びＱ２間の正帰還、及び全体の回路の速度を増加さ せる。 本発明に係るマルチバイブレータの動作は、すべてのコイルＬ１，Ｌ２，Ｌ３ ，Ｌ４間に電磁結合を提供することにより、さらに加速することができる。図４ はこうした解法の１つを示したものであり、コイルＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４は、 タップを装備した２つの巻線Ｍ１及びＭ２を有する変圧器Ｔ１によって実施され ている。巻線Ｍ１のタップ４０は電圧源１の動作電圧Ｖｃｃに接続され、端子４ １はトランジスタＱ１のコレクタに接続され、端子４２はトランジスタＱ２のコ レクタに接続されている。コイルＬ１は、タップ４０と端子４１の間に形成され 、コイルＬ２はタップ４０と端子４２の間に形成される。巻線Ｍ２のタップ４３ は、電圧源１の電位０Ｖに接続され、端子４４はトランジスタＱ１のエミッタに 接続され、端子４５はトランジスタＱ２のエミッタに接続されている。コイルＬ ３はタップ４３と端子４４の間に形成されている。コイルＬ４はタップ４３と端 子４５の間に形成される。 図３を参照して上述したように、コイルＬ１とＬ２の間及びコイルＬ３とＬ４ の間には電磁結合が存在している。また、トランジスタＴ１の巻線Ｍ１及びＭ２ も電磁結合を有している。このことは、コイルＬ１及びＬ２を流れる電流がコイ ルＬ３及びＬ４を流れる電流に誘導的に影響を与え、その逆でもあることを意味 している。言い換えれば、コレクタ回路とエミッタ回路間にもアバランシェプロ セスを加速する正帰還が存在する。このようにして、最も強力な多重経路（マル チパス）による正帰還及び最も高速なアバランシェプロセスを提供することが可 能である。例えば、コイルＬ４を流れトランジスタＱ１が開くときに増大する電 流は、コイルＬ２を流れるトランジスタＱ１のベース電流を増幅するように設け ることができる。ベース電流が高ければＱ１の開放が加速され、これによってコ イルＬ４を流れる電流の増加がさらに加速され、この電流がコイルＬ２等を通る Ｑ１のベース電流を増加させる。コイルＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を通って流れる その他の電流も、正帰還を増幅するような方法で、誘導的に相互作用させて同様 に設けることができる。 図５は、図４のマルチバイブレータ回路を使用して実施した電圧制御発振器（ Ｖ ＣＯ）を示している。本発明に係るマルチバイブレータ回路においては、コンデ ンサＣとそれに接続されるコイルＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４の無効インピーダンス が、アバランシェプロセスの間にそれらを通過する電流を決定する。この電流の 制御が共振周波数の制御に導く点は重要である。これが、コンデンサＣ又はコイ ルＬ１乃至Ｌ４の幾つかの値を制御する従来の解法と比較して、非常に簡単な共 振周波数の制御を可能にしている。 図５に図示された発振器結合（発振器カップリング）の場合、コイルＬ３とＬ ４の間の結合点、すなわちタップ４３は、Ｎ−ＭＯＳ型の直列トランジスタＭ１ によって電圧源１の動作電圧の電位０Ｖに接続されている。トランジスタＭ１を 流れる電流は、トランジスタＭ１のゲートにおいて制御電圧Ｖ_controlによって 制御される。次いで、トランジスタＭ１を通る電流は、アバランシェプロセスの 間にコンデンサＣを流れる電流を制御し、これによって共振周波数を制御する。 共振回路のどの素子、コンデンサＣ又はコイルＬ１乃至Ｌ４、が支配的な役割を 有するかによって、トランジスタＭ１を通る制御電流の増加は発振器が提供する 周波数を増加又は減少させ、もしくは、全く影響を与えない。上記制御電流が減 少すれば、反対の現象が生じる。 図５の例においては、トランジスタＭ１はＮ−ＭＯＳ型であるが、Ｐ−ＭＯＳ 型、ＮＰＮ型、ＰＮＰ型等のトランジスタ、もしくは原理的には、電流を制御す る任意のタイプの素子を代替として使用可能である。 またとって代わって、トランジスタＭ１又は他の電流制御手段は、電圧源１の 動作電圧端子ＶｃｃとコイルＬ１及びＬ２との間における電源ラインにおいて配 置することもできる。 本発明に係るマルチバイブレータを用いて、電流制御発振器（ＩＣＯ）も容易 に実施することができる。図５のＶＣＯは、トランジスタＭ１の代わりに、例え ば、電流ミラー、増幅ステージなどのいくつかの適切な方法によって、制御電流 を提供すれば、容易にＩＣＯにすることができる。 本発明に係るマルチバイブレータ及びこれを基礎とするＩＣＯ及びＶＣＯ発振 器は大幅に高速化され、より高い増幅度に対してより低い電圧供給を必要とし、 従来のマルチバイブレータ及び発振器よりも簡単な周波数制御回路を備えている 。例えば、０．８μｍのＢｉＣＭＯＳ技術で実施され、低いＱ値のコイルを使用 する集積回路においては、本発明に係るマルチバイブレータは、周波数１０ＧＨ ｚで、１．２Ｖの動作電圧からの１ｍＷ未満の電力消費量でさえも、０．８Ｖの 振幅を提供する。 図面及び関連する説明は、単に本発明を例示するためのものである。本発明の 詳細は、添付の請求の範囲の精神及び範囲内で変化する可能性がある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．動作電圧源（１）と、 第１と第２の主電極と、制御電極とを備えた第１の非線形増幅器素子（Ｑ１） と、 第１と第２の主電極と、制御電極とを備えた第２の非線形増幅器素子（Ｑ２） とを備え、上記第２の非線形増幅器素子（Ｑ２）の第１の主電極は上記第１の増 幅器素子（Ｑ１）の制御電極を制御するように接続され、上記第１の増幅器素子 （Ｑ１）の第１の主電極は上記第２の増幅器素子（Ｑ２）の制御電極を制御する ように接続され、 上記第１の増幅器素子（Ｑ１）の第２の主電極と上記第２の増幅器素子（Ｑ２ ）の第２の主電極との間に接続された容量性素子（Ｃ）と、 第１の誘導性素子（Ｌ１）とを備え、上記第１の増幅器素子（Ｑ１）の第１の 主電極は上記第１の誘導性素子（Ｌ１）を介して上記動作電圧源（１）の第１の 電位に接続され、 第２の誘導性素子（Ｌ２）を備え、上記第２の増幅器素子（Ｑ２）の第１の主 電極は上記第２の誘導性素子（Ｌ２）を介して上記動作電圧源（１）の第１の電 位に接続されたマルチバイブレータ回路において、 第３の誘導性素子（Ｌ３）を備え、上記第１の増幅器素子（Ｑ１）の第２の主 電極は上記動作電圧源（１）の第２の電位に接続され、 第４の誘導性素子（Ｌ４）を備え、上記第２の増幅器素子（Ｑ２）の第２の主 電極は上記第４の誘導性素子（Ｌ４）を介して上記動作電圧源（１）の第２の電 位に接続されたことを特徴とするマルチバイブレータ回路。 ２．上記第１と第２と第３と第４の誘導性素子のうちの少なくとも２つは、相互 電磁結合を有することを特徴とする請求項１記載のマルチバイブレータ回路。 ３．上記第１と第２の誘導性素子（Ｌ１，Ｌ２）の間に電磁結合が存在すること を特徴とする請求項１又は２記載のマルチバイブレータ回路。 ４．上記第３と第４の誘導性素子（Ｌ３，Ｌ４）の間に電磁結合が存在すること を特徴とする請求項１、２又は３記載のマルチバイブレータ回路。 ５．上記第１と第２と第３と第４の誘導性素子（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４）の間 に電磁結合が存在することを特徴とする請求項１乃至４のうちのいずれか１つに 記載のマルチバイブレータ。 ６．第１のコイルを備え、 上記第１のコイルは、 上記第１の増幅器素子（Ｑ１）の第２の主電極に接続された第１の切換端子（ ３４）と、 上記第２の増幅器素子（Ｑ２）の第２の主電極に接続された第２の切換端子（ ３５）と、 上記動作電圧源（１）の第２の電位に動作可能に接続されたタップ（３３）と を備え、 上記第１の切換端子（３４）と上記タップ（３３）の間の上記第１のコイルの 一部は上記第３の誘導性素子（Ｌ３）を構成し、 上記第２の切換端子（３５）と上記タップ（３３）の間の上記第１のコイルの 一部は上記第４の誘導性素子（Ｌ４）を構成したことを特徴とする請求項１乃至 ５のうちのいずれか１つに記載のマルチバイブレータ。 ７．第２のコイルを備え、 上記第２のコイルは、 上記第１の増幅器素子（Ｑ１）の第１の主電極に接続された第１の切換端子（ ３１）と、 上記第２の増幅器素子（Ｑ２）の第１の主電極に接続された第２の切換端子（ ３２）と、 上記動作電圧源（１）の第１の電位に動作可能に接続されたタップ（３０）と を備え、 上記第１の切換端子（３１）と上記タップ（３０）の間の上記第２のコイルの 一部は上記第１の誘導性素子（Ｌ１）を構成し、 上記第２の切換端子（３２）と上記タップ（３０）の間の上記第２のコイルの 一部は上記第２の誘導性素子（Ｌ２）を構成したことを特徴とする請求項１乃至 ６のうちのいずれか１つに記載のマルチバイブレータ。 ８．上記第１と第２と第３と第４の誘導性素子（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４）は、 変圧器（Ｔ１）の巻線であることを特徴とする請求項４記載のマルチバイブレー タ。 ９．上記変圧器（Ｔ１）は、 上記第１の増幅器素子（Ｑ１）の第２の主電極に接続された第１の切換端子（ ４４）と、上記第２の増幅器素子（Ｑ２）の第２の主電極に接続された第２の切 換端子（４５）と、上記動作電圧源（１）の第２の電位に動作可能に接続された タップ（４３）とを有する第１の巻線（Ｍ２）を備え、 上記第１の切換端子（４４）と上記タップ（４３）の間の上記第１の巻線の一 部は上記第３の誘導性素子（Ｌ３）を構成し、上記第２の切換端子（４５）と上 記タップ（４３）の間の第１の巻線の一部は上記第４の誘導性素子（Ｌ４）を構 成し、 上記第１の増幅器素子（Ｑ１）の第１の主電極に接続された第１の切換端子（ ４１）と、上記第２の増幅器素子（Ｑ２）の第１の主電極に接続された第２の切 換端子（４２）と、上記動作電圧源（１）の第１の電位に動作可能に接続された タップ（４０）とを有する第２の巻線（Ｍ１）を備え、 上記第１の切換端子（４１）と上記タップ（４０）の間の第２の巻線の一部は 上記第１の誘導性素子（Ｌ１）を構成し、上記第２の切換端子（４２）と上記タ ップ（４０）の間の第２の巻線の一部は上記第２の誘導性素子（Ｌ２）を構成し たことを特徴とする請求項８記載のマルチバイブレータ。 １０．上記マルチバイブレータの発振周波数の制御回路は、上記第３と第４の誘 導性素子（Ｌ３，Ｌ４）を流れる電流を制御しかつ外部周波数制御信号によって 制御される手段（Ｍ１）を備えたことを特徴とする先行する請求項のうちいずれ か１つに記載のマルチバイブレータ。