JPH11507162A

JPH11507162A - パターン化した磁極を備えたヘッド上の滑らかな微細構成ヘッド面

Info

Publication number: JPH11507162A
Application number: JP9500976A
Authority: JP
Inventors: ビー．スレイド，スチーブン; ピー．バーバンク，ダニエル; エィチ．ナン，ウィリアム
Original assignee: シーゲートテクノロジー，インコーポレテイッド
Priority date: 1995-06-07
Filing date: 1996-06-03
Publication date: 1999-06-22
Also published as: WO1996041336A1; US5999380A; EP0830670A1; KR19990022271A

Abstract

(57)【要約】薄膜ヘッドはパターン化された磁極チップ（６８）と、前記磁極チップ（６８）の周りで異物が堆積するのを排除する滑らかな微細構成のインタフェース面（７０）とを有している。前記パターン化された磁極チップ（６８）は所望の磁極チップ形状を得るために材料を除去することにより形成される。充填材が添加され、滑らかな微細構成の面（７０）を作るべく除去される。

Description

【発明の詳細な説明】パターン化した磁極を備えたヘッド上の滑らかな微細構成ヘッド面発明の分野本発明はヘッドと記録媒体との間のインタフェースとして作用する薄膜磁気ヘッドの面に関する。特に、本発明は、パターン化した磁極を有する滑らかな微細構成インタフェース面を備えた薄膜ヘッドに関する。発明の背景磁気記録装置において、薄膜磁気ヘッドは媒体における局部磁気領域の磁化および生成をそれぞれ磁気抵抗的に、あるいは誘導的に検出することにより、磁気媒体に対する情報の検索（「読み取り」）および記憶（「書き込み」）を行う。磁気媒体から情報を読み取る場合、薄膜ヘッドのインタフェース面は局部領域からの磁束がインタフェース面の透磁性材料の磁極チップへ入るように媒体から短い距離をおいて前記媒体上を運動する。この磁束は、インタフェース面における磁極チップの面から、電磁変換器までの選定された透磁性材料の通路に亘って延びる。前記変換器は前記通路における磁束を読み取り電流に変換する。読み取り電流は、電気読み取り信号を発生させるようにヘッドが装着されている記録装置によって使用される。薄膜ヘッドは通常、モノリシック集積回路を構成するときに使用するものと類似の材料蒸着およびエッチング技術を用いて構築される。製造時、大量のヘッドは、薄膜ヘッドを層で構成する材料蒸着およびエッチング技術により通常はウエファである大きな基板上に構築される。ヘッドは基板の面に対して垂直の最終のインタフェース面の平面に対して平行の方向に構築される。このことは、最終のインタフェース面のベースは、ウエファに対する蒸着およびエッチング工程が終了するとウエファ内に位置することを意味する。この工程の後、磁極チップの面を露出するために、ウエファは磁極チップの端部近傍で列状にスライスされる。このことにより各薄膜ヘッドに対して磁極チップの面を含む作用面を形成する。ある方法においては、個々の薄膜ヘッドは単にこれらの列から切断され、作用面をインタフェース面として作用させながら、そのまま磁気記録装置中へ位置される。そのような方法においては、磁極チップの形状はウエファのレベルでのエッチングと蒸着方法によって決まる。しかしながら、その他の方法においては、作用面近傍での磁極の端部は薄膜ヘッドが列に切断された後成形し直しされる。磁極チップを成形し直すために、薄膜ヘッドの列が作用面を共通の平面に位置させるように回転される。次いで、周知のフォトレジスト技術を用いて作用面の一部はフォトレジストの層で被覆される。次いで、エッチング物質あるいはイオンミリングビームのような除去剤が作用面の被覆部分と非被覆部分とに向かって導かれる。前記除去剤は被覆部分に影響を与えることなく非被覆部分から材料を除去し、被覆部分の周りでくぼみを形成し、磁極面近傍の磁極チップの端部を成形し直す。ヘッドが磁気記録装置において使用される場合、パターン化された磁極チップの周りのミリングで出来たくぼみは異物を堆積させる傾向がある。この異物は磁極チップを機械的に損傷させる結果、装置の故障をもたらすことがよくある。従来技術で試みられた方法は、磁極チップの流路を開放することにより、異物が磁極チップを通るようにさせることにより前記堆積を最小にしようとしている。この方法は、くぼみに堆積した異物の全ての除去に成功はしなかったので、くぼみに関連した機械的損傷を排除してはいない。発明の要約本発明はパターン化した磁極と滑らかな微細構成のインタフェース面とを備えた薄膜ヘッドである。磁極は、ウエファが磁極チップの被覆部分の周りをエッチングすることにより列状に切断された後パターン化される。このエッチングによって作られたインタフェース面におけるくぼみはインタフェース面全体に亘って充填材を蒸着することによって除去される。次いで、この充填材は、磁極チップが一旦再び露出され、インタフェース面が滑らかな微細構成を有するようになるまで選択的に除去される。好適実施例においては、磁極チップはエッチング工程を通してそのままの状態に留まるべきインタフェース面の領域に結合されるフォトレジストでマスクされる。エッチングあるいはミリングが終了した後、フォトレジストは除去されない。その代わりに、充填材がフォトレジストによって覆われている部分とフォトレジストによって覆われていない部分の双方に亘って直接蒸着される。フォトレジストの頂部の上の充填材は純粋に機械的な方法あるいは機械的な方法とレーザビームを含む加熱方法との組み合わせのいずれかによって除去される。純粋に機械的な方法においては、充填材は繰り返したたかれてフォトレジストがインタフェース面から破断されるようにする。この破断によってフォトレジストと該フォトレジストを覆っている充填材とがインタフェース面から破断されるようにする。フォトレジストを除去する第２の方法においては、レーザが充填材を加熱することにより間接的にフォトレジストを加熱する。加熱によりフォトレジストにひびが入るようにし、フォトレジストにひびが入ったときに出来る小さい亀裂がインタフェース面に対する結合を弱める。低強度の機械的方法は次いで、フォトレジストを磁極チップから破断させフォトレジストと該フォトレジストを覆っている充填材とを磁極チップから落下させる。フォトレジストを覆っていない充填材は充填材をラッピングすることにより成形された磁極チップのレベルまで落とされる。ラッピングされた材料は磁極チップに対して滑らかな微細構成とすることにより、異物を堆積させる磁極チップの周りのくぼみを除去する。別の好適実施例においては、前記くぼみをエッチングするために使用するマスクは、充填材を添加する前に除去され、異なるマスキングパターンを用いて前記面に付与される。第２のマスキングパターンは除去工程の間に形成されたくぼみを囲む領域を露出する。次いで、充填材は露出された領域とフォトレジスト層の頂部に蒸着される。次いで、充填材は前述した方法の一つによって選択的に除去される。この第２の好適実施例においては、初期のくぼみ形成工程はイオンビームラスタリングによって達成することも可能である。そのようなラスタリングは正確に成形したくぼみを形成するのにフォトレジストを必要としない。このように、本発明はパターン化した磁極を備えた滑らかな微細構成のインタフェース面を提供する。この滑らかな微細構成は、異物を堆積しうるインタフェース面におけるくぼみの問題を排除する。この問題を解決することにより、本発明の薄膜ヘッドは過去の多数の薄膜ヘッドよりも機械的な損傷は少ない。図面の簡単な説明図１は部分的に構築された薄膜ヘッドのウエファの一部を示す図、図２は誘導的に部分的に構築された誘導薄膜ヘッドの断面図、図３Ａは図１に示すウエファから切断された後の部分的に構築された薄膜ヘッドの作用面の斜視図、図３Ｂはフォトレジストの膜を作用面に付与した、図３Ａに示す部分的に構築された薄膜ヘッドの斜視図、図３Ｃはフォトレジストの非マスク部分を除去した、部分的に構築された薄膜ヘッドの斜視図、図３Ｄは非マスク材料が除去された後の、部分的に構築された薄膜ヘッドの斜視図、図３Ｅは充填材がくぼみに添加された後の部分的に構築された薄膜ヘッドの斜視図、図３Ｆはマスクされた部分のフォトレジストが除去された後の、部分的に構築された薄膜ヘッドの斜視図、図３Ｇは形成された磁極チップと面一となるよう充填材がラッピングされた後の、薄膜ヘッドの斜視図、図４Ａは図３Ａに示す作用面から材料を除去することによりくぼみが現れた後の本発明の別の実施例の斜視図、図４Ｂはマスクが付与された後の図４に示す実施例の斜視図、図５と図６とは充填材が蒸着され、マスクが除去された後の、それぞれ図４Ｂの線９―９および線１０―１０に沿って見た断面図、図７と図８とはエアベアリング面のラッピングを示す図５と図６と同様の断面図である。好適実施例の詳細説明図１は、周知の要領で基板２４上に適当に材料を蒸着したり、エッチングすることにより形成された複数の部分的に構築された誘導性薄膜ヘッド２２を含むウエファ２０を示す。ヘッドの残りの部分を見えにくくするのを避けるために、図１では薄膜ヘッド２２の頂部上に来る最終の絶縁層を示していない。薄膜ヘッド２２は列状に構築され、頂部の磁極チップ２８と底部の磁極チップ３０（図示せず）とを交差する切断線２６に沿ってウエファ２０から切断される。図２はウエファ２０から破断された誘導性薄膜ヘッド２２の断側面図である。薄膜誘導性ヘッド２２の右側に示されている作用面５０は図１の切断線２６によって作られた面である。薄膜ヘッド２２は材料の層を基板２４に蒸着し、エッチングすることによりウエファ２０に構築される。一般に、Ａｌ₂Ｏ₃のような非磁性材料の底部絶縁層３２が先ず基板２４に蒸着される。作用面５０の近傍で底部磁極チップ３０を形成する底部コアレッグ３４が底部絶縁層３２の頂部に蒸着される。頂部コアレッグ３８が底部コアレッグ３４の上方で形成され、作用面５０の近傍で頂部磁極チップ２８を形成する。２個のコアレッグは典型的に、その磁気特性に対して選定されたニッケル―鉄合金から構成されている。頂部コアレッグ３８と底部コアレッグ３４との間には、誘導コイル４４および４６を収容した絶縁材４２が位置している。頂部磁極チップ２８と底部磁極チップ３０とは、その間で例えばＡｌ₂Ｏ₃のような非磁性材料で典型的に充填される空隙４８が形成される。頂部コアレッグ３８の上方にも、これも好ましくはＡｌ₂Ｏ₃である頂部絶縁層５２がある。切断線２６は頂部絶縁層５２、頂部磁極チップ２８、空隙４８、および底部絶縁層３２を切断して基板２４の平面に対して垂直の作用面５０を形成する。磁気記録装置においては、作用面５０は、局部磁気領域を含む磁気媒体に近接して位置される。頂部磁極チップ２８と底部磁極チップ３０とがこれらの局部領域と出会うので、磁束が前記領域から頂部コアレッグ３８と底部コアレッグ３４とを通して延びる。図２に示すような誘導ヘッドにおいては、変化している磁束は電流が導体コイル４４および４６を通して流れるように導く。電流の方向は局部領域の磁界の方向を示す。このように、導体コイル４４および４６を通る電流は磁気媒体の局部領域の磁化として記憶された磁気信号を表わす。図２において誘導ヘッドが示されているが、当該技術分野の専門家は下記するパターン化した磁極を備えた滑らかな微細構成のインタフェース面は磁気―抵抗ヘッドを含むその他のタイプのヘッドに対しても使用可能であることを認識する。図３Ａは図１の切断線２６に沿ってウエファ２０から、部分的に構築した薄膜ヘッド２２が切断された後の作用面５０の斜視図である。作用面５０より下方の底部磁極チップ３０と頂部磁極チップ２８の部分は点線で示し、一方作用面５０における磁極チップの断面は実線で示す。磁極チップ２８と３０とは、基板２４の頂部に薄膜ヘッド２２を構築するために材料の蒸着とエッチングとを実行した結果断面形状が台形である。底部絶縁層３２、空隙４８および頂部絶縁層５２は典型的には同じ非磁性材料から構成されている。それらは作用面５０において共に磁極チップ２８および３０を囲み一体構造を形成している。ウエファ２０の切断線に沿って薄膜ヘッド２２を切断した後、薄膜ヘッドの列はウエファ２０から破断され、共通の平面に全ての列の作用面５０を全て概ね位置させるように回転させられる。次いで、回転させられた列は接着剤によって一体のユニットとされ、接着剤は作用面５０の近傍で頂部磁極チップ２８および底部磁極チップ３０の端部を再成形すべく前記作用面において、あるいはその近傍でバッチ工程で更に蒸着やエッチング技術を実行出来るようにする。下記するように、これらの磁極チップの端部が再成形された後、滑らかな微細構成のインタフェース面が作られる。前記の磁極チップ再成形工程を開始するには、フォトレジスト５４の薄膜が図３Ｂに示すように、周知の要領で作用面５０全体に蒸着される。フォトレジスト５４は、ある波長の電磁放射線に対して露出されるとエッチング特性が変わる、そのような波長の電磁放射線に対して感応する多くの周知の材料の中の一つでよい。フォトレジスト５４は、放射線がフォトレジスト５４のある部分のみに衝突しうるようにする該放射線を空間的にろ過するフォトマスクに放射線を通すことによりそのような放射線のパターンに露出される。放射線が衝突するフォトレジスト５４のこれらの選定された部分は放射線が衝突しない部分に対して変化を付けている。この変化によって、フォトレジスト５４が作用面５０に対してしっかりと結合されている領域とフォトレジスト５４が軽く該面に対して結合されている領域とをもたらす。別の周知の処理過程によって軽く結合されている領域を除去し、しっかり結合している領域を硬化させ、フォトレジストの硬化したパターンを形成する。そのようなパターンが図３Ｃに示され、磁極チップマスク５８はフォトレジストが現像された後残るフォトレジスト５４の唯一の部分である。磁極再形成工程は引続き磁極チップマスク５８で覆われていない作用面５０近傍のヘッド材料を除去する。この材料は、薄膜ヘッドから材料を除去するための、双方とも周知である、化学エッチングあるいはイオンミリングにより選定された深さまで除去することができる。図３Ｄに示すように、この材料を除去することにより、それぞれ深さが０．０５から０．５ミクロンである、２個のくぼみを作る。前記くぼみ６０、６１と磁極チップマスク５８との間には、それぞれ傾斜壁６２、６３がある。傾斜壁６２、６３は材料除去工程で限度があるため出来たものである。一好適実施例においては、図３Ｅに示すように、くぼみ６０および６４を埋めるために充填材６４が周知の要領でくぼみ６０、６１および磁極チップマスク５８上に蒸着される。充填材６４は、前記くぼみ６０を覆っている充填材が残りの作用面５０の部分と同じか、あるいはそれより高くなる高さまで蒸着される。充填材６４は、頂部絶縁層５２、空隙４８および底部絶縁層３２において見られるものと同じ、典型的にはＡｌ₂Ｏ₃である、材料であることが好ましい。これらの部分全てにおいて同じ材料を使用することは、下記するように面一のインタフェース面を提供する上で有用である。充填材６４が蒸着された後、磁極チップマスク５８が残りの作用面５０の部分から除去される。磁極チップマスク５８が除去されると、この部分を覆っている充填材６４はくぼみ６０、６１を覆っている充填材６４の残りの部分から破断する。このことにより、図３Ｆに示すように、充填材が過剰の二つの部分６６、６７を残す。磁極チップマスク５８を除去することにより、形成された磁極チップ６８が現れる。磁極チップマスク５８は二種類の方法の一つを用いて除去することが出来る。第１の方法は純粋に機械的な方法であって、充填材６４の表面が繰り返したたかれて磁極チップマスク５８のフォトレジストに亀裂を作る。これらの亀裂により磁極チップマスク５８を作用面５０の残りの部分から分離するようにさせる。前述のように、磁極チップマスク５８を除去することによりこの部分を覆っている充填材が残りの充填材から破断するようにさせる。磁極チップマスク５８のフォトレジストを除去する第２の方法はレーザを用いて充填材６４を加熱することであって、そのため充填材が磁極チップマスク５８を加熱する。磁極チップマスク５８のフォトレジスト材が加熱されると、ひびが入って全体に微細な亀裂を形成する。これらの微細な亀裂が、作用面５０の残りの部分に対する結合を弱め、低強度の機械的方法を用いてこれらの作用面の残りの部分から磁極チップマスク５８を分離させることが出来る。パターン化した磁極を備えた滑らかな微細構成インタフェース面を形成する最終の段階は過剰の充填材６６、６７をラッピングすることである。ラッピングは例えばダイアモンドスラリーのような研磨材に対して加減して擦ることからなる。過剰の充填材６６、６７、頂部絶縁層５２、空隙４８および底部絶縁層３２は全て同じ材料であることが好ましいので、ラッピング工程では全ての４個の部分において同じ速度で材料を削り取る。このため、図３Ｇに示すように、滑らかな微細構成のインタフェース面７０を作ることがはるかに易しくなる。ラッピングが完了すると、インタフェース面７０は完全に滑らかとなる。別の好適実施例においては、磁極チップマスク５８はくぼみ６０および６１が形成された直後除去される（図４Ａ参照）。次いで、新しいマスク７６が作用面５０に付与されて前記くぼみ６０および６１を囲む空洞７８を形成する（図４Ｂ参照）。マスク７６は周知の現像方法により適正にパターン化された適当な負のフォトレジストから構成しうる。例えば、マスク７６は日本合成ゴム社（Japan synthetic Rubber Company）から市販されているＮＦＲ０１２Ｒフォトレジストから構成され、フォトリソグラフィを用いてパターン化しうる。次に、図５と図６とに示すように、底部絶縁層３２、空隙４８および頂部絶縁層５２を形成する絶縁材料に対して相容性の適当な絶縁材で形成された充填材がマスク７６と、作用面５０並びに空洞７８内のくぼみ６０および６１に蒸着される。特に図５に示すように、充填材の層８０は、くぼみ６０および６１を含み、マスク７６によって露出された作用面５０の部分の上に形成される。充填材は少なくともくぼみ６０および６１の深さと同じか、好ましくはそれを上回る深さまで蒸着される。次に、特に図７と図８とに示すように、作用面５０は充填材層８０と共にラッピングされ、図５から図８までにおいてＸで示す極めて平坦で研磨された面まで研磨され、ヘッドのエアベアリング面を完成する。特に図７および図８に示すように、くぼみ６１における充填材は今や、エアベアリング面における磁極チップ２８および３０ならびに空隙４８の材料と面一にラッピングされた充填材の層８０を構成している。マスク７６の空洞７８によって露出された部分がくぼみ６０および６１を囲む必要性はないが、各くぼみ６０、６１を囲む作用面５０の部分がマスク７６の空洞７８において露出されることが重要である。従って、マスク７６には、それぞれがくぼみ６０または６１を囲む２個の空洞を形成してもよいが、マスク７６における単一の空洞７８を採用してくぼみ６０および６１の双方を囲むようにすれば便利である。その結果、充填材を蒸着したものにおいて形成される何らかの隙間はくぼみ６０、６１から除去したとき空洞７８の縁部において多分発生するであろうから、エアベアリング面を形成するべく作用面５０までのラッピングを含むラッピング工程の間に、破片を閉じ込めようとする前記隙間の作用も該隙間と共に除去される。充填材の層８０を形成する充填材は絶縁層３２および５２と同じ材料である必要はないが、選択される材料は、例えば、熱膨張係数、耐摩耗性、およびラッピング速度のような機械的特性が絶縁層３２および５２と類似であるべきである。従って、前記層３２および５２がＡｌ₂Ｏ₃で形成されている場合、充填材８０もＡｌ₂Ｏ₃で形成することが好ましい。マスク７６内で充填材を形成する工程において、若干の充填材はマスク７６の頂部に蒸着される可能性がある。そのような充填材は例えばレーザビームのような加熱方法あるいはその他の機械的方法によって除去される。いずれの場合も、絶縁層３２および５２に対するマスク７６の結合は少なくとも局部的に脆弱となるか、あるいは破断され、低強度の機械的方法によってマスクを除去することが出来る。例えば、マスク７６のフォトレジストは柔らかい布あるいはベルクロ（ Velcro）パッドにより拭き取ることが出来る。マスク７６のフォトレジストに接着している充填材はこのようにして除去され、図５と図６とに示す充填材のみを残す。本発明をフォトレジストの使用に関連して説明してきたが、いずれのタイプのマスク材料を採用してもよい。更に、マスクすなわちフォトレジストが採用された場合、エッチングは流体エッチングあるいはイオンビーム除去方法により達成することが出来る。フォトリソグラフィやエッチング方法に対する代案として、磁極チップおよび周りの絶縁体は集光イオンビーム除去方法によってパターン化することが可能である。この方法は磁極の縁部および絶縁を除去するために事前に決めた領域を通してラスタした極めて小さいスポットサイズを有するイオンビームを採用している。例えば、イオンビームは磁極チップを本明細書に記載の選定されたパターンにエッチングするべくマイクロプロセッサによって制御される。しかしながら、充填材の形成はマスクと充填材の蒸着とを使用することにより本明細書で説明したものと概ね同じである。本発明の一つの特徴は、エッチングの前の磁極チップの周りの領域の形状が、直線および非直線トラック幅画定を可能とすべく変え得ることが出来ることである。この特徴により薄膜ヘッドの電気性能特性を向上させリードバックアンダシュートや周りのフィールドからのサイドリーディングを低下させることが可能である。アンダシュートやサイドリーディングを低下させるために磁極チップを成形することについての詳しい説明については、スチィーブンビー．スレード他（Steven B Slade et al）により「アンダシュートを低下させる薄膜変換器の設計」（“Thin-Film Transducer Design for Undershoot Reduction”）という名称で１９９５年６月７日出願され、本特願と同様に委譲された米国特許出願第０８／４８１，０９０号を参照されたい。本発明の別の特徴はエアベアリング面の滑らかで平坦な面に悪影響を与えることなくトラック幅画定のために磁極がその内部でパターン化される滑らかなエアベアリング面を形成することである。こうすることにより、異物の堆積を阻止してヘッドの寿命ならびにヘッドの機械的信頼性を大きく向上させる。本発明を薄膜誘導性ヘッドに関して説明してきたが、本発明はその他のタイプの誘導性ヘッドのエアベアリング面における磁極片並びにＭＲヘッドの書き込み要素を成形する上で同等に有用であることが認められる。更に、ＭＲヘッドの磁気抵抗読み取り要素の磁気遮蔽層がまた、同じヘッドの誘導書き込み要素の磁極として作用する場合、本発明は共通の遮蔽／磁極磁性層を成形するために使用することが出来る。また、本発明を好適実施例に関して説明してきたが、当該技術分野の専門家には、本発明の精神と範囲から逸脱することなく本発明は形態および細部において変更可能なことが認められる。

【手続補正書】【提出日】１９９８年２月９日【補正内容】請求の範囲１．薄膜ヘッド磁気変換器における薄膜ヘッドであって、磁束を電気信号に変換する変換手段と、前記変換手段を通して透磁性材料の軌道にわたって磁束を導く第１と第２の磁極片であって、第１と第２の磁極チップをそれぞれ有している磁極片とからなる薄膜ヘッドにおいて、該第１と第２の磁極チップが、それぞれ、第１と第２の磁極チップ面を形成する第１の端部と、前記第１と第２の磁極片の残りの部分と一体である第２の端部を有し、前記第２の端部の少なくとも一方が第１の端部の断面形状とは異なる断面形状を有し、前記磁極チップ面の少なくとも一方の形状が、材料を磁極チップ面の面からある方向に除去することにより形成され、インタフェース材料が前記磁極チップを囲み、第１と第２の磁極チップ面を含み、滑らかな微細構成を有しているインタフェース面を形成し、インタフェース材料が、磁極チップを成形するために材料が除去された後添加される充填材料を含み、該充填材料が蒸着領域にわたって蒸着され、該蒸着領域が磁極チップの形成中に材料の除去される領域よりも大きいことを特徴とする薄膜ヘッド。２．磁極チップ面の少なくとも１個の形状が、磁極を成形するために材料を除去する前に磁極チップの表面近傍で該形状のマスキングをすることにより作られることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の薄膜ヘッド。３．充填材料が磁極チップを形づくるために使用されるマスキングの頂部に蒸着されることを特徴とする請求の範囲第２項に記載の薄膜ヘッド。４．前記蒸着領域が、前記磁極チップの形成の間材料が除去された領域を露出し、前記材料が除去された領域を囲む表面の部分を露出する充填材料用マスキングによって画定されることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の薄膜ヘッド。５．前記磁極チップの表面にわたり充填材料を除去する前に充填材料用マスキングが除去されることを特徴とする請求の範囲第４項に記載の薄膜ヘッド。６．薄膜ヘッド変換器を作る方法において、複数の部分的な薄膜ヘッドを作るためにウエファ上に材料を蒸着し、エッチングする段階と、ウエファから部分的な薄膜ヘッドの列を切断し、この切断された列が、磁極チップ面を有する作用面を露出させる段階と、前記作用面が概ね共通の面にあるように薄膜ヘッドを回転させる段階と、露出した表面を前記部分的な薄膜ヘッドに形成するために選定された深さまで各作用面の選定された部分を除去する段階と、該露出した表面および該露出した表面に近接した該作用面の部分を囲む領域をマスキングする段階、該露出した表面上に充填材を蒸着する段階と、磁極チップ面を有する滑らかなインタフェース面を形成するために充填材料の一部を除去する段階とを含むことを特徴とする薄膜ヘッド変換器を作る方法。７．該作用面の選定された部分を除去する前に該作用面をマスキングする段階であって、マスキング材料で覆われた領域と前記マスキング材料で覆われていない領域とを形成し、前記覆われていない領域が該露出した表面を形成すべく除去される該作用面の選定された部分を画成するような、前記マスキング段階と、前記露出した表面が形成された後マスキングを除去する段階を更に含むことを特徴とする請求の範囲第６項に記載の方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ，ＫＲ，ＳＧ，ＵＳ (72)発明者バーバンク，ダニエルピー. アメリカ合衆国 55406 ミネソタ州ミネアポリス，フォーティーファーストアベニューサウス 3940 (72)発明者ナン，ウィリアムエィチ. アメリカ合衆国 55306 ミネソタ州バーンズビル，ヒルサイドコート 14713

Claims

【特許請求の範囲】１．薄膜ヘッド磁気変換器における薄膜ヘッドであって、磁束を電気信号に変換する変換手段と、前記変換手段を通して透磁性材料の軌道にわたって磁束を導く第１と第２の磁極片であって、第１と第２の磁極チップをそれぞれ有している磁極片とからなる薄膜ヘッドにおいて、それぞれ、第１と第２の磁極チップ面を形成する第１の端部と、前記第１と第２の磁極片の残りの部分と一体である第２の端部であって、前記第２の端部の少なくとも一方が第１の端部の断面形状とは異なる断面形状を有している第２の端部とを有する第１と第２の磁極チップと、前記磁極チップを囲み、第１と第２の磁極チップ面を含み、滑らかな微細構成を有しているインタフェース面を形成するインタフェース材料とを含むことを特徴とする薄膜ヘッド。２．前記磁極チップ面の少なくとも一方の形状が、材料を磁極チップの面の平面からある方向に除去することにより成形され、インタフェース材料が、磁極チップを成形するために材料が除去された後添加される充填材料を含むことを特徴とする請求の範囲第１項に記載の薄膜ヘッド。３．磁極チップの少なくとも１個の形状が、磁極を成形するために材料を除去する前に磁極チップの面近傍で成形する形状のマスクを付与することにより成形されることを特徴とする請求の範囲第２項に記載の薄膜ヘッド。４．充填材が磁極チップを成形するために使用されるマスクの頂部に蒸着されることを特徴とする請求の範囲第３項に記載の薄膜ヘッド。５．充填材が、磁極チップの成形の間前記材料が除去される領域よりも大きい蒸着領域上で蒸着されることを特徴とする請求の範囲第２項に記載の薄膜ヘッド。６．前記蒸着領域が、前記磁極チップの成形の間材料が除去された領域を露出し、前記材料が除去された領域を囲む面の部分を露出する充填材料用マスクによって画定されることを特徴とする請求の範囲第５項に記載の薄膜ヘッド。７．前記磁極チップの面で充填材を除去する前に充填材用マスクが除去されることを特徴とする請求の範囲第６項に記載の薄膜ヘッド。８．薄膜へッド変換器を作る方法において、複数の部分的な薄膜ヘッドを作るためにウエファ上に材料を蒸着し、エッチングする段階と、ウエファから部分的な薄膜ヘッドの列であって、磁極チップの面を有する作用面を露出している薄膜ヘッドの列に切断する段階と、前記作用面が概ね共通の平面に来るように薄膜ヘッドを回転させる段階と、前記の部分的な薄膜ヘッドにおいて露出された面を形成するために選定された深さまで各作用面の選定された部分を除去する段階と、露出された面上に充填材を蒸着する段階と、磁極チップ面を有する滑らかなインタフェース面を形成するために充填材の一部を除去する段階とを含むことを特徴とする薄膜ヘッド変換器を作る方法。９．前記の露出された面を形成した後で、かつ充填材料を蒸着する前に、前記露出面と該露出面近傍の作用面の部分とを囲む領域をマスクで覆う段階を更に含むことを特徴とする請求の範囲第８項に記載の方法。１０．作用面の選定された部分を除去する前に作用面をマスクで覆う段階であって、マスク材料で覆われた領域と前記マスク材料で覆われていない領域とを形成し、前記の覆われていない領域が露出面を形成すべく除去される作用面の選定された部分を画成し、前記の露出された面が形成された後マスクを除去し、前記露出面を形成した後で、かつ充填材を蒸着する前に、前記露出面と該露出面近傍の前記作用面の部分とを囲む領域をマスクで覆う段階を更に含むことを特徴とする請求の範囲第８項に記載の方法。