JPH1146048A - 高周波用配線基板 - Google Patents
高周波用配線基板Info
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- JPH1146048A JPH1146048A JP20164897A JP20164897A JPH1146048A JP H1146048 A JPH1146048 A JP H1146048A JP 20164897 A JP20164897 A JP 20164897A JP 20164897 A JP20164897 A JP 20164897A JP H1146048 A JPH1146048 A JP H1146048A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低誘電率、高Ｑ値の絶縁基板を用いることによ
り、高周波伝送特性を向上できる高周波用配線基板を提
供する。 【解決手段】絶縁基板１の表面あるいは内部に、周波数
１ＧＨｚ以上の高周波信号が伝送可能な配線層を配設し
てなる高周波用配線基板において、絶縁基板１が、金属
元素としてＭｇ、Ａｌ、Ｓｉからなる複合酸化物であっ
て、各金属元素の酸化物によるモル比組成式をｘＭｇＯ
・ｙＡｌ2 Ｏ3 ・ｚＳｉＯ2 と表した時、ｘ、ｙ、ｚ
が、１０≦ｘ≦４０、１０≦ｙ≦４０、２０≦ｘ≦８
０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足する主成分中に、Ｙｂ、
Ｉｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくと一種をそれぞれ
Ｙｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ換算で０．１
〜１５重量％含有するものである。
り、高周波伝送特性を向上できる高周波用配線基板を提
供する。 【解決手段】絶縁基板１の表面あるいは内部に、周波数
１ＧＨｚ以上の高周波信号が伝送可能な配線層を配設し
てなる高周波用配線基板において、絶縁基板１が、金属
元素としてＭｇ、Ａｌ、Ｓｉからなる複合酸化物であっ
て、各金属元素の酸化物によるモル比組成式をｘＭｇＯ
・ｙＡｌ2 Ｏ3 ・ｚＳｉＯ2 と表した時、ｘ、ｙ、ｚ
が、１０≦ｘ≦４０、１０≦ｙ≦４０、２０≦ｘ≦８
０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足する主成分中に、Ｙｂ、
Ｉｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくと一種をそれぞれ
Ｙｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ換算で０．１
〜１５重量％含有するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波用配線基板
に関し、ストリップ線路、マイクロストリップ線路、コ
プレーナ線路、誘電体導波管線路等から構成された配線
層を有する高周波用配線基板に関するものである。
に関し、ストリップ線路、マイクロストリップ線路、コ
プレーナ線路、誘電体導波管線路等から構成された配線
層を有する高周波用配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来技術】マイクロ波、ミリ波等の高周波で用いられ
る高周波回路においては、基板には比誘電率が低く誘電
損失（ｔａｎδ）が小さい（Ｑ値が大きい）材料を使用
する必要がある。このため、従来、誘電体の材料として
は主として比誘電率が約１０、測定周波数１０ＧＨｚで
のＱ値が２００００以上のアルミナ磁器が採用されてい
た（例えば、特開昭６２−１０３９０４号公報等参照）
一方、比誘電率が低い材料としては、従来、コージェラ
イトが知られているが、焼成温度範囲が極めて狭いこと
から緻密な焼結体が得難いため、ガラス材を添加するこ
とによって、比誘電率が４〜６、測定周波数１０ＧＨｚ
でのＱ値が１０００程度のガラスセラミックスを作製
し、これを用いることが知られている（例えば、特開昭
６１−２３４１２８号公報等参照）。
る高周波回路においては、基板には比誘電率が低く誘電
損失（ｔａｎδ）が小さい（Ｑ値が大きい）材料を使用
する必要がある。このため、従来、誘電体の材料として
は主として比誘電率が約１０、測定周波数１０ＧＨｚで
のＱ値が２００００以上のアルミナ磁器が採用されてい
た（例えば、特開昭６２−１０３９０４号公報等参照）
一方、比誘電率が低い材料としては、従来、コージェラ
イトが知られているが、焼成温度範囲が極めて狭いこと
から緻密な焼結体が得難いため、ガラス材を添加するこ
とによって、比誘電率が４〜６、測定周波数１０ＧＨｚ
でのＱ値が１０００程度のガラスセラミックスを作製
し、これを用いることが知られている（例えば、特開昭
６１−２３４１２８号公報等参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、低誘電
率材料として用いられているガラスセラミックス等の磁
器は比誘電率が４〜６と小さいが、Ｑ値が１０ＧＨｚで
１０００程度であり、近年における高周波数帯の誘電体
共振器の普及にともない、より高いＱ値の低誘電率材料
が求められていた。
率材料として用いられているガラスセラミックス等の磁
器は比誘電率が４〜６と小さいが、Ｑ値が１０ＧＨｚで
１０００程度であり、近年における高周波数帯の誘電体
共振器の普及にともない、より高いＱ値の低誘電率材料
が求められていた。
【０００４】一方、アルミナ磁器は１０ＧＨｚでのＱ値
が２００００以上と高いが、比誘電率が約１０と比較的
高いため、例えば、図１に示すような高インピーダンス
のマイクロストリップラインを形成しようとすると、ラ
イン幅が小さくなりすぎて断線が生じたり、相対的なラ
イン幅のばらつきが大きくなりマイクロ波集積回路の不
良率が増大するという問題があった。またライン間が狭
くなることによりクロストークが発生するという問題が
あった。
が２００００以上と高いが、比誘電率が約１０と比較的
高いため、例えば、図１に示すような高インピーダンス
のマイクロストリップラインを形成しようとすると、ラ
イン幅が小さくなりすぎて断線が生じたり、相対的なラ
イン幅のばらつきが大きくなりマイクロ波集積回路の不
良率が増大するという問題があった。またライン間が狭
くなることによりクロストークが発生するという問題が
あった。
【０００５】他方、この種の磁器基板におけるマイクロ
ストリップラインのインピーダンスは、基板の厚さが一
定であれば、その比誘電率及びマイクロストリップライ
ンの幅にそれぞれ反比例するため、ライン幅を小さくす
る代わりに、比誘電率の低い基板材料を使用することに
よってもインピーダンスを高めることができ、このた
め、より低誘電率材料が求められていた。さらに、マイ
クロ波からミリ波へと伝送周波数がより高周波化した場
合、Ｑ値が低いと急激に伝送損失が大きくなることか
ら、より低損失材料が求められていた。
ストリップラインのインピーダンスは、基板の厚さが一
定であれば、その比誘電率及びマイクロストリップライ
ンの幅にそれぞれ反比例するため、ライン幅を小さくす
る代わりに、比誘電率の低い基板材料を使用することに
よってもインピーダンスを高めることができ、このた
め、より低誘電率材料が求められていた。さらに、マイ
クロ波からミリ波へと伝送周波数がより高周波化した場
合、Ｑ値が低いと急激に伝送損失が大きくなることか
ら、より低損失材料が求められていた。
【０００６】本発明は、絶縁基板材料として、低誘電率
で、かつ高Ｑ値の焼結体を用いることにより、高周波伝
送特性を向上できる高周波用配線基板を提供することを
目的とする。
で、かつ高Ｑ値の焼結体を用いることにより、高周波伝
送特性を向上できる高周波用配線基板を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波用配線基
板は、絶縁基板の表面あるいは内部に、周波数１ＧＨｚ
以上の高周波信号が伝送可能な配線層を配設してなる高
周波用配線基板において、前記絶縁基板が、金属元素と
してＭｇ、Ａｌ、Ｓｉからなる複合酸化物であって、各
金属元素の酸化物によるモル比組成式をｘＭｇＯ・ｙＡ
ｌ2 Ｏ3 ・ｚＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚが、
１０≦ｘ≦４０、１０≦ｙ≦４０、２０≦ｘ≦８０、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１００を満足する主成分中に、Ｙｂ、Ｉｎ、
ＮｉおよびＣｏのうちの少なくと一種をそれぞれＹｂ2
Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ換算で０．１〜１５
重量％含有するものである。
板は、絶縁基板の表面あるいは内部に、周波数１ＧＨｚ
以上の高周波信号が伝送可能な配線層を配設してなる高
周波用配線基板において、前記絶縁基板が、金属元素と
してＭｇ、Ａｌ、Ｓｉからなる複合酸化物であって、各
金属元素の酸化物によるモル比組成式をｘＭｇＯ・ｙＡ
ｌ2 Ｏ3 ・ｚＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚが、
１０≦ｘ≦４０、１０≦ｙ≦４０、２０≦ｘ≦８０、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１００を満足する主成分中に、Ｙｂ、Ｉｎ、
ＮｉおよびＣｏのうちの少なくと一種をそれぞれＹｂ2
Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ換算で０．１〜１５
重量％含有するものである。
【０００８】
【作用】本発明の高周波用配線基板では、絶縁基板を、
上記した主成分中に、Ｙｂ、Ｉｎ、ＮｉおよびＣｏのう
ちの少なくとも一種をそれぞれＹｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ
2 Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｏＯ換算で０．１〜１５重量％含有
する焼結体により構成したので、焼成温度等の焼成温度
を厳密に制御して得られた特性を大きく劣化させること
なく、焼成条件を改善することができる。即ち、比誘電
率が６以下、１０ＧＨｚにおけるＱ値が３０００以上の
特性を得ることができるとともに、例えば、焼成温度幅
が１０℃程度であったものを１００℃程度まで向上する
ことができ、製造を容易にし、量産性を向上することが
できる。
上記した主成分中に、Ｙｂ、Ｉｎ、ＮｉおよびＣｏのう
ちの少なくとも一種をそれぞれＹｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ
2 Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｏＯ換算で０．１〜１５重量％含有
する焼結体により構成したので、焼成温度等の焼成温度
を厳密に制御して得られた特性を大きく劣化させること
なく、焼成条件を改善することができる。即ち、比誘電
率が６以下、１０ＧＨｚにおけるＱ値が３０００以上の
特性を得ることができるとともに、例えば、焼成温度幅
が１０℃程度であったものを１００℃程度まで向上する
ことができ、製造を容易にし、量産性を向上することが
できる。
【０００９】また、このような低誘電率、高Ｑ値の誘電
体磁器を絶縁基板として用いることにより、高周波伝送
特性を向上できる。
体磁器を絶縁基板として用いることにより、高周波伝送
特性を向上できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の高周波用配線基板は、絶
縁基板の表面あるいは内部に、周波数１ＧＨｚ以上の高
周波信号が伝送可能な配線層を配設してなるもので、例
えば、図１に示すように、絶縁基板１の表面に配線層
２、３を形成して構成されている。即ち、絶縁基板１の
下面に全面導体（グランド）２を、上面にマイクロスト
リップライン３を形成して構成されている。全面導体
（グランド）２とマイクロストリップライン３とから配
線層が構成される。この配線層には、高周波信号とし
て、１ＧＨｚ以上、特には２０ＧＨｚ以上、さらには５
０ＧＨｚ以上の高周波信号が伝送される。
縁基板の表面あるいは内部に、周波数１ＧＨｚ以上の高
周波信号が伝送可能な配線層を配設してなるもので、例
えば、図１に示すように、絶縁基板１の表面に配線層
２、３を形成して構成されている。即ち、絶縁基板１の
下面に全面導体（グランド）２を、上面にマイクロスト
リップライン３を形成して構成されている。全面導体
（グランド）２とマイクロストリップライン３とから配
線層が構成される。この配線層には、高周波信号とし
て、１ＧＨｚ以上、特には２０ＧＨｚ以上、さらには５
０ＧＨｚ以上の高周波信号が伝送される。
【００１１】図１では、絶縁基板１の表面にマイクロス
トリップ線路を形成した例について説明したが、例え
ば、ストリップ線路、コプレーナ線路、誘電体導波管線
路を形成しても良い。これらの配線層は、絶縁基板と同
時焼成により形成されることが望ましい。また、このよ
うな高周波用配線基板は、マイクロ波、ミリ波用等の高
周波で用いられるパッケージ、誘電体共振器、ＬＣフィ
ルター、コンデンサ、誘電体導波路、誘電体アンテナ等
に用いることができる。
トリップ線路を形成した例について説明したが、例え
ば、ストリップ線路、コプレーナ線路、誘電体導波管線
路を形成しても良い。これらの配線層は、絶縁基板と同
時焼成により形成されることが望ましい。また、このよ
うな高周波用配線基板は、マイクロ波、ミリ波用等の高
周波で用いられるパッケージ、誘電体共振器、ＬＣフィ
ルター、コンデンサ、誘電体導波路、誘電体アンテナ等
に用いることができる。
【００１２】そして、本発明の高周波用配線基板では、
絶縁基板１が、金属元素の酸化物によるモル比組成式を
ｘＭｇＯ・ｙＡｌ2 Ｏ3 ・ｚＳｉＯ2 と表した時、前記
ｘ、ｙ、ｚが１０≦ｘ≦４０、１０≦ｙ≦４０、２０≦
ｘ≦８０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足するものを主成分
とする。
絶縁基板１が、金属元素の酸化物によるモル比組成式を
ｘＭｇＯ・ｙＡｌ2 Ｏ3 ・ｚＳｉＯ2 と表した時、前記
ｘ、ｙ、ｚが１０≦ｘ≦４０、１０≦ｙ≦４０、２０≦
ｘ≦８０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足するものを主成分
とする。
【００１３】基板の主成分組成を前記範囲に限定したの
は、次の理由による。すなわち、ＭｇＯのモル百分率を
示すｘを１０〜４０としたのはｘが１０よりも小さい場
合は良好な焼結体が得られずＱ値が低くなり、また４０
を越えると比誘電率が高くなるからである。特にＭｇＯ
量を示すｘは、Ｑ値を５０００以上とするという点から
１５〜３５が望ましい。
は、次の理由による。すなわち、ＭｇＯのモル百分率を
示すｘを１０〜４０としたのはｘが１０よりも小さい場
合は良好な焼結体が得られずＱ値が低くなり、また４０
を越えると比誘電率が高くなるからである。特にＭｇＯ
量を示すｘは、Ｑ値を５０００以上とするという点から
１５〜３５が望ましい。
【００１４】また、Ａｌ2 Ｏ3 のモル百分率を示すｙを
１０〜４０としたのは、ｙが１０よりも小さい場合は良
好な焼結体が得られずＱ値が低くなり、また４０を越え
ると比誘電率が高くなるからである。特にＡｌ2 Ｏ3 量
を示すｙは、Ｑ値を５０００以上とするという点から１
７〜３５が望ましい。
１０〜４０としたのは、ｙが１０よりも小さい場合は良
好な焼結体が得られずＱ値が低くなり、また４０を越え
ると比誘電率が高くなるからである。特にＡｌ2 Ｏ3 量
を示すｙは、Ｑ値を５０００以上とするという点から１
７〜３５が望ましい。
【００１５】ＳｉＯ2 のモル百分率を示すｚを２０〜８
０としたのはｚが２０よりも小さい場合は比誘電率が高
くなり、８０を越えると良好な焼結体が得られずＱ値が
低くなる。特にＳｉＯ2 量を示すｚは、Ｑ値を５０００
以上とするという点から３０〜６５が望ましい。
０としたのはｚが２０よりも小さい場合は比誘電率が高
くなり、８０を越えると良好な焼結体が得られずＱ値が
低くなる。特にＳｉＯ2 量を示すｚは、Ｑ値を５０００
以上とするという点から３０〜６５が望ましい。
【００１６】本発明によれば、上記主成分に対してＹ
ｂ、Ｉｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくと一種をそれ
ぞれＹｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ換算で
０．１〜１５重量％含有したのは、Ｙｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ2
Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯとしての含有量が０．１重量％よ
り少ない場合は緻密化焼成温度は広くならず、１５重量
％より多い場合は誘電損失が大きくなり、Ｑ値が低くな
るためである。Ｙｂ、Ｉｎ、ＮｉおよびＣｏの含有量を
増加させるほど緻密化焼成温度は広くなるが、一方比誘
電率が増加し、またＱ値が低下していくため、これらの
特性と緻密化焼成温度とのかねあいで含有量を決定する
ことが望ましい。Ｙｂ、Ｉｎ、ＮｉおよびＣｏのうち、
焼成温度幅を広げ、かつＱ値を高くするという点からＹ
ｂが最も望ましい。
ｂ、Ｉｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくと一種をそれ
ぞれＹｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ換算で
０．１〜１５重量％含有したのは、Ｙｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ2
Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯとしての含有量が０．１重量％よ
り少ない場合は緻密化焼成温度は広くならず、１５重量
％より多い場合は誘電損失が大きくなり、Ｑ値が低くな
るためである。Ｙｂ、Ｉｎ、ＮｉおよびＣｏの含有量を
増加させるほど緻密化焼成温度は広くなるが、一方比誘
電率が増加し、またＱ値が低下していくため、これらの
特性と緻密化焼成温度とのかねあいで含有量を決定する
ことが望ましい。Ｙｂ、Ｉｎ、ＮｉおよびＣｏのうち、
焼成温度幅を広げ、かつＱ値を高くするという点からＹ
ｂが最も望ましい。
【００１７】本発明の絶縁基板はＱ値を５０００以上と
するためには、上記組成式において、１５≦ｘ≦３５、
１７≦ｙ≦３５、３０≦ｘ≦６５を満足することが望ま
しい。本発明では特に、コージェライトの組成即ち、ｘ
＝２２．２、ｙ＝２２．２、ｚ＝５５．６で、Ｙｂ、Ｉ
ｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくと一種をそれぞれＹ
ｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ換算で０．１〜
１０重量％含有することが望ましい。
するためには、上記組成式において、１５≦ｘ≦３５、
１７≦ｙ≦３５、３０≦ｘ≦６５を満足することが望ま
しい。本発明では特に、コージェライトの組成即ち、ｘ
＝２２．２、ｙ＝２２．２、ｚ＝５５．６で、Ｙｂ、Ｉ
ｎ、ＮｉおよびＣｏのうちの少なくと一種をそれぞれＹ
ｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ換算で０．１〜
１０重量％含有することが望ましい。
【００１８】測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が３０００
以上を満足することが望ましい理由は、Ｑ値が３０００
以上ある場合には、近年における高周波数帯の絶縁基板
に十分対応することができるからである。Ｑ値は、高け
れば高い程望ましいが、特には、測定周波数１０ＧＨｚ
でのＱ値が５０００以上であることが望ましい。
以上を満足することが望ましい理由は、Ｑ値が３０００
以上ある場合には、近年における高周波数帯の絶縁基板
に十分対応することができるからである。Ｑ値は、高け
れば高い程望ましいが、特には、測定周波数１０ＧＨｚ
でのＱ値が５０００以上であることが望ましい。
【００１９】また、基板を構成する焼結体は、主相はコ
ージェライトであり、他に結晶相として、ムライト、ス
ピネル、プロトエンスタタイト、クリノエンスタタイ
ト、フォルステライト、クリストバライト、トリジマイ
ト、サファリン、クオーツ等が析出し、さらに、Ｙｂ、
Ｉｎ、Ｎｉ、Ｃｏと主成分元素との酸化化合物、例え
ば、Ｙｂ2 Ｓｉ2 Ｏ7 が析出する場合があるが、組成に
よってその析出相が異なる。
ージェライトであり、他に結晶相として、ムライト、ス
ピネル、プロトエンスタタイト、クリノエンスタタイ
ト、フォルステライト、クリストバライト、トリジマイ
ト、サファリン、クオーツ等が析出し、さらに、Ｙｂ、
Ｉｎ、Ｎｉ、Ｃｏと主成分元素との酸化化合物、例え
ば、Ｙｂ2 Ｓｉ2 Ｏ7 が析出する場合があるが、組成に
よってその析出相が異なる。
【００２０】本発明の絶縁基板は、原料粉末として、例
えば、ＭｇＣＯ3 粉末、Ａｌ2 Ｏ3粉末、ＳｉＯ2 粉
末、Ｙｂ2 Ｏ3 粉末、Ｉｎ2 Ｏ3 粉末、ＮｉＯ粉末、Ｃ
ｏＯ粉末を用い、所定の割合で秤量し、湿式混合した後
乾燥し、この混合物を大気中において１１００〜１３０
０℃で仮焼した後、粉砕した。得られた粉末に適量のバ
インダを加えて成形し、この成形体を大気中１２００〜
１５００℃で焼成することにより得られる。特に、コー
ジェライトを主結晶相とする焼結体は難焼結性であるた
め、適正な焼成温度を探しだし、焼成温度を厳密に制御
して焼成する必要がある。
えば、ＭｇＣＯ3 粉末、Ａｌ2 Ｏ3粉末、ＳｉＯ2 粉
末、Ｙｂ2 Ｏ3 粉末、Ｉｎ2 Ｏ3 粉末、ＮｉＯ粉末、Ｃ
ｏＯ粉末を用い、所定の割合で秤量し、湿式混合した後
乾燥し、この混合物を大気中において１１００〜１３０
０℃で仮焼した後、粉砕した。得られた粉末に適量のバ
インダを加えて成形し、この成形体を大気中１２００〜
１５００℃で焼成することにより得られる。特に、コー
ジェライトを主結晶相とする焼結体は難焼結性であるた
め、適正な焼成温度を探しだし、焼成温度を厳密に制御
して焼成する必要がある。
【００２１】尚、本発明の絶縁基板は、金属元素として
Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｙｂ等からなるものであるが、例え
ば、粉砕ボールや原料粉末の不純物として、Ｃａ、Ｂ
ａ、Ｚｒ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｐ，Ｎａ，Ｔｉ等が混入する場
合があるが、この場合も、上記組成を満足する限り低誘
電率で、高Ｑ値の磁器を得ることができる。
Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｙｂ等からなるものであるが、例え
ば、粉砕ボールや原料粉末の不純物として、Ｃａ、Ｂ
ａ、Ｚｒ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｐ，Ｎａ，Ｔｉ等が混入する場
合があるが、この場合も、上記組成を満足する限り低誘
電率で、高Ｑ値の磁器を得ることができる。
【００２２】
【実施例】原料粉末として純度９９％のＭｇＣＯ3 、純
度９９．７％のＡｌ2 Ｏ3 、純度９９．４％のＳｉＯ2
粉末、純度９９．９％のＹｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、ＣｏＯ粉末を用い、これらを焼結体が表１〜表４に
示す組成となるように秤量し、１５時間湿式混合した
後、乾燥し、この混合物を１２００℃２時間仮焼した後
粉砕した。得られた粉末に適量のバインダを加えて造粒
し、これを１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力の下で成形して
直径６０ｍｍ厚さ５ｍｍの成型体を得た。この成形体を
大気中１２００〜１５８０℃で２時間焼成して直径５０
ｍｍ厚さ０．２ｍｍに研磨し基板とした。この基板の一
面にＣｕからなる全面導体（グランド）を、他面に０．
３ｍｍ幅のＣｕからなるマイクロストリップラインを形
成し、図１に示す高周波伝送線路を作製し、２０ＧＨｚ
での伝送損失を測定した。
度９９．７％のＡｌ2 Ｏ3 、純度９９．４％のＳｉＯ2
粉末、純度９９．９％のＹｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、ＣｏＯ粉末を用い、これらを焼結体が表１〜表４に
示す組成となるように秤量し、１５時間湿式混合した
後、乾燥し、この混合物を１２００℃２時間仮焼した後
粉砕した。得られた粉末に適量のバインダを加えて造粒
し、これを１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力の下で成形して
直径６０ｍｍ厚さ５ｍｍの成型体を得た。この成形体を
大気中１２００〜１５８０℃で２時間焼成して直径５０
ｍｍ厚さ０．２ｍｍに研磨し基板とした。この基板の一
面にＣｕからなる全面導体（グランド）を、他面に０．
３ｍｍ幅のＣｕからなるマイクロストリップラインを形
成し、図１に示す高周波伝送線路を作製し、２０ＧＨｚ
での伝送損失を測定した。
【００２３】比誘電率、Ｑ値の測定は、直径１０ｍｍ、
厚さ約５ｍｍの焼結体を作製して、誘電体共振器法にて
１０ＧＨｚでのＱ値を測定し、結果を表１〜４に示す。
厚さ約５ｍｍの焼結体を作製して、誘電体共振器法にて
１０ＧＨｚでのＱ値を測定し、結果を表１〜４に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【表３】
【００２７】
【表４】
【００２８】表１〜４によれば、本発明に用いられる絶
縁基板は、比誘電率が６以下と低く、しかも測定周波数
１０ＧＨｚでのＱ値が３０００以上と高い値を示すこと
がわかる。しかも、図１に示す高周波伝送線路では、周
波数約２０ＧＨｚにおいて伝送損失１５ｄＢ／ｍ以下を
示すことが判る。
縁基板は、比誘電率が６以下と低く、しかも測定周波数
１０ＧＨｚでのＱ値が３０００以上と高い値を示すこと
がわかる。しかも、図１に示す高周波伝送線路では、周
波数約２０ＧＨｚにおいて伝送損失１５ｄＢ／ｍ以下を
示すことが判る。
【００２９】比較例として、比誘電率が５．６であり、
測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が１０００であるガラス
セラミックスからなる基板を用い、図１に示す高周波伝
送線路での周波数約２０ＧＨｚにおいて伝送損失を測定
したところ２４ｄＢ／ｍであった。
測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が１０００であるガラス
セラミックスからなる基板を用い、図１に示す高周波伝
送線路での周波数約２０ＧＨｚにおいて伝送損失を測定
したところ２４ｄＢ／ｍであった。
【００３０】
【発明の効果】本発明の高周波用配線基板は、絶縁基板
が、モル比組成式をｘＭｇＯ・ｙＡｌ2 Ｏ3 ・ｚＳｉＯ
2 で示される特定の主成分中に、Ｙｂ、Ｉｎ、Ｎｉおよ
びＣｏのうちの少なくと一種をそれぞれＹｂ2 Ｏ3 、Ｉ
ｎ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ換算で０．１〜１５重量％含
有するので、６以下の低い比誘電率を有し、１０ＧＨｚ
でのＱ値が３０００以上の高いＱ値を有し、これによ
り、高周波伝送特性を向上できる。
が、モル比組成式をｘＭｇＯ・ｙＡｌ2 Ｏ3 ・ｚＳｉＯ
2 で示される特定の主成分中に、Ｙｂ、Ｉｎ、Ｎｉおよ
びＣｏのうちの少なくと一種をそれぞれＹｂ2 Ｏ3 、Ｉ
ｎ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ換算で０．１〜１５重量％含
有するので、６以下の低い比誘電率を有し、１０ＧＨｚ
でのＱ値が３０００以上の高いＱ値を有し、これによ
り、高周波伝送特性を向上できる。
【図１】本発明の高周波用配線基板を示す斜視図であ
る。
る。
１・・・絶縁基板 ２・・・全面電極（グランド） ３・・・マイクロストリップライン
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板の表面あるいは内部に、周波数１
ＧＨｚ以上の高周波信号が伝送可能な配線層を配設して
なる高周波用配線基板において、前記絶縁基板が、金属
元素としてＭｇ、Ａｌ、Ｓｉからなる複合酸化物であっ
て、各金属元素の酸化物によるモル比組成式を ｘＭｇＯ・ｙＡｌ2 Ｏ3 ・ｚＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚが １０≦ｘ≦４０ １０≦ｙ≦４０ ２０≦ｘ≦８０ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ を満足する主成分中に、Ｙｂ、Ｉｎ、ＮｉおよびＣｏの
うちの少なくとも一種をそれぞれＹｂ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ
3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ換算で０．１〜１５重量％含有する
焼結体からなることを特徴とする高周波用配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20164897A JP3623078B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 高周波用配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20164897A JP3623078B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 高周波用配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1146048A true JPH1146048A (ja) | 1999-02-16 |
| JP3623078B2 JP3623078B2 (ja) | 2005-02-23 |
Family
ID=16444577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20164897A Expired - Fee Related JP3623078B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 高周波用配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3623078B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115504776A (zh) * | 2022-09-28 | 2022-12-23 | 隆地华创(浙江)科技有限公司 | 一种Y(3-x)RxMgAl3SiO12石榴石型微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
-
1997
- 1997-07-28 JP JP20164897A patent/JP3623078B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115504776A (zh) * | 2022-09-28 | 2022-12-23 | 隆地华创(浙江)科技有限公司 | 一种Y(3-x)RxMgAl3SiO12石榴石型微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| CN115504776B (zh) * | 2022-09-28 | 2023-07-28 | 隆地华创(浙江)科技有限公司 | 一种Y(3-x)RxMgAl3SiO12石榴石型微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3623078B2 (ja) | 2005-02-23 |
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