JPH1146023A

JPH1146023A - 薄膜センサ素子及びその製造方法

Info

Publication number: JPH1146023A
Application number: JP9201800A
Authority: JP
Inventors: Takahito Murata; 高人村田
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 1997-07-28
Filing date: 1997-07-28
Publication date: 1999-02-16

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は薄膜センサ素子及びその製造方法に
関し、電極をパターニングする工程を不要とすること
で、素子の低コスト化を実現することを目的とする。【解決手段】磁気検出素子１０は、基板１６に形成さ
れた磁性人工格子薄膜２２が所定のパターンにパターニ
ングされてなる磁気感応部１８を備える。磁気感応部１
８の表面には、金や白金等の貴金属よりなる低抵抗金属
層２４が設けられる。保護膜２６は磁気感応部１８を覆
うように形成される。保護膜２６の、磁気感応部１８の
電極部１８ａ、１８ｂに対応する部位にはコンタクトホ
ール２８、３０が設けられる。電極部１８ａ、１８ｂ
は、異方導電性フィルム１５を介して、フレキシブル基
板１４の電極３４、３６に電気的に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜センサ素子に
係り、特に、例えば磁気式回転センサ等における磁気検
出素子として好適な薄膜センサ素子及びその製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば磁気式回転数センサ等に適用する
ことが可能な磁気検出素子として、従来より磁性人工格
子薄膜素子が公知である。磁性人工格子薄膜素子は、強
磁性膜と非磁性膜とを交互に積層してなる素子であり、
作用する磁界の変化に応じて抵抗値が変化する特性を有
している。かかる磁性人工格子薄膜素子を磁気検出素子
として用いる場合、その抵抗変化を検出するために、素
子の表面に電極が設けられる。電極材料としてはアルミ
ニウムが一般的であるが、素子との接触抵抗を抑制する
等の点では、金等の貴金属を電極材料として用いること
が望ましい。

【０００３】例えば、特開平４−３６０５３１号には、
金より構成された電極を備える半導体センサが開示され
ている。この半導体センサの製造工程において、絶縁基
板上にセンサ素子が形成された後、その表面に金の薄膜
が形成される。そして、この金薄膜がエッチングにより
所定のパターンにパターンニングされることで、電極が
形成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の如
く、磁性人工格子薄膜素子による磁界の検出は、磁界に
応じた抵抗値の変化に基づいて行なわれる。かかる磁界
の検出を高い感度で行なうため、磁性人工格子薄膜素子
は、一般に、細線状に形成されたセンサ部と、この検出
部の両端に設けられた電極部とよりなるパターンにパタ
ーニングされる。そして、電極部に外部配線を接続する
ことで、センサ部における抵抗値を検出することができ
る。従って、磁性人工格子薄膜素子を用いて磁気検出を
行なう場合、上記パターンの電極部との電気的接続を確
保することができれば、電極を別途パターニングして形
成することは不要である。

【０００５】しかしながら、上記従来の半導体センサに
おいては、その製造工程において、電極を形成するため
に、電極のパターニングを行なうための工程が必要とさ
れ、製造コストが上昇してしまう。この点、上記従来の
半導体センサにおける電極の構成は、磁性人工格子薄膜
素子に適用するのに最適なものではない。本発明は、上
述の点に鑑みてなされたものであり、電極のパターニン
グ工程を不要とすることにより低コスト化を図ることが
可能な薄膜センサ素子及びその製造方法を提供すること
を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、請求項１
に記載する如く、基板と、該基板上に形成され、最上層
に低抵抗金属層を有すると共に、センサ部と、該センサ
部の両端にそれぞれ接続された一対の電極部とを有する
パターンにパターニングされたセンサ薄膜と、を備える
薄膜センサ素子により達成される。

【０００７】また、上記の目的は、請求項２に記載する
如く、基板にセンサ薄膜を形成する工程と、該センサ薄
膜の表面に低抵抗金属層を形成する工程と、前記センサ
薄膜及び低抵抗金属層を、センサ部と、該センサ部の両
端にそれぞれ接続された一対の電極部とを有するパター
ンにパターニングする工程と、を備える薄膜センサ素子
の製造方法によっても達成される。

【０００８】請求項１及び２記載の発明において、セン
サ薄膜は、センサ部と、該センサ部の両端にそれぞれ接
続された一対の電極部とを有するパターンにパターニン
グされる。従って、センサ薄膜のセンサ部の両端間にお
ける抵抗値は、電極部間の抵抗値に一致する。センサ薄
膜の最上層には低抵抗金属層が設けられる。従って、電
極部における低抵抗金属層を介して、センサ部の両端間
におけるセンサ薄膜の抵抗値を検出することができる。
なお、本発明において、センサ薄膜とは、検出される物
理量の変化に応じた抵抗値変化を示す薄膜を意味するも
のとする。

【０００９】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例である磁
性人工格子薄膜素子１０（以下、磁気検出素子１０と称
す）が採用された磁気センサ１２の断面図である。図１
に示す如く、磁気センサ１２は、磁気検出素子１０とフ
レキシブル基板１４とを備えている。磁気検出素子１０
は、異方導電性フィルム１５を介してフレキシブル基板
１４に接合されることで、いわゆるフェースダウン実装
されている。

【００１０】磁気検出素子１０は、基板１６を備えてい
る。基板１６は、例えばガラス基板や、表面にＳｉＯ₂
層を備えるシリコンウエハ等の絶縁基板である。基板１
６の表面には、所定のパターンにパターニングされた磁
気感応部１８が形成されている。図２は、磁気感応部
１８のパターンを示している。図２に示す如く、磁気感
応部１８は、矩形上に形成された２つの電極部１８ａ、
１８ｂと、細線状に形成され、電極部１８ａ、１８ｂと
を接続するセンサ部１８ｃとより構成されている。な
お、磁気感応部１８のパターンは図２に示す構成に限ら
れるものではなく、一対の電極部と、この電極部を接続
する細線状のセンサ部とを有する任意のパターンを用い
ることができる。

【００１１】図３は、磁気感応部１８の構造を示す断面
図である。図３に示す如く、磁気感応部１８は、基板１
６側から順に、バッファ層２０、磁性人工格子薄膜２
２、及び低抵抗金属層２４を備えている。バッファ層２
０は、鉄（Ｆｅ）あるいはニッケル鉄（ＮｉＦｅ）等よ
りなる厚さが例えば５ｎｍ程度の層であり、磁性人工格
子薄膜２２の特性の向上を目的として設けられている。
ただし、磁性人工格子薄膜２２の特性に応じてバッファ
層２０を適宜省いてもよい。

【００１２】磁性人工格子薄膜２２は、バッファ層２０
の表面に、厚さが例えば約１ｎｍ程度の強磁性層２２ａ
と、厚さが例えば約２ｎｍ程度の非磁性層２２ｂとを交
互にそれぞれ十数層積層してなる多層膜である。強磁性
層２２ａと非磁性層２２ｂとを構成する材料の組み合わ
せとして、例えば、コバルト（Ｃｏ）／銅（Ｃｕ）や、
クロム（Ｃｒ）／鉄（Ｆｅ）等の公知の任意の組み合わ
せを用いることができる。

【００１３】低抵抗金属層２４は、磁性人工格子薄膜２
２の表面に形成された厚さが例えば１〜２ｎｍ程度の金
属層である。低抵抗金属層２４は、例えば、金（Ａ
ｕ）、白金（Ｐｔ）等の低抵抗貴金属材料より構成され
ている。磁性人工格子薄膜２２は、上述の如く、強磁性
層２２ａと非磁性層２２ｂとが交互に積層されて構成さ
れていることで、磁界の変化に応じてその抵抗値が変化
する特性を有している。図４は磁性人工格子薄膜２２に
作用する磁界Ｈと、磁性人工格子薄膜２２の単位面積当
たりの抵抗値Ｒとの関係を例示している。図４に示す如
く、磁性人工格子薄膜２２の単位面積当たりの抵抗値Ｒ
は、磁界Ｈの絶対値の増加に応じて減少する。従って、
かかる抵抗値の変化を検出することで、磁性人工格子薄
膜２２に作用する磁界の大きさを計測することができ
る。

【００１４】再び図１を参照するに、基板１６の表面に
は、磁気感応部１８の全体を覆うように、保護膜２６が
形成されている。保護層２６は、例えば、酸化シリコン
ＳｉＯ₂、ポリイミド、又は、窒化珪素ＳｉＮ_x等より
構成された厚さ数百ｎｍ〜数μｍの絶縁層である。保護
膜２６は、磁気感応部１８を外部環境から保護し、磁気
感応部１８の酸化等を防止する役割を有している。保護
膜２６の、磁気感応部１８の電極部１８ａ，１８ｂに対
応する部位には、それぞれ、コンタクトホール２８、３
０が設けられている。

【００１５】保護膜２６の表面には、異方導電性フィル
ム１５が接合されている。異方導電性フィルム１５は、
エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の内部に導電性粒子が分
散されてなるフィルム状の部材である。後述する如く、
磁気検出素子１０の製造工程において、異方電導性フィ
ルム１５は厚さ方向に圧縮される。この過程で、電導性
粒子が異方導電性フィルム１５の厚さ方向において互い
に接触することで、異方導電性フィルム１５には厚さ方
向のみの異方的な導電性が付与されている。

【００１６】フレキシブル基板１４は、柔軟性を有する
帯状の樹脂製部材であり、その表面に、電極３４、３６
を備えている。フレキシブル基板１４は、電極３４、３
６が異方導電性フィルム１５を隔てて、それぞれ、コン
タクトホール２８、３０と対向するように、異方導電性
フィルム１５の表面に接合されている。このため、フレ
キシブル基板１４の電極３４、３６は、異方導電性フィ
ルム１５を介して、それぞれ、磁気感応部１８の電極部
１８ａ、１８ｂと電気的に導通している。

【００１７】次に、図５〜図１１を参照して、磁気セン
サ１２を製造する工程について説明する。先ず、図５〜
図１０を参照して、磁気検出素子１０を製造する工程に
ついて説明する。図５〜図１０は、磁気検出素子１０の
製造工程の各段階を示す図である。磁気検出素子１０の
製造にあたっては、先ず、図５に示す如く、基板１６の
表面に、バッファ層２０が成膜される。次に、バッファ
層２０の表面に、強磁性層２２ａ及び非磁性層２２ｂが
交互に成膜されることで、図６に示す如く、磁性人工格
子薄膜２２が形成される。磁性人工格子薄膜２２が形成
されると、次に、図７に示す如く、その表面に低抵抗金
属層２４が成膜される。なお、上記図５〜図７に示す成
膜工程は、複数のターゲットを有する多元スパッタ装置
内でスパッタリングにより連続的に行なわれる。

【００１８】上記スパッタリング工程が終了すると、次
に、図８に示す如く、バッファ層２０、磁性人工格子薄
膜２２、及び低抵抗金属層２４がフォトリソグラフィー
技術を用いて上記図２に示すパターンにパターニングさ
れ、磁気感応部１８が形成される。このパターニング
は、物理的ドライエッチングやリフトオフ法等の公知の
手法を用いて行なうことができる。あるいは、エッチン
グガスやエッチング液を適切に選択することで、化学的
ドライエッチングあるいはウェットエッチングにより行
なうこともできる。

【００１９】磁気感応部１８が形成されると、次に、図
９に示す如く、保護膜２６が、磁気感応部１８を覆うよ
うに基板１６上に成膜される。なお、保護膜２６を酸化
シリコンＳｉＯ₂又は窒化シリコンＳｉＮ_xより構成す
る場合には、保護膜２６の成膜はスパッタリングにより
行なうことができる。また、保護膜２６をポリイミドよ
り構成する場合には、保護膜２６の成膜はスピンコーテ
ィングにより行なうことができる。

【００２０】保護膜２６の成膜が終了すると、次に、図
１０に示す如く、保護膜２６にコンタクトホール２８、
３０が形成されることで、磁気検出素子１０が完成す
る。コンタクトホール２８、３０の形成は、フォトリソ
グラフィー技術を用いたドライエッチング又はウェット
エッチング等の公知の手法により行なわれる。なお、上
述の如く、コンタクトホール２８、３０は、それぞれ、
磁気感応部１８の電極部１８ａ、１８ｂに対応する部位
に設けられる。

【００２１】上記工程により磁気検出素子１０が完成す
ると、次に、磁気検出素子１０のフレキシブル基板１４
へのフェースダウン実装が行なわれる。図１１は、磁気
検出素子１０をフレキシブル基板１４にフェースダウン
実装する工程を示す図である。図１１に示す如く、磁気
検出素子１０とフレキシブル基板１４とは、磁気検出素
子１０のコンタクトホール２８、３０が、それぞれ、フ
レキシブル基板１４の電極３４、３６の少なくとも一部
と対向するように配置され、両者の間には、異方導電性
フィルム１５が設置される。次に、異方導電性フィルム
１５がその軟化温度まで加熱された状態で、磁気検出素
子１０とフレキシブル基板１４とが互いに押圧される。

【００２２】磁気検出素子１０とフレキシブル基板１４
とが互いに押圧されると、異方導電性フィルム１５は軟
化した状態で、両者の間で厚さ方向に圧縮される。この
ため、異方導電性フィルム１５は、フレキシブル基板１
４の電極３４、３６に密着すると共に、コンタクトホー
ル２８、３０の内部を充填しながら、電極部１８ａ、１
８ｂの低抵抗金属層２４に密着する。この場合、上記し
たように、異方導電性フィルム１５が厚さ方向に圧縮さ
れることで、異方導電性フィルム１５に含まれる導電性
粒子が厚さ方向において互いに接触し、電極３４、３６
と電極部１８ａ、１８ｂとの間の電気的導通が確立され
る。

【００２３】異方導電性フィルム１５が上述の如く圧縮
された後、更に、異方導電性フィルム１５をその硬化温
度まで加熱すると、異方導電性フィルム１５は、フレキ
シブル基板１４及び磁気検出素子１０に接合された状態
で硬化する。そして、その後、異方導電性フィルム１５
が冷却されることで、磁気センサ１２が完成する。本実
施例においては、上記図２に示す如く、磁気感応部１８
のセンサ部１８ｃが細線状に形成されていることで、セ
ンサ部１８ｃにおける磁性人工格子薄膜２２の抵抗値
は、電極部１８ａ、１８ｂにおける抵抗値よりも十分に
大きい。このため、磁気感応部１８に作用する磁界の変
化に伴って磁性人工格子薄膜２２に生ずる抵抗変化は、
センサ部１８ｃにおいて支配的となる。

【００２４】一方、センサ部１８ｃの表面には低抵抗金
属層２４が形成されているが、センサ部１８ｃが細い帯
状に形成され、かつ、低抵抗金属層２４が１ｎｍ〜２ｎ
ｍの非常に薄い厚さに形成されているため、センサ部１
８ｃにおける低抵抗金属層２４の抵抗値は十分に大き
い。このため、センサ部１８ｃの両端間における抵抗値
は、低抵抗金属層２４の影響を受けず、磁性人工格子薄
膜２２の抵抗値にのみ支配されるとみなすことができ
る。

【００２５】このように、本実施例においては、センサ
部１８ｃの表面全体に低抵抗金属層２４が形成されてい
るにもかかわらず、電極部１８ａ、１８ｂ間の抵抗値
は、磁性人工格子薄膜２２のセンサ部１８ｃにおける抵
抗値を示し、また、この抵抗値は、センサ部１８ｃに作
用する磁界に応じた値となる。従って、フレキシブル基
板１４の電極３４、３６を介して、電極部１８ａ、１８
ｂ間の抵抗値を測定することで、磁性人工格子薄膜２２
磁気検出素子１０に作用する磁界の大きさを検出するこ
とができる。

【００２６】なお、本実施例においては、磁気検出素子
１０をフレキシブル基板１４にフェースダウン実装する
ことで、異方導電性フィルム１５を介して電極部１８
ａ、１８ｃから配線を取り出すこととしたが、これに限
らず、例えば導電性接着剤を用いて電極部１８ａ、１８
ｂの低抵抗金属層２４から配線を取り出すこととしても
よい。

【００２７】また、上記図１１に示す工程において、フ
レキシブル基板１４の電極３４、３６と磁気検出素子１
０の電極部１８ａ、１８ｂとの間の電気的導通をより良
好なものとするうえで、電極部１８ａ、１８ｂがそれぞ
れコンタクトホール２８、３０から突出することが好ま
しい。すなわち、電極部１８ａ、１８ｂがコンタクトホ
ール２８、３０から突出していると、フレキシブル基板
１４の電極３４、３６と磁気検出素子１０の電極部１８
ａ、１８ｂとの間において、異方導電性フィルム１５に
大きな圧縮力が作用するため、その抵抗値が減少させる
ことができるのである。かかる構成は、例えば、図１１
に示す工程の前に、コンタクトホール２８、３０にハン
ダを盛ることにより実現することができる。この場合、
低抵抗金属層２４を構成する材料として、貴金属材料に
代えて、ハンダとの間の高い密着性を有するニッケルＮ
ｉを採用することで、ハンダと電極部１８ａ、１８ｂと
の間の良好な電気的導通を確保することができる。

【００２８】次に、本実施例に磁気センサ１２の適用例
について説明する。図１２は、本実施例の磁気センサ１
２が回転体の回転数計測に適用された場合の構成を模式
的に示している。図１２に示す構成において、ロータ１
００は円盤状に形成された磁性部材であり、図示しない
回転体と一体に回転する。ロータ１００は、その外周部
に、周方向に一定のピッチで形成された歯部１００ａを
備えている。磁気センサ１２は、磁気検出素子１０がロ
ータ１００の外周と対向するように設置されている。磁
気検出素子１０を隔ててロータ１００と対向する部位に
は、マグネット１０２が配設されている。

【００２９】かかる構成によれば、ロータ１００が、歯
部１００ａが磁気検出素子１０と対向するような回転位
置にある場合は、マグネット１０２からロータ１００の
歯部１００ａへ磁束が導かれることで、磁気検出素子１
０には大きな磁界が作用する。また、ロータ１００が上
記回転位置から歯部１００ａのピッチの半分に相当する
角度だけ回転すると、歯部１００ａの間の谷間と、磁気
検出素子１０とが対向するようになる。この状態では、
マグネット１０２からロータ１００へ導かれる磁束が減
少することで、磁気検出素子１０に作用する磁界も減少
する。

【００３０】このように、図１２に示す構成によれば、
ロータ１００の回転角度に対して、磁気検出素子１０に
作用する磁界が周期的に変化することになる。従って、
電極３４、３６間の抵抗値の変化に基づいて、かかる磁
界の変化を検出することで、ロータ１００の回転数を計
測することができる。ところで、磁性人工格子薄膜を用
いた従来の磁気検出素子においては、一般に、磁性人工
格子薄膜の抵抗値を検出するための電極として、例えば
アルミニウムや金等からなる電極を磁気検出素子の表面
に形成することが行なわれている。すなわち、従来の磁
気検出素子の製造工程においては、本実施例における低
抵抗金属層２４の連続形成は行なわれず、それに代え
て、図１０に示すコンタクトホールの形成後、アルミニ
ウムや金の薄膜が形成される。そして、この薄膜が所定
の電極パターンにパターニングされることでアルミ電極
が形成される。このように、従来の磁気検出素子におい
ては、その製造にあたって、薄膜の成膜及びそのパター
ニングを行なうための工程を設けることが必要となる。

【００３１】これに対して、本実施例の磁気検出素子１
０によれば、磁性人工格子薄膜２２の表面に低抵抗金属
層２４が形成されると共に、磁気感応部１８が図２に示
す如く、電極部１８ａ、１８ｂとセンサ部１８ｃとから
なるパターンに形成されることで、低抵抗金属層２４の
うち電極部１８ａ、１８ｂを構成する部位が、磁性人工
格子薄膜２２の抵抗値を検出するための電極としての役
割を有する構成となっている。このため、保護膜２６に
コンタクトホール２８、３０を設けることのみで、磁気
検出素子１０との電気的接続を実現することができる。
このように、本実施例によれば、磁気検出素子１０に電
極をパターニングする工程が不要とされることで、磁気
検出素子１０の製造工程が簡素化され、これにより、磁
気センサ１２の低コスト化が図られている。

【００３２】また、アルミニウム製の電極（以下、アル
ミ電極という）を用いる場合、成膜後のアルミニウムの
品質を向上させると共に、アルミ電極と磁性人工格子薄
膜との間の接触抵抗を低減するため、アルミ電極に５０
０°Ｃ程度の高温でシンタリンング処理を施すことが望
ましい。しかしながら、磁性人工格子薄膜はその構造
上、約３００°Ｃを越える温度で特性が劣化する性質を
有しているため、磁性人工格子薄膜にアルミ電極を適用
した場合には、上述の如き高温でのシンタリング処理を
行なうことはできない。このため、アルミ電極を用いた
従来の磁気検出素子においては、アルミ電極の品質が低
下すると共に、磁性人工格子薄膜とアルミ電極との間の
接触抵抗を十分に低減することができないという問題が
生ずる可能性がある。

【００３３】また、アルミニウム電極からの配線の取り
出しは、一般にはワイヤボンディングにより行なわれ
る。この場合、アルミニウム電極の品質の低下に伴っ
て、ボンディングワイヤとアルミ電極との接合が確実に
行なわれず、ワイヤボンディング接続の信頼性の低下を
招くことにもなる。かかる不都合を回避するために、従
来の磁気検出素子において、導電性接着材を用いて電極
からの配線の取り出しを行なうことも考えられる。しか
しながら、アルミニウムは酸化し易い性質を有している
ため、導電性接着材を用いた場合には、アルミ電極表面
に形成された酸化膜の影響で、安定な電気的接続を確保
することが困難となる。

【００３４】これに対して、本実施例においては、低抵
抗金属層２４が金Ａｕ又は白金Ｐｔ等の低抵抗貴金属材
料から構成されているため、その表面に酸化層は形成さ
れ難い。このため、磁気検出素子１０の電極部１８ａ、
１８ｃとの電気的接続を、異方導電性フィルム１５（又
は、導電性接着材）を用いて低い接触抵抗で安定に実現
することができる。

【００３５】また、本実施例の磁気センサ１２において
は、電極３４、３６と磁気検出素子１０との接続にワイ
ヤボンディングが用いられていないため、ボンディング
ワイヤの存在によって、磁気検出素子１０と検出対象物
との間の距離の下限値が制限されることはない。すなわ
ち、例えば図１２に示す構成においては、磁気検出素子
１０からボンディングワイヤが突出しないため、ロータ
１００の歯部１００ａの頂部との距離Ｌを十分に小さく
することができる。この場合、ロータ１００の回転に伴
う、磁気検出素子１０に作用する磁界の変化が大きくな
るため、ロータ１００の回転数を高い信頼性で測定する
ことが可能となる。

【００３６】このように、本実施例によれば、磁気検出
素子１０からの配線の取り出しをワイヤボンディングを
用いることなく行なえることで、磁気検出素子１０の配
置の自由度が向上するという利益をも得ることができ
る。なお、上記実施例においては、磁性人工格子薄膜２
２が請求項に記載したセンサ薄膜に相当している。ただ
し、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば磁
気抵抗素子の薄膜など、磁界その他の物理量の変化に応
じた抵抗値変化を示す任意の薄膜をセンサ薄膜として適
用することができる。

【００３７】

【発明の効果】上述の如く、請求項１及び２記載の発明
によれば、薄膜センサ素子の製造工程において、電極を
パターニングする工程が不要とされる。従って、本発明
によれば、薄膜センサ素子の低コスト化を図ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である磁気検出素子が採用さ
れた磁気センサの断面図である。

【図２】本実施例の磁気検出素子が備える磁気感応部の
パターンを示す図である。

【図３】磁気感応部の構造を示す断面図である。

【図４】磁性人工格子薄膜に作用する磁界Ｈと単位面積
当たりの抵抗値Ｒとの関係を示す図である。

【図５】磁気検出素子の製造工程において、基板にバッ
ファ層が形成された後の状態を示す図である。

【図６】磁気検出素子の製造工程において、磁性人工格
子薄膜が形成された後の状態を示す図である。

【図７】磁気検出素子の製造工程において、低抵抗金属
層が形成された後の状態を示す図である。

【図８】磁気検出素子の製造工程において、磁気感応部
が形成された後の状態を示す図である。

【図９】磁気検出素子の製造工程において、保護膜が形
成された後の状態を示す図である。

【図１０】磁気検出素子の製造工程において、保護膜に
コンタクトホールが形成され、磁気検出素子が完成した
状態を示す図である。

【図１１】磁気検出素子を異方導電性フィルムを介して
フレキシブル基板にフェースダウン実装する工程を示す
図である。

【図１２】本実施例の磁気センサを回転体の回転数計測
に適用した場合の構成を模式的に示す図である。

【符号の説明】

１０磁性人工格子薄膜素子（磁気検出素子）１６基板１８磁気感応部１８ａ、１８ｂ電極部１８ｃセンサ部２２磁性人工格子薄膜２４低抵抗層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、該基板上に形成され、最上層に低抵抗金属層を有すると
共に、センサ部と、該センサ部の両端にそれぞれ接続さ
れた一対の電極部とを有するパターンにパターニングさ
れたセンサ薄膜と、を備えることを特徴とする薄膜センサ素子。
【請求項２】基板にセンサ薄膜を形成する工程と、該センサ薄膜の表面に低抵抗金属層を形成する工程と、前記センサ薄膜及び低抵抗金属層を、センサ部と、該セ
ンサ部の両端にそれぞれ接続された一対の電極部とを有
するパターンにパターニングする工程と、を備えることを特徴とする薄膜センサ素子の製造方法。