JPH1145896A - Semiconductor device resin-sealing metallic mold and method for sealing the same - Google Patents

Semiconductor device resin-sealing metallic mold and method for sealing the same

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JPH1145896A
JPH1145896A JP9201530A JP20153097A JPH1145896A JP H1145896 A JPH1145896 A JP H1145896A JP 9201530 A JP9201530 A JP 9201530A JP 20153097 A JP20153097 A JP 20153097A JP H1145896 A JPH1145896 A JP H1145896A
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sealing
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin-sealing metallic mold of a semiconductor device capable of resin sealing in a depressurizatrion environment without spoiling productivity and workability, and a method for sealing it. SOLUTION: Before the matched faces of upper and lower metallic molds are allowed to abut to each other, the top end of a seal 5 provided at the outer peripheral part of one metallic mold is allowed to slide on the side face of a seal bearing which is provided at the outer periphery of the opposed abutting face so as to be brought into contact with this. In a state that a constant gap is provided between the abutting faces of the upper and the lower metallic molds, inside air is exhausted from an air exit connected with a space formed of the seal 5 and the upper and lower matched faces, so that the seal can be further adhered to the side face of the seal bearing. The airtightness of the a space 21 can be maintained by using this self-sealability, high-speed deairing is operated through a constant gap, the upper and lower metallic molds are allowed to abut to each other, and sealing resin is allowed to flow into a cavity.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置樹脂封止
金型及びその封止方法に係り、特に半導体装置の樹脂封
止工程において使用されるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin sealing mold for a semiconductor device and a method for sealing the same, and more particularly to a resin sealing step for a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体装置の樹脂封止工程は、通
常大気圧下で行われ作業性に優れているが、樹脂封止用
金型の残留ガス又は溶融した樹脂から発生するガスがモ
ールド材の中に気泡となって取り込まれ、不良発生の原
因となっていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, the resin encapsulation process of a semiconductor device is usually performed under atmospheric pressure and has excellent workability. However, the residual gas in the resin encapsulation mold or the gas generated from the molten resin is molded. It was trapped as bubbles in the material, causing defects.

【0003】図6に従来の半導体装置樹脂封止金型の断
面を模式的に示す。金型は一対の上型27と下型29か
ら構成され、その対向する当接面を閉じることにより内
部にキャビティー34が形成される。
FIG. 6 schematically shows a cross section of a conventional resin sealing mold for a semiconductor device. The mold is composed of a pair of upper mold 27 and lower mold 29, and a cavity 34 is formed inside by closing the opposing contact surfaces.

【0004】あらかじめ半導体チップがダイボンド、ワ
イヤボンドされたリードフレームを用意し、金型が開い
た状態でリードフレームを上下の金型27、29の間に
置き、半導体チップがキャビティーの中央部にくるよう
に配置する。このようにして前記上下の金型を前記リー
ドフレームを挟んで閉じれば、リードフレームで支持さ
れた半導体チップがキャビティー33の中央部に固定さ
れる。
A lead frame to which a semiconductor chip has been die-bonded and wire-bonded is prepared in advance, and the lead frame is placed between upper and lower molds 27 and 29 with the mold opened, and the semiconductor chip is placed in the center of the cavity. Arrange so that they come together. When the upper and lower molds are closed with the lead frame therebetween as described above, the semiconductor chip supported by the lead frame is fixed to the center of the cavity 33.

【0005】その後、樹脂タブレット32を昇温溶融
し、下型29に設けたプランジャー31を用いて溶融し
た樹脂を、33から前記キャビティー34に流入成型す
れば、半導体チップの外周を隙間なく樹脂モールドする
ことができる。しかし前述のように流入する樹脂に気泡
が混入することがあり、信頼性の低下を招くという問題
があった。
[0005] Thereafter, the temperature of the resin tablet 32 is raised and melted, and the melted resin is flown into the cavity 34 through the plunger 31 provided in the lower mold 29, so that the outer periphery of the semiconductor chip is formed without gaps. Resin molding can be performed. However, as described above, there is a problem that bubbles may be mixed into the flowing resin, which causes a reduction in reliability.

【0006】図7を用いて、大気圧で使用する従来の半
導体装置樹脂封止金型の構造をさらに詳細に説明する。
図7の左右に、従来の金型の異なる奥行きにおける断面
構造が示されている。
Referring to FIG. 7, the structure of a conventional resin mold for semiconductor device used at atmospheric pressure will be described in more detail.
The left and right sides of FIG. 7 show cross-sectional structures of the conventional mold at different depths.

【0007】図7に示す従来の上型は、キャビティーブ
ロック1、キャビティーホルダー2、エジェクタホルダ
ー3、エジェクタープレート4、締結ボルト7、押し下
げピン8、サポートピン10から構成される。キャビテ
ィーブロックには溶融した樹脂を溜める33、エジェク
ターホルダー3はキャビティー中で成型された樹脂を離
型するためのエジェターピン36を備えている。なおキ
ャビティーブロックにはキャビティーとリードフレーム
との位置合わせを行うリードピンの受け穴39が形成さ
れる。
[0007] The conventional upper die shown in FIG. 7 includes a cavity block 1, a cavity holder 2, an ejector holder 3, an ejector plate 4, a fastening bolt 7, a push-down pin 8, and a support pin 10. The cavity block contains a molten resin 33, and the ejector holder 3 has an ejector pin 36 for releasing the resin molded in the cavity. The cavity block has a lead pin receiving hole 39 for aligning the cavity with the lead frame.

【0008】下型はキャビティーブロック11、キャビ
ティーホルダー12、エジェクタホルダー13、エジェ
クタープレート14、締結ボルト17、押し上げピン1
8、サポートピン20から構成される。キャビティーブ
ロックにはキャビティー34、エジェクターホルダー1
3はキャビティー中で成型された樹脂を離型するための
エジェターピン37を備えている。なおキャビティーブ
ロックにはキャビティーとリードフレームとの位置合わ
せを行うリードピン38が形成される。31は溶融した
樹脂を押し出すプランジャー機構である。
The lower mold includes a cavity block 11, a cavity holder 12, an ejector holder 13, an ejector plate 14, a fastening bolt 17, and a push-up pin 1.
8. Support pins 20 are provided. The cavity block has the cavity 34 and the ejector holder 1
Reference numeral 3 denotes an ejector pin 37 for releasing the resin molded in the cavity. A lead pin 38 for positioning the cavity and the lead frame is formed in the cavity block. 31 is a plunger mechanism for pushing out the molten resin.

【0009】図7では、キャビティーが下型キャビティ
ーブロックに形成される例を示したが、図6でのべたよ
うに、キャビティーを上下のキャビティーブロックに形
成するのが一般的である。
FIG. 7 shows an example in which the cavities are formed in the lower mold cavity block. However, as shown in FIG. 6, the cavities are generally formed in the upper and lower cavity blocks. .

【0010】エジェクターピン36、37は、押し下げ
ピン8と押し上げピン18とを用いて上型の2と3、及
び下型の12と13との間を密着させることにより、モ
ールド材の成型面に押し出され、これを離型させる。な
お樹脂封止に先立ちダイクリーナを用いて残留した樹脂
や微細な塵埃等が除去される。
The ejector pins 36 and 37 are brought into close contact with the upper molds 2 and 3 and the lower molds 12 and 13 using the push-down pins 8 and the push-up pins 18 so that the ejector pins 36 and 37 are attached to the molding surface of the molding material. It is extruded and this is released. Prior to resin sealing, residual resin, fine dust, and the like are removed using a die cleaner.

【0011】このような従来の金型において、成形中に
樹脂の流れる面を減圧環境にできる金型の構造が提案さ
れている。樹脂封止を行う前に、上下金型の間の大気や
樹脂中に含まれるガスを十分脱気しておけば、成型品の
内部に気泡が含まれる問題を回避することができる。
In such a conventional mold, there has been proposed a mold structure in which a surface through which a resin flows during molding can be set in a reduced pressure environment. If the air between the upper and lower molds and the gas contained in the resin are sufficiently degassed before performing the resin sealing, the problem that air bubbles are contained inside the molded product can be avoided.

【0012】減圧仕様の金型であって、金型の当接面に
Oリング40を配置した例を図8に示す。また、図9に
上下の金型が互いにはまり合う構造で、その摺動面にO
リング41を配置した例が示されている。その他の部分
は図7に説明した金型と同様であるため説明を省略す
る。
FIG. 8 shows an example of a mold of a reduced pressure specification in which an O-ring 40 is arranged on the contact surface of the mold. FIG. 9 shows a structure in which the upper and lower dies are fitted to each other, and O
An example in which the ring 41 is arranged is shown. Other parts are the same as those of the mold described in FIG.

【0013】図8、図9に示す従来の半導体樹脂封止用
金型の例では、Oリング等のシールが上下金型の間に加
えられる圧力で強制的に潰されて、上下金型の当接面が
接触する強制シール方式を採用している。
In the example of the conventional semiconductor resin sealing mold shown in FIGS. 8 and 9, a seal such as an O-ring is forcibly crushed by pressure applied between the upper and lower molds. Adopts a forced sealing method where the contact surfaces come into contact.

【0014】Oリングは従来からシール材として多く用
いられているが、一般に圧縮させて使用するものであ
り、図8の場合には型締めの方向にOリング40を圧縮
するための力が必要になる。すなわち型締め機構として
より強力なサーボモータを必要とし、金型の当接面にO
リング40を設けるためのスペースが必要となる。
The O-ring has been conventionally used as a sealant in many cases, but is generally used by being compressed. In the case of FIG. 8, a force for compressing the O-ring 40 in the mold clamping direction is required. become. In other words, a stronger servomotor is required as a mold clamping mechanism, and O
A space for providing the ring 40 is required.

【0015】一方、排気速度を考えれば、上下の金型が
完全に当接する前に金型の当接面間に若干のギャップを
設けて内部を脱気することが望ましいが、Oリング40
を圧縮する上記の構造では、このような微妙なギャップ
の設定が困難である。
On the other hand, considering the pumping speed, it is desirable to provide a slight gap between the contact surfaces of the dies before the upper and lower dies are completely in contact with each other, and to evacuate the interior.
In the above-described structure for compressing the gap, it is difficult to set such a delicate gap.

【0016】図9に示す場合には、図8のようにOリン
グ40への直接の圧縮力に対して、側面におけるOリン
グ41での滑り抵抗を考慮すれば良いので上記の問題は
緩和されるが、スペース的には図9よりも大きなシール
エリアを必要とする。また、図7に示すようなチェイス
金型(上型と下型とを一括してチェイス金型と呼ぶ)交
換方式の金型では、図9のような滑り型のOリング41
を備えた構造とすることが困難である。
In the case shown in FIG. 9, the above problem can be alleviated because the sliding resistance of the O-ring 41 on the side surface can be taken into account with respect to the direct compression force to the O-ring 40 as shown in FIG. However, in terms of space, a seal area larger than that in FIG. 9 is required. Further, in a mold of a chase mold exchange method as shown in FIG. 7 (the upper mold and the lower mold are collectively referred to as a chase mold), a sliding O-ring 41 as shown in FIG.
It is difficult to have a structure with

【0017】なお半導体装置の樹脂封止工程において、
封止工程の前にダイクリーナを用いて樹脂の残渣や塵埃
を除去することが重要であるが、図9の滑り型のOリン
グ41を備えた構造では、一般的なダイクリーナを使用
することができない欠点がある。
In the resin sealing step of the semiconductor device,
It is important to remove the resin residue and dust using a die cleaner before the sealing step. However, in the structure having the sliding type O-ring 41 shown in FIG. 9, a general die cleaner must be used. There is a drawback that can not be.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の減圧仕様の半導体装置樹脂封止金型及びその封止方法
において、金型の当接面にOリングを配置した構造で
は、Oリング配置のためのスペースを必要とすること、
Oリングを押し潰す強力なサーボモータを必要とするこ
と、さらに減圧速度を高めるためには当接面間の微妙な
ギャップの調整が必要となること等多くの問題点があっ
た。
As described above, in the conventional resin-molding mold for semiconductor device of a reduced pressure specification and the method for sealing the same, in the structure in which the O-ring is arranged on the contact surface of the mold, the O-ring is used. Need space for placement,
There are many problems such as the necessity of a powerful servomotor that crushes the O-ring, and the necessity of fine adjustment of the gap between the contact surfaces in order to increase the decompression speed.

【0019】また金型の側面にOリングを配置する構造
では、大きなシールエリヤを必要とし、さらに一般的な
ダイクリーナを使用することができないため樹脂封止前
に樹脂の残渣や塵埃等の除去を十分に行うことが困難に
なるという問題があった。
In the structure in which the O-ring is arranged on the side surface of the mold, a large seal area is required. Further, since a general die cleaner cannot be used, resin residues and dust are removed before resin sealing. There is a problem that it is difficult to perform the operation sufficiently.

【0020】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、上下金型の一方の外周、又は前記上下金型を
保持する上下ダイセットの一方の外周にシールを設ける
ことにより、上記の問題点を解決することができる減圧
仕様の半導体装置樹脂封止金型とその封止方法を提供す
ることを目的としている。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems. By providing a seal on one of the outer peripheries of the upper and lower dies or one of the outer peripheries of the upper and lower die sets for holding the upper and lower dies, the above-mentioned problem is solved. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device resin sealing mold of reduced pressure specification and a method of sealing the same, which can solve the above problem.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置樹脂
封止金型は、上下金型のいずれか1方の当接面の外周に
シールが形成され、上下金型の当接面が接触する前に、
他方の当接面の外周にシールの先端部の内面が接触する
よう形成され、このシールと上下金型の当接面とで形成
される空間に連結された排気用の開口部を備えたことを
特徴とする。
According to the resin sealing mold for a semiconductor device of the present invention, a seal is formed on the outer periphery of one of the contact surfaces of the upper and lower molds, and the contact surfaces of the upper and lower molds are in contact with each other. Before you do
An exhaust opening is formed so that the inner surface of the tip of the seal contacts the outer periphery of the other contact surface, and is connected to the space formed by the seal and the contact surfaces of the upper and lower molds. It is characterized by.

【0022】また本発明の半導体装置樹脂封止金型は、
上下金型をそれぞれ保持する上下ダイセットのいずれか
一方の外周にシールが形成され、上下金型の当接面が接
触する前に、シールの先端部の内面が他方のダイセット
の外周に接触するように形成され、このシールと前記上
下金型の当接面とで形成される空間に連結された排気用
の開口部を備えたことを特徴とする。
The resin sealing mold for a semiconductor device of the present invention is
A seal is formed on the outer periphery of one of the upper and lower die sets that respectively hold the upper and lower molds, and before the contact surfaces of the upper and lower molds come into contact, the inner surface of the tip of the seal contacts the outer periphery of the other die set. And an exhaust opening connected to a space formed by the seal and the contact surfaces of the upper and lower molds.

【0023】前記シールは前記空間に連結された排気用
の開口部から排気することにより自己シール性を示すも
のであることを特徴とする。好ましくは前記シールの先
端部の内面が接触する前記他方の当接面の外周は、上下
金型の合わせ方向に沿って前記シールの先端部が広がる
ようにテーパー角が付与されたものであることを特徴と
する。
The seal is characterized by exhibiting a self-sealing property by exhausting air from an exhaust opening connected to the space. Preferably, the outer periphery of the other abutting surface with which the inner surface of the tip of the seal comes into contact is provided with a taper angle so that the tip of the seal spreads along the alignment direction of the upper and lower molds. It is characterized by.

【0024】また他方の当接面の外周には、前記他方の
当接面の周辺部を囲むように突起物が形成され、前記シ
ールの先端部の内面は前記突起物の外周に接触するよう
にすることを特徴とする。
A protrusion is formed on the outer periphery of the other contact surface so as to surround the periphery of the other contact surface, and the inner surface of the tip of the seal contacts the outer periphery of the protrusion. It is characterized by the following.

【0025】好ましくは前記シールと前記上下金型の当
接面とで形成される空間における前記当接面の間隔は、
0.1mm以上、20mm以下であることを特徴とす
る。このようにすれば、高い排気効率を維持しつつ排気
の際のシール変形を最小限に抑制し、かつ前記シールの
摺動性と自己シール性を十分に発揮させることができ
る。
Preferably, the distance between the contact surfaces in the space formed by the seal and the contact surfaces of the upper and lower molds is
It is 0.1 mm or more and 20 mm or less. In this way, it is possible to minimize the deformation of the seal at the time of evacuation while maintaining high evacuation efficiency, and sufficiently exhibit the slidability and self-sealing property of the seal.

【0026】本発明の半導体装置樹脂封止金型の封止方
法は、上下金型のいずれか1方の当接面の外周にシール
を備え、上下金型の当接面を互いに近接し、上下金型の
当接面が互いに接触する前に、前記シールの先端部を他
方の金型の外周に接触し、かつ、接触した状態で上下金
型とシールとで囲まれた空間を排気することによりさら
に前記シールを自己シールし、この自己シールされた上
下金型の当接面を互いに接触した後、封止用樹脂を流入
することを特徴とする。
According to the method of sealing a resin mold for a semiconductor device of the present invention, a seal is provided on the outer periphery of one of the contact surfaces of the upper and lower molds, and the contact surfaces of the upper and lower molds are brought close to each other. Before the contact surfaces of the upper and lower molds come into contact with each other, the tip of the seal contacts the outer periphery of the other mold, and exhausts the space surrounded by the upper and lower molds and the seal in the contact state. In this case, the seal is further self-sealed, and after the contact surfaces of the self-sealed upper and lower molds are brought into contact with each other, the sealing resin flows therein.

【0027】また本発明の半導体装置樹脂封止金型の封
止方法は、上下金型をそれぞれ保持する上下ダイセット
のいずれか一方の外周にシールを備え、上下金型の当接
面が互いに接触する前に、シールの先端部を他方のダイ
セットの外周に接触し、かつ、接触した状態で上下ダイ
セットとシールとで囲まれた空間を排気することによ
り、さらに前記シールを自己シールし、この自己シール
により減圧環境にされた上下金型の当接面を互いに接触
した後、封止用樹脂を流入することを特徴とする。
Further, according to the method of sealing a resin sealing mold of a semiconductor device of the present invention, a seal is provided on an outer periphery of one of upper and lower die sets respectively holding the upper and lower molds, and the contact surfaces of the upper and lower molds are mutually opposed. Before the contact, the tip of the seal contacts the outer periphery of the other die set, and the space enclosed by the upper and lower die sets and the seal is evacuated in the contact state, thereby further self-sealing the seal. After the self-sealing, the contact surfaces of the upper and lower molds brought into a reduced pressure environment are brought into contact with each other, and then the sealing resin flows therein.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図1乃至図3は、本発明の
第1の実施の形態に係る半導体装置樹脂封止金型(以下
単に金型と略称する)の構造と、これを用いた封止方法
を示す断面図である。図1乃至図3は、従来の金型の説
明で使用した図7と同一方向から見たときの本発明の金
型の断面を示している。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIGS. 1 to 3 are sectional views showing the structure of a resin sealing mold for a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention (hereinafter simply referred to as a mold) and a sealing method using the same. is there. 1 to 3 show cross sections of the mold of the present invention when viewed from the same direction as FIG. 7 used in the description of the conventional mold.

【0029】本発明の金型は減圧環境で使用される。本
発明の趣旨は減圧環境下で樹脂封止を行うための金型の
構造とその封止方法を示すことにあるため、金型の減圧
構造とは直接関連しないキャビティ、プランジャー等を
含まない部分の断面を示している。
The mold of the present invention is used in a reduced pressure environment. Since the gist of the present invention is to show the structure of a mold for performing resin sealing under a reduced pressure environment and a sealing method thereof, it does not include a cavity, a plunger, and the like that are not directly related to the reduced pressure structure of the mold. The cross section of the portion is shown.

【0030】図1に示す金型は上型と下型とからなり、
前記上型は樹脂を流入するキャビティーを備えたキャビ
ティーブロック1、これを保持するキャビティーホルダ
ー2、キャビティー(図示せず)で成形された樹脂を離
型するためのエジェクターピン(図示せず)を支持する
エジェクターホルダー3、これを固定するエジェクター
プレート4からなる。
The mold shown in FIG. 1 comprises an upper mold and a lower mold.
The upper mold includes a cavity block 1 having a cavity into which a resin flows, a cavity holder 2 for holding the cavity, and an ejector pin (not shown) for releasing a resin molded in a cavity (not shown). ), And an ejector plate 4 for fixing the ejector holder 3.

【0031】さらに前記上型は本発明の主要部をなすシ
ール5、これを固定するシールホルダー6を備えてい
る。7は締結ボルト、8は側面にOリング9を備えた押
し下げピンであり、前記エジェクターホルダー3をキャ
ビティホルダー2に密着させることにより、エジェクタ
ーホルダー3に固定されたエジェクターピンをキャビテ
ィー中に突き出し、樹脂モールドされた半導体装置を前
記キャビティーから離型する。押し下げピン8に設けた
Oリング9は、シール5と共に金型の減圧環境を保持す
る。10は前記押し下げ機構をサポートするサポートピ
ンである。
Further, the upper mold is provided with a seal 5 which is a main part of the present invention and a seal holder 6 for fixing the seal. Reference numeral 7 denotes a fastening bolt, and 8 denotes a push-down pin having an O-ring 9 on a side surface. The resin-molded semiconductor device is released from the cavity. The O-ring 9 provided on the push-down pin 8 maintains the reduced pressure environment of the mold together with the seal 5. Reference numeral 10 denotes a support pin that supports the pressing mechanism.

【0032】前記下型は上型と同様キャビティーブロッ
ク11、キャビティーホルダー12、エジェクターホル
ダー13、エジェクタープレート14からなる。前記下
型はテーパー角15を設けたシール受けテーパーブロッ
ク16を備えている。前記テーパー角は上型と下型を近
接させてシール5の先端部をシール受けに接触させ、さ
らに上型と下型とを当接させる際、前記シール5の先端
部が外側に押し広げられるように形成する。
The lower mold comprises a cavity block 11, a cavity holder 12, an ejector holder 13, and an ejector plate 14, like the upper mold. The lower die includes a seal receiving taper block 16 having a taper angle 15. The taper angle is such that when the upper mold and the lower mold are brought close to each other, the tip of the seal 5 is brought into contact with the seal receiver, and when the upper mold and the lower mold are brought into contact with each other, the tip of the seal 5 is pushed outward. It is formed as follows.

【0033】このほか締結ボルト17、エジェクターピ
ンを押し上げる押し上げピン18、Oリング19、サポ
ートピン20を有する。なお前記下型はモールド材のタ
ブレットを溶融してキャビティ中に供給するプランジャ
ー機構を備えているが、これも本発明と直接関連しない
ので図示されていない。図1では上下の金型がまだ閉じ
ていない状態が示されている。
In addition, a fastening bolt 17, a push-up pin 18 for pushing up an ejector pin, an O-ring 19, and a support pin 20 are provided. The lower mold has a plunger mechanism for melting the tablet of the molding material and supplying the melted tablet into the cavity, but this is also not shown because it is not directly related to the present invention. FIG. 1 shows a state in which the upper and lower molds are not yet closed.

【0034】本第1の実施の形態の金型は、上型のキャ
ビティーホルダー2の外周にL字断面のシール5とこれ
を固定するシールホルダー6を有し、下型のキャビティ
ーホルダー12の外周にテーパー角15を備えたシール
受けテーパーブロック16を有することに特徴がある。
The mold of the first embodiment has a seal 5 having an L-shaped cross section and a seal holder 6 for fixing the seal 5 on the outer periphery of the upper cavity holder 2, and the lower cavity holder 12. Is characterized in that a seal receiving taper block 16 having a taper angle 15 is provided on the outer periphery of the seal receiving taper block 16.

【0035】シール5は、水平部分と垂直部分を押さえ
金で押さえて上型のシールホルダー6に固定される。ス
カート状に下方に伸びたシール5の先端部分は、その厚
さ方向のたわみに対して十分な剛性と長さを有してい
る。シールホルダー6とシール受けテーパーブロック1
6の4つのコーナには、シール5の構成に無理を生じな
いように適度な大きさの曲率半径を設けている。
The seal 5 is fixed to an upper seal holder 6 by pressing a horizontal portion and a vertical portion with a presser. The distal end portion of the seal 5 extending downward in a skirt shape has sufficient rigidity and length against its thickness-direction deflection. Seal holder 6 and seal receiving taper block 1
The four corners 6 are provided with a radius of curvature of an appropriate size so that the structure of the seal 5 will not be overloaded.

【0036】図2に示すように上下の金型の合わせ面を
近接させれば、L字型断面シール5の下部先端の内側
が、シール受けテーパーブロック16の外周のテーパー
面15と接触し、さらに両者を近接させれば、前記シー
ル5の先端はテーパー面15と接触を保ちつつこれに沿
って前記シール5の先端を広げながら滑り、シール5の
材料の適度な剛性によりシール5とテーパー面15との
密着状態が増強される。
As shown in FIG. 2, when the upper and lower mating surfaces are brought close to each other, the inside of the lower end of the L-shaped sectional seal 5 comes into contact with the tapered surface 15 on the outer periphery of the seal receiving taper block 16. Further, when the two are brought closer to each other, the tip of the seal 5 slides while expanding the tip of the seal 5 along the tapered surface 15 while keeping the contact with the tapered surface 15. The state of close contact with No. 15 is enhanced.

【0037】上下の金型のキャビティーブロック1、1
1の合わせ面の間のギャップとシール5等で構成される
空間21から、別に設けた排気孔(図示せず)を通じて
内部の空気が排気される。前記空間が減圧されるに従っ
て、薄いL字型シール5は外部から大気圧によりさらに
テーパー面15に押し付けられ、気密性に優れた自己シ
ール性を示すようになる。
Upper and lower mold cavity blocks 1, 1
The internal air is exhausted from a space 21 formed by the gap between the mating surfaces and the seal 5 through a separately provided exhaust hole (not shown). As the space is depressurized, the thin L-shaped seal 5 is further pressed against the tapered surface 15 from the outside by the atmospheric pressure, and exhibits a self-sealing property with excellent airtightness.

【0038】このように上下の金型の当接面の間に一定
のギャップを設けた状態で、樹脂封止の障害となる金型
内部の脱気を行えば、図8で説明したように当接面にO
リング40を設け、これを押し潰して上下金型の当接面
を密着させた後排気する方法に比べて、排気抵抗が小さ
いために短時間で十分な脱気を行うことができる。
In the state where a certain gap is provided between the contact surfaces of the upper and lower molds as described above, if the inside of the mold is degassed as an obstacle to resin sealing, as shown in FIG. O on contact surface
Compared with the method of providing the ring 40 and crushing it to bring the contact surfaces of the upper and lower molds into close contact with each other and then exhausting the gas, the exhaust resistance is small, so that sufficient degassing can be performed in a short time.

【0039】排気抵抗を十分小さくするためには、前記
ギャップの大きさは大きい方が望ましいが、これが過大
となれば自己シール性に優れた薄いシール5が大気圧に
より変形し、逆に気密性に問題を生じるようになる。こ
のため、実用上最適なギャップの大きさは約1mmであ
る。シール5の材質と形状を選択すれば、ギャツプの大
きさを20mm程度まで拡大することができる。
In order to sufficiently reduce the exhaust resistance, it is desirable that the size of the gap is large. However, if the gap is excessive, the thin seal 5 having excellent self-sealing properties is deformed by the atmospheric pressure, and conversely, the airtightness is reduced. Cause problems. Therefore, a practically optimum gap size is about 1 mm. If the material and shape of the seal 5 are selected, the size of the gap can be increased to about 20 mm.

【0040】排気抵抗の小さい空間21を通じて金型内
部の十分な脱気を行った後、図3に示すように、上下の
金型のキャビティーブロック1、11の合わせ面を当接
させ、プランジャー(図示せず)を用いて封止用樹脂を
キャビティーブロックに設けたキヤビティ(図示せず)
に流入し、半導体装置チップを樹脂封止する。
After the inside of the mold is sufficiently degassed through the space 21 having a small exhaust resistance, the mating surfaces of the upper and lower mold cavities 1 and 11 are brought into contact with each other as shown in FIG. A cavity (not shown) in which a sealing resin is provided in a cavity block using a jar (not shown).
To seal the semiconductor device chip with resin.

【0041】半導体チップは薄いリードフレームにダイ
ボンド、ワイヤボンドされ、キャビティブロック1、1
1は、前記リードフレーム(図示せず)を挟んで合わせ
面が当接されるので、当接状態での前記ギャップの最小
値は、リードフレームの厚さ0.1mm程度となる。
The semiconductor chip is die-bonded and wire-bonded to a thin lead frame, and the cavity blocks 1, 1
In No. 1, since the mating surfaces are in contact with the lead frame (not shown) interposed therebetween, the minimum value of the gap in the contact state is about 0.1 mm in thickness of the lead frame.

【0042】このように、上下のキャビティブロック
1、11をリードフレームを介して密着させた後に排気
すれば、排気速度はOリング等を用いた従来法と同程度
まで低下するが、本発明のシール5を具備する金型は、
このような従来同様の封止方法に対応するギャップの値
に達するまで使用することができる。
When the upper and lower cavity blocks 1 and 11 are evacuated after being brought into close contact with each other via the lead frame, the evacuating speed is reduced to the same level as the conventional method using an O-ring or the like. The mold provided with the seal 5
It can be used until the gap value corresponding to such a conventional sealing method is reached.

【0043】したがって、本発明が従来法に比べて優れ
た高速脱気の性能を発揮するギャップの値は0.1mm
以上、20mm以下の範囲内である。なお、図1乃至図
3においてシール5は上型に備えられ、下型にシールと
接触するテーパー部を配置したが、このような配置は金
型のダイクリーニングの便を考慮して定めたものであ
る。ダイクリーニングの方法を変更すればシール5を下
型に設け、シール受けテーパーブロック16を上型に設
けることも可能である。
Accordingly, the value of the gap at which the present invention exerts superior high-speed degassing performance as compared with the conventional method is 0.1 mm.
Above, it is within the range of 20 mm or less. In FIGS. 1 to 3, the seal 5 is provided on the upper die, and the taper portion that contacts the seal is disposed on the lower die. However, such an arrangement is determined in consideration of the convenience of die cleaning of the die. It is. If the method of die cleaning is changed, the seal 5 can be provided in the lower mold, and the seal receiving taper block 16 can be provided in the upper mold.

【0044】次に図4に基づき本発明の第2の実施の形
態について説明する。図4は、本発明の第2の実施の形
態に係る金型の断面構造を示す図である。前記第1の実
施の形態とは逆に、上型にシール受けブロック23を設
け下型にシール24を設ける構造に設計されている。図
4は第1の実施の形態の図2に対応し、上下の金型が閉
じる前の脱気状態を示している。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional structure of a mold according to the second embodiment of the present invention. Contrary to the first embodiment, it is designed to have a structure in which a seal receiving block 23 is provided in an upper mold and a seal 24 is provided in a lower mold. FIG. 4 corresponds to FIG. 2 of the first embodiment, and shows a degassed state before upper and lower dies are closed.

【0045】図4において、下型のシール24の形状は
全体を薄くしたL字構造と異なり、キャビティーホルダ
ー12に固定した厚いシール材の内周からから薄いシー
ル材が上方に伸びた形状となっている。またシール受け
ブロック23は、上型のキャビティーホルダー2から突
出し、キャビティーブロック1を取り囲むように形成さ
れ、かつ突出部分にテーパーを設ける代わりに、前記突
出部の外周がシール24の内周よりもやや小さくなるよ
うに設計した。このように必ずしもシール受けブロック
23の外周にテーパー角を設けなくても、シール24の
先端部が十分な長さと弾性を備えていれば、シール材の
自己シール性を用いて気密な構造とし、樹脂封止前の高
速脱気の目的を達することができる。金型内部の十分な
脱気を行った後、上下の金型のキャビティーブロック
1、11の合わせ面を当接させ、プランジャー(図示せ
ず)により封止用樹脂を前記キャビティーブロック1、
11に設けたキヤビティ(図示せず)に流入し、半導体
装置のチップを樹脂封止することができる。
In FIG. 4, the shape of the lower seal 24 is different from the L-shaped structure in which the whole is thinner, and has a shape in which the thin sealant extends upward from the inner periphery of the thick sealant fixed to the cavity holder 12. Has become. Further, the seal receiving block 23 is formed so as to protrude from the cavity holder 2 of the upper die, surround the cavity block 1, and, instead of providing a taper in the protruding portion, the outer periphery of the protruding portion is larger than the inner circumference of the seal 24. It was designed to be slightly smaller. As described above, even if a taper angle is not necessarily provided on the outer periphery of the seal receiving block 23, if the distal end portion of the seal 24 has a sufficient length and elasticity, a self-sealing property of the sealing material is used to form an airtight structure. The purpose of high-speed degassing before resin sealing can be achieved. After the inside of the mold is sufficiently degassed, the mating surfaces of the upper and lower mold cavities 1 and 11 are brought into contact with each other, and a sealing resin is applied to the cavity block 1 with a plunger (not shown). ,
11 flows into a cavity (not shown) provided in the semiconductor device 11, and the chip of the semiconductor device can be sealed with resin.

【0046】本第2の実施の形態の金型では、金型内部
の脱気が上下キャビティーブロック1、11の当接面間
の空間21のみならず、前記キャビティーブロック1、
11の両側の空間22を通じて行われるので、前記第1
の実施の形態に比べて排気抵抗がさらに低減される。図
1乃至図3に対応する参照番号を付したその他の部分の
基本機能は、前記第1の実施の形態とほぼ同様である。
In the mold according to the second embodiment, deaeration inside the mold is caused not only by the space 21 between the contact surfaces of the upper and lower cavity blocks 1 and 11, but also by the cavity block 1 and the cavity block 1.
11 through the space 22 on both sides of the first
The exhaust resistance is further reduced as compared with the embodiment. The basic functions of the other parts denoted by reference numerals corresponding to FIGS. 1 to 3 are substantially the same as those of the first embodiment.

【0047】次に図5に基づき本発明の第3の実施の形
態について説明する。図5は、第3の実施の形態に係る
金型の断面構造を示す図である。図5は前記第1、第2
の実施の形態の金型の説明で使用した、図1乃至図4と
同一方向から見た本発明の金型の断面構造を示してい
る。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram illustrating a cross-sectional structure of a mold according to the third embodiment. FIG. 5 shows the first and second
FIG. 5 shows a cross-sectional structure of the mold of the present invention viewed from the same direction as FIGS. 1 to 4 used in the description of the mold of the embodiment.

【0048】本発明の金型は、前記第1、第2の実施の
形態と同様に減圧環境で使用されるが、本第3の実施の
形態においては、シール26とシール受けの役割を果た
すテーパー面30とが、上型27と下型29を保持する
上型ダイセット25と下型ダイセット28の外周にそれ
ぞれ形成される点が異なる。
The mold of the present invention is used in a reduced pressure environment as in the first and second embodiments. In the third embodiment, the mold serves as a seal 26 and a seal receiver. The difference is that the tapered surface 30 is formed on the outer periphery of the upper die set 25 and the lower die set 28 that hold the upper die 27 and the lower die 29, respectively.

【0049】本発明の趣旨は、前記上型及び下型ダイセ
ットの外周にに設けたシール26とテーパー面30とを
用いて、減圧環境下で樹脂封止を行うための金型の構造
とその封止方法を示すことにあるため、下型に設けたプ
ランジャ31とその上の溶融前の樹脂タブレット32、
溶融した樹脂を溜める33、及び半導体チップが樹脂モ
ールドされるキャビティー34については、簡単のた
め、従来の金型の断面構造を概念的に示す図6をそのま
ま用いた。ただし、下型ダイセット28と下型29、及
び下型29とプランジャ31との間には従来法による真
空シールが施されている。
The gist of the present invention is that the structure of a mold for performing resin sealing under a reduced pressure environment using a seal 26 and a tapered surface 30 provided on the outer periphery of the upper die and the lower die set is described. In order to show the sealing method, the plunger 31 provided on the lower mold and the resin tablet 32 on the lower mold before melting are provided.
For the simplicity of the molten resin 33 and the cavity 34 in which the semiconductor chip is resin-molded, FIG. 6 conceptually showing the sectional structure of a conventional mold is used as it is. However, a vacuum seal according to a conventional method is provided between the lower die set 28 and the lower die 29, and between the lower die 29 and the plunger 31.

【0050】ここに上型、下型の断面構造の詳細は、下
型に設けた真空シールの部分を除き図7に示す減圧機能
のない従来の上型及び下型の構造と同様である。図5で
は上下の金型がまだ閉じていない状態が示されている。
The details of the sectional structure of the upper mold and the lower mold are the same as those of the conventional upper mold and lower mold without the decompression function shown in FIG. 7 except for the vacuum seal provided in the lower mold. FIG. 5 shows a state in which the upper and lower molds are not yet closed.

【0051】上下の金型27、29及びこれらを保持す
る上下のダイセット25、28及びシール26等で構成
される空間35から、別に設けた排気孔(図示せず)を
通じて内部の空気が排気される。前記空間が減圧される
に従って、シール26の先端は大気圧により、さらにテ
ーパー面30に押し付けられ、気密性に優れた自己シー
ル性を示すようになる。
The internal air is exhausted from the space 35 formed by the upper and lower molds 27 and 29 and the upper and lower die sets 25 and 28 and the seal 26 holding them through exhaust holes (not shown) provided separately. Is done. As the space is depressurized, the tip of the seal 26 is further pressed against the tapered surface 30 by the atmospheric pressure, and exhibits a self-sealing property with excellent airtightness.

【0052】このように本発明のシール26とシール受
け30を上下のダイセットの当接面の周辺に形成する構
造であっても、樹脂封止前の高速脱気の目的を達成する
ことができる。金型内部の十分な脱気を行った後、上下
の金型の合わせ面を当接させ、封止用樹脂タブレット3
2を溶融してプランジャー31によりキヤビティ34に
流入し、半導体装置のチップを樹脂封止する。
As described above, even when the seal 26 and the seal receiver 30 of the present invention are formed around the contact surfaces of the upper and lower die sets, the purpose of high-speed degassing before resin sealing can be achieved. it can. After the inside of the mold has been sufficiently degassed, the mating surfaces of the upper and lower molds are brought into contact with each other.
2 is melted and flows into the cavity 34 by the plunger 31 to seal the chip of the semiconductor device with resin.

【0053】なお本第3の実施の形態において、シール
受けとしてテーパー面30を用いたが、図4のシール受
けブロック23に示したように、シール受け部分の外周
をシール26の内周よりやや小さくなるようにして、シ
ール26の先端部の弾性により、自己シール性を持たせ
るようにしても良い。
In the third embodiment, the tapered surface 30 is used as a seal receiver. However, as shown in the seal receiving block 23 of FIG. The seal 26 may be made smaller so as to have a self-sealing property by the elasticity of the distal end portion of the seal 26.

【0054】なお本発明は上記の実施の形態に限定され
ることはない。例えば第2の実施の形態において、シー
ル受けブロック23の外周にシール24の先端部を外側
に広げるようにテーパー角を設ければ、さらに円滑にシ
ール24の自己シール性を発揮させることができる。こ
の時前記シール受けブロック23の先端部分のテーパー
角は先端の薄い部分を内側にかしめることによってもほ
ぼ同様な目的を達成することができる。その他本発明の
要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが
できる。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the second embodiment, if a taper angle is provided on the outer periphery of the seal receiving block 23 so as to widen the tip of the seal 24 outward, the self-sealing property of the seal 24 can be more smoothly exerted. At this time, the taper angle of the distal end portion of the seal receiving block 23 can substantially achieve the same purpose by caulking the thin portion at the distal end inward. In addition, various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

【0055】[0055]

【発明の効果】上述したように本発明の金型によれば、
シールと対向するシール受けとを気密性に優れた自己シ
ール性の接触とすることにより、過大な圧縮力を要する
ことなく樹脂封止前の金型内部の脱気に必要な気密性を
維持することができる。
As described above, according to the mold of the present invention,
By making the seal and the opposing seal receiver a self-sealing contact with excellent airtightness, the airtightness required for deaeration inside the mold before resin sealing is maintained without requiring excessive compressive force. be able to.

【0056】またシールの内周面がシール受けの外周面
に沿って可動な構造となっているので、上型、下型(こ
れらをまとめてチェイス金型と呼ぶ)の当接面が閉じる
前にある量の空間をシールとチェイス金型の間に設けて
脱気の際の排気抵抗を小さくし、脱気速度を高めること
ができる。
Since the inner peripheral surface of the seal is movable along the outer peripheral surface of the seal receiver, before the contact surfaces of the upper die and the lower die (collectively referred to as a chase die) are closed. By providing a certain amount of space between the seal and the chase mold, the exhaust resistance at the time of degassing can be reduced and the degassing speed can be increased.

【0057】また、シールとシール受けとをチェイス金
型の周辺、又は上下のダイセットの周辺に設けているの
で、従来の減圧用金型の例に示されるようなスペースを
必要とせず、一般の金型からの移行も比較的簡単に行え
るという特徴がある。
Further, since the seal and the seal receiver are provided around the chase mold or around the upper and lower die sets, a space as shown in the conventional decompression mold is not required. The feature is that the transfer from the mold can be performed relatively easily.

【0058】なお、チェイス金型においてシールが完結
する第1、第2の実視の形態の金型構造とすれば、吸排
気孔を除いてダイセット側には特殊なシールを設ける必
要がなくなり、そのためチェイス金型の段取り性を損な
うことなく、減圧用の金型を実現することができる。
In addition, if the mold structure of the first and second actual modes in which the seal is completed in the chase mold, it is not necessary to provide a special seal on the die set side except for the suction and exhaust holes. Therefore, a decompression die can be realized without impairing the setup of the chase die.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る半導体樹脂封
止金型の型開き状態を示す断面図。
FIG. 1 is a sectional view showing a mold open state of a semiconductor resin sealing mold according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態に係る半導体樹脂封
止金型の自己シール状態を示す断面図。
FIG. 2 is a sectional view showing a self-sealing state of the semiconductor resin sealing mold according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施の形態に係る半導体樹脂封
止金型の型閉じ状態を示す断面図。
FIG. 3 is a sectional view showing a closed state of the semiconductor resin sealing mold according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施の形態に係る半導体樹脂封
止金型の自己シール状態を示す断面図。
FIG. 4 is a sectional view showing a self-sealing state of a semiconductor resin sealing mold according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施の形態に係る半導体樹脂封
止金型の自己シール状態を示す断面図。
FIG. 5 is a sectional view showing a self-sealing state of a semiconductor resin sealing mold according to a third embodiment of the present invention.

【図6】従来の半導体樹脂封止金型の型開き状態を模式
的に示す断面図。
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a mold opening state of a conventional semiconductor resin sealing mold.

【図7】従来の半導体樹脂封止金型の型開き状態を示す
断面図。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a mold opening state of a conventional semiconductor resin sealing mold.

【図8】Oリングを設けた従来の半導体樹脂封止金型の
型開き状態を示す断面図。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing an open state of a conventional semiconductor resin sealing mold provided with an O-ring.

【図9】上下金型の嵌合面にOリングを設けた従来の半
導体樹脂封止金型の型開き状態を示す断面図。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a mold opening state of a conventional semiconductor resin sealing mold in which O-rings are provided on fitting surfaces of upper and lower molds.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、11…キャビティーブロック 2、12…キャビテイーホルダー 3、13…エジェクターホルダー 4、14…エジエクタープレート 5、24、26…シール 6…シールホルダー 7、17…締結ボルト 8、18…押し下げピンと押し上げピン 9、19、…Oリング 10、20…サポートピン 15、30…テーパー面 16…シール受けテーパーブロック 21、22、35…排気空間 23…シール受けブロック 25、28…上型ダイセットと下型ダイセット 27、29…上型、下型 31…プランジャー 32…樹脂タブレット 33…溶融樹脂の溜め 34…キャビティー 36、37…エジェクターピン 38…ガイドピン 39…ガイドピンの受け穴 40、41…Oリング 1, 11 ... cavity block 2, 12 ... cavity holder 3, 13 ... ejector holder 4, 14 ... ejector plate 5, 24, 26 ... seal 6 ... seal holder 7, 17 ... fastening bolt 8, 18 ... push-down pin Push-up pins 9, 19, O-rings 10, 20 Support pins 15, 30 Tapered surface 16 Seal taper blocks 21, 22, 35 Exhaust space 23 Seal seal blocks 25, 28 Upper die set and lower Die set 27, 29 ... Upper and lower molds 31 ... Plunger 32 ... Resin tablet 33 ... Pool of molten resin 34 ... Cavities 36, 37 ... Ejector pins 38 ... Guide pins 39 ... Guide pin receiving holes 40, 41 … O-ring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 英信 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地1 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Hidenobu Sato 25-1, Ekimae Honcho, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Toshiba Microelectronics Corporation

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 上下金型のいずれか1方の当接面の外周
にシールが形成された半導体樹脂封止金型であって、 前記シールは、前記上下金型の当接面が接触する前に、
前記シールの先端部の内面が他方の当接面の外周に接触
するように形成され、 かつ前記シールと前記上下金型の当接面とで形成される
空間に連結された排気用の開口部を備えたことを特徴と
する半導体装置樹脂封止金型。
1. A semiconductor resin sealing mold in which a seal is formed on an outer periphery of one of contact surfaces of upper and lower molds, wherein the seal contacts the contact surfaces of the upper and lower molds. before,
An exhaust opening formed so that an inner surface of a tip portion of the seal contacts an outer periphery of the other contact surface, and connected to a space formed by the seal and the contact surfaces of the upper and lower molds; A resin sealing mold for a semiconductor device, comprising:
【請求項2】 上下ダイセットのいずれか一方の外周に
シールが形成された半導体樹脂封止金型であって、 前記シールは、前記上下ダイセットによりそれぞれ保持
された上下金型の当接面が接触する前に、前記シールの
先端部の内面が他方のダイセットの外周に接触するよう
に形成され、 かつ前記シールと前記上下金型の当接面とで形成される
空間に連結された排気用の開口部を備えたことを特徴と
する半導体装置樹脂封止金型。
2. A semiconductor resin sealing mold in which a seal is formed on one of outer peripheries of an upper and lower die set, wherein the seal is a contact surface of the upper and lower die sets respectively held by the upper and lower die sets. Before the contact, the inner surface of the tip portion of the seal is formed so as to contact the outer periphery of the other die set, and is connected to the space formed by the seal and the contact surfaces of the upper and lower molds. A resin sealing mold for a semiconductor device comprising an exhaust opening.
【請求項3】 前記シールは、前記空間に連結された排
気用の開口部から排気することにより自己シール性を示
すものであることを特徴とする請求項1、2のいずれか
1つに記載の半導体装置樹脂封止金型。
3. The seal according to claim 1, wherein the seal exhibits a self-sealing property by exhausting air from an exhaust opening connected to the space. Semiconductor device resin mold.
【請求項4】 前記シールの先端部の内面が接触する前
記他方の当接面の外周は、前記上下金型の合わせ方向に
沿って前記シールの先端部が広がるようにテーパー角が
付与されたものであることを特徴とする請求項1記載の
記載の半導体装置樹脂封止金型。
4. The outer periphery of the other contact surface with which the inner surface of the tip of the seal contacts is tapered such that the tip of the seal spreads along the direction in which the upper and lower molds are aligned. 2. The resin mold for resin sealing of a semiconductor device according to claim 1, wherein
【請求項5】 前記シールの先端部の内面が接触する前
記他方のダイセットの外周は、前記上下金型の合わせ方
向に沿って前記シールの先端部が広がるようにテーパー
角が付与されたものであることを特徴とする請求項2記
載の記載の半導体装置樹脂封止金型。
5. The outer periphery of the other die set with which the inner surface of the tip of the seal contacts is tapered such that the tip of the seal spreads along the direction in which the upper and lower dies are aligned. 3. The resin mold for resin sealing of a semiconductor device according to claim 2, wherein:
【請求項6】 前記他方の当接面の外周には、前記他方
の当接面の周辺部を囲むように形成された突起物が形成
され、前記シールの先端部の内面は前記突起物の外周に
接触することを特徴とする請求項1記載の半導体装置樹
脂封止金型。
6. A projection formed around an outer periphery of the other contact surface so as to surround a peripheral portion of the other contact surface, and an inner surface of a tip portion of the seal is formed of the projection. 2. The resin sealing mold for a semiconductor device according to claim 1, wherein said mold is in contact with an outer periphery.
【請求項7】 前記空間における前記当接面の間隔は、
0.1mm以上、20mm以下であることを特徴とする
請求項1、2のいずれか1つに記載の半導体装置樹脂封
止金型。
7. The space between the contact surfaces in the space,
3. The resin mold for resin sealing of a semiconductor device according to claim 1, wherein the diameter is 0.1 mm or more and 20 mm or less. 4.
【請求項8】 上下金型のいずれか1方の当接面の外周
にシールを備えた半導体樹脂封止金型の封止方法であっ
て、 前記上下金型の当接面を互いに近接し、 前記上下金型の当接面が互いに接触する前に、前記シー
ルの先端部を他方の金型の外周に接触し、 かつ、前記接触した状態で前記シールと前記上下金型の
当接面とで囲まれた空間を排気することにより、さらに
前記シールを自己シールし、 前記自己シールされた前記上下金型の当接面を互いに接
触した後に、封止用樹脂を流入することを特徴とする半
導体装置樹脂封止金型の封止方法。
8. A method for sealing a semiconductor resin sealing mold having a seal on the outer periphery of one of the contact surfaces of the upper and lower molds, wherein the contact surfaces of the upper and lower molds are brought close to each other. Before the contact surfaces of the upper and lower molds come into contact with each other, the tip of the seal contacts the outer periphery of the other mold, and the contact surface between the seal and the upper and lower molds in the contact state By exhausting the space enclosed by and further self-sealing the seal, after the contact surfaces of the self-sealed upper and lower molds are contacted with each other, the sealing resin flows in. To seal a semiconductor device resin mold.
【請求項9】 上下金型をそれぞれ保持する上下ダイセ
ットのいずれか一方の外周にシールを備えた半導体樹脂
封止金型の封止方法であって、 前記上下金型の当接面が互いに接触する前に、前記シー
ルの先端部を他方のダイセットの外周に接触し、 かつ、前記接触した状態で前記シールと前記上下ダイセ
ットの当接面及び前記上下金型の当接面とで囲まれた空
間を排気することにより、さらに前記シールを自己シー
ルし、 前記自己シールにより減圧環境にされた前記上下金型の
当接面を互いに接触した後に、封止用樹脂を流入するこ
とを特徴とする半導体装置樹脂封止金型の封止方法。
9. A method for sealing a semiconductor resin sealing mold having a seal on an outer periphery of one of upper and lower die sets respectively holding an upper and lower mold, wherein the contact surfaces of the upper and lower molds are mutually Before the contact, the tip of the seal contacts the outer periphery of the other die set, and, in the contacted state, the seal and the contact surfaces of the upper and lower die sets and the contact surfaces of the upper and lower molds. By evacuating the enclosed space, the seal is further self-sealed, and after contacting the contact surfaces of the upper and lower molds that have been brought into a reduced pressure environment by the self-sealing, the sealing resin is flowed. A method for sealing a resin sealing mold for a semiconductor device.
【請求項10】 前記空間における前記当接面の間隔
は、0.1mm以上、20mm以下であることを特徴と
する請求項8、9のいずれか1つに記載の半導体装置樹
脂封止金型の封止方法。
10. The semiconductor device resin mold according to claim 8, wherein an interval between the contact surfaces in the space is 0.1 mm or more and 20 mm or less. Sealing method.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310553A (en) * 1993-04-22 1994-11-04 Toowa Kk Method and apparatus for molding resin sealing of electronic part

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310553A (en) * 1993-04-22 1994-11-04 Toowa Kk Method and apparatus for molding resin sealing of electronic part

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006305804A (en) * 2005-04-27 2006-11-09 Oshima Denki Seisakusho:Kk In-mold deposition system and in-mold film forming method

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