JPH1143491A - Pyrromethene metallic chelate compound and optical recording medium using the same - Google Patents

Pyrromethene metallic chelate compound and optical recording medium using the same

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JPH1143491A
JPH1143491A JP9203662A JP20366297A JPH1143491A JP H1143491 A JPH1143491 A JP H1143491A JP 9203662 A JP9203662 A JP 9203662A JP 20366297 A JP20366297 A JP 20366297A JP H1143491 A JPH1143491 A JP H1143491A
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JP
Japan
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group
recording medium
optical recording
compound
wavelength
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9203662A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Sasaki
浩之 佐々木
Yojiro Kumagai
洋二郎 熊谷
Tsutayoshi Misawa
伝美 三沢
Hirosuke Takuma
啓輔 詫摩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamamoto Chemicals Inc
Mitsui Chemicals Inc
Original Assignee
Yamamoto Chemicals Inc
Mitsui Chemicals Inc
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Publication date
Application filed by Yamamoto Chemicals Inc, Mitsui Chemicals Inc filed Critical Yamamoto Chemicals Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the subject new compound, comprising a specific pyrromethene metal chelate compound, capable of carrying out good high-density recording and reproducing with a laser at a wavelength within a specific range and usable in a recording layer of a write once type optical recording medium such as a compact disk. SOLUTION: This new pyrromethane type metallic chelate compound is represented by formula I (R1 to R7 are each H, a halogen, nitro, cyano, OH, amino, carboxyl, sulfonic acid, a 1-20C alkyl, an alkoxy, an aryl, a heteroaryl, a 2-20C alkenyl, etc.; X1 an X2 are each a 1-20C alkyl, a halogenoalkyl, an alkoxy, an alkylthio, an aryloxy, an arylthio, a heteroaryl or a halogen, with the proviso that X1 and X2 are not simultaneously the halogen) and is useful for an optical recording medium, etc., capable of carrying out the high-density recording and reproducing with a laser at a wavelength within the range of 520-690 nm. The compound is obtained by reacting pyrrole derivatives represented by formulae II and III in the presence of an acidic catalyst, then reacting the resultant compound with a boron trihalide and further reacting the obtained compound with a metallic alkoxide, etc.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なピロメテン
金属キレート化合物、及びこれを用いた、従来に比較し
て高密度に記録及び再生可能な光記録媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel pyrromethene metal chelate compound and an optical recording medium using the same, which can record and reproduce data at a higher density than before.

【0002】[0002]

【従来の技術】コンパクトディスク(以下、CDと略
す)規格に対応した追記型光記録媒体としてCD−R
(CD−Recordable)が提案・開発されてい
る[例えば、日経エレクトロニクス No. 465,
P.107, 1989年1月23日号、OPTICAL DA
TA STORAGE DIGEST SERIES vol.1 P45, 1989 等]。こ
のCD−Rは図1に示すように透明樹脂基板1上に記録
層2、反射層3、保護層4がこの順で積層されており、
該記録層に高パワーのレーザー光を照射することによ
り、記録層が物理的或いは化学的変化を起こし、ピット
の形で情報を記録する。形成されたピット部位に低パワ
ーのレーザー光を照射し、反射率の変化を検出すること
によりピットの情報を再生することができる。このよう
な光記録媒体の記録・再生には一般に波長770〜83
0nmの近赤外半導体レーザーを用いており、レッドブ
ックやオレンジブック等のCDの規格に準拠しているた
め、CDプレーヤーやCD−ROMプレーヤーと互換性
を有するという特徴を有する。
2. Description of the Related Art As a recordable optical recording medium conforming to the compact disk (hereinafter abbreviated as CD) standard, a CD-R is used.
(CD-Recordable) [for example, Nikkei Electronics No. 465
P. 107, January 23, 1989, OPTICAL DA
TA STORAGE DIGEST SERIES vol.1 P45, 1989 etc.]. In this CD-R, a recording layer 2, a reflective layer 3, and a protective layer 4 are laminated in this order on a transparent resin substrate 1 as shown in FIG.
By irradiating the recording layer with a high-power laser beam, the recording layer undergoes a physical or chemical change to record information in the form of pits. By irradiating a low-power laser beam to the formed pit portion and detecting a change in reflectance, pit information can be reproduced. For recording / reproducing such an optical recording medium, a wavelength of 770 to 83 is generally used.
Since it uses a near-infrared semiconductor laser of 0 nm and conforms to CD standards such as Red Book and Orange Book, it has the feature of being compatible with CD players and CD-ROM players.

【0003】しかし、上記の従来の媒体の記録容量は6
50MB程度であり、動画の記録を考慮すると容量が十
分でなく、情報量の飛躍的増加に伴い情報記録媒体に対
する高密度化・大容量化の要求は高まっている。
However, the recording capacity of the above-mentioned conventional medium is 6
The capacity is about 50 MB, which is not sufficient when recording moving images, and the demand for higher density and larger capacity of information recording media is increasing with the dramatic increase in the amount of information.

【0004】また、光ディスクシステムに利用される短
波長半導体レーザーの開発が進み、波長680nm、6
50nm及び635nmのの赤色半導体レーザーが実用
化されている[例えば、日経エレクトロニクス、No.
592、P.65、1993年10月11日号]。記録
・再生用レーザーの短波長化及び対物レンズの開口数を
大きくすることによりビームスポットを小さくすること
ができ、高密度な光記録媒体が可能になる。実際に半導
体レーザーの短波長化、対物レンズの開口数大化、デー
タ圧縮技術などにより動画を長時間記録できる大容量の
光記録媒体が開発されてきている〔例えば、日経エレク
トロニクス、No.589、P.55、1993年8月
30日号、No.594、P.169、1993年11
月8日号]。最近では、2時間以上の動画をデジタル記
録したデジタルビデオディスク(DVD)が開発されて
きた。DVDは4.7GBの記録容量を有する再生専用
の媒体であり、この容量に合った記録可能な光ディスク
の開発がさらに要望されている。
Further, development of short-wavelength semiconductor lasers used for optical disk systems has been advanced, and wavelengths of 680 nm and 6 nm have been developed.
Red semiconductor lasers of 50 nm and 635 nm have been put into practical use [for example, Nikkei Electronics, No.
592, p. 65, October 11, 1993]. By shortening the wavelength of the recording / reproducing laser and increasing the numerical aperture of the objective lens, the beam spot can be reduced, and a high-density optical recording medium can be realized. In fact, a large-capacity optical recording medium capable of recording a moving image for a long time has been developed by shortening the wavelength of a semiconductor laser, increasing the numerical aperture of an objective lens, and using data compression technology [for example, Nikkei Electronics, No. 589, p. 55, August 30, 1993, No. 594, p. 169, 1993 11
8th issue]. Recently, a digital video disk (DVD) in which a moving image of two hours or more is digitally recorded has been developed. The DVD is a read-only medium having a recording capacity of 4.7 GB, and there is a further demand for the development of a recordable optical disc suitable for this capacity.

【0005】また、YAGレーザーの高調波変換による
532nmのレーザーも実用可されている。
[0005] Further, a laser of 532 nm by harmonic conversion of a YAG laser has been practically used.

【0006】532nmよりさらに短波長の490nm
の青/緑色半導体レーザーも研究されているが、まだ実
用化の段階まで至っていない[例えば、Applied
Physics Letter,P.1272−12
74,Vol.59(1991)や『日経エレクトロニ
クス』No.552,P.90,1992年4月27日
号]。
490 nm, a wavelength shorter than 532 nm
Blue / green semiconductor lasers have been studied, but have not yet reached the stage of practical use [for example, Applied
Physics Letter, P.C. 1272-12
74, Vol. 59 (1991) and “Nikkei Electronics” No. 552, p. 90, April 27, 1992].

【0007】短波長レーザーを使用した場合、光ディス
クの線記録密度と半径方向記録密度は理論的には同等に
高密度化できるが、現状では、半径方向の記録密度は線
記録密度ほど大きくすることは困難である。レーザー光
は溝又はランドにより回折散乱されるため、トラックピ
ッチを狭くするほど信号検出光量が低下する。また、十
分なトラッキング信号が得られる深さを保ったままトラ
ックピッチを狭くするにも成形上限界がある。また溝が
深く狭いと、記録層を均一に成膜することが困難であ
る。さらに、溝とランドのエッジ部分は平滑ではなく微
小凹凸があるため、ノイズの原因となる。このような悪
影響はある程度トラックピッチが狭くなったところで急
激に生じる。これらのことを考慮すると、波長520n
mで対物レンズの開口数が0.6では溝ピッチの限界は
約0.5μmと考えられる。
When a short-wavelength laser is used, the linear recording density and the radial recording density of an optical disk can theoretically be increased to the same level, but at present, the recording density in the radial direction must be as large as the linear recording density. It is difficult. Since the laser beam is diffracted and scattered by the groove or the land, the signal detection light amount decreases as the track pitch decreases. Also, there is a molding limitation in reducing the track pitch while maintaining the depth at which a sufficient tracking signal can be obtained. If the groove is deep and narrow, it is difficult to form the recording layer uniformly. Furthermore, the edges of the grooves and lands are not smooth but have minute irregularities, which cause noise. Such an adverse effect occurs rapidly when the track pitch becomes narrow to some extent. Considering these, the wavelength 520n
At m and the numerical aperture of the objective lens is 0.6, the limit of the groove pitch is considered to be about 0.5 μm.

【0008】追記型光記録媒体の色素層にレーザー光を
照射し、物理変化又は化学変化を生じさせることでピッ
トを形成させる際、色素の光学定数、分解挙動が良好な
ピットができるかの重要な要素となる。分解しずらいも
のは感度が低下し、分解が激しいか又は、変化しやすい
ものはピット間及び半径方向のランド部への影響が大き
くなり、信頼性のあるピット形成が困難になる。従来の
CD−R媒体では、高密度で用いられているレーザー波
長では色素層の屈折率も低く、消衰係数も適度な値では
ないため、反射率が低く変調度が十分に取れなかった。
さらには、絞られたビームで小さいピットを開けるべき
ところが、周りへの影響が大きく分布の大きいピットに
なったり、半径方向へのクロストークが悪化した。逆に
ピットが極端に小さくなり十分な変調度が取れない場合
もあった。従って、記録層に用いる色素の光学的性質、
分解挙動の適切なものを選択する必要がある。
When pits are formed by irradiating a dye layer of a write-once optical recording medium with a laser beam to cause a physical change or a chemical change, it is important to determine whether pits having good optical constants and decomposition behavior of the dye can be formed. Element. Those that are difficult to decompose have reduced sensitivity, and those that decompose violently or are subject to change have a large effect on pits and lands in the radial direction, making reliable pit formation difficult. In a conventional CD-R medium, the refractive index of the dye layer is low and the extinction coefficient is not an appropriate value at a laser wavelength used at a high density, so that the reflectance is low and the modulation degree cannot be sufficiently obtained.
Furthermore, where a small pit should be opened with a narrowed beam, the influence on the surroundings is large and the pit has a large distribution, and crosstalk in the radial direction is deteriorated. Conversely, the pits became extremely small, and a sufficient degree of modulation could not be obtained. Therefore, the optical properties of the dye used in the recording layer,
It is necessary to select an appropriate decomposition behavior.

【0009】例えば、特開平6−199045号公報に
は、波長680nmの半導体レーザーで記録再生可能な
光記録媒体が提案されている。この媒体は、記録層にシ
アニン色素を用いており高密度の記録再生の可能性は示
しているものの、実際に高密度に記録した記述はない。
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-199045 proposes an optical recording medium that can record and reproduce information with a semiconductor laser having a wavelength of 680 nm. Although this medium uses a cyanine dye in the recording layer and shows the possibility of high-density recording / reproduction, there is no description of actually recording at high density.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
なピロメテン金属キレート化合物、及びこれを含有す
る、波長520〜690nmの短波長レーザーでの記録
及び再生が可能な高密度記録に適した光記録媒体を提供
することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a novel pyromethene metal chelate compound and a high-density recording medium containing the same, which can be recorded and reproduced with a short wavelength laser having a wavelength of 520 to 690 nm. An optical recording medium is provided.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明は、 下記一般式(I)で示されるピロメテン金属キレー
ト化合物。
Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, completed the present invention. That is, the present invention provides a pyrromethene metal chelate compound represented by the following general formula (I).

【0012】[0012]

【化2】 〔式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各
々独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基、スルホ
ン酸基、炭素数1〜20のアルキル基、ハロゲノアルキ
ル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキ
シアルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ
アルコキシ基、アルキルチオアルコキシ基、アシル基、
アルコキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル
基、ジアルキルアミノカルボニル基、アルキルカルボニ
ルアミノ基、アリ−ルカルボニルアミノ基、アリ−ルア
ミノカルボニル基、アリ−ルオキシカルボニル基、アラ
ルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルチ
オ基、アリ−ルチオ基、アルケニルオキシカルボニル
基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボ
ニルアルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルアル
コキシカルボニル基、モノ(ヒドロキシアルキル)アミ
ノカルボニル基、ジ(ヒドロキシアルキル)アミノカル
ボニル基、モノ(アルコキシアルキル)アミノカルボニ
ル基、ジ(アルコキシアルキル)アミノカルボニル基ま
たは炭素数2〜20のアルケニル基を表し、X1及びX2
は、炭素数1〜20のアルキル基、ハロゲノアルキル
基、アルコキシアルキル基、アルキルチオアルキル基、
ジアルキルアミノアルキル基、アルコキシ基、アルコキ
シアルコキシアルコキシ基、アルキルチオアルコキシ
基、ジアルキルアミノアルコキシ基、ジアルキルアミノ
アルコキシアルコキシ基、アルキルチオ基、アルコキシ
アルキルチオ基、アルキルチオアルキルチオ基、ジアル
キルアミノアルキルチオ基、アリ−ルオキシ基、アリ−
ルチオ基、ヘテロアリ−ル基、ヘテロアリ−ルオキシ
基、ヘテロアリ−ルチオ基及びハロゲン原子を表す。但
し、X1及びX2が同時にハロゲン原子になることはな
い。〕
Embedded image [Wherein, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, Sulfonic acid group, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, halogenoalkyl group, alkoxyalkyl group, alkoxy group, alkoxyalkoxy group, aryloxy group, dialkylaminoalkoxy group, alkylthioalkoxy group, acyl group,
Alkoxycarbonyl group, alkylaminocarbonyl group, dialkylaminocarbonyl group, alkylcarbonylamino group, arylcarbonylamino group, arylaminocarbonyl group, aryloxycarbonyl group, aralkyl group, aryl group, heteroaryl group, Alkylthio, arylthio, alkenyloxycarbonyl, aralkyloxycarbonyl, alkoxycarbonylalkoxycarbonyl, alkylcarbonylalkoxycarbonyl, mono (hydroxyalkyl) aminocarbonyl, di (hydroxyalkyl) aminocarbonyl, mono ( X 1 and X 2 represent an (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group, a di (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms.
Is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenoalkyl group, an alkoxyalkyl group, an alkylthioalkyl group,
Dialkylaminoalkyl group, alkoxy group, alkoxyalkoxyalkoxy group, alkylthioalkoxy group, dialkylaminoalkoxy group, dialkylaminoalkoxyalkoxy group, alkylthio group, alkoxyalkylthio group, alkylthioalkylthio group, dialkylaminoalkylthio group, aryloxy group, aryl −
A ruthio group, a heteroaryl group, a heteroaryloxy group, a heteroarylthio group and a halogen atom. However, X 1 and X 2 are not simultaneously halogen atoms. ]

【0013】 基板上に、少なくとも、記録層及び反
射層を有する光記録媒体において、記録層中に、記載
のピロメテン金属キレート化合物を含有する光記録媒
体、 波長520〜690nmの範囲から選択されるレー
ザー光に対して記録及び再生が可能である記載の光記
録媒体、 レーザー波長において、記録層の屈折率が1.8以
上、且つ、消衰係数が0.04〜0.40である記載
の光記録媒体、 波長520〜690nmの範囲から選択されるレー
ザー光に対して、基板側から測定した反射率が20%以
上である〜のいずれかに記載の光記録媒体、に関す
るものである。
In an optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, an optical recording medium containing the pyromethene metal chelate compound described in the recording layer, a laser selected from the wavelength range of 520 to 690 nm An optical recording medium described in which recording and reproduction are possible with respect to light, a light described in which the recording layer has a refractive index of 1.8 or more and an extinction coefficient of 0.04 to 0.40 at a laser wavelength. The present invention relates to the optical recording medium according to any one of-, wherein the recording medium has a reflectance of 20% or more measured from the substrate side with respect to a laser beam selected from the wavelength range of 520 to 690 nm.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の一般式(I)で示される
ピロメテン金属キレ−ト化合物において、R1、R2、R
3、R4、R5、R6及びR7の具体例としては、水素原
子;ニトロ基;シアノ基;ヒドロキシ基;アミノ基;カ
ルボキシ基;スルホン酸基;フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素のハロゲン原子;メチル基、エチル基、n-プロピル
基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-
ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチ
ル基、2-メチルブチル基、1-メチルブチル基、neo-ペン
チル基、1,2-ジメチルプロピル基、1,1-ジメチルプロピ
ル基、cyclo-ペンチル基、n-ヘキシル基、4-メチルペン
チル基、3-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1-
メチルペンチル基、3,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチ
ルブチル基、1,3-ジメチルブチル基、2,2-ジメチルブチ
ル基、1,2-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、
3-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-エチルブチル
基、1,2,2-トリメチルブチル基、1,1,2-トリメチルブチ
ル基、1-エチルブチル基、1,2,2-トリメチルブチル基、
1,1,2-トリメチルブチル基、1-エチル-2-メチルプロピ
ル基、cyclo-ヘキシル基、n-ヘプチル基、2-メチルヘキ
シル基、3-メチルヘキシル基、4-メチルヘキシル基、5-
メチルヘキシル基、2,4-ジメチルペンチル基、n-オクチ
ル基、2-エチルヘキシル基、2,5-ジメチルヘキシル基、
2,5,5-トリエチルペンチル基、2,4-ジメチルヘキシル
基、2,2,4-トリメチルペンチル基、n-ノニル基、3,5,5-
トリメチルヘキシル基、n-デシル基、4-エチルオクチル
基、4-エチル-4,5-ジメチルヘキシル基、n-ウンデシル
基、n-ドデシル基、1,3,5,7-テトラメチルオクチル基、
4-ブチルオクチル基、6,6-ジエチルオクチル基、n-ペン
タデシル基、3,5-ジメチルヘプチル基、2,6-ジメチルヘ
プチル基、2,4-ジメチルヘプチル基、2,2,5,5-テトラメ
チルヘキシル基、1-cyclo-ペンチル-2,2-ジメチルプロ
ピル基、1-cyclo-ヘキシル-2,2-ジメチルプロピル基等
の炭素数1〜20の直鎖、分岐又は環状のアルキル基;
クロロメチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル
基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、
ノナフルオロブチル基等のハロゲノアルキル基;メトキ
シエチル基、エトキシエチル基、iso-プロピルオキシエ
チル基、3-メトキシプロピル基、2-メトキシブチル基等
のアルコキシアルキル基;
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the pyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (I) of the present invention, R 1 , R 2 , R
3, R 4, R 5, specific examples of R 6 and R 7 is a hydrogen atom; a nitro group; a cyano group; a hydroxy group; an amino group; a carboxyl group; a sulfonic group; fluorine, chlorine, bromine, halogen iodine Atoms: methyl, ethyl, n-propyl, iso-propyl, n-butyl, iso-butyl, sec-
Butyl, tert-butyl, n-pentyl, iso-pentyl, 2-methylbutyl, 1-methylbutyl, neo-pentyl, 1,2-dimethylpropyl, 1,1-dimethylpropyl, cyclo -Pentyl, n-hexyl, 4-methylpentyl, 3-methylpentyl, 2-methylpentyl, 1-
Methylpentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2,3-dimethylbutyl, 1,3-dimethylbutyl, 2,2-dimethylbutyl, 1,2-dimethylbutyl, 1,1-dimethylbutyl Group,
3-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 1,2,2-trimethylbutyl group, 1,1,2-trimethylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 1,2,2-trimethylbutyl group,
1,1,2-trimethylbutyl group, 1-ethyl-2-methylpropyl group, cyclo-hexyl group, n-heptyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4-methylhexyl group, 5-
Methylhexyl group, 2,4-dimethylpentyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, 2,5-dimethylhexyl group,
2,5,5-triethylpentyl group, 2,4-dimethylhexyl group, 2,2,4-trimethylpentyl group, n-nonyl group, 3,5,5-
Trimethylhexyl group, n-decyl group, 4-ethyloctyl group, 4-ethyl-4,5-dimethylhexyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, 1,3,5,7-tetramethyloctyl group,
4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n-pentadecyl group, 3,5-dimethylheptyl group, 2,6-dimethylheptyl group, 2,4-dimethylheptyl group, 2,2,5,5 -A linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as -tetramethylhexyl group, 1-cyclo-pentyl-2,2-dimethylpropyl group, 1-cyclo-hexyl-2,2-dimethylpropyl group ;
Chloromethyl group, dichloromethyl group, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group,
A halogenoalkyl group such as a nonafluorobutyl group; an alkoxyalkyl group such as a methoxyethyl group, an ethoxyethyl group, an iso-propyloxyethyl group, a 3-methoxypropyl group, a 2-methoxybutyl group;

【0015】メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ
基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、iso-ブトキシ
基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、
iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ基、n-ヘキシルオキ
シ基、n−ドデシルオキシ基等のアルコキシ基;メトキ
シエトキシ基、エトキシエトキシ基、3-(iso-プロピル
オキシ)プロピルオキシ基等のアルコキシアルコキシ
基;フェノキシ基、2-メチルフェノキシ基、4-メチルフ
ェノキシ基、4-t-ブチルフェノキシ基、2-メトキシフェ
ノキシ基、4-iso-プロピルフェノキシ基等のアリールオ
キシ基;2-ジメチルアミノエトキシ基、2-(2-ジメチル
アミノエトキシ)エトキシ基、4-ジメチルアミノブトキ
シ基、1-ジメチルアミノプロパン-2-イルオキシ基、3-
ジメチルアミノプロポキシ基、2-ジメチルアミノ-2-メ
チルプロポキシ基、2-ジエチルアミノエトキシ基、2-(2
-ジエチルアミノエトキシ)エトキシ基、3-ジエチルア
ミノプロポキシ基、1-ジエチルアミノプロポキシ基、2-
ジ-iso-プロピルアミノエトキシ基、2-ジ-n-ブチルアミ
ノアミノエトキシ基等の直鎖又は分岐のジアルキルアミ
ノアルコキシ基;2-メチルチオエトキシ基、2-エチルチ
オエトキシ基、2-n-プロピルチオエトキシ基、2-iso-プ
ロピルチオエトキシ基、2-n-ブチルチオエトキシ基、2-
iso-ブチルチオエトキシ基等のアルキルチオアルコキシ
基;
Methoxy, ethoxy, n-propoxy, iso-propoxy, n-butoxy, iso-butoxy, sec-butoxy, t-butoxy, n-pentoxy,
Alkoxy groups such as iso-pentoxy group, neo-pentoxy group, n-hexyloxy group, n-dodecyloxy group; alkoxyalkoxy groups such as methoxyethoxy group, ethoxyethoxy group, 3- (iso-propyloxy) propyloxy group An aryloxy group such as a phenoxy group, a 2-methylphenoxy group, a 4-methylphenoxy group, a 4-t-butylphenoxy group, a 2-methoxyphenoxy group, a 4-iso-propylphenoxy group; a 2-dimethylaminoethoxy group; 2- (2-dimethylaminoethoxy) ethoxy group, 4-dimethylaminobutoxy group, 1-dimethylaminopropan-2-yloxy group, 3-
Dimethylaminopropoxy group, 2-dimethylamino-2-methylpropoxy group, 2-diethylaminoethoxy group, 2- (2
-Diethylaminoethoxy) ethoxy group, 3-diethylaminopropoxy group, 1-diethylaminopropoxy group, 2-
Linear or branched dialkylaminoalkoxy groups such as di-iso-propylaminoethoxy group, 2-di-n-butylaminoaminoethoxy group; 2-methylthioethoxy group, 2-ethylthioethoxy group, 2-n-propyl Thioethoxy group, 2-iso-propylthioethoxy group, 2-n-butylthioethoxy group, 2-
alkylthioalkoxy groups such as iso-butylthioethoxy group;

【0016】ホルミル基、アセチル基、エチルカルボニ
ル基、n-プロピルカルボニル基、iso-プロピルカルボニ
ル基、n-ブチルカルボニル基、n-ペンチルカルボニル
基、iso-ペンチルカルボニル基、neo-ペンチルカルボニ
ル基、2-メチルブチルカルボニル基、ニトロベンジルカ
ルボニル基等のアシル基;メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、
2,4-ジメチルブチルオキシカルボニル基等のアルコキシ
カルボニル基;メチルアミノカルボニル基、エチルアミ
ノカルボニル基、n-プロピルアミノカルボニル基、n-ブ
チルアミノカルボニル基、n-ヘキシルアミノカルボニル
基等のアルキルアミノカルボニル基;ジメチルアミノカ
ルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジ-n-プロ
ピルアミノカルボニル基、ジ-n-ブチルアミノカルボニ
ル基、N-メチル-N-シクロヘキシルアミノカルボニル基
等のジアルキルアミノカルボニル基;アセチルアミノ
基、エチルカルボニルアミノ基、ブチルカルボニルアミ
ノ基等のアルキルカルボニルアミノ基;フェニルアミノ
カルボニル基、4-メチルフェニルアミノカルボニル基、
2-メトキシフェニルアミノカルボニル基、4-n-プロピル
フェニルアミノカルボニル基等のアリールアミノカルボ
ニル基;フェニルカルボニルアミノ基、4-エチルフェニ
ルカルボニルアミノ基、3-ブチルフェニルカルボニルア
ミノ基等のアリ−ルカルボニルアミノ基;フェノキシカ
ルボニル基、2-メチルフェノキシカルボニル基、4-メト
キシフェノキシカルボニル基、4-t-ブチルフェノキシカ
ルボニル基等のアリ−ルオキシカルボニル基;
Formyl group, acetyl group, ethylcarbonyl group, n-propylcarbonyl group, iso-propylcarbonyl group, n-butylcarbonyl group, n-pentylcarbonyl group, iso-pentylcarbonyl group, neo-pentylcarbonyl group, 2 Acyl groups such as -methylbutylcarbonyl group and nitrobenzylcarbonyl group; methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, isopropyloxycarbonyl group,
Alkoxycarbonyl groups such as 2,4-dimethylbutyloxycarbonyl group; alkylaminocarbonyl groups such as methylaminocarbonyl group, ethylaminocarbonyl group, n-propylaminocarbonyl group, n-butylaminocarbonyl group and n-hexylaminocarbonyl group Dimethylaminocarbonyl group, diethylaminocarbonyl group, di-n-propylaminocarbonyl group, di-n-butylaminocarbonyl group, dialkylaminocarbonyl group such as N-methyl-N-cyclohexylaminocarbonyl group; acetylamino group, Alkylcarbonylamino groups such as ethylcarbonylamino group and butylcarbonylamino group; phenylaminocarbonyl group, 4-methylphenylaminocarbonyl group,
Arylaminocarbonyl groups such as 2-methoxyphenylaminocarbonyl group and 4-n-propylphenylaminocarbonyl group; arylcarbonyl groups such as phenylcarbonylamino group, 4-ethylphenylcarbonylamino group and 3-butylphenylcarbonylamino group An amino group; an aryloxycarbonyl group such as a phenoxycarbonyl group, a 2-methylphenoxycarbonyl group, a 4-methoxyphenoxycarbonyl group, or a 4-t-butylphenoxycarbonyl group;

【0017】ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノベ
ンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル基、
ジメチルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジクロロ
ベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシベンジル
基、トリフルオロベンジル基、ナフチルメチル基、ニト
ロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル基、トリフ
ルオロメチルナフチルメチル基等のアラルキル基;フェ
ニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、ヒドロ
キシフェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル
基、トリメチルフェニル基、ジクロロフェニル基、メト
キシフェニル基、エトキシフェニル基、トリフルオロメ
チルフェニル基、N,N-ジメチルアミノフェニル基、ナフ
チル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロ
キシナフチル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチ
ルナフチル基等のアリール基;ピロリル基、チエニル
基、フラニル基、オキサゾイル基、イソオキサゾイル
基、オキサジアゾイル基、イミダゾイル基、ベンゾオキ
サゾイル基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾイミダゾイル
基、ベンゾフラニル基、インドイル基等のヘテロアリー
ル基;
Benzyl, nitrobenzyl, cyanobenzyl, hydroxybenzyl, methylbenzyl,
Aralkyl groups such as dimethylbenzyl, trimethylbenzyl, dichlorobenzyl, methoxybenzyl, ethoxybenzyl, trifluorobenzyl, naphthylmethyl, nitronaphthylmethyl, cyanonaphthylmethyl, trifluoromethylnaphthylmethyl; Phenyl, nitrophenyl, cyanophenyl, hydroxyphenyl, methylphenyl, dimethylphenyl, trimethylphenyl, dichlorophenyl, methoxyphenyl, ethoxyphenyl, trifluoromethylphenyl, N, N-dimethylamino Aryl groups such as phenyl, naphthyl, nitronaphthyl, cyanonaphthyl, hydroxynaphthyl, methylnaphthyl, trifluoromethylnaphthyl; pyrrolyl, thienyl, furanyl, oxa Heteroaryl groups such as zoyl group, isoxazoyl group, oxadiazoyl group, imidazoyl group, benzoxazoyl group, benzothiazoyl group, benzimidazoyl group, benzofuranyl group and indoyl group;

【0018】メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピル
チオ基、iso-プロピルチオ基、n-ブチルチオ基、iso-ブ
チルチオ基、sec-ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、n-ペ
ンチルチオ基、iso-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチ
オ基、1-メチルブチルチオ基、neo-ペンチルチオ基、1,
2-ジメチルプロピルチオ基、1,1-ジメチルプロピルチオ
基等のアルキルチオ基;フェニルチオ基、4-メチルフェ
ニルチオ基、2-メトキシフェニルチオ基、4-t-ブチルフ
ェニルチオ基等のアリ−ルチオ基;アリルオキシカルボ
ニル基、2-ブテノキシカルボニル基等のアルケニルオキ
シカルボニル基;ベンジルオキシカルボニル基、フェネ
チルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニ
ル基;メトキシカルボニルメトキシカルボニル基、エト
キシカルボニルメトキシカルボニル基、n-プロポキシカ
ルボニルメトキシカルボニル基、イソプロポキシカルボ
ニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニルア
ルコキシカルボニル基;メチルカルボニルメトキシカル
ボニル基、エチルカルボニルメトキシカルボニル基等の
アルキルカルボニルアルコキシカルボニル基;
Methylthio, ethylthio, n-propylthio, iso-propylthio, n-butylthio, iso-butylthio, sec-butylthio, t-butylthio, n-pentylthio, iso-pentylthio, 2 -Methylbutylthio group, 1-methylbutylthio group, neo-pentylthio group, 1,
Alkylthio groups such as 2-dimethylpropylthio group and 1,1-dimethylpropylthio group; arylthio groups such as phenylthio group, 4-methylphenylthio group, 2-methoxyphenylthio group and 4-t-butylphenylthio group Alkenyloxycarbonyl groups such as allyloxycarbonyl group and 2-butenoxycarbonyl group; aralkyloxycarbonyl groups such as benzyloxycarbonyl group and phenethyloxycarbonyl group; methoxycarbonylmethoxycarbonyl group, ethoxycarbonylmethoxycarbonyl group, n -Alkoxycarbonylalkoxycarbonyl groups such as -propoxycarbonylmethoxycarbonyl group and isopropoxycarbonylmethoxycarbonyl group; alkylcarbonylalkoxy groups such as methylcarbonylmethoxycarbonyl group and ethylcarbonylmethoxycarbonyl group Alkoxycarbonyl group;

【0019】ヒドロキシエチルアミノカルボニル基、2-
ヒドロキシプロピルアミノカルボニル基、3-ヒドロキシ
プロピルアミノカルボニル基等のモノ(ヒドロキシアル
キル)アミノカルボニル基;ジ(ヒドロキシエチル)ア
ミノカルボニル基、ジ(2-ヒドロキシプロピル)アミノ
カルボニル基、ジ(3-ヒドロキシプロピル)アミノカル
ボニル基等のジ(ヒドロキシアルキル)アミノカルボニ
ル基;メトキシメチルアミノカルボニル基、メトキシエ
チルアミノカルボニル基、エトキシメチルアミノカルボ
ニル基、エトキシエチルアミノカルボニル基、プロポキ
シエチルアミノカルボニル基等のモノ(アルコキシアル
キル)アミノカルボニル基;ジ(メトキシエチル)アミ
ノカルボニル基、ジ(エトキシメチル)アミノカルボニ
ル基、ジ(エトキシエチル)アミノカルボニル基、ジ
(プロポキシエチル)アミノカルボニル基等のジ(アル
コキシアルキル)アミノカルボニル基;ビニル基、プロ
ペニル基、1-ブテニル基、iso-ブテニル基、1-ペンテニ
ル基、2-ペンテニル基、2-メチル-1-ブテニル基、3-メ
チル-1-ブテニル基、2-メチル-2-ブテニル基、2,2-ジシ
アノビニル基、2-シアノ-2-メチルカルボキシルビニル
基、2-シアノ-2-メチルスルホンビニル基等のアルケニ
ル基等が挙げられる。
Hydroxyethylaminocarbonyl group, 2-
Mono (hydroxyalkyl) aminocarbonyl groups such as hydroxypropylaminocarbonyl group and 3-hydroxypropylaminocarbonyl group; di (hydroxyethyl) aminocarbonyl group, di (2-hydroxypropyl) aminocarbonyl group, di (3-hydroxypropyl ) Di (hydroxyalkyl) aminocarbonyl groups such as aminocarbonyl group; mono (alkoxyalkyl groups such as methoxymethylaminocarbonyl group, methoxyethylaminocarbonyl group, ethoxymethylaminocarbonyl group, ethoxyethylaminocarbonyl group, propoxyethylaminocarbonyl group, etc. ) Aminocarbonyl group; di (methoxyethyl) aminocarbonyl group, di (ethoxymethyl) aminocarbonyl group, di (ethoxyethyl) aminocarbonyl group, di (propoxyethyl) Di (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group such as minocarbonyl group; vinyl group, propenyl group, 1-butenyl group, iso-butenyl group, 1-pentenyl group, 2-pentenyl group, 2-methyl-1-butenyl group, 3 Alkenyl groups such as -methyl-1-butenyl group, 2-methyl-2-butenyl group, 2,2-dicyanovinyl group, 2-cyano-2-methylcarboxylvinyl group, and 2-cyano-2-methylsulfonevinyl group And the like.

【0020】X1、X2の具体例としては、メチル基、エ
チル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、
iso-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペン
チル基、iso-ペンチル基、2-メチルブチル基、1-メチル
ブチル基、neo-ペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、
1,1-ジメチルプロピル基、cyclo-ペンチル基、n-ヘキシ
ル基、4-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、2-メ
チルペンチル基、1-メチルペンチル基、3,3-ジメチルブ
チル基、2,3-ジメチルブチル基、1,3-ジメチルブチル
基、2,2-ジメチルブチル基、1,2-ジメチルブチル基、1,
1-ジメチルブチル基、3-エチルブチル基、2-エチルブチ
ル基、1-エチルブチル基、1,2,2-トリメチルブチル基、
1,1,2-トリメチルブチル基、1-エチルブチル基、1,2,2-
トリメチルブチル基、1,1,2-トリメチルブチル基、1-エ
チル-2-メチルプロピル基、cyclo-ヘキシル基、n-ヘプ
チル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-
メチルヘキシル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチル
ペンチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,5-
ジメチルヘキシル基、2,5,5-トリエチルペンチル基、2,
4-ジメチルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル基、
n-ノニル基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-デシル
基、4-エチルオクチル基、4-エチル-4,5-ジメチルヘキ
シル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、1,3,5,7-テト
ラメチルオクチル基、4-ブチルオクチル基、6,6-ジエチ
ルオクチル基、n-ペンタデシル基、3,5-ジメチルヘプチ
ル基、2,6-ジメチルヘプチル基、2,4-ジメチルヘプチル
基、2,2,5,5-テトラメチルヘキシル基、1-cyclo-ペンチ
ル-2,2-ジメチルプロピル基、1-cyclo-ヘキシル-2,2-ジ
メチルプロピル基等の炭素数1〜20の直鎖、分岐又は
環状のアルキル基;
Specific examples of X 1 and X 2 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an iso-propyl group, an n-butyl group,
iso-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, iso-pentyl group, 2-methylbutyl group, 1-methylbutyl group, neo-pentyl group, 1,2-dimethylpropyl group,
1,1-dimethylpropyl group, cyclo-pentyl group, n-hexyl group, 4-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-methylpentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group,
1-dimethylbutyl group, 3-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 1,2,2-trimethylbutyl group,
1,1,2-trimethylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 1,2,2-
Trimethylbutyl group, 1,1,2-trimethylbutyl group, 1-ethyl-2-methylpropyl group, cyclo-hexyl group, n-heptyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4-
Methylhexyl group, 5-methylhexyl group, 2,4-dimethylpentyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, 2,5-
Dimethylhexyl group, 2,5,5-triethylpentyl group, 2,
4-dimethylhexyl group, 2,2,4-trimethylpentyl group,
n-nonyl group, 3,5,5-trimethylhexyl group, n-decyl group, 4-ethyloctyl group, 4-ethyl-4,5-dimethylhexyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, 1, 3,5,7-tetramethyloctyl group, 4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n-pentadecyl group, 3,5-dimethylheptyl group, 2,6-dimethylheptyl group, 2,4- Dimethylheptyl group, 2,2,5,5-tetramethylhexyl group, 1-cyclo-pentyl-2,2-dimethylpropyl group, 1-cyclo-hexyl-2,2-dimethylpropyl group, etc. 20 linear, branched or cyclic alkyl groups;

【0021】クロロメチル基、ジクロロメチル基、フル
オロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ノナフルオロブチル基等のハロゲノアルキル
基;メトキシエチル基、エトキシエチル基、iso-プロピ
ルオキシエチル基、3-メトキシプロピル基、2-メトキシ
ブチル基等のアルコキシアルキル基;2-メチルチオエチ
ル基、2-エチルチオエチル基、2-n-プロピルチオエチル
基、2-iso-プロピルチオエチル基、2-n-ブチルチオエチ
ル基、2-iso-ブチルチオエチル基等のアルキルチオアル
キル基;2-ジメチルアミノエチル基、2-(2-ジメチルア
ミノエトキシ)エチル基、4-ジメチルアミノブチル基、1
-ジメチルアミノプロパン-2-イル基、3-ジメチルアミノ
プロピル基、2-ジ-iso-プロピルアミノエチル基、2-ジ-
n-ブチルアミノエチル基等の直鎖又は分岐のジアルキル
アミノアルキル基;
Halogenoalkyl groups such as chloromethyl group, dichloromethyl group, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group and nonafluorobutyl group; methoxyethyl group, ethoxyethyl group, iso-propyloxyethyl group; Alkoxyalkyl groups such as 3-methoxypropyl group and 2-methoxybutyl group; 2-methylthioethyl group, 2-ethylthioethyl group, 2-n-propylthioethyl group, 2-iso-propylthioethyl group, 2- alkylthioalkyl groups such as n-butylthioethyl group and 2-iso-butylthioethyl group; 2-dimethylaminoethyl group, 2- (2-dimethylaminoethoxy) ethyl group, 4-dimethylaminobutyl group, 1
-Dimethylaminopropan-2-yl group, 3-dimethylaminopropyl group, 2-di-iso-propylaminoethyl group, 2-di-
a linear or branched dialkylaminoalkyl group such as an n-butylaminoethyl group;

【0022】メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ
基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、iso-ブトキシ
基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、
iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ基、n-ヘキシルオキ
シ基、n-ドデシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、
4-メチルシクロヘキシルオキシ基、4-エチルシクロヘキ
シルオキシ基、2-n-プロピルシクロヘキシルオキシ基、
4-t-ブチルシクロヘキシルオキシ基、アダマンタン-1-
イルオキシ基、ボルネオル基等のアルコキシ基;2-メト
キシエトキシ基、1-メトキシブタン-2-イルオキシ基、1
-メトキシブタン-1-イルオキシ基、1-メトキシプロパン
-2-イルオキシ基、2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ
基、2-エトキシエトキシ基、2-(エトキシエトキシ)エト
キシ基、2-エトキシプロパン-2-イルオキシ基、2-iso-
プロポキシエトキシ基、2-ブトキシエトキシ基、2-iso-
ブトキシエトキシ基、2-t-ブトキシエトキシ基、2-(2-
ブトキシエトキシ)エトキシ基等の直鎖又は分岐のアル
コキシアルコキシ基;2-メチルチオエトキシ基、2-エチ
ルチオエトキシ基、2-n-プロピルチオエトキシ基、2-is
o-プロピルチオエトキシ基、2-n-ブチルチオエトキシ
基、2-iso-ブチルチオエトキシ基等のアルキルチオアル
コキシ基;2-ジメチルアミノエトキシ基、2-(2-ジメチ
ルアミノエトキシ)エトキシ基、4-ジメチルアミノブト
キシ基、1-ジメチルアミノプロパン-2-イルオキシ基、3
-ジメチルアミノプロポキシ基、2-ジメチルアミノ-2-メ
チルプロポキシ基、2-ジエチルアミノエトキシ基、2-(2
-ジエチルアミノエトキシ)エトキシ基、3-ジエチルア
ミノプロポキシ基、1-ジエチルアミノプロポキシ基、2-
ジ-iso-プロピルアミノエトキシ基、2-ジ-n-ブチルアミ
ノアミノエトキシ基等の直鎖又は分岐のジアルキルアミ
ノアルコキシ基;フェノキシ基、2-メチルフェノキシ
基、4-メチルフェノキシ基、4-t-ブチルフェノキシ基、
2-メトキシフェノキシ基、4-iso-プロピルフェノキシ基
等のアリールオキシ基;
Methoxy, ethoxy, n-propoxy, iso-propoxy, n-butoxy, iso-butoxy, sec-butoxy, t-butoxy, n-pentoxy,
iso-pentoxy group, neo-pentoxy group, n-hexyloxy group, n-dodecyloxy group, cyclohexyloxy group,
4-methylcyclohexyloxy group, 4-ethylcyclohexyloxy group, 2-n-propylcyclohexyloxy group,
4-t-butylcyclohexyloxy group, adamantane-1-
Alkoxy groups such as yloxy group and borneol group; 2-methoxyethoxy group, 1-methoxybutan-2-yloxy group, 1
-Methoxybutan-1-yloxy group, 1-methoxypropane
2-yloxy group, 2- (2-methoxyethoxy) ethoxy group, 2-ethoxyethoxy group, 2- (ethoxyethoxy) ethoxy group, 2-ethoxypropan-2-yloxy group, 2-iso-
Propoxyethoxy group, 2-butoxyethoxy group, 2-iso-
Butoxyethoxy group, 2-t-butoxyethoxy group, 2- (2-
Butoxyethoxy) a straight-chain or branched alkoxyalkoxy group such as an ethoxy group; 2-methylthioethoxy group, 2-ethylthioethoxy group, 2-n-propylthioethoxy group, 2-is
alkylthioalkoxy groups such as o-propylthioethoxy group, 2-n-butylthioethoxy group and 2-iso-butylthioethoxy group; 2-dimethylaminoethoxy group, 2- (2-dimethylaminoethoxy) ethoxy group, 4 -Dimethylaminobutoxy group, 1-dimethylaminopropan-2-yloxy group, 3
-Dimethylaminopropoxy group, 2-dimethylamino-2-methylpropoxy group, 2-diethylaminoethoxy group, 2- (2
-Diethylaminoethoxy) ethoxy group, 3-diethylaminopropoxy group, 1-diethylaminopropoxy group, 2-
Linear or branched dialkylaminoalkoxy groups such as di-iso-propylaminoethoxy group, 2-di-n-butylaminoaminoethoxy group; phenoxy group, 2-methylphenoxy group, 4-methylphenoxy group, 4-t -Butylphenoxy group,
Aryloxy groups such as 2-methoxyphenoxy group and 4-iso-propylphenoxy group;

【0023】メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピル
チオ基、iso-プロピルチオ基、n-ブチルチオ基、iso-ブ
チルチオ基、sec-ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、n-ペ
ンチルチオ基、iso-ペンチルチオ基、1,2-ジメチルプロ
ピルチオ基、1,1-ジメチルプロピルチオ基等のアルキル
チオ基;フェニルチオ基、2-メチルフェニルチオ基、4-
メチルフェニルチオ基、4-t-ブチルフェニルチオ基、2-
メトキシフェニルチオ基、4-t-ブチルフェニルチオ基等
のアリールチオ基;フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲン原子を挙げることができる。
Methylthio, ethylthio, n-propylthio, iso-propylthio, n-butylthio, iso-butylthio, sec-butylthio, t-butylthio, n-pentylthio, iso-pentylthio, Alkylthio groups such as 1,2-dimethylpropylthio and 1,1-dimethylpropylthio; phenylthio, 2-methylphenylthio, 4-
Methylphenylthio group, 4-t-butylphenylthio group, 2-
Arylthio groups such as methoxyphenylthio group and 4-t-butylphenylthio group; and halogen atoms of fluorine, chlorine, bromine and iodine.

【0024】本発明の一般式(I)で示されるピロメテ
ン金属キレート化合物は、以下のようにして容易に製造
することができる。即ち代表的には、まず、一般式(I
I)で示される化合物と一般式(III)で示される化合
物、または一般式(IV)で示される化合物と一般式
(V)で示される化合物を例えば臭化水素酸、塩化水
素、オキシ塩化リン等の酸触媒の存在下で反応させる、
或いは(II)または(IV)で示される化合物と一般式
(VI)で示される化合物を反応させる。次いで三フッ化
ホウ素、三塩化ホウ素等と反応させ一般式(VII)で示
される化合物を合成する。次にナトリウムメトキシド、
カリウムエトキシド等のアルコキシド類、ナトリウムフ
ェノキシド、ナトリウム-2-メトキシフェノキシド等の
フェノキシド類、ブチルマグネシウムブロマイド、ブチ
ルリチウム、フェニルマグネシウムブロマイド等の有機
金属試薬類、メチルメルカプタンナトリウム、4-t-ブチ
ルフェニルチオ−ルナトリウム塩等のチオ−ル塩類等と
反応する。
The pyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (I) of the present invention can be easily produced as follows. That is, typically, first, the general formula (I
A compound represented by the formula (I) and a compound represented by the general formula (III), or a compound represented by the general formula (IV) and a compound represented by the general formula (V) are converted into, for example, hydrobromic acid, hydrogen chloride, phosphorus oxychloride Reaction in the presence of an acid catalyst such as
Alternatively, the compound represented by the general formula (VI) is reacted with the compound represented by the formula (II) or (IV). Then, the compound is reacted with boron trifluoride, boron trichloride or the like to synthesize a compound represented by the general formula (VII). Then sodium methoxide,
Alkoxides such as potassium ethoxide, phenoxides such as sodium phenoxide and sodium-2-methoxyphenoxide, organometallic reagents such as butylmagnesium bromide, butyllithium and phenylmagnesium bromide, sodium methylmercaptan, 4-t-butylphenylthio -Reacts with thiol salts such as sodium salt.

【0025】[0025]

【化3】 (式中、R5、R6及びR7は前記に同じ。)Embedded image (In the formula, R 5 , R 6 and R 7 are the same as described above.)

【0026】[0026]

【化4】 (式中、R1、R2、R3及びR4は前記に同じ。)Embedded image (In the formula, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are the same as described above.)

【0027】[0027]

【化5】 (式中、R1、R2及びR3は前記に同じ。)Embedded image (In the formula, R 1 , R 2 and R 3 are the same as described above.)

【0028】[0028]

【化6】 (式中、R4、R5、R6及びR7は前記に同じ。)Embedded image (In the formula, R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are the same as described above.)

【0029】[0029]

【化7】 (式中、R4は前記に同じ。X3は塩素、臭素を表す。)Embedded image (In the formula, R 4 is the same as above. X 3 represents chlorine or bromine.)

【0030】[0030]

【化8】 (式中、X4及びX5はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素を表
す。)
Embedded image (In the formula, X 4 and X 5 represent fluorine, chlorine, bromine, and iodine.)

【0031】一般式(I)で示されるピロメテン金属キ
レ−ト化合物の具体例としては、表−1に示す置換基を
有する化合物が挙げられる。
Specific examples of the pyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (I) include compounds having a substituent shown in Table 1.

【0032】[0032]

【表1】 [Table 1]

【0033】[0033]

【表2】 [Table 2]

【0034】[0034]

【表3】 [Table 3]

【0035】[0035]

【表4】 [Table 4]

【0036】[0036]

【表5】 [Table 5]

【0037】[0037]

【表6】 [Table 6]

【0038】[0038]

【表7】 [Table 7]

【0039】[0039]

【表8】 [Table 8]

【0040】[0040]

【表9】 [Table 9]

【0041】[0041]

【表10】 [Table 10]

【0042】[0042]

【表11】 [Table 11]

【0043】本発明の記録媒体の具体的構成について以
下に説明する。光記録媒体とは予め情報を記録されてい
る再生専用の光再生専用媒体及び情報を記録して再生す
ることのできる光記録媒体の両方を示すものである。但
し、ここでは適例として後者の情報を記録して再生ので
きる光記録媒体、特に基板上に記録層、反射層を有する
光記録媒体に関して説明する。この光記録媒体は図1に
示すような基板、記録層、反射層及び保護層が順次積層
している4層構造を有しているか、図2に示すような貼
り合わせ構造を有している。即ち、基板1’上に記録層
2’が形成されており、その上に密着して反射層3’が
設けられており、さらにその上に接着層4’を介して基
板5’が貼り合わされている。ただし、記録層2’の下
または上に別の層があってもよく、反射層の上に別の層
があってもかまわない。
The specific structure of the recording medium of the present invention will be described below. The optical recording medium refers to both a read-only optical read-only medium on which information is recorded in advance and an optical recording medium capable of recording and reproducing information. Here, as an example, an optical recording medium capable of recording and reproducing the latter information, in particular, an optical recording medium having a recording layer and a reflective layer on a substrate will be described. This optical recording medium has a four-layer structure in which a substrate, a recording layer, a reflective layer, and a protective layer are sequentially laminated as shown in FIG. 1, or has a laminated structure as shown in FIG. . That is, a recording layer 2 'is formed on a substrate 1', a reflective layer 3 'is provided in close contact with the recording layer 2', and a substrate 5 'is further laminated thereon via an adhesive layer 4'. ing. However, another layer may be provided below or above the recording layer 2 ', or another layer may be provided above the reflective layer.

【0044】基板の材質としては、基本的には記録光及
び再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチ
ル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成
形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピットを
形成することもある。このような案内溝やピットは、基
板の成形時に付与することが好ましいが、基板の上に紫
外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。通常C
Dとして用いる場合は、厚さ1.2mm程度、直径80
ないし120mm程度の円盤状であり、中央に直径15
mm程度の穴が開いている。
As a material of the substrate, basically, any material may be used as long as it is transparent at the wavelength of the recording light and the reproducing light. For example, polymer materials such as acrylic resins such as polycarbonate resin, vinyl chloride resin and polymethyl methacrylate, polystyrene resins and epoxy resins, and inorganic materials such as glass are used. These substrate materials are formed into a disk shape by injection molding or the like. If necessary, guide grooves or pits may be formed on the substrate surface. Such guide grooves and pits are preferably provided at the time of molding the substrate, but may also be provided on the substrate using an ultraviolet curable resin layer. Normal C
When used as D, the thickness is about 1.2 mm and the diameter is 80
~ 120mm disc with 15mm diameter in the center
There is a hole of about mm.

【0045】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、λmaxが450〜630nm
付近に存在する一般式(I)で示されるピロメテン金属
キレート化合物を含有する。中でも、520nm〜69
0nmから選択される記録及び再生レーザー波長に対し
て適度な光学定数(光学定数は複素屈折率(n+ki)
で表現される。式中のn,kは、実数部nと虚数部kに
相当する係数である。ここでは、nを屈折率、kを消衰
係数とする。)を有する必要がある。
In the present invention, a recording layer is provided on a substrate, and the recording layer of the present invention has a λmax of 450 to 630 nm.
It contains a pyromethene metal chelate compound represented by the general formula (I) present nearby. Among them, 520 nm to 69
Optical constant appropriate for the recording and reproducing laser wavelength selected from 0 nm (optical constant is complex refractive index (n + ki)
Is represented by N and k in the expression are coefficients corresponding to the real part n and the imaginary part k. Here, n is a refractive index, and k is an extinction coefficient. ).

【0046】一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率
nと消衰係数kが大きく変化する特徴がある。nが1.
8より小さい値になると正確な信号読み取りに必要な反
射率と信号変調度は得られず、kが0.40を越えても
反射率が低下して良好な再生信号が得られないだけでな
く、再生光により信号が変化しやすくなり実用に適さな
い。この特徴を考慮して、目的とするレーザー波長にお
いて好ましい光学定数を有する有機色素を選択し記録層
を成膜することで、高い反射率を有し、且つ、感度の良
い媒体とすることができる。
In general, an organic dye is characterized in that the refractive index n and the extinction coefficient k greatly change with respect to the wavelength λ. n is 1.
If the value is less than 8, the reflectance and the signal modulation required for accurate signal reading cannot be obtained. Even if k exceeds 0.40, the reflectance is reduced and not only a good reproduced signal cannot be obtained. However, the signal tends to change due to the reproduction light, which is not suitable for practical use. In consideration of this feature, by selecting an organic dye having a preferable optical constant at a target laser wavelength and forming a recording layer, a medium having high reflectance and high sensitivity can be obtained. .

【0047】本発明の一般式(I)で表される化合物
は、通常の有機色素に比べ、吸光係数が高く、また置換
基の選択により吸収波長域を任意に選択できるため、前
記レーザー光の波長において記録層に必要な光学定数
(nが1.8以上、且つ、kが0.04〜0.40であ
り、好ましくは、nが2.0以上で、且つ、kが0.0
4〜0.20)を満足する極めて有用な化合物である。
The compound represented by the general formula (I) of the present invention has a higher absorption coefficient than ordinary organic dyes, and the absorption wavelength range can be arbitrarily selected by selecting a substituent. Optical constants required for the recording layer at the wavelength (n is 1.8 or more and k is 0.04 to 0.40, preferably, n is 2.0 or more and k is 0.0
It is a very useful compound that satisfies 4-0.20).

【0048】本発明の光記録媒体を520nm〜690
nmから選択されるレーザー光で再生する場合、基本的
には、反射率が20%以上であれば一応可能ではある
が、30%以上の反射率が好ましい。
The optical recording medium of the present invention has a thickness of 520 nm to 690.
When reproducing with a laser beam selected from nm, it is basically possible if the reflectance is 20% or more, but a reflectance of 30% or more is preferable.

【0049】また、記録特性などの改善のために、波長
450〜630nmに吸収極大を有し、520〜690
nmでの屈折率が大きい前記以外の色素と混合してもよ
い。具体的には、シアニン色素、スクアリリウム系色
素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ポル
フィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色素、イ
ンドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオピリリ
ウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタン
系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色素、イン
ジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色
素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系
色素等があり、複数の色素の混合であってもよい。これ
らの色素の混合割合は、0.1〜30%程度である。
In order to improve the recording characteristics, etc., it has an absorption maximum at a wavelength of 450 to 630 nm, and has an absorption maximum of 520 to 690 nm.
It may be mixed with other dyes having a large refractive index in nm. Specifically, cyanine dyes, squarylium dyes, naphthoquinone dyes, anthraquinone dyes, porphyrin dyes, tetrapyraporphyrazine dyes, indophenol dyes, pyrylium dyes, thiopyrylium dyes, azurenium dyes, triphenyl There are methane dyes, xanthene dyes, indazulene dyes, indigo dyes, thioindigo dyes, merocyanine dyes, thiazine dyes, acridine dyes, oxazine dyes, and the like, and a mixture of a plurality of dyes may be used. . The mixing ratio of these dyes is about 0.1 to 30%.

【0050】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の色素に、クエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収
剤、接着剤等を混合するか、あるいは、そのような効果
を有する化合物を前記色素の置換基として導入すること
も可能である。
When forming the recording layer, if necessary, a quencher, a dye decomposition accelerator, an ultraviolet absorber, an adhesive, or the like is mixed with the above-mentioned dye, or a compound having such an effect. Can be introduced as a substituent of the dye.

【0051】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系等のビスジチオール系、チオカテコ
ール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフェ
ノレート系等の金属錯体が好ましい。また、アミン系も
好適である。
Specific examples of the quencher include metals such as acetylacetonate, bisdithio-α-diketone, bisphenyldithiol, and other bisdithiols, thiocatechol, salicylaldehyde oxime, and thiobisphenolate. Complexes are preferred. Also, amines are suitable.

【0052】熱分解促進剤としては、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体等の金属化合物が挙げられる。
Examples of the thermal decomposition accelerator include metal compounds such as metal anti-knocking agents, metallocene compounds, and acetylacetonate metal complexes.

【0053】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましい
バインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケ
トン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン
樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリ
オレフィン等が挙げられる。
Further, if necessary, a binder, a leveling agent, an antifoaming agent and the like can be used in combination. Preferred binders include polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, nitrocellulose, cellulose acetate, ketone resin, acrylic resin, polystyrene resin, urethane resin, polyvinyl butyral, polycarbonate, polyolefin and the like.

【0054】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度等を向上させるために、基
板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
ここで、記録層における一般式(I)で示されるピロメ
テン金属キレート化合物の含有量は、30%以上、好ま
しくは60%以上である。尚、実質的に100%である
ことも好ましい。
When the recording layer is formed on the substrate, a layer made of an inorganic substance or a polymer may be provided on the substrate in order to improve the solvent resistance, the reflectance, the recording sensitivity and the like of the substrate.
Here, the content of the pyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (I) in the recording layer is 30% or more, preferably 60% or more. In addition, it is also preferable that it is substantially 100%.

【0055】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法等の塗布法、
スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる
が、スピンコート法が簡便で好ましい。
Examples of the method for providing the recording layer include coating methods such as spin coating, spraying, casting, and dipping.
Examples include a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and a vacuum vapor deposition method, and a spin coating method is simple and preferred.

【0056】スピンコート法等の塗布法を用いる場合に
は、一般式(I)で示されるピロメテン金属キレート化
合物を1〜40重量%、好ましくは3〜30重量%とな
るように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いる
が、この際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選
ぶことが好ましい。例えば、メタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、オクタフルオロペンタノー
ル、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロ
ソルブ、テトラフルオロプロパノール等のアルコール系
溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロ
ヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサ
ン、ジメチルシクロヘキサン等の脂肪族又は脂環式炭化
水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族
炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラク
ロロエタン、ジブロモエタン等のハロゲン化炭化水素系
溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセ
トン、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブタノン等のケトン系
溶媒、酢酸エチル、乳酸メチル等のエステル系溶媒、水
などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、或
いは、複数混合して用いてもよい。
When a coating method such as a spin coating method is used, the pyromethene metal chelate compound represented by the general formula (I) is dissolved in a solvent so as to be 1 to 40% by weight, preferably 3 to 30% by weight. A dispersed coating solution is used. At this time, it is preferable to select a solvent that does not damage the substrate. For example, methanol, ethanol,
Alcohol solvents such as isopropyl alcohol, octafluoropentanol, allyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, and tetrafluoropropanol; aliphatics and fats such as hexane, heptane, octane, decane, cyclohexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, and dimethylcyclohexane Cyclic hydrocarbon solvents, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene and benzene, halogenated hydrocarbon solvents such as carbon tetrachloride, chloroform, tetrachloroethane and dibromoethane, diethyl ether, dibutyl ether, diisopropyl ether, Examples include ether solvents such as dioxane, ketone solvents such as acetone and 3-hydroxy-3-methyl-2-butanone, ester solvents such as ethyl acetate and methyl lactate, and water. These may be used alone or as a mixture of two or more.

【0057】なお、必要に応じて、記録層の色素を高分
子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
If necessary, the dye of the recording layer may be dispersed in a polymer thin film or the like.

【0058】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。
When a solvent that does not damage the substrate cannot be selected, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method, or the like is effective.

【0059】色素層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは50〜300nmである。色素層の膜
厚を50nmより薄くすると、熱拡散が大きいため記録
出来ないか、記録信号に歪みが発生する上、信号振幅が
小さくなる。また、膜厚が300nmより厚い場合は反
射率が低下し、再生信号特性が悪化する。
The thickness of the dye layer is not particularly limited, but is preferably 50 to 300 nm. If the thickness of the dye layer is less than 50 nm, recording cannot be performed due to large thermal diffusion, or a recording signal will be distorted and the signal amplitude will be small. On the other hand, when the film thickness is larger than 300 nm, the reflectivity decreases and the reproduction signal characteristics deteriorate.

【0060】次に記録層の上に、好ましくは、厚さ50
〜300nmの反射層を形成する。反射層の材料として
は、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、A
u、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、T
a、Cr及びPdの金属を単独あるいは合金にして用い
ることが可能である。この中でもAu、Al、Agは反
射率が高く反射層の材料として適している。これ以外で
も下記のものを含んでいてもよい。例えば、Mg、S
e、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、C
o、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、Si、G
e、Te、Pb、Po、Sn、Biなどの金属及び半金
属を挙げることができる。また、Auを主成分としてい
るものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適
である。ここで主成分というのは含有率が50%以上の
ものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率
薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として
用いることも可能である。
Next, on the recording layer, preferably, a thickness of 50
A reflective layer of ~ 300 nm is formed. As a material of the reflection layer, a material having a sufficiently high reflectance at the wavelength of the reproduction light, for example, A
u, Al, Ag, Cu, Ti, Cr, Ni, Pt, T
The metals a, Cr and Pd can be used alone or as an alloy. Among them, Au, Al and Ag have high reflectivity and are suitable as a material for the reflective layer. In addition, the following may be included. For example, Mg, S
e, Hf, V, Nb, Ru, W, Mn, Re, Fe, C
o, Rh, Ir, Zn, Cd, Ga, In, Si, G
Metals and metalloids such as e, Te, Pb, Po, Sn, and Bi can be mentioned. Further, those containing Au as a main component are preferable because a reflection layer having high reflectance can be easily obtained. Here, the main component means a component having a content of 50% or more. It is also possible to form a multilayer film by alternately stacking low-refractive-index thin films and high-refractive-index thin films with a material other than a metal, and use it as a reflective layer.

【0061】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーテイング法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下
に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のた
めに公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設け
ることもできる。
As a method of forming the reflection layer, for example,
Examples include a sputtering method, an ion plating method, a chemical vapor deposition method, and a vacuum vapor deposition method. In addition, a known inorganic or organic intermediate layer or adhesive layer may be provided on the substrate or under the reflective layer to improve the reflectance, the recording characteristics, and the adhesion.

【0062】さらに、反射層の上の保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、UV硬化性樹脂等を挙げることがで
きる。また、無機物質としては、SiO2、Si34
MgF2、SnO2等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、
乾燥することによって形成することができる。UV硬化
性樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布
液を調製した後にこの塗布液を塗布し、UV光を照射し
て硬化させることによって形成することができる。UV
硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、
エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなど
のアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材
料は単独であるいは混合して用いてもよいし、1層だけ
でなく多層膜にして用いてもよい。
The material of the protective layer on the reflective layer is not particularly limited as long as it protects the reflective layer from external force. As organic substances, thermoplastic resins, thermosetting resins,
An electron beam curable resin, a UV curable resin, and the like can be given. As the inorganic substance, SiO 2 , Si 3 N 4 ,
MgF 2 , SnO 2 and the like can be mentioned. Thermoplastic resin, thermosetting resin, etc. are dissolved in an appropriate solvent and a coating liquid is applied,
It can be formed by drying. The UV curable resin can be formed by preparing a coating solution as it is or by dissolving it in an appropriate solvent, applying the coating solution, and irradiating with UV light to cure the resin. UV
As the curable resin, for example, urethane acrylate,
Acrylate resins such as epoxy acrylate and polyester acrylate can be used. These materials may be used alone or as a mixture, or may be used as a multilayer film as well as a single layer.

【0063】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でも
スピンコート法が好ましい。
As a method of forming the protective layer, a coating method such as a spin coating method or a casting method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, or the like is used as in the case of the recording layer. Of these, the spin coating method is preferable.

【0064】保護層の膜厚は、一般には0.1〜100
μmの範囲であるが、本発明においては、3〜30μm
であり、好ましくは5〜20μmがより好ましい。
The thickness of the protective layer is generally from 0.1 to 100.
μm, but in the present invention, 3 to 30 μm
And more preferably 5 to 20 μm.

【0065】保護層の上に更にレーベル等の印刷を行う
こともできる。
A label or the like can be further printed on the protective layer.

【0066】また、反射層面に保護シートまたは基板を
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ光記録媒体2枚を貼り合わせる等の手段を用いてもよ
い。基板鏡面側に、表面保護やゴミ等の付着防止のため
に紫外線硬化樹脂、無機系薄膜等を成膜してもよい。
Alternatively, a protective sheet or a substrate may be bonded to the reflective layer surface, or two optical recording media may be bonded with the reflective layer surfaces facing each other. An ultraviolet curable resin, an inorganic thin film, or the like may be formed on the mirror surface of the substrate to protect the surface or prevent adhesion of dust and the like.

【0067】本発明でいう波長520〜690nmのレ
ーザーは、特に限定はないが、例えば、可視領域の広範
囲で波長選択のできる色素レーザーや波長633nmの
ヘリウムネオンレーザー、最近開発されている波長68
0、650、635nm付近の高出力半導体レーザー、
波長532nmの高調波変換YAGレーザーなどが挙げ
られる。本発明では、これらから選択される一波長また
は複数波長において高密度記録及び再生が可能となる。
The laser having a wavelength of 520 to 690 nm referred to in the present invention is not particularly limited. For example, a dye laser capable of selecting a wavelength in a wide range of the visible region, a helium neon laser having a wavelength of 633 nm, and a recently developed wavelength of 68 can be used.
A high-power semiconductor laser near 0, 650, and 635 nm;
A harmonic conversion YAG laser having a wavelength of 532 nm may be used. According to the present invention, high-density recording and reproduction can be performed at one wavelength or a plurality of wavelengths selected from these.

【0068】[0068]

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらの実施例により何ら限定されるものではない。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

【0069】実施例1 ピロメテン金属キレート化合物
(1)の合成 窒素気流下、ジクロロメタン30mlに2-ホルミル-3,5
-ジメチル-4-エチルピロール5.0g及び2,4-ジメチル
-3-エチルピロール4.1gを溶解し、オキシ三塩化リ
ン5.6gを滴下し、20℃で1時間撹拌した。濃縮
後、n-ヘキサン200mlにて洗浄し、トルエン300
mlとN,N-ジイソプロピルエチルアミン18.4gを加
え、室温で30分間撹拌した後、ボロントリフルオリド
エーテル錯体19.2gを加え、更に1時間撹拌した。
水洗後、トルエンを溜去し、メタノールにて再結晶し、
下記構造式(VII−a)で示される化合物を4.5g得
た。
Example 1 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (1) 2-Formyl-3,5 in 30 ml of dichloromethane under a nitrogen stream.
-Dimethyl-4-ethylpyrrole 5.0 g and 2,4-dimethyl
4.1 g of -3-ethylpyrrole was dissolved, 5.6 g of phosphorus oxytrichloride was added dropwise, and the mixture was stirred at 20 ° C for 1 hour. After concentration, washing with 200 ml of n-hexane,
After adding 18.4 g of N, N-diisopropylethylamine and stirring at room temperature for 30 minutes, 19.2 g of boron trifluoride ether complex was added, and the mixture was further stirred for 1 hour.
After washing with water, the toluene was distilled off and recrystallized with methanol.
4.5 g of a compound represented by the following structural formula (VII-a) was obtained.

【0070】[0070]

【化9】 Embedded image

【0071】次に、窒素気流下、n-ブチルアルコール3
0gに金属ナトリウム0.38gを加え、80℃にて1
時間撹拌して金属ナトリウムを溶解した後、式(VII−
a)で示される化合物1.0gを加え、90℃で5時間
撹拌した。水100mlに排出し、トルエン200ml
にて抽出し、水洗後、溶媒を溜去した。カラムクロマト
グラフィー(シリカゲル/トルエン:酢酸エチル=9:
1)にて精製し、下記構造式(1)で示される化合物を
1.2g得た。
Next, n-butyl alcohol 3 was added under a nitrogen stream.
0.3 g of metallic sodium was added to 0 g, and
After stirring for hours to dissolve the metallic sodium, the formula (VII-
1.0 g of the compound shown in a) was added, and the mixture was stirred at 90 ° C for 5 hours. Drain into 100 ml of water and 200 ml of toluene
The solvent was distilled off after washing with water. Column chromatography (silica gel / toluene: ethyl acetate = 9:
Purification was performed in 1) to obtain 1.2 g of a compound represented by the following structural formula (1).

【0072】[0072]

【化10】 Embedded image

【0073】下記分析結果より目的物であることを確認
した。
From the following analysis results, it was confirmed that the product was the target compound.

【0074】[0074]

【表12】 [Table 12]

【0075】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて487nmに極大吸収を示し、グラム吸光係
数は1.74×105ml/g.cmであった。
The compound thus obtained exhibits a maximum absorption at 487 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 1.74 × 10 5 ml / g. cm.

【0076】実施例2 ピロメテン金属キレート化合物
(23)の合成 窒素気流下、ジクロロメタン20mlに2,4-ジメチル-3
-エチルピロール15.0gを溶解し、アセチルクロラ
イド21.0gを滴下し、40℃で1時間撹拌した。室
温まで冷却し、濃縮後、n-ヘキサン200mlにて洗浄
し、トルエン500mlとN,N-ジイソプロピルエチルア
ミン67.5gを加え、室温で30分間撹拌した後、ボ
ロントリフルオリドエーテル錯体70.2gを加え、更
に1時間撹拌した。水洗後、トルエンを溜去し、メタノ
ールにて再結晶し、下記構造式(VII−b)で示される
化合物を8.0g得た。
Example 2 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (23) 2,4-Dimethyl-3 in 20 ml of dichloromethane under a nitrogen stream.
15.0 g of -ethylpyrrole was dissolved, 21.0 g of acetyl chloride was added dropwise, and the mixture was stirred at 40 ° C for 1 hour. After cooling to room temperature, concentrating, washing with 200 ml of n-hexane, adding 500 ml of toluene and 67.5 g of N, N-diisopropylethylamine, stirring at room temperature for 30 minutes, and then adding 70.2 g of a boron trifluoride ether complex. And further stirred for 1 hour. After washing with water, toluene was distilled off, and the residue was recrystallized from methanol to obtain 8.0 g of a compound represented by the following structural formula (VII-b).

【0077】[0077]

【化11】 Embedded image

【0078】次に、窒素気流下、無水テトラヒドロフラ
ン50mlに式(VII−b)で示される化合物1.0g
を溶解し、5℃冷却下、n-ヘキシルマグネシウムブロマ
イド(1.0mol/L:テトラヒドロフラン)3.1
4mlを滴下し、30分間撹拌した。2%塩酸100m
lに排出し、トルエン100mlにて抽出し、水洗後、
溶媒を溜去した。カラムクロマトグラフィー(シリカゲ
ル/トルエン:n-ヘキサン=5:5)にて精製し、下記
構造式(23)で示される化合物を0.77g得た。
Next, 1.0 g of the compound represented by the formula (VII-b) was added to 50 ml of anhydrous tetrahydrofuran under a nitrogen stream.
And cooled under 5 ° C., n-hexylmagnesium bromide (1.0 mol / L: tetrahydrofuran) 3.1
4 ml was added dropwise and stirred for 30 minutes. 2% hydrochloric acid 100m
, extracted with 100 ml of toluene, washed with water,
The solvent was distilled off. Purification by column chromatography (silica gel / toluene: n-hexane = 5: 5) gave 0.77 g of a compound represented by the following structural formula (23).

【0079】[0079]

【化12】 Embedded image

【0080】下記分析結果より目的物であることを確認
した。
From the following analysis results, the product was confirmed to be the target product.

【0081】[0081]

【表13】 [Table 13]

【0082】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて518nmに極大吸収を示し、グラム吸光係
数は2.25×105ml/g.cmであった。
The compound thus obtained exhibits a maximum absorption at 518 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 2.25 × 10 5 ml / g. cm.

【0083】実施例3 ピロメテン金属キレート化合物
(24)の合成 窒素気流下、無水テトラヒドロフラン20mlに前記式
(VII−b)で示される化合物1.0gを溶解し、20
℃冷却下、n-ヘキシルマグネシウムブロマイド(1.0
mol/L:テトラヒドロフラン)7.54mlを滴下
し、30℃にて30分間撹拌した。2%塩酸100ml
に排出し、トルエン100mlにて抽出し、水洗後、溶
媒を溜去した。カラムクロマトグラフィー(シリカゲル
/トルエン:n-ヘキサン=3:7)にて精製し、下記構
造式(24)で示される化合物を1.15g得た。
Example 3 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (24) Under a nitrogen stream, 1.0 g of the compound represented by the formula (VII-b) was dissolved in 20 ml of anhydrous tetrahydrofuran.
N-hexylmagnesium bromide (1.0
(mol / L: tetrahydrofuran) was added dropwise and stirred at 30 ° C. for 30 minutes. 100 ml of 2% hydrochloric acid
And extracted with 100 ml of toluene. After washing with water, the solvent was distilled off. Purification by column chromatography (silica gel / toluene: n-hexane = 3: 7) gave 1.15 g of a compound represented by the following structural formula (24).

【0084】[0084]

【化13】 Embedded image

【0085】下記分析結果より目的物であることを確認
した。
From the following analysis results, it was confirmed that the target compound was obtained.

【0086】[0086]

【表14】 [Table 14]

【0087】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて511nmに極大吸収を示し、グラム吸光係
数は2.07×105ml/g.cmであった。
The compound thus obtained shows a maximum absorption at 511 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 2.07 × 10 5 ml / g. cm.

【0088】実施例4 ピロメテン金属キレート化合物
(27)の合成 窒素気流下、無水テトラヒドロフラン50mlに前記式
(VII−b)で示される化合物1.0gを溶解し、5℃
冷却下、フェニルマグネシウムブロマイド(2.0mo
l/L:テトラヒドロフラン)1.57mlを滴下し、
1時間撹拌した。2%塩酸100mlに排出し、トルエ
ン100mlにて抽出し、水洗後、溶媒を溜去した。カ
ラムクロマトグラフィー(シリカゲル/トルエン:n-ヘ
キサン=35:65)にて精製し、下記構造式(27)
で示される化合物を0.71g得た。
Example 4 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (27) Under a nitrogen stream, 1.0 g of the compound represented by the above formula (VII-b) was dissolved in 50 ml of anhydrous tetrahydrofuran.
Under cooling, phenylmagnesium bromide (2.0 mol
1 / L: tetrahydrofuran) 1.57 ml was added dropwise,
Stir for 1 hour. The mixture was discharged into 100 ml of 2% hydrochloric acid, extracted with 100 ml of toluene, washed with water, and the solvent was distilled off. Purified by column chromatography (silica gel / toluene: n-hexane = 35: 65), the following structural formula (27)
0.71 g of the compound represented by was obtained.

【0089】[0089]

【化14】 Embedded image

【0090】下記分析結果より目的物であることを確認
した。
From the following analysis results, it was confirmed that the target compound was obtained.

【0091】[0091]

【表15】 [Table 15]

【0092】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて522nmに極大吸収を示し、グラム吸光係
数は1.89×105ml/g.cmであった。
The compound thus obtained shows a maximum absorption at 522 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 1.89 × 10 5 ml / g. cm.

【0093】実施例5 ピロメテン金属キレート化合物
(28)の合成 窒素気流下、無水テトラヒドロフラン20mlに前記式
(VII−b)で示される化合物1.0gを溶解し、20
℃冷却下、フェニルマグネシウムブロマイド(2.0m
ol/L:テトラヒドロフラン)4.71mlを滴下
し、30℃にて30分間撹拌した。2%塩酸100ml
に排出し、トルエン100mlにて抽出し、水洗後、溶
媒を溜去した。カラムクロマトグラフィー(シリカゲル
/トルエン:n-ヘキサン=2:8)にて精製し、下記構
造式(28)で示される化合物を1.16g得た。
Example 5 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (28) Under a nitrogen stream, 1.0 g of the compound represented by the above formula (VII-b) was dissolved in 20 ml of anhydrous tetrahydrofuran.
Phenylmagnesium bromide (2.0m
(ol / L: tetrahydrofuran) 4.71 ml was added dropwise and stirred at 30 ° C. for 30 minutes. 100 ml of 2% hydrochloric acid
And extracted with 100 ml of toluene. After washing with water, the solvent was distilled off. Purification by column chromatography (silica gel / toluene: n-hexane = 2: 8) gave 1.16 g of a compound represented by the following structural formula (28).

【0094】[0094]

【化15】 Embedded image

【0095】下記分析結果より目的物であることを確認
した。
From the following analysis results, the product was confirmed to be the target product.

【0096】[0096]

【表16】 [Table 16]

【0097】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて516nmに極大吸収を示し、グラム吸光係
数は1.72×105ml/g.cmであった。
The compound thus obtained exhibits a maximum absorption at 516 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 1.72 × 10 5 ml / g. cm.

【0098】実施例6 ピロメテン金属キレート化合物
(30)の合成 メタノール25mlに前記式(VII−b)で示される化
合物0.5gを溶解し、ナトリウムメトキシド1.0g
を加え、還流温度にて5時間撹拌した。水100mlに
排出し、トルエン150mlにて抽出し、水洗後、溶媒
を溜去した。カラムクロマトグラフィー(シリカゲル/
トルエン:酢酸エチル=7:3)にて精製し、下記構造
式(30)で示される化合物を0.51g得た。
Example 6 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (30) 0.5 g of the compound represented by the formula (VII-b) was dissolved in 25 ml of methanol, and 1.0 g of sodium methoxide was dissolved.
Was added and stirred at reflux temperature for 5 hours. The mixture was discharged into 100 ml of water, extracted with 150 ml of toluene, washed with water, and the solvent was distilled off. Column chromatography (silica gel /
Purification by toluene: ethyl acetate = 7: 3) gave 0.51 g of a compound represented by the following structural formula (30).

【0099】[0099]

【化16】 Embedded image

【0100】下記分析結果より目的物であることを確認
した。
From the following analysis results, it was confirmed that the product was the target compound.

【0101】[0101]

【表17】 [Table 17]

【0102】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて522nmに極大吸収を示し、グラム吸光係
数は1.85×105ml/g.cmであった。
The compound thus obtained exhibits a maximum absorption at 522 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 1.85 × 10 5 ml / g. cm.

【0103】実施例7 ピロメテン金属キレート化合物
(31)の合成 窒素気流下、n-ペンチルアルコール20gに金属ナトリ
ウム0.072gを加え、80℃にて1時間撹拌して金
属ナトリウムを溶解した後、前記式(VII−b)で示さ
れる化合物1.0gを加え、90℃にて5時間撹拌し
た。水100mlに排出し、トルエン100mlにて抽
出し、水洗後、溶媒を溜去した。カラムクロマトグラフ
ィー(シリカゲル/トルエン:酢酸エチル=95:5)
にて精製し、下記構造式(31)で示される化合物を
0.81g得た。
Example 7 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (31) In a nitrogen stream, 0.072 g of sodium metal was added to 20 g of n-pentyl alcohol, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 1 hour to dissolve the sodium metal. 1.0 g of the compound represented by the formula (VII-b) was added, and the mixture was stirred at 90 ° C for 5 hours. The mixture was discharged into 100 ml of water, extracted with 100 ml of toluene, washed with water, and the solvent was distilled off. Column chromatography (silica gel / toluene: ethyl acetate = 95: 5)
Then, 0.81 g of a compound represented by the following structural formula (31) was obtained.

【0104】[0104]

【化17】 Embedded image

【0105】下記分析結果より目的物であることを確認
した。
From the following analysis results, it was confirmed that the target compound was obtained.

【0106】[0106]

【表18】 [Table 18]

【0107】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて523nmに極大吸収を示し、グラム吸光係
数は1.37×105ml/g.cmであった。
The compound thus obtained exhibits a maximum absorption at 523 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 1.37 × 10 5 ml / g. cm.

【0108】実施例8 ピロメテン金属キレート化合物
(33)の合成 ジオキサン10mlに、前記式(VII−b)で示される
化合物0.5gを溶解し、15%メチルメルカプタンナ
トリウム水溶液2.43gを加え、90℃にて3時間撹
拌した。水100mlに排出し、酢酸エチル200ml
にて抽出し、水洗後、溶媒を溜去した。カラムクロマト
グラフィー(シリカゲル/酢酸エチル:エタノール=9
5:5)にて精製し、下記構造式(33)で示される化
合物を0.31g得た。
Example 8 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (33) In 10 ml of dioxane, 0.5 g of the compound represented by the formula (VII-b) was dissolved, and 2.43 g of a 15% aqueous solution of methyl mercaptan sodium was added. Stirred at C for 3 hours. Drain into 100 ml of water and 200 ml of ethyl acetate
The solvent was distilled off after washing with water. Column chromatography (silica gel / ethyl acetate: ethanol = 9
5: 5) to give 0.31 g of a compound represented by the following structural formula (33).

【0109】[0109]

【化18】 Embedded image

【0110】下記分析結果より目的物であることを確認
した。
From the following analysis results, the product was confirmed to be the target compound.

【0111】[0111]

【表19】 [Table 19]

【0112】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて520nmに極大吸収を示し、グラム吸光係
数は1.71×105ml/g.cmであった。
The compound thus obtained shows a maximum absorption at 520 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 1.71 × 10 5 ml / g. cm.

【0113】実施例9 ピロメテン金属キレート化合物
(36)の合成 窒素気流下、無水テトラヒドロフラン20mlに前記式
(31)で示される化合物0.5gを溶解し、10℃冷
却下、フェニルマグネシウムブロマイド(2.0mol
/L:テトラヒドロフラン)0.65mlを滴下し、3
0分間撹拌した。2%塩酸100mlに排出し、トルエ
ン100mlにて抽出し、水洗後、溶媒を溜去した。カ
ラムクロマトグラフィー(シリカゲル/トルエン:n-ヘ
キサン=5:5)にて精製し、下記構造式(36)で示
される化合物を0.48g得た。
Example 9 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (36) In a nitrogen stream, 0.5 g of the compound represented by the above formula (31) was dissolved in 20 ml of anhydrous tetrahydrofuran, and phenylmagnesium bromide (2. 0 mol
/ L: tetrahydrofuran) 0.65 ml is added dropwise and 3
Stirred for 0 minutes. The mixture was discharged into 100 ml of 2% hydrochloric acid, extracted with 100 ml of toluene, washed with water, and the solvent was distilled off. Purification by column chromatography (silica gel / toluene: n-hexane = 5: 5) gave 0.48 g of a compound represented by the following structural formula (36).

【0114】[0114]

【化19】 Embedded image

【0115】下記分析結果より目的物であることを確認
した。
From the results of the following analysis, the product was confirmed to be the target compound.

【0116】[0116]

【表20】 [Table 20]

【0117】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて519nmに極大吸収を示し、グラム吸光係
数は1.31×105ml/g.cmであった。
The compound thus obtained shows a maximum absorption at 519 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 1.31 × 10 5 ml / g. cm.

【0118】実施例10 ピロメテン金属キレート化合
物(64)の合成 窒素気流下、ジクロロメタン20mlに2-イソバレル-
3,5-ジメチル-4-エチルピロール1.0g及び2,4-ジメ
チルピロール0.46gを溶解し、オキシ三塩化リン
0.81gを滴下した。40℃にて1時間撹拌し、濃縮
後、n-ヘキサン300mlにて洗浄し、トルエン300
mlとN,N-ジイソプロピルエチルアミン2.69gを加
え、室温で30分間撹拌した後、ボロントリフルオリド
エーテル錯体2.81gを加え、更に1時間撹拌した。
水洗後、トルエンを溜去し、カラムクロマトグラフィー
(シリカゲル/トルエン:酢酸エチル=8:2)にて精
製し、下記構造式(VII−c)で示される化合物を0.
93g得た。
Example 10 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (64) Under a nitrogen stream, 20 ml of dichloromethane was added to 2-isobarrel-
1.0 g of 3,5-dimethyl-4-ethylpyrrole and 0.46 g of 2,4-dimethylpyrrole were dissolved, and 0.81 g of phosphorus oxytrichloride was added dropwise. The mixture was stirred at 40 ° C. for 1 hour, concentrated, washed with 300 ml of n-hexane, and washed with 300 ml of toluene.
ml and 2.69 g of N, N-diisopropylethylamine were added, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes. Then, 2.81 g of a boron trifluoride ether complex was added, and the mixture was further stirred for 1 hour.
After washing with water, toluene was distilled off, and the residue was purified by column chromatography (silica gel / toluene: ethyl acetate = 8: 2) to obtain a compound represented by the following structural formula (VII-c).
93 g were obtained.

【0119】[0119]

【化20】 Embedded image

【0120】次に、窒素気流下、無水テトラヒドロフラ
ン20mlに式(VII−c)で示される化合物0.5g
を溶解し、10℃冷却下、p-トルイルマグネシウムブロ
マイド(1.0mol/L:テトラヒドロフラン)3.
16mlを滴下し、20℃にて1時間撹拌した。2%塩
酸100mlに排出し、トルエン100mlにて抽出
し、水洗後、溶媒を溜去した。カラムクロマトグラフィ
ー(シリカゲル/n-ヘキサン:トルエン=8:2)にて
精製し、下記構造式(64)で示される化合物を0.6
3g得た。
Next, 0.5 g of the compound represented by the formula (VII-c) was added to 20 ml of anhydrous tetrahydrofuran under a nitrogen stream.
2. Under cooling at 10 ° C., p-toluylmagnesium bromide (1.0 mol / L: tetrahydrofuran)
16 ml was added dropwise, and the mixture was stirred at 20 ° C. for 1 hour. The mixture was discharged into 100 ml of 2% hydrochloric acid, extracted with 100 ml of toluene, washed with water, and the solvent was distilled off. The product was purified by column chromatography (silica gel / n-hexane: toluene = 8: 2) to give the compound represented by the following structural formula (64) in 0.6.
3 g were obtained.

【0121】[0121]

【化21】 Embedded image

【0122】下記分析結果より目的物であることを確認
した。
From the results of the following analysis, the product was confirmed to be the target compound.

【0123】[0123]

【表21】 [Table 21]

【0124】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて509nmに極大吸収を示し、グラム吸光係
数は1.81×105ml/g.cmであった。
The compound thus obtained shows a maximum absorption at 509 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 1.81 × 10 5 ml / g. cm.

【0125】実施例11 ピロメテン金属キレート化合
物(72)の合成 窒素気流下、無水テトラヒドロフラン20mlに前記式
(VII−a)で示される化合物1.0gを溶解し、n-ヘ
キシルマグネシウムブロマイド(1.0mol/L:テ
トラヒドロフラン)11.5mlを滴下し、30℃にて
1時間撹拌した。2%塩酸100mlに排出し、トルエ
ン100mlにて抽出し、水洗後、溶媒を溜去した。カ
ラムクロマトグラフィー(シリカゲル/n-ヘキサン)に
て精製し、下記構造式(72)で示される化合物を1.
04g得た。
Example 11 Synthesis of Pyromethene Metal Chelate Compound (72) Under a nitrogen stream, 1.0 g of the compound represented by the above formula (VII-a) was dissolved in 20 ml of anhydrous tetrahydrofuran, and n-hexylmagnesium bromide (1.0 mol) was dissolved. / L: tetrahydrofuran) was added dropwise and stirred at 30 ° C for 1 hour. The mixture was discharged into 100 ml of 2% hydrochloric acid, extracted with 100 ml of toluene, washed with water, and the solvent was distilled off. The product was purified by column chromatography (silica gel / n-hexane) to give the compound represented by the following structural formula (72) in 1.
04 g was obtained.

【0126】[0126]

【化22】 Embedded image

【0127】下記分析結果より目的物であることを確認
した。
From the following analysis results, the product was confirmed to be the target product.

【0128】[0128]

【表22】 [Table 22]

【0129】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて517nmに極大吸収を示し、グラム吸光係
数は1.92×105ml/g.cmであった。
The compound thus obtained exhibits a maximum absorption at 517 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 1.92 × 10 5 ml / g. cm.

【0130】実施例12 ピロメテン金属キレート化合物(1)0.2gをジメチ
ルシクロヘキサン10mlに溶解し、色素溶液を調製し
た。基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝
(トラックピッチ:0.8μm)を有する直径120m
mφ、厚さ1.2mmの円盤状のものを用いた。
Example 12 A dye solution was prepared by dissolving 0.2 g of the pyromethene metal chelate compound (1) in 10 ml of dimethylcyclohexane. The substrate is made of polycarbonate resin and has a continuous guide groove (track pitch: 0.8 μm) and a diameter of 120 m.
A disk having a diameter of mφ and a thickness of 1.2 mm was used.

【0131】この基板上に色素溶液を回転数1500r
pmでスピンコートし、70℃にて3時間乾燥して、記
録層を形成した。この記録層の吸収極大は552nmで
あり、光学定数は、680nmではnが2.2、kは
0.04であり、650nmではnが2.2、kは0.
06であり、635nmではnが2.4、kは0.07
である。
A dye solution was placed on this substrate at a rotational speed of 1500 r.
pm, and dried at 70 ° C. for 3 hours to form a recording layer. The absorption maximum of this recording layer is 552 nm, and the optical constants are n = 2.2 and k = 0.04 at 680 nm, and n = 2.2 and k = 0.2 at 650 nm.
06, n is 2.4 and k is 0.07 at 635 nm.
It is.

【0132】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置(CDI−900)を用いてAuをスパッタし、厚
さ100nmの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー2.5kW、スパッタガス圧1.0×10-2Torr
で行った。
Au was sputtered on the recording layer using a sputtering apparatus (CDI-900, manufactured by Balzers) to form a reflective layer having a thickness of 100 nm. Sputter gas includes
Argon gas was used. The sputtering conditions were as follows: a sputtering power of 2.5 kW and a sputtering gas pressure of 1.0 × 10 −2 Torr.
I went in.

【0133】さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂SD−
17(大日本インキ化学工業製)をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ6μmの保護層を形成し、光記
録媒体を作製した。
Further, an ultraviolet curable resin SD-
After spin-coating No. 17 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals), the layer was irradiated with ultraviolet rays to form a protective layer having a thickness of 6 μm, thereby producing an optical recording medium.

【0134】得られた光記録媒体に、波長635nmで
レンズの開口度が0.6の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−
1000)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを
用いて、線速度3.5m/s、レーザーパワー8mWで
最短ピット長0.44μmになるように記録した。記録
後、650nm及び635nm赤色半導体レーザーヘッ
ド(レンズの開口度は0.6)を搭載した評価装置を用
いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変調度を
測定した結果、いずれも良好な値を示した。
An optical disk evaluation device (DDU-D) manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd. equipped with a semiconductor laser head having a wavelength of 635 nm and a lens aperture of 0.6 on the obtained optical recording medium.
1000) and a KENWOOD EFM encoder so that the linear velocity was 3.5 m / s, the laser power was 8 mW, and the shortest pit length was 0.44 μm. After recording, the signals were reproduced using an evaluation device equipped with 650 nm and 635 nm red semiconductor laser heads (the aperture of the lens was 0.6), and the reflectance, error rate, and modulation were measured. The value was shown.

【0135】次に680nm半導体レーザーヘッドを搭
載したパルステック工業製光ディスク評価装置(DDU
−1000)及びKENWOOD製EFMエンコーダー
を用いて、線速度1.4m/s、レーザーパワー10m
Wで最短ピット長0.60μmになるように記録した。
この記録した媒体を680nm、650nm及び635
nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック
工業製光ディスク評価装置(DDU−1000)を用い
て信号を再生し、反射率、エラーレート及び変調度を測
定した。いずれも良好な値を示した。
Next, an optical disk evaluation device (DDU) manufactured by Pulstec Industrial equipped with a 680 nm semiconductor laser head
-1000) and KENWOOD EFM encoder, linear velocity 1.4m / s, laser power 10m
W was recorded so that the shortest pit length was 0.60 μm.
The recorded medium was stored at 680 nm, 650 nm and 635 nm.
A signal was reproduced using an optical disk evaluation device (DDU-1000) manufactured by Pulstec Industrial equipped with a nm red semiconductor laser head, and the reflectance, the error rate, and the modulation were measured. All exhibited good values.

【0136】このように、この媒体は複数のレーザー波
長で記録及び再生を良好に行うことが出来た。
As described above, this medium was able to perform recording and reproduction satisfactorily with a plurality of laser wavelengths.

【0137】なお、エラーレートはケンウッド社製CD
デコーダー(DR3552)を用いて計測し、変調度は
以下の式により求めた。
The error rate is a CD manufactured by Kenwood.
The measurement was performed using a decoder (DR3552), and the modulation was obtained by the following equation.

【0138】[0138]

【数1】 (Equation 1)

【0139】実施例13 基板にポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝(トラ
ックピッチ:0.8μm)を有する直径120mmφ、
厚さ0.6mmの円盤状のものを用いる以外は実施例1
2と同様にして塗布及び反射層を形成した。
Example 13 A substrate made of polycarbonate resin and having a continuous guide groove (track pitch: 0.8 μm) having a diameter of 120 mmφ was used.
Example 1 except that a disc having a thickness of 0.6 mm was used.
In the same manner as in Example 2, a coating and a reflection layer were formed.

【0140】さらに反射層上に紫外線硬化性接着剤SD
−301(大日本インキ化学工業製)をスピンコート
し、その上にポリカーボネート樹脂製で直径120mm
φ、厚さ0.6mmの円盤状基板を乗せた後、紫外線照
射して貼り合わせした光記録媒体を作製した。
Further, an ultraviolet-curable adhesive SD is applied on the reflective layer.
-301 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals) is spin-coated, and a polycarbonate resin is formed thereon and has a diameter of 120 mm.
An optical recording medium was prepared by placing a disc-shaped substrate having a diameter of 0.6 mm and then irradiating the substrate with ultraviolet rays.

【0141】作製した媒体に、0.6mm厚に対応した
635nm半導体レーザーヘッドを搭載している以外は
実施例12と同様にパルステック工業製光ディスク評価
装置(DDU−1000)及びKENWOOD製EFM
エンコーダーを用いて記録した。記録後、650nm及
び635nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価
装置を用いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び
変調度を測定した結果、いずれも良好な値を示した。
An optical disk evaluation device (DDU-1000) manufactured by Pulstec Industrial and an EFM manufactured by KENWOOD were manufactured in the same manner as in Example 12 except that a 635 nm semiconductor laser head corresponding to a thickness of 0.6 mm was mounted on the manufactured medium.
Recorded using an encoder. After recording, the signal was reproduced using an evaluation device equipped with 650 nm and 635 nm red semiconductor laser heads, and the reflectance, error rate, and modulation were measured.

【0142】実施例14〜23 表−1に記載したピロメテン金属キレ−ト化合物〔(2
3)、(24)、(27)、(28)、(30)、(3
1)、(33)、(36)、(64)、(72)〕を用
いる以外は、実施例13と同様にして光記録媒体を作製
した。作製した媒体に実施例13と同様に635nm半
導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光デ
ィスク評価装置(DDU−1000)及びKENWOO
D製EFMエンコーダーを用いて記録した。記録後、6
50nm及び635nm赤色半導体レーザーヘッドを搭
載した評価装置を用いて信号を再生し、反射率、エラー
レート及び変調度を測定した結果、いずれも良好な値を
示した。
Examples 14 to 23 Pyromethene metal chelate compounds [(2
3), (24), (27), (28), (30), (3)
1), (33), (36), (64), and (72)], except that the optical recording medium was manufactured in the same manner as in Example 13. An optical disk evaluation device (DDU-1000) manufactured by Pulstec Industrial having a 635 nm semiconductor laser head mounted on the manufactured medium in the same manner as in Example 13, and KENWOO
Recording was performed using a D EFM encoder. After recording, 6
A signal was reproduced using an evaluation device equipped with a 50 nm and 635 nm red semiconductor laser head, and the reflectance, the error rate, and the modulation were measured. As a result, good values were obtained.

【0143】実施例24 ピロメテン金属キレート化合物(30)と塗布溶媒にジ
アセトンアルコールを用い、基板にポリカーボネート樹
脂製で連続した案内溝(トラックピッチ:0.53μ
m)を有する直径120mmφ、厚さ0.6mmの円盤
状のものを用いる以外は実施例13と同様にして光記録
媒体を作製した。
Example 24 Using a pyromethene metal chelate compound (30) and diacetone alcohol as a coating solvent, a continuous guide groove made of polycarbonate resin was used for a substrate (track pitch: 0.53 μm).
An optical recording medium was produced in the same manner as in Example 13 except that a disc having a diameter of 120 mmφ and a thickness of 0.6 mm having m) was used.

【0144】この記録層の吸収極大は528nmであ
り、光学定数は、532nmではnが2.5、kが0.
12である。
The absorption maximum of this recording layer is 528 nm, and the optical constants at 532 nm are n = 2.5 and k = 0.
Twelve.

【0145】作製した媒体に、0.6mm厚に対応した
532nmYAG高周波変換レーザーヘッドを搭載した
光ディスク評価装置及びKENWOOD製EFMエンコ
ーダーを用いて、線速度3.8m/s、レーザーパワー
7mWで記録した。記録後、同評価装置を用いて信号を
再生した結果、反射率は約50%、エラーレートが9c
ps及び変調度が0.66であり、いずれも良好な値を
示した。
Recording was performed on the prepared medium at a linear velocity of 3.8 m / s and a laser power of 7 mW using an optical disk evaluation apparatus equipped with a 532 nm YAG high frequency conversion laser head corresponding to a thickness of 0.6 mm and an EFM encoder manufactured by KENWOOD. After recording, the signal was reproduced using the same evaluation apparatus. As a result, the reflectance was about 50% and the error rate was 9c.
The ps and the degree of modulation were 0.66, all showing good values.

【0146】比較例1 実施例13において、ピロメテン金属キレート化合物の
代わりに、ペンタメチンシアニン色素NK−2929
[1,3,3,1',3',3'-ヘキサメチル-2',2'-(4,5,4',5'-ジ
ベンゾ)インドジカルボシアニンパークロレート、日本
感光色素研究所製]を用いること以外は同様にして光記
録媒体を作製した。作製した媒体に実施例12と同様に
635nm半導体レーザーヘッドを搭載したパルステッ
ク工業製光ディスク評価装置(DDU−1000)及び
KENWOOD製EFMエンコーダーを用いて、線速度
3.5m/s、レーザーパワー7mWで記録した。記録
後、650nm及び635nm赤色半導体レーザーヘッ
ドを搭載した評価装置を用いて信号を再生した結果、反
射率は低く、エラーレートは大きく、変調度も小さかっ
た。更に長時間再生していると信号が劣化した。
Comparative Example 1 In Example 13, a pentamethine cyanine dye NK-2929 was used instead of the pyrromethene metal chelate compound.
[1,3,3,1 ', 3', 3'-hexamethyl-2 ', 2'-(4,5,4 ', 5'-dibenzo) indodicarbocyanine perchlorate, manufactured by Japan Photographic Dye Laboratories ] Except that the optical recording medium was used. Using a Pulstec Industrial Optical Disk Evaluation System (DDU-1000) equipped with a 635 nm semiconductor laser head on the produced medium and a KENWOOD EFM encoder as in Example 12, at a linear velocity of 3.5 m / s and a laser power of 7 mW. Recorded. After recording, the signal was reproduced using an evaluation device equipped with 650 nm and 635 nm red semiconductor laser heads. As a result, the reflectance was low, the error rate was large, and the modulation was small. The signal was degraded when playing for a longer time.

【0147】比較例2 比較例1において、NK2929の代わりにトリメチン
シアニン色素NK79[1,3,3,1',3',3'-ヘキサメチル-
2',2'-インドジカルボシアニンアイオダイド、日本感光
色素研究所製]を用いたこと以外は同様にして光記録媒
体を作製した。作製した媒体に実施例12と同様に63
5nm半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工
業製光ディスク評価装置(DDU−1000)及びKE
NWOOD製EFMエンコーダーを用いて、線速度3.
5m/s、レーザーパワー7mWで記録した。記録後、
650nm及び635nm赤色半導体レーザーヘッドを
搭載した評価装置を用いて信号を再生した結果、波形が
歪み、エラーレートは大きく、変調度も小さかった。更
に長時間再生していると信号が劣化した。
Comparative Example 2 In Comparative Example 1, the methazine cyanine dye NK79 [1,3,3,1 ′, 3 ′, 3′-hexamethyl-
2 ′, 2′-Indodicarbocyanine iodide, manufactured by Japan Photographic Dye Laboratories Co., Ltd.]. 63 in the same manner as in Example 12
Pulstec Industrial Optical Disk Evaluation System (DDU-1000) equipped with a 5 nm semiconductor laser head and KE
2. Using an NWOOD EFM encoder, the linear velocity
Recording was performed at a laser power of 7 mW at 5 m / s. After recording,
When a signal was reproduced using an evaluation device equipped with 650 nm and 635 nm red semiconductor laser heads, the waveform was distorted, the error rate was large, and the modulation was small. The signal was degraded when playing for a longer time.

【0148】以上の実施例12〜23及び比較例1〜2
において、記録層の光学定数及び各媒体を635nmで
記録して、650nm及び635nmで再生した時の反
射率、エラーレート、変調度を表−2にまとめて示す。
Examples 12 to 23 and Comparative Examples 1 and 2
In Table 2, the optical constants of the recording layer and the reflectance, error rate, and modulation factor when recording each medium at 635 nm and reproducing at 650 nm and 635 nm are shown in Table 2.

【0149】[0149]

【表23】 [Table 23]

【0150】[0150]

【表24】 [Table 24]

【0151】[0151]

【発明の効果】本発明のピロメテン金属キレート化合物
を記録層中に用いることにより、高密度光記録媒体とし
て非常に注目されている波長520〜690nmのレー
ザーで記録再生が可能な追記型光記録媒体を提供するこ
とが可能となる。
The write-once optical recording medium which can be recorded and reproduced with a laser having a wavelength of 520 to 690 nm, which has been attracting much attention as a high-density optical recording medium, by using the pyrromethene metal chelate compound of the present invention in the recording layer. Can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の光記録媒体及び本発明の層構成を示す模
式的断面構造図である。
FIG. 1 is a schematic sectional structural view showing a conventional optical recording medium and a layer configuration of the present invention.

【図2】本発明の光記録媒体の層構成を示す模式的断面
構造図である。
FIG. 2 is a schematic sectional structural view showing a layer configuration of the optical recording medium of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 記録層 3 反射層 4 保護層 1’基板 2’記録層 3’反射層 4’接着層 5’基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Recording layer 3 Reflective layer 4 Protective layer 1 'substrate 2' Recording layer 3 'Reflective layer 4' Adhesive layer 5 'Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Dentsu Misawa, Inventor 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside of Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd. (72) Keisuke Takuma 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Mitsui Chemical Co., Ltd.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(I)で示されるピロメテン
金属キレート化合物。 【化1】 〔式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各
々独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基、スルホ
ン酸基、炭素数1〜20のアルキル基、ハロゲノアルキ
ル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキ
シアルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ
アルコキシ基、アルキルチオアルコキシ基、アシル基、
アルコキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル
基、ジアルキルアミノカルボニル基、アルキルカルボニ
ルアミノ基、アリ−ルカルボニルアミノ基、アリ−ルア
ミノカルボニル基、アリ−ルオキシカルボニル基、アラ
ルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルチ
オ基、アリ−ルチオ基、アルケニルオキシカルボニル
基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボ
ニルアルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルアル
コキシカルボニル基、モノ(ヒドロキシアルキル)アミ
ノカルボニル基、ジ(ヒドロキシアルキル)アミノカル
ボニル基、モノ(アルコキシアルキル)アミノカルボニ
ル基、ジ(アルコキシアルキル)アミノカルボニル基ま
たは炭素数2〜20のアルケニル基を表し、X1及びX2
は、炭素数1〜20のアルキル基、ハロゲノアルキル
基、アルコキシアルキル基、アルキルチオアルキル基、
ジアルキルアミノアルキル基、アルコキシ基、アルコキ
シアルコキシアルコキシ基、アルキルチオアルコキシ
基、ジアルキルアミノアルコキシ基、ジアルキルアミノ
アルコキシアルコキシ基、アルキルチオ基、アルコキシ
アルキルチオ基、アルキルチオアルキルチオ基、ジアル
キルアミノアルキルチオ基、アリ−ルオキシ基、アリ−
ルチオ基、ヘテロアリ−ル基、ヘテロアリ−ルオキシ
基、ヘテロアリ−ルチオ基及びハロゲン原子を表す。但
し、X1及びX2が同時にハロゲン原子になることはな
い。〕
1. A pyrromethene metal chelate compound represented by the following general formula (I). Embedded image [Wherein, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, Sulfonic acid group, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, halogenoalkyl group, alkoxyalkyl group, alkoxy group, alkoxyalkoxy group, aryloxy group, dialkylaminoalkoxy group, alkylthioalkoxy group, acyl group,
Alkoxycarbonyl group, alkylaminocarbonyl group, dialkylaminocarbonyl group, alkylcarbonylamino group, arylcarbonylamino group, arylaminocarbonyl group, aryloxycarbonyl group, aralkyl group, aryl group, heteroaryl group, Alkylthio, arylthio, alkenyloxycarbonyl, aralkyloxycarbonyl, alkoxycarbonylalkoxycarbonyl, alkylcarbonylalkoxycarbonyl, mono (hydroxyalkyl) aminocarbonyl, di (hydroxyalkyl) aminocarbonyl, mono ( X 1 and X 2 represent an (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group, a di (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms.
Is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenoalkyl group, an alkoxyalkyl group, an alkylthioalkyl group,
Dialkylaminoalkyl group, alkoxy group, alkoxyalkoxyalkoxy group, alkylthioalkoxy group, dialkylaminoalkoxy group, dialkylaminoalkoxyalkoxy group, alkylthio group, alkoxyalkylthio group, alkylthioalkylthio group, dialkylaminoalkylthio group, aryloxy group, aryl −
A ruthio group, a heteroaryl group, a heteroaryloxy group, a heteroarylthio group and a halogen atom. However, X 1 and X 2 are not simultaneously halogen atoms. ]
【請求項2】 基板上に、少なくとも、記録層及び反射
層を有する光記録媒体において、記録層中に、請求項1
記載のピロメテン金属キレート化合物を含有する光記録
媒体。
2. An optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the recording layer comprises
An optical recording medium comprising the pyromethene metal chelate compound as described in the above.
【請求項3】 波長520〜690nmの範囲から選択
されるレーザー光に対して記録及び再生が可能である請
求項2記載の光記録媒体。
3. The optical recording medium according to claim 2, wherein recording and reproduction can be performed with respect to a laser beam selected from a wavelength range of 520 to 690 nm.
【請求項4】 レーザー波長において、記録層の屈折率
が1.8以上、且つ、消衰係数が0.04〜0.40で
ある請求項2記載の光記録媒体。
4. The optical recording medium according to claim 2, wherein the recording layer has a refractive index of 1.8 or more and an extinction coefficient of 0.04 to 0.40 at a laser wavelength.
【請求項5】 波長520〜690nmの範囲から選択
されるレーザー光に対して、基板側から測定した反射率
が20%以上である請求項2〜4のいずれかに記載の光
記録媒体。
5. The optical recording medium according to claim 2, wherein a reflectance of the laser light selected from the wavelength range of 520 to 690 nm measured from the substrate side is 20% or more.
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