JP3820050B2 - Optical recording medium - Google Patents

Description

【００１１】
〔式中、Ｒ₁〜Ｒ₈は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数２０以下の置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アラルキル基、アシル基、アリール基、ヘテロアリール基、またはアルキルスルホン酸基を表し、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、Ａは炭素数２０以下の置換または未置換のアリール基またはヘテロアリール基を表す。〕
▲２▼ 一般式（１）で表される化合物のＡが、置換または未置換のフェニル基、ナフチル基、フリル基、ピロリル基、またはチエニル基である▲１▼に記載の光記録媒体、
▲３▼ 波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択されるレーザー光に対して記録および再生が可能である▲１▼または▲２▼に記載の光記録媒体に関するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の具体的構成について以下に説明する。
【００１３】
この光記録媒体は基板１、記録層２、反射層３および保護層４が順次積層している４層構造を有している。これを図１に示すように単板で用いてもよく、図２に示すようにＤＶＤのように接着層５で貼り合わせても良い。
【００１４】
基板の材質としては、基本的には記録光および再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピットを形成することもある。このような案内溝やピットは、基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。
【００１５】
本発明においては、基板上に記録層を設けるが、本発明の記録層は、一般式（１）で示される化合物を含有する。
【００１６】
本発明の記録層に含有される一般式（１）で示される化合物のＲ₁〜Ｒ₈の具体例を次に述べる。
【００１７】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００１８】
置換または未置換のアルキル基としては、直鎖または分岐または環状のアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルコキシカルボニルオキシアルキル基、アルコキシアルコキシカルボニルオキシアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアルコキシアルキル基、ヒドロキシアルコキシアルコキシアルキル基、シアノアルキル基、アシルオキシアルキル基、アシルオキシアルコキシアルキル基、アシルオキシアルコキシアルコキシアルキル基、ハロゲン化アルキル、スルホンアルキル基、アルキルカルボニルアミノアルキル基、アルキルスルホンアミノアルキル基、スルホンアミドアルキル基、アルキルアミノアルキル基、アミノアルキル基、およびアルキルスルホンアルキル基の中から選択される。
【００１９】
直鎖または分岐または環状のアルキル基としては、ポリカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリオレフィン基板などへの塗布による加工性を考慮すれば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリメチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−メチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラエチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−ｃｙｃｌｏ−ペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−ｃｙｃｌｏ−ヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基などが挙げられる。
【００２０】
アルコキシアルキル基の例としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、４−メチルペントキシエチル基、１，３−ジメチルブトキシエチル基、２−エチルヘキシルオキシエチル基、ｎ−オクチルオキシエチル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシエチル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポキシエチル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルオキシエチル基、２−エトキシ−１−メチルエチル基、３−メトキシブチル基、３，３，３−トリフルオロプロポキシエチル基、３，３，３−トリクロロプロポキシエチル基などが挙げられる。
【００２１】
アルコキシアルコキシアルキル基の例としては、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、ヘキシルオキシエトキシエチル基、１，２−ジメチルプロポキシエトキシエチル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブトキシエトキシエチル基、２−メトキシ−１−メチルエトキシエチル基、２−ブトキシ−１−メチルエトキシエチル基、２−（２’−エトキシ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、３，３，３−トリフルオロプロポキシエトキシエチル基、３，３，３−トリクロロプロポキシエトキシエチル基などが挙げられる。
【００２２】
アルコキシアルコキシアルコキシアルキル基の例としては、メトキシエトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエトキシエチル基、２，２，２−トリフルオロエトキシエトキシエトキシエチル基、２，２，２−トリクロロエトキシエトキシエトキシエチル基などが挙げられる。
【００２３】
アルコキシカルボニルアルキル基の例としては、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブトキシカルボニルエチル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシカルボニルメチル基、２，２，３，３−テトラクロロプロポキシカルボニルメチル基などが挙げられる。
【００２４】
アルコキシカルボニルオキシアルキル基の例としては、メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニルオキシエチル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニルオキシエチル基などが挙げられる。
【００２５】
アルコキシアルコキシカルボニルオキシアルキル基の例としては、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、２，２，２−トリフルオロエトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、２，２，２−トリクロロエトキシエトキシカルボニルオキシエチル基などが挙げられる。
【００２６】
ヒドロキシアルキル基の例としては、２−ヒドロキシエチル基、４−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシブチル基などが挙げられる。
【００２７】
ヒドロキシアルコキシアルキル基の例としては、ヒドロキシエトキシエチル基、２−（２’−ヒドロキ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、２−（３’−フルオロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、２−（３’−クロロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基などが挙げられる。
【００２８】
ヒドロキシアルコキシアルコキシアルキル基の例としては、ヒドロキシエトキシエトキシエチル基、［２’−（２’−ヒドロキ−１’−メチルエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２’−（２’−フルオロ−１’−ヒドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２’−（２’−クロロ−１’−ヒドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基などが挙げられる。
【００２９】
シアノアルキル基の例としては、２−シアノエチル基、４−シアノブチル基、２−シアノ−３−メトキシプロピル基、２−シアノ−３−クロロプロピル基、２−シアノ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−シアノプロピル基、２−シアノ−３−フェノキシプロピル基、２−シアノプロピル基、２−シアノブチル基などが挙げられる。
【００３０】
アシルオキシアルキル基の例としては、アセトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル基、ブチリルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、１−エチルペンチルカルボニルオキシエチル基、２，４，４−トリメチルペンチルカルボニルオキシエチル基、３−フルオロブチリルオキシエチル基、３−クロロブチリルオキシエチル基などが挙げられる。
【００３１】
アシルオキシアルコキシアルキル基の例としては、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、１−エチルペンチルカルボニルオキシエトキシエチル基、２，４，４−トリメチルペンチルカルボニルオキシエトキシエチル基、２−フルオロプロピオニルオキシエトキシエチル基、２−クロロプロピオニルオキシエトキシエチル基などが挙げられる。
【００３２】
アシルオキシアルコキシアルコキシアルキル基の例としては、アセトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエトキシエチル基、１−エチルペンチルカルボニルオキシエトキシエトキシエチル基、２，４，４−トリメチルペンチルカルボニルオキシエトキシエトキシエチル基、２−フルオロプロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、２−クロロプロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基などが挙げられる。
【００３３】
ハロゲン化アルキル基の例としては、クロロメチル基、クロロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、トリフルオロメチル基、ブロムメチル基、ヨウ化メチル基などが挙げられる。
【００３４】
スルホンアルキル基の例としては、スルホンメチル基、スルホンエチル基、スルホンプロピル基などが挙げられる。
【００３５】
アルキルカルボニルアミノアルキル基の例としては、メチルカルボニルアミノエチル基、エチルカルボニルアミノエチル基、プロピルカルボニルアミノエチル基、シクロヘキシルカルボニルアミノエチル基、スクシンイミノエチル基などが挙げられる。
【００３６】
アルキルスルホンアミノアルキル基の例としては、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチル基などが挙げられる。
【００３７】
スルホンアミドアルキル基の例としては、スルホンアミドメチル基、スルホンアミドエチル基、スルホンアミドプロピル基などが挙げられる。
【００３８】
アルキルアミノアルキル基の例としては、Ｎ−メチルアミノメチル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノメチル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミノメチル基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノメチル基などが挙げられる。
【００３９】
アミノアルキル基の例としては、アミノメチル基、アミノエチル基、アミノプロピル基などが挙げられる。
【００４０】
アルキルスルホンアルキル基の例としては、メチルスルホンメチル基、エチルスルホンメチル基、ブチルスルホンメチル基、メチルスルホンエチル基、エチルスルホンエチル基、ブチルスルホンエチル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピルスルホンメチル基、２，２，３，３−テトラクロロプロピルスルホンメチル基などが挙げられる。
【００４１】
置換または未置換のアルコキシ基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルコキシ基であり、好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｉｓｏ−ペントキシ基、ｎｅｏ−ペントキシ基、２−メチルブトキシ基などの低級アルコキシ基が挙げられる。
【００４２】
置換または未置換のアシル基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアシル基であり、好ましくは、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、ｉｓｏ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｉｓｏ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基、ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニル基、ｎｅｏ−ペンチルカルボニル基、２−メチルブチルカルボニル基、ニトロベンジルカルボニル基などが挙げられる。
【００４３】
置換または未置換のアリール基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリール基であり、好ましくは、フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチルナフチル基などが挙げられる。
【００４４】
置換または未置換のアラルキル基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基などが挙げられる。
【００４５】
置換または未置換のアルケニル基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルケニル基であり、好ましくは、プロペニル基、１−ブテニル基、ｉｓｏ−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、２−メチル−１−ブテニル基、３−メチル−１−ブテニル基、２−メチル−２−ブテニル基、２，２−ジシアノビニル基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニル基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニル基などの低級アルケニル基が挙げられる。
【００４６】
置換または未置換のアルキルチオ基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルキルチオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、ｎｅｏ−ペンチルチオ基、２−メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチルチオ基などの低級アルキルチオ基が挙げられる。
【００４７】
置換または未置換のアリールオキシ基の例としては、上記に挙げたアリール基と同様な置換基を有するアリールオキシ基であり、好ましくは、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェノキシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ基などが挙げられる。
【００４８】
置換または未置換のアリールチオ基の例としては、上記に挙げたアリール基と同様な置換基を有するアリールチオ基であり、好ましくは、フェニルチオ基、４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシフェニルチオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基などが挙げられる。
【００４９】
置換または未置換のヘテロアリール基の例としては、ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オキサゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル基、インドイル基などを挙げることができる。
【００５０】
置換または未置換のアルキルスルホン基の例としては、上記にあげたアルキル基と同様な置換基を有するアルキルスルホン基であり、好ましくは、メチルスルホン基、エチルスルホン基、ｎ−プロピルスルホン基、ｉｓｏ−プロピルスルホン基、ｎ−ブチルスルホン基、ｉｓｏ−ブチルスルホン基、ｓｅｃ−ブチルスルホン基、ｔ−ブチルスルホン基、ｎ−ペンチルスルホン基、ｉｓｏ−ブチルスルホン基、ｎｅｏ−ペンチルスルホン基、２−メチルブチルスルホン基、２−ヒドロキシエチルスルホン基、２−シアノエチルスルホン基などが挙げられる。
【００５１】
本発明の一般式（１）で示される化合物は、公知の方法、例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．６３，３２０３（１９４１）などの記載に準じて容易に製造することができる。すなわち、一般式（２）に表される化合物と、一般式（３）に表される化合物を塩酸等を触媒として反応させることで製造できる。
【００５２】
【化３】

〔式（２）、（３）中、Ｒ₁〜Ｒ₈、Ｘ、Ａは前記と同じ意味を示す。〕
【００５３】
一般式（１）で示される化合物の具体例を表１に示す。
【００５４】
【表１】

【００５５】
【表２】

【００５６】
また、記録特性などの改善のために、波長３５０ｎｍ〜５５０ｎｍに吸収極大を持ち、４００ｎｍ〜５００ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の化合物と混合しても良い。具体的には、シアニン化合物、スクアリリウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、テトラピラポルフィラジン系化合物、インドフェノール系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリリウム系化合物、アズレニウム系化合物、トリフェニルメタン系化合物、キサンテン系化合物、インダスレン系化合物、インジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メロシアニン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系化合物、オキサジン系化合物、ジピロメテン系化合物などがあり、複数の化合物の混合であっても良い。これらの化合物の混合割合は、０．１〜３０％程度である。
【００５７】
記録層を成膜する際に、必要に応じて前記の化合物に、クエンチャー、化合物熱分解促進剤、紫外線吸収剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのような効果を有する化合物を前記化合物の置換基として導入することも可能である。
【００５８】
クエンチャーの具体例としては、アセチルアセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテコナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミン系も好適である。
【００５９】
化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析（ＴＧ分析）などにより、化合物の熱分解の促進が確認できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系アンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセトナト系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属系アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その他の鉛系化合物、シマントレン［Ｍｎ（Ｃ₅Ｈ₅）（ＣＯ）₃］などのＭｎ系化合物、また、メタロセン化合物の例としては、鉄ビスシクロペンタジエニル錯体（フェロセン）をはじめ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙなどのビスシクロペンタジエニル錯体がある。なかでもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケロセン、チタノセンおよびそれらの誘導体は良好な熱分解促進効果がある。
【００６０】
その他、鉄系金属化合物として、メタロセンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さらには、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の良好なものが望ましい。
【００６１】
上述した各種のクエンチャー及び化合物熱分解促進剤は、必要に応じて、１種類で用いても、他種類を混合して用いても良い。
【００６２】
さらに、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィンなどが挙げられる。
【００６３】
記録層を基板の上に成膜する際に、基板の耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
【００６４】
ここで、記録層における一般式（１）で示される化合物の含有量は、３０％以上、好ましくは６０％以上である。尚、実質的に１００％であることも好ましい。
【００６５】
記録層を設ける方法は、例えば、スピンコート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
【００６６】
スピンコート法などの塗布法を用いる場合には、一般式（１）で示される化合物を１〜４０重量％、好ましくは３〜３０重量％となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフルオロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても良く、あるいは、複数混合しても良い。
【００６７】
なお、必要に応じて、記録層の化合物を高分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
【００６８】
また、基板にダメージを与えない溶媒を選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法などが有効である。
【００６９】
記録層の膜厚は、３０ｎｍ〜１０００ｎｍであるが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。記録層の膜厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化する場合がある。
【００７０】
次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高めるためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、ＣｒおよびＰｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。これ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属および半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
【００７１】
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上などのために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
【００７２】
さらに、反射層の上に形成する保護層の材料としては反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＭｇＦ₂、ＡｌＮ、ＳｎＯ₂などが挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。
【００７３】
保護層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。
【００７４】
保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜３０μｍであり、より好ましくは、５μｍ〜２０μｍである。
【００７５】
保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を行うこともできる。
【００７６】
また、反射層面に保護シートまたは基板を貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向させ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いても良い。
【００７７】
基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜しても良い。
【００７８】
ここで、本発明で言う波長４００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長４４５ｎｍのヘリウムカドミウムレーザー、波長４８８ｎｍのアルゴンレーザー、波長約３９０〜４１０ｎｍのＧａＮ系半導体レーザー、波長約８５０〜８６０ｎｍの赤外線レーザーの第２高調波約４２５〜４３０ｎｍを発振する半導体レーザーなどがあげられる。本発明では、これらから選択される１波長または複数波長において高密度記録および再生が可能となる。
【００７９】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれによりなんら限定されるものではない。
【００８０】
実施例１
一般式（１）で表される化合物のうち、化合物（１−１）０．２ｇをジアセトンアルコール１０ｍｌに溶解し、化合物溶液を調製した。
【００８１】
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．７μｍ）を有する外径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に、この化合物溶液を回転数２０００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃で３時間乾燥して記録層を形成した。
【００８２】
この記録層の上に島津製作所製スパッタ装置を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー０．５Ａ、スパッタガス圧１．０×１０^-3Ｔｏｒｒで行った。
【００８３】
さらに、反射層の上に、紫外線硬化樹脂ＳＤ−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、前記基板と同様な案内溝のない基板をのせ、紫外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製した。
【００８４】
以上のようにして記録層が形成された光記録媒体について、以下のようにピットの書き込みを行った。
【００８５】
４３０ｎｍの青色高調波変換レーザーヘッド（ＮＡ＝０．６５）を搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、最短ピットが０．４μｍのＥＦＭ変調信号を、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置を用いてレーザー出力を０．５ｍＷにして信号を再生し、反射率、エラーレート及びジッターを測定した結果、いずれも良好な値を示した。なお、再生の際はイコライゼーション処理を施した。
【００８６】
この記録した媒体について、加速劣化試験（湿度８５％ＲＴ、８０℃で１００時間）を行い、試験後の反射率、エラーレート及びジッターを測定した結果、変化は小さく優れた耐久性を有することが確認された。
【００８７】
実施例２〜２３
記録層に化合物（１−２）〜（１−２３）を用いること以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピットを書き込んで記録した後、信号再生を行った。いずれの場合も、反射率４０％以上、エラーレート１１ｃｐｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。また、加速劣化試験後の反射率の変化は２％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッターの変化は１％以下と、優れた耐久性を有することが確認された。
【００８８】
表２にそれぞれの実施例における加速劣化試験前後の反射率、エラーレート及びジッター値を示した。
【００８９】
【表３】

【００９０】
【発明の効果】
本発明によれば、一般式（１）で示される化合物を記録層として用いることにより、高密度光記録媒体として非常に注目されている波長４００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで記録および再生が可能な追記型光記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す断面構造図である。
【図２】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す断面構造図である。
【符号の説明】
１：基板
２：記録層
３：反射層
４：保護層
５：接着層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical recording medium, and more particularly to a write-once type optical recording medium containing a compound that can be recorded / reproduced by blue laser light.
[0002]
[Prior art]
As an optical recording medium having a reflective layer on a substrate, a recordable CD-R (CD-Recordable) corresponding to a compact disc (hereinafter abbreviated as CD) standard is widely used. Although the recording capacity of the CD-R is about 0.65 GB, with the dramatic increase in the amount of information, there is an increasing demand for higher density and larger capacity for the information recording medium.
[0003]
By shortening the wavelength of the recording and reproducing laser, the beam spot can be reduced, and high-density optical recording becomes possible. Recently, development of short-wavelength semiconductor lasers used in optical disk systems has progressed, and red semiconductor lasers with wavelengths of 680 nm, 650 nm, and 635 nm have been put into practical use [for example, Nikkei Electronics, No. 592, p. 65, October 11, 1993 issue]. DVDs that use these semiconductor lasers and digitally record moving images for 2 hours or more have been put into practical use. Since a DVD is a read-only medium, development of a write-once optical recording medium (DVD-R) corresponding to this capacity is also in progress.
[0004]
Furthermore, development of a blue semiconductor laser having a wavelength of 400 nm to 500 nm that enables ultra-high density recording is also progressing rapidly [for example, Nikkei Electronics, 708, p. 117, January 26, 1998], and a write-once type optical recording medium corresponding to that has been developed.
[0005]
When pits are formed by irradiating a recording layer of a write-once optical recording medium with a laser beam and causing physical or chemical changes in the recording layer, the pits have good optical constants and decomposition behavior for the compound. It becomes an important factor. Those that are difficult to decompose have reduced sensitivity, and those that are severely decomposed or easily changed have a large influence between pits and in the radial direction, making it difficult to form reliable pits. The conventional CD-R medium has a low refractive index of the recording layer and an appropriate extinction coefficient at the blue semiconductor laser wavelength used in ultra-high density recording, so that the reflectivity decreases, the error rate increases, Good recording / playback is not possible due to increased jitter. Therefore, it is necessary to select a compound suitable for the optical property and decomposition behavior with respect to the blue semiconductor laser as the compound used for the recording layer.
[0006]
However, examples of organic dye compounds that have been actually proposed include cyanine compounds described in JP-A-4-74690, porphyrin compounds described in JP-A-7-304256 and JP-A-7-304257, and the like. There are limited examples.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, since the cyanine compound generally has low light resistance, when the medium is stored for a long period of time, it sometimes cannot be reproduced. The porphyrin compound described in the above publication is a laser beam when used alone in the recording layer of an optical recording medium, as described in the examples of JP-A-7-304256 or JP-A-7-304257. It cannot be said that the compound used for the recording layer has a sufficiently satisfactory performance, such as the inability to write by. Furthermore, in the optical recording medium in the publication, it is essential to use a mixture of a single molecule or a polymer compound having a substituent coordinated with an organic dye, and the implementation of JP-A-7-304257. Since the recording layer may become cloudy like the sample disk described in the example column, it is necessary to set the composition ratio and the production of the medium is complicated, and there is still room for improvement in productivity. It was. Therefore, there is an urgent need to develop a dye for an optical recording medium suitable for producing a medium excellent in ultra-high density recording and long-term storage stability.
[0008]
An object of the present invention is to provide an optical recording medium having, in a recording layer, a compound suitable for ultrahigh density recording, which can be recorded and reproduced satisfactorily with a laser beam selected from a wavelength range of 400 nm to 500 nm. .
[0009]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have completed the present invention. That is, the present invention
(1) An optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the recording layer contains a compound represented by the following general formula (1),
[0010]
[Chemical 2]

[0011]
[Wherein, R _{1 to} R ₈ are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 20 or less carbon atoms, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryloxy group, an arylthio group, an alkenyl group, an aralkyl group. , An acyl group, an aryl group, a heteroaryl group, or an alkylsulfonic acid group, X represents an oxygen atom or a sulfur atom, and A represents a substituted or unsubstituted aryl group or heteroaryl group having 20 or less carbon atoms. ]
(2) The optical recording medium according to (1), wherein A in the compound represented by the general formula (1) is a substituted or unsubstituted phenyl group, naphthyl group, furyl group, pyrrolyl group, or thienyl group,
(3) The present invention relates to the optical recording medium according to (1) or (2), wherein recording and reproduction are possible with respect to a laser beam selected from a wavelength range of 400 nm to 500 nm.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
A specific configuration of the present invention will be described below.
[0013]
This optical recording medium has a four-layer structure in which a substrate 1, a recording layer 2, a reflective layer 3, and a protective layer 4 are sequentially laminated. This may be used as a single plate as shown in FIG. 1, or may be bonded together with an adhesive layer 5 as shown in FIG.
[0014]
The substrate material may be basically transparent at the wavelengths of recording light and reproducing light. For example, an acrylic resin such as polycarbonate resin, vinyl chloride resin or polymethyl methacrylate, a polymer material such as polystyrene resin or epoxy resin, or an inorganic material such as glass is used. These substrate materials are formed into a disk shape by an injection molding method or the like. If necessary, guide grooves and pits may be formed on the substrate surface. Such guide grooves and pits are desirably provided at the time of forming the substrate, but can also be provided on the substrate using an ultraviolet curable resin layer.
[0015]
In the present invention, a recording layer is provided on a substrate. The recording layer of the present invention contains a compound represented by the general formula (1).
[0016]
Specific examples of R _{1 to} R ₈ of the compound represented by the general formula (1) contained in the recording layer of the present invention are described below.
[0017]
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
[0018]
Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group include linear, branched or cyclic alkyl groups, alkoxyalkyl groups, alkoxyalkoxyalkyl groups, alkoxyalkoxyalkoxyalkyl groups, alkoxycarbonylalkyl groups, alkoxycarbonyloxyalkyl groups, alkoxyalkoxycarbonyloxy groups. Alkyl group, hydroxyalkyl group, hydroxyalkoxyalkyl group, hydroxyalkoxyalkoxyalkyl group, cyanoalkyl group, acyloxyalkyl group, acyloxyalkoxyalkyl group, acyloxyalkoxyalkoxyalkyl group, alkyl halide, sulfonealkyl group, alkylcarbonylaminoalkyl group , Alkylsulfonaminoalkyl group, sulfonamidoalkyl group, alkylaminoalkyl group Aminoalkyl groups, and they are selected from alkyl sulfonic alkyl group.
[0019]
As the linear, branched or cyclic alkyl group, in consideration of processability by application to a polycarbonate, acrylic, epoxy, polyolefin substrate or the like, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an iso-propyl group, an n- Butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, iso-pentyl group, 2-methylbutyl group, 1-methylbutyl group, neo-pentyl group, 1,2-dimethylpropyl group 1,1-dimethylpropyl group, cyclo-pentyl group, n-hexyl group, 4-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-methylpentyl group, 3,3-dimethylbutyl group 2,3-dimethylbutyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group 1,1-dimethylbutyl group, 3-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 1,2,2-trimethylbutyl group, 1,1,2-trimethylbutyl group, 1-ethyl-2- Methylpropyl group, cyclo-hexyl group, n-heptyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4-methylhexyl group, 5-methylhexyl group, 2,4-dimethylpentyl group, n-octyl group 2-ethylhexyl group, 2,5-dimethylhexyl group, 2,5,5-trimethylpentyl group, 2,4-dimethylhexyl group, 2,2,4-trimethylpentyl group, 3,5,5-trimethylhexyl Group, n-nonyl group, n-decyl group, 4-ethyloctyl group, 4-ethyl-4,5-methylhexyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, 1, , 5,7-tetraethyloctyl group, 4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n-tridecyl group, 6-methyl-4-butyloctyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, 3, 5-dimethylheptyl group, 2,6-dimethylheptyl group, 2,4-dimethylheptyl group, 2,2,5,5-tetramethylhexyl group, 1-cyclo-pentyl-2,2-dimethylpropyl group, 1 -Cyclo-hexyl-2,2-dimethylpropyl group and the like can be mentioned.
[0020]
Examples of alkoxyalkyl groups include methoxymethyl, ethoxymethyl, propoxymethyl, butoxymethyl, methoxyethyl, ethoxyethyl, propoxyethyl, butoxyethyl, n-hexyloxyethyl, 4-methyl. Pentoxyethyl group, 1,3-dimethylbutoxyethyl group, 2-ethylhexyloxyethyl group, n-octyloxyethyl group, 3,5,5-trimethylhexyloxyethyl group, 2-methyl-1-iso-propylpropoxy Ethyl group, 3-methyl-1-iso-propylbutyloxyethyl group, 2-ethoxy-1-methylethyl group, 3-methoxybutyl group, 3,3,3-trifluoropropoxyethyl group, 3,3,3 -A trichloropropoxyethyl group etc. are mentioned.
[0021]
Examples of alkoxyalkoxyalkyl groups include methoxyethoxyethyl, ethoxyethoxyethyl, propoxyethoxyethyl, butoxyethoxyethyl, hexyloxyethoxyethyl, 1,2-dimethylpropoxyethoxyethyl, 3-methyl-1 -Iso-butylbutoxyethoxyethyl group, 2-methoxy-1-methylethoxyethyl group, 2-butoxy-1-methylethoxyethyl group, 2- (2'-ethoxy-1'-methylethoxy) -1-methylethyl Group, 3,3,3-trifluoropropoxyethoxyethyl group, 3,3,3-trichloropropoxyethoxyethyl group and the like.
[0022]
Examples of alkoxyalkoxyalkoxyalkyl groups include methoxyethoxyethoxyethyl group, ethoxyethoxyethoxyethyl group, butoxyethoxyethoxyethyl group, 2,2,2-trifluoroethoxyethoxyethoxyethyl group, 2,2,2-trichloroethoxy An ethoxyethoxyethyl group etc. are mentioned.
[0023]
Examples of alkoxycarbonylalkyl groups include methoxycarbonylmethyl, ethoxycarbonylmethyl, butoxycarbonylmethyl, methoxycarbonylethyl, ethoxycarbonylethyl, butoxycarbonylethyl, 2,2,3,3-tetrafluoropropoxy Examples thereof include a carbonylmethyl group and a 2,2,3,3-tetrachloropropoxycarbonylmethyl group.
[0024]
Examples of alkoxycarbonyloxyalkyl groups include methoxycarbonyloxyethyl, ethoxycarbonyloxyethyl, butoxycarbonyloxyethyl, 2,2,2-trifluoroethoxycarbonyloxyethyl, 2,2,2-trichloroethoxy Examples thereof include a carbonyloxyethyl group.
[0025]
Examples of the alkoxyalkoxycarbonyloxyalkyl group include methoxyethoxycarbonyloxyethyl group, ethoxyethoxycarbonyloxyethyl group, butoxyethoxycarbonyloxyethyl group, 2,2,2-trifluoroethoxyethoxycarbonyloxyethyl group, 2,2 , 2-trichloroethoxyethoxycarbonyloxyethyl group and the like.
[0026]
Examples of the hydroxyalkyl group include 2-hydroxyethyl group, 4-hydroxyethyl group, 2-hydroxy-3-methoxypropyl group, 2-hydroxy-3-chloropropyl group, 2-hydroxy-3-ethoxypropyl group, Examples include 3-butoxy-2-hydroxypropyl group, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 2-hydroxybutyl group and the like.
[0027]
Examples of hydroxyalkoxyalkyl groups include hydroxyethoxyethyl, 2- (2′-hydroxy-1′-methylethoxy) -1-methylethyl, 2- (3′-fluoro-2′-hydroxypropoxy) ethyl Group, 2- (3′-chloro-2′-hydroxypropoxy) ethyl group and the like.
[0028]
Examples of hydroxyalkoxyalkoxyalkyl groups include hydroxyethoxyethoxyethyl group, [2 ′-(2′-hydroxy-1′-methylethoxy) -1′-methylethoxy] ethoxyethyl group, [2 ′-(2 ′). -Fluoro-1'-hydroxyethoxy) -1'-methylethoxy] ethoxyethyl group, [2 '-(2'-chloro-1'-hydroxyethoxy) -1'-methylethoxy] ethoxyethyl group, and the like. .
[0029]
Examples of the cyanoalkyl group include 2-cyanoethyl group, 4-cyanobutyl group, 2-cyano-3-methoxypropyl group, 2-cyano-3-chloropropyl group, 2-cyano-3-ethoxypropyl group, 3- Examples include butoxy-2-cyanopropyl group, 2-cyano-3-phenoxypropyl group, 2-cyanopropyl group, and 2-cyanobutyl group.
[0030]
Examples of the acyloxyalkyl group include an acetoxyethyl group, a propionyloxyethyl group, a butyryloxyethyl group, a valeryloxyethyl group, a 1-ethylpentylcarbonyloxyethyl group, and a 2,4,4-trimethylpentylcarbonyloxyethyl group. , 3-fluorobutyryloxyethyl group, 3-chlorobutyryloxyethyl group, and the like.
[0031]
Examples of acyloxyalkoxyalkyl groups include acetoxyethoxyethyl group, propionyloxyethoxyethyl group, valeryloxyethoxyethyl group, 1-ethylpentylcarbonyloxyethoxyethyl group, 2,4,4-trimethylpentylcarbonyloxyethoxyethyl group , 2-fluoropropionyloxyethoxyethyl group, 2-chloropropionyloxyethoxyethyl group, and the like.
[0032]
Examples of acyloxyalkoxyalkoxyalkyl groups include acetoxyethoxyethoxyethyl group, propionyloxyethoxyethoxyethyl group, valeryloxyethoxyethoxyethyl group, 1-ethylpentylcarbonyloxyethoxyethoxyethyl group, 2,4,4-trimethylpentyl. Examples include carbonyloxyethoxyethoxyethyl group, 2-fluoropropionyloxyethoxyethoxyethyl group, 2-chloropropionyloxyethoxyethoxyethyl group, and the like.
[0033]
Examples of the halogenated alkyl group include a chloromethyl group, a chloroethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, a trifluoromethyl group, a bromomethyl group, and a methyl iodide group.
[0034]
Examples of the sulfonealkyl group include a sulfonemethyl group, a sulfoneethyl group, and a sulfonepropyl group.
[0035]
Examples of the alkylcarbonylaminoalkyl group include a methylcarbonylaminoethyl group, an ethylcarbonylaminoethyl group, a propylcarbonylaminoethyl group, a cyclohexylcarbonylaminoethyl group, a succiniminoethyl group, and the like.
[0036]
Examples of the alkylsulfonaminoalkyl group include a methylsulfonaminoethyl group, an ethylsulfonaminoethyl group, a propylsulfonaminoethyl group, and the like.
[0037]
Examples of the sulfonamidoalkyl group include a sulfonamidomethyl group, a sulfonamidoethyl group, and a sulfonamidopropyl group.
[0038]
Examples of alkylaminoalkyl groups include N-methylaminomethyl, N, N-dimethylaminomethyl, N, N-diethylaminomethyl, N, N-dipropylaminomethyl, N, N-dibutylaminomethyl. Groups and the like.
[0039]
Examples of the aminoalkyl group include an aminomethyl group, an aminoethyl group, and an aminopropyl group.
[0040]
Examples of alkyl sulfone alkyl groups include methyl sulfone methyl group, ethyl sulfone methyl group, butyl sulfone methyl group, methyl sulfone ethyl group, ethyl sulfone ethyl group, butyl sulfone ethyl group, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl Examples thereof include a sulfonemethyl group and a 2,2,3,3-tetrachloropropylsulfonemethyl group.
[0041]
Examples of the substituted or unsubstituted alkoxy group include an alkoxy group having the same substituent as the alkyl group listed above, and preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, n Examples include lower butoxy groups such as -butoxy group, iso-butoxy group, sec-butoxy group, t-butoxy group, n-pentoxy group, iso-pentoxy group, neo-pentoxy group, and 2-methylbutoxy group.
[0042]
Examples of the substituted or unsubstituted acyl group are acyl groups having the same substituents as the alkyl groups listed above, preferably a formyl group, a methylcarbonyl group, an ethylcarbonyl group, an n-propylcarbonyl group, iso-propylcarbonyl group, n-butylcarbonyl group, iso-butylcarbonyl group, sec-butylcarbonyl group, t-butylcarbonyl group, n-pentylcarbonyl group, iso-pentylcarbonyl group, neo-pentylcarbonyl group, 2- Examples thereof include a methylbutylcarbonyl group and a nitrobenzylcarbonyl group.
[0043]
Examples of the substituted or unsubstituted aryl group are aryl groups having the same substituents as the alkyl groups listed above, and preferably a phenyl group, a nitrophenyl group, a cyanophenyl group, a hydroxyphenyl group, a methylphenyl group. Group, trifluoromethylphenyl group, naphthyl group, nitronaphthyl group, cyanonaphthyl group, hydroxynaphthyl group, methylnaphthyl group, trifluoromethylnaphthyl group and the like.
[0044]
Examples of the substituted or unsubstituted aralkyl group are aralkyl groups having the same substituents as the alkyl groups listed above, preferably benzyl group, nitrobenzyl group, cyanobenzyl group, hydroxybenzyl group, methylbenzyl Group, trifluoromethylbenzyl group, naphthylmethyl group, nitronaphthylmethyl group, cyanonaphthylmethyl group, hydroxynaphthylmethyl group, methylnaphthylmethyl group, trifluoromethylnaphthylmethyl group and the like.
[0045]
Examples of the substituted or unsubstituted alkenyl group are alkenyl groups having the same substituents as the alkyl groups listed above, and are preferably a propenyl group, a 1-butenyl group, an iso-butenyl group, and a 1-pentenyl group. 2-pentenyl group, 2-methyl-1-butenyl group, 3-methyl-1-butenyl group, 2-methyl-2-butenyl group, 2,2-dicyanovinyl group, 2-cyano-2-methylcarboxyl vinyl And lower alkenyl groups such as 2-cyano-2-methylsulfonvinyl group.
[0046]
Examples of the substituted or unsubstituted alkylthio group are alkylthio groups having the same substituents as the alkyl groups listed above, and preferably a methylthio group, an ethylthio group, an n-propylthio group, an iso-propylthio group, n Lower alkylthio such as -butylthio group, iso-butylthio group, sec-butylthio group, t-butylthio group, n-pentylthio group, iso-pentylthio group, neo-pentylthio group, 2-methylbutylthio group, methylcarboxylethylthio group Groups.
[0047]
Examples of the substituted or unsubstituted aryloxy group are aryloxy groups having the same substituents as the aryl groups listed above, preferably a phenoxy group, a 2-methylphenoxy group, a 4-methylphenoxy group, Examples include 4-t-butylphenoxy group, 2-methoxyphenoxy group, 4-iso-propylphenoxy group.
[0048]
Examples of the substituted or unsubstituted arylthio group are arylthio groups having the same substituents as the above-mentioned aryl groups, preferably a phenylthio group, a 4-methylphenylthio group, a 2-methoxyphenylthio group, 4-t-butylphenylthio group etc. are mentioned.
[0049]
Examples of substituted or unsubstituted heteroaryl groups include pyrrolyl, thienyl, furanyl, oxazoyl, isoxazoyl, oxadiazoyl, imidazolyl, benzoxazoyl, benzothiazoyl, benzoimidazolyl, benzofuranyl Group, indoyl group and the like.
[0050]
Examples of the substituted or unsubstituted alkylsulfone group are alkylsulfone groups having the same substituents as the above-mentioned alkyl groups, and preferably methylsulfone group, ethylsulfone group, n-propylsulfone group, iso -Propylsulfone group, n-butylsulfone group, iso-butylsulfone group, sec-butylsulfone group, t-butylsulfone group, n-pentylsulfone group, iso-butylsulfone group, neo-pentylsulfone group, 2-methyl A butyl sulfone group, 2-hydroxyethyl sulfone group, 2-cyanoethyl sulfone group, etc. are mentioned.
[0051]
The compound represented by the general formula (1) of the present invention can be prepared by a known method, for example, J. Org. Am. Chem. Soc. 63, 3203 (1941) and the like. That is, it can be produced by reacting the compound represented by the general formula (2) with the compound represented by the general formula (3) using hydrochloric acid or the like as a catalyst.
[0052]
[Chemical 3]

[In the formulas (2) and (3), R _{1 to} R ₈ , X and A have the same meaning as described above. ]
[0053]
Specific examples of the compound represented by the general formula (1) are shown in Table 1.
[0054]
[Table 1]

[0055]
[Table 2]

[0056]
Further, in order to improve the recording characteristics and the like, it may be mixed with a compound other than the above compounds having an absorption maximum at a wavelength of 350 nm to 550 nm and a large refractive index at 400 nm to 500 nm. Specifically, cyanine compounds, squarylium compounds, naphthoquinone compounds, anthraquinone compounds, tetrapyraporphyrazine compounds, indophenol compounds, pyrylium compounds, thiopyrylium compounds, azurenium compounds, triphenylmethane compounds, There are xanthene compounds, indanthrene compounds, indigo compounds, thioindigo compounds, merocyanine compounds, thiazine compounds, acridine compounds, oxazine compounds, dipyrromethene compounds, and a mixture of a plurality of compounds. . The mixing ratio of these compounds is about 0.1 to 30%.
[0057]
When forming the recording layer, if necessary, the compound is mixed with a quencher, a compound thermal decomposition accelerator, an ultraviolet absorber, an adhesive, or the like, or a compound having such an effect is added. It can also be introduced as a substituent of the compound.
[0058]
Specific examples of quenchers include metal complexes such as acetylacetonate, bisdithio-α-diketone and bisdithiol such as bisphenyldithiol, thiocateconal, salicylaldehyde oxime, and thiobisphenolate. preferable. Also suitable are amine systems.
[0059]
The compound thermal decomposition accelerator is not particularly limited as long as the thermal decomposition of the compound can be confirmed by thermal loss analysis (TG analysis). For example, a metal-based anti-knock agent, a metallocene compound, acetylacetate Examples thereof include metal compounds such as a nato-based metal complex. Examples of metal-based anti-knock agents include tetraethyl lead, other lead-based compounds, Mn-based compounds such as simantren [Mn (C ₅ H ₅ ) (CO) ₃ ], and examples of metallocene compounds include iron Biscyclopentadienyl complex (ferrocene), biscyclopenta such as Ti, V, Mn, Cr, Co, Ni, Mo, Ru, Rh, Zr, Lu, Ta, W, Os, Ir, Sc, Y There are dienyl complexes. Among these, ferrocene, ruthenocene, osmocene, nickelocene, titanocene and derivatives thereof have a good thermal decomposition promoting effect.
[0060]
In addition to metallocene, as iron-based metal compounds, organic acid iron compounds such as iron formate, iron oxalate, iron laurate, iron naphthenate, iron stearate, iron acetate, acetylacetonate iron complex, phenanthroline iron complex , Bispyridine iron complex, ethylenediamine iron complex, ethylenediaminetetraacetic acid iron complex, diethylenetriamine iron complex, diethylene glycol dimethyl ether iron complex, diphosphino iron complex, dimethylglyoximate iron complex and other chelating iron complexes, carbonyl iron complex, cyano iron complex, ammine iron Iron complexes such as ferrous chloride, iron halides such as ferrous chloride, ferric chloride, ferrous bromide and ferric bromide, or inorganic iron salts such as iron nitrate and iron sulfate, and oxidation Examples include iron. The thermal decomposition accelerator used here is preferably soluble in an organic solvent and good in heat and moisture resistance and light resistance.
[0061]
The above-described various quenchers and compound thermal decomposition accelerators may be used alone or in combination with other types as required.
[0062]
Furthermore, you may add additive substances, such as a binder, a leveling agent, and an antifoamer, as needed. Preferred binders include polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, nitrocellulose, cellulose acetate, ketone resin, acrylic resin, polystyrene resin, urethane resin, polyvinyl butyral, polycarbonate, polyolefin and the like.
[0063]
When the recording layer is formed on the substrate, a layer made of an inorganic substance or a polymer may be provided on the substrate in order to improve the solvent resistance, reflectance, recording sensitivity, etc. of the substrate.
[0064]
Here, the content of the compound represented by the general formula (1) in the recording layer is 30% or more, preferably 60% or more. In addition, it is also preferable that it is substantially 100%.
[0065]
Examples of the method for providing the recording layer include spin coating, spraying, casting, dipping, and other coating methods, sputtering, chemical vapor deposition, and vacuum vapor deposition. The spin coating method is simple and preferable.
[0066]
When a coating method such as spin coating is used, a coating solution in which the compound represented by the general formula (1) is dissolved or dispersed in a solvent so as to be 1 to 40% by weight, preferably 3 to 30% by weight. In this case, it is preferable to select a solvent that does not damage the substrate. For example, alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, octafluoropentanol, allyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, tetrafluoropropanol, hexane, heptane, octane, decane, cyclohexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, dimethylcyclohexane Aliphatic or alicyclic hydrocarbon solvents such as, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, benzene, halogenated hydrocarbon solvents such as carbon tetrachloride, chloroform, tetrachloroethane, dibromoethane, diethyl ether, Ether solvents such as dibutyl ether, diisopropyl ether and dioxane, ketone solvents such as acetone and 3-hydroxy-3-methyl-2-butanone, ethyl acetate Ester solvents such as methyl lactate, and water. These may be used alone or in combination.
[0067]
If necessary, the compound of the recording layer can be dispersed in a polymer thin film or the like.
[0068]
In addition, when a solvent that does not damage the substrate cannot be selected, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method, or the like is effective.
[0069]
The film thickness of the recording layer is 30 nm to 1000 nm, preferably 50 nm to 300 nm. If the thickness of the recording layer is less than 50 nm, recording may not be possible due to large thermal diffusion, or the recording signal may be distorted and the signal amplitude may be reduced. On the other hand, when the film thickness is larger than 300 nm, the reflectance is lowered, and the reproduction signal characteristics may be deteriorated.
[0070]
Next, a reflective layer having a thickness of preferably 50 nm to 300 nm is formed on the recording layer. In order to increase the reflectance and improve the adhesion, a reflection amplification layer and an adhesive layer can be provided between the recording layer and the reflection layer. As a material for the reflective layer, a material having a sufficiently high reflectivity at the wavelength of the reproduction light, for example, Au, Al, Ag, Cu, Ti, Cr, Ni, Pt, Ta, Cr, and Pd are used alone or in an alloy. It is possible to use. Among these, Au, Al, and Ag have high reflectivity and are suitable as the material for the reflective layer. Other than this, the following may be included. For example, Mg, Se, Hf, V, Nb, Ru, W, Mn, Re, Fe, Co, Rh, Ir, Zn, Cd, Ga, In, Si, Ge, Te, Pb, Po, Sn, Bi, etc. And metals and metalloids. In addition, a material containing Au as a main component is preferable because a reflective layer having a high reflectance can be easily obtained. Here, the main component means that the content is 50% or more. It is also possible to form a multilayer film by alternately stacking a low refractive index thin film and a high refractive index thin film using a material other than metal, and use it as a reflective layer.
[0071]
Examples of the method for forming the reflective layer include sputtering, ion plating, chemical vapor deposition, and vacuum vapor deposition. In addition, a known inorganic or organic intermediate layer or adhesive layer may be provided on the substrate or below the reflective layer in order to improve reflectivity, recording characteristics, and adhesion.
[0072]
Furthermore, the material of the protective layer formed on the reflective layer is not particularly limited as long as it protects the reflective layer from external force. Examples of the organic substance include a thermoplastic resin, a thermosetting resin, an electron beam curable resin, and an ultraviolet curable resin. Examples of inorganic substances include SiO ₂ , SiO, Si ₃ N ₄ , MgF ₂ , AlN, and SnO ₂ . A thermoplastic resin, a thermosetting resin, etc. can be formed by dissolving in an appropriate solvent, applying a coating solution, and drying. The ultraviolet curable resin can be formed by preparing a coating solution as it is or by dissolving in an appropriate solvent, and then applying the coating solution and curing it by irradiating with ultraviolet rays. As the ultraviolet curable resin, for example, acrylate resins such as urethane acrylate, epoxy acrylate, and polyester acrylate can be used. These materials may be used alone or in combination, and may be used not only as a single layer but also as a multilayer film.
[0073]
As a method for forming the protective layer, a coating method such as a spin coating method and a casting method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and the like are used as in the recording layer. Among these, a spin coating method is preferable.
[0074]
The thickness of the protective layer is generally in the range of 0.1 μm to 100 μm, but in the present invention, it is 3 μm to 30 μm, more preferably 5 μm to 20 μm.
[0075]
A label or the like can be further printed on the protective layer.
[0076]
Alternatively, a protective sheet or substrate may be bonded to the reflective layer surface, or two optical recording media may be bonded to each other with the reflective layer surfaces facing each other.
[0077]
An ultraviolet curable resin, an inorganic thin film, or the like may be formed on the mirror surface side of the substrate in order to protect the surface and prevent adhesion of dust and the like.
[0078]
Here, the laser having a wavelength of 400 nm to 500 nm in the present invention is not particularly limited. For example, a dye laser capable of selecting a wavelength in a wide range of visible light region, a helium cadmium laser having a wavelength of 445 nm, an argon laser having a wavelength of 488 nm, a wavelength Examples thereof include a GaN-based semiconductor laser having a wavelength of about 390 to 410 nm and a semiconductor laser that emits a second harmonic of about 425 to 430 nm of an infrared laser having a wavelength of about 850 to 860 nm. In the present invention, high-density recording and reproduction are possible at one wavelength or a plurality of wavelengths selected from these.
[0079]
【Example】
Examples of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited thereto.
[0080]
Example 1
Of the compound represented by the general formula (1), 0.2 g of the compound (1-1) was dissolved in 10 ml of diacetone alcohol to prepare a compound solution.
[0081]
This compound solution was spin-coated at a rotation speed of 2000 rpm on a disc-shaped substrate having an outer diameter of 120 mm and a thickness of 0.6 mm made of polycarbonate resin and having continuous guide grooves (track pitch: 0.7 μm), and at 70 ° C. The recording layer was formed by drying for 3 hours.
[0082]
On the recording layer, Au was sputtered using a sputtering apparatus manufactured by Shimadzu Corporation to form a reflective layer having a thickness of 100 nm. Argon gas was used as the sputtering gas. The sputtering conditions were a sputtering power of 0.5 A and a sputtering gas pressure of 1.0 × 10 ⁻³ Torr.
[0083]
Furthermore, after spin coating UV curable resin SD-301 (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals) on the reflective layer, a substrate without a guide groove similar to the above substrate is placed, and the substrate is bonded by irradiating with ultraviolet rays An optical recording medium was produced.
[0084]
With respect to the optical recording medium having the recording layer formed as described above, pits were written as follows.
[0085]
Using an optical disk evaluation device (DDU-1000) manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd. equipped with a 430 nm blue harmonic conversion laser head (NA = 0.65) and an EFM encoder manufactured by KENWOOD, an EFM modulated signal having a shortest pit of 0.4 μm Recording was performed at a linear velocity of 5.6 m / s and a laser power of 10 mW. After recording, the signal was reproduced using the same evaluation apparatus with a laser output of 0.5 mW, and the reflectance, error rate, and jitter were measured. As a result, all showed good values. In addition, equalization processing was performed at the time of reproduction.
[0086]
This recorded medium was subjected to an accelerated deterioration test (humidity 85% RT, 80 ° C. for 100 hours), and as a result of measuring the reflectivity, error rate and jitter after the test, the change was small and excellent durability was obtained. confirmed.
[0087]
Examples 2-23
An optical recording medium was prepared in the same manner as in Example 1 except that the compounds (1-2) to (1-23) were used for the recording layer, and after recording pits, signals were reproduced. In either case, the reflectivity was 40% or more, the error rate was 11 cps or less, and the jitter was 10% or less. Further, it was confirmed that the reflectivity after the accelerated deterioration test was 2% or less, the error rate was 2 cps or less, and the jitter was 1% or less.
[0088]
Table 2 shows the reflectance, error rate, and jitter value before and after the accelerated deterioration test in each example.
[0089]
[Table 3]

[0090]
【The invention's effect】
According to the present invention, by using the compound represented by the general formula (1) as a recording layer, a write-once type that can be recorded and reproduced with a laser having a wavelength of 400 nm to 500 nm, which has attracted much attention as a high-density optical recording medium. An optical recording medium can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional structure diagram showing an example of a layer structure of an optical recording medium according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional structure diagram showing an example of a layer structure of an optical recording medium according to the present invention.
[Explanation of symbols]
1: Substrate 2: Recording layer 3: Reflective layer 4: Protective layer 5: Adhesive layer

Claims (3)

An optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the recording layer contains the compound represented by the general formula (1).

[Wherein, R _{1 to} R ₈ are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 20 or less carbon atoms, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryloxy group, an arylthio group, an alkenyl group, an aralkyl group. , An acyl group, an aryl group, a heteroaryl group, or an alkylsulfonic acid group, X represents an oxygen atom or a sulfur atom, and A represents a substituted or unsubstituted aryl group or heteroaryl group having 20 or less carbon atoms. ] 2. The optical recording medium according to claim 1, wherein A of the compound represented by the general formula (1) is a substituted or unsubstituted phenyl group, naphthyl group, furyl group, pyrrolyl group, or thienyl group. The optical recording medium according to claim 1, wherein recording and reproduction are possible with respect to a laser beam selected from a wavelength range of 400 nm to 500 nm.

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