JP2000222772A - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

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JP2000222772A
JP2000222772A JP11025252A JP2525299A JP2000222772A JP 2000222772 A JP2000222772 A JP 2000222772A JP 11025252 A JP11025252 A JP 11025252A JP 2525299 A JP2525299 A JP 2525299A JP 2000222772 A JP2000222772 A JP 2000222772A
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Tsutayoshi Misawa
伝美 三沢
Akira Ogiso
章 小木曽
Taizo Nishimoto
泰三 西本
Hirosuke Takuma
啓輔 詫摩
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical recording medium capable of excellently recording and reproducing data with laser light in a specified wavelength range by incorporating a compd. having benzoxazole ring or benzothiazole rings having phenyl substituents into a recording layer on a substrate. SOLUTION: A compd. expressed by formula I is incorporated into the recording layer of an optical recording medium having at least a recording layer and a reflection layer on a substrate so that the obtd. write-once optical recording medium enables recording and reproducing with laser light of the wavelength selected from a 400 to 500 nm range. The compd. of formula I is obtd. by the reaction of a compd. expressed by formula II and a compd. expressed by formula III with hydrochloric acid or the like as a catalyst. In formula I, each of R1 to R8 is H, a halogen atom, <=20C alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryloxy group, arylthio group, alkenyl group, aralkyl group, acyl group, aryl group, heteroaryl group or alkylsulfonate group; X is O or S; and A is a <=20C aryl group or heteroraryl group.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関す
るものであり、特に青色レーザー光により記録・再生可
能である化合物含有の追記型光記録媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical recording medium, and more particularly to a recordable optical recording medium containing a compound which can be recorded and reproduced by a blue laser beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】基板上に反射層を有する光記録媒体とし
てコンパクトディスク(以下、CDと略す)規格に対応
した追記可能なCD−R(CD−Recordabl
e)が広く普及している。CD−Rの記録容量は0.6
5GB程度であるが、情報量の飛躍的増加に伴い、情報
記録媒体に対する高密度化および大容量化への要求は高
まっている。
2. Description of the Related Art As an optical recording medium having a reflective layer on a substrate, a recordable CD-R (CD-Recordable) conforming to the compact disk (hereinafter abbreviated as CD) standard is used.
e) is widespread. CD-R recording capacity is 0.6
Although it is about 5 GB, with the dramatic increase in the amount of information, demands for higher density and larger capacity of information recording media are increasing.

【0003】記録および再生用レーザーの短波長化によ
りビームスポットを小さくすることができ、高密度な光
記録が可能になる。最近では、光ディスクシステムに利
用される短波長半導体レーザーの開発が進み、波長68
0nm、650nmおよび635nmの赤色半導体レー
ザーが実用化されている〔例えば、日経エレクトロニク
ス、No.592、p.65、1993年10月11日
号〕。これらの半導体レーザーを用い、2時間以上の動
画をデジタル記録したDVDが実用化されている。DV
Dは再生専用媒体であるため、この容量に対応する追記
型光記録媒体(DVD−R)の開発も進んでいる。
[0003] By shortening the wavelength of a recording and reproducing laser, a beam spot can be reduced, and high-density optical recording can be performed. Recently, the development of short wavelength semiconductor lasers used in optical disk systems has been advanced,
Red semiconductor lasers of 0 nm, 650 nm and 635 nm have been put into practical use [for example, Nikkei Electronics, No. 592, p. 65, October 11, 1993]. A DVD in which a moving image of two hours or more is digitally recorded using these semiconductor lasers has been put to practical use. DV
Since D is a read-only medium, a write-once optical recording medium (DVD-R) corresponding to this capacity is also being developed.

【0004】さらに、超高密度の記録が可能となる波長
400nm〜500nmの青色半導体レーザーの開発も
急速に進んでおり〔例えば、日経エレクトロニクス、N
o.708、p.117、1998年1月26日号〕、
それに対応した追記型光記録媒体の開発も行われてい
る。
[0004] Further, development of blue semiconductor lasers having a wavelength of 400 nm to 500 nm capable of recording at a very high density has been rapidly progressing [for example, Nikkei Electronics, N.
o. 708, p. 117, January 26, 1998 issue],
A write-once optical recording medium corresponding to this is also being developed.

【0005】追記型光記録媒体の記録層にレーザー光を
照射し、記録層に物理変化や化学変化を生じさせること
でピットを形成させるとき、化合物の光学定数、分解挙
動が良好なピットを形成させるための重要な要素とな
る。分解しづらいものは感度が低下し、分解が激しいか
または変化しやすいものはピット間および半径方向への
影響が大きくなり、信頼性のあるピット形成が困難にな
る。従来のCD−R媒体は、超高密度記録で用いられる
青色半導体レーザー波長では、記録層の屈折率も低く、
消衰係数も適度な値ではないため、反射率の低下、エラ
ーレートの増大、ジッターの増大により、良好な記録・
再生ができない。従って、記録層に用いる化合物には青
色半導体レーザーに対する光学的性質、分解挙動の適切
な化合物を選択する必要がある。
When pits are formed by irradiating a laser beam to a recording layer of a write-once optical recording medium to cause a physical change or a chemical change in the recording layer, a pit having good optical constants and decomposition behavior of the compound is formed. It is an important factor to make it happen. Those that are difficult to decompose have reduced sensitivity, while those that are severely decomposed or are subject to change have a greater effect between pits and in the radial direction, making reliable pit formation difficult. Conventional CD-R media have a low refractive index of the recording layer at the wavelength of the blue semiconductor laser used in ultra-high density recording,
Since the extinction coefficient is not an appropriate value, good recording and recording can be achieved by lowering the reflectance, increasing the error rate, and increasing the jitter.
Cannot play. Therefore, it is necessary to select an appropriate compound having an optical property and a decomposition behavior for a blue semiconductor laser as the compound used for the recording layer.

【0006】しかし、実際に提案されている有機色素化
合物の例は、特開平4−74690号公報記載のシアニ
ン化合物や、特開平7−304256号公報あるいは特
開平7−304257号公報記載のポルフィリン化合物
など、ごく限られた例しかない。
However, examples of organic dye compounds actually proposed are cyanine compounds described in JP-A-4-74690 and porphyrin compounds described in JP-A-7-304256 or JP-A-7-304257. There are only very limited examples.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シアニ
ン化合物は一般に耐光性が低いために、媒体を長期保存
したときに、時として再生が不可能となる場合がある。
また、上記公報記載のポルフィリン化合物は、特開平7
−304256公報あるいは特開平7−304257号
公報の実施例に記載されるように、単独で光記録媒体の
記録層に使用した場合にはレーザー光による書き込みが
不可能であることなど、記録層に用いる化合物としては
十分に満足いく性能を有するとは言えない。さらに、該
公報等における光記録媒体では、有機色素に配位する置
換基を有する単分子あるいは高分子化合物を混合して使
用することが必須であり、また、特開平7−30425
7号公報の実施例欄に記載されるサンプルディスクのよ
うに記録層が白濁する場合があるため、組成比を設定す
る必要があるなど、媒体の製造が煩雑であり、生産性の
向上に未だ余地が残されていた。そのため、超高密度の
記録と長期保存安定性に優れた媒体を作製するのに適し
た光記録媒体用色素の開発が急務となっている。
However, since the cyanine compound generally has low light resistance, it sometimes becomes impossible to reproduce the medium when the medium is stored for a long period of time.
The porphyrin compound described in the above publication is disclosed in
As described in the examples of JP-A-304256 or JP-A-7-304257, when the recording layer of the optical recording medium is used alone, it is impossible to write with a laser beam. It cannot be said that the compound used has sufficiently satisfactory performance. Further, in the optical recording medium disclosed in the publications, it is essential to use a mixture of a single molecule or a high molecular compound having a substituent coordinating with an organic dye.
Since the recording layer may become cloudy as in the sample disk described in the Example column of JP-A-7, the production of the medium is complicated, for example, it is necessary to set the composition ratio. Room was left. Therefore, there is an urgent need to develop a dye for an optical recording medium suitable for producing a medium having ultra-high density recording and excellent long-term storage stability.

【0008】本発明の目的は、波長400nm〜500
nmの範囲から選択されるレーザー光で良好な記録およ
び再生が可能である超高密度記録に適した化合物を記録
層に有する光記録媒体を提供することにある。
[0008] The object of the present invention is to provide a wavelength of 400 nm to 500 nm.
An object of the present invention is to provide an optical recording medium having, in a recording layer, a compound suitable for ultra-high-density recording that enables good recording and reproduction with a laser beam selected from the range of nm.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、 基板上に少なくとも記録層および反射層を有する光
記録媒体において、記録層中に、下記一般式(1)で示
される化合物を含有する光記録媒体、
Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies to solve the above problems, and as a result, completed the present invention. That is, the present invention provides an optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the recording layer contains a compound represented by the following general formula (1):

【0010】[0010]

【化2】 Embedded image

【0011】〔式中、R1〜R8は各々独立に水素原子、
ハロゲン原子、炭素数20以下の置換または未置換のア
ルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオ
キシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アラルキル
基、アシル基、アリール基、ヘテロアリール基、または
アルキルスルホン酸基を表し、Xは酸素原子または硫黄
原子を表し、Aは炭素数20以下の置換または未置換の
アリール基またはヘテロアリール基を表す。〕 一般式(1)で表される化合物のAが、置換または
未置換のフェニル基、ナフチル基、フリル基、ピロリル
基、またはチエニル基であるに記載の光記録媒体、 波長400nm〜500nmの範囲から選択される
レーザー光に対して記録および再生が可能であるまた
はに記載の光記録媒体に関するものである。
[Wherein, R 1 to R 8 each independently represent a hydrogen atom,
Halogen atom, substituted or unsubstituted alkyl group having 20 or less carbon atoms, alkoxy group, alkylthio group, aryloxy group, arylthio group, alkenyl group, aralkyl group, acyl group, aryl group, heteroaryl group, or alkylsulfonic acid group X represents an oxygen atom or a sulfur atom, and A represents a substituted or unsubstituted aryl or heteroaryl group having 20 or less carbon atoms. The optical recording medium according to the above, wherein A of the compound represented by the general formula (1) is a substituted or unsubstituted phenyl group, naphthyl group, furyl group, pyrrolyl group, or thienyl group, a wavelength of 400 nm to 500 nm. And an optical recording medium capable of recording and reproducing with respect to a laser beam selected from the group consisting of:

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の具体的構成について以下
に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The concrete constitution of the present invention will be described below.

【0013】この光記録媒体は基板1、記録層2、反射
層3および保護層4が順次積層している4層構造を有し
ている。これを図1に示すように単板で用いてもよく、
図2に示すようにDVDのように接着層5で貼り合わせ
ても良い。
This optical recording medium has a four-layer structure in which a substrate 1, a recording layer 2, a reflective layer 3, and a protective layer 4 are sequentially laminated. This may be used as a single plate as shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the bonding may be performed with an adhesive layer 5 like a DVD.

【0014】基板の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピット
を形成することもある。このような案内溝やピットは、
基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に
紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。
The material of the substrate is basically required to be transparent at the wavelengths of the recording light and the reproducing light. For example, polymer materials such as acrylic resins such as polycarbonate resin, vinyl chloride resin and polymethyl methacrylate, polystyrene resins and epoxy resins, and inorganic materials such as glass are used.
These substrate materials are formed into a disk shape by injection molding or the like. If necessary, guide grooves or pits may be formed on the substrate surface. Such guide grooves and pits
It is desirable to apply it at the time of molding the substrate, but it can also be applied using an ultraviolet curable resin layer on the substrate.

【0015】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、一般式(1)で示される化合
物を含有する。
In the present invention, a recording layer is provided on a substrate. The recording layer of the present invention contains a compound represented by the general formula (1).

【0016】本発明の記録層に含有される一般式(1)
で示される化合物のR1〜R8の具体例を次に述べる。
The general formula (1) contained in the recording layer of the present invention
Specific examples of R 1 to R 8 of the compound represented by are described below.

【0017】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

【0018】置換または未置換のアルキル基としては、
直鎖または分岐または環状のアルキル基、アルコキシア
ルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基、アルコキ
シアルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシカルボ
ニルアルキル基、アルコキシカルボニルオキシアルキル
基、アルコキシアルコキシカルボニルオキシアルキル
基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアルコキシアル
キル基、ヒドロキシアルコキシアルコキシアルキル基、
シアノアルキル基、アシルオキシアルキル基、アシルオ
キシアルコキシアルキル基、アシルオキシアルコキシア
ルコキシアルキル基、ハロゲン化アルキル、スルホンア
ルキル基、アルキルカルボニルアミノアルキル基、アル
キルスルホンアミノアルキル基、スルホンアミドアルキ
ル基、アルキルアミノアルキル基、アミノアルキル基、
およびアルキルスルホンアルキル基の中から選択され
る。
The substituted or unsubstituted alkyl group includes
Linear, branched or cyclic alkyl group, alkoxyalkyl group, alkoxyalkoxyalkyl group, alkoxyalkoxyalkoxyalkyl group, alkoxycarbonylalkyl group, alkoxycarbonyloxyalkyl group, alkoxyalkoxycarbonyloxyalkyl group, hydroxyalkyl group, hydroxyalkoxyalkyl Group, hydroxyalkoxyalkoxyalkyl group,
Cyanoalkyl group, acyloxyalkyl group, acyloxyalkoxyalkyl group, acyloxyalkoxyalkoxyalkyl group, alkyl halide, sulfonealkyl group, alkylcarbonylaminoalkyl group, alkylsulfonaminoalkyl group, sulfonamidoalkyl group, alkylaminoalkyl group, amino Alkyl group,
And alkylsulfonealkyl groups.

【0019】直鎖または分岐または環状のアルキル基と
しては、ポリカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリ
オレフィン基板などへの塗布による加工性を考慮すれ
ば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プ
ロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、sec−
ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、iso−ペ
ンチル基、2−メチルブチル基、1−メチルブチル基、
neo−ペンチル基、1,2−ジメチルプロピル基、
1,1−ジメチルプロピル基、cyclo−ペンチル
基、n−ヘキシル基、4−メチルペンチル基、3−メチ
ルペンチル基、2−メチルペンチル基、1−メチルペン
チル基、3,3−ジメチルブチル基、2,3−ジメチル
ブチル基、1,3−ジメチルブチル基、2,2−ジメチ
ルブチル基、1,2−ジメチルブチル基、1,1−ジメ
チルブチル基、3−エチルブチル基、2−エチルブチル
基、1−エチルブチル基、1,2,2−トリメチルブチ
ル基、1,1,2−トリメチルブチル基、1−エチル−
2−メチルプロピル基、cyclo−ヘキシル基、n−
ヘプチル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキシ
ル基、4−メチルヘキシル基、5−メチルヘキシル基、
2,4−ジメチルペンチル基、n−オクチル基、2−エ
チルヘキシル基、2,5−ジメチルヘキシル基、2,
5,5−トリメチルペンチル基、2,4−ジメチルヘキ
シル基、2,2,4−トリメチルペンチル基、3,5,
5−トリメチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル
基、4−エチルオクチル基、4−エチル−4,5−メチ
ルヘキシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、
1,3,5,7−テトラエチルオクチル基、4−ブチル
オクチル基、6,6−ジエチルオクチル基、n−トリデ
シル基、6−メチル−4−ブチルオクチル基、n−テト
ラデシル基、n−ペンタデシル基、3,5−ジメチルヘ
プチル基、2,6−ジメチルヘプチル基、2,4−ジメ
チルヘプチル基、2,2,5,5−テトラメチルヘキシ
ル基、1−cyclo−ペンチル−2,2−ジメチルプ
ロピル基、1−cyclo−ヘキシル−2,2−ジメチ
ルプロピル基などが挙げられる。
The straight-chain, branched or cyclic alkyl group may be a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an iso-propyl group in consideration of workability by coating on a polycarbonate, acrylic, epoxy, polyolefin substrate or the like. , N-butyl group, iso-butyl group, sec-
Butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, iso-pentyl group, 2-methylbutyl group, 1-methylbutyl group,
neo-pentyl group, 1,2-dimethylpropyl group,
1,1-dimethylpropyl group, cyclo-pentyl group, n-hexyl group, 4-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-methylpentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 3-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 1,2,2-trimethylbutyl group, 1,1,2-trimethylbutyl group, 1-ethyl-
2-methylpropyl group, cyclo-hexyl group, n-
Heptyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4-methylhexyl group, 5-methylhexyl group,
2,4-dimethylpentyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, 2,5-dimethylhexyl group, 2,
5,5-trimethylpentyl group, 2,4-dimethylhexyl group, 2,2,4-trimethylpentyl group, 3,5
5-trimethylhexyl group, n-nonyl group, n-decyl group, 4-ethyloctyl group, 4-ethyl-4,5-methylhexyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group,
1,3,5,7-tetraethyloctyl group, 4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n-tridecyl group, 6-methyl-4-butyloctyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group 3,5-dimethylheptyl group, 2,6-dimethylheptyl group, 2,4-dimethylheptyl group, 2,2,5,5-tetramethylhexyl group, 1-cyclo-pentyl-2,2-dimethylpropyl And a 1-cyclo-hexyl-2,2-dimethylpropyl group.

【0020】アルコキシアルキル基の例としては、メト
キシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエ
チル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、n−
ヘキシルオキシエチル基、4−メチルペントキシエチル
基、1,3−ジメチルブトキシエチル基、2−エチルヘ
キシルオキシエチル基、n−オクチルオキシエチル基、
3,5,5−トリメチルヘキシルオキシエチル基、2−
メチル−1−iso−プロピルプロポキシエチル基、3
−メチル−1−iso−プロピルブチルオキシエチル
基、2−エトキシ−1−メチルエチル基、3−メトキシ
ブチル基、3,3,3−トリフルオロプロポキシエチル
基、3,3,3−トリクロロプロポキシエチル基などが
挙げられる。
Examples of alkoxyalkyl groups include methoxymethyl, ethoxymethyl, propoxymethyl, butoxymethyl, methoxyethyl, ethoxyethyl, propoxyethyl, butoxyethyl, n-
Hexyloxyethyl group, 4-methylpentoxyethyl group, 1,3-dimethylbutoxyethyl group, 2-ethylhexyloxyethyl group, n-octyloxyethyl group,
3,5,5-trimethylhexyloxyethyl group, 2-
Methyl-1-iso-propylpropoxyethyl group, 3
-Methyl-1-iso-propylbutyloxyethyl group, 2-ethoxy-1-methylethyl group, 3-methoxybutyl group, 3,3,3-trifluoropropoxyethyl group, 3,3,3-trichloropropoxyethyl And the like.

【0021】アルコキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエ
チル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキ
シエチル基、ヘキシルオキシエトキシエチル基、1,2
−ジメチルプロポキシエトキシエチル基、3−メチル−
1−iso−ブチルブトキシエトキシエチル基、2−メ
トキシ−1−メチルエトキシエチル基、2−ブトキシ−
1−メチルエトキシエチル基、2−(2’−エトキシ−
1’−メチルエトキシ)−1−メチルエチル基、3,
3,3−トリフルオロプロポキシエトキシエチル基、
3,3,3−トリクロロプロポキシエトキシエチル基な
どが挙げられる。
Examples of the alkoxyalkoxyalkyl group include a methoxyethoxyethyl group, an ethoxyethoxyethyl group, a propoxyethoxyethyl group, a butoxyethoxyethyl group, a hexyloxyethoxyethyl group,
-Dimethylpropoxyethoxyethyl group, 3-methyl-
1-iso-butylbutoxyethoxyethyl group, 2-methoxy-1-methylethoxyethyl group, 2-butoxy-
1-methylethoxyethyl group, 2- (2′-ethoxy-
1′-methylethoxy) -1-methylethyl group, 3,
3,3-trifluoropropoxyethoxyethyl group,
3,3,3-trichloropropoxyethoxyethyl group and the like.

【0022】アルコキシアルコキシアルコキシアルキル
基の例としては、メトキシエトキシエトキシエチル基、
エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシ
エトキシエチル基、2,2,2−トリフルオロエトキシ
エトキシエトキシエチル基、2,2,2−トリクロロエ
トキシエトキシエトキシエチル基などが挙げられる。
Examples of the alkoxyalkoxyalkoxyalkyl group include a methoxyethoxyethoxyethyl group,
Examples include an ethoxyethoxyethoxyethyl group, a butoxyethoxyethoxyethyl group, a 2,2,2-trifluoroethoxyethoxyethoxyethyl group, and a 2,2,2-trichloroethoxyethoxyethoxyethyl group.

【0023】アルコキシカルボニルアルキル基の例とし
ては、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニ
ルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカ
ルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブト
キシカルボニルエチル基、2,2,3,3−テトラフル
オロプロポキシカルボニルメチル基、2,2,3,3−
テトラクロロプロポキシカルボニルメチル基などが挙げ
られる。
Examples of the alkoxycarbonylalkyl group include methoxycarbonylmethyl, ethoxycarbonylmethyl, butoxycarbonylmethyl, methoxycarbonylethyl, ethoxycarbonylethyl, butoxycarbonylethyl, 2,2,3,3- Tetrafluoropropoxycarbonylmethyl group, 2,2,3,3-
And a tetrachloropropoxycarbonylmethyl group.

【0024】アルコキシカルボニルオキシアルキル基の
例としては、メトキシカルボニルオキシエチル基、エト
キシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオ
キシエチル基、2,2,2−トリフルオロエトキシカル
ボニルオキシエチル基、2,2,2−トリクロロエトキ
シカルボニルオキシエチル基などが挙げられる。
Examples of the alkoxycarbonyloxyalkyl group include a methoxycarbonyloxyethyl group, an ethoxycarbonyloxyethyl group, a butoxycarbonyloxyethyl group, a 2,2,2-trifluoroethoxycarbonyloxyethyl group, a 2,2,2 -Trichloroethoxycarbonyloxyethyl group and the like.

【0025】アルコキシアルコキシカルボニルオキシア
ルキル基の例としては、メトキシエトキシカルボニルオ
キシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチ
ル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、
2,2,2−トリフルオロエトキシエトキシカルボニル
オキシエチル基、2,2,2−トリクロロエトキシエト
キシカルボニルオキシエチル基などが挙げられる。
Examples of the alkoxyalkoxycarbonyloxyalkyl group include a methoxyethoxycarbonyloxyethyl group, an ethoxyethoxycarbonyloxyethyl group, a butoxyethoxycarbonyloxyethyl group,
Examples thereof include a 2,2,2-trifluoroethoxyethoxycarbonyloxyethyl group and a 2,2,2-trichloroethoxyethoxycarbonyloxyethyl group.

【0026】ヒドロキシアルキル基の例としては、2−
ヒドロキシエチル基、4−ヒドロキシエチル基、2−ヒ
ドロキシ−3−メトキシプロピル基、2−ヒドロキシ−
3−クロロプロピル基、2−ヒドロキシ−3−エトキシ
プロピル基、3−ブトキシ−2−ヒドロキシプロピル
基、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル基、2−
ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシブチル基などが
挙げられる。
Examples of hydroxyalkyl groups include 2-
Hydroxyethyl group, 4-hydroxyethyl group, 2-hydroxy-3-methoxypropyl group, 2-hydroxy-
3-chloropropyl group, 2-hydroxy-3-ethoxypropyl group, 3-butoxy-2-hydroxypropyl group, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl group, 2-
Examples include a hydroxypropyl group and a 2-hydroxybutyl group.

【0027】ヒドロキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、ヒドロキシエトキシエチル基、2−(2’−ヒド
ロキ−1’−メチルエトキシ)−1−メチルエチル基、
2−(3’−フルオロ−2’−ヒドロキシプロポキシ)
エチル基、2−(3’−クロロ−2’−ヒドロキシプロ
ポキシ)エチル基などが挙げられる。
Examples of the hydroxyalkoxyalkyl group include a hydroxyethoxyethyl group, a 2- (2′-hydroxy-1′-methylethoxy) -1-methylethyl group,
2- (3'-fluoro-2'-hydroxypropoxy)
Examples include an ethyl group and a 2- (3′-chloro-2′-hydroxypropoxy) ethyl group.

【0028】ヒドロキシアルコキシアルコキシアルキル
基の例としては、ヒドロキシエトキシエトキシエチル
基、[2’−(2’−ヒドロキ−1’−メチルエトキ
シ)−1’−メチルエトキシ]エトキシエチル基、
[2’−(2’−フルオロ−1’−ヒドロキシエトキ
シ)−1’−メチルエトキシ]エトキシエチル基、
[2’−(2’−クロロ−1’−ヒドロキシエトキシ)
−1’−メチルエトキシ]エトキシエチル基などが挙げ
られる。
Examples of the hydroxyalkoxyalkoxyalkyl group include a hydroxyethoxyethoxyethyl group, a [2 ′-(2′-hydroxy-1′-methylethoxy) -1′-methylethoxy] ethoxyethyl group,
[2 ′-(2′-fluoro-1′-hydroxyethoxy) -1′-methylethoxy] ethoxyethyl group,
[2 ′-(2′-chloro-1′-hydroxyethoxy)
-1'-methylethoxy] ethoxyethyl group.

【0029】シアノアルキル基の例としては、2−シア
ノエチル基、4−シアノブチル基、2−シアノ−3−メ
トキシプロピル基、2−シアノ−3−クロロプロピル
基、2−シアノ−3−エトキシプロピル基、3−ブトキ
シ−2−シアノプロピル基、2−シアノ−3−フェノキ
シプロピル基、2−シアノプロピル基、2−シアノブチ
ル基などが挙げられる。
Examples of the cyanoalkyl group include a 2-cyanoethyl group, a 4-cyanobutyl group, a 2-cyano-3-methoxypropyl group, a 2-cyano-3-chloropropyl group, and a 2-cyano-3-ethoxypropyl group. , 3-butoxy-2-cyanopropyl group, 2-cyano-3-phenoxypropyl group, 2-cyanopropyl group, 2-cyanobutyl group and the like.

【0030】アシルオキシアルキル基の例としては、ア
セトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル基、ブチ
リルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、1−エ
チルペンチルカルボニルオキシエチル基、2,4,4−
トリメチルペンチルカルボニルオキシエチル基、3−フ
ルオロブチリルオキシエチル基、3−クロロブチリルオ
キシエチル基などが挙げられる。
Examples of acyloxyalkyl groups include acetoxyethyl, propionyloxyethyl, butyryloxyethyl, valeryloxyethyl, 1-ethylpentylcarbonyloxyethyl, 2,4,4-
Examples include a trimethylpentylcarbonyloxyethyl group, a 3-fluorobutyryloxyethyl group, a 3-chlorobutyryloxyethyl group, and the like.

【0031】アシルオキシアルコキシアルキル基の例と
しては、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオ
キシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル
基、1−エチルペンチルカルボニルオキシエトキシエチ
ル基、2,4,4−トリメチルペンチルカルボニルオキ
シエトキシエチル基、2−フルオロプロピオニルオキシ
エトキシエチル基、2−クロロプロピオニルオキシエト
キシエチル基などが挙げられる。
Examples of the acyloxyalkoxyalkyl group include an acetoxyethoxyethyl group, a propionyloxyethoxyethyl group, a valeryloxyethoxyethyl group, a 1-ethylpentylcarbonyloxyethoxyethyl group, and a 2,4,4-trimethylpentylcarbonyloxy group. Examples include an ethoxyethyl group, a 2-fluoropropionyloxyethoxyethyl group, and a 2-chloropropionyloxyethoxyethyl group.

【0032】アシルオキシアルコキシアルコキシアルキ
ル基の例としては、アセトキシエトキシエトキシエチル
基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、バ
レリルオキシエトキシエトキシエチル基、1−エチルペ
ンチルカルボニルオキシエトキシエトキシエチル基、
2,4,4−トリメチルペンチルカルボニルオキシエト
キシエトキシエチル基、2−フルオロプロピオニルオキ
シエトキシエトキシエチル基、2−クロロプロピオニル
オキシエトキシエトキシエチル基などが挙げられる。
Examples of the acyloxyalkoxyalkoxyalkyl group include an acetoxyethoxyethoxyethyl group, a propionyloxyethoxyethoxyethyl group, a valeryloxyethoxyethoxyethyl group, a 1-ethylpentylcarbonyloxyethoxyethoxyethyl group,
Examples thereof include a 2,4,4-trimethylpentylcarbonyloxyethoxyethoxyethyl group, a 2-fluoropropionyloxyethoxyethoxyethyl group, and a 2-chloropropionyloxyethoxyethoxyethyl group.

【0033】ハロゲン化アルキル基の例としては、クロ
ロメチル基、クロロエチル基、2,2,2−トリフルオ
ロエチル基、トリフルオロメチル基、ブロムメチル基、
ヨウ化メチル基などが挙げられる。
Examples of the halogenated alkyl group include chloromethyl, chloroethyl, 2,2,2-trifluoroethyl, trifluoromethyl, bromomethyl,
And a methyl iodide group.

【0034】スルホンアルキル基の例としては、スルホ
ンメチル基、スルホンエチル基、スルホンプロピル基な
どが挙げられる。
Examples of the sulfonealkyl group include a sulfonemethyl group, a sulfoneethyl group and a sulfonepropyl group.

【0035】アルキルカルボニルアミノアルキル基の例
としては、メチルカルボニルアミノエチル基、エチルカ
ルボニルアミノエチル基、プロピルカルボニルアミノエ
チル基、シクロヘキシルカルボニルアミノエチル基、ス
クシンイミノエチル基などが挙げられる。
Examples of the alkylcarbonylaminoalkyl group include a methylcarbonylaminoethyl group, an ethylcarbonylaminoethyl group, a propylcarbonylaminoethyl group, a cyclohexylcarbonylaminoethyl group, a succiniminoethyl group and the like.

【0036】アルキルスルホンアミノアルキル基の例と
しては、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホ
ンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチル基な
どが挙げられる。
Examples of the alkylsulfonaminoalkyl group include a methylsulfonaminoethyl group, an ethylsulfonaminoethyl group and a propylsulfonaminoethyl group.

【0037】スルホンアミドアルキル基の例としては、
スルホンアミドメチル基、スルホンアミドエチル基、ス
ルホンアミドプロピル基などが挙げられる。
Examples of the sulfonamidoalkyl group include:
Examples include a sulfonamidomethyl group, a sulfonamidoethyl group, and a sulfonamidopropyl group.

【0038】アルキルアミノアルキル基の例としては、
N−メチルアミノメチル基、N,N−ジメチルアミノメ
チル基、N,N−ジエチルアミノメチル基、N,N−ジ
プロピルアミノメチル基、N,N−ジブチルアミノメチ
ル基などが挙げられる。
Examples of the alkylaminoalkyl group include:
N-methylaminomethyl group, N, N-dimethylaminomethyl group, N, N-diethylaminomethyl group, N, N-dipropylaminomethyl group, N, N-dibutylaminomethyl group and the like.

【0039】アミノアルキル基の例としては、アミノメ
チル基、アミノエチル基、アミノプロピル基などが挙げ
られる。
Examples of the aminoalkyl group include an aminomethyl group, an aminoethyl group and an aminopropyl group.

【0040】アルキルスルホンアルキル基の例として
は、メチルスルホンメチル基、エチルスルホンメチル
基、ブチルスルホンメチル基、メチルスルホンエチル
基、エチルスルホンエチル基、ブチルスルホンエチル
基、2,2,3,3−テトラフルオロプロピルスルホン
メチル基、2,2,3,3−テトラクロロプロピルスル
ホンメチル基などが挙げられる。
Examples of the alkylsulfonealkyl group include methylsulfonmethyl, ethylsulfonmethyl, butylsulfonmethyl, methylsulfonethyl, ethylsulfonethyl, butylsulfonethyl, 2,2,3,3- Examples thereof include a tetrafluoropropylsulfonemethyl group and a 2,2,3,3-tetrachloropropylsulfonemethyl group.

【0041】置換または未置換のアルコキシ基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルコキシ基であり、好ましくは、メトキシ基、エトキ
シ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−
ブトキシ基、iso−ブトキシ基、sec−ブトキシ
基、t−ブトキシ基、n−ペントキシ基、iso−ペン
トキシ基、neo−ペントキシ基、2−メチルブトキシ
基などの低級アルコキシ基が挙げられる。
Examples of the substituted or unsubstituted alkoxy groups are alkoxy groups having the same substituents as the above-mentioned alkyl groups, and are preferably methoxy, ethoxy, n-propoxy, iso-propoxy. Group, n-
Lower alkoxy groups such as butoxy group, iso-butoxy group, sec-butoxy group, t-butoxy group, n-pentoxy group, iso-pentoxy group, neo-pentoxy group, and 2-methylbutoxy group.

【0042】置換または未置換のアシル基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
シル基であり、好ましくは、ホルミル基、メチルカルボ
ニル基、エチルカルボニル基、n−プロピルカルボニル
基、iso−プロピルカルボニル基、n−ブチルカルボ
ニル基、iso−ブチルカルボニル基、sec−ブチル
カルボニル基、t−ブチルカルボニル基、n−ペンチル
カルボニル基、iso−ペンチルカルボニル基、neo
−ペンチルカルボニル基、2−メチルブチルカルボニル
基、ニトロベンジルカルボニル基などが挙げられる。
Examples of the substituted or unsubstituted acyl groups are acyl groups having the same substituents as the above-mentioned alkyl groups, preferably formyl group, methylcarbonyl group, ethylcarbonyl group, n-propyl group. Carbonyl group, iso-propylcarbonyl group, n-butylcarbonyl group, iso-butylcarbonyl group, sec-butylcarbonyl group, t-butylcarbonyl group, n-pentylcarbonyl group, iso-pentylcarbonyl group, neo
-Pentylcarbonyl group, 2-methylbutylcarbonyl group, nitrobenzylcarbonyl group and the like.

【0043】置換または未置換のアリール基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
リール基であり、好ましくは、フェニル基、ニトロフェ
ニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メ
チルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフ
チル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロ
キシナフチル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチ
ルナフチル基などが挙げられる。
Examples of the substituted or unsubstituted aryl groups are aryl groups having the same substituents as the above-mentioned alkyl groups, and are preferably phenyl, nitrophenyl, cyanophenyl, and hydroxyphenyl. , A methylphenyl group, a trifluoromethylphenyl group, a naphthyl group, a nitronaphthyl group, a cyanonaphthyl group, a hydroxynaphthyl group, a methylnaphthyl group, a trifluoromethylnaphthyl group and the like.

【0044】置換または未置換のアラルキル基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、ニトロ
ベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル
基、メチルベンジル基、トリフルオロメチルベンジル
基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シア
ノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、メ
チルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメ
チル基などが挙げられる。
Examples of the substituted or unsubstituted aralkyl groups are aralkyl groups having the same substituents as the above-mentioned alkyl groups, preferably benzyl, nitrobenzyl, cyanobenzyl, hydroxybenzyl , Methylbenzyl, trifluoromethylbenzyl, naphthylmethyl, nitronaphthylmethyl, cyanonaphthylmethyl, hydroxynaphthylmethyl, methylnaphthylmethyl, trifluoromethylnaphthylmethyl and the like.

【0045】置換または未置換のアルケニル基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルケニル基であり、好ましくは、プロペニル基、1−
ブテニル基、iso−ブテニル基、1−ペンテニル基、
2−ペンテニル基、2−メチル−1−ブテニル基、3−
メチル−1−ブテニル基、2−メチル−2−ブテニル
基、2,2−ジシアノビニル基、2−シアノ−2−メチ
ルカルボキシルビニル基、2−シアノ−2−メチルスル
ホンビニル基などの低級アルケニル基が挙げられる。
Examples of the substituted or unsubstituted alkenyl group include alkenyl groups having the same substituents as the above-mentioned alkyl groups, and are preferably a propenyl group,
Butenyl group, iso-butenyl group, 1-pentenyl group,
2-pentenyl group, 2-methyl-1-butenyl group, 3-
Lower alkenyl groups such as methyl-1-butenyl group, 2-methyl-2-butenyl group, 2,2-dicyanovinyl group, 2-cyano-2-methylcarboxylvinyl group, and 2-cyano-2-methylsulfonevinyl group Is mentioned.

【0046】置換または未置換のアルキルチオ基の例と
しては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアルキルチオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、
エチルチオ基、n−プロピルチオ基、iso−プロピル
チオ基、n−ブチルチオ基、iso−ブチルチオ基、s
ec−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、n−ペンチル
チオ基、iso−ペンチルチオ基、neo−ペンチルチ
オ基、2−メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエ
チルチオ基などの低級アルキルチオ基が挙げられる。
Examples of the substituted or unsubstituted alkylthio group include the alkylthio groups having the same substituents as the above-mentioned alkyl groups, preferably a methylthio group,
Ethylthio group, n-propylthio group, iso-propylthio group, n-butylthio group, iso-butylthio group, s
and lower alkylthio groups such as an ec-butylthio group, a t-butylthio group, an n-pentylthio group, an iso-pentylthio group, a neo-pentylthio group, a 2-methylbutylthio group, and a methylcarboxylethylthio group.

【0047】置換または未置換のアリールオキシ基の例
としては、上記に挙げたアリール基と同様な置換基を有
するアリールオキシ基であり、好ましくは、フェノキシ
基、2−メチルフェノキシ基、4−メチルフェノキシ
基、4−t−ブチルフェノキシ基、2−メトキシフェノ
キシ基、4−iso−プロピルフェノキシ基などが挙げ
られる。
Examples of the substituted or unsubstituted aryloxy group include aryloxy groups having the same substituents as the above-mentioned aryl groups, and are preferably phenoxy, 2-methylphenoxy, 4-methyl Examples include a phenoxy group, a 4-t-butylphenoxy group, a 2-methoxyphenoxy group, and a 4-iso-propylphenoxy group.

【0048】置換または未置換のアリールチオ基の例と
しては、上記に挙げたアリール基と同様な置換基を有す
るアリールチオ基であり、好ましくは、フェニルチオ
基、4−メチルフェニルチオ基、2−メトキシフェニル
チオ基、4−t−ブチルフェニルチオ基などが挙げられ
る。
Examples of the substituted or unsubstituted arylthio groups are the arylthio groups having the same substituents as the above-mentioned aryl groups, preferably phenylthio, 4-methylphenylthio, 2-methoxyphenyl A thio group and a 4-t-butylphenylthio group.

【0049】置換または未置換のヘテロアリール基の例
としては、ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オキ
サゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル
基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチ
アゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル
基、インドイル基などを挙げることができる。
Examples of the substituted or unsubstituted heteroaryl groups include pyrrolyl, thienyl, furanyl, oxazoyl, isoxazoyl, oxadiazoyl, imidazoyl, benzoxazoyl, benzothiazoyl, benzoimidazoyl. Group, benzofuranyl group, indoyl group and the like.

【0050】置換または未置換のアルキルスルホン基の
例としては、上記にあげたアルキル基と同様な置換基を
有するアルキルスルホン基であり、好ましくは、メチル
スルホン基、エチルスルホン基、n−プロピルスルホン
基、iso−プロピルスルホン基、n−ブチルスルホン
基、iso−ブチルスルホン基、sec−ブチルスルホ
ン基、t−ブチルスルホン基、n−ペンチルスルホン
基、iso−ブチルスルホン基、neo−ペンチルスル
ホン基、2−メチルブチルスルホン基、2−ヒドロキシ
エチルスルホン基、2−シアノエチルスルホン基などが
挙げられる。
Examples of the substituted or unsubstituted alkylsulfone groups are the alkylsulfone groups having the same substituents as the above-mentioned alkyl groups, preferably a methylsulfone group, an ethylsulfone group, an n-propylsulfone group. Group, iso-propyl sulfone group, n-butyl sulfone group, iso-butyl sulfone group, sec-butyl sulfone group, t-butyl sulfone group, n-pentyl sulfone group, iso-butyl sulfone group, neo-pentyl sulfone group, Examples include a 2-methylbutylsulfone group, a 2-hydroxyethylsulfone group, and a 2-cyanoethylsulfone group.

【0051】本発明の一般式(1)で示される化合物
は、公知の方法、例えば、J.Am.Chem.So
c.63,3203(1941)などの記載に準じて容
易に製造することができる。すなわち、一般式(2)に
表される化合物と、一般式(3)に表される化合物を塩
酸等を触媒として反応させることで製造できる。
The compound represented by the general formula (1) of the present invention can be prepared by a known method, for example, as described in J. Am. Am. Chem. So
c. 63, 3203 (1941) and the like. That is, it can be produced by reacting the compound represented by the general formula (2) with the compound represented by the general formula (3) using hydrochloric acid or the like as a catalyst.

【0052】[0052]

【化3】 〔式(2)、(3)中、R1〜R8、X、Aは前記と同じ
意味を示す。〕
Embedded image [In the formulas (2) and (3), R 1 to R 8 , X and A have the same meaning as described above. ]

【0053】一般式(1)で示される化合物の具体例を
表1に示す。
Table 1 shows specific examples of the compound represented by the general formula (1).

【0054】[0054]

【表1】 [Table 1]

【0055】[0055]

【表2】 [Table 2]

【0056】また、記録特性などの改善のために、波長
350nm〜550nmに吸収極大を持ち、400nm
〜500nmでの屈折率が大きい前記以外の化合物と混
合しても良い。具体的には、シアニン化合物、スクアリ
リウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノ
ン系化合物、テトラピラポルフィラジン系化合物、イン
ドフェノール系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリ
リウム系化合物、アズレニウム系化合物、トリフェニル
メタン系化合物、キサンテン系化合物、インダスレン系
化合物、インジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メ
ロシアニン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系
化合物、オキサジン系化合物、ジピロメテン系化合物な
どがあり、複数の化合物の混合であっても良い。これら
の化合物の混合割合は、0.1〜30%程度である。
In order to improve the recording characteristics, etc., it has an absorption maximum at a wavelength of 350 nm to 550 nm,
You may mix with compounds other than the above which have a large refractive index in 500 nm. Specifically, cyanine compounds, squarylium-based compounds, naphthoquinone-based compounds, anthraquinone-based compounds, tetrapyraporphyrazine-based compounds, indophenol-based compounds, pyrylium-based compounds, thiopyrylium-based compounds, azurenium-based compounds, triphenylmethane-based compounds, There are xanthene compounds, indasulen compounds, indigo compounds, thioindigo compounds, merocyanine compounds, thiazine compounds, acridine compounds, oxazine compounds, dipyrromethene compounds, and the like, and a mixture of a plurality of compounds may be used. . The mixing ratio of these compounds is about 0.1 to 30%.

【0057】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の化合物に、クエンチャー、化合物熱分解促進剤、紫外
線吸収剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのよ
うな効果を有する化合物を前記化合物の置換基として導
入することも可能である。
When forming the recording layer, a quencher, a compound thermal decomposition accelerator, an ultraviolet absorber, an adhesive, or the like is mixed with the above-mentioned compound, if necessary, or has such an effect. It is also possible to introduce compounds as substituents of said compounds.

【0058】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビス
フェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミ
ン系も好適である。
Specific examples of the quencher include bisacetylthionates, bisdithiols such as bisdithio-α-diketones and bisphenyldithiols, thiocateconals, salicylaldehyde oximes, and thiobisphenolates. Metal complexes are preferred. Also, amines are suitable.

【0059】化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析
(TG分析)などにより、化合物の熱分解の促進が確認
できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナト系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属系
アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その他
の鉛系化合物、シマントレン[Mn(C55)(CO)
3]などのMn系化合物、また、メタロセン化合物の例
としては、鉄ビスシクロペンタジエニル錯体(フェロセ
ン)をはじめ、Ti、V、Mn、Cr、Co、Ni、M
o、Ru、Rh、Zr、Lu、Ta、W、Os、Ir、
Sc、Yなどのビスシクロペンタジエニル錯体がある。
なかでもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケ
ロセン、チタノセンおよびそれらの誘導体は良好な熱分
解促進効果がある。
The compound thermal decomposition accelerator is not particularly limited as long as it can confirm the promotion of the thermal decomposition of the compound by thermal weight loss analysis (TG analysis). Examples thereof include a metal anti-knocking agent and a metallocene compound. And metal compounds such as acetylacetonate-based metal complexes. Examples of the metal anti-knocking agent include tetraethyl lead, other lead compounds, and Simantrene [Mn (C 5 H 5 ) (CO)
Examples of Mn-based compounds such as [ 3 ] and metallocene compounds include iron biscyclopentadienyl complex (ferrocene), Ti, V, Mn, Cr, Co, Ni, M
o, Ru, Rh, Zr, Lu, Ta, W, Os, Ir,
There are biscyclopentadienyl complexes such as Sc and Y.
Among them, ferrocene, ruthenocene, osmocene, nickelocene, titanocene and derivatives thereof have good thermal decomposition promoting effects.

【0060】その他、鉄系金属化合物として、メタロセ
ンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテ
ン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合
物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄
錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、
エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン
鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯
体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄
錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ
鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩
化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化
鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さら
には、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促
進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の
良好なものが望ましい。
Other iron-based metal compounds include, in addition to metallocene, organic iron compounds such as iron formate, iron oxalate, iron laurate, iron naphthenate, iron stearate and iron acetate; iron acetylacetonate complex; Phenanthroline iron complex, bispyridine iron complex, ethylenediamine iron complex,
Iron complexes such as iron complexes of ethylenediaminetetraacetate, iron complexes of diethylenetriamine, iron complexes of diethyleneglycol dimethylether, iron complexes of diphosphino and iron dimethylglyoximate, iron complexes such as carbonyl iron complexes, cyanoiron complexes and ammineiron complexes, Examples include iron halides such as iron, ferric chloride, ferrous bromide, and ferric bromide; inorganic iron salts such as iron nitrate and iron sulfate; and iron oxide. The thermal decomposition accelerator used here is desirably one that is soluble in an organic solvent and has good wet heat resistance and light resistance.

【0061】上述した各種のクエンチャー及び化合物熱
分解促進剤は、必要に応じて、1種類で用いても、他種
類を混合して用いても良い。
The various quencher and the compound thermal decomposition accelerator described above may be used singly or as a mixture of other types as required.

【0062】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ま
しいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィンなどが挙げられる。
Further, if necessary, additives such as a binder, a leveling agent and an antifoaming agent may be added. Preferred binders include polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, nitrocellulose, cellulose acetate, ketone resin, acrylic resin, polystyrene resin, urethane resin, polyvinyl butyral, polycarbonate, polyolefin and the like.

【0063】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。
When a recording layer is formed on a substrate, in order to improve the solvent resistance, reflectance, recording sensitivity, etc. of the substrate,
A layer made of an inorganic substance or a polymer may be provided on the substrate.

【0064】ここで、記録層における一般式(1)で示
される化合物の含有量は、30%以上、好ましくは60
%以上である。尚、実質的に100%であることも好ま
しい。
Here, the content of the compound represented by the general formula (1) in the recording layer is 30% or more, preferably 60%.
% Or more. In addition, it is also preferable that it is substantially 100%.

【0065】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
The method for providing the recording layer includes, for example, a coating method such as a spin coating method, a spray method, a casting method, and a dipping method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and a vacuum vapor deposition method. The spin coating method is simple. Is preferred.

【0066】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式(1)で示される化合物を1〜40重量
%、好ましくは3〜30重量%となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフル
オロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシク
ロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、
トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系
溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタ
ン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、
ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピル
エーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセト
ン、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノンなどの
ケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル
系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても
良く、あるいは、複数混合しても良い。
When a coating method such as a spin coating method is used, the compound represented by the general formula (1) is dissolved or dispersed in a solvent so as to be 1 to 40% by weight, preferably 3 to 30% by weight. A coating solution is used, and at this time, it is preferable to select a solvent that does not damage the substrate.
For example, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, octafluoropentanol, allyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, alcohol solvents such as tetrafluoropropanol, hexane,
Aliphatic or alicyclic hydrocarbon solvents such as heptane, octane, decane, cyclohexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, dimethylcyclohexane,
Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene and benzene, halogenated hydrocarbon solvents such as carbon tetrachloride, chloroform, tetrachloroethane and dibromoethane,
Ether solvents such as diethyl ether, dibutyl ether, diisopropyl ether and dioxane; ketone solvents such as acetone and 3-hydroxy-3-methyl-2-butanone; ester solvents such as ethyl acetate and methyl lactate; and water. Can be These may be used alone or in combination.

【0067】なお、必要に応じて、記録層の化合物を高
分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
The compound of the recording layer can be used by dispersing it in a polymer thin film or the like, if necessary.

【0068】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。
When a solvent that does not damage the substrate cannot be selected, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method, or the like is effective.

【0069】記録層の膜厚は、30nm〜1000nm
であるが、好ましくは50nm〜300nmである。記
録層の膜厚を50nmより薄くすると、熱拡散が大きい
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が300nm
より厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化す
る場合がある。
The thickness of the recording layer is 30 nm to 1000 nm.
However, it is preferably 50 nm to 300 nm. If the thickness of the recording layer is less than 50 nm, recording may not be performed due to large thermal diffusion, or a recording signal may be distorted and the signal amplitude may be reduced. The thickness is 300 nm.
If the thickness is larger, the reflectance may decrease, and the reproduction signal characteristics may deteriorate.

【0070】次に記録層の上に、好ましくは50nm〜
300nmの厚さの反射層を形成する。反射率を高める
ためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に
反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材
料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例
えば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、P
t、Ta、CrおよびPdの金属を単独あるいは合金に
して用いることが可能である。この中でもAu、Al、
Agは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、M
g、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、F
e、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、S
i、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Biなどの金属お
よび半金属を挙げることができる。また、Auを主成分
とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため
好適である。ここで主成分というのは含有率が50%以
上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈
折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層と
して用いることも可能である。
Next, on the recording layer, preferably,
A reflective layer having a thickness of 300 nm is formed. A reflection amplification layer or an adhesive layer can be provided between the recording layer and the reflection layer in order to increase the reflectance and improve the adhesion. As a material of the reflection layer, one having a sufficiently high reflectance at the wavelength of the reproduction light, for example, Au, Al, Ag, Cu, Ti, Cr, Ni, P
The metals t, Ta, Cr and Pd can be used alone or as an alloy. Among them, Au, Al,
Ag has a high reflectance and is suitable as a material for the reflective layer. In addition, the following may be included. For example, M
g, Se, Hf, V, Nb, Ru, W, Mn, Re, F
e, Co, Rh, Ir, Zn, Cd, Ga, In, S
Metals and metalloids such as i, Ge, Te, Pb, Po, Sn, Bi and the like can be mentioned. Further, those containing Au as a main component are preferable because a reflection layer having high reflectance can be easily obtained. Here, the main component means a component having a content of 50% or more. It is also possible to form a multilayer film by alternately stacking low-refractive-index thin films and high-refractive-index thin films with a material other than a metal, and use it as a reflective layer.

【0071】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。
As a method of forming the reflection layer, for example,
Examples include a sputtering method, an ion plating method, a chemical vapor deposition method, and a vacuum vapor deposition method. In addition, a known inorganic or organic intermediate layer or adhesive layer may be provided on the substrate or below the reflective layer to improve the reflectance, the recording characteristics, and the adhesion.

【0072】さらに、反射層の上に形成する保護層の材
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙
げることができる。また、無機物質としては、Si
2、SiO、Si34、MgF2、AlN、SnO2
どが挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適
当な溶媒に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによ
って形成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのま
まもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に
この塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させること
によって形成することができる。紫外線硬化性樹脂とし
ては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリ
レート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート
樹脂を用いることができる。これらの材料は単独である
いは混合して用いても良く、1層だけでなく多層膜にし
て用いても良い。
The material of the protective layer formed on the reflective layer is not particularly limited as long as it protects the reflective layer from external force. Examples of the organic substance include a thermoplastic resin, a thermosetting resin, an electron beam curable resin, and an ultraviolet curable resin. Further, as the inorganic substance, Si
O 2 , SiO, Si 3 N 4 , MgF 2 , AlN, SnO 2 and the like can be mentioned. A thermoplastic resin, a thermosetting resin, or the like can be formed by dissolving in a suitable solvent, applying a coating solution, and drying. The UV-curable resin can be formed by applying the coating solution after it has been prepared as it is or by dissolving it in a suitable solvent, and then irradiating the coating with ultraviolet rays to cure the resin. As the ultraviolet curable resin, for example, acrylate resins such as urethane acrylate, epoxy acrylate, and polyester acrylate can be used. These materials may be used alone or as a mixture, and may be used not only as a single layer but also as a multilayer film.

【0073】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。
As a method of forming the protective layer, a coating method such as a spin coating method or a casting method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, or the like is used as in the case of the recording layer. Among them, the spin coating method is preferable.

【0074】保護層の膜厚は、一般には0.1μm〜1
00μmの範囲であるが、本発明においては、3μm〜
30μmであり、より好ましくは、5μm〜20μmで
ある。
The thickness of the protective layer is generally 0.1 μm to 1 μm.
In the present invention, the range is from 3 μm to
It is 30 μm, more preferably 5 μm to 20 μm.

【0075】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。
A label or the like can be further printed on the protective layer.

【0076】また、反射層面に保護シートまたは基板を
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体2枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。
Alternatively, a protective sheet or a substrate may be bonded to the reflective layer surface, or two optical recording media may be bonded to each other with the reflective layer surfaces facing each other.

【0077】基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。
On the mirror side of the substrate, an ultraviolet curable resin, an inorganic thin film or the like may be formed to protect the surface or prevent adhesion of dust and the like.

【0078】ここで、本発明で言う波長400nm〜5
00nmのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可
視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波
長445nmのヘリウムカドミウムレーザー、波長48
8nmのアルゴンレーザー、波長約390〜410nm
のGaN系半導体レーザー、波長約850〜860nm
の赤外線レーザーの第2高調波約425〜430nmを
発振する半導体レーザーなどがあげられる。本発明で
は、これらから選択される1波長または複数波長におい
て高密度記録および再生が可能となる。
Here, the wavelength of 400 nm to 5
The laser of 00 nm is not particularly limited. For example, a dye laser capable of selecting a wavelength in a wide range of the visible light region, a helium cadmium laser having a wavelength of 445 nm, and a laser having a wavelength of 48
8nm argon laser, wavelength about 390-410nm
GaN based semiconductor laser, wavelength about 850-860nm
And a semiconductor laser that oscillates a second harmonic of about 425 to 430 nm of the infrared laser. According to the present invention, high-density recording and reproduction can be performed at one wavelength or a plurality of wavelengths selected from these.

【0079】[0079]

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。
EXAMPLES Examples of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited by these examples.

【0080】実施例1 一般式(1)で表される化合物のうち、化合物(1−
1)0.2gをジアセトンアルコール10mlに溶解
し、化合物溶液を調製した。
Example 1 Among the compounds represented by the general formula (1), the compound (1-
1) 0.2 g was dissolved in 10 ml of diacetone alcohol to prepare a compound solution.

【0081】ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝
(トラックピッチ:0.7μm)を有する外径120m
m、厚さ0.6mmの円盤状の基板上に、この化合物溶
液を回転数2000rpmでスピンコートし、70℃で
3時間乾燥して記録層を形成した。
Outer diameter 120 m made of polycarbonate resin and having continuous guide grooves (track pitch: 0.7 μm)
This compound solution was spin-coated on a disc-shaped substrate having a thickness of 0.6 mm and a thickness of 0.6 mm at a rotation speed of 2000 rpm, and dried at 70 ° C. for 3 hours to form a recording layer.

【0082】この記録層の上に島津製作所製スパッタ装
置を用いてAuをスパッタし、厚さ100nmの反射層
を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用い
た。スパッタ条件は、スパッタパワー0.5A、スパッ
タガス圧1.0×10-3Torrで行った。
Au was sputtered on the recording layer using a sputtering apparatus manufactured by Shimadzu Corporation to form a reflective layer having a thickness of 100 nm. Argon gas was used as a sputtering gas. The sputtering was performed at a sputtering power of 0.5 A and a sputtering gas pressure of 1.0 × 10 −3 Torr.

【0083】さらに、反射層の上に、紫外線硬化樹脂S
D−301(大日本インキ化学工業製)をスピンコート
した後、前記基板と同様な案内溝のない基板をのせ、紫
外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製し
た。
Further, an ultraviolet curable resin S
After spin-coating D-301 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), a substrate without a guide groove similar to the above-mentioned substrate was placed thereon, and the substrates were bonded by irradiating ultraviolet rays to produce an optical recording medium.

【0084】以上のようにして記録層が形成された光記
録媒体について、以下のようにピットの書き込みを行っ
た。
The pits were written on the optical recording medium having the recording layer formed as described above as follows.

【0085】430nmの青色高調波変換レーザーヘッ
ド(NA=0.65)を搭載したパルステック工業製光
ディスク評価装置(DDU−1000)及びKENWO
OD製EFMエンコーダーを用いて、最短ピットが0.
4μmのEFM変調信号を、線速度5.6m/s、レー
ザーパワー10mWで記録した。記録後、同評価装置を
用いてレーザー出力を0.5mWにして信号を再生し、
反射率、エラーレート及びジッターを測定した結果、い
ずれも良好な値を示した。なお、再生の際はイコライゼ
ーション処理を施した。
An optical disk evaluation device (DDU-1000) manufactured by Pulstec Industrial equipped with a 430 nm blue harmonic conversion laser head (NA = 0.65) and KENWO
Using the OD EFM encoder, the shortest pit is 0.
A 4 μm EFM modulated signal was recorded at a linear velocity of 5.6 m / s and a laser power of 10 mW. After recording, the signal was reproduced with the laser output set to 0.5 mW using the same evaluation device,
As a result of measuring the reflectance, the error rate, and the jitter, all of the values showed good values. At the time of reproduction, an equalization process was performed.

【0086】この記録した媒体について、加速劣化試験
(湿度85%RT、80℃で100時間)を行い、試験
後の反射率、エラーレート及びジッターを測定した結
果、変化は小さく優れた耐久性を有することが確認され
た。
The recorded medium was subjected to an accelerated deterioration test (humidity: 85% RT, 80 ° C. for 100 hours), and the reflectance, error rate, and jitter after the test were measured. It was confirmed to have.

【0087】実施例2〜23 記録層に化合物(1−2)〜(1−23)を用いること
以外は実施例1と同様にして光記録媒体を作製し、ピッ
トを書き込んで記録した後、信号再生を行った。いずれ
の場合も、反射率40%以上、エラーレート11cps
以下、ジッター10%以下と良好な値を示した。また、
加速劣化試験後の反射率の変化は2%以下、エラーレー
トの変化は2cps以下、ジッターの変化は1%以下
と、優れた耐久性を有することが確認された。
Examples 2 to 23 An optical recording medium was prepared in the same manner as in Example 1 except that the compounds (1-2) to (1-23) were used for the recording layer. The signal was reproduced. In any case, the reflectance is 40% or more, and the error rate is 11 cps.
Hereinafter, a good value of 10% or less in jitter was shown. Also,
The change in reflectance after the accelerated deterioration test was 2% or less, the change in error rate was 2 cps or less, and the change in jitter was 1% or less, confirming excellent durability.

【0088】表2にそれぞれの実施例における加速劣化
試験前後の反射率、エラーレート及びジッター値を示し
た。
Table 2 shows the reflectance, error rate, and jitter value before and after the accelerated deterioration test in each example.

【0089】[0089]

【表3】 [Table 3]

【0090】[0090]

【発明の効果】本発明によれば、一般式(1)で示され
る化合物を記録層として用いることにより、高密度光記
録媒体として非常に注目されている波長400nm〜5
00nmのレーザーで記録および再生が可能な追記型光
記録媒体を提供することが可能となる。
According to the present invention, by using the compound represented by the general formula (1) as a recording layer, the wavelength of 400 nm to 5 nm, which is attracting much attention as a high-density optical recording medium, is obtained.
It is possible to provide a write-once optical recording medium that can be recorded and reproduced with a laser of 00 nm.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。
FIG. 1 is a sectional structural view showing an example of a layer configuration of an optical recording medium according to the present invention.

【図2】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。
FIG. 2 is a sectional structural view showing an example of a layer configuration of an optical recording medium according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:基板 2:記録層 3:反射層 4:保護層 5:接着層 1: substrate 2: recording layer 3: reflective layer 4: protective layer 5: adhesive layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 小木曽 章 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 Fターム(参考) 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA32 EA43 FA01 FA12 FB42 4C056 AA01 AB01 AC02 AD03 AE03 CA06 CA09 5D029 JA04 JB47  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Denmi Misawa, Inventor 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Mitsui Chemicals Corporation (72) Inventor Akira Ogiso 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Mitsui Chemicals Inc. (72) Inventor Taizo Nishimoto 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside of Mitsui Chemicals Co., Ltd. EA22 EA25 EA32 EA43 FA01 FA12 FB42 4C056 AA01 AB01 AC02 AD03 AE03 CA06 CA09 5D029 JA04 JB47

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に少なくとも記録層および反射層
を有する光記録媒体において、記録層中に一般式(1)
で示される化合物を含有する光記録媒体。 【化1】 〔式中、R1〜R8は各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、炭素数20以下の置換または未置換のアルキル基、
アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、ア
リールチオ基、アルケニル基、アラルキル基、アシル
基、アリール基、ヘテロアリール基、またはアルキルス
ルホン酸基を表し、Xは酸素原子または硫黄原子を表
し、Aは炭素数20以下の置換または未置換のアリール
基またはヘテロアリール基を表す。〕
1. An optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the recording layer has the general formula (1)
An optical recording medium containing a compound represented by the formula: Embedded image [Wherein, R 1 to R 8 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 20 or less carbon atoms,
Represents an alkoxy group, an alkylthio group, an aryloxy group, an arylthio group, an alkenyl group, an aralkyl group, an acyl group, an aryl group, a heteroaryl group, or an alkylsulfonic acid group; X represents an oxygen atom or a sulfur atom; Represents a substituted or unsubstituted aryl group or heteroaryl group having the number of 20 or less. ]
【請求項2】 一般式(1)で表される化合物のAが、
置換または未置換のフェニル基、ナフチル基、フリル
基、ピロリル基、またはチエニル基である請求項1に記
載の光記録媒体。
2. A of the compound represented by the general formula (1) is:
The optical recording medium according to claim 1, which is a substituted or unsubstituted phenyl group, naphthyl group, furyl group, pyrrolyl group, or thienyl group.
【請求項3】 波長400nm〜500nmの範囲から
選択されるレーザー光に対して記録および再生が可能で
ある請求項1または請求項2に記載の光記録媒体。
3. The optical recording medium according to claim 1, wherein recording and reproduction can be performed with respect to a laser beam selected from a wavelength range of 400 nm to 500 nm.
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