JPH1142809A - 発光ダイオード駆動回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 各チップ間のＬＥＤの輝度のバラツキを調整
する場合において、少ない回路追加でＬＥＤに供給する
電流の変化量を均等にするＬＥＤ駆動回路装置を提供す
る。 【解決手段】 ＬＥＤ駆動回路装置の輝度制御回路５０
では、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ２とＰＭＯＳトラン
ジスタＰＴｒ２とが直列に接続され、ＰＭＯＳトランジ
スタＰＴｒ２のゲートの電位がＰＭＯＳトランジスタ２
−１〜２−ｍのゲートに与えられる。輝度制御回路５０
にはＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ２とカレントミラー回
路を構成するＮＭＯＳトランジスタ５３−１〜５３−４
が構成される。ＮＭＯＳトランジスタ５３−１〜５３−
４を調整データ入力端子２５−１〜２５−４から入力さ
れる装置間用輝度調整データに基づきオン／オフ制御し
て、ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２を流れる電流Ｉ２を
調整することで、ＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍ
を介してＬＥＤ１−１〜１−ｍに流れる電流を調整す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリンタ、ファク
シミリ装置等の感光体を露光するための発光ダイオード
駆動回路装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】発光ダイオード（以下、ＬＥＤと称す）
アレイヘッドにおける各ＬＥＤの輝度は、ＬＥＤアレイ
ヘッドに設けられる各ＬＥＤアレイチップ間で数乃至数
十％のバラツキが生じており、このバラツキが印字品質
の低下の原因を招いている。印字品質を防止するため
に、各チップ間における輝度のバラツキを補正する輝度
制御回路を備えるＬＥＤ駆動回路装置が、特開平６−３
２８７８２号公報に提案されている。図５乃至図７を用
いて前記ＬＥＤ駆動回路装置について説明する。

【０００３】図５は、前記ＬＥＤ駆動回路装置を備える
ＬＥＤアレイヘッドの内部構成を示すブロック図であ
る。ＬＥＤアレイヘッドには、複数個のＬＥＤが列状に
並べられて構成されるＬＥＤアレイチップ４１−１〜４
１−ｎが形成される。各ＬＥＤアレイチップ４１−１〜
４１−ｎには、ＬＥＤ駆動回路装置が接続される。以下
に、ＬＥＤアレイチップ４１−１及びＬＥＤアレイチッ
プ４１−１に接続されるＬＥＤ駆動回路装置に関しての
み説明するが、他のＬＥＤアレイチップ４１−２〜４１
−ｎ及びＬＥＤアレイチップ４１−２〜４１−ｎにそれ
ぞれ接続される他のＬＥＤ駆動回路装置の構成も同様で
あるので説明を省略する。

【０００４】ＬＥＤアレイチップ４１−１に接続される
ＬＥＤ駆動回路装置内では、外部から与えられる画デー
タがクロック信号によってシフトされてシフトレジスタ
３−１に格納される。そして、そのシフトレジスタ３−
１に格納された画データは、セット信号に基づいてラッ
チ回路４−１にラッチされる。ラッチ回路４−１でラッ
チされた画データは、２入力ＡＮＤ回路９−１〜９−ｍ
の一方入力端子に与えられており、他方入力端子にイネ
ーブル信号が与えられると、その画データがＬＥＤ駆動
回路４０−１に出力される。ＬＥＤ駆動回路４０−１
は、前記画データに基づきＬＥＤアレイチップ４１−１
の各ＬＥＤに電流を供給し各ＬＥＤを点灯する。

【０００５】また、前記ＬＥＤ駆動回路装置内には、Ｌ
ＥＤ駆動回路４０−１に接続され、ＬＥＤ駆動回路４０
−１を制御してＬＥＤアレイチップ４１−１の各ＬＥＤ
の輝度を調整する輝度制御回路２０ー１と、前記輝度制
御回路２０−１に与える４ビットの装置間用輝度調整デ
ータをラッチする輝度制御用ラッチ回路４２−１とが設
けられる。

【０００６】図６は、前記輝度制御回路２０−１に制御
されるＬＥＤ駆動回路４０−１及びＬＥＤ駆動回路４０
−１に接続されるＬＥＤアレイチップ４１−１の構成を
示す回路図である。ＬＥＤアレイチップ４１−１には、
ｍ個のＬＥＤ１−１〜１−ｍが形成される。そして、Ｌ
ＥＤ駆動回路４０−１では、ＬＥＤ１−１〜１−ｍに電
流を供給する駆動トランジスタであるＰＭＯＳトランジ
スタ２−１〜２−ｍのドレインが前記ＬＥＤ１−１〜１
−ｍにそれぞれ接続される。このＰＭＯＳトランジスタ
２−１〜２−ｍのソースには電源８が接続される。そし
て、このＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍのゲート
は、トランスミッションゲート５−１〜５−ｍの出力側
とＰＭＯＳトランジスタ７−１〜７−ｍのドレインとの
接続点に接続される。前記トランスミッションゲート５
−１〜５−ｍの入力側は、輝度制御回路２０−１の信号
線１５と接続される。このトランスミッションゲート５
−１〜５−ｍは、図５に示す２入力ＡＮＤ回路９−１〜
９−ｍから与えられる画データに基づいてオン／オフす
る。また、ＰＭＯＳトランジスタ７−１〜７−ｍのソー
スは電源８に接続され、ゲートには２入力ＡＮＤ回路９
−１〜９−ｍの出力が与えられる。

【０００７】図７は、前記輝度制御回路２０−１の内部
構成を示す回路図である。輝度制御回路２０−１では、
電源８と接地との間に、ＰＭＯＳトランジスタ１１、Ｎ
ＭＯＳトランジスタ１２及び抵抗１３が直列接続され
る。ＰＭＯＳトランジスタ１１について、ソースが電源
８に接続され、ゲートが該ＰＭＯＳトランジスタ１１の
ドレインに接続され、ドレインがＮＭＯＳトランジスタ
１２のドレイン側に接続される。そして、ＮＭＯＳトラ
ンジスタ１２のソースは抵抗１３を介して接地される。
また、ＮＭＯＳトランジスタ１２のゲートは、＋端子に
基準電圧（Ｖｒｅｆ）が供給され、−端子にＮＭＯＳト
ランジスタ１２のソース側電位が供給されるオペレーシ
ョンアンプ１４の出力側に接続される。このオペレーシ
ョンアンプ１４によって、ＰＭＯＳトランジスタ１１に
は定電流Ｉ１が流れる。そして、ＰＭＯＳトランジスタ
１１とＮＭＯＳトランジスタ１２との接続点Ａから延在
する信号線１５が図６に示すＬＥＤ駆動回路４０−１の
トランスミッションゲート５−１〜５−ｍの入力側に接
続される。

【０００８】前記接続点Ａから延在する信号線１５に
は、輝度調整回路２１が接続される。この輝度調整回路
２１において、前記信号線１５には、電源８にソースが
それぞれ接続される輝度制御トランジスタであるＰＭＯ
Ｓトランジスタ２３−１〜２３−４のドレインがそれぞ
れ接続される。即ち、ＰＭＯＳトランジスタ２３−１〜
２３−４は、前記ＰＭＯＳトランジスタ１１に並列に接
続される。また、前記信号線１５には、トランスミッシ
ョンゲート２４−１〜２４−４の入力側が接続される。
トランスミッションゲート２４−１〜２４−４の出力側
には、ＰＭＯＳトランジスタ２３−１〜２３−４のゲー
ト、及び電源８にソースが接続されるＰＭＯＳトランジ
スタ２６−１〜２６−４のドレインが接続される。ま
た、トランスミッションゲート２４−１〜２４−４とＰ
ＭＯＳトランジスタ２６−１〜２６−４のゲートには、
調整データ入力端子２５−１〜２５−４がそれぞれ接続
される。

【０００９】調整データ入力端子２５−１〜２５−４に
は、４ビットの装置間用輝度調整データをラッチする輝
度制御用ラッチ回路４２−１が接続される。そして、こ
のトランスミッションゲート２４−１〜２４−４は、前
記調整データ入力端子２５−１〜２５−４にそれぞれ与
えられた４ビットの装置間用輝度調整データに基づきオ
ン／オフ動作する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ２３
−１〜２３−４は、オン／オフ状態となる。

【００１０】この４ビットの装置間用輝度調整データ
は、ＬＥＤアレイヘッドが製造後の検査によって、ＬＥ
Ｄアレイチップ４１−１の輝度についての基準値からの
誤差を測定し、その測定結果に基づき各ＬＥＤアレイチ
ップ４１−１と他のＬＥＤアレイチップ４１−２〜４１
−ｎと輝度のバラツキが無くなるようにＬＥＤアレイチ
ップ４１−１のＬＥＤの輝度が基準値となるように設定
される。

【００１１】上述の構成において、輝度制御回路２０−
１を構成するＰＭＯＳトランジスタ２３−１〜２３−４
とＰＭＯＳトランジスタ１１と、ＬＥＤ駆動回路４０−
１のＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍとは、トラン
ジスタサイズの比が１：５：５となるように形成され
る。このトランジスタサイズとは、トランジスタのソー
ス及びドレインを形成するための拡散領域の幅を示す。
従って、ＰＭＯＳトランジスタ２３−１〜２３−４、Ｐ
ＭＯＳトランジスタ１１、及びＰＭＯＳトランジスタ２
−１〜２−ｍのゲートに同一の電位を与えたとしても、
各トランジスタに流れる電流は、１：５：５となる。

【００１２】上述の輝度制御回路２０−１を用いた輝度
の調整について以下に説明する。輝度制御回路２０−１
が行う輝度の調整は、ＬＥＤ駆動回路４０−１に画デー
タが与えられたときに行われる。このときに、前記装置
間用輝度調整データは、クロック信号に従って外部から
シフトレジスタ３−１に与えられた後、ラッチイネーブ
ル信号によって輝度制御用ラッチ回路４２−１でラッチ
される。そして、輝度制御回路２０−１は、輝度制御用
ラッチ回路４２−１から装置間用輝度調整データを取り
込み、装置間用輝度調整データに基づきＬＥＤ駆動回路
４０−１を制御してＬＥＤアレイチップ４１−１の各Ｌ
ＥＤの輝度を調整する。

【００１３】前記輝度調整回路２１は、調整データ入力
端子２５−１〜２５−４から装置間用輝度調整データを
取り込むと、この装置間用輝度調整データに基づいてＬ
ＥＤ駆動回路４０−１のＰＭＯＳトランジスタ２−１〜
２−ｍを介して流れる電流量を調整する。例えば、輝度
調整回路２１を構成するＰＭＯＳトランジスタ２３−１
〜２３−４の全てをオフする装置間用輝度調整データが
与えられると、ＰＭＯＳトランジスタ２３−１〜２３−
４は全てオフ状態となる。従って、ＬＥＤ駆動回路４０
−１と輝度制御回路２０−１との間の“ＶＧ”に生じる
電位には、ＰＭＯＳトランジスタ１１を流れる電流しか
影響しない。ＰＭＯＳトランジスタ１１とＬＥＤ駆動回
路４０−１のＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍとの
トランジスタサイズは同じであるので、ＰＭＯＳトラン
ジスタ２−１〜２−ｍを介してＬＥＤ１−１〜ＬＥＤ１
−ｍに流れる電流Ｉ２は、（５／５）×Ｉ１の計算より
電流Ｉ１となる。

【００１４】また、ＰＭＯＳトランジスタ２３−１だけ
をオンする装置間用輝度調整データが与えられると、Ｐ
ＭＯＳトランジスタ２３−１だけがオン状態となる。従
って、ＬＥＤ駆動回路４０−１と輝度制御回路２０−１
との間の“ＶＧ”に生じる電位には、ＰＭＯＳトランジ
スタ１１を流れる電流、及び、ＰＭＯＳトランジスタ２
３−１を流れる電流が影響する。ＰＭＯＳトランジスタ
１１とＰＭＯＳトランジスタ２３−１とのトランジスタ
サイズは５：１であるので、ＬＥＤ１−１〜１−ｍを流
れる電流Ｉ２は、｛５／（５＋１）｝×Ｉ１の計算よ
り、電流（５／６）×Ｉ１となる。ＰＭＯＳトランジス
タ２３−１、及びＰＭＯＳトランジスタ２３−２をオン
する装置間用輝度調整データが与えられると、ＰＭＯＳ
トランジスタ２３−１、及びＰＭＯＳトランジスタ２３
−２がオン状態となり、ＬＥＤ１−１〜１−ｍを流れる
電流Ｉ２は、｛５／（５＋２）｝×Ｉ１の計算より、電
流（５／７）×Ｉ１となる。ＰＭＯＳトランジスタ２３
−１、ＰＭＯＳトランジスタ２３−２、及びＰＭＯＳト
ランジスタ２３−２をオンする装置間用輝度調整データ
が与えられると、ＰＭＯＳトランジスタ２３−１、ＰＭ
ＯＳトランジスタ２３−２、及びＰＭＯＳトランジスタ
２３−３がオン状態となり、ＬＥＤ１−１〜１−ｍを流
れる電流Ｉ２は、｛５／（５＋３）｝×Ｉ１の計算よ
り、電流（５／８）×Ｉ１となる。全てのＰＭＯＳトラ
ンジスタ２３−１〜２３−４をオンする装置間用輝度調
整データが与えられると、全てのＰＭＯＳトランジスタ
２３−１〜２３−４がオン状態となり、ＬＥＤ１−１〜
１−ｍに流れる電流Ｉ２は、｛５／（５＋４）｝×Ｉ１
の計算より、電流（５／９）×Ｉ１となる。

【００１５】また、ＬＥＤアレイチップ内の各ＬＥＤの
輝度のバラツキを調整する回路が特開昭６３−２４０１
６８号公報に提案されている。この回路は、各ＬＥＤに
対して複数個の分割ドライバが並列接続されており、輝
度のバラツキを調整するドライバ選択信号によって前記
分割ドライバが選択されて、ＬＥＤに流れる電流を設定
している。具体的には、図６に示すＰＭＯＳトランジス
タ２−１に並列にＰＭＯＳトランジスタを複数個接続し
て、これらのトランジスタを分割ドライバとし、オンす
るトランジスタをドライバ選択信号に基づき選択するこ
とでＬＥＤに流れる電流を調整している。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】特開平６−３２８７８
２号公報に提案されている従来技術では、ＰＭＯＳトラ
ンジスタ２３−１〜２３−４がＰＭＯＳトランジスタ１
１と並列に接続されるので、オン状態となるＰＭＯＳト
ランジスタ２３−１〜２３−４が１つ増加するごとに図
６に示すＬＥＤアレイチップのＬＥＤ１−１〜１−ｍに
流れる電流Ｉ２は、Ｉ１，（５／６）×Ｉ１，（５／
７）×Ｉ１，（５／８）×Ｉ１，（５／９）×Ｉ１のよ
うに変化する。従って、オン状態となるＰＭＯＳトラン
ジスタ２３−１〜２３−４が増加すると、電流Ｉ２の分
母が変化するために、電流Ｉ２の変化量を均等にするこ
とができない。このため、ＬＥＤアレイヘッドの製造後
の検査におけるデータに基づいて前記電流Ｉ２を所望の
値にするように装置間用輝度調整データを設定すること
は困難である。

【００１７】また、特開昭６３−２４０１６８号公報に
提案されている従来技術では、各ＬＥＤに対して複数個
の分割ドライバが並列接続されているので、設けられる
ＬＥＤの数が多くなると、回路規模が増大するという問
題がある。

【００１８】本発明の第１の目的は、各装置間における
ＬＥＤの輝度のバラツキを調整する場合に、少ない回路
追加でＬＥＤに供給される電流の変化量を均等にすると
ともに輝度の調整範囲の広い発光ダイオード駆動回路装
置を提供することである。本発明の第２の目的は、回路
規模を増大させずに各ＬＥＤ間の輝度のバラツキを調整
する発光ダイオード駆動回路装置を提供することであ
る。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
駆動回路装置は、発光ダイオードに接続され前記発光ダ
イオードに電流を流す駆動トランジスタを備える発光ダ
イオード駆動手段と、前記駆動トランジスタとカレント
ミラー回路を構成する電位設定用トランジスタと、前記
電位設定用トランジスタと直列に接続され所定の電流を
流す電流生成用トランジスタと、前記電流生成用トラン
ジスタに並列に接続される輝度制御トランジスタと、前
記輝度制御トランジスタをオン／オフ制御する動作制御
手段と、を備え、前記動作制御手段によって前記輝度制
御トランジスタをオン／オフ制御し、前記電位設定用ト
ランジスタに流れる電流を変化させて、前記駆動トラン
ジスタを介して前記発光ダイオードに流れる電流量を調
整することを特徴とする。

【００２０】上述の構成によれば、電流生成用トランジ
スタに並列に接続された輝度制御トランジスタをオンす
ることで、電位設定用トランジスタに流れる電流は、こ
の輝度制御トランジスタに流れる電流分だけ変化する。
例えば、同じ大きさの電流を流す４つの輝度制御トラン
ジスタを備える場合、オン状態になる輝度制御トランジ
スタが１つ増加するたびに、電位設定用トランジスタに
流れる電流は均等に変化していく。従って、前記電位設
定用トランジスタとカレントミラー回路を構成する駆動
トランジスタが発光ダイオードに流す電流も電位設定用
トランジスタに流れる電流と同様に変化する。このた
め、前記輝度制御トランジスタをオン／オフ制御するこ
とで、駆動トランジスタを介して発光ダイオードに流れ
る電流の変化量を均等にすることができる。

【００２１】また、前記輝度制御トランジスタが前記電
流生成用トランジスタに並列に複数個接続され、前記輝
度制御トランジスタのトランジスタサイズは、２ⁿ （ｎ
は０，１，２，…）にてなる値に設定されてもよい。

【００２２】例えば、４つの輝度制御トランジスタＡ，
Ｂ，Ｃ，Ｄのトランジスタサイズが１：２：４：８と設
定された場合、４つの輝度制御トランジスタで１６段階
の輝度の調整をすることができる。このため、上述のよ
うに輝度制御トランジスタのトランジスタサイズを設定
することで、回路を増設しないで、より精度よく輝度の
調整ができるとともに、輝度の調整範囲を広くすること
ができる。

【００２３】前述の発光ダイオード駆動回路装置を複数
備えてもよい。この場合、前記動作制御手段は、各発光
ダイオード駆動回路装置間の輝度の差に基づき設定され
た装置間輝度調整データに基づき前記輝度制御トランジ
スタをオン／オフ制御してもよい。

【００２４】上述したように発光ダイオード駆動回路装
置では発光ダイオードに供給する電流の変化量が均一で
あるので、各装置間の輝度のバラツキを調整する場合に
用いられる前記装置間輝度調整データを容易に設定する
ことができる。

【００２５】また、前記電位設定用トランジスタに並列
に接続される第２の輝度制御トランジスタと、前記第２
の輝度制御トランジスタをオン／オフ制御する第２の動
作制御手段とを備えてもよい。この場合、前記第２の動
作制御手段によって第２の輝度制御トランジスタをオン
／オフ制御し、前記駆動トランジスタを介して前記発光
ダイオードに流れる電流量を調整する。

【００２６】ここで、前記輝度制御トランジスタと前記
第２の輝度制御トランジスタとは、互いに異なるトラン
ジスタである。例えば、前記輝度制御トランジスタがＮ
ＭＯＳトランジスタである場合には、前記第２の輝度制
御トランジスタはＰＭＯＳトランジスタとなり、逆に、
前記輝度制御トランジスタがＰＭＯＳトランジスタであ
る場合には、前記第２の輝度制御トランジスタはＮＭＯ
Ｓトランジスタとなる。

【００２７】より精度よく輝度の調整を行うとともに発
光ダイオードに流れる電流の変化量を均等にするために
は、前記電流生成用トランジスタに並列に接続される輝
度制御トランジスタを増設して、調整間隔を狭小にする
ことが想定される。しかし、輝度制御トランジスタだけ
が増設されると、チップ内に構成されるトランジスタ
は、ＰＭＯＳトランジスタ又はＮＭＯＳトランジスタの
いずれか一方に偏り、チップ面積が増大してしまう。

【００２８】上述の構成のように、前記輝度制御トラン
ジスタと互いに異なる第２の輝度制御トランジスタを電
位設定用トランジスタに並列に接続し、第２の動作制御
手段が前記第２の輝度制御トランジスタを制御するとき
には、発光ダイオードに流れる電流の変化量を均等にす
ることはできないが、より調整間隔を狭小にすることが
できるので精度よく輝度の調整を行うことができるとと
もにチップ面積の増大を防止することができる。また、
上述の構成において、電流生成用トランジスタに並列に
接続される輝度制御トランジスタによる調整間隔を大き
くし、電位設定用トランジスタに並列に接続される輝度
制御トランジスタによる調整間隔を調節することで、調
整精度を低下させることなく輝度調整範囲を拡大させる
ことができる。

【００２９】前記第２の輝度制御トランジスタが前記電
位設定用トランジスタに並列に複数個接続され、前記第
２の輝度制御トランジスタのトランジスタサイズは２ⁿ
（ｎは０，１，２，…）にてなる値に設定されてもよ
い。

【００３０】前記輝度制御トランジスタ及び第２の輝度
制御トランジスタを備える発光ダイオード駆動回路装置
を複数備えてもよい。この場合、前記動作制御手段及び
第２の動作制御手段は、各発光ダイオード駆動回路装置
間の輝度の差に基づき設定された装置間輝度調整データ
に基づき前記輝度制御トランジスタ及び第２の輝度制御
トランジスタをオン／オフ制御してもよい。

【００３１】また、本発明の発光ダイオード駆動回路装
置は、発光ダイオードに接続され前記発光ダイオードに
電流を流す駆動トランジスタを備える発光ダイオード駆
動手段と、電流量の異なる複数の電流を流す電流制御手
段と、前記発光ダイオードと異なる他の発光ダイオード
との間の輝度の差に基づき設定されたＬＥＤ用輝度調整
データに基づき前記電流制御手段に流れる複数の電流か
ら１つの電流を選択する選択手段と、を備え、前記選択
手段が選択した電流に基づき前記駆動トランジスタを介
して前記発光ダイオードに流す電流量を調整することを
特徴とする。

【００３２】上述の構成によれば、電流制御手段は電流
量の異なる複数の電流を流し、選択手段は、ＬＥＤ用輝
度調整データに基づき前記複数の電流のうち１つの電流
を選択し、駆動トランジスタを介して発光ダイオードに
流れる電流は前記選択手段に選択された電流に基づき調
整される。従って、各発光ダイオード間の輝度のバラツ
キを無くすことができるので、印字品質をより向上させ
ることができる。また、従来技術のように、発光ダイオ
ードごとに複数の駆動トランジスタを設けることがない
ので、設けられる発光ダイオードの数が多くなっても回
路規模が増大することがない。

【００３３】

【発明の実施の形態】本発明のＬＥＤ駆動回路装置に係
る実施の形態について図を用いつつ、以下に説明する。

【００３４】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係るＬＥＤ駆動回路装置を備えるＬＥ
ＤアレイヘッドのＬＥＤ駆動部分の概略的な構成を示し
た回路図である。本発明の第１の実施の形態に係るＬＥ
Ｄ駆動回路装置は、図５に示すＬＥＤアレイヘッドにお
ける従来のＬＥＤ駆動回路装置の輝度制御回路２０−１
が図１に示す本発明の特徴部分である輝度制御回路５０
に置き換えられたものである。従って、本発明の第１の
実施の形態に係るＬＥＤ駆動回路装置を備えるＬＥＤア
レイヘッドには、輝度制御回路５０を備えるＬＥＤ駆動
回路装置がＬＥＤアレイチップ４１−１〜４１−ｎにそ
れぞれ接続される。なお、従来技術と同様の構成には、
同一の参照符号を付して説明を省略する。

【００３５】輝度制御回路５０は、電源８（電源電圧Ｖ
ｃｃとする）と接地との間に、抵抗Ｒ（抵抗値はｒとす
る）と、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ１とが接続され
る。ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ１について、ドレイン
が抵抗Ｒを介して電源８に接続され、ソースが接地され
る。このＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ１のゲートは、−
端子に基準電圧（Ｖｒｅｆ）が与えられ＋端子に前記Ｎ
ＭＯＳトランジスタＮＴｒ１のドレインが接続されるオ
ペレーションアンプ５１の出力側に接続される。このオ
ペレーションアンプ５１は、前記抵抗ＲとＮＭＯＳトラ
ンジスタＮＴｒ１の接続点の電位が基準電圧（Ｖｒｅ
ｆ）に等しくなるようにＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ１
のゲートに印加する電圧を制御する。即ち、オペレーシ
ョンアンプ５１、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ１、抵抗
Ｒ、及び電源８は定電流源を構成する。これによって、
抵抗Ｒに流れる電流Ｉ１は、（Ｖｃｃ−Ｖｒｅｆ）／ｒ
の定電流となる。

【００３６】また、このＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ１
のゲートには、電流生成用トランジスタであるＮＭＯＳ
トランジスタＮＴｒ２のゲートが接続され、ＮＭＯＳト
ランジスタＮＴｒ１とＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ２と
はカレントミラー回路を構成する。従って、ＮＭＯＳト
ランジスタＮＴｒ２は、定電流源によって流れる電流に
関連して電流を流す。即ち、定電流源を構成する抵抗Ｒ
１に電流Ｉ１が流れると、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ
２は電流を流す。このＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ２の
ソースは接地され、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ２のド
レインには、電位設定用トランジスタであるＰＭＯＳト
ランジスタＰＴｒ２のドレインが接続される。このＰＭ
ＯＳトランジスタＰＴｒ２では、ゲートがドレイン側と
接続され、ソースが電源８と接続される。

【００３７】ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ２とＰＭＯＳ
トランジスタＰＴｒ２との接続点Ｂから延在する信号線
５７が、前記ＬＥＤ駆動回路４０−１を構成するトラン
スミッションゲート５−１〜５−ｍに接続される。従っ
て、ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２とＬＥＤ駆動回路４
０−１を構成するＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍ
とは、カレントミラー回路を構成し、ＰＭＯＳトランジ
スタＰＴｒ２のゲートの電位がＰＭＯＳトランジスタ２
−１〜２−ｍのゲートに与えられる。

【００３８】また、輝度制御回路５０において、ＮＭＯ
ＳトランジスタＮＴｒ２とＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ
２との接続点Ｂから延在する信号線５７には、輝度調整
回路５２が接続される。この輝度調整回路５２は、前記
ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２に流れる電流を調整する
ことで、ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２のゲートと同じ
電位がゲートに与えられるＰＭＯＳトランジスタ２−１
〜２−ｍを介してＬＥＤ１−１〜１−ｍに流れる電流量
を調整する。

【００３９】図２は、図１に示す輝度制御回路５０が備
える輝度調整回路５２の詳細な内部構成を示した回路図
である。

【００４０】前記輝度調整回路５２において、前記接続
点ＢからＬＥＤ駆動回路４０−１に延在する信号線５７
には、輝度制御トランジスタであるＮＭＯＳトランジス
タ５３−１〜５３−４のドレインがそれぞれ接続され
る。これらのＮＭＯＳトランジスタ５３−１〜５３−４
のソースは、それぞれ接地される。

【００４１】また、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ１，Ｎ
Ｔｒ２のゲートに接続される信号線５８には、トランス
ミッションゲート５４−１〜５４−４の入力側が接続さ
れる。これらのトランスミッションゲート５４−１〜５
４−４の出力側には、ＮＭＯＳトランジスタ５３−１〜
５３−４のゲート、及びソースが接地されるＮＭＯＳト
ランジスタ５６−１〜５６−４のドレインに接続され
る。前記トランスミッションゲート５４−１〜５４−４
とＮＭＯＳトランジスタ５６−１〜５６−４のゲートに
は、インバータ回路を介して調整データ入力端子５５−
１〜５５−４がそれぞれ接続される。即ち、上述の各ト
ランスミッションゲート５４−１〜５４−４と各ＮＭＯ
Ｓトランジスタ５６−１〜５６−４とが、各動作制御手
段をそれぞれ構成する。

【００４２】調整データ入力端子２５−１〜２５−４に
は、図５に示すように、この実施の形態においては４ビ
ットの装置間用輝度調整データをラッチする輝度制御用
ラッチ回路４２−１が接続される。そして、装置間用輝
度調整データは、１ビットごとに各調整データ入力端子
２５−１〜２５−４に与えられる。トランスミッション
ゲート５４−１〜５４−４及びＮＭＯＳトランジスタ５
６−１〜５６−４は、装置間用輝度調整データに基づき
オン／オフ動作して、前記ＮＭＯＳトランジスタ５３−
１〜５３−４をオン／オフさせる。

【００４３】上述のように、輝度制御回路５０におい
て、ＮＭＯＳトランジスタ５３−１〜５３−４は、ＮＭ
ＯＳトランジスタＮＴｒ２に並列に接続され、ＮＭＯＳ
トランジスタＮＴｒ２及びＮＭＯＳトランジスタ５３−
１〜５３−４は、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ１とカレ
ントミラー回路を構成する。これらのＮＭＯＳトランジ
スタ５３−１〜５３−４、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ
２、及びＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ１は、トランジス
タサイズの比が１：５：５となるように形成される。従
って、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ２に流れる電流は、
ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ１に流れる電流Ｉ１とな
り、各ＮＭＯＳトランジスタ５３−１〜５３−４に流れ
る電流は（１／５）×Ｉ１となる。このため、ＰＭＯＳ
トランジスタＰＴｒ２には、ＮＭＯＳトランジスタＮＴ
ｒ２に流れる電流Ｉ１と各ＮＭＯＳトランジスタ５３−
１〜５３−４に流れる電流とを合わせた電流Ｉ２が流れ
る。即ち、ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２のゲートの電
位には、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ２に流れる電流Ｉ
１と各ＮＭＯＳトランジスタ５３−１〜５３−４に流れ
る電流とが影響する。

【００４４】また、ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２と、
ＬＥＤ駆動回路４０−１のＰＭＯＳトランジスタ２−１
〜２−ｍとのトランジスタ比は１：１となるように形成
される。従って、ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２のゲー
トの電位がＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍのゲー
トに与えられると、ＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−
ｍには、ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２に流れる電流Ｉ
２と、同一の電流が流れる。

【００４５】次に、輝度制御回路５０の輝度調整動作に
ついて説明する。従来技術にて説明したように、ＬＥＤ
駆動回路４０−１に画データが与えられる場合に、輝度
制御回路５０によるＬＥＤの輝度の調整が行われる。こ
の場合に、輝度制御回路５０に与えられる前記４ビット
の装置間用輝度調整データは、図５に示す輝度制御用ラ
ッチ回路４２−１にラッチされており、輝度制御用ラッ
チ回路４２−１から前記輝度制御回路５０の輝度調整回
路５２の調整データ入力端子５５−１〜５５−４にそれ
ぞれ１ビットずつ与えられる。そして、この装置間用輝
度調整データに基づいて各ＮＭＯＳトランジスタ５３−
１〜５３−４がオン／オフする。

【００４６】輝度調整回路５２を構成するＮＭＯＳトラ
ンジスタ５３−１〜５３−４の全てをＯＦＦする装置間
用輝度調整データが与えられると、ＮＭＯＳトランジス
タ５３−１〜５３−４は全てＯＦＦ状態となる。従っ
て、ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２に流れる電流Ｉ２は
ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ２に流れる電流Ｉ１とな
り、ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２のゲートの電位が与
えられるＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍには電流
Ｉ１が流れ、この電流Ｉ１がＬＥＤ用出力端子ＤＲＶ１
〜ＤＲＶｍから出力される。

【００４７】また、ＮＭＯＳトランジスタ５３−１だけ
をＯＮする装置間用輝度調整データが与えられると、Ｎ
ＭＯＳトランジスタ５３−１だけがＯＮ状態となる。従
って、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ２にはＮＭＯＳトラ
ンジスタＮＴｒ１に流れる電流Ｉ１と同じ大きさの電流
が流れ、ＮＭＯＳトランジスタ５３−１には（１／５）
×Ｉ１と同じ大きさの電流が流れる。このため、ＰＭＯ
ＳトランジスタＰＴｒ２を流れる電流Ｉ２は、｛１＋
（１／５）｝×Ｉ１の計算により、電流（６／５）×Ｉ
１となり、ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２のゲートの電
位と同じ電位がゲートに与えられるＰＭＯＳトランジス
タ２−１〜２−ｍには（６／５）×Ｉ１と同じ大きさの
電流が流れる。

【００４８】上述のように、ＮＭＯＳトランジスタ５３
−１、及びＮＭＯＳトランジスタ５３−２をＯＮする装
置間用輝度調整データが与えられると、ＰＭＯＳトラン
ジスタ５３−１、及びＰＭＯＳトランジスタ５３−２が
ＯＮ状態となる。従って、ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ
２を流れる電流Ｉ２は、｛１＋（２／５）｝×Ｉ１の計
算より、電流（７／５）×Ｉ１となる。このため、ＰＭ
ＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍには（７／５）×Ｉ１
と同じ電流が流れる。また、ＮＭＯＳトランジスタ５３
−１、ＮＭＯＳトランジスタ５３−２、及びＮＭＯＳト
ランジスタ５３−２をＯＮする装置間用輝度調整データ
が与えられると、ＮＭＯＳトランジスタ５３−１、ＮＭ
ＯＳトランジスタ５３−２、及びＮＭＯＳトランジスタ
５３−３がＯＮ状態となる。従って、ＰＭＯＳトランジ
スタＰＴｒ２を流れる電流Ｉ２は、｛１＋（３／５）｝
×Ｉ１の計算より、電流（８／５）×Ｉ１となる。この
ため、ＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍには（８／
５）×Ｉ１と同じ電流が流れる。全てのＮＭＯＳトラン
ジスタ５３−１〜５３−４をＯＮする装置間用輝度調整
データが与えられると、全てのＰＭＯＳトランジスタ５
３−１〜５３−４がＯＮ状態となる。従って、ＰＭＯＳ
トランジスタＰＴｒ２を流れる電流Ｉ２は、｛１＋（４
／５）｝×Ｉ１の計算より、電流（９／５）×Ｉ１とな
る。このため、ＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍに
は（９／５）×Ｉ１と同じ電流が流れる。

【００４９】上述のように、本実施の形態では、輝度調
整回路５２を構成するＮＭＯＳトランジスタ５３−１〜
５３−４をＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ２と並列に接続
し、ＮＭＯＳトランジスタ５３−１〜５３−４をオン／
オフ制御して、ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２に流れる
電流Ｉ２を変化させる。従って、ＰＭＯＳトランジスタ
ＰＴｒ２に流れる電流Ｉ２は、ＯＮ状態となるＮＭＯＳ
トランジスタ５３−１〜５３−４が１個増加するごと
に、Ｉ１，（６／５）×Ｉ１，（７／５）×Ｉ１，（８
／５）×Ｉ１，（９／５）×Ｉ１のように（１／５）×
Ｉ１ずつ増加する。ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２のゲ
ートの電位と同じ電位が与えられるＰＭＯＳトランジス
タ２−１〜２−ｍを介して流れる電流も、ＰＭＯＳトラ
ンジスタＰＴｒ２に流れる電流Ｉ２と同じように変化す
るので、ＯＮ状態となるＮＭＯＳトランジスタ５３−１
〜５３−４が１個増加するたびに均等に変化する。これ
によって、輝度の調整するために製造時の検査のデータ
に基づいて予め設定される装置間用輝度調整データを容
易に設定することができる。

【００５０】なお、上述の第１の実施の形態におけるＮ
ＭＯＳトランジスタＮＴｒ１、ＮＭＯＳトランジスタＮ
Ｔｒ２、及びＮＭＯＳトランジスタ５３−１〜５３−４
のトランジスタサイズを１６：１６：１：２：４：８に
形成してもよい。例えば、ＮＭＯＳトランジスタ５３−
１だけをＯＮすると、ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２及
びＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍには（１７／１
６）×Ｉ１の電流が流れ、ＮＭＯＳトランジスタ５３−
１とＮＭＯＳトランジスタ５３−３とをＯＮすると、Ｐ
ＭＯＳトランジスタＰＴｒ２及びＰＭＯＳトランジスタ
２−１〜２−ｍには（２１／１６）×Ｉ１の電流が流れ
る。このようにＮＭＯＳトランジスタ５３−１〜５３−
４のトランジスタサイズを２ⁿ （ｎは１，２，３，…）
に設定することで、輝度の調整を１６段階にすることが
できるので、輝度の調整をより精度よく行うことができ
る。また、変化量が均等になるので、装置間用輝度調整
データをより容易に設定することができる。

【００５１】（第２の実施の形態）図３は、本発明の第
２の実施の形態に係るＬＥＤ駆動回路装置を構成する輝
度制御回路６０を示す回路図である。本実施の形態の輝
度制御回路６０では、第１の実施の形態に示す輝度制御
回路５０のＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２に第２の輝度
制御トランジスタであるＰＭＯＳトランジスタ６１−１
〜６１−４を並列に接続した構成であり、ＮＭＯＳトラ
ンジスタ５３−１〜５３−４のオン／オフ制御に加え
て、接続されたＰＭＯＳトランジスタ６１−１〜６１−
４のオン／オフ制御も行い、より精密な輝度調整を行
う。なお、第１の実施の形態と同様の構成には、同一の
符号を付して説明を省略する。従来技術と同様の構成に
は、同一の参照符号を付して説明を省略する。

【００５２】第２の実施の形態に係るＬＥＤ駆動回路装
置を構成する輝度制御回路６０において、ＰＭＯＳトラ
ンジスタＰＴｒ２とＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ２との
接続点ＢからＬＥＤ駆動回路４０−１に延在する信号線
５７には、ＰＭＯＳトランジスタ６１−１〜６１−４の
ドレインがそれぞれ接続される。これらのＰＭＯＳトラ
ンジスタ６１−１〜６１−４のソースは電源８に接続さ
れる。即ち、ＰＭＯＳトランジスタ６１−１〜６１−４
は、前記ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２と並列に接続さ
れる。

【００５３】また、前記信号線５７には、トランスミッ
ションゲート６２−１〜６２−４の入力側が接続され
る。このトランスミッションゲート６２−１〜６２−４
の出力側には、ＰＭＯＳトランジスタ６１−１〜６１−
４のゲートが接続されるとともに、電源８にソースが接
続されるＰＭＯＳトランジスタ６４−１〜６４−４のド
レインが接続される。また、トランスミッションゲート
６２−１〜６２−４とＰＭＯＳトランジスタ６４−１〜
６４−４のゲートには、調整データ入力端子６３−１〜
６３−４がそれぞれ接続される。即ち、各トランスミッ
ションゲート６２−１〜６２−４と各ＰＭＯＳトランジ
スタ６４−１〜６４−４とが、各第２の動作制御手段を
それぞれ構成する。

【００５４】調整データ入力端子６３−１〜６３−４に
は、この実施の形態においては８ビットの装置間用輝度
調整データをラッチする輝度制御用ラッチ回路４２−１
が接続される。そして、調整データ入力端子６３−１〜
６３−４は、８ビットの装置間用輝度調整データ内の４
ビットの装置間用輝度調整データが与えられる。残余の
４ビットの装置間輝度調整データは、調整データ入力端
子５５−１〜５５−４に与えられる。トランスミッショ
ンゲート６２−１〜６２−４とＰＭＯＳトランジスタ６
４−１〜６４−４とは、前記４ビットの装置間用輝度調
整データに基づきオン／オフ動作することで、前記ＰＭ
ＯＳトランジスタ６１−１〜６１−４をオン／オフさせ
る。

【００５５】また、ＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−
ｍ、ＰＭＯＳトランジスタＰＴｒ２、及びＰＭＯＳトラ
ンジスタ６１−１〜６１−４のトランジスタサイズは、
５：５：１に形成される。従って、ＰＭＯＳトランジス
タ６１−１〜６１−４には、ＰＭＯＳトランジスタＰＴ
ｒ２に流れる電流Ｉ２の（１／５）×Ｉ２の電流が流れ
る。

【００５６】上述の構成によって、第１の実施の形態に
て説明したＮＭＯＳトランジスタ５３−１〜５３−４に
よる制御に加えて、ＰＭＯＳトランジスタ６１−１〜６
１−４による制御がなされる。この場合、ＰＭＯＳトラ
ンジスタ２−１〜２−ｍには、ＮＭＯＳトランジスタ５
３−１〜５３−４の制御によってＰＭＯＳトランジスタ
ＰＴｒ２に流れる電流Ｉ２と同じ大きさの電流が流れる
とともに、ＯＮ状態となるＰＭＯＳトランジスタ６１−
１〜６１−４が１個増加するごとに、ＰＭＯＳトランジ
スタ２−１〜２−ｍに流れる電流は、（５／６）×Ｉ
２，（５／７）×Ｉ２，（５／８）×Ｉ２，（５／９）
×Ｉ２と変化する。

【００５７】上述のように、第１の実施の形態にて説明
したＮＭＯＳトランジスタ５３−１〜５３−４による調
整に加えて、ＰＭＯＳトランジスタ６１−１〜６１−４
による調整を行うことで、より調整間隔を狭小にするこ
とができるので精密な輝度の調整を行うことができる。
また、ＮＭＯＳトランジスタ５３−１〜５３−４による
調整間隔を大きくし、ＰＭＯＳトランジスタ６１−１〜
６１−４による調整間隔を調節することで、調整の精度
を低減させることなく輝度調整範囲を拡大させることが
できる。さらに、第１の実施の形態にて構成されたＮＭ
ＯＳトランジスタ５３−１〜５３−４に加えて、ＰＭＯ
Ｓトランジスタ６１−１〜６１−４を設けるので、チッ
プ内に形成されるトランジスタの数がＮＭＯＳトランジ
スタに偏らない。これによって、ＮＭＯＳトランジスタ
を増設してより精密な輝度の調整を行うよりも、チップ
面積の増大を防止することができる。

【００５８】また、上述のように、ＮＭＯＳトランジス
タＮＴｒ１、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ２、及びＮＭ
ＯＳトランジスタ５３−１〜５３−４のトランジスタサ
イズを１６：１６：１：２：４：８に形成するととも
に、ＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍ、ＰＭＯＳト
ランジスタＰＴｒ２、及びＰＭＯＳトランジスタ６１−
１〜６１−４のトランジスタサイズを１６：１６：１：
２：４：８に形成してもよい。このように各トランジス
タサイズを設定することで、２５６段階に制御すること
ができるので、より精密な輝度の調整を行うことができ
るとともに、輝度調整範囲を拡大させることができる。

【００５９】（第３の実施の形態）図４は、本発明の第
３の実施の形態に係るＬＥＤ駆動回路装置を構成する輝
度制御回路を示す回路図である。第１及び第２の実施の
形態では、チップ間の輝度を調整できるＬＥＤ駆動回路
装置を示した。本実施の形態では各ＬＥＤ毎に輝度調整
できるＬＥＤ駆動回路装置を示す。なお、第１の実施の
形態と同様の構成には、同一の符号を付して説明を省略
する。

【００６０】本実施の形態のＬＥＤ駆動回路装置の輝度
制御回路６９について、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ１
のゲートに接続される信号線８０には、ＮＭＯＳトラン
ジスタ７０及びＮＭＯＳトランジスタ７１のゲートが接
続される。ＮＭＯＳトランジスタ７０及びＮＭＯＳトラ
ンジスタ７１のソースは、接地される。従って、ＮＭＯ
Ｓトランジスタ７０及びＮＭＯＳトランジスタ７１のゲ
ートには、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ１のゲートの電
位と同一の電位が与えられ、前記ＮＭＯＳトランジスタ
ＮＴｒ１とＮＭＯＳトランジスタ７０及びＮＭＯＳトラ
ンジスタ７１とでカレントミラー回路が形成される。

【００６１】これらのＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ１、
ＮＭＯＳトランジスタ７０、及びＮＭＯＳトランジスタ
７１のトランジスタサイズの比は、例えば、１：２：３
に設定される。従って、ＮＭＯＳトランジスタＮＴｒ１
に電流Ｉ１が流れると、ＮＭＯＳトランジスタ７０は２
×Ｉ１の電流Ｉ３を流し、ＮＭＯＳトランジスタ７１
は、３×Ｉ１の電流Ｉ４を流す。

【００６２】前記ＮＭＯＳトランジスタ７０のドレイン
には、ソースが電源８に接続され、ゲートがドレイン側
に接続されるＰＭＯＳトランジスタ７４のドレインが接
続される。このＮＭＯＳトランジスタ７０とＰＭＯＳト
ランジスタ７４との接続点Ｃ１から延在する信号線８１
は、トランスミッションゲート７６−１〜７６−ｍの入
力側に接続される。このトランスミッションゲート７６
−１〜７６−ｍの出力側は、ＬＥＤ駆動回路４０−１の
各ＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍのゲートに接続
される。

【００６３】また、前記ＮＭＯＳトランジスタ７１のド
レインには，ソースが電源８に接続され、ゲートがドレ
イン側に接続されるＰＭＯＳトランジスタ７５のドレイ
ンが接続される。このＮＭＯＳトランジスタ７１とＰＭ
ＯＳトランジスタ７５との接続点Ｃ２から延在する信号
線８２は、トランスミッションゲート７７−１〜７７−
ｍの入力側に接続される。このトランスミッションゲー
ト７７−１〜７７−ｍの出力側は、ＬＥＤ駆動回路４０
−１の各ＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍのゲート
に接続される。

【００６４】前記ＰＭＯＳトランジスタ７４，７５はＮ
ＭＯＳトランジスタ７０，７１に直列にそれぞれ接続さ
れ、ＰＭＯＳトランジスタ７４，７５及びＮＭＯＳトラ
ンジスタ７０，７１は電流制御手段を構成する。この電
流制御手段において、ＰＭＯＳトランジスタ７４にはＮ
ＭＯＳトランジスタ７０に流れる電流Ｉ３が流れ、ＰＭ
ＯＳトランジスタ７５にはＮＭＯＳトランジスタ７１に
流れる電流Ｉ４が流れる。そして、前記電流Ｉ３，Ｉ４
に基づき設定されるＰＭＯＳトランジスタ７４，７５の
ゲートの電位がトランスミッションゲート７７−１〜７
７−ｍ又はトランスミッションゲート７６−１〜７６−
ｍを介して各ＰＭＯＳトランジスタ２−１〜２−ｍのゲ
ートに与えられる。

【００６５】前記トランスミッションゲート７６−１〜
７６−ｍとトランスミッションゲート７７−１〜７７−
ｍとは、選択手段を構成し、調整データ入力端子７９−
１〜７９−ｍから入力されるＬＥＤ用輝度調整データに
従って動作し、一方が導通するときは他方が遮断するよ
うに構成される。このＬＥＤ用輝度調整データは、ＬＥ
Ｄアレイヘッドが製造された時点での検査に基づき各Ｌ
ＥＤ１−１〜１−ｍの輝度についての基準値からの誤差
を測定し、その測定結果に基づき各ＬＥＤ１−１〜１−
ｍの間における輝度のバラツキが無くなるように設定さ
れる。

【００６６】例えば、調整データ入力端子７９−１にハ
イレベルのＬＥＤ用輝度調整データが与えられた場合
は、トランスミッションゲート７７−１が導通し、トラ
ンスミッションゲート７６−１が遮断する。そして、Ｌ
ＥＤ駆動回路４０−１のＰＭＯＳトランジスタ２−１の
ゲートにトランジスタ７５のゲートの電位が与えられ、
ＰＭＯＳトランジスタ２−１に３×Ｉ１を示す電流Ｉ４
が流れる。一方、調整データ入力端子７９ー１にローレ
ベルのＬＥＤ用輝度調整データが与えられた場合は、ト
ランスミッションゲート７６−１が導通し、トランスミ
ッションゲート７７−１が遮断する。そして、ＬＥＤ駆
動回路４０−１のＰＭＯＳトランジスタ２−１のゲート
にトランジスタ７４のゲートの電位が与えられ、ＰＭＯ
Ｓトランジスタ２−１に２×Ｉ１を示す電流Ｉ３が流れ
る。

【００６７】上述の第３の実施の形態では、ＰＭＯＳト
ランジスタ２−１を介してＬＥＤ１−１に流れる電流量
をＬＥＤ用輝度調整データに基づき調整するように他の
ＬＥＤ１−２〜１−ｍに流れる電流量も調整すること
で、各ＬＥＤ１−１〜１−ｍの輝度のバラツキを無くす
ことができる。この第３の実施の形態では、従来技術の
ように１つのＬＥＤに対して、複数のトランジスタを設
ける必要はない。従って、各ＬＥＤ１−１〜１−ｍ及び
ＬＥＤ駆動回路４０−１のＰＭＯＳトランジスタ２−１
〜２−ｍが増加しても、トランスミッションゲート７６
−１〜７６−ｍとトランスミッションゲート７７−１〜
７７−ｍを増設するだけであるので、従来技術のように
回路規模が増大することがない。このため、ＬＥＤ駆動
回路装置のチップ面積の増大を防止できる。

【００６８】なお、上述の第１の実施の形態の輝度制御
回路５０では、４ビットの装置間用輝度調整データが与
えられるので、輝度制御トランジスタとしてＮＭＯＳト
ランジスタ４つ有する。第２の実施の形態の輝度制御回
路５０では、８ビットの装置間用輝度調整データが与え
られるので、輝度制御トランジスタとしてＮＭＯＳトラ
ンジスタ４つと、第２の輝度制御トランジスタとしてＰ
ＭＯＳトランジスタ４つとを有する。しかし、輝度制御
トランジスタ及び第２の輝度制御トランジスタの個数
は、上述の個数に限定されず、与えられる装置間用輝度
調整データに基づき決定する。

【００６９】また、第３の実施の形態では、２種類の大
きさの電流を生成する構成であるが種類数はこれに限定
されない。

【００７０】また、上述の第１の実施の形態乃至第３の
実施の形態で説明したトランジスタのトランジスタサイ
ズは、上述のトランジスタサイズに限定されない。

【００７１】さらに、第１又は第２の実施の形態では、
輝度トランジスタとしてＮＭＯＳトランジスタを形成
し、第２の輝度トランジスタとしてＰＭＯＳトランジス
タを形成したが、他の構成に併せて輝度トランジスタを
ＰＭＯＳトランジスタとし、第２の輝度トランジスタを
ＮＭＯＳトランジスタとしてもよい。

【００７２】

【発明の効果】上述の発明によれば、電流生成用トラン
ジスタに並列に接続される輝度制御トランジスタをＯＮ
することで、前記電位設定用トランジスタに流れる電流
は、輝度制御トランジスタに流れる電流分だけ変化す
る。従って、ＯＮ状態になる輝度制御トランジスタが１
つ増加するたびに、前記電位設定用トランジスタに流れ
る電流は均等に変化する。このため、輝度制御トランジ
スタのオン／オフ制御を行うことで、駆動トランジスタ
を介してＬＥＤに流れる電流の変化量も均等にすること
ができる。

【００７３】また、第２の輝度制御トランジスタを電位
設定用トランジスタに並列に接続することで、より調整
間隔を狭小にすることができるので精密な輝度の調整を
行うことができる。また、チップ内に構成されるトラン
ジスタがＰＭＯＳトランジスタ又はＮＭＯＳトランジス
タのいずれか一方に偏らないようにすることができるの
で、チップ面積の増大を防止することができる。さら
に、輝度制御トランジスタによる調整間隔を大きくし、
第２の輝度制御トランジスタの調整間隔を調節すること
で、調整の精度を低減させることなく輝度調整範囲を拡
大させることができる。

【００７４】本発明のＬＥＤ駆動回路装置を複数備える
場合、上述したようにＬＥＤに流す電流の変化量が均一
であるので、各装置間の輝度のバラツキの調整に用いら
れる前記装置間輝度調整データを容易に設定することが
できる。

【００７５】また、電流量の異なる複数の電流を流す電
流制御手段と、前記輝度調整データに基づき複数の電流
のうち１つの電流を選択する選択手段とを備え、選択さ
れた電流に基づき駆動トランジスタを介して発光ダイオ
ードに流れる電流量を調整するので、各ＬＥＤの輝度を
調整してバラツキを無くすことができるとともに、設け
られるＬＥＤの数が増加しても回路規模の増大は防止で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＬＥＤ駆動回
路装置のＬＥＤ駆動部分の概略的な構成を示した回路図
である。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係るＬＥＤ駆動回
路装置の輝度制御回路の内部構成を示す回路図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態に係るＬＥＤ駆動回
路装置の輝度制御回路の内部構成を示す回路図である。

【図４】本発明の第３の実施の形態に係るＬＥＤ駆動回
路装置の輝度制御回路の内部構成を示す回路図である。

【図５】従来技術の輝度制御回路を備えるＬＥＤアレイ
ヘッドの構成を概略的に示すブロック図である。

【図６】図５に示す輝度制御回路に制御されるＬＥＤア
レイチップ及びＬＥＤ駆動回路の構成を示す回路図であ
る。

【図７】図５に示す輝度制御回路の内部構成を示す回路
図である。

【符号の説明】 ２−１〜２−ｍ ＰＭＯＳトランジスタ ４０−１ ＬＥＤ駆動回路 ５０ 輝度制御回路 ５１ オペレーションアンプ ５２ 輝度調整回路 ５３−１〜５３−４ ＮＭＯＳトランジスタ ５４−１〜５４−４ トランスミッションゲート ６１−１〜６１−４ ＰＭＯＳトランジスタ ６２−１〜６２−４ トランスミッションゲート ７０，７１ ＮＭＯＳトランジスタ ７４，７５ ＰＭＯＳトランジスタ ７６−１〜７６−ｍ，７７−１〜７７−ｍ トランスミ
ッションゲート ＮＴｒ１，ＮＴｒ２ ＮＭＯＳトランジスタ ＰＴｒ２ ＰＭＯＳトランジスタ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発光ダイオードに接続され前記発光ダイ
   オードに電流を流す駆動トランジスタを備える発光ダイ
   オード駆動手段と、前記駆動トランジスタとカレントミ
   ラー回路を構成する電位設定用トランジスタと、前記電
   位設定用トランジスタと直列に接続され所定の電流を流
   す電流生成用トランジスタと、前記電流生成用トランジ
   スタに並列に接続される輝度制御トランジスタと、前記
   輝度制御トランジスタをオン／オフ制御する動作制御手
   段と、を備え、 前記動作制御手段によって前記輝度制御トランジスタを
   オン／オフ制御し、前記電位設定用トランジスタに流れ
   る電流を変化させて、前記駆動トランジスタを介して前
   記発光ダイオードに流れる電流量を調整することを特徴
   とする発光ダイオード駆動回路装置。
2. 【請求項２】 前記輝度制御トランジスタが前記電流生
   成用トランジスタに並列に複数個接続され、前記輝度制
   御トランジスタのトランジスタサイズは、２ ⁿ （ｎは
   ０，１，２，…）にてなる値に設定されることを特徴と
   する請求項１に記載の発光ダイオード駆動回路装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２の発光ダイオード
   駆動回路装置を複数備え、 前記動作制御手段は、各発光ダイオード駆動回路装置間
   の輝度の差に基づき設定された装置間輝度調整データに
   基づき前記輝度制御トランジスタをオン／オフ制御する
   ことを特徴とする発光ダイオード駆動回路装置。
4. 【請求項４】 前記電位設定用トランジスタに並列に接
   続される第２の輝度制御トランジスタと、前記第２の輝
   度制御トランジスタをオン／オフ制御する第２の動作制
   御手段とを備え、 前記第２の動作制御手段によって第２の輝度制御トラン
   ジスタをオン／オフ制御し、前記駆動トランジスタを介
   して前記発光ダイオードに流れる電流量を調整すること
   を特徴とする請求項１又は２に記載の発光ダイオード駆
   動回路装置。
5. 【請求項５】 前記第２の輝度制御トランジスタが前記
   電位設定用トランジスタに並列に複数個接続され、前記
   第２の輝度制御トランジスタのトランジスタサイズは２
   ⁿ （ｎは０，１，２，…）にてなる値に設定されること
   を特徴とする請求項４に記載の発光ダイオード駆動回路
   装置。
6. 【請求項６】 請求項４又は請求項５の発光ダイオード
   駆動回路装置を複数備え、 前記動作制御手段及び第２の動作制御手段は、各発光ダ
   イオード駆動回路装置間の輝度の差に基づき設定された
   装置間輝度調整データに基づき前記輝度制御トランジス
   タ及び第２の輝度制御トランジスタをオン／オフ制御す
   ることを特徴とする発光ダイオード駆動回路装置。
7. 【請求項７】 発光ダイオードに接続され前記発光ダイ
   オードに電流を流す駆動トランジスタを備える発光ダイ
   オード駆動手段と、電流量の異なる複数の電流を流す電
   流制御手段と、前記発光ダイオードと異なる他の発光ダ
   イオードとの間の輝度の差に基づき設定されたＬＥＤ用
   輝度調整データに基づき前記電流制御手段に流れる複数
   の電流から１つの電流を選択する選択手段と、を備え、 前記選択手段が選択した電流に基づき前記駆動トランジ
   スタを介して前記発光ダイオードに流す電流量を調整す
   ることを特徴とする発光ダイオード駆動回路装置。