JPH1142554A - 研磨量制御装置 - Google Patents
研磨量制御装置Info
- Publication number
- JPH1142554A JPH1142554A JP21565897A JP21565897A JPH1142554A JP H1142554 A JPH1142554 A JP H1142554A JP 21565897 A JP21565897 A JP 21565897A JP 21565897 A JP21565897 A JP 21565897A JP H1142554 A JPH1142554 A JP H1142554A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- polishing
- wafer
- control device
- amount control
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハの局所的な残膜厚が測定可能であり、
測定用印加電圧により半導体チップの特性に悪影響を与
えないようにした研磨量制御装置を提供する。 【解決手段】 ウェハ１に形成されたダイシングエリア
の電極２に対向して、研磨パッド８に測定電極９を分割
配置する。また、ウェハ１側のウェハ保持手段６に校正
電極５を設け、一方研磨パッド８の前記校正電極５に対
向した位置に校正用測定電極１０を設けておく。この状
態で研磨を行い、電極２と測定電極９との間の静電容量
を求める。そして、この測定容量値の大小に応じて局所
加圧孔６ａから空気加圧してウェハの層間絶縁膜を研磨
パッド側に押しつけ、この押しつけた状態で研磨を行
う。
測定用印加電圧により半導体チップの特性に悪影響を与
えないようにした研磨量制御装置を提供する。 【解決手段】 ウェハ１に形成されたダイシングエリア
の電極２に対向して、研磨パッド８に測定電極９を分割
配置する。また、ウェハ１側のウェハ保持手段６に校正
電極５を設け、一方研磨パッド８の前記校正電極５に対
向した位置に校正用測定電極１０を設けておく。この状
態で研磨を行い、電極２と測定電極９との間の静電容量
を求める。そして、この測定容量値の大小に応じて局所
加圧孔６ａから空気加圧してウェハの層間絶縁膜を研磨
パッド側に押しつけ、この押しつけた状態で研磨を行
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨量制御装置に
係り、特に半導体ウェハの表面の研磨量を制御する研磨
量制御装置に関する。
係り、特に半導体ウェハの表面の研磨量を制御する研磨
量制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハの製造過程においては、該
半導体ウェハの表面を研磨し平坦化する場合がある。こ
の平坦化の度合の確認は、ウェハ表面の残膜厚を測定す
ることにより行っている。図５は従来の残膜厚を測定す
る手段の一例のブロック図である（例えば、特開平４−
３５７８５１号公報）。
半導体ウェハの表面を研磨し平坦化する場合がある。こ
の平坦化の度合の確認は、ウェハ表面の残膜厚を測定す
ることにより行っている。図５は従来の残膜厚を測定す
る手段の一例のブロック図である（例えば、特開平４−
３５７８５１号公報）。
【０００３】図５に示すように、従来の残膜測定手段
は、ウェハ１０１と、該ウェハ１０１の下面に形成され
た誘電体層１０２と、回転しながらウェハ１０１を研磨
する研磨プレート１０３と、ウェハを研磨する際の研磨
剤であるスラリ１０４と、測定用の入力電圧の位相を１
８０°ずらす増幅器１０５と、測定した変位電流から膜
厚を算出する計測部１０６等を備えている。前記研磨プ
レート１０３には相互に絶縁された２つの電極１０３
ａ，１０３ｂが形成されている。
は、ウェハ１０１と、該ウェハ１０１の下面に形成され
た誘電体層１０２と、回転しながらウェハ１０１を研磨
する研磨プレート１０３と、ウェハを研磨する際の研磨
剤であるスラリ１０４と、測定用の入力電圧の位相を１
８０°ずらす増幅器１０５と、測定した変位電流から膜
厚を算出する計測部１０６等を備えている。前記研磨プ
レート１０３には相互に絶縁された２つの電極１０３
ａ，１０３ｂが形成されている。
【０００４】この状態で、一方の電極（測定電極）１０
３ａに印加される測定電圧は、他方の電極（保護電極）
１０３ｂに印加される測定電圧に対して１８０°位相を
ずらして印加される。そして、測定電極１０３ａとブー
トストラップ方式で保護電極１０３ｂに駆動電流を供給
し、計測部１０６は、駆動電圧の振幅が誘電体層の厚さ
に比例するように、変位電流を一定に保つ。そして、計
測部１０６から出力される電圧を測定することにより残
膜厚を測定を行っている。
３ａに印加される測定電圧は、他方の電極（保護電極）
１０３ｂに印加される測定電圧に対して１８０°位相を
ずらして印加される。そして、測定電極１０３ａとブー
トストラップ方式で保護電極１０３ｂに駆動電流を供給
し、計測部１０６は、駆動電圧の振幅が誘電体層の厚さ
に比例するように、変位電流を一定に保つ。そして、計
測部１０６から出力される電圧を測定することにより残
膜厚を測定を行っている。
【０００５】
【発明が解決しょうとする課題】しかしながら、従来の
測定手段には次の問題点があった。即ち、従来の測定手
段ではウェハ全体の厚さの平均値を検出することになっ
てしまう。従って、ウェハを大口径化したときには部分
的（局所的）に残膜量が異なるが、この部分的な残膜量
を測定するができない。また、ウェハにはチップエリア
とダイシングエリアとが形成されるが、チップエリアに
も残膜厚測定用の電圧を印加し、該電圧による電界が発
生するので、半導体チップの特性に悪影響を与えてしま
う。
測定手段には次の問題点があった。即ち、従来の測定手
段ではウェハ全体の厚さの平均値を検出することになっ
てしまう。従って、ウェハを大口径化したときには部分
的（局所的）に残膜量が異なるが、この部分的な残膜量
を測定するができない。また、ウェハにはチップエリア
とダイシングエリアとが形成されるが、チップエリアに
も残膜厚測定用の電圧を印加し、該電圧による電界が発
生するので、半導体チップの特性に悪影響を与えてしま
う。
【０００６】そこで、本発明の目的は、ウェハの局所的
な残膜厚が測定可能であり、測定用印加電圧により半導
体チップの特性に悪影響を与えないようにした研磨量制
御装置を提供することである。
な残膜厚が測定可能であり、測定用印加電圧により半導
体チップの特性に悪影響を与えないようにした研磨量制
御装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に請求項１記載の発明は、研磨面に沿って第１電極が設
けられた被研磨物と、該被研磨物に対向配置され、前記
第１電極に対向する位置に第２電極が設けられた研磨パ
ッドと、前記第１電極と第２電極との間に電圧を印加す
る電圧印加手段と、前記第１電極と第２電極との間の容
量を測定する容量測定手段とを備えたことを特徴とす
る。また、請求項４記載の発明は、前記被研磨物におけ
る所望の箇所を、前記研磨パッドに向けて押圧する押圧
手段を備えたことを特徴とする。また、請求項６記載の
発明は、前記被研磨物は半導体ウェハであり、前記第１
電極は該半導体ウェハに形成されたチップエリア以外の
ダイシングエリア部分に形成されたことを特徴とする。
に請求項１記載の発明は、研磨面に沿って第１電極が設
けられた被研磨物と、該被研磨物に対向配置され、前記
第１電極に対向する位置に第２電極が設けられた研磨パ
ッドと、前記第１電極と第２電極との間に電圧を印加す
る電圧印加手段と、前記第１電極と第２電極との間の容
量を測定する容量測定手段とを備えたことを特徴とす
る。また、請求項４記載の発明は、前記被研磨物におけ
る所望の箇所を、前記研磨パッドに向けて押圧する押圧
手段を備えたことを特徴とする。また、請求項６記載の
発明は、前記被研磨物は半導体ウェハであり、前記第１
電極は該半導体ウェハに形成されたチップエリア以外の
ダイシングエリア部分に形成されたことを特徴とする。
【０００８】このようにした状態で、例えば研磨パッド
の第２電極を分割して第１電極に対向させ、該第２電極
に対応した個々の箇所の容量を測定する。この場合の電
圧印加をする箇所はダイシングエリアである。そして、
この測定した容量値の大小に応じて押圧手段により被研
磨物を研磨パッド側に押しつけ、この押しつけた状態で
研磨を行う。このようにすれば、ダイシングエリアに電
圧印加するので、半導体チップの特性に悪影響を及ぼす
ことがなく、また、大口径の半導体ウェハの厚みを部分
的に制御することが可能となる。
の第２電極を分割して第１電極に対向させ、該第２電極
に対応した個々の箇所の容量を測定する。この場合の電
圧印加をする箇所はダイシングエリアである。そして、
この測定した容量値の大小に応じて押圧手段により被研
磨物を研磨パッド側に押しつけ、この押しつけた状態で
研磨を行う。このようにすれば、ダイシングエリアに電
圧印加するので、半導体チップの特性に悪影響を及ぼす
ことがなく、また、大口径の半導体ウェハの厚みを部分
的に制御することが可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態例
に基づいて説明する。図１，図２は本実施形態例を示す
図であって、図１（Ａ）はウェハの平面図、図１（Ｂ）
はＡ−Ａ線に沿う断面図、図２は研磨パッドとウェハの
位置関係を示す平面図である。
に基づいて説明する。図１，図２は本実施形態例を示す
図であって、図１（Ａ）はウェハの平面図、図１（Ｂ）
はＡ−Ａ線に沿う断面図、図２は研磨パッドとウェハの
位置関係を示す平面図である。
【００１０】図１，図２に示すように、円形のウェハ１
の下面側には層間絶縁膜１１が一体に形成され、該層間
絶縁膜１１の下面が研磨をする対象部である〔図１
（Ａ），（Ｂ）〕。ウェハ１にはマトリクス状に形成し
たダイシングエリアにより複数のＬＳＩチップエリア１
７が形成され、該ダイシングエリアには電極２が形成さ
れている。該電極２には測定用の駆動電源１８の一方の
極が接続されている。ウェハ１はウェハ保持部材６によ
り該ウェハの周囲を囲むように保持され、該保持部材６
には図示しない空気圧発生装置から供給される空気圧を
印加する局所加圧孔６ａが、マトリクス状に配置された
電極２の列方向に対応して穿設されている。ウェハ保持
部材６はウェハ１を保持したまま、図示しない回転手段
によりウェハ１の中心軸Ｏ1 （図１（Ｂ），図２参照）
の回りに回転駆動される。ウェハ１の回転角度は、中心
軸Ｏ1 に直結したウェハ回転角度検出器１３により検出
される。
の下面側には層間絶縁膜１１が一体に形成され、該層間
絶縁膜１１の下面が研磨をする対象部である〔図１
（Ａ），（Ｂ）〕。ウェハ１にはマトリクス状に形成し
たダイシングエリアにより複数のＬＳＩチップエリア１
７が形成され、該ダイシングエリアには電極２が形成さ
れている。該電極２には測定用の駆動電源１８の一方の
極が接続されている。ウェハ１はウェハ保持部材６によ
り該ウェハの周囲を囲むように保持され、該保持部材６
には図示しない空気圧発生装置から供給される空気圧を
印加する局所加圧孔６ａが、マトリクス状に配置された
電極２の列方向に対応して穿設されている。ウェハ保持
部材６はウェハ１を保持したまま、図示しない回転手段
によりウェハ１の中心軸Ｏ1 （図１（Ｂ），図２参照）
の回りに回転駆動される。ウェハ１の回転角度は、中心
軸Ｏ1 に直結したウェハ回転角度検出器１３により検出
される。
【００１１】また、ウェハ１の下方には研磨パッド８が
配置され、該パッド８は図示しない回転手段により中心
軸Ｏ8 の回りに回転駆動される。即ち、ウェハ１と研磨
パッド８とは、回転中心の異なった偏芯状態で回転する
（図２参照）。研磨パッド８の回転角度は、中心軸Ｏ1
に直結した研磨パッド回転角度検出器１４により検出さ
れる。ウェハの層間絶縁膜１１と研磨パッド８との間に
は、非導電性のスラリ（研磨剤）１２が供給されるよう
になっている。
配置され、該パッド８は図示しない回転手段により中心
軸Ｏ8 の回りに回転駆動される。即ち、ウェハ１と研磨
パッド８とは、回転中心の異なった偏芯状態で回転する
（図２参照）。研磨パッド８の回転角度は、中心軸Ｏ1
に直結した研磨パッド回転角度検出器１４により検出さ
れる。ウェハの層間絶縁膜１１と研磨パッド８との間に
は、非導電性のスラリ（研磨剤）１２が供給されるよう
になっている。
【００１２】ウェハ保持部材６はウェハ１を脱落しない
ように強固に保持するリテーナ４を備えており、該リテ
ーナ４の内部であって、研磨パッド８との対向面には、
校正電極５が埋め込まれている。該校正電極５は前記駆
動電源１８の一方の極に接続されている。また、研磨パ
ッド８の上面側の内部には校正用測定電極１０と測定電
極９とが埋め込まれている。測定電極９と校正用測定電
極１０とは前記駆動電源１８の他方の極に接続されてい
る。
ように強固に保持するリテーナ４を備えており、該リテ
ーナ４の内部であって、研磨パッド８との対向面には、
校正電極５が埋め込まれている。該校正電極５は前記駆
動電源１８の一方の極に接続されている。また、研磨パ
ッド８の上面側の内部には校正用測定電極１０と測定電
極９とが埋め込まれている。測定電極９と校正用測定電
極１０とは前記駆動電源１８の他方の極に接続されてい
る。
【００１３】そして、図２に示すように、校正用測定電
極１０は１個であり、測定用電極９はウェハ１のダイシ
ングエリアに形成された電極２に対向して、複数設けら
れている。ウェハ１のリテーナ４に設けられた校正電極
５も１個である。
極１０は１個であり、測定用電極９はウェハ１のダイシ
ングエリアに形成された電極２に対向して、複数設けら
れている。ウェハ１のリテーナ４に設けられた校正電極
５も１個である。
【００１４】次に本実施形態例の動作を、図３，図４を
参照しつつ説明する。 （１）残膜厚の測定 層間絶縁膜１１と研磨パッド８とが当接した状態で、図
示しない回転手段によりウェハ１と研磨パッド１１とが
同一方向に回転駆動され、研磨が行われる。そして、研
磨中において、層間絶縁膜１１の残膜厚を測定する場合
には、ウェハ１に設けた校正電極５と研磨パッド８に設
けた校正用測定電極１０との相対回転位置が一致したこ
とを、ウェハ回転角度検出器１３と研磨パッド回転角度
検出器１４とにより確認する。
参照しつつ説明する。 （１）残膜厚の測定 層間絶縁膜１１と研磨パッド８とが当接した状態で、図
示しない回転手段によりウェハ１と研磨パッド１１とが
同一方向に回転駆動され、研磨が行われる。そして、研
磨中において、層間絶縁膜１１の残膜厚を測定する場合
には、ウェハ１に設けた校正電極５と研磨パッド８に設
けた校正用測定電極１０との相対回転位置が一致したこ
とを、ウェハ回転角度検出器１３と研磨パッド回転角度
検出器１４とにより確認する。
【００１５】この相対回転位置の一致状態で、校正電極
５と校正用測定電極１０との間に介在されたスラリ１２
による静電容量Ｃ1 （図３参照）を静電容量測定器３に
より測定する。同時に、ウェハの電極２と測定電極９と
スラリ１２による静電容量Ｃ3 を静電容量測定器３によ
り測定する。前記静電容量Ｃ1 は基準となる静電容量で
あり、ウェハ１が研磨されても不変であり、前記静電容
量Ｃ3 は研磨により変動する。
５と校正用測定電極１０との間に介在されたスラリ１２
による静電容量Ｃ1 （図３参照）を静電容量測定器３に
より測定する。同時に、ウェハの電極２と測定電極９と
スラリ１２による静電容量Ｃ3 を静電容量測定器３によ
り測定する。前記静電容量Ｃ1 は基準となる静電容量で
あり、ウェハ１が研磨されても不変であり、前記静電容
量Ｃ3 は研磨により変動する。
【００１６】そして、前記静電容量Ｃ3 から静電容量Ｃ
1 を差し引いた静電容量Ｃ2 が層間絶縁膜１１の厚さ
（残膜厚）に起因する容量となる。この静電容量Ｃ2 に
基づいて残膜厚を求める。なお、静電容量値Ｃ2 と残膜
厚との関係は、層間絶縁膜の材質，スラリの材質等に応
じて予めテーブルとして用意しておけばよい。以上のよ
うな残膜厚の測定を研磨パッド８内の全ての測定電極９
に対して行なえば、ウェハ表面の部分的（局所的）な凹
凸を検出することが可能となる。
1 を差し引いた静電容量Ｃ2 が層間絶縁膜１１の厚さ
（残膜厚）に起因する容量となる。この静電容量Ｃ2 に
基づいて残膜厚を求める。なお、静電容量値Ｃ2 と残膜
厚との関係は、層間絶縁膜の材質，スラリの材質等に応
じて予めテーブルとして用意しておけばよい。以上のよ
うな残膜厚の測定を研磨パッド８内の全ての測定電極９
に対して行なえば、ウェハ表面の部分的（局所的）な凹
凸を検出することが可能となる。
【００１７】（２）局所加圧により研磨 図４（Ａ）に示したように、層間絶縁膜１１の下面に凹
凸が形成されているとする。該絶縁膜１１の残膜厚は左
から順に「ａ，ｂ，ｃ，ｄ」であるとし、ｃ＝ｄ＞ａ＞
ｂの関係があるとする。この場合は、ａ〜ｄに対応する
部分の局所加圧孔６a1〜６a4から、図（Ａ）に示す矢印
ｐ1 〜ｐ4 の長さに対応した大きさの空気加圧を行い、
ｐ3 ＝ｐ4 ＞ｐ1 ＞ｐ2 の加圧状態で研磨パッド８によ
り研磨を行う。このようにすれば、残膜厚に応じて研磨
量を加減することができるので、層間絶縁膜１１全体を
通じて平坦化することが可能となる。
凸が形成されているとする。該絶縁膜１１の残膜厚は左
から順に「ａ，ｂ，ｃ，ｄ」であるとし、ｃ＝ｄ＞ａ＞
ｂの関係があるとする。この場合は、ａ〜ｄに対応する
部分の局所加圧孔６a1〜６a4から、図（Ａ）に示す矢印
ｐ1 〜ｐ4 の長さに対応した大きさの空気加圧を行い、
ｐ3 ＝ｐ4 ＞ｐ1 ＞ｐ2 の加圧状態で研磨パッド８によ
り研磨を行う。このようにすれば、残膜厚に応じて研磨
量を加減することができるので、層間絶縁膜１１全体を
通じて平坦化することが可能となる。
【００１８】なお、本実施形態例では被研磨物として半
導体ウェハの場合を説明したが、その他の平坦さを要求
される物にも本発明を適用できるのは勿論である。
導体ウェハの場合を説明したが、その他の平坦さを要求
される物にも本発明を適用できるのは勿論である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、被
研磨物（半導体ウェハ）を分割した状態で個々の箇所に
応じた研磨量を制御できるので、大口径の半導体ウェハ
であっても表面全体を平坦化することができる。また、
半導体ウェハのダイシングエリアに測定用電圧を印加し
ているので、半導体チップの特性に悪影響を及ぼすこと
がない。
研磨物（半導体ウェハ）を分割した状態で個々の箇所に
応じた研磨量を制御できるので、大口径の半導体ウェハ
であっても表面全体を平坦化することができる。また、
半導体ウェハのダイシングエリアに測定用電圧を印加し
ているので、半導体チップの特性に悪影響を及ぼすこと
がない。
【図１】本発明の実施形態例を示す図であって、（Ａ）
はウェハの平面図、（Ｂ）はＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。
はウェハの平面図、（Ｂ）はＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。
【図２】同実施形態例の研磨パッドの電極配置を示す平
面図である。
面図である。
【図３】同実施形態例で研磨した場合の電極間の静電容
量を示す図である。
量を示す図である。
【図４】同実施形態例で研磨した場合における局所加圧
を示す図であって、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図で
ある。
を示す図であって、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図で
ある。
【図５】従来の研磨量制御装置の概略構成図である。
１ ウェハ（被研磨物） ２ 電極（第１電極） ３ 静電容量測定器（容量測定手段） ４ リテーナ ５ 校正電極（基準電極） ６ ウェハ保持部材 ６ａ 局所加圧孔（押圧手段，空気圧供給手段） ８ 研磨パッド ９ 測定電極（第２電極） １０ 校正用測定電極（測定用基準電極） １１ 層間絶縁膜（被研磨物） １２ スラリ（研磨剤） １７ チップエリア
Claims (7)
- 【請求項１】 研磨面に沿って第１電極が設けられた被
研磨物と、 該被研磨物に対向配置され、前記第１電極に対向する位
置に第２電極が設けられた研磨パッドと、 前記第１電極と第２電極との間に電圧を印加する電圧印
加手段と、 前記第１電極と第２電極との間の容量を測定する容量測
定手段とを備えたことを特徴とする研磨量制御装置。 - 【請求項２】 前記被研磨物と研磨パッドとの間に研磨
剤を供給するようにしたことを特徴とする請求項１記載
の研磨量制御装置。 - 【請求項３】 前記被研磨物を保持する保持手段の、前
記研磨パッドとの対向面に設けられた基準電極と、 前記研磨パッドの、前記基準電極に対向する位置に設け
られた測定用基準電極とを備えたことを特徴とする請求
項１または請求項２のいずれかに記載の研磨量制御装
置。 - 【請求項４】 前記被研磨物における所望の箇所を、前
記研磨パッドに向けて押圧する押圧手段を備えたことを
特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の研
磨量制御装置。 - 【請求項５】 前記押圧手段は前記保持手段に設けられ
た空気圧供給手段であることを特徴とする請求項４記載
の研磨量制御装置。 - 【請求項６】 前記被研磨物は半導体ウェハであり、 前記第１電極は該半導体ウェハに形成されたチップエリ
ア以外のダイシングエリア部分に形成されたことを特徴
とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の研磨量
制御装置。 - 【請求項７】 前記ダイシングエリアに形成された第１
電極と、前記研磨パッドに形成された複数の第２電極と
の間の個々の箇所の容量を前記容量測定手段で測定し、 前記個々の箇所の測定結果に応じて前記押圧手段により
該個々の箇所を押圧するようにしたことを特徴とする請
求項１乃至請求項６のいずれかに記載の研磨量制御装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21565897A JPH1142554A (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 研磨量制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21565897A JPH1142554A (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 研磨量制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1142554A true JPH1142554A (ja) | 1999-02-16 |
Family
ID=16676045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21565897A Pending JPH1142554A (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 研磨量制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1142554A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002085570A3 (en) * | 2001-04-24 | 2003-04-24 | Applied Materials Inc | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
| US6561873B2 (en) | 2000-02-17 | 2003-05-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhanced CMP using metals having reductive properties |
| US6776693B2 (en) | 2001-12-19 | 2004-08-17 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for face-up substrate polishing |
| US6837983B2 (en) | 2002-01-22 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection for electro chemical mechanical polishing and electropolishing processes |
| US6848970B2 (en) | 2002-09-16 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | Process control in electrochemically assisted planarization |
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