JPH114044A - 化合物半導体エピタキシャルウエハおよびその製造方法 - Google Patents
化合物半導体エピタキシャルウエハおよびその製造方法Info
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- JPH114044A JPH114044A JP15375897A JP15375897A JPH114044A JP H114044 A JPH114044 A JP H114044A JP 15375897 A JP15375897 A JP 15375897A JP 15375897 A JP15375897 A JP 15375897A JP H114044 A JPH114044 A JP H114044A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】レーザダイオードや発光ダイオードに適用した
場合に、しきい値電流密度を従来に比べ低下させ発振寿
命を向上させる。 【解決手段】従来と特徴的に異なることは、ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層５Ａを成長する際に、炭素を添加する
ための原料として臭化炭素ＣＢｒ4 を使用していること
である。ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５Ａの不純物濃度
は、標準的なｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層での不純物濃
度である２×１０18cm-3とした。レーザダイオードを製
造する際に必要になる数層エピタキシャル層をこのエピ
タキシャルウエハ上に成長させた後に、深さ方向組成分
布をＳＩＭＳ分析によって調べた結果、ｐ型ドーパント
である炭素の隣接層への混入はほとんど起こらなかっ
た。これによって、後のエピタキシャル成長の際に、熱
によるｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５Ａのドーパントの
拡散が起こりにくくなった。
場合に、しきい値電流密度を従来に比べ低下させ発振寿
命を向上させる。 【解決手段】従来と特徴的に異なることは、ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層５Ａを成長する際に、炭素を添加する
ための原料として臭化炭素ＣＢｒ4 を使用していること
である。ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５Ａの不純物濃度
は、標準的なｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層での不純物濃
度である２×１０18cm-3とした。レーザダイオードを製
造する際に必要になる数層エピタキシャル層をこのエピ
タキシャルウエハ上に成長させた後に、深さ方向組成分
布をＳＩＭＳ分析によって調べた結果、ｐ型ドーパント
である炭素の隣接層への混入はほとんど起こらなかっ
た。これによって、後のエピタキシャル成長の際に、熱
によるｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５Ａのドーパントの
拡散が起こりにくくなった。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体エピ
タキシャルウエハおよびその製造方法に関し、たとえ
ば、ＡｌＧａＡｓ系のレーザダイオード用や発光ダイオ
ード用エピタキシャルウエハおよびその製造方法に適用
し得る。
タキシャルウエハおよびその製造方法に関し、たとえ
ば、ＡｌＧａＡｓ系のレーザダイオード用や発光ダイオ
ード用エピタキシャルウエハおよびその製造方法に適用
し得る。
【０００２】
【従来の技術】最近、ＣＤ（コンパクトディスク）、Ｍ
Ｄ（ミニディスク）、ＣＤ−ＲＯＭなどの需要が伸びて
おり、その再生時に利用される光ピックアップの一部を
構成するレーザダイオードが数多く製造されている。
Ｄ（ミニディスク）、ＣＤ−ＲＯＭなどの需要が伸びて
おり、その再生時に利用される光ピックアップの一部を
構成するレーザダイオードが数多く製造されている。
【０００３】図３は、活性層にアンドープの量子井戸構
造を有する発振波長７８０nmのＡｌＧａＡｓ系レーザダ
イオード用エピタキシャルウエハの断面構造図である。
この図３において、エピタキシャルウエハは、ｎ型（Ｓ
ｉドープ）導電性ＧａＡｓ基板１の上に、ＭＯＶＰＥ
（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓ
ｅ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ：有機金属気相
エピタキシャル成長）法によってｎ型（Ｓｅドープ）Ｇ
ａＡｓバッファ層２を形成している。このｎ型ＧａＡｓ
バッファ層２の上にｎ型（Ｓｅドープ）ＡｌＧａＡｓク
ラッド層３を形成している。このｎ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層３の上にアンドープのＡｌＧａＡｓ量子井戸活性
層４を形成している。このアンドープのＡｌＧａＡｓ量
子井戸活性層４の上にｐ型（亜鉛ドープ）ＡｌＧａＡｓ
クラッド層５を形成している。このｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層５の上にｐ型（亜鉛ドープ）ＧａＡｓキャップ
層６を形成している。
造を有する発振波長７８０nmのＡｌＧａＡｓ系レーザダ
イオード用エピタキシャルウエハの断面構造図である。
この図３において、エピタキシャルウエハは、ｎ型（Ｓ
ｉドープ）導電性ＧａＡｓ基板１の上に、ＭＯＶＰＥ
（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓ
ｅ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ：有機金属気相
エピタキシャル成長）法によってｎ型（Ｓｅドープ）Ｇ
ａＡｓバッファ層２を形成している。このｎ型ＧａＡｓ
バッファ層２の上にｎ型（Ｓｅドープ）ＡｌＧａＡｓク
ラッド層３を形成している。このｎ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層３の上にアンドープのＡｌＧａＡｓ量子井戸活性
層４を形成している。このアンドープのＡｌＧａＡｓ量
子井戸活性層４の上にｐ型（亜鉛ドープ）ＡｌＧａＡｓ
クラッド層５を形成している。このｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層５の上にｐ型（亜鉛ドープ）ＧａＡｓキャップ
層６を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の図３に示した構
造のエピタキシャルウエハから製造したレーザダイオー
ドの中に、しきい値電流密度が高いものがあった。ま
た、レーザを連続発振させた際に、寿命が著しく短いも
のがあった。
造のエピタキシャルウエハから製造したレーザダイオー
ドの中に、しきい値電流密度が高いものがあった。ま
た、レーザを連続発振させた際に、寿命が著しく短いも
のがあった。
【０００５】これらの原因を調べるために、レーザダイ
オード用エピタキシャルウエハの深さ方向の組成分布を
ＳＩＭＳ（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｉｏｎ ｍａｓｓ ｓ
ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：二次イオン質量分析）による
分析を行った。この結果を図４に示す。この図４から、
ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５のドーパントである亜鉛
がアンドープＡｌＧａＡｓ量子井戸活性層４中に拡散し
ていることが分かった。この亜鉛のアンドープＡｌＧａ
Ａｓ量子井戸活性層４への拡散がレーザのしきい値電流
密度を増加させていることが分かった。これは、レーザ
ダイオード用エピタキシャルウエハを成長させる際の７
００〜８００℃という温度が、ドーパントである亜鉛の
拡散を引き起こしていることによる。さらに、このエピ
タキシャルウエハを用いてレーザダイオードを製造する
際に、さらに１度もしくは２度のエピタキシャル成長が
必要であり、この成長時の熱によってさらに亜鉛の拡散
が進む可能性が高かった。
オード用エピタキシャルウエハの深さ方向の組成分布を
ＳＩＭＳ（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｉｏｎ ｍａｓｓ ｓ
ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：二次イオン質量分析）による
分析を行った。この結果を図４に示す。この図４から、
ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５のドーパントである亜鉛
がアンドープＡｌＧａＡｓ量子井戸活性層４中に拡散し
ていることが分かった。この亜鉛のアンドープＡｌＧａ
Ａｓ量子井戸活性層４への拡散がレーザのしきい値電流
密度を増加させていることが分かった。これは、レーザ
ダイオード用エピタキシャルウエハを成長させる際の７
００〜８００℃という温度が、ドーパントである亜鉛の
拡散を引き起こしていることによる。さらに、このエピ
タキシャルウエハを用いてレーザダイオードを製造する
際に、さらに１度もしくは２度のエピタキシャル成長が
必要であり、この成長時の熱によってさらに亜鉛の拡散
が進む可能性が高かった。
【０００６】このようなことから、レーザダイオードや
発光ダイオードに適用した場合において、しきい値電流
密度を従来に比べ低下させ、しかも発振寿命を向上させ
ることができる化合物半導体エピタキシャルウエハおよ
びその製造方法の実現が要請されている。
発光ダイオードに適用した場合において、しきい値電流
密度を従来に比べ低下させ、しかも発振寿命を向上させ
ることができる化合物半導体エピタキシャルウエハおよ
びその製造方法の実現が要請されている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、第１
のｎ型化合物半導体層（たとえば、ｎ型のＡｌＧａＡ
ｓ）と、第２のｐ型化合物半導体層（たとえば、ｐ型の
ＡｌＧａＡｓ）との間に、第３の化合物半導体層として
アンドープ化合物半導体（たとえば、ＡｌＧａＡｓ）、
ｐ型の化合物半導体（たとえば、ＧａＡｓ）、上記第１
のｎ型化合物半導体層および上記第２のｐ型化合物半導
体層よりも禁制帯幅が小さい化合物半導体（たとえば、
ＡｌＧａＡｓ）のうちのいずれかを挟んだ構造を有する
化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、以下のよ
うな特徴的な構成で上述の課題を解決する。
のｎ型化合物半導体層（たとえば、ｎ型のＡｌＧａＡ
ｓ）と、第２のｐ型化合物半導体層（たとえば、ｐ型の
ＡｌＧａＡｓ）との間に、第３の化合物半導体層として
アンドープ化合物半導体（たとえば、ＡｌＧａＡｓ）、
ｐ型の化合物半導体（たとえば、ＧａＡｓ）、上記第１
のｎ型化合物半導体層および上記第２のｐ型化合物半導
体層よりも禁制帯幅が小さい化合物半導体（たとえば、
ＡｌＧａＡｓ）のうちのいずれかを挟んだ構造を有する
化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、以下のよ
うな特徴的な構成で上述の課題を解決する。
【０００８】すなわち、第２のｐ型化合物半導体層（た
とえば、ｐ型ＡｌＧａＡｓ）のドーパントとして炭素が
使用されている。これによって、エピタキシャル層のｐ
型不純物が隣接するエピタキシャル層へ拡散することを
防止することができる。このため、しきい値電流密度を
従来に比べ小さくすることができ、たとえばレーザダイ
オードに適用した場合に連続発振による寿命を長くする
ことができる。
とえば、ｐ型ＡｌＧａＡｓ）のドーパントとして炭素が
使用されている。これによって、エピタキシャル層のｐ
型不純物が隣接するエピタキシャル層へ拡散することを
防止することができる。このため、しきい値電流密度を
従来に比べ小さくすることができ、たとえばレーザダイ
オードに適用した場合に連続発振による寿命を長くする
ことができる。
【０００９】また、化合物半導体として、ＧａＰ系やＧ
ａＩｎＰ系のものに適用することもできる。
ａＩｎＰ系のものに適用することもできる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明の好適な実施の形態を
図面を用いて説明する。
図面を用いて説明する。
【００１１】本実施の形態においては、ｐ型半導体層の
ドーパントの熱による拡散を抑制し、隣接する半導体層
への悪影響を防止した化合物半導体エピタキシャルウエ
ハを構成する。そして、ｐ型ドーパントの隣接層への侵
入をなくすことによって、レーザダイオードや発光ダイ
オードの素子特性を向上させる。また、ＭＯＶＰＥ法に
よるエピタキシャルウエハを成長させる際に、簡単に熱
的に安定したｐ型エピタキシャル層を得られるように構
成する。
ドーパントの熱による拡散を抑制し、隣接する半導体層
への悪影響を防止した化合物半導体エピタキシャルウエ
ハを構成する。そして、ｐ型ドーパントの隣接層への侵
入をなくすことによって、レーザダイオードや発光ダイ
オードの素子特性を向上させる。また、ＭＯＶＰＥ法に
よるエピタキシャルウエハを成長させる際に、簡単に熱
的に安定したｐ型エピタキシャル層を得られるように構
成する。
【００１２】そこで、本実施の形態において具体的に
は、ｐ型の半導体層であるＡｌＧａＡｓを有する化合物
半導体エピタキシャルウエハにおいて、ｐ型のドーピン
グを炭素の添加によって行う。このような方法が適用で
きるエピタキシャルウエハとしては、基板にＧａＡｓ上
に成長させたレーザダイオードや発光ダイオード用エピ
タキシャルウエハなどがある。ｐ型不純物である炭素を
ドーピングするための原料としては、ＣＢｒ4 が使用で
きる。その他、特に添加のために原料を用いず、有機金
属原料であるＴＭＧ（トリメチルガリウム）やＴＭＡ
（トリメチルアルミニウム）の熱分解によって発生する
炭素を利用する方法もある。また、炭素によるドーピン
グだけでは目標の不純物濃度に対して不十分である際
は、併せて亜鉛などを添加するように構成する。
は、ｐ型の半導体層であるＡｌＧａＡｓを有する化合物
半導体エピタキシャルウエハにおいて、ｐ型のドーピン
グを炭素の添加によって行う。このような方法が適用で
きるエピタキシャルウエハとしては、基板にＧａＡｓ上
に成長させたレーザダイオードや発光ダイオード用エピ
タキシャルウエハなどがある。ｐ型不純物である炭素を
ドーピングするための原料としては、ＣＢｒ4 が使用で
きる。その他、特に添加のために原料を用いず、有機金
属原料であるＴＭＧ（トリメチルガリウム）やＴＭＡ
（トリメチルアルミニウム）の熱分解によって発生する
炭素を利用する方法もある。また、炭素によるドーピン
グだけでは目標の不純物濃度に対して不十分である際
は、併せて亜鉛などを添加するように構成する。
【００１３】図１は、本実施の形態のＭＯＶＰＥ法によ
って製造したレーザダイオード用エピタキシャルウエハ
の断面図である。従来と特徴的に異なることは、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層５Ａを成長する際に、炭素を添加
するための原料として臭化炭素ＣＢｒ４を使用している
ことである。
って製造したレーザダイオード用エピタキシャルウエハ
の断面図である。従来と特徴的に異なることは、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層５Ａを成長する際に、炭素を添加
するための原料として臭化炭素ＣＢｒ４を使用している
ことである。
【００１４】ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５Ａの不純物
濃度は、標準的なｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層での不純
物濃度である２×１０18cm-3とした。レーザダイオード
を製造する際に必要になる数層のエピタキシャル層をこ
のエピタキシャルウエハ上に成長させた後に、深さ方向
組成分布をＳＩＭＳ分析によって調べた結果、ｐ型ドー
パントである炭素の隣接層への混入はほとんど起こらな
かった。これによって、後のエピタキシャル成長の際
に、熱によるｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５Ａのドーパ
ントの拡散が起こりにくくなった。
濃度は、標準的なｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層での不純
物濃度である２×１０18cm-3とした。レーザダイオード
を製造する際に必要になる数層のエピタキシャル層をこ
のエピタキシャルウエハ上に成長させた後に、深さ方向
組成分布をＳＩＭＳ分析によって調べた結果、ｐ型ドー
パントである炭素の隣接層への混入はほとんど起こらな
かった。これによって、後のエピタキシャル成長の際
に、熱によるｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５Ａのドーパ
ントの拡散が起こりにくくなった。
【００１５】次に、上述の方法によって得たエピタキシ
ャルウエハを加工して、ストライプ構造の電極を有する
簡易レーザダイオードを製造した。
ャルウエハを加工して、ストライプ構造の電極を有する
簡易レーザダイオードを製造した。
【００１６】図２は、本実施の形態におけるストライプ
構造の電極を有する簡易レーザダイオードの構造図であ
る。この図２において、ｎ型電極１０は、３００μｍ×
３００μｍの大きさである。ｐ型電極３０は、５０μｍ
×３００μｍの大きさである。活性層２０の幅は、７０
μｍである。
構造の電極を有する簡易レーザダイオードの構造図であ
る。この図２において、ｎ型電極１０は、３００μｍ×
３００μｍの大きさである。ｐ型電極３０は、５０μｍ
×３００μｍの大きさである。活性層２０の幅は、７０
μｍである。
【００１７】この素子の注入電流に対する光出力特性を
調べた結果、しきい値電流密度は、０．５ＫＡ／cm2 と
なった。ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層のドーピングを亜
鉛で行っている標準的なレーザダイオードのしきい値電
流密度が０．７ＫＡ／cm2 であることに対して、小さい
値を得ることができた。また、本レーザダイオードを、
５５℃の温度で加速劣化試験を行ったところ、標準的な
レーザダイオードに比べて寿命が長くなる傾向を得るこ
とができた。
調べた結果、しきい値電流密度は、０．５ＫＡ／cm2 と
なった。ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層のドーピングを亜
鉛で行っている標準的なレーザダイオードのしきい値電
流密度が０．７ＫＡ／cm2 であることに対して、小さい
値を得ることができた。また、本レーザダイオードを、
５５℃の温度で加速劣化試験を行ったところ、標準的な
レーザダイオードに比べて寿命が長くなる傾向を得るこ
とができた。
【００１８】（本発明の実施の形態の効果）： 以上の
本発明の実施の形態によれば、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層５Ａにドーパントとして炭素を添加したことで、エ
ピタキシャル層のｐ型不純物が熱によって隣接するエピ
タキシャル層へ拡散することを防止することができる。
このようなエピタキシャルウエハを使用してレーザダイ
オードを製造することで、連続発振の寿命を伸ばし素子
の特性を向上させることができる。また、上述のエピタ
キシャルウエハを発光ダイオードに適用しても素子の特
性を向上させることができる。また、炭素などをドーパ
ントとして使用するための方法も簡単な工程であるた
め、製造方法も簡単である。
本発明の実施の形態によれば、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層５Ａにドーパントとして炭素を添加したことで、エ
ピタキシャル層のｐ型不純物が熱によって隣接するエピ
タキシャル層へ拡散することを防止することができる。
このようなエピタキシャルウエハを使用してレーザダイ
オードを製造することで、連続発振の寿命を伸ばし素子
の特性を向上させることができる。また、上述のエピタ
キシャルウエハを発光ダイオードに適用しても素子の特
性を向上させることができる。また、炭素などをドーパ
ントとして使用するための方法も簡単な工程であるた
め、製造方法も簡単である。
【００１９】他の実施態様として、ｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層５Ａのドーピングを炭素と亜鉛とを混合して行
うことで、エピタキシャル層の高濃度のｐ型ドーピング
が可能になる。また、炭素と亜鉛のそれぞれの濃度をそ
れほど高濃度にしないようにすることで、隣接エピタキ
シャル層への拡散を起こりにくくさせることができる。
ラッド層５Ａのドーピングを炭素と亜鉛とを混合して行
うことで、エピタキシャル層の高濃度のｐ型ドーピング
が可能になる。また、炭素と亜鉛のそれぞれの濃度をそ
れほど高濃度にしないようにすることで、隣接エピタキ
シャル層への拡散を起こりにくくさせることができる。
【００２０】さらに、ＭＯＶＰＥによってドーピングを
行う際に、２つの不純物原料ガス（ＣＢｒ４とＤＭＺ
（ジメチル亜鉛）と）を同時に供給することで、高濃度
で隣接層へのドーパントの拡散が起こりにくいｐ型エピ
タキシャル層を成長させることができる。また、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層５Ａを成長する際に、炭素のドー
ピングを有機金属材料（ＴＭＧやＴＭＡ）の熱分解時に
生じる残留炭素を利用して行うことで、不純物原料ガス
の供給を行うことなく、エピタキシャル層への炭素ドー
ピングを行うこともできる。
行う際に、２つの不純物原料ガス（ＣＢｒ４とＤＭＺ
（ジメチル亜鉛）と）を同時に供給することで、高濃度
で隣接層へのドーパントの拡散が起こりにくいｐ型エピ
タキシャル層を成長させることができる。また、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層５Ａを成長する際に、炭素のドー
ピングを有機金属材料（ＴＭＧやＴＭＡ）の熱分解時に
生じる残留炭素を利用して行うことで、不純物原料ガス
の供給を行うことなく、エピタキシャル層への炭素ドー
ピングを行うこともできる。
【００２１】上述の実施の形態においては、化合物半導
体として、ＡｌＧａＡｓ系のもを使用して説明したが、
他に、ＧａＰ系やＧａＩｎＰ系のものを使用して本発明
を適用することもできる。
体として、ＡｌＧａＡｓ系のもを使用して説明したが、
他に、ＧａＰ系やＧａＩｎＰ系のものを使用して本発明
を適用することもできる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように本発明は、第１のｎ型
化合物半導体層と、第２のｐ型化合物半導体層との間
に、第３の化合物半導体層としてアンドープ化合物半導
体、ｐ型化合物半導体、第１のｎ型化合物半導体層およ
び第２のｐ型化合物半導体層よりも禁制帯幅が小さい化
合物半導体のうちのいずれかを挟んだ構造の化合物半導
体エピタキシャルウエハにおいて、第２のｐ型化合物半
導体層のドーパントとして炭素が使用されていること
で、ドーパントの熱による拡散を抑制でき、隣接するエ
ピタキシャル層への悪影響を防止できるので、しきい値
電流密度を従来に比べ低下させ、しかも発振寿命を向上
させることができる。さらに、製造方法も簡単である。
化合物半導体層と、第２のｐ型化合物半導体層との間
に、第３の化合物半導体層としてアンドープ化合物半導
体、ｐ型化合物半導体、第１のｎ型化合物半導体層およ
び第２のｐ型化合物半導体層よりも禁制帯幅が小さい化
合物半導体のうちのいずれかを挟んだ構造の化合物半導
体エピタキシャルウエハにおいて、第２のｐ型化合物半
導体層のドーパントとして炭素が使用されていること
で、ドーパントの熱による拡散を抑制でき、隣接するエ
ピタキシャル層への悪影響を防止できるので、しきい値
電流密度を従来に比べ低下させ、しかも発振寿命を向上
させることができる。さらに、製造方法も簡単である。
【図１】本発明の実施の形態のＡｌＧａＡｓ系レーザダ
イオード用エピタキシャルウエハの構造断面図である。
イオード用エピタキシャルウエハの構造断面図である。
【図２】本実施の形態のストライプ構造の電極を有する
簡易レーザダイオードの構造図である。
簡易レーザダイオードの構造図である。
【図３】従来例の活性層にアンドープの量子井戸構造を
有する発振波長７８０nmのＡｌＧａＡｓ系レーザダイオ
ード用エピタキシャルウエハの断面構造図である。
有する発振波長７８０nmのＡｌＧａＡｓ系レーザダイオ
ード用エピタキシャルウエハの断面構造図である。
【図４】従来の構造のレーザダイオード用エピタキシャ
ルウエハの深さ方向の組成分布をＳＩＭＳ分布によって
調べた結果の特性図である。
ルウエハの深さ方向の組成分布をＳＩＭＳ分布によって
調べた結果の特性図である。
１ ｎ型（Ｓｉドープ）導電性ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型（Ｓｅドープ）ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ型（Ｓｅドープ）ＡｌＧａＡｓクラッド層 ４ アンドープＡｌＧａＡｓ量子井戸活性層 ５Ａ ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 ６ ｐ型（亜鉛ドープ）ＧａＡｓキャップ層
Claims (6)
- 【請求項１】第１のｎ型化合物半導体層と、第２のｐ型
化合物半導体層との間に、第３の化合物半導体層として
アンドープ化合物半導体、ｐ型化合物半導体、上記第１
のｎ型化合物半導体層および上記第２のｐ型化合物半導
体層よりも禁制帯幅が小さい化合物半導体のうちのいず
れかを挟んだ構造を有する化合物半導体エピタキシャル
ウエハにおいて、上記第２のｐ型化合物半導体層のドー
パントとして炭素が使用されていることを特徴とする化
合物半導体エピタキシャルウエハ。 - 【請求項２】上記第２のｐ型化合物半導体層のドーパン
トとして、さらに亜鉛も使用されていることを特徴とす
る請求項１記載の化合物半導体エピタキシャルウエハ。 - 【請求項３】第１のｎ型化合物半導体層と、第２のｐ型
化合物半導体層との間に、第３の化合物半導体層として
アンドープ化合物半導体、ｐ型化合物半導体、上記第１
のｎ型化合物半導体層および上記第２のｐ型化合物半導
体層よりも禁制帯幅が小さい化合物半導体のうちのいず
れかを挟むように製造する化合物半導体エピタキシャル
ウエハの製造方法において、上記第２のｐ型化合物半導
体層の有機金属気相エピタキシャル成長の際に、炭素ま
たは、炭素と亜鉛をドーピングすることを特徴とする化
合物半導体エピタキシャルウエハの製造方法。 - 【請求項４】上記炭素または、炭素と亜鉛をドーピング
するために、臭化炭素とジメチル亜鉛とを同時に供給す
ることを特徴とする請求項３記載の化合物半導体エピタ
キシャルウエハの製造方法。 - 【請求項５】上記第２のｐ型化合物半導体層に対して炭
素のドーピングを行うために、有機金属材料が熱分解時
に発生する残留炭素を使用することを特徴とする請求項
３記載の化合物半導体エピタキシャルウエハの製造方
法。 - 【請求項６】上記有機金属材料が、トリメチルガリウム
またはトリメチルアルミニウムであることを特徴とする
請求項５記載の化合物半導体エピタキシャルウエハの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15375897A JPH114044A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 化合物半導体エピタキシャルウエハおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15375897A JPH114044A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 化合物半導体エピタキシャルウエハおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH114044A true JPH114044A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15569495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15375897A Pending JPH114044A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 化合物半導体エピタキシャルウエハおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH114044A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005217195A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光半導体デバイス、および光半導体デバイスを製造する方法 |
| JP2008053598A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子および光送信モジュール |
| WO2019176498A1 (ja) | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 株式会社フジクラ | 半導体光素子、半導体光素子形成用構造体及びこれを用いた半導体光素子の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP15375897A patent/JPH114044A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005217195A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光半導体デバイス、および光半導体デバイスを製造する方法 |
| JP4517653B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2010-08-04 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体デバイス |
| JP2008053598A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子および光送信モジュール |
| WO2019176498A1 (ja) | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 株式会社フジクラ | 半導体光素子、半導体光素子形成用構造体及びこれを用いた半導体光素子の製造方法 |
| US11387628B2 (en) | 2018-03-13 | 2022-07-12 | Fujikura Ltd. | Semiconductor optical element, semiconductor optical element forming structure, and method for manufacturing semiconductor optical element using the same |
| US11799270B2 (en) | 2018-03-13 | 2023-10-24 | Fujikura Ltd. | Semiconductor optical element, semiconductor optical element forming structure, and method of manufacturing semiconductor optical element using the same |
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