JPH1140394A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH1140394A JPH1140394A JP9189452A JP18945297A JPH1140394A JP H1140394 A JPH1140394 A JP H1140394A JP 9189452 A JP9189452 A JP 9189452A JP 18945297 A JP18945297 A JP 18945297A JP H1140394 A JPH1140394 A JP H1140394A
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- Japan
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- plasma
- wave
- microwave
- circularly polarized
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来のプラズマ処理装置では、プラズマ発生に
必要な電力が高いこと、およびプラズマ発生が不安定で
あるという課題があった。 【解決手段】位相と電界の方向が異なる電磁波を複数発
生させる部材を用いて処理室に電磁波を投入しプラズマ
を発生させる。
必要な電力が高いこと、およびプラズマ発生が不安定で
あるという課題があった。 【解決手段】位相と電界の方向が異なる電磁波を複数発
生させる部材を用いて処理室に電磁波を投入しプラズマ
を発生させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】半導体集積回路等の製造にあ
たり、膜の形成、加工等にプラズマ処理装置が用いられ
る。本発明は安定なプラズマを均一に生成することによ
り高品位なプラズマ処理を可能とするプラズマ処理装置
を提供することに寄与する。
たり、膜の形成、加工等にプラズマ処理装置が用いられ
る。本発明は安定なプラズマを均一に生成することによ
り高品位なプラズマ処理を可能とするプラズマ処理装置
を提供することに寄与する。
【０００２】
【従来の技術】通常のプラズマ処理装置では処理室に処
理に適したガスを所定の流量供給し、そのガスを排気す
る速度を調整して処理室を処理に適した圧力に制御する
ことが行われる。さらに処理室に電磁波を供給してプラ
ズマを発生させ、プラズマ処理を行う。プラズマは処理
室内の電磁界分布に対応した分布で発生する。プラズマ
中の電磁界分布は電磁波の供給方法、プラズマの密度、
圧力などのプラズマ特性、処理室の形状等により決ま
る。従来のプラズマ処理装置ではプラズマ中の電磁界分
布に関して十分考慮されておらず、電磁波電力の有効利
用、プラズマ分布の制御などが必ずしも適切に行われて
いない問題があった。
理に適したガスを所定の流量供給し、そのガスを排気す
る速度を調整して処理室を処理に適した圧力に制御する
ことが行われる。さらに処理室に電磁波を供給してプラ
ズマを発生させ、プラズマ処理を行う。プラズマは処理
室内の電磁界分布に対応した分布で発生する。プラズマ
中の電磁界分布は電磁波の供給方法、プラズマの密度、
圧力などのプラズマ特性、処理室の形状等により決ま
る。従来のプラズマ処理装置ではプラズマ中の電磁界分
布に関して十分考慮されておらず、電磁波電力の有効利
用、プラズマ分布の制御などが必ずしも適切に行われて
いない問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術によると
処理室に投入した電磁波の電力が必ずしもプラズマの発
生に有効に利用されていない問題があった。プラズマ中
でとりやすい電磁界分布と投入する電磁波の電磁界分布
が必ずしも対応しないため安定したプラズマの生成が行
われないという問題があった。
処理室に投入した電磁波の電力が必ずしもプラズマの発
生に有効に利用されていない問題があった。プラズマ中
でとりやすい電磁界分布と投入する電磁波の電磁界分布
が必ずしも対応しないため安定したプラズマの生成が行
われないという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題はプラズマ中で
電磁波がとりやすい分布に対応した分布に制御した電磁
波を投入することで解決できる。
電磁波がとりやすい分布に対応した分布に制御した電磁
波を投入することで解決できる。
【０００５】本発明は、位相差と電界のなす角がほぼ同
一となる複数の電磁波を同時に処理室に投入しプラズマ
を発生させるプラズマ処理装置を特徴とする。
一となる複数の電磁波を同時に処理室に投入しプラズマ
を発生させるプラズマ処理装置を特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施例を図１を用
いて説明する。例えばマグネトロンなどのマイクロ波源
１０１により発生した例えば周波数２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波はアイソレー夕１０２、整合器１０３を介して
同軸導波管変換器１０４に伝送される。同軸導波管変換
器１０４によりマイクロ波は軸対称な同軸線路１０５の
基本モードに変換され、整合室１０６を介してモード変
換器１０７にもたらされる。整合室１０６は内部または
外部導体の直径が同軸線路１０５と異なるサイズの同軸
線路で長さが１／４波長の線路であり、モード変換器１
０７と同軸線路１０５の接続部でインピーダンス不整合
により発生する電力の反射を防止している。またモード
変換器１０７は投入されたマイクロ波の電磁界を同軸線
路の基本モードから以下に説明する部材１０９の励振に
適した分布に変換する作用を持つ。
いて説明する。例えばマグネトロンなどのマイクロ波源
１０１により発生した例えば周波数２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波はアイソレー夕１０２、整合器１０３を介して
同軸導波管変換器１０４に伝送される。同軸導波管変換
器１０４によりマイクロ波は軸対称な同軸線路１０５の
基本モードに変換され、整合室１０６を介してモード変
換器１０７にもたらされる。整合室１０６は内部または
外部導体の直径が同軸線路１０５と異なるサイズの同軸
線路で長さが１／４波長の線路であり、モード変換器１
０７と同軸線路１０５の接続部でインピーダンス不整合
により発生する電力の反射を防止している。またモード
変換器１０７は投入されたマイクロ波の電磁界を同軸線
路の基本モードから以下に説明する部材１０９の励振に
適した分布に変換する作用を持つ。
【０００７】モード変換器１０７の下部には結合孔１０
８を有する部材１０９があり、結合孔１０８、マイクロ
波導入窓１１０を介して処理室１１１にマイクロ波が導
入される。部材１０９はアルミニウム、銅などの導電率
の高い金属でできている。マイクロ波導入窓はマイクロ
波に対する損失が小さく、プラズマ処理に悪影響を与え
にくい誘電体として例えば石英、アルミナセラミックな
どでできている。処理室１１１には図示しないガス導入
系および排気系が接続され、処理室をプラズマ処理に適
した圧力、ガス雰囲気に保持することができる。処理室
１１１の周囲には静磁界の発生装置１１２が設置され、
処理室１１１内に電子サイクロトロン共鳴現象を発生さ
せる程度の静磁界を発生させることができる。投入する
マイクロ波の周波数が例えば２．４５ＧＨｚの場合、電
子サイクロトロン共鳴は０．０８７５テスラで起きるこ
とが知られており、マイクロ波電力はプラズマに強く吸
収され、低い圧力でも高密度のプラズマを容易に発生さ
せることができる。また処理室内の静磁界分布を調整す
ることで、処理室内のプラズマ分布等を制御することが
できる。静磁界の発生装置１１２として例えば電磁石、
永久磁石などを用いることができる。
８を有する部材１０９があり、結合孔１０８、マイクロ
波導入窓１１０を介して処理室１１１にマイクロ波が導
入される。部材１０９はアルミニウム、銅などの導電率
の高い金属でできている。マイクロ波導入窓はマイクロ
波に対する損失が小さく、プラズマ処理に悪影響を与え
にくい誘電体として例えば石英、アルミナセラミックな
どでできている。処理室１１１には図示しないガス導入
系および排気系が接続され、処理室をプラズマ処理に適
した圧力、ガス雰囲気に保持することができる。処理室
１１１の周囲には静磁界の発生装置１１２が設置され、
処理室１１１内に電子サイクロトロン共鳴現象を発生さ
せる程度の静磁界を発生させることができる。投入する
マイクロ波の周波数が例えば２．４５ＧＨｚの場合、電
子サイクロトロン共鳴は０．０８７５テスラで起きるこ
とが知られており、マイクロ波電力はプラズマに強く吸
収され、低い圧力でも高密度のプラズマを容易に発生さ
せることができる。また処理室内の静磁界分布を調整す
ることで、処理室内のプラズマ分布等を制御することが
できる。静磁界の発生装置１１２として例えば電磁石、
永久磁石などを用いることができる。
【０００８】処理室１１１内には被処理基板１１３を設
置するための電極１１４が設けられている。電極１１４
には高周波電源１１５が整合器１１６を介して接続さ
れ、被処理基板１１３に例えば１３．５６ＭＨｚなどの
周波数の高周波を加えることができる。
置するための電極１１４が設けられている。電極１１４
には高周波電源１１５が整合器１１６を介して接続さ
れ、被処理基板１１３に例えば１３．５６ＭＨｚなどの
周波数の高周波を加えることができる。
【０００９】図２を用いて結合孔１０８を有する部材１
０９の構造を示す。同軸状のモード変換器１０７により
部材１０９の表面にはマイクロ波表面電流２０１が放射
状に流れる。これに対し結合孔１０８は互いに直交する
２つの長方形状の穴２０２および２０３からなってい
る。長方形状の穴２０２および２０３はそれぞれマイク
ロ波表面電流２０１に対し互いに逆方向に４５°傾斜し
ており、さらにこれらはある円周状に配置されている。
また穴２０２には誘電体２０４が装荷されている。
０９の構造を示す。同軸状のモード変換器１０７により
部材１０９の表面にはマイクロ波表面電流２０１が放射
状に流れる。これに対し結合孔１０８は互いに直交する
２つの長方形状の穴２０２および２０３からなってい
る。長方形状の穴２０２および２０３はそれぞれマイク
ロ波表面電流２０１に対し互いに逆方向に４５°傾斜し
ており、さらにこれらはある円周状に配置されている。
また穴２０２には誘電体２０４が装荷されている。
【００１０】一般に導電率の高い物質で囲まれた長方形
状の穴は方形導波管として動作させることができ、長辺
の長さが半波長以上の場合に穴を通してマイクロ波を伝
送することができる。長方形状の穴２０２、２０３は方
形導波管として動作するよう、長辺の長さがマイクロ波
の波長の半波長以上の長さになっている。部材１０９の
厚さ（穴２０２、２０３の深さ）は穴２０２を通ったマ
イクロ波と穴２０３を通ったマイクロ波で位相がおよそ
９０度異なる厚さに設定されている。一般に誘電体中で
電磁波の波長は真空または空気中の電磁波の波長に比べ
短くなる。方形導波管の最低次のモードであるＴＥ１０
モードの管内波長は式（１）の様にあらわされることが
知られている。
状の穴は方形導波管として動作させることができ、長辺
の長さが半波長以上の場合に穴を通してマイクロ波を伝
送することができる。長方形状の穴２０２、２０３は方
形導波管として動作するよう、長辺の長さがマイクロ波
の波長の半波長以上の長さになっている。部材１０９の
厚さ（穴２０２、２０３の深さ）は穴２０２を通ったマ
イクロ波と穴２０３を通ったマイクロ波で位相がおよそ
９０度異なる厚さに設定されている。一般に誘電体中で
電磁波の波長は真空または空気中の電磁波の波長に比べ
短くなる。方形導波管の最低次のモードであるＴＥ１０
モードの管内波長は式（１）の様にあらわされることが
知られている。
【００１１】
【数１】
【００１２】ただし λg ：ＴＥ１０モードの管内波長 λo ：真空中の波長 εr ：導波管内の比誘電率 ａ ：方形導波管の長辺の長さ 例えば導波管長辺の長さが６５ｍｍで内部に石英（比誘
電率３．７８とする）を入れた方形導波管の管内波長は
７１．９ｍｍとなる。また空気（比誘電率１．０とす
る。）が入った同じサイズの方形導波管の管内波長は３
６２ｍｍとなる。従って両者の位相差が９０度になる導
波管の長さは２２．４ｍｍとなる。実際には部材１０９
の厚さは管内波長に比べて短いこと、穴２０２、２０３
を組み合わせた十字形状の穴は厳密には式（１）を満た
さないこと等から部材１０９の厚さの最適値は前記計算
値を必ずしも満足しない場合がある。
電率３．７８とする）を入れた方形導波管の管内波長は
７１．９ｍｍとなる。また空気（比誘電率１．０とす
る。）が入った同じサイズの方形導波管の管内波長は３
６２ｍｍとなる。従って両者の位相差が９０度になる導
波管の長さは２２．４ｍｍとなる。実際には部材１０９
の厚さは管内波長に比べて短いこと、穴２０２、２０３
を組み合わせた十字形状の穴は厳密には式（１）を満た
さないこと等から部材１０９の厚さの最適値は前記計算
値を必ずしも満足しない場合がある。
【００１３】長方形状の穴２０２と２０３は方形導波管
として動作しているため、穴２０２、２０３内部でのマ
イクロ波電界の方向は図２に示すようにマイクロ波表面
電流２０１に対し互いに逆方向に４５°傾いたマイクロ
波電界２０５のようになる。前述のように部材１０９の
厚さは穴２０２と２０３を通過するマイクロ波の位相差
が９０度となるように設定されており、その両者のマイ
クロ波の電界は互いに９０度の角度をなすため、部材１
０９とマイクロ波導入窓１１０の接続面では両者の合成
により円偏波が形成される。図２の例では８組の穴２０
２、２０３が設けられており、これらが同位相で励振さ
れるため、前記円偏波がそれぞれの組から同じ位相で放
射される。
として動作しているため、穴２０２、２０３内部でのマ
イクロ波電界の方向は図２に示すようにマイクロ波表面
電流２０１に対し互いに逆方向に４５°傾いたマイクロ
波電界２０５のようになる。前述のように部材１０９の
厚さは穴２０２と２０３を通過するマイクロ波の位相差
が９０度となるように設定されており、その両者のマイ
クロ波の電界は互いに９０度の角度をなすため、部材１
０９とマイクロ波導入窓１１０の接続面では両者の合成
により円偏波が形成される。図２の例では８組の穴２０
２、２０３が設けられており、これらが同位相で励振さ
れるため、前記円偏波がそれぞれの組から同じ位相で放
射される。
【００１４】磁化プラズマは静磁界の方向に対して右回
りの円偏波（以下Ｒ波）と左回りの円偏波（以下Ｌ波）
で異なる伝搬特性を示すことが知られている。Ｒ波は電
子サイクロトロン共鳴を起こし、プラズマに強く吸収さ
れるのに対し、Ｌ波は電子サイクロトロン共鳴を起こさ
ないためあまり強く吸収されず、プラズマ端面で反射さ
れる割合が大きい。部材１０９によりＲ波を発生させる
ことでマイクロ波電力を効率良くプラズマに吸収させる
ことができる。そのため低出力のマイクロ波源を用いて
も高密度のプラズマを容易に発生させることができる。
またプラズマに対するマイクロ波の吸収がよくなるた
め、マイクロ波立体回路部の余計な加熱が少なく、安定
してプラズマを発生させることができる。
りの円偏波（以下Ｒ波）と左回りの円偏波（以下Ｌ波）
で異なる伝搬特性を示すことが知られている。Ｒ波は電
子サイクロトロン共鳴を起こし、プラズマに強く吸収さ
れるのに対し、Ｌ波は電子サイクロトロン共鳴を起こさ
ないためあまり強く吸収されず、プラズマ端面で反射さ
れる割合が大きい。部材１０９によりＲ波を発生させる
ことでマイクロ波電力を効率良くプラズマに吸収させる
ことができる。そのため低出力のマイクロ波源を用いて
も高密度のプラズマを容易に発生させることができる。
またプラズマに対するマイクロ波の吸収がよくなるた
め、マイクロ波立体回路部の余計な加熱が少なく、安定
してプラズマを発生させることができる。
【００１５】図３に部材１０９として使用可能な他の構
造を示す。式（１）によれば方形導波管の管内波長は導
波管の長辺の長さにより変ることがわかる。そこで誘電
体を装荷した導波管にかわり長辺の長さの異なる導波管
を用いることで同様の効果を持たせることができる。長
辺の長さの異なる２つの長方形状の穴を互いに９０度傾
けて組み合わせ、十字状の穴３０１を形成する。十字状
の穴３０１は２つの方形導波管を組み合わせた構造と考
えることができ、それぞれの導波管の管内波長は式
（１）に従って求めることができる。例えば長辺の長さ
６５ｍｍと８０ｍｍの２つの長方形を９０度傾けて組み
合わせた場合、それぞれの管内波長は３６２ｍｍおよび
１９０ｍｍとなるので位相差を９０度とするには導波管
の長さ（部材１０９の高さ）を１００ｍｍとすればよ
い。この場合も図２に示した場合と同様、最適値は前記
計算値を必ずしも満足しない場合がある。
造を示す。式（１）によれば方形導波管の管内波長は導
波管の長辺の長さにより変ることがわかる。そこで誘電
体を装荷した導波管にかわり長辺の長さの異なる導波管
を用いることで同様の効果を持たせることができる。長
辺の長さの異なる２つの長方形状の穴を互いに９０度傾
けて組み合わせ、十字状の穴３０１を形成する。十字状
の穴３０１は２つの方形導波管を組み合わせた構造と考
えることができ、それぞれの導波管の管内波長は式
（１）に従って求めることができる。例えば長辺の長さ
６５ｍｍと８０ｍｍの２つの長方形を９０度傾けて組み
合わせた場合、それぞれの管内波長は３６２ｍｍおよび
１９０ｍｍとなるので位相差を９０度とするには導波管
の長さ（部材１０９の高さ）を１００ｍｍとすればよ
い。この場合も図２に示した場合と同様、最適値は前記
計算値を必ずしも満足しない場合がある。
【００１６】図４に部材１０９として使用可能な他の構
造を示す。誘電体板４０２を傾けて円形の穴４０１内に
装荷した構造となっている。誘電体中を進む電磁波の波
長は真空中と比べて短くなる。従って誘電体板４０２と
平行な電界成分を持つ電磁波は誘電体板４０２と垂直な
成分を持つ電磁波とで波長が異なり、この両者が重なり
あって円偏波を発生させることができる。
造を示す。誘電体板４０２を傾けて円形の穴４０１内に
装荷した構造となっている。誘電体中を進む電磁波の波
長は真空中と比べて短くなる。従って誘電体板４０２と
平行な電界成分を持つ電磁波は誘電体板４０２と垂直な
成分を持つ電磁波とで波長が異なり、この両者が重なり
あって円偏波を発生させることができる。
【００１７】磁化プラズマに吸収されやすい円偏波を発
生させるには電界の方向が傾いた複数の波を位相をずら
して重ねあわせればよい。前述の例では電界の傾きおよ
び位相差が９０度である２つの波を重ねあわせる例を示
したが、位相差、電界の傾きは９０度に限定されるもの
ではなく他の角度であってもよい。また重ねあわせる波
の数は２つに限定されるものではなく更に多くてもよ
い。
生させるには電界の方向が傾いた複数の波を位相をずら
して重ねあわせればよい。前述の例では電界の傾きおよ
び位相差が９０度である２つの波を重ねあわせる例を示
したが、位相差、電界の傾きは９０度に限定されるもの
ではなく他の角度であってもよい。また重ねあわせる波
の数は２つに限定されるものではなく更に多くてもよ
い。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマ中でとりやす
い電磁界分布と投入する電磁波の電磁界分布を対応させ
ることができるのでプラズマ発生に必要な電力を低減す
るとともに安定してプラズマを発生させることができる
効果がある。
い電磁界分布と投入する電磁波の電磁界分布を対応させ
ることができるのでプラズマ発生に必要な電力を低減す
るとともに安定してプラズマを発生させることができる
効果がある。
【図１】本発明に係わるマイクロ波プラズマ処理装置を
説明する図面。
説明する図面。
【図２】結合孔を有する部材１０９の構造の第一例を説
明する図面。
明する図面。
【図３】結合孔を有する部材１０９の構造の第二例を説
明する図面。
明する図面。
【図４】結合孔を有する部材１０９の構造の第三例を説
明する図面。
明する図面。
１０１…マイクロ波源、１０２…アイソレー夕、１０３
…整合器、１０４…同軸導波管変換器、１０５…同軸線
路、１０６…整合室、１０７…モード変換器、１０８…
結合孔、１０９…部材、１１０…マイクロ波導入窓、１
１１…処理室、１１２…静磁界の発生装置、１１３…被
処理基板、１１４…電極、１１５…高周波電源、１１６
…整合器、２０１…マイクロ波表面電流、２０２…長方
形状の穴、２０３…長方形状の穴、２０４…誘電体、２
０５…マイクロ波電界、３０１…十字状の穴、４０１…
円形の穴、４０２…誘電体板。
…整合器、１０４…同軸導波管変換器、１０５…同軸線
路、１０６…整合室、１０７…モード変換器、１０８…
結合孔、１０９…部材、１１０…マイクロ波導入窓、１
１１…処理室、１１２…静磁界の発生装置、１１３…被
処理基板、１１４…電極、１１５…高周波電源、１１６
…整合器、２０１…マイクロ波表面電流、２０２…長方
形状の穴、２０３…長方形状の穴、２０４…誘電体、２
０５…マイクロ波電界、３０１…十字状の穴、４０１…
円形の穴、４０２…誘電体板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 角屋 誠浩 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 助迫 浩康 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内
Claims (4)
- 【請求項１】位相差と電界のなす角がほぼ同一となる複
数の電磁波を同時に処理室に投入しプラズマを発生させ
ることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】請求項１記載のプラズマ処理装置におい
て、投入する複数の電磁波が略軸対称性を持つことを特
徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】請求項１または２記載のプラズマ処理装置
において、処理室に電子サイクロトロン共鳴を発生させ
る程度の静磁界を加えることのできる静磁界発生装置を
備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】請求項３記載のプラズマ処理装置におい
て、２種類の電磁波を同時に処理室に投入し、それらの
位相差と電界のなす角が略９０度であることを特徴とす
るプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18945297A JP3736054B2 (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18945297A JP3736054B2 (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140394A true JPH1140394A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3736054B2 JP3736054B2 (ja) | 2006-01-18 |
Family
ID=16241498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18945297A Expired - Fee Related JP3736054B2 (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3736054B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003052806A1 (fr) * | 2001-12-19 | 2003-06-26 | Tokyo Electron Limited | Appareil de traitement par plasma et procede de production de plasma |
| JP2006324551A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置 |
| JP2021172534A (ja) * | 2020-04-21 | 2021-11-01 | 宏碩系統股▲フン▼有限公司 | 合成ダイヤモンドの製造装置 |
-
1997
- 1997-07-15 JP JP18945297A patent/JP3736054B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003052806A1 (fr) * | 2001-12-19 | 2003-06-26 | Tokyo Electron Limited | Appareil de traitement par plasma et procede de production de plasma |
| US7305934B2 (en) | 2001-12-19 | 2007-12-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment apparatus and plasma generation method |
| JP2006324551A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置 |
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