JPH1139722A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents
相変化型光記録媒体Info
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- JPH1139722A JPH1139722A JP9189846A JP18984697A JPH1139722A JP H1139722 A JPH1139722 A JP H1139722A JP 9189846 A JP9189846 A JP 9189846A JP 18984697 A JP18984697 A JP 18984697A JP H1139722 A JPH1139722 A JP H1139722A
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- recording
- layer
- recording medium
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- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 オーバライト時であっても記録マークの形状
歪を低減させることで、再生信号のジッタを抑制でき、
高密度記録化を図れる相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 記録層におけるアモルファス相記録マー
クからの反射光の位相をφａ、結晶相からの反射光の位
相をφｃとしたとき、両者間の位相差Δφ（＝φａ−φ
ｃ）の絶対値が、２４０°＞｜Δφ｜＞１２０°なる関
係を満たすように設定することにより、位相差Δφによ
る再生信号を大きくとることができ、かつ、吸収率制御
により結晶相とアモルファス相記録マークとの吸収率が
同程度か結晶相のほうが大きいので、オーバライト時の
記録マークの形状歪は抑えられ、よって、再生信号のジ
ッタを抑制できることとなり、結果として、高密度記録
化を実現できる。
歪を低減させることで、再生信号のジッタを抑制でき、
高密度記録化を図れる相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 記録層におけるアモルファス相記録マー
クからの反射光の位相をφａ、結晶相からの反射光の位
相をφｃとしたとき、両者間の位相差Δφ（＝φａ−φ
ｃ）の絶対値が、２４０°＞｜Δφ｜＞１２０°なる関
係を満たすように設定することにより、位相差Δφによ
る再生信号を大きくとることができ、かつ、吸収率制御
により結晶相とアモルファス相記録マークとの吸収率が
同程度か結晶相のほうが大きいので、オーバライト時の
記録マークの形状歪は抑えられ、よって、再生信号のジ
ッタを抑制できることとなり、結果として、高密度記録
化を実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録層がレーザ光
の照射を受けて結晶相とアモルファス相との間で可逆的
相変化を生ずることにより情報が記録又は消去される書
換え自在な相変化型光情報記録媒体に関する。
の照射を受けて結晶相とアモルファス相との間で可逆的
相変化を生ずることにより情報が記録又は消去される書
換え自在な相変化型光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、記録媒体として光情報記録媒体の
開発・研究が盛んになされ、中でも書換え自在な相変化
型光記録媒体が注目を集めている。
開発・研究が盛んになされ、中でも書換え自在な相変化
型光記録媒体が注目を集めている。
【０００３】このように相変化型光媒体において、反射
光量差を利用して情報を再生する方式のものがあり、こ
の場合には、アモルファス相の反射率を結晶相の反射率
よりも小さく設定した媒体が用いられる。このため、例
えば反射型の４層構成の相変化型光情報記録媒体の例で
考えると、結晶相の吸収率がアモルファス相の吸収率よ
りも小さくなっている。このような特性を持つ媒体にオ
ーバライトによりマークエッジ記録を行うと、吸収率差
に起因したマークエッジ歪が発生し、高密度記録化に支
障を来す。
光量差を利用して情報を再生する方式のものがあり、こ
の場合には、アモルファス相の反射率を結晶相の反射率
よりも小さく設定した媒体が用いられる。このため、例
えば反射型の４層構成の相変化型光情報記録媒体の例で
考えると、結晶相の吸収率がアモルファス相の吸収率よ
りも小さくなっている。このような特性を持つ媒体にオ
ーバライトによりマークエッジ記録を行うと、吸収率差
に起因したマークエッジ歪が発生し、高密度記録化に支
障を来す。
【０００４】このような不具合を解決するための提案と
して、例えば、特開平８−６３７８１号公報に示される
ように吸収率制御なる対策を施すようにしたものがあ
る。図４に示す反射型の４層構成の相変化型光情報記録
媒体１を例にとり説明する。この相変化型光情報記録媒
体１は、透明基板２上に第１誘電体層３、記録層４、第
２誘電体層５及び反射層６を順次積層させた積層構造と
して形成されており、表層には紫外線硬化型樹脂をスピ
ンコートした保護層７が形成されている。このような層
構成において、記録層４における結晶相の吸収率Ａｃが
アモルファス相記録マークの吸収率Ａａよりも大きくな
り（Ａｃ≧Ａａ）、かつ、アモルファス相記録マークの
反射率ａが結晶相の反射率Ｒｃよりも大きくて（Ｒａ≧
Ｒｃ）、オーバライト時の昇温状態が両相で同じになる
ように各層の膜厚を設定することでオーバライト時のマ
ーク形状歪を改善し、ジッタを小さくすることで、高密
度記録化を可能にしている。
して、例えば、特開平８−６３７８１号公報に示される
ように吸収率制御なる対策を施すようにしたものがあ
る。図４に示す反射型の４層構成の相変化型光情報記録
媒体１を例にとり説明する。この相変化型光情報記録媒
体１は、透明基板２上に第１誘電体層３、記録層４、第
２誘電体層５及び反射層６を順次積層させた積層構造と
して形成されており、表層には紫外線硬化型樹脂をスピ
ンコートした保護層７が形成されている。このような層
構成において、記録層４における結晶相の吸収率Ａｃが
アモルファス相記録マークの吸収率Ａａよりも大きくな
り（Ａｃ≧Ａａ）、かつ、アモルファス相記録マークの
反射率ａが結晶相の反射率Ｒｃよりも大きくて（Ｒａ≧
Ｒｃ）、オーバライト時の昇温状態が両相で同じになる
ように各層の膜厚を設定することでオーバライト時のマ
ーク形状歪を改善し、ジッタを小さくすることで、高密
度記録化を可能にしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、吸収率制御
なる対策を施すだけの特開平８−６３７８１号公報方式
によると、反射率変化による良好な再生信号が得られる
反面、反射層６で殆どの光が反射されてしまうため、光
学的定数変化に伴う反射率差を大きくしようとすると、
記録層４の吸収率は、アモルファス相記録マークに比べ
て結晶相のほうが小さくなってしまう欠点がある。この
ため、通常、結晶相のほうがアモルファス相記録マーク
に比べて熱伝導率が大きく、溶融に必要な潜熱も大きい
ので、オーバライト時の位置が結晶相かアモルファス相
かによって記録層４の昇温状態に差が生じてしまう。
なる対策を施すだけの特開平８−６３７８１号公報方式
によると、反射率変化による良好な再生信号が得られる
反面、反射層６で殆どの光が反射されてしまうため、光
学的定数変化に伴う反射率差を大きくしようとすると、
記録層４の吸収率は、アモルファス相記録マークに比べ
て結晶相のほうが小さくなってしまう欠点がある。この
ため、通常、結晶相のほうがアモルファス相記録マーク
に比べて熱伝導率が大きく、溶融に必要な潜熱も大きい
ので、オーバライト時の位置が結晶相かアモルファス相
かによって記録層４の昇温状態に差が生じてしまう。
【０００６】特に、記録マークのマークエッジに情報を
持たせるためには、エッジ形状を精度よく形成すること
が必要であるが、吸収率制御が不十分な記録層４では、
図５に例示するように、オーバライト信号がオーバライ
ト前の信号成分によって変調され、マークエッジ近傍で
エッジ形状歪が生じてしまう。図５中、８はトラックを
示し、９はオーバライトにより記録された記録マーク
（この部分がアモルファス相記録マークとなる）を示
し、９ａはオーバライト前の以前の記録マークを示し、
１０で示す部分にエッジ形状歪が生じている。
持たせるためには、エッジ形状を精度よく形成すること
が必要であるが、吸収率制御が不十分な記録層４では、
図５に例示するように、オーバライト信号がオーバライ
ト前の信号成分によって変調され、マークエッジ近傍で
エッジ形状歪が生じてしまう。図５中、８はトラックを
示し、９はオーバライトにより記録された記録マーク
（この部分がアモルファス相記録マークとなる）を示
し、９ａはオーバライト前の以前の記録マークを示し、
１０で示す部分にエッジ形状歪が生じている。
【０００７】結局、このような従来方式による場合、初
期の記録時であればよいが、その後のオーバライト時に
は必ずしも記録マークの形状歪をなくすことはできず、
再生信号のジッタが小さくならず、結果として、高密度
記録化を図る上で支障をきたしている。
期の記録時であればよいが、その後のオーバライト時に
は必ずしも記録マークの形状歪をなくすことはできず、
再生信号のジッタが小さくならず、結果として、高密度
記録化を図る上で支障をきたしている。
【０００８】そこで、本発明は、オーバライト時であっ
ても記録マークの形状歪を低減させることができ、再生
信号のジッタを抑制でき、高密度記録化を図ることがで
きる相変化型光記録媒体を提供することを目的とする。
ても記録マークの形状歪を低減させることができ、再生
信号のジッタを抑制でき、高密度記録化を図ることがで
きる相変化型光記録媒体を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
透明基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反
射層が順次積層形成され、前記記録層がレーザ光の照射
を受けて結晶相とアモルファス相との間で可逆的相変化
を生ずることにより情報が記録又は消去される相変化型
光情報記録媒体において、アモルファス相記録マークか
らの反射光の位相をφａ、結晶相からの反射光の位相を
φｃとしたとき、両者間の位相差Δφ（＝φａ−φｃ）
の絶対値が、２４０°＞｜Δφ｜＞１２０°なる関係を
満たすように設定されている。従って、位相差による再
生信号を大きくとることができ、かつ、吸収率制御によ
り結晶相とアモルファス相記録マークとの吸収率が同程
度か結晶相のほうが大きいので、オーバライト時の記録
マークの形状歪が抑えられる。
透明基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反
射層が順次積層形成され、前記記録層がレーザ光の照射
を受けて結晶相とアモルファス相との間で可逆的相変化
を生ずることにより情報が記録又は消去される相変化型
光情報記録媒体において、アモルファス相記録マークか
らの反射光の位相をφａ、結晶相からの反射光の位相を
φｃとしたとき、両者間の位相差Δφ（＝φａ−φｃ）
の絶対値が、２４０°＞｜Δφ｜＞１２０°なる関係を
満たすように設定されている。従って、位相差による再
生信号を大きくとることができ、かつ、吸収率制御によ
り結晶相とアモルファス相記録マークとの吸収率が同程
度か結晶相のほうが大きいので、オーバライト時の記録
マークの形状歪が抑えられる。
【００１０】請求項２記載の発明は、請求項１記載の相
変化型光記録媒体において、アモルファス相記録マーク
の吸収率をＡａ、結晶相の吸収率をＡｃとしたとき、Ａ
ｃ＞Ａａなる関係を満たすように設定されている。従っ
て、吸収率制御により結晶相の吸収率Ａｃのほうがアモ
ルファス相記録マークの吸収率Ａａよりも確実に大きい
ので、オーバライト時の記録マークの形状歪がより効果
的に抑制される。
変化型光記録媒体において、アモルファス相記録マーク
の吸収率をＡａ、結晶相の吸収率をＡｃとしたとき、Ａ
ｃ＞Ａａなる関係を満たすように設定されている。従っ
て、吸収率制御により結晶相の吸収率Ａｃのほうがアモ
ルファス相記録マークの吸収率Ａａよりも確実に大きい
ので、オーバライト時の記録マークの形状歪がより効果
的に抑制される。
【００１１】請求項３記載の発明は、請求項１記載の相
変化型光記録媒体において、アモルファス相記録マーク
からの反射率をＲａ、結晶相からの反射率をＲｃとした
とき、Ｒａ≧Ｒｃなる関係を満たすように設定されてい
る。従って、アモルファス相記録マークからの反射率Ｒ
ａ、結晶相からの反射率ＲｃとをＲａ≧Ｒｃなる関係に
することによっても、吸収率制御を行うことができ、よ
って、オーバライト時の記録マークの形状歪がより効果
的に抑制される。
変化型光記録媒体において、アモルファス相記録マーク
からの反射率をＲａ、結晶相からの反射率をＲｃとした
とき、Ｒａ≧Ｒｃなる関係を満たすように設定されてい
る。従って、アモルファス相記録マークからの反射率Ｒ
ａ、結晶相からの反射率ＲｃとをＲａ≧Ｒｃなる関係に
することによっても、吸収率制御を行うことができ、よ
って、オーバライト時の記録マークの形状歪がより効果
的に抑制される。
【００１２】請求項４記載の発明は、請求項１，２又は
３記載の相変化型光記録媒体において、位相差Δφの絶
対値が、｜Δφ｜＝１８０°である。従って、吸収率制
御の下に位相差Δφの絶対値｜Δφ｜が１８０°である
ので、位相差による再生信号が最大となり、オーバライ
ト時の記録マークの形状歪を確実になくして、再生信号
のジッタが軽減される。
３記載の相変化型光記録媒体において、位相差Δφの絶
対値が、｜Δφ｜＝１８０°である。従って、吸収率制
御の下に位相差Δφの絶対値｜Δφ｜が１８０°である
ので、位相差による再生信号が最大となり、オーバライ
ト時の記録マークの形状歪を確実になくして、再生信号
のジッタが軽減される。
【００１３】請求項５記載の発明は、請求項１，２，３
又は４記載の相変化型光記録媒体において、第１誘電体
層及び第２誘電体層はＺｎＳ‐ＳｉＯ2 により形成さ
れ、記録層はＡｇＩｎＳｂＴｅにより形成され、反射層
はＡｌ‐Ｔｉ合金により形成されている。従って、消去
特性に優れ、かつ、吸収率制御を受けるので、オーバラ
イト時の記録マークの形状歪を確実になくして、再生信
号のジッタが軽減される。
又は４記載の相変化型光記録媒体において、第１誘電体
層及び第２誘電体層はＺｎＳ‐ＳｉＯ2 により形成さ
れ、記録層はＡｇＩｎＳｂＴｅにより形成され、反射層
はＡｌ‐Ｔｉ合金により形成されている。従って、消去
特性に優れ、かつ、吸収率制御を受けるので、オーバラ
イト時の記録マークの形状歪を確実になくして、再生信
号のジッタが軽減される。
【００１４】請求項６記載の発明は、請求項５記載の相
変化型光記録媒体において、第１誘電体層の膜厚が１６
０〜２３０ｎｍ又は３０〜８０ｎｍであり、記録層の膜
厚が１０〜２５ｎｍであり、第２誘電体層の膜厚が１８
〜３０ｎｍであり、反射層の膜厚が６０〜１５０ｎｍで
ある。従って、各層の膜厚の適正化により吸収率制御を
確保しつつ位相差の絶対値｜Δφ｜も大きくとれるの
で、オーバライト時の記録マークの形状歪を確実になく
して、再生信号のジッタが軽減される。
変化型光記録媒体において、第１誘電体層の膜厚が１６
０〜２３０ｎｍ又は３０〜８０ｎｍであり、記録層の膜
厚が１０〜２５ｎｍであり、第２誘電体層の膜厚が１８
〜３０ｎｍであり、反射層の膜厚が６０〜１５０ｎｍで
ある。従って、各層の膜厚の適正化により吸収率制御を
確保しつつ位相差の絶対値｜Δφ｜も大きくとれるの
で、オーバライト時の記録マークの形状歪を確実になく
して、再生信号のジッタが軽減される。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図１及び
図２に基づいて説明する。図２に本実施の形態の相変化
型光記録媒体１１の概略断面構造を示す。この相変化型
光記録媒体１１も反射型の４相構造のもので、基本的に
は、透明基板１２上に第１誘電体層１３、記録層１４、
第２誘電体層１５及び反射層１６を順次積層させた積層
構造として形成されており、表層には紫外線硬化型樹脂
をスピンコートした保護層１７が形成されている。
図２に基づいて説明する。図２に本実施の形態の相変化
型光記録媒体１１の概略断面構造を示す。この相変化型
光記録媒体１１も反射型の４相構造のもので、基本的に
は、透明基板１２上に第１誘電体層１３、記録層１４、
第２誘電体層１５及び反射層１６を順次積層させた積層
構造として形成されており、表層には紫外線硬化型樹脂
をスピンコートした保護層１７が形成されている。
【００１６】透明基板１２としては、アクリル系、ポリ
カーボネート（ＰＣ）等のプラスチックス基板或いはガ
ラス基板が用いられている。第１，２誘電体層１３，１
５の材料としてはＺｎＳ‐ＳｉＯ2 ，ＺｎＳ，ＳｉＯ
2 ，ＴｉＯ2 ，ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4 等の誘電体材料が用
いられる。記録層１４の材料としては、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、
ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ‐ＧｅＳｎ系、
ＴｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系など
のカルコゲナイド系材料が用いられている。反射層１６
の材料としては、反射率が高くて熱伝導率の大きい材
料、例えば、Ａｌ‐Ｔｉ合金、Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇ
等の金属が用いられている。本実施の形態では、第１，
２誘電体層１３，１５はＺｎＳ‐ＳｉＯ2 により形成さ
れ、記録層１４はＡｇＩｎＳｂＴｅにより形成され、反
射層１６はＡｌ‐Ｔｉ合金により形成されている。
カーボネート（ＰＣ）等のプラスチックス基板或いはガ
ラス基板が用いられている。第１，２誘電体層１３，１
５の材料としてはＺｎＳ‐ＳｉＯ2 ，ＺｎＳ，ＳｉＯ
2 ，ＴｉＯ2 ，ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4 等の誘電体材料が用
いられる。記録層１４の材料としては、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、
ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ‐ＧｅＳｎ系、
ＴｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系など
のカルコゲナイド系材料が用いられている。反射層１６
の材料としては、反射率が高くて熱伝導率の大きい材
料、例えば、Ａｌ‐Ｔｉ合金、Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇ
等の金属が用いられている。本実施の形態では、第１，
２誘電体層１３，１５はＺｎＳ‐ＳｉＯ2 により形成さ
れ、記録層１４はＡｇＩｎＳｂＴｅにより形成され、反
射層１６はＡｌ‐Ｔｉ合金により形成されている。
【００１７】このような構成の下、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2 に
より形成された第１誘電体層１３の膜厚を変えた場合の
相変化型光記録媒体１１の反射率Ｒ、吸収率Ａ及び位相
差Δφに関する変化の様子を図１に示す。図中、Ｒｃは
結晶相からの反射率を示し、Ｒａはアモルファス相記録
マークからの反射率を示し、Ａｃは結晶相の吸収率を示
し、Ａａはアモルファス相記録マークの吸収率を示す。
また、Δφは、結晶相からの反射光の位相をφｃ、アモ
ルファス相記録マークからの反射光の位相をφａとした
ときの両相間の位相差φａ−φｃを示す。
より形成された第１誘電体層１３の膜厚を変えた場合の
相変化型光記録媒体１１の反射率Ｒ、吸収率Ａ及び位相
差Δφに関する変化の様子を図１に示す。図中、Ｒｃは
結晶相からの反射率を示し、Ｒａはアモルファス相記録
マークからの反射率を示し、Ａｃは結晶相の吸収率を示
し、Ａａはアモルファス相記録マークの吸収率を示す。
また、Δφは、結晶相からの反射光の位相をφｃ、アモ
ルファス相記録マークからの反射光の位相をφａとした
ときの両相間の位相差φａ−φｃを示す。
【００１８】図１に示す特性中、本実施の形態では、ア
モルファス相記録マークからの反射率Ｒａが結晶相から
の反射率Ｒｃよりも大きく設定され（Ｒａ≧Ｒｃ）、結
晶相の吸収率Ａｃがアモルファス相記録マークの吸収率
Ａａよりも大きく設定され（Ａｃ＞Ａａ）、さらに、位
相差Δφによる良好なる再生信号が得られるようにこの
位相差Δφ（絶対値）が十分に大きく、好ましくは、１
８０°程度になるように設定されている。
モルファス相記録マークからの反射率Ｒａが結晶相から
の反射率Ｒｃよりも大きく設定され（Ｒａ≧Ｒｃ）、結
晶相の吸収率Ａｃがアモルファス相記録マークの吸収率
Ａａよりも大きく設定され（Ａｃ＞Ａａ）、さらに、位
相差Δφによる良好なる再生信号が得られるようにこの
位相差Δφ（絶対値）が十分に大きく、好ましくは、１
８０°程度になるように設定されている。
【００１９】結晶相の吸収率Ａｃがアモルファス相記録
マークの吸収率Ａａよりも大きく設定されていることに
より、基本的に、吸収率制御がなされ、加えて、位相差
Δφが十分に大きいので、位相差Δφによる良好なる再
生信号が得られる。この場合、位相差の絶対値｜Δφ｜
は１２０°＜｜Δφ｜＜２４０°なる範囲に設定すれば
良好なる再生信号が得られるが、特に、｜Δφ｜＝１８
０°とした場合には、光の干渉効果により、再生信号が
最も強くなり、効果的な位相差再生が可能となる。
マークの吸収率Ａａよりも大きく設定されていることに
より、基本的に、吸収率制御がなされ、加えて、位相差
Δφが十分に大きいので、位相差Δφによる良好なる再
生信号が得られる。この場合、位相差の絶対値｜Δφ｜
は１２０°＜｜Δφ｜＜２４０°なる範囲に設定すれば
良好なる再生信号が得られるが、特に、｜Δφ｜＝１８
０°とした場合には、光の干渉効果により、再生信号が
最も強くなり、効果的な位相差再生が可能となる。
【００２０】また、吸収率自体によらず、アモルファス
相記録マークからの反射率Ｒａを結晶相からの反射率Ｒ
ｃよりも大きく設定することによっても、吸収率制御を
同様に行わせることができる。
相記録マークからの反射率Ｒａを結晶相からの反射率Ｒ
ｃよりも大きく設定することによっても、吸収率制御を
同様に行わせることができる。
【００２１】例えば、ＡｇＩｎＳｂＴｅによる記録層１
４の膜厚を１７ｎｍ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2 による第２誘電
体層１５の膜厚を２５ｎｍ、Ａｌ‐Ｔｉ合金による反射
層１６の膜厚を１００ｎｍとした場合、図１に示す特性
によれば、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2による第１誘電体層１３の
膜厚を３０〜８０ｎｍ又は１６０〜２３０ｎｍ程度にし
た場合に、上記の条件（Ｒａ≧Ｒｃ又はＡｃ＞Ａａ，１
２０°＜｜Δφ｜＜２４０°）をほぼ満足することにな
る。
４の膜厚を１７ｎｍ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2 による第２誘電
体層１５の膜厚を２５ｎｍ、Ａｌ‐Ｔｉ合金による反射
層１６の膜厚を１００ｎｍとした場合、図１に示す特性
によれば、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2による第１誘電体層１３の
膜厚を３０〜８０ｎｍ又は１６０〜２３０ｎｍ程度にし
た場合に、上記の条件（Ｒａ≧Ｒｃ又はＡｃ＞Ａａ，１
２０°＜｜Δφ｜＜２４０°）をほぼ満足することにな
る。
【００２２】より一般的に、ＡｇＩｎＳｂＴｅによる記
録層１４の膜厚を１０〜２５ｎｍ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2 に
よる第２誘電体層１５の膜厚を１８〜３０ｎｍ、Ａｌ‐
Ｔｉ合金による反射層１６の膜厚を６０〜１５０ｎｍと
し、かつ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2による第１誘電体層１３の
膜厚を３０〜８０ｎｍ又は１６０〜２３０ｎｍ程度に形
成した場合に、位相差の絶対値｜Δφ｜が、１２０°＜
｜Δφ｜＜２４０°を満足したものである。また、この
ような条件下では、アモルファス相記録マークの反射率
Ｒａが結晶相の反射率Ｒｃよりも大きくなり、同時に、
結晶相の吸収率Ａｃがアモルファス相記録マークの吸収
率Ａａよりも大きい状態が実現されたものである。
録層１４の膜厚を１０〜２５ｎｍ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2 に
よる第２誘電体層１５の膜厚を１８〜３０ｎｍ、Ａｌ‐
Ｔｉ合金による反射層１６の膜厚を６０〜１５０ｎｍと
し、かつ、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2による第１誘電体層１３の
膜厚を３０〜８０ｎｍ又は１６０〜２３０ｎｍ程度に形
成した場合に、位相差の絶対値｜Δφ｜が、１２０°＜
｜Δφ｜＜２４０°を満足したものである。また、この
ような条件下では、アモルファス相記録マークの反射率
Ｒａが結晶相の反射率Ｒｃよりも大きくなり、同時に、
結晶相の吸収率Ａｃがアモルファス相記録マークの吸収
率Ａａよりも大きい状態が実現されたものである。
【００２３】
【実施例】上記のような実施の形態に基づく本発明の一
実施例を図２及び図３を参照して説明する。まず、トラ
ック（案内溝）が形成された清浄なポリカーボネートに
よる透明基板１２上に、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2 による膜厚１
９０ｎｍの第１誘電体層１３、ＡｇＩｎＳｂＴｅによる
膜厚１７ｎｍの記録層１４、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2 による膜
厚２５ｎｍの第２誘電体層１５、Ａｌ‐Ｔｉ合金による
膜厚１００ｎｍの反射層１６を順次スパッタリング法に
より積層形成し、反射層１６の表面に紫外線硬化樹脂を
スピンコートすることにより保護層１７を形成して相変
化型光記録媒体１１を形成し、かつ、初期化処理を行っ
た。
実施例を図２及び図３を参照して説明する。まず、トラ
ック（案内溝）が形成された清浄なポリカーボネートに
よる透明基板１２上に、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2 による膜厚１
９０ｎｍの第１誘電体層１３、ＡｇＩｎＳｂＴｅによる
膜厚１７ｎｍの記録層１４、ＺｎＳ‐ＳｉＯ2 による膜
厚２５ｎｍの第２誘電体層１５、Ａｌ‐Ｔｉ合金による
膜厚１００ｎｍの反射層１６を順次スパッタリング法に
より積層形成し、反射層１６の表面に紫外線硬化樹脂を
スピンコートすることにより保護層１７を形成して相変
化型光記録媒体１１を形成し、かつ、初期化処理を行っ
た。
【００２４】このようにして作製された相変化型光記録
媒体１１に関して、線速８ｍ／ｓで回転させ、トラック
上に４０ＭＨｚの信号をオーバライトした。この時の光
学系はレーザ光の波長λ＝６３５ｎｍ、対物レンズの開
口数ＮＡ＝０．６、レーザパワーは、消去パワーＰｅ＝
６ｍＷ、記録パワーＰｗ＝１２ｍＷとして図３に示すよ
うなパルス状の記録波形とした（Ｐｂはバイアスパワー
を示す）。このような記録を行ったところ、オーバライ
ト時の再生信号のジッタが、初期時のジッタと同程度に
収まったものであり、良好なるオーバライト・ジッタ特
性となったことが確認されたものである。このように初
期時はもちろんオーバライト時についても再生時のジッ
タの問題が解消されるため、高密度記録化を支障なく実
現することができる。
媒体１１に関して、線速８ｍ／ｓで回転させ、トラック
上に４０ＭＨｚの信号をオーバライトした。この時の光
学系はレーザ光の波長λ＝６３５ｎｍ、対物レンズの開
口数ＮＡ＝０．６、レーザパワーは、消去パワーＰｅ＝
６ｍＷ、記録パワーＰｗ＝１２ｍＷとして図３に示すよ
うなパルス状の記録波形とした（Ｐｂはバイアスパワー
を示す）。このような記録を行ったところ、オーバライ
ト時の再生信号のジッタが、初期時のジッタと同程度に
収まったものであり、良好なるオーバライト・ジッタ特
性となったことが確認されたものである。このように初
期時はもちろんオーバライト時についても再生時のジッ
タの問題が解消されるため、高密度記録化を支障なく実
現することができる。
【００２５】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、透明基板
上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層が順
次積層形成され、前記記録層がレーザ光の照射を受けて
結晶相とアモルファス相との間で可逆的相変化を生ずる
ことにより情報が記録又は消去される相変化型光情報記
録媒体において、アモルファス相記録マークからの反射
光の位相をφａ、結晶相からの反射光の位相をφｃとし
たとき、両者間の位相差Δφ（＝φａ−φｃ）の絶対値
が、２４０°＞｜Δφ｜＞１２０°なる関係を満たすよ
うに設定したので、位相差による再生信号を大きくとる
ことができ、かつ、吸収率制御により結晶相とアモルフ
ァス相記録マークとの吸収率が同程度か結晶相のほうが
大きいので、オーバライト時の記録マークの形状歪を抑
えることができ、よって、再生信号のジッタを抑制し得
ることとなり、結果として、高密度記録化を支障なく実
現させることができる。
上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層が順
次積層形成され、前記記録層がレーザ光の照射を受けて
結晶相とアモルファス相との間で可逆的相変化を生ずる
ことにより情報が記録又は消去される相変化型光情報記
録媒体において、アモルファス相記録マークからの反射
光の位相をφａ、結晶相からの反射光の位相をφｃとし
たとき、両者間の位相差Δφ（＝φａ−φｃ）の絶対値
が、２４０°＞｜Δφ｜＞１２０°なる関係を満たすよ
うに設定したので、位相差による再生信号を大きくとる
ことができ、かつ、吸収率制御により結晶相とアモルフ
ァス相記録マークとの吸収率が同程度か結晶相のほうが
大きいので、オーバライト時の記録マークの形状歪を抑
えることができ、よって、再生信号のジッタを抑制し得
ることとなり、結果として、高密度記録化を支障なく実
現させることができる。
【００２６】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の相変化型光記録媒体において、アモルファス相記録
マークの吸収率をＡａ、結晶相の吸収率をＡｃとしたと
き、Ａｃ＞Ａａなる関係を満たすように設定したので、
オーバライト時の記録マークの形状歪の発生をより効果
的に抑制することができ、よって、再生信号のジッタを
一層抑制し得ることとなり、結果として、高密度記録化
を支障なく実現させることができる。
載の相変化型光記録媒体において、アモルファス相記録
マークの吸収率をＡａ、結晶相の吸収率をＡｃとしたと
き、Ａｃ＞Ａａなる関係を満たすように設定したので、
オーバライト時の記録マークの形状歪の発生をより効果
的に抑制することができ、よって、再生信号のジッタを
一層抑制し得ることとなり、結果として、高密度記録化
を支障なく実現させることができる。
【００２７】請求項３記載の発明によれば、請求項１記
載の相変化型光記録媒体において、アモルファス相記録
マークからの反射率をＲａ、結晶相からの反射率をＲｃ
としたとき、Ｒａ≧Ｒｃなる関係を満たすように設定し
たので、反射率の大小関係によっても、吸収率制御を行
うことができ、オーバライト時の記録マークの形状歪の
発生をより効果的に抑制することができ、よって、再生
信号のジッタを一層抑制し得ることとなり、結果とし
て、高密度記録化を支障なく実現させることができる。
載の相変化型光記録媒体において、アモルファス相記録
マークからの反射率をＲａ、結晶相からの反射率をＲｃ
としたとき、Ｒａ≧Ｒｃなる関係を満たすように設定し
たので、反射率の大小関係によっても、吸収率制御を行
うことができ、オーバライト時の記録マークの形状歪の
発生をより効果的に抑制することができ、よって、再生
信号のジッタを一層抑制し得ることとなり、結果とし
て、高密度記録化を支障なく実現させることができる。
【００２８】請求項４記載の発明によれば、請求項１，
２又は３記載の相変化型光記録媒体において、位相差Δ
φの絶対値が、｜Δφ｜＝１８０°であるので、位相差
による再生信号を最大にすることができ、オーバライト
時の記録マークの形状歪を確実になくし、よって、再生
信号のジッタを一層抑制し得ることとなり、結果とし
て、高密度記録化を支障なく実現させることができる。
２又は３記載の相変化型光記録媒体において、位相差Δ
φの絶対値が、｜Δφ｜＝１８０°であるので、位相差
による再生信号を最大にすることができ、オーバライト
時の記録マークの形状歪を確実になくし、よって、再生
信号のジッタを一層抑制し得ることとなり、結果とし
て、高密度記録化を支障なく実現させることができる。
【００２９】請求項５記載の発明によれば、請求項１，
２，３又は４記載の相変化型光記録媒体において、第１
誘電体層及び第２誘電体層はＺｎＳ‐ＳｉＯ2 により形
成され、記録層はＡｇＩｎＳｂＴｅにより形成され、反
射層はＡｌ‐Ｔｉ合金により形成されているので、各層
の材料の適正化により消去特性に優れ、かつ、吸収率制
御を受け得る特性を持たせることができ、よって、オー
バライト時の記録マークの形状歪を確実になくして、再
生信号のジッタも確実に抑制し得ることとなり、結果と
して、高密度記録化を支障なく実現させることができ
る。
２，３又は４記載の相変化型光記録媒体において、第１
誘電体層及び第２誘電体層はＺｎＳ‐ＳｉＯ2 により形
成され、記録層はＡｇＩｎＳｂＴｅにより形成され、反
射層はＡｌ‐Ｔｉ合金により形成されているので、各層
の材料の適正化により消去特性に優れ、かつ、吸収率制
御を受け得る特性を持たせることができ、よって、オー
バライト時の記録マークの形状歪を確実になくして、再
生信号のジッタも確実に抑制し得ることとなり、結果と
して、高密度記録化を支障なく実現させることができ
る。
【００３０】請求項６記載の発明によれば、請求項５記
載の相変化型光記録媒体において、第１誘電体層の膜厚
を１６０〜２３０ｎｍ又は３０〜８０ｎｍとし、記録層
の膜厚を１０〜２５ｎｍとし、第２誘電体層の膜厚を１
８〜３０ｎｍとし、反射層の膜厚を６０〜１５０ｎｍと
したので、各層の膜厚の適正化により吸収率制御を確保
しつつ位相差の絶対値｜Δφ｜も大きくとることがで
き、オーバライト時の記録マークの形状歪を確実になく
して、再生信号のジッタも確実に抑制し得ることとな
り、結果として、高密度記録化を支障なく実現させるこ
とができる。
載の相変化型光記録媒体において、第１誘電体層の膜厚
を１６０〜２３０ｎｍ又は３０〜８０ｎｍとし、記録層
の膜厚を１０〜２５ｎｍとし、第２誘電体層の膜厚を１
８〜３０ｎｍとし、反射層の膜厚を６０〜１５０ｎｍと
したので、各層の膜厚の適正化により吸収率制御を確保
しつつ位相差の絶対値｜Δφ｜も大きくとることがで
き、オーバライト時の記録マークの形状歪を確実になく
して、再生信号のジッタも確実に抑制し得ることとな
り、結果として、高密度記録化を支障なく実現させるこ
とができる。
【図１】本発明の一実施の形態における第１誘電体層の
厚さ‐反射率、吸収率及び位相差の関係を示す特性図で
ある。
厚さ‐反射率、吸収率及び位相差の関係を示す特性図で
ある。
【図２】相変化型光記録媒体を示す概略断面構造図であ
る。
る。
【図３】本発明の一実施例に用いたレーザビームの記録
波形図である。
波形図である。
【図４】従来例の相変化型光記録媒体を示す概略断面構
造図である。
造図である。
【図５】そのオーバライト時の欠点を示す説明図であ
る。
る。
１２ 透明基板 １３ 第１誘電体層 １４ 記録層 １５ 第２誘電体層 １６ 反射層
フロントページの続き (72)発明者 篠塚 道明 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板上に第１誘電体層、記録層、第
２誘電体層、反射層が順次積層形成され、前記記録層が
レーザ光の照射を受けて結晶相とアモルファス相との間
で可逆的相変化を生ずることにより情報が記録又は消去
される相変化型光情報記録媒体において、 アモルファス相記録マークからの反射光の位相をφａ、
結晶相からの反射光の位相をφｃとしたとき、両者間の
位相差Δφ（＝φａ−φｃ）の絶対値が、 ２４０°＞｜Δφ｜＞１２０° なる関係を満たすように設定されていることを特徴とす
る相変化型光記録媒体。 - 【請求項２】 アモルファス相記録マークの吸収率をＡ
ａ、結晶相の吸収率をＡｃとしたとき、 Ａｃ＞Ａａ なる関係を満たすように設定されていることを特徴とす
る請求項１記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項３】 アモルファス相記録マークからの反射率
をＲａ、結晶相からの反射率をＲｃとしたとき、 Ｒａ≧Ｒｃ なる関係を満たすように設定されていることを特徴とす
る請求項１記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項４】 位相差Δφの絶対値が、 ｜Δφ｜＝１８０° であることを特徴とする請求項１，２又は３記載の相変
化型光記録媒体。 - 【請求項５】 第１誘電体層及び第２誘電体層はＺｎＳ
‐ＳｉＯ2 により形成され、記録層はＡｇＩｎＳｂＴｅ
により形成され、反射層はＡｌ‐Ｔｉ合金により形成さ
れていることを特徴とする請求項１，２，３又は４記載
の相変化型光記録媒体。 - 【請求項６】 第１誘電体層の膜厚が１６０〜２３０ｎ
ｍ又は３０〜８０ｎｍであり、記録層の膜厚が１０〜２
５ｎｍであり、第２誘電体層の膜厚が１８〜３０ｎｍで
あり、反射層の膜厚が６０〜１５０ｎｍであることを特
徴とする請求項５記載の相変化型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9189846A JPH1139722A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 相変化型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9189846A JPH1139722A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 相変化型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1139722A true JPH1139722A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16248187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9189846A Pending JPH1139722A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 相変化型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1139722A (ja) |
-
1997
- 1997-07-15 JP JP9189846A patent/JPH1139722A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050208 |