JPH113964A - リードフレーム用条材及びその製造方法 - Google Patents

リードフレーム用条材及びその製造方法

Info

Publication number
JPH113964A
JPH113964A JP9153662A JP15366297A JPH113964A JP H113964 A JPH113964 A JP H113964A JP 9153662 A JP9153662 A JP 9153662A JP 15366297 A JP15366297 A JP 15366297A JP H113964 A JPH113964 A JP H113964A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
lead frame
strip material
bonding wire
fine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9153662A
Other languages
English (en)
Inventor
Muneo Kodaira
宗男 小平
Toshinori Ozaki
敏範 尾崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP9153662A priority Critical patent/JPH113964A/ja
Publication of JPH113964A publication Critical patent/JPH113964A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48455—Details of wedge bonds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ボンディング条件の不可避的な変動にかかわ
らず、安定してボンディングワイヤと強固な接合が得ら
れ、工業的に歩留まりの大幅な向上を図る。 【解決手段】 本発明のリードフレーム用条材は、リー
ドフレームに形成された際にボンディングワイヤ１２が
接合される部分に微細溝１０が設けられた。本発明の製
造方法は、予め微細溝１０を形成し、少なくとも微細溝
１０が形成された部分に圧延又はメッキを施す。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップにボ
ンディングワイヤーを介して接続されるリードフレーム
用条材及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】リードフレーム用条材は、板材の圧延と
焼鈍とを複数回繰り返して得られた圧延材に、プレスに
よりスリットを打ち抜き、表面についた油脂や汚れを洗
浄することにより製造される。この後、表面に３μｍ程
度の厚さのニッケルメッキを施し、スタンピングによ
り、図４に示すようにインナーリード２が放射状に形成
されたリードフレーム１に加工される。
【０００３】リードフレーム１の中央部には半導体チッ
プ３が接着され、この半導体チップ３とインナーリード
２との間は電気的に接続される。インナーリードと半導
体チップとの接続方法には、フリップチップ方式や、テ
ープキャリア方式、ビームリード方式等が用いられる
が、比較的古くから行われているボンディングワイヤで
接続するワイヤボンド方式が今でも主流である。
【０００４】このワイヤボンド方式としては、金製のボ
ンディングワイヤを用いる金ワイヤ方式と、アルミニウ
ム製のボンディングワイヤを用いるアルミワイヤ方式と
がある。
【０００５】金ワイヤ方式は、ボンディングワイヤの先
端を加熱することにより溶融し自らの表面張力によりボ
ールを形成させ、このボールを半導体チップ上のアルミ
電極に押し付けて、金をアルミ電極に拡散させて接合す
るものである。リードフレーム１のインナーリード２と
ボンディングワイヤの他端との接合には、リードフレー
ム１のインナーリードにボンディングワイヤの他端を押
し付けることによりボンディングワイヤの変形により両
者を接合する、いわゆるウエッジボンディングを採用し
ている。
【０００６】アルミワイヤ方式においては、ボンディン
グワイヤを加熱溶解しても溶融ボールを形成することが
できないので、半導体チップ３とインナーリード２との
接続の双方に超音波振動エネルギを利用したウエッジボ
ンディング方式が採用されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエッジボ
ンディングはボンディングワイヤの変形によって接合す
るものであるが、ボンディングエネルギとして超音波振
動エネルギを利用するものであるので、ボンディング条
件の制御を微妙にしなければならず、ボンディングワイ
ヤを熱で溶解して圧着するボンディング方法に比べて、
高度な技術が必要である。
【０００８】すなわち、リードフレームの表面性状やメ
ッキ膜の形態やこれらの表面の汚染状況、不可避のボン
ディング条件の変動などの様々な影響因子の複雑な関与
によりボンディングワイヤとリードフレームとの接合強
度が変化してしまうので、安定して強固な接合強度を得
ることができないという解決すべき問題があった。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、ボンディング条件の不可避的な変動にかかわらず、
安定してボンディングワイヤと強固な接合が得られ、工
業的に歩留まりの大幅な向上を図ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
用条材は、リードフレームに加工された際にボンディン
グワイヤが接合される部分に微細溝が設けられたことを
特徴とする。
【００１１】前記微細溝が複数列形成されていてもよ
い。
【００１２】前記微細溝の深さが１μｍ以上３０μｍ未
満であり、その溝幅が１μｍ以上２００μｍ未満である
ことが好ましい。
【００１３】前記微細溝が複数列形成されたものでは、
各微細溝の配置ピッチが２μｍ以上４００μｍ未満であ
ることが好ましい。
【００１４】前記微細溝の一部にオーバーハングした部
分を有することが好ましい。
【００１５】本発明のリードフレーム用条材の製造方法
は、リードフレームに加工された際にボンディングワイ
ヤが接合される部分に微細溝を形成するリードフレーム
用条材の製造方法であって、予め微細溝を形成し、少な
くとも微細溝が形成された部分に圧延を施したことを特
徴とする。
【００１６】本発明のリードフレーム用条材の他の製造
方法は、リードフレームに加工された際にボンディング
ワイヤが接合される部分に微細溝を形成するリードフレ
ーム用条材の製造方法であって、予め微細溝を形成し、
少なくとも微細溝が形成された部分にメッキを施したこ
とを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の一形態のリ
ードフレーム用条材及びその製造方法について説明す
る。
【００１８】本リードフレーム用条材の製造方法は、上
記従来の技術で示したものと本質的に異なるものではな
い。すなわち、リードフレーム用条材は、例えば銅又は
銅合金製の板材の圧延と焼鈍とを複数回繰り返して得ら
れた圧延材に、プレスによりスリットを打ち抜き、表面
についた油脂や汚れを洗浄することにより製造される。
【００１９】本製造方法では、上記圧延工程又は洗浄工
程で条材に鋭利な突起物を当てながら条材を移動させ、
図１に示すように条材１１に長手方向に連続する微細溝
１０を形成する。この微細溝１０の形成する部位は、リ
ードフレーム１に加工した際にそのインナーリード２の
機能面となる部分に対応した部分とする。微細溝１０の
深さＦが１μｍ以上３０μｍ未満であり、その溝幅Ｈが
１μｍ以上２００μｍ未満となるように突起物の先端形
状及び押し付け量が調整される。ここで、ボンディング
されるボンディングワイヤの直径ｄを１２５μｍである
ので、微細溝１０の深さＦは０．００８ｄ以上０．２４
ｄ未満であり、その溝幅Ｈが０．００８以上１．６ｄ未
満となる。
【００２０】この後、スタンピングにより、図４に示す
ようにインナーリード２が放射状に形成されたリードフ
レーム１に加工される。さらに、リードフレーム１の中
央部には半導体チップ３が接着され、この半導体チップ
３とインナーリード２との間はボンディングワイヤ１２
により電気的に接続される。
【００２１】本製造方法によれば、突起物を押し付ける
といった簡単な操作で微細溝１０を連続して形成するこ
とができ、従来品と同等の原価ですみコスト増大を招く
ことがない。
【００２２】本発明の製造方法を用いて製造されたリー
ドフレーム用条材から加工されたリードフレーム１のイ
ンナーリード２にボンディングワイヤ１２をウエッジボ
ンディングすると、ボンディングワイヤ１２が微細溝１
０内に侵入し、主としてアンカー効果により接合強度が
増大する。この接合強度はボンディング条件が多少変動
してもほぼ一定の接合強度を得ることができる。したが
って、接合不良が非常に少なくなり、工業的に歩留まり
を大幅に向上させることができる。さらには、短時間で
のボンディングで所定の接合強度を得ることができ、超
音波の付加時間の短縮ができ、ボンディングの高速化、
生産性の向上を図ることができる。
【００２３】微細溝１０はその深さＦが１μｍ以上３０
μｍ未満であり、その溝幅Ｈが１μｍ以上２００μｍ未
満としているので、ボンディングワイヤ１２の接合強度
を良好にすることができる。これは、溝深さＦが１μｍ
以下では十分なアンカー効果が得られず、３０μｍ以上
では、ボンディングワイヤ１２が微細溝１０の底部まで
到達せずに空隙が生じてしまい、十分な接合強度が得ら
れず、溝幅Ｈが１μｍ以下では、同様にアンカー効果が
得られず、２００μｍ以上ではボンディング部の長さと
ほぼ同等となり接合部が微細溝に入ってしまうことにな
るからであると考察される。
【００２４】なお、上記実施の形態の製造方法では先端
先鋭の突起物を搬送される条材に押し当てることで連続
した微細溝１０を形成するようにしているが、条材を圧
延する圧延ロールに鋭利な凸条を形成し、圧延工程で条
材の表面に微細溝１０を転写するようにしてもよい。さ
らに、条材をスタンピングによりリードフレームの形状
に打ち抜く際にスタンピングと同時に微細溝をプレス形
成するようにしてもよい。
【００２５】また、微細溝１０は１本であっても複数本
であってもよい。複数本の微細溝１０を形成するもので
は互いに平行に形成することが好ましい。このように複
数本の微細溝１０を形成したものでは、ワイヤボンディ
ングの際にボンディングワイヤ１２の接合位置が多少ず
れても、ボンディングワイヤ１２を微細溝１０のいずれ
かと遭遇させることができるので、ワイヤボンディング
の位置制御を厳密に行う必要がなくなり作業の容易化を
図ることができる。ボンディングワイヤ１２の太さやボ
ンディング位置精度を考慮すると、接合強度を向上させ
る面からは複数の微細溝１０の配置ピッチは２μｍ以上
４００μｍ未満であることが好ましい。配置ピッチは各
微細溝１０の中心間の距離をいい、ボンディングワイヤ
１２の直径ｄを１２５μｍであるので、配置ピッチは
０．０１６ｄ以上３．２ｄ未満である。
【００２６】また、上記実施の形態では矩形状の微細溝
１０を形成した場合について説明したが、図２に示すよ
うなオーバーハング部１４を有する微細溝１３を形成す
るようにしてもよいし、さらには図３に示すような底部
の溝幅Ｈ１よりも開口部の溝幅Ｈ２が小さな台形状の微
細溝１５を形成するようにしてもよい。
【００２７】このような断面形状の微細溝１３、１５を
形成する方法としては、例えば、微細溝１３、１５の断
面形状に対応した先端部を有する突起物を条材に食い込
ませる方法がある。他の方法としては、図１に示すよう
な矩形状の微細溝１０を形成した条材に少なくとも１回
の圧延を施すことにより微細溝１０を潰す方法も採用す
ることができる。更に他の方法としては、矩形状の微細
溝１０が形成された条材にメッキを施すと、微細溝１０
の開口縁部に集中して電流が流れて当該部分に優先的に
メッキ層が形成されることを利用して、メッキを過度に
施すことにより開口縁部に厚めにメッキ層を形成させる
ようにしてもよい。
【００２８】このように、オーバーハング部１４を有す
る微細溝１３や台形状の微細溝１５が形成されたリード
フレームの微細溝１３、１５にボンディングワイヤ１２
をボンディングすると、ボンディングワイヤ１２が微細
溝１３、１５にめり込んで充填されて接合される。この
場合には、オーバーハング部１４や狭い開口部によりア
ンカー効果を高めることができ、非常に大きな接合強度
を得ることができる。
【００２９】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。
【００３０】無酸素銅の板材に先端形状の異なるピンや
カッターナイフで微細溝を形成し、３μｍの厚さのニッ
ケルメッキを施してサンプル板を形成した。アルミニウ
ム製のボンディングワイヤの一端を微細溝が形成された
部分の近傍であって微細溝の形成されていない平坦面に
ボンディングし（以下、1st Bonding という。）、次い
でボンディングワイヤの他端を微細溝の上にボンディン
グして（以下、2nd Bonding という。）、ボンディング
ワイヤのループを形成した。これらのボンディングは、
条件が悪い方に変動した場合を想定して、以下のような
比較的接合し難い条件で行った。
【００３１】 ボンディング装置：Kulicke and Soffa 社製 ウエッジボンダModel 4127 ボンディング条件： ボンディングワイヤ：Al 125μｍφ ループ ：8.0mm(ループ高さ2mm ループ長さ4mm) ボンディング力（以下単位は装置目盛り） 1st Bonding ：0.5 2nd Bonding ：0.5 ボンディング時間： 1st Bonding ：1.0 2nd Bonding ：1.0 ボンディングパワー： 1st Bonding ：0.2 2nd Bonding ：0.2 次に、ボンディングワイヤと板材との接合強度を試験し
た。この試験はボンディングワイヤのループの中央部を
ボンディングワイヤの剥離する方向に引張ることにより
行った。引張試験には、ハイマックス社製Think MTS550
を用い、引張速度0.508mm/sec で行った。
【００３２】ここで、引張試験におけるボンディングワ
イヤの剥離が、1st Bonding 位置と2nd Bonding 位置と
で等しく起これば、両位置での接合強度は等しいと推定
することができ、どちらかに偏りがあれば剥離数の少な
い方が接合強度が大きいと推定することができる。
【００３３】表１に、上記引張試験の結果、ボンディン
グワイヤの剥離又は切断した位置とその数についてに示
す。表中の「1st Bonding 」とは1st Bonding 位置で剥
離した場合を示し、「2nd Bonding 」とは2nd Bonding
位置で剥離した場合を示し、「ネック」とはループの途
中で破断した場合を示し、「ループ」とは引張試験で引
張荷重を作用させたループの中央部で破断した場合を示
す。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１に示すように、溝深さ３０μｍ未満、
溝幅２００μｍ未満では、2nd Bonding （本発明の実施
例）位置の接合強度が1st Bonding （比較例）位置の接
合強度よりも大きくなっていることがわかる。
【００３６】なお、複数本の微細溝を設けた場合の接合
強度の影響について確認するために、試料Ｎｏ．２と同
一形状の微細溝を２０μｍの配置ピッチで平行に１０本
形成し、微細溝が形成された部位にボンディングを行
い、同様な引張試験を行った。1st Bonding 位置におい
て８９個が破断し2nd Bonding 位置においてはまったく
破断がなかった。これにより、複数の微細溝が形成され
ているものは、単一の微細溝が形成されたものに比べて
更に高い接合強度を有することがわかる。
【００３７】さらに、次のような別の引張試験を行っ
た。表面に微細溝を形成した板材の当該微細溝の部分に
上記ボンディング条件と同一の条件でアルミニウム製の
ボンディングワイヤをループ状にボンディングしループ
の中央部を切断し、2nd Bonding 位置側のボンディング
ワイヤを上記引張試験条件と同一の条件で板材の板面と
垂直に引張試験を行った。引張試験の結果、ボンディン
グワイヤの剥離又は切断した位置とその数についてに示
す。表中の「界面」とはボンディングワイヤの接合面で
剥離した場合を示す。
【００３８】
【表２】
【００３９】表２に示すように、図３に示すような微細
溝の一部にオーバーハングした部分を有する場合には、
ボンディングワイヤの接合界面での破断は非常に少なく
なり、ボンディングワイヤと板材との接合強度が向上し
ていることがわかる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、ボンデ
ィング条件の不可避的な変動にかかわらず、安定してボ
ンディングワイヤと強固な接合が得られ、工業的に歩留
まりの大幅な向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態のリードフレーム用条材
を用いて製造したリードフレームにウエッジボンディン
グした部分の拡大断面図である。
【図２】本発明の実施の他の形態のリードフレーム用条
材の拡大断面図である。
【図３】本発明の実施の他の形態のリードフレーム用条
材の拡大断面図である。
【図４】本発明の実施の形態のリードフレーム用条材が
適用されるリードフレームの一例を示す図である。
【符号の説明】
１０、１３、１５ 微細溝 １１ 条材 １２ ボンディングワイヤ １４ オーバーハング部

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレームに加工された際にボンデ
    ィングワイヤが接合される部分に微細溝が設けられたこ
    とを特徴とするリードフレーム用条材。
  2. 【請求項２】 前記微細溝が複数列形成された請求項１
    記載のリードフレーム用条材。
  3. 【請求項３】 前記微細溝の深さが１μｍ以上３０μｍ
    未満であり、その溝幅が１μｍ以上２００μｍ未満であ
    る請求項１又は２記載のリードフレーム用条材。
  4. 【請求項４】 前記微細溝の配置ピッチが２μｍ以上４
    ００μｍ未満であることを特徴とする請求項２又は３記
    載のリードフレーム用条材。
  5. 【請求項５】 前記微細溝の一部にオーバーハングした
    部分を有する請求項１〜４のいずれかに記載のリードフ
    レーム用条材。
  6. 【請求項６】 リードフレームに加工された際にボンデ
    ィングワイヤが接合される部分に微細溝を形成するリー
    ドフレーム用条材の製造方法であって、予め微細溝を形
    成し、少なくとも微細溝が形成された部分に圧延を施し
    たことを特徴とするリードフレーム用条材の製造方法。
  7. 【請求項７】 リードフレームに加工された際にボンデ
    ィングワイヤが接合される部分に微細溝を形成するリー
    ドフレーム用条材の製造方法であって、予め微細溝を形
    成し、少なくとも微細溝が形成された部分にメッキを施
    したことを特徴とするリードフレーム用条材の製造方
    法。
JP9153662A 1997-06-11 1997-06-11 リードフレーム用条材及びその製造方法 Pending JPH113964A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9153662A JPH113964A (ja) 1997-06-11 1997-06-11 リードフレーム用条材及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9153662A JPH113964A (ja) 1997-06-11 1997-06-11 リードフレーム用条材及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH113964A true JPH113964A (ja) 1999-01-06

Family

ID=15567449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9153662A Pending JPH113964A (ja) 1997-06-11 1997-06-11 リードフレーム用条材及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH113964A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008155726A2 (en) * 2007-06-21 2008-12-24 Nxp B.V. A carrier for electric packages and a method of structuring a carrier
JP2011145129A (ja) * 2010-01-13 2011-07-28 Denso Corp 力学量センサ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008155726A2 (en) * 2007-06-21 2008-12-24 Nxp B.V. A carrier for electric packages and a method of structuring a carrier
WO2008155726A3 (en) * 2007-06-21 2009-03-05 Nxp Bv A carrier for electric packages and a method of structuring a carrier
JP2011145129A (ja) * 2010-01-13 2011-07-28 Denso Corp 力学量センサ
US8578774B2 (en) 2010-01-13 2013-11-12 Denso Corporation Physical quantity sensor including bonding wire with vibration isolation performance characteristics

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2953424B2 (ja) フェイスダウンボンディング用リードフレーム
US3747198A (en) Tailless wedge bonding of gold wire to palladium-silver cermets
JP5899907B2 (ja) ワイヤボンディング用のウェッジツール、ボンディング装置、ワイヤボンディング方法、および半導体装置の製造方法
KR101638676B1 (ko) 워터폴 와이어 본딩
JP2006013512A (ja) ワイヤボンディング用キャピラリ
US6199743B1 (en) Apparatuses for forming wire bonds from circuitry on a substrate to a semiconductor chip, and methods of forming semiconductor chip assemblies
GB2261547A (en) Semiconductor device with bonding pads at the edge
JPH113964A (ja) リードフレーム用条材及びその製造方法
JPH10261664A (ja) 半導体素子、突起電極の形成方法およびワイヤボンディング方法
JPH05267385A (ja) ワイヤーボンディング装置
JP3202193B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH04334035A (ja) 半田ワイヤとそのワイヤを使用した半田バンプの形成方法
JP2012222316A (ja) 熱圧着用ヒーターチップ、及び、熱圧着方法
JP3695578B2 (ja) 電子部品のリード切断装置及びリード切断方法
JPH0748507B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH0645497A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH10261645A (ja) 半導体素子、突起電極の形成方法およびワイヤボンディング方法
JP2761922B2 (ja) ワイヤボンディング方法および装置
JPH09312373A (ja) リードフレームのインナーリード先端構造及びその加工方法
JPH04363039A (ja) 接合強度の大きい複合リードフレームの製造方法
JPH02163951A (ja) キャピラリチップと半導体装置のワイヤボンド方法
JPH07263477A (ja) 被覆ボンディング細線接合用キャピラリー
JPH04101426A (ja) 金属突起物の形成方法
JP3987164B2 (ja) Ｉｃ ｐａｄ上への突起電極の形成方法
JPH09330944A (ja) ワイヤボンディング方法