JPH1138446A - 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 第１電極につながる配線に改良を加えること
によってその第１電極の上に形成される酸化膜の膜質を
均一化し、もって、液晶表示装置の表示品質に関してコ
ントラストを均一にする。 【解決手段】 ＭＩＭ素子の第１電極１１につながる配
線４を、予め、目標線幅Ｗn よりも太い線幅Ｗf で形成
し（工程Ｐ４）、その太い線幅の配線４を使って第１電
極１１の上に陽極酸化膜１２を積層し（工程Ｐ５）、そ
して、酸化膜１２が積層された配線４をエッチング等に
よって部分的に除去してその線幅を目標線幅Ｗn まで狭
くする（工程Ｐ６）。広い線幅Ｗf の配線４は抵抗値が
低く抵抗値分布も均一であるので、その配線４を用いて
第１電極１１に陽極酸化膜１２を形成すれば、マトリク
ス状に配列された第１電極１１の全ての膜質を均一に形
成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶の配向を制御
することで光を変調して文字等といった可視像を表示す
る液晶表示装置の製造方法に関する。また、その製造方
法によって製造される液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置には、個々の画素に非線形
素子を付設する形式のアクティブマトリクス方式の液晶
表示装置と、そのような非線形素子を用いない単純マト
リクス方式の液晶表示装置とがある。アクティブマトリ
クス方式の液晶表示装置では、非線形素子が形成された
素子基板とそれに対向する対向基板とを貼り合わせ、さ
らに両基板の間に形成されるセルギャップ内に液晶を封
入する。

【０００３】素子基板は多くの場合、図８に符号３ａで
示すように、１個の基板母材３の表面上に複数個、例え
ば６個形成される。今、ＭＩＭ（ Metal Insulator Met
al）方式の液晶表示装置で用いられる素子基板を例に挙
げて考えると、素子基板３ａは、一般に、次のようにし
て形成される。すなわち、透光性基板の表面上に配線及
び第１電極を一体に形成し、第１電極上に酸化膜（Insu
lator）を積層し、その酸化膜上に第２電極を積層し、
さらに、その第２電極の先端に重ねて画素電極を形成す
る。

【０００４】図８に示す状態は、透光性基板母材３の上
に配線４を形成した状態を示している。図には詳しく示
していないが、配線４にはその軸線方向に複数の第１電
極が同時に形成される。符号５は個々の配線４につなが
る共通配線を示している。各配線４を拡大すると、例え
ば図９に示す通りであり、第１電極１１は、配線４の適
所から張り出している。通常の液晶表示装置では、その
第１電極１１の上に酸化膜１２が重ねて形成され、さら
にその酸化膜１２の上に第２電極１３が重ねて形成さ
れ、これにより、アクティブ素子としてのＭＩＭ素子１
４が形成される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の製造方法におい
ては、配線４が初めから最終目標線幅である狭い線幅Ｗ
n ＝約１０μｍに形成されていた。そして、これらの狭
い配線４を有する基板母材３に対して陽極酸化処理を行
って第１電極１１及び必要に応じて配線４の上に酸化膜
１２を形成していた。

【０００６】しかしながら、この従来の製造方法を用い
て液晶表示装置を製造したところ、液晶表示装置の表示
領域内でコントラストが不均一になる現象が見受けられ
た。本発明者はこの原因を知るために種々の実験を行
い、配線４の線幅が大きな原因となっていることを知見
した。すなわち、従来の製造方法のように陽極酸化処理
を受ける配線４の線幅が狭いと、個々の配線４に関して
共通配線５に近い部分Ａと遠い部分Ｂとの間で配線４の
抵抗値が不均一になり、その結果、それらの配線４の軸
線方向に並べて設けられる複数の第１電極１１上に形成
される酸化膜１２の膜質がＡ部分からＢ部分へ至る間で
不均一になるからではないかと思われる。

【０００７】本発明は、上記の知見に基づいてなされた
ものであって、第１電極につながる配線に改良を加える
ことによってその第１電極の上に形成される酸化膜の膜
質を均一化し、もって、液晶表示装置の表示品質に関し
てコントラストを均一にすることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶表示装
置の製造方法は、（１）透光性基板上に非線形素子及び
画素電極を形成して素子基板を形成する素子基板形成工
程と、（２）透光性基板上に対向電極を形成して対向基
板を形成する対向基板形成工程と、（３）素子基板と対
向基板とをセルギャップを形成するように貼り合わせる
貼り合わせ工程と、そして、（４）セルギャップ内に液
晶を封入する液晶封入工程とを有する液晶表示装置の製
造方法である。そして、上記素子基板形成工程は、
（Ａ）非線形素子の第１電極につながる配線を形成する
工程と、（Ｂ）その配線及び第１電極の上に酸化膜を積
層する工程と、（Ｃ）酸化膜が積層された配線を酸化膜
と共に部分的に除去して線幅を狭くする工程とを有する
ことを特徴とする。

【０００９】この製造方法によれば、各配線の線幅が広
い状態、すなわち抵抗値が小さくて抵抗値分布も均一で
ある状態のときに陽極酸化処理を行うことができるの
で、陽極電圧の印加のための共通配線に近い部分にある
第１電極とそれから遠い部分にある第１電極との間で、
それらの上に形成される酸化膜の膜質を均一にできる。

【００１０】上記構成の液晶表示装置の製造方法に関し
ては、以下に述べる実施態様が考えられる。

【００１１】（第１実施態様）非線形素子は第１電極−
酸化膜−第２電極の積層構造によって構成されるので、
第１電極上に積層された酸化膜の上には、さらに第２電
極を積層する必要がある。これに対し、第１電極につな
がる配線に関しては、必ずしも第２電極と同じ金属を重
ねて積層する必要はない。しかしながら、好ましい実施
態様としては、非線形素子を構成するために第１電極の
上に第２電極を形成する際に、最終目標線幅まで狭めら
れた状態の配線の上にも第２電極と同じ材質の被覆金属
を併せて積層することができる。

【００１２】最終目標線幅まで狭められた状態の配線に
関しては、その配線の多くの部分は酸化膜によって被覆
されているものの、除去処理を受けた部分の配線は外部
へ露出する。従って、この状態の配線に第２電極と同じ
被覆金属を積層すれば、酸化膜が介在する部分では配線
と被覆金属とが非道通に維持されるが、酸化膜のない部
分では配線と被覆金属とが互いに導通する。

【００１３】このように、配線と被覆金属とを導通させ
ておけば、配線又は被覆金属のいずれかに断線等といっ
た欠陥が生じても、残りの正常な配線又は被覆金属を使
って導通を達成することができる。つまり、欠陥による
歩留まりの低下を防ぐための予備的設計、いわゆる冗長
設計を無理なく行うことができる。

【００１４】（第２実施態様）以上のように配線と被覆
金属との間で導通をとる場合には、線幅を狭くされた配
線及び酸化膜の表面を傾斜面とすることが望ましい。こ
うすれば、配線と被覆金属との間の接触面積を広くする
ことができる。

【００１５】（第３実施態様）素子基板形成工程には、
透光性基板の上に配線及び第１電極を形成する前にその
透光性基板の上に密着性向上層を形成する工程を含める
ことができる。この密着性向上層は、例えば、タンタル
酸化物（ＴａＯx ）を用いて形成できるものであり、透
光性基板に対する配線及び第１基板の密着性を促進す
る。このような密着性向上層は配線の密着性を向上でき
る反面、それがＩＴＯ等によって形成される画素電極の
下に存在すると、その画素電極の光透過率を低下すると
いう問題がある。従って、密着性向上層を介在させた上
で配線及び第１電極を形成した場合には、画素電極を形
成する前に、その画素電極に相当する部分の密着性向上
層を予め除去しておくことが望ましい。

【００１６】本発明に係る液晶表示装置の製造方法で
は、予め太く形成した配線を酸化膜積層処理の後に部分
的に除去して線幅を狭くするようにした。従って、この
線幅低減工程を実施するときに、併せて、画素電極に相
当する部分の密着性向上層を剥離するようにすれば、工
程が増えることがなくなって好都合である。

【００１７】（第４実施態様）図９に示したアクティブ
素子構造は、１個の画素に対して１個のＭＩＭ素子を付
設する構造である。この構造とは別に、スイッチング特
性を安定化するために一対のＭＩＭ素子を逆向きに直列
接続する構造の、いわゆるバック・ツー・バック（Back
-To-Back）構造のアクティブ素子も知られている。この
バック・ツー・バック構造を形成するためには、当初は
配線に接続していた第１電極をその配線から分断して島
状に形成する工程が必要となる。

【００１８】本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、
予め太く形成した配線を酸化膜積層処理の後に部分的に
除去して線幅を狭くすることを特徴としている。バック
・ツー・バック構造のアクティブ素子を形成する場合
に、さらにそのような配線の線幅低減工程を実施すると
きには、バック・ツー・バック構造のための第１電極の
分断工程と、酸化膜が積層された配線を部分的に除去し
て線幅を狭くする工程とを同時に実施することが望まし
い。こうすれば、製造工程が増えることを回避できる。

【００１９】次に、本発明に係る第１の液晶表示装置
は、上記の第１実施態様に記載した構成の製造方法によ
って製造される液晶表示装置であって、具体的には、配
線の上に積層される被覆金属が、除去処理によって酸化
膜から露出した配線の側面部分に導電接続することを特
徴とする。この液晶表示装置によれば、線幅の広い配線
を使って陽極酸化処理を行うことにより、液晶表示装置
の表示領域の全面にわたって膜質の均一な非線形素子を
得ることができることはもとより、配線とその上の被覆
金属との導通により、冗長設計が可能となる。この場
合、配線と被覆金属との間の接触面積を大きくするた
め、除去処理によって酸化膜から露出した配線の側面部
分が傾斜面を含むようにすることが望ましい。

【００２０】次に、本発明に係る第２の液晶表示装置
は、上記の第３実施態様に記載した構成の製造方法によ
って製造される液晶表示装置であって、具体的には、画
素電極が透光性基板の上に直接に形成される一方で、画
素電極以外の部分には密着性向上層が存在するという構
造を有する液晶表示装置である。この液晶表示装置によ
れば、線幅の広い配線を使って陽極酸化処理を行うこと
により、液晶表示装置の表示領域の全面にわたって膜質
の均一な非線形素子を得ることができることはもとよ
り、画素電極の部分の密着性向上層を除去することによ
り、その密着性向上層が残存する場合に比べて、画素電
極の光透過率を高めることができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】まず、本発明に係る液晶表示装置
の製造方法を説明する前に、その製造方法を用いて製造
しようとする液晶表示装置について説明する。図５は、
その液晶表示装置の一部を破断して平面的に示してい
る。ここに示す液晶表示装置１は、長方形の環状に形成
されたシール材２によって互いに貼り付けられた一対の
透光性基板３ａ及び３ｂを有する。透光性基板３ａは非
線形素子としてのＭＩＭ素子を備えた素子基板であり、
他方、透光性基板３ｂはそれに対向する対向基板であ
る。

【００２２】素子基板３ａの表面には複数の配線４及び
複数の透明画素電極６が形成される。これらの配線４は
いずれも直線状に形成され、そして隣り合う個々のもの
が互いに平行に配列されている。また、画素電極６は、
それらの配線４の間に列状に配列されていて、全体とし
てはマトリクス状に配列されている。各配線４は、透光
性基板３ａの張出し部に装着した液晶駆動用ＩＣ７ａの
出力端子に導電接続される。

【００２３】対向基板３ｂの表面には複数の透明な対向
電極８が形成される。これらの対向電極８は、それぞれ
が直線状に形成され、隣り合うものが互いに平行に配列
されている。これらの対向電極８は、透光性基板３ｂの
張出し部に装着した液晶駆動用ＩＣ７ｂの出力端子に導
電接続される。

【００２４】今、素子基板３ａに形成された複数の画素
電極６のうちの１つの周辺を拡大して観察すると、図６
に示す通りである。また、破断線Ｘ−Ｘに沿ってその断
面構造を示すと図７に示す通りである。これらの図に示
す通り、素子基板３ａの上には密着性向上層９が形成さ
れ、その密着性向上層９の上に配線４及びそれに連続す
る第１電極１１が形成される。配線４と第１電極１１と
の間は分断されていて、第１電極１１は島状に存在して
いる。密着性向上層９は、例えば、厚さ１０００Å程度
のタンタル酸化物（ＴａＯx ）によって形成され、一
方、配線４及び第１電極１１は、例えば厚さ２０００Å
程度のＴａ（タンタル）によって形成される。

【００２５】配線４及び第１電極１１の上には、絶縁層
としての陽極酸化膜（ＴａＯx ）１２が形成され、さら
に第１電極１１上の陽極酸化膜１２の上に第２電極１３
が形成され、さらに、配線４上の陽極酸化膜１２の上に
第２電極１３と同じ金属が被覆金属１３’として積層さ
れる。陽極酸化膜１２は、例えば５００Å程度の厚さに
形成され、また、第２電極１３及び被覆金属１３’は、
例えばＣｒ（クロム）によって形成される。画素電極６
は、例えば透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxide）によっ
て、配線４から遠い側の第２電極１３の先端に重なって
それに導通するように形成される。

【００２６】図から明らかなように、第１電極１１−陽
極酸化膜１２−第２電極１３から成る積層構造は符号Ｂ
及び符号Ｃで示す２カ所に形成され、これらの積層構造
の個々がＭＩＭ素子１４を構成する。これらのＭＩＭ素
子１４は、互いに逆向きに直列に接続された状態となっ
ていて、いわゆるバック・ツー・バック構造のＭＩＭ素
子を構成している。

【００２７】本実施形態の液晶表示装置１は以上のよう
に構成されているので、図５において、液晶駆動用ＩＣ
７ｂによって対向電極８をライン毎に走査して選択し、
同時に、液晶駆動用ＩＣ７ａによって希望する画素のＭ
ＩＭ素子に所定電圧を印加することにより、対応する画
素に含まれる液晶の配向を制御して液晶表示装置１の表
示領域Ｖ内に希望の可視像を表示する。

【００２８】以下、上記構成の液晶表示装置１を製造す
るための製造方法について説明する。図１の工程Ｐ１に
おいて、まず、ガラス基板３を用意する。このガラス基
板３は、図８に示すように複数個、例えば６個程度の素
子基板３ａを形成できる程度の面積を有するものとす
る。工程Ｐ２において、このガラス基板３の表面にタン
タル酸化物を一様に成膜して密着性向上層９とする。さ
らに工程Ｐ３において、その密着性向上層９の上にＴａ
１６を一様な厚さに成膜する。

【００２９】その後、工程Ｐ４において、Ｔａ膜１６に
対してエッチング処理を含むフォトリソグラフィ処理を
実施して所定形状の配線４及び第１電極１１を形成す
る。これらを平面的に見ると図２に示す通りである。こ
のときの配線４の線幅Ｗf は広い寸法、例えば１００μ
ｍ程度に設定される。また、配線４と第１電極１１は一
体につながっている。また、このときのガラス基板３の
全体を見ると図８に示したように、各配線４は複数個の
素子基板３ａ分だけの数が形成され、さらにそれらの配
線４の個々が共通配線５につながっている。

【００３０】その後、図１の工程Ｐ５において、共通配
線５を陽極端子として陽極酸化処理を実行し、ガラス基
板３の表面上に陽極酸化膜１２を一様な厚さに形成す
る。次いで、工程Ｐ６において、エッチング処理を含む
フォトリソグラフィ処理を実施して図３に示すような平
面パターンを形成する。

【００３１】具体的には、まず第１に、陽極酸化膜１２
を積層した状態の配線４の側辺を一様に除去して、その
線幅を広い初期線幅Ｗf から目標線幅Ｗn へと狭める。
目標線幅Ｗn は、例えば、１０μｍ程度である。このと
き、除去されることによって外部へ露出する配線４の側
面部分はテーパ面、すなわち傾斜面となるようにエッチ
ング処理が行われる。

【００３２】次に第２に、配線４と第１電極１１とをつ
なげるＴａ部分を除去することによって第１電極１１を
配線４から分断して、第１電極１１及びそれを被覆する
酸化物１２を島状に形成する。さらに第３に、後の工程
で画素電極が形成されることになる領域Ｄに存在する密
着性向上層９を除去して、ガラス基板３の表面を露出さ
せる。

【００３３】その後、図１の工程Ｐ７において、第２電
極のための金属、例えばＣｒをパターニング処理して、
図４に示すように、配線４上の酸化膜１２の上に被覆金
属１３’を積層し、さらに、第１電極１１上の酸化膜１
２の上に２個の第２電極１３，１３を積層する。配線４
から遠い側に形成された第２電極１３の先端は、画素電
極を形成するために密着性向上層９を除去した領域Ｄに
重なっている。

【００３４】その後、図１の工程８において、ガラス基
板３上の所定位置に所定形状のＩＴＯパターンを形成し
てそれを画素電極６とすることにより、図６に示す素子
基板構造が完成する。

【００３５】本実施形態では、上記のように、図１の工
程Ｐ４において幅の広い配線４を形成し、その配線４を
使って工程Ｐ５において第１電極１１の上に陽極酸化膜
１２を形成するようにした。線幅の広い配線４に関して
は、その抵抗値が配線４の軸線方向にわたって低い一様
な値に維持されるので、その配線４を用いて各第１電極
１１の上に酸化膜１２を形成したとき、それらの酸化膜
１２の膜質は全ての第１電極１１に関して均一になる。
従って、最終的に得られる全てのＭＩＭ素子の非線形特
性が均一になり、よって、液晶表示装置の表示領域Ｖ
（図５）内の全域にコントラストが一定な表示像を得る
ことができる。

【００３６】また、図１の工程Ｐ６において配線４をエ
ッチング処理によって部分的に除去することによってそ
の配線４の線幅を狭くしたとき、配線４の側面部分の酸
化膜１２は除去されるので配線４が外部へ露出する。そ
して、工程Ｐ７において第２電極と同じ金属であるＣｒ
によって被覆金属１３’をその配線４の上に積層する
と、その被覆金属１３’が配線４の側面露出部分の全面
に接触して両者の間に導通が達成される。こうなると、
被覆金属１３’を通して各ＭＩＭ素子１４に信号を供給
するとき、何らかの理由で被覆金属１３’に断線その他
の欠陥が生じた場合でも、配線４を使って信号供給を支
障なく実行できる。つまり、配線４を使って冗長設計を
行うことができる。

【００３７】さらに、工程Ｐ６において、画素電極に相
当する領域Ｄに存在する密着性向上層９を除去し、その
上で工程８においてその領域ＤにＩＴＯ膜を形成して画
素電極６としてので、画素電極６とガラス基板３との間
には、密着性向上層９が存在せず、よって、画素電極６
の部分の光透過率が低下することを防止できる。

【００３８】以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を
説明したが、本発明はその実施形態に限定されるもので
はなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改
変できる。

【００３９】例えば、本発明の製造方法によって製造で
きる液晶表示装置は、バック・ツー・バック方式の液晶
表示装置に限られず、各画素液晶に対して１個のＭＩＭ
素子を付設する方式の通常の液晶表示装置も含まれる。
また、ＭＩＭ素子をアクティブ素子とするアクティブマ
トリクス方式の液晶表示装置以外に、第１電極の上に酸
化膜を積層する必要のあるアクティブ素子を用いる他の
任意のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に対し
ても本発明を適用できる。

【００４０】

【発明の効果】請求項１記載の液晶表示装置の製造方法
によれば、各配線の線幅が広い状態のときに陽極酸化処
理を行うことができるので、陽極電圧の印加のための共
通配線に近い部分にある第１電極とそれから遠い部分に
ある第１電極との間で、それらの上に形成される酸化膜
の膜質を均一にできる。

【００４１】請求項２記載の液晶表示装置の製造方法に
よれば、配線及びそれの上に積層された被覆金属の少な
くとも一方を用いて、各非線形素子への走査信号又はデ
ータ信号の供給を行うことができ、しかも、配線又は被
覆金属のいずれか一方に断線等の欠陥が生じた場合で
も、残りの正常な導電部分を用いて信号の伝送ができ
る。つまり、冗長設計を無理なく導入できる。

【００４２】請求項３記載の液晶表示装置の製造方法に
よれば、配線と被覆金属との間の接触面積が増大して両
者の接触状態が安定化する。

【００４３】請求項４記載の液晶表示装置の製造方法に
よれば、密着性向上層の存在によって基板に対する第１
電極の密着性を良好に維持でき、しかも、画素電極部分
に関しては光透過率が低下することを防止できる。

【００４４】請求項５記載の液晶表示装置の製造方法
は、いわゆるバック・ツー・バック方式の素子構造を有
する液晶表示装置を対象としている。このバック・ツー
・バック方式の素子構造を形成する際には、もともと、
配線と第１電極とを分断するための工程が必要となるの
で、その分断工程を利用して配線の狭幅化処理を併せて
行うことが可能となり、こうすれば、わざわざ狭幅化処
理のための専用の工程を設けなくて済むので、製造コス
トの増大を回避できる。

【００４５】請求項６記載の液晶表示装置によれば、複
数の非線形素子を同時に形成する際に、それらの非線形
素子に含まれる酸化膜の膜質を全領域にわたって均一に
できる。しかも、非線形素子に信号を供給するための配
線及びそれに積層される被覆金属の間に導通をとること
ができるので、冗長設計を無理なく導入できる。

【００４６】請求項７記載の液晶表示装置によれば、請
求項６記載の液晶表示装置による作用効果を、より一層
確実且つ安定して実現できる。

【００４７】請求項８記載の液晶表示装置によれば、複
数の非線形素子を同時に形成する際に、それらの非線形
素子に含まれる酸化膜の膜質を全領域にわたって均一に
できる。しかも、画素電極部分の光透過率の低下を防止
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液晶表示装置の製造方法を構成す
る各工程を模式的に示す図である。

【図２】図１に示す製造方法の途中過程で形成される配
線パターンの一例を示す平面図である。

【図３】図１に示す製造方法の途中過程で形成される配
線パターンの他の一例を示す平面図である。

【図４】図１に示す製造方法の途中過程で形成される配
線パターンのさらに他の一例を示す平面図である。

【図５】本発明に係る液晶表示装置の一実施形態を一部
破断して示す平面図である。

【図６】図５に示す液晶表示装置内に形成されるアクテ
ィブ素子の一例を拡大して模式的に示す平面図である。

【図７】図６における破断線Ｘ−Ｘに従った断面構造を
示す断面図である。

【図８】素子基板を形成するためのガラス基板母材を示
す平面図である。

【図９】従来のアクティブ素子の一例を模式的に示す図
である。

【符号の説明】

１ 液晶表示装置 ２ シール材 ３ ガラス基板 ３ａ 素子基板 ３ｂ 対向基板 ４ 配線 ６ 画素電極 ７ａ，７ｂ 液晶駆動用ＩＣ ８ 対向電極 ９ 密着性向上層 １１ 第１電極 １２ 陽極酸化膜 １３ 第２電極 １３’ 被覆金属 １４ ＭＩＭ素子

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透光性基板上に非線形素子及び画素電極
   を形成して素子基板を形成する素子基板形成工程と、透
   光性基板上に対向電極を形成して対向基板を形成する対
   向基板形成工程と、素子基板と対向基板とをセルギャッ
   プを形成するように貼り合わせる貼り合わせ工程と、そ
   して、セルギャップ内に液晶を封入する液晶封入工程と
   を有する液晶表示装置の製造方法において、 上記素子基板形成工程は、 非線形素子の第１電極につながる配線を形成する工程
   と、 該配線及び第１電極の上に酸化膜を積層する工程と、 酸化膜が積層された配線を酸化膜と共に部分的に除去し
   て線幅を狭くする工程とを有することを特徴とする液晶
   表示装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の製造方法において、第１
   電極上に積層された酸化膜の上に第２電極を積層し、そ
   してそのとき、線幅を狭くされた配線の上にも第２電極
   と同じ材質の被覆金属を積層することを特徴とする液晶
   表示装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載の製造方法において、前記
   線幅を狭くされた配線及び酸化膜の表面は傾斜面である
   ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１から請求項３のうちの少なくと
   もいずれか１つに記載の製造方法において、素子基板形
   成工程は、（１）透光性基板の上に密着性向上層を形成
   する工程を有し、さらに、（２）配線を部分的に除去し
   て線幅を狭くするときに画素電極に相当する部分の密着
   性向上層を除去することを特徴とする液晶表示装置の製
   造方法。
5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のうちの少なくと
   もいずれか１つに記載の製造方法において、 上記素子基板形成工程は、非線形素子を逆向きに直列接
   続するバック・ツー・バック構造を形成するものであっ
   て、そのために第１電極を配線から分断して島状に形成
   する工程を有しており、 その第１電極の分断工程は、酸化膜が積層された配線を
   部分的に除去して線幅を狭くする工程と同時に行われる
   ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項２記載の製造方法によって製造さ
   れる液晶表示装置であって、配線の上に積層される被覆
   金属が、除去処理によって酸化膜から露出した配線の側
   面部分に導電接続することを特徴とする液晶表示装置。
7. 【請求項７】 請求項６記載の液晶表示装置において、
   除去処理によって酸化膜から露出した配線の側面部分は
   傾斜面を含むことを特徴とする液晶表示装置。
8. 【請求項８】 請求項４記載の製造方法によって製造さ
   れる液晶表示装置であって、画素電極は透光性基板の上
   に直接に形成され、画素電極以外の部分には密着性向上
   層が存在することを特徴とする液晶表示装置。