JPH1135533A - シス−１−アミノインダン−２−オールの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 シス−１−アミノインダン−２−オールを効
率的に製造する方法を提供する。 【解決手段】 シス−２−（置換カルボニルオキシ）イ
ンダン−１−オール類とシス−１−（置換カルボニルオ
キシ）インダン−２−オール類の少なくとも１種類とア
セトニトリルとを濃硫酸または発煙硫酸の存在下に反応
させ、その結果生成する中間体を加水分解することによ
り、又は、シス−１，２，−インダンジオールの環状オ
ルトエステル類を合成し、それをアセトニトリルと濃硫
酸または発煙硫酸の存在下に反応させ、その結果生成す
る中間体を加水分解することによりシス−１−アミノイ
ンダン−２−オールを製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、工業的に有用なシ
ス−１−アミノインダン−２−オールの製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般式（Ｖ）

【０００３】

【化３０】

【０００４】で表されるシス−１−アミノインダン−２
−オールは医薬中間体として有用であり、光学活性な
（１Ｓ，２Ｒ）−１−アミノインダン−２−オールはＡ
ｌＤＳ治療において顕著な効果を示しているプロテアー
セ阻害剤であるＩｎｄｉｎａｖｉｒ（Ｃｒｉｘｉｖａ
ｎ）の製造に用いられている（ＷＯ９６２８４３９号公
報、ＷＯ９５２３７９７号公報、ＷＯ９６３６６２９号
公報）。

【０００５】これまで種々のシス−１−アミノインダン
−２−オールの製造法が開示されている。例えば、本発
明者等は２−ハロインダン−１−オールのＲｉｔｔｅｒ
反応による方法を発明している（特開平７−３１６１０
６号公報、ＥＰ６５８５３７号公報）。また、インデン
エポキシドのＲｉｔｔｅｒ反応による方法（ＵＳＰ５４
２０３５３号公報）、１，２−インダンジオールのＲｉ
ｔｔｅｒ反応による方法（ＷＯ９５２４３７４号公
報）、インデンをアセトニトリル中でＮ−ハロイミド類
と反応する方法（ＷＯ９７００２３７号公報）等が開示
されている。これらは何れも簡便な方法であり、所望の
シス−１−アミノインダン−２−オールが良好な収率で
得られる。得られたアミノアルコ−ルがラセミ体の場合
は、これを光学分割することにより所望のエナンチオマ
−を得ることができる。一方、種々の光学活性な出発物
質とニトリル類を反応させることにより光学活性なシス
−１−アミノインダン−２−オールを製造することも可
能である。例えば（１Ｓ，２Ｒ）−１−アミノインダン
−２−オールは、それぞれ（ｌＳ，２Ｓ）−２−ブロモ
インダン−１−オール、（１Ｓ，２Ｒ）−インデンエポ
キシド、および（１Ｓ，２Ｒ）−１，２−インダンジオ
ールから製造できる。このように、光学活性な出発物質
を用いてシス−１−アミノインダン−２−オールを合成
した場合には生成物は光学活性体となり、光学分割が不
要であることから経済的に有利である。この場合、光学
活性な出発物質の入手の容易さは重要であり、例えば光
学活性な（１Ｓ，２Ｓ）−２−ブロモインダン−１−オ
ールはリパ−ゼによる光学分割で（特願平８−１６９３
８５）もしくはハロパ−オキシダ−ゼによる微生物酸化
で（ＷＯ９６３６７２４号公報）、（１Ｓ，２Ｒ）−イ
ンデンエポキシドは光学活性なマンガン錯体による不斉
エポキシ化（特表平５−５０７６４５号公報、ＷＯ９３
０３８３８号公報）もしくは微生物によるラセミ体の光
学分割で（ＷＯ９６１２８１８号公報）、（１Ｓ，２
Ｒ）−１，２−インダンジオールはインデンの微生物酸
化（ＷＯ９７００９６６号公報）、もしくは微生物によ
るラセミ体の光学分割で（ＷＯ９６１１２８２号公報）
それぞれ得ることが可能である。さきに述べたように、
１，２−インダンジオールもしくは１，２−インデンエ
ポキシドはアセトニトリルとのＲｉｔｔｅｒ反応により
一般式（IV)で表されるシス−２−インデノオキサゾリ
ンを与え、この化合物を加水分解することにより、所望
のシス−１−アミノインダン−２−オールが得られる。
しかしながら、これらの反応は−４０℃という極めて低
い反応温度が必要であった。比較的発熟量の大きい本反
応においては、この温度条件を維持することは容易では
ない。ＨｌＶ薬の感染者への投与量は非常に高く（約２
ｇ／日）、中間体であるシス−１−アミノインダン−２
−オールも大量生産する必要性があった。しかしなが
ら、かかる厳しい温度条件においての大量生産は因難で
あった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、シス−１−
アミノインダン−２−オールの効率的な製造方法を提供
することを課題とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等はシス−１，
２−インデンエポキシド、およびシス−１，２−インダ
ンジオールのアセトニトリルとのＲｉｔｔｅｒ反応の機
構を検討した。既に発表された論文（Ｔｅｔｒａｈｅｄ
ｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３６，ｐ．３９９３（１９９５）
およびＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３６，
ｐ．７６１５，（１９９５））において、これらの反応
機構が説明されている。本反応系においてはエポキシド
のプロトン化、もしくはジオールの脱水によって２−ヒ
ドロキシインダニルカルボカチオンが発生するが、この
反応性中間体は容易にインダン−２−オンや重合物に変
化してしまい、所望のシス−インデノオキサゾリン（I
V）の収率が低下する。これを防ぐために発煙硫酸、ト
リフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の強
酸を作用させている。例えば、発煙硫酸を作用させた場
合には環状硫酸エステルが生成し、この中間体のプロト
ン化（２位が硫酸エステル化したインダニルカルボカチ
オンの生成）を経てニトリルと反応する。しかしなが
ら、反応温度が高いと環状硫酸エステルの生成よりも２
−ヒドロキシインダニルカチオンの生成が優先するため
に収率が低下する。これを避けるために、極めて低い反
応温度が必要となるのてある（図式１）。

【０００８】

【化３１】

【０００９】本発明者等は、この反応機構において環状
硫酸エステルの生成と、この中間体がプロトン化されて
生成するインダニルカチオンが比較的安定で、異性化や
重合を生じにくいという事実と、本反応系では平衡が存
在するためにｉｎ ｓｉｔｕでのエステル化が必要であ
るという事実に着目した。すなわち、何らかの方法で２
位の水酸基を保護したインダニルカチオンを経由してニ
トリルと反応させることにより収率は向上するものと考
えた。さらに、２位の水酸基が保護されたカチオンの生
成をＲｉｔｔｅｒ反応系てｉｎ ｓｉｔｕに行うのでは
なく、例えば出発物質であるインダンジオールを保護し
た化合物を事前に合成し、この化合物のＲｉｔｔｅｒ反
応を行うことにより、従来技術のような極めて低い反応
温度は不要なのではないかと考え、本発明の検討を開始
した。

【００１０】本発明者等は、１−インダノ−ル類は強酸
の存在下でインダニルカルボカチオンを生成し、アセト
ニトリルとの反応は１位に選択的に生じることから、２
位の水酸基が保護された１−インダノール類が好適な基
質であると考えた。また、２位の水酸基の保護基として
は脱保護の容易なアセチル基を選択して検討をおこな
い、本発明を完成するに至った。

【００１１】すなわち、一般式（Ｉ）

【００１２】

【化３２】

【００１３】（ただし、式中、Ｒ₁ はメチル基であり、
ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表されるシス−２
−アセトキシインダン−１−オール類とアセトニトリル
を濃硫酸もしくは発煙硫酸の存在下に反応させることに
より、一般式（III ）

【００１４】

【化３３】

【００１５】（ただし、式中、Ｒ₁ は前記一般式（Ｉ）
と同義であり、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表
されるシス−１−アセトアミド−２−アセトキシインダ
ン類、および一般式（IV）

【００１６】

【化３４】

【００１７】（ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよ
い）で表されるシス−インデノオキサゾリンの少なくと
も１種を合成し、これらを加水分解することにより、所
望の一般式（Ｖ）

【００１８】

【化３５】

【００１９】（ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよ
い）で表されるシス−１−アミノインダン−２−オール
を得ることかできた（図式２）。

【００２０】

【化３６】

【００２１】本発明者等は、さらに、一般式（VI）

【００２２】

【化３７】

【００２３】（ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよ
い）で表されるシス−１，２−インダンジオールのエス
テル化によって得られた一般式（Ｉ）（ただし、Ｒ_l は
水素原子、直鎖もしくは分岐のアルキル基であり、ラセ
ミ体でも光学活性体でもよい）で表されるシス−２−
（置換カルボニルオキシ）インダン−１−オール類と一
般式（II）（ただし、式中、Ｒ₁ は水素原子、直鎖もし
くは分岐のアルキル基であり、ラセミ体でも光学活性体
でもよい）で表されるシス−１−（置換カルボニルオキ
シ）インダン−２−オール類の混合物をもちいて前記の
条件で Ｒｉｔｔｅｒ反応を行ったところ、所望の一般
式（III ）（ただし、式中、Ｒ₁ は水素原子、直鎖もし
くは分岐のアルキル基であり、ラセミ体でも光学活性体
でもよい）で表されるシス−１−アセトアミド−２−
（置換カルボニルオキシ）インダン類、もしくは一般式
（IV）（ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で
表されるシス−インデノオキサゾリンを合成し、これら
を加水分解することにより、所望の一般式（Ｖ）（ただ
し、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表されるシス
−１−アミノインダン−２−オールが得られた（図式
３）。

【００２４】

【化３８】

【００２５】驚くべきことに、例えば一般式（Ｉ）と一
般式（II）のエステル類の等量混合物を用いて本反応を
行った場合、得られた生成物である一般式（III ）のア
ミド類と一般式（IV）の２−インデノオキサゾリンの収
率の和は５０％を超えていた。この結果は、当初基質と
して選択した一般式（Ｉ）で表されるエステル類のみな
らず一般式（II）で表されるエステル類も基質として関
与していることを示している。かくして、本発明者等
は、一般式（Ｉ）で表されるのエステル類と一般式（I
I）で表されるエステル類の少なくとも１種を基質とし
て用いることにより、所望の一般式（Ｖ）で表されるシ
ス−１−アミノインダン−２−オールが得られることを
見い出した。

【００２６】本発明をより詳細に説明する。

【００２７】一般式（Ｉ)で表されるシス−２−（置換
カルボニルオキシ）インダン−１−オール類はトランス
−２−ブロモインダン−１−オール類をエステル化した
後に弱塩基性から弱酸性の水溶液中で加熱することによ
って得られる。本反応は弱塩基性緩衝溶液で行うことが
好ましい。例えば、シス−２−アセトキシインダン−１
−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）は、トランス−２−ブロ
モインダン−１−オールを無水酢酸でアセチル化してト
ランス−２−ブロモ−１−アセトキシインダンを合成
し、これを酢酸ナトリウム水浴液中で加熱することによ
って容易に合成できる（図式４）。

【００２８】

【化３９】

【００２９】また、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，６１，
ｐ．４４６９（１９９６）に記載の方法に準拠して、一
般式（VI）で表されるシス−１，２−インダンジオール
と一般式（VIII）で表されるオルトエステル類を酸触媒
存在下に反応させた後、反応混合物に水を加えるか、弱
塩基性緩衝溶液を加えてかき混ぜるだけで容易に得るこ
とができる。この場合、一般式（Ｉ）のエステル類は一
般式（II）で表されるシス−１−（置換カルボニルオキ
シ）インダン−２−オール類との混合物として得られる
のが一般的である（図式５）。

【００３０】

【化４０】

【００３１】一般式（Ｉ）もしくは一般式（II）の少な
くとも１種のエステル類（ラセミ体でも光学活性体でも
よい）とアセトニトリルを混合し（アセトニトリルの使
用量はエステル類に対して１．０当量モルから２００当
量モルまで使用できる。これより使用量が少ないと、目
的とする化合物（III ）もしくは化合物（IV）の収率が
低下し、使用量が多いと経済的に不利である。）、濃硫
酸もしくは発煙硫酸を添加する。反応温度は−２０℃か
ら１００℃までの温度を選択できるが、好ましい反応温
度は０℃から４０℃であり、より好ましい反応温度は室
温である。これより温度が低いと反応の進行がおそく、
高いと副反応により目的物の収率が低下する。濃硫酸お
よび発煙硫酸はエステル類に対して１．０当量モルから
５．０当量モル使用できるが、好ましくは１．０当量モ
ルから３．０当量モルである。本反応には不活性な有機
溶媒を用いることも可能である。

【００３２】原料として使用できる一般式（Ｉ）もしく
は一般式（II）で表されるエステル類の置換基Ｒ₁ とし
ては水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、
ブチル基が選択できる。反応の進行は液体クロマトグラ
フィー等で追跡できる。反応終了後は、反応混合物を反
応混合物を炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸
カリウム、炭酸水素カリウム等の希薄水溶液に注加し、
常法によって生成物を取り出すことができる。本反応に
より、一般式（III ）で表されるシス−１−アセトアミ
ド−２−（置換カルボニルオキシ）インダン類、および
一般式（IV）で表されるシス−インデノオキサゾリンが
得られる。これらの生成比率は用いたエステル類（Ｉ）
および（II）の置換基Ｒ₁ の種類や使用する強酸の種類
で異なるが、発煙硫酸を用いた場合には一般式（III ）
で表される化合物か主生成物となり、濃硫酸を用いた場
合には一般式（IV）で表される化合物が主生成物となる
のが一般的である。本反応で得られた生成物はそれぞれ
単離して個別に加水分解するか、単離することなく混合
物として加水分解することにより、目的とする一般式
（Ｖ）で表されるシス−１−アミノインダン−２−オー
ルが得られる。化合物（III ）は水に対する溶解度が小
さいために、単独で加水分解する場合はアセトニトリル
のような反応不活性な有機溶媒等を添加することが好ま
しい。

【００３３】工業的には化合物（III ）もしくは化合物
（IV）を単離せずに連続的に加水分解をおこなう方が経
済的に有利である。この場合は、アセトニトリルとの反
応終了後に反応混合物に水を加え、加熱すればよいが、
過剰のアセトニトリルを使用した場合には加水分解工程
に途中で共沸蒸留で除去することも可能である。本加水
分解反応を酸性で行う場合は、温度を室温から１００℃
に設定することが好ましく、より好ましい反応温度は４
０℃から８０℃である。加水分解終了後は、目的とする
シス−１−アミノインダン−２−オール（Ｖ）の取り出
しは常法で可能である。例えば、反応混合物の液性を酸
性に保ち、水に不溶の有機溶媒で副生成物を抽出後に水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム等の無機性の塩基を加えることによって系を
塩基性（ｐＨ１０〜１２）にし、析出した目的物を濾過
する。また、塩基性にした後に溶媒抽出し、抽出相を濃
縮することによって目的物を得ることも可能である。

【００３４】本反応を光学活性な一般式（Ｉ）もしくは
一般式（II）のエステル類を原料として行うことも可能
であり、例えば、（１Ｓ，２Ｒ）−２−（置換カルボニ
ルオキシ）インダン−１−オール類、もしくは（１Ｓ，
２Ｒ）−１−（置換カルボニルオキシ）インダン−２−
オール類の少なくとも１種を原料に用いた場合、生成物
は（１Ｓ，２Ｒ）−１−アセトアミド−２−（置換カル
ボニルオキシ）インダン類（III ）もしくは（４Ｓ，５
Ｒ）−インダノオキサゾリン（IV）となり、これらの加
水分解生成物は（１Ｓ，２Ｒ）−１−アミノインダン−
２−オール（Ｖ）となる。また、一般式（Ｉ）および一
般式（II）のエステル類として（１Ｒ，２Ｓ）体を選択
した場合には、得られる生成物（III ）および（IV）は
それぞれ（１Ｒ，２Ｓ）体、および（４Ｒ，５Ｓ）体で
あり、所望のシス−１−アミノインダン−２−オール
（Ｖ）は（１Ｒ，２Ｓ）体となる。本反応で得られる光
学活性なシス−インデノオキサゾリン（IV）、および光
学活性なシス−１−アミノインダン−２−オール（Ｖ）
の絶対配置は、既に報告されている各化合物の比旋光度
との比較により決定できる。また、一般式（III ）で表
される光学活性なシス−１−アセトアミド−２−（置換
カルボニルオキシ）インダン類の絶対配置は、加水分解
生成物である光学活性なシス−１−アミノインダン−２
−オール（Ｖ）の絶対配置から決定できる。本発明の方
法を用いることにより、原料の光学純度を保持したシス
−１−アセトアミド−２−（置換カルボニルオキシ）イ
ンダン類（III ）、シス−インデノオキサゾリン（I
V）、およびシス−１−アミノインダン−２−オール
（Ｖ）の製造が可能である。例えば、光学純度１００％
ｅｅの（１Ｓ，２Ｒ）−１，２−インダンジオール（V
I）から誘導した、（１Ｓ，２Ｒ）−２−アセトキシイ
ンダン−１−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）と（１Ｓ，２
Ｒ）−１−アセトキシインダン−２−オール（II：Ｒ₁
＝ＣＨ₃ ）の混合物を発煙硫酸の存在下にアセトニトリ
ルと反応させたところ、（１Ｓ，２Ｒ）−１−アセトア
ミド−２−アセトキシインダン（III ）、および（４
Ｓ，５Ｒ）−インデノオキサゾリン（IV）か得られた。
これらを個別に加水分解すると、得られた（１Ｓ，２
Ｒ）−１−アミノインダン−２−オール（Ｖ）の光学純
度は何れも１００％ｅｅであり、中間体であるアミド
（III ）とオキサゾリン（IV）の光学純度は保持されて
いることが確認された。一般式（III ）で表されるシス
−１−アセトアミド−２−（置換カルボニルオキシ）イ
ンダン類は本発明者らによって初めて得られた新規な化
合物である。

【００３５】本発明者等は、先の、図式１で示される環
状硫酸エステルはプロトン化されることにより、インダ
ン骨格の２位の水酸基が硫酸エステルされたインダニル
カチオンを生成する事実に着目し、シス−１，２−イン
ダンジオールの環状エステル類はＲｉｔｔｅｒ反応の良
好な基質になると考えた。前述のＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅ
ｍ．，６１，ｐ．４４６９（１９９６）には１，２−ジ
オール類とオルトエステル類の反応による１，２−ジオ
ールの環状オルトエステル中間体の生成が記載されてい
ることから、本発明者等はシス−１，２−インダンジオ
ールの環状オルトエステル類のＲｉｔｔｅｒ反応につい
て鋭意検討を進めた結果、本発明を完成するに至った。

【００３６】すなわち、一般式（VI）

【００３７】

【化４１】

【００３８】（ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよ
い）で表されるシス−１，２−インダンジオールを、酸
触媒の存在下に一般式（VII ）

【００３９】

【化４２】

【００４０】（ただし、式中、Ｒ₁ は水素原子、直鎖も
しくは分岐のアルキル基であり、Ｒ₂は炭素数１から３
の低級アルキル基である）で表されるオルトエステル類
と反応させることにより、一般式（VIII）

【００４１】

【化４３】

【００４２】（ただし、式中、Ｒ₁ およびＲ₂ は前記一
般式（VII ）と同義であり、ラセミ体でも光学活性体で
もよい）で表されるシス−環状オルトエステル類を合成
し、これを濃硫酸もしくは発煙硫酸の存在下にアセトニ
トリルと反応させることにより、一般式（IV）

【００４３】

【化４４】

【００４４】（ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよ
い）で表されるシス−インデノオキサゾリンを合成し、
これを加水分解することからなる、一般式（Ｖ）

【００４５】

【化４５】

【００４６】（ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよ
い）で表されるシス−１−アミノインダン−２−オール
の製造方法を見い出したのである（図式６）。

【００４７】

【化４６】

【００４８】以下により詳細に本発明を説明する。

【００４９】一般式（VI）で表されるシス−１，２−イ
ンダンジオールは公知の方法で得ることができる。一般
式（VIII）で表されるシス−環状オルトエステル類は酸
触媒の存在下にシス−１，２−インダンジオールと一般
式（VII ）で表されるオルトエステル類の反応で得られ
る。酸触媒としてはパラトルエンスルホン酸、ピリジニ
ウムパラトルエンスルホン酸塩、濃硫酸、トリフルオロ
酢酸や固体酸触媒等が使用できる。オルトエステル類
（VII ）はシス−１，２−インダンジオールに対して
１．０当量モルから１００当量モルの範囲で使用でき
る。本反応に不活性な溶媒の使用も可能であり、大過剰
のオルトエステル類を溶媒として用いることも可能であ
る。溶媒を使用して本反応を行う際の最適なオルトエス
テル類（VII ）の使用量は、シス−１，２−インダンジ
オールに対して１．０当量モルから３．０当量モルであ
る。シス−環状オルトエステル類（VIII）を単離しない
場合には、次の反応の基質であるアセトニトリルか好適
な溶媒である。

【００５０】シス−環状オルトエステル類（VIII）は単
離して次の反応を行うことも、単離せずに行うことも可
能てある。

【００５１】シス−環状オルトエステル類（VIII）を単
離して次反応を行う場合、反応で副生するアルコ−ル
類、過剰のオルトエステル類（VII ）および反応溶媒を
常圧もしくは減圧下に留去する。生成したシス−環状オ
ルトエステル類（VIII）は不安定で、特に容易に加水分
解するので注意を要する。このため、特に精製操作を行
わずにアセトニトリルに溶解し、濃硫酸もしくは発煙硫
酸を添加する。アセトニトリルは出発原料のシス−１，
２−インダンジオール（VI）に対して１．０当量モルか
ら１００当量モル使用できる。濃硫酸もしくは発煙硫酸
の適当な使用量は、シス−１，２−インダンジオール
（VI）に対して１．０当量モルから３．０当量モルであ
る。酸の使用量がこれよりも少ないと反応か完結せず、
これよりも多いと経済的に不利である。本反応は反応不
活性な有機触媒中で行うことも可能である。反応温度は
−２０℃から４０℃が好ましく、これよりも温度が低い
と反応の進行が遅く、高いと副反応により目的物の収率
が低下する。本反応により一般式（IV）で表されるシス
−インデノオキサゾリンか生成する。反応は液体クロマ
トグラフィー等で追跡し、原料が消失し、シス−インデ
ノオキサゾリン（IV）の増加が認められなくなった場合
に反応を終了させる。シス−インデノオキサゾリン（I
V）は、反応混合物を炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリ
ウム等の希薄水溶液にｐＨを８〜１０を維持するように
注加し、有機溶媒で抽出後に溶媒を留去することにより
取り出すことができる。本化合物（IV）を加水分解し、
所望のシス−１−アミノインダン−２−オール（Ｖ）を
得ることができる。また、シス−インデノオキサゾリン
（IV）を単離せずに、反応混合物に水を加えた後に加水
分解して所望のシス−１−アミノインダン−２−オール
（Ｖ）を得ることができる。この場合、硫酸の濃慶は
０．１Ｎから５Ｎが好ましく、加水分解の温度は室温か
ら１００℃が好ましく、より好ましくは５０℃から８０
℃である。

【００５２】一方、シス−環状オルトエステル（VIII）
を単離せずに次反応を行う場合、反応混合物にアセトニ
トリルを加え（前反応をアセトニトリル溶媒中で行う場
合には、この操作は省略できる）、濃硫酸もしくは発煙
硫酸を添加する。アセトニトリルは出発原料のシス−
１，２−インダンジオール（VI）に対して１．０当量モ
ルから１００当量モル使用できる。濃硫酸および発煙硫
酸の使用量は、シス−１，２−インダンジオール（VI）
に対して２．０当量モルから５．０当量モルが適当であ
り、酸の使用量がこれよりも少ないと反応が完結せず、
これよりも多いと経済的に不利である。本反応の温度は
−２０℃から４０℃が好ましく、これよりも温度が低い
と反応の進行が遅く、高いと副反応により収率が低下す
る。反応終了後は前述の方法と同様にして、生成物であ
るシス−オキサゾリン（IV）の取り出し、およびシス−
１−アミノインダン−２−オール（Ｖ）の製造ができ
る。

【００５３】本製造方法は光学活性なシス−１，２−イ
ンダンジオール（IV）を出発原料にした場合にも適用で
きる。例えば、（１Ｓ，２Ｒ）−１，２−インダンジオ
ールを出発原料とした場合には、得られるシス−インデ
ノオキサゾリン体（IV）およびシス−１−アミノインダ
ン−２−オール（Ｖ）は、それぞれ（４Ｓ，５Ｒ）体、
および（１Ｓ，２Ｒ）体となり、（１Ｒ，２Ｓ）−１，
２−インダンジオールを出発原科とした場合には、得ら
れるシス−インデノオキサゾリン体（IV）およびシス−
１−アミノインダン−２−オール（Ｖ）はそれぞれ、
（４Ｒ，５Ｓ）体、および（１Ｒ，２Ｓ）体となる。こ
れら生成物の純対配置は、既に報告されている当該化合
物の比旋光度から決定できる。本発明の製造方法におい
ては、出発原料であるシス−１，２−インダンジオール
（VI）の光学純度は保持され、同様の光学純度で目的と
するシス−インデノオキサゾリン（IV）およびシス−１
−アミノインダン−２−オール（Ｖ）が得られる。

【００５４】本発明者等は、次に、シス−１，２−イン
ダンジオールの環状保護化合物として環状アセタールを
基質として選択した。Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，６２，
ｐ．１５１（１９９７）には、ベンズアルデヒドから誘
導されるジメチルアセタールやエチレンケタ−ル類がル
イス酸によりプロトン化され、ベンジル位にカチオンが
生成し、これが親電子的に芳香核を攻撃する反応が報告
されている（図式７）。

【００５５】

【化４７】

【００５６】本発明者等は類似の基質であるシス−１，
２−インダンジオール環状アセタールは強酸の存在によ
りインダン骨格の１位にカチオンを生成し、系にニトリ
ルが存在する場合には親電子的に反応するのではないか
と考え、鋭意検討を行った緒果、本発明を完成するに至
った。

【００５７】すなわち、本発明は、一般式（IX）

【００５８】

【化４８】

【００５９】（ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよ
い）で表されるシス−１，２−インダンジオールジメチ
ルアセタールを合成し、これを濃硫酸もしくは発煙硫酸
の存在下にアセトニトリルと反応させることにより、一
般式（IV）

【００６０】

【化４９】

【００６１】（ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよ
い）で表されるシス−インデノオキサゾリンを生成さ
せ、これを加水分解することからなる、一般式（Ｖ）

【００６２】

【化５０】

【００６３】（ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよ
い）で表されるシス−１−アミノインダン−２−オール
の効率的な製造方法を提供するものである（図式８）。

【００６４】

【化５１】

【００６５】以下に本発明をより詳細に説明する。

【００６６】本発明の出発原料となるシス−１，２−イ
ンタンジオールジメチルアセタール（IX）は一般式（V
I）

【００６７】

【化５２】

【００６８】（ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよ
い）で表されるシス−１，２−インダンジオールを常法
でアセタール化することにより容易に得られる。例え
ば、酸触媒の存在下にシス−１，２−インダンジオール
（VI）と過剰のアセトンジメチルアセタールを副生する
メタノ−ルを留去しつつ反応させるか、酸触媒の存在下
にシス−１，２−インダンジオール（VI）を、当量モル
もしくは小過剰の２−メトキシプロペンと反応させるこ
とにより、良好な収率で、目的とする一般式（IX）で表
されるシス−１，２−インダンジオールジメチルアセタ
ールか得られる。本反応に使用される酸触媒としては。
パラトルエンスルホン酸、ピリジニウムパラトルエンス
ルホン酸塩、濃硫酸、トリフルオロ酢酸、固体酸触媒等
があげられる。一般式（IX）で表されるシス−１，２−
インダンジオールジメチルアセタールは本発明者等によ
って初めて合成された新規な化合物である。

【００６９】シス−１，２−インダンジオールジメチル
アセタール（IX）は濃硫酸もしくは発煙硫酸の存在下に
アセトニトリルと反応させることにより、一般式（IV）
で表されるシス−インデノオキサゾリンを与える。本反
応は、発煙硫酸の存在下にも進行するが収率が低い。使
用する濃硫酸の量はシス−１，２−インダンジオールジ
メチルアセタール（IX）に対して２．０当量モルから
５．０当量モルが好ましく、これよりも硫酸の使用量が
少ないと収率が低下し、使用量が多いと経済的に不利で
ある。アセトニトリルは、シス−１，２−インダンジオ
ールジメチルアセタール（IX）に対して１．０当量モル
から１００当量モル使用できる。過剰のアセトニトリル
を溶媒として用いることもできるし、反応不活性な有機
溶媒の存在下に本反応を行うことも可能である。本反応
は−２０℃から４０℃の温度範囲で実施可能である。こ
れよりも反応温度が低いと反応の進行が遅く、高いと副
反応のため収率が低下する。反応の進行は高速液体クロ
マトグラフィー等で追跡でき、原料であるシス−１，２
−インダンジオールジメチルアセタール（IX）が消滅
し、生成物であるシス−インデノオキサゾリン（IV）の
増加が認められなくなれば反応を終了する。シス−イン
デノオキサゾリン（IV）は、反応混合物を炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリ
ウム等の無機塩基の稀薄溶液にｐＨ８から１０を保持し
ながら注加し、有機溶媒で抽出後に抽出層を濃縮すれば
取り出すことができる。シス−インデノオキサゾリン
（IV）は前述の方法で加水分解することにより、所望の
一般式（Ｖ）で表されるシス−１−アミノインダン−２
−オールが得られる。シス−インデノオキサゾリン（I
V）を取り出すことなしに、反応液に水を加えた後に加
熱することで、所望のシス−１−アミノインダン−２−
オール（Ｖ）を得ることもできる。酸性で加水分解する
際の硫酸の濃度は、０．１Ｎから５．０Ｎが好ましく、
反応温度は室温から１００℃が好ましく、さらに好まし
くは５０℃から８０℃である。

【００７０】本発明の製造方法は、光学活性なシス−
１，２−インダンジオール（VI）を原料に用いた場合に
も適用できる。例えば、（１Ｓ，２Ｒ）−１，２−イン
ダンジオール（VI）を出発原料に用いた場合、（４Ｓ，
５Ｒ）−インデノオキサゾリン（IV）および（１Ｓ，２
Ｒ）−１−アミノインダン−２−オール（Ｖ）が生成物
として得られる。また、（１Ｒ，２Ｓ）−１，２−イン
ダンジオール（VI）を出発物質として用いた場合に、
（４Ｒ，５Ｓ）−インデノオキサゾリン（IV）および
（１Ｒ，２Ｓ）−１−アミノインダン−２−オール
（Ｖ）が生成物として得られる。各生成物の絶対配置
は、既に報告されている当該化合物の比旋光度から決定
できる。本発明の製造法においては、出発原料であるシ
ス−１，２−インダンジオール（VI）の光学純度は保持
され、同様の光学純度で目的とするシス−インデノオキ
サゾリン（IV）およびシス−１−アミノインダン−２−
オール（Ｖ）が得られる。

【００７１】以下に実施例で本発明をより詳細に説明す
る。

【００７２】反応の追跡、および生成物の化学純度決定
は、下記の高速液体クロマトグラフィー条件でおこなっ
た。

【００７３】 カラム ：ＹＭＣｐａｃｋ Ｃ₈ Ａ−２０２ １５０ｍｍ×４．５ｍｍφ 検出波長 ：２５４ｎｍ 流量 ：１．０ｍｌ／ｍｉｎ． カラム温度：４０℃ 移勤相 ：０．００３Ｍ Ｈ₃ ＰＯ₄ （ａｑ．）：ＣＨ₃ ＣＮ ＝８０：２０（０→５．０ｍｉｎ．） ＝８０：２０→１０：９０（５．０ｍｉｎ．→１５．０ｍｉｎ． ） ＝１０：９０（１５．０ｍｉｎ．→２５．０ｍｉｎ．） ＝１０：９０→８０：２０（２５．０ｍｉｎ．→３０．０ｍｉｎ ．） 光学活性なシス−１，２−インダンジオール（VI）の光
学純度の決定は、以下の高速液体クロマトグラフィー条
件でおこなった。

【００７４】 カラム ：ＣＨＲＡＬＣＥＬ ＯＫ ２５０ｍｍ×
４．５ｍｍφ 検出波長 ：２５４ｎｍ 流量 ：０．８ｍｌ／ｍｉｎ カラム温度：３０℃ 移動相 ：ヘキサン：イソプロパノール＝９０：１０ 光学活性なシス−１−アミノインダン−２−オール
（Ｖ）の光学純度の決定は、以下の高速液体クロマトグ
ラフィー条件でおこなった。

【００７５】 カラム ：ＣＲＯＷＮＰＡＫ ＣＲ（−） １５０ｍ
ｍ×４．５ｍｍφ 検出波長 ：２１０ｎｍ 流量 ：０．６ｍｌ／ｍｉｎ． カラム温度：３０℃ 移動相 ：過塩素酸水溶液（ｐＨ＝１．０） ¹Ｈ−ＮＭＲは、テトラメチルシランを内部標準物質と
して測定した。

【００７６】実験例１ （±）−トランス−２−ブロモ
インダン−１−オールからの（±）−２−アセトキシイ
ンダン−１−オール（Ｉ，Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）の合成（１） １０００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−トランス−２−
ブロモインダン−１−オール１１７ｇ（０．５４８ｍｏ
ｌ）を仕込み、室温で無水酢酸７０ｇ（０．６８４ｍｏ
ｌ）を加えた。６０℃で５時間加熱下にかき混ぜて、
（±）−トランス−２−ブロモ−１−アセトキシインダ
ンを生成させた。室温で２５％水酸化ナトリウム水浴液
を加え、ｐＨを６〜７に調整した。ついて９５℃で２．
５時間かき混ぜた後に放冷した。水層のｐＨは４であっ
た。析出結晶を減圧で濾別した後に水洗、減圧乾燥して
８１．７ｇの粗生成物を得た。粗生成物をヘキサン：ジ
クロロメタン（８０：２０）から再結晶して、無色針状
晶の（±）−シス−２−アセトキシインダン−１−オー
ル（Ｉ，Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）４３．４ｇ（収率：４１．３
％）を得た。

【００７７】融点：１０１〜１０２℃ ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^-1）：３３１０，１７４０，１２６
０．¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ｐｐｍ）： δ＝２．０９（３Ｈ，ｓ，ＣＨ₃ ）， ２．２９（１Ｈ，ｄ，ｂｒ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，ＯＨ）， ３．０７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１６．８Ｈｚ，３．０Ｈ
ｚ，ＣＨ，Ｈ_3a）． ３．２１（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１６．８Ｈｚ，５．５Ｈ
ｚ，ＣＨ，Ｈ_3b）． ５．２２（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₁ ）． ５．４６（１Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，３．０Ｈｚ，
２．０Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₂ ） ７．２２〜７．４８（４Ｈ，ｍ，ａｒｏｍ．Ｈ）． 実験例２ （±）−トランス−２−ブロモインダン−１
−オールからの（±）−２−アセトキシインダン−１−
オール（Ｉ，Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）の合成（２） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−トランス−２−ブ
ロモインダン−１−オール１０．６５ｇ（０．０５ｍｏ
ｌ）を仕込み、無水酢酸６．３８ｇ（０．０６２５ｍｏ
ｌ）を加えた。６５℃で４時間かき混ぜた後に室温で２
５％水酸化ナトリウム水溶液を加えた。このときの水層
のｐＨは１０であり、有機層のｐＨは７であった。８０
〜８５℃で２時間かき混ぜた後に室温まで冷却した。反
応混合物をジクロロメタン５０ｍｌで２回抽出し、抽出
層を濃縮して粗生成物８．４ｇを得た。この半量をジク
ロロメタンを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマト
グラフィーを行って精製し、微黄色結晶の（±）−シス
−２−アセトキシインダン−１−オール（Ｉ，Ｒ₁ ＝Ｃ
Ｈ₃ ）３．５４ｇ（収率：７４．０％）を得た。スペク
トルデ−タは実験例１の生成物と一致した。

【００７８】実験例３ （±）−シス−１，２−インダ
ンジオール（VI）からの（±）−シス−２−ホルミルオ
キシインダン−１−オール（Ｉ．Ｒ₁ ＝Ｈ）および
（±）−１−ホルミルオキシインダン−２−オール
（Ｉ．Ｒ₁ ＝Ｈ）の合成（１） ５００ｍｌ４ツ口フラスコに、（±）−シス−１，２−
インダンジオール（VI）７．５ｇ（０．０５ｍｏｌ）を
仕込み、ジクロロメタン４５０ｍｌを加えて溶解させ
た。パラトルエンスルホン酸一水和物０．６ｇ（０．０
０３１５ｍｏｌ）を加えた後、室温でかき混ぜなからオ
ルトギ酸トリメチル（VII ，Ｒ₁ ＝Ｈ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）
８．０ｇ（０．０７５ｍｏｌ）を加え、室温で２時間か
き混ぜた。反応混合物を０．５％炭酸カリウム水溶液１
５０ｍｌに注加し、室温で１時間かき混ぜた。有機層を
分離し、水１００ｍｌで洗浄後に無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。ジクロロメタン溶液を減圧下に濃縮して無色
〜徴黄色の粗生成物８．３８ｇを得た。これをイソプロ
パノールから再結晶して、無色麟片状結晶の（±）−シ
ス−２−ホルミルオキシインダン−１−オール（Ｉ，Ｒ
₁ ＝Ｈ）と（±）−シス−１−ホルミルオキシインダン
−２−オール（II，Ｒ₁ ＝Ｈ）の混合物４．８０ｇ（収
率：５３．９％）を得た。 ¹Ｈ−ＮＭＲにおけるＣ₂ プ
ロトンの積分比から混合比はＩ（Ｒ₁ ＝Ｈ）：II（Ｒ₁
＝Ｈ）＝６３：３７てあった. ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^-1）：３２６０，３１４８，１７１
３，１３３９，１１９２．¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ，ｐｐｍ） （±）−シス−２−ホルミルオキシインダン−１−オー
ル（Ｉ，Ｒ₁ ＝Ｈ）； δ＝２．９８〜３．２８（２Ｈ，ｍ，ＣＨ₂ ，Ｈ_3a＋Ｈ
_3b） ２．２８（１Ｈ，ｓ，ｂｒ，ＯＨ）， ５．２５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₁ ）． ５．５９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，３．５Ｈ_z ，
ＣＨ，Ｈ₂ ）， ７．２２〜７．３７（４Ｈ，ｍ，ａｒｏｍ．Ｈ）， ８．１２（１Ｈ，ｓ，ＣＨＯ）． （±）−シス−１−ホルミルオキシインダン−２−オー
ル（II，Ｒ₁ ＝Ｈ）； δ＝２．９８〜３．２８（２Ｈ，ｍ，ＣＨ₂ ，Ｈ_3a＋Ｈ
_3b） １．６４（１Ｈ，ｓ，ｂｒ，ＯＨ）， ４．６７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，５．５Ｈｚ，
ＣＨ，Ｈ₂ ）， ６．１１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₁ ）， ７．４０〜７．４８（４Ｈ，ｍ，ａｒｏｍ．Ｈ）， ８．２２（１Ｈ，ｓ，ＣＨＯ）． 実験例４ （±）−シス−１，２−インダンジオール
（VI）からの（±）−シス−２−ホルミルオキシインダ
ン−１−オール（Ｉ，Ｒ₁ ＝Ｈ）および（±）−１−ホ
ルミルオキシインダン−２−オール（II，Ｒ₁ ＝Ｈ）の
合成（２） ５００ｍｌ４ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール（VI）４．５ｇ（０．０３ｍｏｌ）を仕
込み、ジクロメタン３００ｍｌを加えて溶解させた。パ
ラトルエンスルホン酸一水和物０．３６ｇ（０．００２
ｍｏｌ）を加え、かき混ぜながら室温でオルトギ酸トリ
メチル（VII ，Ｒ₂ ＝Ｈ，Ｒ₃ ＝ＣＨ₃）４．７７ｇ
（０．０４５ｍｏｌ）を加え、室温で２時間かき混ぜ
た。２％酢酸ナトリウム水溶液５０ｍｌを加え、室温で
一夜かき混ぜた。水層のｐＨは７であった。分液し、有
機層を水５０ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥
後に減圧下に濃縮し、淡黄色結晶の粗生成物４．７２ｇ
を得た。

【００７９】粗生成物を、ジクロロメタンを展開溶媒と
してシリカゲルカラムクロマトグラフィーをおこなって
精製し、無色結晶の（±）−シス−２−ホルミルオキシ
インダン−１−オール（Ｉ，Ｒ₁ ＝Ｈ）と（±）−シス
−１−ホルミルオキシインダン−２−オール（II，Ｒ₁
＝Ｈ）の混合物３．４４ｇ（収率：６４．４％）を得
た。 ¹Ｈ−ＮＭＲにおけるＣ₂ プロトンの積分比から、
混合比はＩ（Ｒ₁ ＝Ｈ）：II（Ｒ₁ ＝Ｈ）＝５０：５０
てあった。

【００８０】実験例５ （±）−シス−１，２−インダ
ンジオール（VI）からの（±）−シス−２−（ｎ−プロ
ピルカルボニルオキシ）インダン−１−オール（Ｉ，Ｒ
₁ ＝（ＣＨ₂ ）₂ＣＨ₃）および（±）−シス−１−（ｎ
−プロピルカルボニルオキシ）インダン−２−オール
（II，Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂ ）₂ＣＨ₃ ）の合成（１） ５００ｍｌ４ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール（VI）７．５ｇ（０．０５ｍｏｌ）を仕
込み、ジクロロメタン４５０ｍｌを加えて溶解した。パ
ラトルエンスルホン酸一水和物０．６ｇ（０．００３１
５ｍｏｌ）を加え、室温でかき混ぜながらオルト酪酸ト
リメチル（VII ，Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂ ）₂ＣＨ₃ ，Ｒ₂ ＝Ｃ
Ｈ₃ ）８．９ｇ（０．０６ｍｏｌ）を加えた。室温で３
時間かき混ぜた後、反応混合物を０．５％炭酸カリウム
水溶液１５０ｍｌに注加し、室温で３０分かき混ぜた。
水層のｐＨは５であった。有機層を分離し、水１００ｍ
ｌで洗浄後に無水硫酸ナトリウムで乾燥後に濃縮し、淡
黄色結晶の粗生成物１１．０ｇを得た。粗生成功をヘキ
サンから再結晶し、徴黄白色結晶の（±）−シス−２−
（ｎ−プロピルカルボニルオキシ）インダン−１−オー
ル（Ｉ，Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂ ）₂ＣＨ₃ ）と（±）−シス−
１−（ｎ−プロピルカルボニルオキシ）インダン−２−
オール（II，Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂ ）₂ＣＨ₃ ）の混合物５．
４０ｇ（収率：４９．１％）を得た。 ¹Ｈ−ＮＭＲにお
けるＣ₂ プロトンの積分比から、混合比はＩ（Ｒ₁ ＝
（ＣＨ₂ ）₂ＣＨ₃ ）：II（Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂ ）₂ＣＨ₃ ）
＝５０：５０であった。

【００８１】ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^-1）：３３６２，１７
２７，１１９８．¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ，ｐｐｍ） （±）−シス−２−（ｎ−プロピルカルボニルオキシ）
インダン−１−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂ ）₂Ｃ
Ｈ₃ ）； δ＝０．９５（３Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１２．９Ｈｚ，５．４
Ｈｚ，ＣＨ₃ ），１．５８〜１．７６（２Ｈ．ｍ，ＣＨ
₂ ），２．３２（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，ＣＨ₂ ）
ｏｒ２．３８（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，ＣＨ₂ ），
２．９６〜３．１０（１Ｈ，ｍ，ＣＨ，Ｈ_3a），３．１
４〜３．２６（１Ｈ，ｍ，ＣＨ，Ｈ_3b），５．２２（１
Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₁ ），５．４７（１
Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，３．５Ｈｚ，２．０Ｈｚ，
ＣＨ，Ｈ₂ ），７．２〜７．５（４Ｈ，ｍ，ａｒｏｍ．
Ｈ）． （±）−シス−１−（ｎ−プロピルカルボニルオキシ）
インダン−２−オール（II：Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂ ）₂Ｃ
Ｈ₃ ）； δ＝０．９５（３Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１２．９Ｈｚ，５．４
Ｈｚ，ＣＨ₃ ），１．５８〜１．７６（２Ｈ，ｍ，ＣＨ
₂ ）．２．３２（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，ＣＨ₂ ）
ｏｒ２．３８（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，ＣＨ₂ ），
２．９６〜３．１０（１Ｈ，ｍ，ＣＨ，Ｈ_3a），３．１
４〜３．２６（１Ｈ，ｍ，ＣＨ，Ｈ_3b），４．６６（１
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，５．４Ｈｚ，ＣＨ，
Ｈ₂ ），６．０１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，ＣＨ，
Ｈ₁ ），７．２〜７．５（４Ｈ，ｍ，ａｒｏｍ．Ｈ）． 実験例６ （±）−シス−１，２−インダンジオール
（VI）からの（±）−シス−２−（ｎ−プロピルカルボ
ニルオキシ）インダン−１−オール（Ｉ，Ｒ₁ ＝（ＣＨ
₂ ）₂ＣＨ₃ ）および（±）−シス−１−（ｎ−プロピ
ルカルボニルオキシ）インダン−２−オール（II，Ｒ₁
＝（ＣＨ₂ ）₂ＣＨ₃ ）の合成（２） ２００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール（VI）３．０ｇ（０．０２ｍｏｌ）を仕
込み、ジクロロメタン２００ｍｌを加え溶解した。パラ
トルエンスルホン酸一水和物０．３ｇ（０．００１６ｍ
ｏｌ）を加え、室温でオルト酪酸トリメチル（VII ：Ｒ
₁ ＝（ＣＨ₂ ）₂ＣＨ₃ ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃）４．４４ｇ
（０．０３ｍｏｌ）を添加し、同温度で４時間かき混ぜ
た。反応混合物を２％酢酸ナトリウム水溶液５０ｍｌに
注加し、室温で一夜かき混ぜた。水層のｐＨは６〜７で
あった。有機層を分離し、水５０ｍｌで洗浄後に無水硫
酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下に留去し、黄色
粘調液体の粗生成物４．４７ｇを得た。粗生成物をジク
ロロメタンを展開溶媒とし、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーをおこなって精製し、無色結晶の（±）−シ
ス−２−（ｎ−プロピルカルボニルオキシ）インダン−
１−オール（Ｉ，Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂ ）₂ＣＨ₃ ）と（±）
−シス−１−（ｎ−プロピルカルボニルオキシ）インダ
ン−２−オール（II，Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂ ）₂ＣＨ₃ ）の混
合物２．３８ｇ（５４．１％）を得た。¹Ｈ−ＮＭＲに
おけるＣ₂ プロトンの積分比から、混合比はＩ（Ｒ₁ ＝
（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃ ）：II（Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂ ）₂ＣＨ₃ ）
＝１０：９であった。

【００８２】実験例７（１Ｓ，２Ｒ）−１，２−インダ
ンジオール（VI）から（１Ｓ，２Ｒ）−２−アセトキシ
インダン−１−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）および（１
Ｓ，２Ｒ）−１−アセトキシインダン−２−オール（I
I：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）の合成 ５００ｍｌ３ッ口フラスコに（１Ｓ，２Ｒ）−１，２−
インダンジオール（VI）６．０ｇ（０．０４ｍｏｌ，１
００％ｅｅ）を仕込み、ジクロロメタン４００ｍｌを加
えて溶解させた。パラトルエンスルホン酸一水和物０．
４８ｇ（０．００２５ｍｏｌ）を加えた後、室温でかき
混ぜながら、オルト酢酸トリメチル（VII ：Ｒ₁ ＝ＣＨ
₃ ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）７．２ｇ（０．０６ｍｏｌ）を添加
し、同温度で３時間かき混ぜた。反応混合物を１％炭酸
ナトリウム水溶液１００ｍｌに注加し、１０分間かき混
ぜた後に分液した。水層のｐＨは９であった。有機層に
水１００ｍｌを加えて室温でかき混ぜると、３０分後の
水層のｐＨは４であった。分液してジクロロメタン溶液
５１０ｇを得た。

【００８３】この溶液の半量（２５５ｇ）を無水硫酸ナ
トリウムで乾燥後に溶媒を留去して、黄色液体の粗生成
物３．６６ｇを得た。この粗生成物をジクロロメタンを
展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーを
行い、微黄白色結晶の（１Ｓ，２Ｒ）−２−アセトキシ
インダン−１−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）と（１Ｓ，
２Ｒ）−１−アセトキシインダン−２−オール（IIＲ₁
＝ＣＨ₃ ）の混合物１．７７ｇ（収率：２３．０％）を
得た。

【００８４】先のジクロロメタン溶液の残りの半量（２
５５ｇ）に１％酢酸ナトリウム水溶液１００ｍｌを加え
てかき混ぜた。添加直後のｐＨは８であった。室温で２
日間かき混ぜたところ、ｐＨは７であった。有機層を分
離し、水５０ｍｌで洗浄後に無水硫酸ナトリウムて乾燥
し、ジクロロメタンを留去して、黄色液体の粗生成物
３．７２ｇを得た。これを前述の方法と同様に精製し
て、淡黄色結晶の（１Ｓ，２Ｒ）−２−アセトキシイン
ダン−１−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）と（１Ｓ，２
Ｒ）−１−アセトキシインダン−２−オール（II：Ｒ₁
＝ＣＨ₃ ）の混合物２．０７ｇ（収率：２７．０％）を
得た。総収量３．８４ｇ（総収率：５０．０％）。 ¹Ｈ
−ＮＭＲにおけるＣ₂ プロトンの積分比から、混合比は
Ｉ（Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）：II（Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）＝５０：５０
であった。

【００８５】ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^-1）：３３４３，１７
２８，１２５２．¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ，ｐｐｍ） （１Ｓ，２Ｒ）−２−アセトキシインダン−１−オール
（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ） δ＝２．０９（３Ｈ，ｓ，ＣＨ₃ ），２．３６（１Ｈ，
ｓ，ｂｒ，ＯＨ），３．０７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１６．
８Ｈｚ，３．０Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ_3a），３．２１（１Ｈ，
ｄｄ，Ｊ＝１６．８Ｈｚ，５．５Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ_3b），
５．２２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₁ ），
５．４６（１Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，３．０Ｈｚ，
２．０Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₂ ），７．２２〜７．４８（４
Ｈ，ｍ，ａｒｏｍ．Ｈ）． （１Ｓ，２Ｒ）−１−アセトキシインダン−２−オール
（II：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ） δ＝２．１４（３Ｈ，ｓ，ＣＨ₃ ），２．３６（１Ｈ，
ｓ，ｂｒ，ＯＨ），３．０１（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１６．
０Ｈｚ，６．０Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ_3a），３．１９（１Ｈ，
ｄｄ，Ｊ＝１６．０Ｈａ，６．０Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ_3b），
４．６５（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，５．０Ｈｚ，
ＣＨ，Ｈ₂ ），５．９９（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，
ＣＨ，Ｈ₁ ），７．２２〜７．４８（４Ｈ，ｍ，ａｒｏ
ｍ．Ｈ）． 実施例１ （±）−シス−２−アセトキシインダン−１
−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）の濃硫酸を用いたＲｉｔ
ｔｅｒ反応 １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−２−アセト
キシインダン−１−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）３．８
ｇ（０．０２ｍｏｌ）を仕込み、アセトニトリル２０ｍ
ｌを加えて溶解した。１２〜１６℃で１５分を要して濃
硫酸３．０６ｇ（０．０３ｍｏｌ）を滴下した。室温で
７時間かき混ぜた後、反応液を１％水酸化ナトリウム水
溶液に注加し、ｐＨを８に調整した。塩化メチレン４０
ｍｌで２回抽出し、無水硫酸ナトリウムで抽出層を乾燥
した。減圧下に溶媒を留去して、微褐色結晶の粗生成物
３．５０ｇを得た。

【００８６】粗生成物を酢酸エチルを展開溶媒としてシ
リカゲルクロマトグラフィーをおこない、以下の分画を
得た。

【００８７】１） （±）−シス−１−アセトアミド−
２−アセトキシインダン（III ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ） 収量：０．９４ｇ（収率：２０．２％） 融点：１９５〜１９６℃ ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^-1）：３２４５，１７３８，１６４
４，１２３５．¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ，ｐｐｍ）： δ＝２．０２（３Ｈ，ｓ，ＣＨ₃ ），２．１０（３Ｈ，
ｓ，ＣＨ₃ ）．３．０１（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１７．３Ｈ
ｚ，１．５Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ_3a），３．２２（１Ｈ，ｄ
ｄ，Ｊ＝１７．３Ｈｚ，５．０Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ_3b），
５．５５（１Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，５．０Ｈｚ，
１．５Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₂ ），５．６８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ
＝９．０Ｈｚ，５．０Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₁ ），５．９４
（１Ｈ，ｄ，ｂｒ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，ＮＨ），７．２２
〜７．２８（４Ｈ，ｍ，ａｒｏｍ．Ｈ）． ２） （±）−シス−インデノオキサゾリン（IV） 収量：１．３５ｇ（収率：３９．０％） 融点：６６〜６８℃ ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^-1）：１６６３，１３８７，１２２
３，１１９８，１０１３，７４８．¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ，ｃｍ^-1）： δ＝１．９４（３Ｈ，ｓ，ＣＨ₃ ），３．２４（１Ｈ，
ｄｄ，Ｊ＝１７．８Ｈｚ，１．５Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ_3a），
３．４３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１７．８Ｈｚ，７．９Ｈ
ｚ，ＣＨ，Ｈ_3b），５．３０（１Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝７．９
Ｈｚ，７．９Ｈｚ，１．５Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₂ ），５．５
０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₁ ），７．２
３〜７．５０（４Ｈ，ｍ，ａｒｏｍ．Ｈ）． 実施例２ （±）−シス−２−アセトキシインダン−２
−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）の発煙硫酸を用いたＲｉ
ｔｔｅｒ反応（１） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−２−アセト
キシインダン−１−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）３．８
ｇ（０．０２ｍｏｌ）を仕込み、アセトニトリル２０ｍ
ｌ加えて溶解させた。かき混ぜなから、１３〜１６℃で
発煙硫酸（２５％ＳＯ₃ ）２．８０ｇ（０．０３ｍｏ
ｌ）を１５分を要して滴下した。室温で５時間かき混ぜ
た後、反応混合物を５％水酸化ナトリウム５０ｍｌに注
加した。ｐＨは９〜１０であった。ジクロロメタン４０
ｍｌで２回抽出し、抽出層をあわせて水２０ｍｌで洗浄
した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後に濃縮し、
白色結晶の粗生成物３．４５ｇを得た。これを酢酸エチ
ルを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーをおこない、以下の分画を得た。

【００８８】１） （±）−シス−１−アセトアミド−
２−アセトキシインダン（III ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ） 収量：１．９０ｇ（収率：４０．８％） ２） （±）−シス−インデノオキサゾリン（IV） 収量：０．５８ｇ（収率：１６．８％） 実施例３ （±）−シス−２−アセトキシインダン−２
−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）の発煙硫酸を用いたＲｉ
ｔｔｅｒ反応（２） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−２−アセト
キシインダン−２−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）３．８
ｇ（０．０２ｍｏｌ）を仕込み、アセトニトリル２０ｍ
ｌを加えて室温で溶解させた。氷塩浴で冷却すると１０
℃以下でスラリー状となった。−６℃を保ち、かき混ぜ
なから発煙硫酸（２５％ＳＯ₃ ）２．８０ｇ（０．０３
ｍｏｌ）を１０分を要して滴下した。−３℃から−１０
℃で４．５時間かき混ぜた後、反応混合物を５％水酸化
ナトリウム５０ｍｌ中に注加し、ｐＨを１０に調整し
た。ジクロロメタン４０ｍｌで２回抽出し、抽出層を水
２０ｍｌで洗浄後に無水硫酸ナトリウムで乾燥した。つ
いで溶媒を減圧下に留去し、黄色液体の粗生成物１．９
０ｇを得た。粗生成物を酢酸エチルを展開溶媒としてシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーをおこない、以下の
分画を得た。

【００８９】１） （±）−シス−１−アセトアミド−
２−アセトキシインダン（III ：Ｒ_{1 =}ＣＨ₃ ） 収量：０．１８ｇ（収率：３．９％） ２） （±）−シス−インデノオキサゾリン（IV） 収量：０．３３ｇ（収率：９．５％） 実施例４ （±）−シス−２−アセトキシインダン−２
−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）の発煙硫酸を用いたＲｉ
ｔｔｅｒ反応（３） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−２−アセト
キシインダン−２−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）３．８
ｇ（０．０２ｍｏｌ）を仕込み、アセトニトリル２０ｍ
ｌを加えて溶解させた。１５℃から２０℃を保ちなか
ら、発煙硫酸（２５％ＳＯ₃ ）３．７３ｇ（０．０４ｍ
ｏｌ）を７分を要して滴下した。２０℃で５．５時間か
き混ぜると均一な溶液は桃色スラリーに変化した。反応
混合物を１０％炭酸ナトリウム水溶液１００ｍｌ中に注
加し、析出結晶を濾別した。濾液のｐＨは８〜９であっ
た。結晶を水洗後に乾燥して、無色結晶の（±）−シス
−１−アセトアミド−２−アセトキシインダン（III ：
Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）２．８８ｇ（収率：６１．８％）を得
た。一方、濾液と洗浄液をあわせ、酢酸エチル４０ｍｌ
で３回抽出し、抽出層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した
後、溶媒を減圧下に留去して黄色結晶の粗生成物１．０
７ｇを得た。これを酢酸エチルから再結晶して、微黄白
色結晶の（±）−シス−１−アセトアミド−２−アセト
キシインダン（III ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）０．１６ｇ（収
率：３．４％）を得た。さらに、再結晶の母液を減圧下
に濃縮し、得られた黄色液体を、酢酸エチルを展開溶液
としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行って精
製し、微黄白色結晶の（±）−シス−インデノオキサゾ
リン（IV）０．１３ｇ（収率：３．８％）を得た。

【００９０】実施例５ （±）−シス−２−アセトキシ
インダン−２−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）の濃硫酸を
用いたＲｉｔｔｅｒ反応と生成物の加水分解 １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−２−アセト
キシインダン−２−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）４．２
０ｇ（０．０２２ｍｏｌ）を仕込み、アセトニトリル２
０ｍｌを加えて溶解させた。１８℃から２０℃を保ち、
かき混ぜなから、濃硫酸３．４０ｇ（０．０３３ｍｏ
ｌ）を１０分を要して滴下した。２０〜２５℃で２．５
時間かき混ぜ、室温で一夜放置した。ＨＰＬＣにおい
て、（±）−シス−インデノオキサゾリン（IV）は３３
％、（±）−シス−１−アセトアミド−２−アセトキシ
インダン（III ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）は２１％（いずれも面
積百分率）の生成が認められた。反応混合物に水３０ｍ
ｌを加え、５０℃で２時間かき混ぜた。反応混合物から
減圧下にアセトニトリルと水を濃縮し、残液量を１８．
５ｇとした。この溶液に水２０ｍｌを加え、５０℃で、
さらに６．５時間かき混ぜた。反応混合物を冷却し、ジ
クロロメタン２０ｍｌで洗浄した。水層に２５％水酸化
ナトリウム水溶液を加え、ｐＨを１０〜１１に調整し
た。析出結晶を濾過、水洗いし、減圧乾燥して無色結晶
の（±）−シス−１−アミノインダン−２−オール
（Ｖ）２．１６ｇ（収率：６５．９％）を得た。先の濾
過母液を酢酸エチル２０ｍｌで２回抽出し、抽出層を濃
縮して無色結晶の（±）−シス−１−アミノインダン−
２−オール（Ｖ）０．４１ｇ（収率：１２．５％）を得
た。

【００９１】融点：１２７〜９℃ ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^-1）：３３３９，３２７２，３６０
０．¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ³ ，ｐｐｍ）： δ＝２．２２（１Ｈ，ｓ，ｂｒ，ＮＨ₂ ），２．１７
（１Ｈ，ｓ，ｂｒ，ＯＨ），２．９４（１Ｈ，ｄｄ，１
６．３Ｈｚ，３．０Ｈｚ，ＣＨ₂ ，Ｈ_3a），３．１０
（１Ｈ，ｄｄ，１６．３Ｈｚ，５．５Ｈｚ，ＣＨ₂ ，Ｈ
_3b），４．３２（１Ｈ，ｔｄ，５．５Ｈｚ，ＣＨ，
Ｈ₁ ），４．３８（１Ｈ，ｔｄ．５．５Ｈｚ，５．５Ｈ
ｚ，３．０Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₂），７．２３〜７．３２
（４Ｈ，ｍ，ａｒｏｍ．Ｈ）． 実施例６ （±）−シス−２−ホルミルオキシインダン
−１−オール（Ｉ：Ｒ₁＝Ｈ）と（±）−シス−１−ポ
ルミルオキシインダン−２−オール（II：Ｒ₁ ＝Ｈ）の
混合物の濃硫酸を用いたＲｉｔｔｅｒ反応 １００ｍｌ３ッ口フラスコに実施例３で合成した（±）
−シス−２−ホルミルオキシインダン−１−オール
（Ｉ：Ｒ₁ ＝Ｈ）と（±）−シス−１−ホルミルオキシ
インダン−２−オール（II：Ｒ₁ ＝Ｈ）の混合物（Ｉ：
II＝６３：３７）１．７８ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込
み、アセトニトリル６０ｍｌを加えて溶解させた。１７
℃から２０℃を保ちなから、濃硫酸１．５０ｇ（０．０
１５ｍｏｌ）を５分を要して滴下した。２３℃で６時間
かき混ぜた後、反応混合物から減圧下にアセトニトリル
を濃縮し、残液を７．１０ｇとした。これを１０％炭酸
ナトリウム水溶液に注加し、酢酸エチル３０ｍｌで２回
抽出した。抽出層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、酢酸
エチルを留去して、褐色液体の粗生成物１．６０ｇを得
た。これを、酢酸エチルを展開溶媒としてシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーをおこない、（±）−シス−イ
ンデノオキサゾリン（IV）１．１２ｇ（収率：６５．０
％）を得た。

【００９２】実施例７ （±）−シス−２−ホルミルオ
キシインダン−１−オール（Ｉ：Ｒ₁＝Ｈ）と（±）−
シス−１−ホルミルオキシインダン−２−オール（Ｉ：
Ｒ₁ ＝Ｈ）の混合物の発煙硫酸を用いたＲｉｔｔｅｒ反
応 ５０ｍｌ３ッ口フラスコに実験例４で合成した（±）−
シス−２−ホルミルオキシインダン−１−オール（Ｉ：
Ｒ₁ ＝Ｈ）と（±）−シス−１−ホルミルオキシインダ
ン−２−オール（II：Ｒ₁ ＝Ｈ）の混合物（Ｉ：II＝５
０：５０）１．７８ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込み、ア
セトニトリル１０ｍｌを加えて懸濁させた。２３〜２７
℃でかき混ぜながら発煙硫酸２．３２ｇ（０．０２５ｍ
ｏｌ）を滴下し、２５〜３０℃で４時間かき混ぜた。反
応液はいったん均一となり、ついで桃色のスラリーヘと
変化した。反応混合物を５％炭酸水素ナトリウム水溶液
１００ｍｌ中に注加した。析出結晶を濾過（濾液のｐＨ
は９であった）、水洗後に減圧乾燥して淡褐色緒結の粗
生成物０．８６ｇを得た。これを酢酸エチルから再結晶
して（±）−シス−１−アセトアミド−２−ホルミルオ
キシインダン（III：Ｒ₁ ＝Ｈ）０．４４ｇ（収率：２
０．１％）を得た。

【００９３】融点：１８３〜１８５℃ ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^-1）：３２７５，１７２１，１６５
７，１１８８．¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ，ｐｐｍ）： δ＝２．１１（３Ｈ，ｓ，ＣＨ₃ ），３．０５（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝１７．３Ｈｚ，ＣＨ₂ ，Ｈ_3a），３．２６（１
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１７．３Ｈｚ，５．０Ｈｚ，ＣＨ₂ ，Ｈ
_3b），５．６８（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ
₂ ），５．７３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，５．０
Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₁ ），５．９８（１Ｈ，ｄ，ｂｒ，Ｊ＝
９．０Ｈｚ，ＮＨ），７．２５〜７．２９（４Ｈ，ｍ，
ａｒｏｍ．Ｈ），８．０４（１Ｈ，ｓ，ＣＨＯ）． 再結晶後の濾過母液を減圧下に濃縮し、残さを酢酸エチ
ルを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーをおこなって精製し、微黄白色結晶の（±）−シス−
インデノオキサゾリン（IV）０．３２ｇ（収率：１８．
５％）を得た。−方、先の水性濾液を酢酸エチル２０ｍ
ｌで３回抽出し、抽出層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後
に濃縮し、得られた残さを酢酸エチルを展開溶媒として
シリカゲルカラムクロマトグラフィーをおこなって精製
し、微黄白色結晶の（±）−シス−インデノオキサゾリ
ン（IV）０．７５ｇ（収率：４３．４％）を得た。

【００９４】実施例８ （±）−シス−２−ホルミルオ
キシインダン−１−オール（Ｉ：Ｒ₁＝Ｈ）と（±）−
シス−１−ホルミルオキシインダン−２−オール（II：
Ｒ₁ ＝Ｈ）の混合物の濃硫酸を用いたＲｉｔｔｅｒ反応
と生成物の加水分解 １００ｍｌ３ッ口フラスコに実施例３で合成した（±）
−シス−２−ホルミルオキシインダン−１−オール
（Ｉ：Ｒ₁ ＝Ｈ）と（±）−シス−１−ホルミルオキシ
インダン−２−オール（II：Ｒ₁ ＝Ｈ）の混合物（Ｉ：
II＝６３：３７）１．７８ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込
み、アセトニトリル６０ｍｌを加えて溶解させた。１７
〜１８℃でかき混ぜながら、濃硫酸１．５０ｇ（０．０
１５ｍｏｌ）を５分を要して滴下した。２５℃で７時間
かき混ぜた。ＨＰＬＣにおいて、（±）−シス−インデ
ノオキサゾリン（IV）は５４％（面積百分率）生成して
いた。湯浴の温度を３０℃に保ち、減圧下にアセトニト
リルを留去して、残液量を４．１０ｇとした。残液に水
１５ｍｌを加え、５０℃で８時間かき混ぜた。反応混合
物を冷却し、ジクロロメタン２０ｍｌで２回洗浄した。
水層を分離し、これに２５％水酸化ナトリウム水溶液を
加えてｐＨを１１に調整した。酢酸エチル２０ｍｌで２
回抽出し、抽出層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減
圧下に溶媒を留去し、無色結晶の（±）−シス−１−ア
ミノインダン−２−オール（Ｖ）０．７０ｇ（収率：４
７．０％）を得た。

【００９５】実施例９．（±）−シス−２−（ｎ−プロ
ピルカルボニルオキシ）インダン−１−オール（Ｉ：Ｒ
₁ ＝（ＣＨ₂ ）₂ＣＨ₃ ）と（±）−シス−１−（ｎ−
プロピルカルボニルオキシ）インダン−２−オール（I
I：Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃ ）の混合物の濃硫酸を用い
たＲｉｔｔｅｒ反応 １００ｍｌ３ッ口フラスコに実施例５で合成した（±）
−シス−２−（ｎ−プロピルカルボニルオキシ）インダ
ン−１−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃）と
（±）−シス−１−（ｎ−プロピルカルボニルオキシ）
インダン−２−オール（II：Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃ ）
の混合物（Ｉ：II＝５０：５０）２．２０ｇ（０．０１
ｍｏｌ）を仕込み、アセトニトリル１０ｍｌを加えて溶
解させた。１７〜１８℃でかき混ぜながら、濃硫酸１．
５０ｇ（０．０１５ｍｏｌ）を７分を要して滴下した。
１５〜２２℃で７時間かき混ぜた後、反応混合物を、１
０％炭酸ナトリウム水溶液５０ｍｌ中に注加した、ジク
ロロメタン３０ｍｌで２回抽出した後、抽出層を水１０
ｍｌで洗浄した。ジクロロメタン溶液を無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去して淡褐色結晶の粗
生成物０．８３ｇを得た。これを、ジクロロメタンを展
開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーをお
こない、以下の分画を得た。

【００９６】（１） （±）−シス−１−アセトキシ−
２−（ｎ−プロピルカルボニルオキシ）インダン（III
：Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃ ） 収量：０．５１ｇ（収率：１９．５％） 融点：１３５−１３７℃ ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^-1）：３３０２，１７２７，１６５
１，１１８４．¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ³ ，ｐｐｍ）： δ＝０．９３（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，ＣＨ₃ ），
１．６２（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，ＣＨ₂ ），２．
０９（３Ｈ，ｓ，ＣＨ₃ ），２．２５（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝
７．４Ｈｚ，ＣＨ₂ ），２．９９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１
７．３Ｈｚ，１．５Ｈｚ，ＣＨ₂ ，Ｈ_3a），３．２３
（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１７．３Ｈｚ，５．４Ｈｚ，Ｃ
Ｈ₂ ，Ｈ_3b），５．５７（１Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝５．４Ｈ
ｚ，５．４Ｈｚ，１．５Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₂ ），５．６７
（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，５．４Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ
₁ ），５．９８（１Ｈ，ｄ，ｂｒ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，Ｎ
Ｈ），７．２０〜７．２８（４Ｈ，ｍ，ａｒｏｍ．
Ｈ）． （２） （±）−シス−インデノオキサゾリン（IV） 収量：０．２８ｇ（収率：１６．２％）． 実施例１０ （±）−シス−２−（ｎ−プロピルカルボ
ニルオキシ）インダン１−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝（Ｃ
Ｈ₂）₂ＣＨ₃ ）と（±）−シス−１−（ｎ−プロピルカ
ルボニルオキシ）インダン−２−オール（II：Ｒ₁ ＝
（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃ ）の混合物の発煙硫酸を用いたＲｉｔ
ｔｅｒ反応 ５０ｍｌ３ッ口フラスコに実施例６で（±）−シス−２
−（ｎ−プロピルカルボニルオキシ）インダン−１−オ
ール（Ｉ：Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃ ）と（±）−シス−
１−（ｎ−プロピルカルボニルオキシ）インダン−２−
オール（II：Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃ ）の混合物（Ｉ：
II＝１０：９）２．２０ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込
み、アセトニトリル１０ｍｌを加えて溶解させた。かき
混ぜながら、１８〜２３℃で発煙硫酸（２５％ＳＯ₃ ）
２．３２ｇ（０．０２５ｍｏｌ）を７分を要して滴下し
た。２３〜２６℃で５．５時間かき混ぜ、淡褐色スラリ
ー状の反応混合物を１０％炭酸ナトリウム水溶液５０ｍ
ｌ中に注加した。析出結晶を濾過、水洗した後に乾燥し
て、暗白色結晶の（±）−シス−１−アセトアミド−２
−（ｎ−プロピルカルボニルオキシ）インダン（III ：
Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃ ）１．９６ｇ（収率：７５．１
％）を得た。

【００９７】濾液を酢酸エチル２０ｍｌで３回抽出し、
抽出層を無水硫酸ナトリウムて乾燥後に濃縮して黄色液
体の粗生成物０．３２ｇを得た。これを酢酸エチルを展
開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーをお
こない、無色結晶の（±）−シス−インデノオキサゾリ
ン（IV）０．１５ｇ（収率：８．７％）を得た。

【００９８】実施例１１ （±）−シス−２−（ｎ−プ
ロピルカルボニルオキシ）インダン−１−オール（Ｉ：
Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃ ）と（±）−シス−１−（ｎ−
プロピルカルボニルオキシ）インダン−２−オール（I
I：Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃ ）の混合物の濃硫酸を用い
たＲｉｔｔｅｒ反応と加水分解 １００ｍｌ３ッ口フラスコに、実験例５で合成した
（±）−シス−２−（ｎ−プロピルカルボニルオキシ）
インダン−１−オール（Ｉ：Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃ ）
と（±）−シス−１−（ｎ−プロピルカルボニルオキ
シ）インダン−２−オール（II：Ｒ₁ ＝（ＣＨ₂）₂ＣＨ
₃ ）の混合物（Ｉ：II＝５０：５０）２．２０ｇ（０．
０１ｍｏｌ）を仕込み、アセトニトリル１０ｍｌを加え
て溶解させた。１３〜１５℃で、かき混ぜながら、濃硫
酸１．５０ｇ（０．０１５ｍｏｌ）を７分を要して滴下
した。２０℃で１０時間かき混ぜた後、さらに室温で一
夜、かき混ぜを続けた。反応混合物に水１０ｍｌを加
え、５０℃で４時間かき混ぜた後、アセトニトリルと水
を減圧下に留去し、残液を４．４ｇとした。残液に水１
１ｍｌを加え、５０℃で８時間かき混ぜた。室温まで冷
却し、ジクロロメタン２０ｍｌで２回洗浄した。水層に
２５％水酸化ナトリウム水溶液を加え、ｐＨを１０〜１
１に調整した。ジクロロメタン２０ｍｌで２回抽出し、
抽出層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後に溶媒を留去し
て、無色結晶の（±）−シス−１−アミノインダン−２
−オール（Ｖ）０．６３ｇ（収率：４２．３％）を得
た。

【００９９】実施例１２ （１Ｓ，２Ｒ）−２−アセト
キシインダン−１−オール（Ｉ：Ｒ₁＝ＣＨ₃ ）および
（１Ｓ，２Ｒ）−１−アセトキシインダン−２−オール
（II：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）の混合物の発煙硫酸を用いたＲｉ
ｔｔｅｒ反応 ５０ｍｌ３ッ口フラスコに、実験例７で合成した（１
Ｓ，２Ｒ）−２−アセトキシインダン−１−オール
（Ｉ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）および（１Ｓ，２Ｒ）−１−アセ
トキシインダン−２−オール（II：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）の混
合物（Ｉ：II＝５０：５０）１．９２ｇ（０．０１ｍｏ
ｌ）を仕込み、アセトニトリル１０ｍｌを加えて溶解さ
せた。２２〜２４℃で、かき混ぜながら発煙硫酸（２５
％ＳＯ₃ ）２．３２ｇ（０．０２５ｍｏｌ）を２７分を
要して滴下した。２３〜２５℃で４時間かき混ぜたとこ
ろ、淡桃色の微細結晶が析出した。１２℃に冷却して３
０分かき混ぜた後、反応混合物を５％炭酸ナトリウム水
溶液１００ｍｌ中に注加した。析出結晶を濾過、水洗し
た後、乾燥して、無色結晶の（１Ｓ，２Ｒ）−１−アセ
トアミド−２−アセトキシインダン（III ：Ｒ₁ ＝ＣＨ
₃ ）１．５７ｇ（収率：６７．４％）を得た。

【０１００】融点：１７５〜１７６℃ ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^-1）：３３０８，１７３２，１６５
１，１５５１，１２４６，１１２８．¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ，ｐｐｍ）：実施例１の
（±）−シス−１−アセトアミド−２−アセトキシイン
ダンと一致。

【０１０１】 ［α］_D ＝−５６．６°（ｃ＝１．０，ＭｅＯＨ） 一方、濾過母液を酢酸エチル２０ｍｌで３回抽出し、抽
出層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後に溶媒を留去して、
淡黄色結晶の粗生成物０．８３ｇを得た。これを酢酸エ
チルを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラワ
ィ−をおこない、以下の分画を得た。

【０１０２】（１）（１Ｓ，２Ｒ）−１−アセトアミド
−２−アセトキシインダン（III ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ） 収量：０．３５ｇ（収率：１５．０％） （２）（４Ｓ，５Ｒ）−インデノオキサゾリン（IV） 収量：０．０８５ｇ（収率：４．９％） 融点：８５〜８６℃ ［α］_D ＝−３１６．３°（ｃ＝１．０，ＣＨＣ
ｌ₃ ）． 実施例１３ （１Ｓ，２Ｒ）−１−アセトアミド−２−
アセトキシインダン（III ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）の加水分解
による（１Ｓ，２Ｒ）−１−アミノインダン−２−オー
ル（Ｖ）の合成 ５０ｍｌ３ッ口フラスコに実施例１２で合成した、（１
Ｓ，２Ｒ）−１−アセトアミド−２−アセトキシインダ
ン（III ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ）１．１７ｇ（０．００５ｍｏ
ｌ）を仕込み、２Ｎ硫酸１０ｍｌ、およびアセトニトリ
ル６ｍｌを加えて溶解させた。５０℃で６時間かき混ぜ
た後、アセトニトリルおよび水を減圧下に留去し、残液
を７．４ｇとした。水２．９ｇを加え、５０℃で３時間
かき混ぜた。室温まて冷却し、ジクロロメタン５ｍｌで
２回洗浄した。水層に２５％水酸化ナトリウムを加え
て、ｐＨを７に調整した後、ジクロロメタン５ｍｌで洗
浄した。水層に２５％水酸化ナトリウム水溶液を加え、
ｐＨを１１に調整した。析出結晶を濾過、水洗し、乾燥
して、無色鱗片状結晶の（１Ｓ，２Ｒ）−１−アミノイ
ンダン−２−オール（Ｖ）０．２２ｇ（収率：２９．６
％）を得た。

【０１０３】融点：１１８〜１１９℃ ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^-1）：３３４３，９７６，７３５．¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ，ｐｐｍ）：実施例５で合成
した、（±）−シス−１−アミノインダン−２−オール
（Ｖ）と一致した。

【０１０４】［α］_D ＝−２５．２°（ｃ＝１．０，
０．１Ｍ ＨＣｌ／ＭｅＯＨ）． キラルなＨＰＬＣによる光学純度は、１００％ｅｅであ
った。

【０１０５】母液と洗浄液をあわせ、酢酸エチル１０ｍ
ｌで３回抽出し、抽出層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。溶媒を減圧下に留去し、無色鱗片状結晶の（１Ｓ，
２Ｒ）−１−アミノインダン−２−オール（Ｖ）０．２
２ｇ（収率：２９．６％）を得た。

【０１０６】キラルなＨＰＬＣによる光字純度は、１０
０％ｅｅであった。

【０１０７】実施例１４ （４Ｓ，５Ｒ）−インデノオ
キサゾリン（IV）の加水分解による（１Ｓ，２Ｒ）−１
−アミノインダン−２−オール（Ｖ）の合成 １０ｍｌナス型フラスコに、実施例１２で合成した（１
Ｓ，２Ｒ）−インデノオキサゾリン（IV）０．１５ｇ
（０．８７ｍｍｏｌ）を仕込み、２Ｎ硫酸１．０ｍｌを
加えて溶解させた。５０℃で５時間かき混ぜた後、ジク
ロロメタン２ｍｌで２回洗浄した。水層に２５％水酸化
ナトリウム水溶液を加えてｐＨを１０〜１１に調整し
た。析出結晶を濾過、水洗、乾燥して、無色鱗片状結晶
の（１Ｓ，２Ｒ）−１−アミノインダン−２−オール
（Ｖ）０．０８２ｇ（収率：６３．１％）を得た。

【０１０８】［α］_D ＝−２５．２°（ｃ＝１．０，
０．１Ｍ ＨＣｌ／ＭｅＯＨ）． キラルなＨＰＬＣによる光学純度は１００％ｅｅであっ
た。

【０１０９】実施例１５ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝Ｈ，Ｒ
₂ ＝ＣＨ₃ ）の合成とＲｉｔｔｅｒ反応、および加水分
解（１） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール（VI）３．０ｇ（０．０２ｍｏｌ）を仕
込み、アセトニトリル２０ｍｌを加えて分散させた。パ
ラトルエンスルホン酸一水和物０．１９ｇ（０．００１
ｍｏｌ）を加え、室温でかき混ぜながらオルトギ酸トリ
メチル（VII ：Ｒ₁ ＝Ｈ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃）３．２ｇ
（０．０３ｍｏｌ）を滴下した。室温で３時間かき混ぜ
た後、１５〜１６℃でかき混ぜなから、５分を要して濃
硫酸６．０ｇ（０．０６ｍｏｌ）を滴下した。２０℃で
５時間かき混ぜ、さらに室温で一夜かき混ぜた。５０℃
の湯浴で加温しつつ減圧下に濃縮し、残液量を１８．３
ｇとした。残液に水１５ｍｌを加え、５０℃で８時間か
き混ぜた。反応混合物を室温に冷却し、ジクロロメタン
２０ｍｌで２回洗浄し、ジクロロメタン層を水１０ｍｌ
て洗浄した。水層をあわせ、これに２５％水酸化ナトリ
ウム水溶液を加え、ｐＨを１０〜１１に調整した。酢酸
エチル３０ｍｌで２回抽出し、抽出層を無水硫酸ナトリ
ウムて乾燥後に溶媒を留去して無色結晶の（±）−シス
−１−アミノインダン−２−オール（Ｖ）１．４２ｇ
（収率：４７．７％）を得た。−方、酢酸エチルで抽出
後の水層を食塩で飽和させ、酢酸エチル２０ｍｌで３回
抽出した。抽出層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒
を留去して無色結晶の（±）−シス−１−アミノインダ
ン−２−オール（Ｖ）０．３６ｇ（収率：１２．１％）
を得た。

【０１１０】実施例１６ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ＝ＣＨ₃ ，
Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）の合成とＲｉｔｔｅｒ反応、および加水
分解（１） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール（VI）３．０ｇ（０．０２ｍｏｌ），ア
セトニトリル２０ｍｌ，パラトルエンスルホン酸一水和
物０．１９ｇ（０．００１ｍｏｌ）を仕込み、分散させ
た。２１〜２２℃でオルト酢酸トリメチル（VII ：Ｒ₁
＝ＣＨ₃ ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）３．６ｇ（０．０３ｍｏｌ）
を加え、室温で５時間かき混ぜた。１６℃から２８℃で
かき混ぜながら、濃硫酸６．０ｇ（０．０６ｍｏｌ）を
１０分を要して滴下し、室温で一夜かき混ぜた。２０〜
２５℃で水１０ｍｌを加え、５０℃で７時間かき混ぜ
た。室温まで冷却し、反応混合物をジクロロメタン２０
ｍｌで２回洗浄した。水層に２５％水酸化ナトリウム水
溶液を加えてｐＨを１０に調節し、酢酸エチル１００ｍ
ｌで抽出した。水層をさらに酢酸エチル４０ｍｌで２回
抽出した。抽出層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後に溶媒
を留去して、微桃白色結晶の（±）−シス−１−アミノ
インダン−２−オール（Ｖ）１．８９ｇ（収率：６３．
４％）を得た。

【０１１１】実施例１７ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝（ＣＨ
₂）₂ＣＨ₃ ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）の合成とＲｉｔｔｅｒ反
応、および加水分解（１） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール（VI）３．０ｇ（０．０２ｍｏｌ）、ア
セトニトリル２０ｍｌ，パラトルエンスルホン酸一水和
物０．１９ｇ（０．００１ｍｏｌ）を仕込み、２６℃で
かき混ぜながら、オルト酪酸トリメチル（VII ：Ｒ₁ ＝
（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃ ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）４．４ｇ（０．０３
ｍｏｌ）を加えた．室温で３時間かき混ぜた後、１８℃
〜２５℃で１０分を要して濃硫酸６．０ｇ（０．０６ｍ
ｏｌ）を滴下した。室温で１８時間かき混ぜた後、水１
０ｍｌを加え、５０℃で２時間かき混ぜた。同温度で減
圧下に濃縮し、残液を１５．３ｇとした。水７ｍｌを加
えて５０℃で４時間かき混ぜ、室温まで冷却した。反応
混合物をジクロロメタン２０ｍｌで２回洗浄し、水層に
２５％水酸化ナトリウム水溶液を加え、ｐＨを１０に調
節した。酢酸エチル４０ｍｌで３回抽出し、抽出層を無
水硫酸ナトリウムで乾燥した後に溶媒を濃縮し、淡桃色
結晶の（±）−シス−１−アミノインダン−２−オール
（Ｖ）１．７３ｇ（収率：５８．１％）を得た。

【０１１２】実施例１８ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝Ｈ，Ｒ
₂ ＝ＣＨ₃ ）の合成とＲｉｔｔｅｒ反応、および加水分
解（２） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール（VI）３．０ｇ（０．０２ｍｏｌ）、ア
セトニトリル２０ｍｌ、パラトルエンスルホン酸一水和
物０．１９ｇ（０．００１ｍｏｌ）を仕込み、２３℃〜
２５℃でオルトギ酸トリメチル（VII ：Ｒ₁ ＝Ｈ，Ｒ₂
＝ＣＨ₃ ）３．２ｇ（０．０３ｍｏｌ）を加え、室温で
２時間かき混ぜた。原料のジオールか消減していること
を確認し、−２〜２℃でかき混ぜなから濃硫酸８．０ｇ
（０．０８ｍｏｌ）を滴下した。２〜４℃を保ちなから
５時間かき混ぜた後、水１６ｍｌを加えた。５０℃で
１．５時間かき混ぜだ後に減圧下に濃縮し、残液を５．
８ｇとした。残液に水２５ｍｌを加え、さらに５０℃で
９時間かき混ぜた。室温まで冷却し、反応混合物をジク
ロロメタン２０ｍｌで２回洗浄し、水層に２５％水酸化
ナトリウム水溶液を加えてｐＨを１０〜１１に調整し
た。酢酸エチル４０ｍｌで３回抽出し、抽出層を無水硫
酸ナトリウムで乾燥後に溶媒を留去して、淡桃白色結晶
の（±）−シス−１−アミノインダン−２−オール
（Ｖ）１．７４ｇ（収率：５８．４％）を得た。さらに
水層を同様に処理し、同じ生成物０．１３ｇ（収率：
４．４％）を得た。

【０１１３】実施例１９ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝Ｈ，Ｒ
₂ ＝ＣＨ₃ ）の合成とＲｉｔｔｅｒ反応、および加水分
解（３） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール（VI）３．０ｇ（０．０２ｍｏｌ）、ア
セトニトリル２０ｍｌ、パラトルエンスルホン酸一水和
物０．１９ｇ（０．００１ｍｏｌ）を仕込み、２０℃で
かき混ぜながらオルトギ酸トリメチル（VII ：Ｒ₁ ＝
Ｈ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）３．２ｇ（０．０３ｍｏｌ）を加え
た。同温度で２時間かき混ぜた後、０〜３℃で１２分を
要し、発煙硫酸（２５％ＳＯ₃ ）２．８ｇ（０．０３ｍ
ｏｌ）を滴下し、２〜７℃で２．５時間かき混ぜた。Ｈ
ＰＬＣ分析の結果、（±）−シス−インダンジオール環
状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝Ｈ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）が
残存していたため、３〜５℃でかき混ぜながら、発煙硫
酸（２５％ＳＯ₃ ）２．８ｇ（０．０３ｍｏｌ）を滴下
し、３℃で３時間、室温で一夜かき混ぜた。反応液に水
１５ｍｌを加え、５０℃で１．５時間かき混ぜだ後、減
圧下に濃縮して残液を１９．７ｇとした。これに水５．
７ｇを加えて、５０℃で６時間かき混ぜた。反応混合物
を室温まで冷却し、ジクロロメタン２０ｍｌで２回洗浄
後、水層に２５％水酸化ナトリウムを加え、ｐＨを４〜
５に調整した。水層をジクロロメタン２０ｍｌで洗浄
し、さらに２５％水酸化ナトリウム水溶液を加えて最終
的にｐＨを１０〜１１に調整した。微桃色結晶が析出し
たので、これを酢酸エチル９０ｍｌで抽出し、さらに水
層を酢酸エチル４０ｍｌて２回抽出した。抽出層をあわ
せ、無水硫酸ナトリウムで乾燥後に溶媒を留去して、無
色結晶の（±）−シス−１−アミノインダン−２−オー
ル（Ｖ）２．２３ｇ（収率：７４．３％）を得た。

【０１１４】実施例２０ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝Ｈ，Ｒ
₂ ＝ＣＨ₃ ）の合成とＲｉｔｔｅｒ反応、および加水分
解（４） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール（VI）３．０ｇ（０．０２ｍｏｌ）,ア
セトニトリル２０ｍｌ,パラトルエンスルホン酸一水和
物０．１９ｇ（０．００１ｍｏｌ）を仕込み、懸濁状態
でかき混ぜながら、２４℃でオルトギ酸トリメチル（VI
I ：Ｒ₁ ＝Ｈ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）３．２ｇ（０．０３ｍｏ
ｌ）を加え、同温度で２時間かき混せた。ＨＰＬＣ分析
において、ジオールが消滅していることを確認した後、
３℃でかき混ぜながら、濃硫酸８．０ｇ（０．０８ｍｏ
ｌ）を３０分を要して滴下した。３〜６℃て６時間、室
温で一夜かき混ぜた後、ＨＰＬＣ分析において、（±）
−シス−インダンジオール環状オルトエステル（VIII：
Ｒ₁ ＝Ｈ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）の消滅を確認し、反応液に水
１６ｍｌを加えた。反応混合物を５０℃で２時間かき混
ぜた後、減圧下に濃縮し、残液を２１．５ｇとした。残
液に水１０ｍｌを加え、５０℃で６時間かき混ぜ、室温
まで冷却した。反応混合物をジクロロメタン２０ｍｌで
２回洗浄し、水層に２５％水酸化ナトリウム水溶液を加
えてｐＨを６に調整した。再度ジクロロメタン１０ｍｌ
で洗浄し、水層に２５％水酸化ナトリウム水溶液を加え
てｐＨを１０〜１１に調整すると、結晶が析出した。ス
ラリーを酢酸エチル１００ｍｌで抽出した後、水層をさ
らに酢酸エチル４０ｍｌで２回抽出した。抽出層をあわ
せ、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後に溶媒を留去し
て、無色結晶の（±）−シス−１−アミノインダン−２
−オール（Ｖ）２．５２ｇ（収率：８４．６％）を得
た。

【０１１５】実施例２１ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝Ｃ
Ｈ₃ ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）の合成とＲｉｔｔｅｒ反応、およ
び加水分解（２） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール（VI）３．０ｇ（０．０２ｍｏｌ）、ア
セトニトリル２０ｍｌ，パラトルエンスルホン酸水和物
０．１９ｇを仕込み、かき混ぜながら、２２℃でオルト
酢酸トリメチル（VII ：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）
３．６ｇ（０．０３ｍｏｌ）を加え、２５℃で２時間か
き混ぜた。ＨＰＬＣ分析でジオールが消失したのを確認
した後、０〜２℃でかき混ぜながら、濃硫酸６．０ｇ
（０．０６ｍｏｌ）を１３分を要して滴下した。２〜６
℃で５時間かき混ぜ、ＨＰＬＣ分析すると、（±）−シ
ス−インデノオキサゾリン（IV）は３２％（面積百分
率）生成し、中間体の（±）−シス−１，２−インダン
ジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ，Ｒ
₂ ＝ＣＨ₃ ）は１２．６％（面積百分率）残存してい
た。室温で一夜かき混ぜ、再度分析すると、中間体の、
環状オルトエステル（VIII）は消滅していた。反応混合
物に水１０ｍｌを加え、５０℃で１時間かき混ぜた後に
減圧下に濃縮し、残液を１７．５ｇとした。残液に水８
ｍｌを加え、５０℃で６時間かき混ぜた後に室温まで冷
却した。反応混合物をジクロロメタン２０ｍｌで２回洗
浄し、水層に２５％水酸化ナトリウム水溶液を加えるこ
とにより、ｐＨを６に調整した。水層をジクロロメタン
２０ｍｌで洗浄し、さらに２５％水酸化ナトリウム水溶
液を加えてｐＨを１０〜１１に調整したところ、結晶が
析出した。スラリーに酢酸エチル１００ｍｌを加え、結
晶を溶解、抽出し、水層をさらに酢酸エチル４０ｍｌで
２回抽出した。抽出層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後に
溶媒を留去し、無色結晶の（±）−シス−１−アミノイ
ンダン−２−オール（Ｖ）１．８８ｇ（収率：６３．１
％）を得た。

【０１１６】実施例２２ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオール環状オルトエステル（VIII ：Ｒ₁ ＝ＣＨ
₃ ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）の合成とＲｉｔｔｅｒ反応、および
加水分解（３） 濃硫酸の使用量を６．０ｇ（０．０６ｍｏｌ）から８．
０ｇ（０．０８ｍｏｌ）に増やして実施例２１と同様の
繰作をおこない、無色結晶の（±）−シス−１−アミノ
インダン−２−オール（Ｖ）２．１１ｇ（収率：７０．
８％）を得た。

【０１１７】実施例２３ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝Ｃ
Ｈ₃ ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）の合成とＲｉｔｔｅｒ反応、およ
び加水分解（４） 濃硫酸６．０ｇ（０．０６ｍｏｌ）に替えて、発煙硫酸
（２５％ＳＯ₃ ）５．６ｇ（０．０６ｍｏｌ）を用いて
実施例２１と同様の操作をおこない、無色結晶の（±）
−シス−１−アミノインダン−２−オール（Ｖ）２．０
０ｇ（収率：６７．１％）を得た。

【０１１８】実施例２４ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝（ＣＨ
₂）₂ＣＨ₃ ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）の合成とＲｉｔｔｅｒ反
応、および加水分解（２） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール（Ｖ）３．０ｇ（０．０２ｍｏｌ）、ア
セトニトリル２０ｍｌ、パラトルエンスルホン酸一水和
物０．３８ｇ（０．００２ｍｏｌ）を仕込み、懸濁しつ
つ、１８℃でオルト酪酸トリメチル（VII ：Ｒ₁ ＝（Ｃ
Ｈ₂）₂ＣＨ₃ ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）４．４ｇ（０．０３ｍｏ
ｌ）を加えた。２３℃で２時間かき混ぜたところ、原料
のジオールは消失した。０℃に冷却し、かき混ぜなか
ら、０〜３℃で濃硫酸８．０ｇ（０．０８ｍｏｌ）を滴
下した。３〜５℃で６．５時間、室温で１５時間かき混
ぜると、ＨＰＬＣ分析の結果、中間体の（±）−シス−
１，２インダンジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ
₁ ＝（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃ ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）は消失し，
（±）−シス−インデノオキサゾリン（IV）が４０％
（面積百分率）生成した。反応混合物に水２０ｍｌを加
え、５０℃で１．５時間かき混ぜた後に減圧下に濃縮
し、残液を２３．４ｇとした。残液に水８ｍｌを加え、
再度５０℃で６時間かき混ぜ、室温まで冷却した。反応
混合物をジクロロメタン３０ｍｌで２回洗浄し、水層に
２５％水酸化ナトリウム水溶液を加えてｐＨを６〜７に
調整した。ジクロロメタン２０ｍｌで再皮洗浄後、水層
に２５％水酸化ナトリウム水溶液を加えてｐＨを１０〜
１１に調整した。析出結晶を酢酸エチル１００ｍｌで溶
解、抽出し、水層をさらに酢酸エチル４０ｍｌで２回抽
出した。

【０１１９】抽出層をあわせ、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後に溶媒を留去し、無色結晶の（±）−シス−１−ア
ミノインダン−２−オール（Ｖ）２．２３ｇ（収率：７
４．８％）を得た。

【０１２０】実施例２５ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝Ｈ，Ｒ
₂ ＝ＣＨ₃ ）の合成とＲｉｔｔｅｒ反応（１） ２００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール（VI）３．０ｇ（０．０２ｍｏｌ）、ジ
クロロメタン１００ｍｌ、パラトルエンスルホン酸一水
和物０．１９ｇ（０．００１ｍｏｌ）を仕込み、分散さ
せた。１７℃でオルトギ酸トリメチル（VII ：Ｒ₁ ＝
Ｈ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）３．２ｇ（０．０３ｍｏｌ）を加
え、２２℃で２時間かき混ぜた。反応混合物を濾過して
不溶物を取り除き、減圧下に濃縮して、淡黄色液体の
（±）−シス−１，２−インダンジオール環状オルトエ
ステル（VIII：Ｒ₁ ＝Ｈ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）３．６９ｇ
（収率：９６．１％）を得た。

【０１２１】ＩＲ（液膜、ｃｍ^-1）：２９４４，１１２
３，１０７６，９８２，７５６．¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ，ｐｐｍ）： δ＝３．２０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，ＣＨ₂ ，Ｈ
_3a+b） ３．３６（３Ｈ，ｓ，ＯＣＨ₃ ）， ３．４８（１Ｈ，ｓ，ＣＨ）， ５．０７（１Ｈ，ｍ，ＣＨ，Ｈ₂ ） ５．７０（１Ｈ，ｄ，５．５Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₁ ）， ７．２０〜７．３２（４Ｈ，ｍ，ａｒｏｍ．Ｈ）． １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝Ｈ，
Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）３．６２ｇ（０．０１９ｍｏｌ）、アセ
トニトリル２０ｍｌを仕込み、３℃でかき混ぜながら、
濃硫酸２．９ｇ（０．０３ｍｏｌ）を５分を要して滴下
した。０〜５℃で６時間かき混ぜると、反応混合物は、
均一な溶液から白色のスラリーヘと変化した。反応混合
物を、さらに室温で１４時間かき混ぜ、５％炭酸ナトリ
ウム水溶液１５０ｍｌ中に注加した。ｐＨは９であっ
た。酢酸エチル４０ｍｌで３回抽出し、抽出層を無水硫
酸ナトリウムで乾燥後に濃縮して、褐色結晶の粗生成物
２．８６ｇを得た。粗生成物を、酢酸エチルを展開溶液
としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーをおこなっ
て精製し、無色結晶の（±）−シス−インデノオキサゾ
リン（IV）２．３８ｇ（収率：７１．７％）を得た。

【０１２２】実施例２６ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝Ｃ
Ｈ₃ ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）の合成とＲｉｔｔｅｒ反応（１） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール（VI）３．０ｇ（０．０２ｍｏｌ）、ジ
クロロメタン１００ｍｌ、パラトルエンスルホン酸一水
和物０．３８ｇ（０．００２ｍｏｌ）を仕込み、１８℃
でかき混ぜながら、オルト酢酸トリメチル（VII ：Ｒ₁
＝ＣＨ₃ ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）３．６ｇ（０．０３ｍｏｌ）
を加えた。２１℃で２時間かき混ぜた後、減圧下に濃縮
し、淡黄色液体の（±）−シス−１，２−インダンジオ
ール環状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝ＣＨ₃ ，Ｒ₂ ＝
ＣＨ₃ ）４．１１ｇ（収率：９９．８％）を得た。この
アセトニトリル溶液２０ｍｌを１００ｍｌ３ッ口フラズ
コに仕込み、１〜３℃でかき混ぜながら、濃硫酸２．９
ｇ（０．０３ｍｏｌ）を滴下した。反応混合物を２〜３
℃で５時間、室温で１４時間かき混ぜた後、５％炭酸ナ
トリウム水溶液１５０ｍｌ中に注加した。酢酸エチル４
０ｍｌで３回抽出し、抽出層を無水硫酸ナトリウムで乾
燥後に濃縮し、褐色結晶の粗生成物３．０５ｇを得た。
これを、酢酸エチルを展開溶媒としてシリカゲルカラム
クロマトグラフィーをおこなって精製し、無色結晶の
（±）−シス−インデノオキサゾリン（IV）２．６０ｇ
（収率：７８．３％）を得た。

【０１２３】実施例２７ （１Ｓ，２Ｒ）−１，２−イ
ンダンジオール環状オルトエステル（VIII：Ｒ₁ ＝Ｈ，
Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）の合成とＲｉｔｔｅｒ反応、および加水
分解（１） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（１Ｓ，２Ｒ）−１，２−
インダンジオール（１００％ｅｅ）（VI）１．５ｇ
（０．０１ｍｏｌ）、ジクロロメタン９０ｍｌ、パラト
ルエンスルホン酸一水和物０．０８ｇ（０．５ｍｍｏ
ｌ）を仕込み、２６℃でかき混ぜながら、オルトギ酸ト
リメチル（VII ：Ｒ₁ ＝Ｈ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）１．５９ｇ
（０．０１５ｍｏｌ）を加えた。反応混合物を室温で２
時間かき混ぜた後、減圧下に濃縮して、淡褐色液体の
（１Ｓ，２Ｒ）−１，２−インダンジオール環状オルト
エステル（VIII：Ｒ₁ ＝Ｈ，Ｒ₂ ＝ＣＨ₃ ）１．９１ｇ
（収率：９９．５％）を得た。このアセトニトリル溶液
１０ｍｌを５０ｍｌ３ッ口フラスコに仕込み、１〜３℃
で１２分を要して、濃硫酸１．５ｇ（０．０１５ｍｏ
ｌ）を滴下した。反応混合物を３〜４℃で５時間、室温
で１５時間かき混ぜだ後、１０％炭酸ナトリウム水溶液
３０ｍｌ中に注加した。酢酸エチル２０ｍｌで３回抽出
し、抽出層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後に濃縮し、褐
色結晶の粗生成物１．５９ｇを得た。粗生成物を、酢酸
エチルを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーをおこなって精製し、無色結晶の（４Ｓ，５Ｒ）
−インデノオキサゾリン（IV）１．０６ｇ（収率：６
１．３％）を得た。［α］_D ＝−３１６．５° （ｃ＝
１．０，ＣＨＣｌ₃ ）． ５０ｍｌ３ッ口フラスコに（４Ｓ，５Ｒ）−インデノオ
キサゾリン（IV）０．６３ｇ（３．６ｍｍｏｌ）を仕込
み、２Ｎ硫酸５ｍｌを加えた。加温すると澄明溶液とな
った。反応混合物を５０℃で９時間かき混ぜた後、ジク
ロロメタン５ｍｌで２回洗浄した。水層に２５％水酸化
ナトリウムを加えてｐＨを７に調整し、再度ジクロロメ
タン５ｍｌで洗浄した。水層に２５％水酸化ナトリウム
を加えて、ｐＨを１０〜１１に調整すると、結晶が析出
した。これを減圧濾過し、２ｍｌの水で洗浄後に乾燥し
て、無色鱗片状結晶の（１Ｓ，２Ｒ）−１−アミノイン
ダン−２−オール（Ｖ）０．３７ｇ（収率：６８．６
％）を得た。キラルなＨＰＬＣ分析による光学純度は、
１００％ｅｅであった。

【０１２４】先の水性濾過母液を酢酸エチルで抽出し、
溶媒を留去して、無色鱗片状結晶の（１Ｓ，２Ｒ）−１
−アミノインダン−２−オール（Ｖ）０．１１ｇ（収
率：２０．４％）を得た。キラルなＨＰＬＣ分析による
光学純度は、９９．６％ｅｅであった。

【０１２５】実施例２８ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオールジメチルアセタール（IX）の合成（１） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオール（VI）１５．０ｇ（０．１ｍｏｌ），
２，２−ジメトキシプロパン３２．０ｇ（０．３１ｍｏ
ｌ）パラトルエンスルホン酸一水和物０．１ｇを仕込
み、かき混ぜながら６５℃に加熟すると、均一な溶液と
なった。７０〜１００℃に加熱しつつ、６２時間を要し
て、常圧下に副生メタノールと２，２−ジメトキシプロ
パンの留去を続けた。この間に２，２−ジメトキシプロ
パン１９２ｇ（１．８ｍｏｌ）およびパラトルエンスル
ホン酸一水和物０．３ｇを分割して添加した。反応混合
物を冷却すると結晶が析出した。ジクロロメタン５０ｍ
ｌを加えて溶解させ、１０％炭酸ナトリウム水溶液５０
ｍｌ中に注加した。有機層を飽和食塩水３０ｍｌで洗浄
後に無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去
して、黄色結晶の粗生成物を得た。これをヘキサンから
再結晶し、微褐色結晶の（±）−シス−１，２−インダ
ンジオールジメチルアセタール（IX）１４．１ｇ（収
率：７３．７％）を得た。

【０１２６】融点：６８〜６９℃ ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^-1）：２９８８，２９３６，１３７
０，１２５８，１２０８，１０５５，１０２０．¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ，ｐｐｍ）： δ＝１．２３（３Ｈ，ｓ，ＣＨ₃ ），１．４２（３Ｈ，
ｓ，ＣＨ₃ ），３．１６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，
ＣＨ₂ ，Ｈ_a+b），４．９８（１Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝５．４
Ｈｚ，５．４Ｈｚ，２．５Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₂ ），５．５
５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，ＣＨ，Ｈ₁ ），７．２
０〜７．３０（３Ｈ，ｍ，ａｒｏｍ．Ｈ），７．４０〜
７．４６（１Ｈ，ｍ，ａｒｏｍ．Ｈ）． 実施例２９ （±）−シス−１，２−インダンジオール
ジメチルアセタール（IX）の合成（２） １０００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−
インダンジオール（VI）３０．０ｇ（０．２ｍｏｌ），
テトラヒドロフラン３００ｍｌを仕込み、溶解させた。
ピリジニウムパラトルエンスルホン酸塩８．０ｇ（０．
０３２ｍｏｌ）を添加し、空冷下にかき混ぜながら２−
メトキシプロペン３１．６ｇ（０．４４ｍｏｌ）を１０
分を要して滴下した。内温は１４℃から２８℃まで上昇
した。反応混合物を室温で４．５時間かき混ぜたとこ
ろ、黄色のスラリーに変化した。酢酸エチル３００ｍｌ
を加えて結晶を溶解させ、これを５％炭酸水素ナトリウ
ム水溶液２００ｍｌ中に注加した。有機層を分離し、水
層を酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。水層のｐＨは８
であった。有機層をあわせ、５％炭酸水素ナトリウム水
溶液２００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで順次洗浄し
た。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後に濃縮し、微
褐色結晶の粗生成物３５．３ｇを得た。粗生成物をヘキ
サン４５ｍｌから再結晶して、微黄白色板状結晶の
（±）−シス−１，２−インダンジオールジメチルアセ
タール（IX）３１．５ｇ（収率：８３．０％）を得た。

【０１２７】実施例３０ （１Ｓ，，２Ｒ）−１，２−
インダンジオールジメチルアセタール（IX）の合成
（１） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（１Ｓ，２Ｒ）−１，２−
インダンジオール（１００％ｅｅ）（VI）３．０ｇ
（０．０２ｍｏｌ）、テトラヒドロフラン３０ｍｌを仕
込み、溶解させた。ピリジニウムパラトルエンスルホン
酸塩０．８０ｇ（３．２ｍｍｏｌ）を加え、１５℃でか
き混ぜながら、２−メトキシプロペン３．２ｇ（０．０
４４ｍｏｌ）を１０分を要して滴下した。内温は２５℃
まで上昇した。反応混合物を室温で４．５時間かき混ぜ
た後、酢酸エチル３０ｍｌを加え、５％炭酸水素ナトリ
ウム水溶液２０ｍｌ中に注加した。有機層を分離し、水
層を酢酸エチル１０ｍｌで抽出した。有機層をあわせ、
水２０ｍｌで洗浄後に無水硫酸ナトリウムで乾燥した。
溶媒を減圧下に留去し、黄色液体の粗生成物３．７５ｇ
を得た。これをジクロロメタンを展開溶媒としてカラム
クロマトグラフィーをおこなって精製し、微黄色透明液
体の（１Ｓ，２Ｒ）−１，２−インダンジオールジメチ
ルアセタール（IX）２．４８ｇ（収率：６５．３％）を
得た。

【０１２８】ＩＲ（液膜、ｃｍ^-1）：２９８６，２９８
４，１３７２，１２４８，１２０８，１１５４，１０９
８，１０５９，１０１９，８６４，７５０． ［α］_D ＝−９８．０（ｃ＝１．０，ＣＨＣｌ₃ ）． 実施倒３１ （±）−シス−１，２−インダンジオール
ジメチルアセタール（IX）のＲｉｔｔｅｒ反応（１） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオールジメチルアセタール（IX）３．８ｇ
（０．０２ｍｏｌ）、アセトニトリル２０ｍｌを仕込
み、溶解させた。１３℃でかき混ぜながら、発煙硫酸
（２５％ＳＯ₃ ）２．８ｇ（０．０３ｍｏｌ）を１０分
を要して滴下した。反応混合物を１２℃で１時間かき混
ぜた後、２０％炭酸ナトリウム水溶液５０ｍｌ中に注加
し、ジクロロメタン２０ｍｌで３回抽出した。抽出層を
飽和食塩水３０ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後に溶媒を留去して、黄色液体の粗生成物１．１５ｇ
を得た。これを、酢酸エチルを展開溶媒としてシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーをおこなって精製し、無色
結晶の（±）−シス−インデノオキサゾリン（IV）０．
８１ｇ（収率：２３．８％）を得た。

【０１２９】実施例３２ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオールジメチルアセタール（Ｉ）のＲｉｔｔｅｒ
反応（２） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオールジメチルアセタ−ル（IX）１．９ｇ
（０．０１ｍｏｌ）、アセトニトリル１０ｍｌを仕込
み、溶解させた。かき混ぜなから、２〜４℃で発煙硫酸
（２５％ＳＯ₃ ）１．４ｇ（０．０３ｍｏｌ）を滴下し
た。反応混合物を３〜６℃で４．５時間かき混ぜ、１０
％炭酸ナトリウム水溶液５０ｍｌ中に注加した。ジクロ
ロメタン３０ｍｌで２回抽出し、抽出層を飽和食塩水３
０ｍｌで洗浄後に無水硫酸ナトリウムで乾燥した。抽出
層を減圧下に濃縮し、淡褐色液体の粗生成物０．４８ｇ
を得た。これを実施例３１と同様にして精製し、無色結
晶の（±）−シス−インデノオキサゾリン（IV）０．４
１ｇ（収率：２３．７％）を得た。

【０１３０】実施例３３ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオールジメチルアセタール（IX）のＲｉｔｔｅｒ
反応、および加水分解（１） １００ｍｌ３ッ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオールジメチルアセタール（IX）３．８ｇ
（０．０２ｍｏｌ）、アセトニトリル２０ｍｌを仕込
み、溶解させた。かき混ぜながら、１〜５℃で濃硫酸
４．０ｇ（０．０４ｍｏｌ）を滴下した。０〜５℃で２
時間かき混ぜ、ＨＰＬＣ分析をおこなったところ、
（±）−シス−インデノオキサゾリン（IX）は３６％
（面積百分率）生成していたものの、アセタール（IX）
が３７％（面積百分率）残存していた。１〜３℃でかき
混ぜながら、濃硫酸１．０ｇ（０．０１ｍｏｌ）を滴下
し、３℃で２時間かき混ぜた。ＨＰＬＣ分析の結果オキ
サゾリン（IV）は５１％（面積百分率）であり、アセタ
ール（IX）は２１％（面積百分率）残存していた。３℃
でかき混ぜながら、さらに濃硫酸１．０ｇ（０．０１ｍ
ｏｌ）を滴下し、３時間かき混ぜた。ＨＰＬＣ分析する
とオキサゾリン（IV）は６９％（面積百分率）であり、
アセタール（IX）は５％（面積百分率）であった。反応
混合物を１５％炭酸ナトリウム水溶液１００ｍｌ中に注
加し、酢酸エチル３０ｍｌで３回抽出した。抽出層を無
水硫酸ナトリウムで乾燥後に濃縮して、褐色結晶の粗
（±）−シス−インデノオキサゾリン（IV）３．２５ｇ
を得た。

【０１３１】粗体のオキサゾリン（IV）３．２５ｇを２
Ｎ硫酸２０ｇに溶解し、５０℃で８時間かき混ぜた。室
温まで冷却し、ジクロロメタン２０ｍｌで２回洗浄し
た。ジクロロメタン層を水１０ｍｌで抽出し、先の水層
をあわせて、２５％水酸化ナトリウムを加え、ｐＨを１
０〜１１に調整したところ、結晶が析出した。酢酸エチ
ル８０ｍｌで溶解、抽出した後、水層をさらに同じ溶媒
３０ｍｌで抽出した。抽出層をあわせ、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥後に濃縮し、微黄色結晶の（±）−シス−１
−アミノインダン−２−オール（Ｖ）２．１４ｇ（アセ
タール（IX）からの収率：７１．８％）を得た。

【０１３２】実施例３４ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオールジメチルアセタール（IX）のＲｉｔｔｅｒ
反応、および加水分解（２） １００ｍｌ３ツ口フラスコに（±）−シス−１，２−イ
ンダンジオールジメチルアセタール（IX）３．８g
（０．０２ｍｏｌ）を仕込み、アセトニトリル２０ｍｌ
を加えて溶解させた。−２℃に冷却するとスラリー状に
なった。−２〜０℃でかき混ぜながら、濃硫酸６．０ｇ
（０．０６ｍｏｌ）を１０分を要して滴下した。反応混
合物を０〜３℃で２時間かき混ぜると、ＨＰＬＣ分析に
おいて原料が消失し、均一な溶液になった。反応液を１
０％炭酸ナトリウム水溶液１５０ｍｌに注加し、酢酸エ
チル４０ｍｌで３抽出した。抽出層を無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥後に濃縮し、微黄色結晶の粗（±）−インデノ
オキサゾリン（IV）３．２０ｇを得た。粗オキサゾリン
（IV）を２Ｎ硫酸２０ｇに溶かし、５０〜５３℃で７．
５時間かき混ぜた。反応液を室温まで冷却し、ジクロロ
メタン２０ｍｌで２回洗浄後に２５％水酸化ナトリウム
を加えてｐＨを６〜７に調整した。再度ジクロロメタン
２０ｍｌで洗浄後に２５％水酸化ナトリウムを加え、ｐ
Ｈを１０〜１１とした。析出した結晶を酢酸エチル１０
０ｍｌで溶解、抽出し、水層を同じ溶媒４０ｍｌで２回
抽出した。抽出層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後に溶媒
を留去して、無色結晶の（±）−シス−１−アミノイン
ダン−２−オール（Ｖ）２．０３ｇ（アセタール（IX）
からの収率：６８．１％）を得た。

【０１３３】実施例３５ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオールジメチルアセタール（IX）のＲｉｔｔｅｒ
反応、および加水分解（３） 実施例３４と同様におこなった。ただし、濃硫酸滴下後
に５℃で５時間、室温で１３時間のかき混ぜをおこなっ
た。最終的に（±）−シス−１−アミノインダン−２−
オール（Ｖ）２．２５ｇ（アセタール（IX）からの収
率：７５．５％）を得た。

【０１３４】実施例３６ （±）−シス−１，２−イン
ダンジオールジメチルアセタール（IX）のＲｉｔｔｅｒ
反応、および加水分解（４） 実施例３４と同様におこなった。ただし、濃硫酸８．０
ｇ（０．０８ｍｏｌ）を使用し、濃硫酸滴下後に２〜５
℃で８．５時間かき混ぜた。最終的に（±）−シス−１
−アミノインダン−２−オール（Ｖ）２．４３ｇ（アセ
タール（IX）からの収率：８１．５％）を得た。

【０１３５】実施例３７ （１Ｓ，２Ｒ）−１，２−イ
ンダンジオールジメチルアセタール（IX）のＲｉｔｔｅ
ｒ反応（１） １００ｍｌ３ッ口フラスコに，実施例３０で合成した
（１Ｓ，２Ｒ）−１，２−インダンジオールジメチルア
セタール（IX）１．９０ｇ（０．０１ｍｏｌ）、アセト
ニトリル１５ｍｌを仕込み、溶解させた。１℃まで冷却
したところ、微黄色の均一溶液であった。１〜３℃でか
き混ぜなから、濃硫酸４．０ｇ（０．０４ｍｏｌ）を１
０分を要して滴下した。３〜５℃で７時間かき混ぜ、淡
黄色の均一な反応溶液を１０％炭酸ナトリウム水溶液７
５ｍｌ中に注加した。酢酸エチル２０ｍｌで３回抽出
し、抽出層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後に溶媒を留去
して、黄色結晶の粗生成物１．５８ｇを得た。これを酢
酸エチルを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーをおこなって精製し、無色結晶の（４Ｓ，５
Ｒ）−インデノオキサゾリン（IV）１．３７ｇ（収率：
７９．３％）を得た。

【０１３６】融点：８５〜８６℃ ［α］_D ＝−３１６．６℃（ｃ＝１．０，ＣＨＣ
ｌ₃ ）． 実施例３８ （４Ｓ，５Ｒ）−インデノオキサゾリン
（IV）の加水分解による（１Ｓ，２Ｒ）−１−アミノイ
ンダン−２−オールの合成 ５０ｍｌ３ッ口フラスコに、実施例３７で合成した（４
Ｓ，５Ｒ）−インデノオキサゾリン（IV）０．８７ｇ
（５ｍｍｏｌ）、２Ｎ硫酸５ｍｌを仕込み、溶解させ
た。５０℃で８時間かき混ぜた後に室温まで冷却した。
均一な反応液をジクロロメタン５ｍｌで２回洗浄し、２
５％水酸化ナトリウムを加えて１ｐＨを６〜７に調整し
た。ジクロロメタン５ｍｌで洗浄し、水層に再度２５％
水酸化ナトリウム水溶液を加え、ｐＨを１０〜１１に調
整した。析出結晶を減圧濾過、水洗、乾燥して、無色鱗
片状結晶の（１Ｓ，２Ｒ）−１−アミノインダン−２−
オール（Ｖ）０．５５ｇ（収率：７３．８％）を得た。
キラルなＨＰＬＣ分析の結果、光学純度は１００％ｅｅ
であった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｄ 317/70 Ｃ０７Ｄ 317/70

Claims (32)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （ただし、式中、Ｒ₁ は水素原子、直鎖もしくは分岐の
   アルキル基であり、ラセミ体でも光学活性体でもよい）
   で表される、シス−２−（置換カルボニルオキシ）イン
   ダン−１−オール類、もしくは一般式（II） 【化２】 （ただし、式中、Ｒ₁ は前記一般式（Ｉ）と同義であ
   り、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表される、シ
   ス−１−（置換カルボニルオキシ）インダン−２−オー
   ル類の少なくとも一種とアセトニトリルを濃硫酸もしく
   は発煙硫酸の少なくとも１種の存在下に反応させること
   により、一般式（III ） 【化３】 （ただし、式中、Ｒ₁ は前記一般式（Ｉ）もしくは一般
   式（II）と同義であり、ラセミ体でも光学活性体でもよ
   い）で表される、シス−１−アセトアミド−２−（置換
   カルボニルオキシ）インダン類、および一般式（IV） 【化４】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
   る、シス−インデノオキサゾリン類の少なくとも１種を
   合成し、これを加水分解することからなる、一般式
   （Ｖ） 【化５】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
   る、シス−１−アミノインダン−２−オールの製造方
   法。
2. 【請求項２】 一般式（Ｉ） 【化６】 （ただし、式中、Ｒ₁ は水素原子、直鎖もしくは分岐の
   アルキル基であり、ラセミ体でも光学活性体でもよい）
   で表される、シス−２−（置換カルボニルオキシ）イン
   ダン−１−オール類、もしくは一般式（II） 【化７】 （ただし、式中、Ｒ₁ は 前記一般式（Ｉ）と同義であ
   り、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表される、シ
   ス−１−（置換カルボニルオキシ）インダン−２−オー
   ル類の少なくとも一種とアセトニトリルを濃硫酸もしく
   は発煙硫酸の少なくとも１種の存在下に反応させること
   によりなる、一般式（IV） 【化８】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
   る、シス−インデノオキサゾリン類の製造方法。
3. 【請求項３】 前記反応において、使用する濃硫酸もし
   くは発煙硫酸の使用量が、一般式（Ｉ）で表されるシス
   −２−（置換カルボニルオキシ）インダン−１−オー
   ル、もしくは一般式（II）で表されるシス−１−（置換
   カルボニルオキシ）インダン−２−オールの少なくとも
   １種に対して1.0 から3.0 等量モルであることを特徴と
   する請求項２に記載の一般式（IV）で表されるシス−イ
   ンデノオキサゾリン類の製造方法。
4. 【請求項４】 前記反応を０℃から40℃でおこなうこと
   を特徴とする請求項２から３に記載の一般式（IV）で表
   されるシス−インデノオキサゾリン類の製造方法。
5. 【請求項５】 前記一般式（Ｉ）および一般式（II）に
   おいて、Ｒ₁ がメチル基である、シス−２−アセトキシ
   インダン−１−オール、もしくは、シス−１−アセトキ
   シインダン−２−オールの少なくとも１種を用いること
   を特徴とする請求項１から４に記載の一般式（IV）で表
   されるシス−インデノオキサゾリンおよび一般式（Ｖ）
   で表されるシス−１−アミノインダン−２−オールの製
   造方法。
6. 【請求項６】 前記一般式（Ｉ）および一般式（II）で
   表されるシス−２−（置換カルボニルオキシ）インダン
   −１−オール、もしくは、シス−１−（置換カルボニル
   オキシ）インダン−２−オールの少なくとも１種が、光
   学活性な(１Ｓ，２Ｒ)−２−（置換カルボニルオキシ）
   インダン−１−オール類もしくは光学活性な（１Ｓ，２
   Ｒ）−１−（置換カルボニルオキシ）インダン−２−オ
   ールであることを特徴とする、請求項１から４に記載の
   一般式（IV）で表される（４Ｓ，５Ｒ）−インデノオキ
   サゾリンおよび一般式（Ｖ）で表される（１Ｓ，２Ｒ）
   −１−アミノインダン−２−オールの製造方法。
7. 【請求項７】 前記一般式（Ｉ）および一般式（II）で
   表される、シス−２−（置換カルボニルオキシ）インダ
   ン−１−オール、もしくは、シス−１−（置換カルボニ
   ルオキシ）インダン−２−オールの少なくとも１種が、
   光学活性な（１Ｒ，２Ｓ）−２−（置換カルボニルオキ
   シ）インダン−１−オール類もしくは光学活性な（１
   Ｒ，２Ｓ）−１−（置換カルボニルオキシ）インダン−
   ２−オールであることを特徴とする、請求項１から４に
   記載の一般式（IV）で表される（４Ｒ，５Ｓ）−インデ
   ノオキサゾリンおよび一般式（Ｖ）で表される（１Ｒ，
   ２Ｓ）−１−アミノインダン−２−オールの製造方法。
8. 【請求項８】 一般式（IV）（ただし、式中、Ｒ₁ は前
   記一般式（Ｉ）もしくは一般式（II）と同義であり、ラ
   セミ体でも光学活性体でもよい）で表される、シス−１
   −アセトアミド−２−（置換カルボニルオキシ）インダ
   ン類。
9. 【請求項９】 一般式（Ｉ） 【化９】 （ただし、式中、Ｒ₁ は水素原子、直鎖もしくは分岐の
   アルキル基であり、ラセミ体でも光学活性体でもよい）
   で表される、シス−２−（置換カルボニルオキシ）イン
   ダン−１−オール類、もしくは一般式（II）。 【化１０】 （ただし、式中、Ｒ₁ は前記一般式（Ｉ）と同義であ
   り、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表される、シ
   ス−１−（置換カルボニルオキシ）インダン−２−オー
   ル類の少なくとも一種とアセトニトリルを濃硫酸もしく
   は発煙硫酸の少なくとも１種の存在下に反応させること
   により、一般式（III ） 【化１１】 （ただし、式中、Ｒ₁ は 前記一般式（Ｉ）もしくは一
   般式（II）と同義であり、ラセミ体でも光学活性体でも
   よい）で表される、シス−１−アセトアミド−２−（置
   換カルボニルオキシ）インダン類製造方法。
10. 【請求項１０】 前記反応において、使用する濃硫酸も
    しくは発煙硫酸の使用量が、一般式（Ｉ）で表されるシ
    ス−２−（置換カルボニルオキシ）インダン−１−オー
    ル、もしくは一般式（II）で表されるシス−１−（置換
    カルボニルオキシ）インダン−２−オールの少なくとも
    １種に対して1.0 から3.0 等量モルであることを特徴と
    する請求項９に記載の一般式（III ）で表されるシス−
    １−アセトアミド−２−（置換カルボニルオキシ）イン
    ダン類の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記反応を０℃から40℃でおこなうこ
    とを特徴とする請求項９から１０に記載の一般式（III
    ）で表されるシス−１−アセトアミド−２−（置換カ
    ルボニルオキシ）インダン類の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記一般式（Ｉ）および一般式（II）
    において、Ｒ₁ がメチル基である、シス−２−アセトキ
    シインダン−１−オール、もしくは、シス−１−アセト
    キシインダン−２−オールの少なくとも１種を用いるこ
    とを特徴とする請求項９から１１に記載の一般式（III
    ）で表されるシス−１−アセトアミド−２−（置換カ
    ルボニルオキシ）インダン類の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記一般式（Ｉ）および一般式（II）
    で表される、シス−２−（置換カルボニルオキシ）イン
    ダン−１−オール、もしくは、シス−１−（置換カルボ
    ニルオキシ）インダン−２−オールの少なくとも１種
    が、光学活性な（１Ｓ，２Ｒ）−２−（置換カルボニル
    オキシ）インダン−１−オール類もしくは光学活性な
    （１Ｓ，２Ｒ）−１−（置換カルボニルオキシ）インダ
    ン−２−オールであることを特徴とする、請求項９から
    １１に記載の一般式（III ）で表される（１Ｓ，２Ｒ）
    −１−アセトアミド−２−（置換カルボニルオキシ）イ
    ンダン類の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記一般式（Ｉ）および一般式（II）
    で表される、シス−２−（置換カルボニルオキシ）イン
    ダン−１−オール、もしくは、シス−１−（置換カルボ
    ニルオキシ）インダン−２−オールの少なくとも１種
    が、光学活性な（１Ｒ，２Ｓ）−２−（置換カルボニル
    オキシ）インダン−１−オール類もしくは光学活性な
    （１Ｒ，２Ｓ）−１−（置換カルボニルオキシ）インダ
    ン−２−オールであることを特徴とする、請求項９から
    １１に記載の一般式（III ）で表される（１Ｒ，２Ｓ）
    −１−アセトアミド−２−（置換カルボニルオキシ）イ
    ンダン類の製造方法。
15. 【請求項１５】 一般式（VI） 【化１２】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
    る、シス−１，２−インダンジオールと一般式（VII ） 【化１３】 （ただし、式中、Ｒ₁ は水素原子、直鎖もしくは分岐の
    アルキル基であり、Ｒ₂は炭素数１から３の低級アルキ
    ル基である）で表される、オルトエステル類を酸触媒の
    存在下に反応させることにより、一般式（VII ） 【化１４】 （ただし、式中、Ｒ₁ およびＲ₂ は前記一般式（VII ）
    と同義であり、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表
    されるシス−環状オルトエステル類を合成し、これを濃
    硫酸もしくは発煙硫酸の存在下にアセトニトリルと反応
    させることにより、一般式（IV） 【化１５】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
    る、シス−インデノオキサゾリン類を合成し、これを加
    水分解することからなる、一般式（Ｖ） 【化１６】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
    る、シス−１−アミノインダン−２−オールの製造方
    法。
16. 【請求項１６】 一般式（VI） 【化１７】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
    る、シス−１，２−インダンジオールと一般式（VII ） 【化１８】 （ただし、式中、Ｒ₁ は水素原子、直鎖もしくは分岐の
    アルキル基であり、Ｒ₂は炭素数１から３の低級アルキ
    ル基である）で表される、オルトエステル類を酸触媒の
    存在下に反応させることにより、一般式（VIII） 【化１９】 （ただし、式中、Ｒ₁ およびＲ₂ は前記一般式（VII ）
    と同義であり、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表
    されるシス−環状オルトエステル類を合成し、これを濃
    硫酸もしくは発煙硫酸の存在下にアセトニトリルと反応
    させることにより、一般式（IV） 【化２０】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
    る、シス−インデノオキサゾリン類の製造方法。
17. 【請求項１７】 一般式（VIII）で表される環状オルト
    エステル類とアセトニトリルの反応を20℃から40℃でお
    こなうことを特徴とする請求項１６に記載の一般式（I
    V）で表されるシス−インデノオキサゾリン類の製造方
    法。
18. 【請求項１８】 一般式（VII ）で表されるシス−１，
    ２−インダンジオールを酸触媒の存在下に一般式（VII
    I）で表されるオルトエステル類と反応させ、副生する
    アルコール類を除去した後に、インダンジオールに対し
    て1.0 から3.0等量モルの濃硫酸もしくは発煙硫酸の存
    在下にアセトニトリルと反応させることを特徴とする請
    求項１６から１７に記載の一般式（IV）で表されるシス
    −インデノオキサゾリン類の製造方法。
19. 【請求項１９】 一般式（VII ）で表されるシス−１，
    ２−インダンジオールを酸触媒の存在下に一般式（VII
    I）で表されるオルトエステル類と反応させ、副生する
    アルコール類を除去することなしに、インダンジオール
    に対して2.0 から5.0 等量モルの硫酸もしくは発煙硫酸
    の存在下にアセトニトリルと反応させることを特徴とす
    る請求項１６から１７に記載の一般式（IV）で表される
    シス−インデノオキサゾリン類の製造方法。
20. 【請求項２０】 一般式（VI）で表されるシス−１，２
    −インダンジオールが、光学活性な（１Ｓ，２Ｒ）−
    １，２−インダンジオールであることを特徴とする、請
    求項１５から１９に記載の一般式（IV）で表される（４
    Ｓ，５Ｒ）インデノオキサゾリンおよび一般式（Ｖ）で
    表される（１Ｓ，２Ｒ）−１−アミノインダン−２−オ
    ール類の製造方法。
21. 【請求項２１】 一般式（VI）で表される、シス−１，
    ２−インダンジオールが、光学活性な（１Ｒ，２Ｓ）−
    １，２−インダンジオールであることを特徴とする、請
    求項１５から１９に記載の一般式（IV）で表される（４
    Ｒ，５Ｓ）−インデノオキサゾリン類、および一般式
    （Ｖ）で表される（１Ｒ，２Ｓ）−１−アミノインダン
    −２−オールの製造方法。
22. 【請求項２２】 一般式（VI） 【化２１】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
    るシス−１，２−インダンジオールを酸触媒の存在下
    に、２−メトキシプロペンもしくはアセトンジメチルア
    セタールと反応させることにより、一般式（IX） 【化２２】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
    るシス−１，２−インダンジオールジメチルアセタール
    を合成し、これを濃硫酸もしくは発煙硫酸の存在下に、
    アセトニトリルと反応させることにより、一般式（IV） 【化２３】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
    るシス−インデノオキサゾリンを生成させ、これを加水
    分解することを特徴とする一般式（Ｖ） 【化２４】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
    るシス−１−アミノインダン−２−オールの製造方法。
23. 【請求項２３】 一般式（VI） 【化２５】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
    るシス−１，２−インダンジオールを酸触媒の存在下
    に、２−メトキシプロペンもしくはアセトンジメチルア
    セタールと反応させることにより、一般式（IX） 【化２６】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
    るシス−１，２−インダンジオールジメチルアセタール
    を合成し、これを濃硫酸もしくは発煙硫酸の存在下に、
    アセトニトリルと反応させることにより、一般式（IV） 【化２７】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
    るシス−インデノオキサゾリン類の製造方法。
24. 【請求項２４】 前記反応において、濃硫酸を使用する
    ことを特徴とする、請求項２３に記載の一般式（IV）で
    表されるシス−インデノオキサゾリンの製造方法。
25. 【請求項２５】 前記反応において濃硫酸の使用量が一
    般式（IX）で表されるシス−１，２−インダンジオール
    メチルアセタールに対して2.0 から5.0 等量モルである
    ことを特徴とする請求項２３および２４に記載の一般式
    （IV）で表されるシス−インデノオキサゾリン類の製造
    方法。
26. 【請求項２６】 前記反応を−20℃から40℃でおこなう
    ことを特徴とする請求項２３から２５に記載の一般式
    （IV）で表されるシス−インデノオキサゾリン類の製造
    方法。
27. 【請求項２７】 一般式（VI）で表されるシス−１，２
    −インダンジオールが光学活性な（１Ｓ，２Ｒ）−１，
    ２−インダンジオールであることを特徴とする、請求項
    ２２から２６に記載の一般式（IV）で表される、光学活
    性な（４Ｓ，５Ｒ）−インデノオキサゾリン、および一
    般式（Ｖ）で表される、光学活性な（１Ｓ，２Ｒ）−１
    −アミノインダン−２−オールの製造方法。
28. 【請求項２８】 一般式（VI）で表される、シス−１，
    ２−インダンジオールが、光学活性な（１Ｒ，２Ｓ）−
    １，２−インダンジオールであることを特徴とする、請
    求項２２から２６に記載の一般式（IV）で表される、光
    学活性な（４Ｒ，５Ｓ）−インデノオキサゾリン、およ
    び一般式（Ｖ）で表される、光学活性な（１Ｒ，２Ｓ）
    −１−アミノインダン−２−オールの製造方法。
29. 【請求項２９】 一般式（IX）（ただし、ラセミ体でも
    光学活性体でもよい）で表されるシスー１，２−インダ
    ンジオールジメチルアセタール。
30. 【請求項３０】 一般式（VI） 【化２８】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
    るシス−１，２−インダンジオールを酸触媒の存在下
    に、２−メトキシプロペンもしくはアセトンジメチルア
    セタールと反応させることによりなる、一般式（IX） 【化２９】 （ただし、ラセミ体でも光学活性体でもよい）で表され
    るシス−１，２−インダンジオールメチルアセタールの
    製造方法。
31. 【請求項３１】 一般式（VI）で表されるシス−１，２
    −インダンジオールが光学活性な（１Ｓ，２Ｒ）−１，
    ２−インダンジオールであることを特徴とする、請求項
    ３０に記載の一般式（IX）で表される（１Ｓ，２Ｒ）−
    インダンジオールジメチルアセタールの製造方法。
32. 【請求項３２】 一般式（VI）で表される、シス−１，
    ２−インダンジオールが光学活性な（１Ｒ，２Ｓ）−
    １，２−インダンジオールであることを特徴とする、請
    求項３０に記載の一般式（IX）で表される（１Ｒ，２
    Ｓ）−１−インダンジオールジメチルアセタールの製造
    方法。