JPH11354558A - 半導体モジュールの製造方法 - Google Patents
半導体モジュールの製造方法Info
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- JPH11354558A JPH11354558A JP16333998A JP16333998A JPH11354558A JP H11354558 A JPH11354558 A JP H11354558A JP 16333998 A JP16333998 A JP 16333998A JP 16333998 A JP16333998 A JP 16333998A JP H11354558 A JPH11354558 A JP H11354558A
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体メモリ製品等の半導体モジュールが容
易に製造でき、製造コストを引き下げる。 【解決手段】 プリント基板等の実装基板に半導体チッ
プを搭載した半導体装置を複数個数実装して成る半導体
モジュールの製造方法において、前記実装基板に半導体
チップをじかに搭載し、該実装基板に設けた配線と半導
体チップ１２とを電気的に接続して成る被成形品１０を
金型でクランプし、トランスファモールド方法により前
記半導体チップを樹脂モールドする。
易に製造でき、製造コストを引き下げる。 【解決手段】 プリント基板等の実装基板に半導体チッ
プを搭載した半導体装置を複数個数実装して成る半導体
モジュールの製造方法において、前記実装基板に半導体
チップをじかに搭載し、該実装基板に設けた配線と半導
体チップ１２とを電気的に接続して成る被成形品１０を
金型でクランプし、トランスファモールド方法により前
記半導体チップを樹脂モールドする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体メモリ製品等
の半導体モジュールの好適な製造方法に関するものであ
る。
の半導体モジュールの好適な製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣあるいはＬＳＩといった半導体製品
を搭載した半導体モジュールには、ＳＩＭＭ（Single I
nline Memory Module)、ＤＩＭＭ（Double Inline Memo
ry Module)といった半導体メモリ製品その他の種々の製
品がある。これらの半導体モジュールではプリント基板
等の実装基板にＱＦＰ、ＢＧＡ、ＣＳＰ（チップサイズ
パッケージ）といったＩＣあるいはＬＳＩを搭載したパ
ッケージを実装して製品としている。
を搭載した半導体モジュールには、ＳＩＭＭ（Single I
nline Memory Module)、ＤＩＭＭ（Double Inline Memo
ry Module)といった半導体メモリ製品その他の種々の製
品がある。これらの半導体モジュールではプリント基板
等の実装基板にＱＦＰ、ＢＧＡ、ＣＳＰ（チップサイズ
パッケージ）といったＩＣあるいはＬＳＩを搭載したパ
ッケージを実装して製品としている。
【０００３】たとえば、ＱＦＰはリードフレームに半導
体チップを搭載し、ワイヤボンディングした後、樹脂モ
ールドし、アウターリードを曲げ加工して単体製品とし
たものであり、はんだ付けによって実装基板に実装す
る。また、ＢＧＡはＢＧＡ基板に半導体チップを搭載
し、ワイヤボンディングした後、ポッティング等により
樹脂封止し、外部接続端子としてはんだボールを接合し
た後、はんだ付けによって実装基板に実装する。
体チップを搭載し、ワイヤボンディングした後、樹脂モ
ールドし、アウターリードを曲げ加工して単体製品とし
たものであり、はんだ付けによって実装基板に実装す
る。また、ＢＧＡはＢＧＡ基板に半導体チップを搭載
し、ワイヤボンディングした後、ポッティング等により
樹脂封止し、外部接続端子としてはんだボールを接合し
た後、はんだ付けによって実装基板に実装する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、プリント
基板等の実装基板にＩＣあるいはＬＳＩを実装する場
合、従来はＱＦＰ、ＢＧＡといった半導体チップを搭載
したパッケージを実装基板に実装している。図１０はプ
リント基板５上に半導体装置６を実装した半導体メモリ
製品の例である。このように、従来の半導体モジュール
では実装基板上にいくつもの半導体装置を実装して製品
としている。単品の半導体装置を実装して成る半導体モ
ジュールは、あらかじめ良否判定して良品の半導体装置
のみを搭載できるという利点はあるものの、リードフレ
ーム等を使用してパッケージとしたものを実装するから
リードフレームや基板を使用するという点でコストアッ
プにつながり、パッケージを形成して更に実装するとい
う２度手間にもなるという問題があった。
基板等の実装基板にＩＣあるいはＬＳＩを実装する場
合、従来はＱＦＰ、ＢＧＡといった半導体チップを搭載
したパッケージを実装基板に実装している。図１０はプ
リント基板５上に半導体装置６を実装した半導体メモリ
製品の例である。このように、従来の半導体モジュール
では実装基板上にいくつもの半導体装置を実装して製品
としている。単品の半導体装置を実装して成る半導体モ
ジュールは、あらかじめ良否判定して良品の半導体装置
のみを搭載できるという利点はあるものの、リードフレ
ーム等を使用してパッケージとしたものを実装するから
リードフレームや基板を使用するという点でコストアッ
プにつながり、パッケージを形成して更に実装するとい
う２度手間にもなるという問題があった。
【０００５】半導体モジュールを構成した場合の信頼性
でみると、最近のＩＣおよびＬＳＩは品質が向上し信頼
性が高いことからプリント基板等の実装基板にそのまま
実装しても問題のないレベルであり、実装基板にそのま
ま実装することによってコストダウンを図るという要請
が強くなってきている。本発明はこのような従来の半導
体モジュールにおける問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、リードフレーム、Ｂ
Ｔ基板といったパッケージを構成する部材を不要とし、
半導体モジュールの生産工程を簡素化して効果的にコス
トダウンを図ることができる半導体モジュールの製造方
法を提供しようとするものである。
でみると、最近のＩＣおよびＬＳＩは品質が向上し信頼
性が高いことからプリント基板等の実装基板にそのまま
実装しても問題のないレベルであり、実装基板にそのま
ま実装することによってコストダウンを図るという要請
が強くなってきている。本発明はこのような従来の半導
体モジュールにおける問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、リードフレーム、Ｂ
Ｔ基板といったパッケージを構成する部材を不要とし、
半導体モジュールの生産工程を簡素化して効果的にコス
トダウンを図ることができる半導体モジュールの製造方
法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、プリント基板等
の実装基板に半導体チップを搭載した半導体装置を複数
個数実装して成る半導体モジュールの製造方法におい
て、前記実装基板に半導体チップをじかに搭載し、該実
装基板に設けた配線と半導体チップとを電気的に接続し
て成る被成形品を金型でクランプし、トランスファモー
ルド方法により前記半導体チップを樹脂モールドするこ
とを特徴とする。また、前記被成形品が、実装基板の一
方の端縁に接続用の電極が設けられたものであり、前記
実装基板の他方の端縁側にポットとキャビティとを連絡
するゲートとランナー路を配置して樹脂モールドするこ
とを特徴とする。また、前記被成形品の表面で、キャビ
ティに通じるゲート等の樹脂路が通過する部位をゲート
フィルムにより被覆して樹脂モールドすることにより、
被成形品の表面にゲート等で硬化した樹脂を付着させる
ことなく樹脂モールドできてゲートブレイクが容易にな
る。また、前記金型のパーティング面を金型およびモー
ルド用の樹脂との剥離性の良いリリースフィルムにより
被覆して樹脂モールドすることにより、離型を容易に
し、樹脂ばりのない好適な樹脂モールドを可能にする。
また、前記被成形品の他方の端縁の端面位置とキャビテ
ィに接続するゲートの先端位置とを略一致させて樹脂モ
ールドすること、前記被成形品の他方の端縁の端面位置
と樹脂モールド部の端面位置とを略一致させて樹脂モー
ルドすることを特徴とする。
するため次の構成を備える。すなわち、プリント基板等
の実装基板に半導体チップを搭載した半導体装置を複数
個数実装して成る半導体モジュールの製造方法におい
て、前記実装基板に半導体チップをじかに搭載し、該実
装基板に設けた配線と半導体チップとを電気的に接続し
て成る被成形品を金型でクランプし、トランスファモー
ルド方法により前記半導体チップを樹脂モールドするこ
とを特徴とする。また、前記被成形品が、実装基板の一
方の端縁に接続用の電極が設けられたものであり、前記
実装基板の他方の端縁側にポットとキャビティとを連絡
するゲートとランナー路を配置して樹脂モールドするこ
とを特徴とする。また、前記被成形品の表面で、キャビ
ティに通じるゲート等の樹脂路が通過する部位をゲート
フィルムにより被覆して樹脂モールドすることにより、
被成形品の表面にゲート等で硬化した樹脂を付着させる
ことなく樹脂モールドできてゲートブレイクが容易にな
る。また、前記金型のパーティング面を金型およびモー
ルド用の樹脂との剥離性の良いリリースフィルムにより
被覆して樹脂モールドすることにより、離型を容易に
し、樹脂ばりのない好適な樹脂モールドを可能にする。
また、前記被成形品の他方の端縁の端面位置とキャビテ
ィに接続するゲートの先端位置とを略一致させて樹脂モ
ールドすること、前記被成形品の他方の端縁の端面位置
と樹脂モールド部の端面位置とを略一致させて樹脂モー
ルドすることを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体モジュ
ールの製造方法の好適な実施形態について、添付図面と
ともに詳細に説明する。図１〜３は半導体モジュールの
製造に使用する製造装置の第１の構成例を示す。本発明
に係る半導体モジュールの製造方法はトランスファモー
ルド方法を利用して製造することを特徴とする。トラン
スファモールド方法では被成形品を金型でクランプし、
ポット内で溶融した樹脂をキャビティに充填して樹脂成
形する。図１〜３では製造装置の主要部である金型部分
の構成を示す。図１は金型に被成形品１０をセットした
状態の平面図、図２は金型で被成形品１０をクランプし
た状態の断面図、図３は金型で被成形品１０をクランプ
した状態を長手方向に沿った端面側から見た状態の断面
図である。
ールの製造方法の好適な実施形態について、添付図面と
ともに詳細に説明する。図１〜３は半導体モジュールの
製造に使用する製造装置の第１の構成例を示す。本発明
に係る半導体モジュールの製造方法はトランスファモー
ルド方法を利用して製造することを特徴とする。トラン
スファモールド方法では被成形品を金型でクランプし、
ポット内で溶融した樹脂をキャビティに充填して樹脂成
形する。図１〜３では製造装置の主要部である金型部分
の構成を示す。図１は金型に被成形品１０をセットした
状態の平面図、図２は金型で被成形品１０をクランプし
た状態の断面図、図３は金型で被成形品１０をクランプ
した状態を長手方向に沿った端面側から見た状態の断面
図である。
【０００８】本実施形態の製造装置は半導体メモリ製品
を製造する装置であり、被成形品１０はメモリ用の半導
体チップ１２が搭載されたプリント基板である。被成形
品１０には３個の半導体チップ１２が搭載されており、
この半導体チップ１２を封止する範囲が樹脂モールド部
１４である。樹脂モールド部１４は半導体チップ１２の
搭載位置に合わせて矩形の平面形状で３個所設けられ
る。１６はプリント基板の端縁に設けた電気接続用の電
極である。
を製造する装置であり、被成形品１０はメモリ用の半導
体チップ１２が搭載されたプリント基板である。被成形
品１０には３個の半導体チップ１２が搭載されており、
この半導体チップ１２を封止する範囲が樹脂モールド部
１４である。樹脂モールド部１４は半導体チップ１２の
搭載位置に合わせて矩形の平面形状で３個所設けられ
る。１６はプリント基板の端縁に設けた電気接続用の電
極である。
【０００９】図１に示すように、ポット２０を挟む両側
に１枚ずつ被成形品１０、１０を配置し、一つのポット
２０から両側にランナー路２２を延設して一つのポット
２０で２つの樹脂モールド部１４を樹脂成形する。２４
はランナー路２２とキャビティとを連絡するゲートであ
る。被成形品１０の配置位置が左右で若干偏位している
のは樹脂モールド部１４が左右で同一配置になるように
したためである。半導体メモリ製品のように実装基板上
で樹脂モールド部１４が均等間隔で配置されるものを樹
脂モールドする場合はポット２０も均等間隔で配置され
るから、金型の製作が複雑にならないという利点があ
る。
に１枚ずつ被成形品１０、１０を配置し、一つのポット
２０から両側にランナー路２２を延設して一つのポット
２０で２つの樹脂モールド部１４を樹脂成形する。２４
はランナー路２２とキャビティとを連絡するゲートであ
る。被成形品１０の配置位置が左右で若干偏位している
のは樹脂モールド部１４が左右で同一配置になるように
したためである。半導体メモリ製品のように実装基板上
で樹脂モールド部１４が均等間隔で配置されるものを樹
脂モールドする場合はポット２０も均等間隔で配置され
るから、金型の製作が複雑にならないという利点があ
る。
【００１０】もちろん、金型に設ける被成形品１０のセ
ット位置（セット凹部）やキャビティ（樹脂モールド部
１４）の配置位置等は製品に応じて適宜設計するもので
あり、均等配置以外の配置の場合、多数個の樹脂モール
ド部１４を有するものの場合であっても適応可能であ
る。２６は金型に被成形品１０を位置決めしてセットす
るための位置決めピンである。位置決めピン２６は被成
形品１０の外側面に当接して被成形品１０を位置決めし
ている。被成形品１０にガイドホールが形成されている
場合には、ガイドホールに位置決めピンを挿入して被成
形品１０を位置決めしてもよい。
ット位置（セット凹部）やキャビティ（樹脂モールド部
１４）の配置位置等は製品に応じて適宜設計するもので
あり、均等配置以外の配置の場合、多数個の樹脂モール
ド部１４を有するものの場合であっても適応可能であ
る。２６は金型に被成形品１０を位置決めしてセットす
るための位置決めピンである。位置決めピン２６は被成
形品１０の外側面に当接して被成形品１０を位置決めし
ている。被成形品１０にガイドホールが形成されている
場合には、ガイドホールに位置決めピンを挿入して被成
形品１０を位置決めしてもよい。
【００１１】被成形品１０はプリント基板に半導体チッ
プ１２を搭載し、プリント基板に設けた配線と半導体チ
ップ１２とを電気的に接続したものである。半導体チッ
プ１２とプリント基板に設けた配線とはワイヤボンディ
ングによって電気的に接続することができる。もちろ
ん、フリップチップ法等の他の方法によって半導体チッ
プ１２と配線とを接続してもよい。
プ１２を搭載し、プリント基板に設けた配線と半導体チ
ップ１２とを電気的に接続したものである。半導体チッ
プ１２とプリント基板に設けた配線とはワイヤボンディ
ングによって電気的に接続することができる。もちろ
ん、フリップチップ法等の他の方法によって半導体チッ
プ１２と配線とを接続してもよい。
【００１２】樹脂モールドに際しては図２に示すよう
に、上型３０ａと下型３０ｂとで被成形品１０をクラン
プし、ポット２０内で溶融した樹脂をキャビティ３２に
充填して樹脂モールドする。被成形品１０は片面上に半
導体チップ１２を搭載したものであり、樹脂モールド部
１４の位置に対応して下型３０ｂにキャビティ３２を設
けている。図３は半導体チップ１２を搭載した各々の樹
脂モールド部１４にキャビティ３２を設けていることを
示す。
に、上型３０ａと下型３０ｂとで被成形品１０をクラン
プし、ポット２０内で溶融した樹脂をキャビティ３２に
充填して樹脂モールドする。被成形品１０は片面上に半
導体チップ１２を搭載したものであり、樹脂モールド部
１４の位置に対応して下型３０ｂにキャビティ３２を設
けている。図３は半導体チップ１２を搭載した各々の樹
脂モールド部１４にキャビティ３２を設けていることを
示す。
【００１３】ポット２０に樹脂モールド用の樹脂タブレ
ット３４を供給し、ポット２０内で溶融した樹脂をプラ
ンジャ３６で押し出すことにより、ランナー路２２、ゲ
ート２４を経由してキャビティ３２に樹脂が充填され
て、各々の半導体チップ１２が樹脂モールドされる。樹
脂モールド後の被成形品１０はプリント基板上に半導体
チップ１２を樹脂モールドした樹脂成形部が形成された
ものとなる。図１に示すように、被成形品１０は電極１
６を形成した一方の端縁とは反対側の端縁をポット２０
に面する側としてキャビティ３２に樹脂を充填するよう
にセットし、キャビティ３２に通じるランナー路２２と
ゲート２４が被成形品１０の表面上を通過しても問題が
生じないようにしている。
ット３４を供給し、ポット２０内で溶融した樹脂をプラ
ンジャ３６で押し出すことにより、ランナー路２２、ゲ
ート２４を経由してキャビティ３２に樹脂が充填され
て、各々の半導体チップ１２が樹脂モールドされる。樹
脂モールド後の被成形品１０はプリント基板上に半導体
チップ１２を樹脂モールドした樹脂成形部が形成された
ものとなる。図１に示すように、被成形品１０は電極１
６を形成した一方の端縁とは反対側の端縁をポット２０
に面する側としてキャビティ３２に樹脂を充填するよう
にセットし、キャビティ３２に通じるランナー路２２と
ゲート２４が被成形品１０の表面上を通過しても問題が
生じないようにしている。
【００１４】被成形品１０上を通過するランナー路２２
内とゲート２４内で硬化した樹脂はそのまま被成形品１
０の上に付着したまま残留させて製品としてもよいし、
ゲート２４が樹脂モールド部１４に連結する端部で硬化
樹脂を分離して除去してもよい。ランナー路２２とゲー
ト２４内で硬化した樹脂を被成形品１０の表面から剥離
しやすくするため、ランナー路２２とゲート２４が通過
する部位に金めっきを施す等の剥離のための処理を施し
ておいてもよい。
内とゲート２４内で硬化した樹脂はそのまま被成形品１
０の上に付着したまま残留させて製品としてもよいし、
ゲート２４が樹脂モールド部１４に連結する端部で硬化
樹脂を分離して除去してもよい。ランナー路２２とゲー
ト２４内で硬化した樹脂を被成形品１０の表面から剥離
しやすくするため、ランナー路２２とゲート２４が通過
する部位に金めっきを施す等の剥離のための処理を施し
ておいてもよい。
【００１５】図１〜３で示した装置では、前述したよう
に、被成形品１０の表面をランナー路２２とゲート２４
が通過するため、硬化樹脂が被成形品１０の表面に付着
する。図４、５はランナー路２２およびゲート２４内で
硬化する樹脂が被成形品１０の表面に付着しないように
樹脂成形する方法を示す。この製造方法では所定の耐熱
性を有するゲートフィルム４１を用いてランナー路２２
およびゲート２４での硬化樹脂が被成形品１０に付着し
ないように樹脂モールドする。
に、被成形品１０の表面をランナー路２２とゲート２４
が通過するため、硬化樹脂が被成形品１０の表面に付着
する。図４、５はランナー路２２およびゲート２４内で
硬化する樹脂が被成形品１０の表面に付着しないように
樹脂成形する方法を示す。この製造方法では所定の耐熱
性を有するゲートフィルム４１を用いてランナー路２２
およびゲート２４での硬化樹脂が被成形品１０に付着し
ないように樹脂モールドする。
【００１６】図４、５に示すように、本実施形態の製造
装置で上型３０ａと下型３０ｂの構成は上述した実施形
態と同一であり、ゲートフィルム４１はポット２０に対
向する上型３０ａのパーティング面と、ポット２０の両
側に伸びるゲート２４の先端位置までの幅範囲を覆うよ
うに配置したものである。図４に示すように、ゲートフ
ィルム４１はその端縁位置をゲート２４の先端位置に合
わせて配置することにより、キャビティ３２に通じるラ
ンナー路２２とゲート２４部分を通過する樹脂が被成形
品１０の表面にじかに接触しないようにしている。
装置で上型３０ａと下型３０ｂの構成は上述した実施形
態と同一であり、ゲートフィルム４１はポット２０に対
向する上型３０ａのパーティング面と、ポット２０の両
側に伸びるゲート２４の先端位置までの幅範囲を覆うよ
うに配置したものである。図４に示すように、ゲートフ
ィルム４１はその端縁位置をゲート２４の先端位置に合
わせて配置することにより、キャビティ３２に通じるラ
ンナー路２２とゲート２４部分を通過する樹脂が被成形
品１０の表面にじかに接触しないようにしている。
【００１７】実際に被成形品１０を樹脂モールドするに
際しては、型開き状態でポット２０に樹脂タブレット３
４を供給した後、ゲートフィルム４１を下型３０ｂに位
置合わせしてセットし、被成形品１０を下型３０ｂに供
給した後、上型３０ａと下型３０ｂで被成形品１０をク
ランプしてキャビティ３２に樹脂を充填する。ランナー
路２２およびゲート２４が通過する被成形品１０の表面
部分はゲートフィルム４１によって被覆されているか
ら、樹脂はゲートフィルム４１上を通過するのみであ
り、被成形品１０の表面に樹脂が付着することなく樹脂
モールドされる。したがって、樹脂モールド後はゲート
２４の端部を樹脂成形部から分離するだけで硬化樹脂を
除去することができる。ゲートフィルム４１は金型およ
び樹脂と容易に剥離でき、加熱される金型温度にも耐え
る耐熱性を有するフィルムを使用する。なお、とくに伸
展性は必要としない。
際しては、型開き状態でポット２０に樹脂タブレット３
４を供給した後、ゲートフィルム４１を下型３０ｂに位
置合わせしてセットし、被成形品１０を下型３０ｂに供
給した後、上型３０ａと下型３０ｂで被成形品１０をク
ランプしてキャビティ３２に樹脂を充填する。ランナー
路２２およびゲート２４が通過する被成形品１０の表面
部分はゲートフィルム４１によって被覆されているか
ら、樹脂はゲートフィルム４１上を通過するのみであ
り、被成形品１０の表面に樹脂が付着することなく樹脂
モールドされる。したがって、樹脂モールド後はゲート
２４の端部を樹脂成形部から分離するだけで硬化樹脂を
除去することができる。ゲートフィルム４１は金型およ
び樹脂と容易に剥離でき、加熱される金型温度にも耐え
る耐熱性を有するフィルムを使用する。なお、とくに伸
展性は必要としない。
【００１８】上記実施形態の製造装置は被成形品１０の
表面にランナー路２２とゲート２４で硬化した樹脂が付
着しないように樹脂モールドする装置であり、図６に示
す製造装置はリリースフィルム４０を用いて金型のパー
ティング面、ポット２０の内面に樹脂を付着させずに樹
脂モールドする装置である。すなわち、この製造装置で
は上型３０ａと下型３０ｂのパーティング面をリリース
フィルム４０で被覆してプリント基板等の被成形品１０
を樹脂モールドする。
表面にランナー路２２とゲート２４で硬化した樹脂が付
着しないように樹脂モールドする装置であり、図６に示
す製造装置はリリースフィルム４０を用いて金型のパー
ティング面、ポット２０の内面に樹脂を付着させずに樹
脂モールドする装置である。すなわち、この製造装置で
は上型３０ａと下型３０ｂのパーティング面をリリース
フィルム４０で被覆してプリント基板等の被成形品１０
を樹脂モールドする。
【００１９】被成形品１０はプリント基板の両面に半導
体チップ１２を搭載した製品であり、上型３０ａと下型
３０ｂの各々にキャビティ３２を設けている。したがっ
て、被成形品１０の両面にキャビティ３２に通じるゲー
ト２４を設けて各々のキャビティ３２に樹脂が充填され
るようにしている。リリースフィルム４０はこれらキャ
ビティ３２およびランナー路２２、ゲート２４を形成し
た樹脂成形面全体を覆う幅で形成し、上型３０ａと下型
３０ｂに各々１枚ずつ供給する。リリースフィルム４０
には伸展性にすぐれた素材を使用し、パーティング面と
キャビティ内面からエア吸引することによりキャビティ
３２等の内面形状にならって吸着支持することができ
る。
体チップ１２を搭載した製品であり、上型３０ａと下型
３０ｂの各々にキャビティ３２を設けている。したがっ
て、被成形品１０の両面にキャビティ３２に通じるゲー
ト２４を設けて各々のキャビティ３２に樹脂が充填され
るようにしている。リリースフィルム４０はこれらキャ
ビティ３２およびランナー路２２、ゲート２４を形成し
た樹脂成形面全体を覆う幅で形成し、上型３０ａと下型
３０ｂに各々１枚ずつ供給する。リリースフィルム４０
には伸展性にすぐれた素材を使用し、パーティング面と
キャビティ内面からエア吸引することによりキャビティ
３２等の内面形状にならって吸着支持することができ
る。
【００２０】図６は上型３０ａと下型３０ｂのパーティ
ング面にリリースフィルム４０をエア吸着して支持し、
被成形品１０をクランプした状態を示す。下型３０ｂで
はポット２０の開口部を含めてリリースフィルム４０に
よりパーティング面を被覆し、ポット２０に樹脂タブレ
ット３４を供給する。これによってポット２０の内面を
含めてパーティング面がリリースフィルム４０で被覆さ
れる。図６に示すように金型のパーティング面をリリー
スフィルム４０で被覆して樹脂モールドすることによ
り、ポット２０から圧送された樹脂がじかに金型面に付
着することなく樹脂モールドされる。したがって、樹脂
モールド後に成形品を離型することがきわめて容易にな
り、被成形品１０からリリースフィルム４０を剥離する
ことも容易となる。
ング面にリリースフィルム４０をエア吸着して支持し、
被成形品１０をクランプした状態を示す。下型３０ｂで
はポット２０の開口部を含めてリリースフィルム４０に
よりパーティング面を被覆し、ポット２０に樹脂タブレ
ット３４を供給する。これによってポット２０の内面を
含めてパーティング面がリリースフィルム４０で被覆さ
れる。図６に示すように金型のパーティング面をリリー
スフィルム４０で被覆して樹脂モールドすることによ
り、ポット２０から圧送された樹脂がじかに金型面に付
着することなく樹脂モールドされる。したがって、樹脂
モールド後に成形品を離型することがきわめて容易にな
り、被成形品１０からリリースフィルム４０を剥離する
ことも容易となる。
【００２１】なお、リリースフィルム４０を介して被成
形品１０をクランプして樹脂モールドする場合は、クラ
ンプ力がリリースフィルム４０を介して被成形品１０に
作用するから、リリースフィルム４０の圧縮性を利用す
ると被成形品１０の表面の凹凸を吸収して確実に樹脂モ
ールドすることが可能となる。被成形品１０の表面には
配線等を形成したことによってわずかな凹凸ができる場
合があるが、リリースフィルム４０を介して樹脂モール
ドする方法によればこれらの凹凸を吸収して樹脂ばりを
生じさせずに樹脂モールドすることができる。また、リ
リースフィルム４０により金型面を被覆することによっ
て樹脂の流動性が改善され、これによってきわめて薄型
に樹脂モールド部を成形することが容易にでき、製品の
薄型化を図ることができるという利点がある。
形品１０をクランプして樹脂モールドする場合は、クラ
ンプ力がリリースフィルム４０を介して被成形品１０に
作用するから、リリースフィルム４０の圧縮性を利用す
ると被成形品１０の表面の凹凸を吸収して確実に樹脂モ
ールドすることが可能となる。被成形品１０の表面には
配線等を形成したことによってわずかな凹凸ができる場
合があるが、リリースフィルム４０を介して樹脂モール
ドする方法によればこれらの凹凸を吸収して樹脂ばりを
生じさせずに樹脂モールドすることができる。また、リ
リースフィルム４０により金型面を被覆することによっ
て樹脂の流動性が改善され、これによってきわめて薄型
に樹脂モールド部を成形することが容易にでき、製品の
薄型化を図ることができるという利点がある。
【００２２】図７〜９はプリント基板等の実装基板を被
成形品１０としてトランスファモールドにより樹脂モー
ルドする際のゲートブレイク方法を示す。図７はゲート
２４位置で被成形品１０の基板の端面位置に合わせてＶ
ノッチ２４ａを設け、ゲートブレイクする際にＶノッチ
部分で分離されるようにして被成形品１０に応力を与え
ずにゲートブレイクできるようにしたものである。図８
は被成形品１０でゲート２４が接続される側の樹脂モー
ルド部１４の端面位置を被成形品１０の基板の端面位置
と略一致させるように樹脂モールド部（キャビティ）を
設計した例である。被成形品１０の端面位置と樹脂モー
ルド部１４の端面位置を一致させることにより、ゲート
２４での硬化樹脂が被成形品１０側に残留しない形態と
なる。
成形品１０としてトランスファモールドにより樹脂モー
ルドする際のゲートブレイク方法を示す。図７はゲート
２４位置で被成形品１０の基板の端面位置に合わせてＶ
ノッチ２４ａを設け、ゲートブレイクする際にＶノッチ
部分で分離されるようにして被成形品１０に応力を与え
ずにゲートブレイクできるようにしたものである。図８
は被成形品１０でゲート２４が接続される側の樹脂モー
ルド部１４の端面位置を被成形品１０の基板の端面位置
と略一致させるように樹脂モールド部（キャビティ）を
設計した例である。被成形品１０の端面位置と樹脂モー
ルド部１４の端面位置を一致させることにより、ゲート
２４での硬化樹脂が被成形品１０側に残留しない形態と
なる。
【００２３】図９はキャビティに連絡するゲート２４を
被成形品１０の表面上で薄く形成し、基板の端面位置に
ゲート２４の端部位置を一致させた例である。これによ
り、基板の端面でゲート２４が分離され、被成形品１０
の表面には薄く樹脂が残るのみとなる。図９(b) ではリ
リースフィルム４０を介して樹脂モールドする際に、キ
ャビティ３２に樹脂を充填する際には可動ゲート４２を
被成形品１０の表面から離して樹脂を充填しやすくして
おき、樹脂充填後に可動ゲート４２を被成形品１０の表
面に押接することによって、ゲートブレイクによって被
成形品１０の表面に硬化樹脂が薄く残るようにした例で
ある。可動ゲート４２を使用する樹脂モールド方法は、
樹脂モールド部１４がきわめて薄型で樹脂の充填が困難
な製品の樹脂モールドに有効である。
被成形品１０の表面上で薄く形成し、基板の端面位置に
ゲート２４の端部位置を一致させた例である。これによ
り、基板の端面でゲート２４が分離され、被成形品１０
の表面には薄く樹脂が残るのみとなる。図９(b) ではリ
リースフィルム４０を介して樹脂モールドする際に、キ
ャビティ３２に樹脂を充填する際には可動ゲート４２を
被成形品１０の表面から離して樹脂を充填しやすくして
おき、樹脂充填後に可動ゲート４２を被成形品１０の表
面に押接することによって、ゲートブレイクによって被
成形品１０の表面に硬化樹脂が薄く残るようにした例で
ある。可動ゲート４２を使用する樹脂モールド方法は、
樹脂モールド部１４がきわめて薄型で樹脂の充填が困難
な製品の樹脂モールドに有効である。
【００２４】なお、半導体モジュール製品で基板に半導
体チップの他に抵抗、コンデンサ等の回路部品を搭載す
る製品の場合には実装基板に半導体チップを搭載してト
ランスファモールド法により樹脂モールドした後 抵
抗、コンデンサ等の回路部品を実装することにより半導
体モジュールとすることができる。また、実装基板の半
導体チップ搭載部をマスクしてリフロー、ソルダリング
により抵抗、コンデンサ等の回路部品を搭載した後に、
トランスファモールド法により半導体チップを樹脂モー
ルドして製品とすることができる。
体チップの他に抵抗、コンデンサ等の回路部品を搭載す
る製品の場合には実装基板に半導体チップを搭載してト
ランスファモールド法により樹脂モールドした後 抵
抗、コンデンサ等の回路部品を実装することにより半導
体モジュールとすることができる。また、実装基板の半
導体チップ搭載部をマスクしてリフロー、ソルダリング
により抵抗、コンデンサ等の回路部品を搭載した後に、
トランスファモールド法により半導体チップを樹脂モー
ルドして製品とすることができる。
【００２５】上述した各実施形態で示したように、本発
明に係る半導体モジュールの製造方法は、プリント基板
等の実装基板にじかにＩＣ、ＬＳＩといった半導体チッ
プを搭載してトランスファモールド方法により樹脂モー
ルドして製品とするものである。したがって、被成形品
としては半導体チップを搭載してモジュールとするもの
であればメモリ製品等に限定されるものではなく、異種
の半導体チップを複合した半導体モジュール製品等につ
いても適用することができる。
明に係る半導体モジュールの製造方法は、プリント基板
等の実装基板にじかにＩＣ、ＬＳＩといった半導体チッ
プを搭載してトランスファモールド方法により樹脂モー
ルドして製品とするものである。したがって、被成形品
としては半導体チップを搭載してモジュールとするもの
であればメモリ製品等に限定されるものではなく、異種
の半導体チップを複合した半導体モジュール製品等につ
いても適用することができる。
【００２６】本発明に係る半導体モジュールの製造方法
は生産効率が高く量産性にすぐれ、製造コストを効果的
に引き下げることができる点できわめて有効である。ま
た、トランスファモールド法によって樹脂モールドする
ことからポッティング法に比較してボイドの発生が少な
く信頼性が高いという利点がある。また、半導体モジュ
ール全体の生産工程で見た場合、リードフレーム等の介
在物を使用することなく最終製品とすることから、半導
体パッケージを省略して製品とすることから、これらの
製造コストを省くことができ、全体としてきわめて有効
にコストダウンを図ることが可能となる。
は生産効率が高く量産性にすぐれ、製造コストを効果的
に引き下げることができる点できわめて有効である。ま
た、トランスファモールド法によって樹脂モールドする
ことからポッティング法に比較してボイドの発生が少な
く信頼性が高いという利点がある。また、半導体モジュ
ール全体の生産工程で見た場合、リードフレーム等の介
在物を使用することなく最終製品とすることから、半導
体パッケージを省略して製品とすることから、これらの
製造コストを省くことができ、全体としてきわめて有効
にコストダウンを図ることが可能となる。
【００２７】
【発明の効果】本発明に係る半導体モジュールの製造方
法によれば、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップを搭載した
半導体メモリ製品等の半導体モジュールを容易にかつ低
コストで生産することが可能となる。また、樹脂封止性
にすぐれ、信頼性の高い半導体モジュール製品として提
供することが可能となる等の著効を奏する。
法によれば、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップを搭載した
半導体メモリ製品等の半導体モジュールを容易にかつ低
コストで生産することが可能となる。また、樹脂封止性
にすぐれ、信頼性の高い半導体モジュール製品として提
供することが可能となる等の著効を奏する。
【図１】半導体モジュールの製造装置の金型に被成形品
をセットした状態の平面配置を示す説明図である。
をセットした状態の平面配置を示す説明図である。
【図２】被成形品をクランプした状態の断面図である。
【図３】被成形品をクランプした状態を被成形品の端縁
方向から見た状態の断面図である。
方向から見た状態の断面図である。
【図４】ゲートフィルムを用いて被成形品にゲート樹脂
が付着しない金型の平面配置を示す説明図である。
が付着しない金型の平面配置を示す説明図である。
【図５】図４に示す金型で被成形品をクランプした状態
の断面図である。
の断面図である。
【図６】金型のパーティング面をリリースフィルムで被
覆して樹脂モールドする金型の構成を示す断面図であ
る。
覆して樹脂モールドする金型の構成を示す断面図であ
る。
【図７】ゲートブレイクの方法を示す説明図である。
【図８】ゲートブレイクの方法を示す説明図である。
【図９】ゲートブレイクの方法を示す説明図である。
【図１０】半導体モジュールの一例を示す平面図であ
る。
る。
１０ インナーリード成形品 １２ 半導体チップ １４ 樹脂モールド部 １６ 電極 ２０ ポット ２２ ランナー路 ２４ ゲート ２６ 位置決めピン ３０ａ 上型 ３０ｂ 下型 ３２ キャビティ ３４ 樹脂タブレット ４０ リリースフィルム ４１ ゲートフィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 25/00 Ｈ０１Ｌ 25/00 Ａ // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (6)
- 【請求項１】 プリント基板等の実装基板に半導体チッ
プを搭載した半導体装置を複数個数実装して成る半導体
モジュールの製造方法において、 前記実装基板に半導体チップをじかに搭載し、該実装基
板に設けた配線と半導体チップとを電気的に接続して成
る被成形品を金型でクランプし、トランスファモールド
方法により前記半導体チップを樹脂モールドすることを
特徴とする半導体モジュール製造方法。 - 【請求項２】 前記被成形品が、実装基板の一方の端縁
に接続用の電極が設けられたものであり、 前記実装基板の他方の端縁側にポットとキャビティとを
連絡するゲートとランナー路を配置して樹脂モールドす
ることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュールの
製造方法。 - 【請求項３】 前記被成形品の表面で、キャビティに通
じるゲート等の樹脂路が通過する部位をゲートフィルム
により被覆して樹脂モールドすることを特徴とする請求
項１または２記載の半導体モジュールの製造方法。 - 【請求項４】 前記金型のパーティング面を金型および
モールド用の樹脂との剥離性の良いリリースフィルムに
より被覆して樹脂モールドすることを特徴とする請求項
１または２記載の半導体モジュールの製造方法。 - 【請求項５】 前記被成形品の他方の端縁の端面位置と
キャビティに接続するゲートの先端位置とを略一致させ
て樹脂モールドすることを特徴とする請求項２記載の半
導体モジュールの製造方法。 - 【請求項６】 前記被成形品の他方の端縁の端面位置と
樹脂モールド部の端面位置とを略一致させて樹脂モール
ドすることを特徴とする請求項２記載の半導体モジュー
ルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16333998A JPH11354558A (ja) | 1998-06-11 | 1998-06-11 | 半導体モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16333998A JPH11354558A (ja) | 1998-06-11 | 1998-06-11 | 半導体モジュールの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354558A true JPH11354558A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15771996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16333998A Pending JPH11354558A (ja) | 1998-06-11 | 1998-06-11 | 半導体モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354558A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6875639B2 (en) | 2001-03-22 | 2005-04-05 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN104552672A (zh) * | 2014-12-08 | 2015-04-29 | 南通富士通微电子股份有限公司 | Bga模塑模具 |
-
1998
- 1998-06-11 JP JP16333998A patent/JPH11354558A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6875639B2 (en) | 2001-03-22 | 2005-04-05 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN104552672A (zh) * | 2014-12-08 | 2015-04-29 | 南通富士通微电子股份有限公司 | Bga模塑模具 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050506 |
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|
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Effective date: 20070130 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070605 |