JPH11354475A - Wafer polishing device - Google Patents
Wafer polishing deviceInfo
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- JPH11354475A JPH11354475A JP15467198A JP15467198A JPH11354475A JP H11354475 A JPH11354475 A JP H11354475A JP 15467198 A JP15467198 A JP 15467198A JP 15467198 A JP15467198 A JP 15467198A JP H11354475 A JPH11354475 A JP H11354475A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
研磨装置に係り、特に、研磨装置部において研磨が終了
したウェーハを、洗浄装置部へ移送する部分に設けられ
るアンローダ部の構成に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for polishing a semiconductor wafer, and more particularly to a structure of an unloader provided at a portion for transferring a wafer, which has been polished in a polishing apparatus, to a cleaning apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】図3に、ウェーハの研磨加工(ポリッシ
ング)の際に使用される従来の研磨装置の全体構成を示
す。図3において、20は研磨装置部、25a及び25
bはカセット、26はウェーハ移載用のロボット、27
はローダ部、40はアンローダ部(兼二次研磨加工
部)、30は洗浄装置部を表す。2. Description of the Related Art FIG. 3 shows the overall configuration of a conventional polishing apparatus used for polishing (polishing) a wafer. In FIG. 3, reference numeral 20 denotes a polishing unit, 25a and 25.
b is a cassette, 26 is a robot for transferring wafers, 27
Denotes a loader section, 40 denotes an unloader section (also a secondary polishing section), and 30 denotes a cleaning device section.
【0003】装置本体のベース29上には、研磨装置部
20が設けられている。研磨装置部20は、ターンテー
ブル21、研磨ヘッド22、ドレッシングヘッド23な
どから構成される。研磨ヘッド22の旋回範囲には、ロ
ーダ部27及びアンローダ部40が設けられ、ローダ部
27に隣接する位置に、移載用のロボット26が配置さ
れている。なお、図中、28は、研磨ヘッド22の洗浄
のための洗浄装置であり、ウェーハを保持する前に、研
磨ヘッド22の吸着面を洗浄する際に使用される。[0003] A polishing apparatus section 20 is provided on a base 29 of the apparatus main body. The polishing device section 20 includes a turntable 21, a polishing head 22, a dressing head 23, and the like. A loader unit 27 and an unloader unit 40 are provided in the turning range of the polishing head 22, and a transfer robot 26 is disposed at a position adjacent to the loader unit 27. In the drawing, reference numeral 28 denotes a cleaning device for cleaning the polishing head 22, which is used for cleaning the suction surface of the polishing head 22 before holding the wafer.
【0004】装置本体のベース29に隣接して、研磨後
のウェーハの洗浄のために使用される洗浄装置部30が
設けられている。洗浄装置部30は、後述する様に、ウ
ェーハの移載用のロボット31、両面ブラッシング装置
32、2台のスピン洗浄装置34及び35、旋回式反転
機構38などから構成されている。[0006] A cleaning unit 30 used for cleaning the polished wafer is provided adjacent to the base 29 of the apparatus main body. The cleaning unit 30 includes a wafer transfer robot 31, a double-sided brushing device 32, two spin cleaning devices 34 and 35, a reversing mechanism 38, and the like, as described later.
【0005】研磨装置部20は、主研磨である一次研磨
に使用される。図6に、研磨装置部20の概略構成を示
す。研磨装置部20は、ターンテーブル21、研磨ヘッ
ド22、ドレッシングヘッド23、研磨液供給ノズル5
9などから構成される。ターンテーブル21は、その上
面に研磨布52が装着され、下側に配置された回転駆動
機構53によって駆動される。研磨ヘッド22は、加圧
兼回転機構54、加圧兼回転機構54から下方に伸びる
主軸55、及び主軸55の下端に接続されたウェーハ保
持プレート56などから構成される。保持プレート56
の下面には、バッキングパッド57が装着され、被加工
物であるウェーハ10は、このバッキングパッド57を
介してウェーハ保持プレート56の下面側に保持され
る。ドレッシングヘッド23は、研磨布52の平坦度の
調整及び目詰まりの除去のために使用される。The polishing unit 20 is used for primary polishing, which is the main polishing. FIG. 6 shows a schematic configuration of the polishing apparatus section 20. The polishing device 20 includes a turntable 21, a polishing head 22, a dressing head 23, and a polishing liquid supply nozzle 5.
9 and the like. The turntable 21 has a polishing cloth 52 mounted on its upper surface, and is driven by a rotation drive mechanism 53 arranged below. The polishing head 22 includes a pressing and rotating mechanism 54, a main shaft 55 extending downward from the pressing and rotating mechanism 54, a wafer holding plate 56 connected to a lower end of the main shaft 55, and the like. Holding plate 56
A backing pad 57 is attached to the lower surface of the wafer, and the wafer 10 to be processed is held on the lower surface side of the wafer holding plate 56 via the backing pad 57. The dressing head 23 is used for adjusting the flatness of the polishing pad 52 and removing clogging.
【0006】ウェーハ10の研磨は、以下の様に行われ
る。先ず、ターンテーブル21上に研磨布52を装着
し、ウェーハ保持プレート56の下面にバッキングパッ
ド57を介してウェーハ10を吸着する。次に、ターン
テーブル21を回転するとともに、研磨布52の表面に
研磨液供給ノズル59から研磨液(微細な砥粒を懸濁さ
せた溶液)を供給する。最後に、加圧兼回転機構54を
駆動して、ウェーハ10を回転させながら研磨布52の
表面に押付けて、主研磨である一次研磨が行なわれる。The polishing of the wafer 10 is performed as follows. First, the polishing pad 52 is mounted on the turntable 21, and the wafer 10 is sucked to the lower surface of the wafer holding plate 56 via the backing pad 57. Next, the turntable 21 is rotated, and a polishing liquid (a solution in which fine abrasive grains are suspended) is supplied to the surface of the polishing cloth 52 from a polishing liquid supply nozzle 59. Finally, the pressurizing and rotating mechanism 54 is driven to press the wafer 10 against the surface of the polishing pad 52 while rotating, so that primary polishing, which is main polishing, is performed.
【0007】図3において、ウェーハ10aは、カセッ
ト25a内に収容された状態でベース29上に搬入さ
れ、研磨工程の終了後、カセット25b内に収容された
状態でベース29上から搬出される。ウェーハ10a
は、図3に示す様に、研磨面(回路形成側、A面と呼
ぶ)を上側にして、カセット25a、25b内に収容さ
れる。In FIG. 3, the wafer 10a is loaded on the base 29 in a state accommodated in the cassette 25a, and is unloaded from the base 29 in a state accommodated in the cassette 25b after the polishing process. Wafer 10a
Are housed in cassettes 25a and 25b with the polished surface (circuit forming side, referred to as surface A) facing upward, as shown in FIG.
【0008】この様に、カセット内にウェーハの研磨面
(A面)を上側にして収容することによって、ロボット
26(後述)のアームが、その先端に設けられた真空チ
ャック機構によりウェーハを吸着して搬送する際、打痕
疵や汚れがウェーハの研磨面に生ずるのを防止してい
る。As described above, by accommodating the wafer in the cassette with the polished surface (A side) of the wafer facing upward, the arm of the robot 26 (described later) sucks the wafer by the vacuum chuck mechanism provided at the tip thereof. When transporting the wafer, dent flaws and stains are prevented from being generated on the polished surface of the wafer.
【0009】ウェーハ移載用のロボット26は、カセッ
ト25aからウェーハ10を取り出し、上下面を反転さ
せた後、ローダ部27の上に降ろす。従って、ローダ部
27の上に載せられたウェーハ10bは、図3に示す様
に、非研磨面(B面)が上面になっている。次に、研磨
ヘッド22がローダ部27の上方へ旋回し、ローダ部2
7上のウェーハ10bをB面側から保持して、研磨装置
部20のターンテーブル21の上に搬送する。次いで、
ウェーハ10cの一次研磨が行われる。The wafer transfer robot 26 takes out the wafer 10 from the cassette 25a, turns the wafer 10 upside down, and lowers it on the loader unit 27. Therefore, as shown in FIG. 3, the non-polished surface (B surface) of the wafer 10b placed on the loader unit 27 is the upper surface. Next, the polishing head 22 pivots above the loader unit 27, and the loader unit 2
The wafer 10b on the wafer 7 is held from the side B and transferred onto the turntable 21 of the polishing apparatus 20. Then
The primary polishing of the wafer 10c is performed.
【0010】ウェーハ10cの一次研磨が終了すると、
研磨ヘッド22が、ウェーハを保持した状態で上昇し、
次いで旋回して、アンローダ部(兼二次研磨加工部)4
0の上へ移動する。アンローダ部(兼二次研磨加工部)
40では、ウェーハを保持した状態で研磨ヘッド22が
下降し、二次研磨用定盤41を用いて、研磨面の二次研
磨が行なわれる。この二次研磨によって、ウェーハの研
磨面の面精度が更に高められる。When the primary polishing of the wafer 10c is completed,
The polishing head 22 rises while holding the wafer,
Then, it turns to unloader part (also secondary polishing part) 4
Move up to zero. Unloader section (also secondary polishing section)
At 40, the polishing head 22 is lowered while holding the wafer, and the polishing surface is subjected to secondary polishing using the secondary polishing platen 41. By this secondary polishing, the surface accuracy of the polished surface of the wafer is further enhanced.
【0011】図4に、アンローダ部(兼二次研磨加工
部)40のY−Y部の断面図を示す。図4において、4
1は二次研磨用定盤であり、下部に回転駆動機構を有し
ている。42は受取り用台であり、二次研磨終了後のウ
ェーハを研磨ヘッド22から受取るために使用される。
受取り用台42の下部には、ガイド部43及び受取り用
台42を昇降させるシリンダ44が設けられている。FIG. 4 is a sectional view taken along the line YY of the unloader section (also a secondary polishing section) 40. In FIG. 4, 4
Reference numeral 1 denotes a surface plate for secondary polishing, which has a rotation drive mechanism at a lower portion. Reference numeral 42 denotes a receiving table, which is used to receive the wafer after the secondary polishing from the polishing head 22.
A guide 43 and a cylinder 44 for raising and lowering the receiving table 42 are provided below the receiving table 42.
【0012】ウェーハの二次研磨が終了すると、ウェー
ハ受取り用台42が上昇し、上面に設けられたピンの上
にウェーハを載せて、二次研磨用定盤41の上方で停止
する。この時、ウェーハは非研磨面であるB面が上面に
なっている。ここで、次に示す洗浄装置部30に設けら
れているロボット31が、ウェーハを受け取る。When the secondary polishing of the wafer is completed, the wafer receiving table 42 is raised, the wafer is placed on the pins provided on the upper surface, and stopped above the secondary polishing platen 41. At this time, the non-polished surface B of the wafer is the upper surface. Here, a robot 31 provided in the cleaning unit 30 described below receives the wafer.
【0013】次に、図3中に示した洗浄装置部30につ
いて説明する。洗浄装置部30は、4つの部屋に区分さ
れている。図3において左側から第一の部屋には、両面
ブラッシング装置32及びウェーハの移載用のロボット
31が収容されている。第二の部屋には第一スピン洗浄
装置34、第三の部屋には旋回式反転機構38、第四の
部屋には第二スピン洗浄装置35がそれぞれ収容されて
いる。Next, the cleaning unit 30 shown in FIG. 3 will be described. The cleaning unit 30 is divided into four rooms. In FIG. 3, the first room from the left contains a double-sided brushing device 32 and a robot 31 for transferring a wafer. The second room accommodates a first spin cleaning device 34, the third room accommodates a reversing mechanism 38, and the fourth room accommodates a second spin cleaning device 35.
【0014】ウェーハは、ベース29上のアンローダ部
(兼二次研磨加工部)40からロボット31によって取
り出され、洗浄装置部30内に搬入される。なお、アン
ローダ部(兼二次研磨加工部)40において、ウェーハ
は、受取り用台42(図4)上に非研磨面(B面)を上
側にして載せられており、ロボット31は、外周部を側
方から挟んでウェーハを保持し、両面ブラッシング装置
32内に搬入する。The wafer is taken out from an unloader section (also a secondary polishing section) 40 on a base 29 by a robot 31 and carried into a cleaning apparatus section 30. In the unloader section (also a secondary polishing section) 40, the wafer is placed on the receiving table 42 (FIG. 4) with the non-polished surface (surface B) facing upward. Is held from the side and the wafer is carried into the double-sided brushing device 32.
【0015】両面ブラッシング装置32において両面の
ブラッシングが終了した後、ウェーハは、ロボット31
によって第一スピン洗浄装置34に搬送される。第一ス
ピン洗浄装置34では、ウェーハのB面が上面にあり、
洗浄効率上、主にB面側の洗浄が行われる。After the double-sided brushing is completed in the double-sided brushing apparatus 32, the wafer is transferred to the robot 31.
To the first spin cleaning device 34. In the first spin cleaning device 34, the B surface of the wafer is on the upper surface,
From the viewpoint of cleaning efficiency, the cleaning on the side B is mainly performed.
【0016】第一スピン洗浄装置34における洗浄の
後、ウェーハは、図5に示す様に、旋回式反転機構38
によって旋回軸39を中心に旋回され、上下面の反転が
行われる。第二スピン洗浄装置35では、ウェーハのA
面が上面になり、主にA面側の洗浄が行われて洗浄が完
了する。洗浄が完了したウェーハは、ロボット26によ
って洗浄装置部30から搬出され、A面を上にして、ベ
ース29上のカセット25bに収められる。After the cleaning in the first spin cleaning apparatus 34, the wafer is moved to a reversing mechanism 38 as shown in FIG.
As a result, the robot is turned around the turning shaft 39 and the upper and lower surfaces are inverted. In the second spin cleaning device 35, the wafer A
The surface becomes the upper surface, and the cleaning is mainly completed by cleaning the surface A side. The cleaned wafer is carried out of the cleaning device 30 by the robot 26 and is stored in the cassette 25b on the base 29 with the surface A facing up.
【0017】(従来技術の問題点)上記の様に、従来の
研磨装置においては、第一スピン洗浄装置34とスピン
洗浄装置35の間に、ウェーハの上下面を反転させるた
めの旋回式反転機構38が設けられている。この旋回式
反転機構38は、旋回軸39を中心に大きな半径で旋回
する様に構成されているので、旋回に多くの時間を要
し、研磨装置の生産性の低下を招く要因となっている。(Problems of the Prior Art) As described above, in the conventional polishing apparatus, the revolving reversing mechanism for reversing the upper and lower surfaces of the wafer is provided between the first spin cleaning apparatus 34 and the spin cleaning apparatus 35. 38 are provided. Since the turning type reversing mechanism 38 is configured to turn with a large radius around the turning shaft 39, it takes a lot of time to turn, which is a factor that causes a decrease in the productivity of the polishing apparatus. .
【0018】また、スピン洗浄装置34及び35が収容
される各部屋の中には、洗浄液のミストが充満するの
で、各部屋は扉で区切られている。しかし、ウェーハの
搬送時には、扉の開閉が行われ、洗浄液のミストが隣接
する部屋へ流れ込む。このため、旋回式反転機構38の
旋回軸39の軸受部などのシール性の確保が問題となっ
ていた。Further, since each room in which the spin cleaning devices 34 and 35 are housed is filled with a mist of the cleaning liquid, each room is separated by a door. However, when the wafer is transferred, the door is opened and closed, and the mist of the cleaning liquid flows into the adjacent room. For this reason, there has been a problem in securing the sealing performance of the bearing portion of the turning shaft 39 of the turning type reversing mechanism 38.
【0019】[0019]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ウェーハ研
磨装置におけるウェーハの搬送についての上記の様な問
題点に鑑み成されたもので、本発明の目的は、洗浄装置
部において、シール性の確保が問題となる旋回式反転機
構を使用せずに済み、更に、これによって、ウェーハ研
磨後のアンローダ部及び洗浄装置部における所要時間を
短縮することができるウェーハ研磨装置を提供すること
にある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems with respect to the transfer of a wafer in a wafer polishing apparatus. It is another object of the present invention to provide a wafer polishing apparatus which does not need to use a turning type reversing mechanism, which has a problem in securing, and which can shorten the time required in the unloader section and the cleaning apparatus section after polishing the wafer.
【0020】[0020]
【課題を解決するための手段】本発明のウェーハ研磨装
置は、研磨布が装着されるターンテーブル、及びウェー
ハを保持する研磨ヘッドを備え、ウェーハの研磨を行う
研磨装置部と、研磨が終了したウェーハを研磨ヘッドか
ら受け取るアンローダ部と、前記アンローダ部からウェ
ーハを受け取って搬送するロボットと、このロボットに
よって搬送されたウェーハの洗浄を行う洗浄装置部と、
を備えたウェーハ研磨装置において前記アンローダ部
は、ウェーハの上下面を反転させる反転機構を備えてい
ることを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION A wafer polishing apparatus according to the present invention includes a turntable on which a polishing cloth is mounted, a polishing head for holding a wafer, a polishing apparatus section for polishing a wafer, and polishing is completed. An unloader unit that receives the wafer from the polishing head, a robot that receives and transports the wafer from the unloader unit, a cleaning device that performs cleaning of the wafer transported by the robot,
Wherein the unloader section has a reversing mechanism for reversing the upper and lower surfaces of the wafer.
【0021】本発明のウェーハ研磨装置によれば、洗浄
液の飛散の問題が無いアンローダ部においてウェーハの
上下面を反転させた後、ロボットがウェーハを受け取っ
て洗浄装置部へ搬送する。従って、従来の装置において
懸案となっていた反転機構部のシール性の確保の問題を
解消することができる。According to the wafer polishing apparatus of the present invention, after the upper and lower surfaces of the wafer are inverted in the unloader section where there is no problem of scattering of the cleaning liquid, the robot receives the wafer and transfers it to the cleaning apparatus section. Therefore, the problem of securing the sealing performance of the reversing mechanism, which has been a concern in the conventional apparatus, can be solved.
【0022】また、洗浄が特に必要とされる研磨面側
(A面側)が上面になった状態で、後続の洗浄工程が行
われるので、効率の良い洗浄作業を実現することができ
る。なお、好ましくは、前記反転機構を、ウェーハの外
径部を側方から挟んで保持した状態で、ウェーハの厚さ
の中心面上あるいはその近傍(好ましくは、ウェーハの
板厚の5倍以内)を通る回転軸の回りで、ウェーハの上
下面を反転させる様に構成する。前記反転機構を、この
様に構成することによって、ウェーハの反転に要する所
要時間が短縮され、研磨工程全体の所用時間を短縮する
ことができる。Further, since the subsequent cleaning step is performed in a state where the polished surface side (A side), which particularly requires cleaning, is on the upper surface, an efficient cleaning operation can be realized. Preferably, the reversing mechanism is held on or near the center plane of the thickness of the wafer (preferably within 5 times the thickness of the wafer) with the outer diameter portion of the wafer held between the sides. The upper and lower surfaces of the wafer are inverted around a rotation axis passing through the wafer. By configuring the reversing mechanism in this manner, the time required for reversing the wafer can be reduced, and the time required for the entire polishing process can be reduced.
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】図1に、本発明に基づくウェーハ
研磨装置の概略構成を示す。本発明に基づくウェーハ研
磨装置(図1)と、従来のウェーハ研磨装置(図3)の
相違点は、アンローダ部11の構成、及び第一スピン洗
浄装置から第二スピン洗浄装置へウェーハを移送するロ
ボット36にある。その他の構成、即ち、カセット25
a及び25b、ロボット26、ローダ部27、研磨装置
部20、ロボット31、両面ブラッシング装置32など
については、従来の装置(図3)と共通である。従っ
て、従来の装置と共通な部分については、同一の符号を
付けて、詳しい説明を省略する。即ち、以下において
は、主に、図1中のアンローダ部11(兼ウェーハ反転
ユニット)及びロボット36の構成及び機能について説
明する。FIG. 1 shows a schematic configuration of a wafer polishing apparatus according to the present invention. The difference between the wafer polishing apparatus according to the present invention (FIG. 1) and the conventional wafer polishing apparatus (FIG. 3) lies in the configuration of the unloader section 11 and the transfer of the wafer from the first spin cleaning apparatus to the second spin cleaning apparatus. Robot 36. Other configurations, namely, the cassette 25
The components a and 25b, the robot 26, the loader unit 27, the polishing device unit 20, the robot 31, the double-sided brushing device 32, and the like are common to the conventional device (FIG. 3). Therefore, the same parts as those of the conventional device are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted. That is, the configuration and functions of the unloader unit 11 (also serving as a wafer reversing unit) and the robot 36 in FIG. 1 will be mainly described below.
【0024】図2に、アンローダ部11(兼ウェーハ反
転ユニット)のX−X部の断面図を示す。図2におい
て、12は二次研磨用定盤であり、下部に回転駆動機構
を有している。11はアンローダ部であり、ウェーハ反
転ユニットを兼ねている。このアンローダ部11は、一
対の爪13、ツインシリンダ14、回転軸15、軸受1
6、ロータリアクチュエータ17、上下移動用シリンダ
18、水平移動用シリンダ19などから構成されてい
る。FIG. 2 is a cross-sectional view of the section XX of the unloader section 11 (also serving as a wafer reversing unit). In FIG. 2, reference numeral 12 denotes a surface plate for secondary polishing, which has a rotation drive mechanism at a lower portion. An unloader unit 11 also functions as a wafer reversing unit. The unloader unit 11 includes a pair of claws 13, a twin cylinder 14, a rotating shaft 15, and a bearing 1.
6, a rotary actuator 17, a vertical moving cylinder 18, a horizontal moving cylinder 19, and the like.
【0025】ウェーハ10は、一対の爪13によって、
その外周部を側方から挟まれて保持される。一対の爪1
3は、回転軸15の先端にツインシリンダ14を介して
取り付けられ、回転軸15は軸受16によって支持され
ている。ツインシリンダ14は爪13の開閉を行う。軸
受16を中間に挟んで回転軸15の後端には、ロータリ
アクチュエータ17が接続されている。ロータリアクチ
ュエータ17は、回転軸15を回転させてウェーハ10
の上下面の反転を行う。The wafer 10 is held by a pair of claws 13
The outer peripheral portion is held between the sides. A pair of claws 1
3 is attached to the tip of a rotating shaft 15 via a twin cylinder 14, and the rotating shaft 15 is supported by bearings 16. The twin cylinder 14 opens and closes the claw 13. A rotary actuator 17 is connected to the rear end of the rotating shaft 15 with the bearing 16 interposed therebetween. The rotary actuator 17 rotates the rotating shaft 15 to rotate the wafer 10
Upside down.
【0026】軸受16は、上下移動用シリンダ18のピ
ストンの先端部に支持され、上下移動用シリンダ18
は、水平移動用シリンダ19のピストンの先端部に支持
されている。上下移動用シリンダ18は、ウェーハ10
の上下移動を行い、水平移動用シリンダ19は、ウェー
ハ10の水平方向の移動を行う。なお、爪13は、常時
は二次研磨用定盤12の上方にはなく、水平移動用シリ
ンダ19によって、図の左方向に後退した状態に退避し
ている。The bearing 16 is supported by the tip of a piston of a vertical movement cylinder 18,
Are supported by the tip of the piston of the horizontal movement cylinder 19. The vertical movement cylinder 18 is used for the wafer 10
The horizontal movement cylinder 19 moves the wafer 10 in the horizontal direction. The claw 13 is not always above the platen 12 for secondary polishing, but is retracted by the horizontally moving cylinder 19 in a state of retreating leftward in the drawing.
【0027】次に、上記のアンローダ部(兼ウェーハ反
転ユニット)11の動作について説明する。研磨装置部
20においてウェーハの研磨が終了すると、研磨ヘッド
22が、ウェーハを保持した状態で上昇し、次いで、旋
回してアンローダ部11(兼ウェーハ反転ユニット)の
上方へ移動する。そこで、二次研磨定盤12を用いてウ
ェーハの二次研磨が行われる。二次研磨が終了すると、
研磨ヘッド22が、ウェーハを保持した状態で上昇して
停止する。Next, the operation of the unloader unit (also serving as a wafer reversing unit) 11 will be described. When the polishing of the wafer in the polishing device section 20 is completed, the polishing head 22 rises while holding the wafer, and then turns and moves to above the unloader section 11 (also serving as a wafer reversing unit). Then, the secondary polishing of the wafer is performed using the secondary polishing platen 12. When the secondary polishing is completed,
The polishing head 22 rises and stops while holding the wafer.
【0028】次に、爪13が、水平移動用シリンダ19
によって図の右方向へ移動し、研磨ヘッド22の下側で
停止する。次に、爪13が、上下移動用シリンダ18に
よって上昇し、研磨ヘッド22に保持されたウェーハの
直下で停止する。研磨ヘッド22の下面から窒素ガスが
ブローされ、爪13が研磨ヘッド22からウェーハを受
取る。次に、爪13が、ツインシリンダ14によって駆
動され、ウェーハ10の外周部を側方から保持する。そ
の後、爪13が下降して停止する。次いで、研磨ヘッド
22が旋回し、二次研磨定盤12の上方から離れる。Next, the claw 13 is moved to the horizontal movement cylinder 19.
Moves to the right in the figure, and stops below the polishing head 22. Next, the claw 13 is raised by the vertical movement cylinder 18 and stops immediately below the wafer held by the polishing head 22. Nitrogen gas is blown from the lower surface of the polishing head 22, and the claws 13 receive the wafer from the polishing head 22. Next, the claw 13 is driven by the twin cylinder 14 to hold the outer peripheral portion of the wafer 10 from the side. Thereafter, the claw 13 descends and stops. Next, the polishing head 22 turns and separates from above the secondary polishing platen 12.
【0029】次に、爪13が、上下移動用シリンダ18
によって再び上昇し、ウェーハ10を二次研磨用定盤1
2を十分にかわす位置まで移動させる。この位置で、ロ
ータリアクチュエータ16で回転軸17を回転させるこ
とにより、ウェーハ10の上下面を反転させて、研磨面
(A面)を上面側にする。Next, the claw 13 is moved to the vertical movement cylinder 18.
The wafer 10 is again raised by the
Move 2 to the dodge position. At this position, the upper and lower surfaces of the wafer 10 are inverted by rotating the rotary shaft 17 with the rotary actuator 16, and the polished surface (A surface) is turned to the upper surface side.
【0030】次に、洗浄装置部30のロボット31のア
ームが前進し、ウェーハ10の下方で停止する。次い
で、ロボット31のアームが上昇し、ロボットハンドを
ウェーハの直下で停止させる。次いで、爪13が開き、
ロボットハンドが爪13からウェーハを受取る。ロボッ
ト31のアームは、下降した後、洗浄装置30内へ後退
し、これにより、ウェーハが洗浄装置部30内へ搬入さ
れる。なお、ロボットハンド上で、ウェーハは研磨面
(A面)が上面になっている。Next, the arm of the robot 31 of the cleaning unit 30 moves forward and stops below the wafer 10. Next, the arm of the robot 31 is raised, and the robot hand is stopped immediately below the wafer. Next, the claws 13 open,
The robot hand receives the wafer from the nail 13. After the arm of the robot 31 descends, it retreats into the cleaning device 30, whereby the wafer is carried into the cleaning device unit 30. Note that, on the robot hand, the polished surface (A surface) of the wafer is on the upper surface.
【0031】洗浄装置部30内では、先ず、両面ブラッ
シング装置32によってウェーハのブラッシングが行わ
れる。なお、このブラッシングの際、従来の装置の場合
とは反対に、ウェーハの研磨面(A面)が上面側になっ
ている。ブラッシングが終了すると、ウェーハは、ロボ
ット31によって第一スピン洗浄装置34へ移送され
る。第一スピン洗浄装置34においても、従来の装置の
場合とは反対に、ウェーハの研磨面(A面)が上面側に
なっている。In the cleaning device section 30, first, the wafer is brushed by the double-sided brushing device 32. In this brushing, the polished surface (A surface) of the wafer is on the upper surface side, contrary to the case of the conventional apparatus. When the brushing is completed, the wafer is transferred to the first spin cleaning device 34 by the robot 31. Also in the first spin cleaning device 34, the polished surface (A surface) of the wafer is on the upper surface side, contrary to the case of the conventional device.
【0032】ウェーハは、第一スピン洗浄装置34にお
けるスピン洗浄が終了した後、ロボット36によって第
二スピン洗浄装置35に移送される。ロボット36は、
従来の装置(図3)における旋回式反転機構38に代わ
るものであり、ウェーハを反転せずに、同じ面(即ち、
A面)を上面側にしたままの状態で、第一スピン洗浄装
置34から第二スピン洗浄装置35へ移載する。After the spin cleaning in the first spin cleaning device 34 is completed, the wafer is transferred to the second spin cleaning device 35 by the robot 36. The robot 36
This is an alternative to the pivoting reversing mechanism 38 in the conventional apparatus (FIG. 3), and the same surface (that is, the wafer is not reversed)
The transfer is performed from the first spin cleaning device 34 to the second spin cleaning device 35 with the (A surface) kept on the upper surface side.
【0033】以上の様に、このウェーハ洗浄装置によれ
ば、両面ブラッシング装置32、第一スピン洗浄装置3
4及び第二スピン洗浄装置35において、ウェーハの研
磨面(A面)が上面側にある姿勢が維持される。従っ
て、洗浄効率が高い状態で、ウェーハの洗浄が行われる
ことになる。As described above, according to this wafer cleaning device, the double-sided brushing device 32 and the first spin cleaning device 3
In the fourth and second spin cleaning devices 35, the posture in which the polished surface (A surface) of the wafer is on the upper surface side is maintained. Therefore, the wafer is cleaned with high cleaning efficiency.
【0034】[0034]
【発明の効果】本発明のウェーハ研磨装置によれば、洗
浄装置部分において、軸受部のシール性の確保について
問題がある旋回式反転機構を使用せずに済む。これとと
もに、特に、洗浄が必要とされる研磨面(A面)を上面
側にしたまま、一連の洗浄作業を行うことができるの
で、効率の良い洗浄作業を実現することができる。According to the wafer polishing apparatus of the present invention, it is not necessary to use a turning type reversing mechanism which has a problem in securing the sealing performance of the bearing portion in the cleaning device. At the same time, a series of cleaning operations can be performed particularly with the polished surface (side A) requiring cleaning on the upper surface side, so that an efficient cleaning operation can be realized.
【図1】本発明に基づくウェーハ研磨装置の全体構成を
示す図。FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a wafer polishing apparatus according to the present invention.
【図2】図1中のX−X部の断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along the line XX in FIG. 1;
【図3】従来のウェーハ研磨装置の全体構成を示す図。FIG. 3 is a diagram showing an entire configuration of a conventional wafer polishing apparatus.
【図4】図3中のY−Y部の断面図。FIG. 4 is a sectional view taken along line YY in FIG. 3;
【図5】従来のウェーハ研磨装置で使用されている旋回
式反転機構の動作について説明する図。FIG. 5 is a view for explaining the operation of a turning type reversing mechanism used in a conventional wafer polishing apparatus.
【図6】研磨装置部の概略構成図。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a polishing apparatus.
10・・・ウェーハ、11・・・アンローダ部(兼ウェ
ーハ反転ユニット)、12・・・二次研磨用定盤、13
・・・爪、14・・・ツインシリンダ、15・・・回転
軸、16・・・回転軸受、17・・・ロータリアクチュ
エータ、18・・・上下移動用シリンダ、19・・・水
平移動用シリンダ、20・・・研磨装置部、21・・・
ターンテーブル、22・・・研磨ヘッド、23・・・ド
レッシングヘッド、25a、25b・・・カセット、2
6・・・ロボット、27・・・ローダ部、28・・・洗
浄装置(研磨ヘッド用)、29・・・ベース、30・・
・洗浄装置部、31・・・ロボット、32・・・両面ブ
ラッシング装置、34・・・第一スピン洗浄装置、35
・・・第二スピン洗浄装置、36・・・ロボット、38
・・・旋回式反転機構、39・・・旋回軸、40・・・
アンローダ部(兼二次研磨加工部)、41・・・二次研
磨用定盤、42・・・受取り用台、43・・・ガイド
部、44・・・シリンダ、52・・・研磨布、53・・
・回転駆動機構、54・・・加圧兼回転機構、55・・
・主軸、56・・・ウェーハ保持プレート、57・・・
バッキングパッド、59・・・研磨液供給ノズル。Reference numeral 10: wafer, 11: unloader unit (also wafer reversing unit), 12: surface plate for secondary polishing, 13
... Claw, 14 ... Twin cylinder, 15 ... Rotating shaft, 16 ... Rotating bearing, 17 ... Rotary actuator, 18 ... Cylinder for vertical movement, 19 ... Cylinder for horizontal movement , 20 ... polishing unit, 21 ...
Turntable, 22: polishing head, 23: dressing head, 25a, 25b: cassette, 2
6 ... Robot, 27 ... Loader part, 28 ... Cleaning device (for polishing head), 29 ... Base, 30 ...
Cleaning device section, 31 Robot, 32 Double-sided brushing device, 34 First spin cleaning device, 35
... Second spin cleaning device, 36 ... Robot, 38
... Swivel reversing mechanism, 39 ... Swivel axis, 40 ...
Unloader part (also secondary polishing part), 41: secondary polishing surface plate, 42: receiving table, 43: guide part, 44: cylinder, 52: polishing cloth, 53 ...
.Rotation drive mechanism, 54 ... Pressure and rotation mechanism, 55
・ Spindle, 56 ... Wafer holding plate, 57 ...
Backing pad, 59 ... polishing liquid supply nozzle.
Claims (2)
びウェーハを保持する研磨ヘッドを備え、ウェーハの研
磨を行う研磨装置部と、 研磨が終了したウェーハを研磨ヘッドから受け取るアン
ローダ部と、 前記アンローダ部からウェーハを受け取って搬送するロ
ボットと、 このロボットによって搬送されたウェーハの洗浄を行う
洗浄装置部と、 を備えたウェーハ研磨装置において前記アンローダ部
は、ウェーハの上下面を反転させる反転機構を備えてい
ることを特徴とするウェーハ研磨装置。1. A polishing apparatus comprising: a turntable on which a polishing cloth is mounted; a polishing head for holding a wafer; and a polishing apparatus for polishing the wafer; an unloader for receiving the polished wafer from the polishing head; A robot for receiving and transporting the wafer from the unit, and a cleaning unit for cleaning the wafer transported by the robot, wherein the unloader unit includes a reversing mechanism for reversing the upper and lower surfaces of the wafer. A wafer polishing apparatus, comprising:
方から挟んで保持した状態で、ウェーハの厚さの中心面
上あるいはその近傍を通る回転軸の回りで、ウェーハの
上下面を反転させることを特徴とする請求項1に記載の
ウェーハ研磨装置。2. The method according to claim 1, wherein the reversing mechanism holds the upper and lower surfaces of the wafer around a rotation axis passing on or near a center plane of the thickness of the wafer while holding the outer diameter portion of the wafer from the side. 2. The wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is turned over.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15467198A JPH11354475A (en) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | Wafer polishing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15467198A JPH11354475A (en) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | Wafer polishing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11354475A true JPH11354475A (en) | 1999-12-24 |
Family
ID=15589365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15467198A Pending JPH11354475A (en) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | Wafer polishing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11354475A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005045122A (en) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Daifuku Co Ltd | Plate-like body unloading device |
CN108091607A (en) * | 2018-01-10 | 2018-05-29 | 苏州聚晶科技有限公司 | A kind of self-cleaning silicon wafer turnover mechanism |
CN108091597A (en) * | 2018-01-10 | 2018-05-29 | 苏州聚晶科技有限公司 | A kind of two-sided cleaning machine of silicon chip |
-
1998
- 1998-06-03 JP JP15467198A patent/JPH11354475A/en active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005045122A (en) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Daifuku Co Ltd | Plate-like body unloading device |
CN108091607A (en) * | 2018-01-10 | 2018-05-29 | 苏州聚晶科技有限公司 | A kind of self-cleaning silicon wafer turnover mechanism |
CN108091597A (en) * | 2018-01-10 | 2018-05-29 | 苏州聚晶科技有限公司 | A kind of two-sided cleaning machine of silicon chip |
CN108091607B (en) * | 2018-01-10 | 2023-11-21 | 池州海琳服装有限公司 | Self-cleaning type silicon wafer overturning mechanism |
CN108091597B (en) * | 2018-01-10 | 2023-11-24 | 池州海琳服装有限公司 | Double-sided cleaning machine for silicon wafers |
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