JPH11354280A

JPH11354280A - 発光素子

Info

Publication number: JPH11354280A
Application number: JP11096178A
Authority: JP
Inventors: Toru Kohama; 亨小濱; Yoshio Himeshima; 義夫姫島; Shigeo Fujimori; 茂雄藤森
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1998-04-10
Filing date: 1999-04-02
Publication date: 1999-12-24

Abstract

(57)【要約】【課題】発光効率が高く、高輝度で色純度に優れた、発
光素子を提供する。【解決手段】正極と負極の間に発光を司る物質が存在
し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素
子がストークスシフトが５０ｎｍ以下の蛍光体を含むこ
とを特徴とするもので、発光効率が高く、高輝度で色純
度に優れた、有機薄膜発光素子を提供することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換できる素子であって、表示素子、フラットパネ
ルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標
識、看板、電子写真機、光信号発生器などの分野に利用
可能な発光素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】負極から注入された電子と正極から注入
された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する
際に発光する有機積層薄膜発光素子の研究が近年活発に
行われている。この素子は、薄型、低駆動電圧下での高
輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多色発光が特徴で
ある。

【０００３】有機積層薄膜素子が高輝度に発光すること
は、コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって初めて示
された（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２）
２１、ｐ．９１３、１９８７）。コダック社の提示した
有機積層薄膜発光素子の代表的な構成は、ＩＴＯガラス
基板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層であり、
電子輸送性も併せ持った８−ヒドロキシキノリンアルミ
ニウム、そして負極としてＭｇ：Ａｇを順次設けたもの
であり、１０Ｖ程度の駆動電圧で１０００カンデラ／平
方メートルの緑色発光が可能であった。現在の有機積層
薄膜発光素子は、上記の素子構成要素の他に、電子輸送
層を別に設けているものなど構成を変えているものもあ
るが、基本的にはコダック社の構成を踏襲している。

【０００４】発光層のホスト材料としては、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウムを始めとする金属キレー
ト化オキシノイド化合物、ジアリールブタジエン誘導
体、スチルベン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベ
ンゾチアゾール誘導体（特開昭６３−２６４６９２号公
報）などがあげられる。

【０００５】一方、ゲスト材料としてのドーパント材料
には、レーザー染料として有用であることが知られてい
る、７−ジメチルアミノ−４−メチルクマリンを始めと
する蛍光性クマリン染料、ジシアノメチレンピラン染
料、ジシアノメチレンチオピラン染料、ポリメチン染
料、シアニン染料、オキソベンズアンスラセン染料、キ
サンテン染料、ローダミン染料、フルオレセイン染料、
ピリリウム染料、カルボスチリル染料、ペリレン染料、
アクリジン染料、ビス（スチリル）ベンゼン染料、ピレ
ン染料、オキサジン染料、フェニレンオキサイド染料
（特開昭６３−２６４６９２号公報）、ペリレン、テト
ラセン、ペンタセン（特開平２−２６１８８９号公
報）、キナクリドン化合物、キナゾリン化合物（特開平
５−７０７７３号公報）ピロロピリジン化合物、フロピ
リジン化合物（特開平５−２２２３６０号公報）、１，
２，５−チアジアゾロピレン誘導体（特開平５−２２２
３６１号公報）、ペリノン誘導体（特開平５−２７９６
６２号公報）、ピロロピロール化合物（特開平５−３２
０６６３号公報）、スクアリリウム化合物（特開平６−
９３２５７号公報）、ビオラントロン化合物（特開平７
−９０２５９号公報）、フェナジン誘導体（特開平７−
１０２２５０号公報）、アクリドン化合物（特開平８−
６７８７３号公報）、ジアザフラビン誘導体（特開平９
−７８０５８号公報）などが知られている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術で
は発光素子の発光効率が芳しくなく、高輝度を得ること
が難しかった。また色純度の向上も課題であった。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、正極と負極の
間に発光を司る物質が存在し、電気エネルギーにより発
光する素子であって、該素子がストークスシフトが５０
ｎｍ以下の蛍光体を含み、さらにはフラン骨格を有する
化合物を含むことを特徴とする発光素子である。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明における正極は、光を取り
出すために透明であれば、酸化錫、酸化インジウム、酸
化錫インジウム（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物、あ
るいは、金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅
などの無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロー
ル、ポリアニリンなどの導電性ポリマなど特に限定され
るものでないが、ＩＴＯガラスやネサガラスを用いるこ
とが特に望ましい。透明電極の抵抗は素子の発光に十分
な電流が供給できればよいので限定されないが、素子の
消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例
えば３００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極と
して機能するが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給
も可能になっていることから、２０Ω／□以下の低抵抗
の基板を使用することが特に望ましい。ＩＴＯの厚みは
抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常１００
〜３００ｎｍの間で用いられることが多い。また、ガラ
ス基板はソーダライムガラス、無アルカリガラスなどが
用いられ、また厚みも機械的強度を保つのに十分な厚み
があればよいので、０．７ｍｍ以上あれば十分である。
ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少
ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましいが、
ＳｉＯ₂などのバリアコートを施したソーダライムガラ
スも市販されているのでこれを使用できる。ＩＴＯ膜形
成方法は、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、化学
反応法など特に制限を受けるものではない。

【０００９】本発明における負極は、電子を効率よく、
発光を司る物質または発光を司る物質に隣接する物質
（例えば電子輸送層）に注入できる物質であれば特に限
定されない。一般的には白金、金、銀、銅、鉄、錫、ア
ルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリ
ウム、カルシウム、マグネシウムなどがあげられる。電
子注入効率を上げて素子特性を向上させるためには、リ
チウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシ
ウムまたはこれら低仕事関数金属を含む合金が有効であ
る。しかし、これら低仕事関数金属は一般に大気中で不
安定であることが多く、電極保護のために白金、金、
銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウムなどの金
属、またはこれらの金属を用いた合金、そしてシリカ、
チタニアなどの無機物、ポリビニルアルコール、塩化ビ
ニルなどのポリマを積層することが好ましい。これらの
電極の作製法も、抵抗加熱法蒸着、電子ビーム蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法、コーティ
ング法など導通を取ることができれば、特に制限されな
い。

【００１０】本発明における発光を司る物質の構成は、
１）正孔輸送材料／発光材料、２）正孔輸送材料／発光
材料／電子輸送材料、３）発光材料／電子輸送材料、そ
して、４）以上の組合わせ物質を一層に混合した形態、
のいずれであってもよい。即ち、上記１）〜３）の多層
積層構造の他に，４）のように発光材料単独または発光
材料と正孔輸送材料、あるいは発光材料と正孔輸送材料
および電子輸送材料を含む層を一層設けるだけでもよ
い。

【００１１】発光材料はホスト材料のみでも、ホスト材
料とドーパント材料の組み合わせでも、いずれであって
もよい。また、ドーパント材料はホスト材料の全体に含
まれていても、部分的に含まれていても、いずれであっ
てもよい。ドーパント材料は積層されていても、分散さ
れていても、いずれであってもよい。

【００１２】本発明における正孔輸送材料としては、電
界を与えられた電極間において正極からの正孔を効率良
く輸送することが必要で、正孔注入効率が高く、注入さ
れた正孔を効率良く輸送することが望ましい。そのため
にはイオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度
が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物
が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが
要求される。このような条件を満たす物質として、特に
限定されるものではないが、ビスカルバゾリル誘導体、
ＴＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、α−ＮＰＤなどのトリフェ
ニルアミン誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化
合物、ヒドラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導体や
フタロシアニン誘導体に代表される複素環化合物、ポリ
ビニルカルバゾール、ポリシランなどの既知の正孔輸送
材料を使用できる。これらの正孔輸送材料は単独でも用
いられるが、異なる正孔輸送材料と積層または混合して
使用しても構わない。

【００１３】本発明における発光材料はストークスシフ
トが５０ｎｍ以下の蛍光体を含有する。ここで図１に示
すようにストークスシフト１は蛍光体の蛍光スペクトル
のピーク波長３と励起スペクトルのピーク波長２の差で
ある。ストークスシフトは励起された蛍光体の振動や回
転による準位の降下を示し、ストークスシフトが大きい
と失われるエネルギーは大きい。それゆえ図２に示した
ようなストークスシフトが小さい蛍光体は蛍光の量子収
率が高く、有機積層薄膜発光素子に用いた場合に高い発
光効率を得ることができる可能性がある。

【００１４】ストークスシフトが小さい蛍光体はドーピ
ング法を用いた青色発光の際にさらに利便性を発揮す
る。ドーピング法はホスト材料に微量のドーパント材料
を含有させ、発光効率を向上させたり、発光色を変化さ
せるものである。図３に示したようにドーピング法では
ホスト分子からドーパント分子へのエネルギー移動は、
高エネルギー側より低エネルギー側に行われるので、基
本的に発光ピークの移動９は短波長側から長波長側にし
か行われず、また、ホスト分子の蛍光スペクトル６とド
ーパント分子の励起スペクトル７の重なり４が必要とな
るので、ストークスシフトの大きい青色蛍光ドーパント
分子を発光させるには、ホスト分子には紫外域の発光が
要求されることになってしまう。図４に示したようにス
トークスシフトが小さいドーパント分子を選択すること
ができれば、ホスト分子からの発光は青色のままでも充
分であり、さらに図５に示したようにホスト分子の蛍光
スペクトル６とドーパント分子の励起スペクトル７をう
まく重ねてやることができれば、見かけ上は長波長側か
ら短波長側へ発光ピークの移動ができるようになる。

【００１５】上記の用件を満たす蛍光体を従来の蛍光体
の中から探し出すのは容易ではなく、我々は新規な蛍光
体を合成することで見出すことができた。合成のヴァリ
エーションが多く各種の誘導体を得ることができること
から、蛍光体は複素環を含む化合物であることが好まし
い。中でもフラン環を含む化合物であることが好まし
く、イソベンゾフラン環を含む化合物であることがより
好ましい。イソベンゾフラン骨格を有する化合物はホス
ト材料として用いてもかまわないが、ドーパント材料と
して好適に用いられる。イソベンゾフラン骨格を有する
化合物は、蛍光量子効率が高く、その蛍光スペクトルの
ピークはシャープで色純度が良好である。また、蛍光ス
ペクトルと励起スペクトルのピーク波長の差（ストーク
スシフト）が小さく、効率よくホスト材料の発光波長を
変換することが出来る。イソベンゾフラン骨格を有する
化合物は、赤色発光材料や緑色発光材料として用いても
かまわないが、青色発光材料として好適に用いられる。

【００１６】上記のイソベンゾフラン骨格を有する化合
物として、具体的には下記のような構造があげられる。
蛍光・励起スペクトルはエタノール中で測定した。

【００１７】

【化１】

【００１８】

【化２】

【００１９】

【化３】

【００２０】発光材料に添加するドーパント材料は、イ
ソベンゾフラン骨格を有する化合物一種のみに限る必要
はなく、イソベンゾフラン骨格を有する化合物を混合し
て用いたり、既知のドーパント材料の一種類以上をイソ
ベンゾフラン骨格を有する化合物と混合して用いてもよ
い。具体的には従来から知られている、ペリレン、ルブ
レンなどの縮合環誘導体、キナクリドン誘導体、フェノ
キサゾン６６０、ＤＣＭ１、ペリノン、クマリン誘導体
などがそのまま使用できる。

【００２１】ホスト材料としては特に限定されるもので
はないが、以前から発光体として知られていたアントラ
センやピレンなどの縮合環誘導体、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウムを始めとする金属キレート化オキ
シノイド化合物、ビススチリルアントラセン誘導体やジ
スチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テ
トラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン
誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール
誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ポリマー系で
は、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレ
ン誘導体、そして、ポリチオフェン誘導体などが使用で
きる。

【００２２】本発明における電子輸送性材料としては、
電界を与えられた電極間において負極からの電子を効率
良く輸送することが必要で、電子注入効率が高く、注入
された電子を効率良く輸送することが望ましい。そのた
めには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大き
く、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造
時および使用時に発生しにくい物質であることが要求さ
れる。このような条件を満たす物質として、８−ヒドロ
キシキノリンアルミニウムに代表されるキノリノール誘
導体金属錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属
錯体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、ナフタレン、
クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン
誘導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体、フェナ
ントロリン誘導体などがあるが特に限定されるものでは
ない。これらの電子輸送材料は単独でも用いられるが、
異なる電子輸送材料と積層または混合して使用しても構
わない。

【００２３】以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロー
ス、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン樹脂などの
溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キシレン樹脂、石
油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂
などの硬化性樹脂などに分散させて用いることも可能で
ある。

【００２４】本発明における発光を司る物質の形成方法
は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング
法、分子積層法、コーティング法など特に限定されるも
のではないが、通常は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着
が特性面で好ましい。層の厚みは発光を司る物質の抵抗
値にもよるので限定できないが、経験的には１０〜１０
００ｎｍの間から選ばれる。

【００２５】本発明における電気エネルギーとは主に直
流電流を指すが、パルス電流や交流電流を用いることも
可能である。電流値および電圧値は特に制限はないが、
素子の消費電力、寿命を考慮すると、できるだけ低いエ
ネルギーで最大の輝度が得られるようにするべきであ
る。

【００２６】本発明の発光素子はマトリクスまたはセグ
メント方式、あるいはその両者を組み合わせることによ
って表示するディスプレイを構成することが好ましい。

【００２７】本発明におけるマトリクスは、表示のため
の画素が格子状に配置されたものをいい、画素の集合で
文字や画像を表示する。画素の形状、サイズは用途によ
って決まる。例えばパソコン、モニター、テレビの画像
および文字表示には、通常、一辺が３００μｍ以下の四
角形の画素が用いられるし、表示パネルのような大型デ
ィスプレイの場合は、一辺がｍｍオーダーの画素を用い
ることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を
配列すればよいが、カラー表示の場合には赤、緑、青の
画素を並べて表示させる。この場合典型的にはデルタタ
イプとストライプタイプがある。尚、本発明における発
光素子は、赤、緑、青色発光が可能であるので、前記表
示方法を用いれば、マルチカラーまたはフルカラー表示
もできる。そして、このマトリクスの駆動方法として
は、線順次駆動方法やアクティブマトリクスのどちらで
もよい。線順次駆動の方が構造が簡単という利点がある
が、動作特性を考慮するとアクティブマトリクスの方が
優れる場合があるので、これも用途により使い分けるこ
とが必要である。

【００２８】本発明におけるセグメントタイプは、予め
決められた情報を表示するようにパターンを形成し、決
められた領域を発光させる。例えば、デジタル時計や温
度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調
理器などの動作状態表示、自動車のパネル表示などがあ
げられる。そして、前記マトリクス表示とセグメント表
示は同じパネルの中に共存していてもよい。

【００２９】本発明の発光素子はバックライトとしても
好ましく用いられる。本発明におけるバックライトは、
主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に
使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動
車パネル、表示板、標識などに使用される。特に液晶表
示装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途
のバックライトとしては、従来方式のものが蛍光灯や導
光板からなっているため薄型化が困難であることを考え
ると、本発明におけるバックライトは薄型、軽量が特徴
になる。

【００３０】

【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。

【００３１】実施例１ＩＴＯ透明導電膜を１５０ｎｍ堆積させたガラス基板
（旭硝子社製、１５Ω／□、電子ビーム蒸着品）を３０
×４０ｍｍに切断、エッチングを行った。得られた基板
をアセトン、セミコクリン５６で各々１５分間超音波洗
浄してから、超純水で洗浄した。続いてイソプロピルア
ルコールで１５分間超音波洗浄してから熱メタノールに
１５分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素子を作製
する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸着装置内
に設置して、装置内の真空度が５×１０^-5Ｐａ以下にな
るまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔輸送材
料として４，４’−ビス（Ｎ−（ｍ−トリル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ）ビフェニルを１００ｎｍ蒸着した。次に
ホスト材料としてビス（２−メチルキノリノラート）
（２−ピリジノラート）アルミニウム（III）を、ドー
パント材料として１，３−ジ（２−メチルフェニル）イ
ソベンゾフランを用いて、ドーパントが１ｗｔ％になる
ように３０ｎｍの厚さに共蒸着し、ホスト材料を７０ｎ
ｍの厚さに積層した。ホスト材料としてのビス（２−メ
チルキノリノラート）（２−ピリジノラート）アルミニ
ウム（III）の蛍光ピーク波長は４７１ｎｍであり、ド
ーパント材料としての１，３−ジ（２−メチルフェニ
ル）イソベンゾフランのエタノール中の励起ピーク波長
は４４６ｎｍ、蛍光ピーク波長は４６７ｎｍであり、ス
トークスシフトは３８ｎｍであった。次にリチウムを
０．５ｎｍ、アルミニウムを２００ｎｍ蒸着して陰極と
し、５×５ｍｍ角の素子を作製した。ここで言う膜厚は
表面粗さ計での測定値で補正した水晶発振式膜厚モニタ
ー表示値である。この発光素子の発光開始電圧は４Ｖ
で、最高輝度は５９１０カンデラ／平方メートルであっ
た。発光ピーク波長４９０ｎｍの色純度に優れたドーパ
ントからの良好な青色発光が得られた。

【００３２】比較例１ドーパント材料を用いなかった以外は実施例１と全く同
様にして作製した素子の発光開始電圧は４Ｖで、発光ピ
ーク波長５１０ｎｍの色純度の悪いホスト材料からの緑
色がかった青色発光しか得られなかった。

【００３３】比較例２ドーパント材料としてコロネンを用いた以外は実施例１
と全く同様にして素子を作製した。コロネンのエタノー
ル溶液中の励起ピーク波長は３４０ｎｍ、蛍光ピーク波
長は４３７、４４７、４５３、４７４ｎｍであり、スト
ークスシフトは９７ｎｍであった。発光ピーク波長５１
０ｎｍの色純度の悪いホスト材料からの緑色がかった青
色発光しか得られなかった。

【００３４】実施例２ドーパント材料として１−メシチル−３−フェニルイソ
ベンゾフランを用いた以外は実施例１と全く同様にして
素子を作製した。１−メシチル−３−フェニルイソベン
ゾフランのエタノール溶液中の励起ピーク波長は４３２
ｎｍ、蛍光ピーク波長は４６４ｎｍであり、ストークス
シフトは３２ｎｍであった。発光開始電圧は４Ｖで、最
高輝度は３６４０カンデラ／平方メートルであった。発
光ピーク波長４８７ｎｍの色純度に優れた良好な青色発
光が得られた。

【００３５】実施例３ホスト材料に４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニ
ル）ビフェニルを用いた以外は実施例２と全く同様にし
て作製した素子を駆動させたところ、ドーパント材料か
らの色純度に優れた良好な青色発光が得られた。

【００３６】実施例４ドーパント材料として１，１’−ビス（フェニルイソベ
ンゾフラン）を用いた以外は実施例１と全く同様にして
素子を作製した。１，１’−ビス（フェニルイソベンゾ
フラン）のエタノール溶液中の励起ピーク波長は４０６
ｎｍ、蛍光ピーク波長は４４１ｎｍであり、ストークス
シフトは３５ｎｍであった。発光開始電圧は４Ｖで、最
高輝度は６５２０カンデラ／平方メートルであった。発
光ピーク波長４９０ｎｍの色純度に優れた良好な青色発
光が得られた。

【００３７】実施例５正孔輸送材料として４，４’−ビス（Ｎ−（ｍ−トリ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルを１００ｎｍ蒸
着し、ホスト材料として４，４’−ビス（Ｎ−（ｍ−ト
リル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルを用い、ドー
パント材料として１，３−ジメシチルイソベンゾフラン
を用いて、ドーパントが１ｗｔ％になるように３０ｎｍ
の厚さに共蒸着し、次に電子輸送材料として２，９−ジ
メチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロ
リンを７０ｎｍの厚さに積層した以外は実施例１と全く
同様にして素子を作製した。ホスト材料としての４，
４’−ビス（Ｎ−（ｍ−トリル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ）ビフェニルの蛍光ピーク波長は４２７ｎｍであり、
１，３−ジメシチルイソベンゾフランのエタノール溶液
中の励起ピーク波長は３９９ｎｍ、蛍光ピーク波長は４
３９ｎｍであり、ストークスシフトは４０ｎｍであっ
た。発光開始電圧は４Ｖで、最高輝度は８２６カンデラ
／平方メートルであった。発光ピーク波長４６４ｎｍの
色純度に優れた良好な青色発光が得られた。

【００３８】実施例６ドーパント材料として３，４；８，９−ジベンゾピレン
（ジベンゾ（ｂ，ｄｅｆ）クリセン）を用いた以外は実
施例１と全く同様にして素子を作製した。３，４；８，
９−ジベンゾピレンのエタノール溶液中の励起ピーク波
長は４２４，４５０ｎｍ、蛍光ピーク波長は４５６ｎ
ｍ、４８２ｎｍであり、ストークスシフトは６ｎｍであ
った。この発光素子の発光開始電圧は４Ｖで、最高輝度
は８０００カンデラ／平方メートルであった。発光ピー
ク波長４７５ｎｍと４９９ｎｍの色純度に優れた良好な
青色発光が得られた。

【００３９】実施例７ドーパント材料として１，３−ジフェニルイソベンゾフ
ランを用いた以外は実施例１と全く同様にして素子を作
製した。１，３−ジフェニルイソベンゾフランのエタノ
ール溶液中の励起ピーク波長は４４１ｎｍ、蛍光ピーク
波長は４６０ｎｍ、４８０ｎｍであり、ストークスシフ
トは１９ｎｍであった。この発光素子の発光開始電圧は
４Ｖで、最高輝度は１００００カンデラ／平方メートル
であった。発光ピーク波長４７８ｎｍと４９４ｎｍの色
純度に優れた良好な青色発光が得られた。

【００４０】実施例８正孔輸送材料として銅フタロシアニンを２０ｎｍ、３，
３’ビス（エチルカルバゾール）を１００ｎｍ用いた以
外は実施例７と全く同様にして作製した素子の発光開始
電圧は５Ｖで、最高輝度は１２０００カンデラ／平方メ
ートルであった。ドーパント材料からの色純度に優れた
良好な青色発光が得られた。

【００４１】実施例９実施例７で作製した素子を乾燥空気を通したセル内でま
ず１０ｍＡで２時間定電流直流駆動させることでエージ
ングさせ、５ｍＡ定電流直流駆動れ耐久性を測定したと
ころ、初期輝度は２１４カンデラ／平方メートルで、輝
度半減時間は４０時間であり、５００時間以上の連続発
光が観察できた。

【００４２】実施例１０ホスト材料に４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニ
ル）ビフェニルを用いた以外は実施例７と全く同様にし
て作製した素子を駆動させたところ、ドーパント材料か
らの色純度に優れた良好な青色発光が得られた。

【００４３】実施例１１ホスト材料にキノリノラートリチウムを用いた以外は実
施例７と全く同様にして作製した素子を駆動させたとこ
ろ、ドーパント材料からの色純度に優れた良好な青色発
光が得られた。

【００４４】

【発明の効果】本発明は、発光効率が高く、高輝度で色
純度に優れた、発光素子を提供できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】ストークスシフトの説明図（一例）

【図２】ストークスシフトの説明図（一例）

【図３】ドーパント材料を用いた場合のストークスシフ
トの説明図（一例）

【図４】ストークスシフトが小さいドーパント材料を用
いた場合のストークスシフトの説明図（一例）

【図５】ドーパント材料を用いた場合のストークスシフ
トの説明図（一例）

【符号の説明】

１、ストークスシフト２、励起スペクトルのピーク波長３、蛍光スペクトルのピーク波長４、スペクトルの重なり５、励起スペクトルのピーク波長（ホスト分子）６、蛍光スペクトルのピーク波長（ホスト分子）７、励起スペクトルのピーク波長（ドーパント分子）８、蛍光スペクトルのピーク波長（ドーパント分子）９、発光ピーク波長の移動

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＣ０９Ｋ 11/06 ６５５Ｃ０９Ｋ 11/06 ６５５６６０６６０

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】正極と負極の間に発光を司る物質が存在
し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素
子が、ストークスシフトが５０ｎｍ以下の蛍光体を含む
ことを特徴とする発光素子。
【請求項２】前記蛍光体が複素環を含む化合物であるこ
とを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項３】前記蛍光体がフラン環を含む化合物である
ことを特徴とする請求項２記載の発光素子。
【請求項４】前記蛍光体がイソベンゾフラン環を含む化
合物であることを特徴とする請求項３記載の発光素子。
【請求項５】発光色が青色であることを特徴とする請求
項１〜４いずれか記載の発光素子。
【請求項６】該発光素子がマトリクスおよび／またはセ
グメント方式によって表示するディスプレイを構成する
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか記載の発光素
子。
【請求項７】該発光素子がバックライトであることを特
徴とする請求項１〜５のいずれか記載の発光素子。