JPH11354068A - イオン注入装置、イオン注入方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
イオン注入装置、イオン注入方法および半導体装置の製造方法Info
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- JPH11354068A JPH11354068A JP10276221A JP27622198A JPH11354068A JP H11354068 A JPH11354068 A JP H11354068A JP 10276221 A JP10276221 A JP 10276221A JP 27622198 A JP27622198 A JP 27622198A JP H11354068 A JPH11354068 A JP H11354068A
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】イオン発生源からイオンを引き出す経路に汚れ
が付着するのを抑制することにより装置稼働率を向上さ
せたイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。 【解決手段】本発明に係るイオン注入装置は、基板１５
に不純物を導入するための装置である。このイオン注入
装置は、注入するイオンを発生させるアークチャンバー
５と、該アークチャンバー５に接続されたガス導入管４
と、該ガス導入管４にイオンソースガスを供給するイオ
ンソースガスボンベ１ａ〜１ｃと、該ガス導入管４に、
該イオンソースガスに対して２０Vo1％以下のアルゴン
ガスを供給するアルゴンガスボンベ２と、を具備するも
のである。これにより、イオン発生源からイオンを引き
出す経路に汚れが付着するのを抑制することができる。
が付着するのを抑制することにより装置稼働率を向上さ
せたイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。 【解決手段】本発明に係るイオン注入装置は、基板１５
に不純物を導入するための装置である。このイオン注入
装置は、注入するイオンを発生させるアークチャンバー
５と、該アークチャンバー５に接続されたガス導入管４
と、該ガス導入管４にイオンソースガスを供給するイオ
ンソースガスボンベ１ａ〜１ｃと、該ガス導入管４に、
該イオンソースガスに対して２０Vo1％以下のアルゴン
ガスを供給するアルゴンガスボンベ２と、を具備するも
のである。これにより、イオン発生源からイオンを引き
出す経路に汚れが付着するのを抑制することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入装置及
びイオン注入方法に関するものである。特には、イオン
発生源からイオンを引き出す経路に汚れが付着するのを
抑制することにより装置稼働率を向上させたイオン注入
装置及びイオン注入方法に関するものである。
びイオン注入方法に関するものである。特には、イオン
発生源からイオンを引き出す経路に汚れが付着するのを
抑制することにより装置稼働率を向上させたイオン注入
装置及びイオン注入方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来のイオン注入装置を示す模
式図である。このイオン注入装置は、イオン化が行われ
るイオンソース３１及びボンベボックス３５等から構成
されている。イオンソース３１の内側にはアークチャン
バー３２とベーパーライザー３３が設けられており、イ
オンソース３１外側のボンベボックス３５の内側にはＡ
ｒ等の不活性ガスボンベ８２及び原料ガスボンベ８１が
設置されている。
式図である。このイオン注入装置は、イオン化が行われ
るイオンソース３１及びボンベボックス３５等から構成
されている。イオンソース３１の内側にはアークチャン
バー３２とベーパーライザー３３が設けられており、イ
オンソース３１外側のボンベボックス３５の内側にはＡ
ｒ等の不活性ガスボンベ８２及び原料ガスボンベ８１が
設置されている。
【０００３】次に動作について説明する。
【０００４】アークチャンバー３２内へのガスの供給方
法としては、２つの方法が主に用いられている。１つ
は、イオンソース３１内に設置したベーパーライザー３
３の内部に充填した固体原料をヒーター（図示せず）に
よって気化させてアークチャンバー３２に供給する方法
である。他の１つは、外部のボンベボックス３５内に設
置した原料ガスボンベ８１をガス導入管３４に接続され
た電磁弁６３、６４、マスフローコントローラー（流量
調節器）７２を介してアークチャンバー３２内に供給す
る方法である。
法としては、２つの方法が主に用いられている。１つ
は、イオンソース３１内に設置したベーパーライザー３
３の内部に充填した固体原料をヒーター（図示せず）に
よって気化させてアークチャンバー３２に供給する方法
である。他の１つは、外部のボンベボックス３５内に設
置した原料ガスボンベ８１をガス導入管３４に接続され
た電磁弁６３、６４、マスフローコントローラー（流量
調節器）７２を介してアークチャンバー３２内に供給す
る方法である。
【０００５】このようにしてアークチャンバー３２内に
供給されたイオンソースガスは、アークチャンバー３２
内のフィラメント（図示せず）から発生した電子の衝突
によりイオン化される。このイオンは引き出し電極（図
示せず）により引出され、加速電極（図示せず）にてイ
オンが加速され、次いで質量分析器（図示せず）で所望
のイオンが選択され、そのイオンがウェーハに注入され
る。
供給されたイオンソースガスは、アークチャンバー３２
内のフィラメント（図示せず）から発生した電子の衝突
によりイオン化される。このイオンは引き出し電極（図
示せず）により引出され、加速電極（図示せず）にてイ
オンが加速され、次いで質量分析器（図示せず）で所望
のイオンが選択され、そのイオンがウェーハに注入され
る。
【０００６】ところで、上記イオン注入装置では、定期
的にアークチャンバー３２をはじめとしてイオン注入装
置内部のイオンビーム軌道の真空チャンバー内壁をクリ
ーニングして装置内部の導電性の固体（汚れ）を取り除
く必要がある。この具体的な方法としては、イオン注入
の生産作業を一旦中止し、専用に設けたアルゴンガス導
入系統（不活性ガスボンベ８２、電磁弁６１，６２、マ
スフローコントローラー７１）からイオン発生源にアル
ゴンガスを導入し、それをイオン化して付着物をスパッ
タリングにより除去する方法がある。また、別の方法に
は、イオン注入装置の真空を破り長時間かけて分解クリ
ーニングをして除去する方法がある。
的にアークチャンバー３２をはじめとしてイオン注入装
置内部のイオンビーム軌道の真空チャンバー内壁をクリ
ーニングして装置内部の導電性の固体（汚れ）を取り除
く必要がある。この具体的な方法としては、イオン注入
の生産作業を一旦中止し、専用に設けたアルゴンガス導
入系統（不活性ガスボンベ８２、電磁弁６１，６２、マ
スフローコントローラー７１）からイオン発生源にアル
ゴンガスを導入し、それをイオン化して付着物をスパッ
タリングにより除去する方法がある。また、別の方法に
は、イオン注入装置の真空を破り長時間かけて分解クリ
ーニングをして除去する方法がある。
【０００７】このようにクリーニングをしなければなら
ない理由は以下の通りである。
ない理由は以下の通りである。
【０００８】イオン注入装置における高電圧印加部位で
の放電を防ぎ、装置故障を事前に防ぐためである。ま
た、ベーパーライザー３３で固体原料を気化させて使用
する場合にアークチャンバー３２内にアークを発生し易
くするためである。また、アークチャンバー３２、アー
クチャンバー内のフィラメント、引き出し電極を中空に
浮かせるための絶縁碍子に導電性の被膜が付着してしま
う。すると、フィラメントが絶縁破壊を起し不安定にな
り更に異常放電に至り、希望するイオンの加速ができな
くなる。その結果、イオン注入が中断したり、適切なイ
オン注入が行われないことによって半導体装置の特性を
変化させることとなる。したがって、イオン注入装置内
部におけるイオンビーム軌道の真空チャンバー内壁を定
期的にクリーニングする必要がある。
の放電を防ぎ、装置故障を事前に防ぐためである。ま
た、ベーパーライザー３３で固体原料を気化させて使用
する場合にアークチャンバー３２内にアークを発生し易
くするためである。また、アークチャンバー３２、アー
クチャンバー内のフィラメント、引き出し電極を中空に
浮かせるための絶縁碍子に導電性の被膜が付着してしま
う。すると、フィラメントが絶縁破壊を起し不安定にな
り更に異常放電に至り、希望するイオンの加速ができな
くなる。その結果、イオン注入が中断したり、適切なイ
オン注入が行われないことによって半導体装置の特性を
変化させることとなる。したがって、イオン注入装置内
部におけるイオンビーム軌道の真空チャンバー内壁を定
期的にクリーニングする必要がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のイオン注入
装置では、上述したようにイオン注入の生産作業の合間
に一旦作業を中止し、メンテナンス作業として不活性ガ
スイオンによるクリーニングを行う必要がある。このた
め、クリーニング作業時間により装置稼働率が低下し、
生産効率が著しく低下するという問題がある。
装置では、上述したようにイオン注入の生産作業の合間
に一旦作業を中止し、メンテナンス作業として不活性ガ
スイオンによるクリーニングを行う必要がある。このた
め、クリーニング作業時間により装置稼働率が低下し、
生産効率が著しく低下するという問題がある。
【００１０】一方、特開平３−１６３７３５号公報のよ
うに、Ｏ，Ｃ，ＣＯのイオンソースガスによってイオン
導入経路の内壁が酸化されることや炭素で汚染されるこ
とを防止するため、このイオンソースガスに２０〜８０
vol％の不活性なアルゴンを混合することによりイオン
注入を行いながら装置内部をクリーニングする方法があ
る。しかし、上記従来のイオン注入方法には、この特開
平３−１６３７３５号公報に記載されているアルゴンを
混合する方法が以下の理由により適用できない。
うに、Ｏ，Ｃ，ＣＯのイオンソースガスによってイオン
導入経路の内壁が酸化されることや炭素で汚染されるこ
とを防止するため、このイオンソースガスに２０〜８０
vol％の不活性なアルゴンを混合することによりイオン
注入を行いながら装置内部をクリーニングする方法があ
る。しかし、上記従来のイオン注入方法には、この特開
平３−１６３７３５号公報に記載されているアルゴンを
混合する方法が以下の理由により適用できない。
【００１１】上記従来のイオン注入方法では、不純物の
イオンソースガスとして三弗化ホウ素ＢＦ3、ホスフィ
ンＰＨ3、アルシンＡｓＨ3などを水素などの活性なガス
で希釈したガスを使用している。このガスを用いるイオ
ン注入の場合に、該ガスに２０〜８０vol％のアルゴン
を混合するのは、アルゴンの混合割合が大きすぎる。こ
のため、三弗化ホウ素、ホスフィン、アルシンなどのイ
オン注入では、目的のイオンの集率が減少しイオン注入
の処理能力を著しく低下させてしまうからである。
イオンソースガスとして三弗化ホウ素ＢＦ3、ホスフィ
ンＰＨ3、アルシンＡｓＨ3などを水素などの活性なガス
で希釈したガスを使用している。このガスを用いるイオ
ン注入の場合に、該ガスに２０〜８０vol％のアルゴン
を混合するのは、アルゴンの混合割合が大きすぎる。こ
のため、三弗化ホウ素、ホスフィン、アルシンなどのイ
オン注入では、目的のイオンの集率が減少しイオン注入
の処理能力を著しく低下させてしまうからである。
【００１２】このような事情から、ホウ素、ホスフィ
ン、アルシンなどの所望する不純物のイオン注入を行う
と同時に、イオン注入経路の内壁に導電性被膜が付着す
るのを防止、除去することができ、更に目的のイオン電
流の集率を向上させることができるイオン注入方法が求
められている。また、高電圧印可部位での放電要因を減
少させることで半導体装置の特性を安定させること、イ
オン注入を停止させて行なう導電性の付着物除去作業の
頻度を減少させることにより、半導体装置の品質の安定
と生産性の向上を実現することが求められている。
ン、アルシンなどの所望する不純物のイオン注入を行う
と同時に、イオン注入経路の内壁に導電性被膜が付着す
るのを防止、除去することができ、更に目的のイオン電
流の集率を向上させることができるイオン注入方法が求
められている。また、高電圧印可部位での放電要因を減
少させることで半導体装置の特性を安定させること、イ
オン注入を停止させて行なう導電性の付着物除去作業の
頻度を減少させることにより、半導体装置の品質の安定
と生産性の向上を実現することが求められている。
【００１３】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、イオン発生源からイオン
を引き出す経路に汚れが付着するのを抑制することによ
り装置稼働率を向上させたイオン注入装置及びイオン注
入方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、イオン発生源からイオン
を引き出す経路に汚れが付着するのを抑制することによ
り装置稼働率を向上させたイオン注入装置及びイオン注
入方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るイオン注入方法は、半導体装置の基板
へ不純物導入を行うためのイオン注入工程において、イ
オン注入装置のイオン発生源に使用されるイオンソース
ガスにアルゴン等の不活性ガスをあらかじめ所定量混合
させることを特徴とする。
め、本発明に係るイオン注入方法は、半導体装置の基板
へ不純物導入を行うためのイオン注入工程において、イ
オン注入装置のイオン発生源に使用されるイオンソース
ガスにアルゴン等の不活性ガスをあらかじめ所定量混合
させることを特徴とする。
【００１５】また、本発明に係るイオン注入装置は、半
導体装置の基板へ不純物導入を行うためのイオン注入装
置において、イオン発生源に供給されるイオンソースガ
スにはアルゴン等の不活性ガスがあらかじめ所定量混合
されていることを特徴とする。
導体装置の基板へ不純物導入を行うためのイオン注入装
置において、イオン発生源に供給されるイオンソースガ
スにはアルゴン等の不活性ガスがあらかじめ所定量混合
されていることを特徴とする。
【００１６】また、本発明に係るイオン注入方法は、基
板にイオンを注入するイオン注入方法であって、注入す
るイオンを発生させるイオン発生源に、イオンソースガ
スに２０Vo1％以下のアルゴンガスを混合した混合ガス
を供給することを特徴とする。また、アルゴンガスの混
合割合は１０Vo1％以下がより好ましい。
板にイオンを注入するイオン注入方法であって、注入す
るイオンを発生させるイオン発生源に、イオンソースガ
スに２０Vo1％以下のアルゴンガスを混合した混合ガス
を供給することを特徴とする。また、アルゴンガスの混
合割合は１０Vo1％以下がより好ましい。
【００１７】上記イオン注入方法では、イオンソースガ
スに２０Vo1％以下のアルゴンガスを混合した混合ガス
を用いることにより、イオン発生源においてアルゴンも
熱電子の衝撃によりプラズマ状態となり、イオンソース
ガスと共にイオン化される。その結果、イオン発生源で
発生したイオンを基板に注入するためのイオンの経路に
付着した付着物（導電性の固体）を、アルゴンのスパッ
タリングによるクリーニング効果によって除去し、抑制
することができる。
スに２０Vo1％以下のアルゴンガスを混合した混合ガス
を用いることにより、イオン発生源においてアルゴンも
熱電子の衝撃によりプラズマ状態となり、イオンソース
ガスと共にイオン化される。その結果、イオン発生源で
発生したイオンを基板に注入するためのイオンの経路に
付着した付着物（導電性の固体）を、アルゴンのスパッ
タリングによるクリーニング効果によって除去し、抑制
することができる。
【００１８】また、本発明に係るイオン注入装置は、基
板に不純物を導入するためのイオン注入装置であって、
注入するイオンを発生させるイオン発生源と、該イオン
発生源に接続されたガス導入管と、該ガス導入管にイオ
ンソースガスを供給するイオンソースガス供給手段と、
該ガス導入管に、該イオンソースガスに対して２０Vo1
％以下のアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給手段
と、を具備することを特徴とする。
板に不純物を導入するためのイオン注入装置であって、
注入するイオンを発生させるイオン発生源と、該イオン
発生源に接続されたガス導入管と、該ガス導入管にイオ
ンソースガスを供給するイオンソースガス供給手段と、
該ガス導入管に、該イオンソースガスに対して２０Vo1
％以下のアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給手段
と、を具備することを特徴とする。
【００１９】上記イオン注入装置では、該装置を頻繁に
停止して個別に実施していたアルゴンガスによるクリー
ニングとイオン発生源および引き出し電極周辺の分解ク
リーニング頻度を軽減することができる。このため、半
導体装置の生産能力を容易に飛躍的に向上させることが
できる。
停止して個別に実施していたアルゴンガスによるクリー
ニングとイオン発生源および引き出し電極周辺の分解ク
リーニング頻度を軽減することができる。このため、半
導体装置の生産能力を容易に飛躍的に向上させることが
できる。
【００２０】また、イオンソースガスとアルゴンガスを
別系統から流入させてガス導入管で混合させることによ
り、イオンソースガス又はアルゴンガスを供給する量を
調整することにより混合濃度を２０Vo1％以下の範囲で
任意に変化させることが可能となる。
別系統から流入させてガス導入管で混合させることによ
り、イオンソースガス又はアルゴンガスを供給する量を
調整することにより混合濃度を２０Vo1％以下の範囲で
任意に変化させることが可能となる。
【００２１】また、本発明に係るイオン注入装置は、基
板に不純物を導入するためのイオン注入装置であって、
注入するイオンを発生させるイオン発生源と、該イオン
発生源に接続されたガス導入管と、該ガス導入管に接続
された、イオンソースガスに２０Vo1％以下のアルゴン
ガスを混合した混合ガスが入れられたガスボンベと、を
具備することを特徴とする。このようにあらかじめガス
ボンベの中でイオンソースガスとアルゴンガスとを混合
しておくことにより、イオン発生源にガスを導入するガ
ス導入経路を簡略化することができる。
板に不純物を導入するためのイオン注入装置であって、
注入するイオンを発生させるイオン発生源と、該イオン
発生源に接続されたガス導入管と、該ガス導入管に接続
された、イオンソースガスに２０Vo1％以下のアルゴン
ガスを混合した混合ガスが入れられたガスボンベと、を
具備することを特徴とする。このようにあらかじめガス
ボンベの中でイオンソースガスとアルゴンガスとを混合
しておくことにより、イオン発生源にガスを導入するガ
ス導入経路を簡略化することができる。
【００２２】また、上記イオンソースガスが、ＢＦ3、
ＰＨ3、ＡｓＨ3、ＧｅＦ4、及びＳｉＦ4のうちのいずれ
かを有するガスであることが好ましい。
ＰＨ3、ＡｓＨ3、ＧｅＦ4、及びＳｉＦ4のうちのいずれ
かを有するガスであることが好ましい。
【００２３】また、本発明に係るイオン注入方法は、ガ
スボンベからの原料ガスをアークチャンバー内に供給し
てイオン化し、電界で加速したのち所望するイオンを選
択して半導体基板に注入するイオン注入方法において、
所定の不活性ガスを所定量添加した原料ガスを供給して
イオン化することを特徴とする。
スボンベからの原料ガスをアークチャンバー内に供給し
てイオン化し、電界で加速したのち所望するイオンを選
択して半導体基板に注入するイオン注入方法において、
所定の不活性ガスを所定量添加した原料ガスを供給して
イオン化することを特徴とする。
【００２４】また、本発明に係るイオン注入方法は、ベ
ーパーライザーに充填した固体原料を気化させ、このガ
スをアークチャンバー内に供給してイオン化し、電界で
加速したのち所望するイオンを選択して半導体基板に注
入するイオン注入方法において、上記アークチャンバー
内に固体原料からのガスと同時に所定の不活性ガスを所
定量供給してイオン化することを特徴とする。
ーパーライザーに充填した固体原料を気化させ、このガ
スをアークチャンバー内に供給してイオン化し、電界で
加速したのち所望するイオンを選択して半導体基板に注
入するイオン注入方法において、上記アークチャンバー
内に固体原料からのガスと同時に所定の不活性ガスを所
定量供給してイオン化することを特徴とする。
【００２５】上記イオン注入方法では、クリーニング効
果をもつ不活性ガスを所定量添加した原料ガスボトルを
使用することにより、イオン注入の生産作業時にイオン
注入装置内部では所望のイオン注入作業と同時にＡｒ等
の不活性ガスイオンが発生し装置内部のクリーニングが
同時に行われる。このため、生産作業とは別にメンテナ
ンス作業時間を取る必要がなくなる。
果をもつ不活性ガスを所定量添加した原料ガスボトルを
使用することにより、イオン注入の生産作業時にイオン
注入装置内部では所望のイオン注入作業と同時にＡｒ等
の不活性ガスイオンが発生し装置内部のクリーニングが
同時に行われる。このため、生産作業とは別にメンテナ
ンス作業時間を取る必要がなくなる。
【００２６】また、固体原料を気化させて使用する場合
においても同様の効果を得るため、アークチャンバー内
に固体原料からの気化ガスとともに所定量の不活性ガス
を導入するようにしたものである。
においても同様の効果を得るため、アークチャンバー内
に固体原料からの気化ガスとともに所定量の不活性ガス
を導入するようにしたものである。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００２８】図１は、本発明の第１の実施の形態による
イオン注入装置を示す模式図である。
イオン注入装置を示す模式図である。
【００２９】図１に示すように、このイオン注入装置
は、アークチャンバー５内に電界及び磁界をかけ、フィ
ラメント７より発生する熱電子とガス導入管４より導入
するイオンソースガスにより、プラズマを生成してい
る。
は、アークチャンバー５内に電界及び磁界をかけ、フィ
ラメント７より発生する熱電子とガス導入管４より導入
するイオンソースガスにより、プラズマを生成してい
る。
【００３０】アルゴン等の不活性ガスボンベ２は電磁弁
１６、マスフローコントローラー３を介してガス導入管
４に接続されている。三弗化ホウ素（ＢＦ3）のイオン
ソースガスボンベ１ａは電磁弁１６、マスフローコント
ローラー３を介してガス導入管４に接続されている。水
素ベースのホスフィンのイオンソースガスボンベ（ＰＨ
3／Ｈ2）１ｂは電磁弁１６、マスフローコントローラー
３を介してガス導入管４に接続されている。このときの
イオンソースガスボンベ１ｂにおけるＰＨ3の混合比は
１５〜５０％である。アルシンのイオンソースガスボン
ベ（ＡｓＨ3／Ｈ2）１ｃは電磁弁１６、マスフローコン
トローラー３を介してガス導入管４に接続されている。
このときのイオンソースガスボンベ１ｃにおけるＡｓＨ
3の混合比は約１５％である。ガス導入管４はアークチ
ャンバー５に接続されている。つまり、三弗化ホウ素に
２０Vo1％以下のアルゴンを混合した混合ガス、ホスフ
ィンに２０Vo1％以下のアルゴンを混合した混合ガス、
又は、アルシンに２０Vo1％以下のアルゴンを混合した
混合ガスそれぞれが、ガス導入管４を通してアークチャ
ンバー５に導入される構成になっている。また、ガス導
入管４内において三弗化ホウ素、ホスフィン又はアルシ
ンにアルゴンを混合する際は、マスフローコントローラ
ー１６によりアルゴンの流量が２０Vo1％以下となるよ
うに調節される。
１６、マスフローコントローラー３を介してガス導入管
４に接続されている。三弗化ホウ素（ＢＦ3）のイオン
ソースガスボンベ１ａは電磁弁１６、マスフローコント
ローラー３を介してガス導入管４に接続されている。水
素ベースのホスフィンのイオンソースガスボンベ（ＰＨ
3／Ｈ2）１ｂは電磁弁１６、マスフローコントローラー
３を介してガス導入管４に接続されている。このときの
イオンソースガスボンベ１ｂにおけるＰＨ3の混合比は
１５〜５０％である。アルシンのイオンソースガスボン
ベ（ＡｓＨ3／Ｈ2）１ｃは電磁弁１６、マスフローコン
トローラー３を介してガス導入管４に接続されている。
このときのイオンソースガスボンベ１ｃにおけるＡｓＨ
3の混合比は約１５％である。ガス導入管４はアークチ
ャンバー５に接続されている。つまり、三弗化ホウ素に
２０Vo1％以下のアルゴンを混合した混合ガス、ホスフ
ィンに２０Vo1％以下のアルゴンを混合した混合ガス、
又は、アルシンに２０Vo1％以下のアルゴンを混合した
混合ガスそれぞれが、ガス導入管４を通してアークチャ
ンバー５に導入される構成になっている。また、ガス導
入管４内において三弗化ホウ素、ホスフィン又はアルシ
ンにアルゴンを混合する際は、マスフローコントローラ
ー１６によりアルゴンの流量が２０Vo1％以下となるよ
うに調節される。
【００３１】アークチャンバー５内にはフィラメント７
が配置されており、アークチャンバー５の外側には電磁
石６が配置されている。したがって、アークチャンバー
５内に導入されたイオンソースガスは、真空中で電流を
流したフィラメント７から発生する熱電子と、電磁石６
の磁場と、アークチャンバー５とフィラメント７にかけ
られた電界によりプラズマ状態８となりイオン化する。
が配置されており、アークチャンバー５の外側には電磁
石６が配置されている。したがって、アークチャンバー
５内に導入されたイオンソースガスは、真空中で電流を
流したフィラメント７から発生する熱電子と、電磁石６
の磁場と、アークチャンバー５とフィラメント７にかけ
られた電界によりプラズマ状態８となりイオン化する。
【００３２】アークチャンバー５から発生したイオンが
引き出されたイオン電流１０が通過する軌道に沿って順
に引き出し電極９、質量分析器１１、イオン加速器１
３、イオン走査部１４、半導体基板１５が配置されてい
る。
引き出されたイオン電流１０が通過する軌道に沿って順
に引き出し電極９、質量分析器１１、イオン加速器１
３、イオン走査部１４、半導体基板１５が配置されてい
る。
【００３３】すなわち、発生したイオンを引き出すため
の引き出し電極９はアークチャンバー５のスリットに対
向する位置に設置されている。この引き出し電極９に負
の電位を印加することにより該スリットを介して発生し
た全てのイオン電流１０が引き出される。
の引き出し電極９はアークチャンバー５のスリットに対
向する位置に設置されている。この引き出し電極９に負
の電位を印加することにより該スリットを介して発生し
た全てのイオン電流１０が引き出される。
【００３４】このように引き出されたイオン電流１０か
ら所定のイオンのみを抽出するための磁場による質量分
析器１１が引き出し電極９に対向する位置に設置されて
いる。この質量分析器１１の中をイオン電流１０が通過
することにより、所定のイオンのみが注出され、アルゴ
ンイオンを含む分離されたその他のイオン１２は質量分
析器１１内で消滅する。
ら所定のイオンのみを抽出するための磁場による質量分
析器１１が引き出し電極９に対向する位置に設置されて
いる。この質量分析器１１の中をイオン電流１０が通過
することにより、所定のイオンのみが注出され、アルゴ
ンイオンを含む分離されたその他のイオン１２は質量分
析器１１内で消滅する。
【００３５】質量分析器１１における抽出されたイオン
の出口に対向する位置にイオン加速部１３が配置されて
おり、その隣りにはイオン走査部１４が配置されてい
る。イオン走査部１４におけるイオンの出口に対向する
位置には半導体基板１５が載置されている。したがっ
て、質量分析器１１で抽出されたイオンは、イオン加速
部１３において所定の加速エネルギーを与えられ、イオ
ン走査部１４を経て半導体基板１５へ均一に注入され
る。
の出口に対向する位置にイオン加速部１３が配置されて
おり、その隣りにはイオン走査部１４が配置されてい
る。イオン走査部１４におけるイオンの出口に対向する
位置には半導体基板１５が載置されている。したがっ
て、質量分析器１１で抽出されたイオンは、イオン加速
部１３において所定の加速エネルギーを与えられ、イオ
ン走査部１４を経て半導体基板１５へ均一に注入され
る。
【００３６】上記第１の実施の形態によれば、三弗化ホ
ウ素、ホスフィン及びアルシンのうちのいずれかにアル
ゴンの体積比が２０Vo1％以下になるようにマスフロー
コントローラーを制御し、得られた混合ガスをアークチ
ャンバー５に導入してイオン注入を行う。このため、こ
のようにイオンソースガスに混合したアルゴンは、イオ
ン発生源で所定のイオンやその他のイオンと同時にイオ
ン化され、引き出し電極９によって引き出される。その
過程で、イオンソースガス又はそれがイオン化されたイ
オンが堆積することによってアークチャンバー５や引き
出し電極９周辺のスリット、絶縁物などに付着している
導電膜を、アルゴンでスパッタリングしながら他のイオ
ンの付着防止と除去を行なう。このようにイオン注入を
行うと同時に不活性ガスイオンによるクリーニングも行
うことができるため、従来のイオン注入装置のようにイ
オン注入作業を一旦停止してクリーニング作業を行わな
くても、イオンを引き出す引き出し電極９での異常放電
の発生がなくなり、安定した電圧でイオンを供給でき
る。更にイオンの加速エネルギーが安定するため、半導
体装置の特性も安定させることができる。その結果、半
導体装置の品質も向上させることができる。したがっ
て、クリーニング作業時間による装置稼働率の低下を防
止でき、従来のイオン注入装置に比べて生産効率を向上
させることができる。なお、アークチャンバー５で発生
したアルゴンイオンは、その後質量分析器１１内で分離
されるため、半導体基板１５に導入されるのは所定のイ
オンだけとなりアルゴンは半導体装置の基板には到達し
ない。従って、従来の半導体装置の特性が変化すること
なく、同じ特性を維持できる。
ウ素、ホスフィン及びアルシンのうちのいずれかにアル
ゴンの体積比が２０Vo1％以下になるようにマスフロー
コントローラーを制御し、得られた混合ガスをアークチ
ャンバー５に導入してイオン注入を行う。このため、こ
のようにイオンソースガスに混合したアルゴンは、イオ
ン発生源で所定のイオンやその他のイオンと同時にイオ
ン化され、引き出し電極９によって引き出される。その
過程で、イオンソースガス又はそれがイオン化されたイ
オンが堆積することによってアークチャンバー５や引き
出し電極９周辺のスリット、絶縁物などに付着している
導電膜を、アルゴンでスパッタリングしながら他のイオ
ンの付着防止と除去を行なう。このようにイオン注入を
行うと同時に不活性ガスイオンによるクリーニングも行
うことができるため、従来のイオン注入装置のようにイ
オン注入作業を一旦停止してクリーニング作業を行わな
くても、イオンを引き出す引き出し電極９での異常放電
の発生がなくなり、安定した電圧でイオンを供給でき
る。更にイオンの加速エネルギーが安定するため、半導
体装置の特性も安定させることができる。その結果、半
導体装置の品質も向上させることができる。したがっ
て、クリーニング作業時間による装置稼働率の低下を防
止でき、従来のイオン注入装置に比べて生産効率を向上
させることができる。なお、アークチャンバー５で発生
したアルゴンイオンは、その後質量分析器１１内で分離
されるため、半導体基板１５に導入されるのは所定のイ
オンだけとなりアルゴンは半導体装置の基板には到達し
ない。従って、従来の半導体装置の特性が変化すること
なく、同じ特性を維持できる。
【００３７】また、三弗化ホウ素等のイオンソースガス
に混合するアルゴンなどの不活性ガスの比率を２０Vo1
％以下としているのは、２０Vo1％以下で十分クリーニ
ング効果を有することを確認したからである。
に混合するアルゴンなどの不活性ガスの比率を２０Vo1
％以下としているのは、２０Vo1％以下で十分クリーニ
ング効果を有することを確認したからである。
【００３８】図２は、三弗化ホウ素ＢＦ3にアルゴンを
混合した混合ガスをイオンソースガスとして図１に示す
イオン注入装置に用いた場合、及び、ホスフィンにアル
ゴンを混合した混合ガスをイオンソースガスとして図１
に示すイオン注入装置に用いた場合それぞれにおけるア
ルゴン混合割合とイオン電流量との関係を示すグラフで
ある。この図において縦軸は、アルゴンを含まないイオ
ンソースガスにより得られるイオン電流量を１とした場
合、それと比較した混合ガスにより得られる電流量の割
合である。
混合した混合ガスをイオンソースガスとして図１に示す
イオン注入装置に用いた場合、及び、ホスフィンにアル
ゴンを混合した混合ガスをイオンソースガスとして図１
に示すイオン注入装置に用いた場合それぞれにおけるア
ルゴン混合割合とイオン電流量との関係を示すグラフで
ある。この図において縦軸は、アルゴンを含まないイオ
ンソースガスにより得られるイオン電流量を１とした場
合、それと比較した混合ガスにより得られる電流量の割
合である。
【００３９】図２に示す通り、アルゴン混合割合が２０
Vo1％を超える混合ガスでは、所定のイオンの集率が混
合しない場合（混合割合０Vo1％）と比較して約半分以
下となってしまう。このため、アルゴン混合割合が２０
Vo1％を超える混合ガスを用いると、アルゴンイオンに
よるクリーニングを行うことはできるが、イオン注入時
間が増大し逆に生産効率を低下させてしまうことにな
る。したがって、アルゴン混合割合が２０Vo1％以下で
あれば、十分に所定イオンの集率を確保しながらアルゴ
ンのクリーニング効果を発揮させることができる。ま
た、より好ましくは、アルゴンの混合割合が１０Vo1％
以下である。
Vo1％を超える混合ガスでは、所定のイオンの集率が混
合しない場合（混合割合０Vo1％）と比較して約半分以
下となってしまう。このため、アルゴン混合割合が２０
Vo1％を超える混合ガスを用いると、アルゴンイオンに
よるクリーニングを行うことはできるが、イオン注入時
間が増大し逆に生産効率を低下させてしまうことにな
る。したがって、アルゴン混合割合が２０Vo1％以下で
あれば、十分に所定イオンの集率を確保しながらアルゴ
ンのクリーニング効果を発揮させることができる。ま
た、より好ましくは、アルゴンの混合割合が１０Vo1％
以下である。
【００４０】尚、上記第1の実施の形態では、アルゴン
などの不活性ガスを用いているが、必ずしも不活性ガス
に限らず、スパッタリング効果が期待できる元素であれ
ば他の元素を用いることも可能である。
などの不活性ガスを用いているが、必ずしも不活性ガス
に限らず、スパッタリング効果が期待できる元素であれ
ば他の元素を用いることも可能である。
【００４１】また、イオンソースガスとしてＢＦ3、Ｐ
Ｈ3又はＡｓＨ3を用いているが、他のイオンソースガス
を用いることも可能であり、例えばＧｅＦ4又はＳｉＦ4
を用いることも可能である。
Ｈ3又はＡｓＨ3を用いているが、他のイオンソースガス
を用いることも可能であり、例えばＧｅＦ4又はＳｉＦ4
を用いることも可能である。
【００４２】また、本実施の形態では、イオン注入装置
においてアルゴン等の不活性ガスボンベ２及びイオンソ
ースガスボンベ１ａ〜１ｃを別々に準備し、不活性ガス
ボンベ２から単独のアルゴンガスをマスフローコントロ
ーラー３により流量を制御しながら引き出すと共に、イ
オンソースガスボンベから単独のイオンソースガスをマ
スフローコントローラー３により流量を制御しながら引
き出し、両者をアークチャンバー５直前のガス導入管４
内で混合させているが、これに限らず他の混合方法によ
って混合することも可能である。例えば、あらかじめア
ルゴンガスを２０Vo1％以下で混合させたイオンソース
ガスを入れたガスボンベを準備し、このガスボンベをイ
オン注入装置に配置することも可能である。この場合
は、本実施の形態のように単独での不活性ガスの導入系
統を必要とせずガス経路を簡略化できるため、容易に安
定した混合比のイオンソースガスを提供することができ
る。一方、本実施の形態のように別系統からアルゴンガ
スを混合する場合は２０Vo1％以下でアルゴン濃度を任
意に変更することが容易であるため、イオン電流の集率
とクリーニング効果を適宜制御でき、イオン注入条件や
装置の状況に対応した最適なアルゴン混合比を容易に選
択できる。
においてアルゴン等の不活性ガスボンベ２及びイオンソ
ースガスボンベ１ａ〜１ｃを別々に準備し、不活性ガス
ボンベ２から単独のアルゴンガスをマスフローコントロ
ーラー３により流量を制御しながら引き出すと共に、イ
オンソースガスボンベから単独のイオンソースガスをマ
スフローコントローラー３により流量を制御しながら引
き出し、両者をアークチャンバー５直前のガス導入管４
内で混合させているが、これに限らず他の混合方法によ
って混合することも可能である。例えば、あらかじめア
ルゴンガスを２０Vo1％以下で混合させたイオンソース
ガスを入れたガスボンベを準備し、このガスボンベをイ
オン注入装置に配置することも可能である。この場合
は、本実施の形態のように単独での不活性ガスの導入系
統を必要とせずガス経路を簡略化できるため、容易に安
定した混合比のイオンソースガスを提供することができ
る。一方、本実施の形態のように別系統からアルゴンガ
スを混合する場合は２０Vo1％以下でアルゴン濃度を任
意に変更することが容易であるため、イオン電流の集率
とクリーニング効果を適宜制御でき、イオン注入条件や
装置の状況に対応した最適なアルゴン混合比を容易に選
択できる。
【００４３】図３は、本発明の第２の実施の形態による
イオン注入装置を示す模式図であり、主にイオンソース
とボンベボックス内を示した構成図である。このイオン
注入装置は、ボンベボックス３５内には図５に示す原料
ガスボンベ８１に代り、クリーニング効果をもつ不活性
ガス（アルゴンガス）を所定量添加した原料ガスボンベ
８３を取り付けた構造になっている。
イオン注入装置を示す模式図であり、主にイオンソース
とボンベボックス内を示した構成図である。このイオン
注入装置は、ボンベボックス３５内には図５に示す原料
ガスボンベ８１に代り、クリーニング効果をもつ不活性
ガス（アルゴンガス）を所定量添加した原料ガスボンベ
８３を取り付けた構造になっている。
【００４４】このように構成されたイオン注入装置で
は、従来と同様にイオン注入作業が可能であり、不活性
ガス添加原料ガスボンベ８３からの所定量のガスは電磁
弁６３，６４、マスフローコントローラー７２を介しガ
ス導入管３４によりアークチャンバー３２内に供給され
る。このアークチャンバー３２内では、イオン注入を行
う所望の原料ガスと同時に、あらかじめ２０Vol％以下
に添加されたクリーニング用の不活性ガス（アルゴンガ
ス）の双方がフィラメント（図示せず）から発生した電
子との衝突によりイオン化される。
は、従来と同様にイオン注入作業が可能であり、不活性
ガス添加原料ガスボンベ８３からの所定量のガスは電磁
弁６３，６４、マスフローコントローラー７２を介しガ
ス導入管３４によりアークチャンバー３２内に供給され
る。このアークチャンバー３２内では、イオン注入を行
う所望の原料ガスと同時に、あらかじめ２０Vol％以下
に添加されたクリーニング用の不活性ガス（アルゴンガ
ス）の双方がフィラメント（図示せず）から発生した電
子との衝突によりイオン化される。
【００４５】これらのイオンは、引出し電極（図示せ
ず）で加速され、次いで、質量分析器（図示せず）によ
り所望のイオンのみに分離選択される。このため、クリ
ーニング用に添加してあったガスによるイオンはここで
分離除去され、ウェーハ（半導体基板）へは注入されな
い。したがって、アルゴンイオンは、アークチャンバー
３２から質量分析器までのイオンビーム軌道のクリーニ
ング効果のみを発揮する。そして、質量分析器で選択さ
れた所望のイオンはウェーハに注入される。
ず）で加速され、次いで、質量分析器（図示せず）によ
り所望のイオンのみに分離選択される。このため、クリ
ーニング用に添加してあったガスによるイオンはここで
分離除去され、ウェーハ（半導体基板）へは注入されな
い。したがって、アルゴンイオンは、アークチャンバー
３２から質量分析器までのイオンビーム軌道のクリーニ
ング効果のみを発揮する。そして、質量分析器で選択さ
れた所望のイオンはウェーハに注入される。
【００４６】図４は、質量分析器により分離された不活
性ガス添加原料ガスのイオンビームスペクトラムの一例
を示す図である。ここでは、原料ガスであるＰＨ3に所
定量の不活性ガスＡｒを添加した例を示しているが、こ
こでの所望イオン31Ｐ+とクリーニング用イオン40Ａｒ+
は磁界により分離されているためクリーニング用イオン
である40Ａｒ+がウェーハに注入されることは無い。
性ガス添加原料ガスのイオンビームスペクトラムの一例
を示す図である。ここでは、原料ガスであるＰＨ3に所
定量の不活性ガスＡｒを添加した例を示しているが、こ
こでの所望イオン31Ｐ+とクリーニング用イオン40Ａｒ+
は磁界により分離されているためクリーニング用イオン
である40Ａｒ+がウェーハに注入されることは無い。
【００４７】また、同様に固体原料からの気化ガスを使
用する場合においても、図３に示すアークチャンバー３
２内には、ベーパーライザー３３からの気化ガスととも
に所定量の不活性ガスを不活性ガスボンベ８２より電磁
弁６１、６２、およびマスフローコントローラー７１、
ガス導入管４を介して供給される。このため、この場合
にも同様の作用をする。
用する場合においても、図３に示すアークチャンバー３
２内には、ベーパーライザー３３からの気化ガスととも
に所定量の不活性ガスを不活性ガスボンベ８２より電磁
弁６１、６２、およびマスフローコントローラー７１、
ガス導入管４を介して供給される。このため、この場合
にも同様の作用をする。
【００４８】また、ガスボンベ、ベーパーライザーのい
ずれの使用においても不活性ガスＡｒを添加した例にお
いてはアークチャンバー３２内でのアーク発生を起こし
易くする効果がある。
ずれの使用においても不活性ガスＡｒを添加した例にお
いてはアークチャンバー３２内でのアーク発生を起こし
易くする効果がある。
【００４９】このように本実施の形態によれば不活性ガ
ス添加原料ガスボンベ８３を使用することにより、所望
のイオンでのイオン注入作業と同時に装置内部のクリー
ニングが行われ、これまで生産作業とは別に行っていた
不活性イオンによるクリーニング作業時間が不要となり
装置稼動率を向上させることができる。
ス添加原料ガスボンベ８３を使用することにより、所望
のイオンでのイオン注入作業と同時に装置内部のクリー
ニングが行われ、これまで生産作業とは別に行っていた
不活性イオンによるクリーニング作業時間が不要となり
装置稼動率を向上させることができる。
【００５０】また、ベーパーライザー３３等の固体原料
を使用の場合は、不活性ガスボンベ８２から所定量のア
ルゴンガスをアークチャンバー３２内に供給することに
より、同様の作用効果が得られる。また、ガスボンベ、
固体原料のいずれの使用においても不活性ガスにＡｒを
使用した場合は、アークチャンバー内でアークを起こし
易い効果もある。
を使用の場合は、不活性ガスボンベ８２から所定量のア
ルゴンガスをアークチャンバー３２内に供給することに
より、同様の作用効果が得られる。また、ガスボンベ、
固体原料のいずれの使用においても不活性ガスにＡｒを
使用した場合は、アークチャンバー内でアークを起こし
易い効果もある。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、イ
オンソースガスに２０Vo1％以下のアルゴンガスを混合
した混合ガスをイオン発生源に供給する。したがって、
イオン発生源からイオンを引き出す経路に汚れが付着す
るのを抑制することにより装置稼働率を向上させたイオ
ン注入装置及びイオン注入方法を提供することができ
る。
オンソースガスに２０Vo1％以下のアルゴンガスを混合
した混合ガスをイオン発生源に供給する。したがって、
イオン発生源からイオンを引き出す経路に汚れが付着す
るのを抑制することにより装置稼働率を向上させたイオ
ン注入装置及びイオン注入方法を提供することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態によるイオン注入装
置を示す模式図である。
置を示す模式図である。
【図２】図１に示すイオン注入装置に用いたイオンソー
スガスのアルゴン混合割合とイオン電流の集率を示すグ
ラフである。
スガスのアルゴン混合割合とイオン電流の集率を示すグ
ラフである。
【図３】本発明の第２の実施の形態によるイオン注入装
置を示す模式図である。
置を示す模式図である。
【図４】質量分析器により分離された不活性ガス添加原
料ガスのイオンビームスペクトラムの一例を示す図であ
る。
料ガスのイオンビームスペクトラムの一例を示す図であ
る。
【図５】従来のイオン注入装置を示す模式図である。
１ａ〜１ｃイオンソースガスボンベ ２ アルゴン等の
不活性ガスボンベ ３ マスフローコントローラー ４ ガス導入管 ５ アークチャンバー ６ 電磁石 ７ フィラメント ８ プラズマ領域 ９ 引き出し電極 １０ 引き出された
イオン電流 １１ 質量分析器 １２ アルゴンイオンを含む分離されたその他のイオン １３ イオン加速器 １４ イオン走査
部 １５ 半導体基板 １６ 電磁弁 ３１ イオンソース ３２ アークチャ
ンバー ３３ ベーパーライザー ３４ ガス導入管 ３５ ボンベボックス ６１〜６４ 電磁
弁 ７１，７２ マスフローコントローラー ８１ 原料ガスボンベ ８２ 不活性ガス
ボンベ ８３ 不活性ガス添加原料ガスボンベ
不活性ガスボンベ ３ マスフローコントローラー ４ ガス導入管 ５ アークチャンバー ６ 電磁石 ７ フィラメント ８ プラズマ領域 ９ 引き出し電極 １０ 引き出された
イオン電流 １１ 質量分析器 １２ アルゴンイオンを含む分離されたその他のイオン １３ イオン加速器 １４ イオン走査
部 １５ 半導体基板 １６ 電磁弁 ３１ イオンソース ３２ アークチャ
ンバー ３３ ベーパーライザー ３４ ガス導入管 ３５ ボンベボックス ６１〜６４ 電磁
弁 ７１，７２ マスフローコントローラー ８１ 原料ガスボンベ ８２ 不活性ガス
ボンベ ８３ 不活性ガス添加原料ガスボンベ
Claims (8)
- 【請求項１】半導体装置の基板へ不純物導入を行うため
のイオン注入工程において、イオン注入装置のイオン発
生源に使用されるイオンソースガスにアルゴン等の不活
性ガスをあらかじめ所定量を混合させることを特徴とす
るイオン注入方法。 - 【請求項２】半導体装置の基板へ不純物導入を行うため
のイオン注入装置において、イオン発生源に供給される
イオンソースガスにはアルゴン等の不活性ガスがあらか
じめ所定量混合されていることを特徴とするイオン注入
装置。 - 【請求項３】基板にイオンを注入するイオン注入方法で
あって、注入するイオンを発生させるイオン発生源に、
イオンソースガスに２０Vo1％以下のアルゴンガスを混
合した混合ガスを供給することを特徴とするイオン注入
方法。 - 【請求項４】基板に不純物を導入するためのイオン注入
装置であって、注入するイオンを発生させるイオン発生
源と、該イオン発生源に接続されたガス導入管と、該ガ
ス導入管にイオンソースガスを供給するイオンソースガ
ス供給手段と、該ガス導入管に、該イオンソースガスに
対して２０Vo1％以下のアルゴンガスを供給するアルゴ
ンガス供給手段と、を具備することを特徴とするイオン
注入装置。 - 【請求項５】基板に不純物を導入するためのイオン注入
装置であって、注入するイオンを発生させるイオン発生
源と、該イオン発生源に接続されたガス導入管と、該ガ
ス導入管に接続された、イオンソースガスに２０Vo1％
以下のアルゴンガスを混合した混合ガスが入れられたガ
スボンベと、を具備することを特徴とするイオン注入装
置。 - 【請求項６】上記イオンソースガスが、ＢＦ3、ＰＨ3、
ＡｓＨ3、ＧｅＦ4、及びＳｉＦ4のうちのいずれかを有
するガスであることを特徴とする請求項４又は５記載の
イオン注入装置。 - 【請求項７】ガスボンベからの原料ガスをアークチャン
バー内に供給してイオン化し、電界で加速したのち所望
するイオンを選択して半導体基板に注入するイオン注入
方法において、所定の不活性ガスを所定量添加した原料
ガスを供給してイオン化することを特徴とするイオン注
入方法。 - 【請求項８】ベーパーライザーに充填した固体原料を気
化させ、このガスをアークチャンバー内に供給してイオ
ン化し、電界で加速したのち所望するイオンを選択して
半導体基板に注入するイオン注入方法において、上記ア
ークチャンバー内に固体原料からのガスと同時に所定の
不活性ガスを所定量供給してイオン化することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276221A JP3099819B2 (ja) | 1997-11-28 | 1998-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32808197 | 1997-11-28 | ||
| JP10-93691 | 1998-04-06 | ||
| JP9369198 | 1998-04-06 | ||
| JP9-328081 | 1998-04-06 | ||
| JP10276221A JP3099819B2 (ja) | 1997-11-28 | 1998-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000078663A Division JP3769444B2 (ja) | 1997-11-28 | 2000-03-21 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354068A true JPH11354068A (ja) | 1999-12-24 |
| JP3099819B2 JP3099819B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=27307360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10276221A Expired - Fee Related JP3099819B2 (ja) | 1997-11-28 | 1998-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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