JPH11345790A - Adhesive tape for protecting surface of semiconductor wafer surface and its usage - Google Patents
Adhesive tape for protecting surface of semiconductor wafer surface and its usageInfo
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- JPH11345790A JPH11345790A JP15340598A JP15340598A JPH11345790A JP H11345790 A JPH11345790 A JP H11345790A JP 15340598 A JP15340598 A JP 15340598A JP 15340598 A JP15340598 A JP 15340598A JP H11345790 A JPH11345790 A JP H11345790A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ表面
保護用粘着テープ、及びその使用方法に関する。詳しく
は、熱収縮性を有する半導体ウエハ表面保護用粘着テー
プであって、シリコンウエハ等の半導体ウエハの集積回
路が組み込まれた側の面(以下、ウエハ表面という)に
貼着した後、半導体ウエハ裏面研削機へ供給して半導体
ウエハの集積回路の組み込まれていない側の面(以下、
ウエハ裏面という)を研削した後、加熱により剥離する
ことができる、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ、及
びその使用方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer and a method for using the same. More specifically, a heat-shrinkable adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer, which is attached to a surface of a semiconductor wafer such as a silicon wafer on which integrated circuits are incorporated (hereinafter referred to as a wafer surface), The surface of the semiconductor wafer on the side where the integrated circuit is not incorporated (hereinafter referred to as
The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the front surface of a semiconductor wafer, which can be peeled off by heating after grinding the back surface of the wafer) and a method of using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】通常、半導体集積回路(以下、ICとい
う)は、高純度シリコン単結晶等をスライスして半導体
ウエハとした後、その表面にエッチング加工等の手段に
より集積回路を組み込み、さらにウエハの裏面を研削し
た後、ダイシングしてチップ化する方法で製造されてい
る。2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor integrated circuit (hereinafter, referred to as an IC) is prepared by slicing a high-purity silicon single crystal or the like into a semiconductor wafer, and incorporating the integrated circuit into the surface by etching or the like. Is manufactured by grinding the back surface and dicing into chips.
【0003】近年、半導体チップの小型化が図られるに
つれて、ウエハを薄肉化する傾向が進み、従来、裏面研
削後のウエハの厚さが200〜400μm程度であった
が、チップの種類によっては、50〜150μm程度ま
で薄くなっている。また、半導体の製造方法が合理化さ
れるのに伴い、ウエハのサイズについても、従来、口径
が最大200mm程度であったものが、300mm、4
00mmへと大型化されることが予想される。In recent years, as the size of semiconductor chips has been reduced, the thickness of wafers has become thinner. Conventionally, the thickness of wafers after back grinding has been about 200 to 400 μm. The thickness is reduced to about 50 to 150 μm. Further, with the rationalization of the semiconductor manufacturing method, a wafer having a diameter of about 200 mm at the maximum has been increased to 300 mm,
It is expected that the size will be increased to 00 mm.
【0004】ウエハの薄肉化、大口径化は、単にウエハ
の強度の低下を招くだけでなく、裏面研削中にウエハの
破損が生じたり、裏面研削後のウエハの反りが大きくな
る問題も生じさせている。ウエハが破損した場合、単に
ウエハの歩留りが悪くなるだけでなく、ウエハの破片が
製造装置の中に入り込み、該装置のメンテナンスが必要
になるなど、大幅な生産性の低下につながることもあ
る。[0004] Thinning and increasing the diameter of the wafer not only cause a reduction in the strength of the wafer, but also cause problems such as breakage of the wafer during backside grinding and increased warpage of the wafer after backside grinding. ing. When the wafer is damaged, not only the yield of the wafer is simply deteriorated, but also pieces of the wafer enter into the manufacturing apparatus, and maintenance of the apparatus becomes necessary, which may lead to a significant decrease in productivity.
【0005】通常、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
を半導体ウエハの表面から剥離する場合は、剥離機と称
される装置内において、剥離テープと称する強粘着力の
粘着テープを半導体ウエハ表面保護用粘着テープに貼付
し、該剥離テープを介して剥離する方法が採用されてい
る。しかし、上記の如きウエハの反りが大きい場合に
は、剥離テープを半導体ウエハ表面保護用粘着テープに
貼付する際に、ウエハの破損が起こったり、剥離テープ
と表面保護用粘着テープの接着不良による剥がし不良等
が生じたりすることがあった。Usually, when the adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer is peeled off from the surface of the semiconductor wafer, a strong adhesive tape called a peeling tape is applied to the adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer in an apparatus called a peeling machine. A method of attaching to a tape and peeling off via the peeling tape is adopted. However, if the warpage of the wafer is large as described above, the wafer may be damaged or the peeling tape may be peeled off due to poor adhesion between the peeling tape and the surface protecting adhesive tape when the peeling tape is applied to the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape. In some cases, a defect or the like occurred.
【0006】上記の問題を解決する方法として、例え
ば、特開平8−222535号公報には、表面張力が3
5dyne/cm未満、ビカット軟化点が100℃以上
である剥離フィルムの片面に粘着剤を塗布、乾燥して粘
着剤層を設けた後、該粘着剤層の表面に、表面張力が3
5dyne/cm以上であり、25℃における収縮率が
5%未満であり、且つ50〜80℃の温水に浸漬した時
の収縮率が5〜50%であるエチレン−酢酸ビニル共重
合体延伸フィルムを押圧して、該粘着剤層を該エチレン
−酢酸ビニル共重合体延伸フィルムの片面に転着させて
得られた半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを、該粘
着剤層を介して半導体ウエハ表面に貼付して、該半導体
ウエハ裏面を研削した後、50〜80℃の温水に浸漬
し、該半導体ウエハ表面から該半導体ウエハ表面保護用
粘着フィルムを剥離することを特徴とする半導体ウエハ
表面保護用粘着フィルムの使用方法が開示されている。
当該発明によれば、裏面研削後の厚さが200μm以下
で、口径が8インチ程度の半導体ウエハから、半導体ウ
エハ表面保護用粘着フィルムを剥離する際に、ウエハを
破損することなく容易に剥離することができると記載さ
れている。As a method for solving the above problem, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-222535 discloses that
An adhesive is applied to one side of a release film having a viscosity of less than 5 dyne / cm and a Vicat softening point of 100 ° C. or higher, dried to form an adhesive layer, and the surface of the adhesive layer has a surface tension of 3
A stretched ethylene-vinyl acetate copolymer film having a shrinkage of 5 dyne / cm or more, a shrinkage at 25 ° C. of less than 5%, and a shrinkage of 5 to 50% when immersed in warm water of 50 to 80 ° C. The adhesive layer for semiconductor wafer surface protection obtained by pressing and transferring the adhesive layer to one side of the ethylene-vinyl acetate copolymer stretched film is adhered to the semiconductor wafer surface via the adhesive layer. Then, after grinding the back surface of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is immersed in hot water at 50 to 80 ° C., and the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface is peeled off from the semiconductor wafer surface. Are disclosed.
According to the present invention, when the adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer is peeled from a semiconductor wafer having a thickness of 200 μm or less and a diameter of about 8 inches after grinding the back surface, the wafer is easily peeled without being damaged. It is stated that it can be.
【0007】また、特開平7−201787号公報に
は、熱収縮性のプラスチックフィルムの一面上に、
(i)少なくともカルボキシル基の一部が部分中和され
たカルボキシル基含有親水性重合体の部分架橋物と、
(ii)アニオン性界面活性剤およびカチオン性界面活性
剤からなる群から選択される少なくとも1種の室温で液
状の界面活性剤とを含む粘着剤層が設けられてなるウエ
ハ表面保護シートが開示されている。しかし、上記発明
の場合でも、ウエハの口径、裏面研削後の厚み、表面形
状によっては粘着フィルムを剥離する際にウエハが破損
することがあった。Japanese Patent Laid-Open No. Hei 7-201787 discloses that a heat-shrinkable plastic film is
(I) a partially crosslinked product of a carboxyl group-containing hydrophilic polymer in which at least a part of the carboxyl group is partially neutralized,
(Ii) A wafer surface protection sheet provided with a pressure-sensitive adhesive layer containing at least one kind of a room temperature liquid surfactant selected from the group consisting of an anionic surfactant and a cationic surfactant is disclosed. ing. However, even in the case of the above invention, the wafer may be damaged when the adhesive film is peeled off depending on the diameter of the wafer, the thickness after grinding the back surface, and the surface shape.
【0008】粘着テープを剥離する際に半導体ウエハが
破損する問題は、半導体ウエハの口径が大きくなる程、
また、裏面研削後のウエハの厚みが薄くなる程、ウエハ
裏面の研削方法、研削後の歪みの有無、歪みの程度、等
に影響される。また、ウエハの口径が同じであり、且
つ、裏面研削後の厚みが同じであっても、スクライブラ
イン(ストリートともいう。ウエハ上のチップをダイシ
ングすることによって分割する際、回転丸刃が通る道)
の幅、深さ等、半導体ウエハの表面形状によって、破損
し易いウエハがある。スクライブラインの深さ等、ウエ
ハ表面の凹凸が大きい程、破損が生じ易くなる傾向にあ
る。また、上記発明の場合は、熱収縮性の基材を使用し
ていることから、経時による寸法変化が発生し、研削終
了後のウエハの反り変形が大きくなり、より破損が生じ
易い傾向にあった。The problem that the semiconductor wafer is damaged when the adhesive tape is peeled off is that as the diameter of the semiconductor wafer becomes larger,
Further, as the thickness of the wafer after the back surface grinding becomes thinner, it is influenced by the grinding method of the wafer back surface, presence / absence of distortion after grinding, degree of distortion, and the like. In addition, even if the wafer has the same diameter and the same thickness after grinding the back surface, a scribe line (also referred to as a street; a path through which a rotary round blade passes when dicing chips on the wafer by dicing). )
Some wafers are easily damaged depending on the surface shape of the semiconductor wafer, such as the width and depth of the semiconductor wafer. The greater the unevenness of the wafer surface, such as the depth of the scribe line, the more the damage tends to occur. Further, in the case of the above invention, since the heat-shrinkable base material is used, a dimensional change occurs with the lapse of time, and the warpage of the wafer after grinding is increased, which tends to cause more damage. Was.
【0009】近年、半導体ウエハの大口径化、薄肉化お
よびICの高性能化が進むのに伴い、ウエハ表面への汚
染が少なく、且つ、ウエハ裏面の研削時、粘着テープの
剥離時およびウエハの搬送時にウエハを破損せず、経時
による寸法変化が少なく、研削終了後のウエハの反り変
形が小さい、また、作業時間が短縮できる半導体ウエハ
表面保護粘着テープが望まれていた。In recent years, as semiconductor wafers have become larger in diameter and thinner and ICs have become more sophisticated, contamination on the wafer surface has been reduced, and at the time of grinding the back surface of the wafer, peeling off the adhesive tape, and removing the wafer. There has been a demand for a semiconductor wafer surface protection pressure-sensitive adhesive tape that does not damage the wafer during transfer, has little dimensional change over time, has a small warpage after grinding, and can shorten the working time.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点に鑑み、半導体ウエハの裏面研削時、ケミカルエ
ッチング時、半導体ウエハの搬送時、及び半導体ウエハ
表面保護用粘着テープの剥離時等におけるウエハの割れ
を防止し、且つ、研削終了後の反り変形が少ない半導体
ウエハ表面保護粘着テープ、及びその使用方法を提供す
ることにある。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, it is an object of the present invention to grind a back surface of a semiconductor wafer, perform chemical etching, transport a semiconductor wafer, and peel off an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer. It is an object of the present invention to provide a semiconductor wafer surface protection pressure-sensitive adhesive tape which prevents cracking of a wafer at the time of the above and has less warpage after grinding, and a method of using the same.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために、鋭意検討した結果、支持体を積層構
造にして、粘着剤層を形成しない側の層に熱収縮性を付
与した半導体ウエハ表面保護用粘着テープを採用し、そ
れをウエハ表面に貼着した後、半導体ウエハ裏面研削機
内で裏面研削を実施し、必要に応じてウエハ裏面を酸で
エッチング後、例えば、スピンナー装置を設置している
ようなバックグラインド装置、スピンエッチング装置、
ダイシング装置などで、ウエハ表面保護用粘着テープを
加熱して、収縮剥離することにより、半導体ウエハを破
損することなく該表面保護用粘着テープを容易に剥離す
ることができ、且つ、該表面保護用粘着テープの剥離工
程が省略できることを見出し、本発明を完成した。Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies in order to achieve the above-mentioned object. As a result, the support was made to have a laminated structure, and the layer on the side where the pressure-sensitive adhesive layer was not formed had heat shrinkage. Adopt the applied adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer, affix it to the surface of the wafer, grind the back surface in a semiconductor wafer back grinding machine, and if necessary, etch the back surface of the wafer with acid, for example, use a spinner. Back grinding equipment, spin etching equipment, etc.
By heating the pressure-sensitive adhesive tape for wafer protection with a dicing device or the like and shrinking and peeling, the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection can be easily peeled off without damaging the semiconductor wafer. The inventors have found that the step of peeling off the adhesive tape can be omitted, and have completed the present invention.
【0012】すなわち、本発明の第1発明は、基材フィ
ルム(A)の片表面に粘着剤層が設けられ、他の片表面
に補助フィルム(B)が積層された半導体ウエハ表面保
護用粘着テープであって、(A)のショアD硬度が40
以下、(B)のショアD硬度が40超、95℃において
60秒間加熱したときの(A)の熱収縮率が5%以下、
(B)の熱収縮率が少なくとも10%である半導体ウエ
ハ表面保護用粘着テープである。That is, the first invention of the present invention relates to an adhesive for protecting the surface of a semiconductor wafer in which an adhesive layer is provided on one surface of a base film (A) and an auxiliary film (B) is laminated on the other surface. A tape having a (A) Shore D hardness of 40
Hereinafter, the Shore D hardness of (B) is more than 40, and the heat shrinkage ratio of (A) when heated at 95 ° C. for 60 seconds is 5% or less,
(B) A semiconductor wafer surface protection adhesive tape having a heat shrinkage of at least 10%.
【0013】第1発明に係わる半導体ウエハ表面保護用
粘着テープの好ましい態様として、前記補助フィルム
(B)が少なくとも1方向に1.5〜8倍延伸された樹
脂フィルムである前記の半導体ウエハ表面保護用粘着テ
ープが挙げられる。また、前記基材フィルム(A)の厚
み(TA)が30〜300μm、補助フィルム(B)の
厚み(TB)が35〜350μmであり、且つ、両者が
〔TA<TB〕の関係にある前記半導体ウエハ表面保護用
粘着テープが挙げられる。そして、前記基材フィルム
(A)としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体及び低
密度ポリエチレンから選ばれた樹脂フィルムが挙げら
れ、前記補助フィルム(B)としては、プロピレン−エ
チレンランダム共重合体及びエチレン−酢酸ビニル共重
合体から選ばれた樹脂フィルムが挙げられる。In a preferred embodiment of the pressure-sensitive adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface according to the first invention, the auxiliary film (B) is a resin film stretched 1.5 to 8 times in at least one direction. Pressure-sensitive adhesive tape. The thickness of the base film (A) (T A) is 30 to 300 [mu] m, the thickness of the auxiliary film (B) (T B) is 35~350Myuemu, and, both of [T A <T B] The related semiconductor wafer surface protection adhesive tape is exemplified. The base film (A) includes a resin film selected from an ethylene-vinyl acetate copolymer and a low-density polyethylene, and the auxiliary film (B) includes a propylene-ethylene random copolymer and A resin film selected from an ethylene-vinyl acetate copolymer is exemplified.
【0014】これらの第1発明に係わる半導体ウエハ表
面保護用粘着テープは、半導体ウエハの裏面研削時、ま
たは、半導体ウエハの裏面研削時及びケミカルエッチン
グ時の表面保護用として好適に使用される。The pressure-sensitive adhesive tape for protecting the front surface of a semiconductor wafer according to the first invention is suitably used for grinding the back surface of a semiconductor wafer, or for protecting the back surface of a semiconductor wafer during grinding and chemical etching.
【0015】また、本発明の第2発明は、半導体ウエハ
表面保護用粘着テープをその粘着剤層を介して半導体ウ
エハの表面に貼着して、該半導体ウエハの裏面を研削
し、研削終了後に剥離する半導体ウエハ表面保護用粘着
テープの使用方法であって、該粘着テープが前記各態様
を含む半導体ウエハ表面保護用粘着テープであり、且
つ、半導体ウエハの表面と該粘着テープの粘着剤層との
界面に70〜95℃の温水を放射して剥離することを特
徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方法
である。According to a second aspect of the present invention, an adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer is attached to the surface of the semiconductor wafer via the adhesive layer, and the back surface of the semiconductor wafer is ground. A method for using a semiconductor wafer surface protection pressure-sensitive adhesive tape to be peeled, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is a semiconductor wafer surface protection pressure-sensitive adhesive tape including the above-described embodiments, and the surface of the semiconductor wafer and the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape. A method for using a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer, wherein hot water at 70 to 95 ° C. is radiated to an interface of the semiconductor wafer to peel it off.
【0016】第2発明に係わる、半導体ウエハ表面保護
用粘着テープの他の使用方法として、半導体ウエハの裏
面研削終了後、ケミカルエッチングを実施し、その後、
剥離する半導体ウエハ表面保護用粘着テープの前記使用
方法が挙げられる。また、半導体ウエハの裏面研削終了
後、ケミカルエッチングを実施し、次いで、半導体ウエ
ハの表面にダイシング用粘着テープを貼着し、その後剥
離する前記半導体ウエハ表面保護用粘着テープの前記使
用方法が挙げられる。As another method of using the pressure-sensitive adhesive tape for protecting the front surface of a semiconductor wafer according to the second invention, chemical etching is performed after the back surface of the semiconductor wafer is finished, and thereafter,
The method for using the pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer to be peeled off may be mentioned. Further, after the grinding of the back surface of the semiconductor wafer, a chemical etching is performed, then, an adhesive tape for dicing is attached to the surface of the semiconductor wafer, and then the method for using the adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface, which is peeled off, is included. .
【0017】本発明によれば、口径が100〜300m
mである半導体ウエハの裏面を厚み50〜200μm程
度まで薄く研削する場合であっても、基材フィルム
(A)が柔軟性を有するために、半導体ウエハが破損す
ることがない。According to the present invention, the diameter is 100 to 300 m.
Even when the back surface of the semiconductor wafer m is thinly ground to a thickness of about 50 to 200 μm, the semiconductor wafer is not damaged because the base film (A) has flexibility.
【0018】表面保護用粘着テープの支持体が、柔軟性
を有する基材フィルム(A)と熱収縮性を有する補助フ
ィルム(B)との2層構造となっているため、研削終了
後の半導体ウエハの反り変形が小さい。特に、半導体ウ
エハの裏面研削を終了した後、該ウエハの表面に表面保
護用粘着テープを貼着した状態で、ケミカルエッチング
を実施すると、半導体ウエハの反り変形が小さい。その
ため、研削終了後の半導体ウエハをキャリアケースに収
納する際、搬送する際、および表面保護用粘着テープを
剥離する際に、半導体ウエハが破損することがない。Since the support of the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection has a two-layer structure of a flexible base film (A) and a heat-shrinkable auxiliary film (B), the semiconductor after grinding is completed. The warpage of the wafer is small. In particular, when the chemical etching is performed in a state where the surface protection adhesive tape is adhered to the surface of the semiconductor wafer after the backside grinding of the semiconductor wafer is completed, the warpage of the semiconductor wafer is small. Therefore, the semiconductor wafer does not break when the ground semiconductor wafer is stored in the carrier case, transported, or peeled off the surface protection adhesive tape.
【0019】また、半導体ウエハの裏面研削、又は、裏
面研削及びケミカルエッチングを終了した後、該ウエハ
の表面に表面保護用粘着テープを貼着した状態で、ダイ
シング工程へ搬送し、該ウエハの裏面にダイシング用粘
着テープを貼着した後、表面保護用粘着テープを剥離す
る方法を採用することにより、バックグラインド工程か
らダイシング工程までの搬送中、カセットなどに接触す
ること等によってウエハが飛び散って割れることがな
い。さらに、ダイシング装置内で表面保護用粘着テープ
の加熱媒体として温水(純水)を用いて収縮剥離を実施
すれば、洗浄工程を省略することができる。よって、本
発明の好ましい態様を採用することにより、半導体ウエ
ハの裏面研削からウエハ表面の洗浄に至る一連の工程を
短時間で実施することができ、作業時間の短縮が可能で
ある。After the back surface grinding or the back surface grinding and the chemical etching of the semiconductor wafer are completed, the wafer is transferred to a dicing step with a surface protecting adhesive tape adhered to the surface of the wafer, and is returned to the dicing step. Adhesive tape for dicing is adhered to the surface, and the adhesive tape for surface protection is peeled off, so that the wafer is scattered and broken by contacting with a cassette etc. during the transportation from the back grinding process to the dicing process. Nothing. Further, if shrinking and peeling is performed in a dicing apparatus using hot water (pure water) as a heating medium for the surface protection adhesive tape, the washing step can be omitted. Therefore, by adopting the preferred embodiment of the present invention, a series of steps from grinding of the back surface of the semiconductor wafer to cleaning of the wafer surface can be performed in a short time, and the working time can be reduced.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、
柔軟性を有する基材フィルム(A)と、熱収縮性を有す
る補助フィルム(B)とを積層し、該積層体の基材フィ
ルム(A)側の表面に粘着剤層を形成することにより製
造される。基材フィルム(A)側の表面に粘着剤層を形
成する方法として、例えば、剥離フィルムの片表面に粘
着剤を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、得られた
粘着剤層を上記積層体の基材フィルム(A)側の表面に
転着する方法が挙げられる。半導体ウエハ表面保護用粘
着テープを保存、輸送等する間、粘着剤層を保護するた
め、該粘着剤層の表面に、通常、セパレーターと称する
剥離フィルムが貼着されているものが好ましい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. The adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface of the present invention,
Manufactured by laminating a flexible base film (A) and a heat-shrinkable auxiliary film (B) and forming an adhesive layer on the base film (A) side of the laminate. Is done. As a method for forming an adhesive layer on the surface of the base film (A), for example, an adhesive is applied to one surface of a release film and dried to form an adhesive layer. A method of transferring to the substrate film (A) side surface of the laminate is exemplified. In order to protect the pressure-sensitive adhesive layer while storing and transporting the pressure-sensitive adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface, it is preferable that a release film usually called a separator is attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer.
【0021】基材フィルム(A)、及び補助フィルム
(B)の材質としては、エチレン、プロピレン、1−ブ
テン、1−ペンテン等を主体とする重合体、又はそれら
の共重合体であるポリオレフィン樹脂フィルム、エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステルフィルムが挙げれる。これら
の内、低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、ポリ
プロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン
−酢酸ビニル共重合体の各フィルムが好ましい。基材フ
ィルム(A)としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体
及び低密度ポリエチレンの各フィルムがより好ましい。
また、補助フィルム(B)としては、剛性と耐衝撃性の
バランスに優れる、プロピレン−エチレンランダム共重
合体、及びエチレン−酢酸ビニル共重合体の各フィルム
がより好ましい。The material of the base film (A) and the auxiliary film (B) may be a polymer mainly composed of ethylene, propylene, 1-butene, 1-pentene, or a polyolefin resin which is a copolymer thereof. Examples include films, ethylene-vinyl acetate copolymer films, and polyester films such as polyethylene terephthalate. Of these, films of low-density polyethylene, medium-density polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, and ethylene-vinyl acetate copolymer are preferred. As the base film (A), films of ethylene-vinyl acetate copolymer and low density polyethylene are more preferable.
Further, as the auxiliary film (B), films of a propylene-ethylene random copolymer and an ethylene-vinyl acetate copolymer, which are excellent in balance between rigidity and impact resistance, are more preferable.
【0022】半導体ウエハの裏面を研削する際、ウエハ
の破損を防止することを考慮すると、基材フィルム
(A)は柔軟性を有することが好ましい。具体的には、
ショアD硬度が40以下であることが好ましい。熱収縮
性は小さい方がよい。具体的には、95℃において60
秒間加熱したときの熱収縮率が5%以下であることが好
ましい。熱収縮率が5%を超えると、半導体ウエハの裏
面を研削した後のウエハの厚み精度が低下したり、ウエ
ハの反りが大きくなる傾向にあるので好ましくない。When grinding the back surface of the semiconductor wafer, it is preferable that the base film (A) has flexibility in consideration of preventing breakage of the wafer. In particular,
The Shore D hardness is preferably 40 or less. The smaller the heat shrinkability, the better. Specifically, at 95 ° C., 60
It is preferable that the heat shrinkage when heated for 5 seconds is 5% or less. If the heat shrinkage exceeds 5%, the accuracy of the thickness of the wafer after grinding the back surface of the semiconductor wafer is reduced, and the warpage of the wafer tends to increase.
【0023】基材フィルム(A)の厚みは、保護する半
導体ウエハの形状、表面状態、研削の方法、研削条件、
又は、表面保護用粘着テープの切断、貼付等の作業性に
より適宜決められるが、通常、30〜300μmであ
る。好ましくは40〜200μmである。The thickness of the base film (A) depends on the shape, surface condition, grinding method, grinding conditions, and the like of the semiconductor wafer to be protected.
Alternatively, the thickness is appropriately determined depending on workability such as cutting and sticking of the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection, and is usually 30 to 300 μm. Preferably it is 40 to 200 μm.
【0024】補助フィルム(B)は、剛性と耐衝撃性の
バランスに優れるものが好ましい。かかる点を考慮する
と、補助フィルム(B)のショアD硬度が40を超える
ものが好ましい。ショアD硬度が40以下であると、半
導体ウエハ表面保護用粘着テープをウエハ表面に貼着す
る際、シワや気泡が発生しハンドリング性が低下する。The auxiliary film (B) preferably has an excellent balance between rigidity and impact resistance. Considering this point, the auxiliary film (B) preferably has a Shore D hardness of more than 40. When the Shore D hardness is 40 or less, wrinkles and bubbles are generated when the pressure-sensitive adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface is adhered to the wafer surface, and the handling property is reduced.
【0025】補助フィルム(B)としては、95℃にお
いて60秒間加熱したとき、少なくとも1方向の熱収縮
率が少なくとも10%であるものが用いられる。範囲と
しては10〜40%である。好ましくは15〜35%で
ある。上記条件の熱収縮率が10%未満である場合は、
半導体ウエハ表面から加熱による収縮剥離において、充
分な剥離がなされない場合にある。又、40%を超える
場合には、フィルムの経時変化が大きく、粘着テープと
して機能しない場合がある。As the auxiliary film (B), a film having a heat shrinkage in at least one direction of at least 10% when heated at 95 ° C. for 60 seconds is used. The range is 10 to 40%. Preferably it is 15 to 35%. When the heat shrinkage ratio under the above conditions is less than 10%,
There is a case where sufficient peeling is not performed in shrinking peeling by heating from the surface of the semiconductor wafer. On the other hand, when it exceeds 40%, the change with time of the film is so large that it may not function as an adhesive tape.
【0026】補助フィルム(B)の厚みは、基材フィル
ム(A)と同様、保護する半導体ウエハの形状、表面状
態、研削の方法、研削条件、又は表面保護用粘着テープ
の切断、貼付等の作業性により適宜決められる。通常、
35〜350μmである。好ましくは45〜250μm
である。The thickness of the auxiliary film (B) is the same as that of the base film (A), such as the shape and surface condition of the semiconductor wafer to be protected, the grinding method, the grinding conditions, or the cutting and sticking of the surface protection adhesive tape. It is appropriately determined according to workability. Normal,
It is 35 to 350 μm. Preferably 45 to 250 μm
It is.
【0027】本発明の表面保護用粘着テープは、基材フ
ィルム(A)と補助フィルム(B)を積層し、得られた
積層体の基材フィルム(A)側の表面に粘着剤層が形成
される。かかる構造を考慮したとき、基材フィルム
(A)の厚み(TA)と補助フィルム(B)の厚み
(TB)とは、〔TA<TB〕の関係にあるものが好まし
い。基材フィルム(A)及び補助フィルム(B)の厚み
が、それぞれ上記厚みであり、且つ、〔TA<TB〕の関
係にあると、半導体ウエハ表面から表面保護用粘着テー
プを熱剥離する際、補助フィルム(B)が収縮して、補
助フィルム(B)を内側にしてカール状を呈するので半
導体ウエハ表面から容易に剥離される。両者の関係が上
記と逆の関係にあると、半導体ウエハ表面から剥離し難
い傾向にあるので好ましくない。In the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection of the present invention, a base film (A) and an auxiliary film (B) are laminated, and an adhesive layer is formed on the surface of the obtained laminate on the side of the base film (A). Is done. When considering such a structure, the thicknesses of the base film (A) (T A) and the auxiliary film (B) (T B), preferred are those having a relationship of [T A <T B]. The thickness of the base film (A) and the auxiliary film (B) are each a thickness above and, when the relation of [T A <T B] is thermally peeled adhesive tape for surface protection of a semiconductor wafer surface At this time, the auxiliary film (B) shrinks and exhibits a curl shape with the auxiliary film (B) inside, so that the auxiliary film (B) is easily peeled off from the semiconductor wafer surface. If the relationship between the two is opposite to the above, it is not preferable because it tends to be difficult to peel off from the surface of the semiconductor wafer.
【0028】本発明で用いる上記(A)、及び(B)の
各フィルムには、必要に応じて他の樹脂、例えば、中密
度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、エチレン−ビニ
ルアルコール共重合体、ナイロン等を混合してもよい。
他の樹脂を混合する場合は、フィルムのブツ、フィッシ
ュアイ等の発生を考慮すると、上記樹脂100重量部に
対し、10重量部以下が好ましい。さらに、上記
(A)、及び(B)の各フィルムには、ブロッキング防
止剤、滑剤、結晶核剤、紫外線吸収剤、熱安定剤、耐候
安定剤、耐放射線剤、顔料、染料等の添加剤を添加して
もよい。Each of the films (A) and (B) used in the present invention may optionally contain other resins, for example, medium density polyethylene, high density polyethylene, ethylene-vinyl alcohol copolymer, nylon and the like. May be mixed.
When other resins are mixed, the amount is preferably 10 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the resin in consideration of occurrence of bumps, fish eyes and the like of the film. Furthermore, additives such as an antiblocking agent, a lubricant, a crystal nucleating agent, an ultraviolet absorber, a heat stabilizer, a weather resistance stabilizer, a radiation resistance agent, a pigment and a dye are added to the films (A) and (B). May be added.
【0029】上記基材フィルム(A)及び補助フィルム
(B)の製造方法には特に制限はなく、押出成形法、カ
レンダー成形法等、公知の方法で製造されたものでよ
い。成形温度は、原料樹脂(ペレット)のガラス転移
点、または軟化点以上、分解温度未満の温度で差し支え
ない。The method for producing the base film (A) and the auxiliary film (B) is not particularly limited, and may be those produced by a known method such as an extrusion molding method and a calendar molding method. The molding temperature may be a temperature equal to or higher than the glass transition point or softening point of the raw material resin (pellet) and lower than the decomposition temperature.
【0030】熱収縮性を付与するには、少なくとも1方
向に延伸することが好ましい。延伸倍率は、ウエハ裏面
研削後、表面保護用粘着テープをウエハ表面から剥離す
る際の剥離性、作業性等に影響を及ぼす。延伸倍率が低
いとウエハ表面から剥離する際に熱をかけた場合、表面
保護用粘着テープの熱収縮および/またはカールが充分
に起こらず、剥離性が低下する傾向にある。かかる点を
考慮すると、延伸倍率は、少なくとも1.5倍、好まし
くは2.0倍以上である。延伸方向は、1方向であって
も2方向であっても良い。好ましくはフィルムの縦方向
の1軸方向である。延伸倍率の上限は、延伸時の破れ等
を考慮すると8倍程度である。In order to impart heat shrinkability, it is preferable to stretch in at least one direction. The stretching ratio affects the releasability, workability, and the like when the surface protection adhesive tape is peeled off from the wafer surface after the wafer back surface grinding. When the stretching ratio is low, when heat is applied when peeling off from the wafer surface, the heat-shrinking and / or curling of the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection does not sufficiently occur, and the peelability tends to decrease. Considering this point, the stretching ratio is at least 1.5 times, preferably 2.0 times or more. The stretching direction may be one direction or two directions. Preferably, it is one axial direction of the longitudinal direction of the film. The upper limit of the stretching ratio is about 8 times in consideration of, for example, tear during stretching.
【0031】延伸方法にも特別な制限はなく、ロール圧
延法、ロール延伸法等による縦1方向延伸法、テンター
機を用いる縦横逐次2方向延伸法、テンター機を用いる
縦横同時延伸法等、公知の延伸方法でよい。延伸温度
は、40〜150℃、好ましくは70〜120℃であ
る。There are no particular restrictions on the stretching method, and there are known methods such as a roll rolling method, a one-way longitudinal stretching method using a roll stretching method, a two-way sequential stretching method using a tenter machine, and a simultaneous longitudinal and transverse stretching method using a tenter machine. Stretching method. The stretching temperature is 40 to 150 ° C, preferably 70 to 120 ° C.
【0032】基材フィルム(A)の少なくとも粘着剤を
形成しようとする面の表面張力は、剥離フィルムの粘着
剤層が形成される側の面の表面張力より高いことが重要
である。基材フィルム(A)は、通常、表面張力の絶対
値が如何なる値であっても剥離フィルムの表面張力より
も高い表面張力を有するフィルムであれば用いることが
できる。剥離フィルムから転着した後の基材フィルム
(A)への粘着剤層の密着性等を考慮すると、基材フィ
ルム(A)の表面張力は35dyne/cm以上の表面
張力を有するフィルムであることを基準として選定する
ことが好ましい。表面張力が低いと粘着剤層と基材フィ
ルム(A)との密着性が低下し、粘着剤層の剥離フィル
ムからの転着が良好に行えない。基材フィルム(A)の
表面張力を高くする方法としては、コロナ放電処理等が
挙げられる。It is important that the surface tension of at least the surface of the base film (A) on which the pressure-sensitive adhesive is to be formed is higher than the surface tension of the surface of the release film on the side where the pressure-sensitive adhesive layer is formed. As the base film (A), a film having a surface tension higher than the surface tension of the release film can be used regardless of the absolute value of the surface tension. In consideration of the adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer to the base film (A) after the transfer from the release film, the base film (A) must have a surface tension of 35 dyne / cm or more. Is preferably selected on the basis of. If the surface tension is low, the adhesion between the pressure-sensitive adhesive layer and the base film (A) is reduced, and transfer of the pressure-sensitive adhesive layer from the release film cannot be performed well. Examples of a method for increasing the surface tension of the base film (A) include a corona discharge treatment.
【0033】本発明に係わる基材フィルム(A)と補助
フィルム(B)の積層支持体は公知の方法より製造でき
る。例えば、予め製造された基材フィルム(A)と補助
フィルム(B)のいずれか片方に接着剤を塗布して重ね
て貼り合わせる方法、予め製造された一方のフィルムに
他方の樹脂をTダイ法もしくはカレンダー法により積層
する方法、予め製造された基材フィルム(A)の片側と
補助フィルム(B)の片側それぞれにコロナ放電処理を
施し、それぞれの表面張力を高くして、コロナ放電処理
面を重ねて貼り合わせる方法、等の方法が挙げられる。The laminated support of the base film (A) and the auxiliary film (B) according to the present invention can be produced by a known method. For example, a method in which an adhesive is applied to one of the pre-produced base film (A) and the auxiliary film (B), and the two films are laminated and bonded together, or one of the pre-produced films is coated with the other resin by the T-die method Alternatively, a method of laminating by a calendar method, a corona discharge treatment is performed on each of one side of the base film (A) manufactured in advance and one side of the auxiliary film (B) to increase the surface tension of each, and the corona discharge treated surface is And a method of laminating and bonding.
【0034】表面保護用粘着テープに用いる剥離フィル
ムは、本質的には、表面張力の絶対値が如何なる値であ
っても基材フィルム(A)のそれよりも低い表面張力を
有するフィルムであればよい。また、剥離フィルムの耐
熱性は、その表面に塗布された粘着剤の乾燥性に影響す
る。耐熱性が低いと粘着剤の乾燥温度を低温とする必要
があり、乾燥に長時問を要し短時間で効率よく乾燥する
ことができない。また、例えば、乾燥炉内で剥離フィル
ムが熱収縮を起こすことがあり、剥離フィルムに皺が発
生する等の不具合が生じ、均一な厚みを有する粘着剤層
が形成されないことがある。かかる観点から、剥離フィ
ルムは、所定の耐熱性を有することが好ましい。耐熱性
の判断基準として、100℃以上のビカット軟化点を有
することが好ましい。上記条件を満たす限り、剥離フィ
ルムの種類には特に制限はない。単層フィルムであって
も、また、積層フィルムであってもよく、市販品の中か
ら適宜選択できる。The release film used for the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection is essentially a film having a lower surface tension than that of the base film (A) regardless of the absolute value of the surface tension. Good. In addition, the heat resistance of the release film affects the drying property of the adhesive applied to the surface. If the heat resistance is low, the drying temperature of the pressure-sensitive adhesive must be low, and it takes a long time to dry, and it is not possible to dry efficiently in a short time. Further, for example, the release film may undergo heat shrinkage in a drying oven, causing a problem such as wrinkling of the release film, and the pressure-sensitive adhesive layer having a uniform thickness may not be formed. From such a viewpoint, the release film preferably has a predetermined heat resistance. As a criterion for determining heat resistance, it is preferable to have a Vicat softening point of 100 ° C. or higher. The type of the release film is not particularly limited as long as the above conditions are satisfied. It may be a single-layer film or a laminated film, and can be appropriately selected from commercially available products.
【0035】具体的な剥離フィルムの例としては、高密
度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリアミド系樹脂等、またはそれらの混合物
から製造されたフィルムが挙げられる。好ましくは、高
密度ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムお
よぴポリエチレンテレフタレートフィルム等が挙げられ
る。これらのフィルムの製造方法には特に制限はなく、
押出成形法、カレンダー成形法等公知の方法で製造され
たもので差支えなく、また、成形温度は、原料樹脂のガ
ラス転移点または軟化点以上、分解温度未満の温度であ
れば差支えない。As a specific example of the release film, a film produced from high-density polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyamide resin or the like, or a mixture thereof can be mentioned. Preferably, a high-density polyethylene film, a polypropylene film, a polyethylene terephthalate film, or the like is used. There is no particular limitation on the production method of these films,
It may be manufactured by a known method such as an extrusion molding method or a calendar molding method, and the molding temperature may be any temperature as long as it is higher than the glass transition point or softening point of the raw material resin and lower than the decomposition temperature.
【0036】また、粘着剤層の剥離フィルムからの剥離
応力を小さくする目的で、剥離フィルムの粘着剤を塗布
する表面に粘着剤層を汚染しない範囲において、シリコ
ン系等の剥離剤を塗布しても差し支えない。剥離フィル
ムの厚さは、乾燥条件、粘着剤層の種類および厚さ、ま
たは半導体ウエハ表面保護粘着テープの加工条件、加工
方法等により異なるが、通常、10〜1000μmであ
る。好ましくは20〜100μmである。粘着剤層の表
面から剥離フィルムを剥離するのは、表面保護用粘着テ
ープとして使用する直前が好ましい。For the purpose of reducing the peeling stress of the pressure-sensitive adhesive layer from the release film, a silicone-based release agent is applied to the surface of the release film to which the pressure-sensitive adhesive is applied so long as the pressure-sensitive adhesive layer is not contaminated. No problem. The thickness of the release film varies depending on the drying conditions, the type and thickness of the pressure-sensitive adhesive layer, the processing conditions of the pressure-sensitive adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface, the processing method, and the like, but is usually 10 to 1000 μm. Preferably it is 20 to 100 μm. The peeling of the release film from the surface of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably performed immediately before use as a pressure-sensitive adhesive tape for surface protection.
【0037】表面保護用粘着テープに用いられる粘着剤
層としては、研削するウエハ表面形状、口径、表面保護
膜の種類、裏面研削量等の条件に合わせて設計されたも
のであれば、いずれでも用いることができ、粘着ポリマ
ー、架橋剤、添加剤等を含有する塗工液(溶液または、
エマルジョン液)を基材フィルム(A)または剥離フィ
ルムに塗工することにより形成される。The pressure-sensitive adhesive layer used for the surface protection pressure-sensitive adhesive tape may be any pressure-sensitive adhesive layer designed in accordance with the conditions such as the surface shape of the wafer to be ground, the diameter of the wafer, the type of the surface protection film, and the back surface grinding amount. It can be used, a coating solution containing an adhesive polymer, a crosslinking agent, additives, etc. (solution or
(Emulsion liquid) to the base film (A) or the release film.
【0038】粘着剤ポリマーとしては、特に制限はな
く、市販品等の中から適宜選択できるが、粘着性、塗布
性、ウエハ表面の非汚染性等の点からアクリル系粘着剤
が好ましい。このようなアクリル系粘着剤は、アクリル
酸アルキルエステルモノマー、およびカルボキシル基、
水酸基等の官能基を有するモノマーを含むモノマー混合
物を共重合して得られる。更に、必要に応じてそれらと
共重合可能なビニルモノマー、多官能性モノマー、内部
架橋性モノマー等を共重合することができる。また、粘
着剤ポリマーとしてエマルジョン系のものを用いれば、
後述する温水による加熱剥離工程において、ウエハ表面
が洗浄される効果がある。The pressure-sensitive adhesive polymer is not particularly limited and can be appropriately selected from commercially available products and the like. However, an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferred from the viewpoints of tackiness, applicability, and non-staining properties of the wafer surface. Such an acrylic pressure-sensitive adhesive is an acrylic acid alkyl ester monomer, and a carboxyl group,
It is obtained by copolymerizing a monomer mixture containing a monomer having a functional group such as a hydroxyl group. Further, a vinyl monomer, a polyfunctional monomer, an internal crosslinkable monomer, and the like copolymerizable therewith can be copolymerized as necessary. Also, if an emulsion-based adhesive polymer is used,
There is an effect that the wafer surface is cleaned in a heating peeling step using warm water, which will be described later.
【0039】アクリル酸アルキルエステルモノマーとし
て、例えば、メチルアクリレート、メチルメタクリレー
ト、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、プロ
ピルアクリレート、プロピルメタクリレート、ブチルア
クリレート、ブチルメタクリレート、ヘキシルアクリレ
ート、へキシルメタクリレート、オクチルアクリレー
ト、オクチルメタクリレート、ノニルアクリレート、ノ
ニルメタクリレート、ドデシルアクリレート、ドデシル
メタクリレート等が挙げられる。これらのモノマーの側
鎖アルキル基は直鎖状でも分岐状でも良い。また、上記
のアクリル酸アルキルエステルモノマーは目的に応じて
2種以上併用しても良い。Examples of the alkyl acrylate monomer include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, propyl acrylate, propyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, hexyl acrylate, hexyl methacrylate, octyl acrylate, octyl methacrylate, and nonyl. Acrylate, nonyl methacrylate, dodecyl acrylate, dodecyl methacrylate and the like can be mentioned. The side chain alkyl group of these monomers may be linear or branched. Further, two or more of the above-mentioned alkyl acrylate monomers may be used in combination depending on the purpose.
【0040】官能基を有するモノマーとしては、例え
ば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン
酸、マレイン酸、フマル酸等のカルボキシル基を有する
モノマー、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシ
エチルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレー
ト、ヒドロキシプロピルメタクリレート等の水酸基を有
するモノマー、アクリルアミド、メタクリルアミド、ジ
メチルアミノアクリレート、ジメチルアミノメタクリレ
ート等が挙げられ、その他共重合可能なモノマーとして
酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等が挙げられ
る。Examples of the monomer having a functional group include monomers having a carboxyl group such as acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, hydroxyethyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl acrylate, and the like. Examples thereof include monomers having a hydroxyl group such as hydroxypropyl methacrylate, acrylamide, methacrylamide, dimethylaminoacrylate, dimethylaminomethacrylate, and the like, and other copolymerizable monomers such as vinyl acetate, styrene, and acrylonitrile.
【0041】粘着剤ポリマーの重合反応機構としては、
ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げら
れるが、粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響
および半導体ウエハ表面へのイオンの影響、等を考慮す
ればラジカル重合によって重合することが好ましい。ラ
ジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始
剤としては、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパー
オキサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイ
ルパーオキサイド、ジターシャルブチルパーオキサイ
ド、ジターシャルアミルパーオキサイド等の有機過酸化
物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナト
リウム等の無機過酸化物、2,2’−アゾビスイソブチ
ロニトリル、2,2’−アゾビス−2−メチルブチロニ
トリル、4,4’−アゾビス−4−シアノバレリックア
シッド等のアゾ化合物等が挙げられる。The polymerization reaction mechanism of the pressure-sensitive adhesive polymer includes:
Radical polymerization, anionic polymerization, cationic polymerization and the like can be mentioned, but polymerization is preferably performed by radical polymerization in consideration of the production cost of the pressure-sensitive adhesive, the influence of the functional group of the monomer, the influence of ions on the surface of the semiconductor wafer, and the like. When polymerizing by a radical polymerization reaction, examples of a radical polymerization initiator include organic peroxides such as benzoyl peroxide, acetyl peroxide, isobutyryl peroxide, octanoyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, and di-tert-amyl peroxide. Inorganic peroxides such as ammonium persulfate, potassium persulfate and sodium persulfate, 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis-2-methylbutyronitrile, 4,4'-azobis And azo compounds such as -4-cyanovaleric acid.
【0042】乳化重合法により重合する場合には、これ
らのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモ
ニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過
酸化物、同じく水溶性の4,4’−アゾビス−4−シア
ノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持
ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウエハ表面へのイオ
ンの影響を考慮すれば、4,4’−アゾビス−4−シア
ノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持
ったアゾ化合物がさらに好ましい。When the polymerization is carried out by the emulsion polymerization method, among these radical polymerization initiators, water-soluble inorganic peroxides such as ammonium persulfate, potassium persulfate and sodium persulfate; An azo compound having a carboxyl group in the molecule, such as' -azobis-4-cyanovaleric acid, is preferred. In consideration of the influence of ions on the surface of the semiconductor wafer, an azo compound having a carboxyl group in the molecule, such as 4,4′-azobis-4-cyanovaleric acid, is more preferable.
【0043】上記のようにして得られた粘着剤ポリマー
は、官能基を1分子中に2個以上有する架橋剤によって
架橋されることが好ましい。この架橋剤は、粘着剤ポリ
マーが有する官能基と反応させ、粘着力および凝集力を
調整するために用いる。架橋剤としては、ソルビトール
ポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシ
ジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエ
ーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリ
セロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコ
ールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリシジルエ
ーテル等のエポキシ系化合物、テトラメチレンジイソシ
アネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチ
ロールプロパンのトルエンジイソシアネート3付加物、
ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物、トリ
メチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオ
ネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジ
ニルプロピオネート、N,N’−ジフェニルメタン−
4,4’−ビス(1−アジリジンカルボキシアミド)、
N,N’−ヘキサメチレン−1,6−ビス(1−アジリ
ジンカルボキシアミド)、N,N’−トルエン−2,4
−ビス−アジリジンカルボキシアミド、トリメチロール
プロパン−トリ−β−(2−メチルアジリジン)プロピ
オネート等のアジリジン系化合物、及びヘキサメトキシ
メチロールメラミン等のメラミン系化合物等が挙げられ
る。The pressure-sensitive adhesive polymer obtained as described above is preferably crosslinked with a crosslinking agent having two or more functional groups in one molecule. This cross-linking agent is used to react with the functional group of the pressure-sensitive adhesive polymer to adjust the adhesion and cohesion. Examples of the crosslinking agent include epoxy compounds such as sorbitol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, diglycerol polyglycidyl ether, glycerol polyglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, and resorcin diglycidyl ether. , Tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, trimethylolpropane toluene diisocyanate 3 adduct,
Isocyanate compounds such as polyisocyanate, trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, tetramethylolmethane-tri-β-aziridinylpropionate, N, N′-diphenylmethane-
4,4′-bis (1-aziridinecarboxamide),
N, N'-hexamethylene-1,6-bis (1-aziridinecarboxamide), N, N'-toluene-2,4
Aziridine compounds such as -bis-aziridinecarboxamide and trimethylolpropane-tri-β- (2-methylaziridine) propionate; and melamine compounds such as hexamethoxymethylolmelamine.
【0044】これらは単独で使用してもよいし、2種以
上を併用してもよい。上記架橋剤の中で、エポキシ系架
橋剤は架橋反応の速度が遅く、反応が十分に進行しない
場合には粘着剤層の凝集力が低くなり、半導体ウエハ表
面の凹凸によっては粘着剤層に起因する汚染が生じるこ
とがある。したがって、適宜、アミン等の触媒を添加す
るか、もしくは触媒作用のあるアミン系官能基をもつモ
ノマーを粘着剤ポリマ一に共重合するか、架橋剤を使用
する際にアミンとしての性質を有するアジリジン系架橋
剤を併用することが好ましい。These may be used alone or in combination of two or more. Among the above cross-linking agents, the epoxy-based cross-linking agent has a low speed of the cross-linking reaction, and when the reaction does not proceed sufficiently, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer is reduced, and the unevenness of the semiconductor wafer surface is caused by the pressure-sensitive adhesive layer. Contamination may occur. Therefore, as appropriate, a catalyst such as an amine is added, a monomer having an amine functional group having a catalytic action is copolymerized with the pressure-sensitive adhesive polymer, or an aziridine having an amine property when a crosslinking agent is used. It is preferable to use a system crosslinking agent in combination.
【0045】架橋剤の添加量は、通常、架橋剤中の官能
基数が粘着剤ポリマー中の官能基数よりも多くならない
程度の範囲で添加するのが好ましい。しかし、架橋反応
で新たに官能基が生じる場合、架橋反応が遅い場合、等
には必要に応じて過剰に添加してもよい。通常、ウエハ
裏面研削時にウエハ表面に貼着する表面保護用粘着テー
プの粘着力は、ウエハ裏面の研削条件、ウエハの口径、
研削後のウエハの厚み等を勘案して適宜設定されるが、
通常、JIS−Z0237に規定される方法に準拠し
て、被着体としてSUS−BA板を用い、剥離速度30
0mm/min、剥離角度180度の条件下で測定した
粘着力が10〜1000g/25mm、好ましくは30
〜600g/25mm程度である。目安としては、粘看
剤ポリマー100重量部に対し、架橋剤0.1〜30重
量部を添加して調整する。好ましくは0.3〜15重量
部である。The amount of the cross-linking agent to be added is preferably within a range where the number of functional groups in the cross-linking agent does not become larger than the number of functional groups in the pressure-sensitive adhesive polymer. However, when a new functional group is generated by the crosslinking reaction, when the crosslinking reaction is slow, or the like, an excessive amount may be added as necessary. Normally, the adhesive strength of the surface protection adhesive tape to be attached to the wafer surface when grinding the wafer back surface is determined by the grinding conditions of the wafer back surface, the diameter of the wafer,
It is set appropriately considering the thickness of the wafer after grinding, etc.
Normally, a SUS-BA plate is used as an adherend in accordance with the method specified in JIS-Z0237,
The adhesive force measured under the conditions of 0 mm / min and a peel angle of 180 degrees is 10 to 1000 g / 25 mm, preferably 30
It is about 600 g / 25 mm. As a guide, it is adjusted by adding 0.1 to 30 parts by weight of a crosslinking agent to 100 parts by weight of the tackifier polymer. Preferably it is 0.3 to 15 parts by weight.
【0046】また、粘着剤には必要に応じて、ウエハ表
面を汚染しない程度に、界面活性剤等の添加剤を含有さ
せてもよい。特に界面活性剤を含有することにより、後
述する温水による加熱剥離工程において、ウエハ表面が
洗浄される効果がある。界面活性剤は、ウエハ表面を汚
染しないものであれば、ノニオン性でもアニオン性でも
使用することができる。ノニオン性界面活性剤として、
ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオ
キシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチ
レンラウリルエーテル等が挙げられる。アニオン性界面
活性剤として、アルキルジフェニールエーテルジスルフ
ォネートおよびその塩、ビスナフタレンスルフォネート
およびその塩、ポリオキシエチレンアルキルスルホコハ
ク酸エステルおよびその塩、ポリオキシエチレンアルキ
ルフェニルエーテルの硫酸エステルおよびその塩等が挙
げられる。If necessary, the pressure-sensitive adhesive may contain an additive such as a surfactant so as not to contaminate the wafer surface. In particular, by containing a surfactant, there is an effect that the wafer surface is cleaned in a heat-peeling step using warm water described later. The surfactant may be nonionic or anionic as long as it does not contaminate the wafer surface. As a nonionic surfactant,
Examples thereof include polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, and polyoxyethylene lauryl ether. As anionic surfactants, alkyl diphenyl ether disulfonates and salts thereof, bisnaphthalene sulfonates and salts thereof, polyoxyethylene alkyl sulfosuccinates and salts thereof, polyoxyethylene alkyl phenyl ether sulfates and salts thereof And the like.
【0047】上記例示した界面活性剤は、単独で使用し
てもよいし、2種以上を併用してもよい。界面活性剤の
添加量は、粘着剤ポリマーと架橋剤の合計重量、すなわ
ち、架橋した粘着剤ポリマー100重量部に対して0.
05〜5重量部が好ましい。より好ましくは0.05〜
3重量部である。The surfactants exemplified above may be used alone or in combination of two or more. The amount of the surfactant added is 0.1% based on the total weight of the pressure-sensitive adhesive polymer and the crosslinking agent, that is, 100 parts by weight of the crosslinked pressure-sensitive adhesive polymer.
It is preferably from 0.5 to 5 parts by weight. More preferably 0.05 to
3 parts by weight.
【0048】基材フィルム(A)または剥離フィルムの
片表面に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公
知の塗布方法、例えばロールコーター法、グラビアロー
ル法、バーコート法等が採用できる。塗布された粘着剤
の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、80〜
200℃の温度範囲において10秒〜10分間乾燥する
ことが好ましい。さらに好ましくは、80〜170℃に
おいて15秒〜5分間乾燥する。粘着剤層の厚みは、半
導体ウエハの表面状態、形状、裏面の研削方法等により
適宜決められるが、半導体ウエハの裏面を研削している
時の粘着力、研削が完了した後の剥離性等を勘案する
と、通常、2〜100μm程度である。好ましくは5〜
70μm程度である。As a method of applying the pressure-sensitive adhesive coating solution to one surface of the base film (A) or the release film, a conventionally known coating method, for example, a roll coater method, a gravure roll method, a bar coat method, or the like can be adopted. The drying condition of the applied pressure-sensitive adhesive is not particularly limited, but is generally 80 to
It is preferable to dry in a temperature range of 200 ° C. for 10 seconds to 10 minutes. More preferably, drying is performed at 80 to 170 ° C. for 15 seconds to 5 minutes. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is appropriately determined depending on the surface condition, shape, and back surface grinding method of the semiconductor wafer. Adhesive force when the back surface of the semiconductor wafer is ground, peelability after the grinding is completed, and the like are determined. Considering this, it is usually about 2 to 100 μm. Preferably 5
It is about 70 μm.
【0049】上記のようにして剥離フィルムの表面に粘
着剤層を形成した後、該粘着剤層の表面に上記基材フィ
ルム(A)を積層し、押圧して粘着剤層を基材フィルム
(A)の表面に転着する。転着する方法は、公知の方法
で差しつかえない。例えば、剥離フィルムの表面に形成
された粘着剤層の表面に基材フィルムAを重ねて、それ
らをニップロールに通引して押圧する方法等が挙げられ
る。こうして得られる半導体ウエハ表面保護用粘着テー
プは、ロール状とするか、または、所定の形状に切断し
た後、保管、輸送等に供される。After forming the pressure-sensitive adhesive layer on the surface of the release film as described above, the base film (A) is laminated on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer is applied to the base film ( Transfer to the surface of A). The transfer method may be a known method. For example, there is a method in which the base film A is overlaid on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer formed on the surface of the release film, and they are drawn through a nip roll and pressed. The thus obtained pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer is formed into a roll or cut into a predetermined shape, and then provided for storage, transportation and the like.
【0050】次に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
の使用方法について説明する。半導体ウエハ表面保護用
粘着テープは、その粘着剤層を介して半導体ウエハの表
面に貼着される。そして、半導体ウエハは、表面保護用
粘着テープの積層支持体を介してウエハ裏面研削機のチ
ャックテーブル等に固定される。次いで、研削機により
ウエハ裏面が所定の厚さまで研削される。研削の際に、
研削面に冷却水が注水されることが一般的である。Next, a method for using the pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer will be described. The adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface is attached to the surface of the semiconductor wafer via the adhesive layer. Then, the semiconductor wafer is fixed to a chuck table or the like of a wafer back surface grinding machine via a laminated support of a surface protection adhesive tape. Next, the back surface of the wafer is ground to a predetermined thickness by a grinding machine. When grinding,
It is common that cooling water is injected into the grinding surface.
【0051】研削が終了した後、研削面に純水を注水す
る等して研削屑等を除去した後、必要に応じてケミカル
エッチングが行われる。ケミカルエッチングは、フッ化
水素酸や硝酸、硫酸、酢酸等の単独もしくは混合液から
なる酸性水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリ
ウム水溶液等のアルカリ性水溶液からなる群から選ばれ
たエッチング液に、粘着フィルムを貼着した状態で半導
体ウエハを浸漬する等の方法により行われる。該エッチ
ングは、半導体ウエハ裏面に生じた歪みの除去、ウエハ
のさらなる薄肉化、酸化膜の除去、電極を裏面に形成す
る際の前処理等を目的として行われる。エッチング液は
上記の目的に応じて適宜選択される。After the grinding is completed, grinding dust and the like are removed by, for example, pouring pure water into the ground surface, and then, if necessary, chemical etching is performed. Chemical etching adheres to an etching solution selected from the group consisting of an acidic aqueous solution composed of a single or mixed liquid of hydrofluoric acid, nitric acid, sulfuric acid, acetic acid, etc., and an alkaline aqueous solution such as a potassium hydroxide aqueous solution and a sodium hydroxide aqueous solution. This is performed by a method such as immersing the semiconductor wafer with the film adhered. The etching is performed for the purpose of removing distortion generated on the back surface of the semiconductor wafer, further reducing the thickness of the wafer, removing an oxide film, and performing pre-processing when forming electrodes on the back surface. The etching solution is appropriately selected according to the above purpose.
【0052】裏面研削、または、裏面研削及びケミカル
エッチング終了後、表面保護用粘着テープを貼着したま
まダイシング工程、若しくは剥離工程ヘと搬送する。ダ
イシング工程内で剥離する場合には、半導体ウエハ裏面
をチャックテーブルに固定した如く、ダイシング用テー
プを貼付けて固定する。この時、ダイシング用テープを
貼付ける方法として、予め、リング状のフレームにダイ
シング用テープをセットとしておいてから、表面保護用
粘着テープを貼着したままの半導体ウエハをマウントと
してもよい。また、リング状のフレームと表面保護用粘
着テープを貼着したままの半導体ウエハを同時にダイシ
ング用テープに貼着してもよい。After the back surface grinding or the back surface grinding and the chemical etching are completed, the wafer is transported to a dicing step or a peeling step with the surface protection adhesive tape adhered. In the case of peeling in the dicing step, a dicing tape is attached and fixed as if the back surface of the semiconductor wafer was fixed to a chuck table. At this time, as a method of attaching the dicing tape, the dicing tape may be set on a ring-shaped frame in advance, and then the semiconductor wafer with the surface protection adhesive tape attached may be mounted. Further, the semiconductor wafer with the ring-shaped frame and the surface protection adhesive tape adhered thereto may be simultaneously adhered to the dicing tape.
【0053】リング状のフレームにマウントする方法は
特に制限はない。マウントする装置としては、例えば、
(株)タカトリ製、形式:ATM−8100、日東電工
(株)製、形式:MA−1508N、古河電気工業
(株)製、形式:UCTM−03−8等が挙げられる。
ダイシング用テープとしては、例えば、日東電工(株)
製、商品名:UE−2092J、古河電気工業(株)
製、商品名:UCシリーズ、CDシリーズ、リンテック
(株)製、商品名:Dシリーズ等が挙げられる。The method of mounting on the ring-shaped frame is not particularly limited. As a mounting device, for example,
Takatori Co., Ltd., Model: ATM-8100, Nitto Denko Corporation, Model: MA-1508N, Furukawa Electric Co., Ltd., Model: UCTM-03-8.
As a dicing tape, for example, Nitto Denko Corporation
Product name: UE-2092J, Furukawa Electric Co., Ltd.
Product name: UC series, CD series, manufactured by Lintec Co., Ltd., product name: D series, etc.
【0054】ダイシング用テープがリング状フレームに
弛みなく貼り付けられることにより、リング状フレーム
の中央部分に貼付けられた半導体ウエハを補強する効果
がある。さらには、表面保護用粘着テープを加熱、収縮
により剥離した後には、そのままダイサー機に移行する
こともできる。By attaching the dicing tape to the ring-shaped frame without slack, there is an effect of reinforcing the semiconductor wafer attached to the center portion of the ring-shaped frame. Further, after the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection is peeled off by heating and shrinking, it can be transferred to a dicer machine as it is.
【0055】表面保護用粘着テープを加熱、収縮させて
剥離する方法として、温水を放射して加熱する方法が挙
げられる。温水放射の方法は、表面保護用粘着テープの
粘着剤層と半導体ウエハの表面の界面付近に温水を供給
することが好ましい。該界面付近に積極的に温水を供給
すれば、表面保護用粘着テープの熱収縮性補助フィルム
(B)の収縮を端面から比較的選択的に発生させること
ができ、且つ、収縮速度に毛管現象を追従させることが
でき、界面粘着力を低下せしめる効果が増大する。As a method of heating and shrinking and peeling the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection, there is a method of heating by radiating warm water. In the method of radiating hot water, it is preferable to supply hot water near the interface between the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection and the surface of the semiconductor wafer. If hot water is positively supplied near the interface, the heat-shrinkable auxiliary film (B) of the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection can be relatively selectively shrunk from the end face, and the shrinkage speed has a capillary phenomenon. And the effect of lowering the interfacial adhesion is increased.
【0056】温水は、半導体ウエハ表面を汚染させない
ものを用いることが好ましい。さらに、表面保護用粘着
テープの剥離時に温水を放射することで、同時にウエハ
表面が洗浄される効果もある。このような洗浄効果を考
慮した場合においても、温水放射方法として、表面保護
用粘着テープの粘着剤層とウエハ表面の界面付近に温水
を供給することが好ましい。It is preferable to use hot water that does not contaminate the semiconductor wafer surface. Furthermore, irradiating warm water at the time of peeling the surface protection adhesive tape has an effect of simultaneously cleaning the wafer surface. Even in consideration of such a cleaning effect, it is preferable to supply hot water to the vicinity of the interface between the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection and the wafer surface as a method of radiating hot water.
【0057】さらに、表面保護用粘着テープの粘着剤層
を構成する粘着剤ポリマーとして、エマルジョン系粘着
剤ポリマーを用いたり、粘着剤層に界面活性剤を含有さ
せることにより、上記の洗浄効果を一層高めることがで
き、専用の洗浄工程を省略することもできる。Further, the above-mentioned cleaning effect can be further enhanced by using an emulsion-based pressure-sensitive adhesive polymer as the pressure-sensitive adhesive polymer constituting the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection, or by adding a surfactant to the pressure-sensitive adhesive layer. It can be increased, and a dedicated cleaning step can be omitted.
【0058】温水の温度は、表面保護用粘着テープの積
層支持体フィルム(基材フィルムAと補助フィルムBを
積層したフィルム)の延伸倍率、半導体ウエハの表面形
状等に応じて、70℃〜95℃の範囲で適宜選択し得
る。温水放射時間も半導体ウエハ表面からの剥離性に影
響を及ぼす。温水放射時間は、表面保護用粘着テープの
粘着力、半導体ウエハの口径等によって異なるが、作業
性等を考慮すると、通常、1〜60秒間、好ましくは1
0〜30秒間である。洗浄工程を削減する場合において
は、0.5〜10分間、好ましくは1〜5分間である。The temperature of the hot water is from 70 ° C. to 95 ° C., depending on the stretching ratio of the laminated support film (the film obtained by laminating the base film A and the auxiliary film B) of the surface protection adhesive tape, the surface shape of the semiconductor wafer, and the like. It can be appropriately selected in the range of ° C. The hot water emission time also affects the peelability from the semiconductor wafer surface. The warm water emission time varies depending on the adhesive strength of the surface protection adhesive tape, the diameter of the semiconductor wafer, and the like. However, considering workability and the like, it is usually 1 to 60 seconds, preferably 1 to 60 seconds.
0 to 30 seconds. When the number of washing steps is reduced, the time is 0.5 to 10 minutes, preferably 1 to 5 minutes.
【0059】表面保護用粘着テープを剥離した後、収縮
した表面保護用粘着テープが半導体ウエハ上に残存する
ことがあるが、これは、マウントを回転させたり、温水
をさらに供給することにより容易に除去することができ
る。表面保護用粘着テープを収縮剥離する際に、マウン
トを回転させたり、温水の放射量を多くすれば、剥離と
同時に表面保護用粘着テープを除去することも可能とな
るため、さらに工程を簡略化することができる。表面保
護用粘着テープの除去終了後、ダイシング装置へ搬送
し、半導体ウエハはチップ毎に切断される。After the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection is peeled off, the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection that has shrunk may remain on the semiconductor wafer. This can be easily achieved by rotating the mount or further supplying hot water. Can be removed. When the adhesive tape for surface protection is shrunk and peeled, if the mount is rotated or the amount of radiating hot water is increased, the adhesive tape for surface protection can be removed simultaneously with the peeling, further simplifying the process. can do. After the removal of the surface protection adhesive tape is completed, the semiconductor wafer is transferred to a dicing apparatus, and the semiconductor wafer is cut into chips.
【0060】なお、本発明においては、表面保護用粘着
テープの剥離が簡便な為、剥離工程をバックグラインド
装置内、エッチング装置内、およびダイシング装置内な
どで行なうことができる。この際、従来の装置に温水放
射装置を取り付けるだけでよい。In the present invention, since the pressure-sensitive adhesive tape for surface protection is easily peeled off, the peeling step can be performed in a back grinding apparatus, an etching apparatus, a dicing apparatus, or the like. At this time, it is only necessary to attach the hot water radiating device to the conventional device.
【0061】本発明が摘要できる半導体ウエハのサイズ
は、直径が100〜300mmのものである。今後、半
導体ウエハのサイズは、直径が400mm程度となるこ
とが予想されるが、その場合にも充分に摘要できる。本
発明が適用できる半導体ウエハとしては、シリコンウエ
ハ、ゲルマニウム、ガリウム−砒素、ガリウム−砒素−
アルミニウム等が挙げられる。The size of the semiconductor wafer to which the present invention can be applied is 100 to 300 mm in diameter. In the future, it is expected that the size of the semiconductor wafer will be about 400 mm in diameter, but in such a case, it can be sufficiently obtained. As a semiconductor wafer to which the present invention can be applied, silicon wafer, germanium, gallium-arsenic, gallium-arsenic-
Aluminum and the like can be mentioned.
【0062】[0062]
【実施例】以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定され
るものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記
の方法で測定した。 (1)基材フィルムAおよび補助フィルムBの収縮率
(%) フィルムの任意の箇所を選択し、縦横それぞれ10cm
の正方形の試料片を15枚作成する(この時、予め縦方
向に印を付けておく)。95℃に調節された温水中に6
0秒間浸漬し、取り出した後、24時間常温で放置す
る。縦方向(機械方向)の試料片の長さを測定して、温
水浸漬前後の長さから収縮率を求める。 収縮率(%)={(温水浸漬前の試験片長さ−温水浸漬
後の試験片長さ)/温水浸漬前の試験片長さ}×100EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to only these Examples. The various characteristic values shown in the examples were measured by the following methods. (1) Shrinkage rate (%) of base film A and auxiliary film B An arbitrary part of the film is selected and each of the length and width is 10 cm.
15 pieces of square specimens are prepared (at this time, marks are made in the vertical direction in advance). 6 in warm water adjusted to 95 ° C
After immersing for 0 second and taking out, it is left at room temperature for 24 hours. The length of the sample in the vertical direction (machine direction) is measured, and the shrinkage is determined from the length before and after immersion in warm water. Shrinkage (%) = {(test piece length before immersion in hot water−length of test piece after immersion in hot water) / length of test piece before immersion in hot water} × 100
【0063】(2)半導体ウエハの反り変形量(μm) 裏面研削終了後、粘着テープ剥離前のシリコンミラーウ
エハ(径:200mm)のXY軸の全幅を5mm/秒で
移動しながら高さを測定し、最大値と最小値の差を反り
変形量とした。測定装置は、シグマ光機(株)製の「か
んたん計測システム/EMS97−300X」を用い
た。また、付属のセンサーは、(株)キーエンス製のL
K−030、LK−2000、LK−C2、RD−50
R、KZ−U3を用いた。 (3)ショアD硬度の測定 ASTM−D−2240に準ずる。試験片は、縦150
mm×横150mm×厚み6mmのプレス成形品を用い
た。 (4)ウエハの破損数(枚) 幅100μm、深さ5μmのスクライブラインが1cm
間隔で縦横に端部まで形成されたシリコンミラーウエハ
を50枚、裏面研削をする際に破損した枚数、裏面研削
後にカセットに収納する際に破損した枚数、温水放射に
より剥離する際に破損した枚数、をそれぞれ示す。(2) Amount of warpage deformation of semiconductor wafer (μm) After the back surface grinding, before measuring the height of silicon mirror wafer (diameter: 200 mm) while moving the entire width of the XY axis at 5 mm / sec before peeling off the adhesive tape. The difference between the maximum value and the minimum value was defined as the amount of warpage deformation. The measurement device used was “Simple Measurement System / EMS97-300X” manufactured by Sigma Koki Co., Ltd. In addition, the attached sensor is L manufactured by Keyence Corporation.
K-030, LK-2000, LK-C2, RD-50
R and KZ-U3 were used. (3) Measurement of Shore D hardness According to ASTM-D-2240. The test piece is 150 vertical
A press-formed product having a size of 150 mm × width 150 mm × thickness 6 mm was used. (4) Number of broken wafers (sheets) A scribe line with a width of 100 μm and a depth of 5 μm is 1 cm
Fifty silicon mirror wafers formed vertically and horizontally at an interval to the end, the number damaged when grinding the back surface, the number damaged when stored in the cassette after the back surface grinding, and the number damaged when peeled by hot water radiation , Respectively.
【0064】実施例1 <粘着剤塗布液の製造>重合反応機に脱イオン水148
重量部、アニオン性界面活性剤としてポリオキシエチレ
ンノニルフェニルエーテルサルフェートのアンモニウム
塩〔日本乳化剤(株)製、商品名:Newcol−56
0SF、50重量%水溶液〕2重量部(界面活性剤単体
として1重量部)、重合開始剤として4,4’−アゾビ
ス−4一シアノバレリックアシッド〔大塚化学(株)
製、商品名:ACVA〕0.5重量部、アクリル酸ブチ
ル74重量部、メタクリル酸メチル14重量部、メタク
リル酸−2−ヒドロキシエチル9重量部、メタクリル酸
2重量部、アクリルアミド1重量部を添加し、撹枠下で
70℃において9時間乳化重合を実施し、アクリル樹脂
系水エマルジョンを得た。これを14重量%アンモニア
水で中和し、固形分約40重量%の粘着剤ポリマー(主
剤)エマルジョンを得た。得られた粘着剤主剤エマルジ
ョン100重量部(粘着剤ポリマー濃度約40重量%)
を採取し、さらに14重量%アンモニア水を加えてpH
9.3に調整した。次いで、アジリジン系架橋剤〔日本
触媒化学工業(株)製、商品名:ケミタイトPZ−3
3〕2重量部、および造膜助剤としてジエチレングリコ
ールモノブチルエーテル5重量部を添加して粘着剤塗布
液を得た。Example 1 <Preparation of pressure-sensitive adhesive coating solution> Deionized water 148 was added to a polymerization reactor.
Parts by weight, ammonium salt of polyoxyethylene nonyl phenyl ether sulfate [manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd., trade name: Newcol-56] as an anionic surfactant
0SF, 50% by weight aqueous solution] 2 parts by weight (1 part by weight of a surfactant alone) and 4,4'-azobis-41-cyanovaleric acid as a polymerization initiator [Otsuka Chemical Co., Ltd.
(Trade name: ACVA) 0.5 parts by weight, 74 parts by weight of butyl acrylate, 14 parts by weight of methyl methacrylate, 9 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate, 2 parts by weight of methacrylic acid, and 1 part by weight of acrylamide Then, emulsion polymerization was carried out at 70 ° C. for 9 hours under a stirring frame to obtain an acrylic resin-based water emulsion. This was neutralized with 14% by weight of aqueous ammonia to obtain a pressure-sensitive adhesive polymer (base) emulsion having a solid content of about 40% by weight. 100 parts by weight of the obtained adhesive base material emulsion (adhesive polymer concentration: about 40% by weight)
And further added 14% by weight aqueous ammonia to adjust the pH.
Adjusted to 9.3. Next, an aziridine-based crosslinking agent [manufactured by Nippon Shokubai Chemical Industry Co., Ltd., trade name: Chemitite PZ-3]
3] 2 parts by weight and 5 parts by weight of diethylene glycol monobutyl ether as a film forming aid were added to obtain an adhesive coating solution.
【0065】<積層支持体フィルムの製造> 補助フィルムBの製造:Tダイ押出法によりエチレン−
プロピレンランダム共重合体樹脂〔MFI(ASTM−
D−1238、230℃、2.16荷重)4g/10m
in、比重(ASTM−D−792)0.9、エチレン
含有量5.5wt%、ショアD硬度98〕フィルムを9
0℃にてロール延伸法にて縦方向に3倍延伸し、厚さ8
0μmの一軸延伸フィルムとした。この際、基材フィル
ムAを積層する片表面にコロナ放電処理を施し、表面張
力を50dyne/cmとし、これを補助フィルムBと
して用いた。 基材フィルムAの製造:ショアD硬度が38のエチレン
−酢酸ビニル共重合体樹脂をTダイ押出機を用いて、厚
さ60μmのフィルムを製膜した。この際、補助フィル
ムBを積層する面と粘着剤層を形成する両面にコロナ処
理を施し、両面の表面張力を50dyne/cmとし、
これを基材フィルムAとして用いた。次に基材フィルム
Aと補助フィルムBのコロナ放電処理を施した面を2k
g/cm2の圧力で押圧し、重ね合わせ、これを積層支
持体フィルムとして用いた。補助フィルムBおよび基材
フィルムAの熱収縮率を前記の方法にて測定した、結果
を〔表1〕に示す。<Production of Laminated Support Film> Production of Auxiliary Film B:
Propylene random copolymer resin [MFI (ASTM-
D-1238, 230 ° C, 2.16 load) 4g / 10m
in, specific gravity (ASTM-D-792) 0.9, ethylene content 5.5 wt%, Shore D hardness 98]
The film is stretched three times in the machine direction at 0 ° C. by a roll stretching method to a thickness of 8
It was a 0 μm uniaxially stretched film. At this time, one surface on which the base film A was laminated was subjected to a corona discharge treatment, the surface tension was set to 50 dyne / cm, and this was used as the auxiliary film B. Production of base film A: An ethylene-vinyl acetate copolymer resin having a Shore D hardness of 38 was formed into a film having a thickness of 60 μm using a T-die extruder. At this time, the surface on which the auxiliary film B is laminated and the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed are subjected to corona treatment, and the surface tension of both surfaces is set to 50 dyne / cm.
This was used as a base film A. Next, the surface of the base film A and the auxiliary film B on which the corona discharge treatment was performed is 2 k
It was pressed with a pressure of g / cm 2 , superposed, and used as a laminated support film. The results of measuring the heat shrinkage of the auxiliary film B and the base film A by the above method are shown in Table 1.
【0066】<表面保護用粘着テープの製造>Tダイ押
出法にて製膜された厚さ50μm、ビカット軟化点14
0℃、片表面の表面張力が30dyne/cmであるポ
リプロピレンフィルムを剥離フィルムとして用い、ロー
ルコーター法により該剥離フィルムの該片表面に上記方
法により得られたアクリル系樹脂水エマルジョン型粘着
剤を塗布し、100℃において60秒間乾燥し、剥離フ
ィルムの表面に厚さ10μmのアクリル系粘看剤層を設
けた。剥離フィルムの表面に設けられたアクリル系粘着
剤層の表面に積層支持体フィルムのコロナ放電処理面
(基材フィルムAの片表面)を重ね合わせて積層し、2
kg/cm2の圧力で押圧し、該粘着剤層を積層支持体
フィルムの表面に転着させて、粘着力250g/25m
mの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。<Production of pressure-sensitive adhesive tape for surface protection> A film having a thickness of 50 μm and a Vicat softening point of 14 formed by a T-die extrusion method
Using a polypropylene film having a surface tension of 30 dyne / cm at 0 ° C. as a release film, applying the acrylic resin water emulsion type pressure-sensitive adhesive obtained by the above method to the one surface of the release film by a roll coater method. Then, it was dried at 100 ° C. for 60 seconds, and a 10 μm thick acrylic tackifier layer was provided on the surface of the release film. The corona discharge treated surface of the laminated support film (one surface of the base film A) is laminated on the surface of the acrylic pressure-sensitive adhesive layer provided on the surface of the release film, and laminated.
The pressure-sensitive adhesive layer was pressed with a pressure of kg / cm 2, and the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to the surface of the laminated support film to obtain an adhesive strength of 250 g / 25 m.
m of a semiconductor wafer surface-protecting adhesive tape.
【0067】<表面保護用粘着テープの使用>得られた
半導体ウエハ表面保護粘着テープを、表面に幅100μ
m、深さ5μmのスクライブラインが端面まで1cm間
隔で縦横に形成されたシリコンミラーウエハ(直径20
0mm、厚み700μm)50枚の表面にテープ貼り機
〔(株)タカトリ製「ATM1100E」〕を使用して
貼着し、バックグラインド装置〔(株)ディスコ製「D
FG841」〕へ供給した。研削機内では、最初に粗研
削、次いで仕上げ研削、最後に裏面洗浄を実施した。す
なわち、裏面研削機内で、該パターンウエハを研削速度
300μm/分で厚み170μmまで粗研削し、次い
で、20μm/分で100μmまで仕上げ研削した。最
後に、バックグラインド装置内のスピンナーにて裏面を
洗浄後、さらにウエハを反転させて表裏を反対にし、ウ
エハ表面に貼着された表面保護用粘着テープに95℃の
温水(流量30ml/秒)を15秒間放射し、該テープ
を剥離した。その後3000rpmで回転させ乾燥後、
スピンナーから取り出してカセットに収納した。50枚
すべてのウエハは破損することなく収納することができ
た。得られた結果を〔表1〕に示す。<Use of Pressure-Sensitive Adhesive Tape for Surface Protection>
silicon mirror wafer (20 mm in diameter) in which scribe lines having a depth of 5 μm
0 mm, thickness of 700 μm) is adhered to a surface of 50 sheets using a tape pasting machine [“ATM1100E” manufactured by Takatori Co., Ltd.], and a back grinding device [“D” manufactured by Disco Co., Ltd.
FG841 "]. In the grinder, rough grinding was performed first, then finish grinding, and finally back surface cleaning was performed. That is, the pattern wafer was roughly ground to a thickness of 170 μm at a grinding speed of 300 μm / min and then finish-ground to 100 μm at a speed of 20 μm / min in a backside grinder. Finally, after cleaning the back surface with a spinner in the back grinding apparatus, the wafer is further turned over so that the front and back sides are reversed, and hot water at 95 ° C. (flow rate 30 ml / sec) is applied to the surface protection adhesive tape attached to the wafer surface. For 15 seconds to release the tape. After rotating at 3000 rpm and drying,
It was taken out of the spinner and stored in a cassette. All 50 wafers could be stored without breakage. The results obtained are shown in [Table 1].
【0068】実施例2 実施例1の補助フィルム(B)の製造において、エチレ
ン−プロピレンランダム共重合体樹脂〔MFI(AST
M−D−1238、230℃、2.16荷重)4g/1
0min、比重(ASTM−D−792)0.90、エ
チレン含有量5.5wt%、ショアD硬度98〕フィル
ムを90℃にてロール延伸法にて縦方向に2.5倍延伸
し、厚さ80μmの一軸延伸フィルムとした以外は、全
て実施例1と同様な試験を行なった。得られた結果を
〔表1〕に示す。Example 2 In the production of the auxiliary film (B) in Example 1, an ethylene-propylene random copolymer resin [MFI (AST
MD-1238, 230 ° C, 2.16 load) 4g / 1
0 min, specific gravity (ASTM-D-792) 0.90, ethylene content 5.5 wt%, Shore D hardness 98] The film was stretched 2.5 times in the machine direction by a roll stretching method at 90 ° C. All tests were performed in the same manner as in Example 1 except that a uniaxially stretched film of 80 μm was used. The results obtained are shown in [Table 1].
【0069】実施例3 実施例1の基材フィルム(A)の製造において、ショア
D硬度が32のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂をT
ダイ押出機を用いて、厚さ60μmのフィルムを製膜し
た以外は、全て実施例1と同様な試験を行なった。得ら
れた結果を〔表1〕に示す。Example 3 In the production of the base film (A) in Example 1, an ethylene-vinyl acetate copolymer resin having a Shore D hardness of 32 was used.
All tests were performed in the same manner as in Example 1 except that a film having a thickness of 60 μm was formed using a die extruder. The results obtained are shown in [Table 1].
【0070】実施例4 実施例1の補助フィルム(B)の製造において、ショア
D硬度45のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂〔MF
I(ASTM−D−1238、190℃、2.16荷
重)1.5g/10min〕フィルムを50℃にて縦方
向に2.6倍延伸し、厚さ80μmの一軸延伸フィルム
とした以外は、全て実施例1と同様な試験を行なった。
得られた結果を〔表1〕に示す。Example 4 In the production of the auxiliary film (B) of Example 1, an ethylene-vinyl acetate copolymer resin having a Shore D hardness of 45 [MF
I (ASTM-D-1238, 190 ° C., 2.16 load) 1.5 g / 10 min] Except that the film was stretched 2.6 times in the longitudinal direction at 50 ° C. to obtain a uniaxially stretched film having a thickness of 80 μm. All tests were performed in the same manner as in Example 1.
The results obtained are shown in [Table 1].
【0071】実施例5 実施例1の表面保護用粘着テープの使用において、得ら
れた半導体ウエハ表面保護粘着テープを、表面に幅10
0μm、深さ5μmのスクライブラインが端面まで1c
m間隔で縦横に形成されたシリコンミラーウエハ(直径
200mm、厚み700μm)50枚の表面にテープ貼
り機〔(株)タカトリ製「ATM1100E」〕を使用
して貼着し、バックグラインド装置〔(株)ディスコ製
「DFG841」〕へ供給した。研削機内では、最初に
粗研削、次いで仕上げ研削、最後に裏面洗浄を実施し
た。すなわち、裏面研削機内で、該パターンウエハを研
削速度300μm/分で厚み170μmまで粗研削し、
次いで、20μm/分で100μmまで仕上げ研削し
た。最後に、バックグラインド装置内のスピンナーにて
裏面を洗浄後、3000rpmで回転させ乾燥、スピン
ナーから取り出してカセットに収納した。50枚すべて
のウエハは破損することなく収納することができた。ま
た、反り変形量を測定したところ300μmであった。Example 5 In the use of the pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of Example 1, the obtained pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer was applied to a surface having a width of 10 mm.
A scribe line of 0 μm and depth of 5 μm is 1c to the end face
A tape grinder [“ATM1100E” manufactured by Takatori Co., Ltd.] is used to attach to 50 surfaces of silicon mirror wafers (diameter 200 mm, thickness 700 μm) formed vertically and horizontally at m intervals, and a back grinding device [(stock) ) Made by Disco "DFG841"]. In the grinder, rough grinding was performed first, then finish grinding, and finally back surface cleaning was performed. That is, in the backside grinding machine, the pattern wafer is roughly ground to a thickness of 170 μm at a grinding speed of 300 μm / min.
Next, finish grinding was performed to 20 μm / min to 100 μm. Finally, the back surface was washed with a spinner in a back grinding device, dried at 3000 rpm, dried, taken out of the spinner, and stored in a cassette. All 50 wafers could be stored without breakage. The measured amount of warpage was 300 μm.
【0072】次いで、23℃に保たれた61%硝酸30
00mlと47%フッ化水素酸600mlの混合酸に2
分間浸漬し、裏面を95μmまでエッチングした。この
時、エッチングにともなう酸の浸入、割れはなかった。
この後、ウエハの反り変形量を測定したところ、140
μmであった。次いで、ダイシング工程へと搬送した。
マウンター装置として、(株)タカトリ製「ATM−8
100」、ダイシング用テープとして、日東電工(株)
製「UE−2092J」を用い、リング状フレームにウ
エハをマウントした。該マウント状態のまま、冷却水ラ
インを変更したフリーオートマチックダイシングソー、
(株)ディスコ製「DFD−650」へ搬送した。温水
ノズルから90℃の温水を毎分5リットルで表面保護用
粘着テープの粘着剤層とウエハの界面に放射し、表面保
護用粘着テープが収縮、カールして剥離するに従い、剥
離界面部分に温水を放射し続けることで表面保護用粘着
テープを剥離させ、ウエハ状から表面保護用粘着テープ
を除去した。この時、該粘着テープの剥離にともなうウ
エハの破損は全くなかった。Then, 61% nitric acid 30 kept at 23 ° C.
2 in a mixed acid of 00ml and 600ml of 47% hydrofluoric acid
Then, the back surface was etched to 95 μm. At this time, there was no infiltration or cracking of the acid accompanying the etching.
Thereafter, when the amount of warpage of the wafer was measured,
μm. Next, it was conveyed to a dicing process.
"ATM-8" manufactured by Takatori Co., Ltd.
100 ", Nitto Denko Corporation as a dicing tape
The wafer was mounted on a ring-shaped frame using “UE-2092J” manufactured by Toshiba Corporation. A free automatic dicing saw in which the cooling water line has been changed while the mounting state is maintained,
It was transported to Disco "DFD-650". 90 ° C hot water is radiated from the hot water nozzle at 5 liters per minute to the interface between the adhesive layer of the surface protection adhesive tape and the wafer, and as the surface protection adhesive tape shrinks, curls and peels, hot water is applied to the peeling interface. The surface protection adhesive tape was peeled off by continuously radiating, and the surface protection adhesive tape was removed from the wafer. At this time, there was no breakage of the wafer due to peeling of the adhesive tape.
【0073】[0073]
【表1】 [Table 1]
【0074】比較例1 実施例4の基材フィルム(A)の製造において、ショア
D硬度が45のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂フィ
ルム用い、補助フィルム(B)の製造において、ショア
D硬度が38のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂を用
いた以外は全て実施例4と同様な評価を行なった。得ら
れた結果を〔表2〕に示す。Comparative Example 1 In the production of the base film (A) of Example 4, an ethylene-vinyl acetate copolymer resin film having a Shore D hardness of 45 was used, and in the production of the auxiliary film (B), the Shore D hardness was The same evaluation as in Example 4 was performed except that the ethylene-vinyl acetate copolymer resin No. 38 was used. The results obtained are shown in [Table 2].
【0075】比較例2 実施例4の基材フィルム(A)の製造において、ショア
D硬度38のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂〔MF
I(ASTM−D−1238、190℃、2.16荷
重)1.5g/10min〕フィルムを50℃にて縦方
向に2.6倍延伸し、厚さ60μmの一軸延伸フィルム
とし、補助フィルム(B)の製造において、ショアD硬
度が45のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂フィルム
を未延伸とした以外は、全て実施例4と同様な評価を行
なった。得られた結果を〔表2〕に示す。Comparative Example 2 In the production of the base film (A) of Example 4, an ethylene-vinyl acetate copolymer resin having a Shore D hardness of 38 [MF
I (ASTM-D-1238, 190 ° C., 2.16 load) 1.5 g / 10 min] The film is stretched 2.6 times in the longitudinal direction at 50 ° C. to form a uniaxially stretched film having a thickness of 60 μm. In the production of B), the same evaluation as in Example 4 was performed except that the ethylene-vinyl acetate copolymer resin film having a Shore D hardness of 45 was not stretched. The results obtained are shown in [Table 2].
【0076】比較例3 実施例4の補助フィルム(B)の製造において、延伸倍
率を1.4倍とした以外は、全て実施例4と同様な評価
を行なった。ウエハの破損において、研削中、搬送中は
問題なく行われたが、剥離中においては収縮不足のた
め、28枚のウエハに剥離不良がみられ、4枚のウエハ
が破損した。得られた結果を〔表2〕に示す。Comparative Example 3 In the production of the auxiliary film (B) of Example 4, the same evaluation as in Example 4 was carried out except that the stretching ratio was changed to 1.4. The wafer was broken without any problem during the grinding and transfer, but during the peeling, due to insufficient shrinkage, 28 wafers showed defective peeling, and four wafers were damaged. The results obtained are shown in [Table 2].
【0077】比較例4 実施例1の補助フィルム(B)の製造において、延伸倍
率を1.2倍とした以外は、全て実施例1と同様な評価
を行なった。得られた結果を〔表2〕に示す。Comparative Example 4 In the production of the auxiliary film (B) of Example 1, the same evaluation as in Example 1 was carried out except that the stretching ratio was 1.2 times. The results obtained are shown in [Table 2].
【0078】比較例5 実施例4において、基材フィルム(A)を用いず、補助
フィルム(B)単層で用いた以外は全て実施例4と同様
な評価を行なった。研削後の反り変形量は、450μ
m、ウエハ破損数は、研削中14枚、搬送中6枚、剥離
中10枚、計30枚が破損した。得られた結果を〔表
2〕に示す。Comparative Example 5 The same evaluation as in Example 4 was performed except that the base film (A) was not used and the auxiliary film (B) was used as a single layer. The warpage after grinding is 450μ
m, the number of damaged wafers was 14 during grinding, 6 during transport, and 10 during peeling, for a total of 30 wafers. The results obtained are shown in [Table 2].
【0079】[0079]
【表2】 [Table 2]
【0080】[0080]
【発明の効果】本発明は、2層構造として、その内の一
層が熱収縮性を有する半導体ウエハ表面保護用粘着テー
プを裏面研削後の半導体ウエハ表面から剥離する際に、
ウエハの反り変形を低減させ、且つウエハ表面に温水を
放射することで、表面保護用粘着テープに熱収縮を発生
させ、温水が粘着剤層とウエハ間への浸透を促し、粘着
テープの粘着力を低下させながら、粘着テープを剥離す
ることを特徴とする。これより半導体ウエハ表面保護粘
着テープ剥離工程において、剥離時のウエハの破損を生
じることなく、容易に該粘着テープを剥離することがで
きる。さらには、粘着剤の組成を選択すれば、剥離操作
によりウエハ表面の洗浄を兼ねることもでき、作業時間
の短縮などさらなる合理化を可能とする。According to the present invention, when the adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer having one layer having heat shrinkage as a two-layer structure is peeled off from the semiconductor wafer surface after the back surface grinding,
By reducing the warpage of the wafer and radiating warm water to the wafer surface, heat shrinkage occurs on the surface protection adhesive tape, and the warm water promotes penetration between the adhesive layer and the wafer, and the adhesive strength of the adhesive tape The pressure-sensitive adhesive tape is peeled off while reducing the pressure. Thus, in the semiconductor wafer surface protection adhesive tape peeling step, the adhesive tape can be easily peeled without causing breakage of the wafer at the time of peeling. Furthermore, if the composition of the adhesive is selected, the peeling operation can also serve as cleaning of the wafer surface, thereby enabling further rationalization such as shortening of operation time.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平井 健太郎 愛知県名古屋市南区丹後通2丁目1番地 三井化学株式会社内 (72)発明者 福本 英樹 愛知県名古屋市南区丹後通2丁目1番地 三井化学株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kentaro Hirai 2-1-1 Tangodori, Minami-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture Inside of Mitsui Chemicals, Inc. (72) Inventor Hideki Fukumoto 2-1-1 Tangodori, Minami-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture Mitsui Chemicals, Inc.
Claims (8)
が設けられ、他の片表面に補助フィルム(B)が積層さ
れた半導体ウエハ表面保護用粘着テープであって、
(A)のショアD硬度が40以下、(B)のショアD硬
度が40超、95℃において60秒間加熱したときの
(A)の熱収縮率が5%以下、(B)の該熱収縮率が少
なくとも10%である半導体ウエハ表面保護用粘着テー
プ。An adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface, comprising an adhesive layer provided on one surface of a base film (A) and an auxiliary film (B) laminated on another surface,
(A) Shore D hardness of 40 or less, (B) Shore D hardness of more than 40, (A) heat shrinkage of 5% or less when heated at 95 ° C. for 60 seconds, (B) heat shrinkage An adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer having a ratio of at least 10%.
に1.5〜8倍延伸された樹脂フィルムである請求項1
記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。2. The auxiliary film (B) is a resin film stretched 1.5 to 8 times in at least one direction.
The adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer according to the above.
0〜300μm、補助フィルム(B)の厚み(TB)が
35〜350μmであり、且つ、両者が〔TA<TB〕の
関係にある請求項1記載の半導体ウエハ表面保護用粘着
テープ。3. The thickness (T A ) of the base film ( A ) is 3
0~300Myuemu, assisting film (B) thickness (T B) is 35~350Myuemu, and a semiconductor wafer surface protecting adhesive tape of claim 1, wherein a relationship of both [T A <T B].
ビニル共重合体及び低密度ポリエチレンから選ばれた樹
脂フィルム、補助フィルム(B)がプロピレン−エチレ
ンランダム共重合体及びエチレン−酢酸ビニル共重合体
から選ばれた樹脂フィルムである請求項1記載の半導体
ウエハ表面保護用粘着テープ。4. The base film (A) is a resin film selected from ethylene-vinyl acetate copolymer and low density polyethylene, and the auxiliary film (B) is a propylene-ethylene random copolymer and ethylene-vinyl acetate copolymer. The pressure-sensitive adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is a resin film selected from a polymer.
導体ウエハの裏面研削時及びケミカルエッチング時の表
面保護用に用いられる請求項1記載の半導体ウエハ表面
保護用粘着テープ。5. The pressure-sensitive adhesive tape for protecting a front surface of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is used for back surface grinding of a semiconductor wafer, or for surface protection during back surface grinding and chemical etching of a semiconductor wafer.
の粘着剤層を介して半導体ウエハの表面に貼着して、該
半導体ウエハの裏面を研削し、研削終了後に剥離する半
導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方法であって、
該粘着テープが請求項1〜4のいずれか1項に記載の半
導体ウエハ表面保護用粘着テープであり、且つ、半導体
ウエハの表面と該粘着テープの粘着剤層との界面に70
〜95℃の温水を放射して剥離することを特徴とする半
導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方法。6. An adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer, wherein the adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer is adhered to the surface of the semiconductor wafer via the adhesive layer, the back surface of the semiconductor wafer is ground, and peeled off after the grinding is completed. How to use the tape,
The pressure-sensitive adhesive tape is the pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to any one of claims 1 to 4, and the pressure-sensitive adhesive tape is provided at an interface between the surface of the semiconductor wafer and the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape.
A method of using a pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is peeled off by radiating warm water of up to 95 ° C.
ルエッチングを実施し、その後、剥離することを特徴と
する請求項6記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
の使用方法。7. The method for using a semiconductor wafer surface protection adhesive tape according to claim 6, wherein after the back surface grinding of the semiconductor wafer is completed, chemical etching is performed, and thereafter, the semiconductor wafer is peeled off.
ルエッチングを実施し、次いで、半導体ウエハの裏面に
ダイシング用粘着テープを貼着し、その後剥離すること
を特徴とする請求項6記載の半導体ウエハ表面保護用粘
着テープの使用方法。8. The semiconductor wafer according to claim 6, wherein after the back grinding of the semiconductor wafer is completed, chemical etching is performed, and then an adhesive tape for dicing is adhered to the back surface of the semiconductor wafer, and thereafter the semiconductor wafer is peeled off. How to use adhesive tape for surface protection.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15340598A JP4005218B2 (en) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | How to use adhesive tape for semiconductor wafer surface protection |
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JPH11345790A true JPH11345790A (en) | 1999-12-14 |
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