JP3773358B2 - Adhesive film for semiconductor wafer back grinding and semiconductor wafer back grinding method using the same - Google Patents

Adhesive film for semiconductor wafer back grinding and semiconductor wafer back grinding method using the same Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの裏面研削方法に関する。詳しくは、集積回路が組み込まれた側の面（以下、ウエハ表面という）に、特定の高さの電極（以下、ハイバンプ電極という）及び不良回路識別マーク（以下、インクドットという）から選ばれた少なくとも１種の突起状物を有する、破損、汚染等が起こり易い半導体ウエハの裏面を研削する際に使用し得る半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム、及び、該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの裏面研削方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、半導体集積回路は高純度シリコン単結晶等をスライスしてウエハとした後、イオン注入、エッチング等により集積回路を組み込み、更にウエハの裏面をグラインディング、ポリッシング、ラッピング等により研削し、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄くしてから、ダイシングしてチップ化する方法で製造されている。これらの工程の中で、ウエハ裏面の研削時に半導体ウエハの破損を防止したり、研削加工を容易にするため、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムをその粘着剤層を介してウエハ表面に貼着して保護する方法が用いられている。
【０００３】
具体的には、先ず、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムをウエハ表面に貼着してウエハ裏面を研削する。研削が完了した後、該フィルムを剥離し、ダイシング工程等の次工程に移行する。
【０００４】
この様な方法で、半導体ウエハの裏面を研削しようとした場合、表面凹凸の大きい半導体ウエハの裏面を研削しようとすると、研削時の応力でウエハが破損する問題があった。実際、半導体ウエハには、ポリイミド等のコーティング層や、酸化珪素膜や窒化珪素膜等の蒸着膜、スクライブライン等があり、時には段差が５０μｍ以上になることがある。
【０００５】
この様な問題を解決する手段として、特開昭６１−１０２４２号公報には、ショアーＤ型硬度が４０以下である基材シートの表面に粘着剤を設けてなることを特徴とするウエハ加工用フィルムが開示されている。この発明の実施例で、実際に表面凹凸差が５０μｍのシリコンウエハの裏面研磨が特に問題なく（破損無く）行われている。
【０００６】
また、特開昭６１−１４１１４２号公報には、半導体ウエハの表面にゴム系の材質でできた粘着材付テープを粘着し、前記テープをカットし、前記テープをチャックに固定し、前記半導体ウエハの裏面を砥石で研削することを特徴とする半導体ウエハの研削方法が開示されている。この発明において、特に、ポリイミド等によるコーティング層によって生じた１０〜８０μｍ程度の段差を表面に有するウエハの裏面研削が特に問題なく（破損なく）行われている。
【０００７】
さらに、ＷＯ８５／０５７３４号公報には、ショアーＤ型硬度が４０以下である基材フィルムの片表面上に粘着剤層が配設されてなるウエハ加工用フィルムが開示され、その第三発明として、粘着剤層中に、ノニオン系界面活性剤およびエチレングリコール誘導体からなる群より選ばれた１種以上が含有されてなるウエハ加工用フィルムが開示されている。この発明の実施例においても、実際に表面凹凸差が５０μｍのシリコンウエハの裏面研磨が特に問題なく（破損なく）行われている。また、該ウエハ加工用フィルムを剥がした後の洗浄等の後処理が簡易に実施できると記載されている。
【０００８】
上記の発明に開示されている半導体ウエハは、その回路上に、ポリイミド等のコーティング層や、酸化珪素膜や窒化珪素膜等の蒸着膜、スクライブライン等により生じた５０μｍ程度の凹凸差があるものである。しかし、半導体ウエハ表面の約１０％程度が凹んでいるだけであり、凸部の頂点は比較的平滑である。通常、比較的平滑な凸部の面積がウエハ表面の約９０％を占めている。上記発明に記載された粘着フィルムは、このような半導体ウエハの裏面研削に適用されたものである。
【０００９】
近年、半導体ウエハの表面は多様化しつつあり、ウエハ自体は破損しなくても、チップレベルでの破損（以下、マイクロクラックという）が生じたり、粘着剤の一部が残り易い表面形状を有するウエハが多くなってきている。例えば、パッケージングの薄層化、チップ実装面積の少面積化、やＩＣカードの普及（スマートカード、電子マネー、クレジットカード、次世代テレホンカード等、ＩＣチップを内蔵したカード）等に伴い、フリップチップ実装と呼ばれるワイヤレスボンディング法等が採用されつつあり、この様な、ワイヤレスボンディング法等に適したチップを有するウエハとして、高さが１０〜３００μｍの突起状のハイバンプ電極を有する半導体ウエハが生産される様になってきている。このハイバンプ電極の高さは、現状は、２５〜１００μｍ程度が主流となっているが、実装方法の多様化により、１００μｍを超え、３００μｍ程度まで高くすることも検討されている。
【００１０】
また、半導体チップの生産工程の多様化に伴い、半導体ウエハの裏面を研削する前に、半導体ウエハ表面のチップを検査し、不良チップに高さが１０〜１００μｍの突起状のインクドットを付けてから半導体ウエハの裏面研削を行うという工程が採用されつつある。さらに、ＩＣカードに使用するチップに関しては、研削後の厚み自体が１５０μｍ以下となってきており、特に薄くなる傾向にある。従って、上記マイクロクラックはより起こり易くなる傾向にある。
【００１１】
上記のハイバンプ電極やインクドットの様に突起状物を表面に有する半導体ウエハの裏面を研削する場合には、前述の様な従来の粘着フィルムでは、十分に対応できないことがあった。特に、高さが２５μｍを超えると、ウエハの大きさ、研削後の厚み、研削条件等の諸条件によっては、該ウエハの一部にマイクロクラックが生じたり、該ウエハが完全に破損してしまうことがあった。
【００１２】
また、たとえ破損が生じなくても前記突起状物の影響で、表面の突起状物に対応する裏面の部位が凹む（以下、ディンプルという）等して、研削後、ウエハの厚み精度が悪くなりダイシング等の次工程に影響を与えたり、製品不良の原因になることがあった。さらに、研削後のウエハから粘着フィルムを剥離する際に、ウエハの表面に粘着剤の一部が残り（以下、糊残りと称する）ウエハ表面を汚染することもあった〔この汚染は、突起状物の周辺に生じる事が多く、後述するハイバンプ電極周辺に生じた場合、特に問題となる。インクドットの周辺（不良チップ上）に付着する場合には事実上問題はないが、この場合でも、ウエハ表面洗浄時等に他の正常部位に移行して２次汚染を生じる原因となることがあるため、汚染はない方が好ましい〕。この汚染は程度にもよるが、上記、ＷＯ８５／０５７３４号公報の第三発明で開示された粘着剤でも、除去が不十分となることがあった。さらにまた、半導体ウエハの裏面研削中にウエハ表面と粘着剤層との間に水が浸入し、それに起因してウエハが破損したり、水と共に研削屑が浸入してウエハ表面を汚染することもあった。
【００１３】
上述の様な問題があるにもかかわらず、チップの高性能化やパッケージングの多様化、低コスト化、ＩＣカードの普及等に伴い、研削方法の技術レベルには、単にウエハを破損しないことだけでなく、チップレベルでのマイクロクラックが生じないことや、ウエハ表面の更なる低汚染性、研削後の厚み精度の向上等が要求される様になってきている。現状では、半導体ウエハの表面に一定の厚みのレジストを塗布し、突起状物の高さを小さくしてから（もしくは完全に凸部をなくしてから）粘着フィルムを貼付して裏面研削を行ったり、レジスト塗布のみで裏面研削を行ったりしており、レジスト塗布の作業性の悪さ、レジスト塗布時および除去時に多量の溶剤を使用するなど、決して合理的な方法が行われているわけではない。また、インクドットを有するウエハの裏面研削にはレジスト法が適用出来ないこともある。
【００１４】
この様な問題を解決する手段として、特開平９−１７７５６号公報には、半導体装置の製造時に半導体の表面を保護するための半導体用保護テープであって、第１の処理で収縮させることができる第１の層と、第２の処理で前記第１の層から剥離させることができる第２の層と、を有することを特徴とする半導体用保護テープが開示されている。この発明の半導体用保護テープは、５〜３０μｍのインク突起（本発明でいうインクドット）を有するウエハの裏面研磨を可能にしている。しかし、該テープは、半導体ウエハ表面に貼着される第１の層（熱収縮テープ）と、第１の層だけではインク突起の形成されたウエハを保護するのに不十分なため、これを補うための第２の層（なんらかの処理によって剥離し易くなるテープ）の２種類の粘着テープが積層された構成となっており、従来の半導体ウエハ保護テープに比べ、粘着フィルムの製造コスト面で不利である。また、３０μｍを超える突起状物を表面に有する半導体ウエハを裏面研削することについては言及していない。
【００１５】
上記の様な状況の中で、突起物の高さ、チップの薄層化に制約がかかり、それに伴いチップの実装技術やＩＣカードの発展にも制約がかかってきている。
【００１６】
その為、ハイバンプ電極やインクドットの様な、表面に高さが２５〜３００μｍの突起状物を有する半導体ウエハの裏面を研削するに際して、特に適した半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムが望まれている。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、上記問題に鑑み、ハイバンプ電極、インクドット等の如き高さが１０〜１００μｍの突起状物を表面に有する半導体ウエハの裏面を研削するに際し、半導体ウエハの破損防止、マイクロクラック及びディンプルの発生防止、半導体ウエハ表面の汚染防止等を図ることができる半導体ウエハの裏面研削方法、及びその方法に用いる裏面研削用粘着フィルムに関わる技術を完成した。かかる発明については、特願平８−３４７４３２号、特願平９−１６８６２１号等として特許出願した。
【００１８】
上記の特許出願に関わる粘着フィルムは、突起状物の高さが１０〜１００μｍ（特に、２５μｍ〜１００μｍ）であることを前提とし、基材フィルムの性質、粘着剤層の種類を特定し、且つ、突起状物の高さと基材フィルムの厚み、粘着剤層の厚みに関して特定の関係を有するものである。
【００１９】
本発明者らは、突起状物を有する半導体ウエハの裏面を研削する方法に関し、引き続き研究を行った。その中で、今後の実装方法のさらなる多様化に伴い、上記突起状物の高さが１００μｍを超え３００μｍ近い高さになることが判明した。その場合、上記特許出願の技術では対応出来ない恐れも生じてきた。
【００２０】
本発明の目的は、上記問題に鑑み、ハイバンプ電極、インクドット等の高さが２５〜３００μｍ、さらに厳しくは１００〜３００μｍである突起物を表面に有する半導体ウエハの裏面を研削するに際し、半導体ウエハの破損防止、マイクロクラック及びディンプルの発生防止、半導体ウエハ表面の汚染防止等を図ることができる半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの裏面研削方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意検討した結果、半導体ウエハの表面回路にハイバンプ電極、インクドット等の如き高さが２５〜３００μｍ、さらに厳しくは１００〜３００μｍである突起状物が形成されていても、粘着フィルムの基材フィルム層と粘着剤層の層間に、前記突起状物の高さ（Ａ）と特定関係の厚み（Ｂ）を有し、且つ柔軟性に富んだ熱可塑性樹脂層を形成することにより、上記課題が解決し得ることを見出し、本発明に到った。
【００２２】
すなわち、本発明は、半導体ウエハの裏面を研削する際にその回路形成表面に貼付される半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムであって、該半導体ウエハが、その回路形成表面が電極及び不良回路識別マークから選ばれた少なくとも１種の高さ（Ａ）２５〜３００μｍの突起状物を有し、該粘着フィルムが、厚みが１０〜５００μｍである基材フィルム（１）の片面に、（ア）架橋剤と反応し得る官能基を有するアクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマー、（イ）１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤を含む厚み１〜３０μｍの粘着剤層（２）が形成され、基材フィルム（１）と粘着剤層（２）の層間に、ＪＩＳ−Ａ硬度が１０〜５５、厚み（Ｂ）が２８〜４００μｍである熱可塑性樹脂中間層（３）が配設され〔但し、１．１Ａ≦Ｂ〕、且つ、該粘着フィルムのＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力が５〜４００ｇ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムである。
【００２３】
また、他の発明は、前記発明に係わる半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムを用いる半導体ウエハの裏面研削方法である。
【００２４】
本発明の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムの特徴は、基材フィルムと粘着剤層との層間に、特定の硬度を有する熱可塑性樹脂層を設けたこと、及び、半導体ウエハ表面の突起状物の高さ、及び、熱可塑性樹脂層の厚みの関係を特定の範囲に限定したことにある。
【００２５】
本発明の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムを用いて、半導体ウエハの裏面を研削するに際し、該半導体ウエハの表面にハイバンプ電極、不良回路識別マーク等の高さが２５〜３００μｍである突起状物が形成されていても、裏面の研削応力に起因してウエハが破損することがないばかりでなく、チップレベルでの破損（マイクロクラック）を生じることがない。さらには、突起状物に起因するディンプルの発生を抑えることが出来る。
【００２６】
通常、半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムの粘着剤層は、ウエハ表面の凹凸（突起状物を含む）が大きくなると相応に厚くなる。この為、裏面研削終了後、粘着フイルムの剥離時の粘着力が高くなり、例えばＩＣカード用の場合等、研削後の厚みが１５０μｍ以下になる場合では、剥離時にウエハを破損することがある。本出願人の出願に係わる特願平８−３４７４３２号、特願平９−１６８６２１号等に係わる発明は、この粘着力の上昇を押さえる為に、粘着剤層の組成を限定している。しかし、本発明においては、突起状物の高さに関係なく、粘着剤層の厚みを１〜３０μｍとすることが出きる。その為、粘着力は必要以上に上昇する事がない。従って、剥離時にウエハを破損する事もない。
【００２７】
また、本発明に係わる半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムは、粘着剤層の厚みを１〜３０μｍ程度に比較的薄く形成される。その為、粘着剤層の凝集破壊が起こり難く、粘着フィルムを剥離した後の半導体ウエハ表面に、粘着剤層に起因する汚染が生じることがない。さらに、半導体ウエハの表面と粘着剤層の間に水が侵入することに起因するウエハの破損及びウエハ表面の汚染もない。当然のことながら、レジストを用いる必要がなく工程が簡略できるという効果をも奏する。
【００２８】
尚、本発明でいうハイバンプ電極は、フリップチップ実装等のワイヤレスボンディング法により半導体チップを実装する際に適した電極として、半導体ウエハの表面に回路と共に形成されたものである。通常、ハイバンプ電極を有する半導体チップは、この電極によりプリント配線基盤上に直接接続される。該電極は１０〜３００μｍ程度の高さを有する。この様なハイバンプ電極を有する半導体ウエハは、従来のものに比べて回路の電極部分のみが突出した状態（突起状物）を呈している。この形状は、円柱状、角柱状、キノコ状、球状等とバンプの形成方法や、チップに要求される性能等により様々な形状がある。
【００２９】
また、本発明でいうインクドットは、半導体ウエハの表面に形成された回路（チップ）を検査、選別し、不良回路を識別する為に不良回路上に付けられたマークである。通常、直径０．１〜２ｍｍ、高さ１０〜１００μｍ程度の赤色等の色素で着色された円柱状のものであり、インクドットの部分が突出した状態（突起状物）となっている。
【００３０】
ハイバンプ電極やインクドット等の突起状物は、半導体ウエハ表面の全面積の１０％未満程度の部分が前記高さに突出した状態になっている。本発明は、かかる表面形状を有する半導体ウエハの内、特に、２５〜３００μｍ、さらに厳しくは１００〜３００μｍの突起状物を有する半導体ウエハの裏面研削用に適用するものである。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムは、基材フィルム（１）と熱可塑性樹脂層（３）の積層体の該熱可塑性樹脂層（３）側に粘着剤層（２）が形成されたものである。本発明の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムは、ハイバンプ電極及び不良回路識別マークから選ばれた少なくとも１種の高さ（Ａ）が２５〜３００μｍの突起状物を有する半導体ウエハの表面に直接貼付して、そのウエハの裏面を研削する際に使用されるものである。
【００３２】
本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムは、基材フィルム（１）と熱可塑性樹脂層（３）の積層体を作成した後、該積層体の熱可塑性樹脂層（３）側の表面に粘着剤層を形成することにより製造される。熱可塑性樹脂層（３）側の表面に粘着剤層を形成する方法として、剥離フィルムの片表面に、アクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマー、架橋剤、その他必要に応じて他の添加剤を含む溶液またはエマルジョン液（以下、これらを総称して粘着剤塗布液という）を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、得られた粘着剤層を前記積層体の熱可塑性樹脂層（３）側の表面に転写する方法、前記積層体の熱可塑性樹脂層（３）の表面に粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成する方法が挙げられる。
【００３３】
前者の方法による場合は、使用する際に剥離フィルムを剥離するとよい。後者の方法による場合は、環境に起因する汚染等から保護するために粘着剤層（２）の表面に剥離フィルムを貼着することが好ましい。
【００３４】
基材フィルム（１）と熱可塑性樹脂層（３）の積層体及び剥離フィルムのいずれの片表面に粘着剤塗布液を塗布するかは、該積層体及び剥離フィルムの耐熱性、半導体ウエハ表面の汚染性を考慮して決める。例えば、剥離フィルムの耐熱性が該積層体のそれより優れている場合は、剥離フィルムの表面に粘着剤層（２）を設けた後、積層体の熱可塑性樹脂層（３）側へ転写する。耐熱性が同等または該積層体が優れている場合は、該積層体の表面に粘着剤層（２）を設け、その表面に剥離フィルムを貼着する。
【００３５】
しかし、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムは、剥離フィルムを剥離したときに露出する粘着剤層（２）の表面を介して半導体ウエハ表面に貼着されることを考慮し、粘着剤層（２）による半導体ウエハ表面の汚染防止を図るためには、積層体の耐熱性にかかわらず、耐熱性の良好な剥離フィルムを使用し、その表面に粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層（２）を形成する方法が好ましい。
【００３６】
基材フィルム（１）と熱可塑性樹脂層（３）の積層体は、熱可塑性樹脂層（３）を押出機でフィルム状に押出成形しながら予め用意しておいた基材フィルム（１）とラミネートする方法、基材フィルム（１）と熱可塑性樹脂層（３）を共押出により同時に製膜する方法等により製造される。これらのうち、該積層体の製造コストを考慮すれば、後者の共押出による製造方法が好ましい。共押出の方法は、Ｔダイ押出法のほかに、インフレーション法等が挙げられる。基材フィルム（１）と熱可塑性樹脂層（３）の接着力を高める為に、両者の間に新たに接着層を設けてもよい。
【００３７】
本発明に用いる基材フィルム（１）としては、粘着フィルムの形態を維持する性質を有するものであれば、如何なる樹脂でも用いることができる。しかし、得られる粘着フィルムの製造コストを考慮すれば、汎用樹脂が好ましい。具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−α−オレフィン共重合体、等のポリオレフィン樹脂、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、酢酸ビニル単位の含有量が１〜２８重量％程度のエチレン−酢酸ビニル共重合体、アルキルアクリレート単位の含有量が１〜２８重量％程度であるエチレン−アルキルアクリレート共重合体（アルキル基の炭素数１〜４）、アクリル酸単位またはメタクリル酸単位の含有量が１〜２０重量％程度であるエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、等の変性ポリオレフィン樹脂、さらには、アクリル樹脂、アイオノマー、ポリ塩化ビニル、ポリアミド等が挙げられる。
【００３８】
基材フィルム（１）に可塑剤等の各種添加剤を添加する場合、添加剤が熱可塑性樹脂層（３）や粘着剤層（２）に移行して、熱可塑性樹脂層（３）や粘着剤層（２）の特性を変化させたり、粘着剤層（２）に移行した場合には、ウエハ表面を汚染する事がある。この様な場合には、基材フィルム（１）と熱可塑性樹脂層（３）との間にバリヤー層を設けることが好ましい。
【００３９】
基材フィルム（１）は一層体であっても、また、二層以上であってもよい。基材フィルムの厚みは１０〜５００μｍである。薄くなると、粘着フィルムの形態を維持する性質が劣ってくる傾向にあり、それに伴い該粘着フィルムの取扱作業性に影響を与える。厚くなると、基材フィルム（１）の生産性に影響をあたえ、製造コストの増加につながる。基材フィルム（１）の硬さ、粘着フィルムの形状安定性、製造コスト等を考慮し、上記範囲内で適宜選択する。
【００４０】
基材フィルム（１）の厚みバラツキは、裏面研削後のウエハの局所的な厚みバラツキ（ディンプル）にはあまり影響を与えないが、全体的な厚みバラツキには影響を与える。かかる観点から、基材フィルムはその平均厚みの±５％程度の範囲内の厚みバラツキで製造されたものであることが好ましい。さらに好ましくは±３％以内であり、より好ましくは±２％以内である。ここで言う厚みバラツキとは、無作為に採取した約１０ｃｍ四方の大きさのサンプルを縦横約１ｃｍ毎に測定した際の平均厚みに対するバラツキのことである。
【００４１】
また、基材フィルム（１）の熱可塑性樹脂層（３）が設けられる面の反対側の面に、他のフィルムをさらに積層しても良い。例えば、半導体ウエハの裏面を研削した後に施されるエッチング液によるエッチング処理の際にも引続き、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを用いて半導体ウエハの表面を保護する場合には、耐薬品性フィルムを基材フィルム（１）の熱可塑性樹脂層（３）が設けられる面と反対側に積層してもよい。耐薬品性フィルムとしては、ポリプロピレンフィルム、ポリエステルフィルム等が挙げられる。基材フィルム（１）は、カレンダー法、Ｔダイ押出法、インフレーション法等、公知の技術により製造することが出来る。これらの中で、粘着フィルムの製造コストを考慮すれば、熱可塑性樹脂層（３）と共押出することにより製造することが好ましい。
【００４２】
本発明の粘着フィルムに配設する熱可塑性樹脂層（３）は、本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを半導体ウエハの表面に貼付した際に、半導体ウエハ表面上の突起状物に対応して変形する。その為、粘着剤層（２）の厚みが薄い場合であっても、半導体ウエハの表面に粘着剤層（２）を密着させることができる。また、突起状物に伴う段差を吸収し、基材フィルム（１）へ段差の影響を殆ど伝えない。さらには、裏面研削時の衝撃を吸収する機能も有する。従って、該突起状物に伴うウエハ裏面研削時のウエハの破損を防止したり、マイクロクラックの発生を防止したり、ディンプルの発生を防止する効果を有する。
【００４３】
本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムは、熱可塑性樹脂層（３）が基材フィルム層（１）と粘着剤層（２）の層間に存在する為、粘着剤層（２）を特に厚くする必要が無く、１〜３０μｍの範囲内で十分である。その為、粘着剤層（２）を形成する際の塗工、乾燥工程に時間がかからない。従って、突起状物を表面に有する半導体ウエハの裏面を研削する為の粘着フィルムをより低コストで供給することが可能となる。
【００４４】
さらに本発明の粘着フィルムは、粘着剤層（２）の凝集破壊（所謂、ウエハ表面への糊のこり）が生じ難く、また、粘着フィルムの粘着力も低く抑えることも出来、ＩＣカード用等、裏面研削後の厚みが薄い半導体ウエハにも適用できる。熱可塑性樹脂層（３）の存在により、粘着剤層（２）の厚みを１〜３０μｍの範囲に抑えることが可能となった事に起因するものと推定される。
【００４５】
熱可塑性樹脂層（３）は、硬くなり過ぎると、突起状物に対する変形が起こりにくくなり、ディンプルの発生、マイクイロクラックの発生を生じる傾向がある。また、粘着剤層（２）とウエハ表面の密着性が悪くなり裏面研削中に、水や研削屑が浸入しウエハ表面を汚染したり、さらには裏面研削中のウエハの破損を引き起こす傾向がある。柔らかくなり過ぎると、樹脂層（３）の形状が安定せず本発明の粘着フィルムを製造できなくなる傾向がある。かかる観点から、熱可塑性樹脂層（３）の硬度は、ＪＩＳ Ｋ−６３０１−１９９５に規定されるＡ型硬さ（ＪＩＳ−Ａ硬度ともいう）が１０〜５５であることが好ましい。より好ましくは１５〜５０である。
【００４６】
熱可塑性樹脂層（３）の材質としては、ＪＩＳ−Ａ硬度が上記範囲内の樹脂フィルム、またはそれと同等の性能を有するものであれば、適宜用いる事ができる。しかし、該樹脂層（３）に含まれる添加剤が粘着剤層（２）を汚染し該粘着剤層（２）の特性を変化させたり、また、粘着剤層（２）を汚染した添加剤がそのままウエハ表面を汚染することがある。それらを考慮すれば、可塑剤等の添加剤の添加量が少ないもの、または全く含まないものが好ましい。
【００４７】
例示すると、酢酸ビニル単位の含有量が３０〜５０重量％程度のエチレン−酢酸ビニル共重合体、アルキルアクリレート単位の含有量が３０〜５０重量％程度であるエチレン−アルキルアクリレート共重合体（アルキル基の炭素数１〜４）、密度が０．８９ｇ／ｃｍ3未満である低密度ポリエチレン、密度が０．８９ｇ ／ｃｍ3未満であるエチレン−α−オレフィン共重合体（α−オレフィンの炭素 数３〜８）等から成形された樹脂フィルムが挙げられる。これらの内、酢酸ビニル単位の含有量が３０〜５０重量％程度のエチレン−酢酸ビニル共重合体、エチルアクリレート単位の含有量が３０〜５０重量％程度であるエチレン−エチルアクリレート共重合体から成形された樹脂フィルムが好ましい。
【００４８】
上記樹脂において、酢酸ビニル単位およびアルキルアクリレート単位の含有量は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）または赤外分光光度計（ＩＲ）によって測定することができる。また、本発明でいう樹脂の密度は、ＡＳＴＭ−Ｄ−１５０５に準拠して測定した値である。
【００４９】
熱可塑性樹脂層（３）には必要に応じて、安定剤、滑剤、酸化防止剤、顔料、可塑剤、等を含有していても良い。しかし、添加剤の種類、含有量によっては、上記の様に粘着剤層（２）が汚染されることもある。この場合は、熱可塑性樹脂層（３）と粘着剤層（２）との間にバリヤー層を設けることが好ましい。
【００５０】
ＪＩＳ−Ａ硬度が１０〜５５（より好ましくは１５〜５０）の樹脂フィルムと同等の性能を有するものとしては、上記樹脂にＪＩＳ−Ａ硬度が本発明の範囲外である他の樹脂をブレンドしたフィルムや、ＪＩＳ−Ａ硬度が本発明の範囲外の樹脂に可塑剤等の各種添加剤や、他の樹脂等を混合して、成形加工することにより得られたフィルムであって、ＪＩＳ−Ａ硬度が１０〜５５（より好ましくは１５〜５０）である樹脂フィルムが挙げられる。
【００５１】
熱可塑性樹脂層（３）の厚み（Ｂ）は、半導体ウエハ表面に粘着剤層（２）を密着させる効果、突起状物に伴う段差を吸収し、基材フィルム（１）へ段差の影響を殆ど伝えない効果等を考慮すれば、厚い程好ましい。しかし、厚くなり過ぎると製造コストに影響を与える。その為、突起状物の高さ（Ａ）２５〜３００μｍに対し、２８〜４００μｍ（但し、１．１Ａ≦Ｂ）である。また、突起状物の高さ（Ａ）と熱可塑性樹脂層（３）の厚み（Ｂ）のより好ましい関係は１．３Ａ≦Ｂである。
【００５２】
熱可塑性樹脂層（３）を形成する方法として、熱可塑性樹脂層（３）をＴダイ押出機でフィルム状に押出成形しながら、予め用意しておいた基材フィルム（１）とラミネートする方法、基材フィルム（１）と熱可塑性樹脂層（３）を共押出により同時に製膜する方法等が挙げられる。これらのうち、該積層体の製造コストを考慮すれば、後者の共押出による製造方法が好ましい。共押出の方法は、Ｔダイ押出法のほかに、インフレーション法等が挙げられる。
【００５３】
基材フィルム（１）と熱可塑性樹脂層（３）の接着力を高める為に、両者の間に新たに接着層を設けてもよい。また、熱可塑性樹脂層（３）と粘着剤層（２）の接着力を高める為に、熱可塑性樹脂層（３）の粘着剤層（２）を設ける面にはコロナ放電処理または化学処理等を施すことが好ましい。また、熱可塑性樹脂層（３）と粘着剤層（２）の間に下塗り剤を用いてもよい。
【００５４】
本発明の粘着フィルムに用いる粘着剤層（２）は、（ア）架橋剤と反応し得る官能基を有するアクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマー、（イ）１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤を含む粘着剤塗布液を塗布乾燥して得られるものである。本発明の粘着フィルムは熱可塑性樹脂層（３）を基材フィルム（１）と粘着剤層（２）の間に設けている。その為、粘着剤層（２）はウエハ表面の突起状物の段差を吸収するほど厚くする必要はなく、ウエハ表面との界面接着力が得られる程度でよい。ウエハ表面との界面接着力は、粘着剤層（２）が存在しなくとも、熱可塑性樹脂層（３）の表面とウエハ表面でも得ることが出来る。しかし、この場合、熱可塑性樹脂層（３）がウエハ表面を汚染し、該ウエハから得られるチップの製品不良の原因となる。
【００５５】
粘着剤層（２）を形成する際に用いる粘着剤塗布液は、（ア）架橋剤と反応し得る官能基を有するアクリル酸アルキエステル系粘着剤ポリマー、（イ）１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤を含む溶液またはエマルジョン液である。本発明に用いるアクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマーは、アクリル酸アルキルエステル及び／またはメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとして、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーを含むモノマー混合物を共重合して得られる。アクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマーを含む液体（以下、粘着剤主剤）は溶液、エマルジョン液等の何れでもよい。
【００５６】
主モノマーとしては、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、また、２種以上を混合して使用してもよい。主モノマーの使用量は粘着剤ポリマーの原料となる全モノマーの総量中に、通常、６０〜９９重量％の範囲で含まれていることが好ましい。
【００５７】
上記主モノマーと共重合させる、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーとして、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアルキルエステル、メサコン酸モノアルキルエステル、シトラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブチルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。これらの一種を上記主モノマーと共重合させてもよいし、また２種以上を共重合させてもよい。上記の架橋剤と反応しうる官能基を有するコモノマーの使用量は、粘着剤ポリマーの原料となる全モノマーの総量中に、通常、１〜４０重量％の範囲で含まれていることが好ましい。
【００５８】
本発明においては、上記粘着剤ポリマーを構成する主モノマー及び架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの他に、界面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー（以下、重合性界面活性剤と称する）を共重合してもよい。重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモノマーと共重合する性質を有すると共に乳化重合する場合には乳化剤としての作用を有する。重合性界面活性剤を用いて乳化重合した粘着剤ポリマーを用いた場合には、通常、界面活性剤によるウエハ表面に対する汚染が生じない。また、粘着剤層（２）に起因する僅かな汚染が生じた場合においても、ウエハ表面を水洗することにより容易に除去することが可能となる。
【００５９】
この様な重合性界面活性剤の例としては、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；アクアロンＲＮ−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０等〕、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０等〕、及び分子内に重合性２重結合を持つ、スルホコハク酸ジエステル系のもの〔花王（株）製；ラテムルＳ−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等〕等が挙げられる。
【００６０】
さらに必要に応じて、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、イソシアネートエチルアクリレート、イソシアネートエチルメタクリレート、２−（１−アジリジニル）エチルアクリレート、２−（１−アジリジニル）エチルメタクリレート等の自己架橋性の官能基を持ったモノマー、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の重合性２重結合を持ったモノマー、ジビニルベンゼン、アクリル酸ビニル、メタクリル酸ビニル、アクリル酸アリル、メタクリル酸アリル等の多官能性のモノマー等を共重合してもよい。
【００６１】
粘着剤ポリマーを重合する方法としては、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、等既知の様々な方法が採用できるが、得られる粘着剤ポリマーの分子量およびそれにともなう粘着剤の凝集力への影響を考慮する必要がある。これらの重合方法の内、高分子量のポリマーが得られること、塗布、乾燥工程における環境汚染、塗布性等を勘案すると乳化重合法が好ましい。
【００６２】
粘着剤ポリマーの重合反応機構としては、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられるが、粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響および半導体ウエハ表面へのイオンの影響、等を等慮すればラジカル重合によって重合することが好ましい。ラジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等のアゾ化合物、等が挙げられる。
【００６３】
乳化重合法により重合する場合には、これらのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウエハ表面へのイオンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物がさらに好ましい。４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が特に好ましい。
【００６４】
粘着剤層（２）に用いる架橋性の官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤は、粘着剤ポリマーが有する官能基と反応させ、粘着力および凝集力を調整するために用いる。架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物、
トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート等のアジリジン系化合物、及びヘキサメトキシメチロールメラミン等のメラミン系化合物等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６５】
架橋剤の含有量は、通常、架橋剤中の官能基数が粘着剤ポリマー中の官能基数よりも多くならない程度の範囲で含有する。しかし、架橋反応で新たに官能基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合など、必要に応じて過剰に含有してもよい。好ましい含有量は、粘着剤ポリマー１００重量部に対し架橋剤０．１〜１５重量部である。
【００６６】
少な過ぎると、粘着剤層（２）の凝集力が不十分となり、ウエハ表面（特に突起状物周辺）で糊残りが生じ易くなることがある。また、得られる粘着フィルムの粘着力が本発明の範囲を外れて高くなることがある。多過ぎると、熱可塑性樹脂層（３）の変形を妨害し、粘着剤層（２）とウエハ表面との密着力が弱くなり、研削中に水や研削屑が浸入し、該粘着フィルムの剥離によるウエハの破損が生じたり、研削屑によるウエハ表面の汚染が生じたりすることがある。
【００６７】
粘着剤塗布液には、上記の粘着剤ポリマー、架橋剤の他に、粘着特性を調整するためにロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等を本願発明の目的に影響しない程度に適宜含有してもよい。また、粘着剤ポリマーがエマルジョン液である場合は、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル等の造膜助剤を本願発明の目的に影響しない程度に適宜添加してもよい。造膜助剤として使用されるジエチレングリコールモノアルキルエーテル類およびその誘導体は、粘着剤層（２）に起因するウエハ表面の汚染を除去し易くする効果もある。
【００６８】
本発明の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムは、粘着剤層（２）の厚みが比較的薄いことが特徴のひとつである。粘着剤層（２）の厚みは１〜３０μｍである。熱可塑性樹脂層（３）がウエハ表面の突起状物に対応して変形する際、粘着剤層（２）が熱可塑性樹脂層（３）の変形に追従できなくなることがないように、この範囲内で適宜選択する。厚みが厚くなると粘着フィルムの生産性に影響をあたえ、製造コストの増加につながることがある。さらには、粘着フィルムの粘着力が必要以上に上昇し、裏面研削後に粘着フィルムを剥離する際に剥離粘着力の上昇に伴う、ウエハの破損を引き起こしたり、ウエハ表面に粘着剤層（２）に起因する汚染が生じたりすることがある。従って、特に好ましい粘着剤層（２）の厚みは１〜２０μｍである。
【００６９】
本発明のウエハ裏面研削用粘着フィルムの粘着力は、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力に換算すると５〜４００ｇ／２５ｍｍ、好ましくは、１０〜３００ｇ／２５ｍｍである。ウエハ裏面の研削条件、ウエハの口径、研削後のウエハの厚み等を勘案して上記範囲に調整する。
【００７０】
本発明においては、熱可塑性樹脂層（３）がウエハ表面の突起状物に対応して変形するだけでなく、スクライブライン等のその他の表面形状にも対応する。その為、粘着力の強弱にかかわらず、ウエハ表面に対する密着性が良好である。また、粘着力が高過ぎると裏面研削後の剥離時に自動テープ剥がし機で剥離トラブルが発生する等、剥離作業性が低下したり、ウエハを破損することがある。
【００７１】
本発明の粘着フィルムに使用する剥離フィルムとして、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムが挙げられる。必要に応じてその表面にシリコーン処理等が施されたものが好ましい。剥離フィルムの厚みは、通常１０〜２０００μｍである。好ましくは３０〜１００μｍである。
【００７２】
基材フィルム層（１）と熱可塑性樹脂層（３）の積層体の熱可塑性樹脂層（３）側、または剥離フィルムの片表面に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えばロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、６０〜２００℃の温度範囲において１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。さらに好ましくは８０〜１７０℃において１０秒〜３分間乾燥する。架橋剤と粘着剤ポリマーとの架橋反応を十分に促進させるために、被粘着剤塗布液の乾燥が終了した後に、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを４０〜８０℃において５〜３００時間程度加熱しても良い。
【００７３】
本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムの製造方法は、上記の通りであるが、半導体ウエハ表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィルム、粘着剤主剤等全ての原料資材の製造環境、粘着剤塗布液の調製、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持されていることが好ましい。
【００７４】
次に、半導体ウエハの裏面研削方法について説明する。本発明の半導体ウエハの裏面研削方法は、表面に高さ（Ａ）が２５〜３００μｍ、さらに厳しくは１００〜３００μｍのハイバンプ電極及び不良回路識別マークから選ばれた少なくとも１種の突起状物を有する半導体ウエハの裏面を研削する際に、上記方法により製造された半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを用いることに特徴がある。
【００７５】
その詳細は、先ず、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム（以下、粘着フィルムという）の粘着剤層（２）から剥離フィルムを剥離し、粘着剤層（２）の表面を露出させ、その粘着剤層（２）を介して、高さ（Ａ）が２５〜３００μｍの突起状物を有する集積回路が組み込まれた側の半導体ウエハの表面に貼着する。次いで、研削機のチャックテーブル等に粘着フィルムの基材フィルム（１）を介して半導体ウエハを固定し、半導体ウエハの裏面を研削する。研削が終了した後、粘着フィルムは剥離される。裏面の研削が完了した後、粘着フィルムを剥離する前にケミカルエッチング工程やＣＭＰ（メカノケミカルポリッシング）工程を経ることもある。また、必要に応じて、粘着フィルム剥離後に、半導体ウエハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄等の洗浄処理が施される。
【００７６】
この様な裏面研削操作において、半導体ウエハは、研削前の厚みが、通常、５００μｍ〜１０００μｍであるのに対して、半導体チップの種類等に応じ、通常、１００μｍ〜６００μｍ程度まで、研削される。研削する前の半導体ウエハの厚みは、半導体ウエハの口径、種類等により適宜決められ、研削後の厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類、用途等により適宜決められる。
【００７７】
粘着フィルムを半導体ウエハに貼着する操作は、人手により行われる場合もあるが、一般に、ロール状の粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称される装置によって行われる。この様な自動貼り機として、例えば、タカトリ（株）製ＡＴＭ−１０００Ｂ、同ＡＴＭ−１１００、帝国精機（株）製ＳＴＬシリーズ等がある。裏面研削方式としては、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用される。それぞれ、研削は水を半導体ウエハと砥石にかけて冷却しながら行われる。
【００７８】
裏面研削終了後、粘着フィルムを貼着したまま、必要に応じてケミカルエッチングが行われる。ケミカルエッチングは、弗化水素酸や硝酸、硫酸、酢酸等の単独もしくは混合液からなる酸性水溶液や、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ性水溶液、なる群から選ばれたエッチング液に、粘着フィルムを貼着した状態で半導体ウエハを浸漬する等の方法や、ウエハを回転させながら裏面側にのみ選択的にエッチング液をかける方法（ＳＥＺ）等により行われる。該エッチングは、半導体ウエハ裏面に生じた歪の除去、ウエハのさらなる薄層化、酸化膜等の除去、電極を裏面に形成する際の前処理、等を目的として行われる。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜選択される。
【００７９】
また、裏面研削終了後，必要に応じてＣＭＰ（メカノケミカルポリッシング）が行われることもある。ＣＭＰは、通常、研磨剤として０．０１μｍ台の微細なＳｉＯ2砥粒をＫＯＨ系のアルカリ水溶液にコロイド状に分散させたものを用い 、ポリッシャとして、軟質ポリウレタン等でおおわれた人工皮革を用いて行われる。ＣＭＰは、ケミカルエッチング同様、半導体ウエハ裏面に生じた歪の除去、ウエハのさらなる薄層化、酸化膜等の除去、電極を裏面に形成する際の前処理、等を目的として行われる。
【００８０】
ＩＣカード用等の目的で、半導体チップはさらに薄層化していく傾向にある。それに伴い、裏面研削後のウエハの厚みも１００μｍを下回るレベルを要求されてきている。通常の裏面研削法でウエハを薄削りするには、限界に近いレベルとなってきており、その為、さらなるウエハの薄層化を目指し、裏面研削後にケミカルエッチングやＣＭＰを併用することが多くなってきている。
【００８１】
裏面研削、ケミカルエッチング、ＣＭＰ終了後、粘着フィルムはウエハ表面から剥離される。この一連の操作は、人手により行われる場合もあるが、一般には、自動剥がし機と称される装置により行われる。この様な、自動剥がし機としては、タカトリ（株）製ＡＴＲＭ−２０００Ｂ、同ＡＴＲＭ−２１００、帝国精機（株）製ＳＴＰシリーズ等がある。また、次工程のダイシング工程において、ウエハの裏面にダイシング時の固定用粘着フィルムを貼着してから、裏面研削用粘着フィルムを剥離する場合もある。
【００８２】
粘着フィルムを剥離した後のウエハ表面は、必要に応じて洗浄される。洗浄方法としては、水洗浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄や、プラズマ洗浄等の乾式洗浄等が挙げられる。湿式洗浄の場合、超音波洗浄を併用してもよい。これらの洗浄方法は、ウエハ表面の汚染状況により適宜選択される。
【００８３】
本発明によれば、これまで裏面研削が困難であった、表面に高さが２５〜３００μｍのハイバンプ電極、インクドット等の如き突起状物を有する半導体ウエハを、そのような突起状物がない従来型のウエハの裏面を研削する際と同様に、簡便に研削することができる。また、該突起上物を表面に有する半導体ウエハの裏面を研削する際に、単にウエハを破損しないだけではなく、マイクロクラックを生じずに研削することができる。また、レジスト等を使用しないため、工程が簡略できる。さらに、半導体ウエハの表面から粘着フィルムを剥離した後、半導体ウエハ表面には粘着剤層に起因する汚染や、研削屑の浸入による汚染が殆どない。ディンプル等の突起状物が原因で生じる、裏面の厚みバラツキも殆ど生じないか、生じても実用上問題のない範囲に抑えることができる。
【００８４】
さらには、本発明の粘着フィルムを製造する際に、基材フィルム（１）と熱可塑性樹脂層（３）の積層体を共押出法により製造すれば、粘着剤層（２）の厚みを突起状物の高さの割には薄くすることができる（１〜３０μｍ、特に好ましくは１〜２０μｍ）為、粘着フィルムの製造コストを下げることもできる。
【００８５】
本発明は、高さ（Ａ）が２５〜３００μｍの突起状物を有する半導体ウエハの裏面研削に適用されるが、該突起状物の高さが５０〜３００μｍ、１００〜３００μｍと高くなる程、その効果がより顕著になる。
【００８６】
本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの裏面研削方法が適用できる半導体ウエハとして、Ｐ型やＮ型等のシリコンウエハのみならず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム等のウエハが挙げられる。
【００８７】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明についてさらに詳細に説明する。以下に示す全ての実施例及び比較例において、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持された環境において粘着剤塗布液の調製および塗布、並びに、半導体シリコンウエハの裏面研削等を実施した。本発明はこれら実施例に限定されるものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記の方法で測定した。
【００８８】
（１）熱可塑性樹脂層（３）のＪＩＳ−Ａ硬度
原料樹脂ペレットを型枠に入れ、１５０〜１６０℃の熱をかけ、厚さ３ｍｍ、一辺の長さが１５０ｍｍのプレスシートを作製する。得られたプレスシートから、幅２０ｍｍ、長さ１００ｍｍ、厚さ３ｍｍの試験片を作製する。試験片を５枚重ねあわせた後（厚さ合計：１５ｍｍ）、ＪＩＳ−Ｋ−６３０１−１９９５に規定される方法により測定する。（測定雰囲気：２３℃、相対湿度５０％）
【００８９】
（２）粘着力（ｇ／２５ｍｍ）
下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳ Ｚ−０２３７−１９９１に規定される方法により測定する。２３℃の雰囲気下において、実施例または比較例で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、５×２０ｃｍのＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ−Ｇ−４３０５規定）の表面に貼着し、１時間放置する。試料の一端を挟持し、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離する際の応力を測定し、ｇ／２５ｍｍの粘着力に換算する。
【００９０】
（３）実用評価
実施例または比較例の半導体シリコンウエハ（直径：６インチ、厚み：６００μｍ）の表面に、実施例または比較例の粘着フィルムを貼着し、研削機を用いて、水をかけて冷却しながら半導体シリコンウエハの裏面を研削して、１５０μｍまで研削する。各粘着フィルム毎に１０枚の半導体シリコンウエハについて評価する。
研削終了後、半導体シリコンウエハの破損状況を破損した枚数で評価し、さらに破損しなかった半導体シリコンウエハについて、表面と粘着フィルムとの間に周辺から水が浸入したか否かを目視で観察し、水浸入の生じた枚数を評価する。水浸入の観察終了後、表面保護テープ剥がし機〔タカトリ（株）製、ＭＯＤＥＬ：ＡＴＲＭ−２０００Ｂ；使用剥がしテープ：ハイランド印フィラメントテープＮｏ．８９７〔住友スリーエム（株）製〕〕で該粘着フィルムを剥離する。該粘着フィルム剥離時の破損状況を破損した枚数で評価する。
さらに、該粘着フィルム剥離時に破損しなかったウエハの表面を、洗浄機〔大日本スクリーン製造（株）製：Ｄ−ＳＰＩＮ ６２９〕を用いて水洗した後、光学顕微鏡〔（株）ニコン製：ＯＰＴＩＰＨＯＴ２〕を用いて５０〜１０００倍の範囲に拡大して観察し、マイクロクラック発生状況およびチップ毎の汚染の観察を行ない、下記の基準で評価する。
・マイロクラック発生率（％）：
〔（マイロクラックが発生したチップ数）／（観察したチップ数）〕×１００
・汚染発生率（％）：
〔（汚染チップ数）／（観察したチップ数）〕×１００
【００９１】
（４）ウエハ裏面のディンプルの発生
裏面の研削が終了したウエハの裏面を目視によってディンプルの有無を観察する。ディンプルが観察された場合、凹みの深さを測定する。深さ５μｍ以上のディンプルが発生した場合、実用上問題ありと判断する。
【００９２】
実施例１
〔基材フィルム（１）と熱可塑性樹脂層（３）の積層体の調製〕
基材フィルム（１）用の樹脂として、低密度ポリエチレン樹脂〔三井化学（株）製、銘柄：ミラソン １６、密度０．９２３ｇ／ｃｍ3、以下、ＬＤＰＥとい う）を用い、熱可塑性樹脂層（３）用の樹脂として、ＪＩＳ−Ａ硬度が２８のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂〔三井・デュポンポリケミカル（株）製、銘柄：エバフレックスＥＶ４５ＬＸ、酢酸ビニル単位含有量：４６重量％、以下、ＥＶＡ１という〕を用い、２台の押出機を用いて、Ｔダイによる共押出法により、厚さ５０μｍ基材フィルム（１）と厚さ２００μｍの熱可塑性樹脂層（３）の積層体を作製した。この際、熱可塑性樹脂層（３）の粘着剤層（２）を設ける面にコロナ処理を施した。得られた積層体の厚みバラツキは±１．５％以内であった。
【００９３】
〔粘着剤主剤の重合〕
重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開始剤として４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．５重量部、アクリル酸ブチル７３．２５重量部、メタクリル酸メチル１４重量部、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル９重量部、メタクリル酸２重量部、アクリルアミド１重量部、水溶性コモノマーとしてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキサイドの付加モル数：平均約２０）の硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製：アクアロンＨＳ−２０〕０．７５重量部を用い、攪拌下で７０℃において９時間乳化重合を実施し、アクリル樹脂系水エマルジョンを得た。これを１４重量％アンモニア水で中和し、固形分４０重量％の粘着剤ポリマーエマルジョン（粘着剤主剤）を得た。
【００９４】
〔粘着剤塗布液の調整〕
得られた粘着剤主剤エマルジョン１００重量部（粘着剤ポリマー濃度４０重量％）を採取し、さらに１４重量％アンモニア水を加えてｐＨ９．３に調整した。次いで、アジリジン系架橋剤〔日本触媒化学工業（株）製、ケミタイトＰＺ−３３〕４重量部、ジエチレングリコールモノブチルエーテル５重量部を添加して粘着剤塗布液を得た。
【００９５】
〔粘着フィルムの作製〕
得られた粘着剤塗布液をロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で１分間乾燥し厚さ１０μｍの粘着剤層を設けた。基材フィルム（１）と熱可塑性樹脂層（３）の積層体のコロナ処理面を粘着剤層と貼り合わせ押圧して、粘着剤層（２）を熱可塑性樹脂層（３）の表面に転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は１２０ｇ／２５ｍｍであった。
【００９６】
〔粘着フィルムの評価〕
得られた粘着フィルムを、高さ１５０μｍのハイバンプ電極（球状）を有する１００ｍｍ2の集積回路が周辺まで組み込まれた半導体シリコンウエハ（直径： ６インチ、厚み：６００μｍ、スクライブラインの幅：１００μｍ、スクライブラインの深さ：３μｍ）の表面（集積回路側）に貼着し、研削機を用いて、水をかけて冷却しながら半導体シリコンウエハの裏面を研削し、厚みを約１５０μｍとした。同様のウエハ１０枚に対して同様の操作を行った。研削中に破損したウエハは皆無であった。
研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に水浸入は観察されなかった。これら１０枚のウエハから、表面保護テープ剥がし機｛タカトリ（株）製、ＭＯＤＥＬ：ＡＴＲＭ−２０００Ｂ；使用剥がしテープ：ハイランド印フィラメントテープＮｏ．８９７〔住友スリーエム（株）製〕｝を用いて粘着フィルムを剥離した。粘着フィルム剥離中に破損したウエハは皆無であった。
得られた半導体ウエハの表面を、洗浄機〔大日本スクリーン製造（株）製：Ｄ−ＳＰＩＮ６２９〕を用いて水洗した後、半導体シリコンウエハの厚みバラツキの評価および、顕微鏡によるウエハ表面の汚染状況を観察した。ウエハ表面には、粘着剤等による汚染等は観察されなかった。裏面研削状況を目視で観察したが、ディンプルは見られなかった。主な製造条件、及び結果を〔表１〕及び〔表２〕に示す。
【００９７】
実施例２
基材フィルム（１）として、厚さ５０μｍの２軸延伸ポリプロピレン（以下、ＯＰＰという）を用い、熱可塑性樹脂層（３）用の樹脂として、ＪＩＳ−Ａ硬度が４９のエチレン−エチルアクリレート共重合体樹脂〔三井・デュポンポリケミカル（株）製、銘柄：エバフレックス−ＥＥＡ、Ａ７０９ エチルアクリレート単位含有量：３５重量％、以下、ＥＥＡ１という〕を用い、Ｔダイにより熱可塑性樹脂層（３）を押出ながら、基材フィルム（２）とラミネートすることにより厚さ５０μｍ基材フィルム（１）と厚さ２００μｍの熱可塑性樹脂層（３）の積層体を作製した。この際、熱可塑性樹脂層（３）の粘着剤層（２）を設ける面にコロナ処理を施した。得られた積層体の厚みバラツキは±１．５％以内であった。
ここで得られた積層体を用いた以外は、実施例１と同様の方法で粘着フィルムを作製し、実施例１と同様の方法で評価した。主な製造条件、及び結果を〔表１〕及び〔表２〕に示す。
【００９８】
実施例３〜５、比較例１〜５
基材フィルム、または熱可塑性樹脂層製造用樹脂として〔表１〕に記載した樹脂を用いた以外、実施例１（実施例３、５、比較例１、４、５）または実施例２（実施例４、比較例２、３）と同様にして、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。
ここで、得られた粘着フィルムについて、実施例１と同様に評価した。結果を〔表１〕または〔表２〕に示す。
【００９９】
使用した樹脂は下記の通りである。
〔基材フィルム〕
ＰＥＴ：２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
〔熱可塑性樹脂層製造用樹脂〕
ＥＶＡ２：エチレン−酢酸ビニル共重合体〔酢酸ビニル単位含有量５０重量％〕、ＥＥＡ２：エチレン−エチルアクリレート共重合体（ＥＡ含有量２５重量％）
尚、評価に使用したウエハは次の通りである。
〔実施例３〕：１００ｍｍ2の集積回路が周辺まで組み込まれた半導体シリコン ウエハ（直径：６インチ、厚み：６００μｍ、ハイバンプ電極無し、スクライブラインの幅：１００μｍ、スクライブラインの深さ：３μｍ）の表面（集積回路側）に高さ２５０μｍ、直径１．５ｍｍのインクドットが全集積回路の１０％に無作為に形成されたウエハ。
〔実施例４、５、比較例１〜５〕：実施例１と同じウエハ。
【０１００】
【表１】

Figure 0003773358
【０１０１】
【表２】
Figure 0003773358
【０１０２】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体ウエハの裏面を研削するに際し、該半導体ウエハの表面にハイバンプ電極、不良回路識別マーク等の高さが２５〜３００μｍである突起状物が形成されていても、裏面の研削応力に起因してウエハが破損することがないばかりでなく、チップレベルでの破損（マイクロクラック）を生じることがない。また、粘着フィルムを剥離した後に糊残りがないので、半導体ウエハの表面を汚染することがない上に、突起状物に起因するディンプルの発生もない。粘着フィルムを剥離する際の粘着力が低く、剥離時にウエハの破損を引き起こす事もない。さらに、半導体ウエハの表面と粘着剤層の間に水が侵入することに起因するウエハの破損及びウエハ表面の汚染もない。
粘着剤層の厚みが、突起状物の高さに比して薄い為、粘着フィルムの製造コストの上昇を防ぐことが出来る。従って、表面に高さが２５〜３００μｍの突起状物が形成されているウエハの裏面を合理的に研削することを可能とするものである。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer and a method for grinding a back surface of a semiconductor wafer using the pressure-sensitive adhesive film. Specifically, an electrode with a specific height (hereinafter referred to as a high bump electrode) and a defective circuit identification mark (hereinafter referred to as an ink dot) were selected on the surface on which the integrated circuit was incorporated (hereinafter referred to as a wafer surface). Adhesive film for semiconductor wafer back grinding that has at least one protrusion and can be used to grind the back surface of a semiconductor wafer that is easily damaged, contaminated, etc., and a semiconductor wafer back grinding method using the adhesive film About.
[0002]
[Prior art]
Usually, a semiconductor integrated circuit is obtained by slicing a high-purity silicon single crystal or the like into a wafer, then incorporating the integrated circuit by ion implantation, etching, etc., and further grinding the back surface of the wafer by grinding, polishing, lapping, etc. It is manufactured by a method of dicing into chips after reducing the thickness to about 100 to 600 μm. During these processes, the semiconductor wafer back grinding adhesive film is attached to the wafer surface via the adhesive layer to prevent damage to the semiconductor wafer during grinding of the wafer back surface and to facilitate grinding. The protection method is used.
[0003]
Specifically, first, an adhesive film for grinding a semiconductor wafer back surface is attached to the wafer surface and the wafer back surface is ground. After the grinding is completed, the film is peeled off and the process proceeds to the next process such as a dicing process.
[0004]
When trying to grind the back surface of the semiconductor wafer by such a method, there is a problem that if the back surface of the semiconductor wafer having a large surface irregularity is ground, the wafer is damaged due to stress during grinding. Actually, a semiconductor wafer has a coating layer such as polyimide, a deposited film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film, a scribe line, and the like, and sometimes the step is 50 μm or more.
[0005]
As means for solving such a problem, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-10242 discloses a wafer processing characterized in that an adhesive is provided on the surface of a base sheet having a Shore D type hardness of 40 or less. A film is disclosed. In the embodiment of the present invention, the backside polishing of a silicon wafer having a surface unevenness difference of 50 μm is actually performed without any problem (without damage).
[0006]
Japanese Patent Laid-Open No. 61-141142 discloses a method in which an adhesive tape made of a rubber material is adhered to the surface of a semiconductor wafer, the tape is cut, and the tape is fixed to a chuck. A method for grinding a semiconductor wafer is disclosed in which the back surface of the semiconductor wafer is ground with a grindstone. In this invention, the back surface grinding of a wafer having a step of about 10 to 80 μm generated by a coating layer made of polyimide or the like on the surface is performed without any particular problem (without damage).
[0007]
Furthermore, WO85 / 05734 discloses a wafer processing film in which an adhesive layer is disposed on one surface of a base film having a Shore D-type hardness of 40 or less. A film for wafer processing is disclosed in which one or more selected from the group consisting of a nonionic surfactant and an ethylene glycol derivative is contained in the pressure-sensitive adhesive layer. Also in the embodiment of the present invention, the backside polishing of a silicon wafer having a surface unevenness difference of 50 μm is actually performed without any problem (without breakage). In addition, it is described that post-treatment such as cleaning after peeling off the wafer processing film can be easily performed.
[0008]
The semiconductor wafer disclosed in the above invention has an unevenness of about 50 μm generated on the circuit by a coating layer such as polyimide, a deposited film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film, a scribe line, etc. It is. However, only about 10% of the surface of the semiconductor wafer is recessed, and the apex of the convex portion is relatively smooth. Usually, the area of the relatively smooth convex portion occupies about 90% of the wafer surface. The adhesive film described in the said invention is applied to the back surface grinding | polishing of such a semiconductor wafer.
[0009]
In recent years, the surface of semiconductor wafers has been diversifying, and even if the wafer itself is not damaged, the wafer has a surface shape in which damage at the chip level (hereinafter referred to as microcrack) occurs or a part of the adhesive tends to remain. There are many more. For example, flips due to packaging thinning, chip mounting area reduction, and the spread of IC cards (smart cards, electronic money, credit cards, next-generation telephone cards, etc.) A wireless bonding method called chip mounting is being adopted, and as a wafer having a chip suitable for such a wireless bonding method, a semiconductor wafer having a protruding high bump electrode having a height of 10 to 300 μm is produced. It is becoming like this. At present, the height of the high bump electrode is mainly about 25 to 100 μm, but due to diversification of mounting methods, it is also considered to increase the height to over 100 μm to about 300 μm.
[0010]
Also, with the diversification of the production process of semiconductor chips, before grinding the back surface of the semiconductor wafer, the chips on the surface of the semiconductor wafer are inspected, and protruding ink dots having a height of 10 to 100 μm are attached to the defective chips. The process of grinding the back surface of the semiconductor wafer is being adopted. Furthermore, regarding the chip used for the IC card, the thickness itself after grinding has become 150 μm or less, and tends to be particularly thin. Therefore, the microcracks tend to occur more easily.
[0011]
When grinding the back surface of a semiconductor wafer having protrusions on the surface, such as the above-mentioned high bump electrodes and ink dots, the conventional adhesive film as described above may not be sufficient. In particular, when the height exceeds 25 μm, depending on various conditions such as the size of the wafer, the thickness after grinding, and the grinding conditions, a microcrack is generated in a part of the wafer or the wafer is completely damaged. There was a thing.
[0012]
In addition, even if no damage occurs, the back surface portion corresponding to the protrusion on the front surface is recessed (hereinafter referred to as dimple) due to the influence of the protrusion, and the thickness accuracy of the wafer deteriorates after grinding. This may affect the next process such as dicing, and may cause product defects. Further, when the adhesive film is peeled off from the ground wafer, a part of the adhesive remains on the surface of the wafer (hereinafter referred to as adhesive residue), which may contaminate the wafer surface. It often occurs around the object, and particularly when it occurs around the high bump electrode described later, it becomes a problem. In the case of adhering around the ink dots (on the defective chip), there is practically no problem, but even in this case, it may cause a secondary contamination by moving to another normal part when cleaning the wafer surface. For this reason, it is preferable that there is no contamination]. Although this contamination depends on the degree, even the pressure-sensitive adhesive disclosed in the third invention of the above-mentioned WO85 / 05734 may be insufficiently removed. Furthermore, during the backside grinding of a semiconductor wafer, water may enter between the wafer surface and the adhesive layer, resulting in damage to the wafer, or grinding waste with water may contaminate the wafer surface. there were.
[0013]
Despite the above-mentioned problems, the wafer should not be damaged at the technical level of the grinding method due to the high performance of chips, diversification of packaging, cost reduction, and the spread of IC cards. In addition to the above, there are demands that microcracks at the chip level do not occur, the wafer surface is further less contaminated, and the thickness accuracy after grinding is improved. At present, a certain thickness of resist is applied to the surface of the semiconductor wafer, the height of the protrusions is reduced (or the protrusions are completely removed), and an adhesive film is applied to perform backside grinding. Back surface grinding is performed only by resist application, and a rational method such as poor workability of resist application and use of a large amount of solvent at the time of resist application and removal is not always performed. In addition, the resist method may not be applicable to backside grinding of a wafer having ink dots.
[0014]
As means for solving such a problem, Japanese Patent Laid-Open No. 9-17756 discloses a semiconductor protective tape for protecting the surface of a semiconductor at the time of manufacturing a semiconductor device, which is contracted by the first treatment. There is disclosed a protective tape for a semiconductor comprising a first layer that can be peeled off and a second layer that can be peeled off from the first layer by a second treatment. The semiconductor protective tape of the present invention makes it possible to polish the back surface of a wafer having 5-30 μm ink protrusions (ink dots in the present invention). However, since the tape is not sufficient to protect the first layer (heat-shrinkable tape) adhered to the surface of the semiconductor wafer and the wafer on which the ink protrusions are formed, only the first layer is used. It has a structure in which two types of adhesive tape, a second layer for supplementing (tape that can be easily peeled off by some treatment), is laminated, which is disadvantageous in terms of manufacturing cost of the adhesive film compared to conventional semiconductor wafer protective tape. It is. Further, there is no mention of back-grinding a semiconductor wafer having protrusions exceeding 30 μm on the surface.
[0015]
Under the circumstances as described above, there are restrictions on the height of the protrusions and the thinning of the chip, and accordingly, the chip mounting technology and the development of the IC card are also restricted.
[0016]
Therefore, an adhesive film for grinding the back surface of a semiconductor wafer that is particularly suitable for grinding the back surface of a semiconductor wafer having a protrusion with a height of 25 to 300 μm, such as a high bump electrode or ink dot, is desired. Yes.
[0017]
[Problems to be solved by the invention]
In view of the above problems, the present inventors have found that when grinding the back surface of a semiconductor wafer having projections having a height of 10 to 100 μm such as high bump electrodes and ink dots on the surface, the semiconductor wafer is prevented from being damaged, microcracks In addition, the present inventors have completed a method for grinding a back surface of a semiconductor wafer capable of preventing occurrence of dimples and preventing contamination of the surface of the semiconductor wafer, and a technology relating to a back surface grinding adhesive film used in the method. Regarding this invention, patent applications have been filed as Japanese Patent Application Nos. 8-347432 and 9-168621.
[0018]
The pressure-sensitive adhesive film related to the above patent application is based on the assumption that the height of the protrusion is 10 to 100 μm (particularly 25 μm to 100 μm), and specifies the properties of the base film and the type of the pressure-sensitive adhesive layer, and It has a specific relationship with respect to the height of the protrusion, the thickness of the base film, and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer.
[0019]
The inventors have continued research on a method of grinding the back surface of a semiconductor wafer having protrusions. In the midst of this, it has been found that the height of the protrusions exceeds 100 μm and is close to 300 μm with further diversification of mounting methods in the future. In that case, there is a fear that the technology of the above-mentioned patent application cannot cope.
[0020]
In view of the above problems, an object of the present invention is to grind the back surface of a semiconductor wafer having a protrusion having a height of 25 to 300 μm, more strictly 100 to 300 μm, such as high bump electrodes and ink dots. To provide an adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer capable of preventing damage to the substrate, preventing occurrence of microcracks and dimples, preventing contamination of the surface of the semiconductor wafer, and a method of grinding the back surface of the semiconductor wafer using the adhesive film is there.
[0021]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies, the present inventors have found that even when protrusions having a height of 25 to 300 μm, more strictly 100 to 300 μm, such as high bump electrodes and ink dots, are formed on the surface circuit of the semiconductor wafer, Between the base film layer and the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film, a thermoplastic resin layer having a height (A) of the protrusion and a thickness (B) having a specific relationship and rich in flexibility is formed. As a result, the inventors have found that the above problems can be solved, and have reached the present invention.
[0022]
That is, the present invention is a pressure-sensitive adhesive film for grinding a semiconductor wafer back surface, which is affixed to a circuit forming surface when grinding the back surface of a semiconductor wafer, wherein the semiconductor wafer has an electrode and a defective circuit identification mark. The adhesive film has at least one kind of height (A) 25-300 μm selected from the above, and the adhesive film has (a) cross-linking on one surface of the base film (1) having a thickness of 10-500 μm. Acrylic acid alkyl ester-based pressure-sensitive adhesive polymer having a functional group capable of reacting with an agent, (A) a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 1 to 30 μm containing a crosslinking agent having two or more cross-linking reactive functional groups in one molecule (2 ), And a thermoplastic resin intermediate layer (3) having a JIS-A hardness of 10 to 55 and a thickness (B) of 28 to 400 μm is interposed between the base film (1) and the pressure-sensitive adhesive layer (2). [However, however, .1A ≦ B], and, an adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer, wherein the adhesive strength to SUS304-BA plate of the pressure-sensitive adhesive film is 5~400g / 25mm.
[0023]
Another invention is a method for grinding a back surface of a semiconductor wafer using the adhesive film for back surface grinding of a semiconductor wafer according to the invention.
[0024]
The feature of the adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer of the present invention is that a thermoplastic resin layer having a specific hardness is provided between the base film and the adhesive layer, and a protrusion on the surface of the semiconductor wafer. The relationship between the height and the thickness of the thermoplastic resin layer is limited to a specific range.
[0025]
When grinding the back surface of the semiconductor wafer using the adhesive film for grinding the back surface of the semiconductor wafer of the present invention, the protrusions having a height of 25 to 300 μm such as high bump electrodes and defective circuit identification marks on the surface of the semiconductor wafer Even if is formed, not only the wafer is not damaged due to the grinding stress on the back surface, but also the chip level is not damaged (microcrack). Furthermore, it is possible to suppress the generation of dimples due to the protrusions.
[0026]
Usually, the pressure-sensitive adhesive layer of the adhesive film for back grinding of a semiconductor wafer becomes correspondingly thick as the irregularities (including protrusions) on the wafer surface increase. For this reason, after the back surface grinding is finished, the adhesive force at the time of peeling of the adhesive film becomes high. For example, in the case of IC card, when the thickness after grinding becomes 150 μm or less, the wafer may be damaged at the time of peeling. The inventions related to Japanese Patent Application No. 8-347432, Japanese Patent Application No. 9-168621, etc. relating to the applicant's application limit the composition of the pressure-sensitive adhesive layer in order to suppress this increase in adhesive force. However, in the present invention, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer can be set to 1 to 30 μm regardless of the height of the protrusions. Therefore, the adhesive strength does not increase more than necessary. Therefore, the wafer is not damaged at the time of peeling.
[0027]
Moreover, the adhesive film for back surface grinding of the semiconductor wafer concerning this invention is formed comparatively thinly about 1-30 micrometers in the thickness of an adhesive layer. Therefore, cohesive failure of the pressure-sensitive adhesive layer hardly occurs, and contamination due to the pressure-sensitive adhesive layer does not occur on the surface of the semiconductor wafer after the pressure-sensitive adhesive film is peeled off. Furthermore, there is no wafer breakage and contamination of the wafer surface due to water entering between the surface of the semiconductor wafer and the adhesive layer. Naturally, it is not necessary to use a resist, and the process can be simplified.
[0028]
The high bump electrode referred to in the present invention is formed together with a circuit on the surface of a semiconductor wafer as an electrode suitable for mounting a semiconductor chip by a wireless bonding method such as flip chip mounting. Usually, a semiconductor chip having a high bump electrode is directly connected to a printed wiring board by this electrode. The electrode has a height of about 10 to 300 μm. A semiconductor wafer having such a high bump electrode exhibits a state (projection) in which only the electrode portion of the circuit protrudes as compared with the conventional one. There are various shapes such as a columnar shape, a prismatic shape, a mushroom shape, a spherical shape, etc., depending on a bump forming method, performance required for a chip, and the like.
[0029]
Further, the ink dot referred to in the present invention is a mark attached on a defective circuit in order to inspect and select a circuit (chip) formed on the surface of the semiconductor wafer and identify the defective circuit. Usually, it is a cylindrical shape colored with a pigment such as red having a diameter of 0.1 to 2 mm and a height of about 10 to 100 μm, and the ink dot portion protrudes (protrusions).
[0030]
Projections such as high bump electrodes and ink dots are in a state in which a portion of less than 10% of the total area of the semiconductor wafer surface protrudes to the height. The present invention is applied to backside grinding of a semiconductor wafer having such a surface shape, in particular, a semiconductor wafer having a protrusion of 25 to 300 μm, more strictly 100 to 300 μm.
[0031]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The pressure-sensitive adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer of the present invention has a pressure-sensitive adhesive layer (2) formed on the thermoplastic resin layer (3) side of a laminate of a base film (1) and a thermoplastic resin layer (3). It is a thing. The adhesive film for grinding the back surface of a semiconductor wafer of the present invention is directly attached to the surface of a semiconductor wafer having a protrusion having at least one height (A) of 25 to 300 μm selected from a high bump electrode and a defective circuit identification mark. Thus, it is used when the back surface of the wafer is ground.
[0032]
The pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer back grinding according to the present invention forms a laminate of a base film (1) and a thermoplastic resin layer (3) and then adheres to the surface of the laminate on the thermoplastic resin layer (3) side. It is manufactured by forming an agent layer. As a method of forming the pressure-sensitive adhesive layer on the surface of the thermoplastic resin layer (3), one surface of the release film contains an alkyl acrylate-based pressure-sensitive adhesive polymer, a crosslinking agent, and other additives as required. After applying a solution or emulsion liquid (hereinafter collectively referred to as a pressure-sensitive adhesive coating solution) and drying to form a pressure-sensitive adhesive layer, the resulting pressure-sensitive adhesive layer is used as the thermoplastic resin layer (3) of the laminate. Examples thereof include a method of transferring to the surface on the side, and a method of forming a pressure-sensitive adhesive layer by applying and drying a pressure-sensitive adhesive coating solution on the surface of the thermoplastic resin layer (3) of the laminate.
[0033]
In the case of the former method, the release film is preferably peeled off when used. In the case of the latter method, it is preferable to stick a release film on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (2) in order to protect it from contamination caused by the environment.
[0034]
Whether the adhesive coating solution is applied to one surface of the laminate of the base film (1) and the thermoplastic resin layer (3) or the release film depends on the heat resistance of the laminate and the release film, the surface of the semiconductor wafer Decide in consideration of contamination. For example, when the heat resistance of the release film is superior to that of the laminate, the adhesive layer (2) is provided on the surface of the release film, and then transferred to the thermoplastic resin layer (3) side of the laminate. . When the heat resistance is equal or the laminate is excellent, an adhesive layer (2) is provided on the surface of the laminate, and a release film is attached to the surface.
[0035]
However, considering that the adhesive film for semiconductor wafer back grinding is attached to the surface of the semiconductor wafer through the surface of the adhesive layer (2) exposed when the release film is peeled off, the adhesive layer (2) In order to prevent contamination of the surface of the semiconductor wafer due to, regardless of the heat resistance of the laminate, use a release film with good heat resistance, apply an adhesive coating solution on the surface, dry it, and then adhesive layer ( The method of forming 2) is preferred.
[0036]
The laminate of the base film (1) and the thermoplastic resin layer (3) comprises a base film (1) prepared in advance while the thermoplastic resin layer (3) is extruded into a film with an extruder. It is manufactured by a method of laminating, a method of simultaneously forming a base film (1) and a thermoplastic resin layer (3) by coextrusion. Of these, the latter production method by coextrusion is preferred in consideration of the production cost of the laminate. Examples of the coextrusion method include an inflation method in addition to the T-die extrusion method. In order to increase the adhesive force between the base film (1) and the thermoplastic resin layer (3), a new adhesive layer may be provided between them.
[0037]
As the base film (1) used in the present invention, any resin can be used as long as it has the property of maintaining the form of the adhesive film. However, considering the production cost of the resulting adhesive film, a general-purpose resin is preferable. Specifically, polyolefin resin such as polyethylene, polypropylene, ethylene-α-olefin copolymer, polyester resin such as polyethylene terephthalate, ethylene-vinyl acetate copolymer having a vinyl acetate unit content of about 1 to 28% by weight. Copolymer, ethylene-alkyl acrylate copolymer (alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) having an alkyl acrylate unit content of about 1 to 28% by weight, an acrylic acid unit or a methacrylic acid unit content of 1 to 20% by weight % Modified polyolefin resin such as ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, and further acrylic resin, ionomer, polyvinyl chloride, polyamide and the like.
[0038]
When various additives such as a plasticizer are added to the base film (1), the additives migrate to the thermoplastic resin layer (3) and the pressure-sensitive adhesive layer (2), and the thermoplastic resin layer (3) and the pressure-sensitive adhesive When the characteristics of the agent layer (2) are changed or the adhesive layer (2) is shifted, the wafer surface may be contaminated. In such a case, it is preferable to provide a barrier layer between the base film (1) and the thermoplastic resin layer (3).
[0039]
The base film (1) may be a single layer or two or more layers. The thickness of the base film is 10 to 500 μm. When it becomes thin, the property which maintains the form of an adhesive film tends to be inferior, and accordingly, the handling workability of the adhesive film is affected. When the thickness is increased, the productivity of the base film (1) is affected and the manufacturing cost is increased. Considering the hardness of the base film (1), the shape stability of the pressure-sensitive adhesive film, the production cost, etc., it is appropriately selected within the above range.
[0040]
The thickness variation of the base film (1) does not significantly affect the local thickness variation (dimple) of the wafer after back grinding, but affects the overall thickness variation. From this point of view, the base film is preferably produced with a thickness variation within a range of about ± 5% of the average thickness. More preferably, it is within ± 3%, and more preferably within ± 2%. The thickness variation referred to here is the variation with respect to the average thickness when a sample of about 10 cm square taken at random is measured every about 1 cm in length and width.
[0041]
Moreover, you may further laminate | stack another film on the surface on the opposite side to the surface in which the thermoplastic resin layer (3) of a base film (1) is provided. For example, when protecting the surface of a semiconductor wafer using an adhesive film for grinding a semiconductor wafer back surface, the chemical resistant film should be You may laminate | stack on the opposite side to the surface in which the thermoplastic resin layer (3) of a base film (1) is provided. Examples of the chemical resistant film include a polypropylene film and a polyester film. The base film (1) can be produced by a known technique such as a calendar method, a T-die extrusion method, or an inflation method. Among these, considering the production cost of the pressure-sensitive adhesive film, it is preferably produced by coextrusion with the thermoplastic resin layer (3).
[0042]
The thermoplastic resin layer (3) disposed on the pressure-sensitive adhesive film of the present invention corresponds to the protrusions on the surface of the semiconductor wafer when the pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer back grinding of the present invention is attached to the surface of the semiconductor wafer. And deform. Therefore, even if the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (2) is thin, the pressure-sensitive adhesive layer (2) can be adhered to the surface of the semiconductor wafer. Moreover, the level | step difference accompanying a projection-like object is absorbed and the influence of a level | step difference is hardly transmitted to a base film (1). Furthermore, it also has a function of absorbing impact during back grinding. Therefore, it has the effect of preventing damage to the wafer during grinding of the wafer back surface associated with the protrusions, preventing the occurrence of microcracks, and preventing the occurrence of dimples.
[0043]
In the pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer back grinding according to the present invention, since the thermoplastic resin layer (3) exists between the base film layer (1) and the pressure-sensitive adhesive layer (2), the pressure-sensitive adhesive layer (2) is particularly thick. There is no need to do so, and the range of 1 to 30 μm is sufficient. Therefore, it does not take time to apply and dry the adhesive layer (2). Therefore, it is possible to supply an adhesive film for grinding the back surface of the semiconductor wafer having the protrusions on the surface at a lower cost.
[0044]
Furthermore, the pressure-sensitive adhesive film of the present invention hardly causes cohesive failure of the pressure-sensitive adhesive layer (2) (so-called glue residue on the wafer surface), and can also suppress the pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive film to a low level. It can also be applied to semiconductor wafers that are thin after grinding. It is presumed that due to the presence of the thermoplastic resin layer (3), the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (2) can be suppressed to a range of 1 to 30 μm.
[0045]
If the thermoplastic resin layer (3) becomes too hard, it is difficult for deformation to occur on the protrusions, and dimples and micro cracks tend to occur. In addition, the adhesiveness between the pressure-sensitive adhesive layer (2) and the wafer surface is deteriorated, and water and grinding debris enter during the back surface grinding, and the wafer surface tends to be contaminated, and further, the wafer is damaged during the back surface grinding. . If it becomes too soft, the shape of the resin layer (3) is not stable, and the pressure-sensitive adhesive film of the present invention tends to be unable to be produced. From this point of view, it is preferable that the thermoplastic resin layer (3) has a hardness of A-type hardness (also referred to as JIS-A hardness) defined by JIS K-6301-1995 of 10 to 55. More preferably, it is 15-50.
[0046]
As a material of the thermoplastic resin layer (3), any resin film having a JIS-A hardness within the above range or a material having equivalent performance can be used. However, the additive contained in the resin layer (3) contaminates the pressure-sensitive adhesive layer (2) and changes the characteristics of the pressure-sensitive adhesive layer (2), or the additive contaminates the pressure-sensitive adhesive layer (2). May contaminate the wafer surface as it is. In consideration of these, those having a small amount of additives such as plasticizers or those containing no additives are preferable.
[0047]
For example, an ethylene-vinyl acetate copolymer having a vinyl acetate unit content of about 30 to 50% by weight, an ethylene-alkyl acrylate copolymer having an alkyl acrylate unit content of about 30 to 50% by weight (alkyl group) 1 to 4) and a density of 0.89 g / cm Three Low density polyethylene, density is less than 0.89g / cm Three Examples thereof include a resin film formed from an ethylene-α-olefin copolymer (having 3 to 8 carbon atoms of α-olefin) or the like. Of these, molded from an ethylene-vinyl acetate copolymer having a vinyl acetate unit content of about 30 to 50% by weight and an ethylene-ethyl acrylate copolymer having an ethyl acrylate unit content of about 30 to 50% by weight. The resin film made is preferable.
[0048]
In the resin, the content of vinyl acetate units and alkyl acrylate units can be measured by a differential scanning calorimeter (DSC) or an infrared spectrophotometer (IR). Moreover, the density of the resin as used in the field of this invention is the value measured based on ASTM-D-1505.
[0049]
The thermoplastic resin layer (3) may contain a stabilizer, a lubricant, an antioxidant, a pigment, a plasticizer, and the like as necessary. However, depending on the kind and content of the additive, the pressure-sensitive adhesive layer (2) may be contaminated as described above. In this case, it is preferable to provide a barrier layer between the thermoplastic resin layer (3) and the pressure-sensitive adhesive layer (2).
[0050]
As a resin film having a performance equivalent to that of a resin film having a JIS-A hardness of 10 to 55 (more preferably 15 to 50), the above resin is blended with another resin having a JIS-A hardness outside the range of the present invention. A film or a film obtained by mixing various additives such as a plasticizer and other resins with a resin whose JIS-A hardness is outside the scope of the present invention, and molding the resin. JIS-A Examples thereof include a resin film having a hardness of 10 to 55 (more preferably 15 to 50).
[0051]
The thickness (B) of the thermoplastic resin layer (3) has the effect of adhering the adhesive layer (2) to the surface of the semiconductor wafer, absorbs the level difference caused by the protrusions, and affects the level difference on the base film (1). Considering the effect that hardly transmits, the thicker the film, the better. However, if it is too thick, the production cost is affected. Therefore, it is 28-400 micrometers (however, 1.1A <= B) with respect to the height (A) 25-300 micrometers of a protrusion-like thing. Further, a more preferable relationship between the height (A) of the protrusion and the thickness (B) of the thermoplastic resin layer (3) is 1.3A ≦ B.
[0052]
As a method of forming the thermoplastic resin layer (3), the thermoplastic resin layer (3) is laminated with a previously prepared base film (1) while being extruded into a film with a T-die extruder. And a method of simultaneously forming the base film (1) and the thermoplastic resin layer (3) by coextrusion. Of these, the latter production method by coextrusion is preferred in consideration of the production cost of the laminate. Examples of the coextrusion method include an inflation method in addition to the T-die extrusion method.
[0053]
In order to increase the adhesive force between the base film (1) and the thermoplastic resin layer (3), a new adhesive layer may be provided between them. Further, in order to increase the adhesive force between the thermoplastic resin layer (3) and the pressure-sensitive adhesive layer (2), the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer (2) of the thermoplastic resin layer (3) is provided is corona discharge treatment or chemical treatment. It is preferable to apply. An undercoat agent may be used between the thermoplastic resin layer (3) and the pressure-sensitive adhesive layer (2).
[0054]
The pressure-sensitive adhesive layer (2) used for the pressure-sensitive adhesive film of the present invention comprises (a) an acrylic acid alkyl ester-based pressure-sensitive adhesive polymer having a functional group capable of reacting with a crosslinking agent, and (a) two or more crosslinking reactions in one molecule. It is obtained by applying and drying a pressure-sensitive adhesive coating solution containing a crosslinking agent having a functional functional group. In the pressure-sensitive adhesive film of the present invention, a thermoplastic resin layer (3) is provided between the base film (1) and the pressure-sensitive adhesive layer (2). For this reason, the pressure-sensitive adhesive layer (2) does not need to be thick enough to absorb the level difference of the protrusions on the wafer surface, and only needs to have an interface adhesive force with the wafer surface. The interfacial adhesive force with the wafer surface can be obtained on the surface of the thermoplastic resin layer (3) and the wafer surface even when the pressure-sensitive adhesive layer (2) is not present. However, in this case, the thermoplastic resin layer (3) contaminates the wafer surface and causes a defective product of chips obtained from the wafer.
[0055]
The pressure-sensitive adhesive coating solution used for forming the pressure-sensitive adhesive layer (2) is (a) an acrylic acid alkyl ester-based pressure-sensitive adhesive polymer having a functional group capable of reacting with a crosslinking agent, and (a) two or more in one molecule. It is a solution or emulsion liquid containing a crosslinking agent having a crosslinking reactive functional group. The alkyl acrylate-based pressure-sensitive adhesive polymer used in the present invention is obtained by copolymerizing a monomer mixture containing a comonomer having a functional group capable of reacting with a crosslinking agent, using an alkyl acrylate ester and / or an alkyl methacrylate ester as a main monomer. can get. The liquid containing the acrylic acid alkyl ester-based pressure-sensitive adhesive polymer (hereinafter referred to as a pressure-sensitive adhesive main agent) may be any of a solution, an emulsion liquid and the like.
[0056]
Examples of the main monomer include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, and the like. These may be used singly or in combination of two or more. The amount of the main monomer used is usually preferably in the range of 60 to 99% by weight in the total amount of all monomers used as the raw material for the pressure-sensitive adhesive polymer.
[0057]
As a comonomer having a functional group capable of reacting with a crosslinking agent to be copolymerized with the main monomer, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, mesaconic acid, citraconic acid, fumaric acid, maleic acid, itaconic acid monoalkyl ester, mesaconic acid Monoalkyl ester, citraconic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester, maleic acid monoalkyl ester, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, acrylamide, methacrylamide, tert-butylaminoethyl acrylate, Examples include tertiary-butylaminoethyl methacrylate. One of these may be copolymerized with the main monomer, or two or more may be copolymerized. It is preferable that the usage-amount of the comonomer which has a functional group which can react with said crosslinking agent is normally contained in the range of 1-40 weight% in the total amount of all the monomers used as the raw material of an adhesive polymer.
[0058]
In the present invention, in addition to the main monomer constituting the pressure-sensitive adhesive polymer and the comonomer having a functional group capable of reacting with the crosslinking agent, a specific comonomer having a property as a surfactant (hereinafter referred to as a polymerizable surfactant). May be copolymerized. The polymerizable surfactant has a property of copolymerizing with the main monomer and the comonomer, and also has an action as an emulsifier when emulsion polymerization is performed. In the case of using a pressure-sensitive adhesive polymer that is emulsion-polymerized using a polymerizable surfactant, the surface of the wafer is usually not contaminated by the surfactant. Even when slight contamination due to the pressure-sensitive adhesive layer (2) occurs, it can be easily removed by washing the wafer surface with water.
[0059]
Examples of such polymerizable surfactants include, for example, those in which a polymerizable 1-propenyl group is introduced into the benzene ring of polyoxyethylene nonylphenyl ether [manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd .; Aqualon RN-10 RN-20, RN-30, RN-50, etc.], a polymer having a 1-propenyl group introduced into the benzene ring of the ammonium salt of a polyoxyethylene nonylphenyl ether sulfate [Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.] Manufactured by Co., Ltd .; Aqualon HS-10, HS-20, etc.] and sulfosuccinic diesters having a polymerizable double bond in the molecule [manufactured by Kao Corporation; Latemulu S-120A, S- 180A etc.].
[0060]
Furthermore, if necessary, a self-crosslinkable functional group such as glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, isocyanate ethyl acrylate, isocyanate ethyl methacrylate, 2- (1-aziridinyl) ethyl acrylate, 2- (1-aziridinyl) ethyl methacrylate, etc. Monomers with polymerizable double bonds such as vinyl acetate, acrylonitrile and styrene, and polyfunctional monomers such as divinylbenzene, vinyl acrylate, vinyl methacrylate, allyl acrylate and allyl methacrylate. Polymerization may be performed.
[0061]
As a method for polymerizing the pressure-sensitive adhesive polymer, various known methods such as a solution polymerization method, a suspension polymerization method, and an emulsion polymerization method can be adopted. However, to the molecular weight of the pressure-sensitive adhesive polymer and the cohesive strength of the pressure-sensitive adhesive. It is necessary to consider the effects of Among these polymerization methods, the emulsion polymerization method is preferable in view of obtaining a high molecular weight polymer, environmental contamination in the coating and drying steps, coating properties, and the like.
[0062]
The polymerization reaction mechanism of the pressure-sensitive adhesive polymer includes radical polymerization, anionic polymerization, cationic polymerization, etc., but the production cost of the pressure-sensitive adhesive, the influence of the functional group of the monomer and the influence of ions on the surface of the semiconductor wafer, etc. are considered. In this case, polymerization is preferably performed by radical polymerization. When polymerizing by radical polymerization reaction, organic compounds such as benzoyl peroxide, acetyl peroxide, isobutyryl peroxide, octanoyl peroxide, di-tertiary-butyl peroxide, di-tertiary-amyl peroxide as radical polymerization initiators Inorganic peroxides such as peroxide, ammonium persulfate, potassium persulfate, sodium persulfate, 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis-2-methylbutyronitrile, 4,4 And azo compounds such as' -azobis-4-cyanovaleric acid.
[0063]
In the case of polymerization by emulsion polymerization method, among these radical polymerization initiators, inorganic peroxides such as water-soluble ammonium persulfate, potassium persulfate, and sodium persulfate, and water-soluble 4,4′-azobis are also used. An azo compound having a carboxyl group in the molecule such as -4-cyanovaleric acid is preferred. Considering the influence of ions on the semiconductor wafer surface, azo compounds having a carboxyl group in the molecule, such as ammonium persulfate and 4,4′-azobis-4-cyanovaleric acid, are more preferable. An azo compound having a carboxyl group in the molecule such as 4,4′-azobis-4-cyanovaleric acid is particularly preferable.
[0064]
The cross-linking agent having two or more cross-linkable functional groups in one molecule used for the pressure-sensitive adhesive layer (2) is used to react with the functional group of the pressure-sensitive adhesive polymer to adjust the adhesive force and cohesive force. As crosslinking agents, epoxy compounds such as sorbitol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, diglycerol polyglycidyl ether, glycerol polyglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, resorcin diglycidyl ether, etc. , Tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, trimethylolpropane toluene diisocyanate 3 adduct, isocyanate compounds such as polyisocyanate,
Trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, tetramethylolmethane-tri-β-aziridinylpropionate, N, N′-diphenylmethane-4,4′-bis (1-aziridinecarboxamide) N, N′-hexamethylene-1,6-bis (1-aziridinecarboxamide), N, N′-toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β- Examples include aziridin compounds such as (2-methylaziridine) propionate and melamine compounds such as hexamethoxymethylol melamine. These may be used alone or in combination of two or more.
[0065]
The content of the crosslinking agent is usually within a range in which the number of functional groups in the crosslinking agent does not exceed the number of functional groups in the pressure-sensitive adhesive polymer. However, when a functional group is newly generated by the cross-linking reaction or when the cross-linking reaction is slow, it may be contained excessively as necessary. A preferable content is 0.1 to 15 parts by weight of a crosslinking agent with respect to 100 parts by weight of the pressure-sensitive adhesive polymer.
[0066]
If the amount is too small, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer (2) becomes insufficient, and adhesive residue may easily occur on the wafer surface (particularly around the protrusions). Moreover, the adhesive force of the adhesive film obtained may become high outside the scope of the present invention. If too much, the deformation of the thermoplastic resin layer (3) is disturbed, the adhesive force between the pressure-sensitive adhesive layer (2) and the wafer surface becomes weak, water and grinding debris enter during grinding, and the pressure-sensitive adhesive film is peeled off. May cause damage to the wafer or contamination of the wafer surface with grinding debris.
[0067]
In addition to the above-mentioned pressure-sensitive adhesive polymer and cross-linking agent, rosin-based and terpene resin-based tackifiers, various surfactants, etc. do not affect the purpose of the present invention. You may contain suitably in a grade. When the pressure-sensitive adhesive polymer is an emulsion liquid, a film-forming aid such as diethylene glycol monoalkyl ether may be added as appropriate so as not to affect the purpose of the present invention. Diethylene glycol monoalkyl ethers and derivatives thereof used as a film-forming aid also have an effect of facilitating removal of contamination on the wafer surface caused by the pressure-sensitive adhesive layer (2).
[0068]
One feature of the adhesive film for back grinding of a semiconductor wafer of the present invention is that the thickness of the adhesive layer (2) is relatively thin. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (2) is 1 to 30 μm. When the thermoplastic resin layer (3) is deformed corresponding to the protrusions on the wafer surface, this range is set so that the adhesive layer (2) cannot follow the deformation of the thermoplastic resin layer (3). Select as appropriate. Increasing the thickness affects the productivity of the adhesive film and may lead to an increase in manufacturing costs. Furthermore, the adhesive force of the adhesive film is increased more than necessary, and when the adhesive film is peeled off after the back surface grinding, the wafer may be damaged due to an increase in the peel adhesive force, or the adhesive layer (2) may be formed on the wafer surface. Contamination may result. Accordingly, the particularly preferable thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (2) is 1 to 20 μm.
[0069]
The pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive film for grinding a wafer back surface of the present invention is 5 to 400 g / 25 mm, preferably 10 to 300 g / 25 mm, when converted to the pressure-sensitive adhesive force for a SUS304-BA plate. The above range is adjusted in consideration of the grinding condition of the wafer back surface, the diameter of the wafer, the thickness of the wafer after grinding, and the like.
[0070]
In the present invention, the thermoplastic resin layer (3) not only deforms corresponding to the protrusions on the wafer surface, but also corresponds to other surface shapes such as scribe lines. Therefore, the adhesion to the wafer surface is good regardless of the strength of the adhesive force. Also, if the adhesive strength is too high, the peeling workability may be deteriorated, such as a trouble in peeling with an automatic tape peeling machine at the time of peeling after back surface grinding, and the wafer may be damaged.
[0071]
Examples of the release film used for the adhesive film of the present invention include synthetic resin films such as polypropylene and polyethylene terephthalate. It is preferable that the surface is subjected to silicone treatment or the like as necessary. The thickness of the release film is usually 10 to 2000 μm. Preferably it is 30-100 micrometers.
[0072]
As a method of applying the adhesive coating solution to the thermoplastic resin layer (3) side of the laminate of the base film layer (1) and the thermoplastic resin layer (3) or one surface of the release film, a conventionally known coating method is used. Methods such as a roll coater method, a reverse roll coater method, a gravure roll method, a bar coat method, a comma coater method, and a die coater method can be employed. Although there is no restriction | limiting in particular in the drying conditions of the apply | coated adhesive, Generally, it is preferable to dry for 10 second-10 minutes in the temperature range of 60-200 degreeC. More preferably, it is dried at 80 to 170 ° C. for 10 seconds to 3 minutes. In order to sufficiently promote the cross-linking reaction between the cross-linking agent and the pressure-sensitive adhesive polymer, the semiconductor wafer back grinding pressure-sensitive adhesive film is heated at 40 to 80 ° C. for about 5 to 300 hours after the drying of the pressure-sensitive adhesive coating liquid is completed. May be.
[0073]
The manufacturing method of the adhesive film for semiconductor wafer back grinding according to the present invention is as described above. From the viewpoint of preventing contamination of the semiconductor wafer surface, the manufacturing environment for all raw materials such as a base film, a release film, and an adhesive main agent is used. The preparation, storage, application and drying environment of the adhesive coating solution are preferably maintained at a cleanness of class 1,000 or less as defined in the US Federal Standard 209b.
[0074]
Next, a method for grinding the back surface of the semiconductor wafer will be described. The method for grinding a back surface of a semiconductor wafer of the present invention has at least one type of protrusions selected from a high bump electrode and a defective circuit identification mark having a height (A) of 25 to 300 μm, more strictly 100 to 300 μm, on the surface. When grinding the back surface of a semiconductor wafer, it is characterized by using the adhesive film for semiconductor wafer back surface grinding manufactured by the said method.
[0075]
The details are as follows. First, the release film is peeled off from the adhesive layer (2) of the adhesive film for semiconductor wafer back grinding (hereinafter referred to as an adhesive film) to expose the surface of the adhesive layer (2). Through (2), it is attached to the surface of the semiconductor wafer on the side where the integrated circuit having the protrusions having a height (A) of 25 to 300 μm is incorporated. Next, the semiconductor wafer is fixed to the chuck table or the like of the grinding machine via the base film (1) of the adhesive film, and the back surface of the semiconductor wafer is ground. After the grinding is finished, the adhesive film is peeled off. After the back surface grinding is completed, it may be subjected to a chemical etching process or a CMP (mechanochemical polishing) process before peeling the adhesive film. If necessary, after the adhesive film is peeled off, the surface of the semiconductor wafer is subjected to a cleaning process such as water cleaning or plasma cleaning.
[0076]
In such a back surface grinding operation, the thickness of the semiconductor wafer before grinding is usually 500 μm to 1000 μm, whereas it is usually ground to about 100 μm to 600 μm depending on the type of semiconductor chip. The thickness of the semiconductor wafer before grinding is appropriately determined depending on the diameter and type of the semiconductor wafer, and the thickness after grinding is appropriately determined depending on the size of the chip to be obtained, the type of circuit, the application, and the like.
[0077]
The operation of adhering the adhesive film to the semiconductor wafer may be performed manually, but is generally performed by an apparatus called an automatic pasting machine to which a roll-shaped adhesive film is attached. As such an automatic pasting machine, for example, there are ATM-1000B manufactured by Takatori Co., Ltd., ATM-1100, STL series manufactured by Teikoku Seiki Co., Ltd., and the like. As the back surface grinding method, a known grinding method such as a through-feed method or an in-feed method is employed. In each case, the grinding is performed while water is cooled on a semiconductor wafer and a grindstone.
[0078]
After the back surface grinding, chemical etching is performed as necessary with the adhesive film adhered. Chemical etching is an etching solution selected from the group consisting of an acidic aqueous solution composed of a single or mixed solution of hydrofluoric acid, nitric acid, sulfuric acid, acetic acid, and an alkaline aqueous solution such as an aqueous potassium hydroxide solution and an aqueous sodium hydroxide solution. This is performed by a method such as immersing a semiconductor wafer with the adhesive film attached, or a method (SEZ) in which an etching solution is selectively applied only to the back surface while rotating the wafer. The etching is performed for the purpose of removing strain generated on the back surface of the semiconductor wafer, further thinning the wafer, removing an oxide film, etc., pretreatment when forming electrodes on the back surface, and the like. The etching solution is appropriately selected according to the above purpose.
[0079]
In addition, after finishing the back surface grinding, CMP (mechanochemical polishing) may be performed as necessary. CMP is usually performed with fine SiO2 on the order of 0.01 μm as an abrasive. 2 A product obtained by dispersing abrasive grains in a colloidal form in a KOH-based alkaline aqueous solution is used as the polisher using artificial leather covered with soft polyurethane or the like. Similar to chemical etching, CMP is performed for the purpose of removing strain generated on the back surface of a semiconductor wafer, further thinning the wafer, removing an oxide film, etc., pretreatment when forming electrodes on the back surface, and the like.
[0080]
For the purpose of IC cards and the like, semiconductor chips tend to be further thinned. Along with this, the thickness of the wafer after back grinding has been required to be less than 100 μm. Thinning a wafer with the normal backside grinding method has reached a limit level, and therefore, chemical etching and CMP are often used together after backside grinding with the aim of further thinning the wafer. It is coming.
[0081]
After the backside grinding, chemical etching, and CMP are completed, the adhesive film is peeled off from the wafer surface. This series of operations may be performed manually, but is generally performed by a device called an automatic peeling machine. As such an automatic peeling machine, there are ATRM-2000B manufactured by Takatori Co., Ltd., ATRM-2100 manufactured by Takatori Co., Ltd., and STP series manufactured by Teikoku Seiki Co., Ltd. Moreover, in the dicing process of the next process, the adhesive film for fixing at the time of dicing may be attached to the back surface of the wafer and then the adhesive film for back surface grinding may be peeled off.
[0082]
The wafer surface after peeling off the adhesive film is cleaned as necessary. Examples of the cleaning method include wet cleaning such as water cleaning and solvent cleaning, and dry cleaning such as plasma cleaning. In the case of wet cleaning, ultrasonic cleaning may be used in combination. These cleaning methods are appropriately selected depending on the contamination state of the wafer surface.
[0083]
According to the present invention, a semiconductor wafer having projections such as high bump electrodes and ink dots having a height of 25 to 300 μm on the surface, which has been difficult to grind so far, has no such projections. As in the case of grinding the back surface of a conventional wafer, grinding can be performed easily. In addition, when grinding the back surface of the semiconductor wafer having the protrusions on the surface, it is possible not only to damage the wafer but also to cause grinding without causing microcracks. Further, since no resist or the like is used, the process can be simplified. Furthermore, after peeling off the adhesive film from the surface of the semiconductor wafer, the surface of the semiconductor wafer is hardly contaminated by the adhesive layer or contaminated by the intrusion of grinding scraps. There is almost no variation in the thickness of the back surface caused by protrusions such as dimples, or even if it occurs, it can be suppressed to a range where there is no practical problem.
[0084]
Furthermore, when the adhesive film of the present invention is produced, if the laminate of the base film (1) and the thermoplastic resin layer (3) is produced by a coextrusion method, the thickness of the adhesive layer (2) is projected. Since it can be made thin (1-30 μm, particularly preferably 1-20 μm), the manufacturing cost of the adhesive film can be reduced.
[0085]
The present invention is applied to the back surface grinding of a semiconductor wafer having a protrusion having a height (A) of 25 to 300 μm, and the height of the protrusion is increased to 50 to 300 μm and 100 to 300 μm. The effect becomes more remarkable.
[0086]
The semiconductor wafer to which the adhesive film for semiconductor wafer back grinding of the present invention and the semiconductor wafer back grinding method using the same can be applied, not only silicon wafers such as P-type and N-type, but also germanium, gallium-arsenic, gallium-phosphorus, A wafer such as gallium-arsenic-aluminum is exemplified.
[0087]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. In all the examples and comparative examples shown below, preparation and application of an adhesive coating solution in an environment maintained at a cleanness of class 1,000 or less as defined in US Federal Standard 209b, and the back surface of a semiconductor silicon wafer Grinding etc. were carried out. The present invention is not limited to these examples. Various characteristic values shown in the examples were measured by the following methods.
[0088]
(1) JIS-A hardness of thermoplastic resin layer (3)
The raw material resin pellets are put into a mold and heated at 150 to 160 ° C. to produce a press sheet having a thickness of 3 mm and a side length of 150 mm. A test piece having a width of 20 mm, a length of 100 mm, and a thickness of 3 mm is prepared from the obtained press sheet. After stacking five test pieces (total thickness: 15 mm), measurement is performed by the method defined in JIS-K-6301-1995. (Measurement atmosphere: 23 ° C., relative humidity 50%)
[0089]
(2) Adhesive strength (g / 25mm)
Except for the conditions specified below, all measurements are performed by the method specified in JIS Z-0237-1991. In an atmosphere of 23 ° C., the adhesive film obtained in the example or the comparative example was attached to the surface of a 5 × 20 cm SUS304-BA plate (JIS-G-4305 regulation) through the adhesive layer, Leave for 1 hour. One end of the sample was clamped, the peeling angle was 180 degrees, and the peeling speed was 300 mm / min. Then, the stress at the time of peeling the sample from the surface of the SUS304-BA plate is measured and converted to an adhesive force of g / 25 mm.
[0090]
(3) Practical evaluation
The semiconductor film of Example or Comparative Example was bonded to the surface of the semiconductor silicon wafer (diameter: 6 inches, thickness: 600 μm), and the semiconductor was cooled with water by using a grinder. The back surface of the silicon wafer is ground to 150 μm. Ten semiconductor silicon wafers are evaluated for each adhesive film.
After grinding, evaluate the damage status of the semiconductor silicon wafer by the number of damaged wafers, and visually observe whether the semiconductor silicon wafer that was not damaged entered water from the periphery between the surface and the adhesive film. Evaluate the number of water intrusion. After the observation of water intrusion, a surface protective tape peeling machine [manufactured by Takatori Co., Ltd., MODEL: ATRM-2000B; 897 [manufactured by Sumitomo 3M Limited]] is used to peel off the adhesive film. The damage situation at the time of peeling of the adhesive film is evaluated by the number of damaged sheets.
Further, the surface of the wafer that was not damaged when the adhesive film was peeled was washed with water using a cleaning machine [D-SPIN 629 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.], and then optical microscope [manufactured by Nikon Corporation: OPTIPHOT2 ] Is enlarged to a range of 50 to 1000 times, and the occurrence of microcracks and contamination for each chip are observed and evaluated according to the following criteria.
・ Mirocrack rate (%):
[(Number of chips in which microcracks have occurred) / (Number of observed chips)] × 100
・ Contamination rate (%):
[(Number of contaminated chips) / (number of observed chips)] × 100
[0091]
(4) Generation of dimples on the backside of the wafer
The presence or absence of dimples is visually observed on the back surface of the wafer after the back surface grinding is completed. If dimples are observed, the depth of the dent is measured. When dimples having a depth of 5 μm or more are generated, it is determined that there is a practical problem.
[0092]
Example 1
[Preparation of Laminate of Base Film (1) and Thermoplastic Resin Layer (3)]
As a resin for the base film (1), a low-density polyethylene resin [manufactured by Mitsui Chemicals, brand: Mirason 16, density 0.923 g / cm Three , Hereinafter referred to as LDPE), and as a resin for the thermoplastic resin layer (3), an ethylene-vinyl acetate copolymer resin having a JIS-A hardness of 28 (Mitsui / DuPont Polychemical Co., Ltd., brand name: Evaflex EV45LX, vinyl acetate unit content: 46% by weight, hereinafter referred to as EVA1), using two extruders, by co-extrusion method with T-die, 50 μm thick base film (1) and thickness A laminate of a thermoplastic resin layer (3) having a thickness of 200 μm was produced. At this time, the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer (2) of the thermoplastic resin layer (3) was provided was subjected to corona treatment. The thickness variation of the obtained laminate was within ± 1.5%.
[0093]
[Polymerization of adhesive main agent]
150 parts by weight of deionized water in a polymerization reactor, 0.5 part by weight of 4,4′-azobis-4-cyanovaleric acid [manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd., trade name: ACVA] as a polymerization initiator, acrylic acid 73.25 parts by weight of butyl, 14 parts by weight of methyl methacrylate, 9 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate, 2 parts by weight of methacrylic acid, 1 part by weight of acrylamide, and polyoxyethylene nonylphenyl ether (of ethylene oxide) as a water-soluble comonomer Addition of polymerizable 1-propenyl group to benzene ring of ammonium salt of sulfuric acid ester having an average addition mole number of about 20) [Daily Kogyo Seiyaku Co., Ltd .: Aqualon HS-20] 0.75 parts by weight The emulsion polymerization was carried out at 70 ° C. for 9 hours under stirring to obtain an acrylic resin water emulsion. This was neutralized with 14% by weight aqueous ammonia to obtain a pressure-sensitive adhesive polymer emulsion (pressure-sensitive adhesive main agent) having a solid content of 40% by weight.
[0094]
[Adjustment of adhesive coating solution]
100 parts by weight of the obtained pressure-sensitive adhesive main agent emulsion (pressure-sensitive adhesive polymer concentration: 40% by weight) was collected, and further adjusted to pH 9.3 by adding 14% by weight aqueous ammonia. Next, 4 parts by weight of an aziridine-based cross-linking agent [manufactured by Nippon Shokubai Chemical Industry Co., Ltd., Chemite PZ-33] and 5 parts by weight of diethylene glycol monobutyl ether were added to obtain an adhesive coating solution.
[0095]
[Production of adhesive film]
The obtained pressure-sensitive adhesive coating solution was applied to a polypropylene film (release film, thickness: 50 μm) using a roll coater and dried at 120 ° C. for 1 minute to provide a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm. The corona-treated surface of the laminate of the base film (1) and the thermoplastic resin layer (3) is bonded to the pressure-sensitive adhesive layer and pressed to transfer the pressure-sensitive adhesive layer (2) to the surface of the thermoplastic resin layer (3). I let you. After the transfer, the film was heated at 60 ° C. for 48 hours, and then cooled to room temperature to produce an adhesive film for grinding a semiconductor wafer back surface. The adhesive force of the obtained adhesive film was 120 g / 25 mm.
[0096]
[Evaluation of adhesive film]
The obtained adhesive film is 100 mm having a high bump electrode (spherical) with a height of 150 μm. 2 Attached to the surface (integrated circuit side) of a semiconductor silicon wafer (diameter: 6 inches, thickness: 600 μm, scribe line width: 100 μm, scribe line depth: 3 μm) with integrated circuits of 1 mm Using a machine, the back surface of the semiconductor silicon wafer was ground while cooling with water, and the thickness was about 150 μm. The same operation was performed on 10 similar wafers. None of the wafers were damaged during grinding.
No water permeation was observed between the wafer and the adhesive film after grinding. From these 10 wafers, a surface protective tape peeling machine {manufactured by Takatori Co., Ltd., MODEL: ATRM-2000B; The adhesive film was peeled off using 897 [manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.]}. None of the wafers were damaged during the peeling of the adhesive film.
The surface of the obtained semiconductor wafer was washed with water using a washing machine (Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd .: D-SPIN629), and then the evaluation of the thickness variation of the semiconductor silicon wafer and the contamination status of the wafer surface with a microscope were examined. Observed. The wafer surface was not observed to be contaminated with an adhesive or the like. The back grinding condition was visually observed, but no dimples were observed. The main production conditions and results are shown in [Table 1] and [Table 2].
[0097]
Example 2
A biaxially stretched polypropylene (hereinafter referred to as OPP) having a thickness of 50 μm is used as the base film (1), and an ethylene-ethyl acrylate copolymer having a JIS-A hardness of 49 as the resin for the thermoplastic resin layer (3). A thermoplastic resin layer (3) is formed with a T-die using a coalesced resin (Mitsui / DuPont Polychemical Co., Ltd., brand: Evaflex-EEA, A709 ethyl acrylate unit content: 35% by weight, hereinafter referred to as EEA1). While extruding, a laminate of a 50 μm-thick base film (1) and a 200 μm-thick thermoplastic resin layer (3) was produced by laminating with the base film (2). At this time, the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer (2) of the thermoplastic resin layer (3) was provided was subjected to corona treatment. The thickness variation of the obtained laminate was within ± 1.5%.
An adhesive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the laminate obtained here was used, and evaluated in the same manner as in Example 1. The main production conditions and results are shown in [Table 1] and [Table 2].
[0098]
Examples 3-5, Comparative Examples 1-5
Example 1 (Examples 3, 5, Comparative Examples 1, 4, 5) or Example 2 (Execution) except that the resin described in [Table 1] was used as the base film or the resin for producing the thermoplastic resin layer. In the same manner as in Example 4 and Comparative Examples 2 and 3), an adhesive film for semiconductor wafer back grinding was produced.
Here, the obtained adhesive film was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in [Table 1] or [Table 2].
[0099]
The resins used are as follows.
[Base film]
PET: Biaxially stretched polyethylene terephthalate film
[Resin for manufacturing thermoplastic resin layer]
EVA2: ethylene-vinyl acetate copolymer (vinyl acetate unit content 50 wt%), EEA2: ethylene-ethyl acrylate copolymer (EA content 25 wt%)
The wafers used for evaluation are as follows.
[Example 3]: 100 mm 2 High on the surface (integrated circuit side) of a semiconductor silicon wafer (diameter: 6 inches, thickness: 600 μm, no high bump electrode, scribe line width: 100 μm, scribe line depth: 3 μm) A wafer in which ink dots having a thickness of 250 μm and a diameter of 1.5 mm are randomly formed on 10% of all integrated circuits.
[Examples 4 and 5, Comparative Examples 1 to 5]: The same wafer as in Example 1.
[0100]
[Table 1]
Figure 0003773358
[0101]
[Table 2]
Figure 0003773358
[0102]
【The invention's effect】
According to the present invention, when the back surface of the semiconductor wafer is ground, even if protrusions having a height of 25 to 300 μm such as high bump electrodes and defective circuit identification marks are formed on the surface of the semiconductor wafer, Not only does the wafer not break due to grinding stress, but also breakage at the chip level (microcrack) does not occur. Further, since there is no adhesive residue after the adhesive film is peeled off, the surface of the semiconductor wafer is not contaminated and dimples due to the projections are not generated. The adhesive strength when peeling the adhesive film is low, and the wafer is not damaged during peeling. Furthermore, there is no wafer breakage and contamination of the wafer surface due to water entering between the surface of the semiconductor wafer and the adhesive layer.
Since the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is thinner than the height of the protrusions, the production cost of the pressure-sensitive adhesive film can be prevented from increasing. Accordingly, it is possible to rationally grind the back surface of the wafer on which a protrusion having a height of 25 to 300 μm is formed on the front surface.

Claims (7)

半導体ウエハの裏面を研削する際にその回路形成表面に貼付される半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムであって、該半導体ウエハが、その回路形成表面が電極及び不良回路識別マークから選ばれた少なくとも１種の高さ（Ａ）２５〜３００μｍの突起状物を有し、該粘着フィルムが、厚みが１０〜５００μｍである基材フィルム（１）の片面に、（ア）架橋剤と反応し得る官能基を有するアクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマー、（イ）１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤を含む厚み１〜３０μｍの粘着剤層（２）が形成され、基材フィルム（１）と粘着剤層（２）の層間に、ＪＩＳ−Ａ硬度が１０〜５５、厚み（Ｂ）が２８〜４００μｍである熱可塑性樹脂中間層（３）が配設され〔但し、１．１Ａ≦Ｂ〕、且つ、該粘着フィルムのＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力が５〜４００ｇ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム。A pressure-sensitive adhesive film for grinding a semiconductor wafer back surface, which is affixed to a circuit forming surface when grinding the back surface of a semiconductor wafer, wherein the semiconductor wafer has at least one selected from an electrode and a defective circuit identification mark. The height of the seed (A) has a protrusion of 25 to 300 μm, and the adhesive film has a function capable of reacting with (a) a crosslinking agent on one side of the base film (1) having a thickness of 10 to 500 μm. A pressure-sensitive adhesive layer (2) having a thickness of 1 to 30 [mu] m containing a cross-linking agent having two or more cross-linking reactive functional groups in one molecule; A thermoplastic resin intermediate layer (3) having a JIS-A hardness of 10 to 55 and a thickness (B) of 28 to 400 μm is disposed between the material film (1) and the pressure-sensitive adhesive layer (2) [However, 1.1A ≦ B], and Adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer, wherein the adhesive strength to SUS304-BA plate of the pressure-sensitive adhesive film is 5~400g / 25mm. 粘着剤層（２）の厚みが１〜２０μｍである請求項１記載の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム。The pressure-sensitive adhesive film for back grinding of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive layer (2) has a thickness of 1 to 20 µm. 中間層（３）の熱可塑性樹脂が、酢酸ビニル単位の含有量が３０〜５０重量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体、アルキルアクリレート単位の含有量が３０〜５０重量％であるエチレン−アルキルアクリレート共重合体（アルキル基の炭素数１〜４）、密度が０．８９ｇ／ｃｍ3未満である低密度ポリ エチレン、密度が０．８９ｇ／ｃｍ3未満であるエチレン−α−オレフィン共重 合体（α−オレフィンの炭素数３〜８）から選ばれた少なくとも１種の共重合体である請求項１記載の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム。The thermoplastic resin of the intermediate layer (3) is an ethylene-vinyl acetate copolymer having a vinyl acetate unit content of 30 to 50% by weight, and an ethylene-alkyl acrylate having an alkyl acrylate unit content of 30 to 50% by weight. copolymer (1 to 4 carbon atoms alkyl group), a density low density polyethylene ethylene is less than 0.89 g / cm 3, a density of 0.89 g / cm 3 less than a is ethylene -α- olefin copolymer polymer ( The pressure-sensitive adhesive film for backside grinding of a semiconductor wafer according to claim 1, which is at least one copolymer selected from α-olefins having 3 to 8 carbon atoms. 中間層（３）の熱可塑性樹脂が、酢酸ビニル単位の含有量が３０〜５０重量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体、または、エチルアクリレート単位の含有量が３０〜５０重量％であるエチレン−エチルアクリレート共重合体である請求項１記載の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム。The thermoplastic resin of the intermediate layer (3) is an ethylene-vinyl acetate copolymer having a vinyl acetate unit content of 30 to 50% by weight or an ethylene-vinyl acetate copolymer having an ethyl acrylate unit content of 30 to 50% by weight. The pressure-sensitive adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer according to claim 1, which is an ethyl acrylate copolymer. 回路形成表面の突起状物の高さ（Ａ）が１００〜３００μｍである請求項１記載の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム。2. The adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the height (A) of the protrusions on the circuit forming surface is 100 to 300 [mu] m. 回路形成表面に電極及び不良回路識別マークから選ばれた少なくとも１種の高さ２５〜３００μｍの突起状物を有する半導体ウエハの裏面研削方法であって、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムを該半導体ウエハの回路形成表面に貼付して、半導体ウエハの裏面を研削し、次いで、粘着フィルムを剥離することを特徴とする半導体ウエハの裏面研削方法。5. A method of grinding a back surface of a semiconductor wafer having at least one type of protrusion having a height of 25 to 300 μm selected from an electrode and a defective circuit identification mark on a circuit forming surface, the method according to claim 1. A method of grinding a back surface of a semiconductor wafer, comprising sticking the adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer to a circuit forming surface of the semiconductor wafer, grinding the back surface of the semiconductor wafer, and then peeling the adhesive film. 突起状物の高さが１００〜３００μｍである請求項６記載の半導体ウエハの裏面研削方法。The method for grinding a back surface of a semiconductor wafer according to claim 6, wherein the height of the protrusion is 100 to 300 μm.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200126415A (en) 2019-04-08 2020-11-06 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Electronic component tape and electronic component processing method
KR20200128128A (en) 2019-04-08 2020-11-11 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Electronic component tape and electronic component processing method
JPWO2019189069A1 (en) * 2018-03-29 2021-03-18 リンテック株式会社 Adhesive composition and adhesive tape
JPWO2019189070A1 (en) * 2018-03-29 2021-04-01 リンテック株式会社 Adhesive composition and adhesive tape

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4828009B2 (en) * 1998-11-20 2011-11-30 リンテック株式会社 Adhesive sheet and method of using the same
JP2009135509A (en) * 2002-08-28 2009-06-18 Lintec Corp Protective structure of semiconductor wafer, method for protecting semiconductor wafer, multilayer protective sheet used therein, and method for processing semiconductor wafer
JP4781765B2 (en) * 2005-09-30 2011-09-28 信越ポリマー株式会社 Protective tape for semiconductor wafer back grinding
JP2009170478A (en) * 2008-01-11 2009-07-30 Gunze Ltd Multilayer base film for surface protective tape
JP5318435B2 (en) 2008-02-29 2013-10-16 日東電工株式会社 Adhesive sheet for semiconductor wafer back grinding and semiconductor wafer back grinding method using this back grinding adhesive sheet
WO2015064574A1 (en) * 2013-10-30 2015-05-07 リンテック株式会社 Semiconductor bonding adhesive sheet and semiconductor device manufacturing method
JP5697061B1 (en) * 2014-03-24 2015-04-08 古河電気工業株式会社 Adhesive tape for semiconductor wafer processing and method for processing semiconductor wafer
JP7252945B2 (en) * 2018-04-24 2023-04-05 三井化学東セロ株式会社 Self-adhesive film and electronic device manufacturing method
SG11202109556QA (en) 2019-03-27 2021-10-28 Mitsui Chemicals Tohcello Inc Protection film, method for affixing same, and method for manufacturing semiconductor component

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2019189069A1 (en) * 2018-03-29 2021-03-18 リンテック株式会社 Adhesive composition and adhesive tape
JPWO2019189070A1 (en) * 2018-03-29 2021-04-01 リンテック株式会社 Adhesive composition and adhesive tape
JP7305617B2 (en) 2018-03-29 2023-07-10 リンテック株式会社 Adhesive composition and adhesive tape
KR20200126415A (en) 2019-04-08 2020-11-06 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Electronic component tape and electronic component processing method
KR20200128128A (en) 2019-04-08 2020-11-11 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Electronic component tape and electronic component processing method

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