JP2002076101A - Holding plate and method for using the same - Google Patents
Holding plate and method for using the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、物体を保持する保
持プレート及びこの保持プレートの使用方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a holding plate for holding an object and a method of using the holding plate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】携帯電話、パーソナルコンピュータ（パ
ソコン）等の機器には軽量化、小型化、薄型化が要求さ
れており、これに対応してこれらに用いられる半導体チ
ップの厚さも、２００μｍ以下、更には１００μｍ以下
と、より薄く形成することが求められている。2. Description of the Related Art Devices such as mobile phones and personal computers (personal computers) are required to be reduced in weight, size, and thickness, and correspondingly, the thickness of semiconductor chips used for these devices is 200 μm or less. Further, it is required to form a thinner film having a thickness of 100 μm or less.
【０００３】このような要求に応えるために、（１）半
導体ウェーハの裏面を研削する前に表面に裏面まで貫通
しないダイシング溝を比較的浅く形成しておき、その後
その半導体ウェーハの裏面を研削してダイシング溝を裏
面側から表出させることによって個々の半導体チップに
分割する技術、（２）半導体ウェーハを半導体チップに
分割した後に個々の半導体チップの裏面を研削して薄く
形成する技術が開発され実用化されている。In order to meet such demands, (1) before grinding the back surface of the semiconductor wafer, dicing grooves which do not penetrate to the front surface are formed relatively shallow in the front surface, and then the back surface of the semiconductor wafer is ground. (2) A technique of dividing a semiconductor wafer into individual semiconductor chips by exposing dicing grooves from the back surface side and (2) a technique of dividing a semiconductor wafer into semiconductor chips and grinding the rear surface of each individual semiconductor chip to form a thinner semiconductor chip has been developed. Has been put to practical use.
【０００４】そして、上記のような手法によって薄い半
導体チップを形成するためには、比較的剛性の高い保持
プレートによって薄い半導体ウェーハまたは半導体チッ
プを保持して加工の際に割れが生じるのを防止する必要
があるため、例えば、ガラス板、プラスチック板等のプ
レートの表面に粘着層を形成して保持プレートを構成
し、これに半導体ウェーハまたは半導体チップを貼着固
定した状態で研削する等の手法がとられている。In order to form a thin semiconductor chip by the above-described method, a thin semiconductor wafer or a semiconductor chip is held by a holding plate having relatively high rigidity to prevent a crack from being generated during processing. Since it is necessary, for example, a method of forming an adhesive layer on the surface of a plate such as a glass plate or a plastic plate to form a holding plate, and grinding the semiconductor wafer or semiconductor chip in a state where the semiconductor wafer or the semiconductor chip is adhered and fixed thereto is used. Has been taken.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、研削に
より薄く形成された半導体チップを保持プレートから剥
離するのは困難であり、無理に剥離しようとすると半導
体チップが破損するという問題がある。このような問題
は、半導体ウェーハや半導体チップに限らず、破損しや
すい物体が保持プレートによって保持されている場合に
共通して発生する。However, it is difficult to peel the semiconductor chip formed thin by grinding from the holding plate, and there is a problem that the semiconductor chip is damaged if it is forcibly peeled. Such a problem is not limited to a semiconductor wafer and a semiconductor chip, but commonly occurs when an easily breakable object is held by a holding plate.
【０００６】従って、物体を保持プレートから剥離する
際には、物体を損傷させることなく剥離できるようにす
ることに課題を有している。[0006] Therefore, there is a problem in peeling an object from a holding plate without damaging the object.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、物体を保持する保持プレ
ートであって、物体を安定的に支持できる程度の剛性を
有する第一のプレートと、第一のプレートの裏面に固定
され所定温度の熱によって収縮する第二のプレートと、
第一のプレートの表面に形成される粘着層とから少なく
とも構成される保持プレートを提供する。As a specific means for solving the above problems, the present invention relates to a holding plate for holding an object, wherein the first plate has a rigidity enough to stably support the object. And a second plate fixed to the back surface of the first plate and contracted by heat at a predetermined temperature,
A holding plate comprising at least a pressure-sensitive adhesive layer formed on a surface of the first plate.
【０００８】そしてこの保持プレートは、第一のプレー
トはプラスチック素材で構成され、第二のプレートは熱
収縮性テープで構成され、第一のプレートと第二のプレ
ートとはボンド剤で固着されていること、粘着層は、紫
外線によって硬化し粘着力が低下するＵＶ硬化性粘着剤
で構成されていることを付加的要件とする。In this holding plate, the first plate is made of a plastic material, the second plate is made of a heat-shrinkable tape, and the first plate and the second plate are fixed with a bonding agent. The additional requirement is that the pressure-sensitive adhesive layer is made of a UV-curable pressure-sensitive adhesive that is cured by ultraviolet light and has a reduced adhesive strength.
【０００９】このように構成される保持プレートは、熱
を加えるだけで湾曲させることができるため、極めて簡
単に保持プレートと保持される物体との密着性を低下さ
せて物体を剥離することができる。Since the holding plate thus configured can be curved only by applying heat, the object can be peeled off very easily by reducing the adhesion between the holding plate and the held object. .
【００１０】また、粘着層に用いる粘着剤として、紫外
線によって硬化して粘着力が低下するタイプの粘着剤で
あるＵＶ硬化型粘着剤を用いた場合には、物体を保持プ
レートから剥離する前に紫外線を照射することによって
粘着力を低下させることができる。In the case where a UV-curable pressure-sensitive adhesive, which is a type of pressure-sensitive adhesive that is cured by ultraviolet rays and has a reduced adhesive strength, is used as the pressure-sensitive adhesive used for the pressure-sensitive adhesive layer, it is necessary to remove the object from the holding plate before peeling it off. Irradiation with ultraviolet light can reduce the adhesive strength.
【００１１】また本発明は、上記の保持プレートの使用
方法であって、保持プレートの粘着層に物体を貼着する
工程と、物体を保持した保持プレートを加工装置のチャ
ックテーブルに載置する工程と、物体に所定の加工を施
す工程と、所定の加工が終了した後に保持プレートをチ
ャックテーブルから取り外す工程と、保持プレートに所
定温度の熱を加えて保持プレートを裏面側に湾曲させる
工程と、保持プレートに貼着された物体を粘着層から剥
離する工程とから構成される保持プレートの使用方法を
提供する。The present invention also provides a method of using the above-mentioned holding plate, wherein the step of attaching an object to the adhesive layer of the holding plate and the step of mounting the holding plate holding the object on a chuck table of a processing apparatus. And a step of performing predetermined processing on the object, a step of removing the holding plate from the chuck table after the predetermined processing is completed, and a step of applying heat of a predetermined temperature to the holding plate and bending the holding plate to the back side, A step of peeling an object adhered to the holding plate from the adhesive layer.
【００１２】そしてこの保持プレートの使用方法は、所
定の加工が終了した後に保持プレートをチャックテーブ
ルから取り外す工程と保持プレートの裏面に所定温度の
熱を加えて保持プレートを裏面側に湾曲させる工程との
間に、保持プレートの粘着層に紫外線を照射して粘着力
を低下させる工程を遂行すること、所定温度の熱は、所
定温度の温水により供給されること、物体は半導体チッ
プであり、加工装置は、保持プレートを吸引固定するチ
ャックテーブルとチャックテーブルに対峙して配設され
た研削ホイールと研削ホイールを回転可能に支持するス
ピンドルユニットとを少なくとも備えた研削装置であ
り、所定の加工は、保持プレートに半導体チップの表面
を貼着し研削ホイールによって半導体チップの裏面を研
削して半導体チップを所定の厚さに形成する加工である
ことを付加的な要件とする。The method of using the holding plate includes a step of removing the holding plate from the chuck table after the predetermined processing is completed, a step of applying heat of a predetermined temperature to the back surface of the holding plate, and bending the holding plate to the back surface side. In the meantime, performing a step of irradiating the adhesive layer of the holding plate with ultraviolet rays to reduce the adhesive strength, heat at a predetermined temperature is supplied by hot water at a predetermined temperature, the object is a semiconductor chip, and processing is performed. The apparatus is a grinding apparatus including at least a chuck table that suction-fixes the holding plate, a grinding wheel disposed opposite to the chuck table, and a spindle unit that rotatably supports the grinding wheel. The front surface of the semiconductor chip is attached to the holding plate, and the back surface of the semiconductor chip is ground using a grinding wheel. The additional requirement that the processing for forming a predetermined thickness.
【００１３】このように構成される保持プレートの使用
方法によれば、所定の加工が終了した後に保持プレート
に熱を加えるのみで物体を剥離することができる。According to the method of using the holding plate configured as described above, the object can be separated only by applying heat to the holding plate after the predetermined processing is completed.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態として、図
１、図２に示す保持プレート１０及びこれを用いて半導
体ウェーハの研削を行う場合を例に挙げて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As an embodiment of the present invention, a holding plate 10 shown in FIGS. 1 and 2 and a case where a semiconductor wafer is ground using the holding plate 10 will be described as an example.
【００１５】図１に示すように、保持プレート１０は、
第一のプレート１１と第二のプレート１２とから構成さ
れる。第一のプレート１１は、例えばアルミニウム、プ
ラスチック等からなり、破損しやすい薄型の物体でも安
定的に支持することができる比較的剛性の高い板状部材
である。一方、第二のプレート１２は、所定の熱を加え
ることによって収縮する性質を有する熱収縮性テープで
ある。As shown in FIG. 1, the holding plate 10
It comprises a first plate 11 and a second plate 12. The first plate 11 is made of, for example, aluminum, plastic, or the like, and is a relatively rigid plate member that can stably support a thin object that is easily damaged. On the other hand, the second plate 12 is a heat-shrinkable tape having a property of shrinking by applying a predetermined heat.
【００１６】第一のプレート１１の裏面１１ｂと第二の
プレート１２の表面１２ａとをボンド剤を用いて固着す
ると、図２のように両者が一体となる。そして、第一の
プレート１１の表面１１ａに粘着剤を塗布して粘着層を
形成する。When the back surface 11b of the first plate 11 and the front surface 12a of the second plate 12 are fixed using a bonding agent, they are integrated as shown in FIG. Then, an adhesive is applied to the surface 11a of the first plate 11 to form an adhesive layer.
【００１７】表面１１ａに形成された粘着層には、図３
に示すように、研削しようとする半導体ウェーハＷを、
裏面を上にして、即ち表面と粘着層とを貼着することに
よって固着する。そして、第一のプレート１１は比較的
剛性が高いため、半導体ウェーハＷは安定的に支持され
る。The adhesive layer formed on the surface 11a has a structure shown in FIG.
As shown in the figure, the semiconductor wafer W to be ground is
The adhesive is fixed with the back side up, that is, by sticking the front surface and the adhesive layer. Since the first plate 11 has relatively high rigidity, the semiconductor wafer W is stably supported.
【００１８】この半導体ウェーハＷには、図４に示すよ
うに、予め表面のストリートにダイシング溝１３が形成
されており、裏面側から研削していくことによってダイ
シング溝１３が裏面側に表出し、個々の半導体チップに
分割することができる。このようにして保持プレート１
０に支持された半導体ウェーハＷの裏面の研削には、例
えば加工装置の一種である図５に示す研削装置２０を用
いる。As shown in FIG. 4, dicing grooves 13 are previously formed in the streets on the front surface of the semiconductor wafer W, and the dicing grooves 13 are exposed on the rear surface by grinding from the rear surface. It can be divided into individual semiconductor chips. Thus, the holding plate 1
For the grinding of the back surface of the semiconductor wafer W supported at 0, for example, a grinding device 20 shown in FIG.
【００１９】この研削装置２０は、基台２１の端部から
壁部２２が起立して設けられ、この壁部２２の内側の面
には一対のレール２３が垂直方向に配設され、レール２
３に沿って支持板２４が上下動するのに伴って支持板２
４に取り付けられた研削手段２５が上下動するよう構成
されている。また、基台２１上には、ターンテーブル２
６が回転可能に配設され、更にターンテーブル２６上に
は半導体ウェーハを保持して回転可能なチャックテーブ
ル２７が配設されている。In this grinding apparatus 20, a wall 22 is provided upright from an end of a base 21, and a pair of rails 23 is vertically disposed on an inner surface of the wall 22.
As the support plate 24 moves up and down along
4 is configured to move up and down. The turntable 2 is placed on the base 21.
6 is rotatably provided, and a turntable 26 is provided with a chuck table 27 which can hold and rotate the semiconductor wafer.
【００２０】研削手段２５においては、スピンドルユニ
ット２８を構成するスピンドルハウジング２８ａによっ
て回転可能に支持されたスピンドル２８ｂの先端のマウ
ンタ２９の下部に研削ホイール３０が装着されている。
研削ホイール３０の下部には研削砥石３１が固着されて
おり、研削ホイール３０は、スピンドル２８ｂの回転に
伴って回転する構成となっている。In the grinding means 25, a grinding wheel 30 is mounted below a mounter 29 at the tip of a spindle 28b rotatably supported by a spindle housing 28a constituting a spindle unit 28.
A grinding wheel 31 is fixed to a lower portion of the grinding wheel 30, and the grinding wheel 30 is configured to rotate with the rotation of the spindle 28b.
【００２１】図６に示すように、壁部２２の裏側には垂
直方向にボールネジ３２が配設されており、このボール
ネジ３２には、パルスモータ３３が連結され、また壁部
３２を貫通して研削手段２５と連結された支持部３４に
備えたナットが螺合しており、パルスモータ３３の駆動
によりボールネジ３２が回動するのに伴って支持部３４
及びこれに連結された研削手段２５が上下動する構成と
なっている。As shown in FIG. 6, a ball screw 32 is disposed in the vertical direction on the back side of the wall 22. A pulse motor 33 is connected to the ball screw 32, and the ball screw 32 extends through the wall 32. A nut provided on a support part 34 connected to the grinding means 25 is screwed into the support part 34 with the rotation of the ball screw 32 by the driving of the pulse motor 33.
And the grinding means 25 connected to this is configured to move up and down.
【００２２】パルスモータ３３は、パルスモータドライ
バ３５を介して制御部３６に接続されており、制御部３
６による制御の下でパルスモータ３３を駆動してボール
ネジ３２を回動させることによって研削手段２５を上下
動させる。また、支持部３４の垂直方向の位置は、リニ
アスケール３７によって計測され、その情報が制御部３
６に伝達されることによって研削手段２５の上下動が精
密に制御される。The pulse motor 33 is connected to a control unit 36 via a pulse motor driver 35.
The grinding means 25 is moved up and down by rotating the ball screw 32 by driving the pulse motor 33 under the control of 6. The vertical position of the support unit 34 is measured by the linear scale 37, and the information is transmitted to the control unit 3.
6, the vertical movement of the grinding means 25 is precisely controlled.
【００２３】制御部３６はサーボドライバ３８に接続さ
れ、サーボドライバ３８はチャックテーブル２７の下部
に備えたエンコーダ３９及びサーボモータ４０に接続さ
れており、制御部３６による制御の下でチャックテーブ
ル２７を回転させることができる。The controller 36 is connected to a servo driver 38, and the servo driver 38 is connected to an encoder 39 and a servo motor 40 provided below the chuck table 27, and controls the chuck table 27 under the control of the controller 36. Can be rotated.
【００２４】このように構成される研削装置２０を用い
て図３及び図４に示した半導体チップ１２の裏面を研削
する際は、研削装置２０のチャックテーブル２７に保持
プレート１０を載置する。このとき保持プレート１０
は、チャックテーブル２７の吸着面２７ａにおいて吸引
固定される。When the back surface of the semiconductor chip 12 shown in FIGS. 3 and 4 is ground by using the grinding device 20 configured as described above, the holding plate 10 is placed on the chuck table 27 of the grinding device 20. At this time, the holding plate 10
Is suction-fixed on the suction surface 27a of the chuck table 27.
【００２５】そして、保持プレート１０に固着された半
導体ウェーハＷを研削ホイール３０の直下に位置付け、
スピンドル２８を回転させると共に研削手段２５を下降
させていく。そして、スピンドル２８の高速回転に伴っ
て研削ホイール３０が回転すると共に、回転する研削砥
石３１が複数の半導体チップに接触して押圧力が加えら
れることにより、その裏面が研削砥石３１によって研削
される。Then, the semiconductor wafer W fixed to the holding plate 10 is positioned immediately below the grinding wheel 30,
The spindle 28 is rotated and the grinding means 25 is lowered. Then, the grinding wheel 30 rotates with the high-speed rotation of the spindle 28, and the rotating grinding wheel 31 contacts a plurality of semiconductor chips to apply a pressing force, whereby the back surface is ground by the grinding wheel 31. .
【００２６】このようにして研削を行うと、やがて半導
体ウェーハＷの裏面からダイシング溝１３が表出し、図
７に示すように、ダイシング溝１３によって個々の半導
体チップＣに分割される。そして、更に研削を行うと、
半導体チップＣを所定の厚さに仕上げることができる。When the grinding is performed in this manner, the dicing groove 13 is exposed from the back surface of the semiconductor wafer W, and is divided into individual semiconductor chips C by the dicing groove 13 as shown in FIG. And if you do further grinding,
The semiconductor chip C can be finished to a predetermined thickness.
【００２７】半導体チップＣは、そのままの状態で、即
ち個々の半導体チップＣが粘着層に貼着され保持プレー
ト１０に支持された状態で、チャックテーブル２７から
取り外す。そして、保持プレート１０を構成する第二の
プレート１２に所定の熱を加える。例えば所定温度の温
水をかける。The semiconductor chip C is removed from the chuck table 27 as it is, that is, with the individual semiconductor chip C adhered to the adhesive layer and supported by the holding plate 10. Then, predetermined heat is applied to the second plate 12 constituting the holding plate 10. For example, hot water of a predetermined temperature is applied.
【００２８】第二のプレート１２は熱収縮性テープであ
るため、温水によって所定の熱が加えられると、収縮す
る。そして、第一のプレート１１と第二のプレート１２
とは一体となっているため、図８に示すように、保持プ
レート１０が全体として湾曲する。すると、個々の半導
体チップＣの端部は粘着層から僅かに浮き上がった状態
となると共に密着性が低下するため、容易に粘着層から
剥離することができる。従って、剥離の際に強い力が加
わることがないため、半導体チップＣが破損することが
ない。このように、温水をかけるという極めて簡単な方
法によって容易に保持プレート１０を湾曲させて確実に
半導体チップを剥離することができる。Since the second plate 12 is a heat-shrinkable tape, it shrinks when a predetermined heat is applied by hot water. Then, the first plate 11 and the second plate 12
And the holding plate 10 is curved as a whole, as shown in FIG. Then, the end of each semiconductor chip C is slightly lifted from the adhesive layer and the adhesiveness is reduced, so that the semiconductor chip C can be easily separated from the adhesive layer. Therefore, since no strong force is applied at the time of peeling, the semiconductor chip C is not damaged. As described above, the holding plate 10 can be easily bent by a very simple method of applying hot water, and the semiconductor chip can be reliably peeled off.
【００２９】なお、粘着層に用いる粘着剤として、紫外
線によって硬化して粘着力が低下するタイプの粘着剤で
あるＵＶ硬化型粘着剤を用いた場合には、保持プレート
１０を取り外した後、第二のプレート１２に所定の熱を
加える前に、粘着層に紫外線を照射して粘着力を低下さ
せておけば、半導体チップの剥離をより容易に行うこと
ができ、半導体チップが破損する危険性をより軽減する
ことができる。この場合、研削装置２０に紫外線を照射
する手段を配設すれば、粘着層の粘着力を低下させる作
業を効率良く行うことができる。When a UV-curable pressure-sensitive adhesive, which is a type of a pressure-sensitive adhesive which is cured by ultraviolet rays and has a reduced adhesive strength, is used as the pressure-sensitive adhesive used for the pressure-sensitive adhesive layer, after the holding plate 10 is removed, If the adhesive layer is irradiated with ultraviolet light to reduce the adhesive strength before applying predetermined heat to the second plate 12, the semiconductor chip can be more easily peeled off and the semiconductor chip may be damaged. Can be further reduced. In this case, if means for irradiating the grinding device 20 with ultraviolet rays is provided, the work of reducing the adhesive strength of the adhesive layer can be performed efficiently.
【００３０】また、本実施の形態においては、半導体ウ
ェーハ及び半導体チップを保持プレートによって保持す
る場合を例に挙げて説明したが、保持される物体は半導
体ウェーハには限定されない。Further, in the present embodiment, the case where the semiconductor wafer and the semiconductor chips are held by the holding plate has been described as an example, but the held object is not limited to the semiconductor wafer.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る保持
プレートは、熱を加えるだけで湾曲させることができる
ため、極めて簡単な方法で保持プレートと保持される物
体との密着性を低下させることができる。従って、物体
を保持プレートから無理なく容易に剥離することがで
き、物体を破損させることがない。As described above, since the holding plate according to the present invention can be bent only by applying heat, the adhesion between the holding plate and the held object is reduced by a very simple method. be able to. Therefore, the object can be easily and easily peeled from the holding plate without damaging the object.
【００３２】また、粘着層に用いる粘着剤として、紫外
線によって硬化して粘着力が低下するタイプの粘着剤で
あるＵＶ硬化型粘着剤を用いた場合には、物体を保持プ
レートから剥離する前に紫外線を照射することによって
粘着力を低下させることができるため、より安全かつ効
率よく物体を剥離させることができる。In the case where a UV-curable pressure-sensitive adhesive, which is a type of pressure-sensitive adhesive which is cured by ultraviolet light and has a reduced adhesive strength, is used as the pressure-sensitive adhesive used for the pressure-sensitive adhesive layer, it is necessary to remove the object from the holding plate before peeling it off. By irradiating the ultraviolet rays, the adhesive strength can be reduced, so that the object can be peeled more safely and efficiently.
【００３３】更に、本発明に係る保持プレートの使用方
法によれば、所定の加工が終了した後に保持プレートに
熱を加えるのみで物体を剥離することができるため、簡
単かつ確実に物体を取り出すことができる。Further, according to the method of using the holding plate according to the present invention, the object can be separated simply by applying heat to the holding plate after the predetermined processing is completed. Can be.
【図１】本発明に係る保持プレートを構成する第一のプ
レート及び第二のプレートを示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a first plate and a second plate constituting a holding plate according to the present invention.
【図２】同保持プレートを示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the holding plate.
【図３】同保持プレートにダイシング溝が形成された半
導体ウェーハを貼着した様子を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a state in which a semiconductor wafer having a dicing groove formed thereon is attached to the holding plate.
【図４】同ダイシング溝が形成された半導体ウェーハを
示す正面図である。FIG. 4 is a front view showing a semiconductor wafer in which the dicing grooves are formed.
【図５】同半導体ウェーハを研削する研削装置を示す斜
視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a grinding device for grinding the semiconductor wafer.
【図６】同研削装置の構成を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a configuration of the grinding device.
【図７】研削により形成された半導体チップが保持プレ
ートによって保持されている様子を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing a state where a semiconductor chip formed by grinding is held by a holding plate.
【図８】湾曲した保持プレート及びその保持プレートに
保持された半導体チップを示す正面図である。FIG. 8 is a front view showing a curved holding plate and a semiconductor chip held by the holding plate.
１０…保持プレート １１…第一のプレート １２…第二のプレート １３…ダイシング溝 ２０…研削装置 ２１…基台 ２２…壁部 ２３…レール ２４…支持板 ２５…研削手段 ２６…ターンテーブル ２７…保持テーブル ２７ａ…吸着面 ２８…スピンドルユニット ２８ａ…スピンドルハウジング ２８ｂ…スピンドル ２９…マウンタ ３０…研削ホイール ３１…研削砥石 ３２…ボールネジ ３３…パルスモータ ３４…支持部 ３５…パルスモータドライバ ３６…制御部 ３７…リニアスケール ３８…サーボドライバ ３９…エンコーダ ４０…サーボモータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Holding plate 11 ... 1st plate 12 ... 2nd plate 13 ... Dicing groove 20 ... Grinding apparatus 21 ... Base 22 ... Wall 23 ... Rail 24 ... Support plate 25 ... Grinding means 26 ... Turntable 27 ... Holding Table 27a ... Suction surface 28 ... Spindle unit 28a ... Spindle housing 28b ... Spindle 29 ... Mounter 30 ... Grinding wheel 31 ... Grinding wheel 32 ... Ball screw 33 ... Pulse motor 34 ... Support part 35 ... Pulse motor driver 36 ... Control part 37 ... Linear Scale 38: Servo driver 39: Encoder 40: Servo motor
Claims (7)
プレートと、該第一のプレートの裏面に固定され所定温
度の熱によって収縮する第二のプレートと、該第一のプ
レートの表面に形成される粘着層とから少なくとも構成
される保持プレート。1. A holding plate for holding an object, wherein the first plate has a rigidity enough to stably support the object, and is fixed to a back surface of the first plate and contracted by heat at a predetermined temperature. A holding plate comprising at least a second plate to be formed and an adhesive layer formed on the surface of the first plate.
成され、第二のプレートは熱収縮性テープで構成され、
該第一のプレートと該第二のプレートとはボンド（登録
商標）剤で固着されている請求項１に記載の保持プレー
ト。2. The first plate is made of a plastic material, the second plate is made of a heat-shrinkable tape,
The holding plate according to claim 1, wherein the first plate and the second plate are fixed with a bond (registered trademark) agent.
が低下するＵＶ硬化性粘着剤で構成されている請求項１
または２に記載の保持プレート。3. The pressure-sensitive adhesive layer is made of a UV-curable pressure-sensitive adhesive that is cured by ultraviolet light to reduce the adhesive strength.
Or the holding plate according to 2.
使用方法であって、 該保持プレートの粘着層に物体を貼着する工程と、該物
体を保持した保持プレートを加工装置のチャックテーブ
ルに載置する工程と、該物体に所定の加工を施す工程
と、該所定の加工が終了した後に該保持プレートを該チ
ャックテーブルから取り外す工程と、該保持プレートに
所定温度の熱を加えて該保持プレートを裏面側に湾曲さ
せる工程と、該保持プレートに貼着された物体を粘着層
から剥離する工程とから構成される保持プレートの使用
方法。4. The method of using a holding plate according to claim 1, wherein an object is attached to an adhesive layer of the holding plate, and the holding plate holding the object is a chuck table of a processing apparatus. Mounting the object, performing a predetermined processing on the object, removing the holding plate from the chuck table after the predetermined processing is completed, and applying heat of a predetermined temperature to the holding plate to apply the heat to the holding plate. A method for using a holding plate, comprising: a step of bending the holding plate to the back surface side; and a step of peeling an object attached to the holding plate from the adhesive layer.
をチャックテーブルから取り外す工程と該保持プレート
の裏面に所定温度の熱を加えて該保持プレートを裏面側
に湾曲させる工程との間に、保持プレートの粘着層に紫
外線を照射して粘着力を低下させる工程を遂行する請求
項４に記載の保持プレートの使用方法。5. The method according to claim 5, wherein after the predetermined processing is completed, the holding plate is removed from the chuck table and a step of applying heat of a predetermined temperature to the back surface of the holding plate to bend the holding plate toward the back surface. The method of claim 4, wherein the step of irradiating the adhesive layer of the plate with ultraviolet rays to reduce the adhesive strength is performed.
供給される請求項４または５に記載の保持プレートの使
用方法。6. The method according to claim 4, wherein the heat at a predetermined temperature is supplied by hot water at a predetermined temperature.
ブルと該チャックテーブルに対峙して配設された研削ホ
イールと該研削ホイールを回転可能に支持するスピンド
ルユニットとを少なくとも備えた研削装置であり、 所定の加工は、該保持プレートに半導体チップの表面を
貼着し該研削ホイールによって該半導体チップの裏面を
研削して該半導体チップを所定の厚さに形成する加工で
ある請求項４乃至６に記載の保持プレートの使用方法。7. An object is a semiconductor chip, and a processing apparatus includes: a chuck table for suction-fixing a holding plate; a grinding wheel disposed to face the chuck table; and a spindle unit for rotatably supporting the grinding wheel. Wherein the predetermined processing comprises: attaching the front surface of the semiconductor chip to the holding plate; and grinding the back surface of the semiconductor chip with the grinding wheel to form the semiconductor chip to a predetermined thickness. 7. The method of using the holding plate according to claim 4, wherein the holding plate is processed.
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