JPH11340514A - Flip-chip optical semiconductor element - Google Patents

Flip-chip optical semiconductor element

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JPH11340514A
JPH11340514A JP14187398A JP14187398A JPH11340514A JP H11340514 A JPH11340514 A JP H11340514A JP 14187398 A JP14187398 A JP 14187398A JP 14187398 A JP14187398 A JP 14187398A JP H11340514 A JPH11340514 A JP H11340514A
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semiconductor
nitride
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Yoshikazu Takaoka
高岡  美和
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Nichia Chem Ind Ltd
日亜化学工業株式会社
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    • HELECTRICITY
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To emit light at a high luminance with few short-circuits by providing a protective film covering the surface of nitride semiconductor layers with a laminate, comprising a first layer made of an insulating film, a metal layer formed on the first layer, and a second layer made of an insulating film and formed on the metal layer. SOLUTION: After forming an n-type nitride semiconductor film and a film of a p-type nitride semiconductor on a sapphire substrate 104, the p-type nitride semiconductor is etched in part to thereby expose the surface of the n-type nitride semiconductor layer. After forming electrodes 110, 111 and 112 on the p and n-type nitride semiconductors, a silicon oxide film is formed over the whole surface. Etching is effected, using the silicon oxide film as a mask to thereby expose part of the electrode surfaces, and an insulating film which is a first layer 101 is formed. Then, a platinum film is formed to thereby form a metal layer 102 on the layer 101. Furthermore, a second layer 103 of an insulating layer is formed on the layer 102 by processing the silicon oxide film by a plasma CVD method. As a result, a three-layered protective film is formed.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は各種インジケータや光プリンタのプリンタヘッド用など種々の発光素子や太陽電池などの受光素子として利用可能なフリップチップ型光半導体素子に係わり、特に、駆動基板上への配置においても位置精度に関わりなく短絡が極めて少ない高輝度フリップチップ型光半導体素子に関する。 The present invention relates to relates to a flip chip type optical semiconductor device which can be used as a light receiving element such as a variety of light-emitting elements and solar cells such as printer head for the various indicators and light printer, in particular, to the drive substrate short no regard to positioning accuracy in the placement of about extremely small high brightness flip chip type optical semiconductor device.

【0002】 [0002]

【従来技術】駆動基板の電極上にLEDチップの電極を直接、Agペーストや半田などにより導通固定させるフリップチップ型光半導体素子がある。 BACKGROUND OF THE INVENTION The electrode of the LED chip directly on the electrode of the driving substrate, there is a flip-chip type optical semiconductor device to conduct secured due Ag paste or solder. このようなLED Such a LED
チップは、導通を取るためにワイヤを用いる必要がなく、比較的簡単な工程で比較的小型なLEDチップを搭載することができる。 Chip, continuity is not necessary to use a wire to take, it is possible to mount the relatively small-sized LED chip with a relatively simple process.

【0003】このようなフリップチップ型光半導体素子の模式的断面図を図4に示す。 [0003] shows a schematic cross-sectional view of such a flip chip-type optical semiconductor device in FIG. 図4にはサファイア基板404上にバッファ層405を介してn型窒化物半導体、p型窒化物半導体が形成されたLEDチップが示されている。 n-type nitride via the buffer layer 405 on a sapphire substrate 404 in FIG. 4 the semiconductor, p-type nitride semiconductor LED chip is formed is shown. 半導体表面側から導通を取る為に半導体の一部を除去してp型及びn型窒化物半導体の表面をそれぞれ露出させてある。 Are removing a portion of the semiconductor is exposed, respectively p-type and n-type nitride semiconductor surface and to take the conduction from the semiconductor surface. p型及びn型窒化物半導体の表面にはそれぞれ各p型電極411及びn型電極412を形成してある。 Each of the p-type and n-type nitride semiconductor surface is formed with the p-type electrode 411 and n-type electrode 412. したがって、p型電極411及びn型電極4 Thus, p-type electrode 411 and n-type electrode 4
12はそれぞれ同一平面側に形成されている。 12 are respectively formed on the same plane side.

【0004】LEDチップは予め駆動基板の電極パターン上にAgペーストなどを塗布した後、電極面を下にした状態でLEDチップを配置させる。 [0004] LED chips after application and Ag paste on the electrode pattern of the pre-driving board, to place the LED chip in a state in which the electrode surface and down. Agペーストを硬化させることで、LEDチップを固定すると共に駆動基板の電極とLEDチップの各電極との導通を取ることができる。 By hardening the Ag paste may take the continuity between each electrode of the driving substrate electrode and the LED chip is fixed to the LED chip.

【0005】LEDチップは一片が350μm以下でL [0005] LED chip L in one piece is 350μm or less
EDチップ上の電極は一辺が約100μm程度と極めて小さな場合がある。 Electrodes on ED chip may if one side is extremely small as about 100 [mu] m. この場合、LEDチップをダイボンド機器を用いて精度良く配置させることが難しい。 In this case, it is difficult to accurately placed using the die bonding equipment LED chips. また、上述のフリップチップ型光半導体素子は同一面側に異なる極性を持った半導体接合が露出形成される場合がある。 Further, flip chip type optical semiconductor device of the above there is a case where the semiconductor junction having different polarities on the same side is exposed formation. そのため、Agペーストなどを介してLEDチップの電極と駆動基板の電極パターンとを接続する場合、 Therefore, when connecting the electrode pattern of the electrode and the driving substrate of the LED chip via a Ag paste,
LEDチップの配置ずれによりAgペーストが半導体接合間をショートしてしまう場合がある。 Ag paste by misalignment of the LED chip in some cases a short circuit between the semiconductor junction. また、Agペーストの粘度、LEDチップ表面との表面張力によりAg The viscosity of the Ag paste, by the surface tension of the LED chip surface Ag
ペーストが半導体接合箇所まで這い上がり、同様に半導体接合間を短絡してしまう場合がある。 Paste creep up to the semiconductor joint, which may result in short circuit between Similarly semiconductor junction. 短絡は発光輝度の低下のみならず発光素子の破壊を生ずる。 Shorting results in a destruction of the light emitting element not only decrease in emission luminance. このような、短絡は電極表面を除いて酸化珪素などの保護膜40 Such protection such as silicon oxide except the short-circuit electrode surface film 40
1を形成させることによりある程度制御することができる。 It can be controlled to some extent by forming a 1.

【0006】しかしながら、より小型化かつ歩留まりの高い光半導体素子が求められる現在においては十分ではなく、更なる改良が求められている。 However, at present more compact and high yield optical semiconductor element is sought is not sufficient, and further improvement is demanded. 特に、絶縁性被膜を成膜させると短絡を生ずる数が減るものの、いまだ十分な歩留まりがあるフリップチップ型光半導体素子とすることができなかった。 In particular, although reduced number resulting short circuit and thereby forming an insulating coating film, it was not possible to flip-chip type optical semiconductor device is still sufficient yield. したがって、本発明はより短絡の少ない高輝度発光可能なフリップチップ型光半導体素子を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention aims to provide a less high luminance can be flip-chip-type optical semiconductor element with a short circuit.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】本発明は透光性絶縁基板に形成された窒化物半導体の同一平面側に正と負の電極が設けられ、該電極表面の露出部を除いて窒化物半導体層表面を被覆した保護膜を有するフリップチップ型光半導体素子である。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has positive and negative electrodes provided on the same plane side of the formed transparent insulating substrate a nitride semiconductor, the nitride semiconductor except for the exposed portion of the electrode surface a flip-chip type optical semiconductor device having a protective film coated with a layer surface. 特に、保護膜は絶縁性被膜からなる第1層と、第1層上の金属層と、金属層上に絶縁性被膜からなる第2層の少なくとも3層構造からなる。 In particular, the protective film is composed of at least three layers of the second layer of the first layer and a metal layer on the first layer, the insulating film on the metal layer made of an insulating film.

【0008】これにより、制御性よく絶縁被膜を半導体接合部等に形成することができると共にフリップチップ型光半導体素子の電気的接続時においても極めて短絡の少ないものとし得る。 [0008] This may also be an extremely low short-circuit at the time of electrical connection of the flip chip type optical semiconductor device with a good controllability insulating film can be formed on the semiconductor junction and the like. 即ち、金属層(合金を含む)を形成させることにより、導電性ペーストを構成する導電性部材が絶縁性被膜を介して進入することを防ぎ短絡を防止することができる。 That is, by forming the metal layer (including alloy), conductive member constituting the conductive paste can be prevented shorting prevented from entering through the insulating film. また、発光素子で放出された発光波長を効率よく外部に放出させることができる、或いは外部からの光を半導体に効率よく吸収できる受光素子とすることができる。 Further, the emission wavelength emitted from the light emitting device can be efficiently discharged to the outside, or may be a light receiving element capable of efficiently absorbing light in the semiconductor from the outside.

【0009】本発明の請求項2に記載の構成は、第1層及び/又は第2層が酸化珪素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化珪素及びポリイミドから選択される少なくとも一種である。 [0009] arrangement according to claim 2 of the present invention, the first layer and / or the second layer is silicon oxide, titanium oxide, niobium oxide, hafnium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, selected from silicon nitride and polyimide it is at least one that. これにより、より信頼性の高いフリップチップ型光半導体素子とすることができる。 Thus, it is possible to more reliable flip-chip type optical semiconductor element.

【0010】本発明の請求項3に記載の構成は、金属層が電極の一部を構成するものである。 [0010] arrangement according to claim 3 of the present invention is one in which the metal layer constitutes a part of the electrode. これにより、比較的簡単な構成で保護膜の工程を簡略化しつつ信頼性の高いフリップチップ型光半導体素子とすることができる。 This makes it possible to relatively simple configuration in while simplifying the process of protective film highly reliable flip-chip type optical semiconductor element.

【0011】 [0011]

【発明の実施の形態】本発明者は種々の実験の結果、窒化物半導体素子上を被覆する被膜を特定構造とすることにより、信頼性の高いフリップチップ型光半導体素子としうることを見出し本発明を成すに至った。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present inventors as a result of various experiments, by a coating coated on the nitride semiconductor device with a specific structure, the found that can a highly reliable flip-chip type optical semiconductor element leading to the completion of the invention.

【0012】即ち、無機絶縁膜は緻密で欠陥のない薄膜を形成することが難しいこと、及びフリップチップ型光半導体素子の電気的接続に使用される導電性接着剤により短絡すると考えられる。 Namely, the inorganic insulating film is difficult to form a thin film having no dense and defective, and are believed to short circuit by a conductive adhesive used for electrical connection of the flip chip type optical semiconductor device. より具体的には導電性接着剤を構成するAgなどの導電性部材は、周辺環境の水分等によりイオン化される。 Conductive member such as Ag constituting more specifically conductive adhesive is ionized by moisture in the surrounding environment. イオン化された金属は、窒化物半導体との通電に伴い無機絶縁膜内をマイグレーションして短絡を生ずる場合がある。 Ionized metal may produce a short circuit to migrate through the inorganic insulating film with the energization of the nitride semiconductor. 短絡に伴い半導体の機能低下ばかりでなく、半導体素子が破壊される場合もある。 Well hypofunction of the semiconductor due to the short circuit, there is a case where the semiconductor device is destroyed. 特に、半導体接合部での短絡は、窒化物半導体素子に特に大きな影響を与えると考えられる。 In particular, short-circuit in the semiconductor junctions are believed to give particularly large effect on the nitride semiconductor device. 本発明は絶縁膜間に金属膜を挟み込む保護膜の構成とすることにより、絶縁部材を通して半導体接合部などに形成される短絡を防止し得るものである。 The present invention can prevent a short circuit which is formed by the structure of the protective film sandwiching the metal film between the insulating film and a semiconductor junction through an insulating member. なお、このような問題は発光素子のみならず受光素子においても同様な問題である。 Such a problem is the same problem in the light-receiving element not only the light-emitting element.

【0013】以下、本発明の具体的実施態様例について図1を用いて説明する。 [0013] Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to FIG. 図1には、サファイア基板10 In FIG. 1, a sapphire substrate 10
4上にn型窒化物半導体、p型窒化物半導体をそれぞれ成膜させた後、p型窒化物半導体を部分的にエッチングさせn型窒化物半導体層の表面まで露出させる。 n-type nitride over the fourth semiconductor, after the p-type nitride semiconductor was formed respectively, are exposed to partially etch the p-type nitride semiconductor to the surface of the n-type nitride semiconductor layer. p型及びn型窒化物半導体上に電極110、111、112を形成させた後、プラズマCVD法により酸化珪素を全面に成膜する。 After forming the electrodes 110, 111, and 112 to the p-type and n-type nitride semiconductor, forming a silicon oxide on the entire surface by plasma CVD. 酸化珪素をマスクを利用したエッチングにより、電極表面の一部を露出させ第1層101としての絶縁膜を形成させた。 By etching the silicon oxide using a mask, to form an insulating film as a first layer 101 to expose part of the electrode surface. 次に、白金をスパッタリング法により成膜させ、第1層上に金属層102を形成させる。 Then, platinum was formed by a sputtering method to form the metal layer 102 on the first layer.
さらに、第1層101と同様にして、酸化珪素をプラズマCVD法により絶縁性の第2層103として成膜させ三層構成の保護膜を形成させた。 Further, in the same manner as the first layer 101 to form a protective film having a three-layer structure is formed as the second layer 103 of insulating silicon oxide by a plasma CVD method. 形成させたフリップチップ型光半導体素子の電極と、駆動回路基板の電極パターンとをCu含有のエポキシ樹脂を用いて電気的に接続させた。 And the electrode of the flip chip type optical semiconductor device was formed, and an electrode pattern of the driving circuit board were electrically connected using Cu-containing epoxy resin. 駆動回路から電流を供給するとLEDチップが発光する。 LED chip emits light when supplied with current from the drive circuit. LEDチップからの光はサファイアを直接透過して外部に取り出させるものの他、保護膜を形成する金属層により反射されサファイア取り出されるものがある。 Light from the LED chip others that extracted outside through the sapphire directly, there is to be retrieved sapphire is reflected by the metal layer forming the protective film. そのため、LEDチップからの発光波長を高効率で放出することができる。 Therefore, it is possible to release the emission wavelength from the LED chip with high efficiency. 以下、本発明の各構成について詳述する。 It described in detail below each arrangement of the present invention.

【0014】(保護膜)本発明の保護膜は、少なくとも絶縁性被膜からなる第1層101、金属層102、絶縁性被膜103からなる第2層で構成されている。 [0014] (protective film) protective film of the present invention, a first layer 101 made of at least an insulating film, a metal layer 102, and a second layer of insulative coating 103. 特に、 Especially,
保護膜は少なくとも光半導体素子の半導体接合部をフリップチップ型光半導体素子の導通時に利用される導電性ペーストや半田などの接触から防止するものである。 Protective film is to prevent at least a semiconductor junction of the optical semiconductor element from contact with a conductive paste or solder to be used during the conduction of the flip chip type optical semiconductor device. したがって、各層は以下の如き特性を持っていることが好ましい。 Thus, each layer preferably has the following such characteristics.

【0015】(第1層101、201、301)第1層としては窒化物半導体と接して形成することができるため、窒化物半導体との密着性が良いものが好ましい。 Examples of the (first layer 101, 201, 301) a first layer it is possible to form in contact with the nitride semiconductor, as good adhesion with the nitride semiconductor is preferable. また、第1層101上に金属層102を形成するために絶縁性の高い絶縁膜が好ましい。 Further, insulating film having a high insulating property to form the metal layer 102 on the first layer 101 is preferred. 第1層101は発光素子が発光する波長を効率よく反射する或いは、受光素子が受光する波長に対して効率よく反射することで光利用効率を高めることができる。 Alternatively the first layer 101 efficiently reflects wavelengths emitting element emits light, it is possible to increase the light utilization efficiency by the light receiving element is reflected efficiently to the wavelength of light. 具体的には、第1層101の膜厚を発光素子の発光波長や受光素子の受光波長に対し1/4倍の厚さとすることで反射率を向上させることができる。 Specifically, it is possible to improve the reflectance by the thickness of the first layer 101 with respect to the photosensitive wavelength of the emission wavelength and the light receiving element of the light emitting element, the thickness is 1/4. また、発光素子から放出された発光波長を金属層102で反射させる場合は、第1層101が少なくとも発光素子から放出される発光波長や受光素子で受光される受光波長に対して透光性の高い層とすることが好ましい。 Also, the case of the emission wavelength emitted from the light emitting element is reflected by the metal layer 102, the light-transmitting property with respect to light wavelengths first layer 101 is received by the light emission wavelength and the light receiving element to be emitted from the at least a light-emitting element it is preferable that the higher layer.

【0016】このような第1層101に用いられる材料としては、酸化珪素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム及び窒化珪素などの金属酸化物や金属窒化物、さらにはポリイミドなどの樹脂が好適に挙げられる。 Examples of the material used for such a first layer 101, silicon oxide, titanium oxide, niobium oxide, hafnium oxide, aluminum oxide, metal oxides or metal nitrides such as zirconium oxide and silicon nitride, more polyimide resins and the like preferably. 第1層101が無機絶縁膜の場合はスパッタリング法や各種CVD法などを利用することにより、小型な光半導体素子においても制御性よく形成することができる。 If the first layer 101 is an inorganic insulating film by using a sputtering method or various CVD methods, it can be formed with good controllability in a small optical semiconductor devices. 特に、緻密な無機絶縁膜を成膜させるためはプラズマCVD法を利用することが好ましい。 In particular, in order to deposit a dense inorganic insulating film it is preferable to use the plasma CVD method.

【0017】(金属層102、202、302)金属層102は導電時に保護膜を構成する第2層103を介して進入する外部などからの金属イオンなどを実質的に防止する働きをするものである。 [0017] (metal layer 102, 202, 302) the metal layer 102 is intended to serve to substantially prevent such metal ions from an external entering through the second layer 103 constituting the protective film during the conductive is there. 金属層102は、スパッタリング法や真空蒸着法などにより薄膜、かつ制御性良く形成することができる他、欠陥の少ない膜として形成しやすい。 The metal layer 102, except that it is possible to form a thin film, and good controllability by a sputtering method or a vacuum evaporation method, easy to form a small film defects. また、第1層101を透過した波長を効率よく反射する金属(合金や積層物を含む)を選択することにより、集光性等を高め光取りだし効率を高めることができる。 Further, by selecting a metal which reflects well wavelength transmitted through the first layer 101 efficiency (including alloys and laminates), it is possible to increase the extraction efficiency light enhances the condensing and the like.

【0018】このような金属層102は外部からのイオンの進入を止める。 [0018] The metal layer 102 may stop the penetration of ions from the outside. 或いは、導電性ペースト、導電性ペーストを構成するフィラや半田の進入を防止しうるものであれば種々の金属でも選択することができる。 Alternatively, the conductive paste, constituting the conductive paste as long as it can prevent the filler and solder penetration in various metals may be selected. 金属層の具体的材料としては、ニッケル、白金、金、アルミニウム、タングステン、モリブデンやこれらの合金や積層物が好適に挙げられる。 Specific material of the metal layer, nickel, platinum, gold, aluminum, tungsten, molybdenum or an alloy or a laminate are preferably exemplified.

【0019】金属層はイオンマイグレーションを好適に防止しうるものであるため、金属層自体がイオン化し難いものが好ましい。 The metal layer is for those capable of suitably preventing ion migration, the metal layer itself preferably has hardly ionized. 特に、銀は、導電性が高く、窒化物半導体のバンドギャップに対応する光に対して反射性はよい。 In particular, silver, high conductivity, reflective to light corresponding to the band gap of the nitride semiconductor is good. しかし、イオンマイグレーションを起こしやすい銀を除いた金属元素で構成することが好ましい。 However, it is preferably made of a metal element other than silver prone ion migration. また、 Also,
金属層102の厚みは発光素子からの発光波長を反射及び小型化などを考慮すると百Åから数ミクロン程度の厚みで形成することが好ましい。 The thickness of the metal layer 102 is preferably formed with a thickness of about several microns hundred Å when considering the reflection and miniaturize the emission wavelength from the light emitting element. 金属層102は短絡しない限り、窒化物半導体の全周を被覆するように形成しても良いし、複数に分割した形状で形成することもできる。 Metal layer 102 unless short, may be formed so as to cover the entire periphery of the nitride semiconductor may be formed in plurality of divided shape.

【0020】複数に分割された場合、p型或いはn型の電極の一部を構成することもできる。 [0020] When it is divided into a plurality, it is also possible to constitute a part of the p-type or n-type electrode. これにより、電極形成と同時に金属層302を形成することができる。 This makes it possible to simultaneously with electrode forming a metal layer 302. そのため複数のマスクとエッチング工程を簡略して、工程数を低減することができる。 Therefore in a simplified multiple masks and etching, it is possible to reduce the number of steps. このような金属層302として具体的にはp型窒化物半導体の電極として機能させる場合は、オーミック接触等を考慮して、ニッケル、コバルト、金や白金などの金属元素で構成されていることが好ましい。 If specifically to function as an electrode of a p-type nitride semiconductor as such a metal layer 302, in consideration of ohmic contact, such as, nickel, cobalt, to be composed of a metal element such as gold or platinum preferable. 同様に、n型窒化物半導体の電極としても機能させる場合は、タングステン、アルミニウムやチタンなどの金属元素で構成されていることが好ましい。 Similarly, if also function as n-type nitride semiconductor electrodes, tungsten, to be composed of a metal element such as aluminum or titanium preferable. さらに、窒化物半導体を活性層を介してダブルへテロ構造としたLEDに利用した場合、活性層の端面から放出される光が特に多いことから活性層を絶縁層を介した金属層で被覆することにより、発光効率をより向上させることができる。 Furthermore, when using the LED which is a heterostructure of nitride semiconductor to double over the active layer, the light emitted from the end face of the active layer to cover the active layer with a metal layer over the insulating layer from particularly often it is thus possible to improve the luminous efficiency.

【0021】(第2層103)第2層103は金属層1 [0021] (second layer 103) The second layer 103 is a metal layer 1
02を被覆する絶縁被膜であり外部と窒化物半導体とを電気的に絶縁するために設けられるものである。 02 is an insulating film that covers the one in which is provided outside and the nitride semiconductor to electrically insulate. したがって、金属層102上に直接形成される場合は金属層1 Therefore, the metal layer 1 when it is directly formed on the metal layer 102
02と密着性がよく絶縁性が高いことが求められる。 02 and adhesion is required that good high insulating property. 第2層103に用いられる材料としては、第1層101と同様、種々の金属酸化物、金属窒化物などの無機物質の他、有機樹脂を種々選択することができる。 The material used in the second layer 103, similar to the first layer 101, a variety of metal oxides, other inorganic materials such as metal nitrides, can be variously selected organic resin. より具体的には、酸化珪素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化珪素及びポリイミド樹脂などを好適に挙げることができる。 More specifically, silicon oxide, titanium oxide, niobium oxide, hafnium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, can be cited such as suitably silicon nitride and polyimide resin.
第2層103が無機絶縁膜の場合は緻密に形成させるほど短絡の傾向が減少するが、緻密に形成させるためには成膜時間がかかる傾向にある。 While second layer 103 is reduced the tendency of the short enough to densely formed in the case of the inorganic insulating film, in order to densely form it tends to take a film formation time.

【0022】一方、第2層103はフリップチップ型光半導体素子の最外郭に配置される場合がある。 On the other hand, the second layer 103 which may be disposed on the outermost of the flip chip type optical semiconductor device. このような、第2層103の場合は実装時における保護膜の損傷を防止するため、ポリイミドなどの絶縁性有機物質を使用することもできる。 Such, in the case of the second layer 103 to prevent damage to the protective film during mounting, it is also possible to use an insulating organic material such as polyimide. これにより、信頼性を更に向上させることもできる。 Accordingly, it is possible to further improve the reliability. 具体的には、窒化物半導体は、サファイア基板などの上に形成させた後、粘着シート上でスクライブなどにより個々の窒化物半導体素子に分割される。 Specifically, the nitride semiconductor, after forming on the sapphire substrate is divided into individual nitride semiconductor device due scribing on the adhesive sheet. 分割された窒化物半導体素子が取り上げ可能なように粘着シートをのばし、粘着シート下部から突き上げピンによって個々の半導体素子を突き上げ、コレットに吸着する。 Divided nitride semiconductor device extends the pressure-sensitive adhesive sheet so that possible pick, push up the individual semiconductor devices by means of a pin push-up from the adhesive sheet lower adsorbs the collet. 他方、搭載させる駆動基板側の電極にAgペーストなどの導電性ペーストを塗布する。 On the other hand, applying a conductive paste such as Ag paste electrode of the drive substrate side for mounting. コレットによって吸着した窒化物半導体素子を導電性ペースト上に乗せ、導電性接着剤を硬化させる。 Placed on a conductive paste nitride semiconductor device adsorbed by the collet to cure the conductive adhesive. これによって、所望の駆動基板上などに窒化物半導体素子を配置固定することができる。 This makes it possible to place fixing the nitride semiconductor element such as a desired driving substrate.

【0023】窒化物半導体素子の場合、比較的硬いサファイア基板などの上に窒化物半導体が形成される。 [0023] When a nitride semiconductor device, a nitride semiconductor is formed on such relatively hard sapphire substrate. そのため、基板側においては比較的強度が高いものの、コレットで吸着させる際、突き上げピンは絶縁被膜を形成させた電極面側を突き上げる。 Therefore, although a relatively high strength in the substrate side, when adsorbed by the collet, the push-up pins push up the electrode surface obtained by forming an insulating film. そして半導体面(サファイア基板に対して窒化物半導体側)を配線基板の導電部に導電性接着剤を介してフリップチップボンディングさせる。 And is flip-chip bonded via a conductive adhesive to the conductive portion of the wiring substrate the semiconductor surface (nitride semiconductor side with respect to the sapphire substrate).

【0024】この場合、短絡不良を防止するために窒化物半導体面、窒化物半導体端面及び露出している基板面等に絶縁膜を形成しているにも関わらず、短絡不良の発生率がかなり高くなる傾向がある。 [0024] In this case, the nitride semiconductor surface in order to prevent a short circuit, even though an insulating film is formed on the substrate surface or the like which are nitride semiconductor facets and exposed, a short circuit failure of the incidence of significant It tends to be high. この原因として、発光面が基板面の時は基板が硬いために突き上げピンによって傷や割れが発生し難い。 As this reason, scratches and cracks by a pin push-up because the substrate is hard when the light emitting surface is the substrate surface hardly occurs. 特に、窒化物半導体面側を突き上げピンによって突き上げる場合は、保護膜に傷や割れ等が発生し易くなるために短絡の発生率が高いものと考えられる。 In particular, when the thrust up by a pin push-up the nitride semiconductor surface, it is considered that a high incidence of short-circuit to scratches and cracks tend to occur in the protective film.

【0025】そこで、有機樹脂による絶縁被膜を特に第2層103として形成させた場合はフリップチップボンディング形式の窒化物半導体素子において、突き上げピンによる窒化物半導体面の傷及び絶縁膜の割れを防止し、短絡不良がなく信頼性の高い窒化物半導体素子とすることができる。 [0025] Therefore, if obtained by forming an insulating film of an organic resin in particular as the second layer 103 in the nitride semiconductor device of the flip chip bonding type to prevent cracking of the wound and the insulating film of the nitride semiconductor surface by thrust pins it can be a highly reliable nitride semiconductor device without short circuit failure.

【0026】即ち、第2層103を有機絶縁膜とすることにより、配線基板への実装時における粘着シート下部からの突き上げピンの物理的衝撃を緩和し、短絡の原因となる絶縁膜の割れ等を効果的に防止できるものである。 [0026] That is, by a second layer 103 and the organic insulating film, alleviate physical impacts thrust pins from the adhesive sheet lower during mounting of the wiring board, cracks of the insulating film which causes a short circuit those which can be effectively prevented. このような、第2層103にポリイミド系薄膜を利用した場合における具体的な膜厚は、突き上げピンで突き上げた時に受ける物理的力の緩和、及び絶縁膜の耐圧の点で1〜10μmとすることが好ましい。 Such specific thickness when using a polyimide thin film on the second layer 103 is relaxed physical forces encountered when pushed up by the push-up pins, and the 1~10μm in terms of withstand voltage of the insulating film it is preferable. また、ポリイミド系薄膜の発光主波長における透過率が60%以下であると、窒化物半導体素子端面からの漏光を抑制、光学特性のばらつきの軽減される。 Further, when the transmittance at dominant emission wavelength of polyimide thin film is 60% or less, suppress leakage of light from the nitride semiconductor device end face, is reduced in the variation of the optical characteristic. そのため、配光特性の安定性が得られるためより好ましい。 Therefore, more preferable because the stability of the light distribution characteristics can be obtained.

【0027】(光半導体素子)本発明の光半導体素子は、窒化物半導体からなる受光素子や発光素子である。 [0027] (optical semiconductor element) The optical semiconductor device of the present invention is a light-receiving element or a light-emitting device made of nitride semiconductor.
透光性絶縁基板上に形成され少なくとも半導体接合を有する窒化物半導体により構成することができる。 It can be constituted of a nitride semiconductor having at least a semiconductor junction is formed on a transparent insulating substrate. 具体的には、透光性絶縁基板上にMOCVD法やHVPE法を用いて窒化物半導体を形成させることができる。 Specifically, it is possible to form a nitride semiconductor with MOCVD method or the HVPE method on a transparent insulating substrate. このような透光性絶縁基板としては、窒化ガリウム、サファイア(Al 23 )やスピネル(MgAl 24 )などが挙げられる。 Such translucent insulating substrate, gallium nitride, sapphire (Al 2 O 3) and spinel (MgAl 2 O 4), and the like. 半導体接合としては、MIS接合、PIN接合の他、pn接合が挙げられる。 The semiconductor junction, MIS junction, other PIN junction, pn junction and the like. また、光半導体素子の特性により、ホモやダブルへテロ構造とすることができる。 Furthermore, the characteristics of the optical semiconductor element can be a heterostructure homo or double. さらに、単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。 Furthermore, it can be a single quantum well structure or a multiple quantum well structure.

【0028】pin接合やpn接合が短絡することで、 [0028] By pin junction or a pn junction is short-circuited,
半導体特性に大きな損傷が加わる。 Severe damage to the semiconductor characteristics is applied. そのため、本発明が有効に働くことになる。 Therefore, so that the present invention works effectively. 半導体の材料やその混晶度によって光半導体素子の発光波長及び受光波長を紫外光から赤色領域まで種々選択することができる。 The emission wavelength and the light receiving wavelength of the optical semiconductor element can be variously selected from ultraviolet light to red region of a semiconductor material and the degree of the mixed crystal.

【0029】なお結晶性の良い窒化物半導体を形成させるためにはサファイヤ基板を用いることが好ましい。 It should be noted in order to form a good nitride semiconductor crystallinity is preferable to use a sapphire substrate. このサファイヤ基板上に格子不整合緩和のためにGaN、 GaN for the lattice mismatching buffer in the sapphire substrate,
AlN等のバッファー層を形成しその上にpn接合などを有する窒化物半導体を形成させることにより半導体特性の優れた発光素子や受光素子を構成させることができる。 Thereby constitutes an excellent light emitting element and a light receiving element of the semiconductor characteristics by forming a nitride semiconductor having a like pn junction thereon to form a buffer layer such as AlN. サファイアで基板を形成させると硬度が高く、基板自体が透光性を持つと共に外部からの水分等の進入を防ぐことができるため特に好ましい。 High hardness when forming a substrate of sapphire, particularly preferred since it is possible to prevent the ingress of moisture and the like from the outside with the substrate itself has a light-transmitting property.

【0030】窒化物半導体は、不純物をドープしない状態でn型導電性を示すが、n型ドーパントとしてSi、 The nitride semiconductor shows n-type conductivity when not doped with impurities, Si as an n-type dopant,
Ge、Se、Te、Sn等を適宜導入することが好ましい。 Ge, Se, Te, or is preferable to appropriately introduce Sn or the like. また、n型ドーパントと微量のp型ドーパントとをドーピングしたダブルドーピングすることもできる。 It is also possible to double doping doped with a p-type dopant in the n-type dopant and a trace amount. これらのドーパントの種類とドーピング量を変えることによってキヤリア密度を制御し電気抵抗を下げることができる。 Carrier density by varying the type and amount of doping these dopants can control the lowering electrical resistance. 一方、p型窒化物半導体を形成させる場合は、p On the other hand, when forming a p-type nitride semiconductor, p
型ドーパントであるZn、Mg、Be、Ca、Sr、B Zn is a type dopant, Mg, Be, Ca, Sr, B
a等をドープさせる。 It is doped with a like. 窒化ガリウム半導体は、p型ドーパントをドープしただけでは低抵抗化しにくいためp型ドーパント導入後に、低速電子線照射、プラズマ照射や熱処理等させることで低抵抗化処理することができる。 Gallium nitride semiconductor is only doped with a p-type dopant after p-type dopant introduction for hard to lower resistance can be low voltage electron beam irradiation, a low resistance process by causing plasma irradiation or heat treatment.

【0031】半導体露出面側に一対の電極を形成するためには各半導体を所望の形状にエッチングしてあることが好ましい。 [0031] It is preferable that in order to form a pair of electrodes on the semiconductor exposed surface side are etched each semiconductor into a desired shape. エッチングとしては、ドライエッチングや、ウエットエッチングがある。 As the etching, and dry etching is wet etching. ドライエッチングとしては例えば反応性イオンエッチング、イオンミリング、 As the dry etching for example, reactive ion etching, ion milling,
集束ビームエッチング、ECRエッチング等が挙げられる。 Focused beam etching, ECR etching, and the like. 又、ウエットエッチングとしては、硝酸と燐酸の混酸を用いることができる。 As the wet etching, it can be used mixed acid of nitric acid and phosphoric acid. ただし、エッチングを行う前に所望の形状に窒化珪素や酸化珪素等の材料を用いてマスクを形成することは言うまでもない。 However, it is needless to say that a mask is formed using a material such as silicon nitride or silicon oxide into a desired shape prior to performing the etching. 以下、本発明の実施例について詳述するがこれのみに限定されるものでないことはいうまでもない。 Hereinafter, it is needless to say not intended will be described in detail embodiments of the present invention being limited only thereto.

【0032】 [0032]

【実施例】(実施例1)洗浄されたサファイアのC面を成膜表面としてMOCVD法を用いて窒化物半導体を成膜した。 Example were deposited nitride semiconductor is used (Example 1) MOCVD method C surface of the washed sapphire as a deposition surface. 成膜装置内にサファイア基板104を配置し6 Place the sapphire substrate 104 in the film forming apparatus 6
50℃に加熱すると共に、TMG(トリメチルガリウム)ガス、窒素ガスを原料ガス、水素ガスをキャリアガスとして流しバッファ層105を形成させた。 While heating to 50 ° C., it was TMG (trimethyl gallium) gas, a nitrogen gas to form a buffer layer 105 flows the raw material gas, hydrogen gas as a carrier gas. 一旦、原料ガスの導入を止めた後、成膜温度を1150℃に上げTMGガス、窒素ガス、水素ガスにn型ドーパントガスとしてシランを加えて厚さ5μmのn型窒化ガリウム層106を成膜した。 Once, after stopping the introduction of the material gas, TMG gas raised deposition temperature of 1150 ° C., nitrogen gas, the n-type gallium nitride layer 106 having a thickness of 5μm by silane was added as an n-type dopant gas to the hydrogen gas deposition did. 次に、TMGガスの供給を停止し、 Next, stop the supply of the TMG gas,
成膜温度を800℃に低下させた後、TMGガス、TM After the film formation temperature was lowered to 800 ° C., TMG gas, TM
A(トリメチルアルミニウム)ガス、窒素ガス及び水素ガスを供給させて厚さ3nmの窒化インジウムガリウムを発光層107として成膜させた。 A was deposited (trimethylaluminum) gas, indium gallium nitride having a thickness of 3nm by supplying nitrogen gas and hydrogen gas as a light-emitting layer 107.

【0033】次に、原料ガスの供給を停止して成膜温度を1050℃に上げた後、再び原料ガスとしてTMGガス、TMAガス、窒素ガス、キャリアガスとして水素ガス、不純物ガスとしてシクロペンタジエチルマグネシウムを加えて厚さ300Åのp型クラッド層108を成膜させる。 Next, after raising the supply of the raw material gas is stopped deposition temperature to 1050 ° C., TMG gas again as a raw material gas, TMA gas, nitrogen gas, cyclopentadienyl as a carrier gas of hydrogen gas as the impurity gas by adding magnesium to deposit a p-type cladding layer 108 having a thickness of 300 Å.

【0034】p型クラッド層108上にTMAガスの供給を停止した以外はp型クラッド層の形成と同様にして厚さ1500Åのp型コンタクト層109を成膜させる。 [0034] except for stopping the supply of TMA gas on the p-type cladding layer 108 is deposited a p-type contact layer 109 having a thickness of 1500Å in the same manner as in the formation of the p-type cladding layer. (なお、p型窒化物半導体となる半導体層は成膜後400℃以上で熱処理してある。)こうして活性層を介してダブルへテロ構造である窒化物半導体を成膜した。 (Note that the semiconductor layer to be a p-type nitride semiconductor 400 ° C. are treated at least. After the deposition) was deposited nitride semiconductor is double hetero structure through the thus active layer.
半導体ウエハの同一面側に電極を形成させるため、マスクを利用して、活性層、p型クラッド層、p型コンタクト層を一部残しつつn型コンタクト層まで、部分的にエッチングさせてある。 To form an electrode on the same surface side of the semiconductor wafer, using a mask, the active layer, p-type cladding layer, while leaving a portion of the p-type contact layer to the n-type contact layer, are partially etched. 同様に各LEDチップとして分離できる大きさでサファイア基板上までそれぞれエッチングしてある。 Each are etched until the sapphire substrate in a size equally separated as each LED chip. エッチング後、サファイア基板上には島状の窒化物半導体層が形成されることとなる。 After etching, so that the island-shaped nitride semiconductor layer is formed on a sapphire substrate.

【0035】p型コンタクト層109と接触し全面を被覆する電極110として白金を500Åでスパッタリング法を用いて成膜した。 The film was formed by sputtering at 500Å platinum as electrode 110 covering the entire surface in contact with the p-type contact layer 109. この電極110上には、100 On this electrode 110, 100
μm角のp型電極111として白金を0.7μmで成膜した。 Platinum was deposited by 0.7μm as a p-type electrode 111 μm square. n型コンタクト層106上には直径100μmのn型電極112としてタングステン/アルミニウムを2 2 tungsten / aluminum on the n-type contact layer 106 as an n-type electrode 112 with a diameter of 100μm
00Å/0.7μmとして成膜した。 It was formed as 00Å / 0.7μm. これによって、島状の窒化物半導体上には同一平面側に正負一対の電極1 Thereby, the island-shaped nitride pair of positive and negative electrodes 1 on the same plane side on a semiconductor
11、112が形成されたことになる。 11,112 would have been formed.

【0036】各窒化物半導体が形成されたp型及びn型の各電極上に第1層101を形成すべく、半導体ウエハをプラズマCVD装置内に配置させた。 [0036] to form a first layer 101 on each electrode of the p-type and n-type in which each nitride semiconductor is formed, was arranged a semiconductor wafer in a plasma CVD apparatus. シランガス及び酸化窒素ガスを原料ガスとして酸化珪素膜を半導体ウエハの全面に形成させた。 The silane gas and nitrogen oxide gas to form a silicon oxide film on the entire surface of the semiconductor wafer as a material gas. 酸化珪素膜を形成後、プラズマCVD装置から取り出し、レジストマスクを利用してドライエッチングさせることによりp型電極111及びn After forming the silicon oxide film is removed from the plasma CVD apparatus, p-type electrode 111 and n by dry etching using a resist mask
型電極112の表面を露出させた。 To expose the surface of the mold electrode 112. レジストマスクを除去して半導体ウエハ上に第1層101となる酸化珪素膜が形成させた。 A silicon oxide film serving as the first layer 101 on the semiconductor wafer by removing the resist mask was formed.

【0037】続いて、半導体ウエハをスパッタリング装置内に配置させ、ターゲットをプラチナとしスパッタリングすることにより、金属層102となる厚さ500Å [0037] Then, the semiconductor wafer is placed in a sputtering apparatus, by sputtering a target with platinum, the thickness 500Å as a metal layer 102
のプラチナを成膜させた。 Of platinum were deposited. リフトオフによりp型電極1 p-type electrode 1 by the lift-off
11及びn型電極112の表面を露出させた。 11 and to expose the surface of n-type electrode 112. さらに、 further,
第1層101と同様の条件で再び第2層102の酸化珪素を形成させる。 Forming again silicon oxide of the second layer 102 under the same conditions as the first layer 101. その後、p型電極111及びn型電極112に形成されたマスクを除去する。 Thereafter, the mask is removed, which is formed on the p-type electrode 111 and n-type electrode 112. これにより、各p型電極111、n型電極112の表面及びサファイア基板104以外は窒化物半導体の表面には、酸化珪素1 Thus, the surface and the sapphire substrate 104 other than the surface of the nitride semiconductor of each p-type electrode 111, n-type electrode 112, silicon oxide 1
01、プラチナ102、酸化珪素103の三層構成となる保護膜が形成される。 01, platinum 102, protective film to be a three-layer structure of silicon oxide 103 is formed. 半導体ウエハを分離することにより、各々フリップチップ型LEDを得ることができる。 By separating the semiconductor wafer, it is possible to respectively obtain the flip chip type LED.

【0038】得られたLEDチップの内、1400個を電極の間隔が約100μである一対の電極が形成された駆動回路上にAgペーストを用いてダイボンディングさせた。 [0038] Of the obtained LED chips were die-bonded using an Ag paste 1400 apart electrodes driving circuit on which a pair of electrodes are formed is about 100 microns. 各LEDに電流を流したところサファイア基板1 Sapphire substrate 1 at a current flows to each LED
04を介して発光しており全て発光可能であった。 04 were all has been the light-emitting light-emitting possible via the.

【0039】(比較例1)金属層、第2層を設けるかわりに第1層の厚みを実施例1の保護膜の厚みと同じ膜厚とした以外は同様にして図4の如き、フリップチップ型LEDを形成させた。 [0039] (Comparative Example 1) metal layer, except that the thickness of the first layer to the same thickness as the thickness of the protective film of Example 1 instead of providing the second layer, such as 4 in a similar manner, flip chip type LED was formed. 実施例1と同様に駆動回路上にA A similarly driven circuit as the first embodiment
gペーストを用いて1400個のLEDをダイボンディングさせた。 1400 pieces of LED using g paste was die-bonded. 各LEDに電流を流したところ不灯となったものが5個あった。 And was the Fuakari where a current flows to each LED had five. また、発光輝度が極端に暗くなったものが8個あった。 Moreover, those light emission luminance becomes extremely dark was eight. 不灯となったものを集束イオンビーム加工装置を用いて調べたところ、保護膜を介してA Examination of what has become Fuakari using a focused ion beam processing apparatus, A through the protective film
gが貫通しているためにリークしていた。 g had leaked to penetrate. また、発光輝度が極端に暗くなったものを除いた平均輝度を100とした場合、実施例1の平均輝度は121であった。 Also, when the average brightness except those emission luminance becomes extremely dark and 100, the average luminance of Example 1 was 121.

【0040】(実施例2)実施例2は図2に示したLE [0040] (Example 2) Example 2 shown in FIG. 2 LE
Dの如く、第2層203を酸化珪素で形成させるかわりにポリイミド被膜とした。 D as was a polyimide film instead of forming the second layer 203 of silicon oxide. ポリイミド被膜を塗布硬化して第2層203を形成させた以外は、実施例1と同様にしてフリップチップ型LEDを構成させた。 Except that to form a second layer 203 by coating cured polyimide coating was composed of a flip-chip type LED in the same manner as in Example 1. 得られたL The resulting L
EDを実施例1、比較例1と同様にして測定したところ実施例1とほぼ同様の結果が得られた。 Implementing ED Example 1, Comparative Example 1 substantially the same results as in Example 1 was measured in the same manner as was obtained. なお、実施例2 In Examples 2
は実施例1に対して経時劣化が少なくなる傾向にある。 Tends to deterioration over time is reduced with respect to the first embodiment.

【0041】(実施例3)金属層302の厚みを0.7 [0041] The thickness of the (Example 3) metal layer 302 0.7
μmとして図3の如く、p型電極として一体的に形成させた以外は、実施例1と同様にしてフリップチップ型L As shown in FIG. 3 as a [mu] m, except that was integrally formed as a p-type electrode, a flip-chip type in the same manner as in Example 1 L
EDを形成させた。 To form the ED. 得られたLEDは工程を簡略化したにもかかわらず、実施例1とほぼ同様の信頼性を得ることができた。 Despite obtained LED is a simplified process, it was possible to obtain substantially the same reliability as in Example 1.

【0042】 [0042]

【発明の効果】本発明はサファイア基板上の窒化物半導体を利用したフリップチップ型光半導体素子であり、特に光半導体素子に設けられた半導体接合を少なくとも3 According to the present invention is a flip chip type optical semiconductor device using a nitride semiconductor on a sapphire substrate, at least 3 semiconductor junctions in particular provided in the optical semiconductor element
層構成の保護膜で被覆することにより発光輝度を向上させると共に短絡の少ないフリップチップ型光半導体素子とすることができる。 It can be a small flip-chip type optical semiconductor device having a short circuit improves the light emission luminance by covering with a protective layer of the layer structure.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明のフリップチップ型光半導体素子の模式的断面図を示す。 1 shows a schematic cross-sectional view of a flip chip type optical semiconductor device of the present invention.

【図2】 本発明の別のフリップチップ型光半導体素子を駆動基板上に配置させた模式的断面図を示す。 2 shows a schematic cross-sectional view of the another flip chip type optical semiconductor device was disposed on the drive substrate of the present invention.

【図3】 本発明の他のフリップチップ型光半導体素子の模式的断面図を示す。 3 shows a schematic cross-sectional view of another flip-chip type optical semiconductor device of the present invention.

【図4】本発明と比較のために示すフリップチップ型光半導体素子の模式的断面図を示す。 4 shows a schematic cross-sectional view of a flip chip type optical semiconductor device shown for the present invention and comparative.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

100、200、300・・・光半導体素子 101、201、301・・・無機絶縁膜からなる第1 100, 200, 300 first consisting ... optical semiconductor element 101, 201, 301 ... inorganic insulating film
層 102、202・・・金属層 103、303・・・無機絶縁膜からなる第2層 104、204、304・・・透光性絶縁基板 105、205、305・・・バッファ層 106、206、306・・・n型コンタクト層 107、207、307・・・活性層 108、208、308・・・p型クラッド層 109、209、309・・・p型コンタクト層 110、210、310・・・p型半導体上に形成された電極 111、211・・・p型電極 112、212、312・・・n型電極 203・・・有機絶縁膜からなる第2層 214・・・駆動基板上に形成された電極パターン 215・・・駆動基板 302・・・p型電極を構成する金属層 400・・・光半導体素子 401・・・無機絶縁膜からなる第1層 404・・・透光性絶 Layers 102, 202 ... metal layer 103,303 ... second layer made of an inorganic insulating film 104, 204, 304 ... transparent insulating substrate 105, 205, 305 ... buffer layer 106 and 206, 306 ... n-type contact layer 107, 207, 307 ... the active layer 108, 208, 308 ... p-type cladding layer 109,209,309 ... p-type contact layer 110, 210, ... formed in the p-type electrode 111 or 211 ... p-type formed on the semiconductor electrode 112, 212, 312 ... n-type electrode 203 ... organic insulating consists film second layer 214 ... driving substrate the first layer 404 ... translucent insulation made of a metal layer 400 ... optical semiconductor element 401 ... inorganic insulating film of the been electrode pattern 215 ... driving board 302 ... p-type electrode 基板 405・・・バッファ層 406・・・n型コンタクト層 407・・・活性層 408・・・p型クラッド層 409・・・p型コンタクト層 410・・・p型半導体上に形成された電極 411・・・p型電極 412・・・n型電極 Substrate 405 ... buffer layer 406, ... n-type contact layer 407 ... the active layer 408 ... p-type cladding layer 409 ... p-type contact layer 410 ... p-type semiconductor is formed on the electrode 411 · · · p-type electrode 412 · · · n-type electrode

Claims (3)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 透光性絶縁基板に形成された窒化物半導体の同一平面側に正と負の電極が設けられ、該電極表面の露出部を除いて窒化物半導体層表面を被覆した保護膜を有するフリップチップ型光半導体素子であって、 前記保護膜は絶縁性被膜からなる第1層と、該第1層上の金属層と、該金属層上に絶縁性被膜からなる第2層の少なくとも3層構造を有することを特徴とするフリップチップ型光半導体素子。 1. A positive and negative electrodes provided on the same plane side of the transparent insulating substrate which is formed on a nitride semiconductor, a protective film coated with a nitride semiconductor layer surface except for the exposed portion of the electrode surface a flip chip type optical semiconductor device having the protective film and the first layer of insulative coating, the metal layer on the first layer, the second layer of insulative coating on the metal layer flip chip-type optical semiconductor element characterized by having at least three layers.
  2. 【請求項2】 前記第1層及び/又は第2層が酸化珪素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化珪素及びポリイミドから選択される少なくとも一種である請求項1に記載のフリップチップ型光半導体素子。 Wherein said first layer and / or the second layer is silicon oxide, titanium oxide, niobium oxide, hafnium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, to claim 1 is at least one selected from silicon nitride and polyimide flip chip-type optical semiconductor device according.
  3. 【請求項3】 前記金属層が前記電極の一部を構成している請求項1に記載のフリップチップ型光半導体素子。 3. A flip-chip type optical semiconductor device according to claim 1, wherein the metal layer constitutes a part of the electrode.
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