JPH11340141A

JPH11340141A - 半導体基板の製造方法

Info

Publication number: JPH11340141A
Application number: JP14282998A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Okumura; 和弘奥村; Hideki Nishihata; 秀樹西畑; Hiroshi Hashimoto; 博士橋本
Original assignee: Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1998-05-25
Filing date: 1998-05-25
Publication date: 1999-12-10

Abstract

(57)【要約】【課題】デバイス品質および製造コストに優れるＳＯＩ
構造の半導体基板を提供できる。【解決手段】(1)基板表面の絶縁体層に露出面３を形成
したのち、基板の厚み方向の温度勾配を小さく、径方向
の温度勾配を大きくした条件でエピタキシャル成長法を
行うことによって、絶縁体層２上に単結晶シリコン層５
を形成させる半導体基板の製造方法。 (2)基板表面の絶縁体層に形成された露出面と近接して
多結晶シリコン層を配置したのち、基板の厚み方向の温
度勾配を小さく、径方向の温度勾配を大きくした条件で
熱処理を行うことによって、絶縁体層上に単結晶シリコ
ン層を形成させる半導体基板の製造方法。 (3)基板表面の絶縁体層および露出面に多結晶シリコン
層を形成したのち、基板の厚み方向の温度勾配を小さ
く、径方向の温度勾配を大きくした条件で熱処理を行う
ことによって、絶縁体層上に単結晶シリコン層を形成さ
せる半導体基板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、単結晶シリコン層を絶
縁体上に形成するＳＯＩ構造の半導体基板の製造方法に
関し、さらに詳しくは基板表面に形成された絶縁体層上
に単結晶シリコン層を直接成長させる半導体基板の製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスにおける高集積
化、高速化、多機能化の要請が一層厳しいものになり、
それにともなって、半導体基板の製造においてＳＯＩ
（silicon-on-insulator）技術の重要性が一層認識され
るようになっている。すなわち、デバイスに要求される
上記の特性は、素子分離技術と不可分であることから、
単結晶シリコン層を絶縁体上に形成するＳＯＩ構造の半
導体基板の製造技術が種々に検討され、実用化が試みら
れている。特に、ＳＩＭＯＸ（separation-by-implante
d oxygen）法およびＰＡＣＥ（plasma-assisted chemic
al etching）法が主要なＳＯＩ技術として注目を集めて
いる。

【０００３】ＳＩＭＯＸ法は単結晶シリコン基板中に高
濃度の酸素イオンを注入し、その後の高温熱処理（アニ
ール）でシリコンと酸素とを反応させて、基板中に埋め
込み酸化膜の層を形成するものである。また、ＰＡＣＥ
法は単結晶シリコン基板を酸化膜を介して貼り合わせを
行い、局所的に膜厚の測定を行いながらプラズマエッチ
ングで正確に加工する技術である。これらのＳＩＭＯＸ
法およびＰＡＣＥ法は、いずれもＳＯＩ技術として完成
度が高く、既に実用化の段階までに達している。しか
し、両方法を実施するとなると、高精度で、かつ大規模
の装置を必要とするため、多大な設備投資を必要とす
る。そのため、両方法で加工された基板は、半導体デバ
イスの高性能化の要請にともなって、一層製造コストが
上昇するという問題がある。

【０００４】一方、上述のような多大な設備投資の問題
を解消するため、ＳＩＭＯＸ法およびＰＡＣＥ法に替え
て、基板上の絶縁体層の表面に新たに単結晶層を形成さ
せる方法が提案されている。例えば、絶縁体層の表面に
非晶質あるいは多結晶質のシリコン層を堆積させ、この
シリコン層をレーザ、電子線などの加熱手段で局部的に
アニールして単結晶化する方法、若しくは貼り合わせ法
でＳＯＩ構造の基板を作製し、酸化した側のシリコンを
除去したのち、シリコンを直接エピタキシャル成長させ
る方法である。

【０００５】しかしながら、前者の絶縁体層にシリコン
を堆積して単結晶化する方法では、基板の量産という面
では実用的でなく、技術的にも歪みがなく所定の結晶粒
径を有する単結晶層を得られるようにするには、まだ技
術的な改善を要する段階である。また、後者の方法が意
図するように、絶縁体層の上に直接単結晶シリコンを成
長させることができれば、デバイス品質および製造コス
トの面でＳＩＭＯＸ法やＰＡＣＥ法に対抗できる半導体
基板を提供できるが、絶縁体層の表面上にシリコンをエ
ピタキシャル成長させると、多結晶シリコン層が形成さ
れるという問題がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、高集積化デ
バイスの設計に対応して製造されているＳＯＩ構造の半
導体基板の問題点に鑑み、基板表面の絶縁体層の上に単
結晶シリコンを直接エピタキシャル成長させること、お
よび多結晶シリコンを形成したのち熱処理によって単結
晶化することを可能にして、基板品質および製造コスト
に優れる半導体基板の製造方法を提供することを目的と
している。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述の課
題を解決するため、基板表面の絶縁体層の上にシリコン
層を直接成長させる方法について種々の検討を行った。
その結果、基板表面に形成される絶縁体層を部分的に除
去し、基板表面を露出した開口部を設けて、化学的気相
法で直接エピタキシャル成長をさせたり、多結晶シリコ
ンを形成したのち熱処理することによって、基板表面の
絶縁体層の上に単結晶シリコン層を直接成長させる実験
を試みた。そこでは、基板表面を露出した開口部上に
は、単結晶シリコン層が成長するが、絶縁体層上には単
結晶シリコン層が形成されないことを明らかにした。

【０００８】しかしながら、さらに検討を進めることに
よって、絶縁体層の上に単結晶シリコン層を形成するに
は、エピタキシャル成長や熱処理の際に、基板に与えら
れる温度勾配が重要であることを見出した。すなわち、
通常、単結晶の成長は温度勾配に依存し、温度勾配がな
ければ結晶成長が進行し難くなる。従来のエピタキシャ
ル成長および熱処理では単結晶シリコン層の面内品質、
例えば、膜厚、比抵抗、熱に起因する欠陥制御を均一に
維持するため、単結晶ウェーハの径方向には均一な加熱
が施され、径方向にはほとんど温度勾配が加えられてい
なかった。そのため、基板表面上の絶縁体層を部分的に
除去して基板表面が露出した面を形成して、絶縁体層の
上に単結晶シリコンを成長させようとしても、露出面に
はシリコンの成長があるが、絶縁体層の上にはほとんど
結晶成長が進行しない。したがって、基板にエピタキシ
ャル成長や熱処理を施して、絶縁体層の上に単結晶シリ
コンを成長させるには、ウェーハの径方向に温度勾配を
確保し、それを制御する必要がある。

【０００９】本発明は、上記の知見に基づいて完成され
たものであり、下記(1)〜(3)の半導体基板の製造方法を
要旨としている。

【００１０】(1)基板表面上の絶縁体層２を部分的に除
去して基板表面が露出した面３を形成したのち、基板の
厚み方向の温度勾配を小さく、基板の径方向の温度勾配
を大きくした条件でエピタキシャル成長法を行うことに
よって、前記絶縁体層上に単結晶シリコン層５を形成さ
せることを特徴とする半導体基板の製造方法（図１参
照、以下、「第１の方法」という）。

【００１１】(2)基板表面上の絶縁体層を部分的に除去
して基板表面が露出した面を形成し、その露出面とは所
定の間隔ｈを設けて相対向する位置に多結晶シリコン層
４を形成したのち、基板の厚み方向の温度勾配を小さ
く、基板の径方向の温度勾配を大きくした条件で熱処理
を行うことによって、前記絶縁体層上に単結晶シリコン
層５を形成させることを特徴とする半導体基板の製造方
法（図２(a)、(b)参照、以下、「第２の方法」とい
う）。

【００１２】(3)基板表面上の絶縁体層を部分的に除去
して基板表面が露出した面を形成し、これらの絶縁体層
２および露出面３に多結晶シリコン層４を形成したの
ち、基板の厚み方向の温度勾配を小さく、基板の径方向
の温度勾配を大きくした条件で熱処理を行うことによっ
て、前記絶縁体層上に単結晶シリコン層を形成させるこ
とを特徴とする半導体基板の製造方法（図３参照、以
下、「第３の方法」という）。

【００１３】上記第１、２、３の方法において、エピタ
キシャル成長または熱処理を水素および塩素を含有する
ガス雰囲気で実施するのが望ましく、また、基板の露出
面には絶縁体層に格子状の開口部、ストライプ状の開口
部若しくは正方形状の開口部のいずれかを設けるのが望
ましい。さらに、絶縁体層上を異なる方向から成長する
単結晶シリコン層を接触させないように、絶縁体層の表
面に凸設部を設けることが望ましく（図４(a)、(b)並び
に図５および図６参照）、凸設部の高さ、幅寸法は使用
される基板の結晶軸方位に応じて調整される。一方、基
板表面の絶縁体層上に形成したシリコン層は表面の平坦
性が低下するおそれがあるが、この場合には、表面に鏡
面研磨を施して所定の厚みに調整するのが望ましい。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１は、エピタキシャル成長法に
よって半導体基板を製造する第１の方法を説明する図で
ある。図１から明らかなように、第１の方法では、基板
１の表面に絶縁体層２を形成し、その後、絶縁体層２の
上に単結晶シリコン３をエピタキシャル成長させるた
め、絶縁体層２に所定の寸法、形状の開口部３を設け
る。この基板１に対してエピタキシャル成長法で、基板
の厚さ方向だけでなく、径方向にも単結晶シリコンを成
長させるため、基板の厚み方向の温度勾配を小さく、基
板の径方向の温度勾配を大きくする。

【００１５】通常のエピタキシャル成長法では、基板表
面にガスを流すことから、基板表面が冷却されて表面側
の温度が低く、裏面側の温度が高いという温度勾配にな
り、このときの基板の厚み方向の温度勾配は20℃程度に
なるとされている。一方、基板の径方向の温度勾配は、
基板表面上に成長させるシリコン層の厚みを均一に保つ
ため、小さくする必要があり、基板の径方向に対して均
一な加熱が施される。これに対し、本発明方法では、基
板の厚み方向の温度勾配を小さくして、径方向の温度勾
配を大きくする必要がある。具体的には、基板の厚み方
向の温度勾配を５℃以下にし、径方向の温度勾配を20〜
50℃にするのが望ましい。このような温度勾配を満足す
る条件としては、例えば、基板表面に流すガス流量を少
なくして、基板の厚み方向の温度勾配を小さくするとと
もに、加熱手段の配置位置、出力などを調整することに
よって基板の径方向の温度勾配を大きくすることが適宜
採用される。

【００１６】上記で例示した条件でエピタキシャル成長
を行うと、図１に示すように、初期段階では絶縁体２が
除去された開口部３で単結晶シリコン層５が選択的に成
長するが、そのまま成長を続けていくと、選択的に成長
した単結晶シリコン層５が盛り上がって、絶縁体層２を
覆うように基板の径方向に広がっていく。さらに成長を
続けると、径方向に広がった単結晶シリコン層５が互い
に接して、最終段階において、単結晶シリコン層５が絶
縁体層２を全面にわたって覆うことになる。

【００１７】第１の方法におけるエピタキシャル成長
は、水素および塩素を含有するガス雰囲気で実施するの
が望ましい。これは、水素および塩素が、エピタキシャ
ル成長を促進する媒体であるSiCl₄等の生成を促し、単
結晶シリコン層の成長を著しく促進するからである。こ
のとき使用するガスとしては、SiCl₄、SiHCl₃ガス、或
いはSiH₄とHClの混合ガス等が採用され、これらに加え
て、後述するように第２、３の方法においては、シリコ
ン源を含まないHClガスのみを使用することもできる。

【００１８】絶縁体層の露出面として除去、開口される
部分の形状は、後述の実施例で説明するように、絶縁体
層に格子状の開口部、ストライプ状の開口部若しくは正
方形状の開口部のいずれかを設けるのが望ましい。この
ような開口部の形状にすると、絶縁体層を除去する際に
精度よく加工することができるからである。

【００１９】各開口部から絶縁体層上をそれぞれ成長し
てきた単結晶シリコン層は、エピタキシャル成長条件、
絶縁体層の開口部の形状、寸法等の相違によって、単結
晶シリコンが絶縁体上で接触する線に沿って、積層欠陥
等の結晶欠陥が発生する場合がある。このような状態を
回避するため、図４(a)、(b)に示すように、絶縁体層２
上を異なる方向から成長する単結晶シリコン層５を接触
させないように、絶縁体層の表面上に凸設部６を設ける
のが望ましい。このとき、凸設部６を設ける方向は基板
の径方向の温度勾配によって単結晶シリコン層が成長す
る方向に応じて適宜選定され、設ける位置も図４(a)に
示すように絶縁体層の中心部、図４(b)に示すように絶
縁体層の端部であってもよい。さらに、設けられる凸設
部６の高さおよび幅は、使用される基板の結晶軸方位に
応じて調整される。

【００２０】図５は絶縁体層表面上に析出する単結晶シ
リコン層の成長状況を基板の結晶軸方向に応じて説明す
る図であり、同図（a)は使用する基板が〈１１０〉結晶
である場合、（b）が使用する基板が〈１００〉または
〈１１１〉結晶である場合を示している。図５に示すよ
うに、絶縁体層２表面上に析出する単結晶シリコン層５
は、基板１の結晶軸方位に対して特定の角度θを持って
成長するので、基板の結晶軸方位に応じて調整される。
例えば、(a)に示すように、使用される基板１が〈１１
０〉結晶である場合には、単結晶シリコン層５は基板面
に対して垂直に成長する。そのため、凸設部６の高さが
単結晶シリコン層５より低くても、単結晶シリコン層５
同士が接触することがなく、また凸設部６の幅もそれほ
ど厚くする必要がない。一方、(b)に示すように、使用
する基板１が〈１１１〉または〈１００〉結晶である場
合には、単結晶シリコン層５は基板面に対する角度θが
それぞれ70.53°または54.74°で成長するので、凸設部
６の高さおよび幅が不適切であると、凸設部６の上方で
単結晶シリコン層５が接触して積層欠陥が発生する要因
となる。そのため、この場合には、凸設部６の高さを高
くするとともに、その幅も厚くする必要がある。

【００２１】第１の方法では、最終段階において、成長
してきた単結晶シリコン層が絶縁体層を全面にわたって
覆うことになる。このとき、基板表面の絶縁体層を覆う
シリコン層は表面の平坦性が著しく悪化する場合があ
る。このため、表面に鏡面研磨を施して所定の厚みに調
整するのが望ましい。後述する第２、第３の方法におい
ても、このように絶縁体層を覆うシリコン層の表面平坦
性を確保するため、表面に鏡面研磨を施すことが望まし
い。

【００２２】図２は、絶縁体層の露出面近傍に多結晶シ
リコン層を配置して熱処理によって半導体基板を製造す
る第２の方法を説明する図である。図２(a)は概略構成
を示し、図２(b)は具体的な構成例を示している。第２
の方法では、絶縁体層２の露出面３と所定の間隔ｈを設
けて近接するように多結晶シリコン層４を設けて、基板
の厚み方向の温度勾配を小さく、基板の径方向の温度勾
配を大きくした条件で熱処理を行うことを特徴としてい
る。

【００２３】第２の方法では、比較的短時間で絶縁体層
２を単結晶シリコン層５によって均一に覆われるように
するため、露出面３と多結晶シリコン層４との間隔ｈは
10mm以下にするのが望ましい。さらに「露出面と近接す
るように、多結晶シリコン層を設ける」とは、例えば、
図２(b)に示すように、表面が粒状形状の多結晶シリコ
ン層４を支持基体７内に配置し、露出面３を多結晶シリ
コン層４に相対向させた状態で基板１の外周縁を複数本
の支持部材８で支持するようにして構成することができ
る。

【００２４】また、本発明で採用される熱処理条件とし
ては、基板の厚み方向の温度勾配を５℃以下にし、径方
向の温度勾配を20〜50℃の範囲に調整するのが望まし
い。さらに、その他の条件、例えば、温度勾配、水素お
よび塩素を含有するガス雰囲気、開口部の形状、絶縁体
層の凸設部の形状および絶縁体層の厚さについては、前
述の第１の方法の場合と同様である。

【００２５】図３は、絶縁体層および露出面に多結晶シ
リコン層を形成して熱処理によって半導体基板を製造す
る第３の方法を説明する図である。図３から明らかなよ
うに、第３の方法では、絶縁体層上に堆積した多結晶シ
リコン４を熱処理によって単結晶化して、シリコンウェ
ーハ面上にＳＯＩ構造を形成する方法である。この方法
においても、基板の厚み方向の温度勾配を小さく、基板
の径方向の温度勾配を大きくした条件で熱処理を行うこ
とが必要である。

【００２６】第３の方法において、絶縁体層上への多結
晶シリコンの堆積は、例えばＣＶＤ法等の通常行われて
いる堆積手段を採用することができる。また、絶縁体層
上の多結晶シリコンを単結晶化するための熱処理は、慣
用されているエピタキシャル成長装置や縦型、横型熱処
理装置などの各種の熱処理装置を使用することができ
る。

【００２７】また、第３の製造方法においても、その他
の温度勾配、水素および塩素を含有するガス雰囲気、開
口部の形状、絶縁体層の凸設部の形状および絶縁体層の
厚さの各条件については、前述の第１の方法の場合と同
様である。

【００２８】

【実施例】本発明の半導体基板の効果を、前述の第１の
方法による実施例に基づいて説明する。

【００２９】（本発明例）実施例に供する半導体基板と
して、チョクラルスキー法で育成された単結晶インゴッ
トから加工され、抵抗率が10Ωcmで、結晶軸方位が〈１
１０〉結晶の６インチシリコンウェハを準備した。シリ
コンウェハの基板は横型熱処理炉で高温処理され、その
表面に厚さ0.5μｍの絶縁体層（酸化膜）を形成した。

【００３０】次に、形成された絶縁体層に、下記の図５
〜図７に示す各種のパターンからなる開口部を設けて露
出面とした。

【００３１】図６は基板表面の絶縁体層に設けられた格
子状のパターン１の開口部を示す図であり、実施例では
幅10μｍ、間隔20μｍの格子状の開口部を設けるととも
に、絶縁体層２の表面中心部に凸設部６を設けている。

【００３２】図７は基板表面の絶縁体層に設けられたス
トライプ状のパターン２の開口部を示す図であり、実施
例では幅10μｍ、間隔20μｍのストライプ状の開口部を
設けるとともに、絶縁体層２の端部に凸設部６を設けて
いる。

【００３３】図８は基板表面の絶縁体層に設けられた四
角状のパターン３の開口部を示す図であり、実施例では
幅10μｍの正方形状の開口部を縦横に10μｍ間隔で設け
た。

【００３４】上記の通り、絶縁体層にパターン１〜３の
開口部を設けてのち、縦型エピタキシャル装置を用い同
一バッチで単結晶シリコンの成長を行った。このときの
温度勾配は、基板の厚み方向で４〜５℃、径方向で30〜
40℃になるように調整した。絶縁体層に開口部が設けら
れた基板は、1170℃まで加熱し、高温水素雰囲気で基板
の清浄化を行い、装置内の温度を1150℃まで下げ、シリ
コン源となる原料ガスSiHCl₃を流して、10分間の処理を
行ったところ、絶縁体層上の全域に厚さ３μｍの単結晶
シリコン層が形成されていることを確認した。

【００３５】上述の通り、本発明例では、通常のエピタ
キシャル成長法として、単結晶シリコン成長用の原料ガ
スを供給しながら熱処理を行った。このような熱処理に
加え、さらに、第２の方法のように原料となる多結晶シ
リコンが絶縁体層の近傍に存在する場合、または第３の
方法のように多結晶シリコンが絶縁体層上に存在する場
合には、シリコン源となる原料ガスを供給せずに、HCl
ガスのみを供給しながら熱処理しても絶縁体層上に単結
晶シリコン層が形成されることを確認した。

【００３６】（比較例）本発明例と比較するため、本発
明例の場合と同様に、半導体基板として６インチシリコ
ンウェハを準備し、横型熱処理炉で高温処理して、表面
に厚さ0.5μｍの絶縁体層（酸化膜）を形成した。次
に、形成された絶縁体層に、本発明例と同じパターン１
〜３の開口部を設けた。

【００３７】縦型エピタキシャル装置で、単結晶シリコ
ンの成長を行った。このときの温度勾配は、基板の厚み
方向で10〜20℃、径方向で５〜10℃であった。その後、
まず、1170℃まで加熱し、高温水素雰囲気で基板の清浄
化を行い、装置内の温度を1100℃まで下げ、シリコン源
となる原料ガスSiHCl₃を流して、10分間の熱処理を行っ
て、本発明例とほぼ同等の厚みの単結晶シリコン層が形
成されるようにした。

【００３８】（本発明例と比較例の対比）本発明例で
は、前述の通り、絶縁体層上の全域に厚さ３μｍの単結
晶シリコン層が形成された。基板表面の欠陥密度を測定
すると、いずれのパターンの開口部であっても、ほぼ欠
陥のない単結晶シリコン層が形成されていたが、特に凸
設部を設けたパターン１、２の開口部では殆ど欠陥が認
められなかった。

【００３９】これに対し、比較例では、基板表面が露出
した開口部上には20μｍの単結晶シリコン層が成長した
が、絶縁体層上にはこれを覆うように単結晶シリコン層
は形成されなかった。

【００４０】

【発明の効果】本発明の方法によれば、絶縁体層の上に
結晶欠陥の密度が少ない単結晶シリコン層を直接形成す
ることが可能になり、高集積化デバイスに対応したＳＯ
Ｉ構造の半導体基板を効率的に、低コストで製造するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のエピタキシャル成長法によって半導体
基板を製造する第１の方法を説明する図である。

【図２】本発明の絶縁体層の露出面近傍に多結晶シリコ
ン層を配置して熱処理によって半導体基板を製造する第
２の方法を説明する図である。

【図３】本発明の絶縁体層および露出面に多結晶シリコ
ン層を形成して熱処理によって半導体基板を製造する第
３の方法を説明する図である。

【図４】本発明の実施態様である絶縁体層の表面に凸設
部を設ける構成を説明する図である。

【図５】絶縁体層表面上に析出する単結晶シリコン層の
成長状況を基板の結晶軸方向に応じて説明する図であ
る。

【図６】基板表面の絶縁体層に設けられた格子状のパタ
ーン１の開口部を示す図である。

【図７】基板表面の絶縁体層に設けられたストライプ状
のパターン２の開口部を示す図である。

【図８】基板表面の絶縁体層に設けられた四角状のパタ
ーン３の開口部を示す図である。

【符号の説明】

１：基板、２：絶縁体層３：露出面、開口部４：多結晶シリコン層５：単結晶シリコン層６：凸設部、７：基体８：支持部材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板表面上の絶縁体層を部分的に除去して
基板表面が露出した面を形成したのち、基板の厚み方向
の温度勾配を小さく、基板の径方向の温度勾配を大きく
した条件でエピタキシャル成長法を行うことによって、
前記絶縁体層上に単結晶シリコン層を形成させることを
特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】基板表面上の絶縁体層を部分的に除去して
基板表面が露出した面を形成し、その露出面とは所定の
間隔を設けて相対向する位置に多結晶シリコン層を形成
したのち、基板の厚み方向の温度勾配を小さく、基板の
径方向の温度勾配を大きくした条件で熱処理を行うこと
によって、前記絶縁体層上に単結晶シリコン層を形成さ
せることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項３】基板表面上の絶縁体層を部分的に除去して
基板表面が露出した面を形成し、これらの絶縁体層およ
び露出面に多結晶シリコン層を形成したのち、基板の厚
み方向の温度勾配を小さく、基板の径方向の温度勾配を
大きくした条件で熱処理を行うことによって、前記絶縁
体層上に単結晶シリコン層を形成させることを特徴とす
る半導体基板の製造方法。
【請求項４】上記のエピタキシャル成長または熱処理が
水素および塩素を含有するガス雰囲気で行われることを
特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体基板
の製造方法。
【請求項５】上記の絶縁体層に格子状の開口部、ストラ
イプ状の開口部若しくは正方形状の開口部のいずれかを
設けて基板表面を露出させることを特徴とする請求項１
〜３のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】上記の絶縁体層の表面に凸設部を設けて、
この絶縁体層上を異なる方向から成長する単結晶シリコ
ン層を接触させないようにしたことを特徴とする請求項
１〜３のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】上記の凸設部の高さおよび幅は使用する基
板の結晶軸方位に応じて調整することを特徴とする請求
項６記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】使用する基板が〈１１０〉結晶であること
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体基
板の製造方法。
【請求項９】上記の絶縁体層上に形成させた単結晶シリ
コン層の表面に鏡面研磨を施して、所定の厚みに調整す
ることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半
導体基板の製造方法。