JPH11338549A - 流体混合装置 - Google Patents

流体混合装置

Info

Publication number
JPH11338549A
JPH11338549A JP16418998A JP16418998A JPH11338549A JP H11338549 A JPH11338549 A JP H11338549A JP 16418998 A JP16418998 A JP 16418998A JP 16418998 A JP16418998 A JP 16418998A JP H11338549 A JPH11338549 A JP H11338549A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
fluid
flow path
mixing
supply source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP16418998A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3702097B2 (ja
Inventor
Nobuo Konishi
信夫 小西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP16418998A priority Critical patent/JP3702097B2/ja
Publication of JPH11338549A publication Critical patent/JPH11338549A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3702097B2 publication Critical patent/JP3702097B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Control Of Non-Electrical Variables (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 例えば半導体ウエハ等を洗浄する洗浄液を複
数種の液体の混合により生成する場合、液体の混合によ
る発塵を防ぎ、正確に所定の混合比でもって液体を混合
すること。 【解決手段】 主となる流路40に合流する従となる流
路41の合流部位42に、加圧すると液体が透過すると
いう特性を具えた半透膜43をその流路41を塞ぐよう
に設けるとともに、従となる流路41内の液体を加圧す
る加圧手段5を設ける。加圧手段5により流路41内の
液体を加圧することにより半透膜43を透過させて流路
41内の液体を主流路40内に流れ込ませる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数種の流体を混
合する流体混合装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に例えば半導体デバイスの製造工程
において、複数種の薬液を混合する場合や薬液と純水と
を混合して処理液を生成する場合がある。例えば製造さ
れた半導体デバイスの種々の特性を劣化させる原因とな
るパーティクルや有機汚染物や金属不純物等のコンタミ
ネーションを、半導体デバイスが形成される基板となる
半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)の表面から除去
してウエハ表面の清浄度を高く維持するため、種々の工
程後にウエハに対してウェット洗浄が行われており、そ
の洗浄液は1種または2種以上の薬液を混合したり、薬
液と純水とを混合することにより得られる。
【0003】従来の液体混合器は図6に示すように、例
えば溶媒となる薬液(または純水)の流路11の途中に
溶質となる薬液の流路12が略T字型の継手13を介し
て連通接続されてできている。その溶質用の流路12の
途中には、継手13の近傍に溶質となる薬液の流通及び
停止行うための開閉バルブ14が設けられている。
【0004】また従来の液体混合器として、シリンジを
用いて溶質となる薬液を溶媒に注入するものもある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図6に示
す混合器では、バルブ14の開閉に伴う摺動部からの発
塵が避けられず、近時のように半導体デバイスのパター
ンがより微細化し、パーティクルの許容限度が厳しくな
っている状況では改善を迫られている。
【0006】また図6に示す混合器では、継手13が設
けられているため開閉バルブ14が溶媒用の流路11か
ら離れてしまい、開閉バルブ14を開状態から閉状態に
切り替えた時にバルブ14と溶媒用の流路11との間の
短い流路をなす合流部15に溶質となる薬液が滞留して
しまう。その状態で再びバルブ14を開いて薬液の混合
を行うと、その滞留した薬液が混ざるため、溶質となる
薬液と溶媒となる薬液との混合比が所定値から外れてし
まう、という問題もある。
【0007】またシリンジを用いた場合には、針を管に
刺し込む時に発塵が起こるという問題がある。
【0008】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、流体を混合するにあたって発塵
を防ぎ、正確に所定の混合比でもって流体を混合するこ
とができる流体混合装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の流体混合装置
は、第1及び第2の流体供給源と、これら第1及び第2
の流体供給源からの流体を夫々供給するための第1及び
第2の流路と、前記第1及び第2の流路の合流部位に第
2の流路を塞ぐように設けられ、加圧すると流体が透過
する半透膜と、前記第2の流体供給源の流体を加圧する
ための加圧手段と、前記第1及び第2の流路を通ってき
た流体を混合する混合手段と、を備えたことを特徴とす
る。この発明において、第2の流体供給源及び第2の流
路は例えば複数種の流体を供給するために複数設けられ
ている。
【0010】本発明は、例えば基板に対して処理を行う
ためのレジスト液、現像液、洗浄液またはエッチング液
を生成する場合に用いることができる。この場合第1の
流体供給源は溶媒である液体を供給するものであり、第
2の流体供給源は溶質である液体または溶質を生成する
ための気体を供給するものである。混合手段は、例えば
屈曲した流路からなり、この流路を通過する間に流体の
混合が行われる。また混合手段としては、マグネティッ
クスタ−ラなどの撹拌手段を備えているものであっても
よい。
【0011】このような発明によれば、加圧及びその停
止により半透膜に対する流体の通過及びその阻止を制御
しているので、従来のバルブのような機械的な摺動部分
がなくなり、この結果パ−ティクルの発生を防止でき
る。また半透膜を流路の合流部位に設けることができる
ので、前の処理時に第2の流体供給源から供給された流
体が滞留するスペ−スがほとんどないかまたはかなり小
さなものになるため、次の混合のときに正確な混合比が
得られる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下に本発明の流体混合装置の一
実施の形態である液体混合器を、半導体ウエハ等の基板
を洗浄する洗浄処理装置に適用した例について説明す
る。
【0013】図1は、洗浄処理装置の一例を示す概略図
である。この洗浄処理装置は、例えば枚葉式の洗浄ユニ
ット2、洗浄ユニット2に処理液である洗浄液を供給す
る供給装置3、及び複数種の液体を混合して洗浄液を生
成しそれを供給装置3に補充する液体混合器4を備えて
いる。
【0014】洗浄ユニット2は、例えばウエハWを被洗
浄面が上を向くように水平な状態(ほぼ水平な状態も含
む)でウエハWの外周全体を保持するウエハ保持部21
と、そのウエハ保持部21がウエハWを挟持可能に取り
付けられてなる支持部20と、支持部20を鉛直な軸の
回りに回転させるスピンモータ等の回転駆動源22と、
ウエハWの被洗浄面上を水平方向に走査されて被洗浄面
に洗浄液を吹き付けるノズル23を備えている。
【0015】また洗浄ユニット2は、ウエハWの受け渡
し時に下降しかつ洗浄時に上昇して洗浄中に飛散する液
を受ける略筒状の内カップ24と、内カップ24を昇降
させる例えばリニアモータやソレノイドからなる内カッ
プ駆動源25と、内カップ24で受けられ下に落ちた水
を受けて排水する排水孔27を備えた外カップ26をさ
らに備えている。
【0016】供給装置3は、洗浄液を貯留する密閉式の
洗浄液タンク31と、そのタンク31内の洗浄液をノズ
ル23へ流す洗浄液供給用流路32と、液体混合器4か
ら補充される洗浄液をタンク31に導く液補充用流路3
3を備えている。液補充用流路33の途中には補充液の
流通及び停止を行うための開閉バルブ34が設けられて
いる。
【0017】洗浄液タンク31には、タンク31の内圧
を高めるために例えば加圧ガス等を供給するガス供給源
(図示省略)に連通接続された加圧ガス導入路35が連
通接続されている。つまりこの供給装置3は、図示しな
いガス供給源から加圧ガス導入路35を介してタンク3
1内に加圧ガスが導入されることによって、タンク31
内の圧力が高まり、貯留された洗浄液の液面が押し下げ
られて、洗浄液供給用流路32内をノズル23へ向かっ
て洗浄液が流れる。
【0018】また洗浄液タンク31には、タンク31内
のガスを逃がしてタンク31の内圧を下げるためのガス
抜き用の排気路36が連通接続されている。排気路36
の途中には開閉バルブ37が介設されており、タンク3
1内に洗浄液が補充される時に開閉バルブ37が開状態
とされ、それによりタンク31の内圧が下がって液体混
合器4から補充液が流入する。液補充時以外は通常開閉
バルブ37は閉状態とされる。
【0019】図2は本発明の流体混合装置の一実施の形
態である液体混合器4を示す要部拡大断面図、図3はそ
の要部の断面図である。この液体混合器4は、主となる
第1の流路40に少なくとも1つ、特に限定しないが例
えば図4では3つの従となる第2の流路41が連通接続
されている。そしてその従となる流路41の内の少なく
とも1つ、例えば図4では3つの流路41の合流部位4
2に、加圧すると液体が透過するという特性を具えた
膜、すなわち半透膜43が各流路41を塞ぐように設け
られている。
【0020】半透膜43は、例えばポリテトラフルオロ
エチレン(商品名:テフロン)でできており、例えば膜
厚が0.01mm〜数mm程度で、孔径が0.01μm
〜数百μm程度の微細な孔が多数開いている多孔質膜で
ある。従って後述の加圧手段により流路41内の液体が
加圧されてある閾値を越えると、流路41内の液体は微
細な孔を通って主となる流路40内に浸出する。流路4
1内の圧力がある閾値よりも下がると、流路41内の液
体の浸出は停止する。
【0021】半透膜43は、好ましくは主となる流路4
0の内周面と略面一となるように設けられているとよ
い。そうすれば半透膜43と主となる流路40の内周面
との間に、従となる流路41から浸出した液体が滞留し
得るだけの容積部分が形成されずに済む。すなわち半透
膜43を透過した液体は、透過直後に主となる流路40
内に直接流れ込む。
【0022】主となる流路40内には、第1の流体供給
源である溶媒供給源40aから溶媒となる薬液または純
水が流される。そしてその流通及び停止、並びに流量
は、それぞれ流路40の途中に設けられた開閉バルブ4
4、及びマスフローメータ45により制御される。従と
なる流路41内には、例えば第2の流体供給源である貯
留タンク51から溶質となる薬液または純水が流され
る。
【0023】例えばパーティクルの除去を行う場合には
主となる流路40に純水を流し、かつ2つの従となる流
路41にそれぞれ例えばアンモニア及び過酸化水素水を
流す。また金属汚染の洗浄を行う場合には主となる流路
40に純水を流し、かつ2つの従となる流路41にそれ
ぞれ例えば塩酸及び過酸化水素水を流す。またレジスト
膜の有機物を除去する場合には主となる流路40及び1
つの従となる流路41にそれぞれ例えば硫酸と過酸化水
素水を流す。
【0024】前記従流路41の基端側は、溶質となる薬
液等を貯留した密閉式の貯留タンク51内に没入されて
いる。この貯留タンク51は、第2の流体供給源をなす
薬液供給源をなすものであり、その上面には、加圧ガス
導入路53の一端が開口されている。この加圧ガス導入
路53の他端は、加圧ガスの供給及び停止を行う開閉バ
ルブ54を介して、タンク51の内圧を高めるための加
圧ガスを供給するガス供給源に接続されている。この例
では、ガス供給源52及び加圧ガス導入路53によって
加圧手段5が構成されている。即ちタンク51内に加圧
ガスが導入されることによって、タンク51内の圧力が
高まり、薬液供給用流路52内を加圧された薬液等が流
れて従となる流路41内に供給されるようになってい
る。
【0025】薬液供給用流路52及び従となる流路41
はともに、耐圧性を有する管等で構成されている必要が
ある。薬液供給用流路52と従となる流路41とは同一
の管等で構成されていてもよい。なお図2では、便宜
上、貯留タンク51及び加圧手段5の組のうちの1つの
組のみが詳細に示されており、残りの2つの組は一点鎖
線のブロックとして示されているが、何れも同様の構成
のものである。
【0026】ところで少なくとも1つの従となる流路4
1から供給された少なくとも1種の薬液等と、主となる
流路40内を流れる液体は、例えば図4に示すように流
路61がスパイラル状に形成されてなる混合手段6に供
給され、その螺旋状流路61を流れる間に均一に混合さ
れる。そしてその混合液は、螺旋状流路61の出口側に
設けられた開閉バルブ62を介して洗浄ユニット2に供
給される。
【0027】上述実施の形態によれば、主となる流路4
0に合流する従となる流路41の合流部位42に、半透
膜43がその流路41を塞ぐように設けられており、加
圧手段5により流路41内の液体が加圧されて主流路4
0内に流れ込むようになっているため、発塵の原因とな
るバルブ等の摺動部材を設けずに済むので、パーティク
ル等の発生が防止され、より微細なパターンを有する半
導体デバイスの製造工程においてウエハを処理するのに
有効である。加えてバルブ等が設けられていないことに
より、小型化でき、また安価となる。
【0028】また上述実施の形態によれば、半透膜43
が合流部位42に設けられていることにより、加圧手段
5による流路41内の液体の加圧を停止した時に、その
停止直前に半透膜43から流出した液体の滞留がないか
あったとしても極く少量であるため、正確に所定の比率
の混合液が得られる。
【0029】なお液体混合器は上記実施の形態に限ら
ず、例えば図5に示すように、攪拌槽71の天井部に複
数、特に限定しないが例えば3つの流路72,73が連
通接続されており、それら流路72,73から供給され
た各液体を、マグネティックスターラ等の攪拌手段76
を用いて槽71内の攪拌子77を回転させることにより
槽71内で攪拌・混合して排出路74から排出するよう
になっていてもよい。この場合には、純水等の溶媒とな
る液体を供給する流路72の合流部位は半透膜で塞がず
に、溶質となる液体を供給する流路73の合流部位を半
透膜75で塞ぐ。なお図示省略したが、図5の流路72
はマスフローメータ等を介して溶媒供給源に連通接続さ
れており、一方流路73は図2と同様の加圧手段に連通
接続されている。
【0030】以上において本発明は、主となる流路40
に純水を流し、一方1つの従となる流路41にフッ酸を
流すことによって酸化膜をエッチングしたり、主となる
流路40に純水を流し、かつ1つの従となる流路41に
リン酸を流すことによって窒化膜をエッチングしたり、
主となる流路40及び2つの従となる流路41にそれぞ
れリン酸と酢酸と硝酸を流しそれらの混合液によりアル
ミニウム表面の酸化膜をエッチングする場合にも適用で
きる。また主となる流路40に純水を流し、かつ従とな
る流路41にCO2 やO3 などのガスを流すようにして
もよい。つまり本発明の液体混合器は、液体に気体を混
合する場合にも用いることができる。更にまた本発明
は、流路40及び41に気体を流してそれらを混合する
ようにしてもよく、この場合ガス処理装置に適用するこ
とができる。
【0031】また本発明は、レジスト液の塗布や、現像
液により露光後の基板表面を現像処理する場合などにも
適用できるし、その他種々の溶液を作るために純水を主
要な溶媒としてこれに少量の薬液を添加する場合にも用
いることができる。また被処理基板は、液晶基板やプリ
ント基板などであってもよい。
【0032】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、合流する
複数の流路のうちの少なくとも1つの流路の合流部位
に、加圧することにより液体が透過する膜を、その流路
を塞ぐように設けるとともに、それを加圧する手段を設
けたことにより、液体の混合に伴う発塵を防ぎ、半導体
ウエハ等の基板の処理を行うにあたり、パーティクル汚
染を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の流体混合装置の一実施の形態である液
体混合器を用いた洗浄処理装置のを示す概略図である。
【図2】その液体混合器の一例を示す要部拡大断面図で
ある。
【図3】その液体混合器の要部の断面図である。
【図4】その液体混合器の下流側に設けられた混合手段
を示す概略図である。
【図5】本発明の流体混合装置の他の実施の形態である
液体混合器を示す要部断面図である。
【図6】従来の液体混合器を示す要部拡大断面図であ
る。
【符号の説明】
W ウエハ 2 洗浄ユニット 20 支持部 21 ウエハ保持部 22 回転駆動源 23 ノズル 24 内カップ 25 内カップ駆動源 26 外カップ 27 排水孔 3 洗浄液供給装置 31 洗浄液タンク 32 洗浄液供給用流路 33 液補充用流路 34 開閉バルブ 35 加圧ガス導入路 36 排気路 37 開閉バルブ 4 液体混合器 40 主となる流路 41 従となる流路 42 合流部位 43 半透膜 44 開閉バルブ 45 マスフローメータ 5 加圧手段 51 貯留タンク 52 ガス供給源 53 加圧ガス導入路 54 開閉バルブ 6 混合手段 61 螺旋状流路 62 開閉バルブ 71 攪拌槽 72,73 流路 74 排出路 75 半透膜 76 攪拌手段 77 攪拌子

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1及び第2の流体供給源と、 これら第1及び第2の流体供給源からの流体を夫々供給
    するための第1及び第2の流路と、 前記第1及び第2の流路の合流部位に第2の流路を塞ぐ
    ように設けられ、加圧すると流体が透過する半透膜と、 前記第2の流体供給源の流体を加圧するための加圧手段
    と、 前記第1及び第2の流路を通ってきた流体を混合する混
    合手段と、を備えたことを特徴とする流体混合装置。
  2. 【請求項2】 第2の流体供給源及び第2の流路は複数
    種の流体を供給するために複数設けられていることを特
    徴とする請求項1記載の流体混合装置。
  3. 【請求項3】 第1の流体供給源は溶媒である液体を供
    給するものであり、第2の流体供給源は溶質である液体
    を供給するものであることを特徴とする請求項1または
    2記載の流体混合装置。
  4. 【請求項4】 第1の流体供給源は溶媒である液体を供
    給するものであり、第2の流体供給源は溶質を生成する
    ための気体を供給するものであることを特徴とする請求
    項1または2記載の流体混合装置。
  5. 【請求項5】 混合手段で得られた流体は、基板に対し
    て処理を行うためのレジスト液、現像液、洗浄液または
    エッチング液のいずれかである請求項3または4記載の
    流体混合装置。
  6. 【請求項6】 混合手段は、屈曲した流路であることを
    特徴とする請求項1、2、3、4、または5記載の流体
    混合装置。
  7. 【請求項7】 混合手段は、撹拌手段を備えていること
    を特徴とする請求項1、2、3、4、または5記載の流
    体混合装置。
JP16418998A 1998-05-27 1998-05-27 流体混合装置 Expired - Fee Related JP3702097B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16418998A JP3702097B2 (ja) 1998-05-27 1998-05-27 流体混合装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16418998A JP3702097B2 (ja) 1998-05-27 1998-05-27 流体混合装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11338549A true JPH11338549A (ja) 1999-12-10
JP3702097B2 JP3702097B2 (ja) 2005-10-05

Family

ID=15788389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16418998A Expired - Fee Related JP3702097B2 (ja) 1998-05-27 1998-05-27 流体混合装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3702097B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101328722B1 (ko) * 2007-04-02 2013-11-11 주식회사 디엠에스 기판 세정장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101328722B1 (ko) * 2007-04-02 2013-11-11 주식회사 디엠에스 기판 세정장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP3702097B2 (ja) 2005-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3502947B2 (ja) 半導体の超微粒子洗浄装置
US6962161B2 (en) Method of high pressure treatment
US20170294323A1 (en) Chemical liquid preparation method of preparing a chemical liquid for substrate processing, chemical liquid preparation unit preparing a chemical liquid for substrate processing, and substrate processing system
TWI681440B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR100935977B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP6290762B2 (ja) 流量調整機構、希釈薬液供給機構、液処理装置及びその運用方法
US8673110B2 (en) Solution supplying unit and substrate treating apparatus having the same
US5979474A (en) Cleaning equipment for semiconductor substrates
TW201714204A (zh) 處理液供給裝置、基板處理系統及處理液供給方法
US7179000B2 (en) Method of developing a resist film and a resist development processor
JP2011238820A (ja) 塗布装置
JPH11244607A (ja) 薬液の脱気方法及び脱気装置
JP2008078322A (ja) 半導体ウェーハの処理方法及び処理装置
JPH11338549A (ja) 流体混合装置
JP2010199124A (ja) オゾン水供給装置
US11000783B2 (en) Pumping apparatus, treatment solution supplying device, and substrate treating apparatus
JP6576770B2 (ja) 基板処理装置におけるフィルタ交換方法
JP2019009215A (ja) 処理液供給装置および処理液供給方法
JP2004122066A (ja) 脱気装置
WO2020105403A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US6270063B1 (en) Ozone diffuser for deionized water
JP2021068873A (ja) ウエハの表面の洗浄装置及びウエハの表面の洗浄方法
KR102548294B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 액 처리 방법
US6880724B1 (en) System and method for supplying photoresist
JP2908277B2 (ja) 基板の化学処理のための方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050419

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050620

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050712

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050715

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110722

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110722

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees