JPH11330649A - Board for forming circuit - Google Patents

Board for forming circuit

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Publication number
JPH11330649A
JPH11330649A JP10129889A JP12988998A JPH11330649A JP H11330649 A JPH11330649 A JP H11330649A JP 10129889 A JP10129889 A JP 10129889A JP 12988998 A JP12988998 A JP 12988998A JP H11330649 A JPH11330649 A JP H11330649A
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JP
Japan
Prior art keywords
insulating substrate
substrate
forming
circuit
physical characteristics
Prior art date
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Pending
Application number
JP10129889A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Suzuki
武 鈴木
Toshihiro Nishii
利浩 西井
Hideo Hatanaka
秀夫 畠中
Yoshihiro Kawakita
嘉洋 川北
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP10129889A priority Critical patent/JPH11330649A/en
Publication of JPH11330649A publication Critical patent/JPH11330649A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form cylindrical vias having microdiameters with their opening diameters made equal at both surfaces of an insulation board by avoiding forming taper vias opened by a laser beam, having different diameters at the front and rear surfaces. SOLUTION: An aramide fiber base 1 which has the highest thermal shrinkage start temperature is disposed on the top, a plurality of the kinds of aramid fiber bases 2, 3, 4, 5, 6 are laminated in the ascending order of the thermal shrinkage start temperature on the back surface of an insulation base and is impregnated with a thermosetting resin 7. Thus, they are disposed from the top face to the bottom face of an insulation board 8, in the order of the thermal shrinkage start temperature, ST1>ST2>ST3>ST4>ST5>ST6 of the aramide fiber bases.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、両面または内層に
複数の配線を有し、部品実装の高密度化が図れるととも
に高周波特性に優れた回路基板を形成するための微小径
ビアホールを形成することができる回路形成用基板に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a via hole having a small diameter for forming a circuit board having a plurality of wirings on both sides or an inner layer, thereby increasing the density of component mounting and having excellent high frequency characteristics. The present invention relates to a circuit forming substrate that can be used.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、薄型化、軽量
化、高機能化が進展する中で、電子機器を構成する各種
電子部品の小型化や薄型化等とともに、これらを電子部
品が実装されるプリント配線基板も高密度実装を可能と
する様々な技術開発が盛んである。
2. Description of the Related Art In recent years, as electronic devices have become smaller, thinner, lighter, and more sophisticated, various electronic components constituting electronic devices have become smaller and thinner. Various technology developments are being actively carried out to enable high-density mounting of printed wiring boards to be mounted.

【0003】特に最近は急速な実装技術の進展ととも
に、LSI等の半導体チップを高密度に実装できるとと
もに高速回路にも対応できる多層プリント配線基板が安
価に供給されることが強く要望されてきている。このよ
うな多層配線回路基板では微細な配線ピッチで形成され
た複数層の配線パターン間の高い電気的接続信頼性や優
れた高周波特性を有していることが重要である。このよ
うな高性能、高機能化された電子機器からの要求に対
し、ドリル加工と銅貼積層板のエッチングやめっき加工
による従来のスルーホール構造で層間の電気接続がなさ
れる多層プリント配線基板ではもはやこれらの要求を満
足させることは極めて困難となり、このような問題を解
決するために新しい構造を備えたプリント配線基板や高
密度配線を目的とする製造方法が開発されつつある。
In recent years, in particular, with the rapid development of mounting technology, there has been a strong demand that multilayer printed wiring boards capable of mounting semiconductor chips such as LSIs at high density and corresponding to high-speed circuits be supplied at low cost. . In such a multilayer wiring circuit board, it is important to have high electrical connection reliability and excellent high frequency characteristics between a plurality of wiring patterns formed at a fine wiring pitch. In response to the demands of such high-performance, high-performance electronic equipment, multi-layer printed wiring boards, in which electrical connection between layers is made with a conventional through-hole structure by drilling and etching or plating of a copper-clad laminate, It is now extremely difficult to satisfy these requirements, and in order to solve such problems, printed wiring boards having a new structure and manufacturing methods aimed at high-density wiring are being developed.

【0004】その代表例の一つに従来の多層配線基板の
層間接続の主流となっていたスルーホール内壁の銅めっ
き導体に代えて、インナーバイアホール内に導電体を充
填して接続信頼性の向上を図るとともに部品ランド直下
や任意の層間にインナーバイアホールを形成でき、基板
サイズの小型化や高密度実装が実現できる全層IVH構
造の樹脂多層基板(特開平6−268345号公報)が
ある。
One of the typical examples is to replace the copper plating conductor on the inner wall of the through hole, which has been the mainstream of the conventional interlayer connection of the multilayer wiring board, with a conductor filled in the inner via hole to improve the connection reliability. There is a resin multilayer substrate having an all-layer IVH structure (JP-A-6-268345) that can improve the size and form an inner via hole directly under the component land or between arbitrary layers, and can realize a reduction in the size of the substrate and high-density mounting. .

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記した全層IVH多
層構造を有する配線基板では高密度配線の形成が可能で
あることを特徴とするためにそのインナーバイヤホール
をレーザ加工法によって微小径の開口を行っており、ま
た一般的なプリント配線基板の形成法においても微小径
のビアホールまたはスルホールを正確に形成することは
高密度配線、高密度実装基板を作成する上において重要
な課題となっている。そのため一般的には機械的開口法
に代えてレーザビームを利用した光学的開口法が盛んに
なってきている。
In the above-mentioned wiring board having an all-layer IVH multilayer structure, it is possible to form high-density wiring. Also, in a general method of forming a printed wiring board, accurately forming a via hole or a through hole having a small diameter is an important issue in creating a high-density wiring and a high-density mounting board. . Therefore, in general, an optical aperture method using a laser beam instead of the mechanical aperture method has become popular.

【0006】しかしながらこのレーザビームによる開口
法には課題が付随しており、その現象を図5に示す。図
5は上記全層IVH多層構造の配線基板を構成する絶縁
基板30の一部を拡大して示した断面図であり、アラミ
ド繊維等の繊維基材31にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹
脂32を含浸させたものである。この絶縁基板30に必
要とする孔径Dを有するビアホールを形成するためにレ
ーザービームを図に示すように絶縁基板30の上方から
照射した場合、絶縁基板30の表面に集中する熱エネル
ギーによってレーザビーム照射点周辺部の絶縁基板30
が熱分解または溶融されて目標とする孔径Dより大きい
孔径d1が開口される。つぎに絶縁基板30の内部にレ
ーザビームが進入するに従ってその熱エネルギーは基板
材料に吸収されて減少するため、穿孔された孔径もその
減少する熱エネルギーに比例して小さくなり、絶縁基板
30の下面に形成された孔径d2は目標とする孔径Dよ
りも小さいものとなる。すなわち従来の材料構成を有す
る絶縁基板30をレーザビーム加工法によって孔径Dを
有するビアホールを形成しようとするとき、図5に示す
ように、D、d1、d2にはd1>D>d2なる関係が生じ
る。すなわちレーザビームによって開口されたビアホー
ルの開口部表面33aと裏面33bにおいてその直径が
異なるというテーパーを有する逆円錐台形のビアホール
33が形成される。
However, there is a problem with the laser beam aperture method, and the phenomenon is shown in FIG. FIG. 5 is an enlarged sectional view showing a part of the insulating substrate 30 constituting the wiring board having the all-layer IVH multi-layer structure, in which a thermosetting resin 32 such as an epoxy resin is applied to a fiber base material 31 such as aramid fiber. Is impregnated. When a laser beam is irradiated from above the insulating substrate 30 to form a via hole having a required hole diameter D in the insulating substrate 30 as shown in the drawing, the laser beam is irradiated by thermal energy concentrated on the surface of the insulating substrate 30. Insulating substrate 30 around point
Is thermally decomposed or melted to open a pore diameter d1 larger than the target pore diameter D. Next, as the laser beam enters the inside of the insulating substrate 30, its thermal energy is absorbed by the substrate material and decreases, so that the diameter of the perforated hole also decreases in proportion to the decreasing thermal energy. Is smaller than the target hole diameter D. That is, when a via hole having a hole diameter D is to be formed in the insulating substrate 30 having the conventional material configuration by a laser beam processing method, as shown in FIG. 5, D, d1, and d2 have a relationship of d1>D> d2. Occurs. That is, an inverted truncated-cone-shaped via hole 33 having a taper in which the diameter differs between the opening surface 33a and the back surface 33b of the via hole opened by the laser beam is formed.

【0007】このようにテーパーを有するビアホール3
3はその直径が微小な物となるほど高密度配線を行う場
合、障害となってその配線パターンの形成精度を低下さ
せる原因となる。
The via hole 3 having such a taper
In the case of performing high-density wiring as the diameter of the wiring becomes smaller, the wiring 3 becomes an obstacle and lowers the accuracy of forming the wiring pattern.

【0008】このような課題を解決するためには短パル
スのレーザビームを複数回照射する加工法を用いること
が考えられるが、加工タクトが長くなり、加工コストの
上昇を招くこととなる。
In order to solve such a problem, it is conceivable to use a processing method in which a short-pulse laser beam is irradiated a plurality of times. However, the processing tact becomes longer and the processing cost is increased.

【0009】本発明は上記の課題を解決するものであ
り、気体レーザ等を用いて加工コストを低減でき、かつ
絶縁基板の必要箇所にビアホールの上端と下端の直径が
ほぼ同等の円筒形状を有するビアホールを形成すること
ができる回路形成用基板を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and can reduce the processing cost by using a gas laser or the like, and has a cylindrical shape in which the diameter of the upper end and the lower end of a via hole is almost equal at a required portion of the insulating substrate. An object of the present invention is to provide a circuit forming substrate on which a via hole can be formed.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、回路基板形成に用いられる絶縁基板として
物理的特性が絶縁基板の表面から裏面にかけて連続的に
または階段的に変化させた絶縁基板を用いることによ
り、レーザ加工によるビアホールの開口時に絶縁基板に
テーパーの生じない開口部直径の等しい円筒形状のビア
ホールを形成しようとするものである。
According to the present invention, in order to achieve the above object, as an insulating substrate used for forming a circuit board, physical characteristics are changed continuously or stepwise from the front surface to the back surface of the insulating substrate. By using an insulating substrate, it is intended to form a cylindrical via hole having an equal opening diameter without taper when the via hole is opened by laser processing.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、回路基板形成に用いられる絶縁基板において、絶縁
基板が備える物理的特性を絶縁基板の表面から裏面にか
けて連続的に変化させていることを特徴とするものであ
り、レーザ加工法により比較的正確な円筒形状のビアホ
ールを形成することができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention according to claim 1 of the present invention is directed to an insulating substrate used for forming a circuit board, wherein the physical characteristics of the insulating substrate are continuously changed from the front surface to the back surface of the insulating substrate. And a relatively accurate cylindrical via hole can be formed by a laser processing method.

【0012】本発明の請求項2に記載の発明は、回路基
板形成に用いられる絶縁基板において、絶縁基板が備え
る物理的特性を絶縁基板の表面から裏面にかけて階段的
に変化させていることを特徴とするものであり、請求項
1の場合と同様の効果を得ることができる。
According to a second aspect of the present invention, in the insulating substrate used for forming the circuit board, the physical characteristics of the insulating substrate are changed stepwise from the front surface to the back surface of the insulating substrate. Thus, the same effect as that of the first aspect can be obtained.

【0013】本発明の請求項3に記載の発明は、回路基
板形成に用いられる絶縁基板において、その絶縁基板を
物理的特性がそれぞれ異なる繊維基材を重ね合わせて熱
硬化性樹脂を含浸させてなる絶縁基板とするものであ
り、それぞれ物理特性の異なる繊維基材を順次的に積み
重ねることにより、その物理的特性を絶縁基板の表面か
ら裏面にかけて連続的に変化させることができる。
According to a third aspect of the present invention, in the insulating substrate used for forming a circuit board, the insulating substrate is impregnated with a thermosetting resin by laminating fiber base materials having different physical characteristics. By sequentially stacking fiber base materials having different physical characteristics, the physical characteristics can be continuously changed from the front surface to the back surface of the insulating substrate.

【0014】本発明の請求項4に記載の発明は、回路基
板形成に用いられる絶縁基板において、その絶縁基板を
特定の物理的特性を有する繊維基材に熱硬化性樹脂を含
浸させてなるそれぞれ異なる物理特性を有する複数の単
層基板を積層させてなる絶縁基板とし、その物理的特性
を絶縁基板の表面から裏面にかけて階段的に変化させた
ものであり、本発明の目的とする回路形成用基板を容易
に、かつ低コストで作成することができる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an insulating substrate used for forming a circuit board, wherein the insulating substrate is obtained by impregnating a fiber base material having a specific physical property with a thermosetting resin. An insulating substrate formed by laminating a plurality of single-layer substrates having different physical characteristics, the physical characteristics of which are changed stepwise from the front surface to the rear surface of the insulating substrate. The substrate can be formed easily and at low cost.

【0015】本発明の請求項5に記載の発明は、回路基
板形成に用いられる絶縁基板において、その絶縁基板を
それぞれ異なる物理的特性を有する複数の樹脂フィルム
を絶縁基板の表面から裏面にかけて物理的特性が階段的
に変化するように重ね合わせて構成された絶縁基板とす
るものであり、特に微小径を有するビアホールを形成す
る場合、ビアホールの内壁面を平滑化することができ、
ビアホール内への導電材料の充填を容易に行うことがで
きる。
According to a fifth aspect of the present invention, in an insulating substrate used for forming a circuit board, a plurality of resin films having different physical characteristics are respectively applied to the insulating substrate from the front surface to the back surface of the insulating substrate. It is intended to be an insulating substrate configured by overlapping so that the characteristics change stepwise, especially when forming a via hole having a small diameter, it is possible to smooth the inner wall surface of the via hole,
The filling of the conductive material into the via hole can be easily performed.

【0016】本発明の請求項6に記載の発明は、回路基
板形成に用いられる絶縁基板において、その絶縁基板を
それぞれ異なる物理的特性を有する複数の樹脂フィルム
および樹脂含浸繊維基材を絶縁基板の表面から裏面にか
けて物理的特性が階段的に変化するように複合積層させ
てなる絶縁基板とするものであり、絶縁基板の表面に設
けられた銅箔との接着性を向上することができる。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an insulating substrate used for forming a circuit board, wherein the insulating substrate is formed of a plurality of resin films and resin-impregnated fiber substrates each having different physical characteristics. This is an insulating substrate formed by composite lamination such that the physical characteristics change stepwise from the front surface to the back surface, and the adhesiveness with the copper foil provided on the front surface of the insulating substrate can be improved.

【0017】本発明の請求項7に記載の発明は、請求項
5または6のいずれかに記載の回路形成用基板におい
て、樹脂フィルムをそれぞれ異なる熱分解開始温度を有
するポリイミドフィルム、全芳香族アラミドフィルム、
芳香族ポリエステルフィルムから選ばれる樹脂フィルム
より構成するものであり、熱分解開始温度を正確に制御
することが可能であり、極めて正確な微小径で、かつ、
内壁が極めて平滑で導電性ペースト等の導電材料を容易
に充填することができるビアホールを形成することがで
きる。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the circuit-forming substrate according to the fifth or sixth aspect, wherein the resin film is a polyimide film, a wholly aromatic aramid having different thermal decomposition onset temperatures. the film,
It is composed of a resin film selected from aromatic polyester films, it is possible to accurately control the thermal decomposition onset temperature, with an extremely accurate minute diameter, and
It is possible to form a via hole whose inner wall is extremely smooth and can easily be filled with a conductive material such as a conductive paste.

【0018】本発明の請求項8に記載の発明は、請求項
1から6のいずれかに記載の回路形成用基板において、
物理的特性を熱収縮開始温度または熱分解開始温度とす
るものであり、熱収縮開始温度または熱分解開始温度を
絶縁基板の表面から裏面にかけて低く構成することによ
り、レーザビームによる基板材料の溶融または熱分解を
早めるようにすることができ、その結果円筒形状のビア
ホールを形成することができる。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a circuit forming substrate according to any one of the first to sixth aspects, wherein:
The physical properties are defined as the heat shrinkage start temperature or the thermal decomposition start temperature, and by setting the heat shrinkage start temperature or the thermal decomposition start temperature low from the front surface to the back surface of the insulating substrate, the melting of the substrate material by the laser beam or Thermal decomposition can be accelerated, and as a result, a cylindrical via hole can be formed.

【0019】本発明の請求項9に記載の発明は、請求項
3、4または6のいずれかに記載の回路形成用基板にお
いて、繊維基材をそれぞれ異なる熱収縮開始温度または
熱分解開始温度を有するアラミド繊維、芳香族ポリエス
テル繊維またはガラス繊維のうちから選ばれる単独繊維
または2種以上の混抄繊維より構成するものであり、熱
収縮開始温度または熱分解開始温度を正確に制御するこ
とが可能であり、極めて正確な微小径ビアホールを形成
することができる。
According to a ninth aspect of the present invention, in the circuit forming substrate according to any one of the third, fourth and sixth aspects, the fibrous base material is provided with different heat shrinkage initiation temperatures or different thermal decomposition initiation temperatures. It is composed of a single fiber selected from among aramid fibers, aromatic polyester fibers or glass fibers, or a blended fiber of two or more types, and can accurately control a heat shrinkage initiation temperature or a thermal decomposition initiation temperature. In addition, it is possible to form a very accurate micro via hole.

【0020】以下、本発明の一実施の形態について図面
を参照しながら説明する。 (実施の形態1)図1は本発明の第1の実施の形態にお
ける回路形成用基板の一部断面を示すものであり、熱収
縮開始温度または熱分解開始温度がそれぞれ異なるアラ
ミド繊維または芳香族ポリエステル繊維よりなる複数の
繊維基材を重ねあわせてエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂
を含浸させた構成を示している。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. (Embodiment 1) FIG. 1 shows a partial cross section of a circuit-forming substrate according to a first embodiment of the present invention, in which aramid fibers or aromatics having different heat shrinkage initiation temperatures or thermal decomposition initiation temperatures, respectively. This figure shows a configuration in which a plurality of fiber bases made of polyester fibers are stacked and impregnated with a thermosetting resin such as an epoxy resin.

【0021】つぎに本実施の形態におけるアラミド繊維
を基材とする具体的な実施例について説明する。
Next, specific examples of the present embodiment using aramid fibers as a base material will be described.

【0022】一般的にパラフェニレンジアミンとテレフ
タル酸クロライドとを重合させて得られたPPTA型パ
ラ系アラミド繊維は約400℃の熱収縮開始温度 Start
Temperature of Thermal Shrinking(以下、STTS
という)および約560℃の熱分解開始温度 Start Tem
perature of Thermal Decomposition(以下、STTDと
いう)を有する。一方、ジアミン成分としてパラフェニ
レンジアミンの他に3,4ジアミノジフェニルエーテル
を共重合させた共重合型パラ系アラミド繊維は約200
℃のSTTSおよび約500℃のSTTDを有する。そ
こでパラフェニレンジアミンと3,4ジアミノジフェニ
ルエーテルとの共重合モル比を調整することにより、
(表1)に示すようなアラミド繊維基材を作成した。
Generally, a PPTA-type para-aramid fiber obtained by polymerizing paraphenylenediamine and terephthalic acid chloride has a heat shrinkage initiation temperature of about 400 ° C.
Temperature of Thermal Shrinking (hereinafter, STTS
And about 560 ° C, thermal decomposition onset temperature Start Tem
It has a perature of thermal decomposition (hereinafter referred to as STTD). On the other hand, a copolymerized para-aramid fiber obtained by copolymerizing 3,4-diaminodiphenyl ether in addition to paraphenylenediamine as a diamine component is about 200%.
C. STTS and about 500.degree. C. STTD. Therefore, by adjusting the copolymerization molar ratio of paraphenylenediamine and 3,4 diaminodiphenyl ether,
An aramid fiber substrate as shown in (Table 1) was prepared.

【0023】[0023]

【表1】 [Table 1]

【0024】(表1)に示すアラミド繊維基材を用いて
図1に示す構成の絶縁基材を形成するために、最も高い
STTSを有するアラミド繊維基材1を最上部に配置
し、絶縁基材の裏面へかけてSTTSの順に、複数種の
アラミド繊維基材2,3,4,5および6を積層し、エ
ポキシ樹脂よりなる熱硬化性樹脂7を含浸させて絶縁基
板8を形成した。
In order to form the insulating base material having the structure shown in FIG. 1 using the aramid fiber base material shown in Table 1, the aramid fiber base material 1 having the highest STTS is arranged at the top, and the insulating base A plurality of types of aramid fiber substrates 2, 3, 4, 5, and 6 were laminated in the order of STTS on the back surface of the material, and a thermosetting resin 7 made of an epoxy resin was impregnated to form an insulating substrate 8.

【0025】すなわちそれぞれのアラミド繊維基材のS
TTSは絶縁基板の上面から下面にかけてST1>ST2
>ST3>ST4>ST5>ST6となっている。したがっ
て各アラミド繊維基材のSTTDも同じくDT1>DT2
>DT3>DT4>DT5>DT6となっている。
That is, S of each aramid fiber substrate
TTS is ST1> ST2 from the upper surface to the lower surface of the insulating substrate.
>ST3>ST4>ST5> ST6. Therefore, the STTD of each aramid fiber substrate is also DT1> DT2.
>DT3>DT4>DT5> DT6.

【0026】このように構成された絶縁基板8は図1に
示すように、絶縁基板8の上方より例えば炭酸ガスレー
ザを照射して孔開けを行う場合、基板の最上層はSTT
S(またはSTTD)が最も高いため加工しにくい状態
となっており、レーザビーム照射開始時の比較的高い熱
エネルギーを受けても絶縁基板8の不要な熱分解や溶融
が起こらないため、設計されたビアホール径Dに近い状
態で孔開けを行うことができる。つぎに一旦孔開けが開
始されるとレーザビームの熱エネルギーは内部基板層に
吸収されて次第に小さくなるが、その時点における基板
層のSTTSは絶縁基板8の表面層よりも順に低く構成
されているために、そのレーザビームのエネルギーに対
応したSTTSを有する基板層によって適正な径を有す
るビアホール9が形成されて行くことになる。また上記
のようにSTTSの異なる繊維基材を順次積層して熱硬
化性樹脂を含浸させて形成された絶縁基板8はその物理
特性すなわちSTTSまたはSTTDが絶縁基板8の厚
さ方向に連続的に変化しており、穿孔されたビアホール
8の内壁を平滑化できる効果を有する。
As shown in FIG. 1, when the insulating substrate 8 having the above-described structure is formed by irradiating, for example, a carbon dioxide gas laser from above the insulating substrate 8, the uppermost layer of the substrate is STT.
Since S (or STTD) is the highest, it is difficult to process. Even if it receives relatively high thermal energy at the start of laser beam irradiation, unnecessary thermal decomposition or melting of the insulating substrate 8 does not occur. Drilling can be performed in a state close to the via hole diameter D. Next, once the perforation is started, the thermal energy of the laser beam is absorbed by the internal substrate layer and gradually decreases, but the STTS of the substrate layer at that time is configured to be lower in order than the surface layer of the insulating substrate 8. Therefore, via holes 9 having an appropriate diameter are formed by the substrate layer having the STTS corresponding to the energy of the laser beam. Further, as described above, the insulating substrate 8 formed by sequentially laminating fiber base materials having different STTSs and impregnating with a thermosetting resin has its physical characteristics, ie, STTS or STTD, continuously in the thickness direction of the insulating substrate 8. This has the effect of smoothing the inner wall of the perforated via hole 8.

【0027】(実施の形態2)つぎに本発明の第2の実
施の形態について図2を用い、図1と同一部分には同一
番号を付して説明する。
(Embodiment 2) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0028】図2(a)〜(e)は本実施の形態におけ
る回路形成用基板の製造過程を示すものであり、本実施
の形態においては一定のSTTS(またはSTTD)を
有する繊維基材のみをエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に
含浸させて単層基板を作成し、それぞれSTTSの異な
る単層基板を順次積層して回路形成用基板を作成するも
のである。
2 (a) to 2 (e) show a process of manufacturing a circuit forming substrate according to the present embodiment. In the present embodiment, only a fiber base material having a certain STTS (or STTD) is used. Is impregnated with a thermosetting resin such as an epoxy resin to form a single-layer substrate, and a single-layer substrate having a different STTS is sequentially laminated to form a circuit-forming substrate.

【0029】すなわち図2(a)に示すように最も高い
STTS (ST1)を有する繊維基材1をエポキシ樹脂7に
含浸させた第1の単層基板10および同様にSTTS
(ST2)を有する繊維基材2をエポキシ樹脂7に含浸させ
た第2の単層基板11(b)、STTS (ST3)を有する
繊維基材3をエポキシ樹脂7に含浸させた第3の単層基
板12(c)、STTS (ST4)を有する繊維基材4をエ
ポキシ樹脂7に含浸させた第4の単層基板13(d)を
積層することにより、図2(e)に示す絶縁基板14が
得られる。
That is, as shown in FIG. 2A, the first single-layer substrate 10 in which the fiber base material 1 having the highest STTS (ST1) is impregnated with the epoxy resin 7 and the same STTS
A second single-layer substrate 11 (b) in which the fiber substrate 2 having (ST2) is impregnated with the epoxy resin 7, and a third single substrate in which the fiber substrate 3 having STTS (ST3) is impregnated in the epoxy resin 7; The layer substrate 12 (c) and the fourth single-layer substrate 13 (d) in which the fiber base material 4 having STTS (ST4) is impregnated with the epoxy resin 7 are laminated to form the insulating substrate shown in FIG. 14 is obtained.

【0030】このようにして形成された絶縁基板14に
図3に示すように、第1の実施の形態の場合と同様にレ
ーザビームにより直径Dを有するビアホール15を形成
するが、本実施の形態におけるSTTS(またはSTT
D)の変化はそれぞれの単層基板10,11,12および
13を積層しているために階段状であり、回路形成用基
板の製造コストを低減することができるが、ビアホール
15の内壁形状は第1の実施の形態の場合のように平滑
とはならず各単層基板ごとに段差が形成された蛇腹形状
を有する円筒形のものとなる。
As shown in FIG. 3, a via hole 15 having a diameter D is formed in the insulating substrate 14 thus formed by a laser beam as in the first embodiment, as shown in FIG. STTS (or STT)
The change in D) is step-like because the single-layer substrates 10, 11, 12, and 13 are stacked, and the manufacturing cost of the circuit-forming substrate can be reduced. As in the case of the first embodiment, the shape is not smooth but a cylindrical shape having a bellows shape in which a step is formed for each single-layer substrate.

【0031】(実施の形態3)つぎに本発明の第3の実
施の形態について説明する。図4は本発明の第3の実施
の形態における回路形成用基板の断面を示すものであ
り、本実施の形態では繊維基材を使用せず、STTDの
異なる複数の樹脂フィルムを前述した各実施の形態の場
合と同様にそのSTTDの高い順に絶縁基板の上方から
下方に向けて積層したものである。すなわちSTTDが
約560℃である熱硬化性ポリイミドよりなる樹脂フィ
ルム16を最上部に、また約500℃のSTTDを有す
る全芳香族アラミドフィルムよりなる樹脂フィルム17
を中間に配置し、また絶縁基板の底部にSTTDが約4
70℃である芳香族ポリエステルよりなる樹脂フィルム
18を配置して積層することにより、本実施の形態にお
ける絶縁基板19を作成することができる。
(Embodiment 3) Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 shows a cross section of a circuit-forming substrate according to a third embodiment of the present invention. In this embodiment, a plurality of resin films having different STTDs are used without using a fiber base material. As in the case of the embodiment, the insulating substrates are stacked from the top to the bottom in the descending order of STTD. That is, a resin film 16 made of a thermosetting polyimide having an STTD of about 560 ° C. is placed on the top, and a resin film 17 made of a wholly aromatic aramid film having an STTD of about 500 ° C.
Are placed in the middle and STTD is about 4 at the bottom of the insulating substrate.
By arranging and laminating a resin film 18 made of aromatic polyester at 70 ° C., the insulating substrate 19 in the present embodiment can be manufactured.

【0032】このようにして形成された絶縁基板19に
前述の各実施の形態の場合と同様にレーザビームにより
直径dを有するビアホール20を形成する。本実施の形
態におけるSTTDの変化はそれぞれの単層基板16,
17,および18を積層しているために階段状である
が、本実施の形態における回路形成用基板の特徴は繊維
基材を使用せず、樹脂フィルムのみで構成しているため
に微小径のビアホールを必要とする場合に好適であり、
ビアホール20の内壁面が極めて平滑化されており、導
電性ペースト等の導電材料を微小径であるにもかかわら
ず、容易に充填することができる。
Via holes 20 having a diameter d are formed in the insulating substrate 19 formed in this manner by a laser beam in the same manner as in the above-described embodiments. The change of STTD in the present embodiment is shown in FIG.
Although the steps 17 and 18 are laminated, the circuit-forming substrate in the present embodiment is characterized by a stepped shape. Suitable when a via hole is required,
The inner wall surface of the via hole 20 is extremely smooth, and can be easily filled with a conductive material such as a conductive paste despite its small diameter.

【0033】上記各実施の形態より明らかなように、本
発明における回路形成用基板の他の実施の形態の展開と
してそれぞれSTTSまたはSTTDの異なる複数の樹
脂含浸繊維基材および樹脂フィルを複合積層して絶縁基
材を形成することも可能であり、特に絶縁基材の両面に
樹脂フィルムを配置することにより、絶縁基板の両面に
形成される配線パターン用の銅箔との接着強度を高める
ことができ、信頼性を向上させることができる。
As is apparent from the above embodiments, as a development of another embodiment of the circuit forming substrate according to the present invention, a plurality of resin-impregnated fiber base materials and resin fills having different STTSs or STTDs are laminated. It is also possible to form an insulating base material, especially by arranging a resin film on both sides of the insulating base material, it is possible to increase the adhesive strength with a copper foil for a wiring pattern formed on both sides of the insulating substrate. And reliability can be improved.

【0034】またガラス繊維はガラス材料を構成する各
無機質酸化物の配合量を適宜組み合わせることにより、
極めて広い範囲において物理的特性を調整することがで
きるのでガラス繊維単独またはアラミド繊維等とともに
樹脂含浸させて必要とするレーザビームの出力条件に適
した絶縁基板を作成することができる。
The glass fiber is prepared by appropriately combining the amounts of the respective inorganic oxides constituting the glass material.
Since the physical properties can be adjusted in an extremely wide range, the insulating substrate suitable for the required laser beam output conditions can be produced by impregnating the glass fiber alone or with the aramid fiber together with the resin.

【0035】なお、上記本発明の各実施の形態におい
て、ビアホールの加工手段として用いた炭酸ガスレーザ
以外に用いられる加工法として、炭酸ガス以外の気体レ
ーザ、YAGレーザ等の固体レーザまたはエキシマレー
ザによる加工法を挙げることができる。
In each of the above-described embodiments of the present invention, as a processing method other than the carbon dioxide gas laser used as the via hole processing means, a gas laser other than a carbon dioxide gas, a solid laser such as a YAG laser, or an excimer laser is used. Law.

【0036】このように上記実施の形態によれば、回路
形成用基板の熱収縮開始温度または熱分解開始温度を回
路形成用基板の厚さ方向に順次変化させているためにレ
ーザビームによる孔開け工程において、レーザビームの
熱エネルギーの変化に対応して基板材料の溶融または熱
分解が行われるため、開口部の上端と下端の直径がほぼ
等しくテーパの生じない、したがって必要とする微小径
を有するビアホールを正確に形成することが可能とな
る。
As described above, according to the above-described embodiment, since the thermal shrinkage starting temperature or the thermal decomposition starting temperature of the circuit forming substrate is sequentially changed in the thickness direction of the circuit forming substrate, holes are formed by the laser beam. In the process, since the substrate material is melted or thermally decomposed in response to the change in the thermal energy of the laser beam, the diameters of the upper end and the lower end of the opening are almost equal and do not have a taper, and thus have the required small diameter. Via holes can be accurately formed.

【0037】[0037]

【発明の効果】上記各実施の形態より明らかなように本
発明は、回路基板形成に用いられる絶縁基板として物理
的特性が絶縁基板の表面から裏面にかけて連続的に、ま
たは階段的に変化させた絶縁基板を用いるものであり、
レーザ加工によるビアホールの開口時に絶縁基板にテー
パーの生じない、いわゆる開口部直径が回路形成用基板
の両面において等しく、かつ微小径を備えた円筒形状の
ビアホールを形成することができるという効果を有す
る。
As is clear from the above embodiments, according to the present invention, as an insulating substrate used for forming a circuit board, the physical characteristics are changed continuously or stepwise from the front surface to the back surface of the insulating substrate. Using an insulating substrate,
There is an effect that a cylindrical via hole having a so-called opening diameter having the same diameter on both sides of the circuit forming substrate and having a small diameter can be formed without causing taper in the insulating substrate when the via hole is opened by laser processing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態における回路形成用
基板にビアホールを形成した断面図
FIG. 1 is a cross-sectional view of a circuit forming substrate according to a first embodiment of the present invention, in which a via hole is formed.

【図2】同第2の実施の形態における回路形成用基板の
形成法を示す断面図
FIG. 2 is a sectional view showing a method of forming a circuit forming substrate according to the second embodiment.

【図3】同実施の形態における回路形成用基板にビアホ
ールを形成した断面図
FIG. 3 is a sectional view of the circuit forming substrate according to the embodiment, in which a via hole is formed;

【図4】同第3の実施の形態における回路形成用基板に
ビアホールを形成した断面図
FIG. 4 is a cross-sectional view of the circuit forming substrate according to the third embodiment in which a via hole is formed.

【図5】従来の回路形成用基板にビアホールを形成した
断面図
FIG. 5 is a cross-sectional view in which a via hole is formed in a conventional circuit forming substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

8 絶縁基板 8 Insulating substrate

フロントページの続き (72)発明者 川北 嘉洋 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内Continuation of the front page (72) Inventor Yoshihiro Kawakita 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回路基板形成に用いられる絶縁基板にお
いて、前記絶縁基板が備える物理的特性が前記絶縁基板
の表面から裏面にかけて連続的に変化していることを特
徴とする回路形成用基板。
1. An insulating substrate used for forming a circuit substrate, wherein a physical characteristic of the insulating substrate continuously changes from a front surface to a back surface of the insulating substrate.
【請求項2】 回路基板形成に用いられる絶縁基板にお
いて、前記絶縁基板が備える物理的特性が前記絶縁基板
の表面から裏面にかけて階段的に変化していることを特
徴とする回路形成用基板。
2. An insulating substrate used for forming a circuit board, wherein a physical characteristic of the insulating substrate changes stepwise from a front surface to a back surface of the insulating substrate.
【請求項3】 回路基板形成に用いられる絶縁基板にお
いて、前記絶縁基板が、それぞれ異なる物理的特性を有
する複数の繊維基材を重ね合わせて熱硬化性樹脂を含浸
させたものであり、かつ前記物理的特性が前記絶縁基板
の表面から裏面にかけて連続的に変化していることを特
徴とする回路形成用基板。
3. An insulating substrate used for forming a circuit board, wherein the insulating substrate is formed by laminating a plurality of fiber base materials having different physical characteristics and impregnating with a thermosetting resin, and A substrate for circuit formation, wherein physical characteristics are continuously changed from a front surface to a back surface of the insulating substrate.
【請求項4】 回路基板形成に用いられる絶縁基板にお
いて、前記絶縁基板が、特定の物理的特性を有する繊維
基材に熱硬化性樹脂を含浸させてなるそれぞれ異なる物
理特性を有する複数の単層基板を積層させたものであ
り、かつ前記物理的特性が前記絶縁基板の表面から裏面
にかけて階段的に変化していることを特徴とする回路形
成用基板。
4. An insulating substrate used for forming a circuit board, wherein the insulating substrate is formed by impregnating a fiber base material having specific physical characteristics with a thermosetting resin, and a plurality of single layers each having different physical characteristics. A substrate for circuit formation, wherein the substrates are laminated, and the physical characteristics change stepwise from the front surface to the back surface of the insulating substrate.
【請求項5】 回路基板形成に用いられる絶縁基板にお
いて、前記絶縁基板が、それぞれ異なる物理的特性を有
する複数の樹脂フィルムを前記絶縁基板の表面から裏面
にかけて前記物理的特性が階段的に変化するように重ね
合わせて構成された絶縁基板であることを特徴とする回
路形成用基板。
5. An insulating substrate used for forming a circuit board, wherein the insulating substrate changes a plurality of resin films having different physical characteristics from the front surface to the rear surface of the insulating substrate in a stepwise manner. A circuit forming substrate, characterized in that the substrate is an insulating substrate configured to be superposed as described above.
【請求項6】 回路基板形成に用いられる絶縁基板にお
いて、前記絶縁基板が、それぞれ異なる物理的特性を有
する複数の樹脂フィルムおよび樹脂含浸繊維基材を前記
絶縁基板の表面から裏面にかけて前記物理的特性が階段
的に変化するように複合積層させてなる絶縁基板である
ことを特徴とする回路形成用基板。
6. An insulating substrate used for forming a circuit board, wherein the insulating substrate is provided with a plurality of resin films and resin-impregnated fiber substrates each having different physical characteristics from the front surface to the rear surface of the insulating substrate. A circuit-forming substrate, wherein the substrate is an insulating substrate formed by compounding and laminating so as to change stepwise.
【請求項7】 樹脂フィルムが、それぞれ異なる熱分解
開始温度を有するポリイミドフィルム、全芳香族アラミ
ドフィルム、芳香族ポリエステルフィルムから選ばれる
樹脂フィルムである請求項5または6のいずれかに記載
の回路形成用基板。
7. The circuit formation according to claim 5, wherein the resin film is a resin film selected from a polyimide film, a wholly aromatic aramid film, and an aromatic polyester film having different thermal decomposition onset temperatures. Substrate.
【請求項8】 物理的特性が熱収縮開始温度または熱分
解開始温度である請求項1から6のいずれかに記載の回
路形成用基板。
8. The circuit forming substrate according to claim 1, wherein the physical property is a heat shrinkage starting temperature or a thermal decomposition starting temperature.
【請求項9】 繊維基材が、それぞれ異なる熱収縮開始
温度または熱分解開始温度を有するアラミド繊維、芳香
族ポリエステル繊維またはガラス繊維のうちから選ばれ
る単独繊維または2種以上の混抄繊維である請求項3、
4または6のいずれかに記載の回路形成用基板。
9. The fiber base material is a single fiber selected from aramid fibers, aromatic polyester fibers or glass fibers having different heat shrinkage initiation temperatures or different thermal decomposition initiation temperatures, or two or more mixed fibers. Item 3,
7. The circuit-forming substrate according to any one of 4 and 6.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6703564B2 (en) 2000-03-23 2004-03-09 Nec Corporation Printing wiring board

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