JP2022083748A - Wiring board - Google Patents

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大介 池田
Daisuke Ikeda
裕之 渡辺
Hiroyuki Watanabe
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Abstract

To provide a wiring board with good high frequency characteristics.SOLUTION: A wiring board 100 according to an embodiment includes an inner layer portion 10 having a first surface 10F and a second surface 10S opposite to the first surface 10F and having a first insulating layer 11 and a first conductor layer 12 alternately laminated, and an outer layer portion 20 formed on the first surface 10F and the second surface 10S, and having a second insulating layer 21 and a second conductor layer 22 alternately laminated. The first insulating layer 11 is formed by using a core material impregnated with a thermoplastic resin, and the second insulating layer 21 is formed by using a film-shaped thermosetting resin.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は配線基板に関する。 The present invention relates to a wiring board.

特許文献1には、コア層の両側に多層構造のビルドアップ層を有するプリント基板が開示されている。コア層は、カーボンファイバ材に例えばエポキシ樹脂などの樹脂組成物を含浸させたカーボンファイバ強化樹脂により形成される絶縁層を有している。また、ビルドアップ層は、例えばエポキシ樹脂等から構成される絶縁層を有している。 Patent Document 1 discloses a printed circuit board having a multi-layered build-up layer on both sides of the core layer. The core layer has an insulating layer formed of a carbon fiber reinforced resin obtained by impregnating a carbon fiber material with a resin composition such as an epoxy resin. Further, the build-up layer has an insulating layer made of, for example, an epoxy resin.

特開2008-10848号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-10884

特許文献1のプリント基板では、比較的誘電率及び誘電正接の大きい熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が使用される。高周波信号の伝送において絶縁層での伝送損失(誘電損失)が比較的大きいと考えられる。 In the printed circuit board of Patent Document 1, an epoxy resin, which is a thermosetting resin having a relatively large dielectric constant and dielectric loss tangent, is used. It is considered that the transmission loss (dielectric loss) in the insulating layer is relatively large in the transmission of high frequency signals.

本発明の配線基板は、第1面及び前記第1面と反対側の第2面を有し、交互に積層される第1絶縁層及び第1導体層を備える内層部と、前記第1面及び前記第2面上に形成され、交互に積層される第2絶縁層及び第2導体層を備える外層部と、を備えている。前記第1絶縁層は、熱可塑性樹脂が含浸された芯材を用いて形成され、前記第2絶縁層は、フィルム状の熱硬化性樹脂を用いて形成されている。 The wiring board of the present invention has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and has an inner layer portion including a first insulating layer and a first conductor layer that are alternately laminated, and the first surface. And an outer layer portion including a second insulating layer and a second conductor layer formed on the second surface and alternately laminated. The first insulating layer is formed by using a core material impregnated with a thermoplastic resin, and the second insulating layer is formed by using a film-shaped thermosetting resin.

本発明の実施形態によれば、高周波信号の伝送における誘電損失が抑制される、良好な高周波特性を有する配線基板が提供され得る。 According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a wiring board having good high frequency characteristics in which dielectric loss in transmission of a high frequency signal is suppressed.

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。The cross-sectional view which shows an example of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。The cross-sectional view which shows the other example of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。The figure which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of one Embodiment of this invention.

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。実施形態の配線基板は内層部、及び、内層部の厚さ方向の両面に形成される外層部によって構成される。図1に示されている例の配線基板100は、内層部としてコア層10を有しており、外層部としてビルドアップ層20を有している。コア層10は、その厚さ方向における一方に第1面10Fを有し、第1面10Fと反対側の他方に第2面10Sを有している。ビルドアップ層20は、コア層10の第1面10F側、及び、第2面10S側に形成されている。 A wiring board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The wiring board of the embodiment is composed of an inner layer portion and an outer layer portion formed on both sides of the inner layer portion in the thickness direction. The wiring board 100 of the example shown in FIG. 1 has a core layer 10 as an inner layer portion and a build-up layer 20 as an outer layer portion. The core layer 10 has a first surface 10F on one side in the thickness direction thereof and a second surface 10S on the other side opposite to the first surface 10F. The build-up layer 20 is formed on the first surface 10F side and the second surface 10S side of the core layer 10.

コア層10は複数の絶縁層(第1絶縁層)11及び導体層(第1導体層)12が交互に積層されることで形成されている。ビルドアップ層20は、交互に積層される絶縁層(第2絶縁層)21及び導体層(第2導体層)22によって構成されている。図示の例では、コア層10は5層の第1絶縁層11及び6層の第1導体層12によって構成されている。ビルドアップ層20は、第1面10F側及び第2面10S側において互いに同数の、第2絶縁層21及び導体層22を含んでおり、3層の第2絶縁層21及び3層の第2導体層22によって構成されている。 The core layer 10 is formed by alternately laminating a plurality of insulating layers (first insulating layer) 11 and conductor layers (first conductor layer) 12. The build-up layer 20 is composed of an insulating layer (second insulating layer) 21 and a conductor layer (second conductor layer) 22 that are alternately laminated. In the illustrated example, the core layer 10 is composed of five layers of the first insulating layer 11 and six layers of the first conductor layer 12. The build-up layer 20 includes the same number of second insulating layers 21 and conductor layers 22 on the first surface 10F side and the second surface 10S side, and the second insulating layer 21 of the three layers and the second of the three layers. It is composed of a conductor layer 22.

コア層10両面のビルドアップ層20が同様の層構造(同じ層数の第2絶縁層21及び第2導体層22)を有する構成によって、配線基板100の厚さ方向の中心から両側における熱膨張量が略同じとなり、配線基板100に温度変化が生じた際に発生し得る反りが抑制されることがある。しかしながら、実施形態の配線基板において、内層部(コア層)10に含まれる第1絶縁層11及び第1導体層12の層数、及び、外層部(ビルドアップ層)20に含まれる第2絶縁層21及び第2導体層22の層数は上述のものに限定されない。コア層10及びビルドアップ層20は、任意の数の絶縁層11、21及び導体層12、22を含み得る。ビルドアップ層20は、コア層10の第1面10F側と第2面10S側とで異なる層数の絶縁層21及び導体層22を有してもよい。 Due to the configuration in which the build-up layers 20 on both sides of the core layer 10 have the same layer structure (second insulating layer 21 and second conductor layer 22 having the same number of layers), thermal expansion from the center in the thickness direction of the wiring board 100 to both sides. The amounts may be substantially the same, and warpage that may occur when a temperature change occurs in the wiring board 100 may be suppressed. However, in the wiring board of the embodiment, the number of layers of the first insulating layer 11 and the first conductor layer 12 included in the inner layer portion (core layer) 10 and the second insulation included in the outer layer portion (build-up layer) 20. The number of layers of the layer 21 and the second conductor layer 22 is not limited to those described above. The core layer 10 and the build-up layer 20 may include any number of insulating layers 11, 21 and conductor layers 12, 22. The build-up layer 20 may have an insulating layer 21 and a conductor layer 22 having different numbers of layers on the first surface 10F side and the second surface 10S side of the core layer 10.

なお、配線基板100の説明では、コア層10の厚さ方向における中心から遠い側は「上側」、「外側」、又は単に「上」、「外」とも称され、コア層10の厚さ方向における中心に近い側は「下側」、「内側」、又は単に「下」、「内」とも称される。従って、ビルドアップ層20の説明においては、形成される面(第1面10F、又は、第2面10S)から遠い側が「上側」、「外側」、又は単に「上」、「外」と称される。 In the description of the wiring board 100, the side far from the center in the thickness direction of the core layer 10 is also referred to as "upper side", "outer side", or simply "upper", "outer", and is also referred to as "upper side" or "outer side" in the thickness direction of the core layer 10. The side closer to the center in is also referred to as "lower", "inner", or simply "lower", "inner". Therefore, in the description of the build-up layer 20, the side far from the formed surface (first surface 10F or second surface 10S) is referred to as "upper side", "outer side", or simply "upper", "outer". Will be done.

配線基板100を構成する各導体層(第1導体層12、第2導体層22)は適切な導電性を有する任意の材料(例えば銅、又はニッケル等)で形成され、それぞれ、所望の導体パターンに形成されている。詳しくは後述するように、第2導体層22は第1導体層12よりも小さい厚さを有するように形成されており、ビルドアップ層20を構成する第2導体層22は、コア層10を構成する第1導体層12よりも微細な配線パターンを有している。 Each conductor layer (first conductor layer 12, second conductor layer 22) constituting the wiring board 100 is formed of any material having appropriate conductivity (for example, copper, nickel, etc.), and each has a desired conductor pattern. Is formed in. As will be described in detail later, the second conductor layer 22 is formed to have a thickness smaller than that of the first conductor layer 12, and the second conductor layer 22 constituting the build-up layer 20 has a core layer 10. It has a wiring pattern that is finer than that of the constituent first conductor layer 12.

導体層12、22は、例えば金属箔層(好ましくは銅箔)、金属膜層(好ましくは無電解銅めっき膜)、電解めっき膜層(好ましくは電解銅めっき膜)によって、又はこれらの組み合わせによって構成され得る。図示の例では、コア層10を構成する第1導体層12は、金属箔層12a、金属膜層(無電解めっき膜)12b、及び電解めっき膜層12cの3層を有している。コア層10の第1面10F及び第2面10Sを構成する第1導体層12は、金属箔層12a、金属膜層12b、及び電解めっき膜層12cに加えて、その上側にさらに金属膜層12d及び電解めっき膜層12eを備える、5層構造を有している。外層部(ビルドアップ層)20を構成する第2導体層22は、金属膜層22b及び電解めっき膜層22cを含む2層構造を有している。 The conductor layers 12 and 22 are formed by, for example, a metal foil layer (preferably copper foil), a metal film layer (preferably a non-electrolytic copper plating film), an electrolytic plating film layer (preferably an electrolytic copper plating film), or a combination thereof. Can be configured. In the illustrated example, the first conductor layer 12 constituting the core layer 10 has three layers of a metal foil layer 12a, a metal film layer (electroless plating film) 12b, and an electrolytic plating film layer 12c. The first conductor layer 12 constituting the first surface 10F and the second surface 10S of the core layer 10 is a metal film layer 12a, a metal film layer 12b, and an electrolytic plating film layer 12c, and further on the upper side thereof. It has a five-layer structure including 12d and an electrolytic plating film layer 12e. The second conductor layer 22 constituting the outer layer portion (build-up layer) 20 has a two-layer structure including the metal film layer 22b and the electrolytic plating film layer 22c.

コア層10は、その厚さ方向の全体を貫通して第1面10Fを構成する第1導体層12と、反対側の第2面10Sを構成する第1導体層12とを接続する接続用導体13を含んでいる。図示の例では、接続用導体13は、第1面10F側から第2面10Sに向けてコア層10を貫通するスルーホール13hの内壁を被覆する、金属膜層12b及び電解めっき膜層12cによって構成される導体膜、及び、導体膜の内側を埋める充填物13fを含んでいる。 The core layer 10 is for connecting the first conductor layer 12 that penetrates the entire thickness direction and constitutes the first surface 10F and the first conductor layer 12 that constitutes the second surface 10S on the opposite side. Includes conductor 13. In the illustrated example, the connecting conductor 13 is formed by a metal film layer 12b and an electrolytic plating film layer 12c that cover the inner wall of the through hole 13h penetrating the core layer 10 from the first surface 10F side toward the second surface 10S. It contains a conductor film to be formed and a filler 13f that fills the inside of the conductor film.

接続用導体13を構成する金属膜層12b及び電解めっき膜層12cは、第1面10F及び第2面10Sを構成する第1導体層12と一体的に形成されている。充填物13fは、例えば電気絶縁性の樹脂材料を用いて形成され得る。充填物13fは、導電性粒子を含む導電性ペースト又は導電性インクの固化物であってもよい。 The metal film layer 12b and the electrolytic plating film layer 12c constituting the connecting conductor 13 are integrally formed with the first conductor layer 12 constituting the first surface 10F and the second surface 10S. The filler 13f can be formed, for example, by using an electrically insulating resin material. The filler 13f may be a conductive paste containing conductive particles or a solidified product of conductive ink.

接続用導体13はコア層10の厚さ方向において略同じ断面形状及び寸法を有している。接続用導体13は、第1面10Fを構成する第1導体層12と第2面10Sを構成する第1導体層12の他にも、コア層10内の任意の第1導体層12と接続され得る。図示の例では、接続用導体13は、コア層10が有する6層の第1導体層12と接続している。接続用導体13の充填物13fの端面には、金属膜層12d及び電解めっき膜層12eが充填物13fを覆うように形成されている。 The connecting conductor 13 has substantially the same cross-sectional shape and dimensions in the thickness direction of the core layer 10. The connecting conductor 13 is connected to any first conductor layer 12 in the core layer 10 in addition to the first conductor layer 12 constituting the first surface 10F and the first conductor layer 12 constituting the second surface 10S. Can be done. In the illustrated example, the connecting conductor 13 is connected to the six layers of the first conductor layer 12 of the core layer 10. A metal film layer 12d and an electrolytic plating film layer 12e are formed on the end face of the filler 13f of the connecting conductor 13 so as to cover the filler 13f.

ビルドアップ層20に含まれる第2絶縁層21は、第2絶縁層21を貫通してその両面に形成されている導体層同士を接続するビア導体23を含んでいる。ビア導体23は、貫通孔23hの内壁を被覆する金属膜層22b、及び、金属膜層22bを給電層として形成される電解めっき膜層22cを含む、所謂フィルドビアであり、ビア導体23を含む第2絶縁層21上に形成される第2導体層22と一体的に形成されている。 The second insulating layer 21 included in the build-up layer 20 includes a via conductor 23 that penetrates the second insulating layer 21 and connects the conductor layers formed on both sides thereof. The via conductor 23 is a so-called filled via, which includes a metal film layer 22b that covers the inner wall of the through hole 23h and an electrolytic plating film layer 22c formed by using the metal film layer 22b as a feeding layer, and includes the via conductor 23. 2 It is integrally formed with the second conductor layer 22 formed on the insulating layer 21.

配線基板100は、ビルドアップ層20上に形成されている被覆層24を有している。被覆層24はソルダーレジスト層であり得る。被覆層24は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。被覆層24は開口24aを有しており、開口24aからは配線基板100の最表面(最も外側)の第2導体層22に含まれる接続パッド22pが露出する。配線基板100の表面上には、例えば、半導体素子などの電子部品、又は、外部の電気回路基板(図示せず)などが、接続パッド22pを介して実装され得る。電子部品等の接続用端子に接続パッド22pが、例えば、はんだ等の導電性の接続部材を介して電気的に接続され得る。 The wiring board 100 has a coating layer 24 formed on the build-up layer 20. The coating layer 24 can be a solder resist layer. The coating layer 24 is formed by using, for example, an epoxy resin or a polyimide resin. The coating layer 24 has an opening 24a, and the connection pad 22p included in the second conductor layer 22 on the outermost surface (outermost side) of the wiring board 100 is exposed from the opening 24a. For example, an electronic component such as a semiconductor element or an external electric circuit board (not shown) may be mounted on the surface of the wiring board 100 via a connection pad 22p. The connection pad 22p may be electrically connected to a connection terminal of an electronic component or the like via a conductive connection member such as solder.

配線基板100の内層部(コア層)10を構成する第1絶縁層11、及び、外層部(ビルドアップ層)20を構成する第2絶縁層21は、電気絶縁性の樹脂材料を用いて形成される樹脂絶縁層である。第1絶縁層11を構成する樹脂材料としては、比較的、誘電率及び誘電正接の低い熱可塑性樹脂が用いられる。一方、第2絶縁層21を構成する樹脂材料としては、比較的、高い耐熱性を有する熱硬化性樹脂が用いられる。このような構成を有することで、詳しくは後述するように、配線基板100は、良好な高周波特性(高周波信号の伝送特性)を有し得ると同時に、剥離などの不良の発生が抑制される良好な信頼性を有し得る。 The first insulating layer 11 constituting the inner layer portion (core layer) 10 of the wiring board 100 and the second insulating layer 21 constituting the outer layer portion (build-up layer) 20 are formed by using an electrically insulating resin material. It is a resin insulating layer to be made. As the resin material constituting the first insulating layer 11, a thermoplastic resin having a relatively low dielectric constant and dielectric loss tangent is used. On the other hand, as the resin material constituting the second insulating layer 21, a thermosetting resin having relatively high heat resistance is used. By having such a configuration, as will be described in detail later, the wiring board 100 can have good high frequency characteristics (high frequency signal transmission characteristics), and at the same time, the occurrence of defects such as peeling is suppressed. Can have high reliability.

配線基板を構成する絶縁層が、比較的高い値の誘電率、誘電正接を有する場合、配線基板内の導体層で伝送される高周波信号の誘電損失(伝送損失)が比較的大きい。誘電損失は、信号の周波数が高ければ大きくなる傾向にあり、特に、マイクロ波、ミリ波領域の高周波信号が伝送される場合には、誘電損失が顕著になり得る。このような問題に対して、本実施形態の配線基板においては、コア層10を構成するコア絶縁層11に、誘電率及び誘電正接が比較的低い熱可塑性樹脂が用いられる。従って、コア層10での誘電損失が比較的小さく抑えられる、高周波特性の良好な配線基板100が提供され得る。 When the insulating layer constituting the wiring board has a relatively high value of dielectric constant and dielectric loss tangent, the dielectric loss (transmission loss) of the high frequency signal transmitted by the conductor layer in the wiring board is relatively large. The dielectric loss tends to increase as the frequency of the signal is high, and the dielectric loss can be remarkable particularly when a high frequency signal in the microwave or millimeter wave region is transmitted. To solve such a problem, in the wiring board of the present embodiment, a thermoplastic resin having a relatively low dielectric constant and dielectric loss tangent is used for the core insulating layer 11 constituting the core layer 10. Therefore, it is possible to provide a wiring board 100 having good high frequency characteristics in which the dielectric loss in the core layer 10 is suppressed to be relatively small.

熱可塑性樹脂は、ガラス転移点付近まで加熱させると塑性を示す樹脂である。従って、配線基板が、その最も外側の絶縁層を熱可塑性樹脂で構成している場合には、配線基板の表面への電子部品の搭載時などに、導体層と絶縁層との剥離などの不良が生じる虞がある。具体的には、配線基板の最表面に形成されている接続パッドを介して電子部品を搭載する際に、はんだなどの接続部材の搭載時に加えられる熱により絶縁層の硬度が低下し、電子部品を載置する際の応力によって、絶縁層と接続パッド等との間での剥離が生じ得る。このような問題に対して、本実施形態では比較的耐熱性の高い熱硬化性樹脂によって外層部20の絶縁層21を構成している。従って、電子部品の搭載時などに第2絶縁層21の変形は起こりにくく、よって、第2絶縁層21と第2導体層22(接続パッド22p)との剥離の発生が抑制され得る。 The thermoplastic resin is a resin that exhibits plasticity when heated to the vicinity of the glass transition point. Therefore, when the outermost insulating layer of the wiring board is made of a thermoplastic resin, there is a defect such as peeling between the conductor layer and the insulating layer when electronic components are mounted on the surface of the wiring board. May occur. Specifically, when an electronic component is mounted via a connection pad formed on the outermost surface of a wiring board, the hardness of the insulating layer is reduced by the heat applied when the connection member such as solder is mounted, and the electronic component is mounted. The stress at the time of placing the solder may cause peeling between the insulating layer and the connection pad or the like. To solve such a problem, in the present embodiment, the insulating layer 21 of the outer layer portion 20 is formed of a thermosetting resin having a relatively high heat resistance. Therefore, deformation of the second insulating layer 21 is unlikely to occur when an electronic component is mounted, and therefore, the occurrence of peeling between the second insulating layer 21 and the second conductor layer 22 (connection pad 22p) can be suppressed.

コア層10を構成する第1絶縁層11に用いられる熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルエーテルケトン樹脂(PEEK)、ポリエーテルイミド樹脂(PEI)、ポリエチレン樹脂(PE)、フッ化エチレン樹脂(PTFE)、液晶ポリマー(LCP)、等が例示される。 Examples of the thermoplastic resin used for the first insulating layer 11 constituting the core layer 10 include polyetheretherketone resin (PEEK), polyetherimide resin (PEI), polyethylene resin (PE), and fluoroethylene resin (PTFE). , Liquid liquid polymer (LCP), etc. are exemplified.

第2絶縁層21に用いられる熱硬化性樹脂としては、熱硬化性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BTレジン)、等が例示される。これらの中でも比較的誘電率及び誘電正接が小さい値を有するビスマレイミドトリアジン樹脂が好ましく使用され得る。コア層10に加えてビルドアップ層20においても高周波信号の誘電損失が抑制され、良好な高周波特性を有する配線基板100が提供され得る。また、第2絶縁層21に用いられる熱硬化性樹脂は、ビルドアップ層20の製造時におけるコア層10の変形を抑制する観点から、第1絶縁層11を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度よりも低い温度で硬化され得る樹脂が使用されることが好ましい。 Examples of the thermosetting resin used for the second insulating layer 21 include a thermosetting polyimide resin, an epoxy resin, and a bismaleimide triazine resin (BT resin). Among these, a bismaleimide triazine resin having a relatively small dielectric constant and dielectric loss tangent can be preferably used. In addition to the core layer 10, the build-up layer 20 also suppresses dielectric loss of high-frequency signals, and can provide a wiring board 100 having good high-frequency characteristics. Further, the thermosetting resin used for the second insulating layer 21 has a glass transition temperature of the thermoplastic resin constituting the first insulating layer 11 from the viewpoint of suppressing deformation of the core layer 10 during the manufacture of the build-up layer 20. It is preferable to use a resin that can be cured at a lower temperature.

なお、第1絶縁層11は熱可塑性樹脂のみで構成される必要はなく、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合材料が用いられてもよい。例えば、ポリフェニレンオキサイド樹脂又はポリブタジエン系樹脂等の熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂又はシアネート樹脂などの熱硬化性樹脂を使用して相互侵入高分子網目構造樹脂(IPN)とした複合材料も使用され得る。 The first insulating layer 11 does not have to be composed only of the thermoplastic resin, and a composite material of the thermoplastic resin and the thermosetting resin may be used. For example, a composite material obtained by using a thermoplastic resin such as a polyphenylene oxide resin or a polybutadiene resin and a thermosetting resin such as an epoxy resin or a cyanate resin to form an interpenetrating polymer network structure resin (IPN) can also be used.

本実施形態におけるコア層10を構成する第1絶縁層11は、繊維状の補強材(芯材)CRを含んでいる。第1絶縁層11が芯材CRを含んでいることで、第1絶縁層11の剛性は向上する。従って、コア層10上へのビルドアップ層20の形成時や、接続パッド22p上への電子部品等の搭載時などにおける、第1絶縁層11の変形に起因する不良(例えば、第1導体層12と第1絶縁層11との剥離など)の発生が抑制され得る。 The first insulating layer 11 constituting the core layer 10 in the present embodiment contains a fibrous reinforcing material (core material) CR. Since the first insulating layer 11 contains the core material CR, the rigidity of the first insulating layer 11 is improved. Therefore, defects caused by deformation of the first insulating layer 11 (for example, the first conductor layer) when the build-up layer 20 is formed on the core layer 10 or when electronic components or the like are mounted on the connection pad 22p. The generation of (such as peeling between 12 and the first insulating layer 11) can be suppressed.

コア層10の第1絶縁層11に含まれる芯材CRとしては、コア層10における良好な高周波特性(低い誘電損失)を維持する観点から、比較的小さい値の誘電率及び誘電正接を有する材料が使用されることが好ましい。芯材CRには、例えば、石英ガラス繊維、NEガラス繊維、Dガラス繊維、又はポリパラフェニレンフタルアミド繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサドール繊維(PBO)等のアラミド繊維が好ましく使用され得る。 The core material CR contained in the first insulating layer 11 of the core layer 10 is a material having a relatively small value of dielectric constant and dielectric loss tangent from the viewpoint of maintaining good high frequency characteristics (low dielectric loss) in the core layer 10. Is preferably used. As the core material CR, for example, quartz glass fiber, NE glass fiber, D glass fiber, or aramid fiber such as polyparaphenylene phthalamide fiber and polyparaphenylene benzobisoxador fiber (PBO) can be preferably used.

一方、配線基板100の外層部(ビルドアップ層)20を構成する第2絶縁層21は、芯材を含まない、フィルム状の熱硬化性樹脂を用いて形成される。第2絶縁層21は芯材を含まない構成を有することで、比較的薄く形成され得る。従って、ビルドアップ層20を構成する第2絶縁層21に含まれるビア導体23は比較的狭ピッチに形成されることが可能であり、第2絶縁層21上に形成される第2導体層22は比較的微細な配線パターンを有するように形成され得る。 On the other hand, the second insulating layer 21 constituting the outer layer portion (build-up layer) 20 of the wiring board 100 is formed by using a film-shaped thermosetting resin that does not contain a core material. The second insulating layer 21 can be formed relatively thin by having a structure that does not include a core material. Therefore, the via conductor 23 included in the second insulating layer 21 constituting the build-up layer 20 can be formed at a relatively narrow pitch, and the second conductor layer 22 formed on the second insulating layer 21 can be formed. Can be formed to have a relatively fine wiring pattern.

第1絶縁層11、第2絶縁層21は、フィラーを含み得る。第1絶縁層11、第2絶縁層21が電気絶縁性のフィラーを含むことで、その熱膨張率が低減され、さらに効果的に不良の発生が抑制される場合がある。配線基板100の形成過程などにおける加熱による、基板を形成する各要素の熱膨張率の差に起因する不良(剥離、クラック、等の発生)が抑制され得る。第1絶縁層11、第2絶縁層21に含まれるフィラーとしては、配線基板100の高周波特性を向上させる観点から、比較的小さい値の誘電率及び誘電正接を有するフィラーが採用されることが好ましい。例えば、酸化ケイ素、又は窒化ホウ素などを含むフィラーが好ましく使用され得る。 The first insulating layer 11 and the second insulating layer 21 may contain a filler. When the first insulating layer 11 and the second insulating layer 21 contain an electrically insulating filler, the coefficient of thermal expansion thereof may be reduced, and the occurrence of defects may be more effectively suppressed. Defects (generation of peeling, cracks, etc.) due to the difference in the coefficient of thermal expansion of each element forming the substrate due to heating in the forming process of the wiring board 100 can be suppressed. As the filler contained in the first insulating layer 11 and the second insulating layer 21, it is preferable to use a filler having a relatively small value of dielectric constant and dielectric loss tangent from the viewpoint of improving the high frequency characteristics of the wiring board 100. .. For example, a filler containing silicon oxide, boron nitride, or the like can be preferably used.

実施形態の配線基板100においては、第1絶縁層11は芯材CRに熱可塑性樹脂を含浸させたシート(プリプレグ)を使用して形成される。そして、第2絶縁層21は芯材を有さない熱硬化性樹脂のフィルムを使用して形成される。従って、外層部20においては、第1絶縁層11よりも薄い第2絶縁層21を形成することが可能であり、よって、複数のビア導体23を比較的狭いピッチで形成することが可能である。また、金属膜層22b及び電解めっき膜層22cの2層構造を有する第2導体層22は、金属箔層12a、金属膜層12b、及び電解めっき膜層12cの3層構造を有する第1導体層12よりも小さい厚さを有するように形成され得る。第2導体層22は、第1導体層12の0.5倍以下の厚さを有し得る。よって、第2導体層22が有する配線パターンは比較的微細に形成され、第1導体層12が有する配線パターンよりも微細な配線パターンを有し得る。 In the wiring board 100 of the embodiment, the first insulating layer 11 is formed by using a sheet (prepreg) in which the core material CR is impregnated with a thermoplastic resin. The second insulating layer 21 is formed by using a thermosetting resin film having no core material. Therefore, in the outer layer portion 20, it is possible to form the second insulating layer 21 which is thinner than the first insulating layer 11, and thus it is possible to form the plurality of via conductors 23 at a relatively narrow pitch. .. Further, the second conductor layer 22 having a two-layer structure of the metal film layer 22b and the electrolytic plating film layer 22c is a first conductor having a three-layer structure of the metal foil layer 12a, the metal film layer 12b, and the electrolytic plating film layer 12c. It can be formed to have a thickness smaller than layer 12. The second conductor layer 22 may have a thickness of 0.5 times or less that of the first conductor layer 12. Therefore, the wiring pattern of the second conductor layer 22 is formed relatively finely, and may have a wiring pattern finer than that of the first conductor layer 12.

具体的には、第2導体層22は、L/Sが15μm/15μm以下の微細な配線層を有し得る。一方、コア層10を構成する第1導体層12は、L/Sが50μm/50μm以上の配線層とされる。すなわち、外層部20の第2導体層22は、内層部10の第1導体層12よりも微細な配線パターンを有し得る。より狭いピッチの接続端子を有する電子部品を、接続パッド22pを介して搭載することが可能となり、配線基板100に搭載され得る電子部品の選択範囲が拡大され得る。図示の例では、コア層10両面の2つのビルドアップ層20において、第2導体層22が微細な配線パターンを有している。しかしながら、2つのビルドアップ層20の少なくとも一方が、微細な配線パターンの第2導体層22を有していればよい。 Specifically, the second conductor layer 22 may have a fine wiring layer having an L / S of 15 μm / 15 μm or less. On the other hand, the first conductor layer 12 constituting the core layer 10 is a wiring layer having an L / S of 50 μm / 50 μm or more. That is, the second conductor layer 22 of the outer layer portion 20 may have a finer wiring pattern than the first conductor layer 12 of the inner layer portion 10. Electronic components having connection terminals having a narrower pitch can be mounted via the connection pad 22p, and the selection range of electronic components that can be mounted on the wiring board 100 can be expanded. In the illustrated example, the second conductor layer 22 has a fine wiring pattern in the two build-up layers 20 on both sides of the core layer 10. However, at least one of the two build-up layers 20 may have a second conductor layer 22 with a fine wiring pattern.

図1に示される例では、コア層10の第1面10F及び第2面10Sを構成する第1導体層12を接続する接続用導体13は、コア層10の厚さ方向において略同形で略同寸法の断面形状を有するスルーホール13h内に形成される。スルーホール13h内に充填され接続用導体13を構成する充填物13fが絶縁性の樹脂で構成される場合には、高周波特性を向上させる観点から、充填物13fとして第1絶縁層11と同様の熱可塑性樹脂が用いられることが好ましい。 In the example shown in FIG. 1, the connecting conductor 13 connecting the first conductor layer 12 constituting the first surface 10F and the second surface 10S of the core layer 10 has substantially the same shape in the thickness direction of the core layer 10. It is formed in a through hole 13h having a cross-sectional shape of the same size. When the filler 13f filled in the through hole 13h and constituting the connecting conductor 13 is made of an insulating resin, the filler 13f is the same as the first insulating layer 11 from the viewpoint of improving the high frequency characteristics. It is preferable that a thermoplastic resin is used.

接続用導体13はスルーホール導体の形態に限定されない。図2に配線基板100aとして示される例では、コア層10の第1面10F及び第2面10Sを構成する第1導体層12は、ビア導体13vが直列に積層されるスタックビアの形態を有する接続用導体で接続されている。このような構成を有することで、ビア導体13vと第1絶縁層11とのアンカー効果により第1導体層12と第1絶縁層11との密着性が向上することがある。なお、図2に示される配線基板100aにおいては、接続用導体の構成が異なる以外は、配線基板100と同様の構成を有しており、それら同様の構成についての具体的な説明は省略される。 The connecting conductor 13 is not limited to the form of a through-hole conductor. In the example shown as the wiring board 100a in FIG. 2, the first conductor layer 12 constituting the first surface 10F and the second surface 10S of the core layer 10 has the form of a stack via in which the via conductors 13v are laminated in series. It is connected by a connecting conductor. With such a configuration, the adhesion between the first conductor layer 12 and the first insulating layer 11 may be improved due to the anchor effect between the via conductor 13v and the first insulating layer 11. The wiring board 100a shown in FIG. 2 has the same configuration as the wiring board 100 except that the configurations of the connecting conductors are different, and specific description of these similar configurations is omitted. ..

つぎに、図1に示される配線基板100を例に、本実施形態の配線基板の製造方法が、図3A~図3Hを参照して以下に説明される。先ず、内層部が形成される。第1絶縁層11の両面に第1導体層12が形成された、樹脂基板10aが2つ用意される。図3Aには、2つの樹脂基板10aのうちの1つが示されている。 Next, the method for manufacturing the wiring board of the present embodiment will be described below with reference to FIGS. 3A to 3H, using the wiring board 100 shown in FIG. 1 as an example. First, the inner layer portion is formed. Two resin substrates 10a having the first conductor layer 12 formed on both surfaces of the first insulating layer 11 are prepared. FIG. 3A shows one of the two resin substrates 10a.

樹脂基板10aは、芯材(補強材)CRに熱可塑性樹脂を含浸させた樹脂絶縁層を含む第1絶縁層11の両面に金属箔層12aが積層された、両面金属張積層板(例えば両面銅張積層板)を出発材として形成される。先ず、両面金属張積層板の金属箔層12aの表面に無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜層12bが形成される。そして、金属膜層12b上に電解めっきにより、電解めっき膜層12cを形成した後、適切なマスクを用いるエッチングなどを含むサブトラクティブ法を用いて、所望の導体パターンを有する第1導体層12が形成される。第1導体層12は、金属箔を用いるセミアディティブ法(MSAP)を用いて形成されてもよい。 The resin substrate 10a is a double-sided metal-clad laminate (for example, both sides) in which a metal foil layer 12a is laminated on both sides of a first insulating layer 11 including a resin insulating layer in which a core material (reinforcing material) CR is impregnated with a thermoplastic resin. It is formed using a copper-clad laminate) as a starting material. First, the metal film layer 12b is formed on the surface of the metal foil layer 12a of the double-sided metal-clad laminate by electroless plating or sputtering. Then, after forming the electrolytic plating film layer 12c on the metal film layer 12b by electrolytic plating, the first conductor layer 12 having a desired conductor pattern is formed by using a subtractive method including etching using an appropriate mask or the like. It is formed. The first conductor layer 12 may be formed by using a semi-additive method (MSAP) using a metal foil.

次いで、図3Bに示されるように、2つの樹脂基板10aと3つのプリプレグ10pが交互に重なるように配置される。1つのプリプレグ10pが2つの樹脂基板10aで挟まれ、さらに、2つの樹脂基板10aそれぞれの外側にプリプレグ10pが配置される。最も外側に配置されるプリプレグ10pの外側には、金属箔層12aが配置される。重ね合わせられた3つのプリプレグ10p、及び2つの樹脂基板10aが、一括プレスされることによって、多層状に一体化される。プリプレグ10pは、樹脂基板10aを構成する第1絶縁層11を構成する樹脂絶縁層と同様に、熱可塑性樹脂を含浸させた芯材CRを含んでおり、一体化されてコア層10の第1絶縁層11を構成する。 Next, as shown in FIG. 3B, the two resin substrates 10a and the three prepregs 10p are arranged so as to be alternately overlapped with each other. One prepreg 10p is sandwiched between two resin substrates 10a, and further, the prepreg 10p is arranged outside each of the two resin substrates 10a. A metal foil layer 12a is arranged on the outer side of the prepreg 10p arranged on the outermost side. The three stacked prepregs 10p and the two resin substrates 10a are integrated into a multilayer by being collectively pressed. The prepreg 10p contains a core material CR impregnated with a thermoplastic resin, like the resin insulating layer constituting the first insulating layer 11 constituting the resin substrate 10a, and is integrated with the first core layer 10. The insulating layer 11 is configured.

次いで、図3Cに示されるように、金属箔12a及び5層の第1絶縁層11を貫通する貫通孔(スルーホール)13hが所定の位置に、例えばドリルなどの切削装置によって穿孔されることによって形成される。スルーホール13hは、レーザー光の照射によって形成されてもよい。 Next, as shown in FIG. 3C, a through hole (through hole) 13h penetrating the metal foil 12a and the first insulating layer 11 of the fifth layer is drilled at a predetermined position by a cutting device such as a drill. It is formed. The through hole 13h may be formed by irradiation with a laser beam.

次いで、図3Dに示されるように、スルーホール13hの形成後、スルーホール13hの内壁面上並びに、最外の金属箔12a上に金属膜層12bが形成される。金属膜層12bは、例えば、無電解めっき又はスパッタリングなどによって形成される。続いて、金属膜層12bを給電層として用いる電解めっきによって、金属膜層12b上に電解めっき膜層12cが形成される。スルーホール13hの内壁面上には、金属膜層12bと電解めっき膜層12cとを含み、接続用導体13の導電性を担う2層構造の導体膜が形成される。 Next, as shown in FIG. 3D, after the through hole 13h is formed, the metal film layer 12b is formed on the inner wall surface of the through hole 13h and on the outermost metal foil 12a. The metal film layer 12b is formed by, for example, electroless plating or sputtering. Subsequently, the electrolytic plating film layer 12c is formed on the metal film layer 12b by electrolytic plating using the metal film layer 12b as a feeding layer. On the inner wall surface of the through hole 13h, a conductor film having a two-layer structure including a metal film layer 12b and an electrolytic plating film layer 12c and responsible for the conductivity of the connecting conductor 13 is formed.

次いで、図3Eに示されるように、スルーホール13hの空洞部(金属膜層12bと電解めっき膜層12cとを含む2層構造の導体膜で画定される領域)が充填物13fで充填される。例えば、PEEK、PTFEなどの絶縁性の熱可塑性樹脂が、スルーホール13hの開口の一方側から、又は両側から注入される。必要に応じて、スルーホール13hの一方側から注入される樹脂などの充填物が、他方側から吸引されてもよい。絶縁性の樹脂の代わりに、例えば銀粒子などの導電性粒子を含む導電性ペーストでスルーホール13hが充填されてもよい。 Next, as shown in FIG. 3E, the hollow portion of the through hole 13h (the region defined by the conductor film having a two-layer structure including the metal film layer 12b and the electrolytic plating film layer 12c) is filled with the filling material 13f. .. For example, an insulating thermoplastic resin such as PEEK or PTFE is injected from one side or both sides of the opening of the through hole 13h. If necessary, the filler such as resin injected from one side of the through hole 13h may be sucked from the other side. Instead of the insulating resin, the through holes 13h may be filled with a conductive paste containing conductive particles such as silver particles.

さらに、電解めっき膜層12c及び充填物13fの上に金属膜層12d及び電解めっき膜層12eが順に形成される。金属膜層12d及び電解めっき膜層12eは、例えば、金属膜層12b及び電解めっき膜層12cと同様の方法で形成される。その結果、コア層10の第1面10F、及び、第2面10Sを構成する、金属箔層12a、金属膜層12b、電解めっき膜層12c、金属膜層12d、及び電解めっき膜層12eの5層構造を有する第1導体層12が形成される。 Further, the metal film layer 12d and the electrolytic plating film layer 12e are sequentially formed on the electrolytic plating film layer 12c and the filler 13f. The metal film layer 12d and the electrolytic plating film layer 12e are formed, for example, in the same manner as the metal film layer 12b and the electrolytic plating film layer 12c. As a result, the metal foil layer 12a, the metal film layer 12b, the electrolytic plating film layer 12c, the metal film layer 12d, and the electrolytic plating film layer 12e constituting the first surface 10F and the second surface 10S of the core layer 10 The first conductor layer 12 having a five-layer structure is formed.

第1面10F、及び、第2面10Sを構成する第1導体層12は、図3Eに示されるように、例えば、適切な位置に開口を備えるエッチングマスクを用いたエッチングによって、所望の導体パターンにパターニングされる。第1導体層12は、このようにサブトラクティブ法を用いて形成され得る。図3Eに示されるコア層10の形成が完了する。 The first conductor layer 12 constituting the first surface 10F and the second surface 10S has a desired conductor pattern, for example, by etching with an etching mask having an opening at an appropriate position, as shown in FIG. 3E. Is patterned into. The first conductor layer 12 can be formed in this way using the subtractive method. The formation of the core layer 10 shown in FIG. 3E is completed.

次いでコア層10の第1面10F及び第2面10S側に絶縁層及び導体層が交互に積層され、コア層10の外側の外層部を構成するビルドアップ層20が形成される。図3Fに示されるように、第1面10F上及び第2面10S上に補強材を含まない熱硬化性樹脂を含む樹脂フィルムが配置され、熱圧着されることで第2絶縁層21が形成される。 Next, the insulating layer and the conductor layer are alternately laminated on the first surface 10F and the second surface 10S side of the core layer 10, and the build-up layer 20 constituting the outer outer layer portion of the core layer 10 is formed. As shown in FIG. 3F, a resin film containing a thermosetting resin containing no reinforcing material is arranged on the first surface 10F and the second surface 10S, and the second insulating layer 21 is formed by thermocompression bonding. Will be done.

第2絶縁層21におけるビア導体23の形成箇所に、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって貫通孔23hが形成される。貫通孔23hの内壁上及び第2絶縁層21の表面上に、無電解めっき又はスパッタリングなどによって銅などの導体からなる金属膜層22bが形成される。この金属膜層22bを給電層として用いると共に、適切な開口を有するめっきレジストを用いる電解めっきによって、それぞれ所望の導体パターンを有し、金属膜層22b及び電解めっき膜層22cの2層構造を有する、第2導体層22及びビア導体23が形成される。すなわち、第2導体層22及びビア導体23は、金属箔を用いないセミアディティブ法(SAP法)によって形成される。 A through hole 23h is formed at a position where the via conductor 23 is formed in the second insulating layer 21, for example, by irradiation with a carbon dioxide laser beam. A metal film layer 22b made of a conductor such as copper is formed on the inner wall of the through hole 23h and on the surface of the second insulating layer 21 by electroless plating or sputtering. The metal film layer 22b is used as a feeding layer, and each has a desired conductor pattern by electrolytic plating using a plating resist having an appropriate opening, and has a two-layer structure of the metal film layer 22b and the electrolytic plating film layer 22c. , The second conductor layer 22 and the via conductor 23 are formed. That is, the second conductor layer 22 and the via conductor 23 are formed by a semi-additive method (SAP method) that does not use a metal foil.

さらに、図3Gに示されるように、第1面10F及び第2面10S側において、最もコア層10に近く形成される第2絶縁層21及び第2導体層22の形成と同様の方法で、第2絶縁層21及び第2導体層22の積層が繰り返され、ビルドアップ層20が形成される。第2導体層22は、L/Sが15μm/15μm以下となるように形成され得る。 Further, as shown in FIG. 3G, in the same manner as the formation of the second insulating layer 21 and the second conductor layer 22 formed on the first surface 10F and the second surface 10S side closest to the core layer 10. The stacking of the second insulating layer 21 and the second conductor layer 22 is repeated to form the build-up layer 20. The second conductor layer 22 may be formed so that the L / S is 15 μm / 15 μm or less.

図3Hに示されるように、ビルドアップ層20上に被覆層24が形成される。被覆層24は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって、接続パッド22pを露出する開口24aを有するように形成される。以上の工程を経ることによって、図1の例の配線基板100が完成する。開口24aから露出する接続パッド22pには、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Au、Ni/Au、Ni/Pd/Au、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜(図示せず)が形成されてもよい。 As shown in FIG. 3H, the covering layer 24 is formed on the build-up layer 20. The coating layer 24 has an opening 24a that exposes the connection pad 22p by, for example, forming a resin layer containing a photosensitive epoxy resin, a polyimide resin, or the like, and exposing and developing with a mask having an appropriate opening pattern. Is formed like this. By going through the above steps, the wiring board 100 of the example of FIG. 1 is completed. The connection pad 22p exposed from the opening 24a has a surface protective film made of Au, Ni / Au, Ni / Pd / Au, solder, heat-resistant preflux, etc. by electroless plating, solder leveler, spray coating, or the like. (Not shown) may be formed.

なお、図2に示される配線基板100aが形成される場合には、コア層10の形成において、樹脂基板10a及びプリプレグ10pの一括積層に替えて、各第1絶縁層11及び第1導体層12を逐次積層するビルドアップ工法が使用され得る。具体的には、接続用導体を構成するビア導体13vが両面に形成された第1導体層12を接続している樹脂基板を中心として、その両面に、ビア導体13vを含む第1絶縁層11及び第1導体層12の積層が繰り返されることによって、コア層10が形成され得る。 When the wiring board 100a shown in FIG. 2 is formed, in the formation of the core layer 10, the first insulating layer 11 and the first conductor layer 12 are replaced with the batch lamination of the resin substrate 10a and the prepreg 10p, respectively. A build-up method can be used in which the layers are sequentially laminated. Specifically, the first insulating layer 11 containing the via conductor 13v on both sides of the resin substrate connecting the first conductor layer 12 in which the via conductor 13v constituting the connecting conductor is formed on both sides thereof. The core layer 10 can be formed by repeating the lamination of the first conductor layer 12 and the first conductor layer 12.

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示された構造、形状を備えるものに限定されない。例えば、接続用導体13を充填する充填物13fが導電性のものである場合、コア層10の表面の第1導体層12は、金属膜層12d及び電解めっき膜層12eを含んでいなくてもよい。第1絶縁層11、第2絶縁層21を構成する絶縁性の樹脂には、発泡処理が施された多孔質体が用いられてもよい。コア層10を構成する複数の第1導体層12は、それぞれコア層10内で異なる厚さを有してよく、また、ビルドアップ層20を構成する複数の第2導体層22の厚さは、それぞれビルドアップ層20内で異なっていてもよい。 The wiring board of the embodiment is not limited to the structure exemplified in each drawing and the structure and shape exemplified in the present specification. For example, when the filler 13f that fills the connecting conductor 13 is conductive, the first conductor layer 12 on the surface of the core layer 10 does not include the metal film layer 12d and the electrolytic plating film layer 12e. May be good. As the insulating resin constituting the first insulating layer 11 and the second insulating layer 21, a foamed porous body may be used. The plurality of first conductor layers 12 constituting the core layer 10 may have different thicknesses in the core layer 10, and the thickness of the plurality of second conductor layers 22 constituting the build-up layer 20 may be different. , Each may be different within the buildup layer 20.

100、100a 配線基板
10 コア層(内層部)
11 第1絶縁層
12 第1導体層
12a 金属箔層
12b、12d、22b 金属膜層
12c、12e、22c 電解めっき膜層
13 接続用導体
13v、23 ビア導体
20 ビルドアップ層(外層部)
21 第2絶縁層
22 第2導体層
24 被覆層
CR 芯材
100, 100a Wiring board 10 Core layer (inner layer)
11 1st insulation layer 12 1st conductor layer 12a Metal leaf layer 12b, 12d, 22b Metal film layer 12c, 12e, 22c Electroplating film layer 13 Connection conductor 13v, 23 Via conductor 20 Build-up layer (outer layer)
21 2nd insulation layer 22 2nd conductor layer 24 Coating layer CR core material

Claims (10)

第1面及び前記第1面と反対側の第2面を有し、交互に積層される第1絶縁層及び第1導体層を備える内層部と、
前記第1面及び前記第2面上に形成され、交互に積層される第2絶縁層及び第2導体層を備える外層部と、
を備える配線基板であって、
前記第1絶縁層は、熱可塑性樹脂が含浸された芯材を用いて形成され、
前記第2絶縁層は、フィルム状の熱硬化性樹脂を用いて形成されている。
An inner layer portion having a first surface and a second surface opposite to the first surface and having a first insulating layer and a first conductor layer alternately laminated.
An outer layer portion having a second insulating layer and a second conductor layer formed on the first surface and the second surface and alternately laminated.
It is a wiring board equipped with
The first insulating layer is formed by using a core material impregnated with a thermoplastic resin.
The second insulating layer is formed by using a film-like thermosetting resin.
請求項1記載の配線基板であって、前記第2導体層が有する配線パターンは、前記第1導体層が有する配線パターンよりも微細に形成されている。 In the wiring board according to claim 1, the wiring pattern of the second conductor layer is formed more finely than the wiring pattern of the first conductor layer. 請求項2記載の配線基板であって、前記第2導体層が有する配線パターンのライン/スペースは、15μm/15μmよりも小さい。 In the wiring board according to claim 2, the line / space of the wiring pattern included in the second conductor layer is smaller than 15 μm / 15 μm. 請求項1記載の配線基板であって、前記第2導体層の厚さは、前記第1導体層の厚さよりも小さい。 The wiring board according to claim 1, wherein the thickness of the second conductor layer is smaller than the thickness of the first conductor layer. 請求項4記載の配線基板であって、前記第2導体層の厚さは、前記第1導体層の厚さの0.5倍以下である。 The wiring board according to claim 4, wherein the thickness of the second conductor layer is 0.5 times or less the thickness of the first conductor layer. 請求項1記載の配線基板であって、前記第1導体層は、金属箔層、金属膜層、及び、電解めっき膜層を含む3層以上の構造を有しており、前記第2導体層は、金属膜層、及び、電解めっき膜層を含む2層構造を有している。 The wiring substrate according to claim 1, wherein the first conductor layer has a structure of three or more layers including a metal foil layer, a metal film layer, and an electrolytic plating film layer, and the second conductor layer. Has a two-layer structure including a metal film layer and an electrolytic plating film layer. 請求項1記載の配線基板であって、前記内層部は、前記第1面を構成する第1導体層と前記第2面を構成する第1導体層とを接続する接続用導体を有し、前記接続用導体は、前記内層部の厚さ方向において略同じ大きさの断面形状を有している。 The wiring board according to claim 1, wherein the inner layer portion has a connecting conductor for connecting the first conductor layer constituting the first surface and the first conductor layer constituting the second surface. The connecting conductor has a cross-sectional shape having substantially the same size in the thickness direction of the inner layer portion. 請求項1記載の配線基板であって、前記内層部は、前記第1面を構成する第1導体層と前記第2面を構成する第1導体層とを接続する接続用導体を有し、前記接続用導体は、直列状に積層された複数のビア導体により構成されている。 The wiring board according to claim 1, wherein the inner layer portion has a connecting conductor for connecting the first conductor layer constituting the first surface and the first conductor layer constituting the second surface. The connecting conductor is composed of a plurality of via conductors laminated in series. 請求項1記載の配線基板であって、前記熱可塑性樹脂は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂(PEEK)、ポリエーテルイミド樹脂(PEI)、ポリエチレン樹脂(PE)、フッ化エチレン樹脂(PTFE)、液晶ポリマー(LCP)のいずれかを含んでいる。 The wiring substrate according to claim 1, wherein the thermoplastic resin is a polyetheretherketone resin (PEEK), a polyetherimide resin (PEI), a polyethylene resin (PE), a fluoroethylene resin (PTFE), or a liquid crystal polymer. (LCP) is included. 請求項1記載の配線基板であって、前記熱硬化性樹脂は、熱硬化性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BTレジン)のいずれかを含んでいる。 The wiring substrate according to claim 1, wherein the thermosetting resin contains any one of a thermosetting polyimide resin, an epoxy resin, and a bismaleimide triazine resin (BT resin).
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