JPH11330371A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JPH11330371A
JPH11330371A JP10127990A JP12799098A JPH11330371A JP H11330371 A JPH11330371 A JP H11330371A JP 10127990 A JP10127990 A JP 10127990A JP 12799098 A JP12799098 A JP 12799098A JP H11330371 A JPH11330371 A JP H11330371A
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JP
Japan
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input
output buffer
buffer cell
semiconductor device
buffer cells
Prior art date
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Application number
JP10127990A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Aota
真一 青田
Noriaki Kubo
徳章 久保
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
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    • H01L2924/14Integrated circuits

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having input-output buffer cells, in which cell widths can be made smaller than those of existing input-output buffer cells, and layout and wiring can be done with cells of the same kind and the same performance. SOLUTION: The semiconductor device has plural input-output buffer cells mutually adjacent to each other in peripherals of inner logic circuit area. Bonding pads 1a and 1b are located in input-output buffer cells, and are wire bonded in staggered arrangement with input and output buffer cells.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、トランジスタサイズの微細化に伴
い、半導体装置の多ピン化が進んでいる。従って、半導
体装置のチップサイズを制限する条件として、半導体装
置の内部論理回路領域の総トランジスタ数だけではな
く、互いに隣接する二つの入出力バッファーセル間のア
センブリ時のワイヤーボンディングパッド間距離が挙げ
られる。
2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of transistor sizes, the number of pins in semiconductor devices has been increasing. Accordingly, the conditions for limiting the chip size of the semiconductor device include not only the total number of transistors in the internal logic circuit area of the semiconductor device but also the distance between wire bonding pads at the time of assembly between two input / output buffer cells adjacent to each other. .

【0003】以下に、図面を用いて従来の入出力バッフ
ァーについて説明する。図4は、従来の入出力バッファ
ーセル10の構成を示す平面図である。この図4におい
て、1はボンディングパッドである。斜線で示されてい
る2aは電源配線(以下、「Vdd配線」と呼ぶ)、2
bはグランド配線(以下、「Vss配線」と呼ぶ)であ
る。破線で囲まれている部分は、入出力バッファーセル
内論理回路領域3である。4は、ボンディングパッド1
とVdd配線2及びVss配線3とを接続する配線であ
る。5は、入出力バッファーセル内論理回路領域3と半
導体装置上の内部論理回路領域とを接続する為の配線
(以下、「入出力バッファーセル上信号端子」と呼ぶ)
である。
A conventional input / output buffer will be described below with reference to the drawings. FIG. 4 is a plan view showing the configuration of the conventional input / output buffer cell 10. As shown in FIG. In FIG. 4, reference numeral 1 denotes a bonding pad. Power supply wiring (hereinafter referred to as “Vdd wiring”) 2a indicated by hatching
b is a ground wiring (hereinafter, referred to as “Vss wiring”). The portion surrounded by the broken line is the logic circuit region 3 in the input / output buffer cell. 4 is a bonding pad 1
And the Vdd wiring 2 and the Vss wiring 3. Reference numeral 5 denotes wiring for connecting the logic circuit area 3 in the input / output buffer cell and the internal logic circuit area on the semiconductor device (hereinafter, referred to as "signal terminal on the input / output buffer cell")
It is.

【0004】次に、上記の構成の従来の入出力バッファ
ーセル10と、半導体装置上の内部論理回路領域とを用
いて配置配線を行なった例を、図5を用いて説明する。
この図5において、6は半導体装置である。この半導体
装置6上に内部論理回路領域7が配置されている。さら
に、図4に示したものと同じ入出力バッファーセル10
が、半導体装置6上の内部論理回路領域7の周辺に、入
出力バッファーセル10同士が互いに隣接するように並
べて配置されている。また半導体装置6上の内部論理回
路領域7と入出力バッファー列との接続は、図4に示さ
れている入出力バッファーセル上信号端子5と、配線8
とにより行われている。
Next, an example in which the arrangement and wiring are performed using the conventional input / output buffer cell 10 having the above configuration and the internal logic circuit area on the semiconductor device will be described with reference to FIG.
In FIG. 5, reference numeral 6 denotes a semiconductor device. On this semiconductor device 6, an internal logic circuit area 7 is arranged. Further, the same input / output buffer cell 10 as shown in FIG.
However, input / output buffer cells 10 are arranged side by side around the internal logic circuit area 7 on the semiconductor device 6 so as to be adjacent to each other. The connection between the internal logic circuit area 7 on the semiconductor device 6 and the input / output buffer column is performed by connecting the signal terminal 5 on the input / output buffer cell shown in FIG.
And it is done by.

【0005】また、Vdd配線2a及びVss配線2b
は、図5に示されているように、互いに隣接して配置さ
れた入出力バッファーセル10と等価の位置で接続され
ている。さらに、横方向の入出力バッファーセル列と縦
方向の入出力バッファーセル列も、図5に示す配線9a
及び9bによって、等価な位置で互いに接続されてい
る。
The Vdd wiring 2a and the Vss wiring 2b
Are connected at positions equivalent to the input / output buffer cells 10 arranged adjacent to each other, as shown in FIG. Further, the horizontal input / output buffer cell column and the vertical input / output buffer cell column are also connected to the wiring 9a shown in FIG.
And 9b are connected to each other at equivalent positions.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来の入出力バッファ
ーセルの問題点を図6を用いて説明する。図6は、図5
中の入出力バッファーセル列における互いに隣接した二
つの入出力バッファーセル10、10を抜き出し拡大し
た平面図である。
Problems with the conventional input / output buffer cell will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows FIG.
It is the top view which extracted and expanded two adjacent input / output buffer cells 10 in the input / output buffer cell row | line in the middle.

【0007】図6において、12a及び13aは、それ
ぞれボンディングパッド1の縦方向の寸法及び横方向の
寸法を表わしている。14aは、互いに隣接する二つの
入出力バッファーセル10、10上の各々のボンディン
グパッド1、1の中心から中心までの寸法を表わしてい
る。この寸法14aは、アセンブリ時のワイヤーボンデ
ィングの際の互いに隣接した二つの入出力バッファーセ
ル10、10上のボンディングパッド1、1間の距離の
制約を受けるため、ワイヤーボンディングが可能となる
最小の寸法に設定されている。15aは、一方の入出力
バッファーセル10のボンディングパッド1の片端か
ら、これに隣接する他方の入出力バッファーセル10の
の片端までの距離を表わす。16aは入出力バッファー
セル10、10の幅、16Aは互いに隣接する二つの入
出力バッファーセル10、10の合計幅である。
In FIG. 6, reference numerals 12a and 13a represent a vertical dimension and a horizontal dimension of the bonding pad 1, respectively. Reference numeral 14a denotes a dimension from the center of each of the bonding pads 1, 1 on the two input / output buffer cells 10, 10 adjacent to each other. The dimension 14a is limited by the distance between the bonding pads 1 and 1 on the two input / output buffer cells 10 and 10 adjacent to each other at the time of wire bonding at the time of assembly. Is set to Reference numeral 15a denotes a distance from one end of the bonding pad 1 of one input / output buffer cell 10 to one end of the other input / output buffer cell 10 adjacent thereto. 16a is the width of the input / output buffer cells 10, 10, and 16A is the total width of two input / output buffer cells 10, 10 adjacent to each other.

【0008】図6に示す入出力バッファーセル10、1
0を用いて配置配線を行なう際に、半導体装置のチップ
サイズは、半導体装置上の内部論理回路領域における総
トランジスタ数ではなく、互いに隣接する二つの入出力
バッファーセル10、10の合計幅16Aによって決定
されてしまうという問題点があった。
The input / output buffer cells 10, 1 shown in FIG.
When the layout wiring is performed using 0, the chip size of the semiconductor device is determined not by the total number of transistors in the internal logic circuit region on the semiconductor device but by the total width 16A of two input / output buffer cells 10 and 10 adjacent to each other. There was a problem that it was decided.

【0009】この問題点を解決するために、図7に示す
ように、入出力バッファーセルの長さ方向に沿ったボン
ディングパッド1の位置の異なる二種類の入出力バッフ
ァーセル10A、10Bが考えられた。
In order to solve this problem, as shown in FIG. 7, two types of input / output buffer cells 10A and 10B having different positions of the bonding pads 1 along the length of the input / output buffer cells can be considered. Was.

【0010】すなわち図7のものは、ボンディングパッ
ド1の位置の異なる二種類の入出力バッファーセル10
A、10Bを互いに隣接するように並べて配置したもの
である。
That is, FIG. 7 shows two types of input / output buffer cells 10 having different positions of the bonding pads 1.
A and 10B are arranged side by side so as to be adjacent to each other.

【0011】図7において、12b及び13bはそれぞ
れボンディングパッド1の縦方向の寸法及び横方向の寸
法を表わしている。14bは、互いに隣接する二つの入
出力バッファーセル10A、10B上の各々のボンディ
ングパッド1、1の中心から中心までの、入出力バッフ
ァーセル10A、10Bの幅の方向の寸法を表わしてい
る。16bは入出力バッファーセルの幅である。17b
は、互いに隣接した入出力バッファーセル10A、10
Bのボンディングパッド1、1間の実際の距離である。
この距離17bは、アセンブリ時のワイヤーボンディン
グによる制約を受けるため、ワイヤーボンディングが可
能となる最小の寸法に設定されている。すなわち、この
図7の例では、千鳥状にワイヤーボンディングを行なう
ことになる。
In FIG. 7, reference numerals 12b and 13b represent a vertical dimension and a horizontal dimension of the bonding pad 1, respectively. Reference numeral 14b denotes a dimension in the width direction of the input / output buffer cells 10A and 10B from the center of each of the bonding pads 1 and 1 on the two input / output buffer cells 10A and 10B adjacent to each other. 16b is the width of the input / output buffer cell. 17b
Are input / output buffer cells 10A, 10A adjacent to each other.
This is the actual distance between B bonding pads 1 and 1.
Since the distance 17b is restricted by wire bonding at the time of assembly, the distance 17b is set to a minimum dimension that enables wire bonding. That is, in the example of FIG. 7, wire bonding is performed in a staggered manner.

【0012】以上のように、ボンディングパッド1、1
の位置の異なる入出力バッファーセル10A、10Bを
互いに交互に隣接するように並べて配置し、さらに千鳥
状にワイヤーボンディングを行なうことにより、図7の
ものにおいては、入出力バッファーセル10A、10B
の幅16bがボンディングパッド1の横方向の寸法13
bの制約を直接的には受けなくなり、この幅16bを、
図6における入出力バッファーセルの幅16aに比べて
小さくすることができる。
As described above, the bonding pads 1, 1
The input / output buffer cells 10A and 10B of FIG. 7 are arranged side by side so as to be alternately adjacent to each other and wire-bonded in a staggered manner.
Of the bonding pad 1 in the lateral direction 13
b is not directly affected by this constraint, and this width 16b is
It can be smaller than the width 16a of the input / output buffer cell in FIG.

【0013】しかしながら、図7のような入出力バッフ
ァーセルを用いて配置配線を行なうためには、同一性能
を有するとともにボンディングパッド1、1の位置の異
なる入出力バッファーセル10A、10Bを二種類設計
しなければならないという問題点があった。
However, in order to arrange and wire using the input / output buffer cells as shown in FIG. 7, two types of input / output buffer cells 10A and 10B having the same performance and different positions of the bonding pads 1 and 1 are designed. There was a problem that had to be done.

【0014】さらに、入出力バッファーセルの幅を小さ
くする方法として、図8に示すように、一つの入出力バ
ッファーセル10C上にボンディングパッド1、1を二
箇所、互いに対角線上に配置したものが考えられた。図
8は、このような入出力バッファーセル10C、10C
を互いに隣接するように並べて配置した状態を示す。
Further, as a method for reducing the width of the input / output buffer cell, as shown in FIG. 8, a method in which two bonding pads 1 and 1 are arranged diagonally to each other on one input / output buffer cell 10C is known. it was thought. FIG. 8 shows such input / output buffer cells 10C and 10C.
Are arranged side by side so as to be adjacent to each other.

【0015】図8において、12c及び13cはそれぞ
れボンディングパッド1の縦方向及び横方向の寸法を表
わしている。16cは入出力バッファーセル10Cの幅
である。17cは、一つの入出力バッファーセル10C
内における一対のボンディングパッド1、1どうしの距
離である。この距離17cは、アセンブリ時のワイヤー
ボンディングによる制約を受けるため、ワイヤーボンデ
ィングが可能となる最小の寸法に設定されている。
In FIG. 8, reference numerals 12c and 13c denote vertical and horizontal dimensions of the bonding pad 1, respectively. 16c is the width of the input / output buffer cell 10C. 17c is one input / output buffer cell 10C
Is the distance between the pair of bonding pads 1 and 1 in FIG. Since the distance 17c is restricted by wire bonding at the time of assembly, the distance 17c is set to a minimum dimension that enables wire bonding.

【0016】このように入出力バッファーセル10C上
にボンディングパッド1、1を2ヶ所、互いに対角線上
に配置することにより、図6に示された距離15aを設
定することが不要になる。
By arranging two bonding pads 1 and 1 diagonally on the input / output buffer cell 10C in this manner, it is not necessary to set the distance 15a shown in FIG.

【0017】よって、図8の構成であると、入出力バッ
ファーセル10Cの幅16cを、図6における互いに隣
接する二つの入出力バッファーセル10、10の合計幅
16Aよりも小さくすることが可能となる。
Therefore, with the configuration of FIG. 8, it is possible to make the width 16c of the input / output buffer cell 10C smaller than the total width 16A of the two adjacent input / output buffer cells 10, 10 in FIG. Become.

【0018】しかしながら、図8のようにボンディング
パッド1、1を入出力バッファーセル10Cの両端で二
箇所互いに対角線上に配置すると、チップ内側にワイヤ
ーボンディングする際のワイヤーの長さがアセンブリ時
の制約を受けるという問題点があった。
However, if the bonding pads 1 and 1 are arranged diagonally to each other at both ends of the input / output buffer cell 10C as shown in FIG. 8, the length of the wire for wire bonding inside the chip is limited by assembly. Had the problem of receiving

【0019】本発明は上記のような問題点を解決するた
めになされたものであり、従来の入出力バッファーセル
と比較してセル幅を小さくすることが可能となり、しか
も同一性能の一種類のセルで配置配線が行うことができ
る入出力バッファーセルを備えた半導体装置を提供する
ことを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and can reduce the cell width as compared with the conventional input / output buffer cell. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device provided with an input / output buffer cell in which cells can be arranged and wired.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明は、内部論理回路領域の周辺に複数の入出力バッ
ファーセルが互いに隣接するように並んで配置された半
導体装置において、前記入出力バッファーセル内に複数
のボンディングパッドが設けられ、前記並んで配置され
た複数の入出力バッファーセルについて千鳥状にワイヤ
ボンディングが施されているようにしたものである。
According to the present invention, there is provided a semiconductor device having a plurality of input / output buffer cells arranged adjacent to each other around an internal logic circuit area. A plurality of bonding pads are provided in the buffer cell, and the plurality of input / output buffer cells arranged side by side are wire-bonded in a staggered manner.

【0021】このようなものであると、一つの入出力バ
ッファーセル内にボンディングパッドを複数配置するこ
とにより、アセンブリ時のワイヤーボンディングを千鳥
状に行なうことが可能となり、互いに隣接する二つの入
出力バッファーセル上のボンディングパッド間距離につ
いてのワイヤーボンディングによる制約を従来よりも小
さくすることができる。さらに、ワイヤーボンディング
を千鳥状に行なうために従来は必要であったボンディン
グパッド位置の異なる同一性能の入出力バッファーセル
を二種類用意することなしに、同一性能の一種類の入出
力バッファーセルを用いるだけで配置配線を行なうこと
が可能となり、設計工数を大幅に削減することができ
る。
With this arrangement, by arranging a plurality of bonding pads in one input / output buffer cell, wire bonding at the time of assembly can be performed in a staggered manner, and two adjacent input / output buffer cells can be connected. The restriction due to wire bonding on the distance between the bonding pads on the buffer cell can be made smaller than in the past. Furthermore, a single type of input / output buffer cell of the same performance is used without preparing two types of input / output buffer cells of the same performance with different bonding pad positions, which were conventionally required to perform wire bonding in a staggered manner. Alone, it is possible to perform arrangement and wiring, and the number of design steps can be significantly reduced.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を用い
て説明する。図1は、本発明の実施の形態の半導体装置
の入出力バッファーセルの構成を示す平面図である。こ
の図1において、1a及び1bは、入出力バッファーセ
ル20上の長さ方向に沿った二箇所に配置されたボンデ
ィングパッドである。2a及び2bはVdd配線及びV
ss配線で、斜線で示されている。3は入出力バッファ
ーセル内論理回路領域で、破線で囲んで表示されてい
る。4aはボンディングパッド1aとボンディングパッ
ド1bとを接続する配線、4bはボンディングパッド1
bと入出力バッファーセル内論理回路領域3とを接続す
る配線である。これら配線4a、4bは、ともに同一直
線上に同一配線幅で配線されている。5は入出力バッフ
ァーセル内論理回路領域3と半導体装置上の内部論理回
路領域とを接続する為の入出力バッファーセル上信号端
子で、入出力バッファーセル20上における、半導体装
置の内部論理回路領域側の一辺に配置されている。ボン
ディングパッド1a、1bと入出力バッファーセル上信
号端子5とは入出力バッファーセル内論理回路領域3を
介して入力信号又は出力信号を伝達している。なお、ボ
ンディングパッドは、入出力バッファーセル20上の長
さ方向に沿った三箇所以上に配置することもできる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view showing a configuration of an input / output buffer cell of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numerals 1a and 1b denote bonding pads arranged at two positions on the input / output buffer cell 20 along the length direction. 2a and 2b are Vdd wiring and V
The ss wiring is shown by oblique lines. Reference numeral 3 denotes a logic circuit area in the input / output buffer cell, which is surrounded by a broken line. 4a is a wiring connecting the bonding pad 1a and the bonding pad 1b, and 4b is a wiring connecting the bonding pad 1b.
b is a wiring connecting the logic circuit area 3 with the logic circuit area 3 in the input / output buffer cell. These wirings 4a and 4b are both wired on the same straight line with the same wiring width. Reference numeral 5 denotes a signal terminal on the input / output buffer cell for connecting the logic circuit area 3 in the input / output buffer cell and the internal logic circuit area on the semiconductor device. On one side. The bonding pads 1a and 1b and the signal terminal 5 on the input / output buffer cell transmit an input signal or an output signal via the logic circuit region 3 in the input / output buffer cell. Note that the bonding pads may be arranged at three or more positions along the length direction on the input / output buffer cell 20.

【0023】次に、本発明にもとづく上述の入出力バッ
ファーセル20を用いて半導体装置上の内部論理回路領
域との配置配線を行なった例を、図2を用いて説明す
る。図2において、6は半導体装置である。この半導体
装置6上に内部論理回路領域7が配置されており、さら
に図1の入出力バッファーセル20が、半導体装置6上
の内部論理回路領域7の周辺に、これら入出力バッファ
ーセル20、20同士が互いに隣接するように並べて配
置されている。半導体装置6上の内部論理回路領域7と
入出力バッファーセル20列との接続は、図1に示され
ている入出力バッファーセル上信号端子5と、配線8と
により行なわれている。横方向の入出力バッファーセル
列と縦方向の入出力バッファーセル列とは、配線9a及
び9bによって、等価な位置で互いに接続されている。
Next, an example in which the input / output buffer cell 20 according to the present invention is used to arrange and wire the internal logic circuit area on the semiconductor device will be described with reference to FIG. In FIG. 2, reference numeral 6 denotes a semiconductor device. The internal logic circuit area 7 is arranged on the semiconductor device 6, and the input / output buffer cells 20 of FIG. They are arranged side by side so that they are adjacent to each other. The connection between the internal logic circuit area 7 on the semiconductor device 6 and the column of the input / output buffer cells 20 is made by the signal terminal 5 on the input / output buffer cell and the wiring 8 shown in FIG. The horizontal input / output buffer cell row and the vertical input / output buffer cell row are connected to each other at equivalent positions by wirings 9a and 9b.

【0024】このように入出力バッファーセル20上に
その長さ方向に沿ってボンディングパッド1a、1bを
複数個配置する構成であるために、入出力バッファーセ
ルの幅を従来の入出力バッファーセルの幅よりも小さく
することができる。すなわち、図3に示すように互いに
隣接する入出力バッファーセル20、20のボンディン
グパッド1a、1bに千鳥状にワイヤーボンディングを
行なうと、これらワイヤーボンディングを行なうボンデ
ィングパッド1a、1bの中心から中心までの実際の距
離17は、アセンブリ時のワイヤーボンディングによる
制約を受けるため、ワイヤーボンディングが可能となる
最小の寸法に設定される。
Since the plurality of bonding pads 1a and 1b are arranged on the input / output buffer cell 20 along the length thereof, the width of the input / output buffer cell is reduced to the width of the conventional input / output buffer cell. It can be smaller than the width. That is, as shown in FIG. 3, when wire bonding is performed in a staggered manner on the bonding pads 1a and 1b of the input / output buffer cells 20 and 20 adjacent to each other, the distance from the center of the bonding pads 1a and 1b for performing the wire bonding to each other is increased. Since the actual distance 17 is restricted by wire bonding at the time of assembly, the actual distance 17 is set to the minimum dimension that enables wire bonding.

【0025】いま、互いに隣接する入出力バッファーセ
ル20、20のボンディングパッド同士の中心間距離1
4が、入出力バッファーセル20の長さ方向に沿ったボ
ンディングパッド1a、1bの中心間距離18に等しい
とすると、これら中心間距離14、18は、距離17の
1/√2となる。したがって、これに対応して、入出力
バッファーセル20の幅を、図4〜図6に示された従来
の入出力バッファーセル10の幅の1/√2の大きさに
小さくすることが可能となる。
Now, the center distance 1 between the bonding pads of the input / output buffer cells 20 adjacent to each other is 1
Assuming that 4 is equal to the center distance 18 between the bonding pads 1a and 1b along the length direction of the input / output buffer cell 20, the center distances 14 and 18 are 1 / √2 of the distance 17. Accordingly, correspondingly, the width of the input / output buffer cell 20 can be reduced to 1 / √2 of the width of the conventional input / output buffer cell 10 shown in FIGS. Become.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上のように本発明によると、入出力バ
ッファーセル内に複数のボンディングパッドが設けら
れ、並んで配置された複数の入出力バッファーセルにつ
いて千鳥状にワイヤボンディングが施されているように
したため、互いに隣接する二つの入出力バッファーセル
上のボンディングパッド間距離についてのワイヤーボン
ディングによる制約を従来よりも小さくすることがで
き、したがって、半導体装置のチップサイズが、半導体
装置上の内部論理回路領域の総トランジスタ数ではな
く、入出力バッファーセルの幅で決定される場合に、従
来の入出力バッファーセルを用いて配置配線を行なうと
きに比べ、半導体装置のチップサイズをより小さくする
ことができる。さらに、ワイヤーボンディングを千鳥状
に行なうために従来は必要であったボンディングパッド
位置の異なる同一性能の入出力バッファーセルを二種類
用意することなしに、同一性能の一種類の入出力バッフ
ァーセルを用いるだけで配置配線を行なうことが可能と
なり、設計工数を大幅に削減することができる。
As described above, according to the present invention, a plurality of bonding pads are provided in an input / output buffer cell, and a plurality of input / output buffer cells arranged side by side are wire-bonded in a staggered manner. As a result, the restriction on the distance between the bonding pads on the two input / output buffer cells adjacent to each other due to the wire bonding can be made smaller than before, so that the chip size of the semiconductor device is reduced. When the width is determined not by the total number of transistors in the circuit area but by the width of the input / output buffer cell, the chip size of the semiconductor device can be reduced as compared with the case where the layout is performed using the conventional input / output buffer cell. it can. Furthermore, a single type of input / output buffer cell of the same performance is used without preparing two types of input / output buffer cells of the same performance with different bonding pad positions, which were conventionally required to perform wire bonding in a staggered manner. Alone, it is possible to perform arrangement and wiring, and the number of design steps can be significantly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の半導体装置における入出
力バッファーセルの平面図である。
FIG. 1 is a plan view of an input / output buffer cell in a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の入出力バッファーセルを用いて同半導体
装置の内部論理回路と配置配線を行なった場合の半導体
チップの平面図である。
FIG. 2 is a plan view of a semiconductor chip in a case where the input / output buffer cell of FIG.

【図3】図2における要部を拡大して示す平面図であ
る。
FIG. 3 is an enlarged plan view showing a main part in FIG. 2;

【図4】従来の入出力バッファーセルの平面図である。FIG. 4 is a plan view of a conventional input / output buffer cell.

【図5】図4の入出力バッファーセルを用いて半導体装
置の内部論理回路領域と配置配線を行なった場合の半導
体チップの平面図である。
5 is a plan view of a semiconductor chip in a case where the internal logic circuit area of the semiconductor device is arranged and wired using the input / output buffer cell of FIG. 4;

【図6】図5における要部を拡大して示す平面図であ
る。
FIG. 6 is an enlarged plan view showing a main part in FIG. 5;

【図7】他の従来の複数の入出力バッファーセルを互い
に隣接するように配置した場合の平面図である。
FIG. 7 is a plan view when another conventional plurality of input / output buffer cells are arranged adjacent to each other.

【図8】さらに他の従来の複数の入出力バッファーセル
を互いに隣接するように配置した場合の平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing a case where a plurality of other conventional input / output buffer cells are arranged adjacent to each other.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a ボンディングパッド 1b ボンディングパッド 7 内部論理回路領域 14 中心間寸法 1a Bonding pad 1b Bonding pad 7 Internal logic circuit area 14 Center-to-center dimension

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内部論理回路領域の周辺に複数の入出力
バッファーセルが互いに隣接するように並んで配置され
た半導体装置であって、前記入出力バッファーセル内に
複数のボンディングパッドが設けられ、前記並んで配置
された複数の入出力バッファーセルについて千鳥状にワ
イヤボンディングが施されていることを特徴とする半導
体装置。
1. A semiconductor device having a plurality of input / output buffer cells arranged adjacent to each other around an internal logic circuit area, wherein a plurality of bonding pads are provided in the input / output buffer cells. A semiconductor device, wherein the plurality of input / output buffer cells arranged side by side are wire-bonded in a staggered manner.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6446250B1 (en) * 2000-10-02 2002-09-03 Artisan Components, Inc. Input/output cell generator
US8669593B2 (en) 2008-06-10 2014-03-11 Panasonic Corporation Semiconductor integrated circuit

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