JPH11330328A - 半導体モジュール - Google Patents
半導体モジュールInfo
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- JPH11330328A JPH11330328A JP13202998A JP13202998A JPH11330328A JP H11330328 A JPH11330328 A JP H11330328A JP 13202998 A JP13202998 A JP 13202998A JP 13202998 A JP13202998 A JP 13202998A JP H11330328 A JPH11330328 A JP H11330328A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
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- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】接合強度及び熱伝導性の両特性に優れ、長寿命
を満足する半導体モジュールを提供すること。 【解決手段】この半導体モジュールでは、チップ実装基
板５はたとえばヒートシンクなどの放熱部材７に弾性付
勢部材１２を用いて微小な相対変位可能に圧接されてい
るので、チップ実装基板５と放熱部材７との間に熱膨張
率差があったとしても各自自在に膨張収縮することがで
きるので、従来のように両者間の接合強度が熱ストレス
により低下してしまうといった問題が生じることがな
く、また、チップ実装基板と放熱部材とは熱伝導性グリ
ス９を介して圧接されるので、優れた放熱性を確保する
ことができる。
を満足する半導体モジュールを提供すること。 【解決手段】この半導体モジュールでは、チップ実装基
板５はたとえばヒートシンクなどの放熱部材７に弾性付
勢部材１２を用いて微小な相対変位可能に圧接されてい
るので、チップ実装基板５と放熱部材７との間に熱膨張
率差があったとしても各自自在に膨張収縮することがで
きるので、従来のように両者間の接合強度が熱ストレス
により低下してしまうといった問題が生じることがな
く、また、チップ実装基板と放熱部材とは熱伝導性グリ
ス９を介して圧接されるので、優れた放熱性を確保する
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力用ＩＧＢＴモ
ジュールなどの半導体モジュールに関する。
ジュールなどの半導体モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電力用モジュールの一例を図５を
参照して説明する。シリコン系半導体素子１は、銅薄板
３、４が接合されたセラミック基板２からなるチップ実
装基板５の一主面に半田６により接合され、チップ実装
基板５の他主面は金属製のヒートシンク７に半田８によ
り接合されている。
参照して説明する。シリコン系半導体素子１は、銅薄板
３、４が接合されたセラミック基板２からなるチップ実
装基板５の一主面に半田６により接合され、チップ実装
基板５の他主面は金属製のヒートシンク７に半田８によ
り接合されている。
【０００３】また、特開平４ー１６２７５６は、半田８
をシリコン系接着剤に代替することを提案している。
をシリコン系接着剤に代替することを提案している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来では、セラミック
基板２としてはシリコン系半導体素子１と熱膨張率が近
い窒化アルミニウムなどを用いて両者の熱膨張率の差に
起因する半田の疲労破壊を防いでいるが、その結果、金
属からなるヒートシンク７とチップ実装基板５との熱膨
張率差が大きくなってしまい、この接合部分の半田８の
接合強度が熱ストレスサイクルの繰り返しにより低下す
る可能性が生まれる。
基板２としてはシリコン系半導体素子１と熱膨張率が近
い窒化アルミニウムなどを用いて両者の熱膨張率の差に
起因する半田の疲労破壊を防いでいるが、その結果、金
属からなるヒートシンク７とチップ実装基板５との熱膨
張率差が大きくなってしまい、この接合部分の半田８の
接合強度が熱ストレスサイクルの繰り返しにより低下す
る可能性が生まれる。
【０００５】また、半田８の代わりにシリコン系接着剤
を用いると、上記熱ストレスサイクルの繰り返しにより
接合強度の低下は防止できるものの、たとえなんらかの
良熱伝導性粉末などを混入したとしても、シリコン系接
着剤の熱伝導率は半田に比較して格段に小さいので、シ
リコン系半導体素子１の放熱性が悪化するという重大な
問題が派生してしまう。 もちろん、シリコン系接着剤
にきわめて多量の良熱伝導性粉末を混入すれば、シリコ
ン系接着剤の熱伝導性は改善されるが、この場合にはシ
リコン系接着剤の接着力の低下が問題となる。
を用いると、上記熱ストレスサイクルの繰り返しにより
接合強度の低下は防止できるものの、たとえなんらかの
良熱伝導性粉末などを混入したとしても、シリコン系接
着剤の熱伝導率は半田に比較して格段に小さいので、シ
リコン系半導体素子１の放熱性が悪化するという重大な
問題が派生してしまう。 もちろん、シリコン系接着剤
にきわめて多量の良熱伝導性粉末を混入すれば、シリコ
ン系接着剤の熱伝導性は改善されるが、この場合にはシ
リコン系接着剤の接着力の低下が問題となる。
【０００６】本発明は上記問題点に鑑みなされたもので
あり、接合強度及び熱伝導性の両特性に優れ、長寿命を
満足する半導体モジュールを提供することをその目的と
している。
あり、接合強度及び熱伝導性の両特性に優れ、長寿命を
満足する半導体モジュールを提供することをその目的と
している。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体モジュー
ルでは、チップ実装基板はたとえばヒートシンクなどの
放熱部材に弾性付勢部材を用いて相対変位可能に圧接さ
れている。したがって、本発明の半導体モジュールによ
れば、チップ実装基板と放熱部材とが互いに接合固定さ
れていないので、相互間の熱膨張率差があったとしても
自在に膨張収縮することができるので、従来のように両
者間の接合強度が熱ストレスにより低下してしまうとい
った問題が生じることがなく、また、チップ実装基板と
放熱部材とは熱伝導性グリスを介して圧接されるので、
優れた放熱性を確保することができる。
ルでは、チップ実装基板はたとえばヒートシンクなどの
放熱部材に弾性付勢部材を用いて相対変位可能に圧接さ
れている。したがって、本発明の半導体モジュールによ
れば、チップ実装基板と放熱部材とが互いに接合固定さ
れていないので、相互間の熱膨張率差があったとしても
自在に膨張収縮することができるので、従来のように両
者間の接合強度が熱ストレスにより低下してしまうとい
った問題が生じることがなく、また、チップ実装基板と
放熱部材とは熱伝導性グリスを介して圧接されるので、
優れた放熱性を確保することができる。
【０００８】請求項２記載の構成によれば請求項１記載
の半導体モジュールにおいて更に、半導体チップを保護
する外囲ケースの張り出し部に支持される弾性板がチッ
プ実装基板を放熱部材に弾性付勢する。このようにすれ
ば、既存の外囲ケースすなわちこの半導体モジュールの
ケースに弾性板を追加するだけで実現することができ、
半導体モジュールの体格、重量、コストの増大や製造工
程の複雑化を抑止しつつ、放熱性および接合強度の向上
を実現することができる。
の半導体モジュールにおいて更に、半導体チップを保護
する外囲ケースの張り出し部に支持される弾性板がチッ
プ実装基板を放熱部材に弾性付勢する。このようにすれ
ば、既存の外囲ケースすなわちこの半導体モジュールの
ケースに弾性板を追加するだけで実現することができ、
半導体モジュールの体格、重量、コストの増大や製造工
程の複雑化を抑止しつつ、放熱性および接合強度の向上
を実現することができる。
【０００９】請求項３記載の構成によれば請求項１記載
の半導体モジュールにおいて更に、半導体チップを保護
する外囲ケースの張り出し部自体の弾性を利用してチッ
プ実装基板を放熱部材へ弾性付勢する。このようにすれ
ば、上述した弾性板を省略することができるので、一層
のコスト低下製造工程の簡素化を図ることができる。
の半導体モジュールにおいて更に、半導体チップを保護
する外囲ケースの張り出し部自体の弾性を利用してチッ
プ実装基板を放熱部材へ弾性付勢する。このようにすれ
ば、上述した弾性板を省略することができるので、一層
のコスト低下製造工程の簡素化を図ることができる。
【００１０】請求項４記載の構成によれば請求項２又は
３記載の半導体モジュールにおいて更に、張り出し部は
金属補強された樹脂部材からなるので、張り出し部をい
たずらに厚くすることなくその剛性、耐久性を向上する
ことができる。請求項５記載の構成によれば請求項４記
載の半導体モジュールにおいて更に、金属補強部材は配
線用のブスバーからなるので、金属補強部材を追設する
必要がなく、材料費の増大および製造工程の延長を防止
することができる。
３記載の半導体モジュールにおいて更に、張り出し部は
金属補強された樹脂部材からなるので、張り出し部をい
たずらに厚くすることなくその剛性、耐久性を向上する
ことができる。請求項５記載の構成によれば請求項４記
載の半導体モジュールにおいて更に、金属補強部材は配
線用のブスバーからなるので、金属補強部材を追設する
必要がなく、材料費の増大および製造工程の延長を防止
することができる。
【００１１】
【発明を実施するための態様】本発明の半導体モジュー
ルの好適な態様を以下の実施例を参照して説明する。
ルの好適な態様を以下の実施例を参照して説明する。
【００１２】
【実施例１】本発明の半導体モジュールの第１実施例を
図１を参照して説明する。図１は、この半導体モジュー
ルの縦断面図である。ただし、理解を容易とするために
図５に示す従来の半導体モジュールと主機能が共通する
構成要素には同一符号を付す。
図１を参照して説明する。図１は、この半導体モジュー
ルの縦断面図である。ただし、理解を容易とするために
図５に示す従来の半導体モジュールと主機能が共通する
構成要素には同一符号を付す。
【００１３】図１において、電気自動車の走行用モータ
を制御するＩＧＢＴチップからなるシリコン系半導体素
子１は、銅薄板３、４が接合されたセラミック基板２か
らなるチップ実装基板５の一主面に半田６により接合さ
れ、熱伝導性グリス９を通じて金属製のヒートシンク
（放熱部材）７に密着されている。チップ実装基板５は
窒化アルミニウムからなるセラミック基板２の両面に銅
薄板３、４をロウ付け等で接合して形成されている。チ
ップ実装基板５はヒートシンク７に接着された樹脂製の
外囲ケース１１により囲覆されており、外囲ケース１１
は、チップ実装基板５を囲む側壁部１１１と、側壁部１
１１の上端からチップ実装基板５の上方に張り出した張
り出し部１１２とを有し、シリコン系半導体素子１の表
面の電極（図示せず）は、張り出し部１１２に囲まれた
窓部１１３からワイヤボンディング（図示せず）により
外部のブスバー（図示せず）に電気接続されている。
を制御するＩＧＢＴチップからなるシリコン系半導体素
子１は、銅薄板３、４が接合されたセラミック基板２か
らなるチップ実装基板５の一主面に半田６により接合さ
れ、熱伝導性グリス９を通じて金属製のヒートシンク
（放熱部材）７に密着されている。チップ実装基板５は
窒化アルミニウムからなるセラミック基板２の両面に銅
薄板３、４をロウ付け等で接合して形成されている。チ
ップ実装基板５はヒートシンク７に接着された樹脂製の
外囲ケース１１により囲覆されており、外囲ケース１１
は、チップ実装基板５を囲む側壁部１１１と、側壁部１
１１の上端からチップ実装基板５の上方に張り出した張
り出し部１１２とを有し、シリコン系半導体素子１の表
面の電極（図示せず）は、張り出し部１１２に囲まれた
窓部１１３からワイヤボンディング（図示せず）により
外部のブスバー（図示せず）に電気接続されている。
【００１４】外囲ケース１１の張り出し部１１２の内表
面は、チップ実装基板５のチップ実装側の主面の周縁部
に所定ギャップを隔てて対面しており、外囲ケース１１
の張り出し部１１２の内表面とチップ実装基板５のチッ
プ実装側の主面の周縁部との間にシリコンゴムからなる
シート状の弾性板１２が角枠形状に挟設されている。こ
れにより、弾性板１２は、張り出し部１１２に支持され
てチップ実装基板５の周縁部を全周にわたってヒートシ
ンク７へ向けて弾性付勢し、その結果、チップ実装基板
５は熱伝導性グリス９を通じて強くヒートシンク７に密
着され、シリコン系半導体素子１で発生した熱はチップ
実装基板５を通じてヒートシンク７に良好に放熱され
る。また、チップ実装基板５とヒートシンク７との間の
熱膨張率差があっても、ヒートシンク７はチップ実装基
板５に対して自由に相対変位することができ、相対変位
後も弾性板１２がチップ実装基板５をヒートシンク７へ
向けて以前となんら変わらず弾性付勢するので、放熱性
やチップ実装基板支持性能が低下することはない。
面は、チップ実装基板５のチップ実装側の主面の周縁部
に所定ギャップを隔てて対面しており、外囲ケース１１
の張り出し部１１２の内表面とチップ実装基板５のチッ
プ実装側の主面の周縁部との間にシリコンゴムからなる
シート状の弾性板１２が角枠形状に挟設されている。こ
れにより、弾性板１２は、張り出し部１１２に支持され
てチップ実装基板５の周縁部を全周にわたってヒートシ
ンク７へ向けて弾性付勢し、その結果、チップ実装基板
５は熱伝導性グリス９を通じて強くヒートシンク７に密
着され、シリコン系半導体素子１で発生した熱はチップ
実装基板５を通じてヒートシンク７に良好に放熱され
る。また、チップ実装基板５とヒートシンク７との間の
熱膨張率差があっても、ヒートシンク７はチップ実装基
板５に対して自由に相対変位することができ、相対変位
後も弾性板１２がチップ実装基板５をヒートシンク７へ
向けて以前となんら変わらず弾性付勢するので、放熱性
やチップ実装基板支持性能が低下することはない。
【００１５】なお、弾性板１２の上記弾性付勢力は、た
とえばこの半導体モジュールを落下させたりした場合の
衝撃ではチップ実装基板５がヒートシンク７に対して変
位しない大きさに設定される。銅薄板４は省略されるこ
とができ、外囲ケース１１の形状を変更してもよい。更
に、外囲ケース１１及び弾性板１２のペアの代わりにた
とえば両端又は一端がヒートシンク７に支持された板ば
ねやブスバーなどで上記と同様の弾性付勢を行うことも
可能である。
とえばこの半導体モジュールを落下させたりした場合の
衝撃ではチップ実装基板５がヒートシンク７に対して変
位しない大きさに設定される。銅薄板４は省略されるこ
とができ、外囲ケース１１の形状を変更してもよい。更
に、外囲ケース１１及び弾性板１２のペアの代わりにた
とえば両端又は一端がヒートシンク７に支持された板ば
ねやブスバーなどで上記と同様の弾性付勢を行うことも
可能である。
【００１６】熱伝導性グリス９は、シリコン樹脂系ゲル
に良熱伝導性微粉末を混合して形成されるが、チップ実
装基板５とヒートシンク７とを熱伝導性良好に密着する
ものであれば他の材料を採用してもよい。チップ実装基
板５のセラミック基板２の熱膨張率はシリコン系半導体
素子１のそれになるべく近く設定されて、半田６の熱ス
トレスを緩和することが好適である。
に良熱伝導性微粉末を混合して形成されるが、チップ実
装基板５とヒートシンク７とを熱伝導性良好に密着する
ものであれば他の材料を採用してもよい。チップ実装基
板５のセラミック基板２の熱膨張率はシリコン系半導体
素子１のそれになるべく近く設定されて、半田６の熱ス
トレスを緩和することが好適である。
【００１７】
【実施例２】本発明の半導体モジュールの第２実施例を
図２を参照して説明する。図２は、この半導体モジュー
ルの縦断面図である。ただし、理解を容易とするため
に、図１に示す実施例１の半導体モジュールと主機能が
共通する構成要素には同一符号を付す。
図２を参照して説明する。図２は、この半導体モジュー
ルの縦断面図である。ただし、理解を容易とするため
に、図１に示す実施例１の半導体モジュールと主機能が
共通する構成要素には同一符号を付す。
【００１８】この実施例の半導体モジュールは、図１に
示す実施例１の半導体モジュールにおいて、外囲ケース
１１の張り出し部１１２の上面にブスバー１３１、１３
２を密着させたものであり、この実施例ではブスバー１
３１、１３２は図示しないねじにより外囲ケース１１ま
たは図示しない外部の基板やケースに締結されるが、イ
ンサート成形により外囲ケース１１などに固定してもよ
い。
示す実施例１の半導体モジュールにおいて、外囲ケース
１１の張り出し部１１２の上面にブスバー１３１、１３
２を密着させたものであり、この実施例ではブスバー１
３１、１３２は図示しないねじにより外囲ケース１１ま
たは図示しない外部の基板やケースに締結されるが、イ
ンサート成形により外囲ケース１１などに固定してもよ
い。
【００１９】このようにすれば、ブスバー１３１、１３
２により、材料費を増加することなく、製造工程を延長
することなく、張り出し部１１２の剛性を一層強化する
ことができ、その分だけ圧接力を強化して、チップ実装
基板５からヒートシンク７への熱伝導性を改善すること
ができる。なお、この実施例では、ブスバー３、４を別
体としたが、同じブスバーで形成してもよく、また、張
り出し部１２を押さえるブスバーの形状を剛性向上のた
めに適宜変更してもよいことは当然である。
２により、材料費を増加することなく、製造工程を延長
することなく、張り出し部１１２の剛性を一層強化する
ことができ、その分だけ圧接力を強化して、チップ実装
基板５からヒートシンク７への熱伝導性を改善すること
ができる。なお、この実施例では、ブスバー３、４を別
体としたが、同じブスバーで形成してもよく、また、張
り出し部１２を押さえるブスバーの形状を剛性向上のた
めに適宜変更してもよいことは当然である。
【００２０】
【実施例３】本発明の半導体モジュールの第３実施例を
図３を参照して説明する。図２は、この半導体モジュー
ルの縦断面図である。ただし、理解を容易とするために
図１に示す実施例１の半導体モジュールと主機能が共通
する構成要素には同一符号を付す。
図３を参照して説明する。図２は、この半導体モジュー
ルの縦断面図である。ただし、理解を容易とするために
図１に示す実施例１の半導体モジュールと主機能が共通
する構成要素には同一符号を付す。
【００２１】この実施例の半導体モジュールは、図１に
示す実施例１の半導体モジュールにおいて、外囲ケース
１１の張り出し部１１２の下面に金属補強部材としての
角枠状の金属板１４をインサート成形により固定したも
のであり、弾性板１２はこの金属板１４を通じて外囲ケ
ース１１に支持されている。このようにすれば、外囲ケ
ース１１の張り出し部１１２の剛性は金属板１４により
補強されるので、チップ実装基板５とヒートシンク７と
の間の圧接力を向上することができる。
示す実施例１の半導体モジュールにおいて、外囲ケース
１１の張り出し部１１２の下面に金属補強部材としての
角枠状の金属板１４をインサート成形により固定したも
のであり、弾性板１２はこの金属板１４を通じて外囲ケ
ース１１に支持されている。このようにすれば、外囲ケ
ース１１の張り出し部１１２の剛性は金属板１４により
補強されるので、チップ実装基板５とヒートシンク７と
の間の圧接力を向上することができる。
【００２２】
【実施例４】本発明の半導体モジュールの第４実施例を
図４を参照して説明する。図４は、この半導体モジュー
ルの縦断面図である。ただし、理解を容易とするために
図１に示す実施例１の半導体モジュールと主機能が共通
する構成要素には同一符号を付す。
図４を参照して説明する。図４は、この半導体モジュー
ルの縦断面図である。ただし、理解を容易とするために
図１に示す実施例１の半導体モジュールと主機能が共通
する構成要素には同一符号を付す。
【００２３】この実施例の半導体モジュールは、図１に
示す実施例１の半導体モジュールにおいて、弾性板１２
を省略し、外囲ケース１１の張り出し部１１２の下面に
よりチップ実装基板５の周縁部を弾性付勢するものであ
る。すなわち、この実施例では、張り出し部１１２が本
発明でいう弾性付勢部材を兼用している。このようにす
れば、一層の製造工程短縮、材料費節減及び小型化を図
ることができる。
示す実施例１の半導体モジュールにおいて、弾性板１２
を省略し、外囲ケース１１の張り出し部１１２の下面に
よりチップ実装基板５の周縁部を弾性付勢するものであ
る。すなわち、この実施例では、張り出し部１１２が本
発明でいう弾性付勢部材を兼用している。このようにす
れば、一層の製造工程短縮、材料費節減及び小型化を図
ることができる。
【００２４】
【変形態様】なお、上記した各実施例において、外囲ケ
ース１１が、シリコン系半導体素子１すなわち半導体チ
ップ及びチップ実装基板５を保護しつつ、弾性板１２す
なわち弾性付勢部材を支持したり又はこの弾性付勢部材
を兼ねたりするが、外囲ケース１１の代わりにブスバー
など他の部材が弾性板１２を支持したり又はこの弾性付
勢部材を兼ねたりすることも可能である。
ース１１が、シリコン系半導体素子１すなわち半導体チ
ップ及びチップ実装基板５を保護しつつ、弾性板１２す
なわち弾性付勢部材を支持したり又はこの弾性付勢部材
を兼ねたりするが、外囲ケース１１の代わりにブスバー
など他の部材が弾性板１２を支持したり又はこの弾性付
勢部材を兼ねたりすることも可能である。
【００２５】また、上記実施例では、外囲ケース１１は
窓１１３を有しているが、窓１１３を省略して全面的に
張り出し部１１２でチップ実装基板５を囲覆してもよい
ことはもちろんである。
窓１１３を有しているが、窓１１３を省略して全面的に
張り出し部１１２でチップ実装基板５を囲覆してもよい
ことはもちろんである。
【図１】 本発明の半導体モジュールの第１実施例を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図２】 本発明の半導体モジュールの第２実施例を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図３】 本発明の半導体モジュールの第３実施例を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図４】 本発明の半導体モジュールの第４実施例を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図５】 従来の半導体モジュールの一例を示す縦断面
図である。
図である。
１はシリコン系半導体素子（半導体チップ）、２はセラ
ミック基板、５はチップ実装基板、６は半田、７はヒー
トシンク（放熱部材）、９は熱伝導性グリス、１１は外
囲ケース、１２は弾性板（弾性付勢部材）、１１２は外
囲ケース１１の張り出し部、１３１、１３２はブスバ
ー、１４は金属板（金属補強部材）
ミック基板、５はチップ実装基板、６は半田、７はヒー
トシンク（放熱部材）、９は熱伝導性グリス、１１は外
囲ケース、１２は弾性板（弾性付勢部材）、１１２は外
囲ケース１１の張り出し部、１３１、１３２はブスバ
ー、１４は金属板（金属補強部材）
Claims (5)
- 【請求項１】半導体チップが接合されたチップ実装基板
と、 前記チップ実装基板の反チップ実装側の主面に密着され
て前記半導体チップの熱を吸収する金属性の放熱部材
と、 前記チップ実装基板のチップ実装側の主面を前記放熱部
材へ向けて付勢して前記チップ実装基板を前記放熱部材
に熱伝導性グリスを介して圧接する弾性付勢部材と、を
備えることを特徴とする半導体モジュール。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体モジュールにおい
て、 前記チップ実装基板のチップ実装側の主面に対して所定
ギャップを隔てて対面する張り出し部を有して前記放熱
部材に固定される外囲ケースを有し、 前記弾性付勢部材は、前記外囲ケースの張り出し部と前
記チップ実装基板のチップ実装側の主面との間に挟設さ
れる弾性板からなることを特徴とする半導体モジュー
ル。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体モジュールにおい
て、 前記チップ実装基板のチップ実装側の主面を覆う張り出
し部を有して前記放熱部材に固定される外囲ケースを有
し、 前記外囲ケースの張り出し部は、前記弾性付勢部材を兼
ねることを特徴とする半導体モジュール。 - 【請求項４】請求項２又は３記載の半導体モジュールに
おいて、 前記張り出し部は、金属補強部材と一体に形成された樹
脂部材からなることを特徴とする半導体モジュール。 - 【請求項５】請求項４記載の半導体モジュールにおい
て、 前記金属補強部材は、配線用のブスバーからなることを
特徴とする半導体モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13202998A JPH11330328A (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13202998A JPH11330328A (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 半導体モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330328A true JPH11330328A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15071842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13202998A Pending JPH11330328A (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 半導体モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330328A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7034395B2 (en) | 2001-10-10 | 2006-04-25 | Eupec Europaische Gesellschaft Fur Leistungshalbleiter Gmbh | Power semiconductor module with cooling element and pressing apparatus |
| JP2007103603A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Nissan Motor Co Ltd | 電力変換装置 |
| JP2007281234A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Hitachi Ltd | 電子回路基板 |
| JP2007335244A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Jimbo Electric Co Ltd | 配線器具 |
| EP3342594A1 (en) | 2016-12-28 | 2018-07-04 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Head module and liquid ejection apparatus |
| JP2018133598A (ja) * | 2018-06-05 | 2018-08-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| DE112019007524T5 (de) | 2019-07-02 | 2022-03-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiterbauelement, verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen, und leistungswandlervorrichtung |
| US11997837B2 (en) | 2020-11-02 | 2024-05-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module and power converter |
-
1998
- 1998-05-14 JP JP13202998A patent/JPH11330328A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7034395B2 (en) | 2001-10-10 | 2006-04-25 | Eupec Europaische Gesellschaft Fur Leistungshalbleiter Gmbh | Power semiconductor module with cooling element and pressing apparatus |
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| EP3342594A1 (en) | 2016-12-28 | 2018-07-04 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Head module and liquid ejection apparatus |
| US10518533B2 (en) | 2016-12-28 | 2019-12-31 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Head module and liquid ejection apparatus |
| JP2018133598A (ja) * | 2018-06-05 | 2018-08-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| DE112019007524T5 (de) | 2019-07-02 | 2022-03-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiterbauelement, verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen, und leistungswandlervorrichtung |
| US11997837B2 (en) | 2020-11-02 | 2024-05-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module and power converter |
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