JPH11330218A - 加熱冷却装置及びこれを用いた真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】被吸着物に割れを生じさせることなく、しかも
効率良く被吸着物を加熱又は冷却することが可能な加熱
冷却装置及びこれを用いた真空処理装置を提供する。 【解決手段】本発明の静電チャック７は、誘電体からな
る静電チャックプレート７ａ中に独立して制御可能な第
１及び第２の吸着電極８、９が設けられる。第１の吸着
電極８、９は、ほぼ渦巻き状に形成され、交互に配置さ
れている。第１の吸着電極８の吸着電極８０は、第１の
直流電源１１ａの正の電極に接続され、吸着電極８１
は、直流電源１１ｂの負の電極に接続される。第２の吸
着電極９の吸着電極９０は、第２の直流電源１２ａの正
の電極に接続され、吸着電極９１は、直流電源１２ｂの
負の電極に接続される。第１の吸着電極８に電圧を印加
して所定時間基板を吸着加熱した後に第２の吸着電極９
に電圧を印加して基板を吸着保持する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば真空処理槽
内において処理対象物である基板を吸着保持するための
静電チャックに関し、特に加熱冷却時の熱応力に起因す
る基板の割れを防止するための技術に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、真空中でシリコンウェハ等の
基板上に成膜等の処理を行う装置においては、静電気力
によって基板を吸着保持する静電チャックが広く用いら
れている。このような静電チャックとしては、成膜等の
処理において基板を所定の温度に維持するため温度制御
（加熱又は冷却）可能なホットプレートと一体的に構成
されたものが知られている。

【０００３】従来、このような静電チャック付のホット
プレートにおいては、誘電体内に設けられた吸着電極に
所定の電圧を印加することによって基板のほぼ全面を吸
着保持するようにしているが、吸着保持後の基板の温度
上昇又は温度降下が大きい（２５０℃以上）場合には、
静電チャックによって束縛された基板が急激に熱膨張又
は熱収縮しようとするため、基板に強い応力が発生して
基板が割れてしまうという問題があった。

【０００４】従来、この問題を解決する方法としては、
第一に、静電チャックによって基板を吸着保持せずに基
板を加熱又は冷却し、基板に割れが生じない温度にまで
基板の温度が上昇又は降下した後に吸着電極に電圧を印
加して基板を吸着保持する方法と、第二に、吸着電極に
小さい電圧を印加すること等により基板を弱い静電吸着
力で吸着保持し、基板に割れが生じない温度にまで基板
の温度を上昇又は降下させた後に、吸着電極に印加する
電圧を大きくして基板に対する静電吸着力を強くする方
法が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の技術においては、次のような問題があった。
すなわち、上述した第一の方法においては、基板を吸着
保持していないため基板とホットプレートとの間におい
て熱が伝わりにくく、そのため、基板が所望の温度に達
するまで必要以上に時間がかかってしまうという問題が
あった。

【０００６】また、基板及びホットプレートの表面には
微小な反りが存在するため、上述した第二の方法のよう
な弱い静電吸着力では基板が部分的にしか吸着保持され
ず、その結果、基板の表面において温度分布にむらが生
じ、これが基板の割れの一因となっていた。

【０００７】本発明は、このような従来の技術の課題を
解決するためになされたもので、被吸着物に割れを生じ
させることなく、しかも効率良く被吸着物を加熱及び冷
却することが可能な加熱冷却装置及びこれを用いた真空
処理装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた請求項１記載の発明は、被吸着物を吸着保持
するための誘電体からなる静電チャック本体中に独立し
て制御可能な複数の吸着電極が設けられていることを特
徴とする静電チャックである。

【０００９】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明において、前記複数の吸着電極が、独立して所
定の電圧が印加される第１の吸着電極及び第２の吸着電
極を有することを特徴とする。

【００１０】さらに、請求項３記載の発明は、請求項１
又は２のいずれか１項記載の発明において、前記複数の
吸着電極が、前記静電チャック本体の半径方向に交互に
配されていることを特徴とする。

【００１１】さらにまた、請求項４記載の発明は、請求
項１乃至３のいずれか１項記載の発明において、前記複
数の吸着電極が、ほぼ渦巻状に設けられていることを特
徴とする。

【００１２】加えて、請求項５記載の発明は、請求項１
乃至３のいずれか１項記載の発明において、前記複数の
吸着電極が、同心円状に設けられていることを特徴とす
る。

【００１３】一方、請求項６記載の発明は、請求項１乃
至５のいずれか１項記載の静電チャックの静電チャック
本体に、所定の温度に温度制御可能な加熱冷却手段が一
体的に設けられていることを特徴とする加熱冷却装置で
ある。

【００１４】一方、請求項７記載の発明は、所定の温度
に温度制御された静電チャック本体によって被吸着物を
支持した状態で、この静電チャック本体に粗の状態で分
布する均一な静電吸着力を発生させ、その後、この静電
チャック本体に密の状態で分布する均一な静電吸着力を
発生させて上記被吸着物を当該静電チャック本体に吸着
保持することを特徴とする加熱冷却方法である。

【００１５】また、請求項８記載の発明は、真空処理槽
内に請求項１乃至５のいずれか１項記載の静電チャック
を備え、この静電チャックに吸着保持される基体に対し
て所定の処理を行うように構成されていることを特徴と
する真空処理装置である。

【００１６】さらに、請求項９記載の発明は、真空処理
槽内に請求項６記載の加熱冷却装置を備え、この加熱冷
却装置によって加熱冷却される基体に対して所定の処理
を行うように構成されていることを特徴とする真空処理
装置である。

【００１７】本発明においては、請求項１記載の発明の
ように、静電チャック本体中に独立して制御可能な複数
の吸着電極が設けられていることから、特定の吸着電極
に対して電圧を印加すれば、静電チャック本体において
部分的な静電吸着力を均一に発生させることが可能にな
る。

【００１８】その結果、例えば、請求項７記載の発明の
ように、所定の温度に温度制御された静電チャック本体
によって被吸着物を支持した状態で、静電チャック本体
に粗の状態で分布する均一な静電吸着力を発生させれ
ば、被吸着物において静電チャックプレートに束縛され
ない部分が生じ、熱膨張又は熱収縮に起因する熱応力が
この部分において吸収（緩和）されるため、被吸着物に
割れを生じさせることなく被吸着物を所望の温度付近ま
で加熱又は冷却することができる。

【００１９】この場合、本発明にあっては、被吸着物及
び静電チャック表面の静電吸着された部分において熱が
効率良く伝わるため、効率良く被吸着物を加熱又は冷却
することが可能になる。

【００２０】そして、その後、静電チャック本体に密の
状態で分布する均一な静電吸着力を発生させて上記被吸
着物を当該静電チャック本体に吸着保持するようにすれ
ば、短時間で被吸着物を所望の温度に加熱又は冷却する
ことができる。

【００２１】また、本発明の場合は、小さい静電吸着力
で被吸着物の全面を吸着する従来技術と異なり一定以上
の静電吸着力が得られるため、静電チャックに対して被
吸着物を密着させることができ、その結果、被吸着物の
面内に大きな温度むらが生ずることがなく、均一な加熱
又は冷却を行うことが可能になる。

【００２２】この場合、請求項２記載の発明のように、
複数の吸着電極として、独立して所定の電圧が印加され
る第１の吸着電極及び第２の吸着電極を有するように構
成すれば、簡素な構成で本発明の目的を十分に達成する
ことができる。

【００２３】また、請求項３記載の発明のように、複数
の吸着電極を、静電チャック本体の半径方向に交互に配
するようにすれば、静電チャック本体に束縛された部分
と静電チャック本体に対して自由な部分が交互に生ずる
ため、各吸着電極に電圧を印加して被吸着物の吸着保持
を行う際に常に均一な分布の静電吸着力を発生させるこ
とができ、これにより被吸着物に発生する熱応力を均一
な状態で吸収することが可能になる。

【００２４】本発明の静電チャックにおいて、均一な静
電吸着力を発生させるためには、例えば、請求項４又は
５記載の発明のように、複数の吸着電極をほぼ渦巻状又
は同心円状に設けるとよい。

【００２５】一方、請求項６記載の発明によれば、被吸
着物に割れを発生させることなく効率良く加熱又は冷却
を行いうる加熱冷却装置を提供することができる。ま
た、請求項８又は９記載の発明によれば、被吸着物の割
れが発生することなく加熱冷却効率を高くすることがで
きるため、真空処理装置の処理能力を向上させることが
可能になる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る静電チャック
及びこれを用いた加熱冷却装置並びに真空処理装置の好
ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図
１は、本発明に係る真空処理装置の一実施の形態である
プラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す概略構成図であ
り、図２は、本発明に係る静電チャックの第１の実施の
形態の電極パターンを示す説明図である。

【００２７】図１に示すように、本実施の形態のプラズ
マＣＶＤ装置１は、図示しない真空排気系に接続された
真空処理槽２を有し、この真空処理槽２内の上部に放電
手段３が設けられる。この放電手段３は、真空処理槽２
の外部に設けられた高周波電源４に接続された放電電極
３ａを有し、真空処理槽２内に反応ガスＧを導入するよ
うに構成されている。

【００２８】真空処理槽２の下部には、処理対象物であ
るシリコンウェハ等の基板（被吸着物）５を支持するた
めのサセプタ６が設けられ、このサセプタ６の上部に
は、基板５と同等の大きさの円盤形状に形成された静電
チャックプレート７ａ（静電チャック本体）を有する静
電チャック７が固定されている。

【００２９】静電チャック７の静電チャックプレート７
ａの内部には、基板５を加熱するためのヒーター（加熱
冷却手段）Ｈが設けられている。このヒーターＨは、図
示しない電源に接続され所定の温度に制御可能に構成さ
れている。

【００３０】また、静電チャックプレート７ａ内には、
例えば水等の冷却媒体を循環させることによって静電チ
ャックプレート７ａを冷却できるように構成され（図示
せず）、これにより静電チャック７は加熱冷却装置（ホ
ットプレート）としての機能を有している。

【００３１】図１及び図２に示すように、本実施の形態
の静電チャック７は、いわゆる双極型のもので、誘電体
からなる静電チャックプレート７ａ中に、各々独立して
制御可能な２組の吸着電極、すなわち、第１の吸着電極
８と第２の吸着電極９が設けられている。

【００３２】ここで、第１の吸着電極８は、正の極性に
帯電する吸着電極８０と、負の極性に帯電する吸着電極
８１とから構成され、同様に、第２の吸着電極９は、正
の極性に帯電する吸着電極９０と、負の極性に帯電する
吸着電極９１とから構成される。

【００３３】図１に示すように、第１の吸着電極の一方
の吸着電極８０は、真空処理槽２の外部に設けられた直
流電源１１ａの正の端子にスイッチ１０ａを介して接続
され、他方の吸着電極８１は、同様にスイッチ１０ｂを
介して直流電源１１ｂの負の端子に接続されている。

【００３４】また、第２の吸着電極の一方の吸着電極９
１は、真空処理槽２の外部に設けられた直流電源１２ａ
の正の端子にスイッチ１３ａを介して接続され、他方の
吸着電極９１は、同様にスイッチ１３ｂを介して直流電
源１２ｂの負の端子に接続されている。

【００３５】このような構成により、本実施の形態にお
いては、第１及び第２の吸着電極８、９に対し、直流電
源１１（１１ａ、１１ｂ）及び直流電源１２（１２ａ、
１２ｂ）から、それぞれ独立して電圧を印加するように
構成されている。

【００３６】図２に示すように、本実施の形態の静電チ
ャック７においては、静電チャックプレート７ａに、第
１の吸着電極８を構成する吸着電極８０、８１と、第２
の吸着電極９を構成する吸着電極９０、９１とが、それ
ぞれ静電チャックプレート７ａの中心点Ｏを中心として
所定の間隔でほぼ渦巻き状に形成されている。

【００３７】この場合、第１の吸着電極８を構成する吸
着電極８０、８１は、それぞれ静電チャックプレート７
ａの中心点Ｏに向って曲率半径が段階的に小さくなるよ
うに形成した半円状の円弧部８０ａ、８１ａと、これら
の円弧部８０ａ、８１ａ同士を連結する連結部８０ｂ、
８１ｂとから構成される（図２においては、外周部分の
もののみに符号が付されている。）。

【００３８】ここで、各吸着電極８０、８１は、ほぼ同
一の形状に形成されている。そして、これらの吸着電極
８０、８１を静電チャックプレート７ａの中心点Ｏを基
準として点対称の位置に配することによって各吸着電極
８０、８１の対応する円弧部８０ａ、８１ａが同じ円周
上に形成されるようになっている。

【００３９】一方、第２の吸着電極９を構成する吸着電
極９０、９１は、第１の吸着電極８と同様に、それぞれ
静電チャックプレート７ａの中心点Ｏに向って曲率半径
が段階的に小さくなるように形成した半円状の円弧部９
０ａ、９１ａと、これらの円弧部９０ａ、９１ａ同士を
連結する連結部９０ｂ、９１ｂとから構成される（図２
においては、外周部分のもののみに符号が付されてい
る。）。

【００４０】そして、各吸着電極９０、９１もまたほぼ
同一の形状に形成され、これらの吸着電極９０、９１を
静電チャックプレート７ａの中心点Ｏを基準として点対
称の位置に配することによって各吸着電極９０、９１の
対応する円弧部９０ａ、９１ａが同じ円周上に形成され
るようになっている。

【００４１】そして、本実施の形態の場合は、上述した
構成を有する第１の吸着電極８と第２の吸着電極９と
が、静電チャックプレート７ａの半径方向に交互に配列
されている。

【００４２】このような構成を有する本実施の形態の静
電チャック７においては、第１の吸着電極８と、第２の
吸着電極９とが、それぞれ静電チャックプレート７ａに
おいて均一に分布されるとともに、ほぼ同一の面積を占
めるようになっている。

【００４３】次に、本発明に係る加熱冷却方法の実施の
形態を図１に示すプラズマＣＶＤ装置１及び図２に示す
静電チャック７を参照して詳細に説明する。

【００４４】まず、真空処理槽２においてヒーターＨに
よって静電チャックプレート７ａを所定の温度に加熱し
た状態で基板５を真空処理槽内に搬入し、図示しない昇
降機構によって基板５を静電チャックプレート７ａ上の
所定の位置に載置する。

【００４５】そして、図１に示すように、スイッチ１０
ａ、１０ｂを閉じることによって、第１の直流電源１１
ａ、１１ｂから第１の吸着電極８の吸着電極８０、８１
に所定の電圧を印加し、静電チャックプレート７ａの第
１の吸着電極８に対応する部分にいわば粗の状態で静電
吸着力を発生させる。

【００４６】これにより、基板５において静電チャック
プレート７ａに吸着されない部分が生じ、この束縛され
ていない部分に基板５の熱膨張成分が逃がされることに
よって熱応力が吸収（緩和）されるため、基板５に割れ
を生じさせることなく基板５を所望の温度付近まで効率
良く加熱することができる。

【００４７】その後、スイッチ１３ａ、１３ｂを閉じて
第２の直流電源１２ａ、１２ｂから第２の吸着電極９の
吸着電極９０、９１に所定の電圧を印加することによ
り、静電チャックプレート７ａの第２の吸着電極９に対
応する部分にも静電吸着力を発生させる。これにより、
静電チャックプレート７ａに密の状態で静電吸着力が発
生するため、基板５が静電チャックプレート７ａに吸着
保持され、短時間で基板５を所望の温度に加熱すること
ができる。

【００４８】なお、基板５は既に熱膨張しているため、
この後段の加熱の際に基板５に割れが生ずることはな
い。

【００４９】その後、真空処理槽２内に反応ガスＧを導
入するとともに、放電手段３に高周波電源４から高周波
電力を印加することにより、基板５に対して所定の成膜
処理を行う。

【００５０】以上述べたように本実施の形態によれば、
基板５に割れを発生させることなく、迅速に基板５を加
熱することができる。

【００５１】しかも、本実施の形態の場合は、静電吸着
力を小さくして基板５の全面を吸着する従来技術と異な
り、一定以上の静電吸着力で基板５を吸着保持すること
ができることから静電チャックプレート７ａに対して基
板５を密着させることができ、その結果、基板５の面内
に大きな温度むらが生ずることがなく、均一な加熱が可
能になり基板の割れを確実に防止することができる。

【００５２】また、本実施の形態の場合は、渦巻き状の
第１及び第２の吸着電極８、９が静電チャックプレート
７ａの半径方向に交互に配されているので、各吸着電極
８、９に電圧を印加して基板５の吸着保持を行う際に常
に均一な分布の静電吸着力を発生させることができ、こ
れにより基板５に発生する熱応力を各部分において均一
に吸収することができる。

【００５３】このように、本実施の形態によれば、基板
５に割れを発生させることなく基板５を迅速に加熱する
ことができるため、プラズマＣＶＤ装置１の処理能力を
向上させることができる。

【００５４】図３は、本発明に係る静電チャックの第２
の実施の形態の電極パターンを示すものであり、以下、
上記第１の実施の形態と対応する部分には同一の符号を
付してその詳細な説明を省略する。

【００５５】本実施の形態の静電チャック７０は、静電
チャックプレート７ａ中に、静電チャックプレート７ａ
の中心点Ｏを基準とする同心円状の第１及び第２の吸着
電極７１、７２が設けられたものである。

【００５６】すなわち、図３に示すように、静電チャッ
クプレート７ａの外周側から順に、一定の間隔をおい
て、第１の吸着電極７１を構成する同心円状の吸着電極
７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、７１ｄが形成され、これらの
吸着電極７１ａ〜７１ｄと交互に、第２の吸着電極７２
を構成する吸着電極７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄが
形成されている。

【００５７】ここで、第１及び第２の吸着電極７１、７
２は、ともに双極型の電極で、第１の吸着電極７１のう
ち外周側から奇数番目の吸着電極７１ａ、７１ｃは、例
えば、上述したスイッチ１０ａを介して第１の直流電源
１１ａの正の端子に接続され、第１の電極７１のうち外
周側から偶数番目の吸着電極７１ｂ、７１ｄは、上述し
たスイッチ１０ｂを介して第１の直流電源１１ｂの負の
端子に接続されている。

【００５８】一方、第２の吸着電極７２のうち外周側か
ら奇数番目の吸着電極７２ａ、７２ｃは、例えば、上述
したスイッチ１３ａを介して第２の直流電源１２ａの正
の端子に接続され、第２の電極７２のうち外周側から偶
数番目の吸着電極７２ｂ、７２ｄは、上述したスイッチ
１３ｂを介して第２の直流電源１２ｂの負の端子に接続
されている。

【００５９】このような構成を有する本実施の形態にお
いては、同心円状の第１及び第２の吸着電極７１、７２
を静電チャックプレート７ａの半径方向に交互に配した
ことから、上記第１の実施の形態と同様に、第１及び第
２の吸着電極７１、７２に所定の時間差をおいて電圧を
印加することにより、基板５に発生する熱応力を静電チ
ャックプレート７ａに吸着されない部分で均一に吸収
（緩和）することができ、その結果、基板５に割れを発
生させることなく、迅速に基板５を加熱することができ
る。その他の構成及び作用効果については上記実施の形
態と同一であるのでその詳細な説明を省略する。

【００６０】なお、本発明は上述の実施の形態に限られ
ることなく、種々の変更を行うことができる。例えば、
吸着電極のパターン、そのパターンにおける吸着電極の
数、配列、形状、極性及び吸着電極の組の数は、本発明
の範囲内である限り、任意のものとすることができる。

【００６１】特に、吸着電極のパターンについては、上
述の実施の形態のように、円形渦巻き形状又は同心円形
状のものには限られず、例えば、多角形状の渦巻きや入
れ子形状のものを用いることもできる。ただし、上記実
施の形態のように構成すれば、円形の基板に対して確実
に基板を吸着保持することができ、特に渦巻き形状のパ
ターンを用いた場合には、電圧を印加するための接点の
数を最も少なくすることができるので、静電チャックの
製造工程を簡素化することができるという利点がある。

【００６２】また、上述の実施の形態においては、第１
の吸着電極に電圧を印加する際に、第２の吸着電極に対
して電圧を印加しないようにしたが、本発明はこれに限
られず、例えば、第２の吸着電極に対して、被吸着物の
熱膨張又は熱収縮を逃がすことができる程度の弱い電圧
を印加することも可能である。

【００６３】さらに、上述の実施の形態においては、双
極型の吸着電極を用いたが、単極型の吸着電極を用いる
ことも可能である。ただし、上記実施の形態のように双
極型の吸着電極を用いれば、プラズマを用いない全ての
プロセスにおいて使用することができるというメリット
がある。

【００６４】さらにまた、本発明は被吸着物を加熱する
場合には限られず、所定の温度差をもって被吸着物を冷
却する場合にも適用することができる。

【００６５】加えて、上述の実施の形態においては、プ
ラズマＣＶＤ装置を例にとって説明したが、本発明はこ
れに限られず、静電チャック機構を具備する全ての装置
に搭載することができるものである。

【００６６】

【実施例】以下、本発明の実施例を比較例とともに詳細
に説明する。 ＜実施例＞図１に示すホットプレート７を用い、基板５
として８インチサイズの室温のシリコンウェハを本発明
の方法によって５００℃に昇温させた。この場合のシリ
コンウェハの温度上昇を図４に示す。

【００６７】まず、５００℃以上に加熱された静電チャ
ックプレート７ａ上に室温のシリコンウェハを設置し、
第１の吸着電極８に正負の電圧を印加して静電吸着力を
発生させ、シリコンウェハを部分的に静電チャック７に
吸着させてこれを昇温させた。

【００６８】そして、第１の吸着電極８に電圧を印加し
始めてから１５秒経過後に第２の吸着電極９に正負の電
圧を印加してシリコンウェハを静電チャック７に全面吸
着させた。

【００６９】図４に示すように、第２の吸着電極に電圧
を印加した時点では既にシリコンウェハの温度は４８０
℃に達しており、第２の吸着電極９に電圧を印加し始め
てから５秒後（第１の吸着電極８に電圧を印加し始めて
から２０秒後）には、シリコンウェハの温度は５００℃
の一定温度になった。

【００７０】以上の加熱試験を繰り返し行ったところ、
シリコンウェハに割れは全く生じなかった。

【００７１】＜比較例１＞図１に示すプラズマＣＶＤ装
置１を用い、実施例と同一のシリコンウェハを静電チャ
ックプレート７ａ上に設置し、第１及び第２の吸着電極
８、９に同時に電圧を印加してシリコンウェハを５００
℃に昇温させた。

【００７２】その結果、比較例１の場合、加熱試験を行
ったうちの半数以上のシリコンウェハに割れが生じた。

【００７３】＜比較例２＞図１に示すプラズマＣＶＤ装
置１を用い、５００℃以上に加熱された静電チャックプ
レート７ａ上に実施例と同一のシリコンウェハを設置
し、第１及び第２の吸着電極８、９に電圧を印加せずに
シリコンウェハを昇温させた。この場合のシリコンウェ
ハの温度上昇を図５に示す。

【００７４】図５に示すように、比較例２の場合は、シ
リコンウェハの温度が２５０℃に達するまでに約１８０
秒の時間を要した。

【００７５】以上の実施例及び比較例から理解されるよ
うに、本発明によれば、基板５に割れを生じさせること
なく、基板５を迅速に加熱又は冷却できることが明らか
になった。

【００７６】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、被吸
着物に割れを生じさせることなく被吸着物を迅速に加熱
又は冷却することができる。したがって、このような加
熱冷却装置を有する本発明の真空処理装置によれば、効
率良く真空処理を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る真空処理装置の一実施の形態であ
るプラズマＣＶＤ装置の概略構成図

【図２】本発明に係る静電チャックの第１の実施の形態
の電極パターンを示す説明図

【図３】本発明に係る静電チャックの第２の実施の形態
の電極パターンを示す説明図

【図４】本発明の方法によってシリコンウェハを加熱し
た場合の結果を示すグラフ

【図５】シリコンウェハを吸着保持せずに加熱した場合
の結果を示すグラフ

【符号の説明】

１…プラズマＣＶＤ装置（真空処理装置） ２…真空処
理槽 ３…放電手段 ５…基板（被吸着物） ７…静電
チャック（加熱冷却装置） ８…静電チャックプレート
（静電チャック本体） ８…第１の吸着電極 ９…第
２の吸着電極 ７０…静電チャック ７１…第１の吸着電極 ７２…第
２の吸着電極 ８０、８１…吸着電極 ９０、９１…吸
着電極 Ｈ…ヒーター（加熱冷却手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中島 孝一 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被吸着物を吸着保持するための誘電体から
   なる静電チャック本体中に独立して制御可能な複数の吸
   着電極が設けられていることを特徴とする静電チャッ
   ク。
2. 【請求項２】前記複数の吸着電極は、独立して所定の電
   圧が印加される第１の吸着電極及び第２の吸着電極を有
   することを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
3. 【請求項３】前記複数の吸着電極は、前記静電チャック
   本体の半径方向に交互に配されていることを特徴とする
   請求項１又は２のいずれか１項記載の静電チャック。
4. 【請求項４】前記複数の吸着電極は、ほぼ渦巻状に設け
   られていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
   １項記載の静電チャック。
5. 【請求項５】前記複数の吸着電極は、同心円状に設けら
   れていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１
   項記載の静電チャック。
6. 【請求項６】請求項１乃至５のいずれか１項記載の静電
   チャックの静電チャック本体に、所定の温度に温度制御
   可能な加熱冷却手段が一体的に設けられていることを特
   徴とする加熱冷却装置。
7. 【請求項７】所定の温度に温度制御された静電チャック
   本体によって被吸着物を支持した状態で、該静電チャッ
   ク本体に粗の状態で分布する均一な静電吸着力を発生さ
   せ、その後、該静電チャック本体に密の状態で分布する
   均一な静電吸着力を発生させて上記被吸着物を当該静電
   チャック本体に吸着保持することを特徴とする加熱冷却
   方法。
8. 【請求項８】真空処理槽内に請求項１乃至５のいずれか
   １項記載の静電チャックを備え、 該静電チャックに吸着保持される基体に対して所定の処
   理を行うように構成されていることを特徴とする真空処
   理装置。
9. 【請求項９】真空処理槽内に請求項６記載の加熱冷却装
   置を備え、 該加熱冷却装置によって加熱冷却される基体に対して所
   定の処理を行うように構成されていることを特徴とする
   真空処理装置。