JPH11329977A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH11329977A JPH11329977A JP10135609A JP13560998A JPH11329977A JP H11329977 A JPH11329977 A JP H11329977A JP 10135609 A JP10135609 A JP 10135609A JP 13560998 A JP13560998 A JP 13560998A JP H11329977 A JPH11329977 A JP H11329977A
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- inert gas
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- susceptor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サセプタと真空処理容器の間に発生する不活
性ガスによるグロー放電を防止し、被処理基板の表面処
理を安定して行う。 【解決手段】 不活性ガス供給経路中のサセプタと真空
処理容器間に多孔質セラミックからなるブッシュを配置
し、被処理基板を搬送するための昇降ピンをガイドする
ガイドブッシュ１１を、内側の昇降ピンを支持する絶縁
体ブッシュ１１ａと外側の多孔質セラミック１１ｂの内
外２重構造として、不活性ガスのサセプタと真空処理容
器間の流路距離を長くとることによって不活性ガスのグ
ロー放電を防止するようにした。ガイドブッシュ１１
を、絶縁体から成り中央部に昇降ピンを支持する穴を有
し、外部に不活性ガスの流路を形成する螺旋状溝を形成
した構成としてもよい。
性ガスによるグロー放電を防止し、被処理基板の表面処
理を安定して行う。 【解決手段】 不活性ガス供給経路中のサセプタと真空
処理容器間に多孔質セラミックからなるブッシュを配置
し、被処理基板を搬送するための昇降ピンをガイドする
ガイドブッシュ１１を、内側の昇降ピンを支持する絶縁
体ブッシュ１１ａと外側の多孔質セラミック１１ｂの内
外２重構造として、不活性ガスのサセプタと真空処理容
器間の流路距離を長くとることによって不活性ガスのグ
ロー放電を防止するようにした。ガイドブッシュ１１
を、絶縁体から成り中央部に昇降ピンを支持する穴を有
し、外部に不活性ガスの流路を形成する螺旋状溝を形成
した構成としてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハや液晶
表示基板等の被処理基板にドライエッチング、ＣＶＤ、
スパッタ、その他の表面処理を行う真空処理装置に関す
るものである。
表示基板等の被処理基板にドライエッチング、ＣＶＤ、
スパッタ、その他の表面処理を行う真空処理装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】上記真空処理装置として図１に示すよう
な構成のものが知られている。図１において、反応ガス
供給口４と真空ポンプ５を有する真空処理容器１に、被
処理基板２を保持するサセプタ３が配設され、サセプタ
３には高周波電源６が接続されている。真空処理容器１
は、不活性ガス導入口７と不活性ガス供給経路１３と不
活性ガス排気手段８を有し、かつ被処理基板２を搬送さ
せるための昇降機構９、昇降ピン１０、及び昇降ピン１
０を支持するガイドブッシュ１１が配設されている。ガ
イドブッシュ１１は、図５に詳細に示すように、中心部
にガイド穴が形成されるとともに、外周部に軸芯方向に
沿って断面円弧状の複数の切欠溝１１ｄが形成されてい
る。
な構成のものが知られている。図１において、反応ガス
供給口４と真空ポンプ５を有する真空処理容器１に、被
処理基板２を保持するサセプタ３が配設され、サセプタ
３には高周波電源６が接続されている。真空処理容器１
は、不活性ガス導入口７と不活性ガス供給経路１３と不
活性ガス排気手段８を有し、かつ被処理基板２を搬送さ
せるための昇降機構９、昇降ピン１０、及び昇降ピン１
０を支持するガイドブッシュ１１が配設されている。ガ
イドブッシュ１１は、図５に詳細に示すように、中心部
にガイド穴が形成されるとともに、外周部に軸芯方向に
沿って断面円弧状の複数の切欠溝１１ｄが形成されてい
る。
【０００３】以上の構成の真空処理装置における動作を
説明すると、真空処理容器１は真空ポンプ５により真空
排気されつつ、反応ガス供給口４よりプラズマを発生さ
せるための反応ガスが真空容器１内に導入され、適当な
圧力で保持される。次いで、被処理基板２を処理温度に
温度調整するための伝熱媒体となる不活性ガスを不活性
ガス供給口７より導入する。伝熱媒体である不活性ガス
は不活性ガス供給経路１３を通り、被処理基板２とサセ
プタ３の間の間隙１２に導入され、サセプタ３に設けら
れた昇降ピン１０用の穴とガイドブッシュ１１に設けら
れた切欠溝１１ｄを経て適度な圧力に保持されつつ不活
性ガス排気手段８により排気される。次いで、高周波電
源６からサセプタ３に高周波電力を印加することによ
り、真空処理容器１内にプラズマを励起させる。励起さ
れたプラズマにより被処理基板２に表面処理を行うこと
が可能である。
説明すると、真空処理容器１は真空ポンプ５により真空
排気されつつ、反応ガス供給口４よりプラズマを発生さ
せるための反応ガスが真空容器１内に導入され、適当な
圧力で保持される。次いで、被処理基板２を処理温度に
温度調整するための伝熱媒体となる不活性ガスを不活性
ガス供給口７より導入する。伝熱媒体である不活性ガス
は不活性ガス供給経路１３を通り、被処理基板２とサセ
プタ３の間の間隙１２に導入され、サセプタ３に設けら
れた昇降ピン１０用の穴とガイドブッシュ１１に設けら
れた切欠溝１１ｄを経て適度な圧力に保持されつつ不活
性ガス排気手段８により排気される。次いで、高周波電
源６からサセプタ３に高周波電力を印加することによ
り、真空処理容器１内にプラズマを励起させる。励起さ
れたプラズマにより被処理基板２に表面処理を行うこと
が可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
上記構成ではガイドブッシュ１１が図５に示すような形
状であるため、サセプタ３に印加する高周波電力を高出
力にした場合、不活性ガス供給経路１３と間隙１２とサ
セプタ３に設けられた昇降ピン１０用の穴とガイドブッ
シュ１１に設けられた溝１１ｄにおいて、不活性ガスに
よるグロー放電が発生し易く、グロー放電により被処理
基板２にチャージアップダメージを与えるという問題が
あった。
上記構成ではガイドブッシュ１１が図５に示すような形
状であるため、サセプタ３に印加する高周波電力を高出
力にした場合、不活性ガス供給経路１３と間隙１２とサ
セプタ３に設けられた昇降ピン１０用の穴とガイドブッ
シュ１１に設けられた溝１１ｄにおいて、不活性ガスに
よるグロー放電が発生し易く、グロー放電により被処理
基板２にチャージアップダメージを与えるという問題が
あった。
【０００５】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、サセ
プタと真空処理容器の間に発生する不活性ガスによるグ
ロー放電を防止し、被処理基板の表面処理を安定して行
うことができる真空処理装置を提供することを目的とし
ている。
プタと真空処理容器の間に発生する不活性ガスによるグ
ロー放電を防止し、被処理基板の表面処理を安定して行
うことができる真空処理装置を提供することを目的とし
ている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の真空処理装置
は、被処理基板を収容する真空処理容器と、真空処理容
器への反応ガス供給手段と、真空処理容器の真空排気手
段と、被処理基板を保持するサセプタと、真空処理容器
内でプラズマを発生させるための高周波電力を印加する
電源装置と、被処理基板を搬送するための昇降ピンと、
昇降ピンをガイドするガイドブッシュと、被処理基板を
処理温度に温度調整するために被処理基板とサセプタと
の間の間隙に伝熱媒体となる不活性ガスを供給する不活
性ガス供給経路と、不活性ガスの圧力を制御しつつ排気
する不活性ガス排気手段とを備えた真空処理装置におい
て、不活性ガス供給経路中のサセプタと真空処理容器間
に多孔質セラミックからなるブッシュを配置し、ガイド
ブッシュを、内周側の昇降ピンを支持する絶縁体ブッシ
ュと外周側の多孔質セラミックからなる内外２重構造と
し、またはガイドブッシュを、絶縁体から成り中央部に
昇降ピンを支持する穴を有し、外周に螺旋状溝からなる
不活性ガスの流路を形成した構成としたものである。
は、被処理基板を収容する真空処理容器と、真空処理容
器への反応ガス供給手段と、真空処理容器の真空排気手
段と、被処理基板を保持するサセプタと、真空処理容器
内でプラズマを発生させるための高周波電力を印加する
電源装置と、被処理基板を搬送するための昇降ピンと、
昇降ピンをガイドするガイドブッシュと、被処理基板を
処理温度に温度調整するために被処理基板とサセプタと
の間の間隙に伝熱媒体となる不活性ガスを供給する不活
性ガス供給経路と、不活性ガスの圧力を制御しつつ排気
する不活性ガス排気手段とを備えた真空処理装置におい
て、不活性ガス供給経路中のサセプタと真空処理容器間
に多孔質セラミックからなるブッシュを配置し、ガイド
ブッシュを、内周側の昇降ピンを支持する絶縁体ブッシ
ュと外周側の多孔質セラミックからなる内外２重構造と
し、またはガイドブッシュを、絶縁体から成り中央部に
昇降ピンを支持する穴を有し、外周に螺旋状溝からなる
不活性ガスの流路を形成した構成としたものである。
【０００７】このような構成において、被処理基板を処
理する時には被処理基板とサセプタの間隙に不活性ガス
を流して被処理基板を処理温度に温度調整する。不活性
ガスは、不活性ガス供給経路を経てサセプタと被処理基
板の間の間隙に導入され、サセプタに設けられた昇降ピ
ン穴よりガイドブッシュを経て真空処理容器外へ適度な
圧力に保持されつつ排気される。この不活性ガスのサセ
プタと真空処理容器間の流路距離を多孔質セラミックや
螺旋状の溝にて長くとってコンダクタンスを設けること
によって不活性ガスのグロー放電が防止される。こうし
て異常放電を防止することにより、被処理基板へのダメ
ードを防止することができる。
理する時には被処理基板とサセプタの間隙に不活性ガス
を流して被処理基板を処理温度に温度調整する。不活性
ガスは、不活性ガス供給経路を経てサセプタと被処理基
板の間の間隙に導入され、サセプタに設けられた昇降ピ
ン穴よりガイドブッシュを経て真空処理容器外へ適度な
圧力に保持されつつ排気される。この不活性ガスのサセ
プタと真空処理容器間の流路距離を多孔質セラミックや
螺旋状の溝にて長くとってコンダクタンスを設けること
によって不活性ガスのグロー放電が防止される。こうし
て異常放電を防止することにより、被処理基板へのダメ
ードを防止することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の真空処理装置の一
実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。
実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。
【０００９】真空処理装置の全体構成は、図１を参照し
て説明した従来例と同一であり、反応ガス供給口４と真
空ポンプ５を有する真空処理容器１に、被処理基板２を
保持するサセプタ３が配設され、サセプタ３には高周波
電源６が接続されている。真空処理容器１は、不活性ガ
ス導入口７と不活性ガス排気手段８が設けられるととも
に、不活性ガス導入口７からサセプタ３と被処理基板２
裏面の間隙１２に向けて不活性ガス供給経路１３が形成
されている。また、被処理基板２を搬送させるための昇
降機構９が設けられ、セサプタ３には昇降機構９にて昇
降駆動される昇降ピン１０が貫通されるとともにこの昇
降ピン１０を支持するガイドブッシュ１１が配設されて
いる。
て説明した従来例と同一であり、反応ガス供給口４と真
空ポンプ５を有する真空処理容器１に、被処理基板２を
保持するサセプタ３が配設され、サセプタ３には高周波
電源６が接続されている。真空処理容器１は、不活性ガ
ス導入口７と不活性ガス排気手段８が設けられるととも
に、不活性ガス導入口７からサセプタ３と被処理基板２
裏面の間隙１２に向けて不活性ガス供給経路１３が形成
されている。また、被処理基板２を搬送させるための昇
降機構９が設けられ、セサプタ３には昇降機構９にて昇
降駆動される昇降ピン１０が貫通されるとともにこの昇
降ピン１０を支持するガイドブッシュ１１が配設されて
いる。
【００１０】ガイドブッシュ１１は、図２に詳細に示す
ように、内周側の昇降ピン１０を昇降自在に支持する穴
を有する絶縁体ブッシュ１１ａと、外周側の不活性ガス
の流路となる多孔質セラミック１１ｂとの２重構造とさ
れている。
ように、内周側の昇降ピン１０を昇降自在に支持する穴
を有する絶縁体ブッシュ１１ａと、外周側の不活性ガス
の流路となる多孔質セラミック１１ｂとの２重構造とさ
れている。
【００１１】また、不活性ガス供給経路１３中のサセプ
タ３と真空処理容器１間には、図３に示すような多孔質
セラミックからなるブッシュ１４が配設されている。
タ３と真空処理容器１間には、図３に示すような多孔質
セラミックからなるブッシュ１４が配設されている。
【００１２】以上の構成の真空処理装置における動作を
説明すると、真空処理容器１を真空ポンプ５により真空
排気しつつ、反応ガス供給口４よりプラズマを発生させ
るための反応ガスを真空処理容器１内に導入し、適当な
圧力に保持する。次いで、被処理基板２を処理温度に温
度調整するための伝熱媒体となる不活性ガスを不活性ガ
ス供給口７より導入する。伝熱媒体である不活性ガス
は、不活性ガス供給経路１３中に配設された多孔質セラ
ミックからなるブッシュ１４を通り、サセプタ３の中心
部から被処理基板２の裏面とサセプタ３の間隙１２に導
入され、サセプタ３に設けられた昇降ピン１０用の穴と
ガイドブッシュ１１の多孔質セラミック１１ｂを経て適
度な圧力に保持されつつ、不活性ガス排気手段８により
排気される。次いで、高周波電源６からサセプタ３に高
周波電力を印加することにより、真空処理容器１内にプ
ラズマを励起させる。その際、ガイドブッシュ１１の外
周側に多孔質セラミック１１ｂを設け、不活性ガス供給
経路１３のサセプタ３と真空処理容器１間に多孔質セラ
ミックからなるブッシュ１４が配設されていることによ
り、不活性ガスの流路の流路距離が長く、コンダクタン
スが大きくなることにより不活性ガスのグロー放電が防
止され、励起されたプラズマにより被処理基板２に安定
した表面処理を行うことが可能である。
説明すると、真空処理容器１を真空ポンプ５により真空
排気しつつ、反応ガス供給口４よりプラズマを発生させ
るための反応ガスを真空処理容器１内に導入し、適当な
圧力に保持する。次いで、被処理基板２を処理温度に温
度調整するための伝熱媒体となる不活性ガスを不活性ガ
ス供給口７より導入する。伝熱媒体である不活性ガス
は、不活性ガス供給経路１３中に配設された多孔質セラ
ミックからなるブッシュ１４を通り、サセプタ３の中心
部から被処理基板２の裏面とサセプタ３の間隙１２に導
入され、サセプタ３に設けられた昇降ピン１０用の穴と
ガイドブッシュ１１の多孔質セラミック１１ｂを経て適
度な圧力に保持されつつ、不活性ガス排気手段８により
排気される。次いで、高周波電源６からサセプタ３に高
周波電力を印加することにより、真空処理容器１内にプ
ラズマを励起させる。その際、ガイドブッシュ１１の外
周側に多孔質セラミック１１ｂを設け、不活性ガス供給
経路１３のサセプタ３と真空処理容器１間に多孔質セラ
ミックからなるブッシュ１４が配設されていることによ
り、不活性ガスの流路の流路距離が長く、コンダクタン
スが大きくなることにより不活性ガスのグロー放電が防
止され、励起されたプラズマにより被処理基板２に安定
した表面処理を行うことが可能である。
【００１３】次に、本発明の第２の実施形態について、
図４を参照して説明する。なお、本実施形態は上記第１
の実施形態とガイドブッシュ１１以外の構成は同一であ
り、同一の構成要素については説明を省略し、相違点の
みを説明する。
図４を参照して説明する。なお、本実施形態は上記第１
の実施形態とガイドブッシュ１１以外の構成は同一であ
り、同一の構成要素については説明を省略し、相違点の
みを説明する。
【００１４】本実施形態のガイドブッシュ１１は絶縁体
から成り、図４に示すように、中央部に昇降ピン１０を
昇降自在に支持する穴を有し、かつ外周に開口度６％程
度の螺旋状溝１１ｃからなる不活性ガスの流路を形成し
て構成されている。本実施形態においても、ガイドブッ
シュ１１の外周側に螺旋状溝１１ｃからなる不活性ガス
の流路を形成しているので流路距離が長く、コンダクタ
ンスが大きくなることにより不活性ガスのグロー放電を
防止でき、励起されたプラズマにより被処理基板２に安
定した表面処理を行うことが可能である。
から成り、図４に示すように、中央部に昇降ピン１０を
昇降自在に支持する穴を有し、かつ外周に開口度６％程
度の螺旋状溝１１ｃからなる不活性ガスの流路を形成し
て構成されている。本実施形態においても、ガイドブッ
シュ１１の外周側に螺旋状溝１１ｃからなる不活性ガス
の流路を形成しているので流路距離が長く、コンダクタ
ンスが大きくなることにより不活性ガスのグロー放電を
防止でき、励起されたプラズマにより被処理基板２に安
定した表面処理を行うことが可能である。
【００１５】
【発明の効果】本発明の真空処理装置によれば、以上の
ように不活性ガス供給経路中のサセプタと真空処理容器
間に多孔質セラミックからなるブッシュを配置し、ガイ
ドブッシュを、内周側の昇降ピンを支持する絶縁体ブッ
シュと外周側の多孔質セラミックからなる内外２重構造
とし、またはガイドブッシュを、絶縁体から成り中央部
に昇降ピンを支持する穴を有し、外周に螺旋状溝からな
る不活性ガスの流路を形成した構成としたので、不活性
ガスのサセプタと真空処理容器間の流路距離を多孔質セ
ラミックや螺旋状の溝にて長くとってコンダクタンスを
設けたことによって不活性ガスのグロー放電を防止で
き、異常放電による被処理基板へのダメージを防止する
ことができる。
ように不活性ガス供給経路中のサセプタと真空処理容器
間に多孔質セラミックからなるブッシュを配置し、ガイ
ドブッシュを、内周側の昇降ピンを支持する絶縁体ブッ
シュと外周側の多孔質セラミックからなる内外２重構造
とし、またはガイドブッシュを、絶縁体から成り中央部
に昇降ピンを支持する穴を有し、外周に螺旋状溝からな
る不活性ガスの流路を形成した構成としたので、不活性
ガスのサセプタと真空処理容器間の流路距離を多孔質セ
ラミックや螺旋状の溝にて長くとってコンダクタンスを
設けたことによって不活性ガスのグロー放電を防止で
き、異常放電による被処理基板へのダメージを防止する
ことができる。
【図１】本発明の対象の真空処理装置の全体構成を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態におけるガイドブッシ
ュの構成を示し、（ａ）は横断面図、（ｂ）は縦断面図
である。
ュの構成を示し、（ａ）は横断面図、（ｂ）は縦断面図
である。
【図３】同実施形態における多孔質セラミックからなる
ブッシュの正面図である。
ブッシュの正面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態におけるガイドブッシ
ュの構成を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は正面図であ
る。
ュの構成を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は正面図であ
る。
【図５】従来例のガイドブッシュを示し、（ａ）は側面
図、（ｂ）は正面図である。
図、（ｂ）は正面図である。
１ 真空処理容器 ２ 被処理基板 ３ サセプタ ４ 反応ガス供給口 ５ 真空ポンプ ６ 高周波電源 ７ 不活性ガス導入口 ８ 不活性ガス排気手段 １０ 昇降ピン １１ ガイドブッシュ １１ａ 絶縁体ブッシュ １１ｂ 多孔質セラミック １１ｃ 螺旋状溝 １２ 間隙 １３ 不活性ガス供給経路 １４ 多孔質セラミックからなるブッシュ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｍ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 松田 出 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理基板を収容する真空処理容器と、
真空処理容器への反応ガス供給手段と、真空処理容器の
真空排気手段と、被処理基板を保持するサセプタと、真
空処理容器内でプラズマを発生させるための高周波電力
を印加する電源装置と、被処理基板を搬送するための昇
降ピンと、昇降ピンをガイドするガイドブッシュと、被
処理基板を処理温度に温度調整するために被処理基板と
サセプタとの間の間隙に伝熱媒体となる不活性ガスを供
給する不活性ガス供給経路と、不活性ガスの圧力を制御
しつつ排気する不活性ガス排気手段とを備えた真空処理
装置において、不活性ガス供給経路中のサセプタと真空
処理容器間に多孔質セラミックからなるブッシュを配置
し、ガイドブッシュを、内周側の昇降ピンを支持する絶
縁体ブッシュと外周側の多孔質セラミックからなる内外
２重構造としたことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 被処理基板を収容する真空処理容器と、
真空処理容器への反応ガス供給手段と、真空処理容器の
真空排気手段と、被処理基板を保持するサセプタと、真
空処理容器内でプラズマを発生させるための高周波電力
を印加する電源装置と、被処理基板を搬送するための昇
降ピンと、昇降ピンをガイドするガイドブッシュと、被
処理基板を処理温度に温度調整するために被処理基板と
サセプタとの間の間隙に伝熱媒体となる不活性ガスを供
給する不活性ガス供給経路と、不活性ガスの圧力を制御
しつつ排気する不活性ガス排気手段とを備えた真空処理
装置において、不活性ガス供給経路中のサセプタと真空
処理容器間に多孔質セラミックからなるブッシュを配置
し、ガイドブッシュを、絶縁体から成り中央部に昇降ピ
ンを支持する穴を有し、外周に螺旋状溝からなる不活性
ガスの流路を形成した構成としたことを特徴とする真空
処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13560998A JP3266567B2 (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | 真空処理装置 |
| TW088107661A TW417162B (en) | 1998-05-18 | 1999-05-12 | Vacuum processor and method of vacuum processing using the processor |
| KR1019990017615A KR100588041B1 (ko) | 1998-05-18 | 1999-05-17 | 진공 처리 장치 및 이것을 이용한 진공 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13560998A JP3266567B2 (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11329977A true JPH11329977A (ja) | 1999-11-30 |
| JP3266567B2 JP3266567B2 (ja) | 2002-03-18 |
Family
ID=15155822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13560998A Expired - Lifetime JP3266567B2 (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | 真空処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3266567B2 (ja) |
| KR (1) | KR100588041B1 (ja) |
| TW (1) | TW417162B (ja) |
Cited By (8)
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