JPH11328549A - 電子式物品盗難防止用またはセンサ技術用要素 - Google Patents

電子式物品盗難防止用またはセンサ技術用要素

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JPH11328549A JP11099649A JP9964999A JPH11328549A JP H11328549 A JPH11328549 A JP H11328549A JP 11099649 A JP11099649 A JP 11099649A JP 9964999 A JP9964999 A JP 9964999A JP H11328549 A JPH11328549 A JP H11328549A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 コスト的に有利な電子式盗難防止用またはセ
ンサ技術用要素を提供する。 【解決手段】 本発明は、外部交番磁界内で特性信号を
伝送するように励起される、所定の長さ（Ｌ）のストリ
ップ形状またはワイヤ形状のバルクハウゼン材料（２）
と、およびバルクハウゼン材料（２）に付属されている
軟磁性材料とから構成されている電子式物品盗難防止用
またはセンサ技術用要素（１）に関するものである。上
記の課題は、軟磁性材料が、相互に所定の間隔（ｂ）で
配置されている、所定の長さ（ａ）の個々のセグメント
から構成されていることと、および軟磁性材料のセグメ
ント（３）がバルクハウゼン材料（２）に対して、バル
クハウゼン材料（２）により発生された漂遊磁界がバル
クハウゼン材料（２）の磁化（Ｍ）と結合するように位
置決めされていることとにより解決される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部交番磁界内で
特性信号を伝送するように励起される、長さＬのストリ
ップ形状またはワイヤ形状のバルクハウゼン材料と、お
よびバルクハウゼン材料に付属されている軟磁性材料と
から構成されている電子式物品盗難防止用またはセンサ
技術用要素に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】パルスワイヤともいわれるバルクハウゼ
ン材料からなる要素は電子式盗難防止用のみならずセン
サ技術におけるいわゆるパルスワイヤセンサ用にも使用
される。この要素はほぼ四角形状のヒステリシス曲線を
有することを特徴とし、すなわち励起磁界が所定のしき
い値に到達すると直ちにほぼ急激に外部交番磁界内での
逆磁化が行われる。電子式盗難防止用に適した要素がた
とえば米国特許第４２４７６０１号、米国特許第４６６
００２５号、欧州特許第０３０９６７９号および欧州特
許公開第０７６２３５４号に記載されている。
【０００３】外部交番磁界におけるワイヤ形状またはス
トリップ形状のバルクハウゼン材料の急激な逆磁化はワ
イヤまたはストリップの縦軸に沿った顕著な単軸異方性
の結果である。この異方性は逆磁化過程の間の妨害とな
る回転過程のみならずスイッチング磁界強度に到達する
前の末端領域構造の形成もまた抑制するが、対応する構
造の形成がヒステリシス曲線を丸くし、したがってスイ
ッチング特性を悪化させることになる。
【０００４】明確な四角形状ヒステリシス曲線の形成の
ために必要な異方性は種々の方法で形成することができ
る。特許文献から、応力誘導異方性を使用する方法（米
国特許第４６６００２５号）または磁気誘導異方性を使
用する方法（欧州特許公開第０７６２３５４号）が既知
である。しかしながら、すべての方法は、誘導異方性を
補助するために、顕著なスイッチング特性を達成するよ
うに顕著な形状異方性が必要であるという点で共通して
いる。一般に長く引き伸ばされたストリップまたはワイ
ヤを短く切断することは形状異方性を低下させかつ減磁
効果を増大させるように働き、これによりヒステリシス
曲線の四角形状は低減される。
【０００５】たとえば欧州特許公開第０７６２３５４号
に短いラベルのために提案されているような本質的異方
性の増大は、確かに形状異方性の低下ないし減磁係数の
増大を少なくとも部分的に補償するが、同時にこれはス
イッチング磁界強さを上昇させ、これは電子式盗難防止
システム内での使用には好ましくないものである。
【０００６】特許文献から、確かに好ましくない逆磁化
過程を形成するバルクハウゼン材料の端部領域内の減磁
界を抑制可能な代替方法が既知である。すなわち、欧州
特許公開第０７１０９２３号に、両方の端部領域内に、
バルクハウゼン材料からなるワイヤの保磁力よりも小さ
い保磁力を有する２個の軟磁性板片が配置されているバ
ルクハウゼン材料からなる細い磁性ワイヤから構成され
た磁気マーカ要素が記載されている。パルス高さを増大
させるために板片はストリップ端部を被覆しかつ好まし
くはすべての側方向に端部から突出している。
【０００７】欧州特許公開第０７６２３５４号から、電
子式盗難防止要素としてバルクハウゼン材料からなるア
モルファステープまたはアモルファスワイヤを使用する
ことが既知である。パルス高さを増大するためにアモル
ファス材料に好ましくはアモルファス材料の端部から突
出する軟磁性材料からなる少なくとも１つの他のストリ
ップが付属されている。
【０００８】従来技術の両方の方法は、後にそれから異
なる長さのラベルが打ち抜かれるテープの連続製造に適
していないという欠点を有している。その理由は、軟磁
性ストリップがラベルの端部に位置決めされなければな
らず、この場合、製造の間にこの位置が一般に決定可能
ではないからである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記の欠点を有してい
ないコスト的に有利な電子式盗難防止用またはセンサ技
術用要素を提供することが本発明の課題である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題は、軟磁性材料
が、相互に所定の間隔で配置されている、所定の長さの
個々のセグメントから構成されていることと、および軟
磁性材料のセグメントがバルクハウゼン材料に対して、
バルクハウゼン材料により発生された漂遊磁界がバルク
ハウゼン材料の磁化と結合するように位置決めされてい
ることとにより解決される。
【００１１】漂遊磁界結合により、プレ張力が与えられ
たワイヤ形状またはストリップ形状のバルクハウゼン材
料の安定化が形成される。軟磁性セグメントをストリッ
プ形状ないしワイヤ形状のバルクハウゼン材料に沿って
配置することにより要素の内部磁界が低減され、しかも
従来技術に記載のように端部領域内にのみ存在すること
はない。これにより、後に詳細に説明するように、本質
的スイッチング磁界強さに到達するまで固有スイッチン
グ領域が目的どおりに安定化され、固有スイッチング磁
界強さは最終的に誘導異方性によりしたがって磁壁の移
動性により決定される。
【００１２】本発明による方法においてはワイヤ形状ま
たはストリップ形状のバルクハウゼン材料の端部の被覆
は必要がないので、対応盗難防止要素は連続テープとし
て製造することができる。次にテープからそれぞれの使
用ケースに対し必要な長さのラベルを打ち抜くことがで
きる。
【００１３】本発明による盗難防止要素のとくに好まし
い製造方法がドイツ特許公開第１９６３１８５２号に記
載されている。この従来技術から既知の方法は確かに不
活性化可能な軟磁性ストリップ要素の製造を特徴として
いるが、このドイツ特許公開の活性化可能な軟磁性材料
をストリップ形状またはワイヤ形状のバルクハウゼン材
料により置き換えかつ半硬磁性または硬磁性の不活性化
材料を軟磁性材料により置き換えた場合、既知の方法は
同様に本発明による盗難防止要素の製造に移行可能であ
る。ドイツ特許公開第１９６３１８５２号の開示内容は
したがって本発明の明細書内で参照されることは明らか
である。
【００１４】本発明による物品盗難防止用またはセンサ
技術用要素は、不活性化可能なストリップ要素のすべて
の他の既知の製造方法によっても製造可能であることは
当然である。ここでとくに欧州特許公開第０６８００１
１５号に記載されている製造方法を挙げておく。
【００１５】軟磁性材料のセグメントのバルクハウゼン
材料との結合を最適化するために、軟磁性材料のセグメ
ントをバルクハウゼン材料上に配置することが提案され
る。本発明による要素の好ましい実施態様により、軟磁
性材料のセグメントおよびバルクハウゼン材料がほぼ同
じ幅を有するように設計されている。さらに、軟磁性材
料のセグメントがバルクハウゼン材料の長さにわたりほ
ぼ均等に分配されていることが提案される。
【００１６】センサにおけるパルスワイヤとして使用す
るために、本発明による要素は、端部が被覆されていな
いという利点を有する。これにより、本来のセンサと磁
界源との間の間隔を小さく保持することができる。この
ようなセンサにおいてのみならず（とくに小さい物品に
おける）電子式物品盗難防止用要素においてもまた、上
記のようにバルクハウゼン材料の長さが比較的小さく選
択されている本発明によるスイッチング要素の実施態様
がとくに好ましいものとみなされている。軟磁性材料の
セグメントの長さ、間隔および透磁率を同調させること
により、要素の特性信号をバルクハウゼン材料のそれぞ
れの長さに対して最適化することができる。したがっ
て、本発明による方法は、スイッチング磁界強さを著し
く上昇させることなく従来技術から既知のバルクハウゼ
ン材料の長さを約半分に短くすることを可能にする。こ
れにより必然的に材料が著しく節約されるので、本発明
による盗難防止用要素はコストの面で相対的に有利であ
る。これは上記の簡単かつコスト的に有利な製造方法に
より支えられる。
【００１７】本発明による盗難防止要素ないしセンサ要
素を不活性化可能に形成するために、半硬磁性材料また
は硬磁性材料のセグメントが設けられ、セグメントがバ
ルクハウゼン材料および軟磁性材料のセグメントに直接
近接して配置されているという有利な変更態様が提案さ
れる。
【００１８】不活性化可能な本発明による要素の実施態
様は、軟磁性材料のセグメントおよび半硬磁性材料また
は硬磁性材料のセグメントがバルクハウゼン材料の長さ
に沿って交互に相前後して配置されているように設計さ
れている。
【００１９】本発明による電子式物品盗難防止用または
センサ技術用要素の有利な変更態様により、軟磁性材料
のセグメントおよび半硬磁性材料または硬磁性材料のセ
グメントおよびバルクハウゼン材料がほぼ同じ幅を有す
るように設計されている。
【００２０】以下に本発明を図面により詳細に説明す
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１は種々の長さのバルクハウゼ
ン要素のスイッチング特性をＭ−Ｈ線図で示した略示図
である。より長いバルクハウゼン要素のヒステリシス曲
線は、（Ｉ）ほぼ四角形状を描きしたがってそれぞれの
スイッチング磁界強さに到達すると急激に逆磁化される
ことを特徴とし、一方、より短いバルクハウゼン要素
は、（II）希望の四角形状から著しくかけ離れたヒステ
リシス曲線を有することを特徴とする。この場合、逆磁
化は外部磁界Ｈの所定の磁界強さにおいて急激には行わ
れず、外部磁界がある範囲を通過する間に連続的に行わ
れる。
【００２２】磁界Ｈ１における飽和状態から磁界強さＨ
２に到達したときのバルクハウゼン要素内の磁化が図１
の下側範囲内に示されている。より長いバルクハウゼン
要素の場合、端縁領域の逆磁化は無視できるほど小さい
が、より短いバルクハウゼン要素においては増大された
減磁効果に基づき本来のスイッチング磁界強さＨｓに到
達する手前で明らかに逆磁化が発生している。この結
果、より短い要素の逆磁化過程はより長い要素の逆磁化
過程よりも緩やかな線を描いている。これにより、問い
合わせ磁界の基本周波数のより高い調波の発生に基づく
電子式物品モニタシステムにおける検出確率が著しく低
下される。
【００２３】図２に本発明による電子式物品盗難防止用
ないしセンサ技術用要素の一実施態様が斜視図で示され
ている。図３はこの実施態様の平面図を示す。ストリッ
プ形状のバルクハウゼン材料２上に長さａの軟磁性材料
のセグメント３が相互に間隔ｂで配置されている。本発
明の方法により、漂遊磁界結合の結果、プレ張力が加え
られたバルクハウゼン材料２の安定化が達成される。軟
磁性材料のセグメント３の透磁率Ｐ、長さａおよび間隔
ｂを最適化することにより比較的短いバルクハウゼン要
素２のスイッチング特性もまた、このために本質的スイ
ッチング磁界強さの好ましくない上昇を必要とすること
なく著しく改善することができる。この場合、本質的ス
イッチング磁界強さとは「無限に」長いバルクハウゼン
要素のスイッチング磁界強さを意味する。
【００２４】本発明による要素１の不活性化可能な実施
態様が図４に断面図で示されている。ストリップ形状の
バルクハウゼン材料２上に長さａの軟磁性材料のセグメ
ント３が相互に間隔ｂで配置されている。ストリップ形
状のバルクハウゼン材料２の下側に半硬磁性材料または
硬磁性材料のセグメント４が配置されている。セグメン
ト４は既知のように盗難防止要素１を不活性化させる働
きをする。半硬磁性材料または硬磁性材料のセグメント
４が飽和に到達するような高い磁界が盗難防止要素１に
加えられた場合、それに続いてセグメント４はバルクハ
ウゼン材料２の外部問い合わせ磁界Ｈへの応答を阻止す
る。
【００２５】図５は本発明による電子式物品盗難防止用
またはセンサ技術用要素１のスイッチング特性の略示図
を示す。ストリップ形状ないしワイヤ形状のバルクハウ
ゼン材料２がそれ自身既に繰り返し説明してきたような
四角形状のヒステリシス曲線を有する一方で、軟磁性材
料のセグメント３のヒステリシス曲線は典型的には斜め
に切る形状を有している。本発明による方法は明らか
に、より短い長さＬのストリップ形状またはワイヤ形状
のバルクハウゼン材料２が使用されるという点で優れて
いる。バルクハウゼン材料２上に配置されている軟磁性
材料のセグメント３がなければ、ヒステリシス曲線は図
１に示した丸みのある形状（ヒステリシス曲線II）を有
することになるであろう。軟磁性材料のセグメント３を
バルクハウゼン材料２上に規則的に配置することによ
り、プレ張力が与えられたバルクハウゼン材料２は漂遊
磁界結合により安定化される。したがって、短いバルク
ハウゼン要素１もまた四角形状のヒステリシス曲線を有
し、この結果、外部交番磁界Ｈを加えたときに希望のス
イッチング特性を示すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】種々の長さの既知のバルクハウゼン要素のスイ
ッチング特性の略示図である。
【図２】本発明による電子式物品盗難防止用またはセン
サ技術用要素の一実施態様の斜視図である。
【図３】図２に示した実施態様の平面図である。
【図４】本発明による要素の第２の不活性化可能な実施
態様の断面図である。
【図５】本発明による電子式物品盗難防止用またはセン
サ技術用要素のスイッチング特性の略示図である。
【符号の説明】
１ 物品盗難防止用またはセンサ技術用要素 ２ バルクハウゼン材料 ３ 軟磁性材料のセグメント ４ 半硬磁性材料または硬磁性材料のセグメント ａ セグメントの長さ ｂ セグメントの間隔 Ｈ 外部磁界強さ Ｌ 要素の長さ Ｍ 磁化 Ｐ 透磁率

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外部交番磁界内で特性信号を伝送するよ
    うに励起される、長さ（Ｌ）のストリップ形状またはワ
    イヤ形状のバルクハウゼン材料と、およびバルクハウゼ
    ン材料に付属されている軟磁性材料とから構成されてい
    る電子式物品盗難防止用またはセンサ技術用要素におい
    て、 軟磁性材料が、相互に所定の間隔（ｂ）で配置されてい
    る、所定の長さ（ａ）の個々のセグメント（３）から構
    成されていることと、および軟磁性材料のセグメント
    （３）がバルクハウゼン材料（２）に対して、バルクハ
    ウゼン材料（２）により発生された漂遊磁界がバルクハ
    ウゼン材料（２）の磁化（Ｍ）と結合するように位置決
    めされていること、を特徴とする電子式物品盗難防止用
    またはセンサ技術用要素。
  2. 【請求項２】 軟磁性材料のセグメント（３）がバルク
    ハウゼン材料（２）の上に配置されていることを特徴と
    する請求項１の要素。
  3. 【請求項３】 軟磁性材料のセグメント（３）およびバ
    ルクハウゼン材料（２）がほぼ同じ幅を有することを特
    徴とする請求項１または２の要素。
  4. 【請求項４】 軟磁性材料のセグメント（３）がバルク
    ハウゼン材料（２）の長さ（Ｌ）にわたりほぼ均等に分
    配されていることを特徴とする請求項１、２または３の
    要素。
  5. 【請求項５】 バルクハウゼン材料（２）の長さ（Ｌ）
    ができるだけ小さく選択されていることと、および軟磁
    性材料のセグメント（３）の長さ（ａ）、間隔（ｂ）お
    よび透磁率（Ｐ）を同調させることにより、要素（１）
    の特性信号がバルクハウゼン材料（２）のそれぞれの長
    さ（Ｌ）に対して最適化されていることと、を特徴とす
    る請求項１または４の要素。
  6. 【請求項６】 半硬磁性材料または硬磁性材料のセグメ
    ント（４）が設けられ、セグメント（４）がバルクハウ
    ゼン材料（２）および軟磁性材料のセグメント（３）に
    直接近接して配置されていることを特徴とする請求項１
    または５の要素。
  7. 【請求項７】 軟磁性材料のセグメント（３）および半
    硬磁性材料または硬磁性材料のセグメント（４）がバル
    クハウゼン材料（２）の長さ（Ｌ）に沿って交互に相前
    後して配置されていることを特徴とする請求項１または
    ６の要素。
  8. 【請求項８】 軟磁性材料のセグメント（３）および半
    硬磁性材料または硬磁性材料のセグメント（４）および
    バルクハウゼン材料（２）がほぼ同じ幅を有することを
    特徴とする請求項１ないし７の１つまたは複数の要素。
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