JPH11325886A - 測距装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents
測距装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体Info
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- JPH11325886A JPH11325886A JP10125737A JP12573798A JPH11325886A JP H11325886 A JPH11325886 A JP H11325886A JP 10125737 A JP10125737 A JP 10125737A JP 12573798 A JP12573798 A JP 12573798A JP H11325886 A JPH11325886 A JP H11325886A
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/30—Systems for automatic generation of focusing signals using parallactic triangle with a base line
- G02B7/32—Systems for automatic generation of focusing signals using parallactic triangle with a base line using active means, e.g. light emitter
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C3/00—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
- G01C3/02—Details
- G01C3/06—Use of electric means to obtain final indication
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スキム測距装置において、電子シャッタ機能
により電荷蓄積時間を短くした場合に、消費電力を抑え
る。 【解決手段】 図１（ａ）において、ＩＣＧパルス、Ｓ
Ｔパルスにより積分時間をＴ1 に設定し、発光ダイオー
ドＩＲＥＤのオンとオフの期間を等しく設定する。オン
時に測定対象からの反射光を光電変換して電荷を蓄積す
る。オフ時にＩＣＧパルスａにより電荷を抜き取り、Ｔ
1 後にＳＴパルスｂにより蓄電電荷を次段の蓄積部に転
送する。出力電圧がスキム判定電圧より大きい時は、
（ｂ）のように積分時間Ｔ1 を１／２に設定すると共
に、ＩＲＥＤのオン期間を短くする。
により電荷蓄積時間を短くした場合に、消費電力を抑え
る。 【解決手段】 図１（ａ）において、ＩＣＧパルス、Ｓ
Ｔパルスにより積分時間をＴ1 に設定し、発光ダイオー
ドＩＲＥＤのオンとオフの期間を等しく設定する。オン
時に測定対象からの反射光を光電変換して電荷を蓄積す
る。オフ時にＩＣＧパルスａにより電荷を抜き取り、Ｔ
1 後にＳＴパルスｂにより蓄電電荷を次段の蓄積部に転
送する。出力電圧がスキム判定電圧より大きい時は、
（ｂ）のように積分時間Ｔ1 を１／２に設定すると共
に、ＩＲＥＤのオン期間を短くする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、測距対象との距離
を測定する測距装置及びこれに用いられるコンピュータ
読み取り可能な記憶媒体に関し、例えば、カメラのＡＦ
機構に適用して好適なものである。
を測定する測距装置及びこれに用いられるコンピュータ
読み取り可能な記憶媒体に関し、例えば、カメラのＡＦ
機構に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、距離を測定したい測定対象に
スポット投光し、その反射光を受光して三角測距を行う
測距装置として、図６に示すものがよく知られている。
即ち、発光ダイオード（ＩＲＥＤ）８１から投光レンズ
８２を介して測距対象８３にスポット投光し、その反射
光を受光レンズ８４を介して位置検出素子（ＰＳＤ）８
５により受光する。ＰＳＤ８５は、その受光位置に応じ
た信号Ａ、Ｂを両端子から出力するので、その信号Ａ、
Ｂを夫々測定することによって、ＰＳＤ８５の受光位置
を検出することができ、測距対象８３までの距離をその
受光位置から知ることができる。
スポット投光し、その反射光を受光して三角測距を行う
測距装置として、図６に示すものがよく知られている。
即ち、発光ダイオード（ＩＲＥＤ）８１から投光レンズ
８２を介して測距対象８３にスポット投光し、その反射
光を受光レンズ８４を介して位置検出素子（ＰＳＤ）８
５により受光する。ＰＳＤ８５は、その受光位置に応じ
た信号Ａ、Ｂを両端子から出力するので、その信号Ａ、
Ｂを夫々測定することによって、ＰＳＤ８５の受光位置
を検出することができ、測距対象８３までの距離をその
受光位置から知ることができる。
【０００３】しかし、この図６に示した従来の測距装置
には、次のような問題点があった。即ち、Ｓ／Ｎ比を考
えると、微弱な信号に対して不図示の信号処理回路のア
ンプ及びＰＳＤ８５の抵抗から発生するノイズが毎回の
同期積分に乗るため、信号成分を大きくするには、投光
レンズ８２、受光レンズ８４等からなる測距ブロックを
大きくしたり、ＩＲＥＤ８１のパワーを大きくする必要
があり、測距装置の小型化が困難であった。また、測距
距離範囲を広くするためにはＰＳＤ８５を長くする必要
があるが、ＰＳＤ８５が長くなると、得られるＡ、Ｂ信
号の距離に対する変化率が小さくなり、位置を検出する
精度が低下するという問題もあった。
には、次のような問題点があった。即ち、Ｓ／Ｎ比を考
えると、微弱な信号に対して不図示の信号処理回路のア
ンプ及びＰＳＤ８５の抵抗から発生するノイズが毎回の
同期積分に乗るため、信号成分を大きくするには、投光
レンズ８２、受光レンズ８４等からなる測距ブロックを
大きくしたり、ＩＲＥＤ８１のパワーを大きくする必要
があり、測距装置の小型化が困難であった。また、測距
距離範囲を広くするためにはＰＳＤ８５を長くする必要
があるが、ＰＳＤ８５が長くなると、得られるＡ、Ｂ信
号の距離に対する変化率が小さくなり、位置を検出する
精度が低下するという問題もあった。
【０００４】そこで、測定したい測定対象にスポットパ
ルス光を投光し、その反射光を受光して三角測距する測
距装置として、少なくとも一部がリング状に形成された
ＣＣＤで蓄積電荷を巡回させて積分し、また、スポット
光以外の外光成分の電荷を一定量排斥するスキム動作を
備えた測距装置が、例えば、特公平５−２２８４３号公
報で提案されている。さらにこの装置を用い、出力電位
が飽和しないように、各センサ画素からの信号電荷量を
制御する電子シャッタ機能（ＩＣＧ）を備えた測距装置
が特開平９−４２９５５号公報により提案されている。
ルス光を投光し、その反射光を受光して三角測距する測
距装置として、少なくとも一部がリング状に形成された
ＣＣＤで蓄積電荷を巡回させて積分し、また、スポット
光以外の外光成分の電荷を一定量排斥するスキム動作を
備えた測距装置が、例えば、特公平５−２２８４３号公
報で提案されている。さらにこの装置を用い、出力電位
が飽和しないように、各センサ画素からの信号電荷量を
制御する電子シャッタ機能（ＩＣＧ）を備えた測距装置
が特開平９−４２９５５号公報により提案されている。
【０００５】上記特開平９−４２９５５号公報において
提案されている測距装置を、図７、図８を用いて説明す
る。図７のセンサアレイ４１は、図８に示すようにＮ個
のセンサブロックＳ1 、Ｓ 2 、Ｓ3 、・・・、ＳN から
なり、各センサブロックＳ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、・・・、Ｓ
N で光電変換された信号電荷は積分部４２で積分され
る。ＩＣＧ信号によって駆動されるクリア部４３はいわ
ゆる電子シャッタであり、ゲート回路に構成され、積分
部４２から一定量の電荷を抜き取って積分部４２のオー
バフローを防止する機能と、積分部４２の電荷をすべて
抜き取って積分部４２を初期化する機能とを有する。
提案されている測距装置を、図７、図８を用いて説明す
る。図７のセンサアレイ４１は、図８に示すようにＮ個
のセンサブロックＳ1 、Ｓ 2 、Ｓ3 、・・・、ＳN から
なり、各センサブロックＳ1 、Ｓ2 、Ｓ3 、・・・、Ｓ
N で光電変換された信号電荷は積分部４２で積分され
る。ＩＣＧ信号によって駆動されるクリア部４３はいわ
ゆる電子シャッタであり、ゲート回路に構成され、積分
部４２から一定量の電荷を抜き取って積分部４２のオー
バフローを防止する機能と、積分部４２の電荷をすべて
抜き取って積分部４２を初期化する機能とを有する。
【０００６】信号ＳＴで駆動される蓄積部４４はセンサ
アレイ４１に並行して配列されており、電荷を一時的に
蓄積保持する役割を持つ。信号ＳＨで駆動されるシフト
部４５は蓄積部４４に蓄積された電荷を電荷転送部であ
る２Ｎ段のリニアＣＣＤ４６に転送する役割を持つ。ま
た、リニアＣＣＤ４６は、電荷転送部である２Ｎ段のリ
ングＣＣＤ４７に結合している。これらのリニアＣＣＤ
４６及びリングＣＣＤ４７は、各段が、２相クロックで
駆動される２相ＣＣＤで構成されている。なお、各段
は、３相ＣＣＤ、４相ＣＣＤ等で構成されてもよい。
アレイ４１に並行して配列されており、電荷を一時的に
蓄積保持する役割を持つ。信号ＳＨで駆動されるシフト
部４５は蓄積部４４に蓄積された電荷を電荷転送部であ
る２Ｎ段のリニアＣＣＤ４６に転送する役割を持つ。ま
た、リニアＣＣＤ４６は、電荷転送部である２Ｎ段のリ
ングＣＣＤ４７に結合している。これらのリニアＣＣＤ
４６及びリングＣＣＤ４７は、各段が、２相クロックで
駆動される２相ＣＣＤで構成されている。なお、各段
は、３相ＣＣＤ、４相ＣＣＤ等で構成されてもよい。
【０００７】リングＣＣＤ４７に設けられたスキム部４
８は、リングＣＣＤ４７の対応するＣＣＤから一定の電
荷量を抜き取る動作を行う。電圧バッファ回路４９は、
リングＣＣＤ４７上の対応するＣＣＤに蓄積された電荷
量に応じた電圧を発生する。スキム判定部５０は、電圧
バッファ回路４９の出力電圧をスキム判定電圧と比較
し、判定信号を出力する。
８は、リングＣＣＤ４７の対応するＣＣＤから一定の電
荷量を抜き取る動作を行う。電圧バッファ回路４９は、
リングＣＣＤ４７上の対応するＣＣＤに蓄積された電荷
量に応じた電圧を発生する。スキム判定部５０は、電圧
バッファ回路４９の出力電圧をスキム判定電圧と比較
し、判定信号を出力する。
【０００８】コントロール回路５１は、シフトタイミン
グ信号（ＳＴ、ＳＨ）やリニアＣＣＤ４６およびリング
ＣＣＤ４７の転送クロック信号を発生して出力するとと
もに、スキム判定部５０からスキム判定信号が入力さ
れ、それに応じてスキム部４８の制御信号を出力した
り、ＩＣＧパルスを発生するリセット発生回路５２の制
御信号を出力する。
グ信号（ＳＴ、ＳＨ）やリニアＣＣＤ４６およびリング
ＣＣＤ４７の転送クロック信号を発生して出力するとと
もに、スキム判定部５０からスキム判定信号が入力さ
れ、それに応じてスキム部４８の制御信号を出力した
り、ＩＣＧパルスを発生するリセット発生回路５２の制
御信号を出力する。
【０００９】以上の構成により、この測距装置は、リン
グＣＣＤ４７での本格的な信号蓄積動作に先立って、リ
ングＣＣＤ４７の蓄積電荷量に対応する電圧バッファ回
路４９からの電圧出力でスキム判定を行い、その電位レ
ベルが以下に述べるようなスキム動作が必要なレベルの
ときに、コントロール回路５１がＩＣＧゲートとしての
クリア部４３のリセットタイミングを変更して、積分部
４２の積分時間をオーバフローしないような時間に制御
するように構成されている。
グＣＣＤ４７での本格的な信号蓄積動作に先立って、リ
ングＣＣＤ４７の蓄積電荷量に対応する電圧バッファ回
路４９からの電圧出力でスキム判定を行い、その電位レ
ベルが以下に述べるようなスキム動作が必要なレベルの
ときに、コントロール回路５１がＩＣＧゲートとしての
クリア部４３のリセットタイミングを変更して、積分部
４２の積分時間をオーバフローしないような時間に制御
するように構成されている。
【００１０】図９に、図７の装置のスキム判定電位とス
キム量の関係及びＩＣＧ制御の影響について示す。図９
において、基準電位はリングＣＣＤのリセット時（即
ち、リングＣＣＤに電荷が蓄積されていない時）の電位
レベルを示す。ＣＣＤは電荷が蓄積されると電位が低下
するので、スキム判定電位は基準電位よりも低いレベル
に設定されている。図７のスキム部４８でスキムされる
スキム量は、スキム部４８自体がそのポテンシャルのば
らつきのために一定の誤差を有しており、また、スキム
判定電位も誤差を有していることから、スキム動作時に
リングＣＣＤ４７の信号が消滅するのを避けるべく、ス
キム判定電位よりも若干小さいレベルに設定されてい
る。
キム量の関係及びＩＣＧ制御の影響について示す。図９
において、基準電位はリングＣＣＤのリセット時（即
ち、リングＣＣＤに電荷が蓄積されていない時）の電位
レベルを示す。ＣＣＤは電荷が蓄積されると電位が低下
するので、スキム判定電位は基準電位よりも低いレベル
に設定されている。図７のスキム部４８でスキムされる
スキム量は、スキム部４８自体がそのポテンシャルのば
らつきのために一定の誤差を有しており、また、スキム
判定電位も誤差を有していることから、スキム動作時に
リングＣＣＤ４７の信号が消滅するのを避けるべく、ス
キム判定電位よりも若干小さいレベルに設定されてい
る。
【００１１】図７の装置では、リングＣＣＤ４７のリセ
ット後の２回の蓄積動作後のリングＣＣＤ４７の出力電
圧のスキム判定結果から、積分部４２のＩＣＧ制御を行
うようにしている。なお、図７の装置では、リングＣＣ
Ｄ４７のリセット後の２回の蓄積動作後の出力電圧を用
いたが、スキム量やスキム判定電位の大小関係により、
３回以上の蓄積動作後の出力電圧を用いてもよい。
ット後の２回の蓄積動作後のリングＣＣＤ４７の出力電
圧のスキム判定結果から、積分部４２のＩＣＧ制御を行
うようにしている。なお、図７の装置では、リングＣＣ
Ｄ４７のリセット後の２回の蓄積動作後の出力電圧を用
いたが、スキム量やスキム判定電位の大小関係により、
３回以上の蓄積動作後の出力電圧を用いてもよい。
【００１２】図９（ａ）に比較的輝度が高い場合を示
す。この場合、リングＣＣＤ４７での１回の蓄積動作に
よる電圧降下量Ｖa1が１回のスキム量よりも大きい。こ
の従来例では、リングＣＣＤ４７のリセット後の最初の
１回の蓄積動作を行った際にはスキム判断を行わず、引
き続いて２回目の蓄積動作を行わせる。すると、電圧バ
ッファ回路４９の出力電位は、スキム判定電位よりも低
くなっている。そこで、スキム部４８によりスキムを行
ってリングＣＣＤ４７の電位レベルをＶ1 にするととも
に、このスキム判定結果からＩＣＧパルスのリセットタ
イミングの変更が行われる。ここでは、リセットタイミ
ングの変更で積分部４２の積分時間が１／２になるよう
にしたので、次回からのリングＣＣＤ４７での蓄積電荷
量はＶQ1/ 2 になる。
す。この場合、リングＣＣＤ４７での１回の蓄積動作に
よる電圧降下量Ｖa1が１回のスキム量よりも大きい。こ
の従来例では、リングＣＣＤ４７のリセット後の最初の
１回の蓄積動作を行った際にはスキム判断を行わず、引
き続いて２回目の蓄積動作を行わせる。すると、電圧バ
ッファ回路４９の出力電位は、スキム判定電位よりも低
くなっている。そこで、スキム部４８によりスキムを行
ってリングＣＣＤ４７の電位レベルをＶ1 にするととも
に、このスキム判定結果からＩＣＧパルスのリセットタ
イミングの変更が行われる。ここでは、リセットタイミ
ングの変更で積分部４２の積分時間が１／２になるよう
にしたので、次回からのリングＣＣＤ４７での蓄積電荷
量はＶQ1/ 2 になる。
【００１３】このように、図７の装置は、リングＣＣＤ
４７のリセット後の２回の電荷蓄積を行った際のリング
ＣＣＤ４７の電位がスキム判定電位以下であった場合
に、積分部４２での積分時間が１／２となるようにリセ
ットパルスのタイミングを制御したものであり、これに
よって、その後の１回での電荷蓄積量がＶQ1/ 2 に減少
し、またその後もスキム動作が行われるために、電圧バ
ッファ回路４９の出力電圧は決して飽和しないレベルを
保持することができることになる。
４７のリセット後の２回の電荷蓄積を行った際のリング
ＣＣＤ４７の電位がスキム判定電位以下であった場合
に、積分部４２での積分時間が１／２となるようにリセ
ットパルスのタイミングを制御したものであり、これに
よって、その後の１回での電荷蓄積量がＶQ1/ 2 に減少
し、またその後もスキム動作が行われるために、電圧バ
ッファ回路４９の出力電圧は決して飽和しないレベルを
保持することができることになる。
【００１４】図９（ｂ）に、輝度が中程度の場合を示
す。この場合、リングＣＣＤ４７での１回の蓄積動作に
よる電圧降下量ＶQ2が１回のスキム量よりも若干小さ
い。そして、２回目の蓄積動作により、電圧バッファ回
路４９の出力電圧がスキム判定電位よりも低くなる。そ
こで、スキム部４８によりスキムを行ってリングＣＣＤ
４７の電位レベルをＶ2 にするとともに、このスキム判
定結果から積分部４２の積分時間が１／２になるように
ＩＣＧパルスのリセットタイミングの変更が行われる。
従って、次回からのリングＣＣＤ４７での電荷蓄積量は
ＶQ2/2になる。
す。この場合、リングＣＣＤ４７での１回の蓄積動作に
よる電圧降下量ＶQ2が１回のスキム量よりも若干小さ
い。そして、２回目の蓄積動作により、電圧バッファ回
路４９の出力電圧がスキム判定電位よりも低くなる。そ
こで、スキム部４８によりスキムを行ってリングＣＣＤ
４７の電位レベルをＶ2 にするとともに、このスキム判
定結果から積分部４２の積分時間が１／２になるように
ＩＣＧパルスのリセットタイミングの変更が行われる。
従って、次回からのリングＣＣＤ４７での電荷蓄積量は
ＶQ2/2になる。
【００１５】この場合にも、リングＣＣＤ４７のリセッ
ト後の２回の電荷蓄積を行った際のリングＣＣＤ４７の
電位とスキム判定電位とを比較し、積分部４２での積分
時間が１／２になるようにリセットパルスのタイミング
を制御したので、その後の１回での電荷蓄積量がＶQ2/2
に減少し、またその後もスキム動作が行われるために、
電圧バッファ回路４９の出力電圧は決して飽和しないレ
ベルを保持することができることになる。
ト後の２回の電荷蓄積を行った際のリングＣＣＤ４７の
電位とスキム判定電位とを比較し、積分部４２での積分
時間が１／２になるようにリセットパルスのタイミング
を制御したので、その後の１回での電荷蓄積量がＶQ2/2
に減少し、またその後もスキム動作が行われるために、
電圧バッファ回路４９の出力電圧は決して飽和しないレ
ベルを保持することができることになる。
【００１６】図９（ｃ）に、比較的輝度が低い場合を示
す。この場合、リングＣＣＤ４７での１回の蓄積動作に
よる電圧降下量ＶQ2が１回のスキム量よりもかなり小さ
い。そして、２回目の蓄積動作によっても、電圧バッフ
ァ回路４９の出力電圧がスキム判定電位よりも高いまま
であり、３回目の蓄積動作によって電圧バッファ回路４
９の出力電圧がスキム判定電位よりも低くなる。そこ
で、３回目の蓄積動作後にスキム部４８でスキムを行っ
てリングＣＣＤ４７の電位レベルをＶ3 にする。このと
き、ＩＣＧパルスのリセットタイミングは変更されな
い。従って、次回からのリングＣＣＤ４７での電荷蓄積
量はＶQ3のままである。
す。この場合、リングＣＣＤ４７での１回の蓄積動作に
よる電圧降下量ＶQ2が１回のスキム量よりもかなり小さ
い。そして、２回目の蓄積動作によっても、電圧バッフ
ァ回路４９の出力電圧がスキム判定電位よりも高いまま
であり、３回目の蓄積動作によって電圧バッファ回路４
９の出力電圧がスキム判定電位よりも低くなる。そこ
で、３回目の蓄積動作後にスキム部４８でスキムを行っ
てリングＣＣＤ４７の電位レベルをＶ3 にする。このと
き、ＩＣＧパルスのリセットタイミングは変更されな
い。従って、次回からのリングＣＣＤ４７での電荷蓄積
量はＶQ3のままである。
【００１７】この場合、リングＣＣＤ４７のリセット後
の２回の電荷蓄積を行った際のリングＣＣＤ４７の電位
とスキム判定電位とを比較し、積分部４２での積分時間
が変わらないようにリセットパルスのタイミングを制御
したので、その後の１回での電荷蓄積量はＶQ3のままで
変わらない。しかし、比較的輝度が低く１回の蓄積動作
による電荷蓄積量ＶQ3が１回のスキム量よりもかなり小
さく、また、その後もスキム動作が行われるために、電
圧バッファ回路４９の出力電圧は決して飽和しないレベ
ルを保持することができることになる。
の２回の電荷蓄積を行った際のリングＣＣＤ４７の電位
とスキム判定電位とを比較し、積分部４２での積分時間
が変わらないようにリセットパルスのタイミングを制御
したので、その後の１回での電荷蓄積量はＶQ3のままで
変わらない。しかし、比較的輝度が低く１回の蓄積動作
による電荷蓄積量ＶQ3が１回のスキム量よりもかなり小
さく、また、その後もスキム動作が行われるために、電
圧バッファ回路４９の出力電圧は決して飽和しないレベ
ルを保持することができることになる。
【００１８】次に、図１０を参照して、図７の測距装置
の動作タイミングを説明する。図１０（ａ）は、積分部
４２での積分時間が最大の場合のタイミングチャートで
ある。信号ＩＲＣＬＫは、赤外発光ダイオード（ＩＲＥ
Ｄ）のオンとオフを示しており、ハイレベルがオン状態
である。ＩＣＧパルスは、クリア部４３（以下、ＩＣＧ
ゲート４３）のリセットタイミングを制御する信号であ
り、ハイレベルとなることで積分部４２から電荷を抜き
取る。ＳＴパルスは、蓄積部４４へのシフトパルスであ
り、ハイレベルとなることで電荷を積分部４２から蓄積
部４４へシフトする。ＳＨパルスは、リニアＣＣＤ４６
へのシフトパルスであり、ハイレベルとなることで電荷
を蓄積部４４からシフト部４５を通り、リニアＣＣＤ４
６にシフトする。
の動作タイミングを説明する。図１０（ａ）は、積分部
４２での積分時間が最大の場合のタイミングチャートで
ある。信号ＩＲＣＬＫは、赤外発光ダイオード（ＩＲＥ
Ｄ）のオンとオフを示しており、ハイレベルがオン状態
である。ＩＣＧパルスは、クリア部４３（以下、ＩＣＧ
ゲート４３）のリセットタイミングを制御する信号であ
り、ハイレベルとなることで積分部４２から電荷を抜き
取る。ＳＴパルスは、蓄積部４４へのシフトパルスであ
り、ハイレベルとなることで電荷を積分部４２から蓄積
部４４へシフトする。ＳＨパルスは、リニアＣＣＤ４６
へのシフトパルスであり、ハイレベルとなることで電荷
を蓄積部４４からシフト部４５を通り、リニアＣＣＤ４
６にシフトする。
【００１９】まず、信号ＩＲＣＬＫがオフになってから
間もなくＩＣＧパルスａによって上記ＩＣＧゲート４３
がリセットされる。この後、期間Ｔ1 後に信号ＩＲＣＬ
Ｋがオフになる直前のＳＴパルスｅによって、ＩＲＥＤ
がオンの期間に対応した信号電荷（外光＋信号成分）が
積分部４２から蓄積部４４へシフトされ、さらに信号Ｉ
ＲＣＬＫがオフになった直後のＳＨパルスｆによって蓄
積部４４からリニアＣＣＤ４６にシフトされる。
間もなくＩＣＧパルスａによって上記ＩＣＧゲート４３
がリセットされる。この後、期間Ｔ1 後に信号ＩＲＣＬ
Ｋがオフになる直前のＳＴパルスｅによって、ＩＲＥＤ
がオンの期間に対応した信号電荷（外光＋信号成分）が
積分部４２から蓄積部４４へシフトされ、さらに信号Ｉ
ＲＣＬＫがオフになった直後のＳＨパルスｆによって蓄
積部４４からリニアＣＣＤ４６にシフトされる。
【００２０】図１０（ｂ）は、積分部４２での積分時間
を図１０（ａ）の半分とした場合のタイミングチャート
である。この場合、ＩＣＧリセットパルス以外のＳＴパ
ルスおよびＳＨパルスのタイミングは図１０（ａ）と同
じであり、ＩＣＧリセットパルスは、信号ＩＲＣＬＫの
オンおよびオフの期間のそれぞれのほぼ中間時刻にハイ
レベルとなることによって、積分部４２での積分時間が
図１０（ａ）の１／２になるようにしている。
を図１０（ａ）の半分とした場合のタイミングチャート
である。この場合、ＩＣＧリセットパルス以外のＳＴパ
ルスおよびＳＨパルスのタイミングは図１０（ａ）と同
じであり、ＩＣＧリセットパルスは、信号ＩＲＣＬＫの
オンおよびオフの期間のそれぞれのほぼ中間時刻にハイ
レベルとなることによって、積分部４２での積分時間が
図１０（ａ）の１／２になるようにしている。
【００２１】まず、信号ＩＲＣＬＫのオフ期間の１／２
が経過してから間もなくＩＣＧパルスａによってＩＣＧ
ゲート４３がリセットされる。この後、期間Ｔ1/2 後に
信号ＩＲＣＬＫがオンになる直前のＳＴパルスｂによっ
て、ＩＲＥＤがオフの期間に対応した信号電荷（外光成
分）が積分部４２から蓄積部４４へシフトされ、さらに
信号ＩＲＣＬＫがオフになる直前のＳＨパルスｃによっ
て蓄積部４４からリニアＣＣＤ４６にシフトされる。
が経過してから間もなくＩＣＧパルスａによってＩＣＧ
ゲート４３がリセットされる。この後、期間Ｔ1/2 後に
信号ＩＲＣＬＫがオンになる直前のＳＴパルスｂによっ
て、ＩＲＥＤがオフの期間に対応した信号電荷（外光成
分）が積分部４２から蓄積部４４へシフトされ、さらに
信号ＩＲＣＬＫがオフになる直前のＳＨパルスｃによっ
て蓄積部４４からリニアＣＣＤ４６にシフトされる。
【００２２】次に、信号ＩＲＣＬＫのオン期間の１／２
が経過してから間もなくＩＣＧパルスｄによってＩＣＧ
ゲート４３がリセットされる。この後、期間Ｔ1/2 後に
信号ＩＲＣＬＫがオフになる直前のＳＴパルスｅによっ
て、ＩＲＥＤがオンの期間に対応した信号電荷（外光＋
信号成分）が積分部４２から蓄積部４４へシフトされ、
さらに信号ＩＲＣＬＫがオフになる直前のＳＨパルスｆ
によって蓄積部４４からリニアＣＣＤ４６にシフトされ
る。このように、本例では、ＩＣＧパルスのタイミング
を制御することで、積分部４２での積分時間を制御し、
１回の電荷蓄積によるリングＣＣＤ４７の電位変化量を
調節している。
が経過してから間もなくＩＣＧパルスｄによってＩＣＧ
ゲート４３がリセットされる。この後、期間Ｔ1/2 後に
信号ＩＲＣＬＫがオフになる直前のＳＴパルスｅによっ
て、ＩＲＥＤがオンの期間に対応した信号電荷（外光＋
信号成分）が積分部４２から蓄積部４４へシフトされ、
さらに信号ＩＲＣＬＫがオフになる直前のＳＨパルスｆ
によって蓄積部４４からリニアＣＣＤ４６にシフトされ
る。このように、本例では、ＩＣＧパルスのタイミング
を制御することで、積分部４２での積分時間を制御し、
１回の電荷蓄積によるリングＣＣＤ４７の電位変化量を
調節している。
【００２３】次に、図７の測距装置の動作を図１１のフ
ローチャートに基づいて説明する。まず、コントロール
回路５１にスタート信号ＳＴＡＲＴが印加されると（ス
テップＳ１１０１）、コントロール回路５１はＩＣＧゲ
ート部４３へのリセットパルス発生回路５２を制御し、
図１０（ａ）のタイミングでＩＣＧパルス、ＳＴパルス
およびＳＨパルスを発生させて積分部４２の積分時間を
Ｔ1 に設定する（ステップＳ１１０２）。
ローチャートに基づいて説明する。まず、コントロール
回路５１にスタート信号ＳＴＡＲＴが印加されると（ス
テップＳ１１０１）、コントロール回路５１はＩＣＧゲ
ート部４３へのリセットパルス発生回路５２を制御し、
図１０（ａ）のタイミングでＩＣＧパルス、ＳＴパルス
およびＳＨパルスを発生させて積分部４２の積分時間を
Ｔ1 に設定する（ステップＳ１１０２）。
【００２４】次に、リングＣＣＤ４７でリセット後の１
回目のリング転送を行わせ（ステップＳ１１０３）、引
き続いて２回目のリング転送を行わせる（ステップＳ１
１０４）。そして、２回目のリング転送が終了した時点
での電圧バッファ回路４９の出力電圧がスキム判定電圧
よりも大きいか否か（出力電位がスキム判定電位よりも
低いか否か）を判断し（ステップＳ１１０５）、出力電
圧がスキム判定電圧よりも大きいときにはコントロール
回路５１はリセットパルス発生回路５２を制御し、図１
０（ｂ）のタイミングでＩＣＧパルス、ＳＴパルスおよ
びＳＨパルスを発生させて積分部４２の積分時間をＴ
1/2 に設定して（ステップＳ１１０６）、リングＣＣＤ
４７での蓄積動作を継続する（ステップＳ１１０７）。
回目のリング転送を行わせ（ステップＳ１１０３）、引
き続いて２回目のリング転送を行わせる（ステップＳ１
１０４）。そして、２回目のリング転送が終了した時点
での電圧バッファ回路４９の出力電圧がスキム判定電圧
よりも大きいか否か（出力電位がスキム判定電位よりも
低いか否か）を判断し（ステップＳ１１０５）、出力電
圧がスキム判定電圧よりも大きいときにはコントロール
回路５１はリセットパルス発生回路５２を制御し、図１
０（ｂ）のタイミングでＩＣＧパルス、ＳＴパルスおよ
びＳＨパルスを発生させて積分部４２の積分時間をＴ
1/2 に設定して（ステップＳ１１０６）、リングＣＣＤ
４７での蓄積動作を継続する（ステップＳ１１０７）。
【００２５】また、出力電圧がスキム判定電圧よりも小
さいときにはＩＣＧパルス、ＳＴパルスおよびＳＨパル
スのタイミング変更を行わず、リングＣＣＤ４７での蓄
積動作を継続する（ステップＳ１１０７）。
さいときにはＩＣＧパルス、ＳＴパルスおよびＳＨパル
スのタイミング変更を行わず、リングＣＣＤ４７での蓄
積動作を継続する（ステップＳ１１０７）。
【００２６】以上説明したように、図７の測距装置で
は、２回の電荷蓄積を行った際のリングＣＣＤ４７の電
位に基づいて積分部４２での積分時間が１／２になるよ
うにＩＣＧリセットパルスのタイミングを制御するよう
にしたことにより、比較的輝度が高く１回の電荷蓄積に
よるリングＣＣＤ４７の電位変化量がスキム量よりも大
きい場合であっても、２回の電荷蓄積によってリングＣ
ＣＤ４７の電位が確実にスキム判定電位以下となるの
で、このような場合でも次回からの電荷蓄積によるリン
グＣＣＤ４７の電位変化量が１／２に減少することによ
って、電荷蓄積を継続しても出力電位が飽和レベルに達
することがほとんどなくなる。また、図６の装置に比べ
て小型に構成でき、高い精度で測距を行うことができ
る。
は、２回の電荷蓄積を行った際のリングＣＣＤ４７の電
位に基づいて積分部４２での積分時間が１／２になるよ
うにＩＣＧリセットパルスのタイミングを制御するよう
にしたことにより、比較的輝度が高く１回の電荷蓄積に
よるリングＣＣＤ４７の電位変化量がスキム量よりも大
きい場合であっても、２回の電荷蓄積によってリングＣ
ＣＤ４７の電位が確実にスキム判定電位以下となるの
で、このような場合でも次回からの電荷蓄積によるリン
グＣＣＤ４７の電位変化量が１／２に減少することによ
って、電荷蓄積を継続しても出力電位が飽和レベルに達
することがほとんどなくなる。また、図６の装置に比べ
て小型に構成でき、高い精度で測距を行うことができ
る。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平９−４２９５５号公報により提案されている図７の
測距装置には、以下のような問題があった。ＩＣＧ制御
により蓄積時間を短くしたにもかかわらず、ＩＲＥＤの
点滅は、オンの期間とオフの期間とを同じ時間にしてい
るため、電荷を蓄積している期間以外にもＩＲＥＤを点
灯させている期間が生じ、無駄に電力を消費してしまう
ことになる。
開平９−４２９５５号公報により提案されている図７の
測距装置には、以下のような問題があった。ＩＣＧ制御
により蓄積時間を短くしたにもかかわらず、ＩＲＥＤの
点滅は、オンの期間とオフの期間とを同じ時間にしてい
るため、電荷を蓄積している期間以外にもＩＲＥＤを点
灯させている期間が生じ、無駄に電力を消費してしまう
ことになる。
【００２８】また、蓄積時間を短くすることは、高輝度
時の外光成分に相当する信号電荷量を小さくすると同時
に、リングＣＣＤでの１回の蓄積動作中に蓄積できるＩ
ＲＥＤ光の測距対象による反射光成分に相当する信号電
荷量をも小さくしてしまい、それにより測距演算に必要
なだけ信号電荷を蓄積するのに余計に時間がかかってし
まう。即ち測距時間が増加してしまう。
時の外光成分に相当する信号電荷量を小さくすると同時
に、リングＣＣＤでの１回の蓄積動作中に蓄積できるＩ
ＲＥＤ光の測距対象による反射光成分に相当する信号電
荷量をも小さくしてしまい、それにより測距演算に必要
なだけ信号電荷を蓄積するのに余計に時間がかかってし
まう。即ち測距時間が増加してしまう。
【００２９】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、ＩＣＧ制御により蓄積時間を減少させた時の無
駄な消費電力を抑えること及び、ＩＣＧ制御により蓄積
時間を減少させても、測距演算に用いる測距対象からの
反射光に相当する信号電荷の蓄積量の減少を抑えること
を目的とする。
もので、ＩＣＧ制御により蓄積時間を減少させた時の無
駄な消費電力を抑えること及び、ＩＣＧ制御により蓄積
時間を減少させても、測距演算に用いる測距対象からの
反射光に相当する信号電荷の蓄積量の減少を抑えること
を目的とする。
【００３０】
【課題を解決するための手段】本発明による測距装置
は、距離を測定したい測定対象にスポット投光し、その
反射光を受光して三角測距を行う測距装置であって、上
記測定対象にパルス光を投光するための投光手段と、上
記測定対象からの反射光を受光して光電変換する複数の
センサが配列されたセンサアレイと、上記センサアレイ
における各センサからの出力電荷を積分する積分手段
と、上記積分手段から電荷を抜き取るためのゲート手段
と、上記ゲート手段にリセットパルスを供給するリセッ
トパルス発生手段と、少なくとも一部がリング状に結合
されて電荷を順次に巡回させて蓄積するリング部を有し
上記積分手段で積分された電荷を転送する電荷転送手段
と、上記リング部で転送されている電荷から一定量の電
荷を除去するスキム手段と、上記リング部の電位が所定
の判定電位以下となったとき上記スキム手段を動作させ
るとともに、複数回の電荷蓄積を行った際の上記リング
部の電位が上記判定電位以下であったとき上記積分手段
での電荷蓄積時間が短くなるように上記リセットパルス
発生手段で発生するリセットパルスのタイミングを制御
する制御手段とを備えた測距装置において、 上記制御
手段によって制御された上記電荷蓄積時間に応じて上記
投光手段の点灯時間を変更する変更手段を設けている。
は、距離を測定したい測定対象にスポット投光し、その
反射光を受光して三角測距を行う測距装置であって、上
記測定対象にパルス光を投光するための投光手段と、上
記測定対象からの反射光を受光して光電変換する複数の
センサが配列されたセンサアレイと、上記センサアレイ
における各センサからの出力電荷を積分する積分手段
と、上記積分手段から電荷を抜き取るためのゲート手段
と、上記ゲート手段にリセットパルスを供給するリセッ
トパルス発生手段と、少なくとも一部がリング状に結合
されて電荷を順次に巡回させて蓄積するリング部を有し
上記積分手段で積分された電荷を転送する電荷転送手段
と、上記リング部で転送されている電荷から一定量の電
荷を除去するスキム手段と、上記リング部の電位が所定
の判定電位以下となったとき上記スキム手段を動作させ
るとともに、複数回の電荷蓄積を行った際の上記リング
部の電位が上記判定電位以下であったとき上記積分手段
での電荷蓄積時間が短くなるように上記リセットパルス
発生手段で発生するリセットパルスのタイミングを制御
する制御手段とを備えた測距装置において、 上記制御
手段によって制御された上記電荷蓄積時間に応じて上記
投光手段の点灯時間を変更する変更手段を設けている。
【００３１】また、本発明による記憶媒体においては、
測定対象にパルス光を投光するための投光手順と、上記
測定対象からの反射光を複数の光電変換センサが配列さ
れたセンサアレイで受光する受光手順と、上記センサア
レイの各センサからの出力電荷を積分する積分手順と、
上記積分電荷から電荷を抜き取るゲート手順と、上記ゲ
ート手順をリセットパルスでリセットするリセット手順
と、少なくとも一部がリング状に結合されて電荷を順次
に巡回させて蓄積するリング部を有する電荷転送手段を
用いて上記積分された電荷を転送する電荷転送手順と、
上記リング部で転送されている電荷から一定量の電荷を
除去するスキム手順と、上記リング部の電位が所定の判
定電位以下となったとき前記スキム手順を実行させると
ともに、複数回の電荷蓄積を行った際の上記リング部の
電位が上記判定電位以下であったとき上記積分手順での
電荷蓄積時間が短くなるように上記リセットパルスのタ
イミングを制御する制御手順と、上記制御された電荷蓄
積時間に応じて上記投光手順で用いる投光手段の点灯時
間を変更する変更処理とを実行するためのプログラムを
記憶している。
測定対象にパルス光を投光するための投光手順と、上記
測定対象からの反射光を複数の光電変換センサが配列さ
れたセンサアレイで受光する受光手順と、上記センサア
レイの各センサからの出力電荷を積分する積分手順と、
上記積分電荷から電荷を抜き取るゲート手順と、上記ゲ
ート手順をリセットパルスでリセットするリセット手順
と、少なくとも一部がリング状に結合されて電荷を順次
に巡回させて蓄積するリング部を有する電荷転送手段を
用いて上記積分された電荷を転送する電荷転送手順と、
上記リング部で転送されている電荷から一定量の電荷を
除去するスキム手順と、上記リング部の電位が所定の判
定電位以下となったとき前記スキム手順を実行させると
ともに、複数回の電荷蓄積を行った際の上記リング部の
電位が上記判定電位以下であったとき上記積分手順での
電荷蓄積時間が短くなるように上記リセットパルスのタ
イミングを制御する制御手順と、上記制御された電荷蓄
積時間に応じて上記投光手順で用いる投光手段の点灯時
間を変更する変更処理とを実行するためのプログラムを
記憶している。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。まず、本実施の形態による測距装置
の基本構成を図２を参照して説明する。図２において、
コントロール回路５１は転送クロック信号ＩＲＣＬＫを
出力し、ＩＲＥＤ２１を点灯させる。このときＩＲＥＤ
２１からの投射光は、投光レンズ２２を通して測距対象
２３に当たって反射され、受光レンズ２４Ｒ及び２４Ｌ
を通って受光部２５Ｒ、２５Ｌ上に受光像が形成され
る。即ち、ＩＲＥＤ２１が点灯時には受光部２５Ｒ、２
５Ｌ上に受光像が現れ、この信号と外光が光電変換素子
によって電荷に変換される。またＩＲＥＤ２１が消灯時
には受光部２５Ｒ、２５Ｌには外光のみ当たり、光電変
換素子によって外光が電荷に変換される。受光部２５
Ｒ、２５Ｌの構成は図７及び図８を用いて説明した従来
例の構成と同じである。
に基づき説明する。まず、本実施の形態による測距装置
の基本構成を図２を参照して説明する。図２において、
コントロール回路５１は転送クロック信号ＩＲＣＬＫを
出力し、ＩＲＥＤ２１を点灯させる。このときＩＲＥＤ
２１からの投射光は、投光レンズ２２を通して測距対象
２３に当たって反射され、受光レンズ２４Ｒ及び２４Ｌ
を通って受光部２５Ｒ、２５Ｌ上に受光像が形成され
る。即ち、ＩＲＥＤ２１が点灯時には受光部２５Ｒ、２
５Ｌ上に受光像が現れ、この信号と外光が光電変換素子
によって電荷に変換される。またＩＲＥＤ２１が消灯時
には受光部２５Ｒ、２５Ｌには外光のみ当たり、光電変
換素子によって外光が電荷に変換される。受光部２５
Ｒ、２５Ｌの構成は図７及び図８を用いて説明した従来
例の構成と同じである。
【００３３】不図示のコンパレータによって図７で説明
したリングＣＣＤ４７溜まった電荷量が測距演算を行う
のに十分な所定レベルに達したと判断されると、蓄積さ
れた電荷は、出力アンプ部フローティングゲート２６
Ｒ、２６Ｌより出力アンプ２７Ｒ、２７Ｌを介してＣＰ
Ｕ２８に伝えられる。ＣＰＵ２８は転送されてきた信号
電荷のＩＲＥＤ２１点灯時と消灯時の電荷量の差分を演
算することで、受光部２５Ｒ、２５Ｌの各センサに当た
ったＩＲＥＤ２１による投光の反射光による電荷量を得
る。この得られた像データから相関演算を実施し、２つ
の受光像の相対的な位置関係を得、その結果より三角測
量の原理を利用して、測距対象２３までの距離を算出す
ることができる。
したリングＣＣＤ４７溜まった電荷量が測距演算を行う
のに十分な所定レベルに達したと判断されると、蓄積さ
れた電荷は、出力アンプ部フローティングゲート２６
Ｒ、２６Ｌより出力アンプ２７Ｒ、２７Ｌを介してＣＰ
Ｕ２８に伝えられる。ＣＰＵ２８は転送されてきた信号
電荷のＩＲＥＤ２１点灯時と消灯時の電荷量の差分を演
算することで、受光部２５Ｒ、２５Ｌの各センサに当た
ったＩＲＥＤ２１による投光の反射光による電荷量を得
る。この得られた像データから相関演算を実施し、２つ
の受光像の相対的な位置関係を得、その結果より三角測
量の原理を利用して、測距対象２３までの距離を算出す
ることができる。
【００３４】なお、本発明を構成する記憶媒体２９は、
ＣＰＵ２８が実行する後述の図３、図５のフローチャー
トに示す処理手順によるプログラムを記憶している。こ
の記憶媒体としては、半導体メモリ、光ディスク、光磁
気ディスク、磁気媒体等を用いてよい。
ＣＰＵ２８が実行する後述の図３、図５のフローチャー
トに示す処理手順によるプログラムを記憶している。こ
の記憶媒体としては、半導体メモリ、光ディスク、光磁
気ディスク、磁気媒体等を用いてよい。
【００３５】次に、図１を参照して、第１の実施の形態
による測距装置の動作を説明する。なお、以下の説明で
は信号ＩＲＣＬＫ、ＩＣＧパルス、ＳＴパルス、ＳＨパ
ルスは、図１０で説明したのと同様の役割を持つものと
する。図１（ａ）は、積分部１２での積分時間が最大の
場合のタイミングチャートである。この場合、信号ＩＲ
ＣＬＫ、ＩＣＧパルス、ＳＴパルス、ＳＨパルスのタイ
ミングは図１０（ａ）と同じである。図１（ｂ）は、積
分部１２での積分時間を図１（ａ）の半分とした場合の
タイミングチャートである。この場合、ＩＣＧリセット
パルスと信号ＩＲＣＬＫ以外のＳＴパルスおよびＳＨパ
ルスのタイミングは図１（ａ）と同じである。また、Ｉ
ＣＧリセットパルスは、図１０（ｂ）と同じタイミング
で動作し、それによって積分部１２での積分時間が図１
（ａ）の１／２になるようにしている。また信号ＩＲＣ
ＬＫはＩＣＧリセットパルスによって設定された積分時
間中はＩＲＥＤを点灯させている範囲で、ハイレベルと
なる時間を図１（ａ）よりも短くする。
による測距装置の動作を説明する。なお、以下の説明で
は信号ＩＲＣＬＫ、ＩＣＧパルス、ＳＴパルス、ＳＨパ
ルスは、図１０で説明したのと同様の役割を持つものと
する。図１（ａ）は、積分部１２での積分時間が最大の
場合のタイミングチャートである。この場合、信号ＩＲ
ＣＬＫ、ＩＣＧパルス、ＳＴパルス、ＳＨパルスのタイ
ミングは図１０（ａ）と同じである。図１（ｂ）は、積
分部１２での積分時間を図１（ａ）の半分とした場合の
タイミングチャートである。この場合、ＩＣＧリセット
パルスと信号ＩＲＣＬＫ以外のＳＴパルスおよびＳＨパ
ルスのタイミングは図１（ａ）と同じである。また、Ｉ
ＣＧリセットパルスは、図１０（ｂ）と同じタイミング
で動作し、それによって積分部１２での積分時間が図１
（ａ）の１／２になるようにしている。また信号ＩＲＣ
ＬＫはＩＣＧリセットパルスによって設定された積分時
間中はＩＲＥＤを点灯させている範囲で、ハイレベルと
なる時間を図１（ａ）よりも短くする。
【００３６】まず、信号ＩＲＣＬＫがオフになってから
およそＴ1/2 が経過してから間もなくＩＣＧパルスａに
よってＩＣＧゲート４３がリセットされる。この後、期
間Ｔ 1/2 後にＳＴパルスｂによって、ＩＲＥＤがオフの
期間に対応した信号電荷（外光成分）が積分部４２から
蓄積部４４へシフトされ、さらに信号ＩＲＣＬＫがオフ
になる直前のＳＨパルスｃによって蓄積部４４からリニ
アＣＣＤ４６にシフトされる。
およそＴ1/2 が経過してから間もなくＩＣＧパルスａに
よってＩＣＧゲート４３がリセットされる。この後、期
間Ｔ 1/2 後にＳＴパルスｂによって、ＩＲＥＤがオフの
期間に対応した信号電荷（外光成分）が積分部４２から
蓄積部４４へシフトされ、さらに信号ＩＲＣＬＫがオフ
になる直前のＳＨパルスｃによって蓄積部４４からリニ
アＣＣＤ４６にシフトされる。
【００３７】次に、ＳＴパルスｂが立ち下がってからお
よそＴ1/2 が経過する頃に信号ＩＲＣＬＫをオンにし、
その直後にＩＣＧパルスｄによってＩＣＧゲート４３が
リセットされる。この後、期間Ｔ1/2 後に信号ＩＲＣＬ
Ｋがオフになる直前のＳＴパルスｅによって、ＩＲＥＤ
がオンの期間に対応した信号電荷（外光＋信号成分）が
積分部４２から蓄積部４４へシフトされ、さらに信号Ｉ
ＲＣＬＫがオフになる直前のＳＨパルスｆによって蓄積
部４４からリニアＣＣＤ４６にシフトされる。
よそＴ1/2 が経過する頃に信号ＩＲＣＬＫをオンにし、
その直後にＩＣＧパルスｄによってＩＣＧゲート４３が
リセットされる。この後、期間Ｔ1/2 後に信号ＩＲＣＬ
Ｋがオフになる直前のＳＴパルスｅによって、ＩＲＥＤ
がオンの期間に対応した信号電荷（外光＋信号成分）が
積分部４２から蓄積部４４へシフトされ、さらに信号Ｉ
ＲＣＬＫがオフになる直前のＳＨパルスｆによって蓄積
部４４からリニアＣＣＤ４６にシフトされる。
【００３８】このように、第１の実施の形態では、ＩＣ
Ｇパルスのタイミングう制御することで、積分部４２で
の積分時間を制御し、１回の電荷蓄積によるリングＣＣ
Ｄ４７の電位変化量を調節するとともに、信号ＩＲＣＬ
Ｋのハイレベルの期間もＩＣＧパルスによって制御され
た積分時間に応じて制御することによって、ＩＲＥＤの
点灯時間を調節し、即ち、信号分の電位変化量を調節し
ている。
Ｇパルスのタイミングう制御することで、積分部４２で
の積分時間を制御し、１回の電荷蓄積によるリングＣＣ
Ｄ４７の電位変化量を調節するとともに、信号ＩＲＣＬ
Ｋのハイレベルの期間もＩＣＧパルスによって制御され
た積分時間に応じて制御することによって、ＩＲＥＤの
点灯時間を調節し、即ち、信号分の電位変化量を調節し
ている。
【００３９】次に、第１の実施の形態による測距装置の
動作を図３のフローチャートに基づいて説明する。ま
ず、コントロール回路５１にスタート信号ＳＴＡＲＴが
印加されると（ステップＳ３０１）、コントロール回路
５１はＩＣＧゲート部４３へのリセットパルス発生回路
５２を制御し、図１（ａ）のタイミングでＩＣＧパル
ス、ＳＴパルスおよびＳＨパルスを発生させて、積分部
４２の積分時間をＴ1 に設定する（ステップＳ３０
２）。また同時に図１（ａ）のタイミング信号ＩＲＣＬ
Ｋを発生させて、ＩＲＥＤの点灯デューティをオンの期
間とオフの期間が等しくなるように設定する（ステップ
Ｓ３０３）。
動作を図３のフローチャートに基づいて説明する。ま
ず、コントロール回路５１にスタート信号ＳＴＡＲＴが
印加されると（ステップＳ３０１）、コントロール回路
５１はＩＣＧゲート部４３へのリセットパルス発生回路
５２を制御し、図１（ａ）のタイミングでＩＣＧパル
ス、ＳＴパルスおよびＳＨパルスを発生させて、積分部
４２の積分時間をＴ1 に設定する（ステップＳ３０
２）。また同時に図１（ａ）のタイミング信号ＩＲＣＬ
Ｋを発生させて、ＩＲＥＤの点灯デューティをオンの期
間とオフの期間が等しくなるように設定する（ステップ
Ｓ３０３）。
【００４０】次に、リングＣＣＤ４７でリセット後の１
回目きリング転送を行わせ（ステップＳ３０４）、引き
続いて２回目のリング転送を行わせる（ステップＳ３０
５）。そして、２回目のリング転送が終了した時点での
電圧バッファ回路４９の出力電圧がスキム判定電圧より
も大きいか否か（出力電位がスキム判定電位よりも低い
か否か）を判定する（ステップＳ３０６）。
回目きリング転送を行わせ（ステップＳ３０４）、引き
続いて２回目のリング転送を行わせる（ステップＳ３０
５）。そして、２回目のリング転送が終了した時点での
電圧バッファ回路４９の出力電圧がスキム判定電圧より
も大きいか否か（出力電位がスキム判定電位よりも低い
か否か）を判定する（ステップＳ３０６）。
【００４１】出力電圧がステム判定電圧よりも大きいと
きにはコントロール回路５１はリセットパルス発生回路
５２を制御し、図１（ｂ）のタイミングで、ＩＣＧパル
ス、ＳＴパルスおよびＳＨパルスを発生させて積分部４
２の積分時間をＴ1/2 に設定し（ステップＳ３０７）、
同時に図１（ｂ）のタイミングで信号ＩＲＣＬＫをを発
生させ、少なくとも上記積分時間Ｔ1/2 の間はオンであ
る範囲でＩＲＥＤのオンの時間を短くし（ステップＳ３
０８）、リングＣＣＤ４７での蓄積動作を継続する（ス
テップＳ３０９）。
きにはコントロール回路５１はリセットパルス発生回路
５２を制御し、図１（ｂ）のタイミングで、ＩＣＧパル
ス、ＳＴパルスおよびＳＨパルスを発生させて積分部４
２の積分時間をＴ1/2 に設定し（ステップＳ３０７）、
同時に図１（ｂ）のタイミングで信号ＩＲＣＬＫをを発
生させ、少なくとも上記積分時間Ｔ1/2 の間はオンであ
る範囲でＩＲＥＤのオンの時間を短くし（ステップＳ３
０８）、リングＣＣＤ４７での蓄積動作を継続する（ス
テップＳ３０９）。
【００４２】また、出力電圧がスキム判定電圧よりも小
さいときには、信号ＩＲＣＬＫ、ＩＣＧパルス、ＳＴパ
ルスおよびＳＨパルスのタイミング変更を行わず、リン
グＣＣＤ４７での蓄積動作を継続する（ステップＳ３０
９）。
さいときには、信号ＩＲＣＬＫ、ＩＣＧパルス、ＳＴパ
ルスおよびＳＨパルスのタイミング変更を行わず、リン
グＣＣＤ４７での蓄積動作を継続する（ステップＳ３０
９）。
【００４３】以上説明したように、第１の実施の形態で
は、出力電位が飽和するのを防止するためにＩＣＧ制御
を行い、積分部４２での積分時間が１／２になるように
したときに、実際には電荷を積分していない時間はなる
べくＩＲＥＤを点灯せずに、少なくとも電荷を積分して
いる期間は点灯している範囲で、ＩＲＥＤの点灯期間を
短くすることで、無駄な電力を消費するのを抑える。特
に例えば、この測定装置をカメラのＡＦ装置として用い
た場合、カメラの電池の消耗を抑えることができ、また
ＩＲＥＤの耐久性という点でも長持ちする方向に働く。
は、出力電位が飽和するのを防止するためにＩＣＧ制御
を行い、積分部４２での積分時間が１／２になるように
したときに、実際には電荷を積分していない時間はなる
べくＩＲＥＤを点灯せずに、少なくとも電荷を積分して
いる期間は点灯している範囲で、ＩＲＥＤの点灯期間を
短くすることで、無駄な電力を消費するのを抑える。特
に例えば、この測定装置をカメラのＡＦ装置として用い
た場合、カメラの電池の消耗を抑えることができ、また
ＩＲＥＤの耐久性という点でも長持ちする方向に働く。
【００４４】次に、第２の実施の形態について説明す
る。測距装置の構成は、図２と同じである。図４を参照
して、第２実施の形態による測距装置の動作を説明す
る。信号ＩＲＣＬＫ、ＩＣＧパルス、ＳＴパルス、ＳＨ
パルスは、図１０で説明したのと同様の役割を持つ。図
４（ａ）は、積分部４２での積分時間が最大の場合のタ
イミングチャートである。この場合は、信号ＩＲＣＬ
Ｋ、ＩＣＧパルス、ＳＴパルス、ＳＨパルスのタイミン
グは図１０（ａ）と同じである。
る。測距装置の構成は、図２と同じである。図４を参照
して、第２実施の形態による測距装置の動作を説明す
る。信号ＩＲＣＬＫ、ＩＣＧパルス、ＳＴパルス、ＳＨ
パルスは、図１０で説明したのと同様の役割を持つ。図
４（ａ）は、積分部４２での積分時間が最大の場合のタ
イミングチャートである。この場合は、信号ＩＲＣＬ
Ｋ、ＩＣＧパルス、ＳＴパルス、ＳＨパルスのタイミン
グは図１０（ａ）と同じである。
【００４５】図４（ｂ）は、積分部４２での積分時間を
図４（ａ）の半分とした場合のタイミングチャートであ
る。この場合、信号ＩＲＣＬＫ以外のＩＣＧリセットパ
ルスおよびＳＨパルスのタイミングは図１（ｂ）と同じ
である。また、信号ＩＲＣＬＫもタイミングは図１
（ｂ）と同じであるが、ＩＲＥＤ駆動電流は図４（ａ）
の時（Ｉ＝Ｉ1 ）よりも大きな値（Ｉ＝Ｉ2 ）とする。
図４（ａ）の半分とした場合のタイミングチャートであ
る。この場合、信号ＩＲＣＬＫ以外のＩＣＧリセットパ
ルスおよびＳＨパルスのタイミングは図１（ｂ）と同じ
である。また、信号ＩＲＣＬＫもタイミングは図１
（ｂ）と同じであるが、ＩＲＥＤ駆動電流は図４（ａ）
の時（Ｉ＝Ｉ1 ）よりも大きな値（Ｉ＝Ｉ2 ）とする。
【００４６】次に、第２の実施の形態による測距装置の
動作を図５のフローチャートに基づいて説明する。ま
ず、コントロール回路５１にスタート信号ＳＴＡＲＴが
印加されると（ステップＳ７０１）、コントロール回路
５１はＩＣＧゲート部４３へのリセットパルス発生回路
５２を制御し、図４（ａ）のタイミングでＩＣＧパル
ス、ＳＴパルスおよびＳＨパルスを発生させて、積分部
４２の積分時間をＴ1 に設定する（ステップＳ７０
２）。また同時に図４（ａ）のタイミングで信号ＩＲＣ
ＬＫを発生させて、ＩＲＥＤの点灯デューティをオンの
期間とオフの期間が等しくなるように設定する。（ステ
ップＳ７０３）。次にＩＲＥＤの駆動電流を初期値1 に
設定する。（ステップＳ７０４）。
動作を図５のフローチャートに基づいて説明する。ま
ず、コントロール回路５１にスタート信号ＳＴＡＲＴが
印加されると（ステップＳ７０１）、コントロール回路
５１はＩＣＧゲート部４３へのリセットパルス発生回路
５２を制御し、図４（ａ）のタイミングでＩＣＧパル
ス、ＳＴパルスおよびＳＨパルスを発生させて、積分部
４２の積分時間をＴ1 に設定する（ステップＳ７０
２）。また同時に図４（ａ）のタイミングで信号ＩＲＣ
ＬＫを発生させて、ＩＲＥＤの点灯デューティをオンの
期間とオフの期間が等しくなるように設定する。（ステ
ップＳ７０３）。次にＩＲＥＤの駆動電流を初期値1 に
設定する。（ステップＳ７０４）。
【００４７】次に、リングＣＣＤ４７でリセット後の１
回目のリング転送を行わせ（ステップＳ７０５）、引き
続いて２回目のリング転送を行わせる（ステップＳ７０
６）。そして、２回目のリング転送が終了した時点での
電圧バッファ回路４９の出力電圧がスキム判定電圧より
も大きいか否か（出力電位がスキム判定電位よりも低い
か否か）を判断する（ステップＳ７０７）。
回目のリング転送を行わせ（ステップＳ７０５）、引き
続いて２回目のリング転送を行わせる（ステップＳ７０
６）。そして、２回目のリング転送が終了した時点での
電圧バッファ回路４９の出力電圧がスキム判定電圧より
も大きいか否か（出力電位がスキム判定電位よりも低い
か否か）を判断する（ステップＳ７０７）。
【００４８】出力電圧がスキム判定電圧よりも大きいと
きにはコントロール回路５１はリセットパルス発生回路
５２を制御し、図４（ｂ）のタイミングで、ＩＣＧパル
ス、ＳＴパルスおらびＳＨパルスを発生させて積分部４
２の積分時間をＴ1/2 に設定し（ステップＳ７０８）、
同時に図４（ｂ）のタイミングで信号ＩＲＣＬＫを発生
させ、少なくとも上記積分時間Ｔ1/2 の間はオンである
範囲でＩＲＥＤのオンの時間を短くし（ステップＳ７０
９）、ＩＲＥＤの駆動電流を（Ｉ2 ＞１1 ）に設定し
（ステップＳ７１０）、リングＣＣＤ４７での蓄積動作
を継続する（ステップＳ７１１）。
きにはコントロール回路５１はリセットパルス発生回路
５２を制御し、図４（ｂ）のタイミングで、ＩＣＧパル
ス、ＳＴパルスおらびＳＨパルスを発生させて積分部４
２の積分時間をＴ1/2 に設定し（ステップＳ７０８）、
同時に図４（ｂ）のタイミングで信号ＩＲＣＬＫを発生
させ、少なくとも上記積分時間Ｔ1/2 の間はオンである
範囲でＩＲＥＤのオンの時間を短くし（ステップＳ７０
９）、ＩＲＥＤの駆動電流を（Ｉ2 ＞１1 ）に設定し
（ステップＳ７１０）、リングＣＣＤ４７での蓄積動作
を継続する（ステップＳ７１１）。
【００４９】また、出力電圧がスキム判定電圧よりも小
さいときには信号ＩＲＣＬＫ、ＩＣＧパルス、ＳＴパル
スおよびＳＨパルスのタイミング変更を行わず、リング
ＣＣＤ４７での蓄積動作を継続する（ステップＳ７１
１）。
さいときには信号ＩＲＣＬＫ、ＩＣＧパルス、ＳＴパル
スおよびＳＨパルスのタイミング変更を行わず、リング
ＣＣＤ４７での蓄積動作を継続する（ステップＳ７１
１）。
【００５０】以上説明したように、第２の実施の形態で
は、出力電位が飽和するのを防止するためにＩＣＧ制御
を行い、積分部１２での積分時間が１／２になるように
した場合、ＩＲＥＤ光の測距対象による反射光成分に相
当する信号電荷量も１／２になってしまうが、ＩＲＥＤ
駆動電流を大きくすることで測距演算に用いる信号電荷
量の減少を抑えている。また、ＩＣＧ制御により積分時
間を１／２にしたときに、同時にＩＲＥＤのオンの時間
も短くしているが、これにより、ＩＲＥＤの点灯デュー
ティーが小さくなる分、より多くの電流を流すことが可
能となることも、本実施の形態の効果を更に大きなもの
としている。
は、出力電位が飽和するのを防止するためにＩＣＧ制御
を行い、積分部１２での積分時間が１／２になるように
した場合、ＩＲＥＤ光の測距対象による反射光成分に相
当する信号電荷量も１／２になってしまうが、ＩＲＥＤ
駆動電流を大きくすることで測距演算に用いる信号電荷
量の減少を抑えている。また、ＩＣＧ制御により積分時
間を１／２にしたときに、同時にＩＲＥＤのオンの時間
も短くしているが、これにより、ＩＲＥＤの点灯デュー
ティーが小さくなる分、より多くの電流を流すことが可
能となることも、本実施の形態の効果を更に大きなもの
としている。
【００５１】なお、上記、第１、第２の実施の形態の測
距装置では、センサデバイスを２つ用いて２つの受光系
を構成し、２つの受光像の相関により測距を求める方法
について説明したが、センサデバイスを１つ用いて、Ｐ
ＳＤを用いた測距装置のように、受光像の重心位置から
三角測量の原理を用いて距離を求めることも可能であ
る。
距装置では、センサデバイスを２つ用いて２つの受光系
を構成し、２つの受光像の相関により測距を求める方法
について説明したが、センサデバイスを１つ用いて、Ｐ
ＳＤを用いた測距装置のように、受光像の重心位置から
三角測量の原理を用いて距離を求めることも可能であ
る。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように請求項１、２、５、
６の発明によれば、測定したい測定対象にスポットパル
ス光を投光、その反射光を受光して三角測距する測距装
置に、少なくともその一部リング状に形成されたＣＣＤ
等からなるリング部で蓄積電荷を巡回させて積分し、ま
た、スポット光以外の外光成分の電荷を一定排斥するス
キム動作を備えるとともに、出力電位が飽和しないよう
に、各センサ画素からの信号電荷量を制御するゲート手
段、リセットパルス等で行われる電子シャッタ機能（Ｉ
ＣＧ）を備えた測距装置において、ＩＣＧの設定状態に
応じて投光手段点灯デューティ比を変える等により点灯
時間を変えることにより、ＩＣＧにより短くなった蓄電
時間に応じて、電荷蓄積をしていないときはＩＲＥＤを
オフにすることで、無駄な電力の消費を抑えることがで
きる。
６の発明によれば、測定したい測定対象にスポットパル
ス光を投光、その反射光を受光して三角測距する測距装
置に、少なくともその一部リング状に形成されたＣＣＤ
等からなるリング部で蓄積電荷を巡回させて積分し、ま
た、スポット光以外の外光成分の電荷を一定排斥するス
キム動作を備えるとともに、出力電位が飽和しないよう
に、各センサ画素からの信号電荷量を制御するゲート手
段、リセットパルス等で行われる電子シャッタ機能（Ｉ
ＣＧ）を備えた測距装置において、ＩＣＧの設定状態に
応じて投光手段点灯デューティ比を変える等により点灯
時間を変えることにより、ＩＣＧにより短くなった蓄電
時間に応じて、電荷蓄積をしていないときはＩＲＥＤを
オフにすることで、無駄な電力の消費を抑えることがで
きる。
【００５３】また、請求項３、４、７、８の発明によれ
ば、ＩＣＧの設定状態に応じて投光手段の点灯デューテ
ィ比及び電流値を変えることにより、ＩＣＧによって蓄
積時間を減少させても、投光手段の電流を増やすこと
で、信号分電荷の蓄積量の減少を抑えることができる。
ば、ＩＣＧの設定状態に応じて投光手段の点灯デューテ
ィ比及び電流値を変えることにより、ＩＣＧによって蓄
積時間を減少させても、投光手段の電流を増やすこと
で、信号分電荷の蓄積量の減少を抑えることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による測距装置の動
作のタイミングを示すタイミングチャートである。
作のタイミングを示すタイミングチャートである。
【図２】本発明の第１、２の実施の形態による測距装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の動作を説明するフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図４】本発明の第２の実施の形態による測距装置の動
作タイミングを示すタイミングチャートである。
作タイミングを示すタイミングチャートである。
【図５】本発明の第２の実施の形態の動作を説明するフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図６】従来の測距装置の測定の原理を示す概略構成図
である。
である。
【図７】本発明を適用し得る従来の測距装置の電荷転送
部付近の概略構成図である。
部付近の概略構成図である。
【図８】図７の装置の要部を示す概略構成図である。
【図９】図７の従来例の動作原理を説明するための構成
図である。
図である。
【図１０】図７の従来例による測距装置の動作タイミン
グを示すタイミングチャートである。
グを示すタイミングチャートである。
【図１１】図７の従来例の動作を説明するフローチャー
トである。
トである。
２１ ＩＲＥＤ（投光素子） ２２ ＡＦ投光レンズ ２３ 測距対象物 ２４ ＡＦ受光レンズ ２５ 受光部 ２６ 出力アンプ部フローティングゲート ２７ 出力アンプ ２８ ＣＰＵ ４１ センサアレイ ４２ 積分部 ４３ クリア部（ＩＣＧゲート）部 ４４ 蓄積部 ４５ シフト部 ４６ リニアＣＣＤ ４７ リングＣＣＤ ４８ スキム部 ４９ 電圧バッファ部 ５０ スキム判定部 ５１ コントロール回路 ５２ リセットパルス発生回路
Claims (8)
- 【請求項１】 測定対象にスポット投光し、その反射光
を受光して三角測距を行う測距装置であって、上記測定
対象にパルス光を投光するための投光手段と、上記測定
対象からの反射光を受光して光電変換する複数のセンサ
が配列されたセンサアレイと、上記センサアレイにおけ
る各センサからの出力電荷を積分する積分手段と、上記
積分手段から電荷を抜き取るためのゲート手段と、上記
ゲート手段にリセットパルスを供給するリセットパルス
発生手段と、少なくとも一部がリング状に結合されて電
荷を順次に巡回させて蓄積するリング部を有し上記積分
手段で積分された電荷を転送する電荷転送手段と、上記
リング部で転送されている電荷から一定量の電荷を除去
するスキム手段と、上記リング部の電位が所定の判定電
位以下となったとき上記スキム手段を動作させるととも
に、複数回の電荷蓄積を行った際の上記リング部の電位
が上記判定電位以下であったとき上記積分手段での電荷
蓄積時間が短くなるように上記リセットパルス発生手段
で発生するリセットパルスのタイミングを制御する制御
手段とを備えた測距装置において、 上記制御手段によって制御された上記電荷蓄積時間に応
じて上記投光手段の点灯時間を変更する変更手段を設け
たことを特徴とする測距装置。 - 【請求項２】 上記制御手段により上記電荷蓄積時間を
短く設定したときに、上記投光手段はその点灯時間を少
なくとも上記積分手段での電荷蓄積期間中は点灯状態で
ある範囲で短くすることを特徴とする請求項１記載の測
距装置。 - 【請求項３】 上記制御手段は、上記投光手段の点灯時
間に応じて上記投光手段の駆動電流を変えることを特徴
とする請求項１記載の測距装置。 - 【請求項４】 上記投光手段の点灯時間が短い程、上記
投光手段の駆動電流を大きくすることを特徴とする請求
項３記載の測距装置。 - 【請求項５】 測定対象にパルス光を投光するための投
光手順と、 上記測定対象からの反射光を複数の光電変換センサが配
列されたセンサアレイで受光する受光手順と、 上記センサアレイの各センサからの出力電荷を積分する
積分手順と、 上記積分電荷から電荷を抜き取るゲート手順と、 上記ゲート手順をリセットパルスでリセットするリセッ
ト手順と、 少なくとも一部がリング状に結合されて電荷を順次に巡
回させて蓄積するリング部を有する電荷転送手段を用い
て上記積分された電荷を転送する電荷転送手順と、 上記リング部で転送されている電荷から一定量の電荷を
除去するスキム手順と、 上記リング部の電位が所定の判定電位以下となったとき
前記スキム手順を実行させるとともに、複数回の電荷蓄
積を行った際の上記リング部の電位が上記判定電位以下
であったとき上記積分手順での電荷蓄積時間が短くなる
ように上記リセットパルスのタイミングを制御する制御
手順と、 上記制御された電荷蓄積時間に応じて上記投光手順で用
いる投光手段の点灯時間を変更する変更処理とを実行す
るためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可
能な記憶媒体。 - 【請求項６】 上記制御手段により電荷蓄積時間を短く
設定したときに、上記点灯時間を少なくとも上記積分手
順での電荷蓄積期間中は点灯状態である範囲で短くする
ことを特徴とする請求項５記載のコンピュータ読み取り
可能な記憶媒体。 - 【請求項７】 上記点灯時間に応じて上記投光手段の駆
動電流を変える手順を設けたことを特徴とする請求項５
記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 - 【請求項８】 上記点灯時間が短い程、上記投光手段の
駆動電流を大きくすることを特徴とする請求項７記載の
コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10125737A JPH11325886A (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | 測距装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| US09/304,308 US6104476A (en) | 1998-05-08 | 1999-05-03 | Distance measuring apparatus and computer readable storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10125737A JPH11325886A (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | 測距装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11325886A true JPH11325886A (ja) | 1999-11-26 |
Family
ID=14917549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10125737A Pending JPH11325886A (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | 測距装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6104476A (ja) |
| JP (1) | JPH11325886A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4846811B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2011-12-28 | シャープ株式会社 | 光スポット位置検出装置およびそれを含む光デバイス、並びに、その光デバイスを含む電子機器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5850282A (en) * | 1995-10-11 | 1998-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Distance measuring device |
| US5848305A (en) * | 1996-01-31 | 1998-12-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Circulating shift register and distance measuring device |
| US5963308A (en) * | 1996-02-20 | 1999-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Distance measuring apparatus |
| US5870178A (en) * | 1996-02-20 | 1999-02-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Distance measuring apparatus |
-
1998
- 1998-05-08 JP JP10125737A patent/JPH11325886A/ja active Pending
-
1999
- 1999-05-03 US US09/304,308 patent/US6104476A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6104476A (en) | 2000-08-15 |
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