JPH11323046A - 樹脂組成物 - Google Patents
樹脂組成物Info
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- JPH11323046A JPH11323046A JP13540898A JP13540898A JPH11323046A JP H11323046 A JPH11323046 A JP H11323046A JP 13540898 A JP13540898 A JP 13540898A JP 13540898 A JP13540898 A JP 13540898A JP H11323046 A JPH11323046 A JP H11323046A
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- inorganic
- resin composition
- inorganic particles
- thermoplastic resin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １ＧＨｚ以上の高周波数領域で大きい比誘電
率と小さい誘電正接を有する回路基板や、大きい比誘電
率と小さい誘電正接を有する電波レンズを形成すること
が可能な、樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 樹脂組成物に、下記（Ａ）の熱可塑性樹
脂及び下記（Ｂ）の無機粒子を含有する。 （Ａ）シンジオタクチックポリスチレン及びポリオレフ
ィンからなる群の中から選ばれた少なくとも１種。 （Ｂ）チタニア、チタン酸マグネシウム、チタン酸スト
ロンチウム、チタン酸カルシウム及びアルミナからなる
群の中から選ばれた少なくとも１種。
率と小さい誘電正接を有する回路基板や、大きい比誘電
率と小さい誘電正接を有する電波レンズを形成すること
が可能な、樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 樹脂組成物に、下記（Ａ）の熱可塑性樹
脂及び下記（Ｂ）の無機粒子を含有する。 （Ａ）シンジオタクチックポリスチレン及びポリオレフ
ィンからなる群の中から選ばれた少なくとも１種。 （Ｂ）チタニア、チタン酸マグネシウム、チタン酸スト
ロンチウム、チタン酸カルシウム及びアルミナからなる
群の中から選ばれた少なくとも１種。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波用の回路基
板や電波レンズ等に使用される樹脂組成物に関するもの
である。
板や電波レンズ等に使用される樹脂組成物に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】高度情報化時代を迎え、情報伝送はより
高速化・高周波化の傾向にある。特に近年では、ＩＴＳ
(Intelligent Transport Systems)関連の研究開発をは
じめ、１ＧＨｚ以上の周波数が盛んに使われる傾向にあ
る。これらの情報伝送に使用される機器は小型化が望ま
れており、ＩＴＳ関連の車載用途等では設置できるスペ
ースが限られることから特に小型化が望まれている。
高速化・高周波化の傾向にある。特に近年では、ＩＴＳ
(Intelligent Transport Systems)関連の研究開発をは
じめ、１ＧＨｚ以上の周波数が盛んに使われる傾向にあ
る。これらの情報伝送に使用される機器は小型化が望ま
れており、ＩＴＳ関連の車載用途等では設置できるスペ
ースが限られることから特に小型化が望まれている。
【０００３】なお、高周波用の回路基板の大きさは、使
用電磁波の波長が基準となっているため、比誘電率εｒ
が大きいことが望まれている。これは、比誘電率εｒの
誘電体中を伝播する際の電磁波の波長λは、真空中の伝
播波長をλ０とすると下記式（ａ）で表される波長とな
るため、回路基板に用いる材料の比誘電率εｒが大きい
程、回路基板を小型化することが可能となるためであ
る。
用電磁波の波長が基準となっているため、比誘電率εｒ
が大きいことが望まれている。これは、比誘電率εｒの
誘電体中を伝播する際の電磁波の波長λは、真空中の伝
播波長をλ０とすると下記式（ａ）で表される波長とな
るため、回路基板に用いる材料の比誘電率εｒが大きい
程、回路基板を小型化することが可能となるためであ
る。
【０００４】
【数１】
【０００５】また、電波レンズにおいても、比誘電率ε
ｒが大きいことが望まれている。これは、比誘電率εｒ
の誘電体を電波レンズに使用した場合、焦点距離ｆは下
記式（ｂ）で表される値となるため、電波レンズに用い
る材料の比誘電率εｒが大きいほど機器を小型化するこ
とが可能となるためである。なお、式（ｂ）中、ｒ１，
ｒ２はレンズの曲率半径を表す。
ｒが大きいことが望まれている。これは、比誘電率εｒ
の誘電体を電波レンズに使用した場合、焦点距離ｆは下
記式（ｂ）で表される値となるため、電波レンズに用い
る材料の比誘電率εｒが大きいほど機器を小型化するこ
とが可能となるためである。なお、式（ｂ）中、ｒ１，
ｒ２はレンズの曲率半径を表す。
【０００６】
【数２】
【０００７】更に、高周波用の回路基板や電波レンズに
使われる材料の特性として、誘電正接（ｔａｎδ）が小
さいことも望まれている。これは、伝送中の損失Ｐは下
記式（ｃ）で表されるため、誘電正接（ｔａｎδ）が大
きくなると、伝送中の損失Ｐが大きくなるためである。
なお、式（ｃ）中、ｆは周波数を表し、Ｖは電圧を表
し、ｃは誘電体の静電容量を表す。
使われる材料の特性として、誘電正接（ｔａｎδ）が小
さいことも望まれている。これは、伝送中の損失Ｐは下
記式（ｃ）で表されるため、誘電正接（ｔａｎδ）が大
きくなると、伝送中の損失Ｐが大きくなるためである。
なお、式（ｃ）中、ｆは周波数を表し、Ｖは電圧を表
し、ｃは誘電体の静電容量を表す。
【０００８】
【数３】
【０００９】なお、従来より高周波用の回路基板や電波
レンズ用の材料として、樹脂系材料やセラミック系材料
の使用が検討されている。なお、樹脂系材料は、セラミ
ック系材料に比べて、価格や後加工性の点で優れている
が、一般的に比誘電率が小さいという問題点があった。
レンズ用の材料として、樹脂系材料やセラミック系材料
の使用が検討されている。なお、樹脂系材料は、セラミ
ック系材料に比べて、価格や後加工性の点で優れている
が、一般的に比誘電率が小さいという問題点があった。
【００１０】そのため、樹脂系材料の比誘電率を高める
ために、ポリフッ化ビニリデン（εｒ=１３）やシアノ
樹脂（εｒ=１６〜２０）などの高誘電率樹脂を用いる
方法が検討されているが、この場合、損失が大きく、高
周波用の回路基板や電波レンズの材料としては適してい
ない。
ために、ポリフッ化ビニリデン（εｒ=１３）やシアノ
樹脂（εｒ=１６〜２０）などの高誘電率樹脂を用いる
方法が検討されているが、この場合、損失が大きく、高
周波用の回路基板や電波レンズの材料としては適してい
ない。
【００１１】そこで、樹脂中に無機誘電体粒子を分散し
て比誘電率を大きくする複合化技術が注目され検討され
ている（例えば、特公昭４９−２５１５９号、特公昭５
４−１８７５４号、特開平５−１２８９１２号）。しか
し、特公昭４９−２５１５９号公報や特公昭５４−１８
７５４号公報に記載された樹脂系材料については、高周
波用途に用いるための工夫がなされておらず、損失が大
きいため高周波用の回路基板や電波レンズの用途には適
していない。
て比誘電率を大きくする複合化技術が注目され検討され
ている（例えば、特公昭４９−２５１５９号、特公昭５
４−１８７５４号、特開平５−１２８９１２号）。しか
し、特公昭４９−２５１５９号公報や特公昭５４−１８
７５４号公報に記載された樹脂系材料については、高周
波用途に用いるための工夫がなされておらず、損失が大
きいため高周波用の回路基板や電波レンズの用途には適
していない。
【００１２】また、特開平５−１２８９１２号公報で
は、樹脂にポリフェニレンオキサイド、トリアリルイソ
シアネレート、無機誘電体粒子にチタニアを用い、それ
をガラスクロスで補強する樹脂系材料が提案されてい
る。この樹脂系材料の場合、損失が改善されているが、
この樹脂系材料を用いても、誘電正接は０．００３程度
の値であり、高周波用の回路基板や電波レンズには不十
分である。そのため、更に大きな比誘電率と、小さな誘
電正接を有する樹脂系材料が望まれている。
は、樹脂にポリフェニレンオキサイド、トリアリルイソ
シアネレート、無機誘電体粒子にチタニアを用い、それ
をガラスクロスで補強する樹脂系材料が提案されてい
る。この樹脂系材料の場合、損失が改善されているが、
この樹脂系材料を用いても、誘電正接は０．００３程度
の値であり、高周波用の回路基板や電波レンズには不十
分である。そのため、更に大きな比誘電率と、小さな誘
電正接を有する樹脂系材料が望まれている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、１ＧＨｚ以上の高周波数領域で大きな比誘電率と
小さな誘電正接を有する回路基板や、大きな比誘電率と
小さな誘電正接を有する電波レンズを形成することが可
能な、樹脂組成物を提供することにある。
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、１ＧＨｚ以上の高周波数領域で大きな比誘電率と
小さな誘電正接を有する回路基板や、大きな比誘電率と
小さな誘電正接を有する電波レンズを形成することが可
能な、樹脂組成物を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
樹脂組成物は、回路基板用または電波レンズ用樹脂組成
物であって、下記（Ａ）の熱可塑性樹脂及び下記（Ｂ）
の無機粒子を含有することを特徴とする。 （Ａ）シンジオタクチックポリスチレン及びポリオレフ
ィンからなる群の中から選ばれた少なくとも１種。 （Ｂ）チタニア、チタン酸マグネシウム、チタン酸スト
ロンチウム、チタン酸カルシウム及びアルミナからなる
群の中から選ばれた少なくとも１種。
樹脂組成物は、回路基板用または電波レンズ用樹脂組成
物であって、下記（Ａ）の熱可塑性樹脂及び下記（Ｂ）
の無機粒子を含有することを特徴とする。 （Ａ）シンジオタクチックポリスチレン及びポリオレフ
ィンからなる群の中から選ばれた少なくとも１種。 （Ｂ）チタニア、チタン酸マグネシウム、チタン酸スト
ロンチウム、チタン酸カルシウム及びアルミナからなる
群の中から選ばれた少なくとも１種。
【００１５】本発明の請求項２に係る樹脂組成物は、請
求項１記載の樹脂組成物において、前記（Ａ）の熱可塑
性樹脂及び前記（Ｂ）の無機粒子の合計１００重量部に
対し、前記（Ａ）の熱可塑性樹脂を、１０〜９０重量部
含有することを特徴とする。
求項１記載の樹脂組成物において、前記（Ａ）の熱可塑
性樹脂及び前記（Ｂ）の無機粒子の合計１００重量部に
対し、前記（Ａ）の熱可塑性樹脂を、１０〜９０重量部
含有することを特徴とする。
【００１６】本発明の請求項３に係る樹脂組成物は、請
求項１又は請求項２記載の樹脂組成物において、前記
（Ａ）の熱可塑性樹脂として、シンジオタクチックポリ
スチレンを含有することを特徴とする。
求項１又は請求項２記載の樹脂組成物において、前記
（Ａ）の熱可塑性樹脂として、シンジオタクチックポリ
スチレンを含有することを特徴とする。
【００１７】本発明の請求項４に係る樹脂組成物は、請
求項１から請求項３のいずれかに記載の樹脂組成物にお
いて、前記（Ｂ）の無機粒子が、その表面に、無機水酸
化物及び/又は無機酸化物からなる無機コーティング層
が形成された前記（Ｂ）の無機粒子であることを特徴と
する。
求項１から請求項３のいずれかに記載の樹脂組成物にお
いて、前記（Ｂ）の無機粒子が、その表面に、無機水酸
化物及び/又は無機酸化物からなる無機コーティング層
が形成された前記（Ｂ）の無機粒子であることを特徴と
する。
【００１８】本発明の請求項５に係る樹脂組成物は、請
求項４記載の樹脂組成物において、無機水酸化物及び/
又は無機酸化物が、チタン、アルミニウム、ケイ素、ジ
ルコニウム、スズ、亜鉛、アンチモン及びマグネシウム
からなる群の中から選ばれた少なくとも１種の元素の、
水酸化物及び/又は酸化物であることを特徴とする。
求項４記載の樹脂組成物において、無機水酸化物及び/
又は無機酸化物が、チタン、アルミニウム、ケイ素、ジ
ルコニウム、スズ、亜鉛、アンチモン及びマグネシウム
からなる群の中から選ばれた少なくとも１種の元素の、
水酸化物及び/又は酸化物であることを特徴とする。
【００１９】本発明の請求項６に係る樹脂組成物は、請
求項４又は請求項５記載の樹脂組成物において、無機コ
ーティング層に、前記（Ｂ）の無機粒子を構成する無機
化合物に含有する金属元素と同じ金属元素の、水酸化物
及び/又は酸化物を含むことを特徴とする。
求項４又は請求項５記載の樹脂組成物において、無機コ
ーティング層に、前記（Ｂ）の無機粒子を構成する無機
化合物に含有する金属元素と同じ金属元素の、水酸化物
及び/又は酸化物を含むことを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明に係る樹脂組成物は、前記
（Ａ）の熱可塑性樹脂（以下、熱可塑性樹脂Ａと記す）
及び前記（Ｂ）の無機粒子（以下、無機粒子Ｂと記す）
を含有する、回路基板用または電波レンズ用の樹脂組成
物である。
（Ａ）の熱可塑性樹脂（以下、熱可塑性樹脂Ａと記す）
及び前記（Ｂ）の無機粒子（以下、無機粒子Ｂと記す）
を含有する、回路基板用または電波レンズ用の樹脂組成
物である。
【００２１】本発明に用いる熱可塑性樹脂Ａとしては、
シンジオタクチックポリスチレン及びポリオレフィンを
用いることができる。なお、ポリオレフィンとしては、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、
下記式（ｄ）で示される環状ポリオレフィン等が挙げら
れる。なお、式（ｄ）中、Ｒ１及びＲ２はアルキル基を
表し、ｎは正の整数を表す。これらの熱可塑性樹脂Ａ
は、１ＧＨｚ以上の高周波領域での誘電正接が小さいた
め、後記する無機粒子Ｂと組み合わせた場合、高周波数
領域で大きな比誘電率と小さな誘電正接を有する回路基
板や、大きな比誘電率と小さな誘電正接を有する電波レ
ンズを形成することが可能となる。
シンジオタクチックポリスチレン及びポリオレフィンを
用いることができる。なお、ポリオレフィンとしては、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、
下記式（ｄ）で示される環状ポリオレフィン等が挙げら
れる。なお、式（ｄ）中、Ｒ１及びＲ２はアルキル基を
表し、ｎは正の整数を表す。これらの熱可塑性樹脂Ａ
は、１ＧＨｚ以上の高周波領域での誘電正接が小さいた
め、後記する無機粒子Ｂと組み合わせた場合、高周波数
領域で大きな比誘電率と小さな誘電正接を有する回路基
板や、大きな比誘電率と小さな誘電正接を有する電波レ
ンズを形成することが可能となる。
【００２２】
【化１】
【００２３】熱可塑性樹脂Ａとしては、上記樹脂の中か
ら任意の１種以上のものを選択して使用することができ
るが、シンジオタクチックポリスチレンを用いることが
好ましい。シンジオタクチックポリスチレンは、１ＧＨ
ｚ以上の高周波での誘電正接が小さいことに加え、成形
性が優れる、価格が比較的安いなどの利点がある。この
シンジオタクチックポリスチレンの配合量は、熱可塑性
樹脂Ａ１００重量部中に８０〜１００重量部含有する
と、上記効果が特に優れ好ましい。
ら任意の１種以上のものを選択して使用することができ
るが、シンジオタクチックポリスチレンを用いることが
好ましい。シンジオタクチックポリスチレンは、１ＧＨ
ｚ以上の高周波での誘電正接が小さいことに加え、成形
性が優れる、価格が比較的安いなどの利点がある。この
シンジオタクチックポリスチレンの配合量は、熱可塑性
樹脂Ａ１００重量部中に８０〜１００重量部含有する
と、上記効果が特に優れ好ましい。
【００２４】また、本発明に用いる無機粒子Ｂとして
は、チタニア、チタン酸マグネシウム、チタン酸ストロ
ンチウム、チタン酸カルシウム及びアルミナを用いるこ
とができる。これらの無機粒子Ｂは、１ＧＨｚ以上の高
周波領域での比誘電率が大きいと共に、誘電正接が小さ
いため、前記熱可塑性樹脂Ａと組み合わせた場合、高周
波数領域で大きな比誘電率と小さな誘電正接を有する回
路基板や、大きな比誘電率と小さな誘電正接を有する電
波レンズを形成することが可能となる。
は、チタニア、チタン酸マグネシウム、チタン酸ストロ
ンチウム、チタン酸カルシウム及びアルミナを用いるこ
とができる。これらの無機粒子Ｂは、１ＧＨｚ以上の高
周波領域での比誘電率が大きいと共に、誘電正接が小さ
いため、前記熱可塑性樹脂Ａと組み合わせた場合、高周
波数領域で大きな比誘電率と小さな誘電正接を有する回
路基板や、大きな比誘電率と小さな誘電正接を有する電
波レンズを形成することが可能となる。
【００２５】無機粒子Ｂとしては、上記の中から任意の
１つ以上のものを選択して使用することができるが、チ
タニアを用いることが好ましい。チタニアは、比誘電率
が約１００と大きく、かつ、誘電正接が０．０００１以
下と小さいため、特に大きな比誘電率と小さな誘電正接
を有する回路基板や電波レンズを形成することが可能と
なり好ましい。このチタニアの配合量は、無機粒子Ｂ１
００重量部中に８０〜１００重量部含有すると、上記効
果が特に優れ好ましい。
１つ以上のものを選択して使用することができるが、チ
タニアを用いることが好ましい。チタニアは、比誘電率
が約１００と大きく、かつ、誘電正接が０．０００１以
下と小さいため、特に大きな比誘電率と小さな誘電正接
を有する回路基板や電波レンズを形成することが可能と
なり好ましい。このチタニアの配合量は、無機粒子Ｂ１
００重量部中に８０〜１００重量部含有すると、上記効
果が特に優れ好ましい。
【００２６】なお、無機粒子Ｂとして、２種類以上の化
合物を用いる場合は、別々の組成の無機粒子Ｂを熱可塑
樹脂Ａにブレンドしてもよいし、無機粒子Ｂそれ自体
が、２つ以上の組成の固溶体であるものを用いてもよ
い。また、この無機粒子Ｂの粒径としては、特に限定す
るものではないが、平均粒径が０．３〜１５μｍである
と好ましい。平均粒径が０．３μｍ未満の場合、比表面
積が比較的大きいため、熱可塑性樹脂Ａとの界面に空隙
が生じる場合があり、平均粒径が１５μｍを越える場
合、熱可塑性樹脂Ａ中での無機粒子Ｂの分散性が低下す
る場合がある。
合物を用いる場合は、別々の組成の無機粒子Ｂを熱可塑
樹脂Ａにブレンドしてもよいし、無機粒子Ｂそれ自体
が、２つ以上の組成の固溶体であるものを用いてもよ
い。また、この無機粒子Ｂの粒径としては、特に限定す
るものではないが、平均粒径が０．３〜１５μｍである
と好ましい。平均粒径が０．３μｍ未満の場合、比表面
積が比較的大きいため、熱可塑性樹脂Ａとの界面に空隙
が生じる場合があり、平均粒径が１５μｍを越える場
合、熱可塑性樹脂Ａ中での無機粒子Ｂの分散性が低下す
る場合がある。
【００２７】また、無機粒子Ｂは、その表面に、無機水
酸化物及び/又は無機酸化物からなる無機コーティング
層が形成された粒子であることが好ましい。この場合、
無機コーティング層を介して、無機粒子Ｂが熱可塑性樹
脂Ａと馴染みやすくなるため、熱可塑樹脂Ａと無機粒子
Ｂとの密着性が向上する。なお、この無機水酸化物及び
/又は無機酸化物が、チタン、アルミニウム、ケイ素、
ジルコニウム、スズ、亜鉛、アンチモン及びマグネシウ
ムからなる群の中から選ばれた少なくとも１種の元素の
水酸化物及び/又は酸化物であると、馴染み性が特に優
れ好ましい。
酸化物及び/又は無機酸化物からなる無機コーティング
層が形成された粒子であることが好ましい。この場合、
無機コーティング層を介して、無機粒子Ｂが熱可塑性樹
脂Ａと馴染みやすくなるため、熱可塑樹脂Ａと無機粒子
Ｂとの密着性が向上する。なお、この無機水酸化物及び
/又は無機酸化物が、チタン、アルミニウム、ケイ素、
ジルコニウム、スズ、亜鉛、アンチモン及びマグネシウ
ムからなる群の中から選ばれた少なくとも１種の元素の
水酸化物及び/又は酸化物であると、馴染み性が特に優
れ好ましい。
【００２８】また、無機粒子Ｂの表面に形成された無機
コーティング層に、無機粒子Ｂを構成する無機化合物に
含有する金属元素と同じ金属元素の、水酸化物及び/又
は酸化物を含むと好ましい。つまり、無機粒子Ｂがチタ
ニアの場合はチタン系無機コーティング層、無機粒子Ｂ
がアルミナの場合はアルミニウム系無機コーティング
層、無機粒子Ｂがチタン酸マグネシウムの場合はチタン
系及び/又はマグネシウム系無機コーティング層が、無
機粒子Ｂの表面に形成されていることが好ましい。この
場合、無機粒子Ｂと無機コーティング層間の結合が、よ
り強固になる。更に、無機コーティング層を多層構造と
し、無機粒子Ｂと接する側は無機粒子Ｂと馴染みのよい
無機コーティング層とし、熱可塑樹脂Ａと接する側は、
熱可塑樹脂Ａや、後記するカップリング剤と馴染みのよ
い無機コーティング層にすると好ましい。これにより、
無機粒子Ｂと熱可塑樹脂Ａ間の結合が、より強固にな
る。
コーティング層に、無機粒子Ｂを構成する無機化合物に
含有する金属元素と同じ金属元素の、水酸化物及び/又
は酸化物を含むと好ましい。つまり、無機粒子Ｂがチタ
ニアの場合はチタン系無機コーティング層、無機粒子Ｂ
がアルミナの場合はアルミニウム系無機コーティング
層、無機粒子Ｂがチタン酸マグネシウムの場合はチタン
系及び/又はマグネシウム系無機コーティング層が、無
機粒子Ｂの表面に形成されていることが好ましい。この
場合、無機粒子Ｂと無機コーティング層間の結合が、よ
り強固になる。更に、無機コーティング層を多層構造と
し、無機粒子Ｂと接する側は無機粒子Ｂと馴染みのよい
無機コーティング層とし、熱可塑樹脂Ａと接する側は、
熱可塑樹脂Ａや、後記するカップリング剤と馴染みのよ
い無機コーティング層にすると好ましい。これにより、
無機粒子Ｂと熱可塑樹脂Ａ間の結合が、より強固にな
る。
【００２９】無機コーティング層の形成方法としては、
気相処理法（ＣＶＤ法）や液相処理法（液相反応を利用
する方法）などが挙げられる。液相処理法の場合、例え
ば以下のようにして無機コーティング層を形成すること
ができる。例えば酸化チタンコーティング層を形成する
場合は、四塩化チタンや硫酸チタニウムを含む水溶液中
に無機粒子Ｂを投入し、水溶液をｐＨ８．５〜１０．５
に調整することにより形成される。なお、無機粒子Ｂの
表面に形成する酸化チタンコーティング層の厚み（体積
量）は、上記水溶液中のチタンイオンの濃度で調整する
ことができる。
気相処理法（ＣＶＤ法）や液相処理法（液相反応を利用
する方法）などが挙げられる。液相処理法の場合、例え
ば以下のようにして無機コーティング層を形成すること
ができる。例えば酸化チタンコーティング層を形成する
場合は、四塩化チタンや硫酸チタニウムを含む水溶液中
に無機粒子Ｂを投入し、水溶液をｐＨ８．５〜１０．５
に調整することにより形成される。なお、無機粒子Ｂの
表面に形成する酸化チタンコーティング層の厚み（体積
量）は、上記水溶液中のチタンイオンの濃度で調整する
ことができる。
【００３０】また、酸化アルミニウムコーティング層を
形成する場合は、アルミン酸ナトリウム、塩化アルミニ
ウム、硫酸アルミニウムを含む水溶液中に無機粒子Ｂを
投入し、水溶液をｐＨ７程度に調整することにより形成
される。なお、無機粒子Ｂの表面に形成する酸化アルミ
ニウムコーティング層の厚みは、上記水溶液中のアルミ
ニウムイオンの濃度で調整することができる。また、酸
化ケイ素コーティング層を形成する場合には、ケイ酸塩
を含む水溶液を使えばよい。
形成する場合は、アルミン酸ナトリウム、塩化アルミニ
ウム、硫酸アルミニウムを含む水溶液中に無機粒子Ｂを
投入し、水溶液をｐＨ７程度に調整することにより形成
される。なお、無機粒子Ｂの表面に形成する酸化アルミ
ニウムコーティング層の厚みは、上記水溶液中のアルミ
ニウムイオンの濃度で調整することができる。また、酸
化ケイ素コーティング層を形成する場合には、ケイ酸塩
を含む水溶液を使えばよい。
【００３１】また、無機酸化物や無機水酸化物を２種類
以上用いた無機コーティング層を段階的ないし同時形成
する場合には、２種以上の塩を含む液を用いて膜が析出
するようにｐＨを調整して形成する。段階的に形成する
場合には、例えば四塩化チタンを溶解した液を用いて、
水酸化ナトリウムでｐＨ調整することによりチタン系の
第１コーティング層を形成し、次にその液にアルミン酸
ナトリウム、ケイ酸ナトリウムを溶解させた後、硫酸で
ｐＨ調整することによりアルミニウム−シリコン系の第
２コーティング層を形成する。勿論、第２コーティング
層をアルミニウム系の層とし、その表面にシリコン系の
第３コーティング層を形成するようにしても良い。
以上用いた無機コーティング層を段階的ないし同時形成
する場合には、２種以上の塩を含む液を用いて膜が析出
するようにｐＨを調整して形成する。段階的に形成する
場合には、例えば四塩化チタンを溶解した液を用いて、
水酸化ナトリウムでｐＨ調整することによりチタン系の
第１コーティング層を形成し、次にその液にアルミン酸
ナトリウム、ケイ酸ナトリウムを溶解させた後、硫酸で
ｐＨ調整することによりアルミニウム−シリコン系の第
２コーティング層を形成する。勿論、第２コーティング
層をアルミニウム系の層とし、その表面にシリコン系の
第３コーティング層を形成するようにしても良い。
【００３２】そして、これらの無機コーティング層を形
成した後、表面の洗浄と乾燥を行う。特に洗浄は導電性
成分が残留しないように細心の配慮を払いながら十分に
行うことが重要である。
成した後、表面の洗浄と乾燥を行う。特に洗浄は導電性
成分が残留しないように細心の配慮を払いながら十分に
行うことが重要である。
【００３３】なお、無機コーティング層の表面に、カッ
プリング剤の処理が施されていると、更に熱可塑性樹脂
Ａとの密着性が優れ好ましい。この場合、無機粒子Ｂと
熱可塑樹脂Ａとの馴染みが更に良くなるからである。上
記カップリング剤としては、例えば、γ−（２−アミノ
エチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２
−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、
Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラ
ン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アニ
リノプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシ
シラン、オクタデシルジメチル［３−（トリメトキシシ
リル）プロピル］アンモニウムクロライド、γ−クロロ
プロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリ
エトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジ
メトキシシラン、イソプロピルトリイソステアロイルチ
タネート、イソプロピルトリス（ジオクチパイロホスフ
ェート）チタネート、イソプロピルトリス（Ｎ−アミノ
エチル−アミノエチル）チタネート、イソプロピルトリ
オクタノイルチタネート、アセトアルコキシアルミニウ
ムジイソプロピレート等が挙げられる。
プリング剤の処理が施されていると、更に熱可塑性樹脂
Ａとの密着性が優れ好ましい。この場合、無機粒子Ｂと
熱可塑樹脂Ａとの馴染みが更に良くなるからである。上
記カップリング剤としては、例えば、γ−（２−アミノ
エチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２
−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、
Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラ
ン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アニ
リノプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシ
シラン、オクタデシルジメチル［３−（トリメトキシシ
リル）プロピル］アンモニウムクロライド、γ−クロロ
プロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリ
エトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジ
メトキシシラン、イソプロピルトリイソステアロイルチ
タネート、イソプロピルトリス（ジオクチパイロホスフ
ェート）チタネート、イソプロピルトリス（Ｎ−アミノ
エチル−アミノエチル）チタネート、イソプロピルトリ
オクタノイルチタネート、アセトアルコキシアルミニウ
ムジイソプロピレート等が挙げられる。
【００３４】上記熱可塑性樹脂Ａ及び無機粒子Ｂの配合
量としては、熱可塑性樹脂Ａ及び無機粒子Ｂの合計１０
０重量部に対し、熱可塑性樹脂Ａを１０〜９０重量部、
好ましくは４０〜８０重量部含有すると好ましい。１０
重量部未満の場合、誘電正接が大きくなるため、損失が
大きくなって高周波用の回路基板や電波レンズの材料と
して不向きになる場合があり、９０重量部を越える場
合、比誘電率が比較的小さくなるため、機器の小型化に
対する大きな寄与が期待できなくなって問題となる場合
がある。
量としては、熱可塑性樹脂Ａ及び無機粒子Ｂの合計１０
０重量部に対し、熱可塑性樹脂Ａを１０〜９０重量部、
好ましくは４０〜８０重量部含有すると好ましい。１０
重量部未満の場合、誘電正接が大きくなるため、損失が
大きくなって高周波用の回路基板や電波レンズの材料と
して不向きになる場合があり、９０重量部を越える場
合、比誘電率が比較的小さくなるため、機器の小型化に
対する大きな寄与が期待できなくなって問題となる場合
がある。
【００３５】なお、本発明に係る樹脂組成物は、熱可塑
性樹脂Ａ及び無機粒子Ｂのみを含有するものに限定する
ものではなく、必要に応じて、無機粒子Ｂ以外の無機物
や、熱可塑性樹脂Ａ以外の樹脂や、難燃性を付与する成
分や、メッキ性を付与する成分等を含有していても良
い。特に、アスペクト比５〜１,５００のガラス短繊維
をも含有すると、得られる回路基板等の機械的強度が向
上し好ましい。このガラス短繊維の配合量としては、熱
可塑性樹脂Ａ及び無機粒子Ｂ及びガラス短繊維の合計１
００重量部に対し、ガラス短繊維を５〜３０重量部配合
する。なお、これらの熱可塑性樹脂Ａや無機粒子Ｂ以外
のものを配合した場合、これら及び熱可塑性樹脂Ａ及び
無機粒子Ｂの合計１００重量部に対し、熱可塑性樹脂Ａ
が１０〜９０重量部の範囲内、無機粒子Ｂが１０〜９０
重量部の範囲内になるように調整して配合する。
性樹脂Ａ及び無機粒子Ｂのみを含有するものに限定する
ものではなく、必要に応じて、無機粒子Ｂ以外の無機物
や、熱可塑性樹脂Ａ以外の樹脂や、難燃性を付与する成
分や、メッキ性を付与する成分等を含有していても良
い。特に、アスペクト比５〜１,５００のガラス短繊維
をも含有すると、得られる回路基板等の機械的強度が向
上し好ましい。このガラス短繊維の配合量としては、熱
可塑性樹脂Ａ及び無機粒子Ｂ及びガラス短繊維の合計１
００重量部に対し、ガラス短繊維を５〜３０重量部配合
する。なお、これらの熱可塑性樹脂Ａや無機粒子Ｂ以外
のものを配合した場合、これら及び熱可塑性樹脂Ａ及び
無機粒子Ｂの合計１００重量部に対し、熱可塑性樹脂Ａ
が１０〜９０重量部の範囲内、無機粒子Ｂが１０〜９０
重量部の範囲内になるように調整して配合する。
【００３６】これらの熱可塑性樹脂Ａ及び無機粒子Ｂ等
は、均一に混合されていることが好ましい。この混合す
る方法としては、必要に応じて加熱しながら、二軸混練
機等を用いて混合する。
は、均一に混合されていることが好ましい。この混合す
る方法としては、必要に応じて加熱しながら、二軸混練
機等を用いて混合する。
【００３７】
【実施例】（実施例１〜実施例１５）樹脂組成物の原料
として、下記の４種類の熱可塑性樹脂Ａ、６種類の無機
粒子Ｂ及びガラス短繊維を用いた。 ・熱可塑性樹脂Ａ−１：シンジオタクチックポリスチレ
ン（出光石油化学社製、商品名：ザレックＳ−１００） ・熱可塑性樹脂Ａ−２：ポリメチルペンテン（三菱化成
社製） ・熱可塑性樹脂Ａ−３：環状ポリオレフィン（日本ゼオ
ン社製、商品名：ゼオネックス） ・熱可塑性樹脂Ａ−４：シンジオタクチックポリスチレ
ン（出光石油化学社製、商品名：ＳＰ１３０、メッキ性
を高める処理が施されたシンジオタクチックポリスチレ
ン） ・無機粒子Ｂ−１：チタニア粒子（粒径３μｍ、ルチル
型結晶）の表面に無機コーティング層が形成され、更に
その表面にカップリング剤処理が施されている粒子。 ・無機粒子Ｂ−２：チタニア粒子（粒径３μｍ、ルチル
型結晶） ・無機粒子Ｂ−３：アルミナ粒子（粒径２．８μｍ、住
友化学社製） ・無機粒子Ｂ−４：チタン酸マグネシウム粒子（粒径
１．２μｍ、富士チタン社製） ・無機粒子Ｂ−５：チタン酸ストロンチウム粒子（粒径
１．１μｍ、富士チタン社製） ・無機粒子Ｂ−６：チタン酸カルシウム粒子（粒径１．
２μｍ、富士チタン社製） ・ガラス短繊維：直径１０μｍ、長さ５ｍｍ、アスペク
ト比５００。
として、下記の４種類の熱可塑性樹脂Ａ、６種類の無機
粒子Ｂ及びガラス短繊維を用いた。 ・熱可塑性樹脂Ａ−１：シンジオタクチックポリスチレ
ン（出光石油化学社製、商品名：ザレックＳ−１００） ・熱可塑性樹脂Ａ−２：ポリメチルペンテン（三菱化成
社製） ・熱可塑性樹脂Ａ−３：環状ポリオレフィン（日本ゼオ
ン社製、商品名：ゼオネックス） ・熱可塑性樹脂Ａ−４：シンジオタクチックポリスチレ
ン（出光石油化学社製、商品名：ＳＰ１３０、メッキ性
を高める処理が施されたシンジオタクチックポリスチレ
ン） ・無機粒子Ｂ−１：チタニア粒子（粒径３μｍ、ルチル
型結晶）の表面に無機コーティング層が形成され、更に
その表面にカップリング剤処理が施されている粒子。 ・無機粒子Ｂ−２：チタニア粒子（粒径３μｍ、ルチル
型結晶） ・無機粒子Ｂ−３：アルミナ粒子（粒径２．８μｍ、住
友化学社製） ・無機粒子Ｂ−４：チタン酸マグネシウム粒子（粒径
１．２μｍ、富士チタン社製） ・無機粒子Ｂ−５：チタン酸ストロンチウム粒子（粒径
１．１μｍ、富士チタン社製） ・無機粒子Ｂ−６：チタン酸カルシウム粒子（粒径１．
２μｍ、富士チタン社製） ・ガラス短繊維：直径１０μｍ、長さ５ｍｍ、アスペク
ト比５００。
【００３８】なお、上記無機粒子Ｂ−１は、以下の方法
で処理して得た。まず、チタニア粒子をヘキサメタリン
酸ナトリウムを含む溶液に添加混合し懸濁分散させた。
次いで、その溶液に、無機コーティング層の原料とし
て、四塩化チタン、アルミン酸ナトリウム、ケイ酸ナト
リウムを添加した後、硫酸を用いてｐＨ調整を行うこと
により、チタニア粒子表面に無機コーティング層を形成
した。その後、洗浄し、１２０℃で２４時間乾燥を行う
ことにより、表面に無機コーティング層が形成されたチ
タニア粒子を得た。続いて、この無機コーティング層が
形成されたチタニア粒子をカップリング剤としてγ−
（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラ
ンを添加した水溶液中に分散させることにより、無機コ
ーティング層の表面にカップリング剤を沈積させた。そ
の後、ろ過、乾燥して、チタニア粒子の表面に無機コー
ティング層が形成され、更にその表面にカップリング剤
処理が施されている粒子を得た。
で処理して得た。まず、チタニア粒子をヘキサメタリン
酸ナトリウムを含む溶液に添加混合し懸濁分散させた。
次いで、その溶液に、無機コーティング層の原料とし
て、四塩化チタン、アルミン酸ナトリウム、ケイ酸ナト
リウムを添加した後、硫酸を用いてｐＨ調整を行うこと
により、チタニア粒子表面に無機コーティング層を形成
した。その後、洗浄し、１２０℃で２４時間乾燥を行う
ことにより、表面に無機コーティング層が形成されたチ
タニア粒子を得た。続いて、この無機コーティング層が
形成されたチタニア粒子をカップリング剤としてγ−
（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラ
ンを添加した水溶液中に分散させることにより、無機コ
ーティング層の表面にカップリング剤を沈積させた。そ
の後、ろ過、乾燥して、チタニア粒子の表面に無機コー
ティング層が形成され、更にその表面にカップリング剤
処理が施されている粒子を得た。
【００３９】そして、上記の各原料を表１に示す重量比
で配合した後、２軸混練機で混練することにより、熱可
塑性樹脂Ａ中に無機粒子Ｂがほぼ均一に分散した樹脂組
成物を得た。次いでその樹脂組成物を引き出した後、切
断することにより顆粒状物とし、次いでその顆粒状物を
射出成形して、１００ｍｍ×１００ｍｍ×３ｍｍの成形
体を得た。
で配合した後、２軸混練機で混練することにより、熱可
塑性樹脂Ａ中に無機粒子Ｂがほぼ均一に分散した樹脂組
成物を得た。次いでその樹脂組成物を引き出した後、切
断することにより顆粒状物とし、次いでその顆粒状物を
射出成形して、１００ｍｍ×１００ｍｍ×３ｍｍの成形
体を得た。
【００４０】
【表１】
【００４１】（比較例１）熱可塑性樹脂Ａ−１に代え
て、ポリフェニレンオキサイド（ＧＥプラスチック社
製）を用いたこと以外は実施例１と同様にして成形体を
得た。
て、ポリフェニレンオキサイド（ＧＥプラスチック社
製）を用いたこと以外は実施例１と同様にして成形体を
得た。
【００４２】（比較例２）熱可塑性樹脂Ａ−１に代え
て、ポリフェニレンサルファイド（呉羽化学社製）を用
いたこと以外は実施例１と同様にして成形体を得た。
て、ポリフェニレンサルファイド（呉羽化学社製）を用
いたこと以外は実施例１と同様にして成形体を得た。
【００４３】（比較例３）無機粒子Ｂ−１に代えて、チ
タン酸バリウム粒子（粒径１．５μｍ、富士チタン社
製）を用いたこと以外は実施例５と同様にして成形体を
得た。
タン酸バリウム粒子（粒径１．５μｍ、富士チタン社
製）を用いたこと以外は実施例５と同様にして成形体を
得た。
【００４４】（評価、結果）各実施例及び各比較例で得
られた成形体の、比誘電率及び誘電正接を測定した。ま
た、実施例１、実施例１４及び実施例１５で得られた成
形体については、引張り強度も測定した。なお、比誘電
率及び誘電正接の測定は、成形体をそれぞれ切断研磨し
て５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．６４ｍｍの形状に加工し、
ネットワークアナライザ、誘電体共振器テストフィクス
チャを用い、摂動法により３ＧＨｚ、６ＧＨｚ、１２Ｇ
Ｈｚで測定した。また、引張り強度は、ＪＩＳ規格Ｋ６
３０１に準じて測定した。
られた成形体の、比誘電率及び誘電正接を測定した。ま
た、実施例１、実施例１４及び実施例１５で得られた成
形体については、引張り強度も測定した。なお、比誘電
率及び誘電正接の測定は、成形体をそれぞれ切断研磨し
て５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．６４ｍｍの形状に加工し、
ネットワークアナライザ、誘電体共振器テストフィクス
チャを用い、摂動法により３ＧＨｚ、６ＧＨｚ、１２Ｇ
Ｈｚで測定した。また、引張り強度は、ＪＩＳ規格Ｋ６
３０１に準じて測定した。
【００４５】その結果は、表１に示したように、樹脂組
成物中の樹脂成分と無機粒子の重量比率が同じ比率であ
る、実施例１〜実施例４及び実施例１５は、比較例１及
び比較例２と比べて高周波領域での誘電正接が小さいと
共に、比誘電率は同等で比較的大きく、高周波用の回路
基板や電波レンズの材料として適することが確認され
た。
成物中の樹脂成分と無機粒子の重量比率が同じ比率であ
る、実施例１〜実施例４及び実施例１５は、比較例１及
び比較例２と比べて高周波領域での誘電正接が小さいと
共に、比誘電率は同等で比較的大きく、高周波用の回路
基板や電波レンズの材料として適することが確認され
た。
【００４６】また、樹脂組成物中の樹脂成分と無機粒子
の重量比率が同じ比率である、実施例５〜実施例１０
は、比較例３と比べて、高周波領域での誘電正接が小さ
いと共に、比誘電率は同等で比較的大きく、高周波用の
回路基板や電波レンズの材料として適することが確認さ
れた。
の重量比率が同じ比率である、実施例５〜実施例１０
は、比較例３と比べて、高周波領域での誘電正接が小さ
いと共に、比誘電率は同等で比較的大きく、高周波用の
回路基板や電波レンズの材料として適することが確認さ
れた。
【００４７】また、ガラス短繊維を配合した実施例１４
及び実施例１５は、実施例１と比較して、誘電正接が多
少大きくなるが、引張り強度が優れ、機械的強度の必要
な用途にはガラス短繊維を適量添加することが効果的で
あることが確認された。
及び実施例１５は、実施例１と比較して、誘電正接が多
少大きくなるが、引張り強度が優れ、機械的強度の必要
な用途にはガラス短繊維を適量添加することが効果的で
あることが確認された。
【００４８】
【発明の効果】本発明に係る樹脂組成物は、上記熱可塑
性樹脂Ａ及び無機粒子Ｂを配合しているため、高周波数
領域で大きな比誘電率と小さな誘電正接を有する回路基
板や、大きな比誘電率と小さな誘電正接を有する電波レ
ンズを形成することが可能となり、高周波用の回路基板
や電波レンズを用いた電子機器の小型化に寄与できる。
性樹脂Ａ及び無機粒子Ｂを配合しているため、高周波数
領域で大きな比誘電率と小さな誘電正接を有する回路基
板や、大きな比誘電率と小さな誘電正接を有する電波レ
ンズを形成することが可能となり、高周波用の回路基板
や電波レンズを用いた電子機器の小型化に寄与できる。
【００４９】本発明の請求項３に係る樹脂組成物は、上
記の効果に加え、成形性が優れるため、寸法精度の優れ
た成形体を得ることが可能となる。
記の効果に加え、成形性が優れるため、寸法精度の優れ
た成形体を得ることが可能となる。
【００５０】本発明の請求項４に係る樹脂組成物は、上
記の効果に加え、無機コーティング層を介して、無機粒
子Ｂが熱可塑性樹脂Ａと馴染みやすくなるため、熱可塑
樹脂Ａと無機粒子Ｂとの密着性が向上する。
記の効果に加え、無機コーティング層を介して、無機粒
子Ｂが熱可塑性樹脂Ａと馴染みやすくなるため、熱可塑
樹脂Ａと無機粒子Ｂとの密着性が向上する。
Claims (6)
- 【請求項１】 下記（Ａ）の熱可塑性樹脂及び下記
（Ｂ）の無機粒子を含有することを特徴とする回路基板
用または電波レンズ用樹脂組成物。 （Ａ）シンジオタクチックポリスチレン及びポリオレフ
ィンからなる群の中から選ばれた少なくとも１種。 （Ｂ）チタニア、チタン酸マグネシウム、チタン酸スト
ロンチウム、チタン酸カルシウム及びアルミナからなる
群の中から選ばれた少なくとも１種。 - 【請求項２】 前記（Ａ）の熱可塑性樹脂及び前記
（Ｂ）の無機粒子の合計１００重量部に対し、前記
（Ａ）の熱可塑性樹脂を、１０〜９０重量部含有するこ
とを特徴とする請求項１記載の樹脂組成物。 - 【請求項３】 前記（Ａ）の熱可塑性樹脂として、シン
ジオタクチックポリスチレンを含有することを特徴とす
る請求項１又は請求項２記載の樹脂組成物。 - 【請求項４】 前記（Ｂ）の無機粒子が、その表面に、
無機水酸化物及び/又は無機酸化物からなる無機コーテ
ィング層が形成された前記（Ｂ）の無機粒子であること
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の
樹脂組成物。 - 【請求項５】 無機水酸化物及び/又は無機酸化物が、
チタン、アルミニウム、ケイ素、ジルコニウム、スズ、
亜鉛、アンチモン及びマグネシウムからなる群の中から
選ばれた少なくとも１種の元素の、水酸化物及び/又は
酸化物であることを特徴とする請求項４記載の樹脂組成
物。 - 【請求項６】 無機コーティング層に、前記（Ｂ）の無
機粒子を構成する無機化合物に含有する金属元素と同じ
金属元素の、水酸化物及び/又は酸化物を含むことを特
徴とする請求項４又は請求項５記載の樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13540898A JPH11323046A (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | 樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13540898A JPH11323046A (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | 樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11323046A true JPH11323046A (ja) | 1999-11-26 |
Family
ID=15151038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13540898A Pending JPH11323046A (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | 樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11323046A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000040421A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 電子部品 |
| JP2001261977A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Yoshio Miyamoto | 三次元周期構造体およびその製造方法 |
| WO2001078085A3 (en) * | 2000-04-06 | 2002-01-31 | 3M Innovative Properties Co | Low density dielectric having low microwave loss |
| JP2003342431A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱可塑性樹脂組成物及び成形品 |
| JP2004059702A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 高周波用熱可塑性樹脂組成物及び成形品 |
-
1998
- 1998-05-18 JP JP13540898A patent/JPH11323046A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000040421A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 電子部品 |
| JP2001261977A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Yoshio Miyamoto | 三次元周期構造体およびその製造方法 |
| WO2001078085A3 (en) * | 2000-04-06 | 2002-01-31 | 3M Innovative Properties Co | Low density dielectric having low microwave loss |
| US6562448B1 (en) | 2000-04-06 | 2003-05-13 | 3M Innovative Properties Company | Low density dielectric having low microwave loss |
| JP2003342431A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱可塑性樹脂組成物及び成形品 |
| JP2004059702A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 高周波用熱可塑性樹脂組成物及び成形品 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050428 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A02 | Decision of refusal |
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