JPH1131883A - Manufacture of multilayered wiring board - Google Patents
Manufacture of multilayered wiring boardInfo
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- JPH1131883A JPH1131883A JP18529197A JP18529197A JPH1131883A JP H1131883 A JPH1131883 A JP H1131883A JP 18529197 A JP18529197 A JP 18529197A JP 18529197 A JP18529197 A JP 18529197A JP H1131883 A JPH1131883 A JP H1131883A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board, and more particularly to a multilayer wiring board used for a hybrid integrated circuit device, a semiconductor element housing package for housing a semiconductor element, and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がMoーMn法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。2. Description of the Related Art Conventionally, a multilayer wiring board used for a hybrid integrated circuit device, a package for accommodating a semiconductor element, or the like, has its wiring conductor formed by a thick film forming technique such as the Mo-Mn method.
【0003】このMoーMn法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ック体とを焼結一体化させる方法である。[0003] This Mo-Mn method is generally used for tungsten,
Organic solvents for high melting point metal powders such as molybdenum and manganese,
A solvent is added and mixed, and a paste-shaped metal paste is printed and applied on the outer surface of the green ceramic body in a predetermined pattern by a screen printing method. Then, a plurality of these are laminated and fired in a reducing atmosphere to obtain a high melting point. This is a method of sintering and integrating a metal powder and a green ceramic body.
【0004】なお、前記配線導体が形成されるセラミッ
ク体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。The ceramic body on which the wiring conductor is formed is usually an oxide ceramic such as an aluminum oxide sintered body or a mullite sintered body, or an aluminum nitride having an oxide film deposited on the surface. Non-oxide ceramics such as a porous sintered body and a silicon carbide sintered body are used.
【0005】しかしながら、このMoーMn法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。However, when the wiring conductor is formed by using the Mo-Mn method, the wiring conductor is formed by screen-printing a metal paste. Had the drawback that it could not be done.
【0006】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようになってきた。In order to solve the above-mentioned drawbacks, a multi-layer wiring board formed using a thin film forming technique capable of miniaturization instead of forming the wiring conductor by the conventional thick film forming technique is used. It has become.
【0007】かかる配線導体を薄膜形成技術により形成
した多層配線基板は、一般に酸化アルミニウム質焼結体
等から成るセラミックやガラス繊維を織り込んだガラス
布にエポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエポキ
シ樹脂等から成る基板と、該基板の上面に被着され、ス
ピンコート法及び露光処理・現像処理等によって形成さ
れる感光性のエポキシ樹脂等から成る所定パターン形状
の有機樹脂絶縁層と、銅やアルミニウム等の金属を無電
解めっき法や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォトリソグ
ラフイー技術を採用することによって形成される薄膜配
線導体層とを交互に多層に積層させるとともに、上下に
位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスル
ーホールの内壁に被着されているスルーホール導体を介
して電気的に接続した多層配線部とから構成されてお
り、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体
層と電気的に接続するボンディングパッドを形成してお
き、該ボンディングパッドに半導体素子等の能動部品や
容量素子、抵抗器等の受動部品の電極を半田を介し接続
させるようになっている。[0007] A multilayer wiring board in which such wiring conductors are formed by a thin film forming technique is generally made of a glass epoxy resin formed by impregnating a ceramic cloth made of aluminum oxide sintered body or the like or a glass cloth woven with glass fibers with an epoxy resin. And an organic resin insulating layer having a predetermined pattern formed of a photosensitive epoxy resin or the like which is formed on the upper surface of the substrate by spin coating, exposure processing, development processing, and the like, and copper or aluminum. And other thin film wiring conductor layers formed by adopting thin film forming technology such as electroless plating or vapor deposition and photolithography technology, and alternately stacking thin film wiring conductors located above and below The layers are electrically connected via the through-hole conductors attached to the inner walls of the through-holes provided in the organic resin insulation layer. And a bonding pad electrically connected to the thin-film wiring conductor layer is formed on the upper surface of the uppermost organic resin insulating layer, and an active component such as a semiconductor element is formed on the bonding pad. The electrodes of passive components such as capacitors, capacitors, and resistors are connected via solder.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
多層配線基板においては、基板上に被着されている多層
配線部の有機樹脂絶縁層がスピンコート法によって塗布
された有機樹脂前駆体に露光処理・現像処理を施すこと
によって形成されており、上面に薄膜配線導体層を有す
る有機樹脂絶縁層上に次の有機樹脂絶縁層を形成するた
めに有機樹脂前駆体を塗布すると該塗布された有機樹脂
前駆体は薄膜配線導体層が存在する領域は薄く、その他
の領域は厚くなって厚みに差が生じてしまい、これに露
光処理を施すと厚みの薄い領域の有機樹脂前駆体は完全
に硬化するものの厚みの厚い領域は硬化が不完全となっ
て有機樹脂絶縁層を確実に作成することができず、その
結果、上下に積層される有機樹脂絶縁層間の接合強度が
大きく低下し、多層配線基板としての信頼性が低くなる
という欠点を有していた。However, in the above-mentioned multilayer wiring board, the organic resin insulating layer of the multilayer wiring portion applied on the substrate is exposed to the organic resin precursor applied by spin coating. An organic resin precursor that is formed by performing a development process and that is coated with an organic resin precursor to form a next organic resin insulating layer on an organic resin insulating layer having a thin film wiring conductor layer on the upper surface; The precursor is thin in the region where the thin film wiring conductor layer is present, and the other region is thick, causing a difference in thickness, and when this is subjected to exposure treatment, the organic resin precursor in the thin region is completely cured. However, in a thick region, the curing is incomplete and the organic resin insulating layer cannot be reliably formed. As a result, the bonding strength between the organic resin insulating layers stacked vertically is greatly reduced, and Reliability of the wiring board had a disadvantage of low.
【0009】また同様にして基板の上面に配線導体が形
成されている場合には、基板上にスピンコート法によっ
て有機樹脂前駆体を塗布するとともに該有機樹脂前駆体
を露光処理・現像処理して有機樹脂絶縁層となす際、塗
布された有機樹脂前駆体のうち配線導体が存在する領域
の厚みは薄く、その他の領域は厚くなって厚みに差が生
じ、これに露光処理を施すと厚みの薄い領域の有機樹脂
前駆体は完全に硬化するものの厚みの厚い領域は硬化が
不完全となって有機樹脂絶縁層を確実に作成することが
できず、その結果、有機樹脂絶縁層を配線導体が形成さ
れている基板上に強固に接合させることができず、多層
配線基板としての信頼性が低くなるという欠点を有して
いた。Similarly, when a wiring conductor is formed on the upper surface of the substrate, an organic resin precursor is applied to the substrate by spin coating, and the organic resin precursor is exposed and developed. When forming an organic resin insulating layer, the thickness of the region where the wiring conductor is present in the applied organic resin precursor is thin, and the other regions are thicker, resulting in a difference in thickness. Although the organic resin precursor in the thin region is completely cured, the curing in the thick region is incomplete and the organic resin insulating layer cannot be reliably formed. It cannot be firmly joined to the formed substrate, and has the disadvantage that the reliability as a multilayer wiring substrate is reduced.
【0010】なお、上記欠点を解消するために有機樹脂
前駆体に過度の光を照射し、有機樹脂前駆体の厚みの厚
い領域と薄い領域の両方を同時に光硬化させることが考
えられる。しかしながら、有機樹脂前駆体に過度の光を
照射すると光のまわり込みが生じ、有機樹脂絶縁層を所
定のパターン形状に形成するのが不可となってしまう欠
点を誘発する。特に、有機樹脂絶縁層の所定位置にスル
ーホールを鮮明に形成することが不可となり、スルーホ
ールの内壁に被着されるスルーホール導体を介して有機
樹脂絶縁層を間に挟んで上下に位置する薄膜配線導体層
同士、或いは基板上面に設けた配線導体と薄膜配線導体
層とを確実、かつ強固に電気的接続することができなく
なってしまう。In order to solve the above-mentioned drawback, it is conceivable to irradiate the organic resin precursor with excessive light so that both the thick and thin regions of the organic resin precursor are photocured simultaneously. However, when the organic resin precursor is irradiated with excessive light, the light wraps around, which causes a drawback that the organic resin insulating layer cannot be formed in a predetermined pattern shape. In particular, it is impossible to clearly form a through hole at a predetermined position of the organic resin insulating layer, and the organic resin insulating layer is located vertically above and below the organic resin insulating layer via a through hole conductor attached to the inner wall of the through hole. The thin-film wiring conductor layers, or the wiring conductor provided on the upper surface of the substrate and the thin-film wiring conductor layer cannot be reliably and firmly electrically connected.
【0011】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は有機樹脂前駆体をほぼ全体にわたり適度
に光硬化させて所定のパターン形状の有機樹脂絶縁層を
作成し、基板と有機樹脂絶縁層間及び上下に積層される
有機樹脂絶縁層間の接合強度が強く、基板に設けた配線
導体と薄膜配線導体との間及び上下に位置する薄膜配線
導体層の間をスルーホール導体を介して確実、強固に電
気的接続させることができる高信頼性の多層配線基板の
製造方法を提供することにある。The present invention has been devised in view of the above-mentioned drawbacks, and has as its object the purpose of forming an organic resin insulating layer having a predetermined pattern by appropriately curing the organic resin precursor over substantially the entirety thereof. The bonding strength between the resin insulating layers and the organic resin insulating layers stacked vertically is strong, and the through-hole conductors are used between the wiring conductor provided on the substrate and the thin-film wiring conductor and between the thin-film wiring conductor layers located above and below. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a highly reliable multilayer wiring board capable of reliably and firmly making an electrical connection.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板の
製造方法は、基板と、該基板上に形成され、有機樹脂絶
縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層するとともに上下
に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたス
ルーホール導体を介して電気的に接続してなる多層配線
部とから成る多層配線基板であって、前記多層配線部を
下記(a)乃至(e)の工程により形成することを特徴
とするものである。According to the method of manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, a substrate and an organic resin insulating layer and a thin-film wiring conductor layer formed on the substrate are alternately laminated and positioned vertically. A multilayer wiring board comprising a thin-film wiring conductor layer electrically connected via a through-hole conductor provided in an organic resin insulating layer, wherein the multilayer wiring section is formed of the following (a) to (e). ) Is formed.
【0013】(a)基板上面に感光性の有機樹脂前駆体
を塗布し、これに露光処理・現像処理を施すことによっ
て有機樹脂絶縁層を被着させる工程と、(b)前記有機
樹脂絶縁層上に薄膜形成技術により銅、ニッケル、金、
アルミニウムの少なくとも1種から成る金属膜を被着さ
せるとともに該金属膜をフォトリソグラフィー技術によ
って所定パターンに加工し、薄膜配線導体層を形成する
工程と、(c)前記上面に薄膜配線導体層を形成した有
機樹脂絶縁層上に感光性の有機樹脂前駆体を塗布すると
ともに該有機樹脂前駆体のうち薄膜配線導体層が配され
ている領域に塗布されているものを除いて第1の露光処
理を施し、次に前記有機樹脂前駆体の全体に第2の露光
処理を施し、しかる後に現像処理を施してスルーホール
を有する有機樹脂絶縁層を形成する工程と、(d)前記
スルーホールを有する有機樹脂絶縁層の上面及びスルー
ホール内に薄膜形成技術により銅、ニッケル、金、アル
ミニウムの少なくとも1種から成る金属膜を被着させる
とともに該金属膜をフォトリソグラフィー技術によって
所定パターンに加工し、一部がスルーホールを介して下
方に位置する薄膜配線導体層と電気的に接続している薄
膜配線導体層を形成する工程と、(e)前記(c)及び
(d)の工程を交互に繰り返す工程。(A) a step of applying a photosensitive organic resin precursor on the upper surface of a substrate and subjecting the precursor to an exposure treatment and a development treatment to thereby deposit an organic resin insulation layer; and (b) the organic resin insulation layer. Copper, nickel, gold,
Depositing a metal film made of at least one kind of aluminum and processing the metal film into a predetermined pattern by photolithography to form a thin-film wiring conductor layer; and (c) forming a thin-film wiring conductor layer on the upper surface. A photosensitive organic resin precursor is applied on the organic resin insulating layer thus formed, and the first exposure process is performed except for the organic resin precursor applied to a region where the thin film wiring conductor layer is disposed. And then subjecting the entire organic resin precursor to a second exposure treatment, followed by a development treatment to form an organic resin insulating layer having a through hole, and (d) an organic resin having the through hole. A metal film made of at least one of copper, nickel, gold and aluminum is deposited on the upper surface of the resin insulating layer and in the through hole by a thin film forming technique, and the metal film is formed. Forming a thin-film wiring conductor layer that is partly electrically connected to a thin-film wiring conductor layer located below through a through hole by processing into a predetermined pattern by a photolithography technique; ) And (d) are alternately repeated.
【0014】また本発明の多層配線基板の製造方法は、
上面に配線導体を有する基板と、該基板上に形成され、
有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層すると
ともに上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層
に設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してな
る多層配線部とから成る多層配線基板であって、前記多
層配線部を下記(a)乃至(e)の工程により形成する
ことを特徴とするものである。Further, the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention comprises:
A substrate having a wiring conductor on the upper surface, formed on the substrate,
The organic resin insulating layer and the thin-film wiring conductor layer are alternately laminated, and the upper and lower thin-film wiring conductor layers are electrically connected through through-hole conductors provided in the organic resin insulating layer. Wherein the multilayer wiring portion is formed by the following steps (a) to (e).
【0015】(a)上面に配線導体が形成されている基
板上に感光性の有機樹脂前駆体を塗布するとともに該有
機樹脂前駆体のうち配線導体が配されている領域に塗布
されているものを除いて第1の露光処理を施し、次に前
記有機樹脂前駆体の全体に第2の露光処理を施し、しか
る後に現像処理を施してスルーホールを有する有機樹脂
絶縁層を形成する工程と、(b)前記スルーホールを有
する有機樹脂絶縁層の上面及びスルーホール内に薄膜形
成技術により銅、ニッケル、金、アルミニウムの少なく
とも1種から成る金属膜を被着させるとともに該金属膜
をフォトリソグラフィー技術によって所定パターンに加
工し、一部がスルーホールを介して下方に位置する配線
導体と電気的に接続している薄膜配線導体層を形成する
工程と、(c)前記上面に薄膜配線導体層を形成した有
機樹脂絶縁層上に感光性の有機樹脂前駆体を塗布すると
ともに該有機樹脂前駆体のうち薄膜配線導体層が配され
ている領域に塗布されているものを除いて第1の露光処
理を、次に前記有機樹脂前駆体の全体に第2の露光処理
を施し、しかる後に現像処理を施してスルーホールを有
する有機樹脂絶縁層を形成する工程と、(d)前記スル
ーホールを有する有機樹脂絶縁層の上面及びスルーホー
ル内に薄膜形成技術により銅、ニッケル、金、アルミニ
ウムの少なくとも1種から成る金属膜を被着させるとと
もに該金属膜をフォトリソグラフィー技術によって所定
パターンに加工し、一部がスルーホールを介して下方に
位置する薄膜配線導体層と電気的に接続している薄膜配
線導体層を形成する工程と、(e)前記(c)及び
(d)の工程を交互に繰り返す工程。本発明の多層配線
基板の製造方法によれば、薄膜配線導体層が存在する領
域に塗布されている厚みの薄い有機樹脂前駆体に対して
少ない量の光を照射し、その他の厚みが厚い有機樹脂前
駆体に対しては多い量の光を照射して、有機樹脂前駆体
全体を適度に光硬化させ、これによって上下に積層され
る有機樹脂絶縁層間の接合強度を強くすることができ、
同時に有機樹脂絶縁層を所定のパターン形状に鮮明に形
成することができるとともにスルーホールを所定位置に
極めて鮮明に形成することが可能となり、スルーホール
の内壁に被着されるスルーホール導体を介して有機樹脂
絶縁層を間に挟んで上下に位置する薄膜配線導体層を確
実、かつ強固に電気的接続することができる。(A) A photosensitive organic resin precursor is applied on a substrate having a wiring conductor formed on the upper surface, and the organic resin precursor is applied to a region where the wiring conductor is disposed. Exposing a first exposure treatment, and then applying a second exposure treatment to the whole of the organic resin precursor, and then performing a development treatment to form an organic resin insulation layer having a through hole; (B) A metal film made of at least one of copper, nickel, gold and aluminum is deposited on the upper surface of the organic resin insulating layer having the through hole and in the through hole by a thin film forming technique, and the metal film is formed by a photolithography technique. (C) forming a thin-film wiring conductor layer that is partly electrically connected to a wiring conductor located below through a through-hole through a predetermined pattern. A photosensitive organic resin precursor is applied on the organic resin insulating layer having the thin-film wiring conductor layer formed on the upper surface, and the organic resin precursor applied to the region where the thin-film wiring conductor layer is disposed is used. Excluding a first exposure treatment, then a second exposure treatment on the whole of the organic resin precursor, and then a development treatment to form an organic resin insulating layer having a through hole; (d) A) depositing a metal film made of at least one of copper, nickel, gold, and aluminum on the upper surface of the organic resin insulating layer having the through hole and in the through hole by a thin film forming technique, and applying the metal film to a predetermined position by a photolithography technique; (E) forming a thin-film wiring conductor layer that is partly electrically connected to a thin-film wiring conductor layer located below via a through hole by processing into a pattern; Step of repeating serial steps (c) and (d) alternately. According to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, a small amount of light is irradiated on the thin organic resin precursor applied to the region where the thin film wiring conductor layer is present, By irradiating a large amount of light to the resin precursor, the entire organic resin precursor is appropriately photo-cured, thereby increasing the bonding strength between the organic resin insulating layers stacked vertically.
At the same time, the organic resin insulating layer can be sharply formed in a predetermined pattern shape, and the through hole can be formed extremely sharply at a predetermined position, and through the through hole conductor attached to the inner wall of the through hole. The thin-film wiring conductor layers located above and below the organic resin insulating layer can be reliably and firmly electrically connected.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図1は、本発明の製造方法によって製作
された多層配線基板の一実施例を示し、1は基板、2
a、2b、2c、2dは有機樹脂絶縁層、3a、3b、
3c、3dは薄膜配線導体層である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows an embodiment of a multilayer wiring board manufactured by the manufacturing method of the present invention, wherein 1 is a board, 2
a, 2b, 2c, 2d are organic resin insulating layers, 3a, 3b,
3c and 3d are thin film wiring conductor layers.
【0017】前記基板1はその上面に有機樹脂絶縁層2
a、2b、2c、2dと薄膜配線導体層3a、3b、3
c、3dとから成る多層配線部4が形成されており、該
多層配線部4を支持する支持部材として作用する。The substrate 1 has an organic resin insulating layer 2 on its upper surface.
a, 2b, 2c, 2d and the thin film wiring conductor layers 3a, 3b, 3
A multi-layer wiring section 4 composed of c and 3d is formed, and functions as a support member for supporting the multi-layer wiring section 4.
【0018】前記基板1は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラ
ス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されており、例
えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合
には、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア等の原
料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状と
なすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカ
レンダーロール法を採用することによってセラミックグ
リーンシート(セラミック生シート)を形成し、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施し、所定形状となすとともに高温(約1600
℃)で焼成することによって、或いはアルミナ等の原料
粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末を
調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によって所
定形状に成形し、最後に前記成形体を約1600℃の温
度で焼成することによって製作され、またガラスエポキ
シ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維を織り込んだ
布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該エポ
キシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによっ
て製作される。The substrate 1 is made of an oxide ceramic such as an aluminum oxide sintered body or a mullite sintered body, or a non-oxide ceramic such as an aluminum nitride sintered body or a silicon carbide sintered body having an oxide film on its surface. Oxide ceramics, and further made of an electrically insulating material such as glass epoxy resin impregnated with epoxy resin in a cloth woven with glass fiber, for example, when formed of aluminum oxide sintered body , Alumina, silica, calcia, magnesia, etc., an appropriate organic solvent and a solvent are added and mixed to form a slurry, which is then formed into a ceramic green sheet by using a conventionally known doctor blade method or calendar roll method. Ceramic green sheet), and after that, the ceramic green sheet is subjected to an appropriate punching process to obtain a predetermined shape. Hot together form (about 1600
C) or by mixing a raw material powder such as alumina with an appropriate organic solvent and solvent to adjust the raw material powder and form the raw material powder into a predetermined shape by a press molding machine. If the body is made by firing the body at a temperature of about 1600 ° C. and is made of glass epoxy resin, for example, a cloth woven with glass fiber is impregnated with the epoxy resin precursor and the epoxy resin precursor is heated to a predetermined temperature. It is manufactured by heat curing.
【0019】また前記基板1はその上面に有機樹脂絶縁
層2a、2b、2c、2dと薄膜配線導体層3a、3
b、3c、3dとが交互に多層に配設されて形成される
多層配線部4が被着されており、該多層配線部4を構成
する有機樹脂絶縁層2a、2b、2c、2dは上下に位
置する薄膜配線導体層3a、3b、3c、3dの電気的
絶縁を図る作用をなし、また薄膜配線導体層3a、3
b、3c、3dは電気信号を伝達するための伝達路とし
て作用する。The substrate 1 has organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c, 2d and thin film wiring conductor layers 3a, 3a, 3d on its upper surface.
b, 3c, 3d are alternately arranged in a multilayer structure, and a multilayer wiring portion 4 is formed, and the organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c, 2d constituting the multilayer wiring portion 4 are vertically Function of electrically insulating the thin film wiring conductor layers 3a, 3b, 3c and 3d located at
b, 3c and 3d function as transmission paths for transmitting electric signals.
【0020】前記多層配線部4の有機樹脂絶縁層2a、
2b、2c、2dは、例えば、感光性のエポキシ樹脂か
ら成り、感光性の有機樹脂前駆体に所定の光を照射し光
硬化させることによって形成される。The organic resin insulating layer 2a of the multilayer wiring section 4
2b, 2c, and 2d are made of, for example, a photosensitive epoxy resin, and are formed by irradiating a predetermined light to a photosensitive organic resin precursor to cure the photosensitive resin.
【0021】更に前記多層配線部4の有機樹脂絶縁層2
b、2c、2dはその各々の所定位置に最小径が有機樹
脂絶縁層2b、2c、2dの厚みに対して約1.5倍程
度のスルーホール8b、8c、8dが形成されており、
該スルーホール8b、8c、8dは後述する有機樹脂絶
縁層2b、2c、2dを介して上下に位置する薄膜配線
導体属3a、3b、3c、3dの各々を電気的に接続す
るスルーホール導体9b、9c、9dを形成するための
形成孔として作用する。Further, the organic resin insulating layer 2 of the multilayer wiring section 4
b, 2c, and 2d have through holes 8b, 8c, and 8d each having a minimum diameter of about 1.5 times the thickness of the organic resin insulating layers 2b, 2c, and 2d at predetermined positions thereof.
The through holes 8b, 8c, 8d are provided with through hole conductors 9b for electrically connecting the thin film wiring conductors 3a, 3b, 3c, 3d located above and below via organic resin insulating layers 2b, 2c, 2d to be described later. , 9c, 9d.
【0022】前記各有機樹脂絶縁層2a、2b、2c、
2dの上面には所定パターンの薄膜配線導体層3a、3
b、3c、3dが、更に各有機樹脂絶縁層2b、2c、
2dに設けたスルーホール8b、8c、8dの内壁には
スルーホール導体9b、9c、9dが各々配設されてお
り、スルーホール導体9b、9c、9dによって間に有
機樹脂絶縁層2b、2c、2dを挟んで上下に位置する
各薄膜配線導体層3a、3b、3c、3dの各々が電気
的に接続されるようになっている。Each of the organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c,
On the upper surface of 2d, thin-film wiring conductor layers 3a, 3
b, 3c, 3d further include each of the organic resin insulating layers 2b, 2c,
On the inner walls of the through holes 8b, 8c, 8d provided in 2d, through hole conductors 9b, 9c, 9d are provided, respectively, and the organic resin insulating layers 2b, 2c, Each of the thin film wiring conductor layers 3a, 3b, 3c, and 3d located above and below the 2d is electrically connected.
【0023】前記各有機樹脂絶縁層2a、2b、2c、
2dの上面及びスルーホール8b、8c、8dの内壁に
配設される薄膜配線導体層3a、3b、3c、3d及び
スルーホール導体9b、9c、9dは銅、ニッケル、
金、アルミニウム等の金属材料を薄膜形成技術及びフォ
トリソグラフイー技術を採用することによって形成され
ており、薄膜配線導体層3a、3b、3c、3d及びス
ルーホール導体9b、9c、9dは薄膜形成技術により
形成されることから配線の微細化が可能であり、これに
よって薄膜配線導体層3a、3b、3c、3dを極めて
高密度に形成することが可能となる。Each of the organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c,
The thin film wiring conductor layers 3a, 3b, 3c, 3d and the through hole conductors 9b, 9c, 9d provided on the upper surface of 2d and the inner walls of the through holes 8b, 8c, 8d are made of copper, nickel,
The thin film wiring conductor layers 3a, 3b, 3c, and 3d and the through-hole conductors 9b, 9c, and 9d are formed of a metal material such as gold or aluminum by employing a thin film forming technique and a photolithographic technique. , Wiring can be miniaturized, and thereby, the thin film wiring conductor layers 3a, 3b, 3c, 3d can be formed at an extremely high density.
【0024】なお、前記有機樹脂絶縁層2a、2b、2
c、2dと薄膜配線導体層3a、3b、3c、3dとを
交互に多層に配設して形成される多層配線部4は各有機
樹脂絶縁層2a、2b、2c、2dの上面を中心線平均
粗さ(Ra)で0.05μm≦Ra≦5μmの粗面とし
ておくと有機樹脂絶縁層2a、2b、2c、2dと薄膜
配線導体層3a、3b、3c、3dとの接合及び上下に
位置する有機樹脂絶縁層2a、2b、2c、2d同士の
接合を強固となすことができる。従って、前記多層配線
部4の各有機樹脂絶縁層2a、2b、2c、2dはその
上面をエツチング加工技術等によって粗し、中心線平均
粗さ(Ra)で0.05μm≦Ra≦5μmの粗面とし
ておくことが好ましい。The organic resin insulating layers 2a, 2b, 2
c, 2d and the thin film wiring conductor layers 3a, 3b, 3c, 3d are alternately arranged in multiple layers, and the multilayer wiring portion 4 is formed by centering the upper surface of each of the organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c, 2d. If the average roughness (Ra) is 0.05 μm ≦ Ra ≦ 5 μm, a rough surface may be used to join the organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c, 2d to the thin film wiring conductor layers 3a, 3b, 3c, 3d and to position them vertically. The bonding between the organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c, and 2d can be made strong. Accordingly, the upper surfaces of the respective organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c, 2d of the multilayer wiring section 4 are roughened by an etching technique or the like, and the center line average roughness (Ra) is 0.05 μm ≦ Ra ≦ 5 μm. It is preferable to keep the surface.
【0025】また前記有機樹脂絶縁層2a、2b、2
c、2dはその表面の2.5mmの長さにおける凹凸の
高さ(Pc)のカウント値を、1μm≦Pc≦10μm
が500個以上、0.1μm≦Pc≦1μmが2500
個以上、0.01μm≦Pc≦0.1μmが12500
個以上としておくと有機樹脂絶縁層2a、2b、2c、
2dと薄膜配線導体層3a、3b、3c、3dとの接合
及び上下に位置する有機樹脂絶縁層2a、2b、2c、
2d同士の接合がより強固となる。従って、前記有機樹
脂絶縁層2はその表面の2.5mmの長さにおける凹凸
の高さ(Pc)のカウント値を、1μm≦Pc≦10μ
mが500個以上、0.1μm≦Pc≦1μmが250
0個以上、0.01μm≦Pc≦0.1μmが1250
0個以上としておくことが好ましい。The organic resin insulating layers 2a, 2b, 2
c and 2d are count values of the height of irregularities (Pc) at a length of 2.5 mm on the surface, where 1 μm ≦ Pc ≦ 10 μm
Is 500 or more and 0.1 μm ≦ Pc ≦ 1 μm is 2500
At least 0.01 μm ≦ Pc ≦ 0.1 μm is 12500
When the number is more than the number, the organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c,
2d and the thin film wiring conductor layers 3a, 3b, 3c, 3d and the organic resin insulation layers 2a, 2b, 2c
Bonding between 2d becomes stronger. Accordingly, the count value of the height (Pc) of the unevenness at a length of 2.5 mm on the surface of the organic resin insulating layer 2 is 1 μm ≦ Pc ≦ 10 μm.
m is 500 or more, and 0.1 μm ≦ Pc ≦ 1 μm is 250
0 or more, 0.01 μm ≦ Pc ≦ 0.1 μm is 1250
It is preferable to set the number to zero or more.
【0026】前記有機樹脂絶縁層2a、2b、2c、2
d上面の中心線平均粗さ(Ra)及び2.5mmの長さ
における凹凸の高さ(Pc)のカウント値は、有機樹脂
絶縁層2a、2b、2c、2dの表面を原子間力顕微鏡
(Digital Instruments Inc.製のDimension 300-Nano S
copeIII)で50μm角の対角(70μm)に走査させて
その表面状態を検査測定し、その測定結果より各々の数
値を出した。The organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c, 2
d The center line average roughness (Ra) of the upper surface and the count value of the height of irregularities (Pc) at a length of 2.5 mm are determined by measuring the surfaces of the organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c, and 2d with an atomic force microscope ( Dimension 300-Nano S manufactured by Digital Instruments Inc.
(copeIII), scanning was performed at a diagonal of 50 μm square (70 μm) to inspect and measure the surface condition, and respective numerical values were obtained from the measurement results.
【0027】また前記中心線平均粗さ(Ra)が0.0
5μm≦Ra≦5μm、2.5mmの長さにおける凹凸
の高さ(Pc)のカウント値が、1μm≦Pc≦10μ
mが500個以上、0.1μm≦Pc≦1μmが250
0個以上、0.01μm≦Pc≦0.1μmが1250
0個以上の有機樹脂絶縁層2a、2b、2c、2dは、
該有機樹脂絶縁層2a、2b、2c、2dの上面にCH
F3 、CF4 、Ar等のガスを吹きつけリアクティブイ
オンエッチング処理をすることによって表面が所定の粗
さに粗される。The center line average roughness (Ra) is 0.0
5 μm ≦ Ra ≦ 5 μm, the count value of the height of unevenness (Pc) at a length of 2.5 mm is 1 μm ≦ Pc ≦ 10 μm
m is 500 or more, and 0.1 μm ≦ Pc ≦ 1 μm is 250
0 or more, 0.01 μm ≦ Pc ≦ 0.1 μm is 1250
The zero or more organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c, 2d
CH is formed on the upper surfaces of the organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c and 2d.
The surface is roughened to a predetermined roughness by performing a reactive ion etching process by blowing a gas such as F 3 , CF 4 , and Ar.
【0028】更に前記多層配線部4の各薄膜配線導体層
3a、3b、3c、3dはその厚みが1μm未満である
と各薄膜配線導体層3a、3b、3c、3dの電気抵抗
値が大きなものとなって各薄膜配線導体層3a、3b、
3c、3dに所定の電気信号を伝達させることが困難と
なり、また40μmを越えると薄膜配線導体層3a、3
b、3c、3dを有機樹脂絶縁層2a、2b、2c、2
dに被着させる際に薄膜配線導体層3a、3b、3c、
3dの内部に大きな応力が内在し、該大きな内在応力に
よって薄膜配線導体層3a、3b、3c、3dが有機樹
脂絶縁層2a、2b、2c、2dから剥離し易いものと
なる。従って、前記多層配線部4の各薄膜配線導体層3
a、3b、3c、3dの厚みは1μm〜40μmの範囲
としておくことが好ましい。If the thickness of each of the thin film wiring conductor layers 3a, 3b, 3c and 3d of the multilayer wiring portion 4 is less than 1 μm, the electric resistance of each of the thin film wiring conductor layers 3a, 3b, 3c and 3d is large. Each of the thin film wiring conductor layers 3a, 3b,
It becomes difficult to transmit a predetermined electric signal to 3c and 3d.
b, 3c and 3d are formed of organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c and 2
d, the thin film wiring conductor layers 3a, 3b, 3c,
A large stress is present inside 3d, and the large intrinsic stress makes it easy for the thin film wiring conductor layers 3a, 3b, 3c, 3d to be separated from the organic resin insulating layers 2a, 2b, 2c, 2d. Therefore, each thin-film wiring conductor layer 3 of the multilayer wiring portion 4
It is preferable that the thicknesses of a, 3b, 3c, and 3d be in the range of 1 μm to 40 μm.
【0029】かくして上述の多層配線基板によれば、最
上層の有機樹脂絶縁層2dに被着させた薄膜配線導体層
3dに半導体素子や容量素子等の電子部品Aの電極を半
田等を介して接続させ、電子部品Aの電極を薄膜配線導
体層3dに電気的に接続させれば半導体装置や混成集積
回路装置となり、薄膜配線導体層3a、3b、3c、3
dのいずれかを外部電気回路に接続することによって前
記電子部品Aは外部電気回路に接続されることとなる。Thus, according to the above-described multilayer wiring board, the electrodes of the electronic component A such as a semiconductor element and a capacitor are connected to the thin-film wiring conductor layer 3d attached to the uppermost organic resin insulating layer 2d via solder or the like. When the electrodes of the electronic component A are electrically connected to the thin film wiring conductor layer 3d, a semiconductor device or a hybrid integrated circuit device is obtained, and the thin film wiring conductor layers 3a, 3b, 3c, 3
The electronic component A is connected to an external electric circuit by connecting any one of d to an external electric circuit.
【0030】次に上述の多層配線基板における多層配線
部4の形成方法について図2に基づき説明する。まず図
2(a)に示す如く、基板1の上面に有機樹脂絶縁層2
aを被着させる。前記有機樹脂絶縁層2aは、例えば、
酸触媒型の感光性エポキシ樹脂から成り、フェノールノ
ボラック樹脂、メチロールメラミン、ジアリルジアゾニ
ウム塩にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テートを添加混合してペースト状の酸触媒型感光性エポ
キシ樹脂前駆体を作成するとともにこれを基板1の上面
にスピンコート法やカーテンコート法等によって所定厚
みに塗布させ、次にこれに高圧水銀ランプ等を用いた露
光機により1〜3J/cm3 のエネルギーで所定の露光
を行い、しかる後、スプレー現像機等で現像処理を施す
ことによって基板1の上面に所定厚みに被着される。Next, a method of forming the multilayer wiring section 4 in the above-described multilayer wiring board will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 2A, an organic resin insulating layer 2
a. The organic resin insulating layer 2a is, for example,
A phenol novolak resin, methylol melamine, diallyldiazonium salt and propylene glycol monomethyl ether acetate are added to and mixed with an acid-catalyzed photosensitive epoxy resin to form a paste-form acid-catalyzed photosensitive epoxy resin precursor and The upper surface of the substrate 1 is applied to a predetermined thickness by a spin coating method, a curtain coating method, or the like, and then subjected to a predetermined exposure at an energy of 1 to 3 J / cm 3 by an exposure machine using a high-pressure mercury lamp or the like. Thereafter, the substrate 1 is applied to a predetermined thickness on the upper surface of the substrate 1 by performing a developing process using a spray developing machine or the like.
【0031】次に図2(b)に示す如く、前記有機樹脂
絶縁層2a上に銅、ニッケル、金、アルミニウムの少な
くとも1種から成る薄膜配線導体層3aを所定パターン
に被着する。Next, as shown in FIG. 2B, a thin-film wiring conductor layer 3a made of at least one of copper, nickel, gold and aluminum is applied on the organic resin insulating layer 2a in a predetermined pattern.
【0032】前記薄膜配線導体層3aは、前記有機樹脂
絶縁層2aの上面に銅、ニッケル、金、アルミニウムの
少なくとも1種から成る金属材料を無電解めっき法や蒸
着法、スパッタリング法等によって所定厚みに被着さ
せ、しかる後、これをフォトリソグラフィー技術を採用
し、所定パターンに加工することによって有機樹脂絶縁
層2aの上面に所定のパターンに形成される。The thin film wiring conductor layer 3a is formed on a top surface of the organic resin insulating layer 2a by applying a metal material made of at least one of copper, nickel, gold and aluminum to a predetermined thickness by an electroless plating method, a vapor deposition method, a sputtering method or the like. After that, this is formed into a predetermined pattern on the upper surface of the organic resin insulating layer 2a by processing this into a predetermined pattern by employing photolithography technology.
【0033】なお、前記薄膜配線導体層3aを銅で、か
つ無電解めっき法により形成する場合には、例えば、硫
酸銅0.06モル/リットル、ホルマリン0.3モル/
リットル、水酸化ナトリウム0.35モル/リットル、
エチレンジアミン四酢酸0.35モル/リットルから成
る無電解めっき液を準備するとともにこれらめっき液を
使用して有機樹脂絶縁層2aの上面に厚さ1μm乃至4
0μmの銅膜を被着させ、しかる後、この銅膜を従来周
知のフォトリソグラフィー技術を採用し、所定パターン
に加工することによって形成される。When the thin film wiring conductor layer 3a is formed of copper and by an electroless plating method, for example, copper sulfate 0.06 mol / l, formalin 0.3 mol / l
Liter, sodium hydroxide 0.35 mol / l,
An electroless plating solution composed of 0.35 mol / liter of ethylenediaminetetraacetic acid is prepared, and the plating solution is used to form a layer having a thickness of 1 μm to 4 μm on the upper surface of the organic resin insulating layer 2a.
A copper film having a thickness of 0 μm is applied, and thereafter, the copper film is formed into a predetermined pattern by employing a conventionally known photolithography technique.
【0034】次に、図2(c)に示す如く、上面に薄膜
配線導体層3aが被着されている有機樹脂絶縁層2a上
にスルーホール8bを有する有機樹脂絶縁層2bを形成
する。Next, as shown in FIG. 2C, an organic resin insulating layer 2b having a through hole 8b is formed on the organic resin insulating layer 2a on which the thin film wiring conductor layer 3a is attached.
【0035】前記有機樹脂絶縁層2bは前述の有機樹脂
絶縁層2aと実質的に同じ材質、具体的には感光性のエ
ポキシ樹脂で形成されており、例えば、フェノールノボ
ラック樹脂、メチロールメラミン、ジアリルジアゾニウ
ム塩にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ートを添加混合して得たペースト状の酸触媒型感光性エ
ポキシ樹脂前駆体を有機樹脂絶縁層2aの上面にスピン
コート法やカーテンコート法等によって所定厚みに塗布
させ、次に前記有機樹脂前駆体のうち薄膜配線導体層3
aが配されている領域に塗布されている有機樹脂前駆体
を除く厚みの厚い有機樹脂前駆体に対して高圧水銀ラン
プ等を用いた露光機により0.5〜2J/cm2 のエネ
ルギーで第1の露光処理を施して厚みの厚い有機樹脂前
駆体の一部を光硬化させ、次いで薄膜配線導体層3aが
配されている領域に塗布されている厚みの薄い有機樹脂
前駆体とその他の厚みの厚い有機樹脂前駆体の両方に対
して高圧水銀ランプ等を用いた露光機により1〜3J/
cm2 のエネルギーで第2の露光処理を施し、これによ
って有機樹脂前駆体全体を適度に光硬化させ、しかる
後、これに現像処理を施すことによってスルーホール8
bを有する有機樹脂絶縁層2bが有機樹脂絶縁層2a上
に形成される。この場合、有機樹脂前駆体はその全体が
適度に光硬化されていることから未硬化の部分がなく、
上下に位置する有機樹脂絶縁層2aと有機樹脂絶縁層2
bとの接合強度が強くなり、同時に有機樹脂絶縁層2b
を所定のパターン形状に鮮明に形成することができると
ともに有機樹脂絶縁層2bにスルーホール8bを所定位
置に極めて鮮明に形成することが可能となる。The organic resin insulating layer 2b is made of substantially the same material as that of the organic resin insulating layer 2a, specifically, a photosensitive epoxy resin. For example, phenol novolak resin, methylolmelamine, diallyldiazonium A paste-form acid-catalyzed photosensitive epoxy resin precursor obtained by adding and mixing propylene glycol monomethyl ether acetate to a salt is applied to the upper surface of the organic resin insulating layer 2a to a predetermined thickness by a spin coating method, a curtain coating method, or the like, Next, of the organic resin precursor, the thin film wiring conductor layer 3
The thick organic resin precursor excluding the organic resin precursor applied to the area where a is disposed is irradiated with an energy of 0.5 to 2 J / cm 2 by an exposure machine using a high-pressure mercury lamp or the like. (1) Photo-curing a part of the thick organic resin precursor by performing the exposure treatment of (1), and then applying the thin organic resin precursor applied to the region where the thin film wiring conductor layer (3a) is disposed and the other thickness. 1 to 3 J / with an exposure machine using a high-pressure mercury lamp, etc.
A second exposure process is performed with an energy of 2 cm 2 , whereby the entire organic resin precursor is appropriately photo-cured.
b is formed on the organic resin insulating layer 2a. In this case, the organic resin precursor has no uncured part because its entirety is moderately light-cured,
Organic resin insulating layer 2a and organic resin insulating layer 2 located above and below
b, and at the same time, the organic resin insulating layer 2b
Can be clearly formed in a predetermined pattern shape, and the through holes 8b can be formed very clearly in predetermined positions in the organic resin insulating layer 2b.
【0036】なお、前記有機樹脂絶縁層2aに対する露
光処理は、有機樹脂前駆体の全体にまず高圧水銀ランプ
等を用いた露光機により1〜3J/cm2 のエネルギー
で第1の露光処理を施し、しかる後に有機樹脂前駆体の
うち薄膜配線導体層3aが配されている領域に塗布され
ている有機樹脂前駆体を除く厚みの厚い有機樹脂前駆体
に対して高圧水銀ランプ等を用いた露光機により0.5
〜2J/cm2 のエネルギーで第2の露光処理を施して
もよい。In the exposure treatment of the organic resin insulating layer 2a, first, the entire organic resin precursor is subjected to a first exposure treatment at an energy of 1 to 3 J / cm 2 by an exposure machine using a high-pressure mercury lamp or the like. Then, an exposing machine using a high-pressure mercury lamp or the like for the thick organic resin precursor excluding the organic resin precursor applied to the region where the thin film wiring conductor layer 3a is disposed in the organic resin precursor By 0.5
The second exposure treatment may be performed at an energy of about 2 J / cm 2 .
【0037】次に図2(d)に示す如く、前記有機樹脂
絶縁層2bの上面に薄膜配線導体層3bを被着させると
ともに有機樹脂絶縁層2bに設けたスルーホール8bの
内壁にスルーホール導体9bを形成する。この薄膜配線
導体層3bは一部がスルーホール導体9bを介して下方
に位置する薄膜配線導体層3aと電気的に接続してい
る。Next, as shown in FIG. 2D, a thin-film wiring conductor layer 3b is deposited on the upper surface of the organic resin insulating layer 2b, and a through-hole conductor is formed on the inner wall of the through hole 8b provided in the organic resin insulating layer 2b. 9b is formed. The thin-film wiring conductor layer 3b is partially electrically connected to the thin-film wiring conductor layer 3a located below via the through-hole conductor 9b.
【0038】前記薄膜配線導体層3bは前述の薄膜配線
導体層3aと同じ金属材料より成り、薄膜配線導体層3
aを形成するのと同様の方法によって有機樹脂絶縁層2
bの上面に形成される。The thin-film wiring conductor layer 3b is made of the same metal material as the thin-film wiring conductor layer 3a.
a, the organic resin insulating layer 2
b is formed on the upper surface.
【0039】また前記スルーホール導体9bは薄膜配線
導体層3aと実質的に同じ金属材料から成り、有機樹脂
絶縁層2bの上面に薄膜配線導体層3bを薄膜形成技術
を採用することによって形成する際に薄膜配線導体層3
bと同じ金属材料を有機樹脂絶縁層2bに形成したスル
ーホール8bの内壁に同時に被着させることによってス
ルーホール8bの内壁に形成される。The through-hole conductor 9b is made of substantially the same metal material as the thin-film wiring conductor layer 3a. When the thin-film wiring conductor layer 3b is formed on the upper surface of the organic resin insulating layer 2b by employing a thin-film forming technique. Thin film wiring conductor layer 3
The same metal material as b is simultaneously formed on the inner wall of the through hole 8b formed in the organic resin insulating layer 2b to form the inner wall of the through hole 8b.
【0040】そして最後に前記上面に薄膜配線導体層3
bを有する有機樹脂絶縁層2b上に、該有機樹脂絶縁層
2bを形成するのと同じ方法及び薄膜配線導体層3b及
びスルーホール導体9bを形成するのと同じ方法を繰り
返して行い、有機樹脂絶縁層2c、2bと薄膜配線導体
層3c、3dを交互に積層させ、上下に位置する薄膜配
線導体層3b、3c、3dをスルーホール導体9c、9
dで接続させれば図1に示す製品としての多層配線基板
が完成する。Finally, the thin film wiring conductor layer 3 is formed on the upper surface.
On the organic resin insulating layer 2b having a layer b, the same method as that for forming the organic resin insulating layer 2b and the same method for forming the thin film wiring conductor layer 3b and the through-hole conductor 9b are repeatedly performed. The layers 2c, 2b and the thin film wiring conductor layers 3c, 3d are alternately laminated, and the upper and lower thin film wiring conductor layers 3b, 3c, 3d are connected to the through-hole conductors 9c, 9
If the connection is made by d, the multilayer wiring board as a product shown in FIG. 1 is completed.
【0041】次に本発明の他の実施例を図3及び図4に
基づき説明する。図3は本発明の製造方法によって製作
された多層配線基板の他の実施例を示し、上面に配線導
体6を優する基板11上に有機樹脂絶縁層12a、12
b、12c、12dと薄膜配線導体層13a、13b、
13c、13dとを交互に多層に積層して形成される多
層配線部14を被着させたものである。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 3 shows another embodiment of a multilayer wiring board manufactured by the manufacturing method of the present invention, in which organic resin insulating layers 12a and 12
b, 12c, 12d and thin film wiring conductor layers 13a, 13b,
13c and 13d are alternately laminated in multiple layers to form a multilayer wiring portion 14.
【0042】前記多層配線基板は図4(a)示す如く、
まず上面に配線導体6を有する基板11上にスルーホー
ル18aを有する有機樹脂絶縁層12aを形成する。As shown in FIG.
First, an organic resin insulating layer 12a having a through hole 18a is formed on a substrate 11 having a wiring conductor 6 on an upper surface.
【0043】前記有機樹脂絶縁層12aは、例えば、酸
触媒型の感光性エポキシ樹脂等から成り、フェノールノ
ボラック樹脂、メチロールメラミン、ジアリルジアゾニ
ウム塩にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テートを添加混合してペースト状の酸触媒型感光性エポ
キシ樹脂前駆体を作成するとともにこれを上面に配線導
体6が形成されている基板11上にスピンコート法やカ
ーテンコート法等によって所定厚みに塗布させ、次に前
記有機樹脂前駆体のうち配線導体6が配されている領域
に塗布されている有機樹脂前駆体を除く厚みの厚い有機
樹脂前駆体に対して高圧水銀ランプ等を用いた露光機に
より0.5〜2J/cm2 のエネルギーで第1の露光処
理を施して厚みの厚い有機樹脂前駆体の一部を光硬化さ
せ、次いで配線導体6が配されている領域に塗布されて
いる厚みの薄い有機樹脂前駆体とその他の厚みが厚い有
機樹脂前駆体の両方に対して高圧水銀ランプ等を用いた
露光機により1〜3J/cm2 のエネルギーで第2の露
光処理を施し、これによって有機樹脂前駆体全体を適度
に光硬化させ、しかる後、これにスプレー現像機等で現
像処理してスルーホール18aを有する有機樹脂絶縁層
12aを形成する。The organic resin insulating layer 12a is made of, for example, an acid-catalyzed photosensitive epoxy resin or the like. A phenol novolak resin, methylolmelamine, diallyldiazonium salt is mixed with propylene glycol monomethyl ether acetate and mixed to form a paste-like acid. A catalyst-type photosensitive epoxy resin precursor is prepared and applied to a predetermined thickness by a spin coating method, a curtain coating method, or the like on a substrate 11 on which a wiring conductor 6 is formed on the upper surface. Of the thick organic resin precursor excluding the organic resin precursor applied to the region where the wiring conductors 6 are disposed, by using an exposing machine using a high-pressure mercury lamp or the like to obtain 0.5 to 2 J / cm 2. A first exposure process is performed with a second energy to photo-cure a part of the thick organic resin precursor, 1~3J by exposure machine using a high-pressure mercury lamp 6 is is arranged is in a thick, which is applied to the area being thin organic resin precursor and other thicknesses for both the thick organic resin precursor / cm 2 A second exposure process is performed with the energy described above, whereby the entire organic resin precursor is appropriately light-cured. Thereafter, the organic resin precursor is developed with a spray developing machine or the like to form an organic resin insulating layer 12a having a through hole 18a. Form.
【0044】この場合、有機樹脂前駆体はその全体が適
度に光硬化されていることから未硬化の部分がなく、基
板11と有機樹脂絶縁層12aとは極めて強固に接合
し、同時に有機樹脂絶縁層12aを所定のパターン形状
に鮮明に形成することができるとともに有機樹脂絶縁層
12aにスルーホール18aを所定位置に極めて鮮明に
形成することが可能となる。In this case, since the entire organic resin precursor is appropriately light-cured, there is no uncured portion, and the substrate 11 and the organic resin insulating layer 12a are bonded very firmly, and The layer 12a can be clearly formed in a predetermined pattern shape, and the through hole 18a can be formed very clearly in a predetermined position in the organic resin insulating layer 12a.
【0045】なお、前記有機樹脂絶縁層12aに対する
露光処理は、有機樹脂前駆体の全体にまず高圧水銀ラン
プ等を用いた露光機により1〜3J/cm2 のエネルギ
ーで第1の露光処理を施し、しかる後に有機樹脂前駆体
のうち配線導体6が配されている領域に塗布されている
有機樹脂前駆体を除く厚みの厚い有機樹脂前駆体に対し
て高圧水銀ランプ等を用いた露光機により0.5〜2J
/cm2 のエネルギーで第2の露光処理を施してもよ
い。In the exposure treatment on the organic resin insulating layer 12a, the entire organic resin precursor is first subjected to a first exposure treatment at an energy of 1 to 3 J / cm 2 by an exposure machine using a high-pressure mercury lamp or the like. Thereafter, the thick organic resin precursor, excluding the organic resin precursor applied to the region where the wiring conductor 6 is disposed, of the organic resin precursor is reduced to 0 by an exposure machine using a high-pressure mercury lamp or the like. 0.5-2J
The second exposure treatment may be performed at an energy of / cm 2 .
【0046】次に図4(b)に示す如く、前記有機樹脂
絶縁層12a上に銅、ニッケル、金、アルミニウムの少
なくとも1種から成る薄膜配線導体層13aを被着させ
るとともに有機樹脂絶縁層12aに設けたスルーホール
18aの内壁にスルーホール導体19aを被着させる。
この薄膜配線導体層13aは一部がスルーホール導体1
9aを介して配線導体6と電気的に接続している。Next, as shown in FIG. 4B, a thin-film wiring conductor layer 13a made of at least one of copper, nickel, gold and aluminum is deposited on the organic resin insulating layer 12a and the organic resin insulating layer 12a is formed. A through-hole conductor 19a is attached to the inner wall of the through-hole 18a.
A part of the thin film wiring conductor layer 13a is a through hole conductor 1
It is electrically connected to the wiring conductor 6 via 9a.
【0047】前記薄膜配線導体層13a及びスルーホー
ル導体19aは、前記有機樹脂絶縁層12aの上面及び
スルーホール18aの内壁に銅、ニッケル、金、アルミ
ニウムの少なくとも1種から成る金属材料を無電解めっ
き法や蒸着法、スパッタリング法等によって所定厚みに
被着させ、しかる後、これをフォトリソグラフィー技術
を採用し、所定パターンに加工することによって有機樹
脂絶縁層12aの上面及び該有機樹脂絶縁層12aに設
けたスルーホール18aの内壁に各々、形成される。The thin film wiring conductor layer 13a and the through hole conductor 19a are formed by electroless plating a metal material made of at least one of copper, nickel, gold and aluminum on the upper surface of the organic resin insulating layer 12a and the inner wall of the through hole 18a. A predetermined thickness is applied by a method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like, and thereafter, this is applied to the upper surface of the organic resin insulating layer 12a and the organic resin insulating layer 12a by processing into a predetermined pattern by employing a photolithography technique. Each is formed on the inner wall of the provided through hole 18a.
【0048】なお、前記薄膜配線導体層13a及びスル
ーホール導体19aを銅で、かつ無電解めっき法により
形成する場合には、例えば、硫酸銅0.06モル/リッ
トル、ホルマリン0.3モル/リットル、水酸化ナトリ
ウム0.35モル/リットル、エチレンジアミン四酢酸
0.35モル/リットルから成る無電解めっき液を準備
するとともにこれらめっき液を使用して有機樹脂絶縁層
12aの上面及びスルーホール18aの内壁に厚さ1μ
m乃至40μmの金属膜を被着させ、しかる後、この金
属膜を従来周知のフォトリソグラフィー技術を採用し、
所定パターンに加工することによって形成される。When the thin-film wiring conductor layer 13a and the through-hole conductor 19a are formed of copper by an electroless plating method, for example, copper sulfate 0.06 mol / l, formalin 0.3 mol / l An electroless plating solution comprising 0.35 mol / l of sodium hydroxide and 0.35 mol / l of ethylenediaminetetraacetic acid is prepared, and using these plating solutions, the upper surface of the organic resin insulating layer 12a and the inner wall of the through hole 18a. 1μ thick
A metal film of m to 40 μm is deposited, and thereafter, the metal film is formed using a conventionally known photolithography technique,
It is formed by processing into a predetermined pattern.
【0049】次に、図4(c)に示す如く、上面に薄膜
配線導体層13aが形成されている有機樹脂絶縁層12
a上にスルーホール18bを有する有機樹脂絶縁層12
bを形成する。Next, as shown in FIG. 4 (c), the organic resin insulating layer 12 having the thin film wiring conductor layer 13a formed on the upper surface
organic resin insulating layer 12 having through hole 18b on
b is formed.
【0050】前記有機樹脂絶縁層12bは前述の有機樹
脂絶縁層12aと実質的に同じ材料、具体的には感光性
のエポキシ樹脂で形成されており、例えば、フェノール
ノボラック樹脂、メチロールメラミン、ジアリルジアゾ
ニウム塩にプロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテートを添加混合して得たペースト状の酸触媒型感光
性エポキシ樹脂前駆体を有機樹脂前駆体12aの上面に
スピンコート法やカーテンコート法等によって所定厚み
に塗布させ、次に前記有機樹脂前駆体のうち薄膜配線導
体層13aが配されている領域に塗布されている有機樹
脂前駆体を除く厚みの厚い有機樹脂前駆体に対して高圧
水銀ランプ等を用いた露光機により0.5〜2J/cm
2 のエネルギーで第1の露光処理を施して厚みの厚い有
機樹脂前駆体の一部を光硬化させ、次いで薄膜配線導体
層13aが配されている領域に塗布されている厚みの薄
い有機樹脂前駆体とその他の厚みが厚い有機樹脂前駆体
の両方に対して高圧水銀ランプ等を用いた露光機により
1〜3J/cm2 のエネルギーで第2の露光処理を施
し、これによって有機樹脂前駆体全体を適度に光硬化さ
せ、しかる後、これにスプレー現像機等で現像処理して
スルーホール18bを有する有機樹脂絶縁層12bを形
成する。The organic resin insulating layer 12b is made of substantially the same material as the above-mentioned organic resin insulating layer 12a, specifically, a photosensitive epoxy resin. For example, phenol novolak resin, methylolmelamine, diallyldiazonium A paste-form acid-catalyzed photosensitive epoxy resin precursor obtained by adding and mixing propylene glycol monomethyl ether acetate to a salt is applied to the upper surface of the organic resin precursor 12a to a predetermined thickness by a spin coating method, a curtain coating method, or the like, Next, an exposure machine using a high-pressure mercury lamp or the like is applied to the thick organic resin precursor excluding the organic resin precursor applied to the region where the thin film wiring conductor layer 13a is disposed in the organic resin precursor. 0.5 to 2 J / cm
A part of the thick organic resin precursor is photo-cured by performing a first exposure treatment with energy 2 and then the thin organic resin precursor applied to the region where the thin film wiring conductor layer 13a is disposed. Both the body and the other organic resin precursor having a large thickness are subjected to a second exposure treatment with an energy of 1 to 3 J / cm 2 by an exposure machine using a high-pressure mercury lamp or the like. Is appropriately light-cured, and thereafter, is subjected to a developing process using a spray developing machine or the like to form an organic resin insulating layer 12b having a through hole 18b.
【0051】次に図4(d)に示す如く、前記有機樹脂
絶縁層12b上に薄膜配線導体層13bを被着させると
ともに有機樹脂絶縁層12bに設けたスルーホール18
bの内壁にスルーホール導体19bを被着させる。この
薄膜配線導体層13bは一部がスルーホール導体19b
を介して薄膜配線導体層13aと電気的に接続してい
る。Next, as shown in FIG. 4D, a thin-film wiring conductor layer 13b is deposited on the organic resin insulating layer 12b, and the through holes 18 provided in the organic resin insulating layer 12b are formed.
The through-hole conductor 19b is adhered to the inner wall of b. A part of the thin film wiring conductor layer 13b is a through hole conductor 19b.
Is electrically connected to the thin-film wiring conductor layer 13a via the.
【0052】前記薄膜配線導体層13b及びスルーホー
ル導体19bは前述の薄膜配線導体層13a及びスルー
ホール導体19aと同質の金属材料から成り、薄膜配線
導体層13a及びスルーホール導体19aの形成方法と
同様の方法によって有機樹脂絶縁層12bの上面及び有
機樹脂絶縁層12bに形成したスルーホール18bの内
壁に形成される。The thin-film wiring conductor layer 13b and the through-hole conductor 19b are made of the same metal material as the thin-film wiring conductor layer 13a and the through-hole conductor 19a, and are the same as the method of forming the thin-film wiring conductor layer 13a and the through-hole conductor 19a. By the method described above, it is formed on the upper surface of the organic resin insulating layer 12b and on the inner wall of the through hole 18b formed in the organic resin insulating layer 12b.
【0053】そして最後に前記上面に薄膜配線導体層1
3bを有する有機樹脂絶縁層12b上に該有機樹脂絶縁
層12bを形成するのと同じ方法及び薄膜配線導体層1
3aとスルーホール導体19aの形成方法と同じ方法を
繰り返して行い、有機樹脂絶縁層12c、12dと薄膜
配線導体層13c、13dを交互に積層させ、上下に位
置する薄膜配線導体層13b、13c、13dをスルー
ホール導体19c、19dで接続すれば図3に示す製品
として多層配線基板が完成する。Finally, the thin film wiring conductor layer 1 is formed on the upper surface.
3b and the same method as forming the organic resin insulating layer 12b on the organic resin insulating layer 12b
3a and the through-hole conductor 19a are formed in the same manner as above, and the organic resin insulating layers 12c and 12d and the thin film wiring conductor layers 13c and 13d are alternately laminated. By connecting 13d with through-hole conductors 19c and 19d, a multilayer wiring board is completed as a product shown in FIG.
【0054】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例において
は基板の上面側のみに複数の有機樹脂絶縁層と複数の薄
膜配線導体層とを交互に積層して形成される多層配線部
を被着させたが、該多層配線部を基板の下面側のみに設
けても、上下の両面に設けてもよい。It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes can be made without departing from the scope of the present invention. Although only a multilayer wiring portion formed by alternately laminating a plurality of organic resin insulating layers and a plurality of thin film wiring conductor layers is applied only to the above, even if the multilayer wiring portion is provided only on the lower surface side of the substrate, It may be provided on both upper and lower surfaces.
【0055】[0055]
【発明の効果】本発明の多層配線基板の製造方法によれ
ば、薄膜配線導体層が存在する領域に塗布されている厚
みの薄い有機樹脂前駆体に対して少ない量の光を照射
し、その他の厚みが厚い有機樹脂前駆体に対しては多い
量の光を照射して、有機樹脂前駆体全体を適度に光硬化
させ、これによって上下に積層される有機樹脂絶縁層間
の接合強度を強くすることができ、同時に有機樹脂絶縁
層を所定のパターン形状に鮮明に形成することができる
とともにスルーホールを所定位置に極めて鮮明に形成す
ることが可能となり、スルーホールの内壁に被着される
スルーホール導体を介して有機樹脂絶縁層を間に挟んで
上下に位置する薄膜配線導体層を確実、かつ強固に電気
的接続することができる。According to the method of manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, a small amount of light is irradiated on a thin organic resin precursor applied to a region where a thin film wiring conductor layer is present. The organic resin precursor having a large thickness is irradiated with a large amount of light, and the entire organic resin precursor is appropriately photo-cured, thereby increasing the bonding strength between the organic resin insulating layers stacked vertically. At the same time, the organic resin insulating layer can be sharply formed in a predetermined pattern shape, and the through hole can be formed extremely clearly at a predetermined position, and the through hole attached to the inner wall of the through hole can be formed. The thin film wiring conductor layers located above and below the organic resin insulating layer via the conductor can be reliably and firmly electrically connected.
【図1】本発明の製造方法によって製作される多層配線
基板の一実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of a multilayer wiring board manufactured by a manufacturing method of the present invention.
【図2】(a)乃至(d)は図1の多層配線基板の製造
方法を説明するための各工程毎の要部拡大断面図であ
る。2 (a) to 2 (d) are enlarged cross-sectional views of main parts in each step for explaining a method of manufacturing the multilayer wiring board of FIG. 1;
【図3】本発明の製造方法によって製作される多層配線
基板の他の実施例を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the multilayer wiring board manufactured by the manufacturing method of the present invention.
【図4】(a)乃至(d)は図3の多層配線基板の製造
方法を説明するための各工程毎の要部拡大断面図であ
る。4 (a) to 4 (d) are enlarged cross-sectional views of main parts in respective steps for explaining a method of manufacturing the multilayer wiring board of FIG. 3;
1・・・・・・・・・・・・・・・基板 2a、2b、2c、2d・・・・・有機樹脂絶縁層 3a、3b、3c、3d・・・・・薄膜配線導体層 4・・・・・・・・・・・・・・・多層配線部 6・・・・・・・・・・・・・・・配線導体 8b、8c、8d・・・・・・・・スルーホール 9b、9c、9d・・・・・・・・スルーホール導体 A・・・・・・・・・・・・・・・電子部品 1 ... substrate 2a, 2b, 2c, 2d ... organic resin insulation layer 3a, 3b, 3c, 3d ... thin film wiring conductor layer 4 ····· Multilayer wiring part 6 ···· Wiring conductors 8b, 8c, 8d ········ Holes 9b, 9c, 9d: Through-hole conductor A: Electronic components
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 23/12 H01L 23/12 N ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 23/12 H01L 23/12 N
Claims (4)
縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層するとともに上下
に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたス
ルーホール導体を介して電気的に接続してなる多層配線
部とから成る多層配線基板であって、前記多層配線部を
下記(a)乃至(e)の工程により形成することを特徴
とする多層配線基板の製造方法。 (a)基板上面に感光性の有機樹脂前駆体を塗布し、こ
れに露光処理・現像処理を施すことによって有機樹脂絶
縁層を被着させる工程と、(b)前記有機樹脂絶縁層上
に薄膜形成技術により銅、ニッケル、金、アルミニウム
の少なくとも1種から成る金属膜を被着させるとともに
該金属膜をフォトリソグラフィー技術によって所定パタ
ーンに加工し、薄膜配線導体層を形成する工程と、
(c)前記上面に薄膜配線導体層を形成した有機樹脂絶
縁層上に感光性の有機樹脂前駆体を塗布するとともに該
有機樹脂前駆体のうち薄膜配線導体層が配されている領
域に塗布されているものを除いて第1の露光処理を施
し、次に前記有機樹脂前駆体の全体に第2の露光処理を
施し、しかる後に現像処理を施してスルーホールを有す
る有機樹脂絶縁層を形成する工程と、(d)前記スルー
ホールを有する有機樹脂絶縁層の上面及びスルーホール
内に薄膜形成技術により銅、ニッケル、金、アルミニウ
ムの少なくとも1種から成る金属膜を被着させるととも
に該金属膜をフォトリソグラフィー技術によって所定パ
ターンに加工し、一部がスルーホールを介して下方に位
置する薄膜配線導体層と電気的に接続している薄膜配線
導体層を形成する工程と、(e)前記(c)及び(d)
の工程を交互に繰り返す工程1. A through-hole conductor formed by alternately stacking a substrate and an organic resin insulating layer and a thin film wiring conductor layer formed on the substrate and providing upper and lower thin film wiring conductor layers in the organic resin insulation layer. A multilayer wiring board comprising: a multilayer wiring portion electrically connected to the multilayer wiring portion, wherein the multilayer wiring portion is formed by the following steps (a) to (e). Production method. (A) a step of applying a photosensitive organic resin precursor on the upper surface of a substrate, and applying an exposure treatment and a development treatment thereon to deposit an organic resin insulation layer; and (b) a thin film on the organic resin insulation layer. Forming a thin film wiring conductor layer by applying a metal film made of at least one of copper, nickel, gold, and aluminum by a forming technique and processing the metal film into a predetermined pattern by a photolithography technique;
(C) A photosensitive organic resin precursor is applied on the organic resin insulating layer having the thin film wiring conductor layer formed on the upper surface, and is applied to a region of the organic resin precursor where the thin film wiring conductor layer is arranged. Except for those that have been exposed, a first exposure treatment is performed, then a second exposure treatment is performed on the entire organic resin precursor, and then a development treatment is performed to form an organic resin insulation layer having through holes. And (d) depositing a metal film made of at least one of copper, nickel, gold, and aluminum on the upper surface of the organic resin insulating layer having the through hole and in the through hole by a thin film forming technique, and depositing the metal film. Processing into a predetermined pattern by photolithography technology to form a thin-film wiring conductor layer that is partially electrically connected to a thin-film wiring conductor layer located below via through holes If, (e) the (c) and (d)
The process of repeating the process of
縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層するとともに上下
に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたス
ルーホール導体を介して電気的に接続してなる多層配線
部とから成る多層配線基板であって、前記多層配線部を
下記(a)乃至(e)の工程により形成することを特徴
とする多層配線基板の製造方法。 (a)基板上面に感光性の有機樹脂前駆体を塗布し、こ
れに露光処理・現像処理を施すことによって有機樹脂絶
縁層を被着させる工程と、(b)前記有機樹脂絶縁層上
に薄膜形成技術により銅、ニッケル、金、アルミニウム
の少なくとも1種から成る金属膜を被着させるとともに
該金属膜をフォトリソグラフィー技術によって所定パタ
ーンに加工し、薄膜配線導体層を形成する工程と、
(c)前記上面に薄膜配線導体層を形成した有機樹脂絶
縁層上に感光性の有機樹脂前駆体を塗布するとともに該
有機樹脂前駆体の全体に第1の露光処理を施し、次に前
記有機樹脂前駆体のうち薄膜配線導体層が配されている
領域に塗布されたものを除いて第2の露光処理を施し、
しかる後に現像処理を施してスルーホールを有する有機
樹脂絶縁層を形成する工程と、(d)前記スルーホール
を有する有機樹脂絶縁層の上面及びスルーホール内に薄
膜形成技術により銅、ニッケル、金、アルミニウムの少
なくとも1種から成る金属膜を被着させるとともに該金
属膜をフォトリソグラフィー技術によって所定パターン
に加工し、一部がスルーホールを介して下方に位置する
薄膜配線導体層と電気的に接続している薄膜配線導体層
を形成する工程と、(e)前記(c)及び(d)の工程
を交互に繰り返す工程2. A through-hole conductor formed by alternately laminating a substrate and an organic resin insulating layer and a thin film wiring conductor layer formed on the substrate and providing upper and lower thin film wiring conductor layers in the organic resin insulation layer. A multilayer wiring board comprising: a multilayer wiring portion electrically connected to the multilayer wiring portion, wherein the multilayer wiring portion is formed by the following steps (a) to (e). Production method. (A) a step of applying a photosensitive organic resin precursor on the upper surface of a substrate, and applying an exposure treatment and a development treatment thereon to deposit an organic resin insulation layer; and (b) a thin film on the organic resin insulation layer. Forming a thin film wiring conductor layer by applying a metal film made of at least one of copper, nickel, gold, and aluminum by a forming technique and processing the metal film into a predetermined pattern by a photolithography technique;
(C) coating a photosensitive organic resin precursor on an organic resin insulating layer having a thin-film wiring conductor layer formed on the upper surface, performing a first exposure treatment on the entire organic resin precursor, Excluding the resin precursor applied to the region where the thin film wiring conductor layer is disposed, the second exposure process is performed,
(D) forming an organic resin insulating layer having a through-hole by performing a development process thereafter; and (d) forming copper, nickel, gold, or the like on the upper surface of the organic resin insulating layer having the through-hole and in the through-hole by a thin film forming technique. A metal film made of at least one kind of aluminum is applied and the metal film is processed into a predetermined pattern by a photolithography technique, and a part of the metal film is electrically connected to a thin film wiring conductor layer located below through a through hole. And (e) alternately repeating the steps (c) and (d).
に形成され、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互
に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体層を有
機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して電気的
に接続してなる多層配線部とから成る多層配線基板であ
って、前記多層配線部を下記(a)乃至(e)の工程に
より形成することを特徴とする多層配線基板の製造方
法。 (a)上面に配線導体が形成されている基板上に感光性
の有機樹脂前駆体を塗布するとともに該有機樹脂前駆体
のうち配線導体が配されている領域に塗布されているも
のを除いて第1の露光処理を施し、次に前記有機樹脂前
駆体の全体に第2の露光処理を施し、しかる後に現像処
理を施してスルーホールを有する有機樹脂絶縁層を形成
する工程と、(b)前記スルーホールを有する有機樹脂
絶縁層の上面及びスルーホール内に薄膜形成技術により
銅、ニッケル、金、アルミニウムの少なくとも1種から
成る金属膜を被着させるとともに該金属膜をフォトリソ
グラフィー技術によって所定パターンに加工し、一部が
スルーホールを介して下方に位置する配線導体と電気的
に接続している薄膜配線導体層を形成する工程と、
(c)前記上面に薄膜配線導体層を形成した有機樹脂絶
縁層上に感光性の有機樹脂前駆体を塗布するとともに該
有機樹脂前駆体のうち薄膜配線導体層が配されている領
域に塗布されているものを除いて第1の露光処理を、次
に前記有機樹脂前駆体の全体に第2の露光処理を施し、
しかる後に現像処理を施してスルーホールを有する有機
樹脂絶縁層を形成する工程と、(d)前記スルーホール
を有する有機樹脂絶縁層の上面及びスルーホール内に薄
膜形成技術により銅、ニッケル、金、アルミニウムの少
なくとも1種から成る金属膜を被着させるとともに該金
属膜をフォトリソグラフィー技術によって所定パターン
に加工し、一部がスルーホールを介して下方に位置する
薄膜配線導体層と電気的に接続している薄膜配線導体層
を形成する工程と、(e)前記(c)及び(d)の工程
を交互に繰り返す工程3. A substrate having a wiring conductor on an upper surface thereof, and an organic resin insulating layer and a thin film wiring conductor layer formed on the substrate are alternately laminated, and the thin film wiring conductor layers located above and below are formed on the organic resin insulating layer. And a multilayer wiring portion electrically connected through a through-hole conductor provided in the multilayer wiring board, wherein the multilayer wiring portion is formed by the following steps (a) to (e). Manufacturing method of a multilayer wiring board. (A) A photosensitive organic resin precursor is applied on a substrate having a wiring conductor formed on its upper surface, and the organic resin precursor is not applied to a region where the wiring conductor is disposed in the organic resin precursor. Performing a first exposure process, then performing a second exposure process on the entire organic resin precursor, and then performing a development process to form an organic resin insulating layer having a through hole; (b) A metal film made of at least one of copper, nickel, gold, and aluminum is deposited on the upper surface of the organic resin insulating layer having the through hole and in the through hole by a thin film forming technique, and the metal film is formed into a predetermined pattern by a photolithography technique. Forming a thin-film wiring conductor layer that is electrically connected to a wiring conductor located below through a through hole,
(C) A photosensitive organic resin precursor is applied on the organic resin insulating layer having the thin film wiring conductor layer formed on the upper surface, and is applied to a region of the organic resin precursor where the thin film wiring conductor layer is arranged. Except for the first exposure treatment, and then subject the entire organic resin precursor to a second exposure treatment,
(D) forming an organic resin insulating layer having a through-hole by performing a development process thereafter; and (d) forming copper, nickel, gold, or the like on the upper surface of the organic resin insulating layer having the through-hole and in the through-hole by a thin film forming technique. A metal film made of at least one kind of aluminum is applied and the metal film is processed into a predetermined pattern by a photolithography technique, and a part of the metal film is electrically connected to a thin film wiring conductor layer located below through a through hole. And (e) alternately repeating the steps (c) and (d).
に形成され、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互
に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体層を有
機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して電気的
に接続してなる多層配線部とから成る多層配線基板であ
って、前記多層配線部を下記(a)乃至(e)の工程に
より形成することを特徴とする多層配線基板の製造方
法。 (a)上面に配線導体が形成されている基板上に感光性
の有機樹脂前駆体を塗布するとともに該有機樹脂前駆体
の全体に第1の露光処理を施し、次に前記有機樹脂前駆
体のうち配線導体が配されている領域に塗布されている
ものを除き第2の露光処理を施し、しかる後に現像処理
を施してスルーホールを有する有機樹脂絶縁層を形成す
る工程と、(b)前記スルーホールを有する有機樹脂絶
縁層の上面及びスルーホール内に薄膜形成技術により
銅、ニッケル、金、アルミニウムの少なくとも1種から
成る金属膜を被着させるとともに該金属膜をフォトリソ
グラフィー技術によって所定パターンに加工し、一部が
スルーホールを介して下方に位置する配線導体と電気的
に接続している薄膜配線導体層を形成する工程と、
(c)前記上面に薄膜配線導体層を形成した有機樹脂絶
縁層上に感光性の有機樹脂前駆体を塗布するとともに該
有機樹脂前駆体の全体に第1の露光処理を施し、次に前
記有機樹脂前駆体のうち薄膜配線導体層が配されている
領域に塗布されているものを除いて第2の露光処理を施
し、しかる後に現像処理を施してスルーホールを有する
有機樹脂絶縁層を形成する工程と、(d)前記スルーホ
ールを有する有機樹脂絶縁層の上面及びスルーホール内
に薄膜形成技術により銅、ニッケル、金、アルミニウム
の少なくとも1種から成る金属膜を被着させるとともに
該金属膜をフォトリソグラフィー技術によって所定パタ
ーンに加工し、一部がスルーホールを介して下方に位置
する薄膜配線導体層と電気的に接続している薄膜配線導
体層を形成する工程、(e)前記(c)及び(d)の工
程を交互に繰り返す工程4. A substrate having a wiring conductor on an upper surface thereof, and an organic resin insulating layer and a thin film wiring conductor layer formed on the substrate are alternately laminated, and the thin film wiring conductor layers located above and below are formed on the organic resin insulating layer. And a multilayer wiring portion electrically connected through a through-hole conductor provided in the multilayer wiring board, wherein the multilayer wiring portion is formed by the following steps (a) to (e). Manufacturing method of a multilayer wiring board. (A) A photosensitive organic resin precursor is applied on a substrate having a wiring conductor formed on the upper surface, and a first exposure process is performed on the entire organic resin precursor. A step of performing a second exposure process except for a portion applied to a region where the wiring conductor is arranged, and then performing a development process to form an organic resin insulating layer having a through hole; A metal film made of at least one of copper, nickel, gold, and aluminum is deposited on the upper surface of the organic resin insulating layer having a through hole and in the through hole by a thin film formation technique, and the metal film is formed into a predetermined pattern by a photolithography technique. Processing, forming a thin-film wiring conductor layer that is partially electrically connected to the wiring conductor located below through the through-hole,
(C) coating a photosensitive organic resin precursor on an organic resin insulating layer having a thin-film wiring conductor layer formed on the upper surface, performing a first exposure treatment on the entire organic resin precursor, Except for the resin precursor applied to the region where the thin film wiring conductor layer is disposed, a second exposure process is performed, and then a development process is performed to form an organic resin insulating layer having a through hole. And (d) depositing a metal film made of at least one of copper, nickel, gold, and aluminum on the upper surface of the organic resin insulating layer having the through hole and in the through hole by a thin film forming technique, and depositing the metal film. Processing into a predetermined pattern by photolithography technology to form a thin-film wiring conductor layer that is partially electrically connected to a thin-film wiring conductor layer located below via through holes , The step of repeating alternating steps of (e) above (c) and (d)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18529197A JPH1131883A (en) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | Manufacture of multilayered wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP18529197A JPH1131883A (en) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | Manufacture of multilayered wiring board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH1131883A true JPH1131883A (en) | 1999-02-02 |
Family
ID=16168295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP18529197A Pending JPH1131883A (en) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | Manufacture of multilayered wiring board |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH1131883A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001144436A (en) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Nippon Zeon Co Ltd | Multilayer circuit board |
-
1997
- 1997-07-10 JP JP18529197A patent/JPH1131883A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2001144436A (en) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Nippon Zeon Co Ltd | Multilayer circuit board |
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