JPH1131760A - 樹脂封止型半導体装置及びその製法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製法Info
- Publication number
- JPH1131760A JPH1131760A JP20082297A JP20082297A JPH1131760A JP H1131760 A JPH1131760 A JP H1131760A JP 20082297 A JP20082297 A JP 20082297A JP 20082297 A JP20082297 A JP 20082297A JP H1131760 A JPH1131760 A JP H1131760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- leads
- semiconductor device
- parts
- heat sink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
る絶縁不良と、樹脂の流れをスムーズにし樹脂のモ−ル
ド不良を無くした樹脂封止型半導体装置を供給するもの
である。 【解決手段】放熱板上に半導体チップを固着し、前記半
導体チップは、所定間隔をもって固定される複数のリー
ドと電気的に接続され、樹脂封止される半導体装置にお
いて、前記放熱板は半導体チップの周辺に切り欠きもし
くは穴をもうけ、前記リードと放熱板が接触することを
防止した。
Description
固着され、かつ半導体チップがリードフレームとワイヤ
ボンディングされる樹脂封止型半導体装置及びその製法
に関するものである。
めす。多数の素子が形成されている半導体チップは放熱
板と電気的に接着固定されている。また放熱板はサポー
トピンによりリードフレームと固定されて樹脂封止され
放熱板が外に露出しないフルモールドあるいはフルパッ
クと呼ばれる樹脂封止型半導体装置を供給する。このタ (2) イプの半導体装置は取り付けるときに絶縁物をはさんで
取り付けないでも良い利点がある。しかし、欠点として放
熱板が樹脂で覆われているため、放熱板が外にでている
タイプより放熱が悪い。そのため放熱板は樹脂封止型半
導体装置のかなり下のほうにくるよう、リードと放熱板
は接触しないように通常0,5〜0,6m程度の間隔をも
つように設計されている。
態のものを、上型と下型からなる一対の樹脂封止用金型
の間に、放熱板と半導体チップを接続し、リードと半導
体チップを電気的に接続してリードフレームを挟み込
み、金型の空洞部に樹脂注入口から樹脂を流し込んで(ト
ランスファーモールド)硬化後、不要なフレームを切断し
て製品化する。この時樹脂は放熱板の上の広い方に早く
流れ、放熱板の下の狭いぼうは樹脂が流れにくくなる。そ
して放熱板の上側に樹脂が先に回り込み、リードの上か
ら下に向けて力が加わりでリードと放熱板が接触して不
良品になることがあった。
あるし、パッケージは小型化の傾向にあるのでリードも
小型軽量化しリードが樹脂の圧力で放熱板と接触し、絶
縁不良となることが増えた。
触しそうな所に樹脂を塗布し樹脂モールドする方法もあ
る。しかし、樹脂を挟む工程が余計に必要になってしま
う。また、特開平5一67717のように放熱板の半導体
チップが固着される部分を領域を除く全体に絶縁物を塗
布する方法もある。しかし、これは費用もかかるし放熱
板とリードが接触しても絶縁不良を起こさない程度の絶
縁膜を塗布するのはかなり手間のかかる作業であるし、
樹脂の流れは改善されないのでモールド後エアが残った
りしてモールド不良が発生しやすくなってしまう。 (3)
で、リードが樹脂の流れる力で放熱板と接触しおこる絶
縁不良と、樹脂の流れをスムーズにし樹脂のモ−ルド不
良を無くした樹脂封止型半導体装置を供給するものであ
る。
である。この発明は放熱板のリードと接触しやすい部分
をくりぬき、あるいは切り欠きをももうけモールドする
ときに凹部から下から上に樹脂が流れる力を利用するこ
とにより、リード先端を上に押上げ、樹脂封止するとき
の樹脂の流れに影響を与えることによって、リードと放
熱板が接触することを防いだ。
のリードと接触し易い部分に穴をもうけるか、そこに切
り欠きをもうければそこを樹脂が通るようになり、リー
ドの下から上への樹脂注入口から流れ込む樹脂の圧力が
かかるのでリードの先端に下から上にリードを押し上げ
る樹脂の圧力が加わり、放熱板とリードが接触するのを
防ぐのである。
番重く接触し易いリードの真下部分をくりぬいた例であ
る。製造法としてはリードの垂れ下がり易い部分は切り
欠きを設けた放熱板に半導体チップを搭載する。次にワ
イヤボンディングでリードと半導体チップを接続する。
その後樹脂注入穴から樹脂を注入し、硬化後、余分な
リードフレームを切断し完成する。 (4)
不良を防止することができ産業上利用可能性大なるもの
である。
Claims (3)
- 【請求項1】 放熱板上に半導体チップを固着し、前記
半導体チップは、所定間隔をもって固定される複数のリ
ードと電気的に接続され、樹脂封止される半導体装置に
おいて、前記放熱板は半導体チップの周辺に切り欠きも
しくは穴をもうけ、前記リードと放熱板が接触すること
を防止したことを特徴とした樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項2】前記切り欠きもしくは穴を半導体チップの
上部にもうけた請求項1記載の樹脂封止型半導体装置 - 【請求項3】 半導体チップを搭載する場所の上部に切
り欠きもしくは穴をもつ放熱板上に半導体チップを固着
し、前記半導体チップを、複数のリードと電気的に接続
し、トランスファーモールドする樹脂封止型半導体装置
の製造方法において、前記放熱板は前記切り欠きもしく
は穴により樹脂の流れを良好にすると同時に前記リード
と放熱板が接触することを防止したことを特徴とした樹
脂封止型半導体装置の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20082297A JP3592040B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 樹脂封止型半導体装置及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20082297A JP3592040B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 樹脂封止型半導体装置及びその製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1131760A true JPH1131760A (ja) | 1999-02-02 |
JP3592040B2 JP3592040B2 (ja) | 2004-11-24 |
Family
ID=16430790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20082297A Expired - Lifetime JP3592040B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 樹脂封止型半導体装置及びその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3592040B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113473803A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-01 | 青岛海信移动通信技术股份有限公司 | 均温板以及终端设备 |
-
1997
- 1997-07-10 JP JP20082297A patent/JP3592040B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113473803A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-01 | 青岛海信移动通信技术股份有限公司 | 均温板以及终端设备 |
CN113473803B (zh) * | 2021-06-30 | 2022-11-15 | 青岛海信移动通信技术股份有限公司 | 均温板以及终端设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3592040B2 (ja) | 2004-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3170182B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
US7554179B2 (en) | Multi-leadframe semiconductor package and method of manufacture | |
US20020037604A1 (en) | Lead frame, semiconductor package having lead frame, and method of manufacturing semiconductor package | |
JPH07321139A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2972096B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
US20130011973A1 (en) | Leadframe strip and mold apparatus for an electronic component and method of encapsulating an electronic component | |
JP2001267482A (ja) | リードフレームパターン及びこれを用いた半導体装置並びに半導体装置の製造方法 | |
WO1998029903A1 (en) | Resin-encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US6677665B2 (en) | Dual-die integrated circuit package | |
JPH08111491A (ja) | 半導体装置 | |
JP2006100636A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20070077732A1 (en) | Semiconductor device and a manufacturing method of the same | |
JPS6151933A (ja) | 半導体装置の製法 | |
JPH1131760A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製法 | |
US20010042912A1 (en) | Dual-die integrated circuit package | |
JP3702655B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP2001156235A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
JP2002033345A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JPH0582573A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用金型 | |
JPH10209194A (ja) | 半導体装置、その製造方法およびそれに用いる樹脂モールド工程装置 | |
KR20000011664A (ko) | 반도체장치및그제조방법 | |
US20230031356A1 (en) | Method of producing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device | |
JP3813680B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100258876B1 (ko) | 반도체 시험용 패키지의 제조방법 | |
JP4002235B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040706 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040720 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040817 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040824 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070903 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080903 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090903 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090903 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100903 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110903 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110903 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120903 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120903 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |