JPH11305056A - 光導波路デバイス及びその製造方法 - Google Patents
光導波路デバイス及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11305056A JPH11305056A JP10980398A JP10980398A JPH11305056A JP H11305056 A JPH11305056 A JP H11305056A JP 10980398 A JP10980398 A JP 10980398A JP 10980398 A JP10980398 A JP 10980398A JP H11305056 A JPH11305056 A JP H11305056A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- layer
- waveguide layer
- substrate
- waveguide device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶性、配向性の良好な光導波層を得ること
ができ、かつ、光導波損失や表面弾性波の伝搬損失の小
さい光導波路デバイス及びその製造方法を得る。 【解決手段】 ガラス基板１０上にＺｎＯをレーザアブ
レーション法によって成膜して光導波層２０を形成し、
この光導波層２０の表面を機械的研摩又はエッチングで
平坦化した光導波路デバイス。光導波層２０はレーザア
ブレーション法で第１層を成膜し、その上にスパッタ法
で第２層を成膜したものであってもよい。
ができ、かつ、光導波損失や表面弾性波の伝搬損失の小
さい光導波路デバイス及びその製造方法を得る。 【解決手段】 ガラス基板１０上にＺｎＯをレーザアブ
レーション法によって成膜して光導波層２０を形成し、
この光導波層２０の表面を機械的研摩又はエッチングで
平坦化した光導波路デバイス。光導波層２０はレーザア
ブレーション法で第１層を成膜し、その上にスパッタ法
で第２層を成膜したものであってもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路デバイス
及びその製造方法、特にＡＯＤ（音響光学素子）を用い
た非機械式走査光学系として利用される光導波路デバイ
ス及びその製造方法に関する。
及びその製造方法、特にＡＯＤ（音響光学素子）を用い
た非機械式走査光学系として利用される光導波路デバイ
ス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光導波路デバイスは、基板上あ
るいは基板に形成した低屈折率層（光学バッファ層）上
に高屈折率の光導波層を設け、光導波層の表面は空気
（低屈折率層）とし、半導体レーザから放射されたレー
ザビームを光導波層に入力して導波させ、光導波層から
出力させる。このとき、ＩＤＴ（inter−digital−tran
sducer）から光導波層に表面弾性波を発生させ、レーザ
ビームを偏向させる。
るいは基板に形成した低屈折率層（光学バッファ層）上
に高屈折率の光導波層を設け、光導波層の表面は空気
（低屈折率層）とし、半導体レーザから放射されたレー
ザビームを光導波層に入力して導波させ、光導波層から
出力させる。このとき、ＩＤＴ（inter−digital−tran
sducer）から光導波層に表面弾性波を発生させ、レーザ
ビームを偏向させる。
【０００３】従来、光導波層はＺｎＯを成膜したものが
用いられており、光導波路デバイスの諸特性には圧電体
であるＺｎＯ膜の品質が大きな影響を及ぼしている。即
ち、ＺｎＯ膜の結晶状態、結晶方位の配向状態、膜の電
気的抵抗や表面状態により、圧電特性、光導波特性、弾
性表面波の発振、伝搬特性が異なってくる。ＺｎＯ膜は
従来マグネトロンスパッタ法で成膜されているが、光偏
向素子としての十分な特性を得ることができていない。
用いられており、光導波路デバイスの諸特性には圧電体
であるＺｎＯ膜の品質が大きな影響を及ぼしている。即
ち、ＺｎＯ膜の結晶状態、結晶方位の配向状態、膜の電
気的抵抗や表面状態により、圧電特性、光導波特性、弾
性表面波の発振、伝搬特性が異なってくる。ＺｎＯ膜は
従来マグネトロンスパッタ法で成膜されているが、光偏
向素子としての十分な特性を得ることができていない。
【０００４】一方、本発明者らは、最近、レーザアブレ
ーション法によるＺｎＯ膜の作製を試み、スパッタ法よ
りも膜の結晶性、配向性が優れたＺｎＯ膜を得られるこ
とが判明した。さらに、レーザアブレーション法で成膜
した第１層の上にスパッタ法で第２層を成膜する二段階
成膜法によってもスパッタ法単独での成膜よりも結晶
性、配向性が優れたＺｎＯ膜が得られることが判明し
た。
ーション法によるＺｎＯ膜の作製を試み、スパッタ法よ
りも膜の結晶性、配向性が優れたＺｎＯ膜を得られるこ
とが判明した。さらに、レーザアブレーション法で成膜
した第１層の上にスパッタ法で第２層を成膜する二段階
成膜法によってもスパッタ法単独での成膜よりも結晶
性、配向性が優れたＺｎＯ膜が得られることが判明し
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図６に示す
ように、ＺｎＯ膜１の結晶２は六角の柱状構造を有する
結晶粒となって成長することが知られている。前記レー
ザアブレーション法や二段階成膜法によってＺｎＯ膜を
成膜すると、結晶性が良好であることに起因して、図６
（Ｂ）に示すように、結晶粒径が大きくなり、表面の凹
凸が大きくなるという問題点を生じてきた。例えば、Ｚ
ｎＯ膜中の導波光は、表面や界面での散乱によって損失
を生じ、表面の凹凸が大きくなると、光導波損失が大き
くなってしまう。また、表面弾性波も表面の凹凸により
伝搬損失が大きくなってしまう。
ように、ＺｎＯ膜１の結晶２は六角の柱状構造を有する
結晶粒となって成長することが知られている。前記レー
ザアブレーション法や二段階成膜法によってＺｎＯ膜を
成膜すると、結晶性が良好であることに起因して、図６
（Ｂ）に示すように、結晶粒径が大きくなり、表面の凹
凸が大きくなるという問題点を生じてきた。例えば、Ｚ
ｎＯ膜中の導波光は、表面や界面での散乱によって損失
を生じ、表面の凹凸が大きくなると、光導波損失が大き
くなってしまう。また、表面弾性波も表面の凹凸により
伝搬損失が大きくなってしまう。
【０００６】ちなみに、スパッタ法単独で成膜したＺｎ
Ｏ膜１は、図６（Ａ）に示すように、結晶２の粒径が小
さく、表面の凹凸が小さいのであるが、配向性に問題点
を有している。
Ｏ膜１は、図６（Ａ）に示すように、結晶２の粒径が小
さく、表面の凹凸が小さいのであるが、配向性に問題点
を有している。
【０００７】そこで、本発明の目的は、結晶性、配向性
の良好な光導波層を得ることができ、かつ、光導波損失
や表面弾性波の伝搬損失の小さい光導波路デバイス及び
その製造方法を提供することにある。
の良好な光導波層を得ることができ、かつ、光導波損失
や表面弾性波の伝搬損失の小さい光導波路デバイス及び
その製造方法を提供することにある。
【０００８】
【発明の構成、作用及び効果】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る光導波路デバイスは、レーザアブレー
ション法によって基板上に光導波層を成膜し、その表面
を平坦化処理するようにした。あるいは、光導波層は第
１層をレーザアブレーション法で成膜し、その上にスパ
ッタ法等の薄膜法で第２層を成膜する二段階成膜法で形
成してもよく、このように形成された光導波層の表面に
対して平坦化処理を行う。
め、本発明に係る光導波路デバイスは、レーザアブレー
ション法によって基板上に光導波層を成膜し、その表面
を平坦化処理するようにした。あるいは、光導波層は第
１層をレーザアブレーション法で成膜し、その上にスパ
ッタ法等の薄膜法で第２層を成膜する二段階成膜法で形
成してもよく、このように形成された光導波層の表面に
対して平坦化処理を行う。
【０００９】本発明においては、レーザアブレーション
法によって光導波層を成膜することで結晶性、配向性の
良好な薄膜を得ることができる。さらに、その表面を平
坦化することで表面の凹凸を小さくし、導波光や表面弾
性波の損失を極力抑えることができる。また、レーザア
ブレーション法によって成膜された第１層の上にスパッ
タ法等の薄膜法で第２層を成膜することで、第１層及び
第２層共に結晶性、配向性の良好な光導波層を得ること
ができ、その表面を平坦化することで光導波損失や表面
弾性波の伝搬損失を極力抑えることができる。
法によって光導波層を成膜することで結晶性、配向性の
良好な薄膜を得ることができる。さらに、その表面を平
坦化することで表面の凹凸を小さくし、導波光や表面弾
性波の損失を極力抑えることができる。また、レーザア
ブレーション法によって成膜された第１層の上にスパッ
タ法等の薄膜法で第２層を成膜することで、第１層及び
第２層共に結晶性、配向性の良好な光導波層を得ること
ができ、その表面を平坦化することで光導波損失や表面
弾性波の伝搬損失を極力抑えることができる。
【００１０】前記光導波層の表面に対する平坦化処理は
研摩剤を使用した機械的研摩法、あるいはイオンによる
エッチング法によって行うことができる。
研摩剤を使用した機械的研摩法、あるいはイオンによる
エッチング法によって行うことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光導波路デバ
イス及びその製造方法の実施形態について、添付図面を
参照して説明する。
イス及びその製造方法の実施形態について、添付図面を
参照して説明する。
【００１２】（光導波路デバイスの構成）本発明に係る
光導波路デバイスは、図１（Ａ）に示すように、ガラス
基板１０上に光導波層２０を成膜し、さらに光導波層２
０の表面にグレーティング２１，２２を形成したもので
ある。グレーティング２１は光入力手段として機能し、
グレーティング２２は光出力手段として機能する。
光導波路デバイスは、図１（Ａ）に示すように、ガラス
基板１０上に光導波層２０を成膜し、さらに光導波層２
０の表面にグレーティング２１，２２を形成したもので
ある。グレーティング２１は光入力手段として機能し、
グレーティング２２は光出力手段として機能する。
【００１３】さらに、光導波層２０上にはＩＤＴ２５が
形成され、電源２６からこのＩＤＴ２５に印加される電
圧で連続的に周波数が変化する表面弾性波を光導波層２
０に発生させることで、導波光を偏向させる。
形成され、電源２６からこのＩＤＴ２５に印加される電
圧で連続的に周波数が変化する表面弾性波を光導波層２
０に発生させることで、導波光を偏向させる。
【００１４】また、光導波路デバイスとしては、図１
（Ｂ）に示すように、光入力手段として、グレーティン
グを使用せずに、光導波層２０の端面から光ビームを入
射させるものであってもよい。また、図１（Ｃ）に示す
ように、光出力手段として、グレーティングを使用せず
に、光導波層２０の端面から光ビームを出射するもので
あってもよい。あるいは、プリズムを入力及び／又は出
力の光結合手段として使用してもよい。
（Ｂ）に示すように、光入力手段として、グレーティン
グを使用せずに、光導波層２０の端面から光ビームを入
射させるものであってもよい。また、図１（Ｃ）に示す
ように、光出力手段として、グレーティングを使用せず
に、光導波層２０の端面から光ビームを出射するもので
あってもよい。あるいは、プリズムを入力及び／又は出
力の光結合手段として使用してもよい。
【００１５】（光導波層の作製、レーザアブレーション
法）本実施形態においては、光導波層２０として、ガラ
ス基板１０上にレーザアブレーション法によってＺｎＯ
膜を成膜した。図２にレーザアブレーション成膜装置の
概略を示す。真空チャンバー３０の中央にターゲット３
１を設置し、基板１０をターゲット３１から４５ｍｍ離
して対向状態にセットした。ＡｒＦエキシマレーザ（波
長λ：１９３ｎｍ）を光源とする光源ユニット３５から
レーザビームを放射し、絞り３６、走査ミラー３７、集
光レンズ３８を介してターゲット３１へ導き、アブレー
ションを起こさせる。チャンバー３０内に８％のＯ3を
含むＯ2ガスで満たされ、ターゲット３１から飛び出し
た粒子が対向する基板１０上に堆積し、ＺｎＯ膜が成膜
される。
法）本実施形態においては、光導波層２０として、ガラ
ス基板１０上にレーザアブレーション法によってＺｎＯ
膜を成膜した。図２にレーザアブレーション成膜装置の
概略を示す。真空チャンバー３０の中央にターゲット３
１を設置し、基板１０をターゲット３１から４５ｍｍ離
して対向状態にセットした。ＡｒＦエキシマレーザ（波
長λ：１９３ｎｍ）を光源とする光源ユニット３５から
レーザビームを放射し、絞り３６、走査ミラー３７、集
光レンズ３８を介してターゲット３１へ導き、アブレー
ションを起こさせる。チャンバー３０内に８％のＯ3を
含むＯ2ガスで満たされ、ターゲット３１から飛び出し
た粒子が対向する基板１０上に堆積し、ＺｎＯ膜が成膜
される。
【００１６】レーザアブレーション法は基板１０への飛
来粒子の運動エネルギーが小さく、スパッタ法に比べて
ダメージがない。さらに、エキシマレーザビームのエネ
ルギーによる励起効果や不純物の混入が少ない利点を有
している。さらに、レーザアブレーション法は、雰囲気
ガス圧条件が独立して選択できる等の特長を有し、超電
導、強誘電体等の高品質な酸化物膜の作製が可能であ
る。
来粒子の運動エネルギーが小さく、スパッタ法に比べて
ダメージがない。さらに、エキシマレーザビームのエネ
ルギーによる励起効果や不純物の混入が少ない利点を有
している。さらに、レーザアブレーション法は、雰囲気
ガス圧条件が独立して選択できる等の特長を有し、超電
導、強誘電体等の高品質な酸化物膜の作製が可能であ
る。
【００１７】レーザアブレーション法の成膜条件は以下
のとおりである。 基板温度：３５０℃ 酸素ガス圧：６×１０-4Ｔｏｒｒ レーザ：ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ） 繰り返し周波数：５Ｈｚ
のとおりである。 基板温度：３５０℃ 酸素ガス圧：６×１０-4Ｔｏｒｒ レーザ：ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ） 繰り返し周波数：５Ｈｚ
【００１８】一方、比較のため、スパッタ法のみによっ
て基板１０上にＺｎＯ膜を作製した。スパッタ法の成膜
条件は以下のとおりである。 基板：３５０℃ 全圧：２×１０-3Ｔｏｒｒ Ａｒ／Ｏ2：８０／２０ 高周波パワー：２．２Ｗ／ｃｍ
て基板１０上にＺｎＯ膜を作製した。スパッタ法の成膜
条件は以下のとおりである。 基板：３５０℃ 全圧：２×１０-3Ｔｏｒｒ Ａｒ／Ｏ2：８０／２０ 高周波パワー：２．２Ｗ／ｃｍ
【００１９】レーザアブレーション法で成膜したＺｎＯ
膜のＸ線回折パターンを調べた結果、ｃ軸優先配向を示
す（００２）と（００４）ピークのみが観察された。Ｚ
ｎＯ結晶のｃ軸の配向性を詳しく調べるために、（００
２）ピークのロッキングカーブ（θスキャン）を測定
し、その半値幅を調べた。図３はレーザアブレーション
法及びスパッタ法で成膜したＺｎＯ膜の（００２）ピー
クのロッキングカーブの半値幅の膜厚依存性を示す。図
３から明らかなように、レーザアブレーション法で成膜
したＺｎＯ膜は成長の初期段階から配向性が良好であ
る。
膜のＸ線回折パターンを調べた結果、ｃ軸優先配向を示
す（００２）と（００４）ピークのみが観察された。Ｚ
ｎＯ結晶のｃ軸の配向性を詳しく調べるために、（００
２）ピークのロッキングカーブ（θスキャン）を測定
し、その半値幅を調べた。図３はレーザアブレーション
法及びスパッタ法で成膜したＺｎＯ膜の（００２）ピー
クのロッキングカーブの半値幅の膜厚依存性を示す。図
３から明らかなように、レーザアブレーション法で成膜
したＺｎＯ膜は成長の初期段階から配向性が良好であ
る。
【００２０】なお、光導波層２０の材料に関しては、Ｚ
ｎＯ以外にも半導体、誘電体、圧電体等の種々の材料を
使用できる。圧電体としてのＺｎＯは材料が安価で圧電
効果の高い品質の良好な結晶が得られる利点を有してい
る。また、基板としては、ガラス以外にサファイア等の
低屈折率の材料を使用することができる。あるいは、シ
リコン基板の表面に光学バッファ層としてのＳｉＯ2膜
を形成したものであってもよい。ガラス基板は安価であ
り、損傷が少なく、ＺｎＯの結晶が容易に成長する利点
を有する。
ｎＯ以外にも半導体、誘電体、圧電体等の種々の材料を
使用できる。圧電体としてのＺｎＯは材料が安価で圧電
効果の高い品質の良好な結晶が得られる利点を有してい
る。また、基板としては、ガラス以外にサファイア等の
低屈折率の材料を使用することができる。あるいは、シ
リコン基板の表面に光学バッファ層としてのＳｉＯ2膜
を形成したものであってもよい。ガラス基板は安価であ
り、損傷が少なく、ＺｎＯの結晶が容易に成長する利点
を有する。
【００２１】（光導波損失）次に、膜膜１．６μｍのＺ
ｎＯ膜の光導波損失を測定した。測定は、図４に示すよ
うに、光導波層（ＺｎＯ膜）２０の表面にルチル型Ｔｉ
Ｏ2のプリズム２８を圧着させ、Ｈｅ−Ｎｅレーザを光
導波層２０に結合して導波させ、ＣＣＤカメラ２９で各
ポジションでの散乱光の光量を測定することによって行
った。各ポジションでの実測光量に基づいて光導波損失
を算出した。
ｎＯ膜の光導波損失を測定した。測定は、図４に示すよ
うに、光導波層（ＺｎＯ膜）２０の表面にルチル型Ｔｉ
Ｏ2のプリズム２８を圧着させ、Ｈｅ−Ｎｅレーザを光
導波層２０に結合して導波させ、ＣＣＤカメラ２９で各
ポジションでの散乱光の光量を測定することによって行
った。各ポジションでの実測光量に基づいて光導波損失
を算出した。
【００２２】ＴＥ０モードでの光導波損失は、レーザア
ブレーション法によるＺｎＯ膜では−１０ｄＢ／ｃｍで
あり、スパッタ法によるＺｎＯ膜では−３ｄＢ／ｃｍで
あった。単に成膜しただけのＺｎＯ膜では、レーザアブ
レーション法によるものがスパッタ法によるものよりも
悪い結果となった。走査型電子顕微鏡によるＺｎＯ膜の
表面を観察した結果、レーザアブレーション法によるＺ
ｎＯ膜では結晶粒径が大きくなっていることから、表面
の凹凸も大きくなり、その結果、導波光の伝搬損失も悪
化したものと考えられる。
ブレーション法によるＺｎＯ膜では−１０ｄＢ／ｃｍで
あり、スパッタ法によるＺｎＯ膜では−３ｄＢ／ｃｍで
あった。単に成膜しただけのＺｎＯ膜では、レーザアブ
レーション法によるものがスパッタ法によるものよりも
悪い結果となった。走査型電子顕微鏡によるＺｎＯ膜の
表面を観察した結果、レーザアブレーション法によるＺ
ｎＯ膜では結晶粒径が大きくなっていることから、表面
の凹凸も大きくなり、その結果、導波光の伝搬損失も悪
化したものと考えられる。
【００２３】（ＺｎＯ膜の研摩、機械的研摩法）そこ
で、レーザアブレーション法で成膜したＺｎＯ膜を研摩
治具に取り付け、回転研摩機で約２０００オングストロ
ームの研摩を行った。ＺｒＯ2を含む研摩剤を用い、ジ
ルコニウム系の研摩シート上で研摩を行った。研摩後に
図４に示した装置で導波光の光量を測定し、光導波損失
を算出したところ、−２ｄＢ／ｃｍであった。レーザア
ブレーション法によるＺｎＯ膜は研摩することでスパッ
タ法単独で成膜したＺｎＯ膜とほぼ同等の表面凹凸にな
り、かつ、光導波損失はより小さくなった。これは、レ
ーザアブレーション法によるＺｎＯ膜が本来的に結晶
性、配向性がよいこと、欠陥が少ないこと、表面を平坦
化処理することで凹凸に起因する導波光の散乱が減少し
たからであると考えられる。また、表面弾性波の伝搬損
失についても光導波損失と同様に小さくなる。
で、レーザアブレーション法で成膜したＺｎＯ膜を研摩
治具に取り付け、回転研摩機で約２０００オングストロ
ームの研摩を行った。ＺｒＯ2を含む研摩剤を用い、ジ
ルコニウム系の研摩シート上で研摩を行った。研摩後に
図４に示した装置で導波光の光量を測定し、光導波損失
を算出したところ、−２ｄＢ／ｃｍであった。レーザア
ブレーション法によるＺｎＯ膜は研摩することでスパッ
タ法単独で成膜したＺｎＯ膜とほぼ同等の表面凹凸にな
り、かつ、光導波損失はより小さくなった。これは、レ
ーザアブレーション法によるＺｎＯ膜が本来的に結晶
性、配向性がよいこと、欠陥が少ないこと、表面を平坦
化処理することで凹凸に起因する導波光の散乱が減少し
たからであると考えられる。また、表面弾性波の伝搬損
失についても光導波損失と同様に小さくなる。
【００２４】なお、ＺｎＯ膜の機械的研摩にはＺｒＯ2
以外の種々の研摩剤、例えば、ＣａＯ3や酸化鉄を含む
ものを使用できる。このような機械的研摩は、大面積を
短時間で処理することができる。
以外の種々の研摩剤、例えば、ＣａＯ3や酸化鉄を含む
ものを使用できる。このような機械的研摩は、大面積を
短時間で処理することができる。
【００２５】（ＺｎＯ膜の研摩、イオンエッチング法）
また、平坦化処理としては、真空中でイオンやクラスタ
ーイオンを加速してＺｎＯ膜表面に衝突させるエッチン
グ法によって行うこともできる。具体的には、図５に示
すように、真空チャンバー４０内で基板１０を回転させ
つつイオン銃４１からイオンビームＡｒ+を放射して行
う。Ａｒガスはイオン銃４１でイオン化、加速され、基
板１０上のＺｎＯ膜に対して約６０°の入射角度で照射
する。
また、平坦化処理としては、真空中でイオンやクラスタ
ーイオンを加速してＺｎＯ膜表面に衝突させるエッチン
グ法によって行うこともできる。具体的には、図５に示
すように、真空チャンバー４０内で基板１０を回転させ
つつイオン銃４１からイオンビームＡｒ+を放射して行
う。Ａｒガスはイオン銃４１でイオン化、加速され、基
板１０上のＺｎＯ膜に対して約６０°の入射角度で照射
する。
【００２６】エッチング条件は以下のとおりであり、Ａ
ｒ+は約２０００オングストロームである。 加速エネルギー：１ｋＶ イオン電流密度：０．８５ｍＡ／ｃｍ2 ガス圧：２×１０-4Ｔｏｒｒ エッチング時間：６分
ｒ+は約２０００オングストロームである。 加速エネルギー：１ｋＶ イオン電流密度：０．８５ｍＡ／ｃｍ2 ガス圧：２×１０-4Ｔｏｒｒ エッチング時間：６分
【００２７】エッチング後に図４に示した装置で導波光
の光量を測定し、光導波損失を算出したところ、−２ｄ
Ｂ／ｃｍであった。ＺｎＯ膜はイオンエッチング処理す
ることでスパッタ法単独で成膜したＺｎＯ膜とほぼ同等
の表面凹凸に改善され、光導波損失がより小さくなっ
た。また、表面弾性波の伝搬損失についても光導波損失
と同様に小さくなる。このようなエッチングによる研摩
は成膜後に真空中で処理でき、ＺｎＯ膜の表面に傷が付
きにくい利点を有している。
の光量を測定し、光導波損失を算出したところ、−２ｄ
Ｂ／ｃｍであった。ＺｎＯ膜はイオンエッチング処理す
ることでスパッタ法単独で成膜したＺｎＯ膜とほぼ同等
の表面凹凸に改善され、光導波損失がより小さくなっ
た。また、表面弾性波の伝搬損失についても光導波損失
と同様に小さくなる。このようなエッチングによる研摩
は成膜後に真空中で処理でき、ＺｎＯ膜の表面に傷が付
きにくい利点を有している。
【００２８】（二段階成膜法）一方、ＺｎＯ膜は二段階
成膜法で形成してもよい。即ち、レーザアブレーション
法によって基板上に第１層を成膜し、さらにその上にス
パッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、イオンプレーティン
グ法等のレーザアブレーション法以外の薄膜法によって
第２層を成膜し、光導波層とする。スパッタ法等の薄膜
法単独では、結晶性、配向性が必ずしも良好とはいえな
い。しかし、レーザアブレーション法によって成膜され
た結晶性、配向性の良好な第１層の上にスパッタ法等の
薄膜法で第２層を成膜すれば、結晶性、配向性の良好な
第２層が得られる。しかし、その表面は凹凸が大きいた
め、平坦化処理を施すことで、光導波損失、表面弾性波
の伝搬損失を改善することができる。
成膜法で形成してもよい。即ち、レーザアブレーション
法によって基板上に第１層を成膜し、さらにその上にス
パッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、イオンプレーティン
グ法等のレーザアブレーション法以外の薄膜法によって
第２層を成膜し、光導波層とする。スパッタ法等の薄膜
法単独では、結晶性、配向性が必ずしも良好とはいえな
い。しかし、レーザアブレーション法によって成膜され
た結晶性、配向性の良好な第１層の上にスパッタ法等の
薄膜法で第２層を成膜すれば、結晶性、配向性の良好な
第２層が得られる。しかし、その表面は凹凸が大きいた
め、平坦化処理を施すことで、光導波損失、表面弾性波
の伝搬損失を改善することができる。
【００２９】なお、本発明に係る光導波路デバイス及び
その製造方法は前記実施形態に限定するものではなく、
その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論であ
る。
その製造方法は前記実施形態に限定するものではなく、
その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論であ
る。
【図１】本発明に係る３種類の光導波路デバイスを示す
斜視図。
斜視図。
【図２】本発明に係る製造方法で使用されるレーザアブ
レーション成膜装置を示す概略構成図。
レーション成膜装置を示す概略構成図。
【図３】ＺｎＯ膜の膜厚に対するロッキングカーブの半
値幅を示すグラフ。
値幅を示すグラフ。
【図４】光導波損失の測定方法の説明図。
【図５】イオンエッチング装置を示す概略構成図。
【図６】ＺｎＯの結晶粒径の説明図。
１０…基板 ２０…光導波層 ２１，２２…グレーティング ２５…ＩＤＴ
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に光導波層を形成してなる光導波
路デバイスにおいて、基板上にレーザアブレーション法
で成膜された光導波層の表面が平坦化処理されているこ
とを特徴とする光導波路デバイス。 - 【請求項２】 基板上に光導波層を形成してなる光導波
路デバイスにおいて、基板上にレーザアブレーション法
で成膜された第１層とその上にレーザアブレーション法
以外の薄膜法で成膜された第２層とで光導波層が形成さ
れ、この光導波層の表面が平坦化処理されていることを
特徴とする光導波路デバイス。 - 【請求項３】 前記光導波層はＺｎＯからなることを特
徴とする請求項１又は請求項２記載の光導波路デバイ
ス。 - 【請求項４】 前記光導波層に導波光を偏向させる弾性
波発生手段を備えたことを特徴とする請求項１、請求項
２又は請求項３記載の光導波路デバイス。 - 【請求項５】 基板上に光導波層を形成してなる光導波
路デバイスの製造方法において、基板上にレーザアブレ
ーション法によって光導波層を成膜し、成膜された光導
波層の表面を平坦化処理することを特徴とする光導波路
デバイスの製造方法。 - 【請求項６】 基板上に光導波層を形成してなる光導波
路デバイスの製造方法において、基板上にレーザアブレ
ーション法によって第１層を成膜すると共に、その上に
レーザアブレーション法以外の薄膜法によって第２層を
成膜して光導波層を形成し、この光導波層の表面を平坦
化処理することを特徴とする光導波路デバイスの製造方
法。 - 【請求項７】 前記第２層の薄膜法はスパッタ法、ＣＶ
Ｄ法、真空蒸着法又はイオンプレーティング法のいずれ
かであることを特徴とする請求項６記載の光導波路デバ
イスの製造方法。 - 【請求項８】 前記平坦化処理は研摩剤を使用した機械
的研摩法であることを特徴とする請求項５又は請求項６
記載の光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項９】 前記平坦化処理はイオンによるエッチン
グ法であることを特徴とする請求項５又は請求項６記載
の光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項１０】 前記光導波層はＺｎＯを材料として成
膜することを特徴とする請求項５、請求項６、請求項
７、請求項８又は請求項９記載の光導波路デバイスの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10980398A JPH11305056A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 光導波路デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10980398A JPH11305056A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 光導波路デバイス及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11305056A true JPH11305056A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14519616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10980398A Pending JPH11305056A (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 光導波路デバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11305056A (ja) |
-
1998
- 1998-04-20 JP JP10980398A patent/JPH11305056A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5093943B2 (ja) | 回転マグネトロンスパッタシステムを用いて圧電膜を製作する方法 | |
| US6533907B2 (en) | Method of producing amorphous silicon for hard mask and waveguide applications | |
| US11139427B2 (en) | Bonded body and elastic wave element | |
| JP2014520966A (ja) | 基板上に少粒子層を形成するための方法および装置 | |
| US20210013864A1 (en) | Joint and elastic wave element | |
| US20220149811A1 (en) | Bonded body and acoustic wave element | |
| CN112272920B (zh) | 接合体及弹性波元件 | |
| JPH11305056A (ja) | 光導波路デバイス及びその製造方法 | |
| JP3876666B2 (ja) | 光デバイス及びその製造方法 | |
| JP7410068B2 (ja) | 接合体、光導波路基板および光変調器 | |
| US11448907B2 (en) | Bonded bodies for optical modulators, optical modulators and a method of producing bonded bodies for optical modulators | |
| EP0930702B1 (en) | Orientational material and surface acoustic wave device | |
| JP2002151754A (ja) | 圧電体薄膜素子及びその製造方法 | |
| JP4092900B2 (ja) | 圧電体薄膜を形成したダイヤモンド基板およびその製造方法 | |
| Norgate et al. | Ion beam etching | |
| US11411547B2 (en) | Joint and elastic wave element | |
| WO2023189103A1 (ja) | 複合基板、弾性表面波素子および複合基板の製造方法 | |
| US20210328570A1 (en) | Bonded body of piezoelectric material substrate and supporting substrate | |
| JP3207876B2 (ja) | 光導波路素子の作製方法 | |
| JP2023171912A (ja) | フォトニック結晶素子用複合基板 | |
| JPH11281829A (ja) | 光導波路デバイス及びその製造方法 | |
| JPH07218736A (ja) | 強誘電体結晶基板への装荷膜およびその形成方法 |