JPH11298797A - 画像検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 撮像した撮像データの処理、演算結果、およ
び予め保存された画像データとを選択的に読み出すこと
ができないなどの課題があった。 【解決手段】 センサセル１において演算回路での演算
結果、画像検出センサ３１に保存された撮像データ、お
よびメモリセル３２に保存された画像データを選択的に
読み出し、データ入出力回路４により外部からのデータ
をセンサメモリアレイ１０内部のメモリセル３２に読み
書きし、アドレス設定回路２によりセンサメモリアレイ
１０内部のメモリセル３２の行および列を外部から指定
し、制御回路３によりセンサメモリアレイ１０の複数の
列出力信号の範囲を設定して出力する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、撮像した撮像デ
ータの処理、演算結果、および予め保存された画像デー
タとを選択的に読み出すことができる情報処理機能付き
の画像検出装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１０は、例えば木内雄二著「イメージ
センサの基礎と応用」に示された従来の電荷転送素子
（ＣＣＤ）を用いた画像検出装置の概要を示す構成図で
あり、図において、５０は光を検出する画素、５１は光
を電荷に変換し蓄積するフォトダイオード、５２は蓄積
された電荷を垂直ＣＣＤ５３および水平ＣＣＤ５４に導
くトランスファーゲート、５５は電荷を電圧信号に変換
し読み出し端子５９から出力するアンプ、５６は制御端
子５８を介して制御回路５７から出力された走査パルス
を垂直ＣＣＤ５３および水平ＣＣＤ５４に順次導くスキ
ャナである。

【０００３】次に動作について説明する。まず、入力画
像がこの画素５０のアレイに照射され、各画素５０のフ
ォトダイオード５１は光を電荷に変換し蓄積する。この
蓄積電荷が画像の画素信号に対応するものである。そし
て、この蓄積された電荷は制御端子５８を介して制御回
路５７から出力された走査パルスに同期してトランスフ
ァーゲート５２を介して垂直ＣＣＤ５３に導かれ、電荷
が下側に順に転送されていく。そして、垂直ＣＣＤ５３
の一番下まで到達した電荷は水平ＣＣＤ５４に送られ
る。水平ＣＣＤ５４では順に横方向に転送され、最後に
アンプ５５で電圧信号に変換し読み出し端子５９から出
力する。このようにして各画素信号を時系列で検出され
ることになる。

【０００４】図１１は電荷転送素子（ＣＣＤ）を用いて
画像処理を行う従来の画像検出装置を示す構成図であ
り、図において、６０はセンサ、６１はセンサ６０のア
レイから出力された画素の電圧信号をデジタル信号に変
換するアナログデジタル変換器、６２はアナログデジタ
ル変換器６１により変換されたデジタル信号をデータ圧
縮する画像データ変換回路、６３は画像データ変換回路
６２でデータ圧縮されたデジタル信号を保存する画像記
憶メモリ、６５は演算回路、６４はデータバスである。

【０００５】次に動作について説明する。画素に光が照
射されると光生成キャリヤが発生し、画素内部に蓄積さ
れる。ＣＣＤなどのセンサ６０のアレイから出力された
画素の電圧信号はアナログデジタル変換器６１でデジタ
ル信号に変換され、画像データ変換回路６２に入力され
る。そして、この変換されたデジタル信号は画像データ
変換回路６２でデータ圧縮され、一旦画像記憶メモリ６
３に保存される。次に、データバス６４を経由して、画
像記憶メモリ６３内に予め保存された画像データと圧縮
されたデジタル信号のデータが演算回路６５に入力され
る。例えば変化データを検出するための差を求める演算
等が行われて画像記憶メモリ６３に演算結果が保存され
る。

【０００６】この画像検出装置では撮像した画像データ
を画像記憶メモリ６３に直接保存するには膨大なデータ
になるため画像データ変換回路６２で圧縮する処理が必
要になる。例えば、ＪＰＥＧ方式では２Ｍビットのデー
タを１／１０に圧縮して保存する処理が行われる。また
画像記憶メモリ６３では圧縮された撮像データの保存領
域と演算を行う被演算画像データの保存領域が必要にな
り、データ処理の速度は演算回路６５の処理速度とデー
タバス６４のデータ転送速度によって決まる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来の画像検出装置は
以上のように構成されているので、撮像した撮像データ
の処理、演算結果、および予め保存された画像データと
を選択的に読み出すことができないなどの課題があっ
た。

【０００８】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、撮像した撮像データの処理、演算
結果、および予め保存された画像データとを選択的に読
み出すことができる情報処理機能付きの画像検出装置を
得ることを目的とする。

【０００９】また、この発明は、外部に設けることが必
要な画像データのメモリ量を削減できるとともに、撮像
した画像データの処理が実時間で可能となり高速化が可
能となる情報処理機能付きの画像検出装置を得ることを
目的とする。

【００１０】さらに、この発明は、小振幅で低消費電力
化が図れ、高速なデータ転送が行えるとともに、複数種
類の画像処理を行う際に複数回の撮像処理が不要となる
情報処理機能付きの画像検出装置を得ることを目的とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明に係る画像検出
装置は、照射された光を吸収し生成された電荷を蓄積す
るフォトダイオード、このフォトダイオードの蓄積電荷
の量に応じた大きさの撮像データを保存する画像検出セ
ンサ、予め撮像された画像データ値、パターンマッチン
グなどの画像処理を行う際の被演算値、およびフォトダ
イオードの蓄積値に対して演算処理を行う被演算値を保
存するメモリセル、およびフォトダイオードの蓄積値と
被演算値を入力としてデータ処理を行う演算回路、この
演算回路での演算結果、画像検出センサに保存された撮
像データ、およびメモリセルに保存された画像データを
選択的に読み出す選択回路により構成されたセンサセル
と、センサメモリアレイによりセンサセルを二次元状に
配置し各センサセルの出力信号線は各列毎に共通に接続
し、データ入出力回路により外部からのデータをセンサ
メモリアレイ内部のメモリセルに読み書きし、アドレス
設定回路によりセンサメモリアレイ内部のメモリセルの
行および列を外部から指定し、制御回路によりセンサメ
モリアレイの複数の列出力信号の範囲を設定して出力す
るようにしたものである。

【００１２】この発明に係る画像検出装置は、センサメ
モリアレイから出力された演算値をデジタルに変換する
アナログデジタル変換器と、このアナログデジタル変換
器の出力を保存する画像記憶メモリとから構成されたも
のである。

【００１３】この発明に係る画像検出装置は、メモリセ
ルは、被演算値を保持するキャパシタと、このキャパシ
タの値を転送するＭＯＳ型のトランスファーゲートとか
ら構成されたものである。

【００１４】この発明に係る画像検出装置は、センサメ
モリアレイ内に設けられたメモリセルのキャパシタのリ
フレッシュを行うものである。

【００１５】この発明に係る画像検出装置は、フォトダ
イオードよりも多く設けられたメモリセルの中から外部
からの切り換え信号により１つのメモリセルを選択する
ようにしたものである。

【００１６】この発明に係る画像検出装置は、メモリセ
ルは、アナログフリップフロップで構成されたものであ
る。

【００１７】この発明に係る画像検出装置は、メモリセ
ルは、不揮発性メモリセルで構成されたものである。

【００１８】この発明に係る画像検出装置は、制御回路
は、センサメモリアレイのアナログ列出力信号を増幅す
るセンスアンプと、このセンスアンプで増幅された値を
読み出し端子に出力する入出力手段で構成されたもので
ある。

【００１９】この発明に係る画像検出装置は、センスア
ンプは、列出力信号をイコライズする電圧を複数の電位
に設定するセンスアンプ・コラムデコーダ回路を設けた
ものである。

【００２０】この発明に係る画像検出装置は、センサセ
ルは、照射された光を吸収し生成された電荷を蓄積する
フォトダイオードと、被演算値を保持するキャパシタ
と、出力信号線よりデータをキャパシタに書き込むトラ
ンスファーゲートと、キャパシタに保存されたデータを
出力信号線に読み出すトランスファーゲートとを設けた
ものである。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１による画
像検出装置のセンサを示す構成図であり、図において、
１は画素、メモリセルおよび演算器アレイで構成される
センサセルであり、画素に光が照射されると光生成キャ
リヤが発生し、画素内部に蓄積される。なお、画素は図
１０と同様のフォトダイオード５１とトランスファーゲ
ート５２などから構成される。２はセンサセル１内部の
メモリセル３２の行および列を外部から指定するアドレ
ス設定回路、３は制御回路、４はセンサセル１内部のメ
モリセル３２へ外部からのデータを読み書きするデータ
入出力回路、５はアドレス入力端子、６は制御端子、７
はデータ入出力端子、１０は上記の構成を含むセンサメ
モリアレイである。

【００２２】図２はこの発明の実施の形態１による画像
検出装置のセンサメモリアレイの具体的な構成を示す構
成図であり、図において、３１は画像検出センサ、３２
は予め撮像された画像データ値やパターンマッチングな
どの画像処理を行う際の被演算値が保存されるメモリセ
ル、３３は画像検出センサ３１とメモリセル３２の値を
入力として演算処理を行う演算回路、３４は画像検出セ
ンサ３１とメモリセル３２の内容および演算回路３３の
出力を選択する選択回路、３５はセンサセル１内部の列
信号線である。

【００２３】図３はこの発明の実施の形態１による画像
検出装置のシステムを示す構成図であり、図において、
１１はアナログデジタル変換器、１３は画像記憶メモ
リ、１２はデータバスである。センサメモリアレイ１０
から出力された演算値はアナログデジタル変換器１１で
デジタル値に変換する。なお、この変換されたデータは
すでにセンサメモリアレイ１０で演算処理が行われたデ
ータである。パターンマッチング等の画像処理応用で
は、演算後のデータは差分データのみになり、画像記憶
メモリ１３に保存するデータ量が少なくできる可能性が
ある。また、画像記憶メモリ１３に蓄えるデータ量も演
算結果の保存のみになるためデータ圧縮処理を省略した
装置構成が可能である。そのため、アナログデジタル変
換器１１の出力はデータバス１２を経由して画像記憶メ
モリ１３に保存するシステム構成が実現可能となる。予
め設定が必要なセンサセル１内部のセンサセル１には画
像記憶メモリ１３からデータバス１２を経由して書き込
みまたは読み出しが行われる。

【００２４】図４はこの発明の実施の形態１による画像
検出装置の画素の外観を示す構成図である。Ｃ端子９２
にハイ（Ｈ）パルスを入力すると蓄積電荷は初期状態に
リセットされる。電荷を蓄積後、Ｈ端子９０をＨにする
とｌｏｕｔ端子９４から出力電流ｌｏｕｔとして読み出
すことができる。一方、Ｌ端子９１をＨにすると出力電
流−ｌｏｕｔとして読み出すことができる。入力光パワ
ーをＷｉｊとし、Ｈ端子９０、Ｌ端子９１の入力電圧に
より設定される感度をＳｉとすると、ｌｏｕｔ端子９４
から出力される出力電流値はｌｏｕｔ＝ＳｉＷｉｊで表
される。

【００２５】図５はこの発明の実施の形態１による画像
検出装置の画素内部を示す構成図である。センサメモリ
アレイのアナログ列出力信号を増幅するセンスアンプ７
０では、トランジスタ８１をオンにすると内部電位はＶ
ＤＤレベルにリセットされる。そして、トランジスタ８
１をオフに戻した後、光を照射するとその量に応じて内
部電位が低下することになる。この状態でトランジスタ
７４をＨにすると正の出力電流が流れる。無照射の時電
流の大きさが最大で、照射が多くなるほど電流の大きさ
が小さくなる反転出力である。一方、トランジスタ７５
をＨにすると負の出力電流が流れる。そして、このセン
スアンプ７０で増幅された値は、トランジスタ（入出力
手段）７６により読み出し端子に出力される。

【００２６】次に動作について説明する。図６はこの発
明の実施の形態１による画像検出装置のメモリセルおよ
び画素データの演算を行う演算手段を示す構成図であ
る。この発明の実施の形態１による画像検出装置では、
ダイナミックメモリで用いられているトランスファーゲ
ート１１１＋キャパシタ１０５をメモリセルおよび画素
データの演算を行う演算手段として用いている。まず、
画像センサとして従来のセンサと同様の動作を行う場合
には、選択回路３４において画像検出センサ３１の出力
を選択して列信号線３５に出力する。次に、制御端子１
１２をＨにしトランスファーゲート１１１をオンにし、
ＤＲＡＭセル１０２は非選択状態で使用する。

【００２７】また、メモリとして動作を行う場合には、
ワード線１０１をＨにし列信号線１０３からトランスフ
ァーゲート１０４をオンにし、列信号線１０３の値をキ
ャパシタに保存する。一方、書き込み時には列信号線１
０３の電位をキャパシタ１０５に書き込み、読み出し時
にはキャパシタ１０５に保存された電荷を列信号線１０
３に読み出す。

【００２８】さらに、画像処理をセンサセル１内で行う
場合には、画像検出センサ３１とメモリセル３２との値
を演算回路３３に入力し差分、絶対値差分などの演算処
理を行い列信号線３５に出力する。列信号線３５に出力
された演算結果はデータ入出力回路４で増幅して出力す
る。次に、ＤＲＡＭセル１０２を選択して被演算値を外
部から書き込む。次に、画素１１０の光電荷蓄積が十分
に行われた状態でトランスファーゲート１１１をオンに
した後、ＤＲＡＭセル１０２を選択し、演算結果をキャ
パシタに保存する。その後、再度ＤＲＡＭセル１０２を
選択して演算結果を列信号線１０３に出力する。光電荷
と被演算値が同極性に構成すれば、加算を実行させるこ
とができ、逆極性にすれば減算を実行させることができ
る。

【００２９】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、撮像した撮像データの処理、演算結果、および予め
保存された画像データとを選択的に読み出すことができ
るなどの効果が得られる。また、例えばパターンマッチ
ングなどの処理ではテンプレートデータをセンサメモリ
アレイ１０内に取り込んでおくことが容易になるため、
度重なるテンプレートデータの外部からの転送処理が不
要となり、高集積化できるなどの効果が得られる。

【００３０】さらに、演算処理結果のみを出力する時
に、差分データを出力する処理では、各列から読み出さ
れる信号レベルが差のレベルになり小振幅で低消費電力
化が図れ、さらに高速にデータ転送可能となるなどの効
果が得られる。さらに、センサメモリアレイ１０内で撮
像された撮像データが原画像として保存可能であるた
め、複数種類の画像処理を行う際に複数回の撮像処理が
不要となるなどの効果が得られる。さらに、原画像と画
像処理後のデータを出力することが可能となり、一つの
原画像に対して複数の画像処理データを出力することが
できるなどの効果が得られる。

【００３１】実施の形態２．図７はこの発明の実施の形
態２よる画像検出装置のセンサを示す構成図、図８はこ
の発明の実施の形態２による画像検出装置における画素
検出センサを示す構成図であり、実施の形態１と同一の
符号については同一または相当部分を示すので説明を省
略する。実施の形態１ではデータ入出力回路４が制御回
路３の指示を受けて外部からのデータをメモリセル３２
に対して読み書きを行っていたが、この実施の形態２で
はセンサセル１の複数の列出力信号の範囲を設定して出
力する機能をＤＲＡＭで用いられているセンスアンプ・
コラムデコーダ回路２５とデータ入出力回路４とで行っ
ている。

【００３２】センサセル１の列信号線から出力される電
流値はアナログ値であり、増幅して出力するためにはア
ナログ値を増幅する機能を有するセンスアンプが必要で
ある。また、列信号線をイコライズする電圧を複数の電
位に設定する電位発生回路を設けること等により微少な
アナログ値を読み出すことが可能である。

【００３３】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、画像検出センサ３１のアナログデータを書き込みア
ンプ１１５および読み出しアンプ１１６で増幅する構成
により、列信号線１０３に増幅された値を出力すること
ができるなどの効果が得られる。

【００３４】実施の形態３．図９はこの発明の実施の形
態３よる画像検出装置においてアナログ型フリップフロ
ップを用いたメモリセルを示す回路図であり、実施の形
態１と同一の符号については同一または相当部分を示す
ので説明を省略する。実施の形態１でのメモリセル３２
は、ダイナミックメモリで用いられている１個のトラン
スファーゲート１０４，１１１＋キャパシタ１０５であ
るが、この実施の形態３でのメモリセル３２は、図９で
示すようにトランスファーゲート１０４，１１１、キャ
パシタ１０５、出力信号線を介して入力したデータをキ
ャパシタ１０５に書き込む書き込み部、およびキャパシ
タ１０５に保存されているデータを出力信号線に読み出
す読み出し部とから構成される。

【００３５】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、画像処理を行うときに被演算値を保存することがで
きる効果がある。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、照射
された光を吸収し生成された電荷を蓄積するフォトダイ
オード、このフォトダイオードの蓄積電荷の量に応じた
大きさの撮像データを保存する画像検出センサ、予め撮
像された画像データ値、パターンマッチングなどの画像
処理を行う際の被演算値、およびフォトダイオードの蓄
積値に対して演算処理を行う被演算値を保存するメモリ
セル、およびフォトダイオードの蓄積値と被演算値を入
力としてデータ処理を行う演算回路、この演算回路での
演算結果、画像検出センサに保存された撮像データ、お
よびメモリセルに保存された画像データを選択的に読み
出す選択回路により構成されたセンサセルと、センサメ
モリアレイによりセンサセルを二次元状に配置し各セン
サセルの出力信号線は各列毎に共通に接続し、データ入
出力回路により外部からデータをセンサメモリアレイ内
部のメモリセルに読み書きし、アドレス設定回路により
センサメモリアレイ内部のメモリセルの行および列を外
部から指定し、制御回路によりセンサメモリアレイの複
数の列出力信号の範囲を設定して出力するように構成し
たので、演算結果と撮像データおよびメモリで保持され
た画像データを選択的に読み出すことができる効果があ
る。

【００３７】この発明によれば、センサメモリアレイか
ら出力された演算値をデジタルに変換するアナログデジ
タル変換器と、このアナログデジタル変換器の出力を保
存する画像記憶メモリとから構成したので、画像記憶メ
モリに保存するデータ量を少なくすることができる効果
がある。

【００３８】この発明によれば、メモリセルは、被演算
値を保持するキャパシタと、このキャパシタの値を転送
するＭＯＳ型のトランスファーゲートとから構成したの
で、高集積なメモリセルを可能にすることができる効果
がある。

【００３９】この発明によれば、センサメモリアレイ内
に設けられたメモリセルのキャパシタのリフレッシュを
行うように構成したので、アレイ内でのリフレッシュ動
作を可能にすることができる効果がある。

【００４０】この発明によれば、フォトダイオードより
も多く設けられたメモリセルの中から外部からの切り換
え信号により１つのメモリセルを選択するように構成し
たので、不良セルの交換を可能にすることができる効果
がある。

【００４１】この発明によれば、メモリセルは、アナロ
グフリップフロップで構成したので、低消費なメモリセ
ルを可能にすることができる効果がある。

【００４２】この発明によれば、メモリセルは、不揮発
性メモリセルで構成したので、電源投入なしでもデータ
の保持を可能にすることができる効果がある。

【００４３】この発明によれば、制御回路は、センサメ
モリアレイのアナログ列出力信号を増幅するセンスアン
プと、このセンスアンプで増幅された値を読み出し端子
に出力する入出力手段で構成したので、アナログ出力を
増幅することができる効果がある。

【００４４】この発明によれば、センスアンプは、セン
スアンプ・コラムデコーダ回路により列出力信号をイコ
ライズする電圧を複数の電位に設定するように構成した
ので、アナログ出力を増幅することができる効果があ
る。

【００４５】この発明によれば、センサセルは、照射さ
れた光を吸収し生成された電荷を蓄積するフォトダイオ
ードと、被演算値を保持するキャパシタと、出力信号線
よりデータをキャパシタに書き込むトランスファーゲー
トと、トランスファーゲートによりキャパシタに保存さ
れたデータを出力信号線に読み出すように構成したの
で、画像処理を行うときの被演算値を保存することがで
きる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１による画像検出装置
のセンサを示す構成図である。

【図２】 この発明の実施の形態１による画像検出装置
のセンサメモリアレイの具体的な構成を示す構成図であ
る。

【図３】 この発明の実施の形態１による画像検出装置
のシステムを示す構成図である。

【図４】 この発明の実施の形態１による画像検出装置
の画素の外観を示す構成図である。

【図５】 この発明の実施の形態１による画像検出装置
の画素内部を示す構成図である。

【図６】 この発明の実施の形態１による画像検出装置
のメモリセルおよび画素データの演算を行う演算手段を
示す構成図である。

【図７】 この発明の実施の形態２による画像検出装置
のセンサを示す構成図である。

【図８】 この発明の実施の形態２による画像検出装置
における画素検出センサを示す構成図である。

【図９】 この発明の実施の形態３による画像検出装置
においてアナログ型フリップフロップを用いたメモリセ
ルを示す回路図である。

【図１０】 従来の画像検出装置の概要を示す構成図で
ある。

【図１１】 従来の画像検出装置を示す構成図である。

【符号の説明】

１ センサセル、２ アドレス設定回路、３ 制御回
路、４ データ入出力回路、１０ センサメモリアレ
イ、１１ アナログデジタル変換器、１３ 画像記憶メ
モリ、２５ センスアンプ・コラムデコーダ回路、３１
画像検出センサ、３２ メモリセル、３３ 演算回
路、３４ 選択回路、５１ フォトダイオード、７０
センスアンプ、７６ トランジスタ（入出力手段）、１
０４，１１１トランスファーゲート、１０５ キャパシ
タ。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 照射された光を吸収し生成された電荷を
   蓄積するフォトダイオード、このフォトダイオードの蓄
   積電荷の量に応じた大きさの撮像データを保存する画像
   検出センサ、予め撮像された画像データ値、パターンマ
   ッチングなどの画像処理を行う際の被演算値、および上
   記フォトダイオードの蓄積値に対して演算処理を行う被
   演算値を保存するメモリセル、および上記フォトダイオ
   ードの蓄積値と被演算値を入力としてデータ処理を行う
   演算回路、この演算回路での演算結果、上記画像検出セ
   ンサに保存された撮像データ、および上記メモリセルに
   保存された画像データを選択的に読み出す選択回路によ
   り構成されたセンサセルと、 このセンサセルを二次元状に配置し各センサセルの出力
   信号線は各列毎に共通に接続したセンサメモリアレイ
   と、 外部からのデータを上記センサメモリアレイ内部の上記
   メモリセルに読み書きをするデータ入出力回路と、 上記センサメモリアレイ内部の上記メモリセルの行およ
   び列を外部から指定するアドレス設定回路と、 上記センサメモリアレイの複数の列出力信号の範囲を設
   定して出力する制御回路とから構成される画像検出装
   置。
2. 【請求項２】 センサメモリアレイから出力された演算
   値をデジタルに変換するアナログデジタル変換器と、こ
   のアナログデジタル変換器の出力を保存する画像記憶メ
   モリとから構成されたことを特徴とする請求項１記載の
   画像検出装置。
3. 【請求項３】 メモリセルは、被演算値を保持するキャ
   パシタと、このキャパシタの値を転送するＭＯＳ型のト
   ランスファーゲートとから構成されたことを特徴とする
   請求項１記載の画像検出装置。
4. 【請求項４】 センサメモリアレイ内に設けられたメモ
   リセルのキャパシタのリフレッシュを行うことを特徴と
   する請求項３記載の画像検出装置。
5. 【請求項５】 フォトダイオードよりも多く設けられた
   メモリセルの中から外部からの切り換え信号により１つ
   の上記メモリセルを選択することを特徴とする請求項３
   記載の画像検出装置。
6. 【請求項６】 メモリセルは、アナログフリップフロッ
   プで構成されたことを特徴とする請求項１記載の画像検
   出装置。
7. 【請求項７】 メモリセルは、不揮発性メモリセルで構
   成されたことを特徴とする請求項１記載の画像検出装
   置。
8. 【請求項８】 制御回路は、センサメモリアレイのアナ
   ログ列出力信号を増幅するセンスアンプと、このセンス
   アンプで増幅された値を読み出し端子に出力する入出力
   手段で構成されたことを特徴とする請求項１記載の画像
   検出装置。
9. 【請求項９】 センスアンプは、列出力信号をイコライ
   ズする電圧を複数の電位に設定するセンスアンプ・コラ
   ムデコーダ回路を設けたことを特徴とする請求項８記載
   の画像検出装置。
10. 【請求項１０】 センサセルは、照射された光を吸収し
    生成された電荷を蓄積するフォトダイオードと、被演算
    値を保持するキャパシタと、出力信号線よりデータを上
    記キャパシタに書き込むトランスファーゲートと、上記
    キャパシタに保存されたデータを上記出力信号線に読み
    出すトランスファーゲートとを設けたことを特徴とする
    請求項１記載の画像検出装置。